TW202041627A - 增進化學機械拋光（ｃｍｐ）漿料中粒子分散之添加劑 - Google Patents

增進化學機械拋光（ｃｍｐ）漿料中粒子分散之添加劑 Download PDF

Info

Publication number
TW202041627A
TW202041627A TW109109615A TW109109615A TW202041627A TW 202041627 A TW202041627 A TW 202041627A TW 109109615 A TW109109615 A TW 109109615A TW 109109615 A TW109109615 A TW 109109615A TW 202041627 A TW202041627 A TW 202041627A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
weight
polishing composition
chemical mechanical
dispersant
substrate
Prior art date
Application number
TW109109615A
Other languages
English (en)
Inventor
李泱瑤
吳欣諺
柯政遠
呂龍岱
黃宏聰
Original Assignee
美商卡博特微電子公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商卡博特微電子公司 filed Critical 美商卡博特微電子公司
Publication of TW202041627A publication Critical patent/TW202041627A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Abstract

本發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH。本發明亦提供一種藉由使基板與本發明之化學機械拋光組合物接觸而化學機械拋光該基板之方法。

Description

增進化學機械拋光(CMP)漿料中粒子分散之添加劑
本發明係關於一種化學機械拋光組合物，其包含(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH。本發明亦提供一種化學機械拋光基板之方法。
此項技術中已熟知用於平坦化或研磨基板表面之組合物及方法。拋光組合物(亦稱為拋光漿料)通常在液體載劑中含有研磨材料且藉由使表面與充滿該拋光組合物之拋光墊接觸來將該等拋光組合物塗覆至該表面。典型的研磨材料包括二氧化矽、氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯及氧化錫。拋光組合物通常與拋光墊(例如，拋光布或拋光盤)結合使用。替代或除了懸浮於拋光組合物中，研磨材料可併入拋光墊中。
在許多情況下，需要研磨材料具有較窄粒度分佈。當研磨劑懸浮於拋光組合物中時，研磨劑可在靜置時聚集或聚結，藉此形成具有比研磨材料之平均粒度顯著更大之粒度的粒子。認為具有大粒度之研磨粒子之比例增加促成用包含該等研磨粒子之拋光組合物拋光之基板表面上的微痕增加。微痕可促成無法符合嚴格品質要求之基板缺陷。
因此，在此項技術中仍存在對具有增強之研磨粒度穩定性之拋光組合物的需求。
本發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH。
本發明亦提供化學機械拋光基板之方法，該方法包含(i)提供基板；(ii)提供拋光墊；(iii)提供化學機械拋光組合物，其包含：(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH；(iv)使該基板與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；及(v)相對於該基板移動該拋光墊及該化學機械拋光組合物以研磨該基板表面之至少一部分以拋光該基板。
本發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含以下、基本上由以下組成或由以下組成：(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH。
研磨劑可為任何適合之研磨劑。研磨粒子可包含、基本上由或由任何適合之微粒材料組成，該材料通常為金屬氧化物及/或類金屬氧化物(在下文中統稱為「金屬氧化物」)。適合之材料之實例包括氧化鋁、經處理之氧化鋁(例如，經表面處理之氧化鋁)、膠態二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、經表面改質之二氧化矽及其組合。
氧化鋁可為任何適合之氧化鋁且可為例如α-氧化鋁、γ-氧化鋁或煙霧狀氧化鋁。氧化鋁可為經處理之氧化鋁，其中氧化鋁粒子可經陰離子聚合物(諸如聚磺酸、聚苯乙烯磺酸)、包含磺酸單體單元之共聚物(諸如聚(2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙磺酸))及其類似物表面處理。
二氧化矽可為未經改質之二氧化矽或經表面改質之二氧化矽，其中許多在此項技術中已知。例如，經表面改質之二氧化矽可藉由用鋁離子摻雜，藉由用表面改質劑(諸如矽烷，包括含胺基矽烷、烷基矽烷及其類似物)處理而經表面改質。在一較佳實施例中，二氧化矽可為膠態二氧化矽(例如，未經改質之膠態二氧化矽)。
當二氧化矽為膠態二氧化矽時，膠態二氧化矽可為任何適合之膠態二氧化矽。例如，膠態二氧化矽可為濕式製程二氧化矽，諸如縮聚二氧化矽。縮聚二氧化矽通常藉由縮合Si(OH)4 以形成膠態粒子來製備，其中膠態定義為具有約1 nm與約1000 nm之間的平均粒度。此類研磨粒子可根據美國專利5,230,833製備或可以各種市售產品中之任一者的形式獲得，該等市售產品諸如Akzo-NobelBindzil™ 50/80、30/360、159/500、40/220、40/130及CJ2-2產品及Nalco 1050、1060、2327及2329產品，以及可購自DuPont、Bayer、Applied Research、Nissan Chemical、Fuso及Clariant的其他類似產品。
