TW202045670A - 膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用以將半導體元件與搭載半導體元件的支撐構件接著的膜狀接著劑。該膜狀接著劑含有丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠滿足下述條件（i）或條件（ii）中的任一者。 條件（i）：具有源自丙烯腈的構成單元且具有超過12℃的玻璃轉移溫度（Tg）。 條件（ii）：不具有源自丙烯腈的構成單元且具有0℃以上的玻璃轉移溫度（Tg）。

Description

膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置
本發明是有關於一種膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置。
近年來，將半導體元件（半導體晶片）積層為多段而成的堆疊式多晶片封裝（Multi Chip Package，MCP）正在普及，且以行動電話、行動聲頻機器用的記憶體半導體封裝等的形式進行搭載。另外，隨著行動電話等的多功能化，半導體封裝的高速化、高密度化、高積體化等亦在推進。伴隨於此，藉由使用銅作為半導體晶片電路的配線材料而實現高速化。另外，就提高對於複雜的搭載基板的連接可靠性、促進來自半導體封裝的排熱的觀點而言，正在使用以銅為原材料的引線框架（lead frame）等。
但是，就銅具有容易腐蝕的特性及低成本化的觀點而言，用以確保電路面的絕緣性的塗層材亦有被簡化的傾向，因此半導體封裝有難以確保電特性的傾向。特別是，積層多段半導體晶片的半導體封裝中，因腐蝕而產生的銅離子於接著劑內部移動，而有容易引起半導體晶片內或半導體晶片/半導體晶片間的電信號的損耗的傾向。
另外，就高功能化的觀點而言，大多將半導體元件連接於複雜的搭載基板，為了提高連接可靠性，而有較佳為以銅為原材料的引線框架的傾向。即便於此種情況下，亦存在由自引線框架產生的銅離子引起的電信號的損耗成為問題的情況。
進而，於使用以銅為原材料的構件的半導體封裝中，自該構件產生銅離子，引起電性不良情況的可能性高，有時無法獲得充分的耐高加速應力試驗（Highly Accelerated Stress Test，HAST）性。
就防止電信號的損耗等的觀點而言，正在對捕捉於半導體封裝內產生的銅離子的接著劑進行研究。例如，於專利文獻1中揭示有一種半導體裝置製造用的接著片，包括：熱塑性樹脂，具有環氧基且不具有羧基；以及有機系錯合物形成化合物，具有環原子中含有三級氮原子的雜環化合物並與陽離子形成錯合物。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-026566號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，關於現有的接著劑，於抑制伴隨接著劑內的銅離子的移動的不良情況的方面並不充分，仍有改善的餘地。
因此，本發明的主要目的在於提供一種可充分抑制伴隨接著劑內的銅離子的移動的不良情況的膜狀接著劑。 [解決課題之手段]
本發明者等人進行了努力研究，結果發現藉由使用具有特定範圍的玻璃轉移溫度（Tg）的丙烯酸橡膠而可充分抑制接著劑內的銅離子透過，從而完成了本發明。
本發明的一方面提供一種膜狀接著劑，其用以將半導體元件與搭載半導體元件的支撐構件接著，且所述膜狀接著劑含有丙烯酸橡膠，丙烯酸橡膠滿足下述條件（i）或條件（ii）中的任一者。 條件（i）：具有源自丙烯腈的構成單元且具有超過12℃的玻璃轉移溫度（Tg）。 條件（ii）：不具有源自丙烯腈的構成單元且具有0℃以上的玻璃轉移溫度（Tg）。
藉由使用此種丙烯酸橡膠而可充分抑制接著劑內的銅離子的移動的理由未必確定，但本發明者等人認為原因在於：有隨著丙烯酸橡膠的玻璃轉移溫度（Tg）變高而分子運動性變低的傾向，銅離子於分子的間隙通過的確率變低。
