KR20210094120A - 격자들을 형성하는 방법 - Google Patents

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조셉 씨. 올손
루도빅 고데
러트거 마이어 팀머맨 티센
모르간 에반스
진신 푸
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 격자들을 형성하는 방법들에 관한 것이다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다. 패터닝된 레지스트 층을 사용하는 것은 넓은 영역에 걸쳐 이온 빔을 투사하는 것을 허용하며, 이는 종종 특정 영역에 이온 빔을 포커싱하는 것보다 더 쉽다.

Description

격자들을 형성하는 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 격자들을 형성하는 방법에 관한 것이다.
[0002] 가상 현실은 일반적으로, 사용자가 명백한 물리적 존재를 갖는 컴퓨터 생성 시뮬레이팅된 환경인 것으로 고려된다. 가상 현실 경험은 3D로 생성되며, 실제 환경을 대체하는 가상 현실 환경을 디스플레이하기 위한 렌즈들로서 근안 디스플레이 패널들을 갖는 HMD(head-mounted display), 이를테면 안경 또는 다른 웨어러블 디스플레이 디바이스들을 이용하여 보여질 수 있다.
[0003] 그러나, 증강 현실은, 사용자가 주변 환경을 보기 위해 안경 또는 다른 HMD 디바이스의 디스플레이 렌즈들을 통해 여전히 볼 수 있지만, 디스플레이를 위해 생성되고 환경의 일부로서 나타나는 가상 오브젝트들의 이미지들을 또한 볼 수 있는 경험을 가능하게 한다. 증강 현실은 사용자가 경험하는 환경을 향상시키거나 증강시키는 임의의 타입의 입력, 이를테면 오디오 및 햅틱 입력들 뿐만 아니라 가상 이미지들, 그래픽들, 및 비디오를 포함할 수 있다.
[0004] 가상 이미지는 증강 현실 경험을 사용자에게 제공하기 위해 주변 환경 상에 오버레이된다. 도파관들은 이미지들을 오버레이하는 것을 보조하기 위해 사용된다. 생성된 광은, 광이 도파관을 빠져나가 주변 환경 상에 오버레이될 때까지 도파관을 통해 전파된다. 광학 디바이스들은 일반적으로, 상이한 파장들의 광을 안내하기 위해 동일한 기판 상에 상이한 물리적 속성들을 갖는 다수의 도파관들을 필요로 한다.
[0005] 본 기술분야의 하나의 단점은, 동일한 기판 상에 도파관들을 제조하는 것이 시간-소모적인 프로세스라는 것이다. 상이한 재료 속성들을 갖는 도파관들을 제조하기 위해, 포토리소그래피에서 상이한 마스크 단계들 및 방법들이 필요하다. 부가적으로, 일부 포토리소그래피 방법들은 상이한 도파관들에서 격자들의 다양한 간격 및 프로파일들을 만드는 능력을 갖지 않는다.
[0006] 따라서, 필요한 것은 상이한 격자 프로파일들을 갖는 격자 구역들의 형성을 허용하는 제조 프로세스이다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 격자들을 형성하는 방법들에 관한 것이다. 레지스트 층이 격자 재료 위에 배치되고 패터닝되어, 원하는 격자 프로파일들을 갖는 격자들의 더 정확한 형성을 허용한다.
[0007] 일 실시예에서, 격자들을 형성하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다. 레지스트 재료는 제1 및 제2 디바이스 영역을 갖는다. 제1 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제1 각도 및 제1 이온 빔 프로파일을 갖는다. 제2 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제2 각도 및 제2 이온 빔 프로파일을 갖는다. 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다.
[0008] 다른 실시예에서, 격자들을 형성하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다. 레지스트 재료는 제1 및 제2 디바이스 영역을 갖는다. 제1 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제1 각도 및 제1 이온 빔 프로파일을 갖는다. 제2 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제2 각도 및 제2 이온 빔 프로파일을 갖는다. 패터닝하는 단계는 레지스트 재료에 대해 마스크를 가압하는 단계를 포함한다. 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다.
[0009] 또 다른 실시예에서, 격자들을 형성하는 방법이 제공된다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다. 레지스트 재료는 제1 및 제2 디바이스 영역을 갖는다. 제1 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제1 각도 및 제1 이온 빔 프로파일을 갖는다. 제2 이온 빔은 기판의 표면에 대한 제2 각도 및 제2 이온 빔 프로파일을 갖는다. 레지스트 층은 제1 패턴 및 제2 패턴을 갖는다. 제1 패턴은 제1 패턴의 표면에 대해 제1 각도를 갖는 제1 복수의 패턴 피처들을 포함한다. 제2 패턴은 제1 패턴의 표면에 대해 제2 각도를 갖는 제2 복수의 패턴 피처들을 포함한다. 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다.
[0010] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들이 예시적인 실시예들만을 예시하는 것이므로, 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0012] 도 1b는 일 실시예에 따른, 기판 상에 입사되는 이온 빔을 예시한다.
[0013] 도 1c는 일 실시예에 따른, 이온 빔의 이온 빔 프로파일을 예시한다.
[0014] 도 1d는 일 실시예에 따른, 복수의 필터들을 갖는 플레이트를 예시한다.
