TW202004383A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202004383A
TW202004383A TW108117293A TW108117293A TW202004383A TW 202004383 A TW202004383 A TW 202004383A TW 108117293 A TW108117293 A TW 108117293A TW 108117293 A TW108117293 A TW 108117293A TW 202004383 A TW202004383 A TW 202004383A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
change
temperature
heater
substrate processing
Prior art date
Application number
TW108117293A
Other languages
English (en)
Inventor
山田和人
遠藤宏紀
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202004383A publication Critical patent/TW202004383A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Abstract

本發明之課題在於提供一種適當地判定是否產生與基板之溫度有關之異常的技術。 本發明之基板處理方法包括：對施加至處理晶圓之基板處理裝置中設置之零件之電壓的變化及該零件中流動之電流進行測定；參照將複數個電阻值與複數個溫度建立對應關係之轉換表，根據基於該測定之電壓與電流算出之電阻值之變化算出該零件之溫度；基於該測定之電壓之變化判定是否產生與該晶圓之溫度相關之異常；及於判定出產生與該晶圓之溫度相關之異常時，停止處理該晶圓。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理裝置。
已知有於半導體晶圓之電漿蝕刻中，當產生與半導體晶圓之溫度相關之異常時停止電漿蝕刻之製程之互鎖技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2006-283173號公報 專利文獻2：日本專利特開2017-228230號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種適當地判定是否產生與基板之溫度有關之異常的技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之基板處理方法包括：對施加至處理基板之基板處理裝置中設置之零件之電壓的變化及上述零件中流動之電流進行測定；參照將複數個電阻值與複數個溫度建立對應關係之轉換表，根據基於上述電壓與上述電流算出之電阻值之變化算出上述零件之溫度；基於上述電壓之變化判定是否產生與上述基板之溫度有關之異常；及於判定出產生上述異常時，停止處理上述基板。 [發明之效果]
根據本發明，能夠適當地判定是否產生與基板之溫度有關之異常。
以下基於圖式，針對所揭示之基板處理方法及基板處理裝置之實施例進行詳細地說明。再者，並不限定於藉由以下之實施例所揭示之技術。又，各實施例能夠於不使處理內容矛盾之範圍內適當組合。 [基板處理裝置10之構成] 圖1係表示基板處理裝置10之一例之縱剖視圖。基板處理裝置10如圖1所示，具備腔室1、排氣裝置2及閘閥3。腔室1由鋁形成，形成為大致圓筒狀。腔室1之表面由陽極氧化被膜被覆。腔室1之內部形成有處理空間5。腔室1將處理空間5與外部之氣體隔離。腔室1中形成有排氣口6與開口部7。排氣口6形成於腔室1之底部。開口部7形成於腔室1之側壁。排氣裝置2經由排氣口6而與腔室1之處理空間5連接。排氣裝置2經由排氣口6自處理空間5排出氣體，將處理空間5減壓至特定之真空程度。閘閥3打開開口部7或關閉開口部7。
[載置台11之構成] 基板處理裝置10進而具備載置台11。載置台11配置於處理空間5中之下部。載置台11具備絕緣板14、支持台15、基材16、靜電吸盤17、內壁構件18及聚焦環19。絕緣板14由絕緣體形成，由腔室1之底部支持。支持台15由導體形成。支持台15配置於絕緣板14之上，為使支持台15與腔室1電性地絕緣而經由絕緣板14支持於腔室1之底部。
基材16由例示為鋁之導體形成。基材16配置於支持台15之上，經由支持台15支持於腔室1之底部。靜電吸盤17配置於基材16之上，經由基材16支持於腔室1之底部。靜電吸盤17具備靜電吸盤本體21、電極22及複數個加熱器23-1～23-n(n＝2、3、4、…)。靜電吸盤本體21由絕緣體形成。電極22與複數個加熱器23-1～23-n埋設於靜電吸盤本體21之內部。
內壁構件18由例示為石英之絕緣體形成，形成為圓筒狀。內壁構件18以基材16與支持台15配置於內壁構件18之內側之方式配置於基材16與支持台15之周圍，包圍著基材16與支持台15。聚焦環19由單晶矽形成，形成為環狀。聚焦環19以靜電吸盤17配置於聚焦環19之內部之方式配置於靜電吸盤17之外周，包圍著靜電吸盤17。載置台11中進而形成有冷媒循環流路25與傳熱氣體供給流路26。冷媒循環流路25形成於基材16之內部。傳熱氣體供給流路26以貫通靜電吸盤17之方式形成，傳熱氣體供給流路26之一端形成於靜電吸盤17之上表面。
基板處理裝置10進而具備直流電源31、複數個電力供給部32-1～32-n、冷卻器單元33及傳熱氣體供給部34。直流電源31與靜電吸盤17之電極22電性連接。直流電源31向電極22施加直流電壓。複數個電力供給部32-1～32-n與複數個加熱器23-1～23-n對應。冷卻器單元33與冷媒循環流路25連接。冷卻器單元33將冷媒冷卻至特定之溫度，使該冷卻之冷媒於基材16之內部之冷媒循環流路25循環。傳熱氣體供給部34與傳熱氣體供給流路26連接。傳熱氣體供給部34將例示為He氣之傳熱氣體供給至傳熱氣體供給流路26。
基板處理裝置10進而具備第1高頻電源35與第2高頻電源36。第1高頻電源35經由第1整合器37而與基材16連接。第2高頻電源36經由第2整合器38而與基材16連接。第1高頻電源35將特定之頻率(例如100 MHz)之高頻電力供給至基材16。第2高頻電源36將較第1高頻電源35供給至基材16之高頻電力之頻率低的頻率(例如13 MHz)之高頻電力供給至基材16。
[簇射頭41之構成] 基板處理裝置10進而具備簇射頭41。簇射頭41以簇射頭41之下表面與載置台11對向之方式，且以沿簇射頭41之下表面之平面相對於沿載置台11之上表面之平面大致平行之方式，配置於處理空間5中之載置台11之上方。簇射頭41具備絕緣性構件42、本體部43及上部頂板44。絕緣性構件42由絕緣體形成，支持於腔室1之上部。本體部43例如由例示為表面實施過陽極氧化處理之鋁之導體形成。本體部43為使本體部43與腔室1電性地絕緣，而經由絕緣性構件42支持於腔室1。本體部43與基材16作為一對上部電極與下部電極使用。上部頂板44由例示為石英之含矽物質形成。上部頂板44配置於本體部43之下部，且相對於本體部43裝卸自由地支持於本體部43。
