TW202003701A

TW202003701A - 聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物

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Publication number: TW202003701A
Application number: TW108110998A
Authority: TW
Inventors: 岩脇寛; 堀田翔平; 増井建太朗
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2018-03-30
Filing date: 2019-03-28
Publication date: 2020-01-16
Also published as: JP2019183139A; WO2019189789A1

Abstract

本發明之課題在於提供能容易製造高品質硬化物之聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物。解決手段為一種聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係具有將聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物攪拌直至滿足式(A)為止之步驟。

(Mw_ab 為聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 藉由攪拌之步驟而得之生成物之重量平均分子量)。聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。

Description

聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物

本發明係關於聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物。

過往已使用LED作為光源。作為使用LED當作光源之光源裝置，已知有將LED裝設於電路基板後，形成以樹脂製之密封材覆蓋LED之密封部，而保護LED及LED之周邊構造之構成。

又，近年來，市場上開始出現UV(紫外)-LED。將此種UV-LED使用作為光源之光源裝置中，因UV光而樹脂製之密封部容易劣化。因此，UV-LED之密封會有使用石英玻璃的情況。

然而，由於石英玻璃為高價格，故要求低價格之替代材料。又，使用石英玻璃密封UV-LED時，取得之光源裝置則會成為在UV-LED與石英玻璃之間存在有空氣層之構成。於此情況，從UV光從空氣層入射至石英玻璃時，因界面之折射率差而有UV光之取出效率低的問題。

因此，已提出使用聚矽氧系之樹脂組成物之硬化物來密封UV-LED(例如，參考專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2017-8297號公報

[發明所欲解決之課題]

使用樹脂組成物之硬化物作為密封材料時，取得之密封部係以不使光散射，且具有高透光性為佳。以此種密封部密封LED之光源裝置變得能高效率地將從LED射出之光取出至裝置外部，且能有效利用從LED射出之光。

但，使用樹脂組成物之硬化物作為密封材料時，由於取得之密封部表面之凹凸，或混入於密封部內之氣泡，而有外觀受損的情況。如此外觀受損之密封部會使從LED射出之光被反射、散射，而可能變得難以高效率地取出至裝置外部。因此，要求能容易製造不使光散射，且具有高透光性之高品質密封部(硬化物)之樹脂組成物。

本發明係有鑑於此種情況所完成者，其目的在於提供能容易製造高品質硬化物之聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明之一態樣為提供一種聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中具有攪拌下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足下述式(A)為止之步驟。

(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述攪拌之步驟而得之生成物之重量平均分子量)。聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。 (T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位。T3體系意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位)。

又，為了解決上述課題，本發明之一態樣提供一種聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中具有：在200hPa以下之減壓環境下將前述聚矽氧樹脂B加熱至100℃以上並同時攪拌，而取得前述聚矽氧樹脂B經高分子量化之聚矽氧樹脂B1的第1步驟；對前述聚矽氧樹脂B1加入前述聚矽氧樹脂A作成混合物後，在200hPa以下之減壓環境下將前述混合物加熱至100℃以上並同時攪拌的第2步驟；且前述第2步驟係攪拌前述混合物直至滿足下述式(A)為止。

(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述第2步驟而得之生成物之重量平均分子量)。聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。 (T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位。T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位)。

本發明之一態樣係可作成一種製造方法，其係前述第1步驟係在200hPa以下之減壓環境下將前述聚矽氧樹脂B與下述聚矽氧樹脂C加熱至100℃以上並同時攪拌而取得包含前述聚矽氧樹脂B1之聚矽氧樹脂D。聚矽氧樹脂C：以5℃/分之升溫速度從室溫升溫至200℃，在200℃下空氣中保持5小時後之質量減少率未滿5%之聚矽氧樹脂。

本發明之一態樣係可作成一種製造方法，其係在前述原料中，前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之質量比為[聚矽氧樹脂A]：[聚矽氧樹脂B]=10：90~60：40。(在此，[聚矽氧樹脂A]表示前述聚矽氧樹脂A之質量，[聚矽氧樹脂B]表示前述聚矽氧樹脂B之質量)。

