TW202013511A - 成膜用組成物及成膜裝置 - Google Patents

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山口達也
淺子龍一
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的係提供一種可減少溫度對成膜速度之影響的成膜用組成物。 為達上述目的，本發明提供一種成膜用組成物，其具有互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分及第二成分，且前述第一成分之脫離能與前述第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大。

Description

成膜用組成物及成膜裝置
本發明係關於成膜用組成物及成膜裝置。
在半導體裝置之製程中，為了形成裝置之配線等，進行利用對半導體晶圓(以下稱為晶圓)等之基板供給處理氣體所為的成膜處理。專利文獻1揭示將包含第一單體之第一處理氣體及包含第二單體之第二處理氣體供給至基板，在晶圓表面蒸鍍聚合各單體，藉此形成聚醯亞胺膜的成膜方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5966618號公報
[發明欲解決之課題]
在利用蒸鍍聚合所為之成膜處理中，係使氣體供給之各分子吸附在基板上並藉由該基板之熱能來聚合成膜，因此成膜速度取決於基板之溫度。在如此之習知成膜處理中，因為成膜速度隨著基板之溫度變動，所以溫度對成膜速度之影響大。
本發明之目的係提供一種可減少溫度對成膜速度之影響的成膜用組成物。 [解決問題之手段]
為達成上述目的，本發明之一態樣提供一種成膜用組成物，其具有互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分及第二成分，且前述第一成分之脫離能與前述第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大。 [發明之效果]
依據本發明之一態樣，可減少溫度對成膜速度之影響。
以下，詳細說明本發明之實施形態。
>成膜用組成物> 本發明之成膜用組成物具有互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分及第二成分，且第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大。
>含氮羰基化合物> 本實施形態之成膜用組成物中，第一成分與第二成分聚合而生成之含氮羰基化合物係含有碳氧雙鍵及氮的聚合物。含氮羰基化合物構成藉由第一成分與第二成分聚合而成膜之膜的成分。含氮羰基化合物作成如此聚合物之膜，可成為例如用以防止蝕刻晶圓之特定部位的保護膜。
含氮羰基化合物沒有特別限制，但由成膜之膜穩定性的觀點來看，可舉例如：聚脲(以下，亦稱為聚尿素)、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺等。該等含氮羰基化合物可為單獨1種或2種以上之組合。在本實施形態中，含氮羰基化合物中，聚脲、聚醯亞胺較佳，且聚脲更佳。此外，該等含氮羰基化合物係本發明之成膜用組成物的含氮羰基化合物的一例。
>第一成分> 本實施形態之成膜用組成物包含的第一成分係可與第二成分聚合而生成含氮羰基化合物之單體。如此之第一成分沒有特別限制，但可舉例如：異氰酸酯、胺、酸酐、羧酸、醇等。該等第一成分係本發明之成膜用組成物包含的第一成分的一例。
第一成分之一例的異氰酸酯係可與胺聚合而生成聚脲，或與醇聚合而生成聚胺基甲酸酯之化學物種。異氰酸酯之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，異氰酸酯之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而2至8更佳。
異氰酸酯之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之異氰酸酯可為單獨1種或2種以上之組合。
異氰酸酯之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，異氰酸酯宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
異氰酸酯之具體例可舉例如：4,4’-二甲苯二異氰酸酯、1,3-二(異氰氧基甲基)環己烷、1,3-二(異氰氧基甲基)苯(XDI)、對伸苯二異氰酸酯、4,4’-亞甲二異氰酸酯、異氰酸苄酯、1,2-二異氰氧基乙烷、1,4-二異氰氧基丁烷、1,6-二異氰氧基己烷、1,8-二異氰氧基辛烷、1,10-二異氰氧基癸烷、1,6-二異氰氧基-2,4,4-三甲基己烷、1,2-二異氰氧基丙烷、1,1-二異氰氧基乙烷、1,3,5-三異氰氧基苯、1,3-二(異氰氧基-2-丙基)苯、異佛酮二異氰酸酯、2,5-二(異氰氧基甲基)二環[2.2.1]庚烷等。該等異氰酸酯可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第一成分之一例的胺係可與異氰酸酯聚合而生成聚脲，或與酸酐聚合而生成聚醯亞胺之化學物種。胺之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，胺之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，胺之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之胺可為單獨1種或2種以上之組合。
胺之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，胺宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