本體部43中形成有氣體擴散室45、氣體導入口46及複數個氣體輸出口47。氣體擴散室45形成於本體部43之內部。氣體導入口46於本體部43中之較氣體擴散室45上側形成，與氣體擴散室45連通。複數個氣體輸出口47於本體部43中之較氣體擴散室45之上部頂板44之側形成，與氣體擴散室45連通。上部頂板44中形成有複數個氣體導入口48。複數個氣體導入口48以貫通上部頂板44之上表面與下表面之方式形成，分別與複數個氣體輸出口47連通。
基板處理裝置10進而具備處理氣體供給源51、閥52及質量流量控制器53(MFC)。處理氣體供給源51經由配管54而與簇射頭41之本體部43之氣體導入口46連接。質量流量控制器53設置於配管54之途中。閥52設置於配管54中之質量流量控制器53與氣體導入口46之間。閥52藉由開閉，將處理氣體自處理氣體供給源51供給至氣體導入口46，或阻斷處理氣體自處理氣體供給源51供給至氣體導入口46。
基板處理裝置10進而具備可變直流電源55、低通濾波器56(LPF)及開關57。可變直流電源55經由電路58而與簇射頭41之本體部43電性連接。低通濾波器56與開關57設置於電路58之途中。開關57藉由開閉，將直流電壓施加至簇射頭41，或阻斷直流電壓施加至簇射頭41。
基板處理裝置10進而具備環狀磁鐵61。環狀磁鐵61由永久磁鐵形成，形成為環狀。環狀磁鐵61以腔室1配置於環狀磁鐵61之內側之方式配置為與腔室1呈同心圓狀。環狀磁鐵61經由未圖示之旋轉機構旋轉自由地支持於腔室1。環狀磁鐵61於處理空間5中之簇射頭41與載置台11之間之區域形成磁場。
基板處理裝置10進而具備積存物遮罩62、積存物遮罩63及導電性構件64。積存物遮罩62以覆蓋腔室1之內壁面之方式配置，相對於腔室1裝卸自由地支持於腔室1。積存物遮罩62防止腔室1之內壁面附著蝕刻副產物(積存物)。積存物遮罩63以覆蓋內壁構件18之外周面之方式配置。積存物遮罩63防止內壁構件18之外周面附著蝕刻副產物。導電性構件64以導電性構件64配置之高度與靜電吸盤17所載置之晶圓65配置之高度大致相同之方式配置於處理空間5，由積存物遮罩62支持。導電性構件64由導體形成，與接地電性連接。導電性構件64抑制腔室1內之異常放電。
[靜電吸盤17] 圖2係表示靜電吸盤17之一例之俯視圖。靜電吸盤17之上表面分割為複數個分割區域66-1～66-n，由複數個分割區域66-1～66-n填充。例如，複數個分割區域66-1～66-n中之1個分割區域66-1以與靜電吸盤17之邊緣相接之方式配置。再者，複數個分割區域66-1～66-n之形狀不限定於圖2所示之例。複數個加熱器23-1～23-n與複數個分割區域66-1～66-n對應。複數個加熱器23-1～23-n中之與1個分割區域66-1對應之1個加熱器23-1埋設於靜電吸盤17之靜電吸盤本體21中之分割區域66-1之附近。加熱器23-1藉由被供給交流電而以分割區域66-1為中心加熱靜電吸盤17。複數個加熱器23-1～23-n中之與加熱器23-1不同之其他加熱器亦與加熱器23-1同樣地，於供給交流電時，以複數個分割區域66-1～66-n中之與該加熱器對應之分割區域為中心加熱靜電吸盤17。
[複數個電力供給部32-1～32-n之構成] 複數個電力供給部32-1～32-n與複數個加熱器23-1～23-n對應。圖3係表示複數個電力供給部32-1～32-n中之與1個加熱器23-1對應之1個電力供給部32-1之一例的電路圖。電力供給部32-1具備開關71、電壓計72及電流計73。開關71設置於連接交流電源74與加熱器23-1之加熱器電力供給用電路75之途中。交流電源74設置於設置基板處理裝置10之工廠，向基板處理裝置10供給交流電，並且亦向與基板處理裝置10不同之其他機器供給交流電。開關71藉由關閉而將電力自交流電源74供給至加熱器23-1，藉由打開而阻斷電力自交流電源74供給至加熱器23-1。電壓計72測定施加至加熱器23-1之電壓。
電流計73具備分路電阻器76與電壓計77。分路電阻器76設置於加熱器電力供給用電路75之途中。作為分路電阻器76之電阻值，例示10 mΩ。電壓計77測定施加至分路電阻器76之電壓。電流計73基於藉由電壓計77測定之電壓，測定流經加熱器23-1之電流之瞬時值。複數個電力供給部32-1～32-n中之其他電力供給部亦與電力供給部32-1同樣地，將交流電自交流電源74供給至與電力供給部對應之加熱器，測定施加至該加熱器之電壓，測定該加熱器中流動之電流。
[控制裝置80之構成] 基板處理裝置10如圖4所示，進而具備控制裝置80。圖4係表示控制裝置80之一例之圖。控制裝置80藉由電腦90實現。電腦90具備CPU(Central Processing Unit，中央處理器)91、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)92及ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)93。CPU 91基於電腦90中安裝之程式而動作，控制電腦90之各部分，控制基板處理裝置10。ROM 93記錄電腦90啟動時藉由CPU 91執行之啟動程式或依存於電腦90之硬體之程式。
電腦90進而具備輔助記憶裝置94、通信I/F 95、輸入輸出I/F 96及媒體I/F 97。輔助記憶裝置94記錄藉由CPU 91執行之程式與由該程式使用之資料。作為輔助記憶裝置94，例示HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)。CPU 91將該程式自輔助記憶裝置94讀出並載入至RAM 92，執行該載入之程式。
通信I/F 95經由LAN(Local Area Network，區域網路)所例示之通訊線路，與基板處理裝置10之間進行通信。通信I/F 95經由通訊線路將自基板處理裝置10接收之資訊送向CPU 91，將CPU 91產生之資料經由通訊線路發送至基板處理裝置10。
電腦90進而具備例示為鍵盤之輸入裝置及例示為顯示器之輸出裝置。CPU 91經由輸入輸出I/F 96，控制輸入裝置與輸出裝置。輸入輸出I/F 96將經由輸入裝置輸入之信號發送至CPU 91，將藉由CPU 91產生之資料輸出至輸出裝置。
媒體I/F 97讀取非暫時之有形之記錄媒體98所記錄之程式或資料。作為記錄媒體98，例示光學記錄媒體、磁光記錄媒體、磁帶媒體、磁性記錄媒體或半導體記憶體。作為光學記錄媒體，例示DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)、PD(Phase change rewritable Disk，相變可重寫磁碟)。作為磁光記錄媒體，例示MO(Magneto-Optical disk，磁光碟)。
CPU 91將經由媒體I/F 97自記錄媒體98讀取之程式記錄於輔助記憶裝置94，作為其他例，亦可將經由通訊線路自其他裝置取得之程式記錄於輔助記憶裝置94。
圖5係表示自交流電源74輸出之交流電壓之波形101之一例，表示加熱器23-1中流動之電流之波形102之一例之圖。交流電壓之波形101表示沿正弦曲線，交流電源74輸出特定頻率(例如50 Hz)之交流電壓。電流之波形102表示在交流電壓為負之所有期間電力不自交流電源74供給至加熱器23-1。電流之波形102進而表示在交流電壓為正之複數個期間中之特定之複數個通電期間103電力自交流電源74供給至加熱器23-1。
