TW202025255A - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明的基板處理裝置係具備： 處理框體，其係具有處理基板的處理室； 搬送框體，其係與前述處理框體鄰接，具有搬送前述基板的搬送室； 微波產生器，其係發送被供給至前述處理室的微波； 搬入搬出口，其係連通前述處理室與前述搬送室，搬入搬出前述基板； 開閉部，其係將前述搬入搬出口開閉；及 檢測感測器，其係於前述搬送室內，被配置於前述搬入搬出口的周圍，在前述開閉部閉塞前述搬入搬出口的狀態下，檢測出從前述處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。

Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及記錄媒體
本發明是有關基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體。
在專利文獻1記載基板處理裝置，其係抑制往處理基板的處理空間供給的微波通過至非處理空間之微波通過抑制用的溝會被設在基板支撐台的側壁或與該側壁對向的處理容器的內壁。
專利文獻1：日本特開2013-73947號公報
(發明所欲解決的課題)
具有供給微波來處理基板的處理室會被形成於內部的處理框體。在此處理框體的旁邊配置有在內部形成搬送室的搬送框體，該搬送室是搬送被搬入搬出至處理室的基板。而且，形成有連通處理室與搬送室的搬入搬出口，設有開閉此搬入搬出口的開閉部。
在如此的構成中，藉由檢測出從處理框體與搬送框體的接合部洩漏的微波，來檢測出從處理室洩漏的微波。
本發明的課題是在於抑制被配置於搬送室的內部的電子零件因為微波往搬送室洩漏而誤動作或破損。 (用以解決課題的手段)
本發明之一形態的基板處理裝置係具備： 處理框體，其係具有處理基板的處理室； 搬送框體，其係與前述處理框體鄰接，具有搬送前述基板的搬送室； 微波產生器，其係發送被供給至前述處理室的微波； 搬入搬出口，其係連通前述處理室與前述搬送室，搬入搬出前述基板； 開閉部，其係將前述搬入搬出口開閉；及 檢測感測器，其係於前述搬送室內，被配置於前述搬入搬出口的周圍，在前述開閉部閉塞前述搬入搬出口的狀態下，檢測出從前述處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。
＜第1實施形態＞ 按照圖1~圖8來說明本發明的第1實施形態的基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式的一例。另外，圖中所示的箭號H是表示裝置上下方向(鉛直方向)，箭號W是表示裝置寬度方向(水平方向)，箭號D是表示裝置進深方向(水平方向)。
(基板處理裝置1的構成) 如圖8所示般，本實施形態的基板處理裝置1是構成為對於作為基板的半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」)2實施各種的熱處理的熱處理裝置。在此，基板處理裝置1是作為進行利用微波(電磁波)來使被成膜於晶圓2的表面的薄膜中的組成或結晶構造變化的處理、將被成膜的薄膜內的結晶缺陷等修復的處理等的退火處理之裝置進行說明。在基板處理裝置1中，使用晶盒(FOUP：Front Opening Unified Pod)3作為將晶圓2收容於內部的收納容器(載體)。晶盒3是作為在包括基板處理裝置1的各種的基板處理裝置間搬送晶圓2的搬送容器使用。
如圖8所示般，基板處理裝置1是具備：搬送晶圓2的搬送室(搬送區域)4，及處理晶圓2的處理室5。搬送室4是被設在搬送框體41的內部。在本實施形態中，如圖5所示般，處理室5是具備2個的處理室(第1處理室)51、處理室(第2處理室)52，被設在與晶盒3對向的搬送框體41的側壁。處理室51、52是分別被形成於處理框體53、54的內部。而且，處理室51與處理室52是在裝置進深方向分離配置。
在此，搬送室4的搬送框體41是例如藉由鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等的金屬材料、石英等所形成。
如圖8所示般，在搬送室4中，在裝置寬度方向的一方側(圖8的右側)的部分是配置有裝載埠單元(LP)6。裝載埠單元6是作為開閉晶盒3的蓋，從晶盒3往搬送室4搬送晶圓2，又從搬送室4往晶盒3搬出晶圓2的晶盒開閉機構使用。
裝載埠單元6是具備框體61、平台62及開啟器63。平台62是載置晶盒3，設為使晶盒3接近至搬送室4中被形成於搬送框體41的裝置寬度方向的一方側的基板搬入搬出口42之構成。開啟器63是設為使被設在晶盒3的圖示省略的蓋開閉之構成。
另外，裝載埠單元6是亦可具備可使用淨化氣體來淨化晶盒3的內部之機能。淨化氣體是可使用氮(N2 )氣體等的惰性氣體。
在搬送室4中，在裝置寬度方向的另一方側(圖8的左側)的部分是配置有開閉處理室51、52(參照圖5)的開閉部43(所謂閘閥)。並且，在搬送室4是配置有作為移載晶圓2的基板移載機構(基板移載機械手)之移載機7。移載機7的構成是包括：作為載置晶圓2的載置部之鉗子(臂)71、72，可將鉗子71、72的各者旋轉或直動於水平方向的移載裝置73，及使移載裝置73昇降的移載裝置昇降器74。
在移載機7中，藉由鉗子71、72、移載裝置73、移載裝置昇降器74連續動作，可將晶圓2裝填(裝載)至被配置於處理室5的內部之作為基板保持具的晶舟8(參照圖3，圖8)或晶盒3。並且，在移載機7中，可從晶舟8或晶盒3脫裝(卸載)晶圓2。 另外，在本實施形態的說明中，無須特別區別說明時，有時處理室51、52是只當作「處理室5」進行說明。
又，如圖5所示般，在處理室51與處理室52之間是配置有冷卻室9。在此冷卻室9中，如圖4所示般，配置有晶圓冷卻平台9a，在此晶圓冷卻平台9a上是配置有作為冷卻晶圓2的基板冷卻用載置具之晶圓冷卻用載置具(冷卻用晶舟)9b。晶圓冷卻用載置具9b是具有與晶舟8同樣的構造，從上方往下方具備複數的晶圓保持溝。晶圓冷卻用載置具9b是被設為在水平狀態多段裝載複數片的晶圓2之構成。並且，在冷卻室9的搬送室4側的側壁是形成有往搬送室4連通的搬入搬出口9h。如此，冷卻室9是被配置於與搬送室4不同的場所。因此，不會有晶圓處理或晶圓搬送的處理能力降低的情況，可在晶圓處理後冷卻晶圓2。
