TW202100447A - 通氣孔用之構件、具備通氣孔用之構件之電子裝置之製造方法及構件供給用之帶 - Google Patents

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Abstract

本發明之構件係一種通氣孔用之構件，其係為了容許氣體經由殼體之通氣孔於殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由通氣孔自上述外部侵入內部，而以覆蓋通氣孔之方式配置進行使用。本發明之構件具有：多孔膜，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜，其以自上述外部側覆蓋多孔膜之方式接合於多孔膜。暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性。以能夠自多孔膜去除暫時保護膜之態樣，暫時保護膜與多孔膜接合。本發明之構件即便於小型化之情形時，亦不易於利用吸附機所進行之吸附時產生吸附不良，且能夠抑制吸附時之多孔膜之損傷。

Description

通氣孔用之構件、具備通氣孔用之構件之電子裝置之製造方法及構件供給用之帶
本發明係關於一種以覆蓋殼體之通氣孔之方式配置而進行使用之通氣孔用之構件。又，本發明係關於一種具備通氣孔用之構件之電子裝置之製造方法、及具備通氣孔用之構件且用以供給該構件之構件供給用之帶。
廣泛地於電子裝置等之殼體設置通氣孔，藉此確保殼體之內外之通氣、或緩和殼體內之壓力之變化。又，於設置有通氣孔之情形時，亦多以覆蓋通氣孔之方式將構件配置於殼體，該構件容許氣體經由通氣孔於殼體之外部與內部之間透過，並且防止粉塵或水等液體經由該通氣孔自殼體之外部侵入內部。典型而言，作為通氣孔用之該構件具備於厚度方向上具有通氣性之多孔膜。通氣孔用之構件例如能夠以具備基材帶及配置於基材帶之表面之複數個該構件之構件供給用之帶的形式供給。於專利文獻1中，揭示有以覆蓋微機電系統(以下，記為「MEMS」(Microelectromechanical System))之殼體上設置之通氣孔之方式配置於該殼體之通氣孔用之構件。又，於專利文獻1中，揭示有一種具備配置有複數個該構件之襯墊膠帶且用以將該構件供給至模頂出器之組裝品(總成)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特表2018-501972號公報
[發明所欲解決之問題]
於將通氣孔用之構件配置於殼體時，藉由構件供給用之帶供給該構件，利用吸附機之吸附部吸附自基材帶剝離之構件並將其移送至特定位置，此方法效率優異。又，於該方法中，與利用夾具頭(gripper head)等固持住構件並進行移送之方法相比，能夠抑制構件所具備之多孔膜之損傷，並且亦能夠更確實地應對構件之小型化。但是，目前以配置於MEMS之殼體之構件為典型，處於針對通氣孔用之構件進一步發展小型化之狀況。根據本發明者等人之研究，判明於進一步發展構件之小型化之情形時，於以專利文獻1之構件為代表之先前之構件中，傾向於產生利用吸附機所進行之吸附變得不充分的吸附不良，以及為了消除吸附不良而例如僅提高吸附部之吸引力，會導致多孔膜中易產生損傷。又，若能夠藉由吸附機之吸附實施自基材帶之剝離本身，則上述效率進一步提高，但於產生吸附不良之狀態下難以穩定地進行剝離。
鑒於上述事項，本發明之目的在於提供一種通氣孔用之構件，其即便於小型化之情形時，亦不易於利用吸附機所進行之吸附時產生吸附不良，且能夠抑制吸附時之多孔膜之損傷。 [解決問題之技術手段]
本發明提供一種構件，其係通氣孔用之構件， 上述通氣孔用之構件為了容許氣體經由殼體之通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置進行使用， 上述構件具有：多孔膜，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜，其以自上述外部側覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜； 上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性， 以能夠自上述多孔膜去除上述暫時保護膜之態樣，上述暫時保護膜與上述多孔膜接合。
根據另一態樣，本發明提供一種製造方法，其係電子裝置之製造方法，該電子裝置具備： 殼體，其具有通氣孔；及 通氣孔用之構件，其為了容許氣體經由上述殼體之上述通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置；上述製造方法具備： 藉由上述吸附機將上述構件於使吸附機之吸附部接觸上述構件之暫時保護膜之狀態下移送至覆蓋上述殼體之上述通氣孔之位置，其中上述構件具有於厚度方向上具有通氣性之多孔膜、及以覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜之暫時保護膜，且上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性；及 於上述移送後，自上述多孔膜去除上述暫時保護膜。
根據又一態樣，本發明提供一種帶，其係用以供給通氣孔用之構件之構件供給用之帶， 其具備基材帶、及配置於上述基材帶之表面之複數個通氣孔用之構件， 上述構件係為了容許氣體經由殼體之通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置進行使用， 上述構件具有：多孔膜，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜，其以自與上述基材帶相反之側覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜； 上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性， 以能夠自上述多孔膜去除上述暫時保護膜之態樣，上述暫時保護膜與上述多孔膜接合。 [發明之效果]