拋光組合物可包含任何適合量之研磨劑。通常，拋光組合物包含約1重量%或更多，例如約1.5重量%或更多、約2重量%或更多或約2.5重量%或更多之研磨劑。替代地或另外，拋光組合物包含約5重量%或更少，例如約4.5重量%或更少、約4重量%或更少或約3.5重量%或更少之研磨劑。因此，拋光組合物可包含呈由前述端點中之任兩者限定之量的研磨劑。例如，拋光組合物可包含約1重量%至約5重量%，例如，約1重量%至約4.5重量%、約1重量%至約4重量%、約1重量%至約3.5重量%、約1.5重量%至約5重量%、約1.5重量%至約4.5重量%、約1.5重量%至約4重量%、約1.5重量%至約3.5重量%、約2重量%至約5重量%、約2重量%至約4.5重量%、約2重量%至約4重量%、約2重量%至約3.5重量%、約2.5重量%至約5重量%、約2.5重量%至約4.5重量%、約2.5重量%至約4重量%或約2.5重量%至約3.5重量%之研磨劑。
研磨劑較佳為膠態穩定的。術語膠體係指研磨粒子於液體載劑中之懸浮液。膠態穩定性係指懸浮液隨時間之維持性。在本發明之上下文中，若當研磨劑置放於100 ml刻度量筒中且使其靜置2小時之時間時，在刻度量筒之底部50 ml中粒子之濃度([B]，按照g/ml)與刻度量筒之頂部50 ml中粒子之濃度([T]，按照g/ml)之間的差值除以研磨劑組合物中粒子之初始濃度([C]，按照g/ml)小於或等於0.5，則研磨劑視為膠態穩定的(亦即，{[B] - [T]}/[C] ≤ 0.5)。更佳地，[B]-[T]/[C]之值小於或等於0.3，且最佳小於或等於0.1。
研磨劑可具有任何適合之平均粒度(亦即，平均粒徑)。研磨粒子之粒度為涵蓋研磨粒子之最小球體之直徑。研磨劑可具有約5 nm或更大，例如約10 nm或更大、約15 nm或更大、約20 nm或更大、約25 nm或更大、約30 nm或更大、約35 nm或更大、約40 nm或更大、約45 nm或更大、約50 nm或更大、約55 nm或更大、約60 nm或更大、約65 nm或更大、約70 nm或更大、約75 nm或更大、約80 nm或更大、約85 nm或更大、約90 nm或更大、約95 nm或更大或約100 nm或更大之平均粒度。替代地，或除此以外，研磨劑可具有約200 nm或更小，例如約190 nm或更小、約180 nm或更小、約170 nm或更小、約160 nm或更小、約150 nm或更小、約140 nm或更小、約130 nm或更小、約120 nm或更小、約110 nm或更小、約100 nm或更小、約95 nm或更小、約90 nm或更小、約85 nm或更小、約80 nm或更小、約75 nm或更小或約70 nm或更小之平均粒度。因此，研磨劑可具有由前述端點中之任何兩者限定之平均粒度。例如，研磨劑可具有約10 nm至約200 nm，例如約10 nm至約190 nm、約10 nm至約180 nm、約15 nm至約170 nm、約20 nm至約160 nm、約20 nm至約150 nm、約20 nm至約140 nm、約20 nm至約130 nm、約20 nm至約120 nm、約20 nm至約110 nm、約100 nm至約200 nm、約100 nm至約190 nm、約100 nm至約180 nm、約100 nm至約170 nm、約100 nm至約160 nm、約100 nm至約150 nm、約10 nm至約100 nm、約25 nm至約80 nm或約30 nm至約70 nm之平均粒度。
拋光組合物包含分散劑，其中分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇。在某些實施例中，分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C7 烷二醇。在某些較佳實施例中，分散劑為直鏈或分支鏈C4 -C7 烷二醇。在某些實施例中，C2 -C10 烷二醇為直鏈C2 -C10 烷二醇(例如，直鏈C2 -C7 烷二醇或直鏈C4 -C7 烷二醇)。如彼等熟習此項技術者將理解，烷二醇包含附接至其之兩個羥基的脂族碳鏈，其中該等羥基通常附接至烷二醇之不同碳原子。如彼等熟習此項技術者將進一步理解，C2 烷二醇無法分支，因為C2 烷二醇中僅存在兩個碳原子，而C3 -C10 烷二醇可為直鏈或分支鏈的，其中分支鏈包含一或多個附接至烷二醇之主鏈的碳原子。烷二醇可含有2、3、4、5、6、7、8、9或10個碳原子。在一實施例中，分散劑係選自1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇及其組合。在一較佳實施例中，分散劑為1,4-丁二醇。
拋光組合物可含有任何適合量之分散劑。例如，拋光組合物可含有約0.5重量%或更多，例如約0.6重量%或更多、約0.7重量%或更多、約0.8重量%或更多、約0.9重量%或更多、約1重量%或更多、約1.1重量%或更多、約1.2重量%或更多、約1.3重量%或更多、約1.4重量%或更多、約1.5重量%或更多、約1.6重量%或更多、約1.7重量%或更多、約1.8重量%或更多、約1.9重量%或更多、約2重量%或更多、約2.1重量%或更多、約2.2重量%或更多、約2.3重量%或更多、約2.4重量%或更多、約2.5重量%或更多、約2.6重量%或更多、約2.7重量%或更多、約2.8重量%或更多、約2.9重量%或更多或約3重量%或更多之分散劑。替代地或另外，拋光組合物可含有約20重量%或更少之分散劑，例如，約19.5重量%或更少、約19重量%或更少、約18.5重量%或更少、約18重量%或更少、約17.5重量%或更少、約17重量%或更少、約16.5重量%或更少、約16重量%或更少、約15.5重量%或更少、約15重量%或更少、約14.5重量%或更少、約14重量%或更少、約13.5重量%或更少、約13重量%或更少、約12.5重量%或更少、約12重量%或更少、約11.5重量%或更少、約11重量%或更少、約10.5重量%或更少或約10重量%或更少之分散劑。因此，拋光組合物可包含由前述端點中之任兩者限定之量的分散劑。例如，拋光組合物可包含約0.5重量%至約20重量%，例如約0.5重量%至約19重量%、約0.5重量%至約18重量%、約0.5重量%至約17重量%、約0.5重量%至約16重量%、約0.5重量%至約15重量%、約0.5重量%至約14重量%、約0.5重量%至約13重量%、約0.5重量%至約12重量%、約0.5重量%至約11重量%、約0.5重量%至約10重量%、約1重量%至約15重量%、約1重量%至約14重量%、約1重量%至約13重量%、約1重量%至約12重量%、約1重量%至約11重量%、約1重量%至約10重量%、約2重量%至約15重量%、約2重量%至約14重量%、約2重量%至約13重量%、約2重量%至約12重量%、約2重量%至約11重量%、約2重量%至約10重量%、約3重量%至約15重量%、約3重量%至約14重量%、約3重量%至約13重量%、約3重量%至約12重量%、約3重量%至約11重量%或約3重量%至約10重量%之分散劑。
拋光組合物包含水。水可為任何適合之水且可為例如去離子水或蒸餾水。在一些實施例中，拋光組合物可進一步包含與水組合之一或多種有機溶劑。例如，拋光組合物可進一步包含羥基溶劑，諸如甲醇或乙醇、酮溶劑、醯胺溶劑、亞碸溶劑及類似物。較佳地，拋光組合物包含純水。
