TW202026103A - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]本發明提供一可精確控制基板外圍邊緣部的研磨輪廓之研磨裝置。 [解決手段]本發明之研磨裝置1，具備：用於支撐具有研磨面2a的研磨墊2之研磨台3；具有按壓面45a之可旋轉的頭主體(head body )11；與頭主體11一起旋轉同時用以壓靠研磨面2a之扣環20；旋轉環51；靜止環91；及用於向靜止環91施加局部載荷之複數個局部載荷施加裝置30A、30B。複數個局部載荷施加裝置30A和30B包含連接至靜止環91的第一按壓構件31A和第二按壓構件31B。第一按壓構件31A係在研磨面2a的行進方向上配置在扣環20的上游側，第二按壓構件31B係在研磨面2a的行進方向上配置在扣環20的下游側。

Description

研磨裝置及研磨方法
本發明係有關於一種用於研磨晶圓等基板的研磨裝置，尤其關於具備有圍繞基板的扣環(retainer ring)之研磨裝置。此外，本發明關於一種使用這樣的研磨裝置對晶圓等基板進行研磨的研磨方法。
近年來，隨著半導體裝置的高積體化和高密度化，電路佈線變得越來越細微，並且多層佈線的層數也已增加。若欲在使電路小型化並且實現多層佈線，由於在依隨下側層的表面凹凸不平而更拉大台階，因此，隨著配線層數的增加，薄膜形成中相對於台階形狀的膜覆蓋率(階梯覆蓋率)也變差。故，為了進行多層佈線，需要提高該階梯覆蓋率，並在適當的過程中進行平坦化處理。此外，由於隨著光微影的細微化同時焦點深度變淺，因此有必要使半導體裝置的表面平坦化，以使半導體裝置表面上的凹凸不平台階保持在小於等於焦點深度。
因此，在半導體裝置之製造過程中，半導體裝置表面上的平坦化變得越來越重要。使此表面平坦化的最重要技術係化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)。在此化學機械研磨(以下稱為CMP)中，係利用將含有二氧化矽(SiO2 )等磨粒的研磨液(漿料)供應到研磨墊的研磨面上，同時使晶圓等基板與研磨面滑動接觸來執行研磨。
用於執行CMP的研磨裝置係具備：用於支撐具有研磨面的研磨墊的研磨台；及用於保持基板的研磨頭。使用這種研磨裝置的基板研磨係以如以下方式進行。與研磨墊一起旋轉研磨台的同時，將漿料供應到研磨墊上。研磨頭在旋轉基板的同時將該基板壓靠在研磨墊的研磨面上。當在漿液存在的情況下，基板滑動而且接觸到研磨墊之同時，利用漿液的化學作用和漿液中所含磨粒的機械作用的結合來使基板表面平坦化。
正在研磨基板時，由於基板的表面與旋轉的研磨墊滑動接觸，因此摩擦力作用在基板上。故，為了防止正在研磨基板時基板從研磨頭上脫落，在研磨頭上具備有扣環。該扣環係配置成圍繞基板，正在研磨基板時，扣環旋轉同時在基板外側壓靠研磨墊。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-4675號公報 專利文獻2：日本特開2015-233131號公報
[發明欲解決的課題]
近年來，由於針對因應半導體裝置或CMP步驟而會變化之各種初始膜厚輪廓採取措施、或利用平坦化涵蓋到基板的外圍邊緣來提高良率等原因，所以對基板外圍邊緣部的研磨輪廓進行更精確地控制的要求逐漸地提高。
利用調整整個扣環的壓力，可以控制基板外圍邊緣部的研磨率。然而，當改變整個扣環的壓力時，則研磨率會在相對寬廣的範圍內起變化，該寬廣的範圍不僅包含外圍邊緣部也包含其他區域。故，在該方法中，難以精確地控制外圍邊緣部的研磨輪廓。
所以，本發明將提供能夠精確地控制基板的外圍邊緣部的研磨輪廓的研磨裝置以及使用此種研磨裝置來研磨如晶圓等基板的方法。 [解決課題的手段]
在一態樣上，提供研磨裝置，其具備： 研磨台，用於支撐具有研磨面的研磨墊； 可旋轉的頭主體，具有用於將基板壓靠在該研磨面上的按壓面； 扣環(retainer ring)，配置成圍繞該按壓面並與該頭主體一起旋轉同時用以壓靠該研磨面； 旋轉環，固定在該扣環上並且可與該扣環一起旋轉； 靜止環，配置在該旋轉環上；及 複數個局部載荷施加裝置，向該靜止環施加局部載荷， 其中該複數個局部載荷施加裝置，具備有： 第一按壓構件和第二按壓構件，連接到該靜止環；及 第一致動器和第二致動器，分別連接到該第一按壓構件和該第二按壓構件， 該第一按壓構件係在該研磨面的行進方向上配置在該扣環的上游側，該第二按壓構件係在該研磨面的該行進方向上配置在該扣環的下游側。