本發明之通氣孔用之構件具備以能夠去除之態樣與多孔膜接合之暫時保護膜，並能夠進行使吸附機之吸附部接觸暫時保護膜之狀態下之吸附及移送。此處，暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於多孔膜之厚度方向之通氣性的厚度方向之通氣性。因此，於本發明之通氣孔用之構件中，即便於小型化之情形時，亦不易於利用吸附機所進行之吸附時產生吸附不良。又，無需為了吸附而過度地提高吸附部之吸引力，且能夠使吸附時吸附部所接觸之部分成為暫時保護膜而非多孔膜，因此可抑制吸附時之多孔膜之損傷。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施方式進行說明。本發明並不限定於以下實施方式。
[通氣孔用之構件] 將本發明之通氣孔用之構件之一例示於圖1。又，將於殼體配置有圖1之構件1之狀態之一例示於圖2A。如圖1及圖2A所示，構件1具有於厚度方向上具有通氣性之多孔膜2、及接合於多孔膜2之暫時保護膜3。暫時保護膜3以自殼體11之外部13側覆蓋多孔膜2之方式接合於多孔膜2。暫時保護膜3於厚度方向上為非通氣性、或具有低於多孔膜2之厚度方向之通氣性的厚度方向之通氣性。暫時保護膜3與多孔膜2以能夠自多孔膜2去除暫時保護膜3之態樣彼此接合。構件1以覆蓋殼體11之通氣孔12之方式配置進行使用。更具體而言，構件1以覆蓋通氣孔12之方式配置於殼體11之外部13側之表面進行使用。但是，於使用構件1時，暫時保護膜3被自多孔膜2去除(參照圖2B)。於圖2B之狀態下，構件1容許氣體經由殼體11之通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過，且防止粉塵及/或水等液體經由通氣孔12自外部13侵入內部14。又，於該狀態下，多孔膜2以覆蓋殼體11之通氣孔12之方式進行配置，更具體而言，以覆蓋通氣孔12之方式配置於殼體11之外部13側之表面。
分別將藉由吸附機吸附構件1之狀態之一例示於圖3A，將藉由吸附機吸附先前之通氣孔用之構件之狀態示於圖3B。如圖3B所示，於先前之構件101中，以多孔膜102接觸吸附機中之吸附頭等吸附部21之方式將構件101吸附於吸附機，但存在由於透過多孔膜102之通過氣體103抵消吸附機之吸引力22而產生吸附不良之傾向。另一方面，如圖3A所示，於構件1中，能夠以暫時保護膜3接觸吸附部21之方式利用吸附機吸附構件1，藉此，能夠更確實地保持吸附時之吸附機之吸引力22。又，藉由能夠更確實地保持吸引力22，於利用構件供給用之帶供給構件1之情形時，亦可獲得能夠更確實地實施利用吸附自基材帶剝離構件1等效果。
暫時保護膜3例如藉由因外部刺激或溶劑之供給而變形或變質之材料構成。該形態之暫時保護膜3因變形或變質而產生對於多孔膜2之接合力之降低或喪失，藉此可更確實地自多孔膜2去除或自多孔膜2自動脫離(自然剝離)。外部刺激例如為熱、及/或光。溶劑例如為將構成暫時保護膜3之材料進行溶解、膨潤或分解之溶劑。光例如為紅外線、紫外線。根據光之波長，亦可藉由照射而賦予熱。變形例如為由收縮所導致之變形。變質例如為由溶解、熔融、昇華、分解等所導致之至少一部分之消失。但是，外部刺激、溶劑及光之種類、以及變形及變質之態樣並不限定於上述例。該形態之暫時保護膜3之更具體之例為：藉由因熱而收縮之材料構成之熱收縮性之暫時保護膜3、藉由因熱而熔融之材料構成之熱熔性之暫時保護膜3、藉由因熱而昇華之材料構成之熱昇華性之暫時保護膜3、藉由因熱而分解之材料構成之熱分解性之暫時保護膜3、藉由因紫外線而分解之材料構成之紫外線分解性之暫時保護膜3、及藉由溶解於溶劑之材料構成之溶劑溶解性之暫時保護膜3。於將構件1配置於MEMS等精密裝置而進行使用之情形時，就能夠防止因變形或變質而產生之暫時保護膜3之碎片或分解物等導致裝置之污染之觀點而言，較佳為熱收縮性之暫時保護膜3。上述會變形或變質之材料例如為金屬、樹脂及其等之複合材料，可基於變形或變質之具體態樣進行選擇。但是，該材料並不限定於上述例。該形態之暫時保護膜3例如藉由黏著劑或熔接接合於多孔膜2。黏著劑並無限定，亦可為下述黏著力因外部刺激而降低之黏著劑。熔接例如為熱熔接、超音波熔接。
暫時保護膜3可藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於多孔膜2。該形態之暫時保護膜3之黏著劑之黏著力因外部刺激而降低，藉此產生對於多孔膜2之接合力之降低或喪失，因此可更確實地自多孔膜2去除或自多孔膜2自動脫離(自然剝離)。又，根據該形態之暫時保護膜3，於將構件1配置於MEMS等精密裝置進行使用之情形時，亦能夠防止由暫時保護膜3之碎片或分解物所導致之裝置之污染。外部刺激例如為熱、及/或光。光例如為紅外線、紫外線。根據光之波長，亦可藉由照射而賦予熱。但是，外部刺激及光之種類並不限定於上述例。黏著力因外部刺激而降低之黏著劑例如為黏著力因藉由熱所產生之發泡而降低之熱發泡性黏著劑、黏著力因紫外線之照射而降低之紫外線響應性黏著劑。紫外線響應性黏著劑中之黏著力之降低例如藉由利用紫外線所進行之黏著劑組合物之交聯反應而進行。但是，黏著劑並不限定於上述例。該形態之暫時保護膜3亦可為將藉由上述黏著劑所構成之黏著層設置於基材之表面而成之膠帶(外部刺激響應性膠帶)。於該形態之暫時保護膜3中，構成除黏著劑以外之部分、例如上述膠帶之基材之材料例如為金屬、樹脂及其等之複合材料。金屬例如為鋁、不鏽鋼。樹脂例如為聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯、聚四氟乙烯(PTFE)等氟樹脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮。但是，該材料並不限定於上述例。
黏著力因熱而降低之黏著劑例如為黏著力藉由加熱至80～260℃、較佳為120～200℃而降低之黏著劑。該黏著劑適於構件1對於MEMS等精密裝置之配置及使用。
就能夠更確實地抑制產生吸附時之吸附不良之觀點而言，暫時保護膜3較佳為於厚度方向上為非通氣性。再者，於本說明書中，所謂「厚度方向上為非通氣性之膜」，意指依據日本工業標準(以下，記為「JIS」)L1096：2010所規定之通氣性測定B法(哥雷式方法)所求出之厚度方向之透氣度(哥雷式(Gurley)透氣度)超過10萬秒/100 mL之膜。又，多孔膜2與暫時保護膜3關於厚度方向之通氣性之比較可藉由上述哥雷式透氣度實施。於暫時保護膜3具有厚度方向之通氣性之情形時，該通氣度由上述哥雷式透氣度表示，例如為100秒/100 mL～10萬秒/100 mL，亦可為1000秒/100 mL～10萬秒/100 mL。
