TW202028120A - 紫外線處理方法及系統 - Google Patents
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Abstract
藉由注入設備(12),使過氧二硫酸鹽及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中。藉由紫外線照射裝置(10),利用紫外線對溶解有上述過氧二硫酸鹽及上述鹼金屬離子以外之金屬離子之上述被處理水進行處理。藉由對溶解有過氧二硫酸鹽與金屬離子之被處理水進行UV處理,可提高TOC分解性能,尤其可有利地進行脲成分之分解。進而,於後步驟中,可藉由離子交換樹脂進行處理,可吸附經UV處理之被處理水中所含之有機酸,進而降低TOC濃度。
Description
本發明係關於一種使用紫外線(UV)進行液體處理之、尤其適於超純水製造的紫外線處理方法及系統,尤其關於將溶存於被處理水中之有機物進行分解。
於半導體或FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)之工場中,於製品之製造步驟中使用超純水。於該超純水之水質項目中有生菌數與TOC(全部有機體碳)濃度。作為用以使微生物不活化之設備,使用UV殺菌裝置,又,作為用以降低TOC濃度之設備之一,使用UV氧化裝置。該等裝置係於圓筒形之反應容器內中收容1根或數根發出254 nm光及/或185 nm光之紫外線之低壓水銀燈。該燈係以不直接接觸容器內之被處理水之方式分別地插入至石英製之燈保護管內。被處理水係將該燈保護管之外側與反應容器之內側之間一面暴露於紫外線下一面壓送。處理水中之微生物係暴露於254 nm光之紫外線下進行不活化。該不活化通常亦表現為殺菌。又,自暴露於185 nm光之紫外線下之處理水生成OH自由基,OH自由基成為氧化劑而將TOC進行氧化分解。同時,藉由來自低壓水銀燈之185 nm光與254 nm光,將有機物進行直接分解。同樣之反應只要為發出波長300 nm以下之光源(紫外線燈),則不限於低壓水銀燈,利用中壓水銀燈、高壓水銀燈、準分子燈等亦可進行。作為燈保護管之素材,可使用石英、藍寶石、氟樹脂等。於下述專利文獻1中顯示此種UV處理裝置之一例。
又,亦已知有例如如專利文獻2所示般使雙氧水溶解於被處理水中進行UV照射之UV氧化裝置、或使次氯酸鹽或臭氧等溶解於被處理水中進行UV照射之UV氧化裝置等。進而,亦已知有例如如專利文獻3、非專利文獻1及2所示般,使過硫酸鹽(即,過氧二硫酸鹽)溶解於被處理水中進行UV照射之UV氧化裝置。然而,關於該等先前之UV氧化裝置,雖然可分解較多種類之有機物,但例如於分解脲時必需很大之能量,用以進行UV照射之裝置規模大型化。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開WO2016/143829
[專利文獻2]日本專利特開2015-93226
[專利文獻3]日本專利特開2016-196000
[非專利文獻]
[非專利文獻1]「關於氟系化合物之物理化學的處理法之基礎研究」環境衛生工程研究・第25卷第3號 (2011)、70-73頁
[非專利文獻2]「使用過硫酸離子之水中之全氟辛酸(PFOA)及其相關物質之光分解」用水與廢水・Vol.48 No.12 (2006) 、1081-1087頁
本發明係鑒於上述方面而完成者,其目的在於:於藉由照射紫外線(UV)而將溶存於被處理水中之有機物分解之技術中,不增加用以進行UV照射之裝置規模,而改善有機物分解效率。
本發明之紫外線處理方法包括:使過氧二硫酸鹽及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中;利用紫外線對溶解有上述過氧二硫酸鹽及上述鹼金屬離子以外之金屬離子之上述被處理水進行處理。
本發明之紫外線處理系統具備:使過氧二硫酸鹽及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中之設備;利用紫外線對溶解有上述過氧二硫酸鹽及上述鹼金屬離子以外之金屬離子之上述被處理水進行處理之設備。
根據本發明者等人之實驗,於溶解有過氧二硫酸鹽(即過硫酸鹽)之被處理水中進而溶解鹼金屬離子以外之金屬離子,將其結果所獲得之被處理水利用紫外線進行處理(進行UV照射)之情況,與利用紫外線對僅溶解有過氧二硫酸鹽(即過硫酸鹽)之被處理水進行處理之情形相比,確認可利用更少之UV能量進行被處理水中之有機物之分解。又,根據本發明,確認到尤其可有效率地進行被處理水中之脲之分解。因此,根據本發明,可不增加用以進行UV照射之裝置規模,而改善有機物分解效率。