胺之具體例可舉例如：1,3-二(胺甲基)環己烷、1,3-二(胺甲基)苯、對伸茬二胺、1,3-伸苯二胺、對伸苯二胺、4,4’-亞甲二苯胺、3-(胺甲基)苄胺、六亞甲二胺、苄胺(BA)、1,2-二胺乙烷、1,4-二胺丁烷、1,6-二胺己烷、1,8-二胺辛烷、1,10-二胺癸烷、1,12-二胺十二烷、2-胺甲基-1,3-丙二胺、甲三胺、二環[2.2.1]庚烷二甲胺、哌嗪、2-甲基哌嗪、1,3-二-4-哌啶丙烷、1,4-二氮雜環庚烷(diazepane)、二伸乙三胺、N-(2-胺乙基)-N-甲基-1,2-乙二胺、二(3-胺丙基)胺、三伸乙四胺、精三胺等。該等胺可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第一成分之一例的酸酐係可與胺聚合而生成聚醯亞胺之化學物種。酸酐之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，酸酐之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，酸酐之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之酸酐可為單獨1種或2種以上之組合。
酸酐之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，酸酐宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
酸酐之具體例可舉例如：焦蜜石酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯基酮四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基酮四羧酸二酐、萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、萘-1,2,4,5-四羧酸二酐、萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、萘-1,2,6,7-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、1,4,5,8-四氯萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基四羧酸二酐、3,3”,4,4”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,2”,3,3”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,3,3”,4”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,2-二(2,3-二羧酸苯基)-丙二酐、2,2-二(3,4-二羧酸苯基)-丙二酐、二(2,3-二羧酸苯基)醚二酐、二(2,3-二羧酸苯基)甲二酐、二(3,4-二羧酸苯基)甲二酐、二(2,3-二羧酸苯基)磺二酐、二(3,4-二羧酸苯基)磺二酐、1,1-二(2,3-二羧酸苯基)-乙二酐、1,1-二(3,4-二羧酸苯基)-乙二酐、苝-2,3,8,9-四羧酸二酐、苝-3,4,9,10-四羧酸二酐、苝-4,5,10,11-四羧酸二酐、苝-5,6,11,12-四羧酸二酐、菲-1,2,7,8-四羧酸二酐、菲-1,2,6,7-四羧酸二酐、菲-1,2,9,10-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4’-氧二苯二甲酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐等。該等酸酐可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第一成分之一例的羧酸係可與胺聚合而生成聚醯胺之化學物種。羧酸之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，羧酸之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而2至8更佳。
此外，羧酸之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之羧酸可為單獨1種或2種以上之組合。
羧酸之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，羧酸宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
羧酸之具體例可舉例如：丁二酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、2,2’-(1,4-環己二基)二乙酸、1,4-伸苯基二乙酸、4,4’-亞甲基二苯甲酸、伸苯基乙酸、苯甲酸、水楊酸、乙醯水楊酸、丁二醯氯、戊二醯氯、己二醯氯、辛二醯氯、2,2’-(1,4-伸苯基)二乙醯氯、對酞醯氯、苯基乙醯氯等。該等羧酸可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第一成分之一例的醇係可與異氰酸酯聚合而生成聚胺基甲酸酯之化學物種。醇之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，醇之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，醇之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之醇可為單獨1種或2種以上之組合。
醇之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，醇宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
