CN112144026A - 溅射装置 - Google Patents

Abstract

本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀的溅射装置的开闭作业变得容易。在由靶极侧真空槽（11a）与基板侧真空槽（11b）构成的真空槽（11）中，令电极板（28a、28b）的重量支承于靶极侧真空槽（11a），将电极板（28a、28b）配置于靶极13的短边上而缩短靶极（13）与接地电位之间的距离，令基板（16）上的等离子均匀化。基板侧真空槽（11b）的内部被轻量化，所以在令基板侧真空槽（11b）移动而开闭真空槽（11）时，开闭作业变得容易。

Description

溅射装置

技术领域

本发明涉及溅射技术，特别涉及使金属薄膜的面内的特性分布成为均匀的溅射技术。

背景技术

借助溅射方法进行的薄膜形成是被广泛使用的技术，近年来，为了在大型基板上形成薄膜，要求在大面积基板上形成特性分布均匀的薄膜的技术。

图9（俯视图和E－E线、F－F线截断剖视图）的等离子装置102在阴极电极112的表面配置有靶极113，在背面设置有多个磁铁装置115₁～115₅，所述磁铁装置115₁～115₄在磁轭127上配置有外周磁铁125和内侧磁铁126，如果靶极113被溅射，则在与靶极113面对而配置在基板配置部114上的基板116的表面上形成薄膜。

在基板116的外周上配置有阳极电极117，使得在靶极113表面上形成的等离子变得均匀。

但是，基板116更加大型化，随之而靶极113及磁铁装置115₁～115₄大型化，结果在基板116的距短边较近的区域和其之间的中央的部分上，形成的薄膜的特性的差异变大。

如果短边部分的薄膜的电阻值与中央部分的薄膜的电阻值较大地不同，则在基板表面上形成的发光层的发光分布不同，成为不均匀的明亮度的画面。

在下述专利文献中，记载有配置与能够移动的磁控管等离子连动的接地电位电极而实现了膜质及膜厚的均匀化的对应于大型基板的磁控管溅射装置。

专利文献1：日本特开平07－331433号公报。

发明内容

本发明是为了解决上述以往技术的不良状况而做出的，其目的是使在大型基板表面上形成的薄膜的特性分布变得均匀，特别是使距细长的磁控管磁铁的端部较近的基板的边缘附近的区域的薄膜特性与基板的中央附近的区域的薄膜特性的差异变小。

此外，本发明的另一目的在于能够减轻镀膜后的电极板的重量，并且能够容易地更换电极板。

为了解决上述课题，本发明是一种溅射装置，具有：真空槽；靶极，配置在前述真空槽的内部；阴极电极，与配置在前述靶极的背面侧的溅射电源连接；多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；基板配置部，配置基板；以及环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开，作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状；在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间，配置有连接到接地电位的电极板；使前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的TB距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的TA距离短，且前述电极板配置在前述靶极的沿着前述等离子区域的两端而设置的两边上。

本发明是一种溅射装置，前述真空槽构成为，能够分离为在内部配置有前述靶极的靶极侧真空槽与在内部配置有前述阳极电极的基板侧真空槽，在前述靶极侧真空槽与前述基板侧真空槽密接连接的状态下，前述靶极和前述阳极电极被铅直地配置，前述电极板的重量由前述靶极侧真空槽支承，在令前述靶极侧真空槽与前述基板侧真空槽分离时，在前述靶极侧真空槽静止的状态下，前述基板侧真空槽移动。

本发明是一种溅射装置，前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的距离比前述靶极的表面与配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之间的TS距离的10%大、比90%小。

本发明是一种溅射装置，前述靶极是平板状的金属钼板，前述薄膜是金属钼薄膜。

在基板表面中，距细长的磁控管磁铁的端部较近的区域与基板的中央的区域之间的薄膜特性的差异变边小，结果，关于在长方形基板上形成的薄膜的特性，短边附近的区域的特性和被该区域夹着的中央附近的区域的特性变得均匀。

