TW202033285A - 基板處理裝置、半導體製造裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明是關於一種洗淨及乾燥裝置。本發明是關於一種具備該裝置的半導體製造裝置。本發明是關於一種洗淨及乾燥的方法。基板處理裝置（1），具備：基板保持部（2），保持並旋轉基板（W）；噴射噴嘴（3），在基板保持部（2）所保持的基板（W）上，噴射惰性溶劑；溶劑回收部（4），回收惰性溶劑；成分分析部（5），分析溶劑回收部（4）所回收的惰性溶劑的成分；成分調整部（6），調整成分分析部（5）所分析的惰性溶劑的成分；溶劑供給部（7），將調整過成分的惰性溶劑供給至噴射噴嘴（3）；以及動作控制部（8），控制成分調整部（6）及溶劑供給部（7）的動作。

Description

基板處理裝置、半導體製造裝置及基板處理方法

本發明是關於一種處理基板，特別是洗淨及乾燥基板的裝置。本發明是關於一種具備該裝置的半導體製造裝置。本發明是關於一種處理基板，特別是洗淨及乾燥基板的方法。

在半導體製造工序中，使用研磨裝置將研磨液用於基板平坦化或除去基板上的膜，來研磨基板。基板洗淨使用洗滌洗淨、超音波洗淨、二流體洗淨等手段，對應除去對象（顆粒或金屬污染）使用具有酸性或鹼性的水溶液的藥液或超純水做為洗淨液。在使用藥液時，為了除去藥液成分，通常已知以超純水沖洗基板的方法。

做為基板的乾燥方法，已知以離心力甩脫洗淨後的基板上的超純水的旋轉乾燥法。此外，已知將IPA蒸氣吹抵基板上的中央部來使基板乾燥的方法，或將垂直放置浸漬於液體中的基板提升的同時將IPA蒸氣吹抵基板，使基板乾燥的方法。

[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2005－5469號公報 [專利文獻2]日本特開2005－123218號公報 [專利文獻3]日本特開2006－286948號公報 [專利文獻4]日本特開2013－179341號公報 [專利文獻5]日本特開2009－238939號公報 [專利文獻6]日本特開2009－267368號公報

[發明所欲解決的問題] 在基板處理工序後，為使基板容易乾燥，已知用揮發性高的惰性溶劑（例如參照專利文獻1）。因為使用上述惰性溶劑時，可省略以其他溶劑沖洗此惰性溶劑的工序，所以可短時間使基板乾燥。像這樣的惰性溶劑，通常導引至廢液處理設備來處理廢液。

但是，像這樣的惰性溶劑，比異丙醇（IPA）高價。因此，當使用丟棄惰性溶劑時，每一片基板的洗淨及乾燥處理程序費用會變高。

因此，本發明的目的在於提供一種可再利用惰性溶劑的基板處理裝置。 本發明的目的在於提供一種具備上述基板處理裝置的半導體製造裝置。 本發明的目的在於提供一種可再利用惰性溶劑的基板處理方法。

[解決問題的手段] 在一態樣中，提供一種基板處理裝置，具備：基板保持部，保持並旋轉基板；噴射噴嘴，在前述基板保持部所保持的基板上，噴射惰性溶劑；溶劑回收部，回收前述惰性溶劑；成分分析部，分析前述溶劑回收部所回收的惰性溶劑的成分；成分調整部，調整前述成分分析部所分析的惰性溶劑的成分；溶劑供給部，將調整過的前述成分的惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴；以及動作控制部，控制前述成分調整部及前述溶劑供給部的動作。

在一態樣中，前述溶劑回收部具備：溶劑液化裝置，回收並液化從前述噴射噴嘴所噴射並氣化的惰性溶劑；溶劑分離裝置，分離包含前述噴射噴嘴所噴射的液體狀的惰性溶劑與前述基板洗淨所使用的洗淨液的混合液，只從前述混合液回收前述惰性溶劑；以及溶劑回收槽，儲存前述溶劑液化裝置所液化的惰性溶劑及前述溶劑分離裝置所分離的惰性溶劑。 在一態樣中，前述惰性溶劑是氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合溶劑；前述成分分析部分析前述氟類溶劑與前述乙醇類溶劑的混合比例；前述成分調整部根據前述已分析的混合比例，調整前述混合比例。 在一態樣中，前述動作控制部根據前述成分分析部所分析的惰性溶劑的成分，判斷前述惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍；當前述惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時，為了調整前述惰性溶劑的成分，對前述成分調整部下指令。

在一態樣中，前述惰性溶劑是包含至少一氫氟醚類與氫氟烴類與乙醇類的溶劑。 在一態樣中，前述噴射噴嘴是供給前述惰性溶劑及惰性氣體的二流性噴嘴，或是供給賦予超音波的惰性溶劑的超音波噴嘴。

在一態樣中，提供一種半導體裝置，具備基板處理裝置，該基板處理裝置，具備：基板保持部，保持並旋轉基板；噴射噴嘴，在前述基板保持部所保持的基板上，噴射惰性溶劑；溶劑回收部，回收前述惰性溶劑；成分分析部，分析前述溶劑回收部所回收的惰性溶劑的成分；成分調整部，調整前述成分分析部所分析的惰性溶劑的成分；溶劑供給部，將調整過的前述成分的惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴；以及動作控制部，控制前述成分調整部及前述溶劑供給部的動作。

在一態樣中，提供一種基板處理方法，使基板保持部所保持的基板旋轉，並在前述基板上，以噴射噴嘴噴射惰性溶劑；回收前述惰性溶劑；分析前述已回收的惰性溶劑的成分；調整前述已分析的惰性溶劑的成分；以及將前述已調整成分的惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴。

在一態樣中，回收並液化從前述噴射噴嘴所噴射並氣化的惰性溶劑；分離包含前述噴射噴嘴所噴射的液體狀的惰性溶劑與前述基板洗淨所使用的洗淨液的混合液，只從前述混合液回收前述惰性溶劑；以及儲存前述已液化的惰性溶劑及前述已分離的惰性溶劑。 在一態樣中，前述惰性溶劑是氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合溶劑；分析前述氟類溶劑與前述乙醇類溶劑的混合比例；根據前述已分析的混合比例，調整前述混合比例。 在一態樣中，根據前述已分析的惰性溶劑的成分，判斷前述惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍；當前述惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時，調整前述惰性溶劑的成分。

