TW202003888A

TW202003888A - 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法

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Publication number: TW202003888A
Application number: TW108117425A
Authority: TW
Inventors: 中村晃; 岩重央; 西聖也; 長嶋英人; 鈴木康司
Original assignee: 日商愛發科股份有限公司
Priority date: 2018-05-21
Filing date: 2019-05-21
Publication date: 2020-01-16
Also published as: KR20200108475A; KR102429213B1; JP6745415B2; CN111989421B; CN111989421A; TWI785242B; JPWO2019225472A1; US20210087672A1; WO2019225472A1; US11629400B2

Abstract

本發明之一形態的濺鍍靶係具備由金屬材料所構成之板狀的靶本體。前述靶本體係具有靶部與基部。前述靶部係包含有濺鍍面。前述基部係包含有：冷卻面，係位於前述濺鍍面的相反側且具有比前述濺鍍面更高的硬度；以及傾斜強度層，係拉伸強度隨著從前述冷卻面向前述靶部而逐漸降低。

Description

濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法

本發明係關於一種高純度鋁(high purity aluminum)或鋁合金製的濺鍍靶(sputtering target)，該濺鍍靶係用於例如半導體元件、電子零件、平板(flat panel)顯示元件之配線層的成膜等。

因為高純度鋁或鋁合金製的濺鍍靶為高純度的緣故，故具有拉伸強度比一般的鋁合金材低的特性。通常，濺鍍靶係在濺鍍(sputtering)中受到作用於濺鍍面(sputtering surface)之熱應力與作用於濺鍍靶的背面之冷卻水壓。進一步地，由於濺鍍靶係因靶材料的消耗而減少板厚，因此會產生變形量隨著濺鍍進行而變大、往基板上附著的膜之堆積速度或膜厚分布變動的問題。因此，為了在濺鍍中不產生靶的變形，一般為以下的方法：將比靶具有更高強度之底板(backing plate)一體地接合且不讓水壓直接施加到靶部分的方法。

以作為底板而言，除了於內部形成有冷卻水之循環通路的護套(jacket)型的底板以外，已知有一種具有筒狀之凸緣(flange)部且被稱作例如帽(hat)型的底板，且該筒狀的凸緣部能夠將包含有永久磁鐵之磁性電路予以收容 (例如參照專利文獻1)。在此種濺鍍靶(以下也稱作帽型濺鍍靶)中，底板藉由被供給到凸緣部之內部的冷卻水而冷卻，靶材的脫離因用以接合靶材與底板之銦等接合材的熔融而被阻止。

在另一方面，從生產性的觀點來看，要求被施加於濺鍍靶之電力的高密度化。隨著電力的高密度化，用以接合靶材與底板之接合材的耐熱性變成問題。因此，近年來，已提案有一種不使用接合材而是一體地形成有靶材與底板的濺鍍靶。

例如已知有以下方法：在靶的背面形成突起且將突起以機械式的方法接合於底板的方法(例如參照專利文獻2、3)、藉由擴散接合將靶與底板予以接合的方法(例如參照專利文獻4、5)、以及製作帽型底板與一體型之濺鍍靶的方法(例如參照專利文獻6)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2007-63616號公報。專利文獻2：日本特開2008-138274號公報。專利文獻3：日本特表2011-517329號公報。專利文獻4：日本特開2006-159223號公報。專利文獻5：日本特表2000-509765號公報。專利文獻6：日本特表2012-515847號公報。

[發明所欲解決之課題]

近年來，能夠對應基板的大型化之帽型濺鍍靶的開發正進展中。在此情形下，由於底板為圓筒型，所以要與靶接合的只有背面的外周部而已。藉此，有著在濺鍍靶的背面會同時地作用有水壓與由熱膨脹所造成的應力，在強度低的鋁系金屬靶上容易超過降伏點而產生永久變形，且會產生由上述般的變形所造成的成膜特性(膜厚分布或成膜速度)之變化的問題。

在此，於如上述般地將形成在靶背面的突起機械式地接合到底板的方法中，由於有電性的接觸電阻在接合部產生，故濺鍍中的放電電壓會上升，有誘發成膜特性之變化或異常放電的疑慮。又，在藉由擴散接合將靶材與底板予以接合的方法中，會有因為在擴散接合處理時產生的壓力或熱能量而產生靶之粒徑的粗化或配向性的變化而無法得到想要的成膜特性之疑慮。進一步地，在底板一體型的濺鍍靶中，在藉由鍛造凸緣部分提高強度來抑制靶部之翹曲的方法中，有著靶全體因鍛造處理所造成的壓力而變形且產生靶部之硬度、配向性、粒徑的不均而無法謀求成膜特性的穩定之疑慮。

