TW202037933A - 用於形成格柵的方法 - Google Patents

用於形成格柵的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202037933A
TW202037933A TW108146180A TW108146180A TW202037933A TW 202037933 A TW202037933 A TW 202037933A TW 108146180 A TW108146180 A TW 108146180A TW 108146180 A TW108146180 A TW 108146180A TW 202037933 A TW202037933 A TW 202037933A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ion beam
contour line
substrate
grids
angle
Prior art date
Application number
TW108146180A
Other languages
English (en)
Inventor
約瑟夫Ｃ 奧爾森
路迪維奇 高德
拉特格 梅耶帝莫曼泰森
摩根 伊恩
晉欣 傅
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202037933A publication Critical patent/TW202037933A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2065—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam using corpuscular radiation other than electron beams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0074—Production of other optical elements not provided for in B29D11/00009- B29D11/0073
    • B29D11/00769—Producing diffraction gratings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/017—Head mounted
    • G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B30/00—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2032—Simultaneous exposure of the front side and the backside
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0015—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0016—Grooves, prisms, gratings, scattering particles or rough surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0065—Manufacturing aspects; Material aspects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本揭示案的實施例概略關於形成格柵的方法。該方法包括在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域以形成第一複數個格柵，及投射一第二離子束至第二元件區域以形成第二複數個格柵。利用圖案化抗阻層允許在大區域之上投射離子束，此往往比將離子束聚焦在特定區域中容易。

Description

用於形成格柵的方法
本揭示案之實施例概略有關一種方法，且更特定地有關一種形成格柵的方法。
虛擬實境一般被認為是電腦生成的模擬環境，使用者在其中具有明顯的實體存在感。虛擬實境的體驗可能被生成在3D中且藉頭戴式顯示器（HMD）觀看，HMD例如眼鏡或其他可穿戴顯示元件，其具有近眼顯示平面作為鏡片以顯示替代真實環境的虛擬實境環境。
然而，擴增實境致能了一種體驗，使用者在其中仍能看穿眼鏡或其他HMD元件的顯示鏡片以觀看周遭環境，卻也看見經生成以供顯示並出現作為環境之局部的虛擬物體的影像。擴增實境能包括任何類型的輸入，如聲訊及觸覺輸入，還有增強或擴增使用者所體驗之環境的虛擬影像、圖形、及視訊。
虛擬影像被疊加在周圍環境上以向使用者提供擴增實境的體驗。波導被用來輔助疊加影像。生成的光透過波導傳播，直到光離開波導並被疊加在周圍環境上為止。光學元件通常需要具有不同物理屬性的多個波導在相同基板上，以導引具不同波長的光。
本領域中的一缺點是在同一基板上製造波導是耗時的程序。光蝕刻法中需要不同的遮罩步驟及方法以供製造具不同材料屬性的波導。此外，一些光蝕刻方法不具有在不同波導中製造空隙及輪廓線各異的格柵的能力。
因此，需要一種製造程序來允許形成具不同格柵輪廓線的格柵區域。
本揭示案之實施例概略有關形成格柵的方法。抗阻（resist）層經設置在格柵材料之上並經圖案化，以實現具有所欲格柵輪廓線之格柵的更精確的成形。
