TW202006991A - 微透鏡之製造方法及電漿處理裝置 - Google Patents
微透鏡之製造方法及電漿處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202006991A TW202006991A TW108121199A TW108121199A TW202006991A TW 202006991 A TW202006991 A TW 202006991A TW 108121199 A TW108121199 A TW 108121199A TW 108121199 A TW108121199 A TW 108121199A TW 202006991 A TW202006991 A TW 202006991A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- microlens
- gas
- organic film
- manufacturing
- plasma
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 51
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 29
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 claims description 20
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 4
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00278—Lenticular sheets
- B29D11/00298—Producing lens arrays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00365—Production of microlenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
- G02B3/0068—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between arranged in a single integral body or plate, e.g. laminates or hybrid structures with other optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32403—Treating multiple sides of workpieces, e.g. 3D workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本發明之課題為提高微透鏡的聚光效率。
微透鏡之製造方法包含蝕刻工序與表面處理工序。蝕刻工序中係針對於基板上所形成的第1有機膜上形成有具有透鏡形狀的第2有機膜之被處理體，以第2有機膜作為遮罩，並使用第1處理氣體的電漿來蝕刻第1有機膜，藉此將第2有機膜的透鏡形狀轉印在第1有機膜來於第1有機膜形成微透鏡。表面處理工序中係將第1有機膜所形成之微透鏡的表面處理成會變得平滑。
Description
本揭示之各種面向及實施型態係關於微透鏡之製造方法及電 漿處理裝置。
近年來，C-MOS或CCD等攝影元件的畫素數量有增加傾向。因畫素數量的增加，攝影元件中之各畫素的尺寸變小而有感光元件的感度隨著開口率降低而變得不足之問題。針對上述般感度不足的問題，已藉由於感光元件上形成微透鏡來謀求感度的提升。
然而，如上所述，當畫素尺寸縮小到2μm左右時，所形成之微透鏡的開口率變得明顯降低，而存在有感度不足或漏光等畫質降低的問題。
於感光元件上形成微透鏡之技術已知有一種轉印透鏡方式(參閱例如專利文獻1)。轉印透鏡方式係在藉由光微影來將具熱流動性的感光性阻劑加以圖案化後，藉由熱處理來形成半球狀的透鏡。然後，以所形成之半球狀透鏡作為遮罩，藉由進行乾蝕刻來將透鏡的形狀轉印在下層的樹脂層。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2006-190903號公報
然而，藉由乾蝕刻所形成之微透鏡中，透鏡的表面很粗糙。於是，光線便會在透鏡表面散射而造成微透鏡的聚光效率降低。
本揭示一面向為一種微透鏡之製造方法，包含蝕刻工序及表面處理工序。蝕刻工序中，係針對於基板上所形成的第1有機膜上形成有具有透鏡形狀的第2有機膜之被處理體，以第2有機膜作為遮罩，並使用第1處理氣體的電漿來蝕刻第1有機膜，藉以將第2有機膜的透鏡形狀轉印在第1有機 膜來於第1有機膜形成微透鏡。表面處理工序中，係將第1有機膜所形成之微透鏡的表面處理成會變得平滑。
依據本揭示之各種面向及實施型態，便可提高微透鏡的聚光效率。
G‧‧‧閘閥
W‧‧‧被處理基板
10‧‧‧電漿處理裝置
101‧‧‧彩色濾光片
102‧‧‧透明有機膜
103‧‧‧透鏡遮罩
104‧‧‧微透鏡
104a‧‧‧凸部
104b‧‧‧凹部