本發明的另一方面提供一種接著片，包括：基材；以及所述膜狀接著劑，設置於基材的其中一面上。基材可為切割帶。
本發明的另一方面提供一種半導體裝置，包括：半導體元件；支撐構件，搭載半導體元件；以及接著構件，設置於半導體元件及支撐構件之間，將半導體元件與支撐構件接著；並且接著構件為所述膜狀接著劑或其硬化物。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種能夠充分抑制伴隨接著劑內的銅離子的移動的不良情況的膜狀接著劑。另外，根據本發明，可提供一種使用此種膜狀接著劑的接著片及半導體裝置。
以下，一邊適宜參照圖式，一邊對本發明的實施形態進行說明。其中，本發明並不限定於以下的實施形態。於以下的實施形態中，除特別注明的情況外，其構成要素（亦包括步驟等）並非必需。各圖中的構成要素的大小為概念性者，構成要素間的大小的相對關係並不限定於各圖所示者。
關於本說明書中的數值及其範圍，亦同樣如此，且並不限制本發明。於本說明書中，使用「～」所表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。於本說明書中階段性地記載的數值範圍內，一數值範圍所記載的上限值或下限值亦可替換成另一階段記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，於本說明書中所記載的數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值亦可替換成實施例中所示的值。
於本說明書中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或與其相對應的甲基丙烯酸酯。
一實施形態的膜狀接著劑為用以將半導體元件與搭載半導體元件的支撐構件接著的膜狀接著劑，且膜狀接著劑含有丙烯酸橡膠（以下，有時稱為「（A）成分」）。
膜狀接著劑可藉由將含有（A）成分的接著劑組成物成形為膜狀而獲得。膜狀接著劑及接著劑組成物可為半硬化（B階段）狀態。
（A）成分為具有源自(甲基)丙烯酸酯的構成單元作為主成分的橡膠。關於（A）成分中的源自(甲基)丙烯酸酯的構成單元的含量，以構成單元總量為基準，例如可為70質量%以上、80質量%以上或90質量%以上。（A）成分可為包含源自具有環氧基、醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基的(甲基)丙烯酸酯的構成單元者。
（A）成分滿足下述條件（i）或條件（ii）中的任一者。 條件（i）：具有源自丙烯腈的構成單元且具有超過12℃的玻璃轉移溫度（Tg）。 條件（ii）：不具有源自丙烯腈的構成單元且具有0℃以上的玻璃轉移溫度（Tg）。
關於條件（i），於（A）成分具有源自丙烯腈的構成單元的情況下，（A）成分的玻璃轉移溫度（Tg）可為超過12℃且55℃以下、15℃以上且30℃以下或19℃以上且25℃以下。關於條件（ii），於（A）成分不具有源自丙烯腈的構成單元的情況下，可為0℃以上且50℃以下、10℃以上且30℃以下或15℃以上且25℃以下。若（A）成分的Tg為各條件的下限以上，則有可防止接著劑組成物的柔軟性變得過高的傾向。藉此，於晶圓切割時容易切斷膜狀接著劑，可防止毛邊（burr）的產生。若（A）成分的Tg為各條件的上限以下，則有可抑制接著劑組成物的柔軟性的降低的傾向。藉此，於將膜狀接著劑貼附於晶圓時，有容易將空隙充分埋入的傾向。另外，可防止由晶圓的密接性的降低引起的切割時的碎化（chipping）。此處，玻璃轉移溫度（Tg）是指使用示差掃描熱量計（Differential Scanning Calorimeter，DSC）（例如，理學股份有限公司製造、Thermo Plus 2）測定而得的值。
（A）成分的玻璃轉移溫度（Tg）例如可藉由調整具有高Tg的(甲基)丙烯酸酯與具有低Tg的(甲基)丙烯酸酯的比例而調整為規定的範圍。