拋光組合物可具有任何適合之pH，例如約1至約7之pH。通常，拋光組合物可具有約2或更大，例如約2.2或更大、約2.4或更大、約2.6或更大、約2.8或更大或約3或更大之pH。替代地或另外，拋光組合物可具有約6或更小，例如約5或更小、約4.5或更小、約4或更小、約3.5或更小或約3或更小之pH。因此，拋光組合物可具有藉由前述端點中之任兩者定界之pH。例如，拋光組合物可具有約2至約6，例如約2至約5、約2至約4、約2.5至約5、約2.5至約4.5、約2.5至約4或約2至約4.5之pH。
拋光組合物視情況包含無機酸。適合之無機酸之非限制性實例包括硝酸、硫酸及磷酸。
拋光組合物可進一步包含鹼以調節拋光組合物之pH。適合之鹼之非限制性實例包括氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化銨。
拋光組合物視情況進一步包含氧化劑。氧化劑可為任何適合之氧化劑。在某些實施例中，氧化劑包含鐵離子。鐵離子可由任何適合之鐵離子源提供。在一些實施例中，氧化劑可包含金屬鹽。例如，鐵離子可由包含諸如硝酸根離子(例如，硝酸鐵)、氰離子(例如，鐵氰陰離子)及類似者之無機陰離子之鐵鹽提供。氧化劑亦可包含有機鐵(III)型鐵化合物，諸如但不限於乙酸鹽、乙醯基丙酮酸鹽、檸檬酸鹽、葡糖酸鹽、草酸鹽、鄰苯二甲酸鹽及丁二酸鹽及其混合物。在其他實施例中，氧化劑可為含氧氧化劑。適合之含氧氧化劑之非限制性實例包括過氧化氫、過硫酸鹽、溴酸鹽過硫酸鹽、碘酸鹽過硫酸鹽、過溴酸鹽過硫酸鹽、過碘酸鹽過硫酸鹽、有機過氧基化合物，諸如過氧乙酸、過硫酸氫鉀及類似物。
拋光組合物可包含任何適合量之氧化劑。例如，拋光組合物可包含約1 ppm或更多，例如約5 ppm或更多、約25 ppm或更多、約50 ppm或更多、約75 ppm或更多或約100 ppm或更多之氧化劑。替代地或另外，拋光組合物可包含約2500 ppm(約2.5重量%)或更少，例如約2000 ppm或更少、約1500 ppm或更少、約1000 ppm或更少、約500 ppm或更少或約250 ppm或更少之氧化劑。除非另外指出，否則術語ppm意謂反映按重量計的百萬分率。例如，1000 ppm將等效於1重量%。
當視情況存在之氧化劑包含過氧化氫時，過氧化氫可以任何適合之量存在於拋光組合物中。例如，拋光組合物可包含約0.1重量%至約10重量%之過氧化氫，例如約0.5重量%至約10重量%或約0.5重量%至約5重量%。
拋光組合物視情況進一步包含胺基酸。胺基酸可為任何適合之胺基酸。適合胺基酸之非限制性實例包括甘胺酸、丙胺酸、離胺酸及精胺酸。拋光組合物可含有任何適合量之胺基酸。例如，拋光組合物可包含約0.1重量%至約5重量%(約100 ppm至約5000 ppm)，例如約0.1重量%至約4重量%、約0.1重量%至約3重量%、約0.1重量%至約2重量%或約0.1重量%至約1重量%之胺基酸。
當拋光組合物包含鐵離子(亦即，Fe(III)離子)時，拋光組合物視情況進一步包含用於鐵離子之穩定劑。鐵離子之穩定劑可為任何適用於鐵離子之穩定劑。用於鐵離子之穩定劑之非限制性實例為丙二酸。拋光組合物可含有任何適合量之用於鐵離子之穩定劑。例如，拋光組合物可包含約0.1重量%至約2重量%，例如約0.1重量%至約1.8重量%、約0.1重量%至約1.6重量%、約0.1重量%至約1.4重量%、約0.1重量%至約1.2重量%或約0.1重量%至約1重量%之用於鐵離子之穩定劑。
可藉由任何適合之技術製備拋光組合物，其中許多技術為彼等熟習此項技術者已知。拋光組合物可以分批製程製備或連續製程製備。一般而言，拋光組合物可藉由以任何次序合併其組分來製備。如本文中所使用之術語「組分」包括個別成分(例如，研磨劑、分散劑、視情況存在之氧化劑、視情況存在之胺基酸等)以及成分(例如，研磨劑、分散劑、視情況存在之氧化劑、視情況存在之胺基酸等)之任何組合。
例如，研磨劑可分散於水中。可隨後添加分散劑，且藉由能夠將組分併入拋光組合物中之任何方法混合。視情況存在之氧化劑及視情況存在之胺基酸可在拋光組合物之製備期間的任何時間添加。拋光組合物可在使用之前製備，其中恰好在使用之前(例如，在使用之前約1分鐘內、或在使用之前約1小時內、或在使用之前約7天內)將一或多種組分(諸如氧化劑，例如過氧化氫)添加至拋光組合物。亦可藉由在拋光操作期間在基板表面處將組分混合來製備拋光組合物。
拋光組合物可作為包含研磨劑、分散劑、視情況存在之氧化劑、視情況存在之胺基酸及水之單一包裝系統供應。替代地，研磨劑在第一容器中可作為水中之分散液供應，分散劑、視情況存在之氧化劑及視情況存在之胺基酸在第二容器中可呈無水形式或作為於水中之溶液或分散液供應。當氧化劑包含過氧化氫時，過氧化氫宜與拋光組合物之其他組分分開供應，且在即將使用前(例如，使用前1週或更短、使用前1天或更短、使用前1小時或更短、使用前10分鐘或更短或使用前1分鐘或更短)例如由終端使用者與拋光組合物之其他組分合併。第一或第二容器中之組分可呈無水形式，而其他容器中之組分可呈水性分散液形式。此外，第一及第二容器中之組分適合於具有不同pH值，或替代地，具有實質上相似或甚至相等的pH值。其他兩個容器，或三個或更多個容器，拋光組合物之組分之合併在一般熟悉此項技術者之知識範圍內。
本發明之拋光組合物亦可作為意欲在使用之前經適量水稀釋之濃縮物提供。在此類實施例中，拋光組合物濃縮物可包含一定量之研磨劑、分散劑、視情況存在之氧化劑、視情況存在之胺基酸及水(含或不含視情況存在之過氧化氫)，該等量使得在用適量水稀釋濃縮物之後及在添加視情況存在之過氧化氫(若其尚未以適量存在)之後，拋光組合物之每一組分將以在上文針對每一組分之所述適當範圍內的量存在於拋光組合物中。例如，研磨劑、分散劑、視情況存在之氧化劑、視情況存在之胺基酸可各自以大於上文針對每一組分所述之濃度約2倍(例如約3倍、約4倍或約5倍)之量存在於濃度中，以使得當濃縮物用等體積之(例如，分別為2個等體積之水、3個等體積之水或4個等體積之水)以及視情況存在之適合量之過氧化氫稀釋時，從而使得每一組分將以在上文針對每一組分所述之範圍內之量存在於拋光組合物中。此外，如彼等一般熟習此項技術者將理解，濃縮物可含有存在於最終拋光組合物中的適當分量之水以確保其他組分至少部分或全部溶解於濃縮物中。
本發明亦提供一種化學機械拋光基板之方法，其包含(i)提供基板，(ii)提供拋光墊，(iii)提供如本文中所描述之化學機械拋光組合物，(iv)使該基板與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸，及(v)相對於該基板移動該拋光墊及該化學機械拋光組合物以研磨該基板表面之至少一部分以拋光該基板。