即，控制裝置80於交流電源74輸出之交流電壓為負時，為不向加熱器23-1施加交流電壓，而打開電力供給部32-1之開關71。控制裝置80進而以在複數個通電期間103相對於交流電壓為正之複數個期間之比率等於特定之比率的方式設定複數個通電期間103。控制裝置80進而為使在複數個通電期間103向加熱器23-1施加交流電壓而關閉電力供給部32-1之開關71。
控制裝置80如圖6所示，將複數個轉換表111-1～111-n記錄於輔助記憶裝置94。圖6係表示複數個轉換表111-1～111-n之一例之圖。複數個轉換表111-1～111-n與複數個加熱器23-1～23-n對應。複數個轉換表111-1～111-n中之與加熱器23-1對應之轉換表111-1將複數個溫度112與複數個電阻值113建立對應關係。作為複數個溫度112，例示以10℃間隔自20℃至120℃設定之11組設定溫度。複數個電阻值113中之與某溫度對應之電阻值於加熱器23-1之溫度等於該溫度時，等於加熱器23-1之電阻值。複數個轉換表111-1～111-n中之與不同於加熱器23-1之其他加熱器對應之其他轉換表亦與轉換表111-1同樣地，將該對應之加熱器之溫度與該加熱器之電阻值建立對應關係。
控制裝置80進而將與複數個加熱器23-1～23-n對應之複數個目標溫度記錄於輔助記憶裝置94。控制裝置80於向加熱器23-1供給交流電時，以對在與複數個通電期間103對應之複數個中間時點施加至加熱器23-1之電壓之瞬時值進行測定的方式，控制電力供給部32-1之電壓計72。複數個中間時點中之與某通電期間對應之中間時點係施加至加熱器23-1之電壓表示極大值之時點。即，自該通電期間之開始時刻至中間時點為止之時間約等於自中間時點至該通電期間之結束時刻為止之時間。控制裝置80進而以對複數個中間時點加熱器23-1中流動之電流之瞬時值進行測定的方式，控制電力供給部32-1之電流計73。控制裝置80基於藉由電壓計72測定之電壓之瞬時值與藉由電流計73測定之電流之瞬時值，算出加熱器23-1之電阻值。加熱器23-1之電阻值等於將藉由電壓計72測定之電壓之瞬時值除以藉由電流計73測定之電流之瞬時值所得之值。
控制裝置80參照轉換表111-1，基於加熱器23-1之電阻值算出加熱器23-1之溫度。加熱器23-1之溫度於加熱器23-1之電阻值等於複數個電阻值113中之1個電阻值時，等於複數個溫度112中之與該1個電阻值對應之溫度。控制裝置80於該算出之加熱器23-1之溫度較複數個目標溫度中之與加熱器23-1對應之目標溫度小時，以使在複數個通電期間103相對於交流電壓為正之複數個期間之比率變大的方式，改變複數個通電期間103。控制裝置80於該算出之加熱器23-1之溫度較目標溫度大時，以使在複數個通電期間103相對於交流電壓為正之複數個期間之比率變小的方式，改變複數個通電期間103。控制裝置80以於該改變之複數個通電期間103將交流電自交流電源74供給至加熱器23-1之方式，打開及關閉電力供給部32-1之開關71。控制裝置80關於複數個加熱器23-1～23-n中之與加熱器23-1不同之加熱器，亦與加熱器23-1同樣地，基於複數個轉換表111-1～111-n與複數個目標溫度控制複數個電力供給部32-1～32-n。
[基板處理方法] 實施形態之基板處理方法使用基板處理裝置10執行，具備設置方法、電漿蝕刻方法與互鎖方法。
設置方法例如於基板處理裝置10設置於工廠時，或者於利用互鎖方法中途中斷電漿蝕刻方法之後執行。控制裝置80藉由控制冷卻器單元33，使冷卻至特定之溫度之冷媒於冷媒循環流路25循環，冷卻靜電吸盤17。控制裝置80進而藉由打開及關閉複數個電力供給部32-1～32-n之開關71，將參考交流電壓自交流電源74分別供給至複數個加熱器23-1～23-n，加熱靜電吸盤17。使用者於冷卻及加熱靜電吸盤17時，使用未圖示之溫度感測器分別測定靜電吸盤17之複數個分割區域66-1～66-n之溫度，藉此分別測定複數個加熱器23-1～23-n之溫度。作為溫度感測器，例示基於自靜電吸盤17之上表面放射之紅外線之放射量之分佈分別測定複數個分割區域66-1～66-n之溫度之紅外線相機。
控制裝置80於測定加熱器23-1之溫度時，控制電力供給部32-1之電壓計72與電流計73，藉此測定施加至加熱器23-1之參考電壓，測定加熱器23-1中流動之參考電流。控制裝置80算出加熱器23-1之溫度變得等於特定之溫度之時點的加熱器23-1之電阻值。該電阻值等於將該時點藉由電壓計72測定之參考電壓之瞬時值除以該時點藉由電流計73測定之參考電流之瞬時值所得之值。控制裝置80每當加熱器23-1之溫度變得等於複數個溫度112時算出加熱器23-1之電阻值，藉此算出與複數個溫度112對應之複數個電阻值113，製作轉換表111-1。
控制裝置80關於複數個加熱器23-1～23-n中之其他加熱器，亦算出與複數個溫度112對應之複數個電阻值113，製作複數個轉換表111-1～111-n中之與該加熱器對應之轉換表。控制裝置80將以此方式製作之複數個轉換表111-1～111-n記錄於輔助記憶裝置94。
設置方法中，控制裝置80進而算出與複數個加熱器23-1～23-n對應之複數個參考後半電壓比率。即，控制裝置80藉由於向加熱器23-1供給參考交流電之複數個通電期間103控制電壓計72，而於每個特定之取樣週期測定施加至加熱器23-1之參考電壓之瞬時值。作為取樣週期，例示100 μ秒。
圖7係表示複數個通電期間103中之1個通電期間121施加至加熱器23-1之參考電壓之變化122之一例的曲線圖。參考電壓之變化122大致沿與正弦曲線中之0度～180度對應之一半波長之曲線。1個通電期間121由前半期間123與後半期間124形成。前半期間123表示自1個通電期間121開始之時刻至特定之時點125為止之期間。時點125表示自1個通電期間121開始之時刻經過1個通電期間121之長度之3/4之時間後之時點。後半期間124表示自時點125至1個通電期間121結束之時刻為止之期間。即，後半期間124之長度等於1個通電期間121之長度之1/4。
控制裝置80基於藉由電力供給部32-1之電壓計72測定之複數個瞬時值，算出複數個參考後半電壓比率中之與加熱器23-1對應之1個參考後半電壓比率。參考後半電壓比率等於將後半參考電壓有效值除以整體參考電壓有效值所得之值。整體參考電壓有效值表示1個通電期間121施加至加熱器23-1之參考電壓之有效值，等於1個通電期間121藉由電壓計72測定之複數個瞬時值之平方之平均平方根。後半參考電壓有效值表示後半期間124施加至加熱器23-1之參考電壓之有效值，表示自整體參考電壓有效值減去前半參考電壓有效值所得之值。前半參考電壓有效值表示前半期間123施加至加熱器23-1之參考電壓之有效值，等於前半期間123藉由電壓計72測定之複數個瞬時值之平方之平均平方根。例如，參考後半電壓比率於參考電壓之變化122大致沿正弦曲線時表示30.9%～32%。
控制裝置80和與加熱器23-1對應之參考後半電壓比率同樣地，算出與複數個加熱器23-1～23-n對應之複數個參考後半電壓比率。控制裝置80將以此方式算出之複數個參考後半電壓比率記錄於輔助記憶裝置94。