电极板与支承部件由靶极侧真空槽支承，基板侧真空槽的内部被轻量化，所以在令基板侧真空槽移动而开闭真空槽时，开闭动作变得容易。

附图说明

图1是本发明的溅射装置。

图2是用来说明本发明的溅射装置的内部构造的俯视图、其A－A线截断剖视图和B－B线截断剖视图。

图3是用来说明在本发明中使用的磁铁装置的俯视图、C－C线截断剖视图和D－D线截断剖视图。

图4（a）～图4（c）是用来说明该磁铁装置的动作的剖视图。

图5是用来说明本发明的其他例子的图。

图6是本发明的溅射装置的概略立体图。

图7是用于比较基板的温度的柱状图。

图8是电极板被安装于阳极电极的溅射装置。

图9是用于说明现有技术的溅射装置的图。

具体实施方式

图1的附图标记2是本发明的溅射装置，具有真空槽11。图2是比后述的阳极电极17的外周靠内侧的部分的俯视图、其A－A线截断剖视图和B－B线截断剖视图。

在真空槽11的内部，配置有长方形形状的靶极13，在该靶极13的背面侧配置有阴极电极12。

阴极电极12的表面接触在靶极13的背面上。

在阴极电极12的背面侧配置有磁铁盒51，在磁铁盒51的内部配置有多个（这里是4个）磁铁装置15₁～15₄。磁铁装置15₁～15₄被称作磁控管磁铁。

配置在阴极电极12的背面侧的磁铁装置15₁～15₄基本上是相同的形状、相同的大小，在图3中表示1个磁铁装置15₁～15₄的俯视图、其C－C线截断剖视图和D－D线截断剖视图。

磁铁装置15₁～15₄具有环形形状的外周磁铁25、以及配置在外周磁铁25之中的直线形形状的内侧磁铁26，外周磁铁25和内侧磁铁26分别被做成细长的，各磁铁装置15₁～15₄被做成细长的，分别具有长度方向。

这里，使各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离相等，此外，使各磁铁装置15₁～15₄的内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离也相等，但本发明并不限定于此，为了使膜厚的分布或膜质的分布成为均匀，也可以是，磁铁装置15₁～15₄与靶极13的背面之间的距离相互不同，或磁铁装置15₁～15₄与靶极13的背面之间不平行地配置。

此外，这里使各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离和内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离也相等，但在各磁铁装置15₁～15₄之中，也可以包括内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离不同的磁铁装置15₁～15₄、或外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离不同的磁铁装置15₁～15₄。

外周磁铁25的两个磁极中的一方的磁极被朝向阴极电极12配置，另一方的磁极被朝向与阴极电极12相反的一侧，与磁轭27的表面接触而配置，此外，内侧磁铁26的两个磁极中的一方的磁极被朝向阴极电极12配置，另一方的磁极被朝向与阴极电极12相反的一侧，与磁轭27的表面接触而配置。

外周磁铁25的被朝向阴极电极12的磁极和内侧磁铁26的被朝向阴极电极12的磁极中，任意一方的磁极是N极，另一方的磁极是S极，在被朝向阴极电极12的磁极之间形成的磁束泄漏到靶极13的表面，被弯曲为拱形形状，使靶极13表面的电子密度增加。

在真空槽11内的与靶极13的表面面对的位置，配置有台54，在台54上配置有基板配置部14。

基板配置部14是长方形形状，在基板配置部14之上配置有作为成膜对象的长方形的基板16。

基板16比靶极13小，以下，如果以投影到基板配置部14上的基板16的表面所位于的平面上的情况下的位置关系决定内侧和外侧，则基板16的外周被配置在比靶极13的外周靠内侧的位置。

靶极13和基板16以靶极13的长边与基板16的长边为平行的方式配置，以靶极13的表面与基板16的表面也为平行的方式配置。

磁铁装置15₁～15₄的长度方向的长度是与靶极13的长度方向的长度大致相同的长度，使基板16的长边比靶极13的长度方向的长度短，此外，使基板16的长边比磁铁装置15₁～15₄的长度方向的长度短。