作為具有源自丙烯腈的構成單元的（A）成分的市售品，例如可列舉：SG-P3、SG-80H、HTR-860P-3CSP（均為長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造）等。作為不具有源自丙烯腈的構成單元的（A）成分的市售品，例如可列舉KH-CT-865（日立化成股份有限公司製造）等。
膜狀接著劑（接著劑組成物）雖可為包含（A）成分者，但亦可進而含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：顏料、離子捕捉劑、抗氧化劑等。
相對於（A）成分的總質量100質量份，其他成分的含量可為0質量份～30質量份。
圖1是表示膜狀接著劑的一實施形態的示意剖面圖。圖1所示的膜狀接著劑1（接著膜）為將接著劑組成物成形為膜狀而成者。膜狀接著劑1可為半硬化（B階段）狀態。此種膜狀接著劑1可藉由將接著劑組成物塗佈於支撐膜而形成。於使用接著劑組成物的清漆（接著劑清漆）的情況下，可藉由如下方式來形成膜狀接著劑1：將（A）成分及視需要所添加的其他成分於溶劑中混合，將混合液混合或混煉而製備接著劑清漆，並將接著劑清漆塗佈於支撐膜，將溶劑加熱乾燥並加以去除。
支撐膜只要為可耐所述加熱乾燥者則並無特別限定，例如可為聚酯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚醯亞胺膜、聚醚醯亞胺膜、聚醚萘二甲酸酯膜、聚甲基戊烯膜等。支撐膜可為將兩種以上組合而成的多層膜，亦可為表面經矽酮系、二氧化矽系等脫模劑等處理者。支撐膜的厚度例如可為1 μm～200 μm或5 μm～170 μm。
混合或混煉可使用通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨機（three-rod roll mill）、球磨機（ball mill）等分散機，將該些適宜組合來進行。
用於製備接著劑清漆的溶劑只要為可將各成分均勻地溶解、混煉或分散者則可無限制地使用現有公知者。作為此種溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、甲苯、二甲苯等。就乾燥速度快且價格低的方面而言，溶劑可為甲基乙基酮、環己酮等。
作為將接著劑清漆塗佈於支撐膜的方法，可使用公知的方法，例如可列舉：刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法、簾塗法等。加熱乾燥的條件只要為所使用的溶劑充分揮發的條件則並無特別限制，可於50℃～150℃下加熱1分鐘～30分鐘來進行。
膜狀接著劑的厚度可為50 μm以下。若膜狀接著劑的厚度為50 μm以下，則半導體元件與搭載半導體元件的支撐構件的距離變近，因此有容易產生由銅離子引起的不良情況的傾向。本實施形態的膜狀接著劑可充分抑制接著劑內的銅離子的移動（透過），因此可將其厚度設為50 μm以下。膜狀接著劑1的厚度可為40 μm以下、30 μm以下、20 μm以下或10 μm以下。膜狀接著劑1的厚度的下限並無特別限制，例如可設為1 μm以上。
半硬化（B階段）狀態下的膜狀接著劑的銅離子透過時間可超過250分鐘，亦可為300分鐘以上、350分鐘以上或400分鐘以上。藉由銅離子透過時間超過250分鐘，可預測即便於在製作半導體裝置時產生硬化不足等不良的情況下，亦更不易產生因銅離子而引起的不良情況。
圖2是表示接著片的一實施形態的示意剖面圖。圖2所示的接著片100包括：基材2；以及膜狀接著劑1，設置於基材2上。圖3是表示接著片的另一實施形態的示意剖面圖。圖3所示的接著片110包括：基材2；膜狀接著劑1，設置於基材2上；以及覆蓋膜（cover film）3，設置於膜狀接著劑1的與基材2相反的一側的面上。
基材2並無特別限制，可為基材膜。基材膜可為與所述支撐膜相同者。