在一實施例中，提供一種形成格柵的方法。該方法包括在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成一第一複數個格柵，及投射一第二離子束至第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成一第二複數個格柵。該抗阻材料具有第一及第二元件區域。第一離子束與該基板的一表面成一第一角度且具有一第一離子束輪廓線。第二離子束與該基板的該表面成一第二角度且具有一第二離子束輪廓線。第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
另一實施例中，提供一種形成格柵的方法。該方法包括在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成第一複數個格柵，及投射一第二離子束至第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成第二複數個格柵。該抗阻材料具有第一及第二元件區域。第一離子束與該基板的一表面成一第一角度且具有一第一離子束輪廓線。第二離子束與該基板的該表面成一第二角度且具有一第二離子束輪廓線。圖案化的步驟包含抵著該抗阻材料按壓一遮罩。第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
在又另一實施例中，提供一種形成格柵的方法。該方法包括在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成第一複數個格柵，及投射一第二離子束至第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成第二複數個格柵。該抗阻材料具有第一及第二元件區域。第一離子束與該基板的一表面成一第一角度且具有一第一離子束輪廓線。第二離子束與該基板的該表面成一第二角度且具有一第二離子束輪廓線。該抗阻層具有一第一圖案及一第二圖案。第一圖案包含一第一複數個圖案特徵，該第一複數個圖案特徵與第一圖案的一表面成該第一角度。第二圖案包含一第二複數個圖案特徵，該第二複數個圖案特徵與該第一圖案的該表面成該第二角度。第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
本揭示案之實施例概略有關形成格柵的方法。該方法包括在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域以形成第一複數個格柵，及投射一第二離子束至第二元件區域以形成第二複數個格柵。利用圖案化抗阻層允許在大區域之上投射離子束，此往往比將離子束聚焦在特定區域中容易。圖案化抗阻的元件角度促進針對離子束之角度的離子蝕刻，該些離子束角度類似於圖案化抗阻層的元件的角度。其他區域較少經圖案化，因為離子束的角度不匹配經圖案化之抗阻層的元件的角度。本揭示案的元件可有助於（但不限於）在基板之特定部分處形成具有所欲輪廓線的格柵。
如本文中所用，用語「大約」指的是離標稱值的+/-10%變動範圍。將理解此種變動能被包括在本文中提供任意值中。
第1A圖是按照一實施例用於形成格柵（或鰭片(fin)）之方法100操作的流程圖。儘管方法100之操作是結合第1A～1D圖說明的，本領域之技藝人士將理解經配置以進行該些方法操作（以任何順序）的任何系統均落在本文所說明實施例的範疇內。
方法100開始於操作190，其中一第一離子束經投射至一基板的一第一部分上。第一離子束是由一離子源產生的。該基板經配置以被使用在光學元件中。該基板能為玻璃、塑膠、聚碳酸酯材料、或本領域中使用的任何基板。例如，該基板包括半導材料，例如矽（Si）、鍺（Ge）、矽鍺（SiGe）、及/或III-V半導體（如砷化鎵(GaAs)）。另一例中，基板101包括透明材料（例如玻璃、塑膠、及/或聚碳酸酯）。基板上能具有任何個數的絕緣層、半導層、或金屬層。
第1B圖圖示按照一實施例入射在一基板101上的一離子束116。該離子束具有一第一波束區域，其對應於經設置在基板101之上的一第一元件區域102。第一元件區域102對應於複數個第一元件104中的各個第一元件，該複數個第一元件104將被形成在設置於基板101上的格柵材料103中。第一離子束經投射至第一元件區域102，該離子束具有一離子束輪廓線。
該離子束輪廓線能具有一截面圖案，圖案的不同部分中具有不同的離子束強度及/或離子束濃度。當具有一特定圖案的離子束被投射至一材料（例如格柵材料103）上時，該材料的不同部分以不同深度被蝕刻，依照投射到該材料之該部分上的離子束截面圖案的強度而定。例如，藉高離子束強度投射到該材料之第一部分上的一第一部分圖案，造成該第一部分的深蝕刻。藉低離子束強度投射到該材料之第二部分上的一第二部分圖案，造成該第二部分的較淺蝕刻。因此，藉由對應的離子束輪廓線能在材料中形成所欲的蝕刻輪廓線。
格柵材料103能包括碳氧化矽（SiOC）、氧化鈦（TiOx ）、TiOx 奈米材料、氧化鈮（NbOx ）、鈮鍺（Nb3 Ge）、二氧化矽（SiO2 ）、氧碳氮化矽（SiOCN）、氧化釩(IV)（VOx ）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化銦錫[InTiO]（ITO）、氧化鋅（ZnO）、五氧化鉭（Ta2 O5 ）、 氮化矽（Si3 N4 ）、富有矽的Six Ny 、摻雜氫的Si3 N4 、摻雜硼的Si3 N4 、硝酸矽碳（SiCN）、氮化鈦（TiN）、二氧化鋯（ZrO2）、鍺（Ge）、磷化鎵（GaP）、多晶質（PCD）、奈米晶金剛石（NCD）、含摻雜金剛石的材料、或以上的任意組合。