醇之具體例可舉例如：1,3-環己二基二甲醇、1,3-伸苯基二甲醇、氫醌、苄醇、1,2-乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,10-癸二醇、2,5-降莰二醇、甲三醇、二乙二醇、三乙二醇、3,3’-氧二丙烷-1-醇等。該等醇可為單獨1種或2種以上之組合。
第一成分之脫離能係第一成分用以由界面脫離之活化能且單位用kJ/莫耳表示。第一成分之脫離能的範圍沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，宜為10至130kJ/莫耳，且30至120kJ/莫耳較佳，而50至110kJ/莫耳更佳。此外，脫離能之範圍的下限值過低時，無助於聚合之第一成分亦吸附，因此恐有生成之聚合物純度低之虞。另一方面，脫離能之範圍的上限值過高時，恐有無法充分地形成含氮羰基化合物之膜，形成之膜的均一性低之虞。
第一成分之其他物性沒有特別限制，但由維持第一成分之吸附性的觀點來看，第一成分之沸點在100至500℃之範圍內較佳。具體而言，第一成分之沸點在胺時係100至450℃，在異氰酸酯時係100至450℃，在羧酸時係120至500℃，在酸酐時係150至500℃，且在醇時係150至400℃。
>第二成分> 本實施形態之成膜用組成物包含的第二成分係可與第一成分聚合而生成含氮羰基化合物之單體。如此之第二成分沒有特別限制，但可舉例如：異氰酸酯、胺、酸酐、羧酸、醇等。該等第二成分係本發明之成膜用組成物包含的第二成分的一例。
第二成分之一例的異氰酸酯係可與胺聚合而生成聚脲，或與醇聚合而生成聚胺基甲酸酯之化學物種。異氰酸酯之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，異氰酸酯之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而2至8更佳。
異氰酸酯之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之異氰酸酯可為單獨1種或2種以上之組合。
異氰酸酯之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，異氰酸酯宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
異氰酸酯之具體例可舉例如：4,4’-二甲苯二異氰酸酯、1,3-二(異氰氧基甲基)環己烷、1,3-二(異氰氧基甲基)苯(XDI)、對伸苯二異氰酸酯、4,4’-亞甲二異氰酸酯、異氰酸苄酯、1,2-二異氰氧基乙烷、1,4-二異氰氧基丁烷、1,6-二異氰氧基己烷、1,8-二異氰氧基辛烷、1,10-二異氰氧基癸烷、1,6-二異氰氧基-2,4,4-三甲基己烷、1,2-二異氰氧基丙烷、1,1-二異氰氧基乙烷、1,3,5-三異氰氧基苯、1,3-二(異氰氧基-2-丙基)苯、異佛酮二異氰酸酯、2,5-二(異氰氧基甲基)二環[2.2.1]庚烷等。該等異氰酸酯可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第二成分之一例的胺係可與異氰酸酯聚合而生成聚脲，或與酸酐聚合而生成聚醯亞胺之化學物種。胺之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，胺之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，胺之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之胺可為單獨1種或2種以上之組合。
胺之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，胺宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
胺之具體例可舉例如：1,3-二(胺甲基)環己烷、1,3-二(胺甲基)苯、對伸茬二胺、1,3-伸苯二胺、對伸苯二胺、4,4’-亞甲二苯胺、3-(胺甲基)苄胺、六亞甲二胺、苄胺(BA)、1,2-二胺乙烷、1,4-二胺丁烷、1,6-二胺己烷、1,8-二胺辛烷、1,10-二胺癸烷、1,12-二胺十二烷、2-胺甲基-1,3-丙二胺、甲三胺、二環[2.2.1]庚烷二甲胺、哌嗪、2-甲基哌嗪、1,3-二-4-哌啶丙烷、1,4-二氮雜環庚烷、二伸乙三胺、N-(2-胺乙基)-N-甲基-1,2-乙二胺、二(3-胺丙基)胺、三伸乙四胺、精三胺等。該等胺可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第二成分之一例的酸酐係可與胺聚合而生成聚醯亞胺之化學物種。酸酐之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，酸酐之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，酸酐之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之酸酐可為單獨1種或2種以上之組合。
酸酐之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，酸酐宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
