TW202044373A - 具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法 - Google Patents

具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202044373A
TW202044373A TW109110378A TW109110378A TW202044373A TW 202044373 A TW202044373 A TW 202044373A TW 109110378 A TW109110378 A TW 109110378A TW 109110378 A TW109110378 A TW 109110378A TW 202044373 A TW202044373 A TW 202044373A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor substrate
heating
heating chamber
temperature gradient
main body
Prior art date
Application number
TW109110378A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI827826B (zh
Inventor
金子忠昭
Original Assignee
學校法人關西學院
日商豊田通商股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 學校法人關西學院, 日商豊田通商股份有限公司 filed Critical 學校法人關西學院
Publication of TW202044373A publication Critical patent/TW202044373A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI827826B publication Critical patent/TWI827826B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明的課題係在於提供一種用同一裝置系統進行半導體基板的蝕刻及成長的方法及其裝置。本發明之半導體基板的製造方法係包含：第一加熱步驟，係將收容了半導體基板及輸送接受體的熱處理空間以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成有溫度梯度之方式予以加熱，前述輸送接受體係與前述半導體基板互相輸送原子；以及第二加熱步驟，係使前述溫度梯度的高低反轉且進行加熱。

Description

具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法
本發明係關於一種具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造方法以及半導體基板的製造裝置。
在習知上，已知有以將半導體基板的損傷去除為目的而蝕刻(etching)半導體基板的方法。 例如，在專利文獻1中記載有一種碳化矽基板的蝕刻方法，係將碳化矽基板收容於在內部空間側設有碳化鉭(tantalum carbide)層及矽化鉭(tantalum silicide)層之收容容器內，且在矽的蒸氣壓下進行加熱。
藉由將經過此種蝕刻步驟之半導體基板用於磊晶成長(epitaxial growth)，能夠得到缺陷少且品質高的半導體單晶。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016／079983號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，通常蝕刻及成長是在不同的環境下用不同的裝置所進行，會耗費成本。 伴隨近年之半導體材料的需求增加，正追求著用相同的裝置系統進行半導體基板的蝕刻及成長的方法及其裝置。
因此，本發明的課題在於提供一種用相同的裝置系統進行半導體基板的蝕刻及成長的方法及其裝置。 [用以解決課題之手段]
用以解決上述課題之本發明是一種半導體基板的製造方法，係包含：第一加熱步驟，係將收容了半導體基板及輸送接受體的熱處理空間以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成有溫度梯度(temperature gradient)之方式予以加熱，前述輸送接受體係與前述半導體基板互相輸送原子；以及第二加熱步驟，係使前述溫度梯度的高低反轉且進行加熱。
如此，藉由以在半導體基板與輸送接受體之間形成有溫度梯度的方式進行加熱，引起將溫度梯度作為驅動力的半導體基板之蝕刻或是成長。 根據本發明之半導體基板的製造方法，藉由使該半導體基板與輸送接受體之間的溫度梯度之高低反轉，能夠用同一裝置系統切換(switch)成長與蝕刻。
在本發明之一較佳形態中，在準密閉空間進行前述加熱步驟。 藉由在準密閉空間進行加熱，能夠抑制半導體基板及輸送接受體之非意圖的反應。
在本發明之一較佳形態中，在包含構成前述半導體基板之原子種的氛圍(atmosphere)下進行前述加熱步驟。
又，用以解決前述課題之本發明是一種半導體基板的製造裝置，係具備：本體容器，係收容半導體基板；以及加熱爐，係具有收容前述本體容器的加熱室以及以在前述半導體基板與輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱的加熱機構；前述半導體基板的製造裝置具有使前述溫度梯度的高低反轉之溫度梯度反轉機構。 根據本發明的半導體基板的製造裝置，能夠用同一裝置系統進行半導體基板的蝕刻及成長。