在一態樣中，前述惰性溶劑是包含至少一氫氟醚類與氫氟烴類與乙醇類的溶劑。 在一態樣中，前述噴射噴嘴是供給前述惰性溶劑及惰性氣體的二流性噴嘴，或是供給賦予超音波的惰性溶劑的超音波噴嘴。

[發明效果] 基板處理裝置可回收、分析、調整從噴射噴嘴所噴射的惰性溶劑，再供給至噴射噴嘴。因此，基板處理裝置可以再利用惰性溶劑。

以下，參照圖式來說明關於本發明的實施形態。此外，在以下所說明的圖式中，相同或相當的構成要素賦予相同元件符號並省略重複說明。

第一圖表示基板處理裝置1的一實施形態的圖。如第一圖所示，基板處理裝置1具備：基板保持部2，保持基板W；噴射噴嘴3，在基板保持部2所保持的基板W上，噴射包含氟類溶劑的惰性溶劑；溶劑回收部4，回收惰性溶劑；成分分析部5，分析由溶劑回收部4所回收的惰性溶劑的成分；成分調整部6，調整由成分分析部5所分析的惰性溶劑的成分；溶劑供給部7，將成分調整部6所調整成分的惰性溶劑供給至噴射噴嘴3；以及動作控制部8，控制成分調整部6及溶劑供給部7的動作。

說明關於基板保持部2的結構。基板保持部2具備：旋轉夾頭10，水平保持基板W；夾頭支持軸11，固定於旋轉夾頭10；以及夾頭致動器12，連接於夾頭支持軸11。夾頭致動器12被構成為使基板W在其中心軸周圍旋轉，且升降基板W。夾頭致動器12具備：升降裝置，經由旋轉夾頭10及夾頭支持軸11使基板W升降；以及旋轉驅動裝置，經由旋轉夾頭10及夾頭支持軸11使基板W旋轉。升降裝置的一例可列舉滾珠螺桿與伺服馬達的組合。旋轉驅動裝置的一例可列舉馬達。此外，本申請案中，基板W包含角形基板、圓形基板。又，角形基板包含矩形等多角形的玻璃基板、液晶基板、印刷基板、其他多角形的電鍍對象物。圓形基板包含半導體晶圓、玻璃基板、其他圓形基板。

在旋轉夾頭10所保持的基板W的上方，配置有洗淨液供給噴嘴15、16。雖然在本實施形態中，配置有兩個洗淨液供給噴嘴，但洗淨液供給噴嘴的數量也不受限於本實施形態。洗淨液供給噴嘴15、16分別構成為供給洗淨液（例如藥液或純水）至基板W的上面（即表面或背面）。

在旋轉夾頭10的周圍，配置有處理杯20，阻止旋轉的基板W甩脫的液體。處理杯20配置成包圍基板W的周緣部，固定於旋轉夾頭10的下方所配置的支持板21。

噴射噴嘴3配置於旋轉夾頭10所保持的基板W的中心上方。噴射噴嘴3被安裝於在基板W半徑方向水平延伸的噴嘴臂25的一端。噴嘴臂25的另一端安裝有臂支持軸26。在臂支持軸26連接有噴嘴致動器27。

噴嘴致動器27被構成為使噴射噴嘴3在基板W半徑方向旋轉，且升降噴射噴嘴3。噴嘴致動器27具備：升降裝置，經由臂支持軸26及噴嘴臂25使噴射噴嘴3升降；以及搖動裝置，經由臂支持軸26及噴嘴臂25使噴射噴嘴3搖動。做為升降裝置的一例，可列舉滾珠螺桿與伺服馬達的組合。做為搖動裝置的一例，可列舉馬達。

如第一圖所示，動作控制部8電連接於夾頭致動器12及噴嘴致動器27，控制這些夾頭致動器12及噴嘴致動器27的個別動作。

噴射噴嘴3、旋轉夾頭10、夾頭支持軸11、洗淨液供給噴嘴15、16、處理杯20、支持板21、噴嘴臂25及臂支持軸26被配置於腔體30內部。

在腔體30的上部，配置有過濾風扇單元31。過濾風扇單元31具有空氣過濾器（未圖示）。 空氣通過空氣過濾器，顆粒等雜質從空氣中除去，清淨空氣從過濾風扇單元31往下方排出。因此，腔體30形成有清淨空氣的下降流。

在腔體30的內部，配置有電離器（除電裝置）32，從旋轉夾頭10所保持的基板W除去靜電。電離器32可向著旋轉夾頭10所保持的基板W照射離子。存在有電阻率低的惰性溶劑。在使用具有低電阻率的惰性溶劑的情況下，當基板W乾燥時，基板W可能帶電。結果，可能有雜質附著在基板W上。在本實施形態中，可防止基板W帶電。

在基板W洗淨時，夾頭致動器12使旋轉夾頭10所保持的基板W旋轉。在此狀態下，洗淨液供給噴嘴15、16將洗淨液供給至基板W的上面中央。供給至基板W的洗淨液因離心力擴張大基板W整個上面，結果，整個基板W被洗淨液覆蓋。

供給洗淨液後，噴射噴嘴3噴射惰性溶劑至基板W的上面中央。惰性溶劑是含有氟類溶劑與乙醇類溶劑的溶劑。在本實施形態中，惰性溶劑包含至少一氫氟醚類與氫氟烴類，以及乙醇類（例如異丙醇）的溶劑。做為氟類溶劑的一例，除了氫氟醚類及氫氟烴類之外，可列舉全氟碳類。

說明關於使用像這樣的惰性溶劑對於洗淨及乾燥基板所造成的效果。首先，對於基板洗淨的課題如下述。附著於基板的顆粒等雜質，是因對基板的液橋力或凡得瓦力所成之力而附著。為了除去此雜質，則施加比雜質附著力更強的除去力即可。

做為減弱雜質附著力的方法，想到控制供給基板的液體的氫離子指數（pH）的方法，或稍微蝕刻基板的方法。另一方面，做為提高除去力的方法，使用PVA海綿等接觸洗淨部件的洗滌洗淨方法、對液體賦予超音波振動的超音波洗淨方法、或將氣體液體的混合流體噴射至基板的二流體洗淨方法。

