TWI839838B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於進行微波加熱時，可防止基板上溫度分佈均勻性的惡化。本發明提供一種技術，其具備有：處理室，其對基板進行處理；氣體供給部，其對處理室內供給氣體；微波供給部，其對處理室內供給微波；及微波攪拌部，其藉由處理室內之氣體流動而旋轉以攪拌微波。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
作為半導體裝置(半導體元件)之製程的一個步驟，其存在有例如以退火處理代表的改質處理。隨著元件之細微化、高積體化之傾向顯著，近年來半導體元件被要求對形成具有高的縱橫比(aspect ratio)且高密度之圖案之基板作改質處理。作為對此一基板的改質處理，已被檢討採用微波之熱處理即微波加熱(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-070045號公報
(發明所欲解決之問題)
本發明提供在進行微波加熱時，其可防止基板上溫度分佈均勻性之惡化，而藉此可抑制基板處理之生產性惡化的技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明一態樣其提供一種技術，其具備有： 處理室，其對基板進行處理； 氣體供給部，其對上述處理室內供給氣體； 微波供給部，其對上述處理室內供給微波；及 微波攪拌部，期藉由上述處理室內之氣體流動而旋轉以攪拌上述微波。 (對照先前技術之功效)
根據本發明，在進行微波加熱之情形時，其可防止基板上溫度分佈均勻性之惡化，而藉此可抑制基板處理之生產性惡化。
以下，對本發明一實施形態一邊參照圖式一邊進行說明。
以下之說明中所舉例的基板處理裝置，係半導體裝置之製造步驟中所使用者，且係被構成為對成為處理對象之基板進行既定之程序處理者。 成為處理對象之基板，例如係作為製成半導體裝置之半導體基板的矽晶圓(以下簡稱為「晶圓」)。再者，在本說明書中使用「晶圓」一詞之情形時，其存在有意指「晶圓本身」之情形、及意指「晶圓與在其表面所形成之既定之層與膜等之積層體(集合體)」之情形(即包含被形成於表面之既定之層與膜等而稱為晶圓之情形)。又，在本說明書中使用「晶圓之表面」一詞之情形時，其存在有意指「晶圓本身之表面(露出面)」之情形、及意指「在晶圓上所形成之既定之層與膜等的表面、即作為積層體之晶圓最外層的表面」之情形。在本說明書中使用「基板」一詞之情形時，其亦與使用「晶圓」一詞之情形時同義。 作為對晶圓進行之既定的程序處理(以下亦存在簡稱為「處理」的情形)，例如有退火處理(改質處理)、氧化處理、擴散處理、蝕刻處理、預清潔處理、腔室清潔處理、成膜處理等。於本實施形態中，特別舉出以退火處理所代表之改質處理的情形為例。更詳細而言，於本實施形態中，舉出利用退火處理對晶圓進行加熱，藉此使在該晶圓之表面所成膜之薄膜中之組成與結晶構造產生變化的處理、或對所成膜之薄膜內之結晶缺陷等進行修復的處理等之情形為例。
(1)基板處理裝置之構成 首先，對本實施形態之基板處理裝置的構成，主要使用圖1至圖7來進行說明。再者，於以下之說明中所使用的圖式均為示意性者，圖式上之各元件的尺寸關係、各元件的比率等並不一定要與現實中者一致。又，在複數個圖式的相互之間，各元件的尺寸關係、各元件的比率等亦不一定一致。
圖1係自側面觀察本實施形態之基板處理裝置的概略剖面圖。圖2係自上方觀察圖1所示之基板處理裝置的概略俯視圖。圖3係自側面觀察圖1所示之基板處理裝置之處理室的放大剖面圖。圖4係自基板處理裝置之搬送室側且略上方側觀察圖3所示之處理室的立體圖。圖5係自搬送室側觀察圖3所示之處理室的放大剖面圖(圖4之A-A剖面圖)。圖6係自側面觀察圖1所示之基板處理裝置之微波攪拌部的概略剖面圖。圖7係表示包含圖1所示之基板處理裝置之控制部之控制系統的區塊構成圖。
(基板處理裝置之全體構成) 於本實施形態之基板處理裝置1中，作為搬送成為處理對象之晶圓2的搬送容器(Carrier)，為使用傳送盒(FOUP：Front Opening Unified Pod；前開式晶圓傳送盒)3。
又，基板處理裝置1如圖1及圖2所示般，具有搬送晶圓2之搬送室(搬送區)4、及處理晶圓2之處理室5。 再者，於本實施形態中，處理室5雖相對於搬送室4朝向水平方向鄰接而被設置，但處理室5亦可相對於搬送室4朝垂直方向鄰接設置，具體而言可鄰接而被設置於搬送室4之上方側或下方側。
(搬送室) 搬送室4被設於由例如鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等之金屬材料或石英等所形成之搬送框體(框體)41的內部。
於搬送室4，在搬送框體41之前側(圖1中右側)配設有裝載埠單元(LP)6。裝載埠單元6係作為將傳送盒3之蓋加以開閉的傳送盒開閉機構而被使用，通過被形成於搬送框體41之前方的基板搬出搬入口42，將晶圓2自傳送盒3朝向搬送室4搬送、或將晶圓自搬送室4朝向傳送盒3搬出。 裝載埠單元6具備有框體61、平台62、及開啟器63。平台62用以載置傳送盒3，被構成為，使傳送盒3接近在搬送室4中被形成於搬送框體41之前方之基板搬出搬入口42。開啟器63被構成為，可使被設於傳送盒3之省略圖示之蓋予以開閉。 再者，裝載埠單元6亦可具備可使用沖洗氣體將傳送盒3內部進行沖洗的功能。作為沖洗氣體，可使用氮(N 2)氣等之惰性氣體。又，搬送框體41具備有作為沖洗氣體流通機構的沖洗氣體循環構造。沖洗氣體循環構造被構成為，可使氮氣等之沖洗氣體流通於搬送室4之內部的沖洗氣體流通機構。