酸酐之具體例可舉例如：焦蜜石酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯基酮四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基酮四羧酸二酐、萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、萘-1,2,4,5-四羧酸二酐、萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、萘-1,2,6,7-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、1,4,5,8-四氯萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’-二苯基四羧酸二酐、3,3”,4,4”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,2”,3,3”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,3,3”,4”-對-聯三苯四羧酸二酐、2,2-二(2,3-二羧酸苯基)-丙二酐、2,2-二(3,4-二羧酸苯基)-丙二酐、二(2,3-二羧酸苯基)醚二酐、二(2,3-二羧酸苯基)甲二酐、二(3,4-二羧酸苯基)甲二酐、二(2,3-二羧酸苯基)磺二酐、二(3,4-二羧酸苯基)磺二酐、1,1-二(2,3-二羧酸苯基)-乙二酐、1,1-二(3,4-二羧酸苯基)-乙二酐、苝-2,3,8,9-四羧酸二酐、苝-3,4,9,10-四羧酸二酐、苝-4,5,10,11-四羧酸二酐、苝-5,6,11,12-四羧酸二酐、菲-1,2,7,8-四羧酸二酐、菲-1,2,6,7-四羧酸二酐、菲-1,2,9,10-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四羧酸二酐、4,4’-氧二苯二甲酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐等。該等酸酐可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第二成分之一例的羧酸係可與胺聚合而生成聚醯胺之化學物種。羧酸之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，羧酸之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而2至8更佳。
此外，羧酸之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之羧酸可為單獨1種或2種以上之組合。
羧酸之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，羧酸宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
羧酸之具體例可舉例如：丁二酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、2,2’-(1,4-環己二基)二乙酸、1,4-伸苯基二乙酸、4,4’-亞甲基二苯甲酸、伸苯基乙酸、苯甲酸、水楊酸、乙醯水楊酸、丁二醯氯、戊二醯氯、己二醯氯、辛二醯氯、2,2’-(1,4-伸苯基)二乙醯氯、對酞醯氯、苯基乙醯氯等。該等羧酸可為單獨1種或2種以上之組合。
此外，第二成分之一例的醇係可與異氰酸酯聚合而生成聚胺基甲酸酯之化學物種。醇之碳數沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，醇之碳數宜為2至18，且2至12較佳，而4至12更佳。
此外，醇之構造沒有特別限制，但可採用例如：芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物等之基本骨架。包含該等基本骨架之醇可為單獨1種或2種以上之組合。
醇之官能性沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，醇宜為1官能性化合物或2官能性化合物。
醇之具體例可舉例如：1,3-環己二基二甲醇、1,3-伸苯基二甲醇、氫醌、苄醇、1,2-乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,10-癸二醇、2,5-降莰二醇、甲三醇、二乙二醇、三乙二醇、3,3’-氧二丙烷-1-醇等。該等醇可為單獨1種或2種以上之組合。
第二成分之脫離能係第二成分用以由界面脫離之活化能且單位用kJ/莫耳表示。第二成分之脫離能的範圍沒有特別限制，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，宜為10至130kJ/莫耳，且30至120kJ/莫耳較佳，而50至110kJ/莫耳更佳。此外，脫離能之範圍的下限值過低時，無助於聚合之第二成分亦吸附，因此恐有生成之聚合物純度低之虞。另一方面，脫離能之範圍的上限值過高時，恐有無法充分地形成含氮羰基化合物之膜，或形成之膜的均一性低之虞。
第二成分之其他物性沒有特別限制，但由維持第二成分之吸附性的觀點來看，第二成分之沸點在100至500℃之範圍內較佳。具體而言，第二成分之沸點在胺時係100至450℃，在異氰酸酯時係100至450℃，在羧酸時係120至500℃，在酸酐時係150至500℃，且在醇時係150至400℃。
第一成分與第二成分之組合沒有特別限制，但第一成分及第二成分中之任一者宜為異氰酸酯，且該異氰酸酯為2官能性芳香族化合物較佳，而該2官能性芳香族化合物為1,3-二(異氰氧基甲基)苯(XDI)更佳。
第一成分及第二成分中之另一者宜為胺，該胺宜為1官能性芳香族化合物，而該1官能性芳香族化合物為苄胺(BA)更佳。
第一成分與第二成分之聚合方法沒有特別限制，只要可生成含氮羰基化合物即可，但由獲得充分成膜速度之觀點來看，宜為蒸鍍聚合法之聚合。此外，蒸鍍聚合法係在真空中同時加熱2種以上之單體(單分子)，使其蒸發，接著在基板上使單體聚合反應之聚合方法。
聚合溫度係第一成分與第二成分聚合所需之溫度。聚合溫度沒有特別限制，可依據生成之含氮羰基化合物種類、聚合之第一成分與第二成分的組合等來調整。聚合溫度，例如，在基板上使第一成分與第二成分蒸鍍聚合時用基板之溫度表示。具體之聚合溫度，例如，在生成之含氮羰基化合物為聚脲時為20℃至200℃，在聚醯亞胺時為100℃至300℃且更佳為38℃至150℃。
