TW202006834A - 在可撓性基材上製造金屬圖案的方法 - Google Patents
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Abstract
提供在可撓性基材上製造金屬圖案的方法。藉由在可撓性基材的圖案化表面上施加液體溶液而在該可撓性基材的該圖案化表面上選擇性地形成可釋離固體層。可藉由在金屬化之後移除該可釋離固體層而在該可撓性基材上形成金屬圖案。在一些情況中，可從該圖案化表面轉移該可釋離固體層至形成該等金屬圖案的轉移層。
Description
本揭露係關於在可撓性基材上製造金屬圖案/特徵之方法、及由其所製造之裝置。
可藉由各種技術在基材上製造金屬圖案。例如，在一種一般程序中，可首先藉由熱印痕微影程序將聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)圖案化於基材上，接著進行反應性離子蝕刻；接著沉積金屬至整個表面上；將該PMMA連同其上的金屬以丙酮清洗掉；且僅沉積至基材上的金屬留下來。一般的熱印痕微影程序係描述於例如美國專利第5,772,905號(Chou等人)中。在另一種一般程序中，使用聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)樹脂而非PMMA，使得水可用於清洗步驟。
簡言之，在一個態樣中，本揭露描述一種在可撓性基材上形成金屬圖案之方法。該方法包括在該可撓性基材上提供圖案化表面。該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原(plateau)特徵。該方法進一步包括以液體溶液塗佈該圖案化表面以至少部分填充該等凹入特徵，固化該液體溶液以在該等凹入特徵 中形成可釋離固體層，在固化該液體溶液之後蝕刻該圖案化表面，提供金屬層以覆蓋該圖案化表面，及從該可撓性基材移除在該等凹入特徵中之該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該可撓性基材之該等高原特徵上形成金屬圖案。
在另一態樣中，本揭露描述一種根據以上方法所製造的裝置。該裝置包括僅設置在該等高原特徵之頂部表面上的該金屬圖案。該等高原特徵具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均高度。
在另一態樣中，本揭露描述一種形成金屬圖案之方法。該方法包括提供圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵，以液體溶液塗佈該圖案化表面以至少部分填充該等凹部，固化該液體溶液以在該等凹部中形成可釋離固體層，提供轉移層以黏附至該圖案化表面，及從該圖案化表面移除該轉移層，以在該轉移層上形成圖案化構造。該固體層係從該圖案化表面轉移至該轉移層並形成該圖案化構造之一或多個高原特徵。該方法進一步包含提供金屬層於該轉移層之該圖案化構造上，及從該圖案化構造移除該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該轉移層上形成金屬圖案。
在另一態樣中，本揭露描述一種根據以上方法所製造的裝置。該裝置包括：該轉移層，該轉移層具有圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵； 及該金屬圖案，其僅設置在該等凹入特徵中。該等凹入特徵具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均深度。
本揭露之例示性實施例獲得各種非預期的結果及優點。本揭露之例示性實施例的一個此類優點在於，液體溶液可均勻塗佈在圖案化表面上。在固化液體溶液後，在該圖案化表面上可選擇性地形成可釋離固體層，用於金屬化後的有效起離(lift-off)程序。
已概述本揭露之例示性實施例之各種態樣及優點。以上發明內容並非意欲描述本揭露的各個所說明之實施例或本發明某些例示性實施例的所有實施方案。下列圖式及實施方式更具體地例示說明使用本文揭示之原理的某些較佳實施例。
2‧‧‧基材
4‧‧‧圖案化層
6‧‧‧液體溶液
7‧‧‧轉移層/圖案化層
8‧‧‧金屬層
8’‧‧‧金屬層
40‧‧‧圖案化表面
42‧‧‧凹入特徵
44‧‧‧高原特徵
44’‧‧‧高原特徵
46‧‧‧離型塗層
52‧‧‧網格
54‧‧‧圖案化構造/開放面積
54’‧‧‧圖案化構造
61‧‧‧表面位準
62‧‧‧可釋離固體層/固體層
62’‧‧‧固體層
64‧‧‧固化產物殘餘物/殘餘物
66‧‧‧步驟
72‧‧‧背襯層/背襯
74‧‧‧黏著劑層
82‧‧‧第一部分/金屬層
82’‧‧‧第一部分/金屬層
84‧‧‧第二部分/剩餘金屬層/金屬圖案
84’‧‧‧第二部分/金屬圖案
92‧‧‧第一部分/金屬層
92’‧‧‧第一部分/金屬層
94‧‧‧第二部分/金屬層/金屬圖案
94’‧‧‧第二部分/金屬圖案
522‧‧‧突起特徵
542‧‧‧突起特徵
544‧‧‧凹部
544’‧‧‧凹部
配合附圖，思考如下所述本揭露各個實施例之實施方式，可更完整地理解本揭露，其中：
圖1A係根據一個實施例之具有圖案化表面之可撓性基材之剖面圖。
圖1B繪示根據一個實施例之處理圖1A之圖案化表面以形成離型塗層於圖案化表面上的程序。
圖1C繪示根據一個實施例之將液體溶液塗佈至圖1B的圖案化表面上的程序。
圖1D繪示根據一個實施例之乾燥圖1C之液體溶液以形成固體層之方法。
圖2A繪示根據一個實施例之提供金屬層至圖1D之圖案化表面上的程序。
圖2B繪示根據一個實施例之移除圖2A之固體層連同該固體層上的金屬層之程序。
圖3A繪示根據一個實施例之蝕刻圖1D之圖案化表面之程序。
圖3B繪示根據一個實施例之提供金屬層至圖3A之圖案化表面上的程序。
圖3C繪示根據一個實施例之移除圖3B之固體層連同該固體層上的金屬層之程序。
圖4A繪示根據一個實施例之提供轉移層至圖1D之圖案化表面上的程序。
圖4B繪示根據一個實施例之從圖案化表面移除圖4A的轉移層連同固體層之後以於其上形成圖案化構造的該轉移層的剖面圖。
圖5A繪示根據一個實施例之在圖4B的圖案化構造上提供金屬層之程序。
圖5B繪示根據一個實施例之從圖5A的圖案化構造移除固體層連同該固體層上的金屬層之程序。
圖6A繪示根據一個實施例之蝕刻圖4B之圖案化表面之程序。
圖6B繪示根據一個實施例之提供金屬層至圖6A之圖案化表面上的程序。
