TW202235960A - 工作週期過渡區遮罩校正 - Google Patents

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Abstract

此處所述的實施例提供形成具有連續增加或減少的工作週期的光學元件結構之方法。一個實施例包括一種元件。元件包括複數個光學元件結構。複數個光學元件結構的各個光學元件結構包括複數個離散區。複數個離散區的各個離散區具有關鍵尺寸。元件進一步包括複數個過渡區，佈置於複數個離散區的兩個離散區之間。複數個過渡區的各個過渡區的關鍵尺寸橫跨複數個光學元件結構的各個光學元件結構的長度連續增加或減少。

Description

工作週期過渡區遮罩校正
本揭露案的實施例大致關於用於增強、虛擬及混合實境的光學元件。更具體而言，此處所述的實施例提供形成具有連續增加或減少的工作週期的光學元件結構之方法。
虛擬實境大致考量為電腦產生的模擬環境，其中使用者具有明顯的實體存在感。虛擬實境體驗可在3D中產生，且以頭戴固定的顯示器（HMD）檢視，例如眼鏡或具有近眼顯示面板作為鏡片的其他可穿戴顯示元件，以顯示取代實際環境的虛擬實境環境。
然而，增強實境能夠使得其中使用者仍可看穿眼鏡或其他HMD元件的顯示鏡片以檢視周遭環境的體驗，而仍亦看到產生用於顯示器且出現作為環境的部分的虛擬物件的影像。增強實境可包括任何類型的輸入，例如音頻及觸覺輸入，以及虛擬影像、圖像及視訊，而強化或增強使用者體驗的環境。作為新興技術，增強實境具有許多挑戰及設計限制。
一個此挑戰為在周圍環境上覆蓋地顯示虛擬影像。包括波導組合器的光學元件，例如增強實境波導組合器，及平面光學元件，例如元表面（metasurface），用以輔助影像的覆蓋。產生的光傳播穿過光學元件，直到光離開光學元件且覆蓋在周圍環境上。光學元件的光學元件結構包括多重離散區。然而，光藉由在兩個離散區之間突然的過渡而耗損，且因此減少光學元件的光學效能。
因此，本領域中需要形成具有連續增加或減少工作週期的光學元件結構的改善的方法。
在一個實施例中，提供一種元件。元件包括複數個光學元件結構。該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的一長度的一關鍵尺寸。該複數個光學元件結構的各個光學元件結構包括複數個離散區。元件進一步包括複數個過渡區，佈置於該複數個離散區的兩個離散區之間。該複數個過渡區的各個過渡區的該關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
在另一實施例中，提供一種元件。元件包括複數個光學元件結構。該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的一長度的一關鍵尺寸。該複數個光學元件結構的各個光學元件結構包括複數個離散區。元件進一步包括複數個過渡區，佈置於該複數個離散區的兩個離散區之間。該複數個過渡區的各個過渡區的該關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。該複數個光學元件結構的鄰接光學元件結構包括一間距。元件進一步包括一工作週期，以該複數個光學元件結構的該關鍵尺寸除以該間距界定。該工作週期橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
仍在另一實施例中，提供一種方法。方法包括編輯一設計文件。該設計文件相對應至一遮罩。該遮罩包括複數個開口。該複數個開口具有橫跨該複數個開口的一長度連續增加或減少的一寬度。方法進一步包括產生該遮罩。該遮罩待佈置於佈置於一基板上的一光阻上。方法進一步包括透過定位於該光阻上的該遮罩的該複數個開口使光通過。方法進一步包括顯影該光阻以形成一圖案化的光阻。該圖案化的光阻相對應至該遮罩的該複數個開口。方法進一步包括圖案化該基板或一元件材料，以形成複數個光學元件結構。該等光學元件結構相對應至該遮罩的該複數個開口。該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的一長度連續增加或減少的一關鍵尺寸。
本揭露案的實施例大致關於用於增強、虛擬及混合實境的光學元件。更具體而言，此處所述的實施例提供形成具有連續增加或減少的工作週期的光學元件結構之方法。在一個實施例中，提供一種元件。元件包括複數個光學元件結構。該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的一長度的一關鍵尺寸。該複數個光學元件結構的各個光學元件結構包括複數個離散區。元件進一步包括複數個過渡區，佈置於該複數個離散區的兩個離散區之間。該複數個過渡區的各個過渡區的該關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
