TW202021939A - 單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及熱硬化性樹脂組成物及其硬化物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及熱硬化性樹脂組成物及其硬化物,該單官能酚化合物可得到可形成介電特性及耐熱性優異的硬化物之活性酯樹脂。具體而言,係具有1個以上的乙烯基苄基之單官能酚化合物;在分子鏈之末端,具有源自該單官能酚化合物的乙烯基苄基結構之活性酯樹脂。乙烯基苄基結構係以由乙烯基苄基改性芳基氧基羰基所構成為較佳。

Description

單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及熱硬化性樹脂組成物及其硬化物
本發明係關於單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及熱硬化性樹脂組成物及其硬化物。
環氧樹脂所代表之硬化性樹脂組成物,由於在其硬化物顯現優異的耐熱性與絕緣性,因此廣泛使用於半導體、多層印刷基板等電子零件用途。電子零件用途之中,半導體封裝基板正在發展薄型化,安裝時的封裝基板之彎曲成為問題。為了抑制封裝基板之彎曲,追求高耐熱性。
此外,近年來半導體封裝基板亦發展訊號之高速化、高頻化。因此,期望提供一種熱硬化性樹脂組成物,其可得到對於經高速化、高頻化之訊號亦在維持充分低的介電率的同時顯現充分低的介電正切之硬化物。作為可實現低介電率及低介電正切的材料,已知將活性酯化合物使用作為環氧樹脂用硬化劑之技術(例如參照專利文獻1)。然而,雖然實現低介電率、低介電正切,但耐熱性不充分。
作為作成低介電率及低介電正切的熱硬化性樹脂組成物之其它技術,至今使用:含有低介電率及低介電正切的環氧樹脂之方法、導入異氰酸酯基之方法、含有聚苯醚之方法等。然而,有時光是單純組合此等方法,難以滿足低介電率及低介電正切、高耐熱性、可靠性、無鹵素等各種要求。
在這樣的狀況下,探討乙烯基苄基改性活性酯樹脂作為可形成具備介電特性及耐熱性之硬化物的樹脂組成物(例如參照專利文獻2~3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-169021號公報 [專利文獻2]日本特開2018-70564號公報 [專利文獻3]日本特開2018-44040號公報
[發明欲解決之課題]
本發明之課題係提供一種單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及含有活性酯樹脂之熱硬化性樹脂組成物及其硬化物,該單官能酚化合物在追求更進一步的介電特性及耐熱性之要求的用途中,可得到可形成適合的硬化物之活性酯樹脂。 [用以解決課題之手段]
本發明者針對可得到介電特性及耐熱性優異的硬化物之樹脂組成物反覆潛心研究,結果發現藉由在製造活性酯樹脂時使用經乙烯基苄基改性之單官能酚化合物,可得到在分子末端具有乙烯基苄基改性芳基氧基羰基之活性酯樹脂,其硬化物係介電特性及耐熱性比以往者更優異,臻至完成本發明。
亦即,本發明係關於以下。 [1]一種單官能酚化合物,其具有1個以上的乙烯基苄基。 [2]如[1]所記載之單官能酚化合物,其具有式(1)或(2)所示之結構。
Figure 02_image001
[式(1)及(2)中,R1 表示乙烯基苄基,R2 表示氫原子、烷基、或芳基。又,式(1)中的n為1~5之整數,m為0~4之整數,n與m之和為5。式(2)中的n為1~7之整數,m為0~6之整數,式(2)中的n與m之和為7。式(1)、(2)中的R1 、R2 可為包含相同者,亦可為包含相異者]。 [3]一種活性酯樹脂製造用原料組成物,其含有如[1]或[2]所記載之單官能酚化合物。 [4]一種活性酯樹脂,其在分子鏈之末端,具有源自如[1]或[2]所記載之單官能酚化合物的乙烯基苄基結構。 [5]如[4]所記載之活性酯樹脂,其中乙烯基苄基結構係由乙烯基苄基改性芳基氧基羰基所構成。 [6]如[4]或[5]所記載之活性酯樹脂,其中在主鏈之兩末端含有乙烯基苄基。 [7]如[4]至[6]中任一項所記載之活性酯樹脂,其具有式(I)所示之結構。