在一態樣上，該第一按壓構件和該第二按壓構件位於通過該扣環的中心和該研磨台的中心的基準直線的兩側。 在一態樣上，該第一按壓構件和該第二按壓構件配置在與該基準直線垂直相交並通過該扣環的中心的直線上。 在一態樣上，如果與該基準直線垂直相交且通過該扣環之中心的直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，上游側之交點設為角度0度，下游側之交點設為角度180度，而且該基準直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，該研磨面之中心側之交點設為角度270度，該研磨面之外圍側之交點角度90度時，該第一按壓構件配置於0度±90度的範圍內，並且該第二按壓構件配置於180度±90度的範圍內。 在一態樣上，該第一按壓構件配置於0度±60度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±60度的範圍內。 在一態樣上，該第一按壓構件配置於0度±30度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±30度的範圍內。 在一態樣上，進一步具備控制部，該控制部控制該第一致動器之動作及該第二致動器之動作，該第一致動器調整從該第一按壓構件施加到該靜止環的局部載荷，該第二致動器調整從該第二按壓構件施加到該靜止環的局部載荷。
在一態樣上，提供一種方法，包含以下步驟： 讓支撐研磨墊的研磨台旋轉， 在使具有按壓面的頭主體旋轉的同時，利用該按壓面將基板壓靠在該研磨墊的研磨面上， 讓配置成圍繞該基板的扣環一邊與該頭主體和該基板一起旋轉，一邊壓靠在該研磨面， 一邊使固定在該扣環上的旋轉環與該扣環一起旋轉，並且一邊從第一按壓構件或第二按壓構件對配置在該旋轉環上的靜止環施加局部載荷，同時對該基板進行研磨； 該第一按壓構件係在該研磨面的行進方向上配置在該扣環的上游側，該第二按壓構件係在該研磨面的該行進方向上配置在該扣環的下游側。 在一態樣上，該第一按壓構件及該第二按壓構件位於通過該扣環之中心與該研磨台之中心的基準直線之兩側。 在一態樣上，該第一按壓構件及該第二按壓構件配置於與該基準直線垂直相交而且通過該扣環之中心的直線上。 在一態樣上，如果與該基準直線垂直相交而且通過該扣環之中心的直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，上游側的交點設為角度0度，下游側之交點設為角度180度，而且該基準直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，該研磨面之中心側的交點設為角度270度，該研磨面之外圍側的交點設為角度90度時， 該第一按壓構件配置於0度±90度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±90度的範圍內。 在一態樣上，該第一按壓構件配置於0度±60度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±60度的範圍內。 在一態樣上，該第一按壓構件配置於0度±30度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±30度的範圍內。 [發明效果]
當局部載荷分別施加到研磨面的行進方向中之靜止環的上游側和下游側時，研磨面的一部分會隆起並產生一向上的局部排斥力。正在研磨基板時，此等局部排斥力係作用在基板的徑向上基板的外圍邊緣部的不同位置。因此，基板的研磨率可以局部改變。結果，可以精確地控制在基板的外圍邊緣部的研磨輪廓。
以下，將參考圖式詳細說明本發明的實施例。第一圖為表示研磨裝置之一實施例之示意圖。如第一圖所示，研磨裝置1具備：研磨頭10，保持作為基板一例子的晶圓並使其旋轉；研磨台3，用於支撐研磨墊2；及研磨液供應噴嘴5，用於向研磨墊2供應研磨液(漿料)。研磨墊2的頂面係構成用於研磨晶圓的研磨面2a。研磨墊2係構成為與研磨台3一體旋轉。
研磨頭10連接到研磨頭軸12的下端。研磨頭軸12由頭臂16以可旋轉方式保持。頭臂16內部配置：用於旋轉研磨頭軸12的旋轉裝置(未圖示)；及用於升降研磨頭軸12的升降裝置(未圖示)。研磨頭10藉由旋轉裝置經由研磨頭軸12旋轉，並且讓研磨頭10能透過升降機構經由研磨頭軸12來進行升降。頭臂16固定在迴旋軸15上，透過迴旋軸15的旋轉，可以將研磨頭10移動到研磨台3的外部。
研磨頭10構成藉由真空吸引將晶圓保持在其下表面上。研磨頭10和研磨台3(研磨墊2)沿箭頭所示的相同方向旋轉，於此狀態下，研磨頭10將晶圓壓靠在研磨墊2的研磨面2a上。從研磨液供應噴嘴5將研磨液供應到研磨墊2的研磨面2a上。利用在研磨液的存在下與研磨面2a滑動接觸來對晶圓進行研磨。
研磨頭10具備：將晶圓壓靠在研磨墊2上的頭主體11；及配置成圍繞晶圓的扣環20。頭主體11及扣環20構成與研磨頭軸12一體地旋轉。扣環20構成能夠獨立於頭主體11且上下移動。扣環20從頭主體11沿徑向往外突出。正在研磨晶圓時，扣環20接觸到研磨墊2的研磨面2a，一邊旋轉一邊將研磨墊2壓靠在晶圓的外側。
研磨頭10進一步具備旋轉環51及靜止環91，其中旋轉環51係於內部配置有複數個滾輪(稍後說明)。旋轉環51固定於扣環20的上表面，並且構造成可與扣環20一起旋轉。靜止環91配置在旋轉環51上。旋轉環51與扣環20一起旋轉，但靜止環91係靜止著，不旋轉。
