TW202016051A - 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法 - Google Patents

銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202016051A
TW202016051A TW108130463A TW108130463A TW202016051A TW 202016051 A TW202016051 A TW 202016051A TW 108130463 A TW108130463 A TW 108130463A TW 108130463 A TW108130463 A TW 108130463A TW 202016051 A TW202016051 A TW 202016051A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper
ceramic
ceramic substrate
circuit board
range
Prior art date
Application number
TW108130463A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI796514B (zh
Inventor
寺伸幸
Original Assignee
日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱綜合材料股份有限公司 filed Critical 日商三菱綜合材料股份有限公司
Publication of TW202016051A publication Critical patent/TW202016051A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI796514B publication Critical patent/TWI796514B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B23K20/026—Thermo-compression bonding with diffusion of soldering material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/16—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6581—Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
    • C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/60—Forming at the joining interface or in the joining layer specific reaction phases or zones, e.g. diffusion of reactive species from the interlayer to the substrate or from a substrate to the joining interface, carbide forming at the joining interface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/706—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the metallic layers or articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本發明係一種銅/陶瓷接合體，絕緣電路基板及銅/陶瓷接合體之製造方法及絕緣電路基板之製造方法，係加以接合銅或銅合金所成之銅構件(22)，和鋁氧化物所成之陶瓷構件(11)所成之銅/陶瓷接合體，其中，對於銅構件(22)與陶瓷構件(11)之間係於陶瓷構件(11)側，形成有鎂氧化物層(31)，而於此鎂氧化層(31)與銅構件(22)之間，形成有Mg固溶於Cu之母相中的Mg固溶層(32)者。

Description

銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法
此發明係有關接合由銅或銅合金所成之銅構件，與鋁氧化物所成之陶瓷構件所成之銅/陶瓷接合體，絕緣電路基板，及銅/陶瓷接合體之製造方法，及絕緣電路基板之製造方法者。 本申請係依據於2018年8月28日，申請於日本國之日本特願2018-159663號、及於2019年2月14日，申請於台灣之專利申請108104875號而主張優先權，將其內容援用於此。
在功率模組，LED模組及熱電模組中，係作為於形成導電材料所成之電路層於絕緣層之一方的面之絕緣電路基板，接合功率半導體元件，LED元件及熱電元件之構造。 例如，為了控制風力發電，電動汽車，混合動力汽車等所使用之大電力控制用的功率半導體元件，係從動作時之發熱量為多之情況，作為搭載此之基板，係自以往加以廣泛使用具備：例如鋁氧化物所成之陶瓷基板，和於此陶瓷基板之一方的面，接合導電性優越之金屬板而形成之電路層的絕緣電路基板。作為絕緣電路基板，係亦加以提供接合金屬板於陶瓷基板之另一方的面而形成金屬層之構成。
例如，對於專利文獻1係加以提案有：將構成電路層及金屬層之第一金屬板及第二金屬板作為銅板，再將此銅板，經由DBC法而直接接合於陶瓷基板之絕緣電路基板。在此DBC法中，經由利用銅與銅氧化物之共晶反應，而使液相產生於銅板與陶瓷基板之界面之時，接合銅板與陶瓷基板。
對於專利文獻2係加以提案有：於陶瓷基板之一方的面及另一方的面，經由接合銅板而形成電路層及金屬層之絕緣電路基板。在此絕緣電路基板中，於陶瓷基板之一方的面及另一方的面，使Ag-Cu-Ti系焊料材介入存在而配置銅板，再經由進行加熱處理之時而加以接合銅板(所謂活性金屬焊接法)。在此活性金屬焊接法中，使用含有活性金屬之Ti的焊料材之故，熔融之焊料材與陶瓷基板之潤濕性則提升，而良好地接合陶瓷基板與銅板。
更且，對於專利文獻3係提案有：作為在高溫的氮氣環境下接合銅板與陶瓷基板時所使用之接合焊料材，含有Cu-Mg-Ti合金所成之粉末的漿料。在此專利文獻3中，作為經由在氮氣環境下以560~800℃進行加熱而接合之構成，而Cu-Mg-Ti合金中的Mg係產生昇華而未殘存於接合界面，且實質上未形成有氮化鈦(TiN)之構成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平04-162756號公報 [專利文獻2] 日本專利第3211856號公報 [專利文獻3] 日本專利第4375730號公報
