TW202035758A - 用於選擇性親水表面處理的臭氧 - Google Patents

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華 仲
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Abstract

提供用於工件的表面處理的程序。在一示例實施例中，方法可包含將工件置於處理室內的工件支座上。此方法可包含允許處理氣體進入處理室。處理氣體可包括臭氧氣體。此方法可包含曝露氮化矽層及低K介電層至處理氣體，以修飾氮化矽層的表面潤濕角。

Description

用於選擇性親水表面處理的臭氧 【優先權之主張】
本案請求2018年10月15日提申之發明名稱為「Ozone for Selective Hydrophilic Surface Treatment」的美國專利臨時申請案第62/745,523號的優先權，該案以參考案方式合併於本文。
本案一般關於工件(如半導體工件)的表面處理。
半導體工件的處理可能牽涉在基板上沈積及移除不同的材料層。隨著半導體裝置臨界尺寸縮小，在半導體處理中，裝置尺寸及材料厚度持續下降。在先進節點中，材料表面性質及界面完整性，對於半導體裝置的性能可能變得更加重要。表面親水性可能尤其重要，因為它影響表面對於下一個施加的材料層的黏附。
本案實施例的態樣及優點將在以下的描述中部份地提出、或可由該描述習得、或經由實施例的實行而習得。
本案示例態樣係針對一種用於工件表面處理的方 法。此工件可包含第一層體及第二層體。此方法可包含：安置工件於處理室內的工件支座上。此方法可包含：允許處理氣體進入該處理室。處理氣體可包含臭氧氣體。此方法可包含：曝露第一層體及第二層體至處理氣體，以修飾第一層體的表面潤濕角。
本案其他示例態樣係針對用於工件表面處理的系統、方法及設備。
許多實施例的這些及其他的特性、態樣、及優點，在參照下文描述及後附申請專利範圍之下，將得到更佳的瞭解。合併在說明書中並構成其一部份的附屬圖式，繪示了本案的實施例，並連同說明書描述用來解釋相關原理。
符號 英文 中文
50:Layer 層體
52:Liquid-vapor interface line 液-汽界面線
55:Material 材料
60:Workpiece 工件
62:Substrate layer 基板層
64:Silicon nitride layer 氮化矽層
66:Low-K dielectric layer 低K介電層
70:Photoresist layer 光阻層
100:Surface treatment process 表面處理程序
200:Surface treatment process 表面處理程序
216:Workpiece 工件
250:Processing chamber 處理室
252:Gas injection port 氣體注射埠
254:Workpiece support 工件支座
255:Interior volume 內容積
258:Temperature regulation system 溫度調節系統
270:Pump port 泵埠
300:Processing apparatus 處理設備
310:Processing chamber 處理室
312:Workpiece support 工件支座
314:Workpiece 工件
320:Plasma chamber 電漿室
322:Dielectric side wall 介電側壁
324:Ceiling 天花板
325:Plasma chamber interior 電漿室內部
328:Faraday shield 法拉第屏蔽
330:Induction coil 感應線圈
332:Matching network 匹配網路
334:RF power generator RF電力產生器
335:Inductively coupled plasma source 感應耦合電漿源
350:Gas supply 氣體供應器
351:Gas distribution channel 氣體分配通道
400:Separation grid assembly 分離格柵
410:First grid plate 第一格柵板
420:Second grid plate 第二格柵板
430:Gas injection source 氣體注射源
435:Third grid plate 第三格柵板
450:Processing gas 處理氣體
500:Method 方法
針對本技術領域具通常知識者的詳細實施例討論，係在參照附圖之下陳述於說明書中，圖中：
第一圖繪出依照本案示例實施例的示例性表面潤濕角修飾；
第二圖繪出依照本案示例實施例的示例表面處理程序的概圖；
第三圖繪出依照本案示例實施例的示例方法之流程圖；
第四圖繪出示例處理室，其經配置以實現依照本案示例表面處理方法；
第五圖繪出示例處理室，其經配置以實現依照本案示例表面處理方法；
第六圖繪出依照本案示例實施例，在分離格柵的示例性地臭氧氣體注射；及
第七圖繪出依照本案示例實施例的示例方法之流程圖。
現在詳細地參照實施例，其一或多個示例已在圖式中加以圖解。所提出各個示例是要解釋該等實施例，並非要做為本發明的限制。事實上，此技術領域具通常知識者應能輕易看出，可對實施例做出各種修改及變化而不會偏離本發明的範疇及精神。例如，經繪出或描述為某一實施例之某部分的特徵可配合另一具體實施例使用，以產生又更進一步的具體實施例。因此，本發明各態樣企圖涵蓋此等修改及變化。
本案示例態樣係針對表面處理方法，以影響工件(如半導體材料的半導體工件，例如半導體晶圓)的親水性。對於工件處理而言，表面親水性可能係重要的，因為它可影響被施加在工件表面上之層體的黏附。可藉由例如牽涉到濕化學及/或電漿處理(如曝照在電漿內所生自由基之下)的程序來處理表面親水性。然而，在處置非常薄的層體時，難以實行這些處理。例如，對於親水性處理而言，可能難以控制材料選擇性(如氮化矽材料對低K介電層)。如另一示例而言，可能難以控制處 理深度。再者，由於化學藥劑成本及較低的精準度控制，濕化學處理方法，相較於乾式處理方法，可能更加昂貴。