第1C圖圖示按照一實施例離子束116的離子束輪廓線106。如圖示，離子束輪廓線106的強度隨離子束116之截面內的位置變化。因此，由該離子束產生的格柵的深度是可變的。儘管第1C圖中圖示的離子束輪廓線是直線的，可設想到離子束輪廓線的其他變化。在一些實施例中，離子束輪廓線106是均勻的，即跨於整個離子束輪廓線106的強度是均勻的。在一些實施例中，離子束輪廓線106不是均勻的，即跨於整個離子束輪廓線106的強度不是均勻的。離子束輪廓線也可能是二維（2D）圖案。
在一實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，第一離子束的離子束輪廓線106是藉由一板來過濾第一離子束之離子所提供，該板具有複數個濾波器。第1D圖圖示按照一實施例具有複數個濾波器110的一板108。板108經配置以介接於及耦合至離子源，以調節穿過板108的離子束的強度或分佈。複數個濾波器110包括具有相同或不同直徑114的部分112。複數個濾波器110能包括孔洞（或開口），其允許具所欲強度及/或密度的離子通過其中。板108是從具有足夠厚度的一材料製成，該材料對離子束轟擊具有抵抗力或惰性且防止離子從中穿過。複數個濾波器110通過板108延伸以形成離子束所通過的開口。複數個濾波器110經描繪成大致圓形的，在第一複數個濾波器之相鄰濾波器之間有趨近平均的分佈。然而，能運用任意個數、形狀、方位、間隔、或排列方式的複數個濾波器110來調節穿過其中的離子束的強度或分佈，以產生所欲的離子束輪廓線。
另一實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，藉由改變第一離子束的電漿輪廓線來提供離子束輪廓線106。第一元件區域102經曝露至第一離子束達第一時間段以形成第一元件104的第一複數個格柵。基板101經重複地移動（即，步進），使得各第一元件區域102被曝露至具有離子束輪廓線106的第一離子束116。
於操作192，第二離子束被投射至一基板的第二部分上。參看第1B圖，按照一實施例該第二部分包括該基板的一第二元件區域120。第二離子束具有對應於第二元件區域120的一第二波束區域。第二元件區域120對應於將形成在格柵材料103中的複數個第二元件122中的各第二元件。第二離子束經投射至第二元件區域120，具有如本文中所述的離子束輪廓線106。第二離子束的離子束輪廓線可能與第一離子束的離子束輪廓線相異或相同。第二元件區域120經曝露至第二離子束達一第二時間段以形成第二元件122的第二複數個格柵。第一時間段可與第二時間段部分重疊，而因此按照一實施例一部分的操作190可與操作192重疊。基板101經重複地移動（即，步進），使得各第二元件區域120被曝露至具有該離子束輪廓線的第二離子束。
於操作194，第三離子束被投射至一基板的第三部分上。按照一實施例，該第三部分包括基板101的第三元件區域124。該第三離子束具有對應於第三元件區域124的第三波束區域。第三元件區域124對應於將形成在格柵材料103中的複數個第三元件126中的各第三元件。第三離子束經投射至第三元件區域124，該離子束具有如本文中所述的離子束輪廓線106。第三離子束的離子束輪廓線可能與第一及/或離子束的離子束輪廓線相異或相同。第三元件區域124經曝露至第三離子束達一第三時間段以形成第二元件122的第三複數個格柵。基板101經重複地移動（即，步進），使得各第三元件區域124被曝露至具有該離子束輪廓線的第三離子束。在一些實施例中，第一離子束輪廓線、第二離子束輪廓線、及第三離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
第一時間段可部分重疊於第三時間段，而因此按照一實施例至少一部分的操作190可與操作194重疊。第二時間段可與第三時間段部分重疊，而因此按照一實施例一部分的操作192可與操作194重疊。第一時間段可與第二時間段及第三時間段部分重疊，而因此按照一實施例一部分的操作190可與操作192、194重疊。
第2A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法200的操作的流程圖。儘管方法200之操作是結合第2A～2F圖說明的，本領域之技藝人士將理解經配置以進行該些方法操作（以任何順序）的任何系統均落在本文所說明實施例的範疇內。
方法200開始於操作290，其中一基板的第一部分被曝露至來自一離子源的一離子束。第2B圖圖示按照一實施例入射在基板101的一第一區域a1 上的離子束206。離子源202投射離子束206至第一區域a1 。離子源202具有複數個成角度的區段204，該等區段經配置以將離子源生成之離子束206投射至基板101，即離子源202是一分段（segmented）離子源。經投射至基板101的離子束206具有相對於基板101之一表面105的至少一波束角度α1 。成角度的區段204能針對方法100所製造之波導結合器的區域（例如，第一元件區域102、第二元件區域120、及第三元件區域124）來區域化（localize）。基板101經設置在一第一位置G1中。從格柵材料103（或在格柵材料103中）形成一第一複數個格柵212。第一複數個格柵212具有一傾斜角度ϑ1 ，其經界定在平行於表面105的第一方向與垂直於該表面的第二方向之間。傾斜角度ϑ1 大約等於波束角度α1 。傾斜角度ϑ1 及/或波束角度α1 能從大約5°到大約175°不等。
為了形成複數個格柵，一圖案化硬遮罩213經設置在格柵材料103之上。離子束206接觸經曝露的格柵材料部分，並在格柵材料103中蝕刻格柵。在一些實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，投射至基板101的離子束206具有對應於一捲動k向量210的複數個不同的波束角度α，使得複數個格柵中之部分相對於表面法向量105有不同的傾斜角度ϑ。
