TW202010727A - 一種電子產品殼體加工方法以及電子產品殼體 - Google Patents

一種電子產品殼體加工方法以及電子產品殼體 Download PDF

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Abstract

本發明公開了一種電子產品殼體的加工方法，應用於電子設備領域，包括以下步驟：以陶瓷為胚料，經過研磨、拋光、鐳射處理、電暈處理、塗膠貼合等步驟，得到電子產品殼體；本發明通過鐳射處理的導入，抵消陶瓷內表面拋光過程中加工時產生的不對稱應力，達到了平面度矯正的效果；同時經過紫外雷射技術使陶瓷材料的表面能增大，提高了膠體對陶瓷的粘結強度；本發明可對AFP（Anti Finger Print ,抗指紋處理）過程中溢出的物料進行清洗，避免了污染品流入組裝物件的風險；本發明通過鐳射處理技術代替傳統的烤漆噴塗，因此本發明中無烤漆塗料與研磨液的引入，製作過程環保，成本優勢明顯。

Description

一種電子產品殼體加工方法以及電子產品殼體
本發明公開了一種電子產品殼體的加工方法及由此加工方法生產的電子產品殼體。
隨著智慧手機等電子產品的應用越發廣泛，大量的研究者也將目光集中在電子產品殼體材料的研究上，多種手機旗艦機型紛紛推出陶瓷材質的手機產品，尤其是2.5D陶瓷手機背殼，這是因為陶瓷材質具有溫潤如玉的觸感，高強度、高硬度及優良的耐刮擦性能，且對天線性能影響小，已經成為未來手機背殼材料發展的重要選擇。但是由於目前陶瓷後加工過程的限制，陶瓷在應用中始終存在著兩大難題制約著產品開發成本與應用性能：一是拋光過程中產生陶瓷平面度不良，制約著整體的制程良率；二是組裝過程貼合強度不足，影響陶瓷背殼與金屬中框結合性能。
有鑑於此，本發明提供了一種電子產品殼體的加工方法，以解決上述問題。
本發明通過以下技術方案來實現：
步驟S1，提供一陶瓷胚料，製作與電子產品所需殼體相匹配的陶瓷胚料精樣。
步驟S2，雙面研磨所述陶瓷胚料精樣。
步驟S3，拋光處理所述陶瓷胚料精樣的外表面。
步驟S4，鐳射處理所述陶瓷胚料精樣的內表面。
步驟S5，電暈處理所述陶瓷胚料精樣的內表面。
步驟S6，塗膠貼合所述陶瓷胚料精樣與一金屬中框以形成所述殼體。
進一步地，在所述步驟S2中，分別依次對所述陶瓷胚料精樣進行粗磨和細磨。
進一步地，在所述步驟S2中還包括根據使用時所需要的形狀對所述研磨後的陶瓷胚料精樣進行鐳射開孔。
進一步地，在所述步驟S2中，還包括採用CNC（Computer Numerical Control，電腦數位控制）研磨技術對所述陶瓷胚料精樣再次進行研磨。
進一步地，在所述步驟S3中還包括對電子產品殼體胚樣精料進行AFP（Anti Finger Print，抗指紋）技術處理，所述步驟S4還包括去除所述AFP技術加工處理的溢出物料。
進一步地，在所述步驟S3中，對陶瓷胚料精樣進行拋光處理包括粗拋和精拋。
進一步地，所述步驟S4中，鐳射處理採用的雷射器為紫外雷射器，所述紫外雷射器的加工線寬為10-50μm，加工時的能量為0.1-5W，掃描速度為100-5000mm/s，填充密度為0.01-20mm。
本發明還提供一種電子產品殼體，包括：
金屬中框與玻璃蓋板，包括陶瓷胚料精樣與金屬中框，所述陶瓷胚料精樣與金屬中框通過膠體粘結，所述陶瓷胚料精樣在拋光工藝後，經過了鐳射處理技術處理。
所述陶瓷胚料精樣呈凹槽狀，所述陶瓷胚料精樣包括內表面和外表面，所述內表面和外表面呈陶瓷相對的正反面，且內表面呈凸面，外表面呈凹面，所述金屬中框呈環狀，陶瓷胚料精樣置於金屬中框內側。
所述金屬中框下端面設置有塑膠，所述塑膠的用途是當電子產品在受到碰撞時可以起到緩衝作用，並且提高膠體與金屬中框的粘結性能。
與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明通過鐳射處理技術，對陶瓷的一個表面進行加工處理，抵消了陶瓷另一表面拋光加工過程中產生的不對稱應力，達到平面度矯正的效果；且尤其通過紫外鐳射對陶瓷的表面進行加工處理，使陶瓷表面分子鍵斷裂，表面能提高，達到陶瓷與手機中框貼合強度增強的效果；本發明可對AFP過程中的溢出物料進行清洗，避免了污染品流入組裝物件的風險；本發明無烤漆塗料與研磨液的引入，製作過程環保，有明顯的成本優勢。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“和／或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
參閱圖1和圖2，為了進一步解釋本發明的技術方案，下面通過具體實施例對本發明進行詳細闡述。
步驟S1，提供一陶瓷坯料，製作與電子產品所需背殼相匹配的陶瓷胚料精樣10，所述陶瓷胚料精樣10包括內表面101和外表面102，且內表面101呈凸面，外表面102呈凹面，所述陶瓷胚料精樣10的厚度為0.1-1.0mm，平面度為0.05-1.0mm。
步驟S2，雙面研磨所述陶瓷胚料精樣10的內表面101和外表面102，具體地，雙面研磨包括依次進行的粗磨和細磨，以及進一步地採用CNC（Computer Numerical Control，電腦數位控制）技術再次進行的研磨。
