TW202032687A - 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

實施形態，有關基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。 實施形態之基板處理裝置，具備處理槽、容器、計測器、控制部。處理槽，貯留處理基板之藥液。容器，貯留將從處理槽排出的氣體予以氣液分離而得之包含氨的液體。計測器，經時性地計測液體中包含的氨量。控制部，基於氨量，控制基板的處理。

Description

基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
本發明之實施形態，有關基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。 關連申請案 本申請案以日本發明專利申請案2019-34091號(申請日：2019年2月27日)為基礎申請案，並享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
半導體裝置的製造工程中，有時會使基板浸漬於藥液來蝕刻形成於該基板的膜。在此情形下，例如若將處理時間或藥液的濃度這些處理條件固定成單一，則有無法因應蝕刻的不均一之可能性。
本發明之實施形態，提供一種可將運用了藥液之基板的處理予以最佳化之基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。 一實施形態之基板處理裝置，具備處理槽、容器、計測器、控制部。處理槽，貯留處理基板之藥液。容器，貯留將從處理槽排出的氣體予以氣液分離而得之包含氨的液體。計測器，經時性地計測液體中包含的氨量。控制部，基於氨量，控制基板的處理。
以下，參照圖面說明實施形態。 (第1實施形態) 圖1為第1實施形態之基板處理裝置的構成概略示意模型圖。圖1所示基板處理裝置1，為將形成於複數個半導體基板100的各者之氮化矽膜(未圖示)，藉由藥液200予以一齊選擇性地蝕刻之批量式的濕蝕刻處理裝置。本實施形態之基板處理裝置1，具備腔室10、處理槽11、循環路徑12、泵浦13、升降機14、氣液分離器15、容器16、計測器17、控制部18。 腔室10，收容處理槽11、循環路徑12、泵浦13。此外，在腔室10的側面底部，設有排氣口10a。 處理槽11，具有內槽111及外槽112。內槽111的上端及外槽112的上端係開口。內槽111中，貯留藥液200。本實施形態中，被加熱至約160℃之磷酸溶液貯留於內槽111。外槽112，回收從內槽111溢流的藥液200。 循環路徑12，連通至外槽112的底部及內槽111的底部，使藥液200在內槽111與外槽112之間循環。流出至外槽112的藥液200，通過循環路徑12返流至內槽111。 泵浦13，設於循環路徑12。泵浦13，從外槽112吸引藥液200，將吸引的藥液200加壓。藉此，被回收至外槽112的藥液200便返回內槽111。 圖2為半導體基板100的保持形態的一例示意立體圖。內槽111中，升降機14保持複數個半導體基板100。此外，升降機14，使保持的半導體基板100從內槽111朝鉛直方向升降。藉由此升降動作，能夠使蝕刻處理前的半導體基板100自動地浸漬於內槽111中貯留的藥液200，並且能夠將蝕刻處理後的半導體基板100從內槽111自動地取出。 如圖1所示，氣液分離器15，將從腔室10的排氣口10a排出的氣體予以凝結。接著，氣液分離器15，藉由凝結而將從上述氣體氣液分離出之包含氨的液體供給到容器16，另一方面將氣體排出。 容器16，貯留從氣液分離器15供給之包含氨的液體300。此外，容器16，若液體300的貯留量超過上限量，則排出液體300。 計測器17，在容器16內計測液體300中包含的氨量。氨量，例如和液體300的pH、導電率、及比電阻(specific resistance)相對應。因此，計測器藉由計測上述的物理量的其中一者，來計測氨量。隨著氨量增加，液體300的pH及導電率會變高，另一方面比電阻變小。 控制部18，基於藉由計測器17計測到的氨量，控制半導體基板100的處理。本實施形態中，控制部18，決定使半導體基板100往藥液200浸漬之處理的結束時間。 以下，說明運用了本實施形態之基板處理裝置1的半導體裝置的製造工程。具體而言，說明層積有電極層之3維半導體記憶裝置的製造工程的一部分。 圖3(a)為蝕刻前的半導體裝置的平面圖。圖3(b)為沿著圖3(a)所示切斷線A-A的截面圖。如圖3(b)所示，在半導體基板100上，交互層積有氮化矽膜101與氧化矽膜102。由氮化矽膜101與氧化矽膜102所成之層積體，藉由狹縫103而被分隔。此外，在此層積體，形成有複數個柱狀的記憶體膜104。 若使用升降機14使上述半導體基板100浸漬於內槽111中貯留的藥液200，則藥液200會從狹縫103浸入層積體內。其結果，如圖4所示截面圖般，氮化矽膜101相對於氧化矽膜102而言被選擇性地蝕刻。若氮化矽膜101的蝕刻結束，則半導體基板100藉由升降機14從內槽111被搬出。 在上述的氮化矽膜101的此蝕刻中，藉由Si3 N4 +12H2 O →3Si(OH)4 +4NH3 所示之化學反應，氨會生成作為副生成物。此外，亦會產生藥液200的水分蒸發而成之水蒸氣。氨及水蒸氣，會作為廢氣而從腔室10的排氣口10a排出。 氣液分離器15將上述廢氣凝結，藉此生成包含氨的液體300，貯留於容器16。在容器16內，計測器17計測液體300中包含的氨量。 圖5為計測器17的計測值的經時性變化示意圖表。圖5中，橫軸表示開始半導體基板100的處理起算之經過時間。縱軸表示計測器17的計測值，即藥液200的pH或導電率。 如圖5所示，若在時間t1開始氮化矽膜101的蝕刻，則氨會產生，故計測器17的計測值增加。其後，若氮化矽膜101的蝕刻進展，則氨的產生量會減少，故計測器17的計測值降低。 計測器17的計測值，被輸入給控制部18。控制部18，在時間t2確認到計測值的降低，則在從時間t2起算經過一定時間之時間t3決定蝕刻之結束。藉由此決定，半導體基板100，藉由升降機14從內槽111被取出。 