於操作292，基板的一第二部分經曝露至來自一離子源的一離子束。第2C圖圖示按照一實施例入射在基板101之一第二部分a2 的一離子束206。在一些實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，基板101距離分段離子源202的一垂直距離208改變。例如，基板101能被設置在基板101之下的一基座（未圖示）移動。另一例中，離子源202在垂直方向中（例如垂直於基板101的表面）及/或在水平方向中（例如平行於基板101的表面）被移動。離子源202自第一位置G1被移動至第二位置G2，在該第一位置處格柵材料103的第一部分a1 曝露，在該第二位置處格柵材料103的第二部分a2 曝露。
第二複數個格柵218自格柵材料103（或在格柵材料103中）形成。第二複數個格柵218具有一傾斜角度ϑ2 ，其經界定在平行於表面105的第一方向與垂直於該表面的第二方向之間。傾斜角度ϑ2 大約等於波束角度α2 。傾斜角度ϑ2 及/或波束角度α1 能從大約5°到大約175°之間不等。按照一實施例，第一傾斜角度ϑ1 是從大約5°到大約85°，而第二傾斜角度ϑ2 是從大約95°到大約175°。
複數個格柵的輪廓線包括個別格柵元件之間深度中的變異性、個別格柵元件之間角度中的變異性、個別格柵元件之間角度及/或深度中的改變率。第2D圖圖示按照一實施例具有傾斜的輪廓線216的複數個格柵280。從第一位置G1到第二位置G2平順地掃描基板101能形成有複數個深度214的複數個格柵280，該複數個格柵280具有傾斜的輪廓線216。離子束206的離子束輪廓線106也可能在複數個格柵中產生輪廓線。第一或第二複數個格柵212、218中任一者（或兩者）能具有傾斜的輪廓線216。
第2E圖圖示按照一實施例具有階梯形輪廓線222的複數個格柵280。將基板101從第一位置G1步進至第二位置G2形成具有複數個深度214的複數個格柵280，該複數個格柵具有階梯形輪廓線222。離子束206的離子束輪廓線106也能在複數個格柵中產生一輪廓線。第一或第二複數個格柵212、218中任一者（或兩者）能具有階梯形輪廓線222。
在一實施例中，第一複數個格柵212具有傾斜的輪廓線216。在一實施例中，第一複數個格柵212具有階梯形輪廓線222。在一實施例中，第一複數個格柵212具有第一輪廓線，而第二複數個格柵218具有一相異輪廓線。
參看第2B圖，在一實施例中，圖案化硬遮罩213具有一厚度，其過濾具有複數個不同波束角度α的離子束206，使得複數個格柵212、218中之各者具有相同的傾斜角度ϑ1 、ϑ2 。另一實施例中，複數個格柵212、218之一或更多者的格柵中至少一者，與在相同複數個格柵中的其他格柵具有不同的傾斜角度ϑ1 、ϑ2 。在一些實施例中，第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
第3A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法300的操作的流程圖。儘管方法300之操作是結合第3A～3C圖說明的，本領域之技藝人士將理解經配置以進行該些方法操作（以任何順序）的任何系統均落在本文所說明實施例的範疇內。
方法300開始於操作390，其中一可撓基板的第一部分被曝露至具有第一離子束輪廓線的離子束。第3B圖圖示按照一實施例的傾斜蝕刻系統302。傾斜蝕刻系統302經配置以不同角度將離子束206曝露至基板101上。如圖示，傾斜蝕刻系統302包括一基座304、複數個離子束腔室306、一掃描器312、及一捲動系統322。
基座304保持基板101使得基板101的一第一表面107經曝露至一或更多個離子束腔室306生成的離子束206，該一或更多個離子束腔室306朝向第一表面107定向。基座304具有一或更多個孔洞307以允許一或更多個離子束206穿過其並在第一表面107上形成一或更多元件310。基板101的一第二表面109經曝露至一或更多個離子束腔室306生成的一或更多個離子束206，該一或更多個離子束腔室306朝向第二表面109定向。第一表面107及第二表面109經曝露至離子束206以在第一表面107及第二表面109上形成元件310。因此，傾斜蝕刻系統302經配置以在基板101之兩表面107、109上產生一或更多個元件310。
各元件310具有有傾斜角度的複數個格柵（例如複數個格柵212、218）。傾斜蝕刻系統302能包括掃描器312，其可操作以沿著y方向及x方向中至少一者移動基座304。
基板101具有可捲的且可撓的屬性，使得捲動系統322經配置以將基板101的一第一區段316定位在離子束206的路徑中以形成元件310。如圖示，捲動系統322包括複數個滾軸314及複數個滾軸致動器315。滾軸314轉動可撓基板101的已捲起部分318，使得該基板的額外部分332能被曝露至該複數個離子束腔室。各個滾軸致動器315經配置以轉動複數個滾軸314中之一者，以將基板101的不同部分曝露至離子束腔室306。
第3C圖圖示按照一實施例的傾斜蝕刻系統302'。如圖示，傾斜蝕刻系統302'包括一捲動系統322'及一或更多個離子束腔室306。在此實施例中，離子束腔室306位在基板101的同側107上。如圖示，傾斜蝕刻系統322'包括一穩定部件330、複數個滾軸314、及複數個滾軸致動器315。滾軸314轉動可撓基板101的已捲起部分318，因此基板的額外部分332能被曝露至該複數個離子束腔室。基板101沿著支撐部件330被捲起。各個滾軸致動器315經配置以轉動複數個滾軸314中之一者以將基板101的不同部份曝露至離子束腔室306。