[電漿蝕刻方法] 電漿蝕刻方法於執行設置方法之後執行。電漿蝕刻方法中，首先，控制裝置80藉由控制閘閥3而打開開口部7。成為被處理體之晶圓65於打開開口部7時，經由開口部7被搬入至腔室1之處理空間5，載置於載置台11。控制裝置80於晶圓65載置於載置台11之後，藉由控制直流電源31，將直流電壓施加至電極22，藉由庫倫力使晶圓65保持於靜電吸盤17。控制裝置80於晶圓65保持於載置台11之後，藉由控制閘閥3，關閉開口部7。
控制裝置80於關閉開口部7時，藉由控制排氣裝置2，以處理空間5之氛圍成為特定之真空度之方式抽真空。控制裝置80進而藉由控制閥52，將特定量之處理氣體自處理氣體供給源51供給至氣體導入口46。自處理氣體供給源51供給至氣體導入口46之處理氣體供給至氣體擴散室45之後，經由複數個氣體輸出口47與複數個氣體導入口48以簇射狀供給至腔室1之處理空間5。
控制裝置80於晶圓65保持於靜電吸盤17時，藉由控制傳熱氣體供給部34，而將傳熱氣體供給至傳熱氣體供給流路26，將傳熱氣體供給至靜電吸盤17與晶圓65之間。控制裝置80進而藉由控制冷卻器單元33，而使已冷卻至特定之溫度之冷媒於冷媒循環流路25循環，將靜電吸盤17冷卻。
控制裝置80於晶圓65保持於靜電吸盤17時，進而藉由打開及關閉電力供給部32-1之開關71，於複數個通電期間103將交流電自交流電源74供給至加熱器23-1。控制裝置80進而藉由控制電力供給部32-1之電壓計72，測定於複數個通電期間103之每個中間時點施加至加熱器23-1之電壓之瞬時值。控制裝置80進而藉由控制電力供給部32-1之電流計73，而測定每個中間時點加熱器23-1中流動之電流的瞬時值。
控制裝置80基於該測定之電流之瞬時值與電壓之瞬時值算出加熱器23-1之電阻值。控制裝置80參照轉換表111-1，基於該算出之電阻值算出加熱器23-1之溫度。控制裝置80於該算出之溫度較複數個目標溫度中之與加熱器23-1對應之目標溫度小時，以複數個通電期間103相對於交流電壓為正之複數個期間之比率變大之方式改變複數個通電期間103。控制裝置80於該算出之溫度較目標溫度大時，以複數個通電期間103相對於交流電壓為正之複數個期間之比率變小之方式改變複數個通電期間103。控制裝置80藉由打開及關閉電力供給部32-1之開關71，而於該改變之複數個通電期間103將交流電自交流電源74供給至加熱器23-1。
控制裝置80藉由以此方式改變複數個通電期間103之比率，而能夠以加熱器23-1之溫度成為目標溫度之方式調整加熱器23-1之溫度。控制裝置80關於複數個加熱器23-1～23-n中之與加熱器23-1不同之其他加熱器，亦與加熱器23-1同樣地，能夠以複數個加熱器23-1～23-n之溫度分別成為複數個目標溫度之方式調整。此時，晶圓65經由供給至靜電吸盤17與晶圓65之間之傳熱氣體，自靜電吸盤17傳熱至晶圓65，藉此以晶圓65之溫度成為特定之溫度之方式調整。
控制裝置80於晶圓65之溫度調整為特定之溫度時，藉由控制第1高頻電源35與第2高頻電源36，而將高頻電力供給至載置台11之基材16。處理空間5中之載置台11與簇射頭41之間之區域中，藉由將高頻電力供給至載置台11之基材16而產生電漿。控制裝置80藉由控制可變直流電源55與開關57，而將特定大小之直流電壓自可變直流電源55施加至簇射頭41。此時，晶圓65藉由處理空間5中產生之電漿而蝕刻。
控制裝置80於晶圓65適當地被蝕刻後，藉由控制第1高頻電源35與第2高頻電源36，停止向載置台11之基材16供給高頻電力。控制裝置80進而藉由控制可變直流電源55與開關57，而不向簇射頭41施加直流電壓。控制裝置80進而藉由控制閘閥3而打開開口部7。控制裝置80進而藉由控制直流電源31，而解除晶圓65保持於靜電吸盤17。晶圓65於未保持於靜電吸盤17之情形時，於打開開口部7時，經由開口部7自腔室1之處理空間5搬出。根據此種電漿蝕刻方法，晶圓65之溫度得以適當地調整為特定之溫度，晶圓65能夠得以適當地蝕刻。
[互鎖方法] 互鎖方法與電漿蝕刻方法並行地執行，即，於執行電漿蝕刻方法時執行。控制裝置80首先藉由控制電力供給部32-1之電壓計72，而以特定之取樣週期測定施加至加熱器23-1之電壓之瞬時值。控制裝置80與參考後半電壓比率同樣地，基於1個通電期間121中測定出之複數個瞬時值算出後半電壓比率。後半電壓比率等於將後半電壓有效值除以整體電壓有效值所得之值。整體電壓有效值表示1個通電期間121中施加至加熱器23-1之電壓之有效值，等於1個通電期間121中藉由電壓計72測定出之複數個瞬時值之平方之平均平方根。後半電壓有效值表示後半期間124中施加至加熱器23-1之電壓之有效值，表示自整體電壓有效值減去前半電壓有效值所得之值。前半電壓有效值表示前半期間123中施加至加熱器23-1之電壓之有效值，等於前半期間123中藉由電壓計72測定之複數個瞬時值之平方之平均平方根。
控制裝置80將該算出之後半電壓比率與利用設置方法算出之複數個參考後半電壓比率中之與加熱器23-1對應之參考後半電壓比率進行比較。控制裝置80於自該後半電壓比率減去參考後半電壓比率所得之值較特定之閾值(例如5%)大時，藉由控制複數個電力供給部32-1～32-n，而阻斷向複數個加熱器23-1～23-n供給電力。控制裝置80於自該後半電壓比率減去參考後半電壓比率所得之值較特定之閾值大時，進而藉由控制基板處理裝置10，而中斷電漿蝕刻方法。
控制裝置80與加熱器23-1之後半電壓比率同樣地，算出與複數個加熱器23-1～23-n對應之複數個後半電壓比率。控制裝置80於與加熱器23-1不同之加熱器之後半電壓比率與參考後半電壓比率之差較特定之閾值大之情形時，亦與加熱器23-1之情形同樣地，阻斷複數個加熱器23-1～23-n之電力供給，中斷電漿蝕刻方法。
圖8係表示電源波形變動試驗中與複數個樣本交流電壓對應之複數個溫度之一例的曲線圖。電源波形變動試驗中，已述之基板處理裝置10之交流電源74置換為可程式電源。可程式電源能夠輸出波形互相不同之複數個樣本交流電壓。圖8之曲線圖係將複數個樣本交流電壓與複數個溫度建立對應關係。複數個溫度中之與某樣本交流電壓對應之溫度表示以使用該樣本交流電壓使得加熱器23-1之溫度成為60℃之方式控制電力供給部32-1時的加熱器23-1之溫度。複數個樣本交流電壓包含第1樣本交流電壓～第15樣本交流電壓。
圖9係表示第1樣本交流電壓之波形之一例之圖。複數個樣本交流電壓中之第1樣本交流電壓如圖9所示，表示電壓變化沿正弦曲線之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第2樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中之於與60度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第3樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中之於與70度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第4樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中之於與80度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。