研磨裝置1進一步具備：第一局部載荷施加裝置30A，用於將局部載荷施加到扣環20的一部分上；及第二局部載荷施加裝置30B，用於將局部載荷施加到扣環20的一部分上。局部載荷施加裝置30A、30B配置在扣環20的上方。局部載荷施加裝置30A、30B固定在頭臂16。正在研磨時扣環20繞其軸線旋轉，但是局部載荷施加裝置30A、30B不與扣環20一體旋轉而是靜止著。靜止環91係連接到局部載荷施加裝置30A、30B。第一局部載荷施加裝置30A係在研磨墊2的研磨面2a的行進方向上配置在扣環20的上游側(研磨面2a流入的扣環20的一側)，第二局部載荷施加裝置30B係在研磨墊2的研磨面2a的行進方向上配置在扣環20的下游側(研磨面2a流出的扣環20的相反側)。
第二圖為表示局部載荷施加裝置30A、30B的立體圖。如第二圖所示，複數個局部載荷施加裝置30A、30B，具備：複數個按壓構件31A、31B，向靜止環91施加往下的局部載荷；複數個橋接件33A、33B；產生往下的力之複數個氣壓缸35A、35B；複數個壓力調節器R1、R2，用於調節氣壓缸35A、35B中的壓縮氣體的壓力；複數個線性導件38A、38B；複數個導桿39A、39B；及複數個單元底座40A、40B。
具體而言，第一局部載荷施加裝置30A具備：第一按壓構件31A、第一橋接件33A、第一氣壓缸35A、第一壓力調節器R1、第一線性導件38A、第一導桿39A及第一單元底座40A。第二局部載荷施加裝置30B具備：第二按壓構件31B、第二橋接件33B、第二氣壓缸35B、第二壓力調節器R2、第二線性導件38B、第二導桿39B及第二單元底座40B。
第一氣壓缸35A的活塞桿36a係經由第一橋接件33A連接至第一按壓構件31A，並且第一按壓構件31A的端部連接至靜止環91。因此，由第一氣壓缸35A產生的力被傳遞至第一按壓構件31A，並且第一按壓構件31A將局部載荷施加至靜止環91的一部分。相同地，第二氣壓缸35B的活塞桿36b係經由第二橋接件33B連接至第二按壓構件31B，並且第二按壓構件31B的端部連接至靜止環91。因此，由第二氣壓缸35B產生的力被傳遞至第二按壓構件31B，並且第二按壓構件31B將局部載荷施加至靜止環91的一部分。
在本實施例中，第一氣壓缸35A和第一壓力調節器R1的組合構成第一致動器37A，該第一致動器37A係用以調節從第一按壓構件31A施加到靜止環91的局部載荷，第二氣壓缸35B和第二壓力調節器R2的組合構成第二致動器37B，該第二致動器37B係用以調節從第二按壓構件31B施加到靜止環91的局部載荷。在一實施例中，第一致動器37A和第二致動器37B分別可以由伺服馬達、滾珠螺桿機構和馬達驅動器的組合來構成。
第一按壓構件31A包含兩個按壓桿32a，第二按壓構件31B包含兩個按壓桿32b。按壓桿32a和按壓桿32b連接到靜止環91。第一按壓構件31A就研磨墊2的研磨面2a的行進方向而言在扣環20的上游側與靜止環91連接，第二按壓構件31B就研磨墊2的研磨面2a的行進方向而言在扣環20的下游側與靜止環91連接。換言之，第一按壓構件31A被構成在研磨墊2的研磨面2a的行進方向中往靜止環91的上游部分施加局部載荷，第二按壓構件31B被構成在研磨墊2的研磨面2a的行進方向中往靜止環91的下游部分施加局部載荷。
局部載荷施加裝置30A、30B係經由單元底座40A、40B固定到頭臂16。因此，正在研磨晶圓時，研磨頭10和晶圓旋轉著，而局部載荷施加裝置30A、30B為靜止著。相同地，正在研磨晶圓時，旋轉環51與研磨頭10一起旋轉著，而靜止環91為靜止著。
局部載荷施加裝置30A、30B具有相同的構造。以下說明有關第一局部載荷施加裝置30A，但是同樣適用於第二局部載荷施加裝置30B。第一氣壓缸35A和第一線性導件38A安裝到第一單元底座40A。第一氣壓缸35A的活塞桿36a和第一導桿39A連接至第一橋接件33A。第一導桿39A由第一線性導件38A而以低摩擦且可上下移動方式來支撐。第一線性導件38A能讓第一橋接件33A平滑地上下移動而不傾斜。
氣壓缸35A、35B通過氣體輸送管路F1，F2而連接到壓縮氣體供應源(未圖示)。壓力調節器R1、R2分別設置在氣體輸送管路F1，F2中。來自壓縮氣體供應源的壓縮氣體通過壓力調節器R1、R2分別獨立地供應到氣壓缸35A、35B。
壓力調節器R1、R2構成調節氣壓缸35A、35B中的壓縮氣體的壓力。壓力調節器R1、R2可以彼此獨立地改變氣壓缸35A、35B中的壓縮氣體的壓力，由此，氣壓缸35A、35B可以彼此獨立地產生力。
研磨裝置1進一步具備有控制部42。於控制部42內部具備有記憶裝置42a和運算裝置42b。運算裝置42b包含依據儲存在記憶裝置42a中的程式來進行的CPU(中央處理單元)或GPU(圖形處理單元)等。記憶裝置42a具備有可讓運算裝置42b進行存取的主記憶裝置(例如，隨機存取記憶體)；及用於儲存數據或程式的輔助記憶裝置(例如，硬碟驅動器或固態硬碟驅動器)。
壓力調節器R1、R2電氣性連接到控制部42。正在研磨晶圓W時，控制部42向壓力調節器R1、R2中的任何一個發出指令以調節氣壓缸35A或氣壓缸35B中的壓縮氣體的壓力。