有鑑於以上般的事情，本發明之目的係在於提供一種能夠謀求成膜特性的穩定並且能夠抑制靶部的變形之濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法。 [用以解決課題的手段]

為了達成上述目的，本發明的一形態之濺鍍靶係具備由金屬材料所構成之板狀的靶本體。前述靶本體係具有靶部與基部(base part)。前述靶部係包含有濺鍍面。前述基部係包含有：冷卻面，係位於前述濺鍍面的相反側且具有比前述濺鍍面更高的硬度；以及傾斜強度層，係拉伸強度隨著從前述冷卻面向前述靶部而逐漸降低。

在上述濺鍍靶中，由於基部係包含有比濺鍍面更高硬度的冷卻面與拉伸強度隨著從冷卻面向靶部而逐漸降低的傾斜強度層，故能夠謀求成膜特性的穩定並且能夠抑制靶部的變形。

典型而言，前述傾斜強度層係加工硬化層。

前述金屬材料可以是將鋁作為主體的金屬材料，前述傾斜強度層的拉伸強度可以是30N／mm² 以上55N／mm² 以下。

前述濺鍍面之結晶的配向比(200／111)之平均值可以是1.3以上至7.0以下，前述冷卻面之結晶的配向比(200／111)之平均值可以是0.8以上至1.2以下。

在此情形下，前述濺鍍靶可以進一步地具備：筒狀的凸緣部，係被接合在前述冷卻面的周圍，且由鋁為主體之金屬材料所構成。

本發明的一形態之濺鍍靶的製造方法係包含有準備板狀的空白靶(target blank)。對前述空白靶之濺鍍面的相反側的面施予塑性加工，藉此形成有拉伸強度隨著向前述濺鍍面而逐漸降低的傾斜強度層。 [發明功效]

如以上所述般，根據本發明，能夠謀求成膜特性的穩定並且能夠抑制靶部的變形。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態。

[濺鍍靶] 圖1係概略性地表示本發明的一實施形態之濺鍍靶的構成之縱剖視圖，圖2係圖1中的A-A線剖視圖。

本實施形態的濺鍍靶100係具有板狀的靶本體10與筒狀的凸緣部20，並且由這些靶本體10與凸緣部20的接合體所構成。在本實施形態中，靶本體10以及凸緣部20係由Al(鋁)為主體的金屬材料(以下也稱作Al系金屬材料)所構成。

作為Al系金屬材料而言，可以舉出純Al或Al合金。作為Al合金而言，可以舉出於純Al中至少添加一種作為合金元素之Si(矽)、Cu(銅)、Mg(鎂)、Zn(鋅)、Fe(鐵)、Mn(錳)、Ni(鎳)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Ca(鈣)、Zr(鋯)、Na(鈉)、Sr(鍶)、Sb(銻)、Be(鈹)、P(磷)、V(釩)、Sn(錫)、Pb(鉛)、Bi(鉍)、Co(鈷)、C(碳)的金屬材料。

靶本體10係形成為圓板形狀，且具有表面的濺鍍面10a與背面的冷卻面10b。靶本體10的直徑係不特別限定，例如為300mm以上。濺鍍面10a是在未圖示的真空腔室之內部藉由電漿(plasma)(陽離子(positive ion))所濺鍍的區域，典型來說由平面所形成。冷卻面10b是位於濺鍍面10a的相反側且與被導入至凸緣部20之內側的空間部20s的冷卻水接觸的區域。

靶本體10係具有：靶部11，係包含有濺鍍面10a；以及基部12，係包含有冷卻面10b。也就是說，靶部11係從濺鍍面10a起構成靶本體10之預定的厚度區域，基部12係構成包含有冷卻面10b之靶本體10的剩餘部分之厚度區域。

靶部11與基部12之間的邊界可以是明確的，也可以是不明確的。在本實施形態中，於濺鍍面10a側的周緣部設有環狀的階部10s，藉此在靶部10形成有小徑部與大徑部，例如將小徑部設為靶部11，將大徑部設為基部12。當然可不限於此，階部10s之形成也可省略。