本發明之一態樣係可作成一種製造方法，其係在前述攪拌之步驟中，攪拌包含前述混合物之組成物，且前述組成物中之有機溶劑之含有率為1質量%以下。

本發明之一態樣係可作成一種製造方法，其係在前述攪拌之步驟中攪拌包含前述混合物與反應促進用觸媒之組成物。

又，本發明之一態樣為提供一種聚矽氧樹脂組成物，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物，其中基於藉由GPC測量而得之分子量分布曲線，以下述方法求出之評價值為未滿25，該分子量分布曲線係將標準聚苯乙烯換算之分子量設為橫軸，將示差折射率檢測器之檢測強度設為縱軸者。聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。 (T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位。T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位)。 (方法) 前述分子量分布曲線中，對於在分子量從245至400之範圍所發現之強度未滿0之峰值之中絕對值為最大之峰值，以峰頂強度成為-1之方式來規格化前述分子量分布曲線之縱軸之值。求出區域中之規格化檢測強度值之和作為前述評價值，該區域係受到經規格化之前述分子量分布曲線，與，經規格化之前述分子量分布曲線中連接分子量為140之點與245之點之2點間之1次式所示之直線(基準線)所包圍者。 (受到基準線與經規格化之分子量分布曲線所包圍之區域中規格化檢測強度值係意指從各分子量之基準線減去前述規格化檢測強度值而得之值，該各分子量之基準線係以該當於GPC測量之數據取得時間間隔0.3秒之分子量間隔排列者)。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種能容易製造高品質硬化物之聚矽氧樹脂組成物之製造方法及聚矽氧樹脂組成物。

[聚矽氧樹脂組成物之製造方法] 以下，說明關於本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所使用之各成分後，再詳細說明關於聚矽氧樹脂組成物之製造方法。尚且，以下之說明中，將以本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法取得之組成物稱為「聚矽氧樹脂組成物」。又，將使聚矽氧樹脂組成物硬化之硬化物稱為「聚矽氧樹脂硬化物」。

(聚矽氧樹脂A) 聚矽氧樹脂A係含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量(Mw)為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂A係例如在工業上市售作為在常溫下固體之聚矽氧樹脂等。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，作為聚矽氧樹脂A，以使用在常溫下固體之聚矽氧樹脂為佳。藉由使用常溫下固體之聚矽氧樹脂作為聚矽氧樹脂A，聚矽氧樹脂硬化物變得不易在表面殘留黏著性。

在此，本說明書中「T體」係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位。又，本說明書中「T3體」係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位。

「含有之構造單位實質上僅為T體」係意指聚矽氧樹脂A之構造單位之中，95莫耳%以上為T體。聚矽氧樹脂A之構造單位之中以97莫耳%以上係T體為佳，以99莫耳%以上係T體為較佳，T體以外之構造單位係以在檢測界限以下為更佳。

本說明書中，重量平均分子量係使用藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測量之值。

具體而言，使聚矽氧樹脂溶解於可溶之溶劑中，並且使用過濾器從取得之溶液過濾去除不溶物後，將取得之濾液與移動相溶劑一同地在使用存在有多數細孔(孔隙)之填充劑之管柱內進行通液。

在使用GPC法之重量平均分子量之測量中，為了使聚矽氧樹脂溶解用所使用之溶劑係以與GPC測量中使用之移動相溶劑為相同之溶劑為佳。作為溶劑，具體地可舉出如四氫呋喃、氯仿、甲苯、茬、二氯甲烷、二氯乙烷、甲醇、乙醇、異丙基醇等。

GPC測量所使用之管柱為市售者，依照預想之重量平均分子量，使用適當管柱即可。

管柱內聚矽氧樹脂係根據分子量之大小進行分離。將如此經分離之聚矽氧樹脂使用示差折射率計、UV計、黏度計、光散射檢測器等作為為檢測器進行檢測各分子量之含量。

已廣泛市售有GPC專用裝置。又，重量平均分子量一般係以標準聚苯乙烯換算來進行測量。本說明書中之重量平均分子量係意指藉由使用市售之測量裝置並以標準聚苯乙烯換算進行測量者。

更詳細而言，聚矽氧樹脂A含有之矽原子係實質上由選自由T1矽原子及T2矽原子所成群之至選少1種之矽原子，與T3矽原子所構成，且相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含量之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，且重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。