由氣壓缸35A、35B產生的力分別傳遞到橋接件33A、33B。橋接件33A、33B經由按壓構件31A、31B與靜止環91連接，按壓構件31A、31B將施加於橋接件33A、33B的氣壓缸35A、35B的力傳遞至靜止環91。也就是說，第一按壓構件31A以與第一氣壓缸35A產生的力相對應的局部載荷按壓靜止環91的一部分，第二按壓構件31B以與第二氣壓缸35B產生的力相對應的局部載荷按壓靜止環91的一部分。
局部載荷施加裝置30A、30B分別經由靜止環91和旋轉環51向扣環20的一部分施加向下的局部載荷。也就是說，向下的局部載荷透過靜止環91和旋轉環51而傳遞到扣環20。
研磨裝置1一邊讓固定在扣環20上的旋轉環51與扣環20一起旋轉，一邊由第一按壓構件31A或第二按壓構件31B對靜止環91施加局部載荷，而對晶圓構件進行研磨。正在研磨晶圓時，扣環20會接觸到研磨墊2的研磨面2a，同時在旋轉時將研磨墊2壓靠在晶圓的外側，並向研磨面2a的一部分施加向下的局部載荷。
如第三圖所示，當扣環20對研磨面2a的一部分施加向下的局部載荷時，研磨面2a的一部分會往上方隆起。往上隆起的研磨面2a向晶圓W施加局部向上的力。在以下的說明中，該局部向上的力被稱之為局部排斥力。在第三圖中，為了說明，第三圖顯示僅研磨面2a的隆起部分與晶圓W接觸，但是正在研磨晶圓時，晶圓W的整個下表面(被研磨面)與研磨面2a係接觸。晶圓W的受到局部排斥力的部分的研磨率會增加。局部排斥力的大小取決於扣環20壓靠研磨墊2的力的大小，並且研磨率會依局部排斥力的大小而有所變化。也就是說，局部排斥力越大，研磨率越大。產生局部排斥力的位置取決於由扣環20施加到研磨面2a上的局部載荷位置。
因此，利用在由第一按壓構件31A或第二按壓構件31B向靜止環91施加局部載荷的同時對晶圓進行研磨，來產生與每個局部載荷相對應的局部排斥力並可改變接收局部排斥力的晶圓部分的研磨率。例如，當期望增加由第一按壓構件31A施加的局部載荷時，控制部42會向壓力調節器R1發出指令以增加氣壓缸35A中的壓縮氣體的壓力。當期望增加由第二按壓構件31B施加的局部載荷時，控制部42會向壓力調節器R2發出指令以增加氣壓缸35B中的壓縮氣體的壓力。
第四圖為示意性表示研磨中的晶圓W與按壓構件31A、31B的位置關係之俯視圖。第五圖為示意性表示晶圓W與局部排斥力的位置關係之縱向剖面圖。第四圖中的箭頭表示研磨面2a的行進方向。當通過扣環20的中心P和研磨台3的中心O的直線係基準直線LO時，第一按壓構件31A和第二按壓構件31B位於基準直線LO的兩側。更具體而言，第一按壓構件31A位於研磨面2a的行進方向上較基準直線LO靠近上游側，第二按壓構件31B位於研磨面2a的行進方向上較基準直線LO靠近下游側。在本實施例中，第一按壓構件31A和第二按壓構件31B配置在直線LP上，該直線LP與基準直線LO垂直相交並且通過中心P。如第四圖所示，正在研磨時，晶圓W一邊旋轉同時偏向到扣環20內側的下游側。因此，如第五圖所示，當由第一按壓構件31A向靜止環91施加局部載荷時，相對於晶圓W產生的局部排斥力的相對位置和由第二按壓構件31B向靜止環91施加局部載荷時，相對於晶圓W產生的局部排斥力的相對位置不同。在為了說明，第五圖顯示僅研磨面2a的隆起部分與晶圓W接觸，但在實際正在研磨中，晶圓W的整個下表面(被研磨面)與研磨面2a接觸。
相對於行進方向，研磨面2a可分為基準直線LO的上游側和基準直線LO的下游側。換句話說，相對於研磨面2a的行進方向，基準直線LO的上游側和基準直線LO的下游側為扣環20和靜止環91的上游側和下游側。
在第四圖中，在直線LP與扣環20的外圍邊緣之間的兩個交點中，上游側的交點設為0度角，而下游側的交點設為180度角。在基準直線LO和扣環20的外圍邊緣的兩個交點中，將研磨面之中心側的交點定義為角度270度，而將研磨面之外圍側的交點定義為角度90度。在一實施例中，第一按壓構件31A可配置在0度±30度的範圍內，並且第二按壓構件31B可配置在180度±30度的範圍內。在另一實施例中，第一按壓構件31A可配置在0度±60度的範圍內，並且第二按壓構件31B可配置在180度±60度的範圍內。在另一實施例中，第一按壓構件31A可配置在0度±90度的範圍內，並且第二按壓構件31B可配置在180度±90度的範圍內。
在另一實施例中，扣環20的內徑可以改變。藉由改變扣環20的內徑，可以改變該局部排斥力相對於晶圓W的相對位置。
藉由如上述各實施例中配置第一按壓構件31A和第二按壓構件31B，正在研磨晶圓W時，當由第一按壓構件31A向靜止環91施加局部載荷時，能夠提高晶圓W的外圍邊緣部的外側區域的研磨率，當由第二按壓構件31B向靜止環91施加局部載荷時，能夠提高晶圓W的外圍邊緣部的內側區域的研磨率。因此，可以精確地控制晶圓W的外圍邊緣部的研磨輪廓。
根據上述各實施例，藉由在研磨面2a的行進方向上對靜止環91的上游側和下游側分別施加局部載荷，從而產生作用在晶圓W的不同位置上的局部排斥力，且可以局部改變晶圓外圍邊緣部的研磨率。 結果，可以精確地控制晶圓外圍邊緣部的研磨輪廓。