圖6C繪示根據一個實施例之移除圖6B之固體層連同該固體層上的金屬層之程序。
圖7係根據一個實施例之基材上之金屬圖案的示意圖之俯視平面圖。
圖8繪示實例8之顯微影像。
圖9繪示實例9之顯微影像。
圖式中，相似元件符號指代相似元件。雖然上述所提出之圖式闡述本揭露之數個實施例，其他在實施方式中所提到的實施例亦被考慮，該等圖式可未按比例繪製。在所有情況中，本揭露係藉由例示性實施例的表示之方式而非明確的限制來說明所揭示之揭露。應理解，所屬技術領域中具有通常知識者可擬定出許多其他修改及實施例，其仍屬於本揭露之範疇及精神。
對於下文所定義用語的詞彙，這些定義應適用於整份申請書，除非在申請專利範圍或說明書中的別處提供不同定義。
說明書及申請專利範圍中使用某些用語，雖然這些用語大多數已為人所熟知，但可能需要一些解釋。應理解：
針對所揭示之塗佈物品中之各種元件的位置使用定向用語，諸如「在...頂部上(atop)」、「在...上(on)」、「在...上方(over)」、「覆蓋(covering)」、「最上(uppermost)」、「下伏(underlying)」、及類似用語時，係指元件相對於水平設置、面向上基材之相對位置。然而，除非另有說明，否則基材或物品在製造期間或之後應具有任何特定空間定向非係所意欲的。
為描述本揭露之物品之一層相對於一基材或另一元件的位置而使用用語「披覆(overcoated)」，係指該層在該基材或另一元件之頂上，但不必接近於該基材或該另一元件。
為描述一層相對於其他層的位置而使用用語「由...分開(separated by)」，係指該層係定位於兩個其他層之間，但不必接近於或相鄰於任一層。
關於數值或形狀的用語「約(about)」或「近似(approximately)」係意指該數值或性質或特性的+/-五百分比，但明確地包括該確切數值。例如，「約」1Pa-sec之黏度係指自0.95至1.05Pa-sec之黏度，而且亦明確地包含確切1Pa-sec之黏度。同樣地，「實質上正方形」周長意欲描述具有四個側向邊緣之幾何形狀，其中各側向邊緣之長度為任何其他側向邊緣之長度的自95%至105%，而且亦包含各側向邊緣具有完全相同長度的幾何形狀。
關於屬性或特性的用詞「實質上(substantially)」意指該屬性或特性的展現程度大於該屬性或特性之相對者的展現程度。例如，「實質上」透明之基材係指所透射的輻射(例如，可見光)多於未能透射者(例如，吸收及反射)之基材。因此，透射入射在其表面上之多於50%可見光的基材係實質上透明，而透射入射在其表面上之50%或更少可見光的基材係非實質上透明。
如本說明書及隨附實施例中所用者，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數的指涉，除非內容另有清楚指定。因此，例如，對於含有「一化合物」之細纖維之參照包含二或更多種化合物 之混合物。如本說明書及所附實施例中所使用者，用語「或(or)」通常是用來包括「及/或(and/or)」的意思，除非內文明確地另有指示。
如本說明書中所使用，以端點敘述之數字範圍包括所有歸於該範圍內的數字(例如，1至5包含1、1.5、2、2.75、3、3.8、4及5)。
除非另有所指，否則本說明書及實施例中所有表達量或成分的所有數字、屬性之測量及等等，在所有情形中都應予以理解成以用語「約(about)」進行修飾。因此，除非另有相反指示，否則在前述說明書及隨附實施例清單所提出的數值參數，可依據所屬技術領域中具有通常知識者運用本揭露的教示而企圖獲得之所欲性質而有所變化。起碼，至少應鑑於有效位數的個數，並且藉由套用普通捨入技術，詮釋各數值參數，但意圖不在於限制所主張實施例範疇均等論之應用。
現將特別參照該等圖式說明本揭露的各個例示性實施例。本揭露之例示性實施例可有各種修改及改變，而不悖離本揭露之精神及範疇。因此，應理解本揭露之該等實施例不受限於以下所述的例示性實施例，而是由該等申請專利範圍及任何其均等者所提限制所管制。
圖1A係根據一個實施例之具有圖案化表面之可撓性基材之剖面圖。圖案化表面40係形成在可撓性基材2的主表面上。圖案化表面40包括一或多個凹入特徵42及相鄰於該等凹入特徵42之一或多個高原特徵44。在一些實施例中，高原特徵44可形成網格構形，諸如在圖7中所示之網格52。本文所述之網格一般係理解為意指圖案幾何，其具有藉由開放面積54分開以形成單元(cell)的連接跡線。具有線 性跡線之網格的說明性實例包括例如具有六邊形及正方形單元者。在一些實施例中，網格的開放面積可例如大於90%、大於95%、或大於98%。高原特徵44可具有在例如約50nm至約5微米、或約100nm至約3微米之範圍中的平均線寬；以及在例如約50nm至約5微米、或約100nm至約3微米之範圍中之平均高度。
在一些實施例中，基材2可係可撓性基材，例如，不定長度聚合材料的帶材。可撓性基材或帶材在沿著帶材路徑移動時可被(例如，沿著機器方向及/或橫向)拉伸。該可撓性基材可包括，例如，聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚乙烯、聚苯乙烯、聚胺甲酸酯等。本文描述的程序可在包括一或多個輥以沿著帶材路徑輸送帶材的一卷對卷設備上進行。基材2可具有例如約2mm或更小、約1mm或更小、約500微米或更小，或約200微米或更小的厚度。
在一些實施例中，圖案化表面40可直接形成於可撓性基材2上。在圖1A所描繪的實施例中，圖案化表面40係形成在圖案化層4上，該圖案化層係設置於基材2上。
在一些實施例中，圖案化表面40可藉由一微複製程序形成於基材2上。在一些實施例中，可將可固化材料層提供於基材2上以形成圖案化層4。該可固化材料可包括例如聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、環氧樹脂、UV可固化丙烯酸酯樹脂等。可提供微複製印模以壓靠可固化材料層以於其上建立複製特徵。可固化材料可使用各種方法固化，該等方法包括，例如熱、UV、電子 束輻射等。應瞭解，圖案化表面40可藉由任何合適的方法形成於基材2上，諸如，例如壓紋、微模製、微匹配、雷射蝕刻、3D列印等。
在一些實施例中，圖案化層4可包括一或多種展現相對低表面黏著強度的離型塗層材料。此類離型塗層材料可包括例如矽氧烷、聚矽氧、聚四氟乙烯等。