[0015] 도 2a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0016] 도 2b는 일 실시예에 따른, 기판의 제1 구역 상에 입사되는 이온 빔을 예시한다.
[0017] 도 2c는 일 실시예에 따른, 기판의 제2 구역 상에 입사되는 이온 빔을 예시한다.
[0018] 도 2d는 일 실시예에 따른, 경사진 프로파일을 갖는 복수의 격자들을 예시한다.
[0019] 도 2e는 일 실시예에 따른, 계단형 프로파일을 갖는 복수의 격자들을 예시한다.
[0020] 도 3a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0021] 도 3b 및 도 3c는 일 실시예에 따른, 경사 에칭 시스템을 예시한다.
[0022] 도 4a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법 동작들의 흐름도이다.
[0023] 도 4b는 일 실시예에 따른, 격자 재료 위에 배치된 레지스트 재료를 갖는 기판을 예시한다.
[0024] 도 4c는 일 실시예에 따른, 격자 재료 위에 배치된 레지스트 층을 갖는 기판을 예시한다.
[0025] 도 4d 및 도 4e는 일 실시예에 따른, 이온 빔에 노출된 기판을 예시한다.
[0026] 이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 인용 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
[0027] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 격자들을 형성하는 방법들에 관한 것이다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다. 패터닝된 레지스트 층을 사용하는 것은 넓은 영역에 걸쳐 이온 빔을 투사하는 것을 허용하며, 이는 종종 특정 영역에 이온 빔을 포커싱하는 것보다 더 쉽다. 패터닝된 레지스트의 엘리먼트들의 각도들은 패터닝된 레지스트 층의 엘리먼트들의 각도들과 유사한 이온 빔의 각도들에 대한 이온 에칭을 용이하게 한다. 다른 구역들은, 패터닝된 레지스트 층의 엘리먼트들의 각도들에 대한 이온 빔의 각도들의 미스매치로 인해 덜 패터닝된다. 본 개시내용의 엘리먼트들은 기판의 특정한 부분들에서 원하는 프로파일들을 갖는 격자들을 형성하는 데 유용할 수 있다(그러나 이에 제한되지 않음).
[0028] 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "약"은 공칭 값으로부터의 +/- 10% 변동을 지칭한다. 그러한 변동이 본 명세서에서 제공된 임의의 값에 포함될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0029] 도 1a는 일 실시예에 따른, 격자들 또는 핀(fin)들을 형성하기 위한 방법(100) 동작들의 흐름도이다. 방법(100) 동작들이 도 1a 내지 도 1d와 관련하여 설명되지만, 당업자들은 방법 동작들을 임의의 순서로 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본 명세서에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0030] 방법(100)은 동작(190)에서 시작되며, 여기서 제1 이온 빔이 기판의 제1 부분 상에 투사된다. 제1 이온 빔은 이온 소스에 의해 생성된다. 기판은 광학 디바이스에서 사용되도록 구성된다. 기판은 유리, 플라스틱, 폴리카보네이트 재료들, 또는 본 기술분야에서 사용되는 임의의 기판일 수 있다. 예컨대, 기판은 반도체 재료, 예컨대 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘 게르마늄(SiGe), 및/또는 III-V 반도체, 이를 테면 갈륨 비소(GaAs)를 포함한다. 다른 예에서, 기판(101)은 투명 재료(예컨대, 유리, 플라스틱, 및/또는 폴리카보네이트)를 포함한다. 기판은 임의의 수의 절연성, 반도체성 또는 금속성 층들을 상부에 가질 수 있다.
[0031] 도 1b는 일 실시예에 따른, 기판(101) 상에 입사되는 이온 빔(116)을 예시한다. 이온 빔은 기판(101) 위에 배치된 제1 디바이스 영역(102)에 대응하는 제1 빔 영역을 갖는다. 제1 디바이스 영역(102)은 기판(101) 상에 배치된 격자 재료(103)에 형성될 복수의 제1 디바이스들(104)의 각각의 제1 디바이스에 대응한다. 제1 이온 빔은 이온 빔 프로파일을 갖는 제1 디바이스 영역(102)에 투사된다.
[0032] 이온 빔 프로파일은 패턴의 상이한 부분들에서 상이한 이온 빔 세기들 및/또는 이온 빔 농도들을 갖는 단면 패턴을 가질 수 있다. 특정 패턴을 갖는 이온 빔이 재료(예컨대, 격자 재료(103)) 상에 투사될 때, 재료의 상이한 부분들은, 재료의 부분 상에 투사되는 이온 빔 단면 패턴의 세기에 따라 상이한 깊이들로 에칭된다. 예컨대, 재료의 제1 부분 상에 투사된 높은 이온 빔 세기를 갖는 패턴의 제1 부분은 제1 부분의 깊은 에칭을 초래한다. 재료의 제2 부분 상에 투사되는 더 낮은 이온 빔 세기를 갖는 패턴의 제2 부분은 제2 부분의 더 얕은 에칭을 초래한다. 따라서, 원하는 에칭 프로파일이 대응하는 이온 빔 프로파일에 의해 재료에 형성될 수 있다.