其次，將說明研磨頭10的細節。第六圖為表示研磨頭10的剖面圖。研磨頭10具備有頭主體11和扣環20。其中頭主體11具備有：托架43，連接到研磨頭軸12(如第一圖所示)；安裝在托架43的下表面的彈性膜(薄膜：membrane)45；及球面軸承47(spherical bearing)，支撐扣環20同時允許扣環20相對於托架43傾斜和上下移動。扣環20經由連結構件75連接到球面軸承47並加以支撐。連結構件75以能夠上下移動的方式配置在托架43中。
彈性膜45的下表面構成按壓面45a，該按壓面45a與晶圓W的上表面(與被研磨面相反的面)接觸。在彈性膜45上形成有複數個通孔(未圖示)。在托架43和彈性膜45之間形成壓力室46。壓力室46連接至壓力調節裝置(未圖示)。當將加壓流體(例如，加壓空氣)供應到壓力室46時，在壓力室46中受到流體壓力的彈性膜45的按壓面45a將晶圓W壓靠在研磨墊2的研磨面2a上。當在壓力室46中形成負壓時，利用真空吸引將晶圓W保持在彈性膜45的按壓面45a上。於一實施例中，可以在托架43和彈性膜45之間設置複數個壓力室。
扣環20以圍繞晶圓W及彈性膜45的按壓面45a的方式配置。該扣環20具有：與研磨墊2接觸的環構件20a；及固定在該環構件20a頂部的驅動環20b。環構件20a藉由複數個螺栓(未圖示)連接至驅動環20b。環構件20a以圍繞晶圓W的外圍邊緣和彈性膜45的按壓面45a的方式配置。
連結構件75具備：配置在頭主體11的中央部的軸部76；及從該軸部76以徑向延伸的複數個輻條(spoke)78。軸部76在配置於頭主體11的中央部的球面軸承47內往縱向延伸。軸部76以能往縱向移動的方式被球面軸承47支撐。驅動環20b連接至輻條78。利用此種構造，使連結構件75和連接到其的扣環20可以相對於頭主體11往縱向移動。
球面軸承47具備：內輪48和可滑動地支撐內輪48的外圍邊緣面的外輪49。內輪48經由連結構件75連接至扣環20。外輪49固定到托架43。連結構件75的軸部76係由內輪48以可上下移動方式支撐。扣環20經由連結構件75被球面軸承47支撐為可傾斜。
球面軸承47允許扣環20上下移動和傾斜，同時限制扣環20的橫向移動(水平移動)。正在研磨晶圓W時，扣環20透過晶圓W承受因晶圓W與研磨墊2之間的摩擦所產生的橫向力(往晶圓W的半徑方向外側的力量)。該橫向力由球面軸承47承受。如此，正在研磨晶圓W時，球面軸承47承受因晶圓W與研磨墊2之間的摩擦所產生而扣環20透過晶圓W承受的橫向力(往晶圓W的半徑方向外側的力量)，同時用作限制扣環20的橫向移動(亦即，固定扣環20的水平位置) 的支撐機構。
複數對驅動軸環80固定到托架43。 每對驅動軸環80配置於每個輻條78的兩側，托架43的旋轉經由驅動軸環80傳遞至扣環20，藉此，使頭主體11和扣環20一體地旋轉。驅動軸環80僅與輻條78接觸，並不會阻礙連結構件75和扣環20上下移動和傾斜。
扣環20的頂部連接到環狀之扣環按壓機構60。該扣環按壓機構60對扣環20的整個上表面(更具體而言，驅動環20b的上表面)施加均勻的向下的載荷，並且將扣環20的下表面(亦即，環構件20a之下表面)按壓在研磨墊2的研磨面2a。
扣環按壓機構60具備：固定在驅動環20b頂部的環狀活塞61；及連接到活塞61的上表面之環狀的滾動膜片(rolling diaphragm)62。在滾動膜片62的內部形成有壓力室63。該壓力室63連接至壓力調節裝置(未圖示)。當加壓流體(例如，加壓空氣)供應到壓力室63時，滾動膜片62向下推動活塞61，並且活塞61向下推動整個扣環20。以如此方式，扣環按壓機構60將扣環20的下表面按壓在研磨墊2的研磨面2a上。
第七圖為表示旋轉環51和靜止環91的剖面圖。旋轉環51具備：複數個滾輪(roller)52；分別支撐此等滾輪52的滾輪軸54；及供滾輪軸54固定的滾輪殼體(roller housing)55。在第七圖中僅顯示出一個滾輪52和一個滾輪軸54。滾輪殼體55具有環狀之形狀，並固定到扣環20的上表面。滾輪52具有安裝至滾輪軸54的軸承57，並且滾輪52可以滾輪軸54為中心旋轉自如。
靜止環91具備；接觸到滾輪52頂部的圓環導軌92；及供圓環導軌92固定的環狀之導軌基座94。在圓環導軌92的下表面形成有環形槽95，並且每個滾輪52的頂部與環形槽95接觸。滾輪52構成在與圓環導軌92滾動接觸的同時旋轉。按壓桿32a、32b(按壓桿32b未圖示)連接至導軌基座94的頂部。
將滾輪52的軸承57的內輪貫通的滾輪軸54係由滾輪殼體55的內側的壁和外側的壁支撐，且用插入到內側的壁的螺釘58將該滾輪軸54固定。因此，滾輪軸54形成有內螺紋，在內螺紋的相反側形成有凹槽54a，該凹槽54a中供平頭螺絲起子嵌入，以便在螺釘58緊固時不會空轉。旋轉環51放置在扣環20的驅動環20b的上表面上。驅動環20b和旋轉環51以定位銷(未圖示)定位，旋轉環51相對於扣環20為不滑動之構造。