洗滌洗淨方法是控制基板與洗淨部件的相對速度、壓力的方法。超音波洗淨方法是控制超音波的頻率或輸出的方法。二流體洗淨方法是控制流體流速或流量的方法。像這樣的方法是提高對雜質的物理力，來提高雜質的除去力的方法。

但是，隨著半導體等製品的微小化，必須除去的雜質尺寸（顆粒尺寸）也變小。通常，當顆粒尺寸變小時，對於基板的雜質附著力會變小，但承受除去力的受壓面積也變小。隨著顆粒尺寸的變小，附著力之一的凡得瓦力與雜質粒徑成比例地變小，但除去力與粒徑的立方成比例地變小。因此，隨著顆粒尺寸縮小，雜質的附著力變得比除去力大。

對於基板乾燥的課題如下述。以離心力甩脫超純水的旋轉乾燥，會產生水印，這是一種缺陷。做為此對抗手段，有一種將IPA蒸氣吹抵於基板上的中央部，來使基板乾燥的方法。又，有一種將垂直放置地浸漬於液體中的基板提升的同時，並將IPA蒸氣吹抵基板，來使基板乾燥的方法。

在另一方面，隨著半導體等製品的微小化，必須抑制產生的水印也可以縮小了。做為抑制微小水印產生的方法，有使用液狀IPA的乾燥方法來取代使用IPA蒸氣。但是，在這樣的方法中，IPA的使用量大幅增加，變得需要有機廢液處理設施。再者，環保成本高，在安全對應上也需要裝置的防爆設計。結果隨著裝置結構的複雜化，裝置變得昂貴、大型化。

在本實施形態中，惰性溶劑是含有至少一氫氟醚類與氫氟烴類，以及乙醇類的溶劑。使用像這樣的惰性溶劑於基板洗淨所產生的效果如下述。

惰性溶劑具有其密度（1440kg/m³ （於25℃））與超純水（水：約997kg/m³ (於26.85℃)）的密度相比更大，或比具有酸性或鹼性的水溶液的藥液密度更大的性質。在惰性溶劑的液滴與上述液體（超純水或藥液）的液滴具有相同尺寸及相同流速的前提下，惰性溶劑的液滴所具有的衝力或運動能量，其液滴的密度越高則越大，上述惰性溶劑藉由其液滴與基板衝突，成為較大的雜質的除去力。

因此，與上述液體的除去力相比做為基板洗淨及乾燥用的液體的惰性溶劑，具有更大的除去力。結果，惰性溶劑比以往可以除去附著力更大的雜質或更小的尺寸的雜質。

惰性溶劑具有其表面張力（14.0mN/m）與超純水的表面張力（水：約72.75mN/m）相比更小，或比水溶液的藥液的表面張力更小的性質。因此，使用惰性溶劑做為基板洗淨用的液體時，液體的分界層厚度變薄，即使對附著於基板的小尺寸雜質（尺寸小到足以埋沒在上述液體分界層的雜質）也可以賦予動態壓力。結果，惰性溶劑可以除去比以往尺寸更小的雜質。

使用上述惰性溶劑於基板乾燥所造成的效果如下述。因為上述惰性溶劑含有乙醇類，所以藉由供給惰性溶劑至基板，可以使殘留的些微水分溶解於惰性溶劑中的乙醇類，可從基板上除去水分。結果，惰性溶劑也可以抑制微小水印的產生。

上述惰性溶劑具有其密度（1440kg/m³ ）比上述液體（超純水或具有酸性或鹼性的水溶液的藥液）的密度更大的性質。因此，在以離心力甩脫液體的旋轉乾燥工序中，作用於惰性溶劑的離心力變大，結果，可迅速甩脫惰性溶劑。

惰性溶劑具有其汽化熱低（126kJ/kg）（做為參考，水：約2,250kJ/kg）的性質。因此，附著於基板上面的惰性溶劑的殘留部分迅速蒸發，可迅速從基板上面上除去。相較於以往技術的將IPA蒸氣吹抵於氣體與液體的界面來逐漸擴張乾燥範圍的方法，藉由使用惰性溶劑，可在短時間結束乾燥工序，有助於提高裝置的生產率。

如此，關於本實施形態的惰性溶劑，在洗淨工序及乾燥工序中可達成大效果。但是，如上述，像這樣的惰性溶劑非常昂貴。因此，在本實施形態的基板處理裝置1，具有可再利用惰性溶劑的結構。

說明關於溶劑回收部4的結構。溶劑回收部4具備：溶劑液化裝置35，回收並液化從噴射噴嘴3噴射，已汽化的惰性溶劑（即汽化溶劑）；溶劑分離裝置36，分離包含從噴射噴嘴3噴射的液體狀惰性溶劑（即液體溶劑）與使用於基板W洗淨的洗淨液的混合液，從此混合液僅回收惰性溶劑；以及溶劑回收槽37，儲存溶劑液化裝置35所液化的惰性溶劑及溶劑分離裝置36所分離的惰性溶劑。上述洗淨液是包含從洗淨液供給噴嘴15、16供給的純水及藥液中至少一者的液體。

溶劑液化裝置35具備：排氣管線40，傳送在腔體30內部汽化的惰性溶劑；以及冷卻單元41，連接於排氣管線40。排氣管線40具有：吸氣口40a，配置於腔體30內部；以及排氣口40b，配置於腔體30外部。排氣管線40的吸氣口40a配置在旋轉夾頭10的下方，並配置在處理杯20的半徑方向內側。

汽化溶劑通過吸氣口40a流入排氣管線40，在排氣管線40移動。冷卻單元41冷卻在排氣管線40移動的汽化溶劑，將汽化溶劑液化。更具體來說，冷卻單元41具備：冷卻管42，循環冷卻液；以及溫度調整裝置43，調整在冷卻管42流動的冷卻液溫度。

如第一圖所示，動作控制部8電連接於溫度調整裝置43。動作控制部8對溫度調整裝置43下指令，來調整在冷卻管42流動的冷卻液溫度。在本實施形態中，溫度調整裝置43遵照來自動作控制部8的指令，將冷卻液的溫度調整成比惰性溶劑的沸點更低的溫度。