本案示例態樣係針對表面處理方法，其可提供選擇性的工件層體處理，以調整表面親水性。例如，可實行表面處理方法，以調整工件的氮化矽(如Si3N4)層相對於工件上其他層(如低K介電材料，如SiOC層)的表面親水性。
在一些實施例中，可曝露乾燥的臭氧氣體至工件，以降低氮化矽表面的表面潤濕角，同時保持低K介電材料表面潤濕角通常不變(如表面潤濕角小於約5度改變)。將工件曝露在臭氧氣體之下，可使得臭氧氣體如同氧化劑一般作用，利用氧來終結氮化矽層或膜的最頂部表面，將表面Si鍵轉變成Si-O鍵，以改善氮化矽層的表面親水性。然而，工件上其他層體/材料(如低K介電層)的表面親水性，可相對地維持不變。這在表面處理之後，可幫助附加層體(如光阻層)沈積在工件上。
依此方式，本案示例態樣可提供數個技術效果及優點。例如，依照本案示例態樣的表面處理方法，可透過乾式處理提供控制良好的選擇性表面處理，其在半導體體處理工業中臨界尺寸持續縮小之下可使用。
鑑於說明和討論目的，本案態樣係參照「工件」或「晶圓」來討論。使用本文所提供的揭露內容，本技術領域中具有通常知識者將理解到，本案示例態樣可與任何半導體基板或其他合適基板結合使用。又，結合數值來使用的術語 「約」，意圖指示所述數值的百分之十(10%)之內。「支架」係指任何可用來支撐工件的結構。低K介電材料可具有小於約3.0，如小於約2.5，如小於約2.2的介電常數。
第一圖繪出一示例層體50，其可與半導體材料(如半導體晶圓)的工件有關。例如，層體50可為氮化矽層。材料55(如光阻)可沈積在層體50上。材料55可具有親水性，以致材料具有表面潤濕角θ1。如第一圖中所示，表面潤濕角θ1(如接觸角)可定義成：液-汽界面線52相對於層體50頂表面的角度。如第一圖中所示，依照本案示例態樣，可在層體50上施行基於臭氧的親水性表面處理方法，將材料55的表面潤濕角從θ1調整為θ2。在此情況中，表面潤濕角θ2係小於表面潤濕角θ1，此意味著在層體50頂表面上，材料55更容易分布。
第二圖繪出依照本案示例態樣的示例基於臭氧的親水性表面處理程序100的概略圖式，此程序可在工件60上施行。如圖所示，工件60可包含基板層62(如矽基板層)及氮化矽層64。此工件也可包含低K介電層66(如SiOC層)。吾人期盼的是，在不影響低K介電層64性質之下，調整氮化矽層的表面潤濕角，以幫助附加層體(如光阻層)在工件60上沈積。
如第二圖所示，表面處理程序100可包含曝照工件60(包含氮化矽層64及低K介電層66)至處理氣體。處理氣體可包含臭氧氣體(O3氣體)。在一些實施例中，處理氣體可包含氧氣(O2氣體)。在一些實施例中，處理氣體可包含承載氣體，如 氮或惰氣(如氬、氦等)。
針對示例性基於臭氧的親水性表面處理程序的示例程序參數，提供如下：工件處理溫度：約25℃至約50℃
處理氣體：O3、O2及N2
臭氧氣體濃度：約0.1重量百分比至20重量百分比
O2氣體濃度：約80重量百分比至約99.9重量百分比
N2氣體濃度：約10ppm至1000ppm
處理期間：約5秒至約600秒
本案發明人已經發現，將工件60曝照至臭氧氣體可調整氮化矽層64的表面潤濕角，而不會大幅度地影響低K介電層66的表面潤濕角(表面潤濕角改變小於約5度)。換言之，將工件60曝露在臭氧氣體之下，相較於低K介電層，較大程度地修飾氮化矽層64的表面潤濕角。依此方式，將曝露工件60至臭氧氣體，可用來實行選擇性表面處理，以相對於低K介電層之下，選擇性地修飾氮化矽層的親水性。
在一示例中，已經顯示曝露氮化矽層至臭氧氣體可以修飾氮化矽層約表面潤濕角約20°至約0°。然而，低K介電層表面潤濕角的修飾可以小於約4度。
在實行表面處理程序100之後，可在工件60之上沈積附加的層體。例如，如第二圖中所示，光阻層70可沈積在工件60之上。藉由表面處理程序100的結果，光阻層70因為氮化 矽層64親水性質的修飾，而能更佳地沈積遍及在氮化矽64上。
為了說明及討論之目的，以相關於氮化矽層及低K介電層的選擇性處理來討論本案態樣。在一些實施例中，表面處理程序可在具有不同種類層體的工件上實行，而不違離本案範圍。
第三圖繪出依照本案示例態樣之關聯於基於臭氧的表面處理程序(200)的示例方法之流程圖。基於臭氧的表面處理程序(200)可在處理設備內實行，如任何本文所描述的處理設備。然而，如將於下文詳論，依照本案示例態樣的基於臭氧的表面處理方法，可運用其他途徑來完成，並不偏離本案範圍。為說明及討論，第三圖繪出以特定順序執行的步驟。本項技藝具通常知識者在利用本文提供的揭示內容之下，將理解到，本文所述方法任一者的許多步驟，可以用許多方式來省略、擴張、同時執行、重排、及/或修改，而不背離本案範圍。此外，可執行許多附加步驟(未示)，而不偏離本案範圍。
在(202)，此方法可包含將工件置於處理室內的工件支座(如支架)上。工件可為半導體晶圓。在一些實施例中，工件可包含氮化矽層及低K介電層。
第四圖繪出一示例處理室250，其可用來實行依照本案示例態樣的方法(200)。處理室250可包含內容積255，其配置來收容工件216。工件216可由工件支座254來支承。
在第三圖的(204)，此方法可包含加熱工件至處理 溫度。處理溫度可在約25℃至約500℃(如約150℃至約500℃)的範圍內。例如，參照第四圖，可使用關聯於工件支座254的溫度調節系統258，加熱工件。溫度調節系統258可包含置放在工件支座254上的加熱元件(如電阻加熱元件)。在一些實施例中，溫度調節系統258可包含一或更多流體通道，其可操作以循環流體通過工件支座254，進而加熱或冷卻工件216。也可使用其他合適的熱源，而不偏離本案範圍，如燈熱源、雷射、電漿熱源等。
在一些實施例中，控制系統可調整工件溫度至一溫度設定點。例如，可使用一或更多感測器(如高溫計、溫度感測器等)，以提供在表面處理方法期間，指示工件溫度的訊號。根據指示工件溫度的訊號，溫度調節系統258可加熱及/或冷卻工件，以調節工件溫度至溫度設定點。