[0033] 격자 재료(103)는 실리콘 산탄화물(SiOC), 티타늄 산화물(TiOx), TiOx 나노재료들, 니오븀 산화물(NbOx), 니오븀-게르마늄(Nb3Ge), 실리콘 이산화물(SiO2), 실리콘 산탄화질화물(SiOCN), 바나듐(IV) 산화물(VOx), 알루미늄 산화물(Al2O3), 인듐 주석 산화물[InTiO](ITO), 아연 산화물(ZnO), 탄탈룸 오산화물(Ta2O5), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘-풍부 SixNy, 수소-도핑된 Si3N4, 붕소-도핑된 Si3N4, 실리콘 탄소 질산염(SiCN), 티타늄 질화물(TiN), 지르코늄 이산화물(ZrO2), 게르마늄(Ge), 갈륨 인화물(GaP), 다결정질(PCD), 나노결정질 다이아몬드(NCD), 도핑된 다이아몬드 함유 재료들, 또는 위의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
[0034] 도 1c는 일 실시예에 따른, 이온 빔(116)의 이온 빔 프로파일(106)을 예시한다. 도시된 바와 같이, 이온 빔 프로파일(106)의 세기는 이온 빔(116)의 단면 내의 포지션에 따라 변한다. 따라서, 이온 빔에 의해 생성되는 격자들의 깊이는 가변적이다. 도 1c에 예시된 이온 빔 프로파일이 선형이지만, 이온 빔 프로파일의 다른 변형들이 고려된다. 일부 실시예들에서, 이온 빔 프로파일(106)은 균일하며, 즉 세기는 전체 이온 빔 프로파일(106)에 걸쳐 균일하다. 일부 실시예들에서, 이온 빔 프로파일(106)은 균일하지 않으며, 즉 세기는 전체 이온 빔 프로파일(106)에 걸쳐 균일하지 않다. 이온 빔 프로파일은 또한 2차원(2D) 패턴일 수 있다.
[0035] 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일 실시예에서, 제1 이온 빔의 이온 빔 프로파일(106)은 복수의 필터들을 갖는 플레이트로 제1 이온 빔의 이온들을 필터링함으로써 제공된다. 도 1d는 일 실시예에 따른, 복수의 필터들(110)을 갖는 플레이트(108)를 예시한다. 플레이트(108)는 플레이트(108)를 통과하는 이온 빔의 세기 또는 분포를 조절하기 위해 이온 소스와 인터페이싱하고 그에 커플링되도록 구성된다. 복수의 필터들(110)은 동일하거나 상이한 직경들(114)을 갖는 부분들(112)을 포함한다. 복수의 필터들(110)은 원하는 세기 및/또는 밀도의 이온들이 통과하게 허용하는 홀들 또는 개구들을 포함할 수 있다. 플레이트(108)는 이온 빔 충격에 대해 내성이 있거나 또는 불활성이고, 이온들이 플레이트를 통과하는 것을 방지하는 충분한 두께의 재료로 제조된다. 복수의 필터들(110)은 이온 빔이 통과하는 개구들을 형성하도록 플레이트(108)를 통해 연장된다. 복수의 필터들(110)은 제1 복수의 필터들 중 인접한 필터들 사이에 대략적으로 균등한 분포를 갖는 실질적으로 원형-형상인 것으로 예시된다. 그러나, 복수의 필터들(110)의 임의의 수, 형상, 배향, 간격, 또는 배열이 원하는 이온 빔 프로파일을 생성하기 위해 그 복수의 필터들을 통과하는 이온 빔의 세기 또는 분포를 조절하는 데 이용될 수 있다.
[0036] 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예에서, 이온 빔 프로파일(106)은 제1 이온 빔의 플라즈마 프로파일로 변화됨으로써 제공된다. 제1 디바이스 영역(102)은 제1 디바이스(104)의 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 제1 이온 빔에 노출된다. 기판(101)은, 각각의 제1 디바이스 영역(102)이 이온 빔 프로파일(106)을 갖는 제1 이온 빔(116)에 노출되도록 반복적으로 이동, 즉 스텝핑된다.
[0037] 동작(192)에서, 제2 이온 빔이 기판의 제2 부분 상에 투사된다. 도 1b를 참조하면, 제2 부분은 일 실시예에 따른, 기판(101)의 제2 디바이스 영역(120)을 포함한다. 제2 이온 빔은 제2 디바이스 영역(120)에 대응하는 제2 빔 영역을 갖는다. 제2 디바이스 영역(120)은 격자 재료(103)에 형성될 복수의 제2 디바이스들(122)의 각각의 제2 디바이스에 대응한다. 제2 이온 빔은 본 명세서에 설명되는 바와 같이, 이온 빔 프로파일(106)로 제2 디바이스 영역(120)에 투사된다. 제2 이온 빔의 이온 빔 프로파일은 제1 이온 빔의 이온 빔 프로파일과 상이하거나 동일할 수 있다. 제2 디바이스 영역(120)은 제2 디바이스(122)의 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 제2 이온 빔에 노출된다. 일 실시예에 따르면, 제1 시간 기간은 제2 시간 기간과 부분적으로 중첩될 수 있고, 따라서 동작(190)의 일부는 동작(192)과 중첩될 수 있다. 기판(101)은, 각각의 제2 디바이스 영역(120)이 이온 빔 프로파일을 갖는 제2 이온 빔에 노출되도록 반복적으로 이동, 즉 스텝핑된다.