在本實施形態中，第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大。即，包括：第二成分之脫離能相對第一成分之脫離能高10kJ/莫耳以上的情形、第一成分之脫離能相對第二成分之脫離能高10kJ/莫耳以上的情形。
在本實施形態中，藉由使第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差為10kJ/莫耳以上，可減少成膜處理時因基板溫度產生之成膜速度變動，因此可緩和成膜速度之溫度相關性。因此，可減少溫度對成膜速度之影響。
此外，藉由使第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差為10kJ/莫耳以上，第一成分之蒸氣壓(85℃)與第二成分之蒸氣壓(85℃)的比(以下稱為蒸氣壓比)成為50以上。因此，第一成分與第二成分之蒸氣壓比(85℃)為50以上時，可緩和成膜速度之溫度相關性，因此可以說溫度對成膜速度之影響小。
>成膜裝置> 接著，一面參照圖1之截面圖，一面說明本發明實施形態之成膜裝置1。本實施形態之成膜裝置1具有：處理容器11，其形成真空環境；載置部(載置台21)，其設置在處理容器11內且載置基板(晶圓W)；及供給部(氣體噴嘴41)，其供給上述成膜用組成物(成膜氣體)至處理容器11內。此外，成膜裝置1係本發明之成膜裝置的一例。
處理容器11構成圓形之氣密真空容器且內部形成真空環境。側壁加熱器12設置在處理容器11之側壁中。頂加熱器13設置在處理容器11之頂壁(頂板)中。處理容器11之頂壁(頂板)的頂面14形成水平之平坦面，且藉由頂加熱器13控制其溫度。此外，使用可用比較低溫度進行成膜之成膜氣體時，可不進行側壁加熱器12、頂加熱器13之加熱。
載置台21設置在處理容器11內之下部側。載置台21構成載置基板(晶圓W)之載置部。載置台21形成圓形且在水平地形成之表面(上面)載置晶圓W。此外，基板不限於晶圓W，亦可對平板顯示器製造用之玻璃基板等進行處理。
平台加熱器20埋設在載置台21中。該平台加熱器20加熱載置之晶圓W，使在載置台21上之晶圓W形成保護膜。此外，使用可用比較低溫度進行成膜之成膜氣體時，可不進行平台加熱器20之加熱。
載置台21藉由設置在處理容器11底面之支柱22支持在處理容器11中。垂直地升降之升降銷23設置在支柱22之周方向的外側。升降銷23分別插入在載置台21之周方向上隔著間隔設置的貫穿孔。此外，在圖1中顯示3個設置之升降銷23中的2個。升降銷23係藉由升降機構24控制來升降。升降銷23突出沒入載置台21之表面時，在未圖示之搬送機構與載置台21之間進行晶圓W之傳送。
開口之排氣口31設置在處理容器11之側壁。排氣口31連接於排氣機構32。排氣機構32透過排氣管由真空泵及閥等構成，且調整來自排氣口31之排氣流量。藉由該排氣機構32之排氣流量調整，可調整處理容器11內之壓力。此外，在與排氣口31開口之位置不同的位置，未圖示之晶圓W的搬送口可自由開閉地形成在處理容器11之側壁。
此外，氣體噴嘴41設置在處理容器11之側壁。氣體噴嘴41供給包含上述成膜用組成物之成膜氣體至處理容器11內。成膜氣體包含之成膜用組成物具有第一成分M1及第二成分M2。第一成分M1包含在第一成膜氣體中且第二成分M2包含在第二成膜氣體中，接著供給至處理容器11內。
第一成膜氣體包含之第一成分M1係可與第二成分M2聚合而生成含氮羰基化合物之單體。在本實施形態中，使用係2官能性芳香族異氰酸酯之1,3-二(異氰氧基甲基)苯(XDI)作為第一成分M1。此外，第一成分M1不限於XDI，只要是可成為構成上述成膜用組成物之第一成分即可。
第二成膜氣體包含之第二成分M2係可與第一成分M1聚合而生成含氮羰基化合物之單體。在本實施形態中，使用係1官能性芳香族胺之苄胺(BA)作為第二成分M2。此外，第二成分M2不限於BA，只要是可成為構成上述成膜用組成物之第二成分即可。
氣體噴嘴41構成供給用以形成上述保護膜之成膜氣體(第一成膜氣體及第二成膜氣體)的切入部(成膜氣體供給部)。由載置台21之中心部來看，氣體噴嘴41在處理容器11之側壁中設置在排氣口31之相對側。
氣體噴嘴41形成由處理容器11之側壁向處理容器11之中心側突出的棒狀。氣體噴嘴41之前端部由處理容器11之側壁水平地延伸。成膜氣體由在氣體噴嘴41前端開口之噴吐口噴吐至處理容器11內，且朝圖1所示之虛線方向流動，接著由排氣口31排出。此外，氣體噴嘴41之前端部不限於該形狀，由提高成膜之效率的觀點來看，可呈向載置之晶圓W朝斜下方延伸之形狀，亦可呈向處理容器11之頂面14朝斜上方延伸的形狀。
此外，使氣體噴嘴41之前端部呈向處理容器11之頂面14朝斜上方延伸的形狀時，噴吐之成膜氣體在供給至晶圓W前衝擊處理容器11之頂面14。另外，在頂面14中氣體衝擊之區域係例如比載置台21之中心靠近氣體噴嘴41之噴吐口的位置，且當在平面上觀察時在晶圓W之端部附近。
藉由如此使成膜氣體衝擊頂面14後供給至晶圓W，相較於由氣體噴嘴41向晶圓W直接供給成膜氣體之情形，由氣體噴嘴41噴吐之成膜氣體移動到晶圓W前之距離加長。在處理容器11內成膜氣體之移動距離加長時，成膜氣體朝橫向擴散且均一性高地供給至晶圓W之面內
此外，排氣口31不限於如上所述地設置在處理容器11之側壁的結構，亦可設置在處理容器11之底面。氣體噴嘴41不限於如上所述地設置在處理容器11之側壁的結構，亦可設置在處理容器11之頂壁。另外，為了以由晶圓W之表面一端側流至另一端側之方式形成成膜氣體之氣流而在晶圓W上均一性高地進行成膜，宜如上所述地將排氣口31、氣體噴嘴41設置在處理容器11之側壁。
由氣體噴嘴41噴吐之成膜氣體的溫度可為任意溫度，但由防止在到供給至氣體噴嘴41為止之流路中液化的觀點來看，到供給至氣體噴嘴41為止之溫度宜比處理容器11內之溫度高。此時，噴吐至處理容器11內之成膜氣體降溫並供給至晶圓W。藉由如此降溫，成膜氣體之晶圓W吸附性提高，因此可效率良好地進行成膜。此外，由進一步提高成膜氣體之晶圓W吸附性的觀點來看，處理容器11內之溫度宜比晶圓W之溫度(或埋藏了平台加熱器20之載置台21的溫度)高。