於操作392，一第二部分的可撓基板曝露至具有第二離子束輪廓線的離子束。第一及第二離子束輪廓線能為相同的或不同的。在一些實施例中，第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。在第一區段316上形成了元件310之後，基板101的額外部分332被曝露至該複數個離子束腔室。例如，捲動系統322、322'推進基板101的額外部分332以被曝露至複數個離子束腔室306。
此外，傾斜蝕刻系統302、302'能被使用在本文中揭露的方法100、200、300、400之任意者中。
第4A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法400的操作的流程圖。儘管方法400之操作是結合第4A～4C圖說明的，本領域之技藝人士將理解經配置以進行該些方法操作（以任何順序）的任何系統均落在本文所說明實施例的範疇內。
方法400開始於操作490，其中抗阻材料經沉積在格柵材料上。第4B圖圖示按照一實施例具有抗阻材料404沉積在格柵材料103之上的基板101。在一些實施例中，第4B～4E圖中描繪的該部分的材料是上述的第一元件區域102、第二元件區域120、或第三元件區域124。抗阻材料404能為本領域中使用的任何抗阻材料，如（但不限於）光阻、液體抗蝕劑、及類似者。在一實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，一個圖案化硬遮罩213經設置在格柵材料103之上且在抗阻材料404之下。
於操作492，該抗阻材料經圖案化以形成一抗阻層。第4C圖圖示按照一實施例具有設置在格柵材料103之上之抗阻層402的基板101。操作492包括將抗阻材料404形成為一抗阻層402，該抗阻層具有一第一部分的圖案特徵406及一第二部分的圖案特徵408，第一部分的圖案特徵406具有一第一傾斜角度ϑ1 ，第二部分的圖案特徵408具有一第二傾斜角度ϑ2 。按照一些實施例，第一部分的圖案特徵406經形成在第一區域a1 之上，而第二部分的圖案特徵408經形成在第二區域a2 之上。
在一些實施例（其能與本文中所述其他實施例結合）中，抗阻層402是藉由將一模具抵著抗阻材料404按壓，來藉由奈米壓印微影程序形成。按照一實施例，在操作492期間對抗阻材料404施加熱。按照一實施例，在操作492期間對抗阻材料404施加紫外光（UV）。 在一些實施例中，抗阻材料404包括一光阻，而抗阻層402是藉由光蝕刻程序形成的。
於操作490，一基板的一第一區域經曝露至具有一第一離子束輪廓線的離子束。第4D圖圖示按照一實施例經曝露至離子束206的基板101。抗阻層402的第一部分的圖案特徵406具有一傾斜角度ϑ1 ，其經界定在平行於基板101之表面405的第一方向與垂直於表面405的第二方向之間。傾斜角度ϑ1 大約等於離子束的第一波束角度α1 ，使得離子束在基板101之第一區域a1 上蝕刻具有傾斜角度ϑ1 的第一複數個格柵212。然而，抗阻層402的第二部分的圖案特徵408具有第二傾斜角度ϑ2 ，使得具有第一波束角度α1 的離子束206不蝕刻在基板101之第二區域a2 上的格柵材料103。因此，僅有格柵材料103的第一區域a1 被移除，並僅形成第一複數個格柵212。傾斜角度ϑ1 能從大約5°到大約175°不等。
於操作492，基板的一第二區域被曝露至具有第二離子束輪廓線的離子束。第一及第二離子束輪廓線能為相同的或不同的。在一些實施例中，第一離子束輪廓線及第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。第4E圖圖示按照一實施例經曝露至離子束206的基板101。抗阻層402的第二部分的圖案特徵408具有一傾斜角度ϑ2 ，其經界定在平行於基板101之表面405的第一方向與垂直於表面405的第二方向之間。抗阻層402的第一部分的圖案特徵406具有第一傾斜角度ϑ1 ，使得具有一第二波束角度α2 的離子束206不在基板101之第一區域a1 上蝕刻格柵材料103。然而，抗阻層402的第二部分的圖案特徵408具有第二傾斜角度ϑ2 ，使得具有一第二波束角度α2 的離子束206在基板101的第二區域a2 上蝕刻格柵材料103。因此，僅有格柵材料103的第一區域a2 被移除，並僅形成第二複數個格柵218。傾斜角度ϑ1 能從大約5°到大約175°不等。按照一實施例，第一傾斜角度ϑ1 是從大約5°到大約85°，而第二傾斜角度ϑ2 是從大約95°到大約175°。
能從方法100、200、300、400形成一或更多個波導結合器128（第1B圖）。按照一實施例，波導結合器128包括一個具有第一複數個格柵的第一元件104、一個具有複數個格柵的第二元件122、及一個具有第三複數個格柵的第三元件126。
如上所述，提供了圖案化的方法。該方法包括在設置於一基板之上的格柵材料上沉積抗阻材料，將該抗阻材料圖案化以成為一抗阻層，投射一第一離子束至第一元件區域以形成一第一複數個格柵，以及投射一第二離子束至第二元件區域以形成一第二複數個格柵。
利用圖案化抗阻層允許在大區域之上投射離子束，此往往比將離子束聚焦在特定區域中容易。圖案化抗阻的元件角度促進針對離子束之角度的離子蝕刻，該些離子束角度類似於圖案化抗阻層的元件的角度。其他區域較少經圖案化，因為離子束的角度不匹配經圖案化之抗阻層的元件的角度。
以上所述乃針對本揭示案之範例的同時，可在沒有背離本揭示案的基本範疇下設計出本案之其他及進一步的範例，而本揭示案之範疇乃由以下申請專利範圍所決定。