105‧‧‧沉積物
11‧‧‧控制裝置
21‧‧‧腔室
24‧‧‧晶座
25‧‧‧靜電夾具
25a‧‧‧聚焦環
29‧‧‧冷媒室
33‧‧‧匹配器
34‧‧‧高頻電源
40‧‧‧上部電極
41‧‧‧頂板支撐部
42‧‧‧頂板
63‧‧‧排氣裝置
圖1係顯示本揭示一實施型態中的電漿處理裝置一例之概略剖面圖。
圖2係概略顯示被處理基板一例之剖面圖。
圖3係概略顯示微透鏡一例之剖面圖。
圖4係顯示微透鏡的一表面狀態例之圖式。
圖5A係用以說明微透鏡表面的平滑化過程一例之圖式。
圖5B係用以說明微透鏡表面的平滑化過程一例之圖式。
圖5C係用以說明微透鏡表面的平滑化過程一例之圖式。
圖5D係用以說明微透鏡表面的平滑化過程一例之圖式。
圖5E係用以說明微透鏡表面的平滑化過程一例之圖式。
圖6係顯示改變循環次數之情況的微透鏡一表面狀態例之實驗結果。
圖7A係用以說明沉積工序及修整工序的循環次數為1之情況下，微透鏡的表面平滑化過程一例之圖式。
圖7B係用以說明沉積工序及修整工序的循環次數為1之情況下，微透鏡的表面平滑化過程一例之圖式。
圖8係顯示微透鏡之製造步驟順序一例之流程圖。
以下，針對所揭示之微透鏡的製造方法及電漿處理裝置之實施型態，依據圖式來詳細地說明。此外，所揭示之微透鏡的製造方法及電漿處理裝置並未因以下實施型態而受到限制。
[電漿處理裝置10的構成]
圖1係顯示本揭示一實施型態之電漿處理裝置10的一範例之圖式。電漿處理裝置10係由表面經陽極氧化處理後的鋁等所形成。電漿處理裝置10例如圖1所示，係具有會在內部區劃出略圓筒形狀的處理空間之腔室21。 腔室21為保安接地狀態。本實施型態之電漿處理裝置10係構成為例如電容耦合型的平行平板電漿處理裝置。腔室21內係透過陶瓷等所形成的絕緣組件22而配置有支撐台23。支撐台23上係設置有由例如鋁等所形成且具有作為下部電極的功能之晶座24。
晶座24的略中央上部係設置有以靜電力來吸附保持被處理體一例，即被處理基板W之靜電夾具25。靜電夾具25係具有以一對絕緣層來將導電膜等所形成的電極26挾置其中之構造。電極26係電連接有直流電源27。此外，靜電夾具25亦可設置有用以加熱被處理基板W之加熱器(圖中未顯示)。靜電夾具25為載置台一例。
在晶座24的上部處，係圍繞著靜電夾具25般地配置有例如單晶矽等所構成的聚焦環25a。藉由聚焦環25a來提高被處理基板W邊緣附近之電漿處理的均勻性。支撐台23及晶座24的周圍係圍繞支撐台23及晶座24般地設置有內壁組件28。內壁組件28係藉由例如石英等而形成為略圓筒狀。
支撐台23的內部係沿著例如支撐台23的圓周方向而形成有冷媒室29。冷媒室29係從外部所設置之冷卻單元(圖中未顯示)透過配管30a及配管30b而循環供應有已被控制為特定溫度的冷媒。藉由冷媒會在冷媒室29內循環，而藉由與冷媒之熱交換，便可將靜電夾具25上的被處理基板W控制為特定溫度。又，靜電夾具25的上面與靜電夾具25上所載置被處理基板W的內面之間係透過配管31而被供應有從氣體供應機構(圖中未顯示)所供應之傳熱氣體。傳熱氣體為例如氦氣。
具有作為下部電極的功能之晶座24的上方係介隔著腔室21內的處理空間而與晶座24呈對向般地設置有上部電極40。為上部電極40與晶座24間的空間且被腔室21圍繞之空間係生成有電漿之處理空間。上部電極40具有：頂板42，係具有作為電極本體部的功能；與頂板支撐部41，係支撐頂板42。
頂板支撐部41係透過絕緣組件45而被支撐在腔室21的上部。天板支撐部41係藉由例如表面經陽極氧化處理後的鋁等熱傳導性較高之導電性材料而形成為略圓板狀。又，頂板支撐部41亦具有作為冷卻板之功能，會冷 卻因處理空間所生成的電漿而被加熱之頂板42。頂板支撐部41係形成有會導入處理氣體之氣體導入口46、可供從氣體導入口46所導入的處理氣體擴散之擴散室43、以及會使在擴散室43內擴散後的處理氣體流通至下方之流道即複數流通口43a。
頂板42係藉由含有例如石英等矽原子之物質而形成為略圓板狀。頂板42係形成有於頂板42的厚度方向貫穿頂板42之複數氣體噴出口42a。各氣體噴出口42a係配置為會與頂板支撐部41之任一流通口43a相連通。藉此，被供應至擴散室43內之處理氣體便會透過流通口43a及氣體噴出口42a而噴淋狀地擴散並被供應至腔室21內。
頂板支撐部41的氣體導入口46係透過配管47而連接有複數閥50a~50c。閥50a係透過質流控制器(MFC)49而連接有氣體供應源48a。當閥50a被控制為打開狀態，即OPEN狀態的情況，從氣體供應源48a所供應之處理氣體的流量會因MFC49a而被控制，並透過配管47被供應至腔室21內。氣體供應源48a會將包含有碳原子及氟原子之氣體供應至腔室21內。本實施型態中，氣體供應源48a係將例如CF4氣體供應至腔室21內。從氣體供應源48a被供應至腔室21內之氣體為第1處理氣體一例。氣體供應源48a~48c為氣體供應部一例。
又，閥50b係透過MFC49b而連接有氣體供應源48b。當閥50b被控制為打開狀態的情況，從氣體供應源48b所供應之氣體的流量會因MFC49b而被控制，並透過配管47被供應至腔室21內。氣體供應源48b會將包含有碳原子及氟原子之氣體供應至腔室21內。本實施型態中，氣體供應源48b係將例如C4F8氣體供應至腔室21內。此外，氣體供應源48b亦可將選自C4F6氣體、C4F8氣體、CHF3氣體、CH2F2氣體、CH3F氣體及CH4氣體當中之1種以上的氣體供應至腔室21內。從氣體供應源48a所供應之氣體與從氣體供應源48b所供應之氣體會在上部電極40的擴散室43內混合並被供應至腔室21內。混合有從氣體供應源48a所供應的氣體與從氣體供應源48b所供應的氣體之氣體為第2處理氣體一例。