更具體言之，本發明亦提供一種化學機械拋光基板之方法，其包含(i)提供基板；(ii)提供拋光墊，(iii)提供化學機械拋光組合物，其包含：(a)約0.05重量%至約10重量%之研磨劑；(b)分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及(c)水，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH；(iv)使該基板與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；及(v)相對於該基板移動該拋光墊及該化學機械拋光組合物以研磨該基板表面之至少一部分以拋光該基板。
待使用本發明之方法拋光之基板可為任何適合之基板，尤其包含至少一個金屬層之基板。金屬可為任何適合之金屬，例如，金屬可包含以下、基本上由以下組成或由以下組成：選自鎢、鋁、鎳-磷、銅、釕、鈷及其組合之金屬。在一較佳實施例中，金屬為鎢。較佳基板在基板表面上包含至少一個層，尤其用於拋光之暴露層，其包含金屬、基本上由金屬組成或由金屬組成，從而使得基板表面上之金屬之至少一部分經研磨(亦即，經移除)以拋光基板。在一些實施例中，基板包含至少一個金屬層及至少一個氧化矽層。在一些較佳實施例中，基板包含至少一個鎢層及至少一個氧化矽層。本發明拋光組合物及方法適合用於所謂鑲嵌拋光法(damascene polishing method)中，其用於藉由蝕刻氧化矽表面以形成電路線，隨後用鎢層外塗佈基板以填充電路線來在適合基板(例如，氧化矽)上形成電路線。至少藉由化學機械拋光鎢之外塗層以暴露氧化矽基板表面且因此在基板上產生分離之鎢線來形成在氧化矽基板上包含分離之鎢電路線的基板。在一些實施例中，由此形成之基板可進行一或多個後續拋光及/或清潔步驟以產生成品基板。
因此，在一較佳實施例中，基板在基板表面上包含鎢層，其中鎢層之至少一部分經研磨以拋光基板。在另一較佳實施例中，基板在基板表面上包含矽氧層，其中氧化矽層之至少一部分經研磨以拋光基板。在另一較佳實施例中，基板在基板表面上包含矽氮層，其中氮化矽層之至少一部分經研磨以拋光基板。該基板可在基板表面上包含鎢層、矽氧層及氮化矽層之一或多者，其中鎢層、矽氧層及氮化矽層之一或多者之至少一部分經研磨以拋光基板。
本發明拋光組合物合乎需要地隨時間推移展現平均粒度之增長降低。平均粒度之增長被認為係由研磨粒子聚集而增加具有相對較大粒度之粒子群造成。認為具有相對較大粒度之粒子促成經拋光之基板中之微痕的產生增加，該等微痕可導致基板缺陷度增加。本發明拋光組合物在用於拋光基板，尤其包含鎢及氧化矽之基板時，進一步合乎需要地展現令人滿意之移除率，同時在基板表面品質，詳言之，在經拋光之基板中減少微痕之出現方面提供增強之拋光效能。
本發明之拋光方法尤其適合於與化學機械拋光(CMP)裝置結合使用。該裝置通常包含：壓板，其在使用時處於運動中且具有由軌道、線性或圓周運動產生之速度；拋光墊，其與壓板接觸且在運動時隨壓板移動；及載體，其固持待藉由接觸且相對於拋光墊之表面移動而經拋光之基板。基板之拋光係藉由使基板與拋光墊及本發明之拋光組合物接觸且接著使拋光墊相對於基板移動來進行，以便研磨基板之至少一部分以拋光基板。
可用化學機械拋光組合物以及任何適合之拋光墊(例如，拋光表面)來平坦化或拋光基板。適合之拋光墊包括例如，編織及非編織拋光墊。此外，適合之拋光墊可包含具有不同密度、硬度、厚度、可壓縮性、在壓縮後反彈之能力及壓縮模數之任何適合之聚合物。適合之聚合物包括例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、耐綸、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚醯胺、聚胺酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成之產物及其混合物。
合乎需要地，CMP裝置進一步包含就地拋光終點偵測系統，其中許多為此項技術中已知的。用於藉由分析自工件之表面反射的光或其他輻射來檢測及監測拋光過程之技術為此項技術中已知的。此類方法描述於例如美國專利第5,196,353號、美國專利第5,433,651號、美國專利第5,609,511號、美國專利第5,643,046號、美國專利第5,658,183號、美國專利第5,730,642號、美國專利第5,838,447號、美國專利第5,872,633號、美國專利第5,893,796號、美國專利第5,949,927及美國專利第5,964,643號中。合乎需要地，檢測或監測關於正經拋光之工件之拋光過程的進展使得能夠確定拋光終點，亦即，確定何時終止關於特定工件之拋光過程。
合乎需要地，本發明拋光組合物在用其拋光之基板上展現減少之微痕。本發明拋光組合物亦合乎需要地展現增強之儲存穩定性。
本發明藉由以下實施例表徵。 實施例
(1)    在實施例(1)中呈現一種化學機械拋光組合物，其包含： (a)    約0.05重量%至約10重量%之研磨劑； (b)    分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及 (c)    水， 其中該化學機械拋光組合物具有約1至約7之pH。
(2)    在實施例(2)中呈現實施例(1)之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約1重量%至約5重量%之該研磨劑。
(3)    在實施例(3)中呈現實施例(1)或實施例(2)之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約2.5重量%至約3.5重量%之研磨劑。
(4)    在實施例(4)中呈現實施例(1)-(3)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該研磨劑係選自經處理之氧化鋁、膠態二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、經表面改質之二氧化矽及其組合。
(5)    在實施例(5)中呈現實施例(1)-(4)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該研磨劑為膠態二氧化矽。
(6)    在實施例(6)中呈現實施例(5)之化學機械拋光組合物，其中該膠態二氧化矽具有約10 nm至約100 nm之平均粒度。
(7)    在實施例(7)中呈現實施例(6)之化學機械拋光組合物，其中該膠態二氧化矽具有約30 nm至約70 nm之平均粒度。
(8)    在實施例(8)中呈現實施例(1)-(7)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約0.5重量%至約20重量%之該分散劑。