圖1係概略顯示例如應用於超純水製造系統中之本發明之紫外線處理系統及方法之一實施形態之方塊圖。紫外線(UV)照射裝置10係利用紫外線(UV)用於處理被處理水之設備,將1個以上之UV燈11作為紫外線光源配置於密閉容器10a內,對自供給口10b流入至容器10a內之被處理水照射自UV燈11放射之UV,將經UV處理之水自排出口10c排出。設置於UV照射裝置10之前段之注入設備12係用以於被處理水中注入過硫酸鹽(即過氧二硫酸鹽)及金屬離子,並使該等過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)及金屬離子溶解於該被處理水中之設備。亦可使作為過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之例如過硫酸鉀(K2
S2
O8
)溶解於被處理水中。又,作為金屬離子,設為使鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中者,例如亦可使選自錳、鐵、銅、銀、金、鈦、鈰、鎳、釕中之至少一種之金屬之離子溶解於被處理水中。
於注入設備12中使鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中可以如下之至少一種方法進行:將包含該金屬離子之溶液注入至該被處理水中;使包含該金屬離子之金屬板與該被處理水接觸;於使包含該金屬離子之金屬板與該被處理水接觸之狀態下進行該金屬板之電解,或亦可不限於此,利用其它適宜之方法進行。
注入設備12之具體構成可以包含使被處理水暫時滯留之槽並於該槽內注入過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)及金屬離子之方式構成;或亦可由設置於使被處理水流動之配管之中間之注入用閥或溶解器具等構成;或亦可由安裝於UV照射裝置10之容器10a之供給口10b之注入用轉接器(閥或溶解器具等)構成。再者,注入設備12無需包含一個設備,可分別設置用以溶解過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之注入設備、用以溶解金屬離子之注入設備,進而亦可使前者之注入設備與後者之注入設備適宜遠離而配置,重要是作為UV照射處理之前階段之步驟進行即可。
藉由注入設備12而使過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解之被處理水係自UV照射裝置10之供給口10b供給至容器10a內,於該容器10a內暴露於自UV燈11放射之紫外線下接受UV處理。藉此,使被處理水內所含之TOC氧化分解,尤其藉由溶解於被處理水中之過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)與鹼金屬離子以外之金屬離子,而促進TOC之氧化分解。
自UV照射裝置10之排出口10c所排出之經UV處理之被處理水係傳送至後段之離子交換裝置13中,並藉由離子交換樹脂進行處理。藉由該離子交換樹脂,可利用UV照射裝置10之反應而吸附經UV處理之被處理水中所含之有機酸,進而降低TOC濃度。再者,離子交換裝置13為可選裝置,只要視需要設置即可。
圖2係表示過硫酸鉀(K2
S2
O8
)之水溶液之波長相對於吸光度之一例之圖表,表示將過硫酸鉀之濃度調整為100 ppm之水溶液之吸光度利用1 cm單元所測得之結果。根據圖,於波長280 nm附近確認到吸收,隨著波長變短而吸光度增加。即,作為紫外線光源,可以說使用發出波長280 nm以下者較為有效。作為滿足其之光源,於工業上適當者中,有發出波長185 nm之低壓水銀燈、發出波長254 nm之低壓水銀燈、該等以外之水銀燈、準分子燈、LED(發光二極體)、雷射等,亦可為該等以外之光源。此處,於該等以外之光源中之水銀燈中,根據點亮時之水銀蒸氣壓之不同,有中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。因此,作為於UV照射裝置10中使用之UV燈11,可自低壓水銀燈、其他水銀燈、準分子燈、LED、雷射之任一種中選擇。
關於藉由本發明之方法及/或裝置之TOC分解效能,為了與先前技術對比進行實證,顯示以下幾種實驗結果。