又，於搬送室4中，在搬送框體41之後側(圖1中左側)被配置有將處理室51、52加以開閉的閘閥43。 而且，於搬送室4內，設置有作為移載晶圓2之基板移載機構(基板移載機器人)的移載機7。移載機7被構成為包含有：作為載置晶圓2之載置部的鑷子(臂)71、72；可使鑷子71、72之各者朝水平方向旋轉或直線移動的移載裝置73；及使移載裝置73升降的移載裝置升降機74。移載機7藉由鑷子71、72、移載裝置73、及移載裝置升降機74進行連續動作，可將晶圓2裝填(charging)至被配設於處理室5之內部作為基板保持具的晶舟8(參照圖1及圖3)或傳送盒3中。又，移載機7可將晶圓自晶舟8或傳送盒3加以卸除(discharging)。
此外，於搬送室4配設有晶圓冷卻台9A，並於該晶圓冷卻台9A上被配設有作為冷卻晶圓2之基板冷卻用載置具的晶圓冷卻用載置具(冷卻用埠)9B。晶圓冷卻用載置具9B被配置於搬送室4之上方的空間，且較清潔單元11下方的空間。晶圓冷卻用載置具9B具有與晶舟8相同的構造，自上方朝向下方具備有複數條晶圓保持溝。晶圓冷卻用載置具9B，被構成為，複數片晶圓2以水平狀態被積載成多段。 如圖1所示，晶圓冷卻用載置具9B及晶圓冷卻台9A於搬送室4的內部，被配設於較基板搬出搬入口42及閘閥43之設置位置更上方，且被設於較清潔單元11更下方。亦即，晶圓冷卻用載置具9B及晶圓冷卻台9A被配置於，使用移載機7將晶圓2自傳送盒3朝向處理室5搬送的搬送路徑外。因此，其可於晶圓處理或晶圓搬送中效率不會降低的情況下，於晶圓處理後對晶圓2進行冷卻。 此處，於本實施形態之說明中，其存在有將晶圓冷卻用載置具9B與晶圓冷卻台9A一起作為冷卻區(冷卻區域)來進行說明的情形。 再者，亦可設為將晶圓冷卻台9A及晶圓冷卻用載置具9B設在搬送室4外，例如在處理室51與處理室52之間設置冷卻室，並於該冷卻室配置晶圓冷卻台9A及晶圓冷卻用載置具9B的構成。
(處理室) 處理室5係作為基板處理裝置1之處理爐而發揮功能者，且由二個處理室51、52所構成，被設在與傳送盒3對向之搬送框體41之側壁。處理室51、52分別被配設於作為處理容器之殼體53、54的內部。 再者，關於處理室51、52，在無需特別區別以說明的情形時，其存在有僅作為「處理室5」以進行說明的情形。又，被配設周圍由殼體53、54所包圍之處理室5的空間，其存在有作為「處理空間」以進行說明的情形。
此處，在處理室5之說明中，由於一處理室51的構成與另一處理室52的構成相同，因此，以下僅對處理室51進行說明，並省略處理室52的說明。
處理室51如圖3所示般，其具備有作為空腔(處理容器)之中空長方體形狀的殼體53。殼體53由反射微波之例如鋁(Al)等的金屬材料所形成。又，殼體53之頂板部(上部)設有蓋凸緣(閉塞板)55。蓋凸緣55與殼體53同樣地由金屬材料等所形成。蓋凸緣55隔著被省略圖示之密封構件而被安裝於殼體53，以確保處理室5之內部的氣密性。於該處理室5的內部，被進行晶圓2的處理。作為密封構件，可使用例如O型環。 此處，於處理室51中，亦可於殼體53的內部設置供微波穿透之石英製的反應管。於該情形時，反應管之內部係被作為具實效性之處理室51來使用。又，殼體53亦可不設置蓋凸緣55，而使頂板部被封閉。
於處理室51之底部設有搬出搬入部57。於搬出搬入部57之搬送室4側的側壁，經由閘閥43配設有朝向搬送室4被連通的搬出搬入口57H。 於搬出搬入部57之內部設有可於處理室51之內部朝向上下方向移動的載置台56。於載置台56之上表面載置有晶舟8。作為晶舟8，可使用例如石英晶舟。於晶舟8配置有沿著上下方向分開，且對向地被配置的基座81、82。通過閘閥43及搬出搬入口57H而朝向搬出搬入部57被搬入的晶圓2，係被設為夾在基板81與基座82之間由晶舟8所保持的構成。
基座81、82具有對晶圓2間接加熱的功能，該晶圓2係由例如矽半導體晶圓(Si晶圓)、碳化矽晶圓(SiC晶圓)等之吸收微波而本身會被加熱之介電體等的介電物質所形成者。因此，基座81、82被稱為能量轉換構件、輻射板或均熱板。尤其，保持片數雖然未被限定，但例如晶舟8可被設為將沿著上下方向隔著既定間隔被重疊之3片晶圓2加以保持的構成。若具備基座81、82，則可藉由自基座81、82產生的輻射熱，而有效率地且均勻地對晶圓2進行加熱。再者，於晶舟8中，亦可於基座81之上部、基座82之下部分別被配設作為隔熱板的石英板。
供晶舟8載置之載置台56，在其下表面中心部被連結且支撐於作為旋轉軸之軸58的上端部。軸58之另一端部貫通殼體53之底部、即搬出搬入部57之底部，而被連結於被配設在殼體53之下方側的驅動機構59。此處，驅動機構59係使用電馬達及升降裝置。於電馬達之旋轉軸連結有軸58之另一端部。由於軸58被連結於驅動機構59，因此可藉由驅動機構59使軸58旋轉而使載置台56旋轉，以使被保持於晶舟8的晶圓2旋轉。 此處，自搬出搬入部57之底部至驅動機構59之軸58的外周圍，由可朝向上下方向伸縮的波紋管57B所覆蓋。波紋管57B被設為保持處理室5之內部及搬送區內部之氣密的構成。
驅動機構59被設為可在搬出搬入部57之底部與處理室5之底部之間朝向上下方向將載置台56加以升降的構成。亦即，驅動機構59使晶舟8自搬出搬入部57之內部晶圓2被保持的位置(搬出搬入位置)，上升至處理室5之內部晶圓2被保持的位置(晶圓處理位置)。相反地，驅動機構59使晶舟8自處理室5之內部晶圓2被保持的位置，下降至搬出搬入部57之內部晶圓2被保持的位置。
又，於處理室5中，在搬出搬入部57之搬送室4側的側面，設有鄰接於閘閥43的搬出搬入口57H。晶圓2自搬送室4通過搬出搬入口57H朝向處理室5被搬入、或自處理室5通過搬出搬入口57H朝向搬送室4被搬出。於閘閥43或搬出搬入口57H的周邊，被設置具有基板處理所使用之微波之1/4波長長度被省略圖示的閘口(choke)構造。閘口構造被構成為微波洩漏的對策。
於與殼體53相反側之搬送室4的側面，被設置有作為加熱裝置的電磁波供給部90。電磁波供給部90在此處係由微波產生器91、92所構成。自微波產生器91、92所供給之微波，被導入處理室5的內部對晶圓2進行加熱，而對晶圓2實施各種處理。