第1圖圖示光學元件100的透視、正面視圖。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，光學元件100為波導組合器，例如增強實境波導組合器。在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，光學元件100為平面光學元件，例如元表面（metasurface）。光學元件100包括佈置於基板101中或上的複數個光學元件結構102。光學元件結構102可為奈米結構，具有次微米尺寸，例如奈米大小的尺寸，例如小於1 μm的關鍵尺寸。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個光學元件結構102的區域相對應至一或更多光柵104，例如第一光柵104a、第二光柵104b及第三光柵104c。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，光學元件100為波導組合器，而至少包括相對應至輸入耦合光柵的第一光柵104a及相對應至輸出耦合光柵的第三光柵104c。根據可與此處所述的其他實施例結合的實施例的波導組合器，可包括相對應至中間光柵的第二光柵104b。光學元件100的部分105在第2B圖中進一步說明。
在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，光學元件100為用於壓印處理的母片，例如奈米壓印光刻處理。在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，光學元件100例如透過直接蝕刻處理而直接圖案化。如此處所述，光學元件100為用於光學元件製作的壓印處理的母片的母片圖案之一者（例如，使用母片以形成光學元件的奈米壓印光刻），或光學元件（例如，波導組合器及平面光學元件）。如此處所述，光學元件100從元件材料或基板之至少一者形成。
在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，複數個光學元件結構102可從基板101形成。基板101可從任何適合的材料形成，前提為基板101在所欲的波長或波長範圍中可適當地傳輸光，且可供以作為用於此處所述的光學元件100的適當支撐件。在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，基板101的材料相較於複數個光學元件結構102的折射率具有相對低的折射率。基板的選擇可包括任何適合材料的基板，包括但非限於非晶介電質、非非晶介電質、結晶介電質、氧化矽、聚合物及其結合。在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，基板101包括透明材料。在一個範例中，基板101包括矽（Si）、二氧化矽（SiO 2）、鍺（Ge）、矽鍺（SiGe）、InP、GaAs、GaN、熔融的矽石、石英、藍寶石及高指標透明材料（high-index transparent material），例如高折射率玻璃。
在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，複數個光學元件結構102可從元件材料形成。元件材料佈置於基板101上。元件材料包括但非限於以下一或更多者：含有碳化矽（SiC）、碳氧化矽（SiOC）、二氧化鈦（TiO 2）、二氧化矽（SiO 2）、氧化釩（IV）（VOx）、氧化鋁（Al 2O 3）、鋁摻雜的氧化鋅（AZO）、銦錫氧化物（ITO）、二氧化錫（SnO 2）、氧化鋅（ZnO）、五氧化二鉭（Ta 2O 5）、氮化矽（Si 3N 4）、二氧化鋯（ZrO 2）、氧化鈮（Nb 2O 5）、錫酸鎘（Cd 2SnO 4） 或碳氮化矽（SiCN） 的材料，其結合，或其他適合的材料。
第2A圖根據此處所述的實施例，為複數個光學元件結構202的概要頂部視圖。複數個光學元件結構202包括複數個離散區204。如第2A圖中所顯示，複數個光學元件結構202具有第一離散區204a、第二離散區204b及第三離散區204c。儘管僅顯示複數個離散區204的三個離散區204，在複數個光學元件結構202中可包括不只三個離散區204。複數個光學元件結構202相對於複數個離散區204的鄰接離散區204之間的邊界可為平行、正交或具角度的。