(處理室5的構成) 如圖5、圖8所示般，處理室5是構成為基板處理裝置1的處理爐。在此，在處理室5中，一方的處理室51的構成是與另一方的處理室52的構成相同，因此以下針對處理室51進行說明，處理室52的說明是省略。
處理室51是如圖3所示般，被形成於作為腔室(處理容器)的中空長方體形狀的處理框體53的內部。處理框體53是藉由反射微波的例如鋁(Al)等的金屬材料所形成。並且，在處理框體53的頂部(上部)是設有凸緣蓋(閉塞板)55。凸緣蓋55是與處理框體53同樣地藉由金屬材料等所形成。凸緣蓋55是使圖示省略的密封構件(封口構件)介入而安裝於處理框體53，確保處理室5的內部的氣密性。在此處理室5中，進行晶圓2的處理。密封構件是例如使用O型環。
在此，亦可在處理框體53的內部配置有使微波透過的石英製的反應管。此情況，反應管的內部會作為實效性的處理室51使用。並且，處理框體53是亦可不設凸緣蓋55來閉塞頂部。
在處理室51的底部是設有待機部57。在待機部57的內部是設有可在處理室51的內部朝上下方向移動的載置台56。在載置台56的上面是載置晶舟8。晶舟8是例如使用石英板。在晶舟8是配置有在上下方向分離且對向配置的基座81及82。朝處理室51通過搬入搬出口51h來搬入的晶圓2是被設為夾於基座81與基座82之間而保持於晶舟8的構成。
基座81、82是具有間接性地加熱例如矽半導體晶圓(Si晶圓)、碳化矽晶圓(SiC晶圓)等藉由吸收微波而本身被加熱的介電質等的介電物質所形成的晶圓2之機能。因此，基座81、82是被稱為能量變換構件、輻射板或均熱板。保持片數是不被特別限定，例如，晶舟8是被設為可保持在上下方向取預定間隔重疊的3片的晶圓2之構成。若具備基座81、82，則可藉由從基座81、82產生的輻射熱來效率佳、均一地加熱晶圓2。
另外，在晶舟8中，亦可在基座81的上部、基座82的下部分別配置有作為隔熱板的石英板。又，處理室5是對於搬送室4朝水平方向鄰接配置，但處理室5是亦可對於搬送室4朝垂直方向，具體而言是在搬送室4的上方側或下方側鄰接配置。
如圖3、圖5及圖8所示般，在處理室5(處理室51)中，在搬送室4側的側壁是形成有被連通至搬送室4的搬入搬出口51h。晶圓2是從搬送室4通過搬入搬出口51h來搬入至處理室5，又從處理室5通過搬入搬出口51h來搬出至搬送室4。在開閉部43或搬入搬出口51h的周邊是設置具有在基板處理中被使用的微波的1/4波長的長度的圖示省略的阻塞構造。阻塞構造是作為微波的洩漏對策而構成。另外，在處理室5(處理室52)中，在搬送室4側的側壁是形成有被連通至搬送室4的搬入搬出口52h(參照圖1)。
又，如圖1、圖2所示般，使各個的開閉部43上下移動的上下機構44會分別被配置於開閉部43的下方。藉此，可藉由上下機構44使各個的開閉部43上下移動，來開閉搬入搬出口51h、52h。
而且，在搬送室4中，在搬入搬出口51h、52h的周圍是分別安裝有3個檢測感測器(第1檢測感測器)46a、檢測感測器(第2檢測感測器)46b，在開閉部43閉塞搬入搬出口51h、52h的狀態下，檢測出從處理室51、52通過搬入搬出口51h、52h來洩漏至搬送室4側的微波。具體而言，3個的檢測感測器46a、46b是分別被安裝於在搬送框體41中形成有搬入搬出口51h、52h的內壁41a。並且，檢測感測器46a是被配置於搬入搬出口51h的外側(與搬入搬出口52h相反側的搬送框體41的左側壁側：圖1、圖2、圖5的左側)，檢測感測器46b是被配置於搬入搬出口52h的外側(與搬入搬出口51h相反側的搬送框體41的右側壁側：圖1、圖2、圖5的右側)。亦即，檢測感測器46a會被配置於離開第2處理室52的搬入搬出口52h的位置(從搬入搬出口52h洩漏的微波不會達到的位置)，且檢測感測器46b會被配置於離開第1處理室51的搬入搬出口51h的位置(從搬入搬出口51h洩漏的微波不會達到的位置)。藉由配置於如此的位置，可防止檢測感測器46a誤檢測從第2處理室52的搬入搬出口52h洩漏的微波，且可防止檢測感測器46b誤檢測從第1處理室51的搬入搬出口51h洩漏的微波。
在此，比較搬入搬出口51h、52h的開口寬度與開口高度，將長的方向的距離設為距離K1。如此一來，所謂「在搬送室4中，搬入搬出口51h、52h的周圍」是從搬入搬出口51h、52h所開口的開口方向來看，離搬入搬出口51h、52h的開口緣的距離為距離K1以內的區域。
在本實施形態中，檢測感測器46a是作為檢測出從搬入搬出口51h洩漏的微波的感測器，設置3個。3個的檢測感測器46a是從搬入搬出口51h所開口的開口方向(在本實施形態中，裝置寬度方向)來看，對於搬入搬出口51h，被配置於與搬入搬出口52h相反側，被排列於上下方向。而且，在上下方向，配置有3個的檢測感測器46a的範圍是覆蓋搬入搬出口51h所開口的範圍。並且，在裝置進深方向，檢測感測器46a與搬入搬出口51h的距離(圖1的L1)是被設為搬入搬出口51h的開口寬度(圖1的W1)以下。
另外，有關檢測感測器46a與搬入搬出口51h的距離L1，從使檢測感測器46a的檢測精度提升的觀點，搬入搬出口51h的開口寬度W1的一半以下為理想，搬入搬出口51h的開口寬度W1的40[%]以下更理想，搬入搬出口51h的開口寬度W1的20[%]以下特別理想。
又，檢測感測器46b是作為檢測出從搬入搬出口52h洩漏的微波的感測器，設置3個。3個的檢測感測器46b是從搬入搬出口52h所開口的開口方向來看，對於搬入搬出口52h，被配置於與搬入搬出口51h相反側，被排列於上下方向。而且，在上下方向，配置有3個的檢測感測器46b的範圍是覆蓋搬入搬出口52h所開口的範圍。並且，在裝置進深方向，檢測感測器46b與搬入搬出口52h的距離(圖1的L2)是被設為搬入搬出口52h的開口寬度(圖1的W2)以下。
另外，有關檢測感測器46b與搬入搬出口52h的距離L2，從使檢測感測器46b的檢測精度提升的觀點，搬入搬出口52h的開口寬度W2的一半以下為理想，搬入搬出口52h的開口寬度W2的40[%]以下更理想，搬入搬出口52h的開口寬度W2的20[%]以下特別理想。