在第三圖的(206)，此方法可包含允許處理氣體進入處理室。依照本案示例態樣，處理氣體可包含臭氧氣體(O3氣體)。在一些實施例中，處理氣體可額外包含氧氣(O2氣體)。在一些實施例中，處理氣體可額外包含承載氣體，如氮氣或惰氣。在一些實施例中，處理氣體內臭氧氣體濃度可在0.1重量百分比至20重量百分比範圍內，如0.5~5重量百分比範圍內。
第四圖繪出示例氣體注射埠252，其可用來允許處理氣體進入處理室內部255。也可使用其他合適的方法及/或設備，以允許處理氣體進入處理室，而不偏離本案範圍。例如， 處理氣體可透過蓮蓬頭或其他合適的氣體注射源進入。
在第三圖的(208)，此方法可包含，在一段處理期間內，曝露工件上的氮化矽層及低K介電層至處理氣體，其包含臭氧。此處理期間係氣體曝露到工件上的時間。在一些實施例中，處理期間可以在約5秒至約600秒的範圍內。在一些實施例中，處理期間可在約30秒至約90秒的範圍內。在處理期間後，可從處理室抽出處理氣體(如使用泵埠270)。
在一些實施例中，可使用脈衝模式來實行(206)及(208)。在脈衝模式中，可在一或多次脈衝中允許處理氣體進入且曝露至工件並從處理室清除。例如，處理氣體可曝露至工件於一段第一脈衝期間(如約1秒或更少)，然後從處理室清除。接著可重新允許處理氣體進入室內並曝露至工件一段第二脈衝期間(如約1秒或更少)，然後從處理室清除。可在規律性及/或不規律性間隔下發生脈衝。可重複脈衝，直到取得令人期盼的表面潤濕角時為止。這樣可允許在減少表面氧化之下，使用臭氧氣體及/或氧氣來實行表面處理程序。
在第三圖的(210)，此方法可包含在表面處理方法後執行附加方法。例如，此方法可包含沈積一層體在工件的氮化矽層及/或低K介電層上。例如，此層體可為光阻層。光阻層可在結合光罩下曝露至光線，以產生用於未來的半導體處理(如蝕刻處理)的硬遮罩。
第五圖繪出另一示例處理設備300，其可用來實行 依照本案示例實施例的表面處理程序。處理設備300係具有感應電漿源的電漿處理室。如圖所示，電漿處理設備300包含處理室310及與處理室310隔開的電漿室320。處理室310包含基板握持器或工件支座312，其可操作以握住待處理的工件314，如半導體晶圓。在本示例解說圖中，藉由感應耦合電漿源335可在電漿室320(即電漿產生區)內產出電漿，且令人期盼的物種係經由分離隔柵組合件400，從電漿室320引導至工件314的表面。
為了說明及討論，本案示例態樣係參照感應耦合電漿源來討論。本技術領域具通常知識者在利用本文所提供的揭示內容之下，將理解到可使用任何電漿源(如感應耦合電漿源、電容耦合電漿源等)，而不偏離本案範圍。
電漿室320可包含介電側壁322及天花板324。介電側壁322、天花板324及分離格柵400界定電漿室內部325。介電側壁322可由介電材料形成，如石英及/或氧化鋁(alumina)。感應耦合電漿源335可包含，圍繞電漿室320設置在介電側壁322旁的感應線圈330。可透過合適的匹配網路332，將感應線圈330耦合至RF電力產生器334。可從氣體供應器350及環形氣體分配通道351、或其他合適的氣體引進機制，提供處理氣體(如反應劑及/或承載氣體)至室內部。當利用RF電力(來自RF電力產生器334)來激發感應線圈330時，可在電漿室320內產生電漿。在一特定實施例中，電漿處理設備300可包含可選用的接 地法拉第屏蔽328，以降低感應線圈330及電漿的電容耦合。
如第三圖所示，分離格柵400將電漿室320及處理室310隔開。可使用分離格柵400，將離子從電漿室320內電漿所生的混合物中濾除，以生成已過濾的混合物。已過濾的混合物可曝露到處理室310內的工件314。
在一些實施例中，分離格柵400可為多板式分離格柵。例如，分離格柵400可包含彼此以平行關係隔開的第一格柵板410及第二格柵板420。第一格柵板410及第二格柵板420係以一距離相隔。
第一格柵板410可具有第一格柵式樣，其具有複數孔洞。第二格柵板420可具有第二格柵式樣，其具有複數孔洞。第一格柵式樣係可相同或相異於第二格柵式樣。帶電的微粒，在通過分離格柵400中各個第一格柵板410、420孔洞的路徑中的壁面上，可進行再結合。中性粒子(如自由基)可相對較自由地流動通過第一格柵板410及第二格柵板420中的孔洞。每一個格柵板410及420的孔洞尺寸及厚度，可影響帶電及中性粒子兩者的通透性。
在一些實施例中，第一格柵板410可由金屬(如鋁)或其他導電材料製成，及/或第二格柵板420可由導電材料或介電材料(如石英、陶瓷等)製成。在某些實施例中，第一格柵板410及/或第二格柵板420可由其他材料製成，如矽或碳化矽。在格柵板係由金屬或其他導電材料製成的情況下，格柵板可接 地。在一些實施例中，分離格柵400包含單一格柵板。在一些實施例中，分離格柵包含三片或更多的格柵板。
在一些實施例中，可使用第五圖的電漿處理設備300來實行第二圖的方法。例如，工件314可置放在工件支座312上。工件314可包含例如氮化矽層及低K介電層。利用例如溫度調整系統(如第五圖中所示)，如工件支座312中的加熱器、工件支座312中的流體通道、燈、雷射、或其他熱源，可加熱工件到處理溫度。可允許處理氣體450進入處理室310。處理氣體可包含臭氧氣體。在一些實施例中，處理氣體可包含氧氣及/或承載氣體，如氮或惰氣。
可允許處理氣體450從氣體分配通道315進入電漿室325。處理氣體450可從電漿室325經由分離格柵400，流動到處理室310，以曝露到依照本案示例實施例的工件314。在本實施例中，分離格柵400可作為蓮蓬頭，用於分配處理氣體450進入處理室310，進而相較於工件314均勻地分配處理氣體450。
可依照其他方式讓處理氣體進入室內而不偏離本案範圍，例如使用位在分離格柵400上(或下方)的氣體注射埠。例如，第六圖繪出依照本案示例實施例在分離格柵的示例處理氣體注射。更具體地，分離格柵400包含彼此以平行關係設置用於過濾離子/UV的第一格柵板410及第二格柵板420。