覆蓋膜3用以防止膜狀接著劑的損傷或污染，例如可為聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面剝離劑處理膜等。覆蓋膜3的厚度例如可為15 μm～200 μm或70 μm～170 μm。
接著片100、接著片110可與形成所述膜狀接著劑的方法同樣地藉由將接著劑組成物塗佈於基材膜而形成。將接著劑組成物塗佈於基材2的方法亦可與將所述接著劑組成物塗佈於支撐膜的方法相同。
接著片110可藉由進而使覆蓋膜3積層於膜狀接著劑1而獲得。
接著片100、接著片110亦可使用預先製作的膜狀接著劑來形成。於該情況下，接著片100可藉由使用輥層壓機、真空層壓機等於規定條件（例如，室溫（20℃）或加熱狀態）下進行層壓來形成。接著片100可連續製造，就效率優異的方面而言，亦可於加熱狀態下使用輥層壓機來形成。
接著片的另一實施形態是基材2為切割帶的切晶黏晶一體型接著片。若使用切晶黏晶一體型接著片，則對於半導體晶圓的層壓步驟為一次，因此可實現作業的效率化。
作為切割帶，例如可列舉：聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。另外，切割帶視需要亦可進行底塗塗佈、紫外線（ultraviolet，UV）處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。切割帶可為具有黏著性者。此種切割帶可為對所述塑膠膜賦予黏著性而成者，亦可為將黏著劑層設置於所述塑膠膜的單面而成者。黏著劑層可為感壓型或放射線硬化型的任一者，只要為具有切割時不使半導體元件飛散的充分的黏著力且具有於其後的半導體元件的拾取步驟中不損傷半導體元件的程度的低黏著力者，則並無特別限制，可使用先前公知者。
就經濟性及膜的操作性的觀點而言，切割帶的厚度可為60 μm～150 μm或70 μm～130 μm。
作為此種切晶黏晶一體型接著片，例如可列舉具有圖4所示的構成者、具有圖5所示的構成者等。圖4是表示接著片的另一實施形態的示意剖面圖。圖5是表示接著片的又一實施形態的示意剖面圖。圖4所示的接著片120依序包括切割帶7、黏著劑層6及膜狀接著劑1。圖5所示的接著片130包括：切割帶7；以及膜狀接著劑1，設置於切割帶7上。
接著片120例如可藉由如下方式來獲得：將黏著劑層6設置於切割帶7上，進而使膜狀接著劑1積層於黏著劑層6上。接著片130例如可藉由將切割帶7與膜狀接著劑1貼合來獲得。
膜狀接著劑及接著片可為用於製造半導體裝置者，亦可為包括如下步驟的半導體裝置的製造中所使用者：將膜狀接著劑及切割帶於0℃～90℃下貼合於半導體晶圓或已經單片化的半導體元件（半導體晶片）後，藉由利用旋轉刀、雷射或伸長的分割而獲得帶有膜狀接著劑的半導體元件後，將該帶有膜狀接著劑的半導體元件接著於有機基板、引線框架或其他半導體元件上。
作為半導體晶圓，例如可列舉：單晶矽、多晶矽、各種陶瓷、砷化鎵等化合物半導體等。
膜狀接著劑及接著片可用作用以將積體電路（Integrated Circuit，IC）、大規模積體電路（Large Scale Integration circuit，LSI）等半導體元件與45合金引線框架、銅引線框架等引線框架；聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等的塑膠膜；使玻璃不織布等基材含浸聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠並加以硬化而成者；氧化鋁等陶瓷的半導體搭載用支撐構件等貼合的黏晶用接著劑。
膜狀接著劑及接著片亦可較佳地用作於堆疊多個半導體元件而成的結構的疊層封裝（Stacked-PKG）中用以將半導體元件與半導體元件接著的接著劑。於該情況下，另一半導體元件成為搭載半導體元件的支撐構件。
膜狀接著劑及接著片例如亦可用作對倒裝晶片（flip chip）型半導體裝置的半導體元件的背面進行保護的保護片、用以對倒裝晶片型半導體裝置的半導體元件的表面與被黏著體之間進行密封的密封片等。