於將處理室5之頂板部加以密閉的蓋凸緣55，被配設有溫度測定部16。作為溫度測定部16，例如可使用非接觸式的溫度感應器。測定部16例如對處理室5之內部溫度進行測定，而生成自後述氣體供給部20所導入之冷卻氣流之流量調整作為根據的溫度資訊。又，溫度測定部16對晶圓2之溫度進行測定，而生成用以調整電磁波供給部90之輸出等的溫度資訊。藉此，晶圓2之加熱溫度被調整。作為溫度測定部16之溫度感應器，例如紅外線溫度計(IR：Infrared Radiation)可實用性地被使用。紅外線溫度計可測定晶圓2之表面溫度。當晶舟8設有基座81的情形時，可對基座81之表面溫度進行測定。
再者，於本實施形態之說明中，所謂晶圓2之溫度(晶圓溫度)，係依據溫度轉換資料所轉換之晶圓溫度、即以被推測的晶圓溫度之意來使用。又，所謂晶圓2之溫度，其存在有使用溫度測定部16直接地對晶圓2之溫度進行測定而取得的溫度之意味來使用的情形。此外，亦存在有作為上述雙方之意味來使用的情形。溫度轉換資料係表示取得相對於基座81、晶圓2之各者之溫度變化的推移，並從該推移所導出之基座81之溫度與晶圓2之溫度之相關關係的資料，且其係預先被儲存於後述之控制部100之儲存裝置103或被設置於控制部100之外部之外部儲存裝置105者。若如此之溫度轉換資料預先被作成，則僅測定基板81之溫度便可推定出晶圓2的溫度。
溫度測定部16並非被限定於上述紅外線溫度計者。例如作為溫度的測定手段，亦可為藉由利用熱電偶之溫度計所進行之溫度的測定、或該溫度計再併用非接觸式測定計之溫度的測定。然而，在使用利用熱電偶之溫度計的情形時，由於熱電偶被配置在晶圓2附近來進行溫度測定，因此熱電偶本身會藉由電磁波供給部90所產生的微波被加熱，而難以正確地測定溫度。因此，作為溫度測定部16，可實用性地使用非接觸式溫度計。 又，溫度測定部16的配設位置並非被限定於蓋凸緣55者。例如，溫度測定部16亦可被配設於載置台56。又，溫度測定部16不僅可被直接配設於蓋凸緣55與載置台56，亦可被設為使用鏡子等使來自被設置於蓋凸緣55與載置台56之省略圖示之測定窗的放射光反射，而間接地對該反射光進行測定以測定溫度的構成。此外，溫度測定部16並不被限定於在處理室5配設1個，亦可在處理室5配設複數個。
(氣體供給部) 於本實施形態之基板處理裝置1中，於處理室5之下部，被配設有對該處理室5供給氣體的氣體供給部20。
氣體供給部20具備有供給管21，該供給管21一端被連接於搬出搬入部57之在與搬出搬入口57H不同之側壁所配置的供給口21A。供給口21A被配置於較排氣管11之排氣口11A更下方側。供給管21的另一端依序串聯地經由閥22、質量流量控制器(MFC：Mass Flow Controller)23之各者，而被連接於被省略圖示之氣體供給源。閥22例如係開閉閥。MFC 23係流量控制器。氣體供給源係用以將惰性氣體、原料氣體、反應氣體等之各種基板處理所需要的處理氣體供給至處理室5之內部者。此處，作為惰性氣體，具體可為氮(N 2)氣自氣體供給源朝向處理室5之內部被供給的構成。
又，氣體供給部20如圖4及圖5所示般具備有供給管24，該供給管24一端被連接於在殼體53之上下方向中間部所配置的供給口24A。供給口24A被配置於較排氣管11之排氣口11A更下方側，且較供給管21之供給口21A更上方側。供給管24之另一端依序串聯地經由與閥22相當之省略圖示之閥、及MFC 25之各者，而被連接於省略圖示之氣體供給源。該氣體供給源係與連接有供給管21之氣體供給源相同的氣體供給源。如此，被構成為包含供給管24及MFC 25之氣體供給部20的一部分，而被構成為中間氣體供給部。 再者，供給口24A由形成有複數個貫通孔的集合體所構成，而該等複數個貫通孔被形成於殼體53之側壁而在此為矩形狀區域內。亦即，供給口24A被形成為網格形狀。自供給口24A朝向處理室5之內部被供給之例如N 2氣體，由於被均勻地擴散至處理室5的內部，因此其可在被保持於晶舟8之晶圓2之面內或複數個晶圓2上實施均勻的處理。
在處理基板時，當朝向處理室5之內部供給複類種類的氣體之情形時，於圖3所示之處理室5與閥22之間的供給管21，被連接有導入其他種類之氣體的供給管。於該供給管，自下游側朝向上游側，依序串聯地經由閥、MFC之各者而連接其他種類的氣體供給源。又，亦可具備有自供給複數種類之氣體之氣體供給源朝向處理室5分別直接連接被並聯地配管的供給管，並於各供給管配設有閥及MFC。
於本實施形態中，其包含供給管21、閥22及MFC 23而構成氣體供給部20。又，氣體供給部20亦可被構成為包含省略圖示之氣體供給源。此外，氣體供給部20亦可被構成為包含圖5所示之作為中間氣體供給部的供給管24、被省略圖示的閥、MFC 25(及氣體供給源)。 再者，作為藉由氣體供給部20所供給之惰性氣體，除了N 2氣體之外，亦可使用氬(Ar)氣、氦(He)氣、氖(Ne)氣、氙(Xe)氣等之稀有氣體。
(氣體排氣部) 於本實施形態之基板處理裝置1中，如圖1及尤其如圖3所示，於處理室5之上部配設有對該處理室5內部之環境進行排氣的排氣部10。排氣部10係作為自處理室5將氣體加以排氣的氣體排氣部而發揮功能。
為了進行此一排氣，於排氣部10如圖3所簡略顯示般，在處理室5之頂板部設有排氣口11A，並於該排氣口11A連接有排氣管11的一端。 更詳細而言，於本實施形態中，如圖4及圖5所示般，於處理室5之頂板部之相當於四個角落的4處，配置有合計4個的排氣口11A~11D。若使用圖4進行說明，則自搬送室4觀察處理室5時，於頂板部之右側近前的角落被配置有排氣口11A，而於右側深處的角落被配置有排氣口11B。又，於頂板部之左側近前的角落被配置有排氣口11C，而於左側深處的角落被配置有排氣口11D。藉由排氣口11A~11D被配置於尤其是頂板部的四個角落，則即便較少的數量，亦可減少處理室5內部之上部空間的「熱量聚集」，以使排氣效率提升。再者，排氣口雖然僅被配置在至少1處即可，但亦可藉由在2處以上之複數處配置排氣口，以使排氣效率提升。