在排氣管線40移動的汽化溶劑接觸冷卻管42而被液化。液化的惰性溶劑通過液化溶劑傳送管線44而被送到溶劑回收槽37。溶劑回收槽37是儲存再利用的惰性溶劑的槽，液化溶劑傳送管線44被連接於溶劑回收槽37。未被液化的汽化溶劑或從過濾風扇單元31排出的清淨空氣等的混合氣體，通過排氣口40b被送到外部（例如排氣設備）。

溶劑分離裝置36具備：回收管線45，具有配置在腔體30內部的入口45a；以及連續離心分離機46，被連接於回收管線45。回收管線45的入口45a配置於比旋轉夾頭10更低的位置，並配置於處理杯20的半徑方向內側。腔體30是設有排氣管線40及回收管線45的密閉空間。

在基板W洗淨及乾燥時，當洗淨液供給噴嘴15、16供給洗淨液至旋轉的基板W，則洗淨液從旋轉的基板被甩脫。此洗淨液被處理杯20捕捉，在處理杯20的內周面上往下方流動。同樣地，當噴射噴嘴3供給惰性溶劑至基板Ｗ，惰性溶劑從旋轉的基板被甩脫。此惰性溶劑被處理杯20捕捉，在處理杯20的內周面上往下方流動。

在處理杯20的內周面上向下方流動的惰性溶劑及洗淨液，做為混合液，通過回收管線45的入口45a流入回收管線45。流入回收管線45的混合液（惰性溶劑及洗淨液）被導引至連續離心分離機46，被連續離心分離機46分離成惰性溶劑與洗淨液。洗淨液被送到外部（例如廢液設備）。惰性溶劑通過分離溶劑傳送管線47被送到溶劑回收槽37。分離溶劑傳送管線47連接於溶劑回收槽37。

說明關於成分分析部5的結構。如上述，惰性溶劑是氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合溶劑。成分分析部5構成為分析氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例。在本實施形態中，成分分析部5具備：質量檢測器50，檢測溶劑回收槽37所儲存的惰性溶劑的質量；液面檢測器51，液面檢測溶劑回收槽37所儲存的惰性溶劑的液面；以及混合比例演算部52，根據質量檢測器50及液面檢測器51所檢測的值，演算氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例。

如第一圖所示，質量檢測器50及液面檢測器51電連接於混合比例演算部52。混合比例演算部52具備：記憶裝置52a，存放程式；以及處理裝置52b根據程式執行演算。質量檢測器50檢測溶劑回收槽37及惰性溶劑的總質量。記憶裝置52a預先記憶溶劑回收槽37的質量。處理裝置52b藉由從質量檢測器50所檢測的總質量減去溶劑回收槽37的質量，演算儲存在溶劑回收槽37的惰性溶劑的質量。

記憶裝置52a預先記憶溶劑回收槽37的尺寸（即體積），處理裝置52b從液面檢測器51所檢測的惰性溶劑的液面與溶劑回收槽37的尺寸的關係，演算惰性溶劑的容量。處理裝置52b根據從質量檢測器50及液面檢測器51送出的值，演算氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例。

因為氟類溶劑的密度與乙醇類溶劑的密度差大，所以當氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例變化，惰性溶劑的質量與惰性溶劑的體積關係也會變化。因此，記憶裝置52a將氟類溶劑的成分（即氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例）與惰性溶劑的質量與惰性溶劑的容量之間的相關關係做為資料庫來記憶。

處理裝置52b從液面檢測器51所檢測的惰性溶劑的液面來算出的惰性溶劑的容量與質量檢測器50所檢測的惰性溶劑的質量的關係，算出氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例。

在本實施形態中，混合比例演算部52被組裝於動作控制部8，但也可以與動作控制部8個別設置。在此情況下，混合比例演算部52電連接於動作控制部8。

在一實施形態中，成分分析部5也可以具備成分計（圖未顯示）來取代設置質量檢測器50、液面檢測器51及合比例演算部52。做為成分計的一例，可列舉層析裝置(色譜儀?)或折射率感測器。成分計是用來分析溶劑回收槽37內的惰性溶劑的成分，測量氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例的裝置。成分計電連接於動作控制部8。

在基板W的洗淨及乾燥時，具有預定混合比例的惰性溶劑被噴射至基板W。但是，溶劑回收槽37內的惰性溶劑的混合比例有偏離預定混合比例之虞。因此，動作控制部8構成為對成分調整部6發出指令，根據成分分析部5所分析的惰性溶劑的成分（混合比例），判斷惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍，當惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時，調整惰性溶劑的成分。

說明關於成分調整部6的結構。成分調整部6根據已分析的混合比例，調整氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合比例。更具體來說，成分調整部6具備：氟類溶劑供給源55與乙醇類溶劑供給源56。這些氟類溶劑供給源55與乙醇類溶劑供給源56分別電連接於動作控制部8，遵照來自動作控制部8的指令，構成為分別供給氟類溶劑與乙醇類溶劑至溶劑回收槽37內。

例如，氟類溶劑的濃度比預定管理範圍小的情況下（即比管理範圍的下限值更小的情況下），動作控制部8對於成分調整部6發出用來提高氟類溶劑的濃度的指令。成分調整部6的氟類溶劑供給源55接受此指令，供給氟類溶劑至溶劑回收槽37內。如此進行，成分調整部6提高氟類溶劑的濃度成氟類溶劑的濃度在預定管理範圍內。

例如，氟類溶劑的濃度比預定管理範圍大的情況下（即比管理範圍的上限值更大的情況下），動作控制部8對於成分調整部6發出用來降低氟類溶劑的濃度的指令。成分調整部6的乙醇類溶劑供給源56接受此指令，供給乙醇類溶劑至溶劑回收槽37內。如此進行，成分調整部6降低氟類溶劑的濃度成氟類溶劑的濃度在預定管理範圍內。

也可以預先決定與氟類溶劑的濃度的管理範圍的偏差，與氟類溶劑的供給量的關係。在此情況下，動作控制部8也可以將從此關係決定的量的乙醇類溶劑供給至溶劑回收槽37內的惰性溶劑。動作控制部8也可以將從此關係決定的量的氟類溶劑供給至溶劑回收槽37內的惰性溶劑。