(9)    在實施例(9)中呈現實施例(1)-(8)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約1重量%至約15重量%之該分散劑。
(10)在實施例(10)中呈現實施例(1)-(9)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約3重量%至約10重量%之該分散劑。
(11)在實施例(11)中呈現實施例(1)-(10)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約5之pH。
(12)在實施例(12)中呈現實施例(1)-(11)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約4之pH。
(13)在實施例(13)中呈現實施例(1)-(12)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C7 烷二醇。
(14)在實施例(14)中呈現實施例(1)-(13)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C4 -C7 烷二醇。
(15)在實施例(15)中呈現實施例(1)-(14)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇或其組合。
(16)在實施例(16)中呈現實施例(1)-(15)中任一者之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為1,4-丁二醇。
(17)在實施例(17)中呈現實施例(1)之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為直鏈C2 -C10 烷二醇。
(18)在實施例(18)中呈現一種化學機械拋光基板之方法，其包含： (i)    提供基板； (ii)   提供拋光墊； (iii)  提供化學機械拋光組合物，其包含： (a)    約0.05重量%至約10重量%之研磨劑； (b)    分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及 (c)    水， 其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH； (iv)   使該基板與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；及 (v)    相對於該基板移動該拋光墊及該化學機械拋光組合物以研磨該基板表面之至少一部分以拋光該基板。
(19)在實施例(19)中呈現實施例(18)之方法，其中該組合物包含約1重量%至約5重量%之該研磨劑。
(20)在實施例(20)中呈現實施例(18)或實施例(19)之方法，其中該組合物包含約2.5重量%至約3.5重量%之研磨劑。
(21)在實施例(21)中呈現實施例(18)-(20)中任一者之方法，其中該研磨劑係選自經處理之氧化鋁、膠態二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、經表面改質之二氧化矽及其組合。
(22)在實施例(22)中呈現實施例(18)-(21)中任一者之方法，其中該研磨劑為膠態二氧化矽。
(23)在實施例(23)中呈現實施例(22)之方法，其中該膠態二氧化矽具有約10 nm至約100 nm之平均粒度。
(24)在實施例(24)中呈現實施例(23)之方法，其中該膠態二氧化矽具有約30 nm至約70 nm之平均粒度。
(25)在實施例(25)中呈現實施例(18)-(24)中任一者之方法，其中該組合物包含約0.5重量%至約20重量%之該分散劑。
(26)在實施例(26)中呈現實施例(18)-(25)中任一者之方法，其中該組合物包含約1重量%至約15重量%之該分散劑。
(27)在實施例(27)中呈現實施例(18)-(26)中任一者之方法，其中該組合物包含約3重量%至約10重量%之該分散劑。
(28)在實施例(28)中呈現實施例(18)-(27)中任一者之方法，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約5之pH。
(29)在實施例(29)中呈現實施例(18)-(28)中任一者之方法，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約4之pH。
(30)在實施例(30)中呈現實施例(18)-(29)中任一者之方法，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C7 烷二醇。
(31)在實施例(31)中呈現實施例(18)-(30)中任一者之方法，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C4 -C7 烷二醇。
(32)在實施例(32)中呈現實施例(18)-(31)中任一者之方法，其中該分散劑為1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇或其組合。
(33)在實施例(33)中呈現實施例(18)-(32)中任一者之方法，其中該分散劑為1,4-丁二醇。
(34)在實施例(34)中呈現實施例(18)之方法，其中該分散劑為直鏈C2 -C10 烷二醇。
(35)在實施例(35)中呈現實施例(18)-(34)中任一者之方法，其中該基板在該基板之表面上包含鎢層，且其中該鎢層之至少一部分經研磨以拋光該基板。
(36)在實施例(36)中呈現實施例(18)-(35)中任一者之方法，其中該基板在該基板之表面上進一步包含矽氧層，且其中該矽氧層之至少一部分經研磨以拋光該基板。
(37)在實施例(37)中呈現實施例(18)-(36)中任一者之方法，其中該基板在該基板之表面上進一步包含矽氮層，且其中該矽氮層之至少一部分經研磨以拋光該基板。
以下實例進一步說明本發明，但當然不應解釋為以任何方式限制其範疇。 實例1
此實例展現根據本發明之一實施例之包含膠態二氧化矽及分散劑之拋光組合物之穩定性。
拋光組合物1A-1G如表1中所闡述包含3重量%膠態二氧化矽(Akzo Nobel CJ2-2)、1335 ppm丙二酸、500 ppm甘胺酸、618 ppm 10%硝酸鐵溶液、2.5重量%過氧化氫、Kathlon™及不同量之1,4-丁二醇(亦即，分散劑)，pH為3、4或5。在製備拋光組合物之後不久且在45℃下儲存拋光組合物1、2及3週後，使用可購自Malvern Panalytical (Malvern, UK)之粒度儀測定平均粒度。結果以圖形方式展示於圖1中。 表1：拋光組合物1A-1G之分散劑之量及pH