Figure 02_image003
(式(I)中,n表示0~20之整數,X表示含有乙烯基苄基之單官能酚化合物的反應殘基,Y表示多官能酚化合物的反應殘基)。 [8]一種活性酯樹脂之製造方法,其係使如[1]或[2]所記載之單官能酚化合物與芳香族多羧酸反應。 [9]一種熱硬化性樹脂組成物,其含有如[4]至[7]中任一項所記載之活性酯樹脂、及硬化劑。 [10]如[9]所記載之熱硬化性樹脂組成物,其係電子零件基板用。 [11]一種硬化物,其係如[9]或[10]所記載之熱硬化性樹脂組成物之硬化物。 [12]一種封裝基板,其使用了如[9]或[10]所記載之熱硬化性樹脂組成物。 [13]如[12]所記載之封裝基板,其係半導體封裝基板。 [發明之效果]
根據本發明,可提供一種單官能酚化合物、活性酯樹脂及其製造方法、以及含有活性酯樹脂之熱硬化性樹脂組成物及其硬化物,該單官能酚化合物可得到可形成介電特性及耐熱性優異的硬化物之活性酯樹脂。
以下,針對本發明之一種實施形態詳細說明。本發明不限定於以下的實施形態,可在不阻礙本發明之效果的範圍添加適當變更而實施。
[酚化合物] 本實施形態之酚化合物係具有1個以上的乙烯基苄基之單官能酚化合物。乙烯基苄基係以直接取代於單官能酚化合物之芳香族環為較佳。
作為單官能酚化合物,可列舉:選自具有1個酚性羥基之單環或多環的芳香族化合物之1種以上。作為單官能酚化合物,例如可列舉:苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、3,5-二甲酚、2,6-二甲酚、鄰苯基苯酚、對苯基苯酚、2-苄基苯酚、4-苄基苯酚、4-(α-異丙苯基)苯酚、α-萘酚、β-萘酚等芳香族單羥基化合物。其中,藉由使用選自α-萘酚、β-萘酚、鄰苯基苯酚、及對苯基苯酚之1個以上的芳香族單羥基化合物,可得到耐熱性優異,介電正切更低的硬化物。
作為乙烯基苄基,可列舉:乙烯基苄基、異丙烯基苄基、正丙烯基苄基等。從工業上的易取得性與硬化性的觀點來看,其中又以乙烯基苄基為較佳。
單官能酚化合物除了乙烯基苄基以外,可具有1個以上的烷基、芳基等取代基。作為烷基,例如可列舉:碳原子數1~20,較佳為碳原子數1~6之烷基。作為碳數1~6之烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、正己基、環己基等。作為芳基,可列舉:苄基、萘基、甲氧基萘基等。
作為具有乙烯基苄基之單官能酚化合物的具體例,例如可列舉:式(1)或(2)所示之單官能酚化合物。
Figure 02_image005
[式(1)及(2)中,R1 表示乙烯基苄基,R2 表示氫原子、烷基、或芳基。又,式(1)中的n為1~5之整數,m為0~4之整數,n與m之和為5。式(2)中的n為1~7之整數,m為0~6之整數,式(2)中的n與m之和為7。式(1)、(2)中的R1 、R2 可為包含相同者,亦可為包含相異者]。
此外,式(2)中的羥基、R1 、R2 表示作為萘環上的取代基,可鍵結於任一環上。
作為烷基,例如可列舉:碳原子數1~20,較佳為碳原子數1~6之烷基。作為碳數1~6之烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、正己基、環己基等。作為芳基,可列舉:苯基、苄基、萘基、甲氧基萘基等。
從使活性酯樹脂之硬化物的耐熱性及介電特性更提升的觀點來看,具有乙烯基苄基之單官能酚化合物係以R2 選自氫原子、甲基及芳基之化合物為較佳。
藉由將上述具有1個以上的乙烯基苄基之單官能酚化合物使用於活性酯樹脂之製造,可得到在分子末端具有乙烯基苄基改性芳基氧基羰基之活性酯樹脂。