另一方面，如圖3所示般，在與搬送室4相反側的處理框體53的側壁是配置有作為加熱裝置的電磁波供給部90。電磁波供給部90在此是藉由微波產生器91、92所構成。具體而言，微波產生器91、92是將處理室5夾於中間來與搬入搬出口51h、52h對向而配置。從此微波產生器91、92發送的微波是被供給至處理室5來加熱晶圓2，對晶圓2實施各種處理。
又，載置晶舟8的載置台56是在其下面中心部分，被連結至作為旋轉軸的軸(shaft)58的上端部，且被支撐。軸58的另一端部是貫通處理框體53的底部，亦即待機部57的底部，連結至被配置在處理框體53的下方側的驅動機構59。在此，驅動機構59是使用電動馬達及昇降裝置。電動馬達的旋轉軸是連結軸58的另一端部。由於軸58會被連結至驅動機構59，因此可藉由驅動機構59來使軸58旋轉而使載置台56旋轉，使被保持於晶舟8的晶圓2旋轉。
而且，從待機部57的底部到驅動機構59的軸58的外周圍是被可朝上下方向伸縮的波紋管57b所覆蓋。波紋管57b是被設為保持處理室5的內部及搬送區域的內部的氣密之構成。
驅動機構59是被設為可將載置台56朝上下方向昇降的構成。亦即，從在待機部57的內部保持晶圓2的位置到在處理室5的內部保持晶圓2的位置(晶圓處理位置)，驅動機構59是使晶舟8上昇。相反的，從在處理室5的內部保持晶圓2的位置到在待機部57的內部保持晶圓2的位置，驅動機構59是使晶舟8下降。
(排氣部10的構成) 在本實施形態的基板處理裝置1中，如圖3、圖8所示般，在處理室5的上部是配置有排氣部10。排氣部10是設為將處理室5的內部的氣氛排氣之構成。在圖3中雖被簡略地表示，但排氣部10是在處理室5的頂部設有排氣口11a。排氣口11a是連接排氣管11的一端。
如圖3所示般，依序串聯閥12、壓力調整器13的各者來連接至真空泵14。閥12是作為開閉閥使用。自動壓力調整閥13是例如使用按照處理室5的內部的壓力來控制閥開度的自動壓力控制(APC：Automatic Pressure Control)閥。 另外，在本實施形態的說明中，有只說明排氣部10作為「排氣系」或「排氣管線」的情況。
(氣體導入部20的構成) 如圖3所示般，在基板處理裝置1中，在處理室5的下部配置有氣體導入部20。具體而言，氣體導入部20是具備：一端被連接至供給口21a的供給管21，該供給口21a是被配置在與搬送室4側相反側的側壁。供給口21a是被配置在比排氣管11的排氣口11a更下方側。供給管21的另一端是閥22、質量流控制器(MFC：Mass Flow Controller)23的各者會依序串聯介入，而被連接至圖示省略的氣體供給源。閥22是例如開閉閥。MFC23是流量控制器。氣體供給源是供給惰性氣體、原料氣體、反應氣體等的各種基板處理所必要的處理氣體，被供給的處理氣體是被供給至處理室5的內部。在此是設為：惰性氣體，具體而言是氮氣體會從氣體供給源供給至處理室5的內部之構成。
另外，基板處理時，朝處理室5的內部供給複數種類的氣體時，在圖3所示的處理室5與閥22之間的供給管21連接導入其他的種類的氣體的供給管。在此供給管是從下游側往上游側依序串聯介入閥、MFC的各者，而連接其他的種類的氣體供給源。並且，具備從供給複數種類的氣體的氣體供給源分別直接連接至處理室5的被並列地配管的供給管，亦可在各供給管配置有閥及MFC。
在本實施形態中，包括圖3所示的供給管21、閥22及MFC23來構成氣體導入部20。並且，氣體導入部20是亦可包括圖示省略的氣體供給源而構成。
另外，作為藉由氣體導入部20來供給的惰性氣體，除了氮氣體以外，可使用氬(Ar)氣體、氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氙(Xe)氣體等的稀有氣體。
(溫度測定部16的構成) 如圖3所示般，處理室5的頂部是藉由凸緣蓋(cap flange)55來密閉，在凸緣蓋55是配置有溫度測定部16。在溫度測定部16是使用非接觸式的溫度感測器。溫度測定部16是測定處理室5的內部溫度來產生溫度資訊，根據此處理室5的內部溫度資訊來調整從氣體導入部20導入的冷卻氣體的流量。並且，溫度測定部16是測定晶圓2的溫度來產生溫度資訊，根據此晶圓2的溫度資訊來調整電磁波供給部90的輸出等。藉此，晶圓2的加熱溫度會被調整，處理室5的內部的溫度分佈，亦即晶圓2的溫度分佈會被最適化。作為溫度測定部16的溫度感測器是例如可實用性地使用放射溫度計(IR：Infrared Radiation)。放射溫度計是測定晶圓2的表面溫度。在晶舟8設有基座81時，放射溫度計是測定基座81的表面面度。
另外，在本實施形態的說明中，所謂晶圓2的溫度(晶圓溫度)是被使用在藉由溫度變換資料來變換的晶圓溫度，亦即被推測的晶圓溫度的意思。又，所謂晶圓2的溫度是有時被使用在利用溫度測定部16來直接測定晶圓2的溫度而取得的溫度的意思。又，有時被使用在雙方的意思。
上述溫度變換資料是預先被記憶於作為圖7所示的記憶部之控制部100的記憶裝置103或被配置於控制部100的外部的外部記憶裝置105。溫度變換資料是取得對於圖3所示的基座81、晶圓2的各者的溫度變化的推移，顯示由此推移導出的基座81的溫度與晶圓2的溫度的相關關係的資料。
若預先作成如此的溫度變換資料，則只要測定基座81的溫度，便可推定晶圓2的溫度。然後，根據此被推定的晶圓2的溫度，調節電磁波供給部90的輸出，而可調節處理溫度。
溫度測定部16是不限於前述的放射溫度計。例如，作為溫度的測定手段，亦可為利用熱電耦的溫度計之溫度的測定、在此溫度計併用非接觸式溫度計之溫度的測定。但，使用利用熱電耦的溫度計時，由於在晶圓2的附近配置熱電耦來進行溫度測定，因此熱電耦本身會藉由從電磁波供給部90產生的微波來加熱，難以正確地測定溫度。因此，可實用性地使用非接觸式溫度計，作為溫度測定部16。
又，溫度測定部16的配置場所是不限於凸緣蓋55。例如，溫度測定部16是亦可配置在載置台56。又，溫度測定部16不只是直接配置於凸緣蓋55或載置台56，亦可設為利用來自被設在凸緣蓋55或載置台56的圖示省略的測定窗的鏡等，使放射光反射，間接性地測定此反射光，測定溫度的構成。而且，溫度測定部16是不限於在處理室5配置1個，亦可在處理室5配置複數個。