在一些實施例中，圖案化表面40可經處理以降低其表面黏著強度。在圖1B所描繪的實施例中，根據一個實施例處理圖1A之圖案化表面40以在該圖案化表面上形成離型塗層46。在一些實施例中，離型塗層46可藉由電漿沉積程序來形成。可將氣體六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)引入反應腔室中，並在電漿存在下，以在圖案化表面40上形成離型塗層。離型塗層可具有例如小於約500nm、小於約200nm、或小於100nm之厚度。例示性電漿沉積程序及設備係描述於WO 2018/005109(Yu等人)中，該案以引用方式併入本文中。
可將液體溶液提供至圖案化表面40上，以在該圖案化表面上選擇性地形成可釋離固體層。在圖1C的實施例中，在形成離型塗層46之後，將液體溶液6提供至圖案化表面40上。液體溶液6填充凹入特徵42中且覆蓋高原特徵44。在圖1C之所描繪的實施例中，液體溶液6具有高於高原特徵44之表面位準61。應瞭解，在一些實施例中，液體溶液6可具有低於高原特徵44之表面位準61且僅存在於凹入特徵42中。
在一些實施例中，液體溶液6可為聚(乙烯醇)(PVA)於水中之溶液。應理解，液體溶液可包括其他溶質，諸如例如聚乙烯丁醛(polyvinyl butyral,PVB)、可固化丙烯酸酯、膜形成劑(film former)等。液體溶液可溶解於任何常見溶劑組合中，諸如水、異丙醇、甲基乙基酮、己烷、乙酸乙酯。液體組成物之表面能可藉由添加界面活性劑來修改，諸如，例如聚乙二醇p-(1,1,3,3-四甲基丁基)-苯基醚(可以商標名稱TritonTM X-100購自Sigma-Aldrich Chemical company,Milwaukee,WI)。
然後將液體溶液6固化以在凹入特徵42中形成可釋離固體層62。在一些實施例中，液體溶液6可藉由在例如約25℃至約175℃、或約50℃至約100℃的溫度下乾燥來固化。圖案化表面40具有相對低表面黏著強度，使得固體層62可例如藉由剝離或清洗而與凹入特徵42分離或釋離。在圖1D之所描繪的實施例中，在該固化之後，固化產物殘餘物64留在高原特徵44上。固化產物殘餘物64具有較凹入特徵中固體層62之乾燥厚度更薄的乾燥厚度。在一些實施例中，固化產物殘餘物64可具有例如凹入特徵中固體層62之乾燥厚度之約½或更小、約1/3或更小、約1/5或更小、或約1/10或更小之乾燥厚度。
在所描繪的實施例中，高原特徵44各具有平坦頂部表面。在一些實施例中，高原特徵44可具有各種突起形狀，諸如，例如稜柱或角錐形狀、半球形形狀、似子彈(bullet-like)的形狀等。各種突起特徵係描述於美國專利第8,703,232(Stay等人)中，該案以引用方式併入本文中。在一些實施例中，高原特徵44可具有允許液體溶液6 從該等高原特徵流至凹入特徵42中之突起形狀以減少在高原特徵44上之固化產物殘餘物64的量。在一些實施例中，高原特徵44可具有疏水性表面特性，該等疏水性表面特性排斥液體溶液6以從高原特徵流至凹入特徵中。
在形成可釋離固體層62於凹入特徵中之後，可將導電層提供至圖案化表面上。該導電層可為例如金屬層，或包括任何適合的導電材料。圖2A繪示根據一個實施例之提供金屬層8以覆蓋圖1D的圖案化表面。金屬層8之第一部分82係設置在凹入特徵42中；且金屬層8之第二部分84設置在高原特徵44之頂部表面上。
金屬層8可藉由任何所欲程序形成，包括例如蒸鍍、濺鍍、電子束沉積、物理氣相沉積、化學氣相沉積、液體塗佈等。在一些實施例中，該金屬層可包括多個層，例如，包括直接接觸至該圖案化表面之連結層(tie-layer)、及該連結層頂部上之另一金屬(例如，銅、銀、金、鋁等)之層。連結層(亦已知為膠或助黏層)可包括鉻、鉻氧化物、ITO、AZO、鎳、鈦等。應理解，該金屬層可包括任何適合的導電材料。
在一些實施例中，金屬層8可具有例如約0.01微米至約2微米、約0.02微米至約1微米、或約0.025微米至約0.5微米的平均厚度。在一些實施例中，金屬層8可為連續的、具有與圖案化表面之表面形態適形的一或多個表面，且具有大致均勻的厚度。在一些實施例中，金屬層8可具有非均勻厚度。例如，如在圖2A中所繪示，在步驟66的金屬層8可具有減小的厚度或甚至是中斷的。
在形成金屬層於圖案化表面上之後，可執行起離程序以從該圖案化表面移除在該等凹入特徵中之可釋離固體層62連同該可釋離固體層上之金屬層82。圖案化表面40上的剩餘金屬層84形成金屬圖案，如圖2B所示。
在一些實施例中，固體層62可為水溶性聚合物層，其可藉由例如壓力清洗、超音波清洗等而從圖案化表面40移除。當固體層62包括聚(乙烯醇)(PVA)時，可藉由水清洗將固體層62溶解並從基材釋離。在一些實施例中，固體層62可藉由剝離來移除。在一個實施例中，可將可固化樹脂層(例如丙烯酸酯樹脂)澆鑄在圖案化表面40上。可固化該可固化樹脂層且可從該圖案化表面40剝離該可固化樹脂層連同在該等凹入特徵中之金屬層與可釋離固體層。可固化樹脂材料可對金屬層具有合適親和力，使得在高原頂部的金屬層可留在圖案化表面上，而可移除可釋離固體層連同該可釋離固體層上的金屬層。在一些實施例中，金屬層可以使得其更強力地黏附至圖案化表面之方式施加，諸如，例如使用濺鍍及/或使用連結層來沉積。
應理解，可釋離固體層62可係任何適當的抗蝕層，其可藉由施加例如溶劑、熱、冷卻、剝離等而從圖案化表面40移除。在一些實施例中，凹入特徵中的固體層62下方的離型塗層46可連同固體層62完全或部分移除。
在一些實施例中，固化後留在高原特徵44上之固化產物殘餘物64(例如參見圖1D)可在提供金屬層在高原特徵上之前移除。在圖3A之所描繪的實施例中，藉由蝕刻將殘餘物64從高原特徵44’移 除。可使用任何合適的蝕刻程序，包括例如反應性離子蝕刻(RIE)，諸如氧或八氟丙烷電漿蝕刻。在從高原特徵44移除固化產物殘餘物64之後，蝕刻程序可繼續移除下方離型塗層46(參見圖1B)以曝露出高原特徵44之頂部表面。在一些實施例中，該RIE可移除固化產物殘餘物，且接著修改下方離型塗層46之化學性質。蝕刻亦可稍微減少固體層62’在凹入特徵中的厚度。在一些實施例中，固體層62’的厚度可減少達例如小於20%、小於10%、或小於5%。
本文中所用之蝕刻程序可用來修改離型塗層46(在高原特徵上)之化學性質。此類修改可有利於改善設置於離型塗層上之金屬層的黏著性。本文中所使用的蝕刻程序可被良好控制，使得其不會導致在可釋離固體層中之交聯，該交聯可導致固體層更強力地黏附至基材，且較不可溶於水。在本文中所述的程序相較傳統的熱印痕微影程序係技術上有利的，諸如在美國專利第5,772,905號(CHou等人)中所述者，其中重反應性離子蝕刻程序可劣化基材表面及其後形成的金屬/基材介面。