又，閥50c係透過MFC49c而連接有氣體供應源48c。當閥50c被控制為打開狀態的情況，從氣體供應源48c所供應之氣體的流量會因MFC49c 而被控制，且透過配管47被供應至腔室21內。氣體供應源48c會將包含有氧原子之氣體供應至腔室21內。本實施型態中，氣體供應源48c會將例如O2氣體供應至腔室21內。此外，氣體供應源48c亦可將包含有O2氣體及CO2氣體的至少任一者之氣體供應至腔室21內。從氣體供應源48c被供應至腔室21內之氣體為第3處理氣體一例。
各MFC49a~49c所進行之氣體流量的調整以及各閥50a~50c的開閉係藉由後述控制裝置11而被控制。
具有作為下部電極的功能之晶座24係透過匹配器33而電連接有高頻電源34。高頻電源34係透過匹配器33來將27MHz~100MHz頻率的高頻電功率(例如40MHz的高頻電功率)供應至晶座24。藉由對晶座24供應高頻電功率，處理空間內便會生成有處理氣體的電漿，將電漿中的離子等活性基吸引到靜電夾具25上的被處理基板W而將被處理基板W蝕刻。從高頻電源34所供應之高頻電功率係藉由後述控制裝置11而被控制。高頻電源34為電漿生成部一例。
腔室21的底部係設置有排氣口61，排氣口61係透過排氣管62而連接有排氣裝置63。排氣裝置63係具有例如DP(Dry Pump)或TMP(Turbo Molecular Pump)等真空幫浦，可將腔室21內減壓至期望的真空度。排氣裝置63係藉由後述控制裝置11而被控制。
腔室21的側壁係設置有用以進行被處理基板W的搬入及搬出之開口64。開口64可藉由閘閥G而開閉。又，腔室21的內壁係沿著壁面而裝卸自如地設置有沉積物屏障66。又，內壁組件28的外周面係沿著內壁組件28的外周面而裝卸自如地設置有沉積物屏障67。沉積物屏障66及67會防止反應副生成物(所謂的沉積物)附著在腔室21的內壁及內壁組件28。又，與靜電夾具25上所載置的被處理基板W略相同高度之沉積物屏障66的位置處係設置有由導電性組件所構成且連接於地面之GND塊體69。藉由GND塊體69來防止腔室21內的異常放電。
上述電漿處理裝置10係藉由控制裝置11而被統括地控制其動作。控制裝置11係具有例如記憶體、處理器及輸出入介面。記憶體為例如ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)，或HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)等。處理器為例如CPU(Central Processing Unit)或DSP(Digital Signal Processor)等。
記憶體係儲存有包含有用以在電漿處理裝置10中實現各種處理之處理條件的資料等之配方，或控制程式(軟體)。處理器會從記憶體來讀取並實施控制程式，並基於記憶體所儲存之配方等且透過輸出入介面來控制電漿處理裝置10的各部。藉此，便會藉由電漿處理裝置10來對被處理基板W進行蝕刻等處理。此外，包含有處理條件的資料等之配方或控制程式亦可利用被儲存在可被電腦讀取的記錄媒體等之狀態者，或是利用從其他裝置透過例如通訊線路而被傳送者。可被電腦讀取的記錄媒體為例如硬碟、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)、軟碟、半導體記憶體等。
[被處理基板W的構造]
圖2係概略顯示被處理基板W一例之剖面圖。被處理基板W例如圖2所示，係於彩色濾光片101上層積有透明有機膜102，且於透明有機膜102上層積有被成形為透鏡形狀之透鏡遮罩103。可使用例如壓克力系樹脂來作為透明有機膜102的材料。壓克力系樹脂可舉出例如熱硬化性壓克力樹脂及含氟壓克力樹脂等。彩色濾光片101為基板一例，透明有機膜102為第1有機膜一例。
透鏡遮罩103例如，係使透明有機膜102上所層積之感光性樹脂層被圖案化、熱處理為彩色濾光片101下層所配置光電轉換元件(圖中未顯示)的形狀所相對應之形狀。藉此，透鏡遮罩103便會例如圖2所示般地成形為透鏡形狀。可使用例如氛樹脂等具有鹼可溶性及熱流動性的感光性樹脂來作為透鏡遮罩103的材料。透鏡遮罩103為第2有機膜一例。
藉由以透鏡遮罩103作為遮罩來對被處理基板W進行乾蝕刻，例如圖3所示，透鏡遮罩103的形狀便會被轉印在透鏡遮罩103下層的透明有機膜102而形成微透鏡104。圖3係概略顯示微透鏡104一例之剖面圖。
以透鏡遮罩103作為遮罩來對被處理基板W所進行之乾蝕刻的主要處理條件例如以下所述。
蝕刻氣體：CF4=250sccm
腔室21內的壓力：40mT
高頻電功率：1500W
處理時間：500秒
此處，藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104例如圖3所示，微透鏡104的表面很粗糙。若微透鏡104的表面很粗糙，由於入射至微透鏡104之光線會在微透鏡104的表面散射，故微透鏡104的聚光效率很低。為了提高微透鏡104的聚光效率，最好是使微透鏡104的表面為平滑。