滾輪(roller)52係由安裝到滾輪軸54之軸承57及固定在軸承57的外輪上之輪子(wheel)59所構成。輪子59由具有高耐磨性的材料製成，例如聚縮醛，PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PPS(聚苯硫醚)、MC尼龍(註冊商標)等。圓環導軌92的材料較佳為具有高耐腐蝕性的金屬，例如不銹鋼(SUS304)等。單排深溝滾珠軸承被用作軸承57，並且利用將樹脂輪子59壓入到軸承57的外輪中而將輪子59安裝到軸承57。
在滾輪殼體55的內部形成有環形凹部55a，在該環形凹部55a內容置有複數個滾輪52。每個滾輪52的下表面和兩個側表面被環形凹部55a圍繞。密封件100A、100B配置在旋轉環51的滾輪殼體55和靜止環91的導軌底座94之間。更具體而言，在圓環導軌92的外側配置有外側密封件100A，在圓環導軌92的內部配置有內側密封件100B。在構成環形凹部55a的兩個側面和底面沒有開口，密封件100A和密封件100B配置在靜止環91和旋轉環51之間。因此，從滾輪52和圓環導軌92產生的磨耗粉將被侷限在環形凹部55a中並不會掉落在研磨墊2上。
在第七圖所示的實施例中，外側密封件100A和內側密封件100B係曲徑密封件(labyrinth seal)。外側密封件100A具備：配置在圓環導軌92的外側的第一外圍壁101和配置在第一外圍壁101的外側的第二外圍壁102。第一外圍壁101從滾輪殼體55向上延伸並且與滾輪殼體55一體地形成。第二外圍壁102從導軌基座94向下延伸，並且與導軌基座94一體地形成。在第一外圍壁101和第二外圍壁102之間形成有極小的間隙。內側密封件100B也相同地具備：配置在圓環導軌92內側之第一外圍壁101和配置在第一外圍壁101內側之第二外圍壁102。
第八圖為表示滾輪52和圓環導軌92的立體圖。第九圖為表示從下方觀察第八圖所示的滾輪52和圓環導軌92的圖。在本實施例中，設置有24個滾輪52。正在研磨晶圓時，此等滾輪52與扣環20一體旋轉，同時圓環導軌92係靜止著。因此，每個滾輪52與圓環導軌92滾動接觸。利用參照第七圖所說明的滾輪52的構造，滾輪52可以平滑地旋轉，且可以在不損壞圓環導軌92的情況下傳遞載荷。第一局部載荷施加裝置30A和第二局部載荷施加裝置30B的載荷係從圓環導軌92傳遞到滾輪52。滾輪52僅在通過載荷的作用點時才承受載荷。
滾輪52的數量是基於滾輪52的外徑和圓環導軌92的直徑來確定。為了平穩地傳遞載荷，較佳為盡可能增加滾輪52的數量，以縮小滾輪52之間的間隔。滾輪52具有光滑的外圍表面，並且以寬的接觸面積與圓環導軌92接觸，以便可以傳遞更大的載荷。圓環導軌92放置在滾輪52上。滾輪52與圓環導軌92以滾動方式接觸。圓環導軌92的橫向位置係透過滾輪52的彎曲剖面狀的角部與圓環導軌92的彎曲剖面狀的角落之間的接觸來引導。於此種情況下，第一局部載荷施加裝置30A和第二局部載荷施加裝置30B的載荷主要係從圓環導軌92傳遞到滾輪52的外圍表面。
上述之實施例之目的是為了使本發明所屬技術領域中具有通常知識的人能夠實施本發明而記載。該具有通常知識者可以自然地對上述實施例進行各種修改，並且本發明的技術思想也可以應用於其他實施例。故，本發明不限於所述的實施例，且應該根據申請專利範圍所定義的技術思想而定的最廣泛的範圍內來解釋。
1:研磨裝置 2:研磨墊 2a:研磨面 3:研磨台 5:研磨液供應噴嘴 10:研磨頭 11:頭主體 12:研磨頭軸 15:迴旋軸 16:頭臂 20:扣環 20a:環構件 20b:驅動環 30A、30B:局部載荷施加裝置 31A、31B:按壓構件 32a、32b:按壓桿 33A、33B:橋接件 35A、35B:氣壓缸 36a、36b:活塞桿 37A、37B:致動器 38A、38B:線性導件 39A、39B:導桿 40A、40B:單元底座 42:控制部 42a:記憶裝置 42b:運算裝置 43:托架 45:彈性膜(薄膜) 45a:按壓面 46:壓力室 47:球面軸承 48:內輪 49:外輪 51:旋轉環 52:滾輪 54:滾輪軸 54a:凹槽 55:滾輪外殼 55a:環形凹部 57:軸承 58:螺釘 59:輪子 60:扣環按壓機構 61:活塞 62:滾動膜片 63:壓力室 75:連結構件 76:軸 78:輻條 80:驅動軸環 91:靜止環 92:圓環導軌 94:導軌基座 95:環形槽 100A:外側密封件 100B:內側密封件 101:第一外圍壁 102:第二外圍壁 F1、F2:氣體輸送管路 R1:第一壓力調節器 R2:第二壓力調節器 W:晶圓
第一圖為表示研磨裝置之一實施例之示意圖。 第二圖為表示局部載荷施加裝置的立體圖。 第三圖為示意性表示扣環正在壓靠研磨面時的狀態之縱向剖面圖。 第四圖為示意性表示研磨中的晶圓與按壓構件的位置關係之俯視圖。 第五圖為示意性表示晶圓與局部排斥力的位置關係之縱向剖面圖。 第六圖為表示研磨頭的剖面圖。 第七圖為表示旋轉環和靜止環的剖面圖。 第八圖為表示滾輪和圓環導軌的立體圖。 第九圖為表示從下方觀察第八圖所示的滾輪和圓環導軌的圖。
1:研磨裝置
10:研磨頭
11:頭主體
20:扣環
30A、30B:局部載荷施加裝置
31A、31B:按壓構件
32a、32b:按壓桿
33A、33B:橋接件