在本發明之一較佳形態中，前述溫度梯度反轉機構是前述加熱機構中的將前述本體容器內的溫度予以控制的溫度控制機構。
在本發明之一較佳形態中，包含將加熱機構的發熱量予以控制的機構作為前述溫度控制機構。
在本發明之一較佳形態中，包含將加熱機構的位置或方向予以控制的機構作為前述溫度控制機構。
在本發明之一較佳形態中，前述溫度梯度反轉機構是將前述本體容器的位置或方向予以控制的本體容器控制機構。
在本發明之一較佳形態中，前述溫度梯度反轉機構是將前述加熱室內的熱對前述加熱室外放出的放熱機構。
在本發明之一較佳形態中，具備從以下之中所選出的兩種以上的溫度梯度反轉機構作為前述溫度梯度反轉機構：前述加熱機構中的將前述本體容器內的溫度予以控制的溫度控制機構、將前述本體容器的位置或方向予以控制的本體容器控制機構、以及將前述加熱室內的熱對前述加熱室外放出的放熱機構。
前述本體容器係由包含構成前述半導體基板之原子種的材料所構成。如此，本體容器由包含構成半導體基板之原子種的材料所構成，藉此能夠藉由加熱爐將本體容器自身當成輸送接受體來使用。
在本發明之一較佳形態中，進一步具備收容前述本體容器的高熔點容器。 藉由具備此種高熔點容器，能夠抑制半導體基板及本體容器之非意圖的反應。
又，用以解決前述課題之本發明是一種半導體基板的製造裝置，係具備：本體容器，係收容半導體基板以及與前述半導體基板互相輸送原子的輸送接受體；以及加熱爐，係具有收容前述本體容器的加熱室以及以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱的加熱機構；至少具有第一加熱室及第二加熱室作為前述加熱室；前述第二加熱室之溫度梯度的高低係以與前述第一加熱室之溫度梯度的高低成為相反的方式所構成。 根據本發明的半導體基板的製造裝置，能夠用同一裝置系統進行半導體基板的蝕刻及成長。
在本發明之一較佳形態中，前述第一加熱室及前述第二加熱室係經由加熱機構而鄰接。 藉由設成此種形態，能夠使第一加熱室的溫度梯度與第二加熱室的溫度梯度之高低相反。
在本發明之一較佳形態中，前述第一加熱室及前述第二加熱室係具備各自獨立的加熱機構。 藉由設成此種形態，能夠使第一加熱室的溫度梯度與第二加熱室的溫度梯度之高低相反。
在本發明之一較佳形態中，於前述第一加熱室及前述第二加熱室內具備厚度各自不同的絕熱材。 [發明功效]
根據已揭示的技術，能夠在同一裝置內進行半導體基板的蝕刻及成長、減低半導體基板的製造成本、提高製造效率。
[半導體基板的製造方法] 本發明之半導體基板的製造方法(以下簡稱為製造方法)係將半導體基板與輸送接受體收容在進行熱處理之空間(熱處理空間)，該輸送接受體係與半導體基板互相輸送原子。而且，具備：第一加熱步驟，係以在半導體基板與輸送接受體之間形成有溫度梯度的方式進行加熱。 在本說明書中，輸送接受體係指包含構成半導體基板之原子種的材料，且意指藉由將熱處理空間予以加熱來對半導體基板輸送原子或是接受原子之材料的總稱。
其次，具備：第二加熱步驟，係使前述溫度梯度的高低反轉，且再度進行加熱。 具體來說，於第一加熱步驟中以相對低溫加熱半導體基板且以相對高溫加熱輸送接受體之情形下，於第二加熱步驟中以相對高溫加熱半導體基板且以相對低溫加熱輸送接受體。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的一實施形態之製造方法。本發明的技術性範圍並非限定於隨附圖式所示的實施形態，在申請專利範圍所記載的範圍內能夠適宜變更。
圖1是表示本發明的一實施形態之製造方法的概念之概念圖。 本實施形態的製造方法係將具備主面11的半導體基板10收容在本體容器20內的熱處理空間S20。 另外，在本說明書中，主面係指半導體基板10的成長或是蝕刻所進行的那面。 以作為主面來說，能夠例示從(0001)面或(000-1)面設置了0.4°至8°的偏離角(off angle)的表面。
本體容器20是具備能夠互相地嵌合的上容器22與下容器23之嵌合容器。於上容器22與下容器23的嵌合部係形成有微小的間隙24，且構成為能夠從該間隙24進行本體容器20內的排氣(抽真空)。
在本實施形態中，半導體基板10是碳化矽基板。 又，在本實施形態中，本體容器20係由包含多晶碳化矽的材料所構成，且本體容器20之與半導體基板10的主面11相對的一部分係具備作為輸送接受體21之作用。
以在半導體基板10與輸送接受體21之間形成有溫度梯度的方式對前述熱處理空間S20加熱，藉此進行將該溫度差作為驅動力之原子種的輸送，該原子種係構成半導體基板。
圖2是表示本實施形態之製造方法的成長機構之概要的說明圖。 以1400℃以上至2300℃以下的溫度範圍將熱處理空間S20加熱，將半導體基板10配置於溫度梯度的低溫側，將輸送接受體21配置於溫度梯度的高溫側，藉此進行以下1)至5)的反應，於主面11上形成有成長層12。
1)　Poly-SiC(s)→Si(v)+C(s) 2)　2C(s)+Si(v)→SiC2 (v) 3)　C(s)+2Si(v)→Si2 C(v) 4)　Si(v)+SiC2 (v)→2SiC(s) 5)　Si2 C(v)→Si(v)+SiC(s)
1)的說明：本體容器20(Poly-SiC(s))被加熱，藉此矽原子(Si(v))因熱分解而從碳化矽脫離。 2)及3)的說明：藉由矽原子(Si(v))脫離而殘留在主面11的碳(C(s))係與本體容器20內的矽蒸氣(Si(v))反應，藉此成為Si2 C或者是SiC2 等而在本體容器20內昇華。 4)及5)的說明：已昇華的Si2 C或者是SiC2 等係藉由溫度梯度而到達／擴散至主面11的台階(terrace)，且到達階(step)，藉此成長層12繼承輸送接受體21的多形(polymorphism)而成長(階流動成長(step-flow growth))。