又，若蝕刻率太高，則透明有機膜102會被過度削除，導致微透鏡104變小。若微透鏡104變小，則微透鏡104間的Gap(參閱圖3)便會變大，導致聚光面積縮小。於是，微透鏡104的聚光效率便會降低。為了提高微透鏡104的聚光效率，最好是盡可能地縮小微透鏡104間的Gap。
又，藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104會有表面附著著反應副生成物(即所謂的沉積物)之情況。附著在表面之沉積物會有在使用微透鏡104之半導體的製造工序中成為不良原因的情況。因此，最好是去除微透鏡104表面的沉積物。
[實驗結果]
圖4係顯示微透鏡104的一表面狀態例之圖式。樣品1為藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104，且為進行後處理前的微透鏡104。
樣品2係對藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104實施修整工序來作為後處理。修整工序係藉由包含有氧原子之氣體的電漿來削除有機膜所形成之微透鏡104的表面之工序。樣品2中之修整工序的主要處理條件例如以下所述。
使用氣體：O2氣體=1200sccm
腔室21內的壓力：800mT
高頻電功率：100W
處理時間：100秒
樣品3係對藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104實施沉積工序來作為後處理。沉積工序係藉由包含有碳原子及氟原子之氣體的電漿來使CF系沉積物沉積在微透鏡104的表面之工序。樣品3中之沉積工序的主要處理條件例如以下所述。
使用氣體：C4F8/CF4=5/50sccm
腔室21內的壓力：80mT
高頻電功率：600W
處理時間：60秒
樣品4係對藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104交互地實施各2次沉積工序與修整工序來作為後處理。樣品4中之沉積工序及修整工序中，除了處理時間以外的處理條件皆與樣品2或3相同。樣品4中係交互地各2次進行沉積工序10秒鐘與修整工序15秒鐘。
參照圖4所示之實驗結果，在未進行後處理之樣品1中，微透鏡104的表面很粗糙。又，在未進行後處理之樣品1中，微透鏡104間的Gap(圖4的箭頭所示之間隔)為334.2nm。又，樣品1中並未見到有膜剝落。
又，在僅進行修整工序來作為後處理之樣品2中，微透鏡104的表面變得平滑，可期待表面變得平滑所致之聚光效率的提升。另一方面，樣品2中，微透鏡104的表面係被過度削除，且微透鏡104間的Gap大幅地擴大為516.3nm。因此，微透鏡104的聚光面積為減少的。因此，對於微透鏡104整體的聚光效率來說，樣品2被認為相較於樣品1並未提升很多。
又，在僅進行沉積工序來作為後處理之樣品3中，微透鏡104的表面變得平滑，可期待表面變得平滑所致之聚光效率的提升。另一方面，樣品3中，微透鏡104的表面所沉積之沉積物的膜會容易剝落。於是，使用微透鏡104之半導體之製造工序中，便會有從微透鏡104表面剝落的膜成為不良原因之虞。又，樣品3中，微透鏡104間的Gap因微透鏡104的表面所沉積之沉積物而減少為320.7nm。
此外，樣品3中，雖因CF系沉積物附著在微透鏡104的表面而讓表面變得平滑，但CF系沉積物的折射率與微透鏡104的折射率並不相同。因此，若僅使CF系沉積物沉積在微透鏡104的表面，由於入射至微透鏡104之光線會受到表面所沉積之沉積物的妨礙，故被認為微透鏡104的聚光效率並未提升很多。
相對於此，樣品4中，微透鏡104的表面係變得平滑，且微透鏡104間之Gap的擴大亦被抑制在357.6nm。又，樣品4中，係藉由最後會進行修 整工序來去除層積在微透鏡104表面的沉積物。於是，樣品4中，朝微透鏡104之光線的入射便不會因沉積物而受到妨礙。因此，樣品4相較於樣品1~3，便可提高微透鏡104的聚光效率。
再者，樣品4中，由於層積在微透鏡104表面的沉積物係藉由最後所進行之修整工序而被去除，故幾乎不會有來自微透鏡104表面之膜的剝落。於是，便可避免使用微透鏡104之半導體的品質降低。
[平滑化過程]
圖5A~圖5E係用以說明微透鏡104的表面平滑化過程一範例之圖式。若放大藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104表面附近的剖面，例如圖5A所示，係形成有複數凸部104a與複數凹部104b。
對藉由乾蝕刻所形成之微透鏡104實施沉積工序後，例如圖5B所示，微透鏡104的表面係沉積有沉積物105。此時，例如虛線的圓所示般，沉積在凹部104b之沉積物105係較沉積在凸部104a之沉積物105要來得多。
然後，對表面沉積有沉積物105之微透鏡104實施修整工序後，沉積物105會在沉積物105較薄之凸部104a附近而較沉積物105較厚之凹部104b附近被較早去除。藉此，例如圖5C所示般，凸部104a附近便會較凹部104b附近而被削除較多，且凸部104a與凹部104b的高度差會變小。