在此，T1矽原子係指在下述式(A1)所示之構造單位中，與1個氧原子(該氧原子係與其他結合單位中之矽原子結合)且與1個R¹ 及2個R² 結合之矽原子，或，下述式(A1’)所示之構造單位中，1個結合處(該結合處係與會與其他構造單位中之矽原子結合之氧原子進行結合)且與1個R¹ 及2個R² 結合之矽原子。

T2矽原子係指在下述式(A2)所示之構造單位中，與1個氧原子(該氧原子係與其他構造單位中之矽原子結合)、1個結合處(該結合處係與會與其他構造單位中之矽原子結合之氧原子進行結合)，及，與1個R¹ 及1個R² 結合之矽原子。

T3矽原子係指在下述式(A3)所示之構造單位中，2個氧原子(該氧原子係與其他構造單位中之矽原子結合)、1個結合處(該結合處係與會與他構造單位中之矽原子結合之氧原子進行結合)，及，與1個R¹ 結合之矽原子。上述式(A3)所示之構造單位係該當於本發明中之「T3體」。

(在此，式(A1)、(A1’)、(A2)及(A3)中，R¹ 表示碳數1~3之烷基，R² 表示碳數1或2之烷氧基或羥基)。

「實質上由選自由T1矽原子及T2矽原子所成群之至少1種之矽原子，與T3矽原子所構成」係意指在聚矽氧樹脂A所含有之矽原子之中，80莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者。聚矽氧樹脂A所含有之矽原子係以90莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者為佳，以95莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者為較佳。

式(A1)所示之構造單位中之R¹ 、式(A1’)所示之構造單位中之R¹ 、式(A2)所示之構造單位中之R¹ ，及，式(A3)所示之構造單位中之R¹ 係分別可為相同亦可為相異。

式(A1)所示之構造單位中之R² 、式(A1’)所示之構造單位中之R² ，及，式(A2)所示之構造單位中之R² 係分別可為相同亦可為相異。

式(A1)所示之構造單位中之2個R² 係可為相同亦可為相異。式(A1’)所示之構造單位中之2個R² 係可為相同亦可為相異。

式(A1)所示之構造單位及式(A1’)所示之構造單位係構成有機聚矽氧烷鏈之末端。又，式(A3)所示之構造單位係構成由有機聚矽氧烷鏈所成之分枝鏈構造。即，式(A3)所示之構造單位係形成聚矽氧樹脂中之網目構造或環構造之一部分。

本說明書使用之聚矽氧樹脂中，與矽原子結合之官能基之種類及存在比係可藉由例如核磁共振光譜法(NMR法)進行測量。核磁共振光譜法(NMR法)係已詳記於各種文獻等，且也廣泛市售有專用之測量裝置。

具體而言，使測量對象之聚矽氧樹脂溶解於特定溶劑後，對聚矽氧樹脂中之氫原子核或矽原子核施加強力磁場與高頻無線電波，藉由使原子核中之核磁矩共鳴，而可測量聚矽氧樹脂中之各官能基之種類及存在比。

測量氫原子核之方法係稱為¹ H-NMR。又，測量矽原子核之方法係稱為²⁹ Si-NMR。作為核磁共振光譜法(NMR法)之測量所使用之溶劑，根據聚矽氧樹脂中之各種官能基之種類選擇重氯仿、氘代二甲亞碸、氘代甲醇、氘代丙酮、重水等即可。

T3矽原子之含量比例係可藉由將歸屬作為在²⁹ Si-NMR測量中所求出之T1矽原子之訊號面積、歸屬作為T2矽原子之訊號面積，及歸屬作為T3矽原子之訊號面積之合計面積，除以歸屬作為T3矽原子之訊號面積而求得。

聚矽氧樹脂A中，相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含量之比例係以70莫耳%以上85莫耳%以下為佳。