[發明欲解決之課題]
但如專利文獻1所揭示地，對於經由DBC法而接合陶瓷基板與銅板之情況，係從必需將接合溫度作為1065℃以上(銅與銅氧化物之共晶點溫度以上)之情況，有著在接合時，陶瓷基板產生劣化之虞。另外，對於在氮氣環境等進行接合之情況，係有於接合界面殘存有環境氣體，而有容易產生部分放電之問題。
如專利文獻2所揭示地，對於經由活性金屬焊接法而接合陶瓷基板與銅板的情況，焊料材係含有Ag，而從Ag存在於接合界面的情況，容易產生位移，而無法使用於高耐壓用途。另外，從接合溫度作為比較高溫之900℃之情況，而有陶瓷基板產生劣化之虞。更且，於陶瓷基板的接合面附近，生成有含有鈦氮化物相或Ti之金屬間化合物相，在高溫動作時容易對於陶瓷基板產生有斷裂之虞。
如專利文獻3所揭示地，對於使用含有由Cu-Mg-Ti合金所成之粉末的漿料所成之接合用焊料材，在氮氣環境下進行接合之情況，係有氣體殘存於接合界面，容易產生有部分放電之問題。另外，有著含於漿料之有機物殘存於接合界面，接合成為不充分之虞。更且，於陶瓷基板的接合面附近，生成有含有Ti之金屬間化合物相，在高溫動作時容易對於陶瓷基板產生有斷裂之虞。
此發明係有鑑於上述之情事所作為之構成，其目的為提供：確實地接合銅構件與陶瓷構件之同時，對於耐位移性優越，且可抑制在高溫動作時之陶瓷斷裂的產生之銅/陶瓷接合體，絕緣電路基板，及上述之銅/陶瓷接合體之製造方法，絕緣電路基板之製造方法。 [為了解決課題之手段]
為了解決如此之課題而達成前述目的，本發明之銅/陶瓷接合體係接合由銅或銅合金所成之銅構件，和鋁氧化物所成之陶瓷構件所成之銅/陶瓷接合體，其特徵為於前述銅構件與前述陶瓷構件之間，於前述陶瓷構件側形成有鎂氧化物層，而於此鎂氧化物層與前述銅構件之間，形成有Mg固溶於Cu的母相中之Mg固溶層者。
在此構成之銅/陶瓷接合體中，係在由銅或銅合金所成之銅構件，和鋁氧化物所成之陶瓷構件之間，於前述陶瓷構件側形成有鎂氧化物層。此鎂氧化物層係經由配設於陶瓷構件與銅構件之間的鎂(Mg)與陶瓷構件中的氧(O)產生反應而形成之構成，而陶瓷構件則充分地產生反應者。 因於鎂氧化物層與前述銅構件之間，形成有Mg固溶於Cu的母相中之Mg固溶層之故，配設於陶瓷構件與銅構件之間的Mg則成為充分地擴散於銅構件側者。 隨之，在銅構件與陶瓷構件之接合界面中，界面反應則充分地進行，而可得到確實地接合銅構件與陶瓷構件之銅/陶瓷接合體。
於Cu構件與陶瓷構件的接合界面，因未存在有Ti，Zr，Nb，Hf之故，未生成有Ti，Zr，Nb，Hf之氮化物相或包含Ti，Zr，Nb，Hf之金屬間化合物相，而即使在高溫動作時亦可抑制陶瓷構件的斷裂。 因於Cu構件與陶瓷構件的接合界面未存在有Ag之故，對於耐位移性亦為優越。
在本發明之銅/陶瓷接合體中，自前述陶瓷構件的接合面朝向前述銅構件側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率為15%以下者為佳。 此情況，因自前述陶瓷構件的接合面朝向前述銅構件側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率作為15%以下之故，於陶瓷構件的接合面附近，未存在有多的硬且脆之金屬間化合物相，而成為可確實地抑制高溫動作時之陶瓷構件的斷裂者。
本發明之絕緣電路基板係於鋁氧化物所成之陶瓷基板的表面，接合銅或銅合金所成之銅板所成之絕緣電路基板，其特徵為於前述銅構件與前述陶瓷構件之間，係於前述陶瓷基板側形成有鎂氧化物層，而於此鎂氧化物層與前述銅板之間，形成有Mg固溶於Cu的母相中之Mg固溶層者。
在此構成之絕緣電路基板中，確實地接合銅板與陶瓷基板之同時，對於耐位移性優越，而在高耐壓條件下亦可信賴性高地使用。 可抑制在高溫動作時之陶瓷基板的斷裂之產生，而在高溫條件下亦可信賴性高地使用。
在本發明之絕緣電路基板中，自前述陶瓷基板的接合面朝向前述銅板側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率為15%以下者為佳。 此情況，因自前述陶瓷基板的接合面朝向前述銅板側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率作為15%以下之故，於陶瓷基板的接合面附近，未存在有許多硬且脆之金屬間化合物相，而成為可確實地抑制高溫動作時之陶瓷基板的斷裂者。
本發明之銅/陶瓷接合體的製造方法係製造上述之銅/陶瓷接合體的銅/陶瓷接合體的製造方法，其特徵為具備：於前述銅構件與前述陶瓷構件之間，配置Mg之Mg配置工程，和藉由Mg而層積前述銅構件與前述陶瓷構件之層積工程，和在將藉由Mg所層積之前述銅構件與前述陶瓷構件，加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理而接合之接合工程，而在前述Mg配置工程中，將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內者。
如根據此構成之銅/陶瓷接合體的製造方法，因在配置Mg於前述銅構件與前述陶瓷構件之間，將此等加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理之故，於接合界面，未殘存有氣體或有機物之殘渣等於接合界面者。 在Mg配置工程中，因將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內之故，可充分得到對於界面反應必要之液相者。因而，成為可得到確實地接合銅構件與陶瓷構件的銅/陶瓷接合體。 因對於接合未使用Ti，Zr，Nb，Hf之故，於陶瓷構件的接合面附近，未存在有Ti，Zr，Nb，Hf之氮化物相，或包含Ti，Zr，Nb，Hf之金屬間化合物相，而可得到可抑制在高溫度動作時之陶瓷構件的斷裂之銅/陶瓷接合體者。 因對於接合未使用Ag之故，可得到對於耐位移性優越之銅/陶瓷接合體者。
在本發明之銅/陶瓷接合體的製造方法中，在前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內，而加熱溫度作為500℃以上850℃以下之範圍內者為佳。 此情況，因前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內之故，可使陶瓷構件與銅構件與Mg密著，而可在加熱時促進此等之界面反應者。 因將在前述接合工程之加熱溫度作為較Cu與Mg之共晶溫度為高之500℃以上之故，可在接合界面充分地使液相產生者。另一方面，因將在前述接合工程之加熱溫度作為850℃以下之故，可抑制液相過剩地生成者。另外，對於陶瓷構件的熱負載變小，而可抑制陶瓷構件的劣化。