亦即，本實施形態之半導體基板10的成長係具有：矽原子昇華步驟，係使矽原子從本體容器20內熱昇華；以及碳原子昇華步驟，係使殘留於主面11的碳原子與本體容器20內的矽原子結合，藉此使碳原子昇華。
圖3是表示本實施形態之製造方法的蝕刻機構之概要的說明圖。
以1400℃以上至2300℃以下的溫度範圍將熱處理空間S20加熱，將半導體基板10配置於溫度梯度的高溫側且將輸送接受體21配置於溫度梯度的低溫側，藉此進行以下1)至5)的反應，結果半導體基板10的蝕刻有進行。
1)　SiC(s)→Si(v)+C(s) 2)　2C(s)+Si(v)→SiC2 (v) 3)　C(s)+2Si(v)→Si2 C(v) 4)　Si(v)+SiC2 (v)→2SiC(s) 5)　Si2 C(v)→Si(v)+SiC(s)
1)的說明：半導體基板10(SiC(s))被加熱，藉此矽原子(Si(v))因熱分解而從主面11脫離(矽原子昇華步驟)。 2)及3)的說明：藉由矽原子(Si(v))脫離而殘留在主面11的碳(C(s))係與本體容器20內的矽蒸氣(Si(v))反應，藉此成為Si2 C或者是SiC2 等而在本體容器20內昇華(碳原子昇華步驟)。 4)及5)的說明：已昇華的Si2 C或者是SiC2 等係藉由溫度梯度而到達本體容器20(多晶碳化矽)且成長。
亦即，本實施形態之蝕刻步驟係具有：矽原子昇華步驟，係使矽原子從半導體基板10的表面熱昇華；以及碳原子昇華步驟，係使殘留於主面11的碳原子與本體容器20內的矽原子結合，藉此使碳原子昇華。
本發明之半導體基板的製造方法係利用以下情形：藉由在半導體基板與輸送接受體之間產生的溫度梯度之高低，能夠切換半導體基板的成長與蝕刻。 亦即，藉由第一加熱步驟進行半導體基板的成長或蝕刻，藉已由使溫度梯度反轉的第二加熱步驟引起與在第一加熱步驟所起的反應為相反的反應。 如此，根據本發明的製造方法，能夠藉由溫度梯度的高低控制半導體基板的舉動，且能夠用同一裝置系統進行成長與蝕刻。
在本實施形態中例示了使用碳化矽基板作為半導體基板的形態，不過本發明並不限定於此，能夠採用各種半導體基板。 作為半導體基板來說，較佳為使用能夠進行氣相法所致的成長之半導體基板。
在本實施形態中例示了本體容器作為輸送接受體的形態，不過只要輸送接受體是包含構成半導體基板之原子種的材料的話則不特別限定。 例如，也可以是將以下的材料收容在本體容器的內部之形態：包含跟本體容器分開地構成半導體基板之原子種的材料。亦即，加熱步驟係在包含構成半導體基板之原子種的氛圍下進行即可。另外，所謂的包含構成半導體基板之原子種的氛圍下，構成半導體基板之原子種藉由加熱而產生的氛圍下也包含在內。
在將本體容器作為輸送接受體使用之情形下，能夠使用由包含構成半導體基板之原子種的材料所構成的本體容器。
又，在本發明的製造方法中，不需使用本體容器，將半導體基板及輸送接受體收容在熱處理空間內即可。 熱處理空間較佳為準密閉空間。準密閉空間係能夠藉由例如將半導體基板10與輸送接受體21收容在本體容器20內來形成。 另外，在本說明書中的準密閉空間係指：容器內能夠抽真空，也能夠將已在容器內產生之上述的至少一部分予以封入的空間。 藉由設成準密閉空間，能夠抑制半導體基板及輸送接受體之非意圖的反應。
在本手法中的成長溫度及蝕刻溫度較佳為以800℃至2500℃的範圍所設定。
在本手法中的成長速度及蝕刻速度係能夠藉由上述溫度區域來控制，能夠以0.001 μm／min至2 μm／min的範圍選擇。
在本手法中的成長時間及蝕刻時間係能夠以成為期望的成長量及蝕刻量的方式設定成任意的時間。例如，在成長速度(蝕刻速度)為1 μm／min時欲將成長量(蝕刻量)設成1 μm之情形下，成長量(蝕刻時間)係成為1分鐘。
在本手法中的溫度梯度係於半導體基板與輸送接受體之間以0.1 ℃／mm至5 ℃／mm的範圍所設定。
在本手法中，能夠供給摻雜物氣體(dopant gas)(N2 等)並能夠以10-5 Pa至10000 Pa的範圍導入至主加熱室41。 在成長步驟中，藉由對本體容器20內供給摻雜物氣體，能夠調整成長層12的摻雜濃度。 亦即，在不供給摻雜物氣體之情形下，成長層12繼承本體容器20的摻雜濃度而形成。另一方面，能夠藉由供給摻雜物氣體來提高成長層12中的摻雜濃度，藉此能夠形成具有期望之摻雜濃度的成長層12。
以作為本發明之製造方法中的將溫度梯度反轉的手段來說，能夠例示將半導體基板10自身予以反轉的方法。
例如，使用治具(jig)以使半導體基板10離開本體容器20之底面的方式進行配置。 而且，在配置成本體容器的主面11與輸送接受體21相對之情形下，以本體容器之底面成為低溫側且本體容器之頂面(輸送接受體21)成為高溫側的方式進行加熱的話則如同上述，形成主面11為低溫側且輸送接受體21為高溫側的溫度梯度，成長層12於主面11上成長。 其次，使半導體基板10反轉，以使主面11(成長層12)與本體容器20之底面相對的方式進行配置，同樣地以本體容器之底面成為低溫側且本體容器之頂面(輸送接受體21)成為高溫側的方式進行加熱的話，形成有本體容器之底面側為低溫側且主面11(成長層12)為高溫側的溫度梯度，且主面11的蝕刻會進行。
在該形態中，即使不使加熱室內的溫度梯度自身變化，也能夠使與主面11相對的輸送接受體21(本體容器20內的頂面或底面)之相對的溫度梯度反轉。
又，在本發明之製造方法中將溫度梯度予以反轉的機構並未特別限定，也能夠例示以下詳述之半導體基板的製造裝置所具備的溫度梯度反轉機構。