[0038] 동작(194)에서, 제3 이온 빔이 기판의 제3 부분 상에 투사된다. 일 실시예에 따르면, 제3 부분은 기판(101)의 제3 디바이스 영역(124)을 포함한다. 제3 이온 빔은 제3 디바이스 영역(124)에 대응하는 제3 빔 영역을 갖는다. 제3 디바이스 영역(124)은 격자 재료(103)에 형성될 복수의 제3 디바이스들(126)의 각각의 제3 디바이스에 대응한다. 제3 이온 빔은 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 이온 빔 프로파일(106)로 제3 디바이스 영역(124)에 투사된다. 제3 이온 빔의 이온 빔 프로파일은 제1 및/또는 제2 이온 빔의 이온 빔 프로파일과 상이하거나 동일할 수 있다. 제3 디바이스 영역(124)은 제2 디바이스(122)의 제3 복수의 격자들을 형성하기 위해 제3 시간 기간 동안 제3 이온 빔에 노출된다. 기판(101)은, 각각의 제3 디바이스 영역(124)이 이온 빔 프로파일을 갖는 제3 이온 빔에 노출되도록 반복적으로 이동, 즉 스텝핑된다. 일부 실시예들에서, 제1 이온 빔 프로파일, 제2 이온 빔 프로파일, 및 제3 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다.
[0039] 일 실시예에 따르면, 제1 시간 기간은 제3 시간 기간과 부분적으로 중첩될 수 있고, 따라서 동작(190)의 적어도 일부는 동작(194)과 중첩될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 시간 기간은 제3 시간 기간과 부분적으로 중첩될 수 있고, 따라서 동작(192)의 일부는 동작(194)과 중첩될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 시간 기간은 제2 시간 기간 및 제3 시간 기간과 부분적으로 중첩될 수 있고, 따라서 동작(190)의 일부는 동작들(192, 194)과 중첩될 수 있다.
[0040] 도 2a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법(200) 동작들의 흐름도이다. 방법(200) 동작들이 도 2a 내지 도 2f와 관련하여 설명되지만, 당업자들은 방법 동작들을 임의의 순서로 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본 명세서에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0041] 방법(200)은 동작(290)에서 시작되며, 여기서 기판의 제1 부분이 이온 소스로부터의 이온 빔에 노출된다. 도 2b는 일 실시예에 따른, 기판(101)의 제1 구역(a1) 상에 입사되는 이온 빔(206)을 예시한다. 이온 소스(202)는 이온 빔(206)을 제1 구역(a1)에 투사한다. 이온 소스(202)는 이온 소스에 의해 생성된 이온 빔들(206)을 기판(101)에 투사하도록 구성된 복수의 경사진 세그먼트들(204)을 가지며, 즉 이온 소스(202)는 세그먼트화된 이온 소스이다. 기판(101)에 투사된 이온 빔들(206)은 기판(101)의 표면(105)에 대해 적어도 하나의 빔 각도(α1)를 갖는다. 경사진 세그먼트들(204)은 방법(100)에 의해 제조된 도파관 결합기들의 구역들, 예컨대 제1 디바이스 영역들(102), 제2 디바이스 영역들(120), 및 제3 디바이스 영역들(124)에 국한될 수 있다. 기판(101)은 제1 포지션(G1)에 배치된다. 제1 복수의 격자들(212)은 격자 재료(103)로 또는 격자 재료(103)에 형성된다. 제1 복수의 격자들(212)은 표면(105)에 평행한 제1 방향과 표면에 수직인 제2 방향 사이에 정의되는 경사 각도(θ1)를 갖는다. 경사 각도(θ1)는 빔 각도(α1)와 대략 동일하다. 경사 각도(θ1) 및/또는 빔 각도(α1)는 약 5° 내지 약 175°로 변할 수 있다.
[0042] 복수의 격자들을 형성하기 위해, 패터닝된 하드마스크(213)가 격자 재료(103) 위에 배치된다. 이온 빔(206)은 격자 재료의 노출된 부분들과 접촉하고, 격자 재료(103) 내에 격자들을 에칭한다. 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 기판(101)에 투사된 이온 빔들(206)은, 복수의 격자들의 부분들이 표면 법선(105)에 대해 상이한 경사 각도들(θ)을 갖도록 롤링(rolling) k-벡터(210)에 대응하는 복수의 상이한 빔 각도들(α)을 갖는다.
[0043] 동작(292)에서, 기판의 제2 부분이 이온 소스로부터의 이온 빔에 노출된다. 도 2c는 일 실시예에 따른, 기판(101)의 제2 부분(a2) 상에 입사되는 이온 빔(206)을 예시한다. 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 세그먼트화된 이온 소스(202)로부터의 기판(101)의 수직 거리(208)가 변화된다. 예컨대, 기판(101)은 기판(101) 아래에 배치된 페디스털(도시되지 않음)에 의해 이동될 수 있다. 다른 예에서, 이온 소스(202)는 수직 방향(예컨대, 기판(101)의 표면에 수직함)으로, 그리고/또는 수평 방향(예컨대, 기판(101)의 표면에 평행함)으로 이동된다. 이온 소스(202)는, 격자 재료(103)의 제1 부분(a1)이 노출되는 제1 포지션(G1)으로부터, 격자 재료의 제2 부분(a2)이 노출되는 제2 포지션(G2)으로 이동된다.
