JP5753689B2 - 基板の接着方法及び基板積層体の製造方法 - Google Patents
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第1の基板Sa及び第2の基板Sbをそれぞれφ300mm(直径300mm)のシリコンウエハーとし、図1に示す真空蒸着装置10を用いて、第1の基板Sa上に第1の単量体として二無水ピロメリット酸(pyromellitic dianhydride)を蒸着し、第2の基板Sb上に第2の単量体として4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを蒸着した。具体的には、まず、タングステンボート14aに二無水ピロメリット酸(第1の単量体13a)を充填し、タングステンボート14bに4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(第2の単量体13b)を充填した。そして、第1の基板Saを真空槽11内に搬送し、蒸着膜を形成する面が鉛直方向下側を向くように基板保持部材12に保持した。その後、シャッター15aを開けシャッター15bを閉じた状態とし、1×10−4Paまで真空槽11を排気し、タングステンボート14aに電流を流してタングステンボート14a内の二無水ピロメリット酸を50℃に加熱して気化させて、第1の基板Sa表面に二無水ピロメリット酸を蒸着して第1の単量体蒸着膜22aを形成した。その後、タングステンボート14aへの電流の供給を停止して二無水ピロメリット酸の第1の基板Saへの蒸着を停止した後、真空槽11内は1×10−4Paに維持したまま、第1の単量体蒸着膜22aが形成された第1の基板Saを真空槽11内から搬出した。次に、第2の基板Sbを真空槽11内に搬送し、蒸着膜を形成する面が鉛直方向下側を向くように基板保持部材12に保持した。その後、シャッター15aを閉じシャッター15bを開けた状態とし、タングステンボート14bに電流を流してタングステンボート14b内の4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを50℃に加熱して気化させて、第2の基板Sb表面に4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを蒸着して第2の単量体蒸着膜22bを形成した。その後、タングステンボート14bへの電流の供給を停止して第2の単量体13bの第2の基板Sbへの蒸着を停止した後、第2の単量体蒸着膜22bが形成された第2の基板Sbを真空槽11内から搬出した。なお、第1の単量体蒸着膜22aの膜厚及び第2の単量体蒸着膜22bの膜厚は、同一になるようにした。
試験例1で得られた各シリコンウエハー積層体について、それぞれ10mm角に切断した。任意に抽出した10ピースをそれぞれ取り出し、第1の基板Sa及び第2の基板Sbの両面に5mmφのSUSの棒をエポキシ接着材で接着した。このSUS棒の片方を固定しもう一方のSUS棒に1kgの荷重をかけて、第1の基板Sa及び第2の基板Sbが剥離するかどうかを調べた。10ピースのうち剥離したピースの割合を、剥離確率として表2に記載する。
二無水ピロメリット酸の代わりに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを使用し蒸着するときの加熱温度を35℃とし、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルの代わりに4,4’−ジアミノジフェニルメタンを使用し蒸着するときの加熱温度を70℃とし、第1の単量体と第2の単量体を反応させる時に第1の基板Sa及び第2の基板Sbを加熱する条件を250℃で2時間とする代わりに180℃で3時間として、ポリイミド膜の代わりに芳香族ポリ尿素膜を形成した以外は、試験例1と同様の操作を行った。結果を表3及び図4に示す。
試験例1で得られた各シリコンウエハー積層体の代わりに、試験例3で得られた各シリコンウエハー積層体を用いた以外は、試験例2と同様の操作を行った。結果を表4に示す。
第1の単量体13aとしてテレフタル酸ジクロリドを使用し蒸着するときの加熱温度を90℃とし、第2の単量体13bとして4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを使用し蒸着するときの加熱温度を50℃とし、第1の単量体と第2の単量体を反応させる時に第1の基板Sa及び第2の基板Sbを加熱する条件を200℃で1時間として、ポリアミド膜を形成した以外は、試験例1と同様の操作を行った。結果を表5に示す。
試験例1で得られた各シリコンウエハー積層体の代わりに、試験例5で得られた各シリコンウエハー積層体を用いた以外は、試験例2と同様の操作を行った。結果を表6に示す。
Sb 第2の基板 10 真空蒸着装置
11 真空槽 12 基板保持部材
13a 第1の単量体 13b 第2の単量体
14a、14b タングステンボート 15a、15b シャッター
20 真空張り合わせ装置 21 真空槽
22a 第1の単量体蒸着膜 22b 第2の単量体蒸着膜
23 上部基板保持機構 24 上部基板保持板
25 上部基板保持ピック 26 下部基板支持台
27 ランプヒーター 30 押圧機構
31 荷重伝達棒 32 押し付け板
33 緩衝材
Claims (6)
- 第1の基板の表面に互いに反応して重合体を形成しない第1の単量体を蒸着させる第1の単量体蒸着工程と、
第2の基板の表面に前記第1の単量体と反応して重合体を形成するが、互いに反応して重合体を形成しない第2の単量体を蒸着させる第2の単量体蒸着工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを前記単量体を蒸着させた側の面が対向するように載置し、前記第1の単量体を蒸着させた面と前記第2の単量体を蒸着させた面とを接触させると共に、前記第1の単量体と前記第2の単量体とを反応させて重合体を形成することにより、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する重合体形成工程とを有することを特徴とする基板の接着方法。 - 前記重合体形成工程では、前記第1の基板及び前記第2の基板を加熱することを特徴とする請求項1に記載する基板の接着方法。
- 前記重合体が、ポリ尿素、ポリアミド及びポリイミドから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1または2に記載する基板の接着方法。
- 前記第1の単量体は複数種の単量体からなり、前記第2の単量体は前記複数種の第1の単量体のそれぞれと反応する複数種の単量体からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載する基板の接着方法。
- 前記第1の単量体及び前記第2の単量体の少なくとも一方を蒸着する際に、脱水剤及びシランカップリング剤の少なくとも一方を蒸着させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載する基板の接着方法。
- 第1の基板と第2の基板とが積層された基板積層体の製造方法であって、
前記第1の基板の表面に互いに反応して重合体を形成しない第1の単量体を蒸着させる第1の単量体蒸着工程と、
前記第2の基板の表面に前記第1の単量体と反応して重合体を形成するが、互いに反応して重合体を形成しない第2の単量体を蒸着させる第2の単量体蒸着工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板とを前記単量体を蒸着させた側の面が対向するように
載置し、前記第1の単量体を蒸着させた面と前記第2の単量体を蒸着させた面とを接触さ
せると共に、前記第1の単量体と前記第2の単量体とを反応させて重合体を形成すること
により、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着する重合体形成工程とを有することを
特徴とする基板積層体の製造方法。
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