拋光組合物 分散劑(重量%) pH 初始平均粒度(nm)
1A (比較實例) 0 3 80
1B (比較實例) 0 4 80
1C (比較實例) 0 5 80
1D (本發明實例) 2 3 120
1E (本發明實例) 2 5 120
1F (本發明實例) 10 3 120
1G (本發明實例) 10 5 120
如圖1中展示之結果顯而易見，含有膠態二氧化矽且不含有分散劑，且具有大約80 nm之初始平均粒度的拋光組合物1A-1C中所存在之粒子在45℃下儲存拋光組合物3週之後展現平均粒度增加至大約120 nm(拋光組合物1A)、大約160 nm(拋光組合物1B)及大約200 nm(拋光組合物1C)。此等粒度增加發生在pH 3(拋光組合物1A)、pH 4(拋光組合物1B)及pH 5(拋光組合物1C)中之每一者下。
含有10重量%之分散劑且具有大約120 nm之初始平均粒度、pH值為3及5的拋光組合物1F及1G在45℃下儲存3週之後分別展現平均粒度增加至大約130 nm(拋光組合物1F)及大約150 nm(拋光組合物1G)。在pH為3之含有膠態二氧化矽及10重量%之分散劑的拋光組合物1F中觀測到在45℃下儲存3週之後平均粒度之最小增加(大約8%)。如由此等結果所表明，分散劑之存在顯著抑制聚集且因此防止平均粒度增加。例如，pH為3且無分散劑之拋光組合物1A展現大約50%之粒度增加，而pH為3且10重量%之分散劑之拋光組合物1F展現大約8%之粒度增加。 實例2
此實例表明根據本發明之一實施例之包含經含磺酸聚合物表面處理之氧化鋁及分散劑之拋光組合物的穩定性。
拋光組合物2A-2G如表2中所闡述包含250 ppm經含磺酸聚合物表面處理之氧化鋁、1080 ppm丙二酸、1000 ppm離胺酸、1000 ppm精胺酸、500 ppm之硝酸鐵、0.5重量%過氧化氫、Kathlon™及不同量之1,4-丁二醇(亦即，分散劑)，pH值為2或4。在製備拋光組合物之後不久及在45℃下儲存1、2及3週之後，使用可購自Malvern Panalytical (Malvern, UK)之粒度儀測定平均粒度。結果以圖形方式展示於圖2中。 表2：拋光組合物2A-2G之分散劑之量及pH
拋光組合物 分散劑(重量%) pH
2A (比較實例) 0 2
2B (比較實例) 0 4
2C (本發明實例) 0.5 2
2D (本發明實例) 2 2
2E (本發明實例) 2 4
2F (本發明實例) 10 2
2G (本發明實例) 10 4
如圖2中展示之結果顯而易見，含有經含磺酸聚合物表面處理且無分散劑，且具有大約150 nm之初始平均粒度之拋光組合物2A及2B中所存在之粒子在45℃下儲存3週之後展現平均粒度增加至大約950 nm(拋光組合物2A)及大約800 nm(拋光組合物2B)。此等粒度增加發生在pH 2(拋光組合物2A)及pH 4(拋光組合物2B)中之每一者下。拋光組合物2A及2B之平均粒度之增加分別為大約630%及530%。
含有0.5-10重量%之分散劑、pH值為2或4的拋光組合物2C-2G在45℃下儲存3週之後展現實質上無粒度增加。如由此等結果所表明，在包含經含磺酸聚合物表面處理之氧化鋁之拋光組合物中分散劑之存在實質上完全抑制聚集且因此防止平均粒度增加。 實例3
此實例表明由根據本發明之一實施例的包含研磨劑及分散劑之拋光組合物提供的鎢及氧化矽之移除率。
拋光組合物3A-3E包含3重量%膠態二氧化矽(平均粒度為75 nm)、1500 ppm之10重量%硝酸鐵溶液、3240 ppm丙二酸、2000 ppm離胺酸、15 ppm Kathlon™、pH值為4.0。拋光組合物3A(比較實例)不含分散劑。拋光組合物3B-3E(本發明實例)分別進一步含有1重量%、3重量%、7重量%及9重量%之1,4-丁二醇(亦即，分散劑)。用5種拋光組合物(拋光組合物3A-3E)拋光包含鎢或氧化矽之覆蓋層的單獨基板。拋光之後，測定鎢及氧化矽之移除率，且結果闡述於表3中。 表3：隨分散劑變化之鎢(W)及氧化矽(SiO)移除率
拋光組合物 分散劑(重量%) W移除率(Å) SiO移除率(Å)
3A (比較實例) 0 184 394
3B (本發明實例) 1 175 367
3C (本發明實例) 3 182 343
3D (本發明實例) 7 167 318
3E (本發明實例) 9 162 310
如表3中所闡述之結果顯而易見，將1,4-丁二醇分散劑之量自拋光組合物3A中之0重量%增加至拋光組合物3E中之9重量%提供適用的同時略降低的鎢及氧化矽之移除率，而如在實例1中所表明，分散劑之存在顯著抑制粒度生長。
本文中所引用之所有參考文獻(包括公開案、專利申請案及專利)均特此以引用之方式併入本文中，該引用程度如同各參考文獻個別地且特定地指示以引用之方式併入且全文闡述於本文中。
除非本文中另外指示或明顯與上下文相矛盾，否則在描述本發明之上下文中(尤其在以下申請專利範圍之上下文中)使用術語「一(a/an)」、「該」、「至少一個」及類似指示物應解釋為涵蓋單數及複數兩者。除非本文中另外指示或明顯與上下文矛盾，否則應將後接一或多個條項之清單之術語「至少一個」(例如「A及B中之至少一者」)的使用理解為意謂選自所列條項之一個條項(A或B)或所列條項中之兩者或更多者之任何組合(A及B)。除非另外指出，否則術語「包含」、「具有」、「包括」、「含有」應理解為開放式術語(亦即，意謂「包括(但不限於)」)。除非另外指示，否則本文中值範圍之列舉僅意欲充當單獨提及屬於該範圍內之各獨立值的簡寫方法，且各獨立值併入至本說明書中，如同在本文中單獨列舉一般。除非本文中另外指示或另外明顯地與上下文相矛盾，否則本文所描述之所有方法均可以任何適合次序進行。除非另外主張，否則本文中所提供之任何及所有實例或例示性語言(例如，「諸如」)之使用僅意欲更好地闡明本發明且不對本發明之範疇造成限制。本說明書中之語言不應理解為指示實踐本發明所必需之任何未主張要素。
本發明之較佳實施例描述於本文中，包括本發明人已知用於實施本發明之最佳模式。在閱讀前述描述之後，彼等較佳實施例之變化對於彼等一般熟悉此項技術者可變得顯而易見。本發明人期望熟習此項技術者適當時採用此類變化，且本發明人意欲以不同於本文中特定描述之其他方式來實施本發明。因此，若適用法律允許，則本發明包括在隨附於本文之申請專利範圍中所敍述之主題之所有修改及等效物。此外，除非本文中另外指示或另外與上下文明顯矛盾，否則本發明涵蓋上述要素在其所有可能變化中之任何組合。
圖1展示在45℃下儲存0、1、2及3週，在pH值為3、4或5時包含膠態二氧化矽及0重量%、2重量%或10重量%之1,4-丁二醇之拋光組合物的平均粒度。
圖2展示在45℃下儲存0、1、2、3、4及5週，在pH值為2或4時包含經含磺酸聚合物表面處理之氧化鋁及0重量%、0.5重量%、2重量%或10重量%之1,4-丁二醇之拋光組合物的平均粒度。