(電磁波供給部90的構成) 如圖3所示般，在與搬送室4側相反側，在處理框體53的側壁是配置有貫通處理室5(處理室51)的內部與外部的電磁波導入埠90b。電磁波導入埠90b在此是在上下方向配置2個，在左右方向配置2個，合計4個(在圖3是至顯示2個)。電磁波導入埠90b是從搬送室4來看處理室5側，形成以左右方向作為長度方向的矩形狀。另外，電磁波導入埠90b的個數及形狀是不被特別限定。
在電磁波導入埠90b是分別連接導波管90a的一端部，在導波管90a的另一端部是連接電磁波供給部90。在此，電磁波供給部90是使用微波產生器91、92。被配置於處理室5的上側的電磁波導入埠90b是通過導波管90a來連結微波產生器91。微波產生器91所發送的微波是通過導波管90a及電磁波導入埠90b來供給至處理室5的內部。被配置於處理室5的下側的電磁波導入埠90b是通過導波管90a來連結微波產生器92。微波產生器92所發送的微波是通過導波管90a及電磁波導入埠90b來供給至處理室5的內部。
另外，可使用磁控管、克萊斯管等，作為微波產生器91、92。藉由微波產生器91、92所產生的微波是被控制成13.56[MHz]以上，24.125[GHz]以下的頻率範圍。微波是被控制2.45[GHz]或5.8[GHz]以下的頻率為合適。
在此，微波產生器91、92是使相同頻率的微波產生，但亦可設為使不同的頻率的微波產生之構成。又，電磁波供給部90是亦可在1個的處理室5具備1個的微波產生器，亦可具備2個、3個或5個以上的微波產生器而構成。又，亦可在處理室5中，在對向的側壁配置微波產生器91、92的各者。如圖3、圖8所示般，電磁波供給部90是被連接至控制部(控制器)100。具體而言，如圖7所示般，電磁波供給部90(微波產生器91、92)是被連接至控制部100，控制部100是被連接至溫度測定部16。在處理室5中，若利用溫度測定部16來測定晶圓2的溫度(處理室5的內部溫度)，則被測定的內部溫度是作為溫度資訊被傳送至控制部100。在控制部100中，根據溫度資訊來調節微波產生器91、92的輸出，調節晶圓2的加熱溫度(晶圓2的處理溫度)。
作為微波產生器91、92的輸出的調節方法，可使用調節輸入電壓位準的方法或調節輸入電壓期間(電源的ON時間與OFF時間的比率)的方法。 在此，微波產生器91、92是依據從控制部100傳送的相同的控制訊號來控制。另外，微波產生器91、92是亦可設為從控制部100分別傳送個別的控制訊號來各個地控制之構成。
(控制部100的構成) 如圖7所示般，控制部100的構成是包括中央運算處理單元(CPU：Central Processing Unit)101、隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)102、記憶裝置103及輸出入(I/O)埠104。亦即，控制部100是構成為電腦。在此，在本實施形態的說明中，中央運算處理單元101是記載為CPU101，隨機存取記憶體102是記載為RAM102，輸出入埠104是記載為I/O埠104。
CPU101是通過內部匯流排110來連接至RAM102、記憶裝置103、I/O埠104的各者，且可互相地進行資訊的接收發送。控制部100是通過內部匯流排110來連接輸出入裝置106。輸出入裝置106是可使用觸控面板、鍵盤、滑鼠等。記憶裝置103是例如可使用快閃記憶體、硬碟(HDD：Hard Disk Drive)等。
在記憶裝置103是可讀出地儲存有控制基板處理裝置1的基板處理動作的控制程式、製程處方等。製程處方是記載有退火(改質)處理的程序、條件等，為了使基板處理的各程序實行於控制部100來取得預定的結果而組合者，作為程式(軟體)機能。
在本實施形態的說明中，控制程式、製程處方等是總簡稱為「程式」。並且，製程處方也有簡稱為「處方」時。在此，所謂「程式」是被使用在僅處方單體，僅控制程式單體，或包含雙方的意思。RAM102是作為暫時性地保存藉由CPU101所讀出的程式、資料等的記憶體區域(工作區域)使用。
I/O埠104是被連接至MFC23(25)、閥22、壓力感測器15、壓力調整器13、電磁波供給部90、溫度測定部16、真空泵14、上下機構44、驅動機構59、檢測感測器46a、46b等的各者。該等的連接是使用外部匯流排111。
控制部100的CPU101是從記憶裝置103讀出控制程式而實行，且按照從輸出入裝置106輸入的操作指令等來從記憶裝置103讀出處方。
CPU101是按照被讀出的處方的內容，實行使用MFC23(25)的各種氣體的流量調整動作、閥22的開閉動作、根據壓力感測器15使用壓力調整器13的壓力調整動作、真空泵14的啟動及停止的各者。又，CPU101是根據溫度測定部16實行電磁波供給部90的輸出調整動作。又，CPU101是實行藉由驅動機構59的載置台56(或晶舟8)的旋轉動作、旋轉速度調節動作、或昇降動作等。
在控制部100中，安裝有被儲存於外部記憶裝置105的程式。外部記憶裝置105是例如使用硬碟等的磁碟、光磁碟(MO：Magneto-Optic disk)、光碟(CD：Compact Disk)等的光碟片。又、作為外部記憶裝置105是可使用通用序列匯流排(USB：Universal Serial Bus)記憶體等的半導體記憶體。
在此，記憶裝置103、外部記憶裝置105是可讀取或讀寫程式、資料等的記錄媒體，有時總簡稱為「記錄媒體」。在本實施形態的說明中，所謂記錄媒體是被使用在僅記憶裝置103單體，僅外部記憶裝置105單體，或包含雙方的意思。另外，程式是亦可不使用記憶裝置103或外部記憶裝置105，而使用網際網路或專用線路等的通訊手段，提供給控制部100。
(基板處理方法) 其次，一面參照圖1~圖5，一面利用圖6來說明有關基板處理裝置1的基板處理方法。在本實施形態中，說明半導體裝置(device)的製造製程之一工程，例如被形成於晶圓(基板)2上的非晶矽膜的改質方法(結晶化方法)，作為基板處理方法。在此，被顯示於圖8的基板處理裝置1的各構成要素是利用被顯示於圖7的控制部100來控制動作。 另外，基板處理裝置1的處理室51、52的各者是根據相同的處方來實行相同的處理，因此說明有關使用一方的處理室51的處理，使用另一方的處理室52的說明是省略。