然後，進一步地實施沉積工序後，例如圖5D所示，微透鏡104的表面係沉積有沉積物105。此時亦如同例如虛線的圓所示般，沉積在凹部104b之沉積物105係較沉積在凸部104a之沉積物105要來得多。
然後，對表面沉積有沉積物105之微透鏡104實施修整工序後，例如圖5E所示，沉積物105較薄之凸部104a附近係較沉積物105較厚之凹部104b附近被削除較多。如此般地，藉由重複沉積工序與修整工序，則凸部104a與凹部104b之間的高度差便會變小，且微透鏡104的表面會變得平滑。
此外，交互實施沉積工序與修整工序的情況，藉由最後會實施修整工序，則殘留在微透鏡104表面之CF系沉積物105便會被去除。藉此，便可避免使用微透鏡104之半導體的品質降低。又，交互實施沉積工序與修整工序的情況，較佳宜在最初先實施沉積工序。藉此，在進行修整工序之前， 凹部104b便會因沉積物105而受到保護。藉此，微便可防止透鏡104的表面被過度削除，來抑制微透鏡104之面積的減少，且抑制微透鏡104間之Gap的擴大。
[循環次數與Gap的關係]
圖6係顯示改變循環次數之情況下微透鏡104的一表面狀態例之圖式。圖6所示之實驗中，係使沉積工序的累積處理時間固定為60秒，且使修整工序的累積處理時間固定為90秒，來測量改變沉積工序與修整工序的重複次數(循環次數)之情況下電漿處理裝置10的表面狀態。樣品5係分別進行各1次沉積工序與修整工序。樣品6係交互地分別各3次進行沉積工序與修整工序。樣品7係交互地分別各6次進行沉積工序與修整工序。
參閱圖6，若循環次數愈增加，則微透鏡104的表面會變得愈平滑。若循環次數愈少，由於腔室21內的氣體置換時間會變短，故由生產性之觀點來看較佳。但若沉積工序與修整工序為各1次，例如圖7A般，則微透鏡104的表面便會厚厚地層積有沉積物105。然後，修整工序中係削除厚厚地層積在凸部104a上之沉積物105直到沉積物105下的凸部104a露出為止。削除沉積物105之作業對於使微透鏡104的表面變得平滑之目的來說為無直接幫助之不需要的作業。因此，若沉積工序與修整工序為各1次，則微透鏡104的表面便會例如圖7B所示般地幾乎未變得平滑。
相對於此，若循環次數為2次以上，例如圖5A~圖5E所說明般，則微透鏡104的表面會變得平滑。故在微透鏡104的表面變得平滑所致之微透鏡104的聚光效率提升這一點上，循環次數較佳為2以上。
但參閱圖6，當循環次數愈增加，則微透鏡104間的Gap便愈擴大。若微透鏡104間的Gap擴大，則微透鏡104的聚光面積便會縮小，導致微透鏡104的聚光效率降低。故在抑制微透鏡104的面積減少這一點上，循環次數最好不要過多。循環次數較佳為例如2~3次。
[微透鏡104之製造步驟順序]
圖8係顯示係微透鏡104之製造步驟順序一例之流程圖。微透鏡104之製造係藉由使用圖1所說明的電漿處理裝置10來進行。此外，以下所說明之各工序主要是藉由控制裝置11而被控制。
首先，將被處理基板W搬入至腔室21內(S100)。步驟S100中，係打開閘閥G且藉由機械手臂(圖中未顯示)來將圖2所例示之被處理基板W搬入至腔室21內並載置於靜電夾具25上。然後，藉由從直流電源27被供應至靜電夾具25內的電極26之直流電壓來將被處理基板W吸附保持在靜電夾具25的上面。然後，關閉閘閥G。
接下來，對被處理基板W實施蝕刻工序(S101)。步驟S101中，係驅動排氣裝置63來將腔室21內減壓至特定真空度。然後，控制MFC49a及閥50a來將特定流量的CF4氣體透過上部電極40供應至腔室21內，並從高頻電源34對晶座24供應特定功率的高頻。藉此，腔室21內便會生成有CF4氣體的電漿，藉由電漿所含的離子或自由基，且以透鏡遮罩103作為遮罩來對被處理基板W進行特定時間的乾蝕刻。
接下來，對乾蝕刻後的被處理基板W實施表面處理工序(S102)。表面處理工序包含沉積工序(S102a)與修整工序(S102b)。本實施型態之表面處理工序中首先實施沉積工序(S102a)，接著實施修整工序(S102b)。
步驟S102a中，係控制MFC49a、MFC49b、閥50a及閥50b來將特定流量的CF4氣體及特定流量的C4F8氣體透過上部電極40而供應至腔室21內。又，從高頻電源34對晶座24供應特定功率的高頻。藉此，腔室21內便會生成有CF4氣體及C4F8之混合氣體的電漿，且沉積物105會因電漿所含的離子或自由基而沉積在微透鏡104的表面。進行步驟S102a例如10秒鐘。
接下來，對進行沉積工序後的被處理基板W實施修整工序(S102b)。步驟S102b中，係控制MFC49c及閥50c來將特定流量的O2氣體透過上部電極40而供應至腔室21內。又，從高頻電源34對晶座24供應特定功率的高頻。藉此，腔室21內便會生成有O2氣體的電漿，且微透鏡104的表面會因電漿所含的離子或自由基而被修整。進行步驟S102b例如15秒鐘。
接下來，判定步驟S102的處理是否已實施特定次數，亦即，判定步驟S102a及S102b的處理是否已分別實施特定次數(S103)。本實施型態中，係判定步驟S102的處理是否已實施2次以上，亦即，判定步驟S102a及S102b 的處理是否已分別實施各2次。若步驟S102的處理尚未實施特定次數的情況(S103：No)，則再次實施步驟S102a所示之處理。