按照以上說明之本實施形態，計測器17計測氮化矽膜101的蝕刻中產生的氨量，藉此，控制部18便能掌握氮化矽膜101的蝕刻的進展狀態。因此，能夠對每一半導體基板100將蝕刻的結束時間予以最佳化。此外，不需要考量蝕刻的不均一來訂定處理時間的寬容值，故亦可使裝置的產出提升。 (第2實施形態) 圖6為第2實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。對於和上述的第1實施形態同樣的構成要素，標注相同符號，省略詳細的說明。 圖6所示基板處理裝置2，除了第1實施形態之基板處理裝置1的構成外，還具備供給管20、調整閥21。供給管20，將磷酸供給至外槽112。此外，調整閥21，基於控制部18的控制，調整從供給管20往外槽112供給之磷酸的流量。 若使圖3(a)及圖3(b)所示半導體裝置浸漬於藥液200，則首先，狹縫103鄰近的區域R1的氮化矽膜101會被蝕刻。區域R1的蝕刻中，會產生多量的矽石(silica)與氨。若藥液200內矽石的濃度變高，則相對於氧化矽而言之氮化矽的選擇比會變高，故矽石變得容易析出。 鑑此，蝕刻開始後，若計測器17的計測值超過事先設定好的閾值，則控制部18打開調整閥21。藉此，磷酸被供給至外槽112。此磷酸，通過循環路徑12而被補充至內槽111。藉此，藥液200的矽石濃度會變低，故上述選擇比變低。其結果，能夠抑制矽石的析出。 若上述區域R1的蝕刻結束，接著和區域R1鄰接之記憶體區域R2的蝕刻會開始。在記憶體區域R2，形成有複數個記憶體膜104，故氮化矽膜101的蝕刻量會變少。因此，矽石與氨的產生量變少。其結果，矽石的析出受到抑制，另一方面由於低選擇比而導致不僅是氮化矽膜101連氧化矽膜102亦被蝕刻。 鑑此，若計測器17的計測值低於上述閾值，則控制部18控制調整閥21來減小磷酸的流量。藉此，從外槽112往內槽111補充的磷酸變少，故藥液200的矽石濃度變高。其結果，相對於氧化矽而言之氮化矽的選擇比變高，故能夠抑制氧化矽膜102的蝕刻。 若記憶體區域R2的蝕刻結束，則氨的產生亦結束。因此，控制部18，如同第1實施形態般，基於計測器17的計測值來決定蝕刻的結束。 按照以上說明之本實施形態，能夠因應氮化矽膜101的蝕刻的進展狀態，來對每一半導體基板100調整相對於氧化矽而言之氮化矽的選擇比。因此，可對每一半導體基板100將抑制矽石的析出或氧化矽膜102的蝕刻之處理條件予以最佳化。 (第3實施形態) 圖7為第3實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。對於和上述的第1實施形態及第2實施形態同樣的構成要素，標注相同符號，省略詳細的說明。 圖7所示基板處理裝置2，除了第2實施形態之基板處理裝置2的構成外，還具備供給管22、調整閥23、矽濃度計24。供給管22，將溶解有矽石的陳化(seasoning)液供給至外槽112。此外，調整閥23，基於控制部18的控制，調整從供給管22往外槽112供給之陳化液的流量。矽濃度計24，計測被回收至外槽112的藥液200的矽濃度，將計測結果輸出給控制部18。 當將圖3(a)及圖3(b)所示半導體裝置中形成的氮化矽膜101藉由藥液200蝕刻的情形下，如第2實施形態中說明般，首先區域R1的氮化矽膜101會被蝕刻。此時，產生多量的矽石與氨，相對於氧化矽而言之氮化矽的選擇比會變高，故矽石變得容易析出。因此，矽濃度計24的計測值亦變高。 鑑此，控制部18，基於計測器17的計測值與矽濃度計24的計測值，控制部18打開調整閥21，另一方面關閉調整閥23。若調整閥21打開，則磷酸會從外槽112通過循環路徑12被補充至內槽111，故藥液200的矽石濃度變低，上述選擇比變低。此外，若關閉調整閥23，則上述陳化液的供給停止，故抑制矽濃度的上昇。 此外，記憶體區域R2的蝕刻中，氨的產生量變少。其結果，矽石的析出受到抑制，另一方面由於低選擇比而導致不僅是氮化矽膜101連氧化矽膜102亦被蝕刻。此外，矽濃度計24的計測值亦降低。 鑑此，控制部18基於計測器17的計測值及矽濃度計24的計測值，控制調整閥21及調整閥23來減小磷酸的流量並且增大陳化液的流量。藉此，矽石濃度變高，故可達成抑制了氧化矽膜102的蝕刻之選擇比調整。其後，控制部18，如同第1實施形態般，基於計測器17的計測值來決定蝕刻的結束。 按照以上說明之本實施形態，能夠因應氮化矽膜101的蝕刻的進展狀態，使磷酸及溶解有矽石的陳化液的補充量變化，藉此對每一半導體基板100調整相對於氧化矽而言之氮化矽的選擇比。因此，可對每一半導體基板100將抑制矽石的析出或氧化矽膜102的蝕刻之處理條件予以最佳化。 (第4實施形態) 圖8為第4實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。對於和上述的第1實施形態同樣的構成要素，標注相同符號，省略詳細的說明。 圖8所示基板處理裝置4，為1片片地蝕刻晶圓之所謂單片式的濕蝕刻處理裝置。此基板處理裝置4，在腔室10內具備平台30、噴嘴31。在平台30，載置1片的半導體基板100。此外，噴嘴31，設置於平台30的上方，放出藥液200。 基板處理裝置4中當蝕刻形成於半導體基板100之氮化矽膜101的情形下，高溫的磷酸溶液亦即藥液200會從噴嘴31朝向半導體基板100放出。藉此，如同第1實施形態般，會產生氨。 氨和藥液200的水分蒸發而成之水蒸氣一起從腔室10的排氣口10a排出。其後，如同第1實施形態般，氣液分離器15將廢氣凝結而生成包含氨的液體300，供給至容器16。 在容器16內，計測器17計測液體300的氨量，將計測結果輸出給控制部18。控制部18，基於計測器17的計測值，決定半導體基板100的蝕刻的結束。 按照以上說明之本實施形態，如同第1實施形態般，計測器17計測氮化矽膜101的蝕刻中產生的氨量，藉此，控制部18便能掌握氮化矽膜101的蝕刻的進展狀態。因此，能夠對每一半導體基板100將蝕刻的結束時間予以最佳化。此外，不需要考量蝕刻的不均一來訂定處理時間的寬容值，故亦可使裝置的產出提升。 以上已說明本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明之範圍。 該些新穎的實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，可進行種種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明之範圍或要旨中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