本發明之絕緣電路基板的製造方法係製造上述之絕緣電路基板的絕緣電路基板之製造方法，其特徵為具備：於前述銅板與前述陶瓷基板之間，配置Mg之Mg配置工程，和藉由Mg而層積前述銅板與前述陶瓷基板之層積工程，和在將藉由Mg所層積之前述銅板與前述陶瓷基板，加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理而接合之接合工程，而在前述Mg配置工程中，將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內者。
如根據此構成之絕緣電路基板的製造方法，因在配置Mg於前述銅板與前述陶瓷基板之間，將此等加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理之故，於接合界面，未殘存有氣體或有機物之殘渣等者。 在Mg配置工程中，因將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內之故，可充分得到對於界面反應必要之液相者。因而，成為可得到確實地接合銅板與陶瓷基板的絕緣電路基板者。另外，因對於接合未使用Ti，Zr，Nb，Hf之故，於陶瓷基板的接合面附近，未存在有Ti，Zr，Nb，Hf之氮化物相，或包含Ti，Zr，Nb，Hf之金屬間化合物相，而可得到可抑制在高溫度動作時之陶瓷基板的斷裂之絕緣電路基板者。 因對於接合未使用Ag之故，可得到對於耐位移性優越之絕緣電路基板者。
在本發明之絕緣電路基板的製造方法中，在前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內，而加熱溫度作為500℃以上850℃以下之範圍內者為佳。 此情況，因前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內之故，可使陶瓷基板與銅板與Mg密著，而可在加熱時促進此等之界面反應者。 並且，因將在前述接合工程之加熱溫度作為較Cu與Mg之共晶溫度為高之500℃以上之故，可在接合界面充分地使液相產生者。另一方面，因將在前述接合工程之加熱溫度作為850℃以下之故，可抑制液相過剩地生成者。另外，對於陶瓷基板的熱負載變小，而可抑制陶瓷基板的劣化。 [發明效果]
如根據本發明，可提供：確實地接合銅構件與陶瓷構件之同時，對於耐位移性優越，且可抑制在高溫動作時之陶瓷斷裂的產生之銅/陶瓷接合體，絕緣電路基板，及上述之銅/陶瓷接合體之製造方法，絕緣電路基板之製造方法。
以下，對於本發明之實施形態，參照附加的圖面加以說明。
有關本實施形態之銅/陶瓷接合體係作經由接合為陶瓷構件之陶瓷基板11，和銅構件之銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)所構成之絕緣電路基板10。 於圖1顯示本發明之實施形態的絕緣電路基板10，及使用此絕緣電路基板10之功率模組1。
此功率模組1係具備：絕緣電路基板10，和藉由第1焊錫層2而加以接合於此絕緣電路基板10之一方的面(在圖1中為上側)之半導體元件3，和藉由第2焊錫層8而加以接合於此絕緣電路基板10之另一方側(在圖1中為下側)的散熱片51。
絕緣電路基板10係具備：陶瓷基板11，和配設於此陶瓷基板11之一方的面(在圖1中為上面)之電路層12，和加以配設於陶瓷基板11之另一方的面(在圖1中為下面)之金屬層13。 陶瓷基板11係為防止電路層12與金屬層13之間的電性連接之構成，在本實施形態中，以鋁氧化物之一種之氮化鋁而加以構成。陶瓷基板11之厚度係加以設定為0.2mm以上1.5mm以下之範圍內，在本實施形態中，陶瓷基板11之厚度係為0.635mm為佳。
電路層12係如圖4所示，經由於陶瓷基板11之一方的面，加以接合銅或銅合金所成之銅板22之時而加以形成。在本實施形態中，作為構成電路層12之銅板22，加以使用無氧銅的延壓板。對於此電路層12係加以形成有電路圖案，而其一方的面(在圖1中為上面)則作為加以搭載有半導體元件3之搭載面。電路層12之厚度係加以設定為0.1mm以上1.0mm以下之範圍內，在本實施形態中，電路層12之厚度係為0.6mm為佳。
金屬層13係如圖4所示，經由於陶瓷基板11之另一方的面，加以接合銅或銅合金所成之銅板23之時而加以形成。在本實施形態中，作為構成金屬層13之銅板23，加以使用無氧銅的延壓板。金屬層13之厚度係加以設定為0.1mm以上1.0mm以下之範圍內，在本實施形態中，金屬層13之厚度係為0.6mm為佳。
散熱片51係為了冷卻前述絕緣電路基板10之構成，在本實施形態中，作為以熱傳導性為良好之材質而加以構成之散熱板。在本實施形態中，散熱片51係以對於熱傳導性優越之銅或銅合金而加以構成者。散熱片51與絕緣電路基板10之金屬層13係藉由第2焊錫層8而加以接合。
陶瓷基板11與電路層12(銅板22)，及陶瓷基板11與金屬層13(銅板23)係如圖4所示，藉由Mg膜25而加以接合。 對於陶瓷基板11與電路層12(銅板22)之接合界面及陶瓷基板11與金屬層13(銅板23)之接合界面係如圖2所示，作為層積形成於陶瓷基板11側之鎂氧化物層31，和形成有Mg固溶於Cu之母相中之Mg固溶層32之構造。
鎂氧化物層31係例如，由MgO而加以構成。鎂氧化物層31之厚度係作為0.05μm以上1.0μm以下之範圍內，而理想係作為0.1μm以上0.5μm以下之範圍內。此鎂氧化物層31係由陶瓷基板11的氧(O)與Mg膜25的鎂(Mg)產生反應而加以形成者。
在此Mg固溶層32之Mg的含有量係作為0.01原子%以上3原子%以下之範圍內。Mg固溶層32之厚度係作為0.1μm以上150μm以下之範圍內，而理想係作為0.1μm以上80μm以下之範圍內。
在本實施形態中，自陶瓷基板11的接合面朝向銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率則為15%以下者為佳。 如上述，如加以抑制在接合界面的金屬間化合物相的面積率，對於Mg固溶層32之內部係分散含有Cu與Mg之Cu-Mg金屬間化合物相亦可。作為Cu-Mg金屬間化合物相係例如，可舉出Cu2 Mg、CuMg2 等。
接著，對於上述本實施形態之絕緣電路基板10之製造方法，參照圖3及圖4加以說明。
(Mg配置工程S01) 如圖4所示，於成為電路層12之銅板22與陶瓷基板11之間，及成為金屬層13之銅板23與陶瓷基板11之間，各配置Mg。在本實施形態中，經由蒸鍍Mg之時，形成Mg膜25。 在此Mg配置工程S01中，將進行配置之Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內。
(層積工程S02) 接著，將銅板22與陶瓷基板11，藉由Mg膜25而進行層積之同時，將陶瓷基板11與銅板23，藉由Mg膜25進行層積。