靶本體10的厚度係不特別限定，典型而言為20mm以上50mm以下，靶部11的厚度為10mm以上25mm以下。

基部12係具有支撐靶部11且抑制靶部11之變形或翹曲的功能。由於基部12是與靶部11一體地形成，故能夠與靶部構成一體的靶組合體(target assembly)而不需要接合材。又，伴隨著濺鍍功率的高密度化(高輸出容量化)，能夠消除接合材熔融的憂慮。

靶本體10係在準備了預定尺寸的空白靶之後，藉由對冷卻面10b施予後述的塑性加工所製作。典型而言，上述空白靶是藉由對熔解鑄造出來的Al系金屬材料的鑄錠(ingot)施予預定的滾壓加工、形狀加工等所製作。此時的加工條件為：整體以適合對靶部11所要求之拉伸強度、結晶配向性、結晶粒徑等各特性的方式所製作。在本實施形態中，濺鍍面的結晶配向是以(200)面成為支配性的方式所製作。之後，對空白靶的背面施予預定的處理而形成冷卻面10b，藉此製作基部12。

在本實施形態中，濺鍍面10a側之靶部11係例如以拉伸強度(0.2%耐力，以下相同)成為35N／mm² 以下、平均硬度(Hv)成為不到20、結晶的配向比(200／111)之平均值成為1.3以上至7.0以下、平均粒徑成為60μm以下的方式所製作。藉此，異常放電少，成膜特性優良的濺鍍成膜成為可能。

另一方面，冷卻面10b側之基部12係以拉伸強度成為45N／mm² 以上、平均硬度(Hv)成為20以上、結晶的配向比(200／111)之平均值成為0.8以上至1.2以下的方式所製作。藉此，能夠有效地阻止由冷卻水的水壓或熱應力所造成之靶本體10的變形。

如圖2所示，基部12的冷卻面10b係形成於靶本體10之背面的一部分。在本實施形態中，冷卻面10b係被設成與基部12為同心的圓形之區域，冷卻面10b之外周的區域係作為與凸緣部20接合之圓環狀的接合面10c而形成。冷卻面10b係位於已形成在靶本體10之背面的圓形之淺圓形的凹部10d之內側，接合面10c係位於凹部10d的外側。

冷卻面10b係藉由對靶本體10的背面施予塑性加工所形成，藉由加工硬化而具有比濺鍍面10a更高的硬度。進一步地，基部12係藉由上述塑性加工而具有傾斜強度層，該傾斜強度層係拉伸強度隨著從冷卻面10b向靶部11而逐漸降低。圖3係示意地表示傾斜強度層120之靶本體10的剖視圖。

如圖3所示，傾斜強度層120是形成於靶部11與冷卻面10b之間的基部12之厚度區域的至少一部分之加工硬化層。傾斜強度層120係以越是靠近冷卻面10b的區域拉伸強度越高的方式所形成。於圖3係表示濃淡的濃度越高的區域就越是高強度的情形。傾斜強度層120可以遍及基部12之厚度方向的全區地形成，也可以僅在冷卻面10b側之一部分的區域形成。

拉伸強度與硬度之間有一定的相關，典型而言係如圖4示意地表示般，傾斜強度層120之拉伸強度及硬度係具有隨著距離冷卻面10b的深度變大就逐漸地降低的分布。也就是說，傾斜強度層120係具有下述形態：具有第一拉伸強度的第一層、具有比第一拉伸強度更高之第二拉伸強度的第二層、具有比第二拉伸強度更高之第三拉伸強度的第三層等之不同強度的複數個層係從冷卻面10b向靶部11好幾層地連續。各層的拉伸強度典型而言係連續地變化，並不限於各層的邊界要明確。

傾斜強度層120的拉伸強度及硬度之最小值係分別相當於靶部11的拉伸強度及硬度。藉此，能夠於濺鍍面10a之結晶配向性或結晶粒徑等抑制變化而確保所期望的濺鍍特性或是成膜特性。

凸緣部20係藉由電子束(electron beam)熔接或是摩擦攪拌接合(FSW；friction stir welding)而被接合於靶本體10的接合面10c。接合方法不限於此，可以採用擴散接合等的固相接合法，或可採用使用銦等的合適之接合材的接合法。凸緣部20係用以將靶本體10固定於未圖示之真空腔室的頂板等靜止部之構件，於凸緣部20的前端部係形成有供螺栓(bolt)等緊固具插通的複數個安裝孔。典型而言凸緣部20係構成圓筒型，不過也可以是橢圓筒，也可以是角筒型。以圓筒型而言，除了單純的直筒形狀以外，也包含如圖所示般外徑隨著向著接合面10c而變小之圓錐狀的構件。