35A、35B:氣壓缸
36a、36b:活塞桿
37A、37B:致動器
38A、38B:線性導件
39A、39B:導桿
40A、40B:單元底座
42:控制部
42a:記憶裝置
42b:運算裝置
51:旋轉環
91:靜止環
F1、F2:氣體輸送管路
R1:第一壓力調節器
R2:第二壓力調節器

Claims (13)

  1. 一種研磨裝置，具備： 研磨台，用於支撐具有研磨面的研磨墊； 可旋轉的頭主體，具有用於將基板壓靠在該研磨面上的按壓面； 扣環(retainer ring)，配置成圍繞該按壓面並與該頭主體一起旋轉同時用以壓靠該研磨面； 旋轉環，固定在該扣環上並且可與該扣環一起旋轉； 靜止環，配置在該旋轉環上；及 複數個局部載荷施加裝置，向該靜止環施加局部載荷， 其中該複數個局部載荷施加裝置，具備有： 第一按壓構件和第二按壓構件，連接到該靜止環；及 第一致動器和第二致動器，分別連接到該第一按壓構件和該第二按壓構件， 該第一按壓構件係在該研磨面的行進方向上配置在該扣環的上游側，該第二按壓構件係在該研磨面的該行進方向上配置在該扣環的下游側。
  2. 如請求項1之研磨裝置，其中該第一按壓構件和該第二按壓構件位於通過該扣環的中心和該研磨台的中心的基準直線的兩側。
  3. 如請求項2之研磨裝置，其中該第一按壓構件和該第二按壓構件配置在與該基準直線垂直相交並通過該扣環的中心的直線上。
  4. 如請求項2之研磨裝置，其中，如果與該基準直線垂直相交且通過該扣環之中心的直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，上游側之交點設為角度0度，下游側之交點設為角度180度，而且該基準直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，該研磨面之中心側之交點設為角度270度，該研磨面之外圍側之交點角度90度時， 該第一按壓構件配置於0度±90度的範圍內，並且該第二按壓構件配置於180度±90度的範圍內。
  5. 如請求項4之研磨裝置，其中，該第一按壓構件配置於0度±60度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±60度的範圍內。
  6. 如請求項5之研磨裝置，其中，該第一按壓構件配置於0度±30度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±30度的範圍內。
  7. 如請求項1至6中任一項之研磨裝置，其中，進一步具備控制部，該控制部控制該第一致動器之動作及該第二致動器之動作，該第一致動器調整從該第一按壓構件施加到該靜止環的局部載荷，該第二致動器調整從該第二按壓構件施加到該靜止環的局部載荷。
  8. 一種研磨方法，包含以下步驟： 讓支撐研磨墊的研磨台旋轉， 在使具有按壓面的頭主體旋轉的同時，利用該按壓面將基板壓靠在該研磨墊的研磨面上， 讓配置成圍繞該基板的扣環一邊與該頭主體和該基板一起旋轉，一邊壓靠在該研磨面， 一邊使固定在該扣環上的旋轉環與該扣環一起旋轉，並且一邊從第一按壓構件或第二按壓構件對配置在該旋轉環上的靜止環施加局部載荷，同時對該基板進行研磨； 該第一按壓構件係在該研磨面的行進方向上配置在該扣環的上游側，該第二按壓構件係在該研磨面的該行進方向上配置在該扣環的下游側。
  9. 如請求項8之研磨方法，其中，該第一按壓構件及該第二按壓構件位於通過該扣環之中心與該研磨台之中心的基準直線之兩側。
  10. 如請求項9之研磨方法，其中，該第一按壓構件及該第二按壓構件配置於與該基準直線垂直相交而且通過該扣環之中心的直線上。
  11. 如請求項9之研磨方法，其中，如果與該基準直線垂直相交而且通過該扣環之中心的直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，上游側的交點設為角度0度，下游側之交點設為角度180度，而且該基準直線與該扣環之外圍邊緣的二個交點中，該研磨面之中心側的交點設為角度270度，該研磨面之外圍側的交點設為角度90度時， 該第一按壓構件配置於0度±90度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±90度的範圍內。
  12. 如請求項11之研磨方法，其中，該第一按壓構件配置於0度±60度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±60度的範圍內。
  13. 如請求項12之研磨方法，其中，該第一按壓構件配置於0度±30度的範圍內，而且該第二按壓構件配置於180度±30度的範圍內。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11986923B2 (en) 2020-11-10 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Polishing head with local wafer pressure