因此,上述具有1個以上的乙烯基苄基之單官能酚化合物,可理想地使用作為活性酯樹脂製造用原料組成物。活性酯樹脂製造用原料組成物可含有:與單官能酚化合物反應而產生酯結構之芳香族羧酸或其酸鹵化物。芳香族羧酸或其酸鹵化物係以芳香族多羧酸或其酸鹵化物為較佳。關於芳香族多羧酸或其酸鹵化物係於後述。
[單官能酚化合物之製造方法] 具有乙烯基苄基之單官能酚化合物之製造方法並未特別限定,可使用:使用以往周知的鹼化合物之去鹵化氫反應所致之合成法等。例如可藉由在甲苯、甲基異丁基酮、甲基乙基酮等有機溶劑,使乙烯基苄基鹵化物化合物與多元酚化合物、及如銨鹽般的相轉移觸媒溶解,對其添加鹼化合物,一邊加熱一邊混合而製造。由於含有酚基與乙烯基苄基兩者之化合物的產率高,因此作為鹼化合物,其中又以使用水滑石類為較佳。
[活性酯樹脂] 本實施形態之活性酯樹脂係在分子鏈之末端,較佳為在主鏈之兩末端具有:源自上述具有乙烯基苄基之單官能酚化合物的乙烯基苄基結構。乙烯基苄基結構係以乙烯基苄基改性芳基氧基羰基為較佳。此外,在本說明書中,「活性酯樹脂」係意指:具有源自酚基及芳香族羧酸基的酯結構之化合物或樹脂。
作為活性酯樹脂,可列舉:將選自上述的具有乙烯基苄基之單官能酚化合物(a1)及芳香族多羧酸或其酸鹵化物(a2)之化合物作為反應原料之活性樹脂。反應原料除了上述(a1)、(a2)以外,可包含具有2個以上的酚性羥基之化合物(a3)、芳香族單羧酸或其酸鹵化物(a4)。
具有乙烯基苄基之單官能酚化合物(a1)因與上述的具有1個以上的乙烯基苄基之單官能酚化合物相同而在此省略記載。具有乙烯基苄基之單官能酚化合物(a1)可僅使用1種亦可併用2種以上。
作為芳香族多羧酸或其酸鹵化物(a2),例如可列舉:間苯二甲酸、對苯二甲酸、1,4-、2,3-、或者2,6-萘二甲酸等芳香族二羧酸;苯均三酸、偏苯三酸等芳香族三羧酸;苯均四酸;及此等之醯基氯化物等。此等可單獨使用,亦可併用。從反應物之熔點、溶劑溶解性優異的觀點來看,其中又以間苯二甲酸、或者間苯二甲酸與對苯二甲酸之混合物為較佳。
作為具有2個以上的酚性羥基之化合物(a3),可列舉:選自具有2個以上的酚性羥基之單環或多環的芳香族化合物之1個以上的多官能酚化合物。作為多官能酚化合物,例如可列舉:下述式之式(3-1)~(3-7)所示之化合物等。
Figure 02_image007
Figure 02_image009
式(3-1)~(3-7)中,R2 表示氫原子、烷基、或芳基。式(3-1)、(3-4)、(3-5)、(3-6)中的n為0~4之整數,式(3-2)中的n為0~3之整數,式(3-3)、(3-7)中的n為0~6之整數。多個R2 可為包含相同者,亦可為包含相異者。式(3-3)中的羥基、R2 表示作為萘環上的取代基,可鍵結於任一環上。作為烷基,例如可列舉:碳原子數1~20,較佳為碳原子數1~6之烷基。作為碳數1~6之烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、正己基、環己基等。作為芳基,可列舉:苄基、萘基、甲氧基萘基等。除此之外,亦可列舉:聯萘酚。
多官能酚化合物可為下述式(4)所表示之化合物。
Figure 02_image011
(其中,式(4)中,m為0~20之整數)。
在上述式(4)中,Ar1 分別獨立表示含有酚性羥基之取代基,Z分別獨立為氧原子、硫原子、酮基、碸基、取代或非取代的碳原子數1~20之伸烷基、取代或非取代的碳原子數3~20之伸環烷基、碳原子數6~20之伸芳基、或碳原子數8~20之伸芳烷基。
作為Ar1 ,並未特別限制,而例如可列舉:下述式(5-1)、(5-2)所記載之芳香族羥基化合物的殘基。
Figure 02_image013
式(5-1)、(5-2)中,R2 為氫原子、烷基、芳基之任一者。式(5-1)中的n為0~5之整數,式(5-2)中的n為0~7之整數。式(5-2)中的羥基、R2 表示作為萘環上的取代基,可鍵結於任一環上。多個R2 可為包含相同者,亦可為包含相異者。作為烷基,例如可列舉:碳原子數1~20,較佳為碳原子數1~6之烷基。作為碳數1~6之烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、正己基、環己基等。作為芳基,可列舉:苄基、萘基、甲氧基萘基等。