蝕刻後，可將導電層提供至該圖案化表面上。圖3B繪示根據一個實施例之提供金屬層8’以覆蓋圖3A之圖案化表面的程序。該金屬層8’之第一部分82’係設置在該等凹入特徵中之可釋離固體層62’上；且該金屬層8’之第二部分84’係直接設置在高原特徵44’之頂部表面上。可執行起離程序以移除凹入特徵中的固體層62’連同其上的金屬層82’。圖3C係在高原特徵44’上之金屬圖案84’的剖面圖。
在一些實施例中，可使用以選擇性形成之可釋離固體層覆蓋之圖案化表面(諸如在圖1D中所示的結構)作為製造金屬化圖案的模製表面。應瞭解，該圖案化表面可由其他適合的材料製造，例如金屬。圖4A繪示根據一個實施例之提供轉移層至圖1D之圖案化表面上的程序。在一些實施例中，固化後留在高原特徵44上之固化產物殘餘物64(例如參見圖1D)可在提供轉移層在高原特徵上之前移除，諸如描繪於圖3A中的實施例。
轉移層7包括直接接觸圖案化層4之圖案化表面的黏著劑層74。黏著劑層74係由可撓性背襯層72支撐。在一些實施例中，黏著劑層74可藉由提供可固化液體至圖案化表面上以形成固化產物而形成。在一些實施例中，黏著劑層可藉由以下而至少部分地形成：使可釋離固體層62再溶解，並且使用該再溶解層作為該黏著劑層之至少一部分。黏著劑層亦可溶劑塗佈至背襯72上或在圖案化表面的頂部上。
黏著劑層74可包括具有所欲性質之任何合適黏著劑材料。黏著劑層74可為可剝離或可拉伸釋離且可從基材2之圖案化表面剝離。在一些實施例中，黏著劑可包括橡膠、聚矽氧、或基於丙烯酸之黏著劑中之至少一者。在一些實施例中，黏著劑可包括膠黏橡膠黏著劑，諸如天然橡膠；烯烴；聚矽氧，例如聚矽氧聚脲或聚矽氧嵌段共聚物；合成橡膠黏著劑，例如聚異戊二烯、聚丁二烯、及苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯以及苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、以及其它合成彈性體；以及膠黏或未膠黏丙烯酸黏著劑，例如丙烯酸異辛酯與丙烯酸之共聚物，其係可藉由輻射、溶解、懸浮、 或乳化技術而被聚合；聚胺甲酸酯；聚矽氧嵌段共聚物；以及上述之組合。該黏著劑可為例如下列專利申請案之任何者中所述之黏著劑的任何者，其等全部係以引用方式併入本文中：PCT專利公開案第2015/035556號、第2015/035960號、及美國專利公開案第2015/034104號。
在一些實施例中，背襯層72可具有足夠的可撓性，使得轉移層7可提供適形性與彈性性質，該等性質在黏著劑層74黏附至圖案化層7的圖案化表面時、且在藉由剝離來將該黏著劑層自其移除時是有幫助的。在一些實施例中，可撓性背襯層72可包括可撓性聚合膜。該可撓性背襯層72可包括，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚苯乙烯、聚胺甲酸酯等。本文描述的程序可在包括一或多個輥以沿著帶材路徑輸送帶材的一卷對卷設備上進行。轉移層7可具有例如約2mm或更小、約1mm或更小、約500微米或更小，或約200微米或更小的厚度。
當轉移層7從基材2剝離時，可釋離固體層62及(在一些實施例中)固化產物殘餘物64可附接至黏著劑層74並從圖案化層4轉移至轉移層7。圖4B繪示形成圖案化構造54之轉移層7的剖面圖。在所描繪的實施例中，圖案化構造54可為圖1A之圖案化表面40的負浮雕。圖案化構造54包括對應於圖1A之圖案化表面40之凹入特徵42的突起特徵542、及對應於圖1A之高原特徵44的凹部544。突起特徵542具有包括可釋離固體層62之頂部部分、及包括黏著劑層74之材料的底部部分。固化產物殘餘物64附接至凹部544之底部表面。應瞭解， 離型塗層46(參見圖1B)可至少部分地沿著固體層62及固化產物殘餘物64自圖案化層4轉移至轉移層7，該轉移層分別覆蓋固體層62及固化產物殘餘物64。
在一些實施例中，凹部544可形成網格構形，諸如在圖7中所示之網格52。本文所述之網格一般係理解為意指圖案幾何，其具有藉由開放面積分開以形成單元的連接跡線。具有線性跡線之網格的說明性實例包括例如具有六邊形及正方形單元者。凹部544可具有在例如約50nm至約5微米之範圍中之平均線寬、及在例如約50nm至約5微米之範圍中之平均深度。
可將金屬層提供至該轉移層之圖案化構造上。圖5A繪示根據一實施例之在圖4B之圖案化構造54上的金屬層之剖面圖。該金屬層包括設置在突起特徵542之頂部表面上的第一部分92、以及設置在該等凹部544之底部表面上的第二部分94。
該金屬層可藉由任何所欲程序形成，包括例如蒸鍍、濺鍍、電子束沉積、物理氣相沉積、化學氣相沉積、液體塗佈等。在一些實施例中，該金屬層可包括多個層，例如，包括直接接觸至該圖案化表面之連結層(例如，鎳或鈦)、及該連結層頂部之另一金屬(例如，銅、銀、金、鋁等)之層。
如在圖5A中所繪示，金屬層之第一部分92及第二部分94彼此分開。亦即，金屬層未適形地形成於突起特徵542之側上。應理解，該金屬層可至少部分地以減小厚度形成在突起特徵542之側上。
在一些實施例中，凹部544中之金屬層94可具有例如約0.01微米至約2微米、約0.02微米至約1微米、或約0.025微米至約0.5微米之平均厚度。在一些實施例中，凹部544中之金屬層94可係連續的、具有與凹部544之底部表面之表面形態適形的一或多個表面、且具有一大致上均勻的厚度。在一些實施例中，金屬層94可具有非均勻厚度。
在形成金屬層於轉移層7上之後，可執行起離程序以移除突起特徵542上之固體層62連同該固體層上的金屬層92。在一些實施例中，固體層62可為水溶性聚合物層，其可藉由例如壓力清洗從轉移層7移除。當固體層62包括聚(乙烯醇)(PVA)時，可藉由水清洗將固體層62溶解且自基材釋離。在一些實施例中，固體層62可藉由剝離來移除。在一個實施例中，可將可固化樹脂層澆鑄在轉移層7上。可固化該可固化樹脂層且可從該圖案化構造54剝離該可固化樹脂層連同在該等突起特徵上之金屬層與固體層。圖5B係凹部544中之剩餘金屬圖案94的剖面圖。
在一些實施例中，留在該轉移層7之凹部544中的固化產物殘餘物64(見例如圖4B)可在提供金屬層至轉移層7上之前移除。在圖6A中所描繪之實施例中，藉由蝕刻從凹部544之底部表面移除固化產物殘餘物64。可使用任何合適的蝕刻程序，包括例如反應性離子蝕刻(RIE)，諸如氧或八氟丙烷電漿蝕刻。