另一方面，若步驟S102的處理已實施特定次數的情況(S103：Yes)，則將被處理基板W從腔室21內搬出(S104)。步驟S104中，係解除從直流電源27對靜電夾具25內的電極26之直流電壓的供應，並打開閘閥G。然後，藉由機械手臂(圖中未顯示)來將已進行表面處理後的被處理基板W從腔室21內搬出。然後，便結束本流程圖所示之微透鏡104的製造步驟順序。
以上，已針對微透鏡104之製造步驟順序的一實施型態來加以說明。本實施型態中之微透鏡104的製造步驟順序包含蝕刻工序與表面處理工序。蝕刻工序中係對形成有透鏡遮罩103之被處理基板W，以透鏡遮罩103作為遮罩並使用第1處理氣體的電漿來蝕刻有機膜102，其中該透鏡遮罩103係於基板上所形成之透明有機膜102上具有透鏡形狀。藉此，透鏡遮罩103的透鏡形狀便會被轉印在透明有機膜102，而於透明有機膜102形成有微透鏡104。表面處理工序中係將透明有機膜102所形成之微透鏡104的表面處理成會變得平滑。藉此，便可提高微透鏡104的聚光效率。
又，上述實施型態中，表面處理工序係包含有沉積工序與修整工序。沉積工序中會使特定膜沉積在透明有機膜102所形成之微透鏡104的表面。修整工序會修整沉積有上述特定膜之微透鏡104的表面。藉此，便可減少微透鏡104表面的凹凸。
又，上述實施型態中係交互地實施沉積工序與修整工序各2次以上。藉此，便可減少微透鏡104表面的凹凸。
又，上述實施型態中，表面處理工序的最初會實施沉積工序。藉此，便可抑制修整工序所致之微透鏡104的面積減少，從而可抑制微透鏡104的聚光效率降低。
又，上述實施型態中，表面處理工序的最後會實施修整工序。藉此，便可抑制自微透鏡104的表面之膜剝落，從而可抑制使用微透鏡104之半導體裝置的品質降低。
又，上述實施型態中，沉積工序係藉由使用包含有碳原子及氟原子之第2處理氣體的電漿，來使特定膜沉積在透明有機膜102所形成之微透鏡 104的表面。第2處理氣體係包含有例如選自C4F6氣體、C4F8氣體、CHF3氣體、CH2F2氣體、CH3F氣體及CH4氣體當中之1種以上的氣體與CF4氣體之混合氣體。藉此，便可使特定膜沉積在微透鏡104的表面。
又，上述實施型態中，修整工序中係藉由使用包含有氧原子之第3處理氣體的電漿來修整沉積有特定膜之微透鏡104的表面。第3處理氣體係包含有O2氣體及CO2氣體之至少任一者。藉此，沉積有特定膜之微透鏡104的表面便會被修整。
[其他]
此外，本案所揭示之技術並未侷限於上述實施型態，可在其要旨之範圍內來做各種變化。
例如，上述實施型態中，交互地分別2次以上重複沉積工序及修整工序之際，雖然各工序的處理時間為固定，但所揭示之技術並未侷限於此，各工序的處理時間亦可不同。例如，第n次(n為2以上的整數)修整工序的處理時間亦可較第(n-1)次修整工序的處理時間要來得短。又，最後進行之修整工序的處理時間亦可為複數次進行之修整工序的處理時間當中最長的處理時間。藉此，便可更確實地去除殘留在微透鏡104的表面之沉積物。
又，上述實施型態中，雖係以電容耦合型電漿(CCP)作為電漿產生方式為例來加以說明，但所揭示之技術並未侷限於此。例如，亦可將所揭示之技術應用於使用感應耦合型電漿(ICP)、微波激發表面波電漿(SWP)、電子迴旋共振電漿(ECP)及螺旋波激發電漿(HWP)等之電漿處理裝置中。
此外，本說明書所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。實際上，上述實施型態可藉由多種型態來具體實現並獲得。又，上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。
S100‧‧‧搬入被處理基板W
S101‧‧‧蝕刻工序
S102a‧‧‧沉積工序
S102b‧‧‧修整工序
S103‧‧‧已實施特定次數？
S104‧‧‧搬出被處理基板W
Claims (10)
- 一種微透鏡之製造方法，包含以下工序：蝕刻工序，係針對於基板上所形成的第1有機膜上形成有具有透鏡形狀的第2有機膜之被處理體，以該第2有機膜作為遮罩，並使用第1處理氣體的電漿來蝕刻該第1有機膜，藉以將該第2有機膜的透鏡形狀轉印在該第1有機膜來於該第1有機膜形成微透鏡；以及表面處理工序，係將該第1有機膜所形成之微透鏡的表面處理成會變得平滑。
- 如申請專利範圍第1項之微透鏡之製造方法，其中該表面處理工序包含：沉積工序，係使特定膜沉積在該第1有機膜所形成之微透鏡的表面，以及修整工序，係修整沉積有該特定膜之該微透鏡的表面。
- 如申請專利範圍第2項之微透鏡之製造方法，其中該表面處理工序中係交互地分別實施該沉積工序與該修整工序2次以上。
- 如申請專利範圍第2或3項之微透鏡之製造方法，其中該表面處理工序的最初係實施該沉積工序。
- 如申請專利範圍第2至4項中任一項之微透鏡之製造方法，其中該表面處理工序的最後係實施該修整工序。
- 如申請專利範圍第2至5項中任一項之微透鏡之製造方法，其中該沉積工序中係藉由使用含有碳原子及氟原子之第2處理氣體的電漿，來使該特定膜沉積在該第1有機膜所形成之微透鏡的表面。
- 如申請專利範圍第6項之微透鏡之製造方法，其中該第2處理氣體係包含有選自C 4F 6氣體、C 4F 8氣體、CHF 3氣體、CH 2F 2氣體、CH 3F氣體及CH 4氣體當中之1種以上的氣體與CF 4氣體之混合氣體。