作為前述Z中的碳原子數1~20之伸烷基,並未特別限制,而可列舉:亞甲基、伸乙基、伸丙基、1-甲基亞甲基、1,1-二甲基亞甲基、1-甲基伸乙基、1,1-二甲基伸乙基、1,2-二甲基伸乙基、伸丙基、伸丁基、1-甲基伸丙基、2-甲基伸丙基、伸戊基、伸己基等。
作為前述碳原子數3~20之伸環烷基,並未特別限制,而可列舉:伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基、伸環戊基、伸環庚基、及下述式(6-1)~(6-4)所表示之伸環烷基等。
Figure 02_image015
此外,在上述式(6-1)~(6-4)中,「*」表示與Ar1 鍵結之部位。
作為前述碳原子數6~20之伸芳基,並未特別限制,而可列舉:下述式(7-1)所表示之伸芳基等。
Figure 02_image017
此外,在上述式(7-1)中,「*」表示與Ar1 鍵結之部位。
作為前述碳原子數8~20之伸芳烷基,並未特別限制,而可列舉:下述式(8-1)~(8-5)所表示之伸芳烷基等。
Figure 02_image019
此外,在式(8-1)~(8-5)中,「*」表示與Ar1 鍵結之部位。
上述之中,式(4)中的Z係以碳原子數3~20之伸環烷基、碳原子數6~20之伸芳基、碳原子數8~20之伸芳烷基為較佳,從密合性與介電特性的觀點來看,式(6-3)、(6-4)、(7-1)、(8-1)~(8-5)所表示者為更佳。式(4)中的m為0~20之整數,較佳為0~10之整數,進一步較佳為0~8,從溶劑溶解性的觀點來看,係以0~5為最佳。
又,具有2個以上的酚性羥基之化合物(a3)可為下述式(9)記載之結構。
Figure 02_image021
(其中,式(9)中,l為1個以上之整數,R2 表示氫原子、烷基、或芳基)。
在式(9)中,l較佳為1~20,更佳為1~15,進一步較佳為1~12之整數。作為烷基,可列舉:碳原子數1~20,較佳為碳原子數1~6之烷基。作為碳數1~6之烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、戊基、正己基、環己基等。作為芳基,可列舉:苄基、萘基、甲氧基萘基等。
從反應生成物之溶劑溶解性與介電特性的觀點來看,上述之中又以式(4)、(9)所表示之化合物為較佳,再者,式(4)之中Ar1 為苯酚、鄰甲酚、二甲基苯酚、苯基苯酚、或α-萘酚、β-萘酚之殘基,且Z為式(6-3)、(7-1)、(8-1)~(8-5)者為較佳,及式(9)所表示之化合物為更佳。
作為芳香族單羧酸或其酸鹵化物(a4),具體而言,可列舉:苯甲酸、氯化苯甲酸等。
作為活性酯樹脂,例如可列舉:具有以下的式(I)所表示之結構的活性酯樹脂。
Figure 02_image023
作為活性酯樹脂之具體例,例如可列舉:以下的式(Ia)、(Ib)所示之活性酯樹脂。
Figure 02_image025
活性酯樹脂之藉由示差掃描熱量測定(DSC)的玻璃轉移溫度(DSC-Tg)並未特別限定,而從溶劑溶解性的觀點來看,係以200℃以下為較佳,150℃以下為更佳,120℃以下為進一步較佳。
[活性酯樹脂之製造方法] 本實施形態之活性酯樹脂之製造方法具有:使具有乙烯基苄基之單官能酚化合物與芳香族多元羧酸或其衍生物(例如酸鹵化物)反應之步驟。使具有乙烯基苄基之單官能酚化合物與芳香族多元羧酸或其酸鹵化物反應之步驟並未特別限定,可藉由乙酸酐法、界面聚合法、溶液法等周知慣用的合成法而製造。其中,為了防止乙烯基苄基之聚合所致之合成中的凝膠化,使用可在更低溫下合成的酸鹵化物來製造為較佳。
[熱硬化性樹脂組成物] 本實施形態之熱硬化性樹脂組成物(以下亦僅稱為「樹脂組成物」)含有上述的活性酯樹脂及硬化劑。關於活性酯樹脂,因如上述而在此省略記載。