使用圖式對使用膜狀接著劑所製造的半導體裝置進行具體說明。再者，近年來，提出了各種結構的半導體裝置，本實施形態的膜狀接著劑的用途並不限定於以下所說明的結構的半導體裝置。
圖6是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。圖6所示的半導體裝置200包括：半導體元件9；支撐構件10，搭載半導體元件9；以及接著構件1c（膜狀接著劑或其硬化物），設置於半導體元件9及支撐構件10之間，將半導體元件9與支撐構件10接著。接著構件1c為膜狀接著劑或其硬化物。半導體元件9的連接端子（未圖示）經由導線11而與外部連接端子（未圖示）電性連接，並由密封材12密封。
圖7是表示半導體裝置的另一實施形態的示意剖面圖。於圖7所示的半導體裝置210中，第一段的半導體元件9a藉由接著構件1c而接著於形成有端子13的支撐構件10，於第一段的半導體元件9a上進而藉由接著構件1c而接著第二段的半導體元件9b。第一段的半導體元件9a及第二段的半導體元件9b的連接端子（未圖示）經由導線11而與外部連接端子電性連接，並由密封材12密封。接著構件1c為膜狀接著劑或其硬化物。如此，本實施形態的膜狀接著劑亦可較佳地用於重疊多個半導體元件的結構的半導體裝置。
圖6及圖7所示的半導體裝置（半導體封裝）例如可藉由如下方式來獲得：使膜狀接著劑介隔存在於半導體元件與支撐構件之間或半導體元件與半導體元件之間，將該些加熱壓接而使兩者接著，其後，視需要經過打線接合（wire bonding）步驟、利用密封材的密封步驟、包括利用焊料的回流的加熱熔融步驟等。加熱壓接步驟中的加熱溫度通常為20℃～250℃，負荷通常為0.1 N～200 N，加熱時間通常為0.1秒～300秒。
作為使膜狀接著劑介隔存在於半導體元件與支撐構件之間或半導體元件與半導體元件之間的方法，可為：如上所述，預先製作帶有膜狀接著劑的半導體元件後，貼附於支撐構件或半導體元件的方法。
支撐構件可為包含以銅為原材料的構件者。本實施形態的半導體裝置藉由膜狀接著劑或其硬化物而將半導體元件與支撐構件接著，因此即便於使用以銅為原材料的構件作為半導體裝置的構成構件的情況下，亦可減低自該構件產生的銅離子的影響，可充分抑制因銅離子而引起的電性不良情況的產生。
此處，作為以銅為原材料的構件，例如可列舉引線框架、配線、導線、放熱材等，即便於將銅用於任一構件的情況下，亦可減低銅離子的影響。
繼而，對使用圖4所示的切晶黏晶一體型接著片時的半導體裝置的製造方法的一實施形態進行說明。再者，利用切晶黏晶一體型接著片的半導體裝置的製造方法並不限定於以下所說明的半導體裝置的製造方法。
首先，將半導體晶圓壓接於接著片200（切晶黏晶一體型接著片）中的膜狀接著劑1，並將其接著保持並加以固定（貼裝步驟）。可一邊利用壓接輥等按壓機構進行按壓一邊進行本步驟。
繼而，進行半導體晶圓的切割。藉此，以規定的尺寸切斷半導體晶圓，從而製造多個經單片化的帶有膜狀接著劑的半導體元件（半導體晶片）。例如可自半導體晶圓的電路面側依據常規方法來進行切割。另外，本步驟中，例如可採用：進行切入直至切割帶的被稱為全切的切斷方式；藉由於半導體晶圓上切入一半切口並於冷卻下進行拉伸來分割的切斷方式；利用雷射的切斷方式等。作為本步驟中所使用的切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知者。
為了將接著固定於切晶黏晶一體型接著片的半導體元件剝離，進行半導體元件的拾取。作為拾取的方法，並無特別限定，可採用現有公知的各種方法。例如，可列舉：利用頂針將各個半導體元件自切晶黏晶一體型接著片側頂起，並利用拾取裝置來拾取經頂起的半導體元件的方法等。
此處，於黏著劑層為放射線（例如，紫外線）硬化型的情況下，在對該黏著劑層照射放射線後進行拾取。藉此，黏著劑層相對於膜狀接著劑的黏著力降低，從而容易剝離半導體元件。其結果，可不損傷半導體元件地進行拾取。