再者，於作為評估對象之膜之尺寸不滿足哥雷式方法下之試片之尺寸(約50 mm×50 mm)之情形時，亦可藉由使用測定治具進行哥雷式透氣度之評估。測定治具之一例為於中央設置有貫通孔(具有直徑1 mm或2 mm之圓形之剖面)之厚度2 mm、直徑47 mm之聚碳酸酯製圓板。該使用了測定治具之哥雷式透氣度之測定可以如下方式實施。
以覆蓋測定治具之貫通孔之開口之方式將作為評估對象之膜固定於測定治具之一面。固定以如下方式進行：於哥雷式透氣度之測定中，空氣僅通過開口及作為評估對象之膜之有效試驗部(自垂直於已固定之膜之主面之方向觀察時與開口重疊之部分)，且固定部分並不阻礙膜之有效試驗部中之空氣之通過。膜之固定可使用於中心部打出具有與開口之形狀一致之形狀之通氣口之雙面膠帶。雙面膠帶只要以通氣口之周與開口之周保持一致之方式配置於測定治具與膜之間即可。其次，以膜之固定面成為測定時之空氣流之下游側之方式將固定有膜之測定治具設置於哥雷式透氣性試驗機，測定100 mL之空氣通過膜之時間t1。其次，藉由算式t＝｛(t1)×(膜之有效試驗部之面積[mm2 ])/642[mm2 ]｝將所測定出之時間t1換算成JIS L1096：2010之通氣性測定B法(哥雷式方法)所規定之單位有效試驗面積642[mm2 ]之值t，從而可將所得出之換算值t設為膜之哥雷式透氣度。於將上述圓板用作測定治具之情形時，膜之有效試驗部之面積為貫通孔之剖面之面積。再者，確認了：於未使用測定治具之情況下針對滿足上述試片之尺寸之膜測定出之哥雷式透氣度與將該膜薄片化後使用測定治具測定出之哥雷式透氣度高度一致，即，測定治具之使用實質上不會影響哥雷式透氣度之測定值。
暫時保護膜3可於面內方向上具有通氣性，但就能夠防止由吸附機之吸附部21所產生之吸引力22被暫時保護膜3之面內方向之通氣性抵消(產生所謂「側面洩漏」)之觀點而言，較佳為於面內方向上為非通氣性。於厚度方向及/或面內方向上為非通氣性之暫時保護膜3例如為於厚度方向及/或面內方向上不具有連接該膜3之表面之貫通孔等連通孔之膜，亦可為不具有孔隙之膜。
暫時保護膜3之厚度(於其係具有黏著層之膠帶之情形時，黏著層之厚度不算在內)例如為1～500 μm，亦可為10～200 μm，進而可為25～100 μm。於暫時保護膜3之厚度處於該等範圍之情形時，能夠更確實地抑制吸附時之吸附不良之產生、及多孔膜2之損傷。
暫時保護膜3對於多孔膜2之黏著力例如只要是當暫時保護膜3在吸附於吸附部21之狀態下藉由吸附機進行移送時不會自多孔膜2剝離之程度以上即可。於藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於多孔膜2之暫時保護膜3中，賦予外部刺激前之時點之對於多孔膜2之黏著力(初始黏著力)由依據JIS Z0237：2009所規定之黏著力之試驗方法1所測定出之180°剝離黏著力表示，例如為0.1 N/25 mm以上，亦可為0.13 N/25 mm以上、0.2 N/25 mm以上、0.3 N/25 mm以上、0.4 N/25 mm以上，進而可為0.45 N/25 mm以上。初始黏著力之上限由上述180°剝離黏著力表示，例如為5 N/25 mm以下。另一方面，黏著力因外部刺激而降低之狀態下之暫時保護膜3中之對於多孔膜2之黏著力(響應後黏著力)例如為0.7 N/25 mm以下，亦可為0.5 N/25 mm以下、未達0.45 N/25 mm、0.4 N/25 mm以下、0.3 N/25 mm以下、進而0.2 N/25 mm以下。響應後黏著力亦可為0(零) N/25 mm，於此情形時，暫時保護膜3可自多孔膜2自動脫離(自然剝離)。再者，評估暫時保護膜3對於多孔膜2之黏著力時之試片之寬度設為25 mm，剝離速度設為300 mm/分鐘，試驗板設為於表面貼附有PTFE多孔膜(日東電工製造、TEMISH(註冊商標)NTF1131)之SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)304板，試驗板中之試片之壓接面設為該PTFE多孔膜之露出面。
關於暫時保護膜3之形狀，典型而言為自垂直於其主面之方向觀察時包括正方形及長方形之多邊形、圓、橢圓。暫時保護膜3之形狀亦可與多孔膜2之形狀相同。又，暫時保護膜3亦可具有接合於多孔膜2之接合部31、及自接合部31之周緣向外側突出之引板部32。圖4A及圖4B所示之構件1具有包含引板部32之暫時保護膜3。再者，於圖4B中表示了圖4A之構件1之剖面B-B。但是，暫時保護膜3之形狀並不限定於該等例。
暫時保護膜3只要能夠以可自多孔膜2去除之態樣接合於多孔膜2，則並不限定於上述各例。又，暫時保護膜3對多孔膜2之接合之態樣只要為能夠自多孔膜2去除之態樣，則並不限定於上述各例。將具有形態與上述各例不同之暫時保護膜3之構件1之例示於圖5。圖5之構件1所具有之暫時保護膜3具有多層結構，該多層結構具有外部刺激響應性帶33、包含引板部32之引板片35、及將外部刺激響應性帶33及引板片35進行接合之黏著層34。暫時保護膜3於外部刺激響應性帶33側之面接合於多孔膜2，藉由外部刺激使外部刺激響應性帶33對於多孔膜2之黏著力降低，藉此能夠更確實地去除暫時保護膜3。但是，只要能夠藉由提拉引板部32而去除暫時保護膜3，則亦可省去外部刺激響應性帶33，直接將黏著層34及暫時保護膜3接合於多孔膜2。
多孔膜2通常藉由因外部刺激或溶劑之供給而變形或變質之程度低於暫時保護膜3之材料構成。多孔膜2較佳為藉由不會因用以自多孔膜2去除暫時保護膜3之外部刺激或溶劑之供給而變形或變質之材料構成。構成多孔膜2之材料例如為金屬、樹脂及其等之複合材料。金屬例如為鋁、不鏽鋼。樹脂例如為聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴、PET等聚酯、PTFE等氟樹脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮。
多孔膜2之形態例如為不織布、織布、網眼織物(mesh)、網狀物(net)、多孔膜。但是，多孔膜2之形態只要具有厚度方向之通氣性，則並不限定於上述例。