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US5738568A (en) * 1996-10-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Flexible tilted wafer carrier
JP3807807B2 (ja) * 1997-02-27 2006-08-09 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
JP3065016B2 (ja) * 1998-02-17 2000-07-12 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
JPH11277406A (ja) * 1998-03-27 1999-10-12 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3966908B2 (ja) * 1998-04-06 2007-08-29 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP2000005988A (ja) * 1998-04-24 2000-01-11 Ebara Corp 研磨装置
US6517422B2 (en) * 2000-03-07 2003-02-11 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Polishing apparatus and method thereof
JP2001338901A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 平坦化加工方法及び、装置並びに，半導体装置の製造方法
JP2002100593A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Nikon Corp 研磨装置、これを用いた半導体デバイスの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体デバイス
US6454637B1 (en) * 2000-09-26 2002-09-24 Lam Research Corporation Edge instability suppressing device and system
JP2002170795A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置
TWI261009B (en) * 2001-05-02 2006-09-01 Hitoshi Suwabe Polishing machine
US6579151B2 (en) * 2001-08-02 2003-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Retaining ring with active edge-profile control by piezoelectric actuator/sensors
CN100533675C (zh) * 2004-07-30 2009-08-26 株式会社东芝 挡圈及晶片研磨装置
JP4814677B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
TWI674171B (zh) * 2012-01-31 2019-10-11 日商荏原製作所股份有限公司 基板保持裝置、研磨裝置、及研磨方法
US10702972B2 (en) * 2012-05-31 2020-07-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP5976522B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-23 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
TWI656944B (zh) * 2014-05-14 2019-04-21 日商荏原製作所股份有限公司 研磨裝置
JP6445924B2 (ja) 2014-05-14 2018-12-26 株式会社荏原製作所 研磨装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11986923B2 (en) 2020-11-10 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Polishing head with local wafer pressure

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