(硬化劑) 作為硬化劑,只要是可與上述的活性酯樹脂反應之化合物即可,可未特別限定地利用各種化合物。作為硬化劑之一例,可列舉:自由基聚合起始劑、環氧樹脂。作為自由基聚合起始劑,可列舉偶氮化合物、有機過氧化物作為代表例,其中又因不產生氣體作為副產物而以有機過氧化物為較佳。環氧樹脂可使用周知者。例如可列舉:雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚聯苯芳烷基型環氧樹脂、苯酚、萘酚等伸茬基鍵結所致之芳烷基樹脂之環氧化物、二環戊二烯改性苯酚樹脂之環氧化物、二羥基萘型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂等環氧丙基醚型環氧樹脂、環氧丙基酯型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂等具有2價以上的環氧基之環氧樹脂。此等環氧樹脂可單獨亦可併用2種以上。此等環氧樹脂之中又以使用如苯酚聯苯芳烷基型環氧樹脂、苯酚、萘酚等伸茬基鍵結所致之芳烷基樹脂之環氧化物、二環戊二烯改性苯酚樹脂之環氧化物般環氧當量大的樹脂為較佳。
(摻合量) 活性酯樹脂與自由基聚合起始劑之摻合量係以調整為成為適合硬化物之成形條件的硬化時間之摻合量為較佳,而從硬化物特性的觀點來看,係以相對於100質量份的樹脂,成為大於0質量份且1質量份以下之摻合量為較佳。若設為上述摻合量則活性酯樹脂之硬化充分進行,可輕易得到提供耐熱性・介電特性優異的硬化物之樹脂組成物。又,活性酯樹脂與環氧樹脂之摻合比係以活性酯樹脂所包含之酯基與環氧樹脂所包含之環氧基的當量比在0.5~1.5的範圍為較佳,在0.8~1.2的範圍為特佳。
(硬化促進劑) 樹脂組成物可因應需要而含有硬化促進劑。作為硬化促進劑,例如可列舉:磷系化合物、三級胺、咪唑、有機酸金屬鹽、路易士酸、胺錯鹽等。尤其當使用作為增層(build-up)材料用途、電路基板用途時,從耐熱性、介電特性、耐焊性等優異的觀點來看,係以二甲基胺基吡啶、咪唑為較佳。尤其當使用作為半導體密封材料用途時,從硬化性、耐熱性、電氣特性、耐濕可靠性等優異的觀點來看,磷系化合物係以三苯基膦為較佳,三級胺係以1,8-二吖雙環-[5.4.0]-十一烯(DBU)為較佳。
(其它添加成分) 樹脂組成物可進一步含有其它樹脂成分。作為其它樹脂成分,例如可列舉:苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸及此等之酯化物等含有乙烯基之化合物、氰酸酯樹脂;雙馬來亞醯胺樹脂;苯并
Figure 108132691-A0304-12-0059-1
Figure 108132691-A0304-12-0000-4
樹脂;異三聚氰酸三烯丙酯所代表之含有烯丙基之樹脂;多磷酸酯、磷酸酯-碳酸酯共聚物等。此等可分別單獨使用,亦可併用2種以上。
此等其它樹脂成分之摻合比例並未特別限定,可因應所欲的硬化物性能等而適當調整。作為摻合比例之一例,可設為全樹脂組成物中1~50質量%的範圍。
樹脂組成物可因應需要而含有:阻燃劑、無機質填充材、矽烷偶合劑、脫模劑、顏料、乳化劑等各種添加劑。作為阻燃劑,例如可列舉:紅磷、磷酸一銨、磷酸二銨、磷酸三銨、多磷酸銨等磷酸銨、磷酸醯胺等無機磷化合物;磷酸酯化合物、膦酸化合物、次膦酸化合物、膦氧化物化合物、正膦(phosphorane)化合物、有機系含氮磷化合物、9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、10-(2,5-二羥基苯基)-10H-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、10-(2,7-二羥基萘基)-10H-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物等環狀有機磷化合物、及將其與環氧樹脂、苯酚樹脂等化合物反應之衍生物等有機磷化合物;三