Claims (22)

  1. 一種化學機械拋光組合物，其包含： (a)    約0.05重量%至約10重量%之研磨劑； (b)    分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及 (c)    水， 其中該化學機械拋光組合物具有約1至約7之pH。
  2. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約2重量%至約5重量%之該研磨劑。
  3. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該研磨劑係選自經處理之氧化鋁、膠態二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、經表面改質之二氧化矽及其組合。
  4. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該研磨劑為膠態二氧化矽。
  5. 如請求項4之化學機械拋光組合物，其中該膠態二氧化矽具有約10 nm至約100 nm之平均粒度。
  6. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該組合物包含約0.5重量%至約20重量%之該分散劑。
  7. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約5之pH。
  8. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C7 烷二醇。
  9. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該分散劑係選自1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇及其組合。
  10. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為1,4-丁二醇。
  11. 如請求項1之化學機械拋光組合物，其中該分散劑為直鏈C2 -C10 烷二醇。
  12. 一種化學機械拋光基板之方法，其包含： (i)    提供基板； (ii)   提供拋光墊； (iii)  提供化學機械拋光組合物，其包含： (a)   約0.05重量%至約10重量%之研磨劑； (b)   分散劑，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C10 烷二醇；及 (c)   水， 其中該化學機械拋光組合物具有約2至約6之pH； (iv)   使該基板與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；及 (v)    相對於該基板移動該拋光墊及該化學機械拋光組合物以研磨該基板表面之至少一部分以拋光該基板。
  13. 如請求項12之方法，其中該組合物包含約1重量%至約5重量%之該研磨劑。
  14. 如請求項12之方法，其中該研磨劑係選自經處理之氧化鋁、膠態二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、經表面改質之二氧化矽及其組合。
  15. 如請求項12之方法，其中該研磨劑為膠態二氧化矽。
  16. 如請求項15之方法，其中該膠態二氧化矽具有約10 nm至約100 nm之平均粒度。
  17. 如請求項12之方法，其中該組合物包含約0.5重量%至約20重量%之該分散劑。
  18. 如請求項12之方法，其中該化學機械拋光組合物具有約2至約5之pH。
  19. 如請求項12之方法，其中該分散劑為直鏈或分支鏈C2 -C7 烷二醇。
  20. 如請求項12之方法，其中該分散劑係選自1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇及其組合。
  21. 如請求項12之方法，其中該分散劑為1,4-丁二醇。
  22. 如請求項12之方法，其中該基板在該基板之表面上包含鎢層，且其中該鎢層之至少一部分經研磨以拋光該基板。
TW109109615A 2019-03-25 2020-03-23 增進化學機械拋光（ｃｍｐ）漿料中粒子分散之添加劑 TW202041627A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962823258P 2019-03-25 2019-03-25
US62/823,258 2019-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202041627A true TW202041627A (zh) 2020-11-16

Family

ID=72606682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109109615A TW202041627A (zh) 2019-03-25 2020-03-23 增進化學機械拋光（ｃｍｐ）漿料中粒子分散之添加劑

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200308451A1 (zh)
EP (1) EP3947580A4 (zh)
JP (1) JP2022527089A (zh)
KR (1) KR20210132204A (zh)
CN (1) CN113661219A (zh)
TW (1) TW202041627A (zh)
WO (1) WO2020198102A1 (zh)

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3619459A (en) * 1968-06-11 1971-11-09 Dow Chemical Co Process for potting plasticized acetylated cellulose hollow fiber membranes
JP2000160138A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物
US6376584B1 (en) * 1999-02-25 2002-04-23 Ciba Specialty Chemicals Corporation Hydroxy-substituted N-alkoxy hindered amines and compositions stabilized therewith