(接合工程S03) 接著，將所層積之銅板22，陶瓷基板11，銅板23，加壓於層積方向之同時，裝入至真空爐內進行加熱，接合銅板22與陶瓷基板11與銅板23。 在接合工程S03之加壓負載係作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內為佳。 在接合工程S03之加熱溫度係作為500℃以上850℃以下之範圍內為佳。 在接合工程S03之真空度係作為1×10-6 Pa以上5×10-2 Pa以下之範圍內為佳。 在加熱溫度的保持時間係作為5min以上180min以下之範圍內者為佳。 自加熱溫度(接合溫度)降溫至480℃為止時之降溫速度係未特別加以限定，但20℃/min以下為佳，而15℃/min以下更佳。另外，降溫速度的下限值係未特別加以限定，但作為2.5℃/min以上亦可，而亦可作為5℃/min以上。
如以上，經由Mg配置工程S01，和層積工程S02，和接合工程S03，加以製造本實施形態之絕緣電路基板10。
(散熱片接合工程S04) 接著，於絕緣電路基板10之金屬層13之另一方的面側，接合散熱片51。將絕緣電路基板10與散熱片51，藉由焊錫材而加以層積裝入至加熱爐，藉由第2焊錫層8而焊錫接合絕緣電路基板10與散熱片51。
(半導體元件接合工程S05) 接著，於絕緣電路基板10之電路層12之一方的面，經由焊接而接合半導體元件3。 經由以上的工程，加以製作出圖1所示之功率模組1。
如根據作為如以上之構成的本實施形態之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)，藉由Mg膜25而接合無氧銅所成之銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與鋁氧化物(氧化鋁)所成之陶瓷基板11，而對於陶瓷基板11與電路層12(銅板22)之間，及陶瓷基板11與金屬層13(銅板22)之間係於陶瓷基板11側，形成有鎂氧化物層31。此鎂氧化物層31係經由介入存在於銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11之間的Mg與陶瓷基板11中的氧產生反應而形成之構成，而陶瓷基板11則充分產生反應者。 隨之，在銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11之接合界面，界面反應則充分地進行，而可得到確實接合銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)者。
於銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11的接合界面，因未存在有Ti，Zr，Nb，Hf之故，未生成有Ti，Zr，Nb，Hf之氮化物相或包含Ti，Zr，Nb，Hf之金屬間化合物相，而即使在高溫動作時亦可抑制陶瓷基板11的斷裂。在銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11的接合界面的Ti，Zr，Nb，Hf之合計含有量係0.3mass%以下者為佳，而0.1mass%以下為更佳。
因於陶瓷基板11與銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)之接合界面未存在有Ag之故，對於耐位移性優越。在銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)與陶瓷基板11的接合界面的Ag之含有量係0.2mass%以下者為佳，而0.1mass%以下為更佳。
在本實施形態中，對於自陶瓷基板11的接合面朝向銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率為15%以下之情況，於陶瓷基板11的接合面附近，未存在有許多硬且脆之金屬間化合物相，而成為可確實地抑制高溫動作時之陶瓷基板11的斷裂者。 自陶瓷基板11的接合面朝向銅板22(電路層12)及銅板23(金屬層13)側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率係為10%以下者為佳，而8%以下者為更佳。
如根據本實施形態之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)的製造方法，因具備：於銅板22，23與陶瓷基板11之間配置Mg(Mg膜25)之Mg配置工程S01，和藉由Mg膜25而層積銅板22，23與陶瓷基板11之層積工程S02，和將所層積之銅板22，陶瓷基板11，銅板23，在加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理而接合之接合工程S03之故，對於接合界面未殘存有氣體或有機物的殘渣等。
在Mg配置工程S01中，因將Mg量作為0.17 mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內之故，可充分得到對於界面反應必要之液相者。因而，可得到確實接合銅板22，23與陶瓷基板11之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)者。 因對於接合未使用Ti，Zr，Nb，Hf之故，於陶瓷基板11的接合面附近，未存在有Ti，Zr，Nb，Hf之氮化物相，或包含Ti，Zr，Nb，Hf之金屬間化合物相，而可得到可抑制在高溫度動作時之陶瓷基板11的斷裂之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)者。 因對於接合未使用Ag之故，可得到對於耐位移性優越之絕緣電路基板10(銅/陶瓷接合體)者。
對於Mg量為不足0.17mg/cm2 之情況，所產生之液相的量則不足，而有接合率降低之虞。另外，對於Mg量為超過3.48mg/cm2 之情況，係成為所產生的液相的量過剩，液相則自接合界面漏出，而有無法製造特定形狀之接合體之虞。另外，Cu-Mg金屬間化合物相則過剩地生成，而有對於陶瓷基板11產生斷裂之虞。 從以上之情況，在本實施形態中，將Mg量作為0.17 mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內。 Mg量的下限係作為0.24mg/cm2 以上為佳，而作為0.32 mg/cm2 以上為更佳。另一方面，Mg量的上限係作為2.38 mg/cm2 以下為佳，而作為1.58mg/cm2 以下為更佳。
在本實施形態中，因在接合工程S03之加壓負載作為0.049MPa以上之故，可使陶瓷基板11與銅板22，23與Mg膜25密著，而可在加熱時使此等之界面反應促進。因在接合工程S03之加壓負載作為3.4MPa以下之故，可抑制在接合工程S03之陶瓷基板11的斷裂等。 在接合工程S03之加壓負載的下限係作為0.098MPa以上者為佳，而作為0.294MPa以上者為更佳。另一方面，接合工程S03之加壓負載的上限係作為1.96MPa以下者為佳，而作為0.98MPa以下者為更佳。