Figure 108132691-A0304-12-0000-4
化合物、三聚氰酸化合物、異三聚氰酸化合物、啡噻
Figure 108132691-A0304-12-0000-4
等氮系阻燃劑;聚矽氧油、聚矽氧橡膠、聚矽氧樹脂等聚矽氧系阻燃劑;金屬氫氧化物、金屬氧化物、金屬碳酸鹽化合物、金屬粉、硼化合物、低熔點玻璃等無機阻燃劑等。當使用此等阻燃劑時,係以全樹脂組成物中0.1~20質量%的範圍為較佳。
無機質填充材例如當將樹脂組成物使用於半導體密封材料用途時等進行摻合。作為無機質填充材,例如可列舉:熔融矽石、結晶矽石、氧化鋁、氮化矽、氫氧化鋁等。其中又因變得可摻合更多無機質填充材而以熔融矽石為較佳。熔融矽石可使用破碎狀、球狀之任一者,而為了提高熔融矽石之摻合量,且抑制樹脂組成物之熔融黏度的上升,係以主要使用球狀者為較佳。再者,為了提高球狀矽石之摻合量,係以適當地調整球狀矽石之粒度分布為較佳。其填充率係相對於100質量份的樹脂成分,以0.5~95質量份的範圍摻合為較佳。
樹脂組成物之製法並未特別限定,例如可藉由對上述的各成分使用攪拌裝置、三輥機等,例如在0℃~200℃下均勻地混合而得。
[硬化物] 樹脂組成物可藉由周知慣用的熱硬化法,例如在20~250℃左右的溫度範圍加熱硬化、成型。 本實施形態之樹脂組成物之硬化物在具有160℃以上的耐熱性的同時,可顯示10GHz下的介電正切為3.0×10-3 以下之低介電正切。由上述,可理想地使用於半導體封裝基板等電子材料用途。
[半導體封裝基板等] 當將樹脂組成物使用於半導體封裝基板等基板用途時,通常摻合有機溶劑而稀釋使用為較佳。作為有機溶劑,可列舉:甲基乙基酮、丙酮、二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、甲氧基丙醇、環己酮、甲基賽路蘇、二乙二醇乙醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等。有機溶劑之種類、摻合量可因應樹脂組成物之使用環境而適當調整,例如半導體封裝基板用途係以甲基乙基酮、丙酮、二甲基甲醯胺等沸點為160℃以下的極性溶劑為較佳,以非揮發成分成為40~80質量%的比例使用為較佳。
使用樹脂組成物來製造半導體封裝基板之方法例如可列舉:將樹脂組成物含浸於補強基材而使其硬化,得到預浸物之方法。作為補強基材,可列舉:紙、玻璃布、玻璃不織布、芳綸(aramid)紙、芳綸布、玻璃墊、玻纖紗束布等。樹脂組成物之含浸量並未特別限定,而通常以預浸物中的樹脂成分成為20~80質量%的方式製備為較佳。 [實施例]
以下揭示實施例而更具體地說明本發明,惟不因此等實施例而限定本發明之解釋。
實施例1 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入72.1g(0.5莫耳)的α-萘酚、與156g的水滑石(協和化學工業社股份有限公司製KYOWAAD 500SH)、608g的甲苯,加熱至70℃。其次,滴入76.3g(0.5莫耳)的CMS-P(AGC SEIMI CHEMICAL股份有限公司製,間氯甲基苯乙烯與對氯甲基苯乙烯之混合物)後,加熱至110℃。繼續反應5小時後,冷卻並過濾而去除不溶物,得到反應液(A-1)。分析反應液,由羥基當量347g/eq、非揮發成分15.6%,可確認得到具有下述式(2-1)之結構的化合物。
Figure 02_image027
實施例2 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入72.1g(0.5莫耳)的β-萘酚、與156g的KYOWAAD 500SH、608g的甲苯,加熱至70℃。其次,滴入76.3g(0.5莫耳)的CMS-P後,加熱至110℃。繼續反應5小時後,冷卻並過濾而去除不溶物,得到反應液(A-2)。與上述同樣地分析反應液,由羥基當量352g/eq、非揮發成分14.4%,可確認得到具有下述式(2-2)之結構的化合物。