雖然未圖示，不過於凸緣部20之內側的空間部20s係配置有在濺鍍面10a的附近形成磁場之磁性電路單元。磁性電路單元係包含有永久磁鐵以及磁軛(yoke)。磁性電路單元係靜定於空間部20s，在濺鍍面10a的附近形成靜磁場。或者，磁性電路單元也可以配置成能夠在空間部20s中繞著靶本體10的中心軸旋轉。在此情形下，於濺鍍面10a的附近係形成有預定的旋轉磁場。

於凸緣部20的空間部20s係經由未圖示之導入通路而供給有冷卻水。被供給到空間部20s之冷卻水係隔著靶本體10的冷卻面10b來冷卻靶本體10，並且冷卻被配置於空間部20s的磁性電路單元。藉此，抑制在濺鍍成膜中的靶本體10之過度的發熱，靶本體10被冷卻至預定溫度以下。

一般而言，在濺鍍成膜中，於靶本體的冷卻面係同時作用有冷卻水之水壓與熱膨脹所造成的應力，伴隨著對於濺鍍面之濺鍍作用所致的靶部的厚度減少，如圖5中的(A)示意性地所示般，使靶部T從冷卻面Tb側向濺鍍面Ta側變形成弓形的應力變大。因此，在強度相對地低的Al系金屬靶中變形到超過降伏點的永久變形會產生的程度(翹曲量W1)，招致膜厚分布或成膜速度等之成膜特性的變動。

相對於此，於本實施形態的濺鍍靶100中，靶本體10之基部12係具有上述構成的傾斜強度層120。藉此，由於可得到比濺鍍面10a更高硬度且高強度的冷卻面10b，故能夠確保濺鍍面10a之結晶配向性或結晶粒徑均勻性，而且能夠提高冷卻面10b的變形強度。藉此，能夠有效地阻止靶本體10伴隨著冷卻水的水壓或熱應力之作用而變形，能夠如圖5中的(B)示意性地所示般將靶本體10的翹曲量W2抑制得小(W2>W1)，能夠確保所期望的靶部11之成膜特性。

[濺鍍靶的製造方法] 上述構成的濺鍍靶係能夠以如下方式製造。

首先，如上述般地製作了空白靶之後，以機械式手法對空白靶的一主面(相當於靶本體10的背面)施加壓力而局部地施予塑性加工。此時，較佳為設成塑性加工的影響不會波及空白靶的另一主面(相當於靶本體10的表面)之方式。

作為塑性加工的方法而言，可以舉出(a)鎚擊(hammering)、(b)使用衝壓(press)機或搗碎(stamp mill)粉碎機、輥(roller)等的機械加工、(c)珠擊處理(shot peening)、(d)使用Leutor(產品名稱)電動切削工具或研磨機(grinder)等旋轉體的機械加工等。其中，由於對空白靶的背面賦予靜荷重的加工方法可抑制應力往濺鍍面側的傳播，故比起賦予衝撃荷重的加工方法，在能夠穩定地維持該濺鍍面的結晶配向性或結晶粒徑這點上是適當的。

於上述機械加工中也可以包含有切削加工。典型而言，可以舉出將對空白靶背面之塑性加工區域進行以切削平坦化的處理。藉由該處理，與凹部10d一起地在靶本體10的背面形成有已形成於凹部10d之內側的平坦的冷卻面10b。

冷卻面10b的硬度並不特別限定，能夠因應靶本體10的構成材料、大小、厚度等適宜設定。例如，在靶本體10為由Al系金屬材料所構成、靶本體的直徑為152mm以上至650mm以下、厚度為20mm以上至50mm以下的情形下，冷卻面10b的硬度(維氏硬度(Vickers hardness))較佳為例如18Hv以上至30Hv以下。也就是說，藉由將冷卻面10b的硬度設為18Hv以上，能夠將以下的強度賦予基部12：能夠抑制靶本體10伴隨著由濺鍍所造成的靶部11之厚度減少而翹曲之充分的強度。另一方面，藉由將冷卻面10b的硬度設為30Hv以下，能夠維持濺鍍面10a之結晶配向性或結晶粒徑的均勻性，能夠確保良好的成膜特性。在此情形下的濺鍍面10a之Hv硬度例如為17以下。