[半導體基板的製造裝置] 以下，針對與上述之半導體基板的製造方法共通之事項省略說明，並針對本發明之半導體基板的製造裝置(以下簡稱製造裝置)加以說明。
本發明的製造裝置係具備：本體容器，係收容半導體基板與輸送接受體；以及加熱爐，係具有收容前述本體容器的加熱室以及以在半導體基板與輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱的加熱機構；且具有：溫度梯度反轉機構，係使前述溫度梯度的高低反轉。
又，本發明的製造裝置係具備：本體容器，係收容半導體基板以及與前述半導體基板互相輸送原子的輸送接受體；以及加熱爐，係具有收容前述本體容器的加熱室以及以在半導體基板與輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱的加熱機構；至少具有第一加熱室及第二加熱室作為前述加熱室；前述第二加熱室之溫度梯度的高低係以與前述第一加熱室之溫度梯度的高低成為相反的方式所構成。 具體來說，相對於在被收容於第一加熱室的半導體基板與輸送接受體之間藉由加熱機構所形成的溫度梯度，第二加熱室係以溫度梯度的高低成為相反的方式所構成。
以下，參照圖4至圖11詳述本實施形態之製造裝置。 於圖4係表示具備溫度控制機構作為溫度梯度反轉機構的實施例1之製造裝置。
[實施例1][具備溫度控制機構的製造裝置] 實施例1之製造裝置100係能夠收容半導體基板10，且具備包含以下材料的本體容器20：包含構成半導體基板10之原子種的材料。在實施例1中，本體容器20的一部分為輸送接受體21。 又，製造裝置100係具備：高熔點容器30，係收容本體容器20；主加熱室41，係收容高熔點容器30；以及加熱爐40，係具有在半導體基板10與輸送接受體21之間形成溫度梯度的加熱機構44。
高熔點容器30係包含高熔點材料而構成。以作為高熔點材料來說能夠例示：屬於泛用耐熱構件的碳；屬於高熔點金屬的W、Re、Os、Ta、Mo；屬於碳化物的Ta9 C8 、HfC、TaC、NbC、ZrC、Ta2 C、TiC、WC、MoC；屬於氮化物的HfN、TaN、BN、Ta2 N、ZrN、TiN；屬於硼化物的HfB2 、TaB2 、ZrB2 、NB2 、TiB2 ；多晶碳化矽等。
本實施形態之主加熱室41內的包含構成半導體材料之原子種的氛圍係具有：蒸氣供給源34，係能夠對本體容器20內供給包含構成半導體基板10之原子種的氣相種之蒸氣壓(參照圖5)。蒸氣供給源34只要是在加熱處理時使上述的氣相種之蒸氣壓在高熔點容器30內產生的構成即可。例如，在半導體基板10為碳化矽基板之情形下，能夠例示例如固體的矽(單晶矽片或矽粉末等的矽丸(Si pellet))或矽化合物。
該高熔點容器30與本體容器20同樣地是具備能夠互相地嵌合的上容器31與下容器32的嵌合容器，且構成為能夠將本體容器20予以收容。於上容器31與下容器32的嵌合部係形成有微小的間隙33，且構成為能夠從該間隙33進行高熔點容器30內的排氣(抽真空)。 藉由具備此種高熔點容器30，能夠抑制半導體基板及本體容器之非意圖的碳化。
主加熱室41係能夠將被處理物(半導體基板10等)加熱到800℃以上至2500℃以下的溫度。又，加熱爐40係具備：預備加熱室42，係能夠將被處理物預備加熱到500℃以上的溫度。又具備能夠將被處理物從預備加熱室42移動到主加熱室41的移動機構43(移動台)。
以本實施形態之預備加熱室42來說，以能夠藉由主加熱室41之加熱機構44的餘熱而升溫的方式所構成。例如，在將主加熱室41升溫到2000℃之情形下，預備加熱室42係被升溫到1000℃左右，能夠進行被處理物(半導體基板10、本體容器20、高熔點容器30等)的脫氣處理。
移動機構43係構成為能夠將高熔點容器30載置而在主加熱室41與預備加熱室42之間移動。由該移動機構43所進行的主加熱室41與預備加熱室42之間搬運以最短1分鐘左右完成，因此能夠實現1 ℃至1000 ℃／min的升溫及降溫。 由於如此地進行急速升溫及急速降溫，因此能夠觀察升溫中及降溫中的不具有低溫成長歷程之表面形狀，而這在習知的裝置上是困難的。 又，在圖1中雖將預備加熱室42配置在主加熱室41的下方，但也可不限於此地配置於任意方向。
於主加熱室41係連接有：真空形成用閥45，係進行主加熱室41內的排氣；惰性氣體注入用閥46，係對主加熱室41內導入惰性氣體；以及真空計47，係測定主加熱室41內的真空度。
真空形成用閥45係與將主加熱室41內予以排氣並抽真空的抽真空泵連接(未圖示)。藉由該真空形成用閥45及抽真空泵，主加熱室41內的真空度係能夠調整至例如10 Pa以下，更佳為1 Pa以下，再更佳為10-3 Pa以下。以作為該抽真空泵來說，能夠例示渦輪分子泵(turbomolecular pump)。
惰性氣體注入用閥46係與惰性氣體供給源連接(未圖示)。藉由該惰性氣體注入用閥46及惰性氣體供給源，能夠以10-5 Pa至10000 Pa的範圍對主加熱室41內導入惰性氣體。以作為該惰性氣體來說，能夠選擇Ar、He、N2 等。 又，惰性氣體注入用閥46是能夠對本體容器20內供給摻雜物氣體的摻雜物氣體供給機構。亦即，藉由於惰性氣體選擇摻雜物氣體(例如N2 等)，能夠將摻雜物摻雜於成長層12而提高摻雜濃度。
加熱爐40係具備上部加熱機構44a及下部加熱機構44b作為加熱機構44。 在實施例1中，能夠個別地調節上部加熱機構44a及下部加熱機構44b的發熱量。因此，藉由在上部加熱機構44a及下部加熱機構44b之發熱量設定差異，能夠在主加熱室41內形成溫度梯度。
另外，在本實施形態中，構成為微小的熱會從移動機構43(移動台)與高熔點容器30的接觸部逸散。因此，就算將上部加熱機構44a及下部加熱機構44b的發熱量調節成相同，亦會藉由從移動機構43放出熱而在半導體基板10與輸送接受體21之間形成有溫度梯度。