在本實施形態的說明中，所謂「晶圓2」是被使用在晶圓2本身，或在表面形成有預定的單層膜或層疊膜的晶圓2的意思。所謂「晶圓2的表面」是被使用在晶圓2本身的表面，或被形成於晶圓2的單層膜或層疊膜的表面的意思。而且，所謂「在晶圓2的表面形成預定的層」是被使用在將預定的層直接形成於晶圓2本身的表面，或在被形成於晶圓2的單層膜或層疊膜的表面形成預定的層的意思。並且，「晶圓2」是當作與「基板」同義被使用。
(1)基板取出工程(步驟S1) 在圖8所示的基板處理裝置1的搬送室4中，移載機7是藉由裝載埠單元6來從被開口的晶盒3取出預定片數成為處理對象的晶圓2，在鉗子71、72的任一方或雙方載置晶圓2。
(2)基板搬入工程(步驟S2) 被載置於鉗子71、72的任一方或雙方的晶圓2是被搬入至藉由圖3、圖8所示的開閉部43的開閉動作來開放搬入搬出口51h的處理室51的內部(晶舟裝載)。而且，一旦晶圓2被搬入至內部，則藉由開閉部43的開閉動作來閉塞搬入搬出口51h。
(3)爐內壓力、溫度調整(步驟S3) 處理室51的內部(爐內)會被調節成預定的壓力。例如，壓力是被調節至10[Pa]以上，102000[Pa]以下。具體而言，處理室51的內部會一面藉由真空泵14來排氣，一面根據藉由壓力感測器15所檢測出的壓力資訊來反餽控制壓力調整器13的閥開度，處理室51的內部會被調節成預定的壓力。
並且，同時，控制電磁波供給部90，使微波從微波產生器91、92發送，將處理室51的內部加熱至預定的溫度，作為預備加熱。微波產生器91、92是例如發送2.45[GHz]，1[kW]以上30[kW]以下的微波。使昇溫至預定的基板處理溫度時，為了防止晶圓2的變形或破損，電磁波供給部90是在比後工程的改質工程的輸出更小的輸出中使昇溫為理想。 另外，亦可設為：在大氣壓下進行基板處理時，處理室51的內部的壓力調整是不進行，只進行處理的內部的溫度調整之後，移往其次的惰性氣體供給(步驟S4)之控制。
(4)惰性氣體供給(步驟S4) 一旦處理室51的內部的壓力及溫度藉由爐內壓力、溫度調整工程來調節成預定的値，則圖3所示的驅動機構59會使軸58旋轉而使被保持於載置台56上的晶舟8的晶圓2旋轉。此時，開始從氣體導入部20往處理室51的內部之作為冷卻氣體的惰性氣體的供給。惰性氣體是例如使用氮氣體。從圖示省略的氣體供給源，使MFC23、閥22介入，通過供給管21的供給口21a，供給氮氣體至處理室51的下部的待機部57內。
另一方面，開始圖3所示的排氣部10的動作，處理室51的內部的氣氛會被排氣。具體而言，在排氣部10中，開始真空泵14的動作，使閥12、壓力調整器13介入，從排氣口11a~11d通過排氣管11，藉由真空泵14來將氣氛排氣。處理室51的內部的壓力是被調節成10[Pa]以上，102000[Pa]以下，理想是被調節成101300[Pa]以上，102000[Pa]以下。
(5)改質工程開始(步驟S5) 一旦處理室51的內部被維持於預定的壓力，則從電磁波供給部90供給微波至處理室51的內部。藉由微波的供給，晶圓2被加熱至100[℃]以上，1000[℃]以下的溫度，理想是400[℃]以上，900[℃]以下的溫度。進一步，將晶圓2加熱至500[℃]以上，700[℃]以下的溫度為理想。
藉由在如此的溫度範圍中實施基板處理，晶圓2會效率佳吸收微波，因此可使改質處理的速度提升。換言之，若晶圓2藉由比100[℃]更低的溫度，或比1000[℃]更高的溫度來處理，則晶圓2的表面會變質，微波難被吸收，因此晶圓2難效率佳加熱。
在此，從處理室51通過搬入搬出口51h來從開閉部43洩漏的微波是否藉由哪個的檢測感測器46a(參照圖2)來檢測出，會藉由控制部100來判定(步驟S6)。具體而言，一旦哪個的檢測感測器46a檢測出被預定的被預定的位準(例如5[mW/cm2 ])以上的微波，則控制部100是判定成藉由檢測感測器46a來檢測出微波。
判定成藉由檢測感測器46a來檢測出微波時，此被檢測出的狀態是否到達臨界值時間(例如5[sec])，會藉由控制部100來判定(步驟S7)。具體而言，藉由檢測出被預定的位準以上的微波的檢測感測器46a，若微波繼續被檢測出的時間到達臨界值時間，則控制部100是判定成微波洩漏。 判定成微波洩漏時，控制部100是使微波產生器91、92之微波的發送停止(步驟S8)。然後，結束一連串的動作。
另一方面，在步驟S6，控制部100判定成未藉由檢測感測器46a來檢測出微波時，及在步驟S7，控制部100判定成微波未洩漏時，是否結束改質工程，會藉由控制部100來判定(步驟S9)。具體而言，判定是否經過被預定的處理時間，未經過處理時間時，亦即，改質工程未結束時，回到步驟S6。另外，藉由實行改質工程，晶圓2會被加熱，被形成於晶圓2的表面上的非晶矽膜會被改質(結晶化)成多晶矽膜。亦即，可在晶圓2形成被均一地結晶化的多晶矽膜。 另一方面，一旦經過處理時間，則晶舟8的旋轉、冷卻氣體的供給、微波的供給及處理室5的內部的排氣會被停止，結束改質工程。
(6)惰性氣體供給(步驟S10) 在步驟S9中，一旦被判定成改質工程結束，則藉由調整壓力調整器13，處理室51的內部壓力會被調節成比搬送室4的內部壓力更低。然後，開閉部43會被開放。藉此，循環於搬送室4的內部的淨化氣體會從處理室51的下部朝向上部排氣，可有效地抑制處理室51的上部的悶熱。
(7)基板搬出工程(步驟S11) 藉由開閉部43被開放，處理室51與搬送室4會被連通。然後，被保持於晶舟8的改質工程後的晶圓2會藉由移載機7的鉗子71、72來搬出至搬送室4。
(8)基板冷卻工程(步驟S12) 藉由鉗子71、72來搬出的晶圓2是依據移載裝置73、移載裝置昇降器74的連續動作來移動至冷卻室9，藉由鉗子71來載置於晶圓冷卻用載置具9b。
在此，晶圓冷卻用載置具9b是亦可在載置晶圓2的晶圓冷卻平台9a的上方具備具有與晶圓2的直徑相同或更大徑的圓盤形狀的頂板。藉此，來自上方的降流(downflow)DF不會直接被吹在晶圓2上，因此可抑制急速冷卻之晶圓2的均一的冷卻，可有效果地抑制或防止晶圓2的變形。