排氣口11A~11D分別由在各排氣口11A~11D之區域內被形成複數個貫通孔(排氣孔)的集合體所構成。亦即，各排氣口11A~11D分別具有複數個排氣孔。然後，被構成為通過複數個排氣孔，將處理室5內部之環境(氣體)加以排氣。
於各排氣口11A~11D，分別連接有排氣管11的一端。而且，排氣管11的另一端被集合為1根的排氣管11。該1根排氣管11如圖3所示意地表示般，依序串聯經由閥12、壓力調整器13之各者而被連接於真空泵14。閥12係作為開閉閥所使用。作為壓力調整器13，例如可使用依據處理室5內部之壓力來控制閥開度的壓力控制控制器(APC：Adaptive Pressure Control)閥。再者，壓力調整器13若可根據處理室5內部之壓力資訊來調整排氣量，則亦可不限定於壓力控制控制器閥，而可被構成為併用一般的開閉閥與壓力調整閥。壓力資訊係自被配設於處理室5之頂板部的壓力感應器15所取得。
於本實施形態中，包含排氣口11A~11D、排氣管11、閥12、及壓力調整器13而構成排氣部10。又，排氣部10亦可被構成為包含真空泵14。此處，於圖3中示意性地表示之排氣部10雖被配設在處理室5的上方，但實際上如圖4所示般，排氣部10之排氣管11於處理室5之上部被集合而沿著殼體53之外側壁朝向下方向被配管。於該排氣管11之配管途中配設有閥12、壓力調整器13，然後排氣管11被設為連接於真空泵14的配置。 再者，於本實施形態之說明中，其存在有單純作為「排氣系統」或「排氣管線」以對排氣部10進行說明的情形。
(微波供給部) 本實施形態之基板處理裝置1，對作為對處理室5之內部供給微波的微波供給部，其具有電磁波供給部90。
具體而言，如圖3及圖5所示，於處理室5之殼體53之與搬送室4側為相反側的側壁，配設有貫通處理室5之內部與外部的電磁波導入埠90B。如圖5所示，電磁波導入埠90B於此處沿著上下方向配設有2個、左右方向配設有2個，而合計配設有4個。電磁波導入埠90B自搬送室4朝向處理室5側觀察時，被形成為以左右方向為長邊方向的矩形狀。再者，電磁波導入埠90B之數量以及形狀並非被特別限定者。 於電磁波導入埠90B連結有導波管90A之一端部，而於導波管90A之另一端部連結有電磁波供給部90。此處，電磁波供給部90使用微波產生器91、92。在被配設於處理室5之上側的電磁波導入埠90B，通過導波管90A而連結有微波產生器91。使用微波產生器91所產生之微波，通過導波管90A及電磁波導入埠90B朝向處理室5的內部被供給。在被配設於處理室5之下側的電磁波導入埠90B，通過導波管90A被連結有微波產生器92。使用微波產生器92所產生之微波，通過導波管90A及電磁波導入埠90B朝向處理室5的內部被供給。
作為微波產生器91、92，可使用磁控管、調速管等。藉由微波產生器91、92所產生之微波，其被控制在13.56MHz以上、24.125GHz以上的頻率範圍。較佳係微波被控制在2.45GHz、或 5.8GHz以下的頻率。 再者，微波產生器91、92雖產生相同頻率的微波，但亦可設為產生不同頻率之微波的構成。又，電磁波供給部90被構成為於1個處理室5既可具備1個微波產生器，亦可具備2個、3個或5個以上的微波產生器。又，亦可在處理室5之對向的側壁配設微波產生器91、92之各者。
微波產生器91、92被連接在於後詳述之控制部(控制器)100，且動作由該控制部100所控制。更詳細而言，微波產生器91、92由自控制部100所發送之相同的控制信號所控制。再者，微波產生器91、92亦可被設為自控制部100分別對該等發送個別的控制信號而個別地加以控制之構成。
(微波攪拌部) 本實施形態之基板處理裝置1除了上述之電磁波供給部90之外，還具有在處理室5之內部對藉由電磁波供給部90所供給之微波進行攪拌的微波攪拌部95。
微波攪拌部95被構成為藉由利用處理室5內之氣體的流動而進行旋轉來攪拌微波，且其對應於複數個排氣口11A~11D之至少一者而被配設。亦即，微波攪拌部95既可僅對應於複數個排氣口11A~11D之任一者而被配設，亦可選擇性地被配設於該等中之複數者，亦可對應於各排氣口11A~11D之全部而個別地被配設。再者，微波攪拌部95只要被設於可藉由處理室5內之氣體流動而進行旋轉的部位即可，例如亦可構成為被設於供給口24A與排氣口11A之間的側面，而藉由自供給口24A所供給之氣體進行旋轉。於本實施形態中，以對應於排氣口11A而設置1個微波攪拌部95的情形為例，以進行以下的說明。
為了攪拌微波，微波攪拌部95如圖6所示般，具有攪拌扇(葉片部)95A。攪拌扇95A例如藉由金屬材料或陶瓷材料等之介電損耗小的高介電材料而被形成為螺旋槳狀。當由金屬材料所形成的情形時，例如，由於其藉由由鋁所形成，表面的凹凸可藉由研磨而變少，因此微波之反射效率變高，而使微波容易攪拌。而且，藉由被形成為螺旋槳狀，其被構成為承受氣體的流動而可進行旋轉。此外，其被構成為藉由旋轉，對微波進行攪拌，因而可防止在處理室5內產生微波的駐波。
攪拌扇95A藉由旋轉軸95B可進行旋轉地被支撐。旋轉軸95B貫通排氣口11A所具有之複數排氣孔110A中的一個，並且在其貫通方向端(亦即，具有排氣口11A之蓋凸緣55上之攪拌扇95A的相反側)由支撐機構部95C所支撐，而該支撐機構部95C係由軸承與其支撐構件所構成者。亦即，支撐攪拌扇95A之旋轉軸95B，被裝設於排氣口11A之複數個排氣孔110A中的一個。
於旋轉軸95B，亦可安裝有可藉由檢測感應器95E進行檢測的標記95D。藉由檢測感應器95E對標記95D進行檢測，可對攪拌扇95A及旋轉軸95B之旋轉的有無進行檢測。例如，亦可被構成為：於對處理室5之微波的供給中，在上述檢測感應器95E藉由標記95D而檢測出攪拌扇95A及旋轉軸95B未進行旋轉之情形時，後述之控制部100控制氣體供給部20之MFC 23，使惰性氣體之供給流量增加而使攪拌扇95A及旋轉軸95B旋轉。