在本實施形態中，因將在接合工程S03之加熱溫度作為較Cu與Mg之共晶溫度為高之500℃以上之故，可在接合界面充分地使液相產生者。另一方面，因將在接合工程S03之加熱溫度作為850℃以下之故，可抑制液相過剩地生成者。另外，對於陶瓷基板11的熱負載變小，而可抑制陶瓷基板11的劣化。 接合工程S03之加熱溫度的下限係作為600℃以上者為佳，而作為680℃以上者為更佳。另一方面，接合工程S03之加熱溫度的上限係作為800℃以下者為佳，而作為760℃以下者為更佳。
在本實施形態中，對於將接合工程S03之真空度作為1×10-6 Pa以上5×10-2 Pa以下之範圍內的情況，係可抑制Mg膜25之氧化，成為可確實地接合陶瓷基板11與銅板22，23者。 在接合工程S03之真空度的下限係作為1×10-4 Pa以上者為佳，而作為1×10-3 Pa以上者為更佳。另一方面，在接合工程S03之真空度的上限係作為1×10-2 Pa以下者為佳，而作為5×10-3 Pa以下者為更佳。
在本實施形態中，對於將在接合工程S03之加熱溫度的保持時間作為5min以上180min以下之範圍內的情況，係可充分地形成液相，而成為可確實地接合陶瓷基板11與銅板22，23者。 在接合工程S03之加熱溫度的保持時間之下限係作為10min以上者為佳，而作為30min以上者為更佳。另一方面，在接合工程S03之加熱溫度的保持時間之上限係作為150min以下者為佳，而作為120min以下者為更佳。
以上，對於本發明之實施形態已做過說明，但本發明係未加以限定於此等，而在不脫離其發明之技術思想範圍，可作適宜變更。 例如，將構成電路層或金屬層之銅板，作為無氧銅之延壓板已做過說明，但未限定於此等，亦可由其他的銅或銅合金而加以構成者。 在本實施形態中，作為以銅板而構成電路層及金屬層之構成者已做過說明，氮並不限定於此，而如以銅板加以構成電路層及金屬層之至少一方，而另一方係由鋁板等之其他金屬板而構成者亦可。
在本實施形態中，在Mg配置工程，作為經由蒸鍍而將Mg膜進行成膜者做過說明，但並不限定於此，而以其他的方法將Mg膜進行成膜亦可，而亦可配置Mg箔。另外，配置Cu與Mg之覆蓋材亦可。 更且，塗佈Mg漿料及Cu-Mg漿料亦可。另外，亦可層積配置Cu漿料與Mg漿料。此時，Mg漿料係配置於銅板側或者陶瓷基板側之任一亦可。另外，作為Mg，配置MgH2 亦可。
作為散熱片舉例說明過散熱板，但並不限定於此，對於散熱片的構造未特別限定。例如，亦可為具備具有冷媒流通的流路之構成或冷卻風扇之構成。另外，作為散熱片而亦可使用含有鋁或鋁合金的複合材(例如，AlSiC等)者。 另外，於散熱片之天板部或散熱板與金屬層之間，設置鋁或鋁合金或含有鋁之複合材(例如AlSiC等)所成之緩衝層亦可。
在本實施形態中，作為搭載功率半導體元件於絕緣電路基板之電路層而構成功率模組之構成已做過說明，但並未加以限定於此等者。例如，亦可搭載LED元件於絕緣電路基板而構成LED模組，而搭載熱電元件於絕緣電路基板的電路層而構成熱電模組亦可。 [實施例]
(本發明例1~12) 對於為了確認本發明之有效性而進行之確認實驗加以說明。 於40mm角之鋁氧化物(氧化鋁)所成之陶瓷基板的兩面，如表1所示，層積配置Mg之銅板(無氧銅，37mm角、厚度0.15mm)，以表1所示之接合條件進行接合，形成銅/陶瓷接合體。陶瓷基板的厚度係作為厚度0.635mm。另外，接合時之真空爐的真空度係作為5×10-3 Pa。 在以往例中，於陶瓷基板與銅板之間，將Ag-28mass %Cu-5mass%Ti之活性焊料材，Ag量則呈成為5.2mg/cm2 地進行配置。 另外，在接合工程S03中，自接合溫度(表1之「溫度(℃)」)降溫至480℃為止時，降溫速度係控制呈以5℃/min之速度而進行降溫。然而，降溫速度係以氣體冷卻時之氣體分壓(經由冷卻風扇之循環有無)進行控制。
對於如此作為所得到之銅/陶瓷接合體，觀察接合界面，確認鎂氧化物層，Mg固溶層、Cu-Mg金屬間化合物相。另外，將銅/陶瓷接合體的初期接合率，冷熱循環後之陶瓷基板的斷裂，位移性，如以下加以評估。
(鎂氧化物層) 將銅板與陶瓷基板之接合界面，使用透過型電子顯微鏡(FEI公司製Titan ChemiSTEM)，以加速電壓200kV、倍率4萬倍進行觀察，在所得到之元素映射中，將存在有Mg與O共存之範圍情況，評估為鎂氧化物層「有」。
(Mg固溶層) 將銅板與陶瓷基板之接合界面，使用EPMA裝置(日本電子股份有限公司製JXA-8539F)，以倍率2000倍、加速電壓15kV的條件而觀察含有界面之範圍(400μm×600μm)，在自陶瓷基板表面朝向銅板側10μm間隔，因應銅板的厚度，在10點以上20點以下的範圍進行定量分析，將Mg濃度為0.01原子%以上之範圍，作為Mg固溶層。
(Cu-Mg金屬間化合物相之面積率) 將銅板與陶瓷基板的接合界面，使用電子微探儀(日本電子股份有限公司製JXA-8539F)，以倍率2000倍、加速電壓15kV的條件而得到含有界面之範圍(400μm×600μm)之Mg的元素MAP，以在確認有Mg存在之範圍內之定量分析的5點平均，將滿足Cu濃度為5原子%以上，且Mg濃度為30原子以上70原子%以下之範圍，作為Cu-Mg金屬間化合物相。 並且，自陶瓷基板的接合面朝向銅板側，算出至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率(%)。
(初期接合率) 銅板與陶瓷基板之接合率係使用超音波探傷裝置(股份有限公司Hitachi Power Solutions製FineSAT200)，使用以下式而求得。初期接合面積係指在接合前之欲接合面積，即作為銅板的接合面之面積。在超音波探傷像中，剝離係從以接合部內之白色部所顯示之情況，將此白色部的面積做成剝離面積。
Figure 02_image001
(陶瓷基板之斷裂) 使用冷熱衝擊試驗機(ESPEC股份有限公司製TSA-72ES)，以氣相實施-50℃×10分←→150℃×10分之300循環。 評估負載上述之冷熱循環後之陶瓷基板的斷裂有無。
(位移) 以在電路層加以絕緣分離之電路圖案間距離0.5mm、溫度85℃、濕度85%RH、電壓DC50V之條件，在放置2000小時後，測定電路圖案間的電性阻抗，將阻抗值成為1×106 Ω以下之情況判定為短路(產生有位移)，將位移之評估作為「B」。在以與上述相同的條件，在放置2000小時後，測定電路圖案間的電性阻抗，而阻抗值為較1×106 Ω大之情況，判斷為未產生有位移，將位移之評估作為「A」。
將評估結果示於表2。另外，將本發明例3之觀察結果示於圖5。
Figure 02_image003
Figure 02_image005