複數個離散區204具有關鍵尺寸206。關鍵尺寸206為複數個光學元件結構202之各者的寬度。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，第一離散區204a具有第一關鍵尺寸206a，第二離散區204b具有第二關鍵尺寸206b，且第三離散區204c具有第三關鍵尺寸206c。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，關鍵尺寸206為介於約40 nm及約380 nm之間。
複數個光學元件結構202的鄰接光學元件結構202具有間距208。間距208為介於鄰接光學元件結構202的前沿邊緣之間的距離。在鄰接光學元件結構202之間的間距208橫跨複數個光學元件結構202的長度L保持恆定。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，間距208為介於約280 nm及約450 nm之間。
複數個光學元件結構202的鄰接光學元件結構202具有工作週期。工作週期藉由將學元件結構202的關鍵尺寸206除以間距208來決定。因此，複數個離散區204具有不同的工作週期。隨著關鍵尺寸206的改變，工作週期橫跨複數個光學元件結構202的長度L而改變。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個離散區204的工作週期為介於約0.2至約0.85之間。在複數個離散區204的鄰接離散區204之間的工作週期的差異為大於0.01。複數個離散區204的各個離散區204的關鍵尺寸206橫跨整個區為恆定的。關鍵尺寸206及在複數個離散區204之間的工作週期的差異導致減少的光學元件效能。
第2B圖為光學元件100的部分105的複數個光學元件結構102的概要頂部視圖。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個光學元件結構102為平面光學元件，例如元表面。在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，複數個光學元件結構102為波導組合器，例如增強實境波導組合器。根據可與此處所述的其他實施例結合的實施例的波導組合器可包括複數個光學元件結構102在至少一個光柵104中。仍在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，複數個光學元件結構102相對應至光學元件100的第一光柵104a、第二光柵104b或第三光柵104c。儘管僅顯示四個複數個光學元件結構102，一或更多個複數個光學元件結構102可佈置於光學元件100上。
複數個光學元件結構102具有關鍵尺寸206。關鍵尺寸206為複數個光學元件結構202之各者的寬度。複數個光學元件結構102包括複數個離散區204。如第2B圖中所顯示，複數個光學元件結構102具有第一離散區204a、第二離散區204b及第三離散區204c。儘管在第2B圖中顯示三個離散區204，在複數個光學元件結構102中可包括不只三個離散區204。第一離散區204a具有第一關鍵尺寸206a，第二離散區204b具有第二關鍵尺寸206b，且第三離散區204c具有第三關鍵尺寸206c。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個離散區204的各個離散區204具有橫跨複數個光學元件結構102的長度L連續增加或減少的關鍵尺寸206。在此實施例的一個範例中，如第2B圖中所顯示，第一關鍵尺寸206a、第二關鍵尺寸206b及第三離散區204c橫跨複數個光學元件結構102的長度L而增加。
複數個光學元件結構102進一步包括複數個過渡區210。複數個過渡區210佈置於複數個離散區204的兩個離散區204之間。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，第一過渡區210a佈置於第一離散區204a及第二離散區204b之間。第二過渡區210b佈置於第二離散區204b及第三離散區204c之間。儘管在第2B圖中顯示兩個過渡區210，在複數個光學元件結構102上可包括不只兩個過渡區210。