在一些實施例中，蝕刻可先移除表面上的離型塗層46(若適用)，並繼續移除下方的固化產物殘餘物64以曝露出凹部544 之底部表面。該蝕刻亦可稍微減少突起特徵522之固體層62的厚度。在一些實施例中，固體層62的厚度可減少達例如小於20%、小於10%、或小於5%。
在蝕刻之後，可將金屬層提供至圖6A之圖案化構造54’上。圖6B繪示根據一個實施例之提供金屬層以覆蓋圖6A之圖案化構造54’之程序。該金屬層之第一部分92’係設置在突起特徵之固體層62上；且該金屬層之第二部分94’直接設置在凹部544’之底部表面上。可執行起離程序以從轉移層7移除固體層62’連同其上的金屬層92’。圖6C為在轉移層7之凹部544’中的金屬圖案94’之剖面圖。
可將本文所述之金屬圖案(例如在圖2B中的84、在圖3C中的84’、在圖5B中的94、在圖6C中的94’)應用於各種裝置。在一些實施例中，該等金屬圖案可僅設置在圖案化表面的高原特徵上，以在可撓性基材上形成網格形狀。在一些實施例中，該等金屬圖案可僅設置在圖案化表面的凹部中，以在可撓性基材上形成網格形狀。金屬圖案可具有例如約20nm至500nm的厚度。在一些實施例中，具有支撐金屬圖案之圖案化表面的可撓基材可係透明的。在一些實施例中，具有金屬圖案之圖案化表面可以與結構化層之頂部層折射率匹配的材料回填。例示性回填材料描述於美國專利第8703232號(Stay等人)中，該案以引用方式併入本文。
雖然上述說明提供在可撓性基材上的金屬或其他導電材料的網格圖案，但是應理解，可依類似方式在該可撓性基材上形成其他材料的圖案。例如，用於此一圖案的材料可包括陶瓷、墨水、或任 何合適的光學材料。此外，類似程序/方法可用以製造在可撓基材上的網格以外的合適圖案。
可依連續或卷對卷方式執行本文所述之程序，諸如，例如，微複製、電漿塗佈、蝕刻、塗佈、固化/乾燥、層壓、剝離、金屬沉積(例如，濺鍍)、金屬蒸鍍等。例示性連續或卷對卷的微複製程序係描述於美國專利第9759663號(Halverson等人)中。例示性電漿塗佈及蝕刻之連續或卷對卷程序係描述於美國專利第8460568號(David等人)中。例示性塗佈及乾燥之連續或卷對卷程序係描述於美國專利第8623140號(Yapel等人)中。在塗佈步驟後可添加帶材的層壓及剝除。例示性金屬沉積的連續或卷對卷程序係描述於美國專利第6172810號(Fleming等人)中。
本揭露之例示性實施例可具有各種修改及改變，而不悖離本揭露之精神及範疇。因此，應理解本揭示之實施例不受限於以下說明之例示性實施例，而是由申請專利範圍及任何其均等者所提限制所管制。
應理解：可組合實施例1至16、實施例17至27、及實施例28至30中之任一者。
實施例1係一種在可撓性基材上形成金屬圖案之方法，該方法包含：
在該可撓性基材上提供圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵；
以液體溶液塗佈該圖案化表面，以至少部分填充該等凹入特徵；
固化該液體溶液以在該等凹入特徵中形成可釋離固體層；
在固化該液體溶液之後蝕刻該圖案化表面；
提供金屬層，以覆蓋經蝕刻之該圖案化表面；及
從該可撓性基材移除在該等凹入特徵中之該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該可撓性基材之該等高原特徵上形成金屬圖案。
實施例2係如實施例1之方法，其進一步包含在塗佈該液體溶液前處理該圖案化表面以形成離型塗層於該圖案化表面上。
實施例3係如實施例1或實施例2之方法，其中該液體層亦覆蓋該圖案化表面上的該等高原特徵。
實施例4係如實施例1至實施例3中任一者之方法，其中在該固化之後，固化產物殘餘物留在該等高原特徵上，該固化產物殘餘物具有係在該等凹入特徵中之該固體層之厚度至多½之乾燥厚度。
實施例5係如實施例4之方法，其中該固化產物殘餘物具有約200nm或更小的乾燥厚度。
實施例6係如實施例2至實施例5中任一者之方法，其中該蝕刻能夠移除或修改該離型塗層。
實施例7係如實施例1至實施例6中任一者之方法，其中該金屬層係藉由以連結層進行濺鍍沉積來提供。
實施例8係如實施例1至實施例7中任一者之方法，其中移除該固體層進一步包含：將可固化樹脂披覆在該金屬層上，且固化該可固化樹脂以形成經固化樹脂層。
實施例9係如實施例8之方法，其進一步包含剝離該固化樹脂層以從該可撓性基材移除在該等凹入特徵中之該固體層連同該固體層上之該金屬層。
實施例10係如實施例1至實施例9中任一者之方法，其中在該可撓性基材上提供圖案化表面包含在該可撓性基材上形成微複製特徵。
實施例11係如實施例9之方法，其中該等微複製特徵係形成在該可撓性基材的圖案化表面層上。
實施例12係如實施例2至實施例10中任一者之方法，其中該離型塗層係使用六甲基二矽氧烷(HMDSO)藉由電漿沉積程序形成。
實施例13係實施例1至實施例12中任一者之方法，其中該液體容液包含聚(乙烯醇)(PVA)。
實施例14係如實施例1至實施例13中任一者之方法，其中該可撓性基材之該等高原特徵上的該金屬圖案形成網格形狀，該網格形狀具有大於95%之開放面積。
實施例15係如實施例1至實施例14中任一者之方法，其中具有該金屬圖案於該圖案化表面上的該圖案化表面以與該圖案化表面折射率匹配之材料回填。
實施例16係一種根據如實施例1至實施例15中任一者之方法所製造之裝置，該裝置包含：
該可撓性基材；
該金屬圖案，其僅設置在該等高原特徵之頂部表面上以在該可撓性基材上形成網格形狀，
其中該等高原特徵具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均高度。
實施例17係一種形成金屬圖案之方法，該方法包含：
提供圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵；
以液體溶液塗佈該圖案化表面，以至少部分填充該等凹部；
固化該液體溶液以在該等凹部中形成可釋離固體層；
提供轉移層以黏附至該圖案化表面；
從該圖案化表面移除該轉移層，以在該轉移層上形成圖案化構造，該固體層係從該圖案化表面轉移至該轉移層並形成該圖案化構造之一或多個高原特徵；
在該轉移層之該圖案化構造上提供金屬層；及
從該圖案化構造移除該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該轉移層上形成金屬圖案。