各磁铁装置15₁～15₄以磁轭27的背面侧与移动板52接触的状态配置在移动板52上。

各磁铁装置15₁～15₄其长度方向被设为相互平行，各磁铁装置15₁～15₄被设为与靶极13和基板16的长边平行，在短边延伸的方向上排列为一列。

在真空槽11的外部配置有移动装置53，如果移动装置53动作，则移动板52在靶极13的背面侧沿着靶极13的表面移动，各磁铁装置15₁～15₄与移动板52一起移动。

泄漏到靶极13的表面的磁束随着磁铁装置15₁～15₄的移动而移动。

在移动时，各磁铁装置15₁～15₄在外周磁铁25与靶极13的背面之间的距离中没有变化，维持恒定距离。此外，在内侧磁铁26与靶极13的背面之间的距离中没有变化，维持恒定距离。

因而，各磁铁装置15₁～15₄与移动板52的移动一起在与靶极13的背面平行的平面内移动。图4（a）表示各磁铁装置15₁～15₄位于各磁铁装置15₁～15₄各自移动的范围的中央的状态，图4（b）表示位于图面右端的状态，图4（c）表示位于图面左端的状态，在图4（b）的状态与图4（c）的状态之间反复移动。

接着，在基板16与靶极13之间，配置有与接地电位连接的阳极电极17。

阳极电极17是四角环形形状，在中央形成有开口19。阳极电极17的外周和内周是长方形形状，使得阳极电极17的外周位于比配置在基板配置部14上的基板16的外周靠外侧的位置。

在该例中，使得阳极电极17的内周位于比基板16的边缘更接近基板16的中央的区域的位置，阳极电极17的四角环形形状的两条长边部分被配置在基板16的长边上，两条短边部分被配置在基板16的短边上，基板配置部14上的基板16的外周被阳极电极17覆盖，基板16的比外周靠内侧的部分在开口19的底面露出。

在真空槽11上连接着真空排气装置21和气体导入装置23，将真空槽11借助真空排气装置21真空排气，在真空槽11的内部形成真空环境。

在真空槽11的外部设置有与阴极电极12电气地连接的溅射电源22，从气体导入装置23向形成了真空环境的真空槽11的内部导入溅射气体，在内部以既定压力稳定后，从溅射电源22向阴极电极12施加溅射电压。

靶极13是将金属成形为板状的平板状靶极，一边令磁铁装置15₁~15₄移动一边在靶极13的表面附近形成溅射气体的等离子。

等离子中的溅射气体的正离子被加速，溅射气体的粒子向靶极13入射，靶极13被溅射，构成靶极13的物质的粒子作为溅射粒子被从靶极13的表面放出，朝向基板16飞行，到达基板16的表面，使其成长出薄膜。

如果在基板16的表面形成既定膜厚的薄膜，则将基板配置部14与基板16向真空槽11的外部运出，将配置有未成膜的基板16的基板配置部14运入到真空槽11的内部。

这样，根据本发明，在基板16的表面上形成薄膜，但在大型的基板16表面上形成的金属薄膜的电阻值根据基板16的位置而不同。

电阻值的分布与等离子的强度分布有密切的关联，如果对本溅射装置2的等离子进行说明，则在以下方面具有磁控管溅射的特征：首先在位于各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25与内侧磁铁26之间的靶极13的表面上形成较大的强度的等离子。

各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25为了增大被溅射的靶极的面积而被做成细长的环形形状，由于内侧磁铁26是直线形形状，所以外周磁铁25与内侧磁铁26之间的间隙成为细长的环形形状。由于等离子为与间隙相同的形状，所以形成的强度较大的等离子也针对每个磁铁装置15₁～15₄被形成为环形形状。

已知细长的环形形状的等离子其端部与直线部分相比等离子强度更大，特别是，各磁铁装置15₁～15₄的端部被配置为一直线，所以多个细长的环形形状的等离子在端部被配置为一直线的状态下相互平行地排列，则环形形状的等离子的端部排列的部分的等离子强度比环形形状的等离子的长边的部分的等离子强度大。

在排列的端部的等离子使基板16的短边附近成长薄膜、等离子的长边部分使基板16的长边附近成长薄膜的情况下，在基板16表面的中央的区域、短边附近的区域和长边附近的区域，薄膜的特性不同。