在一實施形態中，氟類溶劑供給源55也可以具備設有液位計的氟類溶劑槽（圖未顯示）。液位計電連接於動作控制部8。動作控制部8也可以構成為在氟類溶劑槽內的氟類溶劑的液位在預定位置下時發出警報。藉由此結構，作業者可迴避氟類溶劑供給不足的狀況。雖然圖未顯示，但乙醇類溶劑供給源56也可以具有相同的結構。

說明關於溶劑供給部7的結構。溶劑供給部7具備：供給管線60，連接於溶劑回收槽37及噴射噴嘴3；泵裝置61，通過供給管線60將溶劑回收槽37內的惰性溶劑送到噴射噴嘴3；過濾器62，捕捉在供給管線60流動的惰性溶劑所包含的異物；以及流量調整閥63，調整在供給管線60流動的惰性溶劑的流量。做為流量調整閥63的一例，可列舉電磁閥。

泵裝置61是在供給管線60流動的惰性溶劑的流動方向上配置於過濾器62的上游側，流量調整閥63配置於過濾器62的下游側。泵裝置61電連接於動作控制部8。動作控制部8藉由其指令驅動泵裝置61。流量調整閥63電連接於動作控制部8。動作控制部8藉由其指令調整流量調整閥63的開度。

如第一圖所示，動作控制部8具備：記憶裝置8a，存放程式；以及處理裝置8b，根據程式執行演算。上述管理範圍被記憶在記憶裝置8a。由電子計算機所構成的動作控制部8，根據電性存放於記憶裝置8a的程式來動作。

第二圖表示動作控制部8進行的處理流程圖。如第二圖所示，動作控制部8比較成分分析部5所分析的惰性溶劑的成分與預定管理範圍（參照步驟S101），判斷惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍（參照步驟S102）。當惰性溶劑的成分在預定管理範圍內時（參照步驟S102的「否」），動作控制部8對溶劑供給部7（更具體來說是泵裝置61及流量調整閥63）發出指令，來供給預定量的惰性溶劑至噴射噴嘴3（參照步驟S103）。

當惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時（參照步驟S102的「是」），動作控制部8對成分調整部6發出指令，來調整溶劑回收槽37內的惰性溶劑的成分（參照步驟S104）。之後，動作控制部8執行與步驟S101、步驟S102同樣的動作。

用來使動作控制部8執行這些步驟的程式，記錄在非暫時有形物的電子計算機可讀記錄媒體，經由記錄媒體提供至動作控制部8。或者是，程式也可以經由網際網路或區域網路等通訊網路來輸入至動作控制部8。

動作控制部8也可以在每次處理預定單位的基板W時執行上述步驟。預定單位也可以是一片，也可以是複數片。在成分調整部6完成惰性溶劑的成分調整之前，為了防止惰性溶劑無法供給至噴射噴嘴3的狀況產生，上述步驟以一定的時間間隔執行，以使得動作控制部8在溶劑回收槽37內的惰性溶劑成分總是在預定管理範圍內。

根據本實施形態，基板處理裝置1可回收、分析、調整從噴射噴嘴3噴射的惰性溶劑，並再次供給至噴射噴嘴3。如此，因為基板處理裝置1使惰性溶劑在腔體30內部與外部之間循環，所以可再利用惰性溶劑。

溶劑回收部4回收供給至基板W的惰性溶劑，成分分析部5分析已回收的惰性溶劑的成分，成分調整部6調整已分析的惰性溶劑的成分，溶劑供給部7將已調整成分的惰性溶劑供給至噴射噴嘴3。基板處理裝置1可藉由像這樣相對簡單的結構容易地回收惰性溶劑。

惰性溶劑具有其密度（1440kg/m³ （於25℃））比超純水（水：約997kg/m³ (於26.85℃)）的密度或具有酸性或鹼性的水溶液的藥液密度更大的性質。因此，即使洗淨液與惰性溶劑混合，使用小型的連續離心分離機46，也可以容易地分離及回收惰性溶劑。

惰性溶劑具有其沸點為54.5℃左右的性質。如此，因為惰性溶劑相對低溫，所以基板處理裝置1在排氣管線40的途中，藉由冷卻單元41使汽化溶劑凝結，可將汽化溶劑液化。如此，基板處理裝置1可藉由相對簡單的結構容易地回收惰性溶劑。

因為藉由設置過濾器62，可除去混入惰性溶劑的異物，所以可清淨化至可再利用惰性溶劑的程度。由於惰性溶劑做為液狀，熱穩定性及化學穩定性優越，所以藉由適當調整乙醇類溶劑的濃度，可半永久地使用。又，因為惰性溶劑不具有閃火點，所以也不需要在裝置側的防爆設計，裝置的設計形式也迴避複雜化或昂貴。相較於使用液狀IPA的乾燥方法，因為IPA使用量大幅減少，不需要設置有機廢液處理專用的廢液處理設備，可以減少廢液處理費用。

第三圖表示基板處理裝置1的其他實施形態的圖。沒有特別說明的本實施形態的結構，與上述實施形態一樣，所以省略其重複說明。

在第三圖所示的實施形態，噴射噴嘴3是供給惰性溶劑及惰性氣體的二流體噴嘴。具體來說，如第三圖所示，基板處理裝置1具備：氣體管線70，連接於噴射噴嘴3；惰性氣體供給源71，連接於氣體管線70；以及流量調整閥72，調整在氣體管線70流動的惰性氣體流量。做為流量調整閥72的一例，可列舉電磁閥。流量調整閥72電連接於動作控制部8，動作控制部8可調整流量調整閥72的開度。

做為供給至噴射噴嘴3的惰性氣體的一例，可列舉氮氣。做為二流體噴嘴的噴射噴嘴3，供給二流體噴流至基板W的上面，結果，基板W的上面被二流體噴流洗淨。在一實施形態中，噴射噴嘴3也可以是供給賦予超音波的惰性溶劑的超音波噴嘴。

氟類溶劑為高密度，以二流體噴流的流速，洗淨能力變得太高，可能會對基板W造成損傷。因此，流量調整閥63的開度與流量調整閥72的開度的關係，也可以做為二流體洗淨的處理配方，引進至動作控制部8。藉由如此結構，可調整二流體洗淨的處理配方。