在Mg配置工程中，在Mg量為0.11mg/cm2 ，較本發明之範圍為少之比較例1中，在接合時液相為不足之故，無法形成接合體。因此，中止之後的評估。 在Mg配置工程中，在Mg量為5.54mg/cm2 ，較本發明之範圍為多之比較例2中，在接合時液相過剩地生成之故，液相則自接合界面漏出，而無法製造特定形狀之接合體。因此，中止之後的評估。
在使用Ag-Cu-Ti焊料材而接合陶瓷基板與銅板的以往例中，位移之評估則判定為「B」。因對於接合界面存在有Ag之故而加以推測。
對此，在本發明例1~12中，初期接合率為高，亦未確認到陶瓷基板的斷裂。另外，位移亦為良好。 另外，如圖5所示，觀察接合界面之結果，確認到於陶瓷基板側形成有鎂氧化物層者。另外，觀察到Mg固溶層32。
(本發明例21~32) 有關本發明例21~32之銅/陶瓷接合體係與在上述本發明例1~12所製作之銅/陶瓷接合體同樣地加以製作，對於所得到之銅/陶瓷接合體，將Cu2 Mg之面積率及超音波接合界面，如以下加以評估。 有關本發明例21~32之銅/陶瓷接合體之Mg固溶層，Cu-Mg金屬間化合物相的面積率，及銅/陶瓷接合體之初期接合率的評估係與在上述本發明例1~12所進行的評估同樣地加以進行。 將本發明例21~32之評估結果示於表3。
(降溫速度) 在接合工程S03中，自接合溫度(表3之「溫度(℃)」)降溫至480℃為止時，降溫速度係以表3所示之速度而進行控制。
(Cu2 Mg之面積率) 上述Cu-Mg金屬間化合物相之中，由以下的計算式而定義Cu2 Mg之面積率(%)，加以算出。 Cu2 Mg之面積率(%)＝Cu2 Mg之面積/(Cu2 Mg之面積+CuMg2 之面積)×100 「Cu2 Mg之面積」係Mg濃度作為30at%以上，不足60at%之範圍，而「CuMg2 之面積」係Mg濃度作為60at%以上，不足70at%之範圍。
(超音波接合) 對於所得到之銅/陶瓷接合體而言，使用超音波金屬接合機(日本超音波工業股份有限公司製：60C-904)，以崩塌量0.5mm之條件而超音波接合銅端子(10mm×5mm×1.5mm厚)。 在接合後，使用超音波探傷裝置(股份有限公司HITACHI SOLUTIONS製FineSAT200)，將檢查銅板與陶瓷基板的接合界面，觀察到陶瓷斷裂之構成，評估為「C」、將檢查銅板與陶瓷基板的接合界面，觀察到剝離之構成，評估為「B」、而將未確認到任何一項之構成，評估為「A」。
Figure 02_image007
經由接合工程S03後之降溫速度，Cu2 Mg之面積率的値、及超音波接合的接合性則產生變化。 從表3所示之結果，明確了解到降溫速度係20℃/min以下為佳，而15℃/min以下為更佳者。 從表3所示之結果，明確了解到Cu-Mg金屬間化合物相之中，Cu2 Mg之面積率係70%以上為佳，而80%以上為更佳，90%以上為又更佳者
(本發明例41~52) 有關本發明例41~52之銅/陶瓷接合體係與在上述本發明例1~12所製作之銅/陶瓷接合體同樣地加以製作，對於所得到之銅/陶瓷接合體，將氧化鎂層的厚度，及陶瓷斷裂循環數，如以下加以評估。 有關本發明例41~52之銅/陶瓷接合體之Mg固溶層，及銅/陶瓷接合體之初期接合率的評估係與在上述本發明例1~12所進行的評估同樣地加以進行。 將本發明例41~52之評估結果示於表4。
(氧化鎂層之厚度) 將銅板與陶瓷基板之接合界面，使用透過型電子顯微鏡(FEI公司製Titan ChemiSTEM)，以加速電壓200kV、倍率2萬倍進行觀察，在所得到之元素映射中，將存在有Mg與O共存之範圍情況，與鎂氧化物層類別確定。然而，氧化鎂層係含有氧化鎂(MgO)、尖晶石(MgAl2 O4 )之任一亦可。 並且，在觀察視野內中，經由以觀察寬度而切割氧化鎂層之面積，而算出氧化鎂層的厚度。
(陶瓷斷裂循環數) 使用冷熱衝擊試驗機(ESPEC股份有限公司製TSA-72ES)，以氣相實施-50℃×10分←→175℃×10分之300循環，作成冷熱循環。 於每10循環確認陶瓷基板之斷裂的有無。然而，陶瓷斷裂之有無係自經由超音波探傷裝置(股份有限公司HITACHI SOLUTIONS製FineSAT200)之界面檢查而判定。然而，在表4中，「＞300」係顯示在300循環後未確認到斷裂者。
Figure 02_image009
在氧化鎂層之厚度作為0.05μm以上2.00μm以下之範圍內的本發明例41~52中，即使為實施自-50℃至175℃之苛刻的冷熱循環試驗情況，陶瓷斷裂產生之冷熱循環為170次以上，而確認到對於冷熱循環信賴性優越情況。 在氧化鎂層之厚度作為0.05μm以上0.80μm以下之範圍內的本發明例41~45、47、50~51中，即使為實施自-50℃至175℃之苛刻的冷熱循環試驗情況，陶瓷斷裂產生之冷熱循環為270次以上，而確認到對於更冷熱循環信賴性優越情況。 特別是，在氧化鎂層之厚度作為0.05μm以上0.07μm以下之範圍內的本發明例41~43中，在將冷熱循環作300循環負荷後，亦未確認到陶瓷基板之斷裂，而確認到對於冷熱循環信賴性特別優越之情況。 從以上之情況，對於更確保冷熱循環信賴性，係將氧化鎂層作為0.05μm以上2.00μm以下之範圍內者為佳，而作為0.05μm以上0.80μm以下之範圍內者為更佳，作為0.05μm以上0.07μm以下之範圍內者為又更佳。
從以上之情況，如根據本發明例，確認到可提供：確實地接合銅構件與陶瓷構件之同時，對於耐位移性優越，且可抑制在高溫動作時之陶瓷斷裂的產生之銅/陶瓷接合體(絕緣電路基板)。
如根據本發明例，經由控制自接合溫度至480℃之降溫溫度的速度之時，確認到可提供確實接合銅構件與陶瓷構件，對於超音波接合性優越之銅/陶瓷接合體(絕緣電路基板)之情況。另外，如根據本發明例，確認到可提供對於冷熱循環信賴性優越之銅/陶瓷接合體(絕緣電路基板)之情況。 [產業上之利用可能性]
如根據本發明，可提供：確實地接合銅構件與陶瓷構件之同時，對於耐位移性優越，且可抑制在高溫動作時之陶瓷斷裂的產生之銅/陶瓷接合體，絕緣電路基板，及上述之銅/陶瓷接合體之製造方法，絕緣電路基板之製造方法。
10:絕緣電路基板 11:陶瓷基板 12:電路層 13:金屬層 22、23:銅板 31:鎂氧化物層 32:Mg固溶層
圖1係使用本發明之實施形態的絕緣電路基板(銅/陶瓷接合體)之功率模組的概略說明圖。 圖2係本發明之實施形態的絕緣電路基板(銅/陶瓷接合體)之電路層(銅構件)及金屬層(銅構件)與陶瓷基板(陶瓷構件)之接合界面的模式圖。 圖3係使用本發明之實施形態的絕緣電路基板(銅/陶瓷接合體)之製造方法的流程圖。 圖4係使用本發明之實施形態的絕緣電路基板(銅/陶瓷接合體)之製造方法的說明圖。 圖5係在本發明例3之銅/陶瓷接合體的銅板與陶瓷基板的接合界面之觀察結果。
11:陶瓷基板
12:電路層
13:金屬層
22、23:銅板
31:鎂氧化物層
32:Mg固溶層

Claims (8)