100:方法 101:基板 102:第一元件區域 103:格柵材料 104:第一元件 105:表面 106:離子束輪廓線 107:基板的第一表面 108:板 109:基板的第二表面 110:濾波器 112:部分 114:直徑 116:離子束 120:第二元件區域 122:第二元件 124:第三元件區域 126:第三元件 128:波導結合器 190:操作 192:操作 194:操作 200:方法 202:離子源 206:離子束 208:距離 210:捲動k向量 212:第一複數個格柵 213:圖案化硬遮罩 214:深度 216:傾斜的輪廓線 218:第二複數個格柵 222:階梯形輪廓線 280:格柵 290:操作 292:操作 300:方法 302:蝕刻系統 302’:蝕刻系統 304:基座 306:離子束腔室 307:孔洞 310:元件 312:掃描器 314:滾軸 315:滾軸致動器 316:第一區段 318:基板的已捲起部分 322:捲動系統 322’:捲動系統 330:支撐部件 332:額外部分 390:操作 392:操作 400:方法 402:抗阻層 404:抗阻材料 405:表面 406:第一部分的圖案特徵 408:第二部分的圖案特徵 490:操作 492:操作 G1:第一位置 G2:第二位置 a1:第一區域 a2:第二區域 α1:第一波束角度 ϑ:傾斜角度 ϑ1:第一傾斜角度 ϑ2:第二傾斜角度
因此，能詳細了解以上記載之本揭示案的特徵，用相同方式能參照實施例得到更特定地對本揭示案的說明（以上有簡短摘要），該些實施例中部份經描繪在附加圖式中。然而，也注意到附加圖式僅描繪例示性實施例，而因此不應被認定為限制其範疇，而可承認其他同等有效的實施例。
第1A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法操作的流程圖。
第1B圖圖示按照一實施例入射在基板上的離子束。
第1C圖圖示按照一實施例的離子束之離子束輪廓線。
第1D圖圖示按照一實施例具有複數個濾波器的板。
第2A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法操作的流程圖。
第2B圖圖示按照一實施例入射在基板的第一區域上的離子束。
第2C圖圖示按照一實施例入射在基板的第二區域上的離子束。
第2D圖圖示按照一實施例具有傾斜的輪廓線的複數個格柵。
第2E圖圖示按照一實施例具有階梯形輪廓線的複數個格柵。
第3A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法操作的流程圖。
第3B～3C圖圖示按照一實施例的傾斜蝕刻系統。
第4A圖是按照一實施例用於形成格柵之方法操作的流程圖。
第4B圖圖示按照一實施例具有設置在格柵材料之上之抗阻材料的基板。
第4C圖圖示按照一實施例具有設置在格柵材料之上之抗阻層的基板。
第4D～4E圖圖示按照一實施例經曝露至離子束的基板。
為了促進了解，在可行之處已使用相同的元件符號來指稱各圖中共有的相同元件。可設想到在沒有進一步記載下，一實施例的元件及特徵可有益地被併入其他實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
101:基板
102:第一元件區域
103:格柵材料
120:第二元件區域
124:第三元件區域
206:離子束
212:第一複數個格柵
402:抗阻層
405:表面
406:第一部分的圖案特徵
408:第二部分的圖案特徵
a1:第一區域
a2:第二區域
α1:第一波束角度
Figure 108146180-A0304-11-0002-20
:第一傾斜角度
Figure 108146180-A0304-11-0002-21
:第二傾斜角度

Claims (20)

  1. 一種形成格柵的方法，包含下列步驟： 在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，該抗阻材料具有一第一及一第二元件區域； 將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層； 投射一第一離子束至該第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成一第一複數個格柵，該第一離子束與該基板的一表面成一第一角度，該第一離子束具有一第一離子束輪廓線；及 投射一第二離子束至該第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成一第二複數個格柵，該第二離子束與該基板的該表面成一第二角度，該第二離子束具有一第二離子束輪廓線， 其中該第一離子束輪廓線及該第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
  2. 如請求項1所述之方法，其中 該第一複數個格柵具有一第一輪廓線， 該第二複數個格柵具有一第二輪廓線，及 該第一輪廓線不同於該第二輪廓線。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該第一輪廓線是一階梯形輪廓線。
  4. 如請求項2所述之方法，其中該第一輪廓線是一傾斜的輪廓線。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該抗阻材料包含一光阻材料。
  6. 如請求項1所述之方法，其中 該第一角度是從大約5°到大約85°，及 該第二角度是從大約95°到大約175°。
  7. 如請求項1所述之方法，其中投射該第一離子束的步驟包含藉具有複數個濾波器的一板來過濾該第一離子束的離子。