阳极电极17的短边分别与排列着各磁铁装置15₁～15₄的端部的区域平行地配置，在阳极电极17的两个短边部分上的比基板16的边缘靠外侧，分别配置有电极板28a、28b。

溅射前的未使用的靶极13设置为与阴极电极12、电极板28a、28b、以及阳极电极17相互平行。

两个电极板28a、28b分别具有相互平行且比靶极13的短边长、且与靶极13的短边33a、33b平行、与阳极电极17的短边平行、与阴极电极12的短边平行的两根边缘31a、31b、32a、32b。

与靶极13的短边33a、33b平行的各电极板28a、28b的两根边缘31a、31b、32a、32b中，一方的边缘31a、31b位于比靶极13的短边靠外侧，另一方的边缘32a、32b位于比短边更接近靶极13的中心的位置。

因而，靶极13的短边33a、33b附近由电极板28a、28b从短边33a、33b向内侧覆盖一定距离C。

阴极电极12经由绝缘板42而固定于真空槽11的壁面，且借助绝缘板24，阴极电极12与真空槽11绝缘。在真空槽11的壁面上设置有环形形状的防附着环36，靶极13被配置于防附着环36的内侧。靶极13的外周面与防附着环36的内周面隔开既定距离地配置。

防附着环36中，在侧面与靶极13的短边33a、33b所位于的侧面面对的部分的表面上安装有支承体29a、29b，电极板28a、28b安装于支承体29a、29b。

电极板28a、28b、防附着环36、支承体29a、29b具有导电性，电极板28a、28b经由支承体29a、29b而与防附着环36电连接。

真空槽11连接于接地电位，防附着环36与真空槽11接触，连接于接地电位，因而，电极板28a、28b连接于接地电位。阳极电极17也连接于接地电位。

如果设各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25与位于其内侧的内侧磁铁26之间的区域分别为磁铁装置15₁～15₄的等离子区域10，则各磁铁装置15₁～15₄的外周磁铁25的两端被弯曲为半圆形，随之等离子区域10的两端也被形成为半圆形，结果，外周磁铁25和等离子区域10分别成为跑道形形状。

使各磁铁装置15₁～15₄的等离子区域10的长度方向的长度相等，各等离子区域10与阳极电极17所位于的平面之间的距离相等，各等离子区域10的两端的弯曲的部分中的一方的端部的弯曲的部分排列为横向一列，相反侧的端部的弯曲的部分也排列为横向一列。

在各等离子区域10的两端的弯曲的部分中的作为一方的端部且排列为横向一列的弯曲的部分与基板16的表面所位于的平面之间，配置有一张电极板28a，在作为相反侧的端部且排列为横向一列的弯曲的部分与基板16的表面所位于的平面之间，配置有另一张电极板28b。

靶极13的表面在阳极电极17的长边部分上与阳极电极17的长边部分相面对，在阳极电极17的短边部分上与电极板28a、28b的表面相面对。

如果设靶极13表面与基板16表面之间的距离为TS距离，设靶极13表面与阳极电极17的长边部分的表面之间的距离为TA距离，设靶极13的表面与电极板28a、28b的表面之间的距离为TB距离，则以下的三式成立。

TA<TS，TB<TS，TB<TA

在基板16的长边的正横向位置，距靶极13最近的接地电位的部件是阳极电极17的面对靶极13的表面，在基板16的长边的正横向位置，靶极13与距靶极13最近的接地电位的部件的表面之间隔开了TA距离。

在基板16的短边的正横向位置，距靶极13最近的接地电位的部件是电极板28a、28b的面对靶极13的表面，在基板16的短边的正横向位置，靶极13与距靶极13最近的接地电位的部件的表面之间隔开了TB距离。