第一格柵板410及第二格柵板420彼此係平行關係。第一格柵板410可具有第一格柵式樣，其具有複數孔洞。 第二格柵板420可具有第二格柵式樣，其具有複數孔洞。第一格柵式樣係可相同或相異於第二格柵式樣。在第二格柵板420之後，可配置氣體注射源430，以允許氣體進入分離格柵。氣體可通過第三格柵板435來曝露至工件。在一些實施例中，從氣體注射源430注入的氣體可為臭氧氣體。臭氧氣體可注入通過分離格柵400的處理氣體的其他成分(如氧氣及/或承載氣體)中。在一些實施例中，可允許處理氣體(如臭氧氣體、氧氣、及/或承載氣體)從氣體注射源430進入分離格柵400中。
為了舉例的緣故，本例係參照具有三片格柵板的分離格柵進行討論。本項技藝中具有通常知識者，在利用本文所提供的揭示內容下，將理解可使用較多或較少的格柵板而不偏離本案範圍。又，氣體注射源430可位在相對於分離格柵400的其他位置，例如介於第一格柵板410及第二格柵板420之間、於第三格柵板435下方、或於整體分離格柵400下方。氣體注射源430可在相關於分離格柵400的任何角度之下注射氣體。
可利用曝露工件314至包含臭氧氣體的處理氣體來修飾工件314上氮化矽層的表面潤濕角。在一些實施例中，可配置處理設備以進行其他表面處理程序，進而處理其他工件層體。例如，可利用依照本案示例態樣的第一表面處理程序(如基於臭氧的表面處理程序)，在相對低K介電層之下，選擇性地修飾工件314上氮化矽層的表面潤濕角。可使用第二表面處理程序(如基於有機自由基的表面處理程序)，在相對於氮化矽層 下，選擇性地修飾低K介電層(如SiOC層)的表面潤濕角。可使用第三表面處理程序(如基於電漿的表面處理程序)同時修飾氮化矽層及低K介電層的表面潤濕角。
第七圖繪出依照本案示例態樣的示例方法(500)之流程圖。可使用電漿處理設備300來實行方法(500)。然而，如將於下文詳論，在不偏離本案揭露範圍，可使用其他途徑來實行依照本案示例態樣的基於有機自由基的表面處理程序。為了說明及討論，第七圖繪出以一特定順序執行的步驟。在利用本文提供的揭示內容之下，此技術領域中具通常知識者將明瞭，任何本文所述方法的各種步驟，可以各種方式省略、擴充、同時執行、重組、及/或修改，而不偏離本案範圍。又，可執行各種附加步驟(未示)，而不偏離本案範圍。
在(502)，此方法可包含將工件置於處理室內的工件支座(如支架)上。工件可為半導體晶圓。在一些實施例中，工件可包含氮化矽層及低K介電層。
例如，如第五圖中所示，可將工件314置於處理室310(其藉由分離格柵400而與電漿室325分隔)內的工件支座312上。工件314可包含至少一個氮化矽層及低K介電層(如SiOC)中。
在第七圖的(504)，此方法可包含進行基於臭氧的表面處理程序，以在相對於低介電層之下，選擇性地修飾氮化矽層的表面潤濕角。基於臭氧的表面處理程序可包含曝露工件 至包含臭氧的處理氣體。基於臭氧的表面處理程序可包含，例如，本文所討論牽涉到臭氧氣體的表面處理程序的一或更多步驟。
在(506)，此方法可包含進行基於有機自由基的表面處理程序(如基於甲基自由基的表面處理程序)，以在相對於氮化矽層之下，選擇性地修飾低K介電層的表面潤濕角。基於甲基自由基的表面處理程序，可曝露工件至利用電漿源產生的甲基自由基(如CH3自由基)。
例如，在一實施例中，可使用電漿源335在電漿室325內從處理氣體來感應出電漿。處理氣體可包含一或更多的烴分子。示例性烴分子可包含例如非環狀烷類CnH2n+2，其中n係大於或等於1及小於或等於10。例如，烴分子可包含非環狀烷類，如甲烷CH4、乙烷C2H6、丙烷或異丙烷C3H8等。(諸)烴分子可包含環狀烷類CnH2n，其中n係大於或等於5及小於或等於10。例如，(諸)烴分子可包含環狀烷類，如環戊烷C5H10、環己烷C6H12、甲基環己烷C7H14、二甲基環己烷C8H16、1,3,5-三甲基環己烷C9H18等。在一些實施例中，(諸)烴分子可包含烯類CnH2n，其中n係大於或等於1及小於或等於10，如乙烯C2H4、丙烯C3H6等。
電漿室325內所生的自由基或離子可通過分離格柵進行離子過濾。在一些實施例中，可使用分離格柵400(其將電漿室325及工件314所在的處理室310隔開)來過濾此一或更 多離子。例如，可使用分離格柵400來過濾由電漿生成的離子。分離格柵400可具有複數孔洞。帶電微粒(如離子)，在其通過此複數孔洞的路徑中的壁面上，可再結合。中性粒子(如自由基，如CH3自由基)可通過諸孔洞。
在一些實施例中，可配置分離格柵400，以大於或等於約90%，如大於或等於95%的效率，過濾離子。離子過濾的效率百分比係指：相對於混合物中的離子總數，從混合物中移除的離子數量。例如，約90%的效率係指在過濾期間濾除約90%的離子。約95%的效率係指在過濾期間移除約95%的離子。
通過分離格柵的有機自由基可曝露至工件314。有機自由基(如CH3自由基)可修飾低K介電層(如SiOC層)的表面潤濕角。
也可使用其他合適的可供曝露工件至有機自由基的表面處理程序。例如，可在電漿室325內使用電漿源335由惰氣(如氦氣)生成電漿。受激的惰氣分子可通過分離格柵400。可在分離格柵(或下方)注射烴氣進入此受激惰氣分子內。
烴氣可包含烴分子。示例性烴分子可包含(例如)：非環狀烷類CnH2n+2，其中n係大於或等於1及小於或等於10。例如，烴分子可包含非環狀烷類，如甲烷CH4、乙烷C2H6、丙烷或異丙烷C3H8等。(諸)烴分子可包含環狀烷類CnH2n，其中n係大於或等於5及小於或等於10。例如，(諸)烴分子可包含環狀烷類，如環戊烷C5H10、環己烷C6H12、甲基環己烷C7H14、二 甲基環己烷C8H16、1,3,5-三甲基環己烷C9H18等。在一些實施例中，(諸)烴分子可包含烯類CnH2n，其中n係大於或等於1及小於或等於10，如乙烯C2H4、丙烯C3H6等。
在分離格柵(或下方)注射烴分子，可生成一或更多有機自由基，如CH3自由基，以供曝露至工件314。此有機自由基可修飾工件314上低K介電層的表面潤濕角。
在(508)，此方法可包含進行基於電漿的表面處理程序，以曝露工件至氧自由基、氫自由基及/或氮自由基的一或更多者，進而修飾氮化矽層及低K介電層兩者的表面潤濕角。