根據如此之構成的微波攪拌部95，由於利用處理室5內之氣體的流動進行旋轉並藉此來攪拌微波，因此其不需要另外準備用於微波攪拌的驅動源(例如電動馬達)。又，由於利用多孔構造之排氣口11A之排氣孔110A所裝設，因此不需要對排氣口11A施加大幅之構造變更，亦不會損及包含排氣管11之處理室5內的氣密性。此外，由於其對應於排氣口11A所設置，因此可抑制顆粒等朝向處理室5內之擴散的可能。
(控制部) 本實施形態之基板處理裝置1如圖1及圖3所示般，具有用以進行裝置整體之動作控制的控制部(控制器)100。
控制部100如圖7所示般，被構成為包含中央運算處理單元(CPU：Central Processing Unit)101、隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)102、儲存裝置103及輸出入(I/O)埠104。亦即，控制部100被構成為電腦。此處，於本實施形態之說明中，中央運算處理單元101被記載為CPU 101、隨機存取記憶體102被記載為RAM 102，輸出入埠104被記載為I/O埠104。
CPU 101通過內部匯流排110被連接於RAM 102、儲存裝置103、I/O埠104之各者，並且可相互地進行資訊的收發。於控制部100通過內部匯流排110被連接輸出入裝置106。作為輸出入裝置106，可使用觸控面板、鍵盤、滑鼠等。儲存裝置103可使用例如快閃記憶體、硬碟(HDD：Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive；固態硬碟)等。
控制基板處理裝置1之基板處理動作的控制程式、製程配方等，可讀取地被貯存於儲存裝置103。製程配方係記載有退火(改質)處理之程序、條件等，其係為了使控制部100執行基板處理之各程序而得到既定之結果所組合而得者，且作為程式(軟體)而發揮功能。於本實施形態之說明中，控制程式、製程配方等被統稱地僅記載為「程式」。又，製程配方亦存在有僅記載為「配方」的情形。此處，所謂「程式」係用於僅包含配方單體、僅包含控制程式單體、或包含雙方的意思。RAM 102係作為暫時性地保存由CPU 101所讀出的程式、資料等之儲存區域(工作區域)而使用。
I/O埠104被連接於MFC 23、閥22、壓力感應器15、壓力調整器13、電磁波供給部90、溫度測定部16、真空泵14、閘閥43、驅動機構59、壓力控制機構430等之各者。該等的連接為被使用外部匯流排111。
於如此構成的控制部100中，CPU 101被構成為將控制程式自儲存裝置103讀取並加以執行，並且可依據自輸出入裝置106所輸入的操作指令等，自儲存裝置103讀取配方。然後，CPU 101照著所讀取之配方的內容，分別執行使用MFC 23之各種氣體的流動調整動作、閥22之開閉動作、根據壓力感應器15而使用壓力調整器13的壓力調整動作、以及真空泵14之起動及停止。又，CPU 101被構成為可執行藉由驅動機構59所進行之載置台56(或晶舟8)的旋轉動作、旋轉速度調節動作、或升降動作等。 此外，CPU 101被構成為可執行基於溫度測定部16之電磁波供給部90的輸出調整動作。更具體而言，被構成為：若使用溫度測定部16來測定晶圓2之溫度(處理室5之內部溫度)，所測定之內部溫度便作為溫度資訊而被傳送，而CPU 101根據該溫度資訊，調節微波產生器91、92的輸出，而可調節晶圓2的加熱溫度(晶圓2之處理溫度)。作為微波產生器91、92之輸出的調節方法，可使用調節輸入電壓水準的方法、調節輸入電壓期間(電源之ON時間與OFF時間的比率)的方法等之任一者。又，CPU 101被構成為可根據檢測感應器95E來調整MFC 23之氣體的供給流量。
再者，控制部100係以安裝有被貯存於外部儲存裝置105之程式的狀態被使用。外部儲存裝置105可使用例如硬碟等之磁碟、磁光碟(MO：Magneto-Optic disk)、光碟片(CD：Compact Disk)等的光碟。又，作為外部儲存裝置105可使用通用序列匯流排(USB：Universal Serial Bus)記憶體等之半導體記憶體。 此處，儲存裝置103、外部儲存裝置105係可讀取或可寫入程式、資料等的記錄媒體，其存在有被總稱而僅記載為「記錄媒體」的情形。於本實施形態之說明中，所謂記錄媒體係以僅包含儲存裝置103單體、僅包含外部儲存裝置105單體、或包含雙方的意思而被使用。再者，程式可不使用儲存裝置103與外部儲存裝置105，而使用網路或專用線路等之通訊手段而被供給至控制部100。
(2)基板處理步驟 其次，作為半導體裝置之製程的一步驟，使用上述之構成之基板處理裝置1，對相對於晶圓2進行處理的基板處理步驟進行說明。又，於以下的說明中，構成基板處理裝置1之各部的動作由控制器100所控制。
此處，作為基板處理步驟，舉出對被形成於晶圓(基板)2上之非晶質矽膜作改質(結晶化)的情形為例。又，於本實施形態中，基板處理裝置1具備有複數個處理室51、52，由於處理室51、52分別根據相同的配方執行相同的處理，因此以下對使用一處理室51的處理進行說明，並省略使用另一處理室52的說明。
圖8係表示本實施形態之基板處理步驟之概要的流程圖。
(基板取出步驟：步驟S1) 如圖8所示，於進行基板處理步驟時，首先，作為基板取出步驟(S1)，在基板處理裝置1之搬送室4中，移載機7從由裝載埠單元6所開口之傳送盒3取出既定片數之成為處理對象的晶圓2，並將晶圓2載置於鑷子71、72之任一者或雙方。
(基板搬入步驟：步驟S2) 其次，基板搬入步驟(S2)中，被載置於鑷子71、72之任一者或雙方的晶圓2，藉由閘閥43之開閉動作而被搬入(port loading；裝載至)處理室5的內部。此處，晶舟8則被下降至處理室5之搬出搬入部57，而晶圓2由晶舟8所保持著。被保持於晶舟8的晶圓2，藉由驅動機構59使載置台56上升，並使晶舟8被搬入處理室5內。