實施例18係如實施例17之方法，其進一步包含處理該圖案化表面以在該圖案化表面上形成離型塗層。
實施例19係如實施例17或實施例18之方法，其中該轉移層包含黏著劑層，該黏著劑層係施加至該圖案化表面上之可固化液體的固化產物。
實施例20係如實施例19之方法，其中該轉移層進一步包含可撓性背襯層以支撐該黏著劑層。
實施例21係如實施例17至實施例20中任一者之方法，其進一步包含在提供該轉移層前蝕刻該圖案化表面。
實施例22係如實施例17至實施例21中任一者之方法，其進一步包含在該圖案化構造上提供該金屬層之前蝕刻該圖案化構造。
實施例23係如實施例17至實施例22中任一者之方法，其中該金屬層係藉由以連結層進行濺鍍沉積來提供。
實施例24係如實施例17至實施例23中任一者之方法，其中該固體層及該固體層上之該金屬層係藉由水清洗而移除。
實施例25係如實施例17至實施例24中任一者之方法，其中該固體層及該固體層上之該金屬層係藉由剝離移除。
實施例26係如實施例17至實施例25中任一者之方法，其中具有該金屬圖案於該圖案化表面上的該圖案化表面以與該圖案化表面折射率匹配之材料回填。
實施例27係一種根據如實施例17至實施例26中任一者之方法製造之裝置，該裝置包含：
該轉移層，其具有圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入及相鄰於該等凹部的一或多個突起特徵；及
該金屬圖案，其僅設置在該等凹部中以形成網格形狀，
其中該等凹部具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均深度。
實施例28係一種在可撓性基材上形成導電網格圖案的方法，該方法包含：
提供圖案化表面，其包括凹部及高原特徵，該等高原特徵形成網格圖案；
以液體溶液塗佈圖案化表面，以至少部分填充該等凹部；
固化該液體溶液以形成可釋離固體層，
其中該可釋離固體層在該等凹部中具有之厚度較在該等高原特徵上之厚度厚至少2倍、至少5倍之倍、或至少10倍。
實施例29係如實施例28之方法，其進一步包含提供金屬層以覆蓋該圖案化表面；及移除該等凹部中的該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該等高原特徵上形成網格金屬圖案。
實施例30係如實施例28之方法，其進一步包含：
提供轉移層以黏附至該圖案化表面；
從該圖案化表面移除該轉移層，以在該轉移層上形成圖案化構造，該固體層係從該圖案化表面轉移至該轉移層並形成該圖案化構造之一或多個高原特徵；
在該轉移層之該圖案化構造上提供金屬層；及
從該圖案化構造移除該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該轉移層上形成網格金屬圖案。
本揭露之作業將以下列詳細之實例予以進一步描述。所提供的這些實例係用於進一步說明各種特定及較佳的實施例及技術。然而，應理解的是，可做出許多變異及改良而仍在本揭露之範疇內。
這些實例僅用於闡釋之目的，並非意圖過度限制隨附申請專利範圍的範疇。雖然本揭露之廣泛範疇內提出之數值範圍及參數 係近似值，但盡可能準確地報告在特定實例中提出之數值。然而，任何數值本質上都含有在其各自測試測量中所見的標準偏差必然導致之某些誤差。起碼，至少應鑑於所記述之有效位數的個數，並且藉由套用普通捨入技術，詮釋各數值參數，但意圖不在於限制申請專利範圍範疇均等論之應用。
除非另有說明，否則本說明書中之實例及其餘部分中的份數、百分率、比率等皆依重量計。表1提供以下實例中所用之所有材料之縮寫及來源：
「混合物1」係以下之組合：75wt%之脂族胺甲酸酯二丙烯酸酯、25wt%之二丙烯酸酯、及0.5%之光起始劑。
「混合物2」係以下的溶液：3%至10% PVA、10%異丙醇、0.05% Tergitol在DI水中。
使用兩種類型圖案化表面。藉由卷對卷微複製來形成兩個圖案化表面。將Mel 454用混合物1塗佈、將其夾壓抵靠結構化工具、使用紫外光固化、然後從工具剝離。
第一圖案為圖7中所描繪之「偽隨機彎曲(pseudorandom curved)」圖案。圖中的線代表具有幾乎垂直側壁的特徵，其係2微米高且2微米寬。該等單元之平均節距為200微米。
第二圖案為六邊形圖案，其描繪於美國專利公開案第2013/0306359號之圖1中。圖中的線代表在峰處2微米高、2微米寬、且在基底處4微米寬的特徵。該六邊形之節距係200微米。
使用已知塗佈及蝕刻技術，於圖案化表面上添加或減少(多個)層。
使用電漿塗佈技術來沉積六甲基二矽氧烷(HMDSO)。在此，使用內建的平行板電容耦合電漿反應器來離型塗佈該表面。該腔室具有中央圓柱狀供電電極，其具有18.3ft2之表面面積。在放置結構化膜於供電電極上後，將反應器腔室泵抽至小於1.3Pa(2mTorr)之基礎壓力。在沒有限制的情況下，經由½管將HMDF蒸發至腔室中。 使用電漿增強CVD法藉由在13.56MHz之頻率及2000瓦之施加功率下將RF功率耦合至反應器中來進行處理。藉由以每分鐘30呎的速率移動微結構化膜通過反應區來控制處理時間。
模塗佈技術係用以沉積液體溶液的卷對卷技術。使用狹縫模具以每分鐘10呎來塗佈溶液，並在70℃與110℃之間於大約6m長的烘箱中乾燥。調整溶液濃度及進料速率以達到正確的乾燥厚度。
使用邁耶棒(Meyer rod)技術來將溶液塗佈在一件零件樣本上。調整溶液濃度及邁耶棒(Meyer rod)以達到正確的乾燥厚度。允許此等溶液在室溫下乾燥。
使用已知的真空濺鍍方法來沉積「濺鍍(sputtered)」銀。使用已知的電子束蒸鍍方法來藉由蒸鍍沉積銀。沉積10nm Cr層作為連結層以用於兩種方法。此等系統可以分批或卷對卷進行。
使用分批蝕刻方法來蝕刻單一零件樣本。在Plasmatherm Model 3032電容電漿反應器中抽真空，且使氧以每分鐘500標準立方公分之速率流入。將反應器功率設定為1350瓦。藉由調整反應器導通的時間來控制被蝕刻之量。
使用卷對卷蝕刻方法來連續蝕刻。在具有大約3公尺之帶材路徑的內建腔室中蝕刻樣本。調整帶材的速度及通過次數以改變反應器中的滯留時間。使八氟丙烷以每分鐘250標準立方公分的速率流入，且使氧以每分鐘750標準立方公分的速率流入。將反應器功率設定為6000瓦。
下述測試方法已被使用在評估本揭露之某些實例。使用BYK-Gardner haze-gard plus來測量透射率、霧度及清晰度。使用兩線間的兩點探針測量導電性，該兩線係塗有TEC-PR-041(Ink Tec Inc.Newton,NC)，或用有分離達一公分的兩個一公分接觸件的客製化探針。顯微鏡影像係使用Olympus MX61L獲得。