因而，关于靶极13与距靶极13最近的接地电位的部件的表面之间的距离，基板16的短边的正横向位置形成得比长边的正横向位置短。

特别地，借助电极板28a、28b，在比基板16的边缘靠外侧，靶极13与接地电位之间的距离变短，电极板28a、28b拉引比基板16的边缘靠内侧的等离子，所以在比基板16的边缘靠外侧，电极板28a、28b所位于的基板16的短边的外侧的等离子强度变强，其结果，接近基板16的短边的基板16上的等离子强度变小。总结而言，在没有电极板28a、28b的情况下，基板16上的等离子区域10的长边方向两端附近的部分的等离子变得比基板16上的其他部分的等离子强度更大，但是通过设置电极板28a、28b，基板16上的等离子区域10的长边方向的两端附近部分的等离子强度变小，其结果，基板16上的等离子强度被均匀化，所以形成的薄膜的特性分布被均匀化。

如果使TB距离不比靶极13的表面与配置在基板配置部14上的基板16的表面之间的TS距离的10%大，则反而特性分布恶化，如果不比90%小，则确认为效果变弱。

若在作为等离子区域10的两端的弯曲的部分之上设置电极板28a、28b且与靶极13表面面对，则与接地电位的部件之间的距离在电极板28a、28b与靶极13之间变得最短。如上所述地电极板28a、28b上的等离子强度增大。

电极板28a、28b配置在比基板16靠外侧，基板16的外侧的等离子强度增大，结果，基板16上之中，在电极板28a、28b接近的基板16的边缘附近，等离子强度减少，所以基板16上的等离子强度被均匀化，基板16的表面内的电阻值分布变得均匀。

接着，若说明本发明的真空槽11，则本发明的真空槽11包括靶极侧真空槽11a和基板侧真空槽11b，靶极侧真空槽11a与基板侧真空槽11b边缘部分能够密接，在密接的状态下形成气密的真空槽。

本发明中，阴极电极12、靶极13、防附着环36、阳极电极17被设为铅直，阴极电极12经由铅直的绝缘板24而安装于靶极侧真空槽11a的铅直地形成的壁面。防附着环36被安装于相同的壁面。

靶极13设置于阴极电极12的与绝缘板24接触的面的相反侧的面，位于防附着环36的内周。

电极板28a、28b也经由支承体29a、29b和防附着环36而被安装于阴极电极12、靶极13、防附着环36所固定的壁面。因而，电极板28a、28b的重量由靶极侧真空槽11a支承。

在溅射时，靶极侧真空槽11a与基板侧真空槽11b气密地连接，在基板侧真空槽11b的内部设置有铅直地设置的阳极电极17，基板配置部14和配置于基板配置部14的基板16以设为铅直的状态被从真空槽11的外部运入到内部，被配置在阳极电极17与基板侧真空槽11b的设为铅直的壁面之间。

在维护时，令真空槽11的内部变为常压，如图6的概略立体图那样，靶极侧真空槽11a与基板侧真空槽11b分离。

图6的附图标记55是台座，靶极侧真空槽11a设置于台座55，被相对于地板面固定。因而，靶极侧真空槽11a的重量由台座55支承。

相对于此，基板侧真空槽11b没有固定于台座55，气密地安装于靶极侧真空槽11a。在图6中，省略了支承体29a、29b。

该图6为不令靶极侧真空槽11a移动而令基板侧真空槽11b移动而令靶极侧真空槽11a与基板侧真空槽11b分离的状态，支承体29a、29b和电极板28a、28b的重量经由靶极侧真空槽11a被支承于台座55。

图8是从真空槽11的壁面除去本发明的电极板28a、28b和支承体29a、29b、并利用支承体39a、39b将电极板18a、18b设置在阳极电极17上的情况的溅射装置132。

在本发明的溅射装置2与该图8的溅射装置132的基板面内的多个相同部位测定温度。在图7的图表中示出测定结果。可以说温度分布基本相同。

此外，本发明的溅射装置2中，形成钼薄膜时的片材电阻值Rs为0.0760Ω／□±18.7%，膜厚分布为3915埃±14.6%。

图8的溅射装置132中为0.0804Ω／□±18.2%为相同程度，膜厚分布为3805埃±14.1%，为同等的特性。

膜厚分布如下表所示。

表1 本发明的膜厚分布

表2 图8的溅射装置的膜厚分布

但是，图8的溅射装置132的情况下，电极板18a、18b和支承体39a、39b经由阳极电极17而被支承于基板侧真空槽，所以从靶极侧真空槽分离后的基板侧真空槽的内部的重量变大，靶极侧真空槽与基板侧真空槽之间的分离变为困难的作业。