(9)基板收容工程(步驟S13) 在冷卻室9被冷卻的晶圓2是藉由移載裝置73、移載裝置昇降器74的連續動作來收容於預定的位置。 在此，在前述的圖4所示的處理室51中，使3片的晶圓2保持於晶舟8而進行基板處理，但不限於此晶圓2的片數。例如，亦可使1片的晶圓2保持於處理室51、52的各者的晶舟8，在並列地進行相同的基板處理之後，對晶圓2實施冷卻處理。
(根據本第1實施形態的效果) 若根據本第1實施形態，則可取得以下所示的複數的效果。
(1)在本第1實施形態中，檢測感測器46a、46b是在搬送室4中被配置於搬入搬出口51h、52h的周圍。因此，可抑制被配置於搬送室4的內部的電子零件因微波洩漏至搬送室4而誤動作或破損。
(2)在本第1實施形態中，檢測感測器46a、46b是在搬送室4中，在搬入搬出口51h、52h的周圍分別配置3個(複數個)。因此，與檢測出微波的檢測感測器為1個(單數)時作比較，可抑制誤檢測。換言之，可使檢測出微波的洩漏的檢測精度提升。
(3)在本第1實施形態中，當以檢測感測器46a檢測出微波的時間到達臨界值時間時，控制部100是判定成微波洩漏。因此，例如，與只藉由檢測感測器來檢測出微波，就判定成微波洩漏的情況作比較，可抑制誤檢測。換言之，可使檢測微波的洩漏的檢測精度提升。
(4)在本第1實施形態中，藉由檢測微波的洩漏的檢測精度提升，因誤檢測微波的洩漏所造成的裝置的停止會被抑制，所以可縮短工程的所要時間(循環時間)。
(5)在本第1實施形態中，微波產生器91、91是將處理室5夾於中間來與搬入搬出口51h、52h對向而配置。因此，檢測感測器46a、46b是可檢測出從微波產生器91、91發送，而從搬入搬出口51h、52h洩漏的微波。
(6)在本第1實施形態中，在上下方向，配置有3個的檢測感測器46a的範圍是覆蓋搬入搬出口51h所開口的範圍。因此，與在上下方向，檢測感測器的配置範圍未覆蓋搬入搬出口所開口的範圍的情況，可使檢測微波的洩漏的檢測精度提升。
＜第2實施形態＞ 說明本發明的第2實施形態的基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式的一例。具體而言，利用圖9所示的流程來說明有關第2實施形態的基板處理裝置1的基板處理方法。另外，有關第2實施形態是主要說明相對於第1實施形態不同的部分。
第2實施形態的基板取出工程(步驟S21)是與第1實施形態的基板取出工程(步驟S1)同樣，第2實施形態的基板搬入工程(步驟S22)是與第1實施形態的基板搬入工程(步驟S2)同樣。又，第2實施形態的壓力･溫度調整(步驟S23)是與第1實施形態的壓力･溫度調整(步驟S3)同樣，第2實施形態的惰性氣體供給(步驟S24)是與第1實施形態的惰性氣體供給(步驟S4)同樣。
(1)改質工程開始(步驟S25) 一旦處理室51的內部被維持於預定的壓力，則從電磁波供給部90供給微波至處理室51的內部。藉由微波的供給，晶圓2會被加熱至100[℃]以上，1000[℃]以下的溫度，理想是400[℃]以上，900[℃]以下的溫度。進一步，將晶圓2加熱至500[℃]以上，700[℃]以下的溫度為理想。
藉由在如此的溫度範圍中實施基板處理，晶圓2會效率佳吸收微波，因此可使改質處理的速度提升。換言之，若晶圓2藉由比100[℃]更低的溫度或比1000[℃]更高的溫度來處理，則晶圓2的表面會變質，微波難被吸收，因此晶圓2難效率佳加熱。
在此，從處理室51通過搬入搬出口51h來從開閉部43洩漏的微波是否藉由那個的檢測感測器46a來檢測出，是藉由控制部100來判定(步驟S26)。具體而言，一旦哪個的檢測感測器46a檢測出被預定的位準(例如、5[mW/cm2 ])以上的微波，則控制部100是判定成藉由檢測感測器46a來檢測出微波。
判定成藉由檢測感測器46a來檢測出微波時，檢測出微波的檢測感測器46a是否為複數個(2個以上)，藉由控制部100來判定(步驟S27)。
判定成檢測出微波的檢測感測器46a為複數個時，此被檢測出的狀態是否到達臨界值時間(例如5[sec])，藉由控制部100來判定(步驟S28)。具體而言，藉由檢測出被預定的位準以上的微波的複數個的檢測感測器46a，若微波繼續被檢測出的時間分別到達臨界值時間，則控制部100是判定成微波洩漏。換言之，藉由檢測出被預定的位準以上的微波的複數個的檢測感測器46a的各者，若微波繼續被檢測出的時間到達臨界值時間，則控制部100是判定成微波洩漏。
判定成微波洩漏時，控制部100使藉由微波產生器91、92之微波的發送停止(步驟S29)。然後，結束一連串的動作。
另一方面，在步驟S26，控制部100判定成未藉由檢測感測器46a檢測出微波時，在步驟S27，控制部100判定成檢測出微波的檢測感測器46a為1個(單數)時，及在步驟S28，控制部100判定成微波未洩漏時，改質工程是否結束，藉由控制部100來判定(步驟S30)。具體而言，判定是否經過了被預定的處理時間，未經過處理時間時，亦即改質工程未結束時，回到步驟S26。另外，藉由實行改質工程，晶圓2會被加熱，被形成於晶圓2的表面上的非晶矽膜會被改質(結晶化)成多晶矽膜。亦即，在晶圓2可形成被均一地結晶化的多晶矽膜。
另一方面，若經過處理時間，則晶舟8的旋轉、冷卻氣體的供給、微波的供給及處理室5的內部的排氣會被停止，結束改質工程。
結束改質工程之後的第2實施形態的惰性氣體供給(步驟S31)是與第1實施形態的惰性氣體供給(步驟S10)同樣，第2實施形態的基板搬出工程(步驟S32)是與第1實施形態的基板搬出工程(步驟S11)同樣。又，第2實施形態的基板冷卻工程(步驟S33)是與第1實施形態的基板冷卻工程(步驟S12)同樣，第2實施形態的基板收容工程(步驟S34)是與第1實施形態的基板收容工程(步驟S13)同樣。
(根據本第2實施形態的效果) (1)在本第2實施形態中，檢測出微波的檢測感測器46a為複數個，且藉由檢測出微波的檢測感測器46a，微波繼續被檢測出的時間分別到達臨界值時間時，控制部100是判定成微波洩漏。因此，例如，與檢測出微波的檢測感測器46a為1個(單數)，且藉由檢測出微波的檢測感測器46a，微波被繼續檢測出的時間到達臨界值時間時，判定成微波洩漏的情況作比較，可抑制誤檢測。換言之，可使檢測出微波的洩漏的檢測精度提升。