1:基板處理裝置 10:腔室 10a:排氣口 11:處理槽 12:循環路徑 13:泵浦 14:升降機 15:氣液分離器 16:容器 17:計測器 18:控制部 20、22:供給管 21、23:調整閥 24:矽濃度計 30:平台 31:噴嘴 100:半導體基板 101:氮化矽膜 102:氧化矽膜 103:狹縫 104:記憶體膜 111:內槽 112:外槽 200:藥液 300:液體
圖1為第1實施形態之基板處理裝置的構成概略示意模型圖。 圖2為半導體基板的保持形態的一例示意立體圖。 圖3(a)為蝕刻前的半導體裝置的平面圖。 圖3(b)為沿著圖3(a)所示切斷線A-A的截面圖。 圖4為蝕刻後的半導體裝置的截面圖。 圖5為計測器的計測值的經時性變化示意圖表。 圖6為第2實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。 圖7為第3實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。 圖8為第4實施形態之基板處理裝置的概略構成示意模型圖。
1:基板處理裝置
10:腔室
10a:排氣口
11:處理槽
12:循環路徑
13:泵浦
14:升降機
15:氣液分離器
16:容器
17:計測器
18:控制部
100:半導體基板
111:內槽
112:外槽
200:藥液
300:液體

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 處理槽，貯留處理基板之藥液； 容器，貯留將從前述處理槽排出的氣體予以氣液分離而得之包含氨的液體； 計測器，經時性地計測前述液體中包含的氨量；及 控制部，基於前述氨量控制前述基板的處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，更具備：氣液分離器，將前述氣體凝結而生成前述液體而供給至前述容器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，前述計測器，經時性地計測前述液體的pH、導電率、及比電阻的其中一者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，前述控制部，基於前述氨量的減少來決定前述基板的處理的結束時間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，前述藥液為磷酸溶液， 前述控制部，因應前述氨量的變化，調整往前述處理槽之磷酸的補充量。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，係 藉由處理槽中貯留的藥液來處理半導體基板， 將從前述處理槽排出的氣體予以氣液分離而生成包含氨的液體， 經時性地計測前述液體中包含的氨量， 基於前述氨量的計測結果來控制前述半導體基板的處理。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其中，將使用氣液分離器而生成的前述液體貯留於容器， 在前述容器內計測前述氨量。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其中，計測前述液體的pH、導電率、及比電阻的其中一者，藉此計測前述氨量。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其中，基於前述氨量的減少來決定前述基板的處理的結束時間。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置的製造方法，其中，前述藥液為磷酸溶液， 因應前述氨量的變化，調整往前述處理槽之磷酸的補充量。
TW108121936A 2019-02-27 2019-06-24 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 TWI725457B (zh)

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020141006A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP7381370B2 (ja) 2020-03-05 2023-11-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7381421B2 (ja) 2020-08-26 2023-11-15 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6326386A (ja) 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp エツチング処理終点検出法
JPH06151407A (ja) 1992-10-30 1994-05-31 Oki Electric Ind Co Ltd ウェットエッチング方法及び装置
JP2541443B2 (ja) * 1993-04-20 1996-10-09 日本電気株式会社 ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法
US6071818A (en) * 1998-06-30 2000-06-06 Lsi Logic Corporation Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material