(爐內壓力、溫度調整步驟：步驟S3) 其後，在爐內壓力、溫度調整步驟(S3)中，處理室5之內部(爐內)則被調節為既定壓力。例如壓力被調節為10Pa~102000Pa。具體而言，一邊處理室5的內部藉由真空泵14所排氣，一邊壓力調節器13之閥開度則根據由壓力感應器15所檢測出之壓力資訊而被回饋控制，並使處理室5的內部被調節為既定壓力。 而且同時地，作為預備加熱，電磁波供給部90被控制，使微波產生器91、92發出微波而將處理室5的內部加熱至既定溫度。當使其升溫至既定之基板處理溫度時，為了防止晶圓2之變形或破損，電磁波供給部90較佳係被以較作為後續步驟之改質步驟的輸出為更小的輸出，以使其升溫。 再者，於在大氣壓下進行基板處理時，亦可控制為不進行處理室5內部之壓力調整，而在僅進行處理室5內部之溫度調整後，便移行至其次的惰性氣體供給步驟(S4)。
(惰性氣體供給步驟：步驟S4) 若在溫度調整步驟(S3)中處理室5內部之壓力與溫度被調節為既定值，接著，作為惰性氣體供給步驟(S4)，驅動機構59則使軸58旋轉而使被保持於載置台56上之晶舟8的晶圓2旋轉，並且開始進行自氣體供給部20朝向處理室5之內部作為冷卻氣體之惰性氣體的供給。惰性氣體例如使用N 2氣體。N 2氣體自省略圖示之氣體供給源，經由質量流量控制器23、閥22，並通過供給管21之供給口21A，被供給至處理室5下部的搬出搬入部57內。 另一方面，隨此開始進行排氣部10的動作，使處理室5內部之環境氣體被排氣。詳細而言，於排氣部10，開始進行真空泵14的動作，環境氣體則經由閥12、壓力調整器13，而自排氣口11A~11D通過排氣管11並藉由真空泵14所排氣。處理室5內部之壓力被調節為10Pa以上且102000Pa以下，較佳係被調節為101300Pa以上且102000Pa以下。再者，在開始後述之改質步驟中微波自電磁波供給部90被供給時，亦可開始進行該惰性氣體供給步驟(S4)。
(改質步驟：步驟S5) 若處理室5的內部藉由惰性氣體供給步驟(S4)被維持為既定壓力，其次便開始進行改質步驟(S5)。若開始進行改質步驟(S5)，微波便自電磁波供給部90被供給至處理室5的內部。藉由微波的供給，晶圓2被加熱至100℃以上且1000℃以下的溫度，較佳係被加熱至400℃以上且900℃以下的溫度。更佳係將晶圓2加熱至500℃以上且700℃以下的溫度。 藉由在此一溫度範圍實施基板處理，由於晶圓2可有效率地吸收微波，因此可使改質處理的速度提升。換言之，若晶圓2以低於100℃的溫度、或高於1000℃的溫度進行處理，由於晶圓2的表面會變質而難以吸收微波，因此晶圓2則難以有效率地被加熱。
此處，若開始進行微波朝向處理室5之內部的供給，與該時機一致地，自中間氣體供給部對處理室5之內部供給冷卻氣體之氮氣。亦即，氮氣自氣體供給源經由MFC 25、被省略圖示之閥，並通過供給管24的供給口24A，被供給至處理室5內。 當開始進行微波的供給時，處理室5的內部溫度便急遽地上升。除了冷卻氣體自氣體供給部20朝向處理室5之內部的供給之外，藉由冷卻氣體自中間氣體供給部被供給至處理室5的內部，其可有效地抑制或防止處理室5之上部的熱量聚集。
又，藉由微波的加熱方式，其存在有在處理室5發生駐波，而在晶圓2上產生局部被加熱之加熱集中區域(熱點)、及該區域以外不被加熱之區域(非加熱區域)的可能性。亦即，當進行微波加熱之情形時，其存在有晶圓2上之溫度分佈之均勻性惡化的可能性。此一溫度分佈的均勻性惡化，由於存在有對晶圓2之改質處理無法良好進行、或招致晶圓2變形的可能性，而會使基板處理之生產性惡化，因此應防止其發生。
對此，於本實施形態中，在處理室5內設有微波攪拌部95。而且，攪拌扇95A藉由自排氣口11A被排氣之氣體的流動進行旋轉，藉此對藉由電磁波供給部90所供給之微波進行攪拌。因此，其可藉由微波的攪拌，來防止在處理室5內發生微波駐波的情形。
亦即，於本實施形態中，微波攪拌部95藉由攪拌扇95A的旋轉而對由電磁波供給部90所供給的微波進行攪拌，藉此以防止於處理室5內發生微波之駐波的情形。因此，即便在對晶圓2進行微波加熱之情形時，亦可防止或抑制晶圓2上之溫度分佈的均勻性惡化，其結果，則可使對晶圓2之基板處理的面內均勻性提升。
況且，於本實施形態中，藉由處理室5內之氣體的流動，具體而言係藉由自排氣口11A所排氣之氣體的流動，使攪拌扇95A旋轉而對微波進行攪拌。亦即，由於在改質步驟(S5)中，於處理室5內隨時產生氣體的流動，而利用其使攪拌扇95A旋轉，藉此則可確實地進行微波的攪拌，而且亦不需要另外準備用以進行微波攪拌的驅動源(例如電動馬達)。又，尤其藉由利用自排氣口11A所排氣之氣體的流動，亦可抑制顆粒等朝向處理室5內擴散的可能性。
(溫度測定：步驟S6) 於進行上述之改質步驟(S5)的期間，使用溫度測定部16對處理室5之內部溫度進行測定。此處，溫度測定部16使用非接觸式的溫度感應器，根據由溫度測定部16所測定之溫度資訊，以控制處理溫度。 具體而言，根據由溫度測定部16所測定之溫度資訊，控制電磁波供給部90之電源的ON/OFF，以調節處理室5的內部溫度。又，於儲存裝置103預先儲存有處理室5之內部溫度的上限閾值及下限閾值，根據來由溫度測定部16所測定之溫度資訊，以調整自氣體供給部20被供給至處理室5內之冷卻氣體的流量。
一邊進行如上之溫度控制，一邊執行改質步驟(S5)，藉此以加熱晶圓2，使被形成於晶圓2之表面上的非晶質矽膜改質(結晶化)為聚矽膜。亦即，其可於晶圓2形成均勻地被結晶化的聚矽膜。
(改質步驟結束判斷：步驟S11) 其後，藉由控制部100來判定改質步驟(S5)是否已結束(S11)。具體而言，其判定是否已經過預先所設定的處理時間，並在尚未經過既定時間的情形時、即改質步驟(S5)尚未結束的情形時，接著持續進行改質步驟(S5)。 另一方面，若經過既定時間，則晶舟8之旋轉、冷卻氣體之供給、微波之供給及處理室5內部的排氣便被停止，而結束改質步驟(S5)。
(惰性氣體供給步驟：步驟S12) 當判斷改質步驟(S5)已結束之後，其次，對處理室5之壓力調整器13或搬送室4之壓力控制機構430之至少任一者進行調整，藉此使處理室5之內部壓力被調節為較搬送室4之內部壓力為低。然後，開放閘閥43。藉此，於搬送室4的內部循環的沖洗氣體則自處理室5之下部朝向上部被排氣，而可有效地抑制處理室5之上部的熱量聚集。