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
KR20040094758A (ko) * 2002-03-04 2004-11-10 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 이를 사용한 배선구조의 형성방법
US20040002559A1 (en) * 2002-04-10 2004-01-01 Malisa Troutman Flame retardant coatings
JP4850694B2 (ja) * 2003-02-26 2012-01-11 チバ ホールディング インコーポレーテッド 水融和性立体阻害されたヒドロキシ置換アルコキシアミン類
US20080171441A1 (en) * 2005-06-28 2008-07-17 Asahi Glass Co., Ltd. Polishing compound and method for producing semiconductor integrated circuit device
WO2007128672A1 (en) * 2006-05-03 2007-11-15 Ciba Holding Inc. Substituted hexahydro-1,4-diazepin-5-ones and compositions stabilized therewith
KR20100015627A (ko) * 2007-04-17 2010-02-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 연마제 조성물 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
US8697576B2 (en) * 2009-09-16 2014-04-15 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing polysilicon
JP2013165088A (ja) * 2010-06-03 2013-08-22 Asahi Glass Co Ltd 研磨剤および研磨方法
US20120029222A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Surface-modified particles for polyester nanocomposites
JP6054149B2 (ja) * 2012-11-15 2016-12-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9279067B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
JP2016124943A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
KR102522528B1 (ko) * 2016-09-21 2023-04-17 가부시끼가이샤 레조낙 슬러리 및 연마 방법
US11359220B2 (en) * 2016-10-14 2022-06-14 Nissan Chemical Industries, Ltd. Saccharification reaction mixture, saccharification enzyme composition, sugar production method, and ethanol production method
CA3048856C (en) * 2016-12-28 2021-06-15 Nikon-Essilor Co., Ltd. Hard coat layer-forming composition and eyeglass lens

Also Published As

Publication number Publication date
EP3947580A1 (en) 2022-02-09
JP2022527089A (ja) 2022-05-30
KR20210132204A (ko) 2021-11-03
US20200308451A1 (en) 2020-10-01
WO2020198102A1 (en) 2020-10-01
CN113661219A (zh) 2021-11-16
EP3947580A4 (en) 2022-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6392913B2 (ja) 研磨組成物およびアミノシランを用いて処理された研削剤粒子の使用方法
TWI547553B (zh) 膠態氧化矽化學機械拋光濃縮物
JP6762390B2 (ja) 研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法
EP3055376B1 (en) Mixed abrasive polishing compositions
JP5385141B2 (ja) 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法
TWI414573B (zh) 半導體材料之ｃｍｐ之組合物及方法
EP3120380B1 (en) Composition for tungsten buffing
JP5596344B2 (ja) コロイダルシリカを利用した酸化ケイ素研磨方法
JP6140384B1 (ja) 研磨用組成物
WO2009085164A2 (en) Halide anions for metal removal rate control
TWI708822B (zh) 用於鎢拋光應用之表面處理研磨顆粒
TWI566884B (zh) 硏磨用組成物、及使用該硏磨用組成物之化合物半導體基板之製造方法
CN112480824B (zh) 研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法
CN110168034A (zh) 用于抛光硅的碳化物的组合物及方法
TW202041627A (zh) 增進化學機械拋光（ｃｍｐ）漿料中粒子分散之添加劑
TW202235557A (zh) 用於拋光硼摻雜之多晶矽之組合物及方法
TW202214795A (zh) 包含陰離子性及陽離子性抑制劑之cmp組合物
TW202115223A (zh) 用於多晶矽化學機械拋光(cmp)之組合物及方法
KR20230019249A (ko) 연마액 및 연마 방법