[0044] 제2 복수의 격자들(218)은 격자 재료(103)로 또는 격자 재료(103)에 형성된다. 제2 복수의 격자들(218)은 표면(105)에 평행한 제1 방향과 표면에 수직인 제2 방향 사이에 정의되는 경사 각도(θ2)를 갖는다. 경사 각도(θ2)는 빔 각도(α2)와 대략 동일하다. 경사 각도(θ2) 및/또는 빔 각도(α1)는 약 5° 내지 약 175°로 변할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 경사 각도(θ1)는 약 5° 내지 약 85°이고, 제2 경사 각도(θ2)는 약 95° 내지 약 175°이다.
[0045] 복수의 격자들에 대한 프로파일은 개별적인 격자 엘리먼트들 사이의 깊이들의 변동, 개별적인 격자 엘리먼트들 사이의 각도들의 변동, 및 개별적인 격자 엘리먼트들 사이의 각도들 및/또는 깊이들의 변화율을 포함한다. 도 2d는 일 실시예에 따른, 경사진 프로파일(216)을 갖는 복수의 격자들(280)을 예시한다. 제1 포지션(G1)으로부터 제2 포지션(G2)으로 기판(101)을 매끄럽게 스캐닝하는 것은, 경사진 프로파일(216)을 갖는 복수의 깊이들(214)을 갖는 복수의 격자들(280)을 형성할 수 있다. 이온 빔(206)의 이온 빔 프로파일(106)은 또한 복수의 격자들에 프로파일을 생성할 수 있다. 제1 또는 제2 복수의 격자들(212, 218) 중 어느 하나 또는 둘 모두는 경사진 프로파일(216)을 가질 수 있다.
[0046] 도 2e는 일 실시예에 따른, 계단형 프로파일(222)을 갖는 복수의 격자들(280)을 예시한다. 제1 포지션(G1)으로부터 제2 포지션(G2)으로 기판(101)을 계단형으로 만드는 것은, 계단형 프로파일(222)을 갖는 복수의 깊이들(214)을 갖는 복수의 격자들(280)을 형성한다. 이온 빔(206)의 이온 빔 프로파일(106)은 또한 복수의 격자들에 프로파일을 생성할 수 있다. 제1 또는 제2 복수의 격자들(212, 218) 중 어느 하나 또는 둘 모두는 계단형 프로파일(222)을 가질 수 있다.
[0047] 일 실시예에서, 제1 복수의 격자들(212)은 경사진 프로파일(216)을 갖는다. 일 실시예에서, 제1 복수의 격자들(212)은 계단형 프로파일(222)을 갖는다. 일 실시예에서, 제1 복수의 격자들(212)은 제1 프로파일을 갖고, 제2 복수의 격자들(218)은 상이한 프로파일을 갖는다.
[0048] 도 2b를 참조하면, 일 실시예에서, 패터닝된 하드마스크(213)는, 복수의 격자들(212, 218) 각각이 동일한 경사 각도들(θ1, θ2)을 갖도록 복수의 상이한 빔 각도들(α)을 갖는 이온 빔들(206)을 필터링하는 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 복수의 격자들(212, 218) 중 하나 이상의 격자들 내의 격자들 중 적어도 하나는 동일한 복수의 격자들 내의 다른 격자들 중 하나와는 상이한 경사 각도(θ1, θ2)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다.
[0049] 도 3a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법(300) 동작들의 흐름도이다. 방법(300) 동작들이 도 3a 내지 도 3c와 관련하여 설명되지만, 당업자들은 방법 동작들을 임의의 순서로 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본 명세서에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0050] 방법(300)은 동작(390)에서 시작되며, 여기서 가요성 기판의 제1 부분이 제1 이온 빔 프로파일을 갖는 이온 빔에 노출된다. 도 3b는 일 실시예에 따른, 경사 에칭 시스템(302)을 예시한다. 경사 에칭 시스템(302)은 이온 빔들(206)을 상이한 각도들로 기판(101) 상에 노출시키도록 구성된다. 도시된 바와 같이, 경사 에칭 시스템(302)은 페디스털(304), 복수의 이온 빔 챔버들(306), 스캐너(312), 및 롤링 시스템(322)을 포함한다.