圖3至圖7係表示實驗例1至5之結果之圖表,將UV處理後之TOC殘存率(詳細而言-Log(TOC殘存率)、即TOC殘存率之負對數值)相對於橫軸所示之UV光源之電力輸入量[kWh/m3
]之關係表示於縱軸。所謂TOC殘存率,係基於經UV照射後於離子交換樹脂中通過之情形之被處理水之該TOC濃度(a)相對於未經UV照射而於離子交換樹脂中通過之情形之該TOC濃度(b)之比(a/b)之值。於圖3至圖6所示之實驗例1至4中,將被處理水中所含之TOC濃度調整為約1 ppm,於圖7所示之實驗例5中,將被處理水中所含之TOC濃度調整為約30 ppb。於各圖3~圖7中,根據本發明,將對溶解有過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)及金屬離子之兩者之被處理水進行UV處理之實驗結果利用四角標記進行繪製,根據先前技術,將對僅溶解有過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之被處理水進行UV處理之實驗結果利用圓標記進行繪製,將對未溶解過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)及金屬離子之任一種之被處理水進行UV處理之實驗結果利用三角標記進行繪製。又,將連結經繪製之實驗結果之直線之斜率以一次函數(橫軸x,縱軸y)概略記錄,一併記錄自其求出之決定係數R2
之值。再者,於任一實驗例中,使用過硫酸鉀(K2
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)作為溶解於被處理水中之過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽),使用硫酸銅(CuSO4
)作為金屬離子。
於圖3所示之實驗例1中,使用將作為TOC成分之脲以初始濃度1 ppm包含於被處理水中者,作為UV光源,使用發出波長185 nm之UV光之低壓水銀燈。再者,該發出波長185 nm之UV光之低壓水銀燈由於同時亦發出254 nm之UV光,故而於圖中記載為「波長185 nm、254 nm」。於該實驗例1中,為了獲得利用四角標記繪製之根據本發明之實驗結果(根據本發明之方法所進行之實驗之結果),於被處理水中溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)與0.1 ppm之硫酸銅(CuSO4
)。又,為了獲得利用圓標記繪製之根據先前技術之實驗結果(根據先前技術進行之實驗之結果),於被處理水中僅溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。於圖示例中,電力輸入量為0至2.5 kWh/m3
之範圍。如利用三角標記所繪製之實驗結果所示,於該電力輸入量範圍,於被處理水中均未溶解過硫酸鉀與硫酸銅之情形未見TOC成分之降低效果。相對於此,如利用圓標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中僅溶解過硫酸鉀之情形未見TOC成分之降低效果,但"-Log(TOC殘存率)"即"TOC殘存率之負對數值"之斜率為約0.28,判斷為了獲得所需之TOC降低效果,必需更多之電力輸入。例如,於0.6 kWh/m3
之電力輸入量中,殘存約70%之TOC。另一方面,於利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果中,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約0.49,判斷為了獲得所需之TOC降低效果,利用更少之電力輸入可完成。例如,判斷於0.6 kWh/m3
之電力輸入量中,僅殘存約50%之TOC。與"-Log(TOC殘存率)"之斜率相比,利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果(約0.49之斜率)發揮利用圓標記所繪製之先前技術之實驗結果(約0.28之斜率)之約1.75倍之TOC分解性能。
藉此,於使用波長185 nm之UV光源之情形時,根據本發明,於被處理水中不僅溶解過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽),亦溶解金屬離子之情況可較大地有助於提高TOC分解性能。尤其,半導體工場中使用之超純水之TOC濃度要求限制於0.5至1.0 ppb之安全範圍,所以於先前之超純水製造技術中,於原水中包含脲之情形時,可使經UV處理之水中之TOC殘存濃度稍許超過1.0 ppb,故而尤其是有效率地分解包含脲之TOC成為較大之課題。然而,根據本發明,例如如上所述,脲之分解性能成為先前技術之約1.75倍,故而可無不便地確保先前技術中較為困難之TOC殘存濃度之安全範圍。即,根據本發明,可不增加電力輸入量,而提高尤其是包含脲之TOC之分解性能,故而可不增加用以進行UV照射之裝置規模,而改善有機物分解效率。