能夠藉由調節上部加熱機構44a及下部加熱機構44b的發熱量來使如此形成的溫度梯度反轉。亦即，藉由使上部加熱機構44a及下部加熱機構44b之發熱量的高低逆轉，能夠使在半導體基板10與輸送接受體之間所形成之溫度梯度的高低反轉。
能夠例示以下的構成作為另一實施形態：於主加熱室41內的頂面側及底面側分別配設加熱機構，分別用頂面側的加熱機構與底面側的加熱機構於發熱量設定差異，藉此形成溫度梯度，且藉由使各加熱機構之發熱量的高低逆轉來使溫度梯度反轉。
實施例1的溫度梯度反轉機構係藉由將加熱機構的發熱量予以調節來實現。不過本發明不限於此，也可以設成不變更加熱機構的發熱量地將加熱機構之上下方向的位置關係逆轉藉此使溫度梯度反轉的形態。
例如，考慮於上部與下部設置各自不同數量的加熱機構、或以寬度從上部往下部(或是從下部往上部)變大的方式並列設置加熱機構(加熱器)藉此形成溫度梯度之形態。 在該情形下，藉由使該加熱機構之上下方向的位置關係反轉，能夠使溫度梯度反轉。 在具備此種加熱機構之反轉機構的形態中，能夠使在半導體基板10與輸送接受體21之間所形成之溫度梯度的高低反轉，而不需變更各自的加熱機構之發熱量。
加熱機構並不特別限定，較佳為例示電阻加熱式的加熱器。
又，作為另一實施形態，能夠例示如下所構成之形態：於主加熱室41的側面配設加熱機構，且該加熱機構能夠相對於主加熱室41在上下方向移動。在該情形下，使加熱機構對著主加熱室41位於相對下側或是相對上側，藉此在半導體基板10與輸送接受體21之間形成溫度梯度，且藉由使該加熱機構往上側或是下側移動，能夠使半導體基板10與輸送接受體21之間的溫度梯度之高低反轉。
[實施例2][具備本體容器控制機構之製造裝置] 省略與實施例1共通的事項並且針對實施例2的製造裝置加以說明。 於圖6表示具備實施例2之本體容器控制機構的製造裝置101。
製造裝置101係遍及主加熱室41的高度方向地以包圍高熔點容器30的方式配設有加熱機構44。 在如此地配設加熱機構44之情形下，主加熱室41內的溫度梯度係主加熱室41的高度方向上的中心附近的溫度最高，且溫度隨著從中心附近朝向上方向或是下方向而變低。
在實施例2中，移動機構43b於主加熱室41內能夠在高度方向上移動，藉此能夠使半導體基板10與輸送接受體21之間的溫度梯度之高低反轉。
具體來說，以輸送接受體21位於主加熱室41的中心附近之方式使輸送接受體21移動，藉此能夠形成輸送接受體21為高溫側且半導體基板10為低溫側的溫度梯度，且能夠進行半導體基板10之成長(參照圖6)。 另一方面，以半導體基板10位於主加熱室41的中心附近之方式使半導體基板10移動，藉此能夠形成半導體基板10為高溫側且輸送接受體21為低溫側的溫度梯度，且能夠進行半導體基板10之蝕刻。
在實施例2中例示了移動機構43b能夠在主加熱室內的高度方向上移動的形態，不過本發明的製造裝置也能夠採用將本體容器20的位置或方向予以控制的本體容器控制機構。
例如，也可以是藉由具備使本體容器20或使收容本體容器20之高熔點容器30旋轉的旋轉機構來使半導體基板10與輸送接受體21之高度方向上的位置關係反轉之形態。又，藉由具備使半導體基板10自身反轉的旋轉機構，使半導體基板10之相對的溫度梯度反轉的形態也作為具備本體容器控制機構之製造裝置的一實施形態而被包含。在該情形下，如「半導體基板的製造方法」已說明般，設成使用治具等使半導體基板10離開本體容器20的底面之態樣。
另外，實施例2之製造裝置的移動機構43b係與實施例1之製造裝置同樣地能夠在主加熱室41與預備加熱室42移動。在主加熱室41內移動的機構跟在主加熱室41與預備加熱室42移動的機構可以相同也可以不同。
[實施例3][具備放熱機構的製造裝置] 省略與實施例1及實施例2共通的事項並且針對實施例3的製造裝置加以說明。 於圖7係表示具備實施例3之放熱機構的製造裝置102。
於製造裝置102之主加熱室41的上表面係具備有開閉部48。又，製造裝置102係經由開閉部48而具備與主加熱室41連接設置的吸熱體49。 在開閉部48開啟的狀態下，主加熱室41內的熱向吸熱體放出。 藉由控制該開閉部48的開閉狀態，能夠控制主加熱室41內的溫度梯度，從而能夠控制半導體基板10與輸送接受體21之溫度梯度的高低。
作為吸熱體來說，能夠例示高熔點且包含導熱率高之材料的放熱片。能夠例示上述的高熔點材料作為此種材料。
在本實施形態中例示了在主加熱室41的上部具備開閉部48及吸熱體49的形態，不過只要開閉部48及吸熱體49是與主加熱室41連接設置，則可以在任意地方具備。
又，在本發明的製造裝置中，不限於具備開閉部48及吸熱體49的形態，可以採用能夠將主加熱室41內的熱對主加熱室41外放出的放熱機構。例如，可以是被高熔點材料所包圍且具備放熱空間以作為放熱機構的形態。
[實施例4][具備溫度控制機構及本體容器控制機構雙方的製造裝置] 省略已在實施例1至實施例3說明的事項並且對實施例4的製造裝置加以說明。 於圖8表示具備溫度控制機構及本體容器控制機構的製造裝置103。
製造裝置103係具備主加熱室41、移動機構43、側面加熱機構44c及底面加熱機構44d。於主加熱室41係以包圍側面加熱機構44c及底面加熱機構44d的方式配設有絕熱材50。
圖8中的(a)係表示以下狀態：側面加熱機構44c及底面加熱機構44d皆運轉，且半導體基板10相對於側面加熱機構44c之上下方向的長度位於中心。 在該狀態下，從底面側也由底面加熱機構44d進行加熱，且半導體基板10相對於側面加熱機構之上下方向的長度位於中心，藉此形成半導體基板10為高溫側且輸送接受體21為低溫側的溫度梯度。