例如在一實行例中，可使用電漿源335，在電漿室325內，由處理氣體感應電漿，進而生成離子及一或更多氧自由基、氫自由基及/或氮自由基。電漿室325內生成的自由基及離子可通過分離格柵400進行過濾。在一些實施例中，可使用分離格柵400(其將電漿室325及工件314所在的處理室310隔開)過濾此一或更多離子。例如，可使用分離格柵400過濾由電漿生成的離子。分離格柵400可具有複數孔洞。帶電粒子(如離子)，在其通過此複數孔洞的路徑中的壁面上可進行再結合。中性粒子(如自由基，如一或更多的氧自由基、氫自由基及/或氮自由基)可通過諸孔洞。
在一些實施例中，可配置分離格柵400，以大於或等於約90%，如大於或等於95%的效率，過濾離子。離子過濾 效率百分比係指：相對於混合物中的離子總數，從混合物中移除的離子數。例如，約90%的效率係指在過濾期間濾除約90%的離子。約95%的效率係指在過濾期間移除約95%的離子。
通過分離格柵400的氧自由基、氫自由基及/或自由氮基可曝露至工件314。氧自由基、氫自由基及/或氮自由基可修飾低K介電層(如SiOC層)及氮化矽層的表面潤濕角。
雖然本案標的已相關於其特定示範性具體實施例加以詳細描述，但應理解的是，本技術領域中具通常知識者，在瞭解前文之下，可輕易產生這些具體實施例的替換、變化以及等效物。因此，本說明書的範疇係舉例而非設限，且主題揭露並不排除納入對於本技術領域中具通常知識者係可輕易知悉的針對本發明標的之這類修改、變化及/或增添。
50:Layer 層體
53、57:Liquid-vapor interface line 液-汽界面線
55:Material 材料

Claims (20)

  1. 一種用於處理工件的方法，該工件包括一半導體材料，該工件包括一第一層體及一第二層體，該方法包括：
    將該工件安置於一處理室內的一工件支座上；
    允許一處理氣體進入該處理室，該處理氣體包括一臭氧氣體；
    曝露該第一層體及第二層體至該處理氣體，以修飾該第一層體的一表面潤濕角。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該第一層體係氮化矽層及該第二層體係低-K介電層。
  3. 如申請專利範圍第2項的方法，其中該低K介電層係SiOC層。
  4. 如申請專利範圍第2項的方法，其中該方法更包括，在該氮化矽層上沈積一光阻層。
  5. 如申請專利範圍第1項的方法，其中允許該臭氧氣體通過一分離格柵，該格柵將一電漿室與該處理室隔開。
  6. 如申請專利範圍第5項的方法，其中允許該臭氧氣體通過一或更多氣體注射埠進入該分離格柵。
  7. 如申請專利範圍第1項的方法，其中允許該臭氧氣體從位在一分離格柵下方的一氣體注射埠進入，該格柵將該處理室與一電漿室隔開。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法，其中曝露該第一層體及第 二層體至該處理氣體以修飾該第一層體的一表面潤濕角，發生在該工件處於一處理溫度時，該處理溫度係在約25℃至約500℃的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第8項的方法，其中該處理溫度係在約150℃至約500℃的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法，其中在該處理氣體內的臭氧氣體的一濃度係在約0.1重量百分比至約20重量百分比的範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項的方法，其中在該處理氣體內的臭氧氣體的一濃度係在約0.5重量百分比至5重量百分比的範圍內。
  12. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該處理氣體包含一承載氣體，該承載氣體係氮或一惰氣的一或多者。
  13. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該處理氣體包括一氧氣(O2氣體)。
  14. 如申請專利範圍第1項的方法，其中曝露該第一層體及第二層體至該處理氣體，以修飾該第一層體的一表面潤濕角一段處理期間，該處理期間係在約5秒至約600秒的範圍內。
  15. 如申請專利範圍第14項的方法，其中該處理期間係在約30秒至90秒的範圍內。
  16. 如申請專利範圍第1項的方法，其中允許一處理氣體進入該處理室，且曝露該第一層體及第二層體至該處理氣體以修飾 該第一層體的一表面潤濕角係在一脈衝模式下實行。
  17. 一種用於處理工件的方法，該工件包括一半導體材料，該工件包括一氮化矽層及一低K介電層，該方法包括：
    將該工件置於一處理室內的一工件支座上；
    在該工件上進行基於臭氧的的親水性表面處理程序，該基於臭氧的的親水性表面處理程序包括：
    允許一處理氣體進入該處理室，該處理氣體包括一臭氧氣體；
    在一處理期間內曝露該氮化矽層及低K介電層至該處理氣體，同時該工件係處在一處理溫度之下，以修飾該氮化矽層的一表面潤濕角，
    其中該處理氣體內該臭氧氣體的一濃度係在約0.1至約20重量百分比的範圍內；
    其中該處理溫度係在約25℃至約500℃的範圍內；及
    其中該處理期間係在約5秒至約600秒的範圍內。
  18. 如申請專利範圍第17項的方法，其中該方法包括在該工件上進行一基於有機自由基的表面處理程序，以修飾該低K介電層的一表面潤濕角。
  19. 如申請專利範圍第18項的方法，其中該基於有機自由基的表面處理程序包括曝露該低K介電層至一或更多甲基自由基。
  20. 如申請專利範圍第17項的方法，其中該方法包括在該工件上 進行一基於電漿的表面處理程序，以修飾該氮化矽層及低K介電層兩者的一表面潤濕角，該基於臭氧的親水性處理程序包括曝露該工件至一或更多氫自由基、氧自由基或氮自由基。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI842382B (zh) * 2023-01-13 2024-05-11 大陸商業桓科技（成都）有限公司 光學元件貼合溢膠的處理方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113471070B (zh) * 2020-05-22 2022-04-12 北京屹唐半导体科技股份有限公司 使用臭氧气体和氢自由基的工件加工