於如圖4所示之實驗例2中,使作為TOC成分之初始濃度1 ppm之脲包含於被處理水中之情況與上述實驗例相同,但作為UV光源,使用發出波長254 nm之UV光之低壓水銀燈。與實驗例1同樣地,於該實驗例2中,亦為了獲得利用四角標記所繪製之根據本發明之方法之實驗結果,於被處理水中溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)與0.1 ppm之硫酸銅(CuSO4
),又,為了獲得利用圓標記所繪製之根據先前技術之實驗結果,於被處理水中僅溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。又,與上述同樣地,於圖示例中,電力輸入量為0至2.5 kWh/m3
之範圍,如利用三角標記所繪製之實驗結果所示般,使用波長254 nm之UV光源之情形、與於該電力輸入量範圍於被處理水中均未溶解過硫酸鉀與硫酸銅之情形均未見TOC成分之降低效果。相對於此,如利用圓標記所繪製之實驗結果所示般,於被處理水中僅溶解過硫酸鉀之情形未見TOC成分之降低效果,但"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約0.19。另一方面,於利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果中,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約0.22,判斷與先前技術相比TOC分解性能提高。然而,包含脲之TOC之分解性能判斷為上述實驗例1所示波長185 nm之UV光源者優異。
於圖5所示之實驗例3中,使作為TOC成分之初始濃度1 ppm之IPA(異丙醇)包含於被處理水中,作為UV光源,使用發出波長185 nm之UV光之低壓水銀燈。與實驗例1及2同樣地,於該實驗例3中,亦為了獲得利用四角標記所繪製之根據本發明之方法之實驗結果,於被處理水中溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)與0.1 ppm之硫酸銅(CuSO4
),又,為了獲得利用圓標記所繪製之根據先前技術之實驗結果,於被處理水中僅溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。又,與上述同樣地,於圖示例中,電力輸入量為0至2.5[kWh/m3
]之範圍。如利用三角標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中均未溶解過硫酸鉀與硫酸銅之情形亦未見包含IPA之TOC成分之降低效果(TOC殘存率之斜率為約0.37)。如利用圓標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中僅溶解過硫酸鉀之情形可見TOC成分之進一步降低效果,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約1.08。另一方面,於利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果中,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約2.07,判斷與先前技術相比TOC分解性能提高。
於圖6所示之實驗例4中,使作為TOC成分之初始濃度1 ppm之IPA(異丙醇)包含於被處理水中,作為UV光源,使用發出波長254 nm之UV光之低壓水銀燈。與實驗例1至3同樣地,於該實驗例4中,亦為了獲得利用四角標記所繪製之根據本發明之方法之實驗結果,於被處理水中溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)與0.1 ppm之硫酸銅(CuSO4
),又,為了獲得利用圓標記所繪製之根據先前技術之實驗結果,於被處理水中僅溶解100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。又,與上述同樣地,於圖示例中,電力輸入量為0至2.5 kWh/m3