- 如申請專利範圍第2至7項中任一項之微透鏡之製造方法，其中該修整工序中係藉由使用包含有氧原子之第3處理氣體的電漿，來修整沉積有該特定膜之該微透鏡的表面。
- 如申請專利範圍第8項之微透鏡之製造方法，其中該第3處理氣體係包含有O 2氣體及CO 2氣體之至少任一者。
- 一種電漿處理裝置，具有：腔室；載置台，係設置於該腔室內，且載置該被處理體；氣體供應部，係將該第1處理氣體供應至該腔室內；電漿生成部，係於該腔室內生成該第1處理氣體的電漿；以及控制裝置，係實施如申請專利範圍第1至9項中任一項之微透鏡之製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018117927A JP7292014B2 (ja) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | マイクロレンズの製造方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2018-117927 | 2018-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202006991A true TW202006991A (zh) | 2020-02-01 |
Family
ID=68983989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108121199A TW202006991A (zh) | 2018-06-21 | 2019-06-19 | 微透鏡之製造方法及電漿處理裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11454744B2 (zh) |
| JP (1) | JP7292014B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210021440A (zh) |
| TW (1) | TW202006991A (zh) |
| WO (1) | WO2019244677A1 (zh) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05145813A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法 |
| JP3254759B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | 光学素子およびオンチップレンズの製造方法 |
| JP2002361597A (ja) | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Nikon Corp | マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 |
| JP4224852B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2009-02-18 | 学校法人東海大学 | マイクロレンズアレイの製造方法 |
| JP4450597B2 (ja) | 2003-09-24 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズの形成方法 |
| JP4561365B2 (ja) | 2005-01-07 | 2010-10-13 | 凸版印刷株式会社 | マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP4909538B2 (ja) | 2005-07-08 | 2012-04-04 | 富士フイルム株式会社 | マイクロレンズ、その製造方法、マイクロレンズを用いた固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4645557B2 (ja) | 2005-09-09 | 2011-03-09 | 株式会社デンソー | 光学素子の製造方法 |
| JP5045057B2 (ja) | 2006-03-13 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP5003124B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-08-15 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 |
| JP4815519B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | マスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2012023402A1 (ja) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズアレイの製造方法およびマイクロレンズアレイ |