在圖8中的(b)裡，側面加熱機構44c運轉而底面加熱機構44d不運轉，輸送接受體21相對於側面加熱機構44c之上下方向位於中心。 在該狀態下，成為相對於側面加熱機構之上下方向的長度位於中心的輸送接受體21為高溫側且半導體基板10為低溫側的溫度梯度，相對於圖8中的(a)之狀態，在半導體基板10與輸送接受體21之間形成的溫度梯度之高低係反轉。
如此，藉由使溫度控制機構與本體容器控制機構組合，能夠設成使溫度梯度的高低反轉之構成。
[實施例5][具備複數個主加熱室的製造裝置] 省略已在實施例1至實施例4說明的事項並且對實施例5的製造裝置加以說明。 於圖9表示具備複數個主加熱室的製造裝置104。 製造裝置104係具備第一加熱室41a-1與第二加熱室41b-1作為主加熱室，且於第一加熱室41a-1與第二加熱室41b-1之間係具備有加熱機構44。亦即，第一加熱室41a-1及第二加熱室41b-1係經由加熱機構44而鄰接。
製造裝置104使加熱機構44運轉，藉此於第一加熱室41a-1內產生加熱機構44的鄰近為高溫側且第一加熱室41a-1的頂面為低溫側之溫度梯度。因此，被收容在第一加熱室41a-1內的半導體基板10與輸送接受體21之間的溫度梯度是半導體基板10成為高溫側且輸送接受體21成為低溫側。
另一方面，由於在第二加熱室41b-1內產生加熱機構44的鄰近為高溫側且第二加熱室41b-1內的底面為低溫側之溫度梯度，所以被收容在第二加熱室41b-1內的半導體基板10與輸送接受體21之間的溫度梯度是半導體基板10成為低溫側且輸送接受體21成為低溫側。
因此，進行第一加熱室41a-1及第二加熱室41b-1之任一方中的半導體基板10之加熱處理，之後將半導體基板10取出，在另一方的加熱室進行加熱處理，藉此能夠使在半導體基板10與輸送接受體21之間所形成的溫度梯度之高低反轉而進行加熱。
如此，相對於在被收容於前述第一加熱室41a-1的前述半導體基板10與前述輸送接受體21之間藉由前述加熱機構44所形成的溫度梯度，前述第二加熱室41b-1係以溫度梯度之高低成為相反的方式所構成，藉此能夠進行使溫度梯度之高低反轉的加熱處理。
另外，第一加熱室及第二加熱室之名稱僅僅是為了便於說明而附加的名稱，並非用於將半導體基板10之加熱處理的進行順序予以特定。
在本實施形態中，也可以用第一加熱室41a-1之頂面側的絕熱材50與第二加熱室41b-1之底面側的絕熱材50於絕熱材50之厚度設有差異的方式構成。 於圖10表示具備第一加熱室及第二加熱室之製造裝置105，第一加熱室及第二加熱室係絕熱材的厚度不同。
絕熱材50的厚度薄則熱容易逸散，且配設有加熱機構的面與對向之面的溫度梯度之差會相對變大。另一方面，絕熱材50的厚度厚則熱不易逸散，故配設有加熱機構的面與對向之面的溫度梯度之差會相對變小。因此，於第一加熱室41a-2之頂面側的絕熱材50與第二加熱室41b-2之底面側的絕熱材50在絕熱材50的厚度設有差異，藉此不只是溫度梯度的高低，也能夠將在半導體基板10與輸送接受體20之間所形成的溫度梯度之溫度差予以控制。
作為具備複數個主加熱室的製造裝置，於圖11表示其他實施形態的製造裝置106。 圖11的第一加熱室41a-3及第二加熱室41b-3係具備各自獨立的加熱機構44e及44f。 加熱機構44e係被配設於第一加熱室41a-3的頂面側，加熱機構44f係被配設於第二加熱室41b-3的底面側。如此，相對於第一加熱室41a-3中的加熱機構44e之配設位置，在第二加熱室41b-3中藉由在與加熱機構44e對向之位置配設加熱機構44f，能夠在各自的主加熱室以溫度梯度的高低相對於在前述半導體基板10與前述輸送接受體21之間所形成的溫度梯度之高低而反轉的方式構成。
於上述半導體基板的製造裝置中，較佳為具備將半導體基板與輸送接受體之溫度梯度的方向作為旋轉軸使被加熱物旋轉的機構。藉由使被加熱物旋轉，半導體基板的成長量、蝕刻量成為均勻，半導體基板面內的膜厚容易成為均勻。
10:半導體基板 11:主面 12:成長層 20:本體容器 21:輸送接受體 22,31:上容器 23,32:下容器 24,33:間隙 30:高熔點容器 34:蒸氣供給源 40:加熱爐 41:主加熱室 41a-1,41a-2,41a-3:第一加熱室 41b-1,41b-2,41b-3:第二加熱室 42:預備加熱室 43,43b:移動機構 44,44e,44f:加熱機構 44a:上部加熱機構 44b:下部加熱機構 44c:側面加熱機構 44d:底面加熱機構 45:真空形成用閥 46:惰性氣體注入用閥 47:真空計 48:開閉部 49:吸熱體 50:絕熱材 100~106:半導體基板的製造裝置 S20:熱處理空間
[圖1]是表示本發明之半導體基板的製造方法之概念圖。 [圖2]是表示本實施形態之半導體基板的成長機構之概念圖。 [圖3]是表示本實施形態之半導體基板的蝕刻機構之概念圖。 [圖4]是表示具備實施例1之溫度控制機構的製造裝置之圖式。 [圖5]是表示具備實施例1之溫度控制機構的製造裝置之圖式。 [圖6]是表示具備實施例2之本體容器控制機構的製造裝置之圖式。 [圖7]是表示具備實施例3之放熱機構的製造裝置之圖式。 [圖8]是表示具備實施例4之溫度控制機構及本體容器控制機構雙方的製造裝置之圖式。 [圖9]是表示具備實施例5之複數個主加熱室的製造裝置之圖式。 [圖10]是表示具備絕熱材的厚度各自不同之複數個主加熱室的製造裝置之圖式。 [圖11]是表示在複數個主加熱室具備各自獨立之加熱機構的製造裝置之另一實施形態的圖式。
10:半導體基板
11:主面
20:本體容器
21:輸送接受體
22:上容器
23:下容器
S20:熱處理空間

Claims (16)