成膜裝置1具有由處理容器11之外側連接於氣體噴嘴41的氣體供給管52。氣體供給管52具有上游側分歧之氣體導入管53、54。氣體導入管53之上游側依序透過流量調整部61、閥V1連接於氣化部62。
上述第一成分M1(XDI)用液體之狀態貯存在氣化部62內。氣化部62具有加熱該XDI之未圖示加熱器。此外，氣化部62連接氣體供給管63A之一端，且氣體供給管63A之另一端依序透過閥V2、氣體加熱部64連接於N2 (氮)氣體供給源65。藉由如此之結構，可將被加熱之N2 氣體供給至氣化部62以使氣化部62內之XDI氣化，接著以用於該氣化之N2 氣體及XDI氣體的混合氣體作為第一成膜氣體，導入氣體噴嘴41。
此外，氣體供給管63A中之氣體加熱部64的下游側及閥V2的上游側分歧形成氣體供給管63B。該氣體供給管63B之下游端透過閥V3連接於氣體導入管53之閥V1的下游側及流量調整部61之上游側。藉由如此之結構，未供給上述第一成膜氣體至氣體噴嘴41時，被氣體加熱部64加熱之N2 氣體未透過氣化部62導入氣體噴嘴41。此外，在圖1中，第一成膜氣體供給機構5A包含：流量調整部61、氣化部62、氣體加熱部64、N2 氣體供給源65、閥V1至V3、氣體供給管63A、63B、氣體導入管53之流量調整部61的上游側部位。
此外，氣體導入管54之上游側依序透過流量調整部71、閥V4連接於氣化部72。上述第二成分M2(BA)用液體之狀態貯存在氣化部72內。氣化部72具有加熱該BA之未圖示加熱器。此外，氣體供給管73A之一端連接於氣化部72，且氣體供給管73A之另一端依序透過閥V5、氣體加熱部74連接於N2 氣體供給源75。藉由如此之結構，可將被加熱之N2 氣體供給至氣化部72以使氣化部72內之BA氣化，接著以用於該氣化之N2 氣體及BA氣體的混合氣體作為第二成膜氣體，導入氣體噴嘴41。
此外，氣體供給管73A中之氣體加熱部74的下游側及閥V5的上游側分歧形成氣體供給管73B，且該氣體供給管73B之下游端透過閥V6連接於氣體導入管54之閥V4的下游側及流量調整部71之上游側。藉由如此之結構，未供給上述第二成膜氣體至氣體噴嘴41時，被氣體加熱部74加熱之N2 氣體未透過氣化部72導入氣體噴嘴41。此外，在圖1中，第二成膜氣體供給機構5B包含：流量調整部71、氣化部72、氣體加熱部74、N2 氣體供給源75、閥V4至V6、氣體供給管73A、73B、氣體導入管54之流量調整部71的上游側部位。
為了防止流通中之成膜氣體中的XDI及BA液化，在氣體供給管52及氣體導入管53、54之各管的周圍設置例如用以加熱管內之配管加熱器60。藉由該配管加熱器60，可調整由氣體噴嘴41噴吐之成膜氣體的溫度。此外，在本實施形態中，為方便圖示，配管加熱器60只顯示配管之一部份，但為了可防止液化，設置在配管全體上。另外，由氣體噴嘴41供給至處理容器11內的氣體在以下只記載為N2 氣體時係指如上所述地迂迴通過氣化部62、72供給之單獨N2 氣體，藉此與成膜氣體包含之N2 氣體區別。
此外，氣體導入管53、54不限於連接於氣體噴嘴41之氣體供給管52分歧的結構，可用分別獨立地供給第一成膜氣體及第二成膜氣體至處理容器11內之專用氣體噴嘴構成。藉由如此地構成，可更確實地防止供給至處理容器11內之前的第一成膜氣體及第二成膜氣體反應而在流路內成膜。
成膜裝置1具有作為電腦之控制部10，且該控制部10具有程式、記憶體、CPU。命令(各步驟)規劃在程式中以便對後述之晶圓W進行處理，且該程式儲存在電腦記憶媒體，例如：光碟、硬碟、光磁碟、DVD等中並安裝在控制部10中。控制部10藉由該程式輸出控制信號至成膜裝置1之各部並控制各部之動作。具體而言，藉由控制信號控制：排氣機構32之排氣流量、流量調整部61、71對處理容器11內供給之各氣體流量、來自N2 氣體供給源65、67之N2 氣體供給、各加熱器之供給電力、升降機構24之升降銷23升降等的各動作。
在成膜裝置1中，藉由上述結構，供給具有第一成分M1及第二成分M2之成膜用組成物至處理容器11內，接著第一成分M1與第二成分M2聚合而生成含氮羰基化合物。在本實施形態中，藉由第一成分M1(XDI)與第二成分M2(BA)聚合，生成包含脲鍵結之聚合物(聚脲)作為含氮羰基化合物。
該含氮羰基化合物係藉由在晶圓W之表面蒸鍍聚合第一成膜氣體及第二成膜氣體，在晶圓W上成膜而作成聚合物之膜。由該含氮羰基化合物構成之聚合物的膜可例如如後所述地成為用以防止蝕刻晶圓W之特定部位的保護膜。
在此，第一成膜氣體包含之第一成分M1(XDI)的脫離能係71kJ/莫耳。另一方面，第二成膜氣體包含之第二成分M2(BA)的脫離能係49kJ/莫耳。因此，第一成分M1(XDI)之脫離能與第二成分M2(BA)之脫離能的差係22kJ/莫耳。
藉此，在成膜裝置1中，供給至處理容器11內之第一成膜氣體包含之第一成分M1(XDI)的脫離能與第二成膜氣體包含之第二成分M2(BA)的脫離能的差比10kJ/莫耳大。因此，使用成膜裝置1之成膜處理可減少因晶圓W之溫度產生的成膜速度變動。
即，在本實施形態中，藉由使第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差為10kJ/莫耳以上，可在成膜處理時緩和成膜速度之溫度相關性。因此，依據本實施形態之成膜裝置1，可減少溫度對成膜速度之影響。
此外，在本實施形態中，第一成分之脫離能相對第二成分之脫離能高10kJ/莫耳以上。但是，為了緩和成膜速度之溫度相關性以減少溫度對成膜速度之影響，亦可第二成分之脫離能相對第一成分之脫離能高10kJ/莫耳以上。即，只要組合第一成分與第二成分，使第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大即可。
此外，藉由使第一成分之脫離能與第二成分之脫離能的差為10kJ/莫耳以上，第一成分之蒸氣壓(85℃)與第二成分之蒸氣壓(85℃)的比(以下稱為蒸氣壓比)成為50以上。因此，第一成分與第二成分之蒸氣壓比(85℃)為50以上時，可緩和成膜速度之溫度相關性，因此可以說溫度對成膜速度之影響小。