在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，在複數個過渡區210中的關鍵尺寸206橫跨複數個光學元件結構102的長度L連續增加或減少。舉例而言，關鍵尺寸206在第一過渡區210a中從第一關鍵尺寸206a至第二關鍵尺寸206b連續增加。此外，關鍵尺寸206在第二過渡區210b中從第二關鍵尺寸206b至第三關鍵尺寸206c連續增加。
複數個光學元件結構102的鄰接光學元件結構102具有間距208。間距208為介於鄰接光學元件結構102的前沿邊緣之間的距離。在鄰接光學元件結構102之間的間距208橫跨複數個光學元件結構102的長度L保持恆定。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，間距208為介於約280 nm及約450 nm之間。
複數個光學元件結構102的鄰接光學元件結構102具有工作週期。工作週期藉由將學元件結構102的關鍵尺寸206除以間距208來決定。隨著關鍵尺寸206的改變，橫跨複數個光學元件結構102的長度L增加或減少工作週期。因此，如第2B圖中所顯示，工作週期將橫跨長度L連續增加或減少。複數個光學元件結構102的關鍵尺寸206橫跨長度L連續增加或減少改善學元件100的光學效能。
第3A及3B圖為基板101的概要剖面視圖。第4圖為用於形成複數個光學元件結構102之方法400的流程圖。在操作401處，如第3A圖中所顯示，沉積光阻304。光阻304沉積於硬遮罩302上。光阻304對電磁輻射為敏感的。光阻304可為正或負的光阻。
正光阻包括光阻304的部分，而當暴露至輻射時，在使用電磁輻射將圖案寫入光阻304之後，分別可溶於施加至光阻304的光阻顯影劑。負光阻包括光阻304的部分，而當暴露至輻射時，在使用電磁輻射將圖案寫入光阻304之後，將分別可溶於施加至光阻304的光阻顯影劑。光阻304的化學成分決定光阻是否為正光阻或負光阻。光阻304的範例包括但非限於重氮萘醌、酚醛樹脂、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚（甲基戊二醯亞胺）及 SU-8之至少一者。硬遮罩302包括但非限於矽、氮化矽（SiN）、SiO、低k物、SiC、SiOC、SiCONH、TaO、BPSG、PSG、介電質、旋塗玻璃（SOG）或金屬合金，例如TiN。
在操作402處，如第3B圖中所顯示，圖案化光阻304。在圖案化光阻304之前，編輯設計文件。第3C圖為遮罩308的概要頂部視圖。如第3C圖中所顯示，設計文件相對應至待顯影的遮罩308。編輯設計文件使得遮罩308將包括橫跨長度L連續增加或減少的複數個開口310的寬度312。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，在設計文件上實行光學近場校正（OPC）步驟。OPC步驟用以符合複數個離散區204的關鍵尺寸206及複數個過渡區210的關鍵尺寸206。
產生遮罩308。產生遮罩308而具有複數個開口310相對應至待圖案化的複數個光學元件結構102。光通過在遮罩308中的複數個開口310以將光阻304暴露至電磁輻射。複數個開口310具有與待圖案化的複數個光學元件結構102相同或實質上相同的形狀。寬度312相對應至複數個光學元件結構102的關鍵尺寸206。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個開口310的各個開口310的寬度312大於沿著長度L的相對應點處的關鍵尺寸206。複數個開口310的各個開口310的寬度312大於沿著長度L的相對應點的處關鍵尺寸206，以考量在方法400期間相較於寬度312的關鍵尺寸206的減少。舉例而言，在光通過複數個開口310之後待形成的圖案化的光阻306將具有比各個開口310的寬度312更小的尺寸。在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，複數個開口310的各個開口310的寬度312小於沿著長度L的相對應點處的關鍵尺寸206。
如第3B圖中所顯示，在將光阻304暴露至電磁輻射之後，顯影光阻304以在硬遮罩302上留下圖案化的光阻306。在操作403處，蝕刻硬遮罩302。使用圖案化的光阻306，穿過在圖案化的光阻306中的開口圖案化蝕刻硬遮罩302。硬遮罩302包括但非限於氮化矽（SiN）、SiO、低k物、SiC、SiOC、SiCONH、TaO、BPSG、PSG、介電質、或金屬合金，例如TiN。