  8. 一種形成一或更多複數個格柵的方法，包含下列步驟： 在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，該抗阻材料具有一第一及一第二元件區域； 將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，其中該圖案化之步驟包含抵著該抗阻材料按壓一遮罩； 投射一第一離子束至該第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成一第一複數個格柵，該第一離子束與該基板的一表面成一第一角度，該第一離子束具有一第一離子束輪廓線；及 投射一第二離子束至該第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成一第二複數個格柵，該第二離子束與該基板的該表面成一第二角度，該第二離子束具有一第二離子束輪廓線， 其中該第一離子束輪廓線及該第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
  9. 如請求項8所述之方法，其中 該第一複數個格柵具有一第一輪廓線， 該第二複數個格柵具有一第二輪廓線，及 該第一輪廓線不同於該第二輪廓線。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該第一輪廓線是一階梯形輪廓線。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該第一輪廓線是一傾斜的輪廓線。
  12. 如請求項8所述之方法，其中將該抗阻材料圖案化的步驟包含將該抗阻材料暴露至紫外（UV）光。
  13. 如請求項8所述之方法，其中將該抗阻材料圖案化的步驟包含加熱該抗阻材料。
  14. 一種形成一或更多複數個格柵的方法，包含下列步驟： 在設置於一基板之上的一格柵材料上沉積一抗阻材料，該抗阻材料具有一第一及一第二元件區域； 將該抗阻材料圖案化成為一抗阻層，該抗阻層具有一第一圖案及一第二圖案； 投射一第一離子束至該第一元件區域達一第一時間段以在該格柵材料中形成一第一複數個格柵，該第一離子束與該基板的一表面成一第一角度，該第一離子束具有一第一離子束輪廓線；及 投射一第二離子束至該第二元件區域達一第二時間段以在該格柵材料中形成一第二複數個格柵，該第二離子束與該基板的該表面成一第二角度，該第二離子束具有一第二離子束輪廓線；其中 該第一圖案包含一第一複數個圖案特徵，該第一複數個圖案特徵與該第一圖案的一表面成該第一角度， 該第二圖案包含一第二複數個圖案特徵，該第二複數個圖案特徵與該第一圖案的該表面成該第二角度，及 該第一離子束輪廓線及該第二離子束輪廓線中至少一者不是均勻的。
  15. 如請求項14所述之方法，其中 該第一複數個格柵具有一第一輪廓線， 該第二複數個格柵具有一第二輪廓線，及 該第一輪廓線不同於該第二輪廓線。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該第一輪廓線是一階梯形輪廓線。
  17. 如請求項15所述之方法，其中該第一輪廓線是一傾斜的輪廓線。
  18. 如請求項14所述之方法，其中該抗阻材料包含一光阻材料。
  19. 如請求項14所述之方法，其中 該第一角度是從大約5°到大約85°，及 該第二角度是從大約95°到大約175°。
  20. 如請求項14所述之方法，其中投射該第一離子束的步驟包含藉具有複數個濾波器的一板來過濾該第一離子束的離子。
TW108146180A 2018-12-17 2019-12-17 用於形成格柵的方法 TW202037933A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862780792P 2018-12-17 2018-12-17
US62/780,792 2018-12-17
PCT/US2019/066599 WO2020131733A1 (en) 2018-12-17 2019-12-16 A method of forming gratings

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202037933A true TW202037933A (zh) 2020-10-16

Family

ID=83998641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108146180A TW202037933A (zh) 2018-12-17 2019-12-17 用於形成格柵的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11512385B2 (zh)
EP (1) EP3899645A4 (zh)
JP (1) JP7483711B2 (zh)
KR (1) KR20210094120A (zh)
CN (1) CN113168020B (zh)
TW (1) TW202037933A (zh)
WO (1) WO2020131733A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230119056A1 (en) * 2021-10-15 2023-04-20 Applied Materials, Inc. Partially metallized grating as high-performance waveguide incoupler
CN114089470B (zh) * 2022-01-20 2022-05-06 深圳珑璟光电科技有限公司 一种全息光波导及其制作装置、近眼显示设备
US11828984B2 (en) * 2022-02-24 2023-11-28 Globalfoundries U.S. Inc. Thermal management of an optical component for temperature control