對傾斜強度層120的拉伸強度分布而言也是同樣地，能夠因應靶本體10的構成材料、大小、厚度等適宜設定。如上述般，例如在靶本體10為Al系金屬材料所構成、靶本體的直徑為152mm以上至650mm以下、厚度為20mm以上至50mm以下的情形下，傾斜強度層120的拉伸強度之分布較佳為例如30N／mm² 至以上55N／mm² 以下。藉此，能夠將以下的強度賦予基部12：能夠抑制靶本體10伴隨著由濺鍍所造成的靶部11之厚度減少而翹曲之充分的強度。典型而言，拉伸強度係使用會產生0.2%的永久變形之應力，也就是說使用0.2%耐力的值。

另外，可以將冷卻面10b之Hv硬度及傾斜強度層120之拉伸強度的任一方作為指標來形成基部12。如上述般，由於拉伸強度與硬度之間有一定的相關，故能夠例如藉由將冷卻面10b的硬度調整成目的值，來將傾斜強度層120之拉伸強度控制在預定範圍。或者，當然也能夠藉由在傾斜強度層120形成時的塑性加工之加工量來調整冷卻面10b以及傾斜強度層120的強度分布。

[實驗例] 本發明者們係依以下的手續製作濺鍍靶。

將Al-0.5wt%Cu合金熔解、鑄造來作為Al系金屬材料，製作直徑600mm、厚度37mm(靶部的厚度12mm、基部的厚度25mm)之空白靶。

接下來，用以下的方法對從空白靶背面的中心起算φ400mm之圓形的被加工區域施予局部的塑性加工(機械加工)。

首先，準備好在一面隔著樹脂層鋪滿直徑10mm之氧化鋯球的直徑400mm之剛體板，將該剛體板組裝(set)在衝壓機的可動部來作為衝壓用治具(press jig)。接下來，將空白靶以空白靶的被加工區域朝上且與衝壓用治具之突起面對向的方式組裝在衝壓機的載置台，以預定的衝壓條件用衝壓治具衝壓被加工區域。作為衝壓條件而言係以如下方式設定：在衝壓荷重達到980kN時、或是在衝壓用治具接觸被加工區域後下降了3mm時，自動停止衝壓處理。

衝壓後，在使衝壓用治具上升後，使衝壓用治具繞著衝壓用治具的中心旋轉5°而重新組裝至衝壓機。接下來，以相同的衝壓條件再度衝壓被加工區域。以後，到衝壓用治具旋轉3圈為止重複進行該處理。一連串的衝壓處理結束後，藉由機械加工(切削)將空白靶背面的產生變形的範圍(從中心起算φ460mm、深度2mm的區域)去除，藉此製作了具備基部12的靶本體10，其中該基部12具有平坦的冷卻面10b。之後，在該靶本體之冷卻面的外側接合凸緣部，製作了帽型濺鍍靶。

採取複數個距離所製作的靶本體的冷卻面之深度不同的樣本並加工成JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業規格) 13B號的試驗片形狀，用以JISZ2241為基準的拉伸試驗方法測定該樣本之拉伸強度(0.2%耐力)及硬度(維氏硬度Hv)。以試驗機而言，使用了島津製作所製造的「AG 25 TB-R」。將結果分別示於圖6及圖7。

圖6係描繪(plot)了上述各樣本之拉伸強度的圖，且表示基部12之厚度方向的拉伸強度之變化。另外，橫軸的「1-2mm」係意味著距離冷卻面的深度在從1mm到2mm之範圍切出的樣本(關於「3-4mm」、「5-6mm」、「7-8mm」、「9-10mm」亦相同)。各描繪的縱方向之長度係用以表示不均。如同圖所示，確認到形成有隨著從冷卻面向著靶部而拉伸強度逐漸降低的傾斜強度層。在距離冷卻面的深度為8mm以上的厚度區域中，拉伸強度的降低停止且收斂成固定的值。該值係相當於靶部之拉伸強度的值。

圖7係描繪了上述樣本之硬度的圖，且表示基部12之厚度方向的硬度之變化。各描繪的縱方向之長度係用以表示不均。從同圖可以確認到，隨著從冷卻面向著靶部而硬度逐漸降低的情形。雖然未圖示，濺鍍面的硬度(Hv)係16Hv，與距離冷卻面的深度為10mm之情形下的硬度大略一致。

藉由X射線繞射來確認在冷卻面之中心部(區域一)、外周部(區域二)及這些的中間部(區域三)中之結晶的配向比(200／111)，結果在區域一為1.22，在區域二為0.95，在區域三為0.74，且這些的平均值為0.97。另一方面，對於濺鍍面之中心部(區域一)、外周部(區域二)及這些的中間部(區域三)也同樣地確認結晶的配向比(200／111)，結果在區域一為6.3，在區域二為5.0，在區域三為4.1，且這些的平均值為5.1。