圖10係表示第5樣本交流電壓之波形之一例之圖。複數個樣本交流電壓中之第5樣本交流電壓如圖10所示，表示第1樣本交流電壓中之於與90度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第6樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中之於與100度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第7樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中之於與110度對應之時點電壓瞬間地降低至75%之交流電壓。
複數個樣本交流電壓中之第8樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之3%之7次諧波之交流電壓。圖11係表示第9樣本交流電壓之波形之一例之圖。複數個樣本交流電壓中之第9樣本交流電壓如圖11所示，表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之9次諧波之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第10樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之11次諧波之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第11樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之13次諧波之交流電壓。
複數個樣本交流電壓中之第12樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之15次諧波之交流電壓。複數個樣本交流電壓中之第13樣本交流電壓表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之17次諧波之交流電壓。圖12係表示第14樣本交流電壓之波形之一例之圖。複數個樣本交流電壓中之第14樣本交流電壓如圖12所示，表示第1樣本交流電壓中重疊有第1樣本交流電壓之5%之19次諧波之交流電壓。圖13係表示第15樣本交流電壓之波形之一例之圖。複數個樣本交流電壓中之第15樣本交流電壓如圖13所示，表示第1樣本交流電壓中重疊第1樣本交流電壓之10%之3次諧波之交流電壓。此時，第1樣本交流電壓～第15樣本交流電壓電壓係有效值互相大致相等。
圖8之曲線圖表示複數個溫度中之與第1樣本交流電壓～第14樣本交流電壓對應之溫度包含於特定之溫度範圍131。圖8之曲線圖進而表示複數個溫度中之與第15樣本交流電壓對應之溫度不包含於特定之溫度範圍131。溫度範圍131表示較複數個溫度中之與第1樣本交流電壓對應之溫度低0.25℃之溫度至較複數個溫度中之與第1樣本交流電壓對應之溫度高0.25℃之溫度為止的範圍。即，圖8之曲線圖表示於第1樣本交流電壓～第14樣本交流電壓之任一者自交流電源74輸出之情形時，控制裝置80能夠適當地對加熱器23-1進行溫度調整。圖8之曲線圖進而表示於自交流電源74輸出之交流電壓自第1樣本交流電壓～第14樣本交流電壓變化為第15樣本交流電壓之情形時，控制裝置80未適當地對加熱器23-1進行溫度調整。
將複數個樣本交流電壓之各者施加至加熱器23-1時之加熱器23-1之溫度變化能夠藉由使用數學模型之模擬而算出。圖14係表示第1樣本交流電壓中之一半波長被施加至加熱器23-1時之加熱器23-1之電阻值之變化之一例的曲線圖。圖14之曲線圖之曲線133表示第1樣本交流電壓之變化。曲線134表示加熱器23-1之電阻值之變化。圖14之曲線圖表示第1樣本交流電壓中之一半波長被施加至加熱器23-1時，供給至加熱器23-1之電力之變化直至加熱器23-1之電阻值之變化為止產生一次延遲。即，圖14之曲線圖表示施加至加熱器23-1之電壓之變化直至加熱器23-1之溫度之變化為止產生一次延遲。
圖15係表示第15樣本交流電壓中之一半波長被施加至加熱器23-1時之加熱器23-1之電阻值之變化之一例的曲線圖。圖15之曲線圖之曲線136表示第15樣本交流電壓之變化。曲線137表示加熱器23-1之電阻值之變化。圖15之曲線圖與圖14同樣地，表示施加至加熱器23-1之電壓之變化直至加熱器23-1之溫度之變化為止產生一次延遲。圖14之曲線圖與圖15之曲線圖表示第15樣本交流電壓施加結束之時點之加熱器23-1之溫度較第1樣本交流電壓之施加結束之時點之加熱器23-1之溫度高。即，圖14之曲線圖與圖15之曲線圖表示即使於施加至加熱器23-1之電壓之有效值相等之情形時，施加至加熱器23-1之電壓之波形不同時，加熱器23-1之溫度亦不同。
圖16係表示與複數個樣本交流電壓對應之複數個後半電壓比率之一例的曲線圖。圖16之曲線圖表示第1樣本交流電壓～第14樣本交流電壓之後半電壓比率包含於特定之範圍內，表示第1樣本交流電壓～第14樣本交流電壓之後半電壓比率較特定之閾值139(例如37%)小。圖16之曲線圖進而表示第15樣本交流電壓之後半電壓比率較特定之閾值139大，第15樣本交流電壓之後半電壓比率不包含於特定之範圍內。
圖8之曲線圖與圖16之曲線圖表示於與較特定之閾值139小之後半電壓比率對應之樣本交流電壓自交流電源74輸出時，藉由控制裝置80得以溫度調整之加熱器23-1之溫度包含於特定之溫度範圍131。圖8之曲線圖與圖16之曲線圖表示於與較特定之閾值139大之後半電壓比率對應之樣本交流電壓自交流電源74輸出時，藉由控制裝置80得以溫度調整之加熱器23-1之溫度不包含於特定之溫度範圍131。即，圖8之曲線圖與圖16之曲線圖表示於與較特定之閾值139小之後半電壓比率對應之樣本交流電壓自交流電源74輸出時，控制裝置80能夠適當地對加熱器23-1進行溫度調整。圖8之曲線圖與圖16之曲線圖進而表示於與較特定之閾值139大之後半電壓比率對應之樣本交流電壓自交流電源74輸出時，加熱器23-1未適當地得到溫度調整，溫度產生異常。
因此，基板處理方法能夠藉由算出後半電壓比率，而判定溫度是否得以適當地調整。基板處理方法能夠藉由判定溫度是否得以適當地調整，而適當地對電漿蝕刻處理進行互鎖處理，降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
實施形態之基板處理方法包括：測定施加至加熱器23-1之電壓之變化，基於該電壓之變化判定是否產生與晶圓65之溫度有關之異常。基板處理方法包括：判定為產生該異常時，停止處理晶圓65。加熱器23-1之溫度於施加至加熱器23-1之電壓之波形與參考電壓之波形不同時，相對於目標溫度之誤差變大。此種基板處理方法能夠基於施加至加熱器23-1之電壓之變化判定溫度是否得以適當地調整，藉此適當地判定晶圓65之溫度之異常。基板處理方法能夠藉由判定溫度是否適當地得以調整而降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
又，實施形態之基板處理方法包括：測定流經加熱器23-1之電流；參照轉換表111-1，根據基於電壓與電流算出之加熱器23-1之電阻值算出加熱器23-1之溫度。此處，轉換表111-1將複數個電阻值113與複數個溫度112建立對應關係。基板處理方法進而包括：基於該算出之溫度控制自交流電源74向加熱器23-1供給電力、或阻斷自交流電源74向加熱器23-1供給電力之開關71。此種基板處理方法能夠藉由基於施加至加熱晶圓65之加熱器23-1之電壓之變化判定溫度是否得以適當地調整，而適當地判定晶圓65之溫度之異常。