之範圍。如利用三角標記所繪製之實驗結果所示,於波長254 nm之UV光源下,於被處理水中均未溶解過硫酸鉀與硫酸銅之情形未見包含IPA之TOC成分之降低效果。相對於此,如利用圓標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中僅溶解過硫酸鉀之情形可見包含IPA之TOC成分之降低效果,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約0.39。另一方面,於利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果中,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約1.06,判斷與先前技術相比TOC分解性能提高。
於圖7所示之實驗例5中,使作為TOC成分之初始濃度30 ppb之IPA(異丙醇)包含於被處理水中,作為UV光源,使用發出波長185 nm之UV光之低壓水銀燈。於該實驗例5中,為了獲得利用四角標記所繪製之根據本發明之方法之實驗結果,於被處理水中溶解2 ppm之過硫酸鉀(K2
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)與0.02 ppm之硫酸銅(CuSO4
),又,為了獲得利用圓標記所繪製之根據先前技術之實驗結果,於被處理水中僅溶解2 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。又,於圖示例中,電力輸入量為0至0.2 kWh/m3
之範圍。如利用三角標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中均未溶解過硫酸鉀與硫酸銅之情形亦可見包含IPA之TOC成分之降低效果(TOC殘存率之斜率為約1.99)。如利用圓標記所繪製之實驗結果所示,於被處理水中僅溶解過硫酸鉀之情形可見TOC成分之進一步降低效果,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為約3.72。另一方面,於利用四角標記所繪製之根據本發明之實驗結果中,"-Log(TOC殘存率)"之斜率為7.14,判斷與先前技術相比,TOC分解性能進一步提高。
根據上述實驗例3~5,判斷與先前技術相比,本發明亦能提高脲以外之TOC成分之分解性能。
於本發明中,溶解於被處理水中之過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)不限於過硫酸鉀(K2
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),亦可為其他過氧二硫酸鹽。又,溶解於被處理水中之過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之濃度不限於上述實驗例所示之100 ppm或2 ppm,可適宜決定。再者,不限於在注入設備12中將過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之結晶直接注入至被處理水中進行溶解或將過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)之溶液直接注入至被處理水中進行溶解,亦可於注入設備12中基於使硫酸溶液電解而生成過硫酸鹽且使生成之過硫酸鹽溶解於被處理水中。又,於本發明中,溶解於被處理水中之鹼金屬離子以外之金屬離子不限於硫酸銅(CuSO4
),亦可為其他金屬離子。又,溶解於被處理水中之金屬離子之濃度不限於上述實驗例所示之0.1 ppm或0.02 ppm,可適宜決定。
圖8表示使於本發明中溶解於被處理水中之金屬離子之濃度於0.001 ppm至1.0 ppm之範圍發生變化之實驗結果之圖表。溶解於被處理水中之金屬離子係與上述實驗例同樣地為硫酸銅(CuSO4
),一同溶解於被處理水中之過硫酸鹽(過氧二硫酸鹽)係與上述實驗例1~4同樣地為100 ppm之過硫酸鉀(K2
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)。又,包含於被處理水中之TOC成分係與上述實驗例1、2同樣地為初始濃度1 ppm之脲。於紫外線照射處理中使用之UV光源係發出波長185 nm之UV光之低壓水銀燈及發出波長254 nm之UV光之低壓水銀燈。圖8之橫軸表示溶解於被處理水中之硫酸銅(CuSO4