  1. 一種半導體基板的製造方法，係具備： 第一加熱步驟，係將收容了半導體基板及輸送接受體的熱處理空間以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成有溫度梯度之方式予以加熱，前述輸送接受體係與前述半導體基板互相輸送原子；以及 第二加熱步驟，係使前述溫度梯度的高低反轉且進行加熱。
  2. 如請求項1所記載之半導體基板的製造方法，其中在準密閉空間進行前述第一加熱步驟及前述第二加熱步驟。
  3. 如請求項1或2所記載之半導體基板的製造方法，其中在包含構成前述半導體基板之原子種的氛圍下進行前述第一加熱步驟及前述第二加熱步驟。
  4. 一種半導體基板的製造裝置，係具備： 本體容器，係收容： 半導體基板；以及 輸送接受體，係與前述半導體基板互相輸送原子； 加熱爐，係具有： 加熱室，係收容前述本體容器；以及 加熱機構，係以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱；以及 溫度梯度反轉機構，係使前述溫度梯度的高低反轉。
  5. 如請求項4所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述溫度梯度反轉機構是前述加熱機構中的將前述本體容器內的溫度予以控制的溫度控制機構。
  6. 如請求項5所記載之半導體基板的製造裝置，其中包含將前述加熱機構的發熱量予以控制的機構作為前述溫度控制機構。
  7. 如請求項5所記載之半導體基板的製造裝置，其中包含將前述加熱機構的位置或方向予以控制的機構作為前述溫度控制機構。
  8. 如請求項4所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述溫度梯度反轉機構是將前述本體容器的位置或方向予以控制的本體容器控制機構。
  9. 如請求項4所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述溫度梯度反轉機構是將前述加熱室內的熱對前述加熱室外放出的放熱機構。
  10. 如請求項4所記載之半導體基板的製造裝置，其中具備從以下之中所選出的兩種以上的溫度梯度反轉機構作為前述溫度梯度反轉機構：前述加熱機構中的將前述本體容器內的溫度予以控制的溫度控制機構、將前述本體容器的位置或方向予以控制的本體容器控制機構、以及將前述加熱室內的熱對前述加熱室外放出的放熱機構。
  11. 如請求項4至10中任一項所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述本體容器係由包含構成前述半導體基板之原子種的材料所構成。
  12. 如請求項4至10中任一項所記載之半導體基板的製造裝置，其中進一步具備：高熔點容器，係收容前述本體容器。
  13. 一種半導體基板的製造裝置，係具備： 本體容器，係收容： 半導體基板；以及 輸送接受體，係與前述半導體基板互相輸送原子；以及 加熱爐，係具有： 加熱室，係收容前述本體容器；以及 加熱機構，係以在前述半導體基板與前述輸送接受體之間形成溫度梯度的方式進行加熱； 至少具有第一加熱室及第二加熱室作為前述加熱室； 前述第二加熱室之溫度梯度的高低係以與前述第一加熱室之溫度梯度的高低成為相反的方式所構成。
  14. 如請求項13所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述第一加熱室及前述第二加熱室係經由前述加熱機構而鄰接。
  15. 如請求項13所記載之半導體基板的製造裝置，其中前述第一加熱室及前述第二加熱室係具備各自獨立的加熱機構。
  16. 如請求項13至15中任一項所記載之半導體基板的製造裝置，其中在前述第一加熱室及前述第二加熱室內具備厚度各自不同的絕熱材。
TW109110378A 2019-03-29 2020-03-27 具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法 TWI827826B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019069278 2019-03-29
JP2019-069278 2019-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202044373A true TW202044373A (zh) 2020-12-01
TWI827826B TWI827826B (zh) 2024-01-01

Family

ID=72668171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109110378A TWI827826B (zh) 2019-03-29 2020-03-27 具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220189797A1 (zh)
EP (1) EP3951026A4 (zh)
JP (1) JPWO2020203516A1 (zh)
CN (1) CN114174570B (zh)
TW (1) TWI827826B (zh)
WO (1) WO2020203516A1 (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3698109B2 (ja) * 2002-02-21 2005-09-21 住友電気工業株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶の成長方法