又，實施形態之基板處理方法包括：於參考電力供給至加熱器23-1之參考期間，測定施加至加熱器23-1之參考電壓之變化，測定加熱器23-1中流動之參考電流之變化。基板處理方法進而包括：於參考期間測定加熱器23-1之溫度之變化；基於參考電壓之變化、參考電流之變化與加熱器23-1之溫度之變化製作轉換表111-1。此時，是否產生異常進而基於參考電壓之變化判定。此種基板處理方法能夠使製作用於加熱器23-1之溫度調整之轉換表111-1時所使用之參考電壓的變化用於溫度異常之產生之判定，藉此適當地判定晶圓65之溫度之異常。
又，於實施形態之基板處理方法中，是否產生異常基於將後半電壓有效值除以整體電壓有效值所得之後半電壓比率而判定。此時，整體電壓有效值表示向加熱器23-1供給電力之通電期間121內施加至加熱器23-1之電壓的有效值。後半電壓有效值表示自通電期間121中之1個時點125至通電期間121之最後為止之後半期間124中施加至加熱器23-1之電壓之有效值。此種基板處理方法能夠藉由使後半電壓比率用於溫度調整之異常之產生之判定，而適當地判定晶圓65之溫度之異常。
又，於實施形態之基板處理方法中，後半期間124之長度等於通電期間121之長度之1/4。此時，後半電壓比率適用於是否產生異常之判定，基板處理方法能夠判定溫度是否得以適當地調整，能夠降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
又，實施形態之基板處理方法包括：基於通電期間121所測定之電壓之變化算出整體電壓有效值，基於前半期間123所測定之電壓之變化算出前半電壓有效值。基板處理方法進而包括：藉由自整體電壓有效值減去前半電壓有效值而算出後半電壓有效值。通電期間121之最後與通電期間121之最初及時點125比較，不易適當地判定，因此，後半電壓有效值存在基於後半期間124中所測定之電壓算出時誤差大之情況。此種基板處理方法藉由後半電壓有效值根據前半電壓有效值與整體電壓有效值算出，而能夠適當地算出後半電壓比率。基板處理方法能夠藉由適當地算出後半電壓比率，而判定溫度是否得以適當地調整，並降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
且說，已述之基板處理方法中，後半電壓有效值係藉由自整體電壓有效值減去前半電壓有效值而算出，但亦可基於在前半期間123藉由電壓計72測定出之電壓而算出。於該情形時，基板處理方法亦能夠判定溫度是否得以適當地調整，能夠降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
且說，已述之基板處理方法中，後半期間124之長度等於通電期間121之長度之1/4，但後半期間124之長度亦可與通電期間121之長度之1/4不同。例如，後半期間124之長度可等於通電期間121之長度之1/5。於該情形時，基板處理方法亦能夠判定溫度是否得以適當地調整，能夠降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
且說，已述之基板處理方法中，基於施加至加熱器23-1之電壓之變化判定是否產生溫度之異常，但亦可基於與施加至與加熱器23-1不同之零件之電壓之變化判定溫度是否得以適當地調整。於該情形時，基板處理方法亦能夠判定溫度是否得以適當地調整，能夠降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
實施形態之基板處理裝置10具備：測定施加至加熱器23-1之電壓之變化之電壓計72，及基於該電壓之變化判定是否產生與晶圓65之溫度有關之異常之控制裝置80。控制裝置80進而以於判定出產生該異常時，停止處理晶圓65之方式，控制基板處理裝置10。此種基板處理裝置10能夠基於施加至加熱器23-1之電壓之變化而判定溫度是否得以適當地調整。基板處理裝置10能夠藉由判定溫度得以適當地調整，而降低溫度之異常對晶圓65造成之影響。
再者，已述之基板處理裝置10中，使用電漿蝕刻晶圓65，但作為該電漿，可使用各種各樣者。作為該電漿，例示CCP(Capacitively Coupled Plasma，電容耦合電漿)、ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)、Radial Line Slot Antenna(輻射線隙縫天線)、ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma，電子迴旋加速器共振電漿)、HWP(Helicon Wave Plasma，螺旋波電漿)。
1‧‧‧腔室 2‧‧‧排氣裝置 3‧‧‧閘閥 5‧‧‧處理空間 6‧‧‧排氣口 7‧‧‧開口部 10‧‧‧基板處理裝置 11‧‧‧載置台 14‧‧‧絕緣板 15‧‧‧支持台 16‧‧‧基材 17‧‧‧靜電吸盤 18‧‧‧內壁構件 19‧‧‧聚焦環 21‧‧‧吸盤本體 22‧‧‧電極 23-1~23-n‧‧‧複數個加熱器 25‧‧‧循環流路 26‧‧‧傳熱氣體供給流路 31‧‧‧直流電源 31-1~31-n‧‧‧複數個電力供給部 32-1～32-n‧‧‧複數個電力供給部 33‧‧‧冷卻器單元 34‧‧‧傳熱氣體供給部 35‧‧‧第1高頻電源 36‧‧‧第2高頻電源 37‧‧‧第1整合器 38‧‧‧第2整合器 41‧‧‧簇射頭 42‧‧‧絕緣性構件 43‧‧‧本體部 44‧‧‧頂板 45‧‧‧氣體擴散室 46‧‧‧氣體導入口 47‧‧‧氣體輸出口 48‧‧‧氣體導入口 51‧‧‧處理氣體供給源 52‧‧‧閥 53‧‧‧質量流量控制器 54‧‧‧配管 55‧‧‧可變直流電源 56‧‧‧低通濾波器 57‧‧‧開關 58‧‧‧電路 61‧‧‧環狀磁鐵 62‧‧‧積存物遮罩 63‧‧‧積存物遮罩 64‧‧‧導電性構件 65‧‧‧晶圓 66-1～66-n‧‧‧複數個分割區域 71‧‧‧開關 72‧‧‧電壓計 73‧‧‧電流計 74‧‧‧交流電源 75‧‧‧加熱器電力供給用電路 76‧‧‧分路電阻器 77‧‧‧電壓計 80‧‧‧控制裝置 90‧‧‧電腦 91‧‧‧CPU 92‧‧‧RAM 93‧‧‧ROM 94‧‧‧輔助記憶裝置 95‧‧‧通信I/F 96‧‧‧輸入輸出I/F 97‧‧‧媒體I/F 98‧‧‧記錄媒體 101‧‧‧交流電壓之波形 102‧‧‧電流之波形 103‧‧‧通電期間 111-1～111-n‧‧‧複數個轉換表 112‧‧‧複數個溫度 113‧‧‧複數個電阻值 121‧‧‧通電期間 122‧‧‧參考電壓之變化 123‧‧‧前半期間 124‧‧‧後半期間 125‧‧‧時點 131‧‧‧溫度範圍 133‧‧‧曲線 134‧‧‧曲線 136‧‧‧曲線 137‧‧‧曲線 139‧‧‧特定之閾值