  1. 一種銅/陶瓷接合體，係加以接合銅或銅合金所成之銅構件，和鋁氧化物所成之陶瓷構件所成之銅/陶瓷接合體，其特徵為 對於前述銅構件與前述陶瓷構件之間係於前述陶瓷構件側，形成有鎂氧化物層，而於此鎂氧化層與前述銅構件之間，形成有Mg固溶於Cu之母相中的Mg固溶層者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之銅/陶瓷接合體，其中，自前述陶瓷構件的接合面朝向前述銅構件側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率為15%以下者。
  3. 一種絕緣電路基板，係於鋁氧化物所成之陶瓷基板的表面，接合銅或銅合金所成之銅板所成的絕緣電路基板，其特徵為 對於前述銅板與前述陶瓷基板之間係於前述陶瓷基板側，形成有鎂氧化物層，而於此鎂氧化層與前述銅板之間，形成有Mg固溶於Cu之母相中的Mg固溶層者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之絕緣電路基板，其中，自前述陶瓷基板的接合面朝向前述銅板側，在至50μm為止之範圍的金屬間化合物相的面積率為15%以下者。
  5. 一種銅/陶瓷接合體的製造方法，係製造如申請專利範圍第1項或第2項記載之銅/陶瓷接合體的銅/陶瓷接合體的製造方法，其特徵為具備： 於前述銅構件與前述陶瓷構件之間，配置Mg之Mg配置工程， 和藉由Mg而層積前述銅構件與前述陶瓷構件之層積工程， 和在將藉由Mg所層積之前述銅構件與前述陶瓷構件，加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理而接合之接合工程， 在前述Mg配置工程中，將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內者。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之銅/陶瓷接合體的製造方法，在前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內，而加熱溫度作為500℃以上850℃以下之範圍內者。
  7. 一種絕緣電路基板之製造方法，係如申請專利範圍第3項或第4項記載之絕緣電路基板之製造方法，其特徵為具備： 於前述銅板與前述陶瓷基板之間，配置Mg之Mg配置工程， 和藉由Mg而層積前述銅板與前述陶瓷基板之層積工程， 和在將藉由Mg所層積之前述銅板與前述陶瓷基板，加壓於層積方向的狀態，在真空環境下進行加熱處理而接合之接合工程， 在前述Mg配置工程中，將Mg量作為0.17mg/cm2 以上3.48mg/cm2 以下之範圍內者。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之絕緣電路基板的製造方法，其中，在前述接合工程之加壓負載作為0.049MPa以上3.4MPa以下之範圍內，而加熱溫度作為500℃以上850℃以下之範圍內者。
TW108130463A 2018-08-28 2019-08-26 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法 TWI796514B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018159663 2018-08-28
JP2018-159663 2018-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202016051A true TW202016051A (zh) 2020-05-01
TWI796514B TWI796514B (zh) 2023-03-21

Family

ID=69643027

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108104875A TW202144311A (zh) 2018-08-28 2019-02-14 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板及銅／陶瓷接合體之製造方法及絕緣電路基板之製造方法
TW108130463A TWI796514B (zh) 2018-08-28 2019-08-26 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108104875A TW202144311A (zh) 2018-08-28 2019-02-14 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板及銅／陶瓷接合體之製造方法及絕緣電路基板之製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210238102A1 (zh)
EP (1) EP3845510A4 (zh)
JP (1) JP7136212B2 (zh)
KR (1) KR20210044791A (zh)
CN (1) CN112638843B (zh)
TW (2) TW202144311A (zh)
WO (2) WO2020044590A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7119268B2 (ja) * 2020-05-27 2022-08-17 三菱マテリアル株式会社 銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
US11866372B2 (en) 2020-05-28 2024-01-09 Saudi Arabian Oil Company Bn) drilling tools made of wurtzite boron nitride (W-BN)
CA3185734A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-09 Saudi Arabian Oil Company Producing catalyst-free pdc cutters

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639388A (en) * 1985-02-12 1987-01-27 Chromalloy American Corporation Ceramic-metal composites
JPH02307875A (ja) * 1989-05-18 1990-12-21 Aisin Seiki Co Ltd セラミツクスと金属の接合方法