另外，两个支承体29a、29b各自为一张板，但也可以如图5所示的溅射装置3那样地，由分别三个支承体29c、29d支承一张电极板28a、28b。

此外，等离子区域10只要是无端状、环形形状就可以，外周磁铁25的两端是方形的情况及是椭圆形的情况也包含在本发明中。

此外，不将各磁铁装置15₁～15₄的端部配置在同一直线上的情况或不使各磁铁装置15₁～15₄的端部与阴极电极12的距离为恒定的情况也包含在本发明中。

另外，上述电极板28a、28b位于阳极电极17的边上，平行的两边中的一边位于比基板16的边靠外侧，另一边位于比靶极13的边靠内侧。

两个电极板28a、28b分别为具有平行的两边的形状，电极板28a、28b例如为长方形。

等离子区域10的两端中，等离子区域10的一方的端部的排列为一列的弯曲的部分与基板16的表面所位于的平面之间配置有一张电极板28a，在等离子区域10的相反侧的端部的排列为一列的弯曲的部分与基板16的表面所位于的平面之间配置有另一张电极板28b。

此外，也可以电极板28a、28b的两边中远离靶极13的中心的边从等离子区域10的弯曲的部分向外侧伸出，接近靶极13的中心的边向等离子区域10的弯曲的部分的内侧伸出。进而，也可以从两方伸出。

另外，上述靶极13是金属钼，但本发明并不限定于金属钼，本发明的溅射装置2对于由金属钛、钼合金、铝、铝合金、金属钨、纯铜、铜合金、钽等金属构成的靶极13能够起到本发明效果。

附图标记说明

2 溅射装置

10 等离子区域

11 真空槽

11a 靶极侧真空槽

11b 基板侧真空槽

13 靶极

14 基板配置部

15₁～15₄ 磁铁装置

16 基板

17 阳极电极

28a、28b 电极板

22 溅射电源。

Claims (5)

1.一种溅射装置，具有：

真空槽；

靶极，配置在前述真空槽的内部；

阴极电极，配置在前述靶极的背面侧且与溅射电源连接；

多个磁铁装置，配置在前述阴极电极的背面侧；

基板配置部，配置基板；以及

环形形状的阳极电极，连接在接地电位上，在前述基板的外周上覆盖；

在各前述磁铁装置中，设置有细长的环形形状的外周磁铁和配置在其内侧的内侧磁铁；

在前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间形成的磁束被泄漏到前述靶极的表面，将前述靶极溅射，在前述基板表面上形成薄膜；

其特征在于，

前述外周磁铁和其内侧的前述内侧磁铁隔开，作为前述外周磁铁与其内侧的前述内侧磁铁之间的区域的等离子区域被设成细长的环形形状；

在前述等离子区域的两端与前述基板的表面所位于的平面之间，配置有连接到接地电位的电极板；

使前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的距离比前述阳极电极的表面与前述靶极的表面之间的距离短，

前述电极板配置在前述靶极的沿前述等离子区域的两端而设置的两边上。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

前述真空槽构成为，能够分离为在内部配置有前述靶极的靶极层真空槽与在内部配置有前述阳极电极的基板侧真空槽，

在前述靶极侧真空槽与前述基板侧真空槽密接连接的状态下，前述靶极和前述阳极电极被铅直地配置，前述电极板的重量由前述靶极侧真空槽支承，

在令前述靶极侧真空槽与前述基板侧真空槽分离时，在前述靶极侧真空槽静止的状态下，前述基板侧真空槽移动。

3.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，

前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的距离比前述靶极的表面与配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之间的距离的10%大、比90%小。

4.如权利要求2所述的溅射装置，其特征在于，

前述电极板的表面与前述靶极的表面之间的距离比前述靶极的表面与配置在前述基板配置部上的前述基板的表面之间的距离的10%大、比90%小。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的溅射装置，其特征在于，

前述靶极是平板状的金属钼板，前述薄膜是金属钼薄膜。

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