圖1係表示基板處理裝置之一例之縱剖視圖。 圖2係表示靜電吸盤之一例之俯視圖。 圖3係表示複數個電力供給部中之與1個加熱器對應之1個電力供給部之一例的電路圖。 圖4係表示控制裝置之一例之圖。 圖5係表示自交流電源輸出之交流電壓之波形之一例，加熱器中流動之電流之波形之一例之圖。 圖6係表示複數個轉換表之一例之圖。 圖7係表示於複數個通電期間中之1個通電期間施加至加熱器之參考電壓之變化之一例的曲線圖。 圖8係表示於電源波形變動試驗中與複數個樣本交流電壓對應之複數個溫度之一例的曲線圖。 圖9係表示第1樣本交流電壓之波形之一例之圖。 圖10係表示第5樣本交流電壓之波形之一例之圖。 圖11係表示第9樣本交流電壓之波形之一例之圖。 圖12係表示第14樣本交流電壓之波形之一例之圖。 圖13係表示第15樣本交流電壓之波形之一例之圖。 圖14係表示第1樣本交流電壓中之一半波長施加至加熱器時之加熱器之電阻值之變化之一例的曲線圖。 圖15係表示第15樣本交流電壓中之一半波長施加至加熱器時之加熱器之電阻值之變化之一例的曲線圖。 圖16係表示與複數個樣本交流電壓對應之複數個後半電壓比率之一例之曲線圖。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧排氣裝置
3‧‧‧閘閥
5‧‧‧處理空間
6‧‧‧排氣口
7‧‧‧開口部
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧載置台
14‧‧‧絕緣板
15‧‧‧支持台
16‧‧‧基材
17‧‧‧靜電吸盤
18‧‧‧內壁構件
19‧‧‧聚焦環
21‧‧‧吸盤本體
22‧‧‧電極
23-1~23-n‧‧‧複數個加熱器
25‧‧‧循環流路
26‧‧‧傳熱氣體供給流路
31‧‧‧直流電源
31-1~32-n‧‧‧複數個電力供給部
33‧‧‧冷卻器單元
34‧‧‧傳熱氣體供給部
35‧‧‧第1高頻電源
36‧‧‧第2高頻電源
37‧‧‧第1整合器
38‧‧‧第2整合器
41‧‧‧簇射頭
42‧‧‧絕緣性構件
43‧‧‧本體部
44‧‧‧頂板
45‧‧‧氣體擴散室
46‧‧‧氣體導入口
47‧‧‧氣體輸出口
48‧‧‧氣體導入口
51‧‧‧處理氣體供給源
52‧‧‧閥
53‧‧‧質量流量控制器
54‧‧‧配管
55‧‧‧可變直流電源
56‧‧‧低通濾波器
57‧‧‧開關
58‧‧‧電路
61‧‧‧環狀磁鐵
62‧‧‧積存物遮罩
63‧‧‧積存物遮罩
64‧‧‧導電性構件
65‧‧‧晶圓

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，其包括： 對施加至處理基板之基板處理裝置中設置之零件之電壓的變化及上述零件中流動之電流進行測定； 參照將複數個電阻值與複數個溫度建立對應關係之轉換表，根據基於上述電壓與上述電流算出之電阻值之變化算出上述零件之溫度； 基於上述電壓之變化判定是否產生與上述基板之溫度相關之異常；及 於判定出產生上述異常時，停止處理上述基板。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其進而包括： 於參考電力被供給至上述零件之參考期間測定施加至上述零件的參考電壓之變化； 於上述參考期間測定上述零件中流動之參考電流之變化； 於上述參考期間測定上述零件之溫度之變化；及 基於上述參考電壓之變化、上述參考電流之變化及上述零件之溫度之變化，製作上述轉換表； 進而基於上述參考電壓之變化判定是否產生上述異常。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中是否產生上述異常係根據基於上述電壓之變化所算出之有效值判定。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中是否產生上述異常係基於將第2有效值除以第1有效值所得之後半電壓比率判定， 上述第1有效值表示向上述零件供給電力之通電期間施加至上述零件之電壓的有效值， 上述第2有效值表示於自上述通電期間中之1個時點至上述通電期間之最後為止之後半期間施加至上述零件之電壓的有效值。
  5. 如請求項4之基板處理方法，其中上述後半期間之長度等於上述通電期間之長度之1/4。
  6. 如請求項4或5之基板處理方法，其進而包括： 基於上述通電期間所測定之電壓之變化算出上述第1有效值； 基於自上述通電期間之最初至上述時點為止之前半期間所測定之電壓的變化，算出表示上述前半期間施加至上述零件之電壓之有效值的第3有效值；及 藉由自上述第1有效值減去上述第3有效值而算出上述第2有效值。
  7. 如請求項1至6中任一項之基板處理方法，其進而包括： 基於上述零件之溫度，控制自交流電源向上述零件供給電力或阻斷自上述交流電源向上述零件供給上述電力之開關，藉此停止處理上述基板。
  8. 如請求項1至7中任一項之基板處理方法，其中上述零件係藉由被供給電力而加熱上述基板之加熱器。
  9. 一種基板處理裝置，其具備： 處理部，其處理基板； 電壓計，其測定施加至上述處理部中設置之零件之電壓的變化； 電流計，其測定上述零件中流動之電流；及 控制部，其參照將複數個電阻值與複數個溫度建立對應關係之轉換表，根據基於上述電壓與上述電流算出之電阻值算出上述零件之溫度； 上述控制部進而以如下方式控制上述處理部，即，基於上述電壓之變化判定是否產生與上述基板之溫度有關之異常，於判定出產生上述異常時，停止處理上述基板。
TW108117293A 2018-05-31 2019-05-20 基板處理方法及基板處理裝置 TW202004383A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-104881 2018-05-31
JP2018104881A JP6971199B2 (ja) 2018-05-31 2018-05-31 基板処理方法および基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202004383A true TW202004383A (zh) 2020-01-16

Family

ID=68694214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108117293A TW202004383A (zh) 2018-05-31 2019-05-20 基板處理方法及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10896832B2 (zh)
JP (1) JP6971199B2 (zh)
KR (1) KR20190136986A (zh)
CN (1) CN110556286B (zh)
TW (1) TW202004383A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220172925A1 (en) * 2019-03-13 2022-06-02 Lam Research Corporation Electrostatic chuck heater resistance measurement to approximate temperature
JP7466377B2 (ja) 2020-05-21 2024-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2023170737A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社アドバンテスト 温度制御装置、試験装置、温度制御方法、および温度制御プログラム

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3121110B2 (ja) * 1992-04-30 2000-12-25 キヤノン株式会社 定着装置