JPH03112874A (ja) * 1989-09-26 1991-05-14 Matsushita Electric Works Ltd セラミック基体と銅の接合方法
JPH04162756A (ja) 1990-10-26 1992-06-08 Toshiba Corp 半導体モジュール
JP3211856B2 (ja) 1994-11-02 2001-09-25 電気化学工業株式会社 回路基板
JPH09153567A (ja) * 1995-09-28 1997-06-10 Toshiba Corp 高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置
JP4375730B2 (ja) 2004-04-23 2009-12-02 本田技研工業株式会社 銅とセラミックス又は炭素基銅複合材料との接合用ろう材及び同接合方法
CN103717552B (zh) * 2011-07-28 2016-01-06 株式会社东芝 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板
JP5910166B2 (ja) * 2012-02-29 2016-04-27 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法
KR101758586B1 (ko) * 2014-02-12 2017-07-14 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 구리/세라믹스 접합체 및 파워 모듈용 기판
CN105829266A (zh) * 2014-03-20 2016-08-03 三菱综合材料株式会社 接合体、功率模块用基板、功率模块及接合体的制造方法
JP2015224151A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 Ｃｕ／セラミック基板
JPWO2016039060A1 (ja) * 2014-09-10 2017-06-22 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106687864B (zh) * 2014-11-26 2020-07-03 日立化成株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、固化物、半导体装置、抗蚀图案的形成方法及电路基材的制造方法
JP6656657B2 (ja) * 2015-11-06 2020-03-04 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール
JP6658400B2 (ja) * 2016-08-24 2020-03-04 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／Ａｌ−ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
JP6807060B2 (ja) 2017-03-23 2021-01-06 桐生電子開発合同会社 血糖値変化量測定装置
JP3211856U (ja) 2017-05-09 2017-08-10 株式会社アイエスピー メジャー付きタオル
WO2020218067A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 コニカミノルタ株式会社 透明電極及びそれを具備した電子デバイス
KR20220122979A (ko) * 2019-12-25 2022-09-05 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 축전 디바이스용 외장재, 그 제조 방법, 및 축전 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
CN112638843B (zh) 2022-11-11
JPWO2020045386A1 (ja) 2021-08-12
KR20210044791A (ko) 2021-04-23
TW202144311A (zh) 2021-12-01
TWI796514B (zh) 2023-03-21
WO2020045386A1 (ja) 2020-03-05
US20210238102A1 (en) 2021-08-05
EP3845510A4 (en) 2022-06-08
EP3845510A1 (en) 2021-07-07
CN112638843A (zh) 2021-04-09
JP7136212B2 (ja) 2022-09-13
WO2020044590A1 (ja) 2020-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI772597B (zh) 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、絕緣電路基板之製造方法
TWI813747B (zh) 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法
TWI746807B (zh) 銅／陶瓷接合體，絕緣電路基板，及銅／陶瓷接合體的製造方法，絕緣電路基板的製造方法
CN111566074B (zh) 铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板及铜-陶瓷接合体的制造方法、绝缘电路基板的制造方法
WO2015141295A1 (ja) 接合体、パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及び、接合体の製造方法
TWI581343B (zh) 功率模組
TWI796514B (zh) 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法
JP5828352B2 (ja) 銅／セラミックス接合体、及び、パワーモジュール用基板
WO2021085451A1 (ja) 銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
JP5825380B2 (ja) 銅／セラミックス接合体、及び、パワーモジュール用基板
TWI801652B (zh) 銅／陶瓷接合體、絕緣電路基板、及銅／陶瓷接合體之製造方法、及絕緣電路基板之製造方法
WO2015122446A1 (ja) 銅／セラミックス接合体、及び、パワーモジュール用基板
TW202142522A (zh) 銅／陶瓷接合體、及、絕緣電路基板