[0051] 페디스털(304)은, 기판(101)의 제1 표면(107)이 제1 표면(107)을 향해 배향된 하나 이상의 이온 빔 챔버들(306)에 의해 생성된 이온 빔들(206)에 노출되도록 기판(101)을 유지한다. 페디스털(304)은 하나 이상의 홀들(307)을 가져서, 하나 이상의 이온 빔(206)이 그 하나 이상의 홀들을 통과해서 제1 표면(107) 상에 하나 이상의 디바이스들(310)을 형성하게 허용한다. 기판(101)의 제2 표면(109)은 제2 표면(109)을 향해 배향된 하나 이상의 이온 빔 챔버들(306)에 의해 생성된 하나 이상의 이온 빔들(206)에 노출된다. 제1 표면(107) 및 제2 표면(109)은, 제1 표면(107) 및 제2 표면(109) 상에 디바이스들(310)을 형성하기 위해 이온 빔(206)에 노출된다. 따라서, 경사 에칭 시스템(302)은 기판(101)의 표면들(107, 109) 둘 모두 상에 하나 이상의 디바이스들(310)을 생성하도록 구성된다.
[0052] 디바이스들(310) 각각은 경사 각도들을 갖는 복수의 격자들(예컨대, 복수의 격자들(212, 218))을 갖는다. 경사 에칭 시스템(302)은, y-방향 및 x-방향 중 적어도 하나를 따라 페디스털(304)을 이동시키도록 동작가능한 스캐너(312)를 포함할 수 있다.
[0053] 기판(101)은 롤링가능 및 가요성 속성들을 가져서, 롤링 시스템(322)이 디바이스들(310)을 형성하기 위해 이온 빔(206)의 경로에 기판(101)의 제1 세그먼트(316)를 포지셔닝시키도록 구성되게 한다. 도시된 바와 같이, 롤링 시스템(322)은 복수의 롤러들(314) 및 복수의 롤러 액추에이터들(315)을 포함한다. 롤러들(314)은 가요성 기판(101)의 롤링된 부분들(318)을 회전시켜, 기판의 부가적인 부분들(332)이 복수의 이온 빔 챔버들에 노출될 수 있게 한다. 롤러 액추에이터들(315) 각각은 기판(101)의 상이한 부분들을 이온 빔 챔버들(306)에 노출시키기 위해 복수의 롤러들(314) 중 하나를 회전시키도록 구성된다.
[0054] 도 3c는 일 실시예에 따른, 경사 에칭 시스템(302')을 예시한다. 도시된 바와 같이, 경사 에칭 시스템(302')은 롤링 시스템(322') 및 하나 이상의 이온 빔 챔버들(306)을 포함한다. 이러한 실시예에서, 이온 빔 챔버들(306)은 기판(101)의 동일한 측(107) 상에 위치된다. 도시된 바와 같이, 경사 에칭 시스템(322')은 안정화 부재(330), 복수의 롤러들(314), 및 복수의 롤러 액추에이터들(315)을 포함한다. 롤러들(314)은 가요성 기판(101)의 롤링된 부분들(318)을 회전시켜, 기판의 부가적인 부분들(332)이 복수의 이온 빔 챔버들에 노출될 수 있게 한다. 기판(101)은 지지 부재(330)를 따라 롤링된다. 롤러 액추에이터들(315) 각각은 기판(101)의 상이한 부분들을 이온 빔 챔버들(306)에 노출시키기 위해 복수의 롤러들(314) 중 하나를 회전시키도록 구성된다.
[0055] 동작(392)에서, 가요성 기판의 제2 부분이 제2 이온 빔 프로파일을 갖는 이온 빔에 노출된다. 제1 및 제2 이온 빔 프로파일들은 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다. 디바이스들(310)이 제1 세그먼트(316) 상에 형성된 이후, 기판(101)의 부가적인 부분들(332)이 복수의 이온 빔 챔버들에 노출된다. 예컨대, 롤링 시스템(322, 322')은 복수의 이온 빔 챔버들(306)에 노출되도록 기판(101)의 부가적인 부분들(332)을 전진시킨다.
[0056] 부가적으로, 경사 에칭 시스템들(302, 302')은 본 명세서에 개시된 방법들(100, 200, 300, 400) 중 임의의 방법에서 사용될 수 있다.
[0057] 도 4a는 일 실시예에 따른, 격자들을 형성하기 위한 방법(400) 동작들의 흐름도이다. 방법(400) 동작들이 도 4a 내지 도 4c와 관련하여 설명되지만, 당업자들은 방법 동작들을 임의의 순서로 수행하도록 구성된 임의의 시스템이 본 명세서에서 설명되는 실시예들의 범위 내에 속한다는 것을 이해할 것이다.
[0058] 방법(400)은 동작(490)에서 시작되며, 여기서 레지스트 재료가 격자 재료 상에 증착된다. 도 4b는 일 실시예에 따른, 격자 재료(103) 위에 배치된 레지스트 재료(404)를 갖는 기판(101)을 예시한다. 일부 실시예들에서, 도 4b 내지 도 4e에 예시된 재료의 부분은 위에서 설명된 제1 디바이스 영역(102), 제2 디바이스 영역(120), 또는 제3 디바이스 영역(124)이다. 레지스트 재료(404)는, 포토레지스트, 액체 레지스트 등과 같은(그러나 이에 제한되지 않음) 본 기술분야에서 사용되는 임의의 레지스트 재료일 수 있다. 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일 실시예에서, 패터닝된 하드마스크(213)는 격자 재료(103) 위에 그리고 레지스트 재료(404) 아래에 배치된다.