下文說明根據本揭露在圖案化表面上製備各種離型塗層的實例，以及(若干)比較實例。
以HDMSO電漿塗佈偽隨機彎曲圖案。將混合物2模塗佈至0.5微米之乾燥厚度。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
以HDMSO電漿塗佈偽隨機彎曲圖案。將混合物2模塗佈至0.5微米之乾燥厚度。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將該基材置於超音波號角下方達10秒以移除固體層。
以HDMSO電漿塗佈六邊形圖案。將混合物2模塗佈至1微米的乾燥厚度。圖案化表面經卷對卷蝕刻達30秒。在卷對卷程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
將來自實例1.2之金屬化圖案以混合物1回填、層壓至COP、並以紫外光固化。
以HDMSO電漿塗佈六邊形圖案。將混合物2以邁耶棒(Meyer rod)塗佈至1微米之乾燥厚度。在分批程序中蝕刻該圖案達30秒。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
以HDMSO電漿塗佈六邊形圖案。將混合物2模塗佈至0.5微米之乾燥厚度。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
將混合物2在六邊形圖案上以邁耶棒(Meyer rod)塗佈至1微米的乾燥厚度。在分批程序中蝕刻該圖案達30秒。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
以HDMSO電漿塗佈六邊形圖案。將混合物2模塗佈至2微米之乾燥厚度。藉由塗佈混合物1、用紫外光固化、然後剝離而將圖案轉移至Mel454。在分批程序中蝕刻圖案化構造達30秒。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
以HDMSO電漿塗佈六邊形圖案。將混合物2模塗佈至2微米之乾燥厚度。藉由塗佈混合物1、用紫外光固化、然後剝離而將圖案轉移至Mel454。在分批程序中將銀濺鍍至200奈米的厚度。將銀層層壓至具有混合物1之Mel454，然後以紫外光將其固化，然後將其剝離以從凹入特徵移除固體層。
針對實例1至實例7之透射率、霧度、清晰度、及導電率報告於表3中。
來自實例8或實例9的兩個樣本都是不導電的，但由圖8與圖9中所顯示的顯微照片可見實例8在跡線上含有更多金屬。
本說明書中提及的「一個實施例」、「特定實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」，不管是否在「實施例」之前加上「例示性」，都表示與該實施例連結描述的特定部件、結構、材料或特性都包括在本發明某些例示性實施例的至少一個實施例之內。如此，在本說明書中許多地方出現的片語，例如「在一或多個實施例中(in one or more embodiments)」、「在某些實施例中(in certain embodiments)」、「在一個實施例中(in one embodiment)」或「在一實施例中(in an embodiment)」，並不必然參照本發明某些例示性實施 例的相同實施例。更進一步，該等特定特徵、結構、材料、或特性可在一或多個實施例中用任何合適的方式結合。
雖然本說明書已詳細描述某些例示性實施例，但將瞭解所屬技術領域中具有通常知識者在理解前文敘述後，可輕易設想出這些實施例的替代、變化、及等同物。因此，應瞭解，本發明並不過度受限於上面揭示的該等說明性實施例。具體而言，如本文所用，以端點敘述之數字範圍意在包括所有歸於該範圍內的數字(例如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)。另外，本文中所使用的所有數字均假定以用語「約(about)」進行修飾。
更進一步地說，在本文中所提及的全部公開案與專利皆全文以引用方式併入本文中，其引用程度就如同將各個各别公開案或專利明確並且各别地指示以引用方式併入本文中。已描述各種例示性實施例。這些及其他實施例係在以下申請專利範圍的範疇之內。
2‧‧‧基材
4‧‧‧圖案化層
7‧‧‧轉移層/圖案化層
62‧‧‧可釋離固體層/固體層
64‧‧‧固化產物殘餘物/殘餘物
72‧‧‧背襯層/背襯
74‧‧‧黏著劑層
Claims (15)
- 一種在可撓性基材上形成金屬圖案之方法，該方法包含：在該可撓性基材上提供圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵；以液體溶液塗佈該圖案化表面，以至少部分填充該等凹入特徵；固化該液體溶液以在該等凹入特徵中形成可釋離固體層；在固化該液體溶液之後蝕刻該圖案化表面；提供金屬層，以覆蓋經蝕刻之該圖案化表面；及從該可撓性基材移除在該等凹入特徵中之該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該可撓性基材之該等高原特徵上形成金屬圖案。
- 如請求項1之方法，其進一步包含在塗佈該液體溶液前處理該圖案化表面以在該圖案化表面上形成離型塗層。
- 如請求項1之方法，其中該液體層亦覆蓋該圖案化表面上的該等高原特徵。
- 如請求項1之方法，其中在該固化之後，固化產物殘餘物留在該等高原特徵上，該固化產物殘餘物具有在該等凹入特徵中之該固體層之厚度之至多½之乾燥厚度。
- 如請求項1之方法，其中移除該固體層進一步包含：將可固化樹脂披覆在該金屬層上，且固化該可固化樹脂以形成經固化樹脂層。
- 如請求項1之方法，其中該液體溶液包含聚(乙烯醇)(PVA)。
- 一種根據如請求項1至6中任一項之方法製造之裝置，該裝置包含：該可撓性基材；該金屬圖案，其僅設置在該等高原特徵之頂部表面上以在該可撓 性基材上形成網格形狀，其中該等高原特徵具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均高度。