JP5406936B2 (ja) * 2008-12-08 2014-02-05 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 向上した軸勾配輸送（ａｇｔ）成長方法、及び抵抗加熱を利用した装置
CN105951177B (zh) * 2010-06-30 2018-11-02 晶体公司 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长
JP5875143B2 (ja) * 2011-08-26 2016-03-02 学校法人関西学院 半導体ウエハの製造方法
JP2013075789A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Fujikura Ltd 化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法
JP6080075B2 (ja) * 2013-06-13 2017-02-15 学校法人関西学院 ＳｉＣ基板の表面処理方法
JP6372310B2 (ja) * 2014-10-30 2018-08-15 株式会社デンソー 化学気相成長装置に用いられるサセプタおよびそれを備えた化学気相成長装置
KR20170085085A (ko) 2014-11-18 2017-07-21 토요 탄소 가부시키가이샤 SiC 기판의 에칭 방법 및 수용 용기
CN114000197A (zh) * 2015-09-24 2022-02-01 帕里杜斯有限公司 气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术
JP6593212B2 (ja) * 2015-09-30 2019-10-23 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
EP3892762A1 (en) * 2016-04-28 2021-10-13 Kwansei Gakuin Educational Foundation Vapour-phase epitaxial growth method, and method for producing substrate equipped with epitaxial layer
JP2018158858A (ja) * 2017-03-22 2018-10-11 日本電信電話株式会社 結晶成長方法および装置
WO2018174105A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 東洋炭素株式会社 改質ＳｉＣウエハの製造方法、エピタキシャル層付きＳｉＣウエハ、その製造方法、及び表面処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3951026A4 (en) 2022-12-21
CN114174570A (zh) 2022-03-11
US20220189797A1 (en) 2022-06-16
CN114174570B (zh) 2024-04-30
EP3951026A1 (en) 2022-02-09
WO2020203516A1 (ja) 2020-10-08
TWI827826B (zh) 2024-01-01
JPWO2020203516A1 (zh) 2020-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020179795A1 (ja) ＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置
WO2020095873A1 (ja) ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
TW202103257A (zh) 半導體基板、半導體基板的製造方法、半導體基板的製造裝置以及磊晶成長方法
JPWO2014192870A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
TWI811529B (zh) 碳化矽基板、碳化矽基板的製造方法、碳化矽基板的製造裝置以及降低碳化矽基板的宏階褶的方法
US11932967B2 (en) SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer
TWI827826B (zh) 具備溫度梯度反轉機構之半導體基板的製造裝置以及半導體基板的製造方法
WO2020203517A1 (ja) 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置
JP5032828B2 (ja) 気相成長装置
WO2020218482A1 (ja) ＳｉＣ基板の製造方法、その製造装置、及び、エピタキシャル成長方法
TWI833919B (zh) 碳化矽基板、碳化矽基板的製造方法、碳化矽基板的製造裝置以及降低碳化矽基板的加工變質層的方法
WO2020179794A1 (ja) ＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置及びＳｉＣ基板の加工変質層を低減する方法
JP2020149988A (ja) 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法、及び、炭化ケイ素多結晶基板の製造装置
JP2008198857A (ja) 半導体製造装置