繼而，將藉由切割而形成的帶有膜狀接著劑的半導體元件介隔膜狀接著劑而接著於用以搭載半導體元件的支撐構件。接著可藉由壓接來進行。作為黏晶的條件，並無特別限定，可視需要適宜設定。具體而言，例如可於黏晶溫度80℃～160℃、黏合負荷5 N～15 N、黏合時間1秒～10秒的範圍內進行。
視需要，亦可設置使膜狀接著劑熱硬化的步驟。使藉由所述接著步驟而將支撐構件與半導體元件接著的膜狀接著劑熱硬化，藉此可更牢固地進行接著固定。於進行熱硬化的情況下，可同時施加壓力來進行硬化。本步驟中的加熱溫度可根據膜狀接著劑的構成成分來適宜變更。加熱溫度例如可為60℃～200℃。再者，可一邊階段性地變更溫度或壓力一邊進行。
繼而，進行利用接合線將支撐構件的端子部（內引線）的前端與半導體元件上的電極墊電性連接的打線接合步驟。作為接合線，例如可使用金線、鋁線、銅線等。進行打線接合時的溫度可為80℃～250℃或80℃～220℃的範圍內。加熱時間可為幾秒～幾分鐘。可於在所述溫度範圍內進行加熱的狀態下，藉由併用利用超音波的振動能量與利用施加加壓的壓接能量來進行結線。
繼而，進行利用密封樹脂來密封半導體元件的密封步驟。本步驟是為了保護搭載於支撐構件的半導體元件或接合線而進行。本發明是藉由利用模具將密封用的樹脂成型來進行。作為密封樹脂，例如可為環氧系的樹脂。藉由密封時的熱及壓力而將基板及殘渣埋入，從而可防止接著界面處的氣泡引起的剝離。
繼而，於後硬化步驟中，使於密封步驟中硬化不足的密封樹脂完全硬化。即便於在密封步驟中未將膜狀接著劑熱硬化的情況下，亦可於本步驟中與密封樹脂的硬化同時使膜狀接著劑熱硬化而進行接著固定。本步驟中的加熱溫度可根據密封樹脂的種類來適宜設定，例如可為165℃～185℃的範圍內，加熱時間可為0.5小時～8小時左右。
繼而，使用回流爐對接著於支撐構件的帶有膜狀接著劑的半導體元件進行加熱。本步驟中，亦可於支撐構件上表面安裝經樹脂密封的半導體裝置。作為表面安裝的方法，例如可列舉：於印刷配線板上預先供給焊料後，藉由溫風等而進行加熱熔融，並進行焊接的回流焊接等。作為加熱方法，例如可列舉熱風回流、紅外線回流等。另外，加熱方法可為對整體進行加熱的方法，亦可為對局部進行加熱的方法。加熱溫度例如可為240℃～280℃的範圍內。
於將半導體元件積層為多層的情況下，打線接合步驟等熱歷程變多，由存在於膜狀接著劑與半導體元件的界面的氣泡引起的對於剝離的影響變大。然而，本實施形態的膜狀接著劑藉由使用特定丙烯酸橡膠而有凝聚力降低、埋入性提高的傾向。因此，於半導體裝置內不易捲入氣泡，可容易使密封步驟中的氣泡擴散，可防止接著界面處的氣泡引起的剝離。 [實施例]
以下，基於實施例及比較例而對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些。
（實施例1、實施例2及比較例1） [膜狀接著劑的製作] ＜接著劑清漆的製備＞ 將表1所示的丙烯酸橡膠溶液用作接著劑清漆。再者，表1所示的數值是指丙烯酸橡膠溶液的固體成分的質量份。
（A）成分：丙烯酸橡膠 （A1）丙烯酸橡膠A：SG-P3溶劑變更品（將SG-P3（商品名，長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造，丙烯酸橡膠的甲基乙基酮溶液）的溶劑加以變更而成者），源自丙烯腈的構成單元：有，重量平均分子量：70萬，實測Tg：12℃，溶劑：環己酮 （A2）丙烯酸橡膠B：源自丙烯腈的構成單元：有，重量平均分子量：70萬，實測Tg：22℃，溶劑：環己酮 （A3）丙烯酸橡膠C：源自丙烯腈的構成單元：無，重量平均分子量：50萬，實測Tg：20℃，溶劑：環己酮
＜膜狀接著劑的製作＞ 利用100目（mesh）的過濾器過濾所製作的接著劑清漆，並進行真空脫泡。準備厚度38 μm的實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）膜作為基材膜，將真空脫泡後的接著劑清漆塗佈於PET膜上。以90℃下5分鐘、繼而130℃下5分鐘這兩階段對所塗佈的接著劑清漆進行加熱乾燥，從而獲得處於B階段狀態的實施例1、實施例2及比較例1的膜狀接著劑。於膜狀接著劑中，根據接著劑清漆的塗佈量而調整為厚度成為20 μm。