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08129982A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Hitachi Ltd イオン源
JP2005004068A (ja) 2003-06-13 2005-01-06 Dainippon Printing Co Ltd スラント凹凸パターンの形成方法及びスラント凹凸パターンを有する基板
JP3887356B2 (ja) * 2003-07-08 2007-02-28 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 薄片試料作製方法
JP4012526B2 (ja) * 2004-07-01 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 薄膜コイルおよびその製造方法、ならびにコイル構造体およびその製造方法
JP2006344527A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Tdk Corp イオン源
EP2033040B1 (en) * 2006-06-02 2020-04-29 Magic Leap, Inc. Stereoscopic exit pupil expander display
JP5205866B2 (ja) 2007-08-23 2013-06-05 住友電気工業株式会社 モールドの形成方法、回折格子の形成方法、および分布帰還型半導体レーザの製造方法
WO2009077802A1 (en) 2007-12-18 2009-06-25 Nokia Corporation Exit pupil expanders with wide field-of-view
TWI416220B (zh) * 2009-03-18 2013-11-21 Wintek Corp 光繞射元件及具有該光繞射元件的背光模組及顯示裝置
JP5724213B2 (ja) 2010-05-13 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 検出装置
CN102323634B (zh) * 2011-10-19 2016-06-22 苏州大学 一种全息双闪耀光栅的制作方法
CN102540300A (zh) 2012-02-16 2012-07-04 苏州大学 一种凸面双闪耀光栅的制备方法
US20160033784A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Tapani Levola Optical Components
US20160035539A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Lauri SAINIEMI Microfabrication
WO2018067500A1 (en) 2016-10-05 2018-04-12 Magic Leap, Inc. Fabricating non-uniform diffraction gratings

Also Published As

Publication number Publication date
JP7483711B2 (ja) 2024-05-15
JP2022513850A (ja) 2022-02-09
KR20210094120A (ko) 2021-07-28
CN113168020B (zh) 2023-08-25
EP3899645A4 (en) 2022-09-14
CN113168020A (zh) 2021-07-23
EP3899645A1 (en) 2021-10-27
WO2020131733A1 (en) 2020-06-25
US11512385B2 (en) 2022-11-29
US20200192010A1 (en) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11960204B2 (en) Microlithographic fabrication of structures
JP7179063B6 (ja) 導波結合器のダイレクトエッチング製造の方法
TWI720746B (zh) 形成複數個格柵的方法
TW202037933A (zh) 用於形成格柵的方法
TWI747004B (zh) 用於波導件之結構
TWI827934B (zh) 波導組合器及其製造方法
JP2023113622A (ja) グレートーンリソグラフィと傾斜エッチングを使用した、深さ調節された傾斜格子
TWI833955B (zh) 形成可變深度元件結構的方法
TW202046449A (zh) 多深度光學裝置的圖案化
TW202210883A (zh) 光學元件的製造方法、光學元件、和用於製造光學元件的設備
TW202006958A (zh) 形成光柵構件的方法
JP7196295B2 (ja) テーパー状の傾斜したフィンを作製するための制御されたハードマスク成形
JP2023551813A (ja) 傾斜した角度を有する構造を形成するためのリソグラフィ方法
TW202318039A (zh) 金屬化高指數火焰光柵耦合器
TW202235960A (zh) 工作週期過渡區遮罩校正
TW202405489A (zh) 在製造光學元件結構中降低粗糙度之方法
TW202414012A (zh) 波導組合器及其製造方法
TW202331422A (zh) 自對準形成成角度光學裝置結構