多孔膜2亦可包括使含有PTFE粒子之漿料擠出物或澆鑄膜延伸而形成之多孔膜(PTFE多孔膜)，亦可為PTFE多孔膜。PTFE多孔膜亦存在藉由PTFE之微細之纖絲構成，並具有與纖絲相比PTFE處於凝聚之狀態之結點之情形。PTFE多孔膜之質量與強度之平衡較為良好。又，PTFE多孔膜根據其構成可具有較高之耐水壓，並亦能夠藉由撥液處理等具有更高之耐水壓。
為PTFE多孔膜之多孔膜2之平均孔徑例如為0.01～10 μm。為PTFE多孔膜之多孔膜2之孔隙率例如為50～90%。PTFE多孔膜之平均孔徑可依據ASTM(American Society for Testing and Materials，美國試驗材料協會)F316-86進行測定。PTFE多孔膜之孔隙率可藉由將該膜之質量、厚度、面積(主面之面積)及真密度代入下述算式而計算出。再者，PTFE之真密度為2.18 g/cm3 。 孔隙率(%)＝｛1－(質量[g]/(厚度[cm]×面積[cm2 ]×真密度[2.18 g/cm3 ]))｝×100
多孔膜2亦可為貫通孔片。貫通孔片為具有非多孔質之基質結構之原片材，例如為於無孔片材設置有在厚度方向上貫通該片材之複數個貫通孔(穿孔)而成之片材。貫通孔片亦可為除上述複數個貫通孔以外不具有厚度方向之通氣路徑之片材。貫通孔亦可為於片材之厚度方向上直線狀地延伸之直孔。於自垂直於貫通孔片之主面之方向觀察時，網狀物及網眼織物之眼通常為四邊形等多邊形，與此相對，貫通孔之開口之形狀通常為圓或橢圓。貫通孔之剖面之形狀可於自片材之其中一個主面至另一個主面之間為固定，亦可於自片材之其中一個主面至另一個之主面之間變化。於自垂直於片材之主面之方向觀察時，貫通孔之開口可以規則地排列之方式形成於該主面上，亦可以隨機配置之方式形成。貫通孔片亦可為金屬片或樹脂片。貫通孔例如可藉由針對原片材之雷射加工、或利用離子束照射及隨後之化學蝕刻所進行之開孔加工而形成。根據雷射加工，自垂直於片材之主面之方向觀察時，能夠更確實地形成於該主面上規則地排列有開口之貫通孔。作為貫通孔片，例如可使用日本專利特開2012-20279號公報所揭示之片材。但是，可對片材實施撥液處理，亦可不實施撥液處理。
多孔膜2之面積可為100 mm2 以下，亦可為25 mm2 以下、9 mm2 以下，進而可為1 mm2 以下。例如，根據具有9 mm2 以下之面積之多孔膜2，能夠構建假想了對MEMS等精密裝置之配置及使用且達成進一步之小型化之構件1。另一方面，根據構件1，即便於達成該小型化之情形時，亦能夠抑制吸附時之吸附不良之產生、及多孔膜2之損傷。換言之，於多孔膜2之面積為9 mm2 以下之情形時，本發明之效果更為顯著。但是，多孔膜2之面積並不限定於上述範圍，根據所配置及使用之殼體11之種類及通氣孔12之面積，例如可為作為更大範圍之400 mm2 以下。多孔膜2之面積之下限例如為0.25 mm2 以上。
又，配置構件1之殼體11可為於切割等微細加工後成為MEMS等精密裝置之半成品之殼體11。換言之，構件1可配置於在切割等微細加工後成為MEMS等精密裝置之半成品之殼體11進行使用。此時，構件1典型而言藉由微細加工而與半成品之殼體11一同被切斷，從而以覆蓋通氣孔12之方式配置於微細加工後之精密裝置之殼體11。在配置於半成品時，能夠藉由暫時保護膜3抑制切割等微細加工時之多孔膜2之損傷。配置於半成品之構件1中之多孔膜2之面積例如為0.25～100 mm2 ，亦可為1～25 mm2 。
多孔膜2之厚度例如為1～500 μm，亦可為5～200 μm，進而10～100 μm。
多孔膜2之厚度方向之通氣度由上述哥雷式透氣度表示，例如為0.05秒/100 mL～1000秒/100 mL，亦可為0.1秒/100 mL～200秒/100 mL，進而可為0.5秒/100 mL～100秒/100 mL。
多孔膜2之面密度例如為1～50 g/m2 。多孔膜2之面密度亦可為1～30 g/m2 ，進而可為1～25 g/m2 。面密度可藉由將多孔膜2之質量除以面積(主面之面積)而計算出。
關於多孔膜2之形狀，典型而言為自垂直於其主面之方向觀察時包括正方形及長方形之多邊形、圓、橢圓。但是，多孔膜2之形狀並不限定於該等例。
多孔膜2亦可為防止水經由殼體11之通氣孔12自殼體11之外部13侵入內部14之防水膜。多孔膜2之防水性可藉由耐水壓進行評估。多孔膜2之耐水壓例如為1 kPa以上。多孔膜2之耐水壓亦可為10 kPa以上、15 kPa以上，進而可為20 kPa以上。耐水壓之上限例如為2000 kPa以下。多孔膜2之耐水壓可使用測定治具，並依據JIS L1092：2009之耐水度試驗A法(低水壓法)或B法(高水壓法)，以如下方式進行測定。
測定治具之一例為於中央設置有直徑1 mm之貫通孔(具有圓形之剖面)之直徑47 mm之不鏽鋼製圓板。該圓板具有不會因測定耐水壓時所施加之水壓而變形之厚度。使用了該測定治具之耐水壓之測定可以如下方式實施。
以覆蓋測定治具之貫通孔之開口之方式將作為評估對象之多孔膜2固定於測定治具之一面。固定係以耐水壓之測定時水不會自膜之固定部分漏出之方式進行。多孔膜2之固定可使用於中心部打出具有與開口之形狀一致之形狀之通水口之雙面膠帶。雙面膠帶只要以通水口之周與開口之周保持一致之方式配置於測定治具與多孔膜2之間即可。其次，以多孔膜2之與固定面相反之側之面成為測定時之水壓施加面之方式將固定有多孔膜2之測定治具設置於試驗裝置，並根據JIS L1092：2009之耐水度試驗A法(低水壓法)或B法(高水壓法)測定耐水壓。但是，耐水壓係基於水自多孔膜2之膜面之一處流出時之水壓進行測定。可將測定出之耐水壓設為多孔膜2之耐水壓。試驗裝置可使用具有與JIS L1092：2009中例示之耐水度試驗裝置相同之構成、並具有能夠設置上述測定治具之試片安裝結構之裝置。
針對多孔膜2，亦可實施有撥水處理、撥油處理、或撥液處理。於此情形時，能夠提高多孔膜2之防水性。又，針對多孔膜2，亦可實施有著色處理等各種處理。針對多孔膜2之撥水處理、撥油處理、撥液處理、及著色處理可利用公知之方法實施。
通氣孔用之構件1例如可藉由黏著或熔接之方法固定於殼體11之表面。因此，構件1亦可進而具備自多孔膜2中之殼體11之內部14側接合於多孔膜2之黏著層4(參照圖6A)。黏著層4位於多孔膜2中之與暫時保護膜3側相反之側。圖6A之構件1可藉由黏著層4固定於殼體11之表面。將於殼體11之表面固定有圖6A之構件1之狀態之一例示於圖6B。如圖6B所示，構件1以覆蓋殼體11之通氣孔12之方式配置於殼體11之外部13側之表面進行使用。但是，於使用構件1時，暫時保護膜3被自多孔膜2去除(參照圖6C)。於圖6C之狀態下，構件1容許氣體經由殼體11之通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過，且防止粉塵及/或水等液體經由通氣孔12自外部13侵入內部14。