有關其他的第2實施形態的效果是與第1實施形態的效果同樣。
另外，雖針對特定的實施形態來詳細說明了本發明，但本發明並非被限定如此的實施形態，可在本發明的範圍內取其他各種的實施形態，對於該當業者而言明確。例如，在上述第1、2實施形態中，通過搬入搬出口51h、52h來檢測出洩漏至搬送室4側的微波之檢測感測器46a、46b分別安裝3個，但檢測感測器亦可分別安裝1個，亦可分別安裝2個，或亦可分別安裝4個以上。
並且，在上述第1、2實施形態中，將檢測感測器46a、46b配置於搬入搬出口51h、52h的側方，但例如亦可將檢測感測器46a、46b，如圖10所示般，配置於搬入搬出口51h、52h的上方。
如此配置的情況，在裝置進深方向，配置有3個的檢測感測器46a、46b的範圍會覆蓋搬入搬出口51h、52b的開口範圍，藉此與未覆蓋搬入搬出口51h、52b的開口範圍的情況作比較，可使檢測微波的洩漏的檢測精度提升。
並且，在上述第2實施形態中，檢測出微波的檢測感測器46a為複數個，且藉由檢測出微波的檢測感測器46a，微波繼續被檢測出的時間分別到達臨界值時間時，控制部100是判定成微波洩漏。但，安裝複數個檢測感測器時，其過半數個的檢測感測器檢測出微波，且藉由檢測出微波的檢測感測器，微波繼續被檢測出的時間分別到達臨界值時間時，控制部亦可判定成微波洩漏。
並且，在上述第1、2實施形態中，說明有關將被形成於晶圓2的非晶矽膜改質成多晶矽膜的處理，但本發明是不被限定於此例。
若詳細說明，則本發明是亦可供給包含氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)之中至少1以上的氣體，將被形成於基板表面的膜改質。例如，在晶圓形成有作為高介電質膜的鉿氧化膜(HfxOy膜)時，一邊供給含氧的氣體，一邊供給微波而加熱，藉此補充鉿氧化膜中的缺陷的氧，可使高介電質膜的特性提升。另外，在此是針對鉿氧化膜來表示，但本發明是可適用在將包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鑭(La)、鈰(Ce)、釔(Y)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)、鉛(Pb)、鉬(Mo)、鎢(W)等的至少任一個的金屬元素的氧化膜，亦即金屬系氧化膜改質的情況。
亦即，上述的成膜順序是在將被形成於晶圓上的TiOCN膜、TiOC膜、TiON膜、TiO膜、ZrOCN膜、ZrOC膜、ZrON膜、ZrO膜、HfOCN膜、HfOC膜、HfON膜、HfO膜、TaOCN膜、TaOC膜、TaON膜、TaO膜、NbOCN膜、NbOC膜、NbON膜、NbO膜、AlOCN膜、AlOC膜、AlON膜、AlO膜、MoOCN膜、MoOC膜、MoON膜、MoO膜、WOCN膜、WOC膜、WON膜或WO膜改質的情況也可適用本發明。
並且，不限於高介電質膜，使以摻雜雜質的矽作為主成分的膜加熱時也可適用本發明。以矽作為主成分的膜，有矽氮化膜(SiN膜)、矽氧化膜(SiO膜)矽氧碳化膜(SiOC膜)、矽氧碳氮化膜(SiOCN膜)、矽氧氮化膜(SiON膜)等的Si系氧化膜。雜質是例如含硼(B)、碳(C)、氮(N)、鋁(Al)、磷(P)、鎵(Ga)、砷(As)等的至少1個以上。
可在以甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA：Polymethylmethacrylate、環氧樹脂、線型酚醛樹脂、聚亞乙烯醇苯基樹脂等的至少一個作為基礎的光阻膜適用本發明。
又，本發明是在液晶面板的製造製程的圖案化處理、太陽電池的製造製程的圖案化處理或功率器件的製造製程的圖案化處理等，處理基板的技術也可適用。
1:基板處理裝置 2:晶圓 4:搬送室 5:處理室 41:搬送框體 43:開閉部 46a:檢測感測器(第1檢測感測器) 46b:檢測感測器(第2檢測感測器) 51h:搬入搬出口 52h:搬入搬出口 53:處理框體 54:處理框體 91:微波產生器 92:微波產生器 100:控制部
圖1是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置，從搬送室的內部來看搬入搬出口側的圖面。 圖2是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置，從搬送室的內部來看搬入搬出口側的圖面。 圖3是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置的處理室等的剖面圖。 圖4是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置的冷卻室等的剖面圖。 圖5是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置的處理室、搬送室、冷卻室等的剖面圖。 圖6是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置的基板處理方法的各工程的流程圖。 圖7是表示在本發明的第1實施形態的基板處理裝置所具備的控制部的控制系的方塊圖。 圖8是表示本發明的第1實施形態的基板處理裝置的全體構成圖。 圖9是表示本發明的第2實施形態的基板處理裝置的基板處理方法的各工程的流程圖。 圖10是表示對於本發明的實施形態的變形形態的基板處理裝置，從搬送室的內部來看搬入搬出口側的圖面。
7:移載機
9h:搬入搬出口
41:搬送框體
41a:內壁
43:開閉部
44:上下機構
46a:檢測感測器(第1檢測感測器)
46b:檢測感測器(第2檢測感測器)
51h:搬入搬出口
52h:搬入搬出口
L1、L2:距離
W1、W2:開口寬度