[0059] 동작(492)에서, 레지스트 재료는 레지스트 층을 형성하도록 패터닝된다. 도 4c는 일 실시예에 따른, 격자 재료(103) 위에 배치된 레지스트 층(402)을 갖는 기판(101)을 예시한다. 동작(492)은, 제1 경사 각도(θ1)을 갖는 패턴 피처들(406)의 제1 부분 및 제2 경사 각도(θ2)을 갖는 패턴 피처들(408)의 제2 부분을 갖는 레지스트 층(402)으로 레지스트 재료(404)를 형성하는 것을 포함한다. 일부 실시예들에 따르면, 패턴 피처들(406)의 제1 부분은 제1 영역(a1) 위에 형성되고, 패턴 피처들(408)의 제2 부분은 제2 영역(a2) 위에 형성된다.
[0060] 본 명세서에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 레지스트 층(402)은 레지스트 재료(404)에 대해 몰드(mold)를 가압함으로써 나노임프린트 리소그래피 프로세스에 의해 형성된다. 일 실시예에 따르면, 동작(492) 동안 레지스트 재료(404)에 열이 인가된다. 일 실시예에 따르면, 동작(492) 동안 자외선 광(UV)이 레지스트 재료(404)에 인가된다. 일부 실시예들에서, 레지스트 재료(404)는 포토레지스트를 포함하고, 레지스트 층(402)은 포토리소그래피 프로세스에 의해 형성된다.
[0061] 동작(490)에서, 기판의 제1 구역이 제1 이온 빔 프로파일을 갖는 이온 빔에 노출된다. 도 4d는 일 실시예에 따른, 이온 빔(206)에 노출된 기판(101)을 예시한다. 레지스트 층(402)의 패턴 피처들(406)의 제1 부분은, 기판(101)의 표면(405)에 평행한 제1 방향과 표면(405)에 수직인 제2 방향 사이에 정의되는 경사 각도(θ1)를 갖는다. 경사 각도(θ1)는 이온 빔의 제1 빔 각도(α1)와 대략 동일하여, 이온 빔은 기판(101)의 제1 구역(a1) 상의 격자 재료(103)에서 경사 각도(θ1)를 갖는 제1 복수의 격자들(212)을 에칭한다. 그러나, 레지스트 층(402)의 패턴 피처들(408)의 제2 부분은 제2 경사 각도(θ2)를 가져서, 제1 빔 각도(α1)를 갖는 이온 빔(206)은 기판(101)의 제2 구역(a2) 상의 격자 재료(103)를 에칭하지 않는다. 따라서, 격자 재료(103)의 제1 구역(a1)만이 제거되고, 제1 복수의 격자들(212)만이 형성된다. 경사 각도(θ1)는 약 5° 내지 약 175°로 변할 수 있다.
[0062] 동작(492)에서, 기판의 제2 구역이 제2 이온 빔 프로파일을 갖는 이온 빔에 노출된다. 제1 및 제2 이온 빔 프로파일들은 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 이온 빔 프로파일 및 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않다. 도 4e는 일 실시예에 따른, 이온 빔(206)에 노출된 기판(101)을 예시한다. 레지스트 층(402)의 패턴 피처들(408)의 제2 부분은, 기판(101)의 표면(405)에 평행한 제1 방향과 표면(405)에 수직인 제2 방향 사이에 정의되는 경사 각도(θ2)를 갖는다. 레지스트 층(402)의 패턴 피처들(406)의 제1 부분은 제1 경사 각도(θ1)를 가져서, 제2 빔 각도(α2)를 갖는 이온 빔(206)은 기판(101)의 제1 구역(a1) 상의 격자 재료(103)를 에칭하지 않는다. 그러나, 레지스트 층(402)의 패턴 피처들(408)의 제2 부분은 제2 경사 각도(θ2)를 가져서, 제2 빔 각도(α2)를 갖는 이온 빔(206)은 기판(101)의 제2 구역(a2) 상의 격자 재료(103)를 에칭한다. 따라서, 격자 재료(103)의 제2 구역(a2)만이 제거되고, 제2 복수의 격자들(218)만이 형성된다. 경사 각도(θ1)는 약 5° 내지 약 175°로 변할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 경사 각도(θ1)는 약 5° 내지 약 85°이고, 제2 경사 각도(θ2)는 약 95° 내지 약 175°이다.
[0063] 방법들(100, 200, 300, 400)로부터 하나 이상의 도파관 결합기들(128)(도 1b)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도파관 결합기(128)는 제1 복수의 격자들을 갖는 제1 디바이스들(104) 중 하나, 복수의 격자들을 갖는 제2 디바이스들(122) 중 하나, 및 제3 복수의 격자들을 갖는 제3 디바이스들(126) 중 하나를 포함한다.
[0064] 위에서 설명된 바와 같이, 패턴들을 형성하는 방법들이 제공된다. 방법은, 기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계, 레지스트 층으로 레지스트 재료를 패터닝하는 단계, 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계, 및 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계를 포함한다.