接下來，將已製作的濺鍍靶組裝在濺鍍裝置來實際進行濺鍍，對使用2000kW／h後之靶部的翹曲進行評價。在此，將冷卻面的水壓設為0.3MPa以上、濺鍍功率設為30kW以上作為濺鍍條件而連續地實施濺鍍處理。結果，相對於作用在冷卻面之水壓為0.4Mpa之情形下時不具有傾斜強度層之靶本體的翹曲為3mm以上，在具有傾斜強度層之本實施形態中靶本體的翹曲為不到1mm。

進一步地，在使用具有傾斜強度層之濺鍍靶來將厚度400nm的Al系金屬膜在基板上成膜時，對該Al系金屬膜的片電阻(sheet resist)之面內均勻性進行評價，結果在靶壽命(target life)為150kW／h時是4.28%，在靶壽命為1250kW／h時是5.59%。根據此情形，確認到與使用不具有傾斜強度層之濺鍍靶時的片電阻之面內均勻性(在靶壽命為138.5kW／h時是5.45%，在靶壽命為1132.6kW／h時是5.20%)為同等的成膜特性。

以上，對本發明之實施形態進行了說明，不過本發明並非僅限於上述實施形態，當然可以施加各種變更。

例如在以上的實施形態中，雖然舉出由Al系金屬材料所構成之濺鍍靶為例進行了說明，不過除此之外，由純Cu或In等其他金屬材料所構成之濺鍍靶也同樣能夠適用。

10‧‧‧靶本體 10a、Ta‧‧‧濺鍍面 10b、Tb‧‧‧冷卻面 10c‧‧‧接合面 10d‧‧‧凹部 10s‧‧‧階部 11、T‧‧‧靶部 12‧‧‧基部 20‧‧‧凸緣部 20s‧‧‧空間部 100‧‧‧濺鍍靶 120‧‧‧傾斜強度層 W1、W2‧‧‧翹曲量

圖1係概略性地表示本發明的一實施形態之濺鍍靶的構成之縱剖視圖。圖2係圖1中的A-A線剖視圖。圖3係示意性地表示傾斜強度層之靶本體的剖視圖。圖4係說明上述傾斜強度層之強度分布的示意圖。圖5係說明沒有上述傾斜強度層之濺鍍靶(A)與具有上述傾斜強度層之濺鍍靶(B)的作用之不同的示意圖。圖6係表示一實驗例中的濺鍍靶從冷卻面起算的深度與拉伸強度之關係的圖。圖7係表示一實驗例中的濺鍍靶從冷卻面起算的深度與硬度之關係的圖。

10‧‧‧靶本體

10a‧‧‧濺鍍面

10b‧‧‧冷卻面

10c‧‧‧接合面

10d‧‧‧凹部

11‧‧‧靶部

12‧‧‧基部

120‧‧‧傾斜強度層

Claims

一種濺鍍靶，係具備：板狀的靶本體，係由金屬材料所構成；前述靶本體係具有：靶部，係包含有濺鍍面；以及基部，係包含有冷卻面與傾斜強度層，前述冷卻面係位於前述濺鍍面的相反側且具有比前述濺鍍面更高的硬度，前述傾斜強度層係拉伸強度隨著從前述冷卻面向前述靶部而逐漸降低。
如請求項1所記載之濺鍍靶，其中前述傾斜強度層係加工硬化層。
如請求項1或2所記載之濺鍍靶，其中前述金屬材料係以鋁為主體的金屬材料；前述靶部的拉伸強度係35N／mm² 以下；前述傾斜強度層的拉伸強度係30N／mm² 至以上55N／mm² 以下。
如請求項3所記載之濺鍍靶，其中前述濺鍍面之結晶的配向比(200／111)之平均值係1.3以上至7.0以下；前述冷卻面之結晶的配向比(200／111)之平均值係0.8以上至1.2以下。
如請求項3所記載之濺鍍靶，其中更具備：筒狀的突緣部，係被接合在前述冷卻面的周圍，且由鋁為主體之金屬材料所構成。
一種濺鍍靶的製造方法，係包含有以下步驟：準備板狀的空白靶；以及對前述空白靶之濺鍍面的相反側的面施予塑性加工，藉此形成拉伸強度隨著向前述濺鍍面而逐漸降低的傾斜強度層。