| WO2013181140A2 (en) | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Mattson Technology, Inc. | Method for forming microlenses |
-
2018
- 2018-06-21 JP JP2018117927A patent/JP7292014B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-07 US US16/644,333 patent/US11454744B2/en active Active
- 2019-06-07 WO PCT/JP2019/022782 patent/WO2019244677A1/ja active Application Filing
- 2019-06-07 KR KR1020207006289A patent/KR20210021440A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-06-19 TW TW108121199A patent/TW202006991A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7292014B2 (ja) | 2023-06-16 |
| KR20210021440A (ko) | 2021-02-26 |
| US20200192004A1 (en) | 2020-06-18 |
| JP2019219561A (ja) | 2019-12-26 |
| US11454744B2 (en) | 2022-09-27 |
| WO2019244677A1 (ja) | 2019-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101153330B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법, 그 클리닝 방법을 실행하는 플라즈마 처리 장치 및 그 클리닝 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체 | |
| KR101565174B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| TWI709996B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| KR100967458B1 (ko) | 에칭 방법 및 에칭 장치 | |
| KR20110050438A (ko) | 포토마스크 플라즈마 에칭시 인시츄 건식 세정을 위한 방법 및 장치 | |
| KR20110065469A (ko) | 측벽 형성 공정 | |
| US7815492B2 (en) | Surface treatment method | |
| KR20170118466A (ko) | 포커스 링 조립체 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| JP2017010993A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| TWI831956B (zh) | 清潔處理方法及電漿處理裝置 | |
| JP2011530170A (ja) | チャンバのプラズマ洗浄プロセス方法 | |
| TW201703098A (zh) | 上部電極之表面處理方法、電漿處理裝置及上部電極 | |
| US7569478B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium | |
| JP4754609B2 (ja) | 処理装置およびそのクリーニング方法 | |
| TW202006991A (zh) | 微透鏡之製造方法及電漿處理裝置 | |
| KR100867174B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 장치, 제어프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| JP2006310883A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
| JP2006253733A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
| US9721766B2 (en) | Method for processing target object | |
| US11094551B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| US11772137B2 (en) | Reactive cleaning of substrate support |