JP2000339039A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Tokyo Electron Ltd 加熱手段の温度制御方法、その装置及び熱処理装置
JP2001077183A (ja) * 1999-06-09 2001-03-23 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板およびその製造方法
US20040081439A1 (en) * 2000-05-04 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Actively-controlled electrostatic chuck heater
US7176508B2 (en) * 2004-07-27 2007-02-13 International Business Machines Corporation Temperature sensor for high power very large scale integration circuits
JP2006165200A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Kokusai Electric Semiconductor Service Inc 半導体製造装置における抵抗加熱ヒータの抵抗値検出装置、半導体製造装置における抵抗加熱ヒータの劣化診断装置及びネットワークシステム
JP4786925B2 (ja) 2005-04-04 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100966375B1 (ko) * 2005-04-04 2010-06-28 가부시키가이샤 코쿠사이덴키 세미컨덕터 서비스 공급전력 조정기 및 반도체 제조장치
JP2010010214A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、及び記憶媒体
JP2010101742A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Nikon Corp 温度計測装置、気体供給装置、及び露光装置
JP5567318B2 (ja) * 2009-11-20 2014-08-06 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 電力供給システム、基板処理装置、半導体製造装置および劣化診断方法
JP5689283B2 (ja) * 2010-11-02 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体
JP5405504B2 (ja) * 2011-01-31 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6203476B2 (ja) * 2011-03-08 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置
US8552346B2 (en) * 2011-05-20 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling temperature of a multi-zone heater in an process chamber
WO2013025852A1 (en) * 2011-08-17 2013-02-21 Lam Research Corporation A system and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
JP6100672B2 (ja) * 2013-10-25 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置
JP6570894B2 (ja) * 2015-06-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法
JP6432458B2 (ja) * 2015-07-07 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6688172B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび方法
KR102581356B1 (ko) * 2016-08-30 2023-09-21 삼성전자주식회사 기판 처리 장치의 이상 진단 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2018063974A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および載置台

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019212670A (ja) 2019-12-12
CN110556286A (zh) 2019-12-10
US20190371634A1 (en) 2019-12-05
US10896832B2 (en) 2021-01-19
JP6971199B2 (ja) 2021-11-24
CN110556286B (zh) 2024-04-12
KR20190136986A (ko) 2019-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI738803B (zh) 基板處理系統及溫度控制方法
JP7094804B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202004383A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7204595B2 (ja) 補正情報作成方法、基板処理方法、および基板処理システム
TW201521520A (zh) 電漿處理裝置的腔室內構件的溫度控制方法，腔室內構件及基板載置台，以及具備彼之電漿處理裝置
TWI772200B (zh) 溫度控制裝置及溫度控制方法
KR20170007130A (ko) 플라스마 처리 장치
KR20160120233A (ko) 온도 제어 장치, 온도 제어 방법 및 프로그램
JP6961025B2 (ja) 基板処理システム
US20220070977A1 (en) Substrate processing apparatus and noise impact reducing method
TW202147446A (zh) 基板處理裝置及參數取得方法
JP2020095020A (ja) 赤外線カメラの校正方法および赤外線カメラの校正システム
TW202405594A (zh) 解析裝置、基板處理系統、基板處理裝置、解析方法及解析程式