)之濃度,縱軸表示"-Log(TOC殘存率)"相對於電力輸入量之斜率。將利用波長185 nm之UV光所處理之情形之實驗結果利用四角標記進行繪製,將利用波長254 nm之UV光所處理之情形之實驗結果利用菱形標記進行繪製。例如,硫酸銅(CuSO4
)之濃度為0.1 ppm之情形表示與上述圖3及4所示之實驗例1及2相同之實驗結果,利用波長185 nm之UV光所處理之情形之"-Log(TOC殘存率)"相對於電力輸入量之斜率為約0.49,利用波長254 nm之UV光所處理之情形之"-Log(TOC殘存率)"相對於電力輸入量之斜率為約0.22。同樣地,將硫酸銅(CuSO4
)之濃度為0.001 ppm、0.01 ppm、1.0 ppm之情形之對應於各波長之電力輸入量相對於"-Log(TOC殘存率)"之斜率利用四角標記及菱形標記分別進行繪製。為了表示先前技術,若考慮於上述圖3及4中,利用圓標記所繪製之實驗結果(不使金屬離子溶解之情形)中之電力輸入量相對於"-Log(TOC殘存率)"之斜率於波長185 nm下為約0.28、於波長254 nm下為約0.19,則讀取圖8中之最小之硫酸銅濃度0.001 ppm下之電力輸入量相對於"-Log(TOC殘存率)"之斜率大於其等。因此,於本發明之實施中,若金屬離子(例如硫酸銅)為至少0.001 ppm以上,則可改善TOC分解性能。又,關於金屬離子(例如硫酸銅)之濃度,作為一例,可自0.001 ppm至1.0 ppm之範圍較佳地選擇。
10:紫外線照射裝置
10a:密閉容器
10b:供給口
10c:排出口
11:UV燈
12:注入設備
13:離子交換裝置
圖1係概略表示本發明之紫外線處理系統及方法之一實施形態之方塊圖。
圖2係表示過硫酸鉀水溶液之波長相對於吸光度之一例之圖表。
圖3係表示實驗例1之結果之圖表。
圖4係表示實驗例2之結果之圖表。
圖5係表示實驗例3之結果之圖表。
圖6係表示實驗例4之結果之圖表。
圖7係表示實驗例5之結果之圖表。
圖8係表示使溶解於被處理水中之金屬離子之濃度於0.001 ppm至1.0 ppm之範圍變化之實驗結果之圖表。
10:紫外線照射裝置
10a:密閉容器
10b:供給口
10c:排出口
11:UV燈
12:注入設備
13:離子交換裝置
Claims (11)
- 一種紫外線處理方法,其包括:使過氧二硫酸鹽及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中; 利用紫外線對溶解有上述過氧二硫酸鹽及上述鹼金屬離子以外之金屬離子之上述被處理水進行處理。
- 如請求項1之紫外線處理方法,其中上述鹼金屬離子以外之金屬離子為選自錳、鐵、銅、銀、金、鈦、鈰、鎳、釕中之至少一種金屬離子。
- 如請求項1之紫外線處理方法,其中上述紫外線之光源為低壓水銀燈、其他水銀燈、準分子燈、LED、雷射之任一種。
- 如請求項3之紫外線處理方法,其中上述低壓水銀燈為至少放射波長185 nm之紫外線者。
- 如請求項1至4中任一項之紫外線處理方法,其進而包括利用離子交換樹脂對經紫外線處理之上述被處理水進行處理。
- 如請求項1至4中任一項之紫外線處理方法,其中使上述鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於上述被處理水中包括下述中至少一者:將包含該金屬離子之溶液注入至上述被處理水中;將包含該金屬離子之金屬板與上述被處理水接觸;於使包含該金屬離子之金屬板與上述被處理水接觸之狀態下進行該金屬板之電解。
- 如請求項1至4中任一項之紫外線處理方法,其中上述金屬離子之濃度為選自0.001 ppm至1.0 ppm之範圍。
- 如請求項1至4中任一項之紫外線處理方法,其中利用紫外線對上述被處理水進行處理包括為了進行溶存於上述被處理水中之有機物之分解而對該被處理水照射紫外線。
- 一種紫外線處理系統,其具備:使過氧二硫酸鹽及鹼金屬離子以外之金屬離子溶解於被處理水中之設備;及 利用紫外線對溶解有上述過氧二硫酸鹽及上述鹼金屬離子以外之金屬離子之上述被處理水進行處理之設備。
- 如請求項9之紫外線處理系統,其中上述紫外線之光源為至少放射波長185 nm之紫外線之低壓水銀燈。
- 如請求項9或10之紫外線處理系統,其進而具備:利用離子交換樹脂對經紫外線處理之上述被處理水進行處理之設備。
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