[0065] 패터닝된 레지스트 층을 사용하는 것은 넓은 영역에 걸쳐 이온 빔을 투사하는 것을 허용하며, 이는 종종 특정 영역에 이온 빔을 포커싱하는 것보다 더 쉽다. 패터닝된 레지스트의 엘리먼트들의 각도들은 패터닝된 레지스트 층의 엘리먼트들의 각도들과 유사한 이온 빔의 각도들에 대한 이온 에칭을 용이하게 한다. 다른 구역들은, 패터닝된 레지스트 층의 엘리먼트들의 각도들에 대한 이온 빔의 각도들의 미스매치로 인해 덜 패터닝된다.
[0066] 전술한 것이 본 개시내용의 예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 예들이 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 격자들을 형성하는 방법으로서,
    기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계 － 상기 레지스트 재료는 제1 디바이스 영역 및 제2 디바이스 영역을 가짐 －;
    레지스트 층으로 상기 레지스트 재료를 패터닝하는 단계;
    상기 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 상기 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제1 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제1 각도를 갖고, 상기 제1 이온 빔은 제1 이온 빔 프로파일을 가짐 －; 및
    상기 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 상기 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제2 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제2 각도를 갖고, 상기 제2 이온 빔은 제2 이온 빔 프로파일을 가짐 － 를 포함하며,
    상기 제1 이온 빔 프로파일 및 상기 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않은, 격자들을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 복수의 격자들은 제1 프로파일을 갖고,
    상기 제2 복수의 격자들은 제2 프로파일을 가지며, 그리고
    상기 제1 프로파일은 상기 제2 프로파일과 상이한, 격자들을 형성하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 프로파일은 계단형 프로파일(stepped profile)인, 격자들을 형성하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 프로파일은 경사진 프로파일인, 격자들을 형성하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 각도는 약 5° 내지 약 85°이고, 그리고
    상기 제2 각도는 약 95° 내지 약 175°인, 격자들을 형성하는 방법.
  6. 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법으로서,
    기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계 － 상기 레지스트 재료는 제1 디바이스 영역 및 제2 디바이스 영역을 가짐 －;
    레지스트 층으로 상기 레지스트 재료를 패터닝하는 단계 － 상기 패터닝하는 단계는 상기 레지스트 재료에 대해 마스크를 가압하는 단계를 포함함 －;
    상기 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 상기 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제1 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제1 각도를 갖고, 상기 제1 이온 빔은 제1 이온 빔 프로파일을 가짐 －; 및
    상기 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 상기 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제2 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제2 각도를 갖고, 상기 제2 이온 빔은 제2 이온 빔 프로파일을 가짐 － 를 포함하며,
    상기 제1 이온 빔 프로파일 및 상기 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않은, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 복수의 격자들은 제1 프로파일을 갖고,
    상기 제2 복수의 격자들은 제2 프로파일을 가지며, 그리고
    상기 제1 프로파일은 상기 제2 프로파일과 상이한, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 레지스트 재료를 패터닝하는 단계는 상기 레지스트 재료를 자외선(UV) 광에 노출시키는 단계를 포함하는, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 레지스트 재료를 패터닝하는 단계는 상기 레지스트 재료를 가열하는 단계를 포함하는, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  10. 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법으로서,
    기판 위에 배치된 격자 재료 상에 레지스트 재료를 증착시키는 단계 － 상기 레지스트 재료는 제1 디바이스 영역 및 제2 디바이스 영역을 가짐 －;
    제1 패턴 및 제2 패턴을 갖는 레지스트 층으로 상기 레지스트 재료를 패터닝하는 단계;
    상기 격자 재료에 제1 복수의 격자들을 형성하기 위해 제1 시간 기간 동안 상기 제1 디바이스 영역에 제1 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제1 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제1 각도를 갖고, 상기 제1 이온 빔은 제1 이온 빔 프로파일을 가짐 －; 및
    상기 격자 재료에 제2 복수의 격자들을 형성하기 위해 제2 시간 기간 동안 상기 제2 디바이스 영역에 제2 이온 빔을 투사하는 단계 － 상기 제2 이온 빔은 상기 기판의 표면에 대해 제2 각도를 갖고, 상기 제2 이온 빔은 제2 이온 빔 프로파일을 가짐 － 를 포함하며,
    상기 제1 패턴은 상기 제1 패턴의 표면에 대해 상기 제1 각도를 갖는 제1 복수의 패턴 피처들을 포함하고,
    상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴의 표면에 대해 상기 제2 각도를 갖는 제2 복수의 패턴 피처들을 포함하고, 그리고
    상기 제1 이온 빔 프로파일 및 상기 제2 이온 빔 프로파일 중 적어도 하나는 균일하지 않은, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 복수의 격자들은 제1 프로파일을 갖고,
    상기 제2 복수의 격자들은 제2 프로파일을 가지며, 그리고
    상기 제1 프로파일은 상기 제2 프로파일과 상이한, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 프로파일은 계단형 프로파일인, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 프로파일은 경사진 프로파일인, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 각도는 약 5° 내지 약 85°이고, 그리고
    상기 제2 각도는 약 95° 내지 약 175°인, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 이온 빔을 투사하는 단계는, 복수의 필터들을 갖는 플레이트로 상기 제1 이온 빔의 이온들을 필터링하는 단계를 포함하는, 하나 이상의 복수의 격자들을 형성하는 방법.
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