CN113782420B (zh) * 2021-08-05 2024-07-19 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆加工方法

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275798A (en) 1986-07-11 1994-01-04 Kyocera Corporation Method for producing diamond films
US4885067A (en) 1987-08-31 1989-12-05 Santa Barbara Research Center In-situ generation of volatile compounds for chemical vapor deposition
US5811022A (en) 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
US5926739A (en) * 1995-12-04 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method of promoting photoresist adhesion to an outer substrate layer predominately comprising silicon nitride
JPH09190979A (ja) 1996-01-10 1997-07-22 Nec Corp 選択シリコンエピタキシャル成長方法及び成長装置
DE19744060C2 (de) 1997-10-06 1999-08-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten
US6028015A (en) 1999-03-29 2000-02-22 Lsi Logic Corporation Process for treating damaged surfaces of low dielectric constant organo silicon oxide insulation material to inhibit moisture absorption
US6559070B1 (en) 2000-04-11 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Mesoporous silica films with mobile ion gettering and accelerated processing
US6251804B1 (en) * 2000-05-22 2001-06-26 United Microelectronics Corp. Method for enhancing adhesion of photo-resist to silicon nitride surfaces
JP4382265B2 (ja) * 2000-07-12 2009-12-09 日本電気株式会社 酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
US6521300B1 (en) * 2001-08-16 2003-02-18 United Microelectronics Corp. Method of a surface treatment in improving adhesion of an organic polymeric low-k dielectric layer
US6989108B2 (en) 2001-08-30 2006-01-24 Micron Technology, Inc. Etchant gas composition
US7541200B1 (en) 2002-01-24 2009-06-02 Novellus Systems, Inc. Treatment of low k films with a silylating agent for damage repair
US6677251B1 (en) 2002-07-29 2004-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for forming a hydrophilic surface on low-k dielectric insulating layers for improved adhesion
US20040154743A1 (en) 2002-11-29 2004-08-12 Savas Stephen E. Apparatus and method for low temperature stripping of photoresist and residues
CN101457338B (zh) 2003-02-14 2011-04-27 应用材料股份有限公司 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备
US7071077B2 (en) 2003-03-26 2006-07-04 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer
US20060081273A1 (en) 2004-10-20 2006-04-20 Mcdermott Wayne T Dense fluid compositions and processes using same for article treatment and residue removal
US20070054501A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Battelle Memorial Institute Process for modifying dielectric materials