圖6A～圖6C所示之構件1之黏著層4自垂直於多孔膜2之主面之方向觀察時，具有多孔膜2之周緣部之形狀。更具體而言，黏著層4自上述方向觀察時，具有圓形之多孔膜2之周緣部之形狀即環狀之形狀。於黏著層4具有上述周緣部之形狀之情形時，構件1在配置於殼體11、且去除了暫時保護膜3之狀態(圖6C之狀態)下，能夠以多孔膜2中之由上述周緣部包圍的黏著層4之非配置區域41為主，於厚度方向上通氣。
於黏著層4具有上述周緣部之形狀之情形時，黏著層4之配置區域42之面積相對於多孔膜2之整體面積之比例如為15～99%，亦可為20～99%，進而可為30～99%。
黏著層4例如可將公知之黏著劑塗佈於多孔膜2之內部14側之表面而形成。黏著層4亦可為雙面膠帶。雙面膠帶可為具有基材及分別設置於基材之兩個表面之黏著層之膠帶，亦可為不具備基材片且僅由黏著層構成之無基材之膠帶。因能夠藉由暫時保護膜3提高吸附時之構件1之剛性，故於構件1中，可將無基材之雙面膠帶用作黏著層4。
於黏著層4所含之黏著劑(包含作為雙面膠帶之黏著層4所含之黏著劑)中，可使用丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、環氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑等各種黏著劑。但是，於暫時保護膜3藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於多孔膜2之情形時，黏著層4所含之黏著劑較佳為相比於上述外部刺激響應性之黏著劑而言由相同外部刺激所致之黏著力降低之程度較小之黏著劑，更佳為黏著力不會因相同外部刺激而降低之黏著劑。
雙面膠帶之基材例如為樹脂之膜、不織布或泡沫。能夠用於基材之樹脂並無限定，為PET等聚酯、聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、PTFE等氟樹脂。黏著層4亦可為具有由耐熱性樹脂所構成之基材之雙面膠帶，該耐熱性樹脂包含選自聚醯亞胺、聚酯、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺及氟樹脂之至少1種，於此情形時，能夠將構件1在配置於MEMS等精密裝置之殼體之狀態下供於回流焊等高溫步驟。
關於黏著層4之構成，只要於圖6C之狀態下構件1於厚度方向上具有通氣性，容許氣體經由通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過，又，只要於自多孔膜2去除暫時保護膜3時亦能夠穩定地維持構件1對於殼體11之配置，則並不限定於上述例。
通氣孔用之構件1只要可獲得本發明之效果，則亦可進而具備除上述以外之其他構件及/或層。
供配置通氣孔用之構件1進行使用之殼體11例如為MEMS之殼體。MEMS作為雖係較小為具有1 mm見方之尺寸之非常微細之裝置、但組裝於各種製品而使該製品高功能化、高附加值化之裝置，近年來重要性愈發增加。MEMS中有於封裝之表面具有通氣孔之非密閉系之製品，能夠以覆蓋該通氣孔之方式配置構件1進行使用。非密閉系MEMS之例為檢測氣壓、濕度、氣體、氣流等之各種感測器、及揚聲器或麥克風等電音響轉換元件。但是，供配置構件1進行使用之殼體11並不限定於上述例。
通氣孔用之構件1亦可為容許聲音經由殼體11之通氣孔12於殼體11之外部與內部之間透過之構件(透聲構件)。作為透聲構件之構件1例如配置於揚聲器或麥克風等電音響轉換元件、及/或具備該元件之電子機器之殼體而進行使用。
通氣孔用之構件1例如可將暫時保護膜3接合於多孔膜2之一面而製造。進而具備黏著層4之構件1例如可將暫時保護膜3接合於多孔膜2之一面，並於另一面形成黏著層4而製造。
[構件供給用之帶] 將本發明之構件供給用之帶之一例示於圖7。圖7之構件供給用之帶5係具備基材帶6、及配置於基材帶6之表面之複數個通氣孔用之構件1，其係用以供給構件1之帶。構件1為了容許氣體經由殼體11之通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過且防止粉塵及/或水等液體經由通氣孔12自外部13侵入內部14，而以覆蓋通氣孔12之方式配置進行使用。構件1具有：多孔膜2，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜3，其以自與基材帶6相反之側覆蓋多孔膜2之方式接合於多孔膜2。暫時保護膜3於厚度方向上為非通氣性、或具有低於多孔膜2之通氣性的厚度方向之通氣性。暫時保護膜3與多孔膜2以能夠自多孔膜2去除暫時保護膜3之態樣彼此接合。根據構件供給用之帶5，例如能夠有效率地對吸附機供給構件1。藉由構件供給用之帶5供給至吸附機之構件1於使吸附機之吸附部21接觸暫時保護膜3之狀態下由吸附機吸附，從而能夠自基材帶6剝離。此時，由於暫時保護膜3之存在，能夠抑制吸附時之多孔膜2之損傷，並且不易產生吸附不良，又，藉此能夠更確實地實施自基材帶6剝離構件1。
構件供給用之帶5中之構件1及構件1所具有之各構件之構成只要是能以自與基材帶6相反之側覆蓋多孔膜2之方式將暫時保護膜3接合於多孔膜2，則與本發明之通氣孔用之構件之說明中之上述構成相同。
基材帶6例如藉由紙、金屬、樹脂及其等之複合材料構成。金屬例如為不鏽鋼、鋁。樹脂例如為PET等聚酯、聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴。但是，構成基材帶6之材料並不限定於該等例。
構件1亦可經由該構件1所具備之黏著層(例如黏著層4)配置於基材帶6上。此時，亦可於基材帶6中之構件1之配置面實施有提高自基材帶6脫離之脫模性之脫模處理。脫模處理可藉由公知之方法實施。