在操作404處，形成複數個光學元件結構102。複數個光學元件結構102藉由蝕刻基板101而形成。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，複數個光學元件結構102藉由蝕刻佈置於基板101上的元件材料而形成。基板101或元件材料透過在硬遮罩302中的開口而圖案蝕刻。如第2B圖中所顯示，複數個光學元件結構102包括複數個離散區204及複數個過渡區210。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，關鍵尺寸206橫跨複數個光學元件結構的長度L連續增加或減少。此外，在複數個離散區204及複數個過渡區210之間的工作週期橫跨長度L連續增加或減少。
綜上所述，茲揭露具有連續增加或減少的工作週期的形成光學元件結構之方法。光學元件結構之各者具有複數個過渡區佈置於兩個離散區之間。複數個過渡區的各個過渡區的關鍵尺寸橫跨各個光學元件結構的長度連續增加或減少。鄰接光學元件結構包括恆定的間距。以複數個光學元件結構的關鍵尺寸除以間距界定的工作週期橫跨各個光學元件結構的長度連續增加或減少。橫跨各個光學元件結構的長度連續增加或減少改善光學元件結構的光學效能。隨著兩個離散區之間的連續過渡而改善的效能允許光在光學元件中更有效地傳播。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇，且其範疇藉由以下請求項來決定。
100:光學元件 101:基板 102:光學元件結構 104:光柵 104a:第一光柵 104b:第二光柵 104c:第三光柵 105:部分 202:光學元件結構 204:離散區 204a:第一離散區 204b:第二離散區 204c:第三離散區 206:關鍵尺寸 206a:第一關鍵尺寸 206b:第二關鍵尺寸 206c:第三關鍵尺寸 208:間距 210:過渡區 210a:第一過渡區 210b:第二過渡區 302:硬遮罩 304:光阻 306:圖案化的光阻 308:遮罩 310:開口 312:寬度 400:方法 401:操作 402:操作 403:操作 404:操作
以此方式可詳細理解本揭露案以上所載特徵，且以上簡要概述的本揭露案的更特定說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示範例實施例，且因此不應考量為其範疇之限制，且可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據此處所述的實施例，為光學元件的透視、正面視圖。
第2A及2B圖根據此處所述的實施例，為複數個光學元件結構的概要頂部視圖。
第3A及3B圖根據此處所述的實施例，為基板的概要剖面視圖。
第3C圖根據此處所述的實施例，為遮罩的概要頂部視圖。
第4圖根據此處所述的實施例，為用於形成複數個光學元件結構之方法的流程圖。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。應考量一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:光學元件
102:光學元件結構
105:部分
202:光學元件結構
204:離散區
204a:第一離散區
204b:第二離散區
204c:第三離散區
206:關鍵尺寸
206a:第一關鍵尺寸
206b:第二關鍵尺寸
206c:第三關鍵尺寸
208:間距
210:過渡區
210a:第一過渡區
210b:第二過渡區

Claims (20)

  1. 一種元件，包含： 複數個光學元件結構，該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的一長度的一關鍵尺寸，該複數個光學元件結構的各個光學元件結構具有： 複數個離散區；及 複數個過渡區，佈置於該複數個離散區的兩個離散區之間，該複數個過渡區的各個過渡區的該關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
  2. 如請求項1所述之元件，其中該複數個光學元件結構相對應至一或更多光柵或一母片（master）的一母片圖案。
  3. 如請求項2所述之元件，其中該一或更多光柵包括一輸入耦合光柵、一輸出耦合光柵及一中間光柵。
  4. 如請求項1所述之元件，其中該複數個光學元件結構的鄰接光學元件結構的一間距為恆定的。
  5. 如請求項4所述之元件，其中以該複數個光學元件結構的該關鍵尺寸除以鄰接光學元件結構的該間距界定的一工作週期橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
  6. 如請求項5所述之元件，其中該間距為介於約280 nm及約450 nm之間。