US7642195B2 (en) 2005-09-26 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Hydrogen treatment to improve photoresist adhesion and rework consistency
US7901743B2 (en) 2005-09-30 2011-03-08 Tokyo Electron Limited Plasma-assisted vapor phase treatment of low dielectric constant films using a batch processing system
US7695567B2 (en) 2006-02-10 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Water vapor passivation of a wall facing a plasma
US20080009141A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 International Business Machines Corporation Methods to form SiCOH or SiCNH dielectrics and structures including the same
KR100821830B1 (ko) * 2006-12-26 2008-04-14 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｐ 공정후 세정시 저유전율 층간절연막에 발생하는워터마크 방지방법
JP2008166529A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Spansion Llc 半導体装置の製造方法
US7807579B2 (en) 2007-04-19 2010-10-05 Applied Materials, Inc. Hydrogen ashing enhanced with water vapor and diluent gas
KR100777043B1 (ko) 2007-05-22 2007-11-16 주식회사 테스 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
JP2008300643A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
US8252696B2 (en) * 2007-10-22 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Selective etching of silicon nitride
WO2009111719A2 (en) 2008-03-07 2009-09-11 Advanced Technology Materials, Inc. Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use
US7939389B2 (en) * 2008-04-18 2011-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201006021A (en) 2008-07-31 2010-02-01 Nat Univ Tsing Hua An organic field effect transistor and its manufacturing method
KR101357181B1 (ko) 2008-10-14 2014-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마-강화 화학적 기상 증착(ｐｅｃｖｄ)에 의해 등각성 비정질 탄소막을 증착하기 위한 방법
US8274084B2 (en) * 2008-11-26 2012-09-25 Palo Alto Research Center Incorporated Method and structure for establishing contacts in thin film transistor devices
US8043938B2 (en) * 2009-05-14 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate and SOI substrate
JP5522979B2 (ja) * 2009-06-16 2014-06-18 国立大学法人東北大学 成膜方法及び処理システム
US8501145B2 (en) 2009-07-12 2013-08-06 Mahmood Ghoanneviss Method for growing carbon nanowalls
US20110097904A1 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Lam Research Corporation Method for repairing low-k dielectric damage
US8603924B2 (en) 2010-10-19 2013-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming gate dielectric material
JP6133218B2 (ja) 2011-03-07 2017-05-24 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械平坦化パッドコンディショナー