如第三圖所示，基板處理裝置1具備：惰性溶劑供給裝置75，通過供給管線60供給新的惰性溶劑至噴射噴嘴3。惰性溶劑供給裝置75是配備在供給至噴射噴嘴3的惰性溶劑的供給量不足的情況下，為了輔助供給新的惰性溶劑而設置。

惰性溶劑供給裝置75具備：引進管線76，連接於供給管線60；惰性溶劑供給源77，連接於引進管線76；以及流量調整閥78，調整在引進管線76流動的新的惰性溶劑的容量。做為流量調整閥78的一例，可列舉電磁閥。流量調整閥78電連接於動作控制部8，動作控制部8可調整流量調整閥78的開度。

在供給至噴射噴嘴3的惰性溶劑的供給量不足的情況下，動作控制部8調整流量調整閥78的開度，從惰性溶劑供給源77供給新的惰性溶劑至噴射噴嘴3。根據本實施形態，設有惰性溶劑供給裝置75。因此，在成分調整部6結束惰性溶劑的成分調整為止，不會產生無法供給惰性溶劑至噴射噴嘴3的狀況。

第四圖表示基板處理裝置1的另一其他實施形態的圖。未特別說明的本實施形態的結構，與上述實施形態相同，所以省略其重複說明。在第四圖中，描繪溶劑回收部4的其他實施形態。如第四圖所示，溶劑回收槽37具備成分調整槽80與溶劑供給槽81。氟類溶劑供給源55及乙醇類溶劑供給源56分別構成為供給各氟類溶劑及乙醇類溶劑至成分調整槽80。質量檢測器50及液面檢測器51設於成分調整槽80。供給管線60連接於溶劑供給槽81。

成分調整槽80及溶劑供給槽81通過連接管線82連接，連接管線82連接有泵裝置83。因此，泵裝置83藉由其驅動，可將成分調整槽80內的惰性溶劑通過連接管線82送到溶劑供給槽81。

動作控制部8藉由成分調整部6判斷惰性溶劑的成分在預定管理範圍內時，驅動泵裝置83，將成分調整槽80內的惰性溶劑送到溶劑供給槽81。根據本實施形態，設有成分調整槽80及溶劑供給槽81。因此，在成分調整部6結束惰性溶劑的成分調整之前，不會發生噴射噴嘴3不能供給惰性溶劑的狀況。

第五圖表示基板處理裝置1的又一其他實施形態的圖。未特別說明的本實施形態的結構，與上述實施形態相同，所以省略其重複說明。在第五圖中，描繪溶劑回收部4、成分分析部5以及成分調整部6的其他實施形態。

如第五圖所示，溶劑回收部4具備複數個（本實施形態為兩個）溶劑回收槽37A、37B。成分分析部5具備複數個（本實施形態為兩個）質量檢測器50A、50B與複數個（本實施形態為兩個）液面檢測器51A、51B。質量檢測器50A、50B的數量對應溶劑回收槽37A、37B的數量，液面檢測器51A、51B的數量也是對應溶劑回收槽37A、37B的數量。

成分調整部6具備複數個（本實施形態為兩個）氟類溶劑供給源55A、55B與複數個（本實施形態為兩個）乙醇類溶劑供給源56A、56B。氟類溶劑供給源55A、55B的數量對應溶劑回收槽37A、37B的數量，乙醇類溶劑供給源56A、56B的數量也是對應溶劑回收槽37A、37B的數量。

如第五圖所示，在液化溶劑傳送管線44安裝有切換閥90，在切換閥90安裝有第一液化溶劑分歧管線44a及第二液化溶劑分歧管線44b。第一液化溶劑分歧管線44a將冷卻單元41所液化的惰性溶劑送到溶劑回收槽37A，第二液化溶劑分歧管線44b將冷卻單元41所液化的惰性溶劑送到溶劑回收槽37B。

同樣地，在分離溶劑傳送管線47安裝有切換閥91，在切換閥91安裝有第一分離溶劑分歧管線47a及第二分離溶劑分歧管線47b。第一分離溶劑分歧管線47a將連續離心分離機46所分離的惰性溶劑送到溶劑回收槽37A，第二分離溶劑分歧管線47b將連續離心分離機46所分離的惰性溶劑送到溶劑回收槽37B。

在溶劑回收槽37A，連接有第一供給分歧管線60a，在第一供給分歧管線60a，連接有第一泵裝置61A。在溶劑回收槽37B，連接有第二供給分歧管線60b，在第二供給分歧管線60b，連接有第二泵裝置61B。在第一供給分歧管線60a及第二供給分歧管線60b，安裝有切換閥92。在切換閥92安裝有供給管線60。

動作控制部8電連接於切換閥90、91、92。動作控制部8在成分調整部6完成惰性溶劑的成分調整為止，為了防止惰性溶劑無法供給至噴射噴嘴3的狀況發生，控制切換閥90、91、92的各動作。

更具體來說，動作控制部8使各切換閥90、91、92動作，將惰性溶劑儲存在溶劑回收槽37A、37B中之一（例如溶劑回收槽37A）。動作控制部8對成分分析部5及成分調整部6發出指令，調整溶劑回收槽37A內的惰性溶劑的成分。惰性溶劑的成分被調整後，動作控制部8使切換閥92動作，連接第一供給分歧管線60a與供給管線60。動作控制部8藉由第一泵裝置61A的驅動，供給溶劑回收槽37A內的惰性溶劑至噴射噴嘴3。

之後，動作控制部8在使各切換閥90、91、92再動作，將惰性溶劑儲存在溶劑回收槽37A、37B中之一（例如溶劑回收槽37B）。動作控制部8對成分分析部5及成分調整部6發出指令，調整溶劑回收槽37B內的惰性溶劑的成分。惰性溶劑的成分被調整後，動作控制部8使切換閥92再動作，連接第二供給分歧管線60b與供給管線60。動作控制部8藉由第二泵裝置61B的驅動，供給溶劑回收槽37B內的惰性溶劑至噴射噴嘴3。

如此，動作控制部8也可以調整儲存在溶劑回收槽37A、37B中之一的惰性溶劑的成分，供給已調整成分的惰性溶劑至噴射噴嘴3，儲存惰性溶劑於另一溶劑回收槽，調整儲存在此溶劑回收槽的惰性溶劑的成分。在第五圖所示的實施形態中，基板處理裝置1具備做為主槽的溶劑回收槽37A（或溶劑回收槽37B）與做為副槽的溶劑回收槽37B（或溶劑回收槽37A）。因此，在成分調整部6完成惰性溶劑的成分調整為止，惰性溶劑無法供給至噴射噴嘴3的狀況不會發生。