- 一種形成金屬圖案之方法，該方法包含：提供圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入特徵及相鄰於該等凹部的一或多個高原特徵；以液體溶液塗佈該圖案化表面，以至少部分填充該等凹部；固化該液體溶液以在該等凹部中形成可釋離固體層；提供轉移層以黏附至該圖案化表面；從該圖案化表面移除該轉移層，以在該轉移層上形成圖案化構造，該固體層係從該圖案化表面轉移至該轉移層並形成該圖案化構造之一或多個高原特徵；在該轉移層之該圖案化構造上提供金屬層；及從該圖案構造移除該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該轉移層上形成金屬圖案。
- 如請求項8之方法，其進一步包含處理該圖案化表面以在該圖案化表面上形成離型塗層。
- 如請求項8之方法，其中該轉移層包含黏著劑層，該黏著劑層係施加至該圖案化表面上之可固化液體的固化產物。
- 如請求項8之方法，其中具有該金屬圖案於該圖案化表面上之該圖案化表面係以與該圖案化表面折射率匹配之材料回填。
- 一種根據如請求項8至11中任一項之方法製造之裝置，該裝置包含：該轉移層，其具有圖案化表面，該圖案化表面包括一或多個凹入及相鄰於該等凹部的一或多個突起特徵；及該金屬圖案，其僅設置在該等凹部中以形成網格形狀，其中該等凹部具有約50nm至約5微米之平均線寬度，及約50nm至約5微米之平均深度。
- 一種在可撓性基材上形成導電網格圖案的方法，該方法包含：提供圖案化表面，其包括凹部及高原特徵，該等高原特徵形成網格圖案；以液體溶液塗佈圖案化表面，以至少部分填充該等凹部；固化該液體溶液以形成可釋離固體層，其中該可釋離固體層在該等凹部中具有之厚度較在該等高原特徵上之厚度厚至少2倍、至少5倍、或至少10倍。
- 如請求項13之方法，其進一步包含提供金屬層以覆蓋該圖案化表面；及移除該等凹部中的該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該等高原特徵上形成網格金屬圖案。
- 如請求項14之方法，其進一步包含：提供轉移層以黏附至該圖案化表面；從該圖案化表面移除該轉移層，以在該轉移層上形成圖案化構造，該固體層係從該圖案化表面轉移至該轉移層並形成該圖案化構造之一或多個高原特徵；在該轉移層之該圖案化構造上提供金屬層；及從該圖案化構造移除該固體層連同該固體層上之該金屬層，以在該轉移層上形成網格金屬圖案。
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| US7591641B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold and process of production thereof |
| JP2006303454A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-11-02 | Canon Inc | ナノインプリント用モールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法 |
| JP2010503993A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-02-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | リフトオフ・パターニング向けの向上したエッチング技法 |
| JP2008311416A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属転写箔を用いた電磁波シールドメッシュの製造方法、及び電磁波シールドメッシュ |
| US8623140B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-01-07 | 3M Innovative Properties Company | System and method for making a film having a matte finish |
| EP2304078B1 (en) * | 2008-06-30 | 2015-04-15 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming a microstructure |
| JP5788807B2 (ja) | 2008-12-30 | 2015-10-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ナノ構造化表面を製造する方法 |
| JP5464574B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-04-09 | 日本写真印刷株式会社 | 透明導電性シートとその製造方法、加飾成形品 |
| JP2010266734A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 複合光学フィルタの製造方法 |
| JP4626721B1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置 |
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| JP5977260B2 (ja) * | 2011-02-02 | 2016-08-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 暗い多層導電体トレースを有するパターン化基材 |
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| CN103764385B (zh) * | 2012-06-13 | 2016-02-17 | 旭化成电子材料株式会社 | 功能转印体、功能层的转印方法、封装物以及功能转印膜辊 |
| US20150217532A1 (en) * | 2012-09-13 | 2015-08-06 | Toray Industries, Inc. | Method of manufacturing a laminate provided with a concave-convex structure and transfer film |
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