(基板搬出步驟：步驟S13) 然後，藉由閘閥43的開放，若處理室5與搬送室4被空間連通，移載機7之鑷子71、72則將被保持於晶舟8之改質步驟後的晶圓2，朝向搬送室4搬出。
(基板冷卻步驟：步驟S14) 藉由鑷子71、72所搬出之晶圓2，藉由移載裝置73、移載裝置升降機74的連續動作，被移動至冷卻區，並藉由鑷子71被載置於晶圓冷卻用載置具9B。 此處，藉由冷卻區被配置於清潔單元11之附近、即與清潔單元11之沖洗氣體送出口之至少一部分相對向的位置，則可使晶圓2的冷卻效率提升。此外，由於晶圓2的冷卻使用顆粒少的沖洗氣體，因此可提升晶圓2之表面或被形成於表面上之薄膜的膜質。
(基板收容步驟：步驟S15) 然後，在冷卻區冷卻後的晶圓2，藉由移載機7被收容至裝載埠單元6的傳送盒3內。
藉由重複進行以上的動作，對晶圓2實施改質處理，本實施形態之基板處理步驟便結束。
(3)本實施形態之效果 根據本實施形態，可發揮以下所示的1個或複數個效果。
(a)於本實施形態中，藉由微波攪拌部95的旋轉，對由電磁波供給部90所供給的微波進行攪拌。因此，可防止於處理室5內發生微波駐波的情形，且即便在對晶圓2進行微波加熱的情形時，亦可防止或抑制晶圓2上之溫度分佈的均勻性惡化，而使對晶圓2之基板處理的面內均勻性提升。藉此，既可良好進行對晶圓2之基板處理，亦可排除招致晶圓2之變形的可能性，其結果則可抑制基板處理的生產性惡化。 亦即，根據本實施形態，在對晶圓2進行微波加熱的情形時，其可防止晶圓2上之溫度分佈的均勻性惡化，藉此可抑制對晶圓2之基板處理的生產性惡化。
況且，於本實施形態中，藉由在處理室5之氣體的流動，微波攪拌部95進行旋轉而對微波進行攪拌。亦即，微波攪拌部95利用處理室5內之氣體的流動進行旋轉，藉此對微波進行攪拌。因此，根據本實施形態，可確實地進行微波的攪拌，且亦不需要另外準備用以進行微波攪拌的驅動源(例如電動馬達)。
(b)於本實施形態中，微波攪拌部95藉由排氣部10所排氣之氣體的流動而進行旋轉。因此，根據本實施形態，藉由利用排氣側之氣體的流動，則可抑制顆粒等朝向處理室5內擴散的可能性，而在抑制對晶圓2之基板處理的生產性惡化極為有利。
(c)於本實施形態中，排氣部10之排氣口11A具有複數個排氣孔110A，於其中之一個排氣孔110A被裝設有微波攪拌部95的旋轉軸95B。因此，根據本實施形態，由於利用多孔構造之排氣口11A之排氣孔110A被裝設微波攪拌部95，因此其不需要對以排氣口11A為首之排氣部10之構成施加大的構造變更即可進行微波的攪拌，所以不致損及包含排氣管11之處理室5內的氣密性，而在抑制對晶圓2之基板處理的生產性惡化上極為有利。
(4)變形例等 以上，雖已具體地說明本發明一實施形態，但本發明並不被限定於上述的實施形態，其可在不脫離其要旨的範圍內進行各種變更。
又，於上述的實施形態中，例如作為基板處理步驟，雖已舉出將被形成於晶圓2之非晶質矽膜改質為聚矽膜的處理之例說明，但本發明並不被限定於該例子。 具體而言，本發明亦可供給含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)中之至少1種以上的氣體，以對被形成於基板表面之膜進行改質。例如，於在晶圓形成有作為高介電體膜之氧化鉿膜(HfxOy膜)的情形時，藉由一邊供給含氧氣體一邊供給微波以進行加熱，並補充氧化鉿膜中缺損的氧，可使高介電體膜的特性提升。再者，此處雖已揭示氧化鉿膜，但本發明亦可適用於對含有包含鋁(Al)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鑭(La)、鈰(Ce)、釓(Y)、鋇(Ba)、鍶(Sr)、鈣(Ca)、鉛(Pb)、鉬(Mo)、鎢(W)等之至少任一者之金屬元素的氮化膜、即金屬系氧化膜進行改質的情形。 亦即，上述之基板處理步驟亦可適用於對被形成於晶圓上之TiOCN膜、TiOC膜、TiON膜、TiO膜、ZrOCN膜、ZrOC膜、ZrON膜、ZrO膜、HfOCN膜、HfOC膜、HfON膜、HfO膜、TaOCN膜、TaOC膜、TaON膜、TaO膜、NbOCN膜、NbOC膜、NbON膜、NbO膜、AlOCN膜、AlOC膜、AlON膜、AlO膜、MoOCN膜、MoOC膜、MoON膜、MoO膜、WOCN膜、WOC膜、WON膜、或WO膜進行改質的情形。 又，本發明並不限於高介電體膜，亦可將其適用於使掺雜雜質之以矽為主成分的膜加熱的情形。以矽為主成分之膜，其存在有如氮化矽膜(SiN膜)、氧化矽膜(SiO膜)、氧碳化矽膜(SiOC膜)、氧碳氮化矽膜(SiOCN膜)、氧氮化矽膜(SiON膜)等之Si系氧化膜。作為雜質，例如包含硼(B)、碳(C)、氮(N)、鋁(Al)、磷(P)、鎘(Ga)、砷(As)等之至少一者以上。 又，亦可將本發明適用於以甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA：Polymethylmethacrylate)、環氧樹脂、酚醛清漆樹脂、聚乙烯酚樹脂等之至少任一者為基底的光阻膜。
又，例如於上述之實施形態中，作為基板處理步驟中進行的處理雖已舉出改質處理為例，但本發明並不限定於此。亦即，只要是進行微波加熱之基板處理，本發明亦可適用於氧化處理、擴散處理、蝕刻處理、預清潔處理、腔室清潔處理、成膜處理等之其他的基板處理。
又，例如於上述之實施形態中，雖已舉出適用於半導體裝置之製程的情形之例，但本發明並不被限定於此。亦即，本發明亦可適用於液晶面板之製程中之圖案化處理、太陽能電池之製程中之圖案化處理、功率元件之製程中之圖案化處理等，對基板進行處理的技術。