步驟S3，單面拋光處理所述陶瓷胚料精樣10的外表面102，具體地，單面拋光包括依次進行的粗拋和精拋。
步驟S4，鐳射處理所述陶瓷胚料精樣10的內表面101，其中，優選地，所述鐳射處理為紫外鐳射處理，鐳射加工線寬為10-50μm，加工時的能量為0.1-5W，掃描速度為100-5000mm/s，填充密度為0.01-20mm。
步驟S5，電暈處理所述陶瓷胚料精樣10的內表面101。
步驟S6，塗膠貼合所述陶瓷胚料精樣10與一金屬中框20以形成所述殼體，具體地，所述金屬中框20下端面201呈階梯狀，其中，所述金屬中框20的下端靠近外側的一側較長，而靠近內側的一側較短，靠近外側的一側與靠近內側的一側之間形成一臺階，從而使金屬中框20的下端面201呈階梯狀。所述陶瓷胚料精樣10置於金屬中框20的環狀內側、一端抵持於金屬中框20下端較長的一側，具體地，在本實施方式中，所述陶瓷胚料精樣10的一端抵持於金屬中框20下端較長的一側的側面上。所述陶瓷胚料精樣10與金屬中框20下端較短一側的端面通過膠體30粘結。
優選地，陶瓷胚料精樣10的厚度選為0.46mm，平面度為0.3。
進一步地，所述研磨後的陶瓷胚料精樣10還可以根據使用時所需要的形狀進行鐳射開孔。
進一步地，所述步驟S3經過單面拋光處理後的陶瓷胚料精樣10的外表面102可以通過AFP（Anti Finger Print，抗指紋）技術進行處理。
優選地，所述步驟S4中鐳射處理技術中的雷射器為紫外雷射器，所述雷射器的加工線寬為10μm，加工能量為10W，掃描速度為2000mm/s，填充密度為0.03mm。
優選地，參閱圖3所示，在一實施例中，金屬中框20的下段為塑膠200，所述塑膠200可以通過注塑的方式設置在金屬中框20的下段，所述金屬中框20的下端面201形成於塑膠200上，所述塑膠200在手機受到碰撞時可以起到緩衝作用，並提高膠體30與金屬中框20的粘結性能。
進一步地，所述塑膠200的材質為PA（Polyamide，聚醯胺）和GF（Glass Fiber，玻璃纖維），膠體30類型可以為單組分、雙組分類型的聚氨酯、丙烯酸、環氧樹脂體系的膠粘劑中的一種或多種，膠膜厚度為0.01-0.5mm。
參閱圖2和圖4，本發明還提供一種電子產品殼體，所述電子產品殼體1包括陶瓷胚料精樣10和金屬中框20，其中所述陶瓷胚料精樣10為背殼，所述陶瓷胚料精樣10大致呈凹槽型，包括內表面101和外表面102，內表面101呈凸面，外表面102呈凹面，所述陶瓷胚料精樣10具有溫潤如玉的觸感，高強度、高硬度以及優良的耐刮擦性能，且對天線信號影響小。
所述陶瓷胚料精樣10的外表面102經過了拋光處理，所述內表面101經過了鐳射處理。
所述金屬中框20呈環狀，所述金屬中框20的下端面201呈階梯狀，其中，所述金屬中框20的下端靠近外側的一側較長，而靠近內側的一側較短，靠近外側的一側與靠近內側的一側之間形成一臺階，從而使金屬中框20的下端面呈階梯狀。所述陶瓷胚料精樣10置於金屬中框20的環狀內側，一端抵持於金屬中框20下端較長的一側，具體地，在本實施方式中，所述陶瓷胚料精樣10的一端抵持於金屬中框20下端較長的一側的側面上。所述陶瓷胚料精樣10與金屬中框20通過膠體30粘結。
請參閱圖3所示，在另一實施方式中，所述金屬中框20下段為塑膠200，所述金屬中框20的下端面201形成於塑膠200上，所述塑膠200用於當電子產品受到碰撞時起緩衝作用，並且提高膠體30與金屬中框20的粘結性能。
本發明實施方式提供的電子產品加工方法及所加工的電子產品殼體，具有如下有益效果：由於經過鐳射處理，陶瓷的厚度在矯正前後不變；矯正後的平面度相對於矯正之前平面度大大減少，且尤其由於紫外鐳射處理，放置一段時間後陶瓷表面的平面度沒有明顯的增加；紫外鐳射加工為非接觸式冷加工，通過紫外鐳射處理技術，對陶瓷的表面進行加工處理，抵消了陶瓷另一表面拋光加工過程時產生的不對稱應力，在不減少材料厚度的情況下，可使陶瓷平面度得到矯正；經過鐳射處理後的陶瓷手機背殼表面能的達因值有較大的提升；經過鐳射處理後的陶瓷手機背殼與塑膠的平均結合強度增強；經過鐳射處理，陶瓷材料表面分子鍵斷裂，表層原子朝向外面的鍵能沒有得到補償，使得表面質點比體內質點具有額外的表面能，故表面能增大，提高了膠體對陶瓷的粘結強度。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照以上較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換都不應脫離本發明技術方案的精神和範圍。本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化等用在本發明的設計，只要其不偏離本發明的技術效果均可。這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
1:電子產品殼體 10:陶瓷胚料精樣 101:內表面 102:外表面 20:金屬中框 200:塑膠 201:下端面 30:膠體
圖1為本發明一實施例提供的一種電子產品殼體加工方法的方法流程圖。 圖2為本發明一實施例提供的電子產品殼體的剖視結構示意圖。 圖3為本發明另一實施例提供的電子產品殼體的剖視結構示意圖。 圖4為圖2所示電子產品殼體的整體結構示意圖。
無