  7. 如請求項1所述之元件，其中該複數個光學元件結構在一基板上形成，該基板包括以下一或更多者：矽（Si）、二氧化矽（SiO 2）、鍺（Ge）、矽鍺（SiGe）、InP、GaAs、GaN、熔融的矽石、石英、藍寶石及高指標透明材料（high-index transparent material）。
  8. 如請求項1所述之元件，其中該複數個光學元件結構以一元件材料形成，該元件材料包括以下一或更多者：含有碳化矽（SiC）、碳氧化矽（SiOC）、二氧化鈦（TiO 2）、二氧化矽（SiO 2）、氧化釩（IV）（VOx）、氧化鋁（Al 2O 3）、鋁摻雜的氧化鋅（AZO）、銦錫氧化物（ITO）、二氧化錫（SnO 2）、氧化鋅（ZnO）、五氧化二鉭（Ta 2O 5）、氮化矽（Si 3N 4）、二氧化鋯（ZrO 2）、氧化鈮（Nb 2O 5）、錫酸鎘（Cd 2SnO 4）或碳氮化矽（SiCN）的材料。
  9. 如請求項1所述之元件，其中該複數個離散區的一第一關鍵尺寸、一第二關鍵尺寸及一第三關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的該長度增加或減少。
  10. 一種元件，包含： 複數個光學元件結構，該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的一長度的一關鍵尺寸，該複數個光學元件結構的各個光學元件結構具有： 複數個離散區；及 複數個過渡區，佈置於該複數個離散區的兩個離散區之間，該複數個過渡區的各個過渡區的該關鍵尺寸橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少，該複數個光學元件結構的鄰接光學元件結構包括一間距；及 以該複數個光學元件結構的該關鍵尺寸除以該間距界定的一工作週期，該工作週期橫跨該複數個光學元件結構的各個光學元件結構的該長度連續增加或減少。
  11. 如請求項10所述之元件，其中該複數個光學元件結構相對應至一或更多光柵或一母片的一母片圖案。
  12. 如請求項10所述之元件，其中該間距為恆定的。
  13. 如請求項10所述之元件，其中該間距為介於約280 nm及約450 nm之間。
  14. 一種方法，包含以下步驟： 編輯一設計文件，該設計文件相對應至一遮罩，該遮罩包括複數個開口，該複數個開口具有橫跨該複數個開口的一長度連續增加或減少的一寬度； 產生該遮罩，該遮罩待佈置於佈置於一基板上的一光阻上； 透過定位於該光阻上的該遮罩的該複數個開口使光通過； 顯影該光阻以形成一圖案化的光阻，該圖案化的光阻相對應至該遮罩的該複數個開口；及 圖案化該基板或一元件材料，以形成複數個光學元件結構，該等光學元件結構相對應至該遮罩的該複數個開口，該複數個光學元件結構具有橫跨該複數個光學元件結構的一長度連續增加或減少的一關鍵尺寸。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該光阻佈置於一硬遮罩上，該硬遮罩佈置於一基板上。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該元件材料佈置於該基板及該硬遮罩之間。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：透過該圖案化光阻中的開口圖案化蝕刻該硬遮罩。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該元件材料包括以下一或更多者：含有碳化矽（SiC）、碳氧化矽（SiOC）、二氧化鈦（TiO 2）、二氧化矽（SiO 2）、氧化釩（IV）（VOx）、氧化鋁（Al 2O 3）、鋁摻雜的氧化鋅（AZO）、銦錫氧化物（ITO）、二氧化錫（SnO 2）、氧化鋅（ZnO）、五氧化二鉭（Ta 2O 5）、氮化矽（Si 3N 4）、二氧化鋯（ZrO 2）、氧化鈮（Nb 2O 5）、錫酸鎘（Cd 2SnO 4） 或碳氮化矽（SiCN） 的材料。
  19. 如請求項14所述之方法，其中該基板包括以下一或更多者：矽（Si）、碳化矽（SiC）、二氧化矽（SiO 2）、鍺（Ge）、矽鍺（SiGe）、InP、GaAs、GaN、熔融的矽石、石英、藍寶石及高指標透明材料。
  20. 如請求項14所述之方法，其中該複數個光學元件結構相對應至一或更多光柵或一母片的一母片圖案。
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