[銅離子透過時間的測定] ＜A液的製備＞ 使無水硫酸銅（II）2.0 g溶解於蒸餾水1020 g中，進行攪拌，直至硫酸銅完全溶解，從而製備銅離子濃度以Cu元素換算計為濃度500 mg/kg的硫酸銅水溶液。將所獲得的硫酸銅水溶液設為A液。
＜B液的製備＞ 使無水硫酸鈉1.0 g溶解於蒸餾水1000 g中，進行攪拌，直至硫酸鈉完全溶解。向其中進而添加1000 g的N-甲基-2-吡咯啶酮（N-Methyl-2-Pyrrolidone，NMP）並加以攪拌。其後，進行空氣冷卻，直至成為室溫，從而獲得硫酸鈉水溶液。將所獲得的溶液設為B液。
＜銅離子透過時間的測定＞ 將所述製作的實施例1、實施例2及比較例1的膜狀接著劑（厚度：20 μm）分別切取成直徑約3 cm的圓狀。繼而，準備兩枚厚度1.5 mm、外徑約3 cm、內徑1.8 cm的矽襯墊片。利用兩枚矽襯墊片夾持切取成圓狀的膜狀接著劑，並利用容積50 mL的兩個玻璃製單元的凸緣部夾持所述矽襯墊片，並利用橡膠帶加以固定。
繼而，向其中一玻璃製單元中注入50 g的A液後，向另一玻璃製單元中注入50 g的B液。於各單元中插入作為碳電極的火星碳（Mars Carbon）（施泰特勒（STAEDTLER）有限合資公司製造，φ2 mm/130 mm）。將A液側設為陽極，將B液側設為陰極，並將陽極與直流電源（A&D股份有限公司製造，直流電源裝置AD-9723D）連接。另外，將陰極與直流電源經由電流計（三和電氣計器股份有限公司製造，數位萬用電表（Degital multimeter）PC-720M）串聯連接。室溫下，以施加電壓24.0 V施加電壓，自施加後再開始電流值的測量。將測定時間設為500分鐘，將電流值的上升時間設為銅離子透過時間。本評價中，可以說電流值的上升時間越慢，越可抑制銅離子透過。將結果示於表1中。
[表1]
  比較例1 實施例1 實施例2
（A）成分 （A1） 100 - -
（A2） - 100 -
（A3） - - 100
銅離子透過時間（分鐘） 250 420 超過500
如上所述，確認到：本發明的膜狀接著劑可充分抑制接著劑內的銅離子透過。
1:膜狀接著劑 1c:接著構件 2:基材 3:覆蓋膜 6:黏著劑層 7:切割帶 9、9a、9b:半導體元件 10:支撐構件 11:導線 12:密封材 13:端子 100、110、120、130:接著片 200、210:半導體裝置
圖1是表示膜狀接著劑的一實施形態的示意剖面圖。 圖2是表示接著片的一實施形態的示意剖面圖。 圖3是表示接著片的另一實施形態的示意剖面圖。 圖4是表示接著片的另一實施形態的示意剖面圖。 圖5是表示接著片的又一實施形態的示意剖面圖。 圖6是表示半導體裝置的一實施形態的示意剖面圖。 圖7是表示半導體裝置的另一實施形態的示意剖面圖。
1:膜狀接著劑

Claims (4)

  1. 一種膜狀接著劑，其用以將半導體元件與搭載所述半導體元件的支撐構件接著，且 所述膜狀接著劑含有丙烯酸橡膠， 所述丙烯酸橡膠滿足下述條件（i）或條件（ii）中的任一者； 條件（i）：具有源自丙烯腈的構成單元且具有超過12℃的玻璃轉移溫度（Tg）； 條件（ii）：不具有源自丙烯腈的構成單元且具有0℃以上的玻璃轉移溫度（Tg）。
  2. 一種接著片，包括： 基材；以及 如請求項1所述的膜狀接著劑，設置於所述基材的其中一面上。
  3. 如請求項2所述的接著片，其中所述基材為切割帶。
  4. 一種半導體裝置，包括： 半導體元件； 支撐構件，搭載所述半導體元件；以及 接著構件，設置於所述半導體元件及所述支撐構件之間，將所述半導體元件與所述支撐構件接著；並且 所述接著構件為如請求項1所述的膜狀接著劑或其硬化物。
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