Claims (10)

  1. 一種電子產品殼體之加工方法，其改良在於，包括以下步驟： S1．提供一陶瓷胚料，製作與電子產品所需背殼相匹配的陶瓷胚料精樣； S2．雙面研磨所述陶瓷胚料精樣； S3．拋光處理所述陶瓷胚料精樣的外表面； S4．鐳射處理所述陶瓷胚料精樣的內表面； S5．電暈處理所述陶瓷胚料精樣的內表面； S6．塗膠貼合所述陶瓷胚料精樣與一金屬中框以形成電子產品殼體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中所述步驟S2中，所述研磨包括粗磨和細磨。
  3. 如申請專利範圍第2項所述一種電子產品殼體之加工方法，還包括步驟：根據使用時所需要的形狀對所述研磨後的陶瓷胚料精樣進行鐳射開孔。
  4. 如申請專利範圍第1項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中所述步驟S2中，還包括採用電腦數位控制技術對所述陶瓷胚料精樣再次進行研磨。
  5. 如申請專利範圍第1項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中在所述步驟S3中，對陶瓷胚料精樣進行拋光處理包括粗拋和精拋。
  6. 如申請專利範圍第5項所述一種電子產品殼體之加工方法，還包括步驟：對陶瓷胚樣精料進行抗指紋處理。
  7. 如申請專利範圍第1項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中所述步驟S5中鐳射處理技術中的雷射器採用紫外雷射器。
  8. 如申請專利範圍第7項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中所述步驟S5中通過紫外鐳射對陶瓷的內表面進行加工處理。
  9. 如申請專利範圍第1項所述一種電子產品殼體之加工方法，其中所述金屬中框的下段注塑有塑膠，所述步驟S6具體為塗膠貼合所述陶瓷胚料精樣與所述金屬中框下段的塑膠以形成電子產品殼體。
  10. 一種電子產品殼體，其改良在於，所述電子產品殼體採用如申請專利範圍1-9任一項所述的電子產品殼體之加工方法加工製成。
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