上述所有實施形態也可以盡可能組合。在一實施形態中，第三圖所示的惰性溶劑供給裝置75，也可以與至少一第一圖所示的實施形態、第四圖所示的實施形態以及第五圖所示的實施形態組合。

第六圖表示具備基板處理裝置1的半導體製造裝置100的圖。如第六圖所示，半導體製造裝置100，具備：大致矩形的外殼101；以及裝載埠102，載置有收容許多基板的基板卡匣。裝載埠102鄰接於外殼101配置。裝載埠102可搭載SMIF（Standard Manufacturing Interface）盒或FOUP（Front Opening Unified Pod）。SMIF、FOUP可藉由在內部收納基板卡匣，以分隔壁覆蓋，保持與外部空間獨立的環境的密閉容器。

在外殼101的內部，收容有：複數個（在本實施形態為四個）的研磨單元104a～104d；第一洗淨單元106及第二洗淨單元108，洗淨研磨後的基板；以及上述的基板處理裝置1。研磨單元104a～104d沿著半導體製造裝置的長方向配列，洗淨單元106、108及基板處理裝置1也沿著半導體製造裝置的長方向配列。基板處理裝置1也可以叫做洗淨及乾燥單元（或處理單元）。

在裝載埠102、研磨單元104a以及基板處理裝置1所包圍的區域，配置有第一基板搬送電動機112，又，與研磨單元104a～104d平行配置有基板搬送單元114。第一基板搬送電動機112從裝載埠102接收研磨前的基板並傳遞至基板搬送單元114，同時從基板處理裝置1接收乾燥後的基板並回到裝載埠102。基板搬送單元114搬送從第一基板搬送電動機112接收的基板，在各研磨單元104a～104d之間進行基板傳遞。各研磨單元藉由供給研磨液至基板研磨面，並使研磨面滑接基板，來研磨基板的上面。

配置有第二基板搬送電動機116，位於第一洗淨單元106與第二洗淨單元108之間，在這些洗淨單元106、108以及基板搬送單元114之間搬送基板，配置有第三基板搬送電動機118，位於第二洗淨單元108與基板處理裝置1之間，在這些洗淨單元108以及基板處理裝置1之間搬送基板。

使用基板洗淨裝置做為第一洗淨單元106，在藥液存在下，將滾筒海綿擦抵基板表面與背面兩面並洗淨基板。使用二流體型的基板洗淨裝置做為第二洗淨單元108。

基板是被至少一研磨單元104a～104d研磨。研磨過的基板被第一洗淨單元106與第二洗淨單元108洗淨，被洗淨的基板被基板處理裝置1進一步洗淨及乾燥。

在以往的結構中，在二流體洗淨工序，使用超純水或藥液（酸性或鹼性的水溶液），腔體內的水分或藥液的些微殘留部分在基板乾燥時可能成為缺陷的主因。因此，洗淨單元與乾燥單元需要分別地，即需要分開腔體來構成。

在本實施形態中，藉由在乾燥前的洗淨工序使用惰性溶劑，可解除上述疑慮。因此，洗淨工序與乾燥工序做為一連串的工序，可在同一單元處理基板。換句話說，可藉由以往的乾燥單元使用惰性溶劑來進行洗淨工序。因此，單元數不會增加，可進一步附加除去微小雜質目的的洗淨工序。做為典型例，一般來說，半導體製造裝置具備三個洗淨單元及一個乾燥單元，但在本實施形態中，因為半導體製造裝置100具備兩個洗淨單元及一個乾燥單元，所以不會犧牲半導體製造裝置的洗淨性能，可減少印記（footprint）。

在一實施形態中，半導體製造裝置100也可以具備三個洗淨單元及一個基板處理裝置1。藉由如此結構，不會增加印記，可使半導體製造裝置的洗淨性能提升。

在一實施形態中，半導體製造裝置100也可以具備：缺陷檢查裝置（未圖示），檢測包含在基板W的缺陷（雜質及/或水印）。藉由如此結構，可適當且有效率地進行基板W的缺陷檢查。

到此為止說明了關於本發明的實施形態，但本發明並非受限於上述實施形態，在其技術思想的範圍內，當然可以實施各種不同形態。

產業利用性 本發明可利用於洗淨及乾燥的裝置。本發明可利用於具備該裝置的半導體製造裝置。本發明可利用於洗淨及乾燥的方法。

1:基板處理裝置 2:基板保持部 3:噴射噴嘴 4:溶劑回收部 5:成分分析部 6:成分調整部 7:溶劑供給部 8:動作控制部 8a、52a:記憶裝置 8b、52b:處理裝置 10:旋轉夾頭 11:夾頭支持軸 12:夾頭致動器 15、16:洗淨液供給噴嘴 20:處理杯 21:支持板 25:噴嘴臂 26:臂支持軸 27:噴嘴致動器 30:腔體 31:過濾風扇單元 32:電離器 35:溶劑液化裝置 36:溶劑分離裝置 37、37A、37B:溶劑回收槽 40:排氣管線 40a:吸氣口 40b:排氣口 41:冷卻單元 42:冷卻管 43:溫度調整裝置 44:液化溶劑傳送管線 44a:第一液化溶劑分歧管線 44b:第二液化溶劑分歧管線 45:回收管線 45a:入口 46:連續離心分離機 47:分離溶劑傳送管線 47a:第一分離溶劑分歧管線 47b:第二分離溶劑分歧管線 50、50A、50B:質量檢測器 51、51A、51B:液面檢測器 52:混合比例演算部 55、55A、55B:氟類溶劑供給源 56、56A、56B:乙醇類溶劑供給源 60:供給管線 60a:第一供給分歧管線 60b:第二供給分歧管線 61、83:泵裝置 61A:第一泵裝置 61B:第二泵裝置 62:過濾器 63、72、78:流量調整閥 70:氣體管線 71:惰性氣體供給源 75:惰性溶劑供給裝置 76:引進管線 77:惰性溶劑供給源 80:成分調整槽 81:溶劑供給槽 82:連接管線 90、91、92:切換閥 100:半導體製造裝置 101:外殼 102:裝載埠 104a～104d:研磨單元 106:第一洗淨單元 108:第二洗淨單元 112:第一基板搬送電動機 114:基板搬送單元 116:第二基板搬送電動機 118:第三基板搬送電動機 W:基板