構件1亦可經由基材帶6之表面所具備之黏著層配置於基材帶6上。此時，構件1可具有黏著層4，亦可不具備黏著層4。再者，為了能夠更確實地剝離構件1，基材帶6所具備之黏著層較佳為弱黏著性。又，基材帶6所具備之黏著層可藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑構成。但是，於暫時保護膜3藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於多孔膜2之情形時，使基材帶6所具備之上述黏著劑發生反應之外部刺激較佳為與使接合暫時保護膜3與多孔膜2之黏著劑發生反應之外部刺激不同。
基材帶6之厚度例如為1～200 μm。
圖7之構件供給用之帶5為帶狀，於帶狀之基材帶6之表面，在一方向(基材帶6所延伸之方向)上串列地配置有複數個構件1。但是，構件供給用之帶5之形狀、基材帶6之形狀、及基材帶6中之構件1之配置之形態並不限定於該例。例如，為具有包括長方形及正方形之多邊形、圓、橢圓等各種形狀的單片狀之構件供給用之帶5，且相對於單片狀之基材帶6之表面，複數個構件1於垂直於該表面進行觀察時可配置於格子之頂點，亦可錯位狀地配置。再者，帶狀之構件供給用之帶5亦可設為捲繞於捲芯之捲繞體(捲筒)。
構件供給用之帶5可將複數個構件1配置於基材帶6之表面進行製造。
[電子裝置之製造方法] 一面參照圖8A及圖8B，一面對本發明之電子裝置之製造方法之一例進行說明。於圖8A及圖8B之例中： 藉由該吸附機將構件1於使吸附機之吸附部21接觸構件1之暫時保護膜3之狀態下移送至覆蓋殼體11之通氣孔12之位置，其中該構件1具有於厚度方向上具有通氣性之多孔膜2、及以覆蓋多孔膜2之方式接合於多孔膜2之暫時保護膜3，且暫時保護膜3於厚度方向上為非通氣性、或具有低於多孔膜2之上述通氣性的厚度方向之通氣性(圖8A)； 於上述位置上，自多孔膜2去除了暫時保護膜3(圖8B)。藉此，能夠製造具備殼體11及通氣孔用之構件1之電子裝置7，其中殼體11具有通氣孔12，通氣孔用之構件1為了容許氣體經由殼體11之通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過且防止粉塵及/或液體經由通氣孔12自外部13侵入內部14，而以覆蓋通氣孔12之方式配置。又，於該製造方法中，於藉由吸附機進行構件1之吸附時不易產生吸附不良，且能夠抑制吸附時之多孔膜2之損傷，並且可期待如下等效果：(1)於去除暫時保護膜3之前之階段中，能夠於在表面固定有構件1之狀態下藉由吸附機進一步移送殼體11，此時，殼體11之吸附移送因對於暫時保護膜3之吸附而變得更為確實；(2)可獲得具備多孔膜2之電子裝置7，該多孔膜2由於暫時保護膜3之存在而未暴露於製造電子裝置7時可能會產生之粉塵等異物。再者，自多孔膜2去除暫時保護膜3可於將構件1移送至覆蓋通氣孔12之位置後之任意時點實施。例如，可於能夠在將構件1固定於殼體11之表面後實施之後續步驟中、或於該後續步驟之後之任意時點，自多孔膜2去除暫時保護膜3。
又，於圖8A及圖8B之例中，構件1藉由構件供給用之帶5供給至吸附機。更具體而言，自捲繞有構件供給用之帶5之捲繞體(捲筒)51捲出之構件供給用之帶5被供給至剝離台53及具備吸附部21之吸附機，並於剝離台53上進行搬送，於即將在剝離台53之端部轉向之前藉由吸附部21吸附構件1，從而將其自基材帶6剝離。吸附於吸附部21而自基材帶6剝離之構件1直接以由吸附部21吸附之狀態被移送至覆蓋殼體11之通氣孔12之位置而固定於殼體11之表面。於將構件1固定於殼體11之表面時，可採用藉由黏著層(例如構件1所具備之黏著層4)所進行之黏著、或熔接等方法。剝離了構件1之基材帶6捲繞於捲取輥52而被回收。但是，於本發明之電子裝置之製造方法中，將構件1移送至上述位置之方法只要是於使吸附部21接觸暫時保護膜3之狀態下藉由吸附機進行移送，則並不限定於上述例。
於被移送至覆蓋通氣孔12之位置之構件1中，自多孔膜2去除暫時保護膜3之方法並無限定。於暫時保護膜3藉由因外部刺激或溶劑之供給而變形或變質之材料構成之情形時，可藉由對暫時保護膜3賦予外部刺激或供給溶劑而自多孔膜2去除暫時保護膜3。又，於暫時保護膜3藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於多孔膜2之情形時，藉由對黏著劑賦予外部刺激而使黏著劑之黏著力降低，藉此，可自多孔膜2去除暫時保護膜3。
將藉由本發明之電子裝置之製造方法所獲得之電子裝置之一例示於圖9。圖9之電子裝置7係於殼體11中具有通氣孔12之非密閉系MEMS。於電子裝置7之殼體11中，以覆蓋通氣孔12之方式經由黏著層4配置及固定有多孔膜2。黏著層4自垂直於多孔膜2之表面之方向觀察時，具有多孔膜2之周緣部之形狀，換言之，於中央具有能夠在厚度方向上通氣之貫通孔43。於電子裝置7中，藉由具有多孔膜2之構件1，能夠容許氣體經由通氣孔12於殼體11之外部13與內部14之間透過，且能夠防止粉塵及/或水等液體經由通氣孔12自外部13侵入內部14。但是，藉由本發明之電子裝置之製造方法所獲得之電子裝置並不限定於上述例。電子裝置亦可為智慧型手機、平板PC(Personal Computer，個人電腦)等資訊設備。非密閉系MEMS之例如上所述。 實施例
以下，藉由實施例，進而具體地對本發明進行說明。本發明並不限定於以下所示之實施例。
首先，記載本實施例中製作之通氣孔用之構件之評估方法。
[暫時保護膜對於多孔膜之黏著力] 暫時保護膜對於多孔膜之黏著力(初始黏著力、及於將外部刺激響應性帶用於暫時保護膜之實施例1～6中進而施加了熱或紫外線後之響應後黏著力)藉由上述方法進行評估。再者，試片之準備、試片對於試驗板之貼附、及黏著力之評估於23℃±5℃之環境下實施。又，為了提高評估之精度，於將試片貼附於試驗板後經過30分鐘，暫時保護膜之黏著力穩定後實施該評估。
[吸附機之吸附穩定性(拾取性)] 於實施例1～8及比較例1中製作之構件之吸附機之吸附穩定性以如下方式進行評估。
製作具備基材帶及配置於基材帶之表面之上述構件的供給用之帶。基材帶使用剝離襯墊(日東電工製造、RT-50Et)將100個上述構件排列配置於剝離襯墊之上，製成供給用之帶。再者，於將構件配置於剝離襯墊時使用了該構件之雙面膠帶(雙面膠帶A)。其次，將所製作之供給用之帶供給至貼片機(YAMAHA製造、YSM10)，嘗試自供給用之帶拾取上述構件。貼片機之噴嘴使用具有外徑2 mm
Figure 02_image001
及內徑1 mm
Figure 02_image001