Figure 02_image029
實施例3 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入445g的實施例1所得之反應液(A-1)與20.2g的氯化間苯二甲酸,對系統內進行減壓氮氣取代而使其溶解。此後,使0.12g的四丁基溴化銨溶解,一邊實施氮氣沖洗,一邊將系統內控制為60℃以下,耗費3小時滴入41.2g的20%氫氧化鈉水溶液。其次,在此條件下繼續攪拌1.0小時。反應結束後,靜置分液,去除水層。進一步在溶解有反應物的甲苯層投入水並攪拌混合約15分鐘,靜置分液以去除水層。重複此操作直到水層之pH成為7。此後,在熱減壓下乾燥而合成包含下述式(Ia)之結構的活性酯樹脂(A-3)。未生成不溶物。生成物之Tg為13℃且為半固態狀。此外,Tg係藉由DSC(測定儀器:METTLER TOREDO公司製DSC1)而測定。
Figure 02_image031
實施例4 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入733g的實施例2所得之反應液(A-2)與30.3g的氯化間苯二甲酸,對系統內進行減壓氮氣取代而使其溶解。此後,使0.19g的四丁基溴化銨溶解,一邊實施氮氣沖洗,一邊將系統內控制為60℃以下,耗費3小時滴入61.8g的20%氫氧化鈉水溶液。其次,在此條件下繼續攪拌1.0小時。反應結束後,靜置分液,去除水層。進一步在溶解有反應物的甲苯層投入水並攪拌混合約15分鐘,靜置分液以去除水層。重複此操作直到水層之pH成為7。此後,在熱減壓下乾燥而合成包含下述式(Ib)之結構的活性酯樹脂(A-4)。未生成不溶物。生成物之與上述同樣地測定之Tg為14℃且為半固態狀。
Figure 02_image033
實施例5 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、攪拌器之燒瓶投入72.1g(0.5莫耳)的α-萘酚、與76.3g(0.5莫耳)的CMS-P(AGC SEIMI CHEMICAL股份有限公司製,間氯甲基苯乙烯與對氯甲基苯乙烯之混合物)、148.3g的甲苯,加熱至60℃。其次,滴入150.0g(以氫氧化鈉而言為0.75莫耳)的20%氫氧化鈉水溶液後,繼續反應5小時。使用鹽酸來中和剩餘的鹼後,靜置分液,去除水層。進一步在溶解有反應物的甲苯層投入水並攪拌混合約15分鐘,靜置分液以去除水層。此後,藉由減壓而進行脫水後,得到反應液(A-5)。分析反應液,由羥基當量295g/eq、非揮發成分34.4%,可確認得到具有式(2-1)之結構的化合物。
比較合成例1 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入80.1g(0.5莫耳)的1,6-二羥基萘、與156g的KYOWAAD 500SH、624g的甲苯,加熱至70℃。其次,滴入76.3g(0.5莫耳)的CMS-P後,加熱至110℃。繼續反應5小時後,冷卻並過濾而去除不溶物,得到反應液(B-1)。與上述同樣地分析反應液,羥基當量177g/eq、非揮發成分16.0%。可確認得到具有下述式之結構的化合物。
Figure 02_image035
比較例1 在設置了溫度計、滴液漏斗、冷卻管、分餾管、攪拌器之燒瓶投入442g的比較合成例1所得之反應液(B-1)、57.6g的α-萘酚、80.8g的氯化間苯二甲酸,對系統內進行減壓氮氣取代而使其溶解。此後,使0.27g的四丁基溴化銨溶解,一邊實施氮氣沖洗,一邊將系統內控制為60℃以下,耗費3小時滴入164.8g的20%氫氧化鈉水溶液。其次,在此條件下繼續攪拌1.0小時。反應結束後,靜置分液,去除水層。進一步在溶解有反應物的甲苯層投入水並攪拌混合約15分鐘,靜置分液,然而下層乳液化而分液性不良。重複此操作直到乳液層之pH成為7。此後,在熱減壓下乾燥而合成具有以下的式(B-2a)之結構的活性酯樹脂(B-2)。合成後的燒瓶附著有不溶解於溶劑・水之凝膠狀的不溶物。生成物之與上述同樣地測定之Tg為43℃且為固態狀。