接著，一面參照圖2一面說明使用上述成膜裝置1對晶圓W進行之處理。圖2係顯示供給各氣體之期間的時間圖。在成膜裝置1中，藉由未圖之搬送機構將晶圓W搬入處理容器11內，接著透過升降銷23傳送至載置台21。側壁加熱器12、頂加熱器13、平台加熱器20、配管加熱器60升溫至各自預定之溫度。另一方面，處理容器11內調整成預定壓力之真空環境。
接著，分別地由第一成膜氣體供給機構5A供給包含XDI之第一成膜氣體及由第二成膜氣體供給機構5B供給N2 氣體至氣體噴嘴41，接著在該等氣體混合成為140℃之狀態下由氣體噴嘴41噴吐至處理容器11內(圖2，請參照時刻t1)。該混合之氣體(以下稱為混合氣體)在處理容器11內冷卻至100℃同時流入處理容器11內並供給至晶圓W。混合氣體被晶圓W進一步冷卻成80℃，接著混合氣體中之第一成膜氣體被吸附在晶圓W上。
然後，由第一成膜氣體供給機構5A供給N2 氣體取代第一成膜氣體，接著成為由氣體噴嘴41只噴吐N2 氣體之狀態(時刻t2)。該N2 氣體成為沖洗氣體，並沖洗在處理容器11內未吸附在晶圓W上之第一成膜氣體。
然後，由第二成膜氣體供給機構5B供給包含BA之第二成膜氣體至氣體噴嘴41，接著在該等氣體混合成為140℃之狀態下由氣體噴嘴41噴吐(時刻t3)。與包含在時刻t1至t2供給至處理容器11內之第一成膜氣體的混合氣體同樣地，將包含該第二成膜氣體之混合氣體在處理容器11內冷卻同時流入處理容器11內並供給至晶圓W，接著被晶圓W之表面進一步冷卻。接著，混合氣體中包含之第二成膜氣體吸附在晶圓W上。
吸附之第二成膜氣體與已吸附在晶圓W上之第一成膜氣體聚合反應，接著在晶圓W之表面形成聚尿素膜。然後，由第二成膜氣體供給機構5B供給N2 氣體取代第二成膜氣體，接著成為由氣體噴嘴41只噴吐N2 氣體之狀態(時刻t4)。該N2 氣體成為沖洗氣體，並沖洗在處理容器11內未吸附在晶圓W上之第二成膜氣體。
在上述一連串之處理中，由氣體噴嘴41噴吐包含第一成膜氣體之混合氣體、由氣體噴嘴41只噴吐N2 氣體及由氣體噴嘴41噴吐包含第二成膜氣體之混合氣體。以該一連串之處理作為1個循環時，時刻t4以後重複進行該循環，使聚尿素膜之膜厚增加。接著，實行預定次數之循環後，停止由氣體噴嘴41噴吐氣體。
在本實施形態中，第一成膜氣體包含之第一成分M1(XDI)之脫離能與第二成膜氣體包含之第二成分M2(BA)之脫離能的差在10kJ/莫耳以上。在成膜裝置1中可供給如此之第一成膜氣體及第二成膜氣體至處理容器11內之晶圓W，因此可獲得與使用上述成膜用組成物時同樣之效果。即，依據本實施形態之成膜裝置1，可在成膜處理時緩和成膜速度之溫度相關性，因此可減少溫度對成膜速度之影響。
此外，藉由使第一成分M1(XDI)之脫離能與第二成分M2(BA)之脫離能的差為10kJ/莫耳以上，第一成分之蒸氣壓(85℃)與第二成分之蒸氣壓(85℃)的比(以下稱為蒸氣壓比)成為50以上。因此，第一成分與第二成分之蒸氣壓比(85℃)為50以上時，亦可緩和成膜速度之溫度相關性，因此可以說溫度對成膜速度之影響小。
以下說明使用成膜裝置1及蝕刻裝置進行之製程的一例。在圖3(a)中顯示由下方向上方依序積層下層膜81、層間絕緣膜82、硬遮罩膜83而構成之晶圓W的表面部，且作為開口部之圖案84形成在硬遮罩膜83中。當透過圖案84蝕刻層間絕緣膜82而形成埋入配線用之凹部時，凹部之側壁形成上述聚尿素膜作為保護膜以防止受到破壞。
首先，藉由蝕刻裝置，在層間絕緣膜82中形成凹部85後(圖3(b))，藉由上述成膜裝置1在晶圓W之表面形成聚尿素膜86。藉此，凹部85之側壁及底部被聚尿素膜86被覆(圖3(c))。然後，將晶圓W搬送至蝕刻裝置並藉由異向性蝕刻增大凹部85之深度。在該蝕刻時，在凹部85之側壁形成聚尿素膜86而受到保護之狀態下，蝕刻凹部85之底部(圖4(a))。
然後，將晶圓W搬送至成膜裝置1並在其表面上新形成聚尿素膜86(圖4(b))。然後，在藉由聚尿素膜86保護凹部85之側壁的狀態下再蝕刻凹部85之底部，接著在下層膜81露出時結束蝕刻(圖4(c))。然後，藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻去除硬遮罩膜83及聚尿素膜86(圖5)。
如圖3至圖5所示地，在使蝕刻裝置組合在成膜裝置1中時，第一成分M1(XDI)之脫離能與第二成分M2(BA)之脫離能的差亦為10kJ/莫耳以上。藉此，可緩和成膜速度之溫度相關性，且可減少溫度對成膜速度之影響，因此可在半導體裝置之製程等中提高產率。
此外，第一成膜氣體之溫度及第二成膜氣體之溫度比較高時，有難以吸附及成膜在各部之傾向。因此，如圖6之時間圖所示地，可同時地供給第一成膜氣體及第二成膜氣體至氣體噴嘴41，接著由氣體噴嘴41吐出至處理容器11內。
如圖6所示地，同時地供給第一成膜氣體及第二成膜氣體至氣體噴嘴41時，第一成膜氣體包含之第一成分M1(XDI)之脫離能與第二成膜氣體包含之第二成分M2(BA)之脫離能的差亦為10kJ/莫耳以上。因此，同時地供給如此之第一成膜氣體及第二成膜氣體時，亦可緩和成膜速度之溫度相關性，藉此可減少溫度對成膜速度之影響。 [實施例]
以下，使用實施例進一步具體地說明本發明。如下所述地進行實施例、比較例之測量、評價。
[成膜] 使用圖7所示之成膜裝置101形成聚合物之膜。具體而言，將在處理容器11內之晶圓W的溫度調整至預定溫度，接著供給成膜氣體(具有第一成分M1及第二成分M2之成膜用組成物)而在晶圓W上形成聚合物之膜。成膜係對4片晶圓W同時地進行。晶圓W係使用直徑300mm之矽晶圓。此外，設晶圓W之溫度為成膜溫度，並設開始供給成膜氣體到結束供給之時間為成膜時間。
[膜厚] 使用光學式薄膜及散射測量(OCD)測量裝置(裝置名「n&k Analyser」，n&k Technology公司製)，測量在晶圓W上成膜之聚合物膜的膜厚。對成膜之晶圓W之面內49個地方進行測量，接著算出其平均膜厚。
[成膜速度] 由平均膜厚及成膜時間算出成膜速度。
[蒸氣壓比] 算出成膜時之各成膜溫度時第一成分M1及第二成分M2之蒸氣壓，接著算出第一成分M1之蒸氣壓與第二成分M2之蒸氣壓的比(以下稱為蒸氣壓比或M2/M1)。