US8492170B2 (en) * 2011-04-25 2013-07-23 Applied Materials, Inc. UV assisted silylation for recovery and pore sealing of damaged low K films
US9653327B2 (en) 2011-05-12 2017-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of removing a material layer from a substrate using water vapor treatment
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
JP5989119B2 (ja) 2011-08-19 2016-09-07 マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． プラズマリアクタ及びプラズマを生成する方法
KR101897062B1 (ko) 2012-05-31 2018-09-12 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
US8859430B2 (en) * 2012-06-22 2014-10-14 Tokyo Electron Limited Sidewall protection of low-K material during etching and ashing
WO2014013941A1 (ja) 2012-07-18 2014-01-23 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US8821987B2 (en) 2012-12-17 2014-09-02 Intermolecular, Inc. Combinatorial processing using a remote plasma source
US10006121B2 (en) 2013-03-14 2018-06-26 Eugene Technology Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing three-dimensional-structure memory device
US20150239759A1 (en) 2014-02-25 2015-08-27 Energy Onvector, LLC Microbubble Generator for Enhanced Plasma Treatment of Liquid
US9469912B2 (en) 2014-04-21 2016-10-18 Lam Research Corporation Pretreatment method for photoresist wafer processing
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10475626B2 (en) 2015-03-17 2019-11-12 Applied Materials, Inc. Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor
KR102148833B1 (ko) 2016-02-26 2020-08-28 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정
CN105870157B (zh) * 2016-05-30 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法
US10026647B2 (en) * 2016-12-12 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-metal fill with self-align patterning
US9837270B1 (en) 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
US10354883B2 (en) 2017-10-03 2019-07-16 Mattson Technology, Inc. Surface treatment of silicon or silicon germanium surfaces using organic radicals
DE102018206978A1 (de) 2018-01-26 2019-08-01 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
US20190362965A1 (en) * 2018-05-24 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Methods of patterning a wafer substrate
US11005014B2 (en) * 2018-07-30 2021-05-11 Facebook Technologies, Llc Optics formation using pick-up tools
US11043393B2 (en) 2019-01-17 2021-06-22 Mattson Technology, Inc. Ozone treatment for selective silicon nitride etch over silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI842382B (zh) * 2023-01-13 2024-05-11 大陸商業桓科技（成都）有限公司 光學元件貼合溢膠的處理方法

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