之前端之噴嘴，拾取時之吸附壓力設為80 kPa以下。並且，將100個構件中能夠無礙地藉由吸附機之吸附部進行拾取之構件之個數為90個以上之情形設為良(○)，將50個以上89個以下之情形設為可(△)，將49個以下之情形設為不可(×)。
[暫時保護膜之去除、及暫時保護膜之去除後之多孔膜之表面之狀態] 針對於實施例1～8中製作之構件，自多孔膜去除暫時保護膜，並藉由光學顯微鏡以倍率50倍觀察所去除之暫時保護膜之表面(與多孔膜之接合面)。將觀察之結果為於暫時保護膜之上述表面未見多孔膜之纖維之附著之情形設為良(○)，將觀察之結果為於暫時保護膜之上述表面可見多孔膜之纖維之附著之情形設為可(△)。再者，於暫時保護膜與多孔膜藉由熱發泡性黏著劑接合之實施例1～4之構件中，將該構件加熱至120℃，藉此暫時保護膜3自多孔膜2自然剝離。於暫時保護膜與多孔膜藉由紫外線響應性黏著劑接合之實施例5、6之構件中，藉由以照射強度300 mW/cm2 對該構件照射波長365 nm之紫外線而使黏著劑之黏著力降低後，用手自多孔膜2剝離暫時保護膜3。暫時保護膜3藉由極弱之力便能夠順利地自多孔膜2剝離。於暫時保護膜3為易剝離膠帶之實施例7之構件中，暫時保護膜3於未施加外部刺激之情況下藉由極弱之力便能夠順利地自多孔膜2剝離。於暫時保護膜3為膠帶之實施例8之構件中，於未施加外部刺激之情況下成功地自多孔膜2剝離了暫時保護膜3，但於剝離時，相比於實施例5～7之構件需要較大之力。
[暫時保護膜對多孔膜之保護性能] 製作與於評估吸附機之吸附穩定性時所製作者相同之供給用之帶，並將其供給至貼片機(YAMAHA製造、YSM10)，實施自供給用之帶拾取上述構件、及將所拾取之構件固定於虛設基板。貼片機之噴嘴使用具有外徑2 mm
Figure 02_image001
及內徑1 mm之前端之噴嘴，拾取時之吸附壓力設為80 kPa以下。又，於將構件固定於虛設基板時，使用構件之雙面膠帶(雙面膠帶A)，並將固定時施加於構件之力設為1 N，將對構件施加該力之時間設為0.1秒。其次，針對實施例1～8之構件，藉由光學顯微鏡以倍率50倍觀察自多孔膜去除了暫時保護膜後之多孔膜之表面(與暫時保護膜之接合面)，針對比較例1之構件，藉由光學顯微鏡以倍率50倍觀察於拾取時貼片機之噴嘴所接觸之多孔膜之表面。將觀察之結果為於多孔膜之上述表面未見由貼片機之噴嘴所造成之凹痕或損傷之情形設為良(○)，將觀察之結果為於多孔膜之上述表面可見該凹痕或損傷之情形設為不可(×)。再者，實施例1～8之構件中之暫時保護膜之去除藉由[暫時保護膜之去除、及暫時保護膜之去除後之多孔膜之表面之狀態]中所說明之方法實施。
(實施例1) 準備PTFE多孔膜(日東電工製造、TEMISH(註冊商標)NTF1131、厚度80 μm、直徑2.0 mm之圓形)作為多孔膜2。此外，準備於基材(厚度100 μm)之一面形成有由熱發泡性黏著劑所形成之黏著層(厚度75 μm)而成之熱響應性帶(日東電工製造、No.31935MS、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3。又，準備日東電工製造之No.585(厚度50 μm、外徑2.0 mm及內徑1.0 mm之環狀)作為雙面膠帶A。其次，經由上述黏著層將暫時保護膜3接合於多孔膜2之其中一面，並將雙面膠帶A接合於另一面，從而獲得實施例1之構件。再者，多孔膜2、暫時保護膜3及雙面膠帶A之接合以彼此之外周一致之方式實施。
(實施例2) 使用於基材(厚度100 μm)之一面形成有由熱發泡性黏著劑所形成之黏著層(厚度75 μm)而成之熱響應性帶(日東電工製造、No.3193MS、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例2之構件。
(實施例3) 使用於基材(厚度100 μm)之一面形成有由熱發泡性黏著劑所形成之黏著層(厚度48 μm)而成之熱響應性帶(日東電工製造、No.3195MS、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例3之構件。
(實施例4) 使用於基材(厚度100 μm)之一面形成有由熱發泡性黏著劑所形成之黏著層(厚度48 μm)而成之熱響應性帶(日東電工製造、No.3198MS、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例4之構件。
(實施例5) 使用於基材(厚度50 μm)之一面形成有由紫外線響應性黏著劑所形成之黏著層(厚度30 μm)而成之紫外線響應性帶(日東電工製造、UB-3083D、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例5之構件。
(實施例6) 使用於基材(厚度80 μm)之一面形成有由紫外線響應性黏著劑所形成之黏著層(厚度5 μm)而成之紫外線響應性帶(日東電工製造、DU-300、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例6之構件。
(實施例7) 使用於PET基材(厚度38 μm)之一面形成有由胺基甲酸酯系黏著劑所形成之黏著層(厚度12 μm)而成之易剝離膠帶(日東電工製造、AW303D、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例7之構件。
(實施例8) 使用於PET基材(厚度50 μm)之一面形成有由矽酮系黏著劑所形成之黏著層(厚度30 μm)而成之膠帶(日東電工製造、No.336、直徑2.0 mm之圓形)作為暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得實施例8之構件。
(比較例1) 未接合暫時保護膜3，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得比較例1之構件。
將實施例1～8及比較例1中製作之各構件之評估結果示於以下表1。
[表1]
   暫時保護層 初始黏著力(N/25 mm) 響應後黏著力(N/25 mm) 拾取性 表面之狀態 保護 性能
實施例1 熱響應性帶 0.49 0(自然剝離) 〇 〇 〇
實施例2 熱響應性帶 0.56 0(自然剝離) 〇 〇 〇
實施例3 熱響應性帶 0.38 0(自然剝離) 〇 〇 〇