Figure 02_image037
[樹脂組成物及其硬化物之製作] 針對實施例3、4及比較例1,以下述表1所示之組成摻合而得到硬化性樹脂組成物。將其流入1.6mm厚的模板,在120℃下加熱120分鐘,在180℃下加熱60分鐘,使其硬化。針對所得之硬化物,如下述般評價耐熱性及介電正切。將結果示於表1。
(耐熱性) 將硬化物切出寬度5mm、長度54mm之尺寸,將其作為試驗片。對該試驗片使用黏彈性測定裝置(DMA:Rheometric公司製固態黏彈性測定裝置「RSAII」,矩形張力法:頻率1Hz、升溫速度3℃/分鐘),評價耐熱性。
(介電正切) 使用Agilent Technologies股份有限公司製網路分析儀「E8362C」並利用空腔共振法,測定加熱真空乾燥後,在23℃、濕度50%的室內保管24小時之試驗片的10GHz下的介電正切。
[表1]
Figure 108132691-A0304-0001
如表1所示,由使用實施例3所得之活性酯樹脂的樹脂組成物所得之硬化物在具有167℃之高耐熱性的同時,顯示10GHz下的介電正切為2.6×10-3 之低介電正切。同樣地,由使用實施例4所得之活性酯樹脂的樹脂組成物所得之硬化物在具有164℃之高耐熱性的同時,顯示10GHz下的介電正切為3.0×10-3 之低介電正切。
相對於此,由使用比較例1所得之活性酯樹脂的樹脂組成物所得之硬化物係10GHz下的介電正切為3.5×10-3 ,耐熱性為120℃。 因此,使用本實施形態之活性酯樹脂的樹脂組成物,在耐熱性比以往更優異的同時,可達成更低的介電正切。
無。
圖1係實施例1所得之單官能酚化合物的GPC圖表。 圖2係實施例2所得之單官能酚化合物的GPC圖表。 圖3係實施例3所得之活性酯樹脂(A-3)的GPC圖表。 圖4係實施例4所得之活性酯樹脂(A-4)的GPC圖表。
無。

Claims (13)

  1. 一種單官能酚化合物,其具有1個以上的乙烯基苄基。
  2. 如請求項1之單官能酚化合物,其具有式(1)或(2)所示之結構,
    Figure 03_image001
    [式(1)及(2)中,R1 表示乙烯基苄基,R2 表示氫原子、烷基、或芳基;又,式(1)中的n為1~5之整數,m為0~4之整數,n與m之和為5;式(2)中的n為1~7之整數,m為0~6之整數,式(2)中的n與m之和為7;式(1)、(2)中的R1 、R2 可為包含相同者,亦可為包含相異者]。
  3. 一種活性酯樹脂製造用原料組成物,其含有如請求項1或2之單官能酚化合物。
  4. 一種活性酯樹脂,其在分子鏈之末端,具有源自如請求項1或2之單官能酚化合物的乙烯基苄基結構。
  5. 如請求項4之活性酯樹脂,其中乙烯基苄基結構係由乙烯基苄基改性芳基氧基羰基所構成。
  6. 如請求項4或5之活性酯樹脂,其中在主鏈之兩末端含有乙烯基苄基。
  7. 如請求項4至6中任一項之活性酯樹脂,其具有式(I)所示之結構,
    Figure 03_image003
    (式(I)中,n表示0~20之整數,X表示含有乙烯基苄基之單官能酚化合物的反應殘基,Y表示多官能酚化合物的反應殘基)。
  8. 一種活性酯樹脂之製造方法,其係使如請求項1或2之單官能酚化合物與芳香族多羧酸或其衍生物反應。
  9. 一種熱硬化性樹脂組成物,其含有如請求項4至7中任一項之活性酯樹脂、及硬化劑。
  10. 如請求項9之熱硬化性樹脂組成物,其係電子零件基板用。
  11. 一種硬化物,其係如請求項9或10之熱硬化性樹脂組成物之硬化物。
  12. 一種封裝基板,其使用了如請求項9或10之熱硬化性樹脂組成物。
  13. 如請求項12之封裝基板,其係半導體封裝基板。
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