1:基板處理裝置 2:晶圓 3:傳送盒 4:搬送室(搬送區) 5:處理室 6:裝載埠單元 7:移載機 8:晶舟 9A:晶圓冷卻台 9B:晶圓冷卻用載置具 10:排氣部 11:排氣管(清潔單元) 11A~11D:排氣口 12:閥 13:壓力調整器 14:真空泵 15:壓力感應器 16:溫度測定部 20:氣體供給部 21:供給管 21A:供給口 22:閥 23:MFC 24,25:供給管 24A:供給口 41:搬送框體 42:基板搬出搬入口 43:閘閥 51,52:處理室 53,54:殼體 55:蓋凸緣 56:載置台 57:搬出搬入部 57B:波紋管 57H:搬出搬入口 58:軸 59:驅動機構 61:框體 62:平台 63:開啟器 71,72:鑷子 73:移載裝置 74:移載裝置升降機 81,82:基座 90:電磁波供給部 90A:導波管 90B:電磁波導入埠 91,92:微波產生器 95:微波攪拌部 95A:攪拌扇(葉片部) 95B:旋轉軸 95C:支撐機構部 95D:標記 95E:檢測感應器 100:控制部 101:CPU 102:RAM 103:儲存裝置 104:I/O埠 105:外部儲存裝置 106:輸出入裝置 110:內部匯流排 110A:排氣孔 111:外部匯流排 430:壓力控制機構
圖1係自側面觀察本發明一實施形態之基板處理裝置的概略剖面圖。 圖2係自上面觀察本發明一實施形態之基板處理裝置的概略俯視圖。 圖3係自側面觀察本發明一實施形態之基板處理裝置之處理室的放大剖面圖。 圖4係自基板處理裝置之搬送室側且略上方側觀察本發明一實施形態之基板處理裝置之處理室的立體圖。 圖5係自搬送室側觀察本發明一實施形態之基板處理裝置之處理室的放大剖面圖(圖4之A-A剖面圖)。 圖6係自側面觀察本發明一實施形態之基板處理裝置之微波攪拌部的概略剖面圖。 圖7係表示包含本發明一實施形態之基板處理裝置之控制部的控制系統的區塊構成圖。 圖8係表示本發明第一實施形態之基板處理步驟之概要的流程圖。
11:排氣管(清潔單元)
11A:排氣口
55:蓋凸緣
95:微波攪拌部
95A:攪拌扇(葉片部)
95B:旋轉軸
95C:支撐機構部
95D:標記
95E:檢測感應器
110A:排氣孔

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：處理室，其對基板進行處理；氣體供給部，其對上述處理室內供給氣體；微波供給部，其對上述處理室內供給微波；微波攪拌部，其藉由上述處理室內之氣體流動而旋轉以攪拌上述微波；及氣體排氣部，其具有複數個排氣孔，且自上述處理室將上述氣體加以排氣；上述微波攪拌部具有攪拌微波之葉片部、及使上述葉片部旋轉之旋轉軸，且被設於上述氣體排氣部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述微波攪拌部被構成為藉由被排氣之上述氣體的流動進行旋轉。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述微波攪拌部被構成為上述旋轉軸被裝著於上述複數個排氣孔中之一個排氣孔。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述葉片部被形成為螺旋槳狀。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述葉片部由介電損耗較小的高介電材料所構成。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述介電損耗較小的高介電材料係金屬材料或陶瓷材料。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述旋轉軸設有可對上述葉片部及上述旋轉軸之旋轉之有無進行檢測的檢測感應器。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，具有控制部，該控制部被構成為，當上述葉片部及上述旋轉軸未在旋轉而由上述檢測感應器所檢測出時，其控制上述氣體供給部以使上述氣體之供給流量增加。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體排氣部被設於上述處理室的上部。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體排氣部設有複數個。
  11. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述氣體排氣部被設於上述處理室之上部的四個角落。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體係對上述基板進行冷卻的氣體。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，其具有保持上述基板的基板保持部。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中，上述基板保持部保持複數片上述基板。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其具備有：對處理基板之處理室內供給氣體的步驟；藉由具有複數個排氣孔之氣體排氣部，自上述處理室將氣體加以排 氣的步驟；對上述處理室內供給微波的步驟；及藉由利用上述處理室內之氣體流動而旋轉的微波攪拌部以攪拌上述微波的步驟；上述微波攪拌部具有攪拌微波之葉片部、及使上述葉片部旋轉之旋轉軸，且被設於上述氣體排氣部。
  16. 一種藉由電腦使基板處理裝置執行如下程序的程式：對處理基板之處理室內供給氣體的程序；藉由具有複數個排氣孔之氣體排氣部，自上述處理室將氣體加以排氣的程序；對上述處理室內供給微波的程序；及藉由利用上述處理室內之氣體流動而旋轉的微波攪拌部以攪拌上述微波的程序；上述微波攪拌部具有攪拌微波之葉片部、及使上述葉片部旋轉之旋轉軸，且被設於上述氣體排氣部。
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