實施例4 熱響應性帶 0.14 0(自然剝離) 〇 〇 〇
實施例5 紫外線響應性帶 0.34 0.17 〇 〇 〇
實施例6 紫外線響應性帶 0.59 0.42 〇 〇 〇
實施例7 易剝離膠帶 0.12 - △ 〇 〇
實施例8 膠帶 1.40 - 〇 △ 〇
比較例1 無 - - △ - ×
[產業上之可利用性]
本發明之通氣孔用之構件藉由以覆蓋殼體之通氣孔之方式配置於殼體進行使用，能夠容許氣體經由通氣孔於殼體之外部與內部之間透過，且能夠防止粉塵及/或液體經由通氣孔自殼體之外部侵入內部。
1:通氣孔用之構件 2:多孔膜 3:暫時保護膜 4:黏著層 5:構件供給用之帶 6:基材帶 7:電子裝置 11:殼體 12:通氣孔 13:外部 14:內部 21:吸附部 22:吸引力 31:接合部 32:引板部 33:外部刺激響應性帶 34:黏著層 35:引板片 41:非配置區域 42:配置區域 43:貫通孔 51:捲繞體(捲筒) 52:捲取輥 53:剝離台 101:通氣孔用之構件 102:多孔膜 103:通氣
圖1係模式性地表示本發明之通氣孔用之構件之一例之剖視圖。 圖2A係模式性地表示於殼體配置有圖1所示之通氣孔用之構件之狀態之一例之剖視圖。 圖2B係模式性地表示將圖1所示之通氣孔用之構件配置於殼體並去除了暫時保護膜之狀態(使用狀態)之一例之剖視圖。 圖3A係模式性地表示藉由吸附機吸附圖1所示之通氣孔用之構件之狀態之一例之剖視圖。 圖3B係模式性地表示藉由吸附機吸附先前之通氣孔用之構件之狀態之剖視圖。 圖4A係模式性地表示本發明之通氣孔用之構件之另一例之俯視圖。 圖4B係模式性地表示圖4A所示之通氣孔用之構件之剖面B-B之剖視圖。 圖5係模式性地表示本發明之通氣孔用之構件之又一例之剖視圖。 圖6A係模式性地表示本發明之通氣孔用之構件之再一例之剖視圖。 圖6B係模式性地表示於殼體配置有圖6A所示之通氣孔用之構件之狀態之一例之剖視圖。 圖6C係模式性地表示將圖6A所示之通氣孔用之構件配置於殼體並去除了暫時保護膜之狀態(使用狀態)之一例之剖視圖。 圖7係模式性地表示本發明之構件供給用之帶之一例之立體圖。 圖8A係表示本發明之電子裝置之製造方法之一例之步驟圖。 圖8B係表示本發明之電子裝置之製造方法之一例之步驟圖。 圖9係模式性地表示藉由本發明之電子裝置之製造方法所獲得之電子裝置之一例之分解立體圖。
1:通氣孔用之構件
2:多孔膜
3:暫時保護膜

Claims (13)

  1. 一種構件，其係通氣孔用之構件，該通氣孔用之構件係為了容許氣體經由殼體之通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置進行使用； 上述構件具有：多孔膜，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜，其以自上述外部側覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜； 上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性； 以能夠自上述多孔膜去除上述暫時保護膜之態樣，上述暫時保護膜與上述多孔膜接合。
  2. 如請求項1之構件，其中上述暫時保護膜藉由因外部刺激或溶劑之供給而變形或變質之材料構成。
  3. 如請求項1或2之構件，其中上述暫時保護膜藉由黏著力因外部刺激而降低之黏著劑接合於上述多孔膜。
  4. 如請求項2或3之構件，其中上述外部刺激為熱及/或光。
  5. 如請求項1至4中任一項之構件，其中上述暫時保護膜具有接合於上述多孔膜之接合部、及自上述接合部之周緣向外側突出之引板部。
  6. 如請求項1至5中任一項之構件，其中上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性。
  7. 如請求項1至6中任一項之構件，其中上述多孔膜之面積為100 mm2 以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之構件，其中上述多孔膜包含聚四氟乙烯多孔膜。
  9. 如請求項1至8中任一項之構件，其進而具備自上述多孔膜之上述內部側接合於上述多孔膜之黏著層。
  10. 如請求項9之構件，其中上述黏著層為無基材之雙面膠帶。
  11. 如請求項9之構件，其中上述黏著層為具有由耐熱性樹脂所構成之基材之雙面膠帶，該耐熱性樹脂包含選自聚醯亞胺、聚酯、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺及氟樹脂之至少1種。
  12. 一種製造方法，其係電子裝置之製造方法，該電子裝置具備： 殼體，其具有通氣孔；及 通氣孔用之構件，其為了容許氣體經由上述殼體之上述通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置；上述製造方法具備： 藉由吸附機將上述構件於使上述吸附機之吸附部接觸上述構件之暫時保護膜之狀態下移送至覆蓋上述殼體之上述通氣孔之位置，其中上述構件具有於厚度方向上具有通氣性之多孔膜、及以覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜之暫時保護膜，且上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性；及 於上述移送後自上述多孔膜去除上述暫時保護膜。
  13. 一種帶，其係用以供給通氣孔用之構件的構件供給用之帶，其具備基材帶、及配置於上述基材帶之表面的複數個通氣孔用之構件， 上述構件係為了容許氣體經由殼體之通氣孔於上述殼體之外部與內部之間透過且防止粉塵及/或液體經由上述通氣孔自上述外部侵入上述內部，而以覆蓋上述通氣孔之方式配置進行使用； 上述構件具有：多孔膜，其於厚度方向上具有通氣性；及暫時保護膜，其以自與上述基材帶相反之側覆蓋上述多孔膜之方式接合於上述多孔膜； 上述暫時保護膜於厚度方向上為非通氣性、或具有低於上述多孔膜之上述通氣性的厚度方向之通氣性， 以能夠自上述多孔膜去除上述暫時保護膜之態樣，上述暫時保護膜與上述多孔膜接合。
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