[溫度相關性] 如圖8所示地，畫出對成膜時之各成膜溫度的成膜速度。由畫出得到之圖評價溫度相關性。評價係以比較例1為基準，圖形之斜率比比較例1小(和緩)時為○，圖形之斜率與比較例1相等時為△，圖形之斜率比比較例1大(陡急)時為×。
[實施例1] 將成膜溫度調整至65℃、75℃、85℃，接著按照各溫度條件供給1,3-二(異氰氧基甲基)苯(XDI)(脫離能71kJ/莫耳)作為第一成分M1且供給苄胺(BA)(脫離能49kJ/莫耳)作為第二成分M2，在晶圓W上形成聚合物之膜。XDI之脫離能與BA之脫離能的差係22kJ/莫耳。對實施例1評價成膜之聚合物的膜成膜速度。結果顯示於表1及圖8中。
[比較例1] 將成膜溫度調整至80℃、85℃、90℃、95℃、110℃，接著供給1,3-二(異氰氧基甲基)環己烷(H6XDI)(脫離能66kJ/莫耳)來替代XDI作為第一成分M1且供給1,3-二(胺甲基)環己烷(H6XDA)(脫離能63kJ/莫耳)來替代BA作為第二成分M2，而且H6XDI之脫離能與H6XDA之脫離能的差為3kJ/莫耳，除此以外，與實施例1同樣地成膜並進行評價。結果顯示於表1及圖8中。
[比較例2] 將成膜溫度調整至85℃、90℃、95℃、100℃、105℃，接著供給1,3-二(胺甲基)苯(XDA)(脫離能65kJ/莫耳)來替代BA作為第二成分M2，且XDI之脫離能與XDA之脫離能的差為6kJ/莫耳，除此以外，與實施例1同樣地成膜並進行評價。結果顯示於表1及圖8中。
[表1]
Figure 108119106-A0304-0001
由表1及圖8可知，使用第一成分M1之脫離能與第二成分M2之脫離能的差係22kJ/莫耳的成膜用組成物時，蒸氣壓比M2/M1係在93至154之範圍內，且溫度相關性為○(實施例1)。
相對於此，使用第一成分M1之脫離能與第二成分M2之脫離能的差小於10kJ/莫耳的成膜用組成物時，蒸氣壓比係M2/M1在3至13之範圍內，且溫度相關性為△(比較例1、2)。
由該等結果可知，藉由使用互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分與第二成分的脫離能的差在10kJ/莫耳以上的成膜用組成物時，可減少成膜處理時因基板溫度產生之成膜速度變動(緩和成膜速度之溫度相關性，因此減少溫度對成膜速度之影響)。
由另一角度來看，使用互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分與第二成分的蒸氣壓比為50以上的成膜用組成物時，亦可緩和成膜速度之溫度相關性，因此可以說溫度對成膜速度之影響小。
以上，雖然詳述了本發明之較佳實施形態，但本發明不限於如此之特定實施形態，可在申請專利範圍中記載的發明範圍內進行各種變形、變更。
1、101:成膜裝置 5A:第一成膜氣體供給機構 5B:第二成膜氣體供給機構 10:控制部 11:處理容器 12:側壁加熱器 13:頂加熱器 14:頂面 20:平台加熱器 21:載置台 22:支柱 23:升降銷 24:升降機構 31:排氣口 32:排氣機構 41:氣體噴嘴 52、63A、63B、73A、73B:氣體供給管 53、54:氣體導入管 60:配管加熱器 61、71:流量調整部 62、72:氣化部 64、74:氣體加熱部 65、75:N2氣體供給源 81:下層膜 82:層間絕緣膜 83:硬遮罩膜 84:圖案 85:凹部 86:聚尿素膜 M1:第一成分 M2:第二成分 t1、t2、t3、t4:時刻 V1~V6:閥 W:晶圓
[圖1]係本發明實施形態之成膜裝置的截面圖。 [圖2]係顯示圖1之成膜裝置中氣體供給之時間的線圖。 [圖3] (a)～(c)係顯示藉由圖1之成膜裝置在晶圓上形成保護膜之步驟的各晶圓截面圖。 [圖4] (a)～(c)係顯示蝕刻圖3之晶圓之步驟的各晶圓截面圖。 [圖5]係顯示在圖4之晶圓中去除保護膜之狀態的晶圓截面圖。 [圖6]係顯示圖1之成膜裝置中氣體供給之另一時間的線圖。 [圖7]係用以評價本實施形態之成膜用組成物的成膜裝置的概略圖。 [圖8]係繪示實施例及比較例之成膜速度對成膜溫度的圖。

Claims (9)

  1. 一種成膜用組成物，其具有互相聚合而生成含氮羰基化合物之第一成分及第二成分， 該第一成分之脫離能與該第二成分之脫離能的差比10kJ/莫耳大。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜用組成物，其中該含氮羰基化合物係選自於聚脲、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺中之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜用組成物，其中該第一成分及該第二成分中之至少任一者係異氰酸酯、胺、酸酐、羧酸及醇中之任一種。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜用組成物，其中該第一成分及該第二成分中之至少任一者係選自於芳香族化合物、二甲苯系化合物、脂環族化合物、脂肪族化合物中之至少一種。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之成膜用組成物，其中該第一成分及該第二成分中之至少任一者係1官能性化合物或2官能性化合物。
  6. 如申請專利範圍第3至5項中任一項之成膜用組成物，其中： 該第一成分及該第二成分中之任一者係異氰酸酯， 該第一成分及該第二成分中之另一者係胺。
  7. 如申請專利範圍第6項之成膜用組成物，其中該異氰酸酯係2官能性芳香族化合物。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之成膜用組成物，其中該胺係1官能性芳香族化合物。
  9. 一種成膜裝置，其具有： 處理容器，其形成真空環境； 載置部，其設置在該處理容器內且載置基板；及 供給部，其供給如申請專利範圍第1至8項中任一項之成膜用組成物至該處理容器內。
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