JP3145080B2 (ja) 1998-11-02 2001-03-12 システム テクノロジー インコーポレイティッド 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
US6790286B2 (en) * 2001-01-18 2004-09-14 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Substrate processing apparatus
EP1306886B1 (en) * 2001-10-18 2008-07-30 Infineon Technologies AG Apparatus for assessing the silicon dioxide content
US6899784B1 (en) * 2002-06-27 2005-05-31 International Business Machines Corporation Apparatus for detecting CMP endpoint in acidic slurries
JP3760896B2 (ja) 2002-07-16 2006-03-29 株式会社デンソー エッチング終点検出方法
JP4001575B2 (ja) * 2002-12-26 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7476290B2 (en) * 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008041676A (ja) 2006-08-01 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd シリコン半導体基板のエッチング方法とこの方法に用いるエッチング装置
JP4302131B2 (ja) 2006-09-26 2009-07-22 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び、ウエットエッチング処理装置
US7851373B2 (en) * 2006-11-09 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Processing systems and methods for semiconductor devices
JP2008147637A (ja) 2006-11-16 2008-06-26 Kurita Water Ind Ltd エッチング方法およびエッチング装置
JP5213638B2 (ja) 2008-10-24 2013-06-19 新電元工業株式会社 ウェットエッチング方法
US8282766B2 (en) * 2008-11-19 2012-10-09 Austriamicrosystems Ag Etch apparatus and method of etching silicon nitride
JP2010129884A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Sharp Corp エッチング終点検出装置およびその方法
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9339914B2 (en) * 2012-09-10 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing and fluid recycling system
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2015115456A (ja) 2013-12-11 2015-06-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI578396B (zh) 2013-12-11 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP6244277B2 (ja) * 2014-08-11 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6453724B2 (ja) * 2014-08-26 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置
JP6509104B2 (ja) 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6645900B2 (ja) 2016-04-22 2020-02-14 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6609231B2 (ja) 2016-09-16 2019-11-20 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6860447B2 (ja) 2017-02-15 2021-04-14 キオクシア株式会社 基板処理装置
US20180233383A1 (en) 2017-02-15 2018-08-16 Toshiba Memory Corporation Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP2020021822A (ja) 2018-07-31 2020-02-06 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2020141006A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

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