[第一圖]表示基板處理裝置的一實施形態的圖。 [第二圖]表示動作控制部進行的處理流程圖。 [第三圖]表示基板處理裝置的其他實施形態的圖。 [第四圖]表示基板處理裝置的另一其他實施形態的圖。 [第五圖]表示基板處理裝置的又一其他實施形態的圖。 [第六圖]表示具備基板處理裝置的半導體製造裝置的圖。

1:基板處理裝置

2:基板保持部

3:噴射噴嘴

4:溶劑回收部

5:成分分析部

6:成分調整部

7:溶劑供給部

8:動作控制部

8a、52a:記憶裝置

8b、52b:處理裝置

10:旋轉夾頭

11:夾頭支持軸

12:夾頭致動器

15、16:洗淨液供給噴嘴

20:處理杯

21:支持板

25:噴嘴臂

26:臂支持軸

27:噴嘴致動器

30:腔體

31:過濾風扇單元

32:電離器

35:溶劑液化裝置

36:溶劑分離裝置

37:溶劑回收槽

40:排氣管線

40a:吸氣口

40b:排氣口

41:冷卻單元

42:冷卻管

43:溫度調整裝置

44:液化溶劑傳送管線

45:回收管線

45a:入口

46:連續離心分離機

47:分離溶劑傳送管線

50:質量檢測器

51:液面檢測器

52:混合比例演算部

55:氟類溶劑供給源

56:乙醇類溶劑供給源

60:供給管線

61:泵裝置

62:過濾器

63:流量調整閥

W:基板

Claims (13)

1. 一種基板處理裝置，具備： 一基板保持部，保持並旋轉一基板； 一噴射噴嘴，在前述基板保持部所保持的前述基板上，噴射一惰性溶劑； 一溶劑回收部，回收前述惰性溶劑； 一成分分析部，分析前述溶劑回收部所回收的前述惰性溶劑的一成分； 一成分調整部，調整前述成分分析部所分析的前述惰性溶劑的前述成分； 一溶劑供給部，將調整過的前述成分的前述惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴；以及 一動作控制部，控制前述成分調整部及前述溶劑供給部的動作。
2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中前述溶劑回收部具備： 一溶劑液化裝置，回收並液化從前述噴射噴嘴所噴射並氣化的前述惰性溶劑； 一溶劑分離裝置，分離包含前述噴射噴嘴所噴射的液體狀的前述惰性溶劑與前述基板洗淨所使用的洗淨液的一混合液，只從前述混合液回收前述惰性溶劑；以及 一溶劑回收槽，儲存前述溶劑液化裝置所液化的前述惰性溶劑及前述溶劑分離裝置所分離的前述惰性溶劑。
3. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中前述惰性溶劑是一氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合溶劑； 前述成分分析部分析前述氟類溶劑與前述乙醇類溶劑的一混合比例； 前述成分調整部根據前述已分析的混合比例，調整前述混合比例。
4. 如申請專利範圍第1項中任一項所述的基板處理裝置，其中前述動作控制部根據前述成分分析部所分析的前述惰性溶劑的成分，判斷前述惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍； 當前述惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時，為了調整前述惰性溶劑的成分，對前述成分調整部下指令。
5. 如申請專利範圍第1項中任一項所述的基板處理裝置，其中前述惰性溶劑是包含至少一氫氟醚類與氫氟烴類與乙醇類的溶劑。
6. 如申請專利範圍第1項中任一項所述的基板處理裝置，其中前述噴射噴嘴是供給前述惰性溶劑及惰性氣體的二流性噴嘴，或是供給賦予超音波的惰性溶劑的超音波噴嘴。
7. 一種半導體裝置，具備一基板處理裝置，該基板處理裝置，具備： 一基板保持部，保持並旋轉一基板； 一噴射噴嘴，在前述基板保持部所保持的前述基板上，噴射一惰性溶劑； 一溶劑回收部，回收前述惰性溶劑； 一成分分析部，分析前述溶劑回收部所回收的前述惰性溶劑的一成分； 一成分調整部，調整前述成分分析部所分析的前述惰性溶劑的前述成分； 一溶劑供給部，將調整過的前述成分的前述惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴；以及 一動作控制部，控制前述成分調整部及前述溶劑供給部的動作。
8. 一種基板處理方法，其中： 使一基板保持部所保持的一基板旋轉，並在前述基板上，以一噴射噴嘴噴射一惰性溶劑； 回收前述惰性溶劑； 分析前述已回收的前述惰性溶劑的一成分； 調整前述已分析的前述惰性溶劑的前述成分；以及 將前述已調整成分的前述惰性溶劑供給至前述噴射噴嘴。
9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理方法，其中： 回收並液化從前述噴射噴嘴所噴射並氣化的前述惰性溶劑； 分離包含前述噴射噴嘴所噴射的液體狀的前述惰性溶劑與前述基板洗淨所使用的洗淨液的一混合液，只從前述混合液回收前述惰性溶劑；以及 儲存前述已液化的惰性溶劑及前述已分離的前述惰性溶劑。
10. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理方法，其中前述惰性溶劑是氟類溶劑與乙醇類溶劑的混合溶劑； 分析前述氟類溶劑與前述乙醇類溶劑的一混合比例； 根據前述已分析的混合比例，調整前述混合比例。
11. 如申請專利範圍第8項中任一項所述的基板處理方法，其中根據前述已分析的前述惰性溶劑的成分，判斷前述惰性溶劑的成分是否偏離預定管理範圍； 當前述惰性溶劑的成分偏離預定管理範圍時，調整前述惰性溶劑的成分。
12. 如申請專利範圍第8項中任一項所述的基板處理方法，其中前述惰性溶劑是包含至少一氫氟醚類與氫氟烴類與乙醇類的溶劑。
13. 如申請專利範圍第8項中任一項所述的基板處理方法，其中前述噴射噴嘴是供給前述惰性溶劑及惰性氣體的二流性噴嘴，或是供給賦予超音波的惰性溶劑的超音波噴嘴。

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