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備： 處理框體，其係具有處理基板的處理室； 搬送框體，其係與前述處理框體鄰接，具有搬送前述基板的搬送室； 微波產生器，其係發送被供給至前述處理室的微波； 搬入搬出口，其係連通前述處理室與前述搬送室，搬入搬出前述基板； 開閉部，其係將前述搬入搬出口開閉；及 檢測感測器，其係於前述搬送室內，被配置於前述搬入搬出口的周圍，在前述開閉部閉塞前述搬入搬出口的狀態下，檢測出從前述處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，複數個的前述檢測感測器係被配置於前述搬入搬出口的周圍。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具備控制前述微波產生器的控制部， 前述控制部，係構成為：藉由前述檢測感測器來檢測出前述微波的時間到達臨界值時間時，控制前述微波產生器，使前述微波的發送停止。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，具備控制前述微波產生器的控制部， 前述控制部，係被構成為：藉由前述複數個的檢測感測器之中2個以上的前述檢測感測器來檢測出微波的時間分別到達臨界值時間時，控制前述微波產生器，使前述微波的發送停止。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述微波產生器與前述搬入搬出口，係將前述處理室夾於中間來配置於對向的位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述處理室，係具有第1處理室及第2處理室， 前述檢測感測器，係具有： 第1檢測感測器，其係被配置於從前述第2處理室洩漏的前述微波不會達到的位置，檢測出從前述第1處理室洩漏至前述搬送室的前述微波；及 第2檢測感測器，其係被配置於從前述第1處理室洩漏的前述微波不會達到的位置，檢測出從前述第2處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備： 將前述基板搬入至基板處理裝置的前述處理室之工程； 前述微波產生器發送微波，藉由前述微波來處理前述基板之工程；及 前述檢測感測器檢測出洩漏至前述搬送室的前述微波之工程， 前述基板處理裝置係具備： 處理框體，其係具有處理基板的處理室； 搬送框體，其係與前述處理框體鄰接，具有搬送前述基板的搬送室； 微波產生器，其係發送被供給至前述處理室的微波； 搬入搬出口，其係連通前述處理室與前述搬送室，搬入搬出前述基板； 開閉部，其係將前述搬入搬出口開閉；及 檢測感測器，其係於前述搬送室內，被配置於前述搬入搬出口的周圍，在前述開閉部閉塞前述搬入搬出口的狀態下，檢測出從前述處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法，其中，前述基板處理裝置，係具備被配置於前述搬入搬出口的周圍之複數個的前述檢測感測器， 在檢測出前述微波的工程中，被配置於前述搬入搬出口的周圍之複數個的前述檢測感測器會檢測出洩漏至前述搬送室的前述微波。
  9. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法，其中，前述基板處理裝置，係具備控制前述微波產生器的控制部， 在檢測出前述微波的工程中，前述控制部，係藉由前述檢測感測器來檢測出前述微波的時間到達臨界值時間時，使前述微波的發送停止。
  10. 如申請專利範圍第8項之半導體裝置的製造方法，其中，前述基板處理裝置，係具備控制前述微波產生器的控制部，在檢測出前述微波的工程中，前述控制部，係藉由前述複數個的檢測感測器之中2個以上的前述檢測感測器來檢測出前述微波的時間分別到達臨界值時間時，使前述微波的發送停止。
  11. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法，其中，在檢測出前述微波的工程中，前述檢測感測器，係檢測出藉由前述微波產生器來發送，通過前述搬入搬出口而洩漏至前述搬送室的前述微波， 前述微波產生器，係相對於前述搬入搬出口將前述處理室夾於中間來配置於對向的位置。
  12. 一種記錄媒體，其特徵係記憶程式，該程式係利用電腦來使：將前述基板搬入至基板處理裝置的前述處理室之程序；前述微波產生器發送微波，藉由前述微波來處理前述基板之程序；及前述檢測感測器檢測出洩漏至前述搬送室的前述微波之程序，實行於前述基板處理裝置， 該基板處理裝置，係具備： 處理框體，其係具有處理基板的處理室； 搬送框體，其係與前述處理框體鄰接，具有搬送前述基板的搬送室； 微波產生器，其係發送被供給至前述處理室的微波； 搬入搬出口，其係連通前述處理室與前述搬送室，搬入搬出前述基板； 開閉部，其係將前述搬入搬出口開閉；及 檢測感測器，其係於前述搬送室內，被配置於前述搬入搬出口的周圍，在前述開閉部閉塞前述搬入搬出口的狀態下，檢測出從前述處理室洩漏至前述搬送室的前述微波。
  13. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，前述基板處理裝置，係具備被配置於前述搬入搬出口的周圍之複數個的前述檢測感測器， 在檢測出前述微波的程序中，被配置於前述搬入搬出口的周圍之複數個的前述檢測感測器會檢測出洩漏至前述搬送室的前述微波。
  14. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，前述基板處理裝置，係具備控制前述微波產生器的控制部， 在檢測出前述微波的程序中，前述控制部，係藉由前述檢測感測器來檢測出前述微波的時間到達臨界值時間時，使前述微波的發送停止。
  15. 如申請專利範圍第13項之記錄媒體，其中，前述基板處理裝置，係具備控制前述微波產生器的控制部，在檢測出前述微波的程序中，前述控制部，係藉由前述複數個的檢測感測器之中2個以上的前述檢測感測器來檢測出前述微波的時間分別到達臨界值時間時，使前述微波的發送停止。
  16. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，在檢測出前述微波的工程中，前述檢測感測器，係檢測出藉由前述微波產生器來發送，通過前述搬入搬出口而洩漏至前述搬送室的前述微波， 前述微波產生器，係相對於前述搬入搬出口將前述處理室夾於中間來配置於對向的位置。
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