聚矽氧樹脂A所包含之構造單位中，R¹ 為碳數1~3之烷基，以甲基為佳。R² 為碳數1或2之烷氧基或羥基。R² 為烷氧基時，作為烷氧基，以甲氧基或乙氧基為佳。

聚矽氧樹脂A係以具有下述式(1)所示之有機聚矽氧烷構造為佳。式(1)中，R¹ 及R² 係表示與上述者相同意義。p¹ 、q¹ 、a¹ 及b¹ 表示任意之正數。

式(1)所示之有機聚矽氧烷構造中之各構造單位之存在比率係相對於T2矽原子之數：x¹ (=p¹ +b¹ ×q¹ )與T3矽原子之數：y¹ (=a¹ ×q¹ )之合計含量，T3矽原子之含有比率(=y¹ /(x¹ +y¹ ))為0.6以上0.9以下之範圍內，以0.7以上0.85以下之範圍內為佳，藉由成為此種範圍，而可適宜調整p¹ 、q¹ 、a¹ 、及b¹ 之數值。

聚矽氧樹脂A由於T3矽原子之存在比率為高，故藉由使聚矽氧樹脂A硬化，而可取得有機聚矽氧烷鏈構成為網目狀之硬化物。T3矽原子之存在比率在0.9以下時，有聚矽氧樹脂硬化物之熱衝撃耐性變得充足高之傾向。又，T3矽原子之存在比率在0.6以上時，有聚矽氧樹脂硬化物之UV耐性變得充足高之傾向。

聚矽氧樹脂A之每1分子之T2矽原子及T3矽原子之數係可藉由控制具有上述式(1)所示之有機聚矽氧烷構造之樹脂脂分子量而進行調整。本實施形態中，聚矽氧樹脂A之每1分子之T2矽原子之數與T3矽原子之數之和係以5以上為佳。

聚矽氧樹脂A之重量平均分子量為1500以上8000以下。聚矽氧樹脂A之重量平均分子量在過小時，有聚矽氧樹脂硬化物之UV耐性變低之傾向。聚矽氧樹脂A之重量平均分子量藉由在上述範圍內，可取得UV耐性更加優異之聚矽氧樹脂硬化物。聚矽氧樹脂A之重量平均分子量係以1800以上6000以下為佳，較佳為2000以上5000以下，更佳為2100以上4500以下，特佳為2500以上4000以下。

聚矽氧樹脂A係可將將對應構成聚矽氧樹脂A之上述各構成單位，且具有能生成矽氧烷鍵之官能基之有機矽化合物作為起始原料進行合成。

在此，「能生成矽氧烷鍵之官能基」可舉出如鹵素原子、羥基、烷氧基等。作為對應式(A3)所示之構造單位之有機矽化合物，可舉出例如，有機三鹵代矽烷、有機三烷氧基矽烷等。聚矽氧樹脂A係可將此種起始原料之有機矽化合物在對應各構造單位之存在比率之比率下藉由利用水解縮合法使其反應來進行合成。如此合成之聚矽氧樹脂係已有在工業上市售作為聚矽氧樹脂等。

本實施形態之聚矽氧樹脂之製造方法中，可僅使用1種聚矽氧樹脂A，亦可併用2種以上。

(聚矽氧樹脂B) 聚矽氧樹脂B係含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B係在工業上市售作為例如常溫下液狀之聚矽氧寡聚物等。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，作為聚矽氧樹脂B，以使用常溫下液體之聚矽氧寡聚物為佳。藉由使用常溫下液體之聚矽氧寡聚物作為聚矽氧樹脂B，聚矽氧樹脂硬化物成為高耐衝撃性者。又，聚矽氧樹脂硬化物變得容易與基板或半導體發光元件密著。

「含有之構造單位實質上僅為T體」係意指聚矽氧樹脂B之構造單位之中，95莫耳%以上為T體。聚矽氧樹脂B之構造單位之中，以97莫耳%以上係T體為佳，以99莫耳%以上係T體為較佳，以T體以外之構造單位在檢測界限以下為更佳。

更詳細而言，聚矽氧樹脂B所含有之矽原子係實質上由選自由T1矽原子及T2矽原子所成群之至1種之矽原子，與T3矽原子所構成，且相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含量之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，且重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。

聚矽氧樹脂B中之T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子係在與上述聚矽氧樹脂A中所說明者相同。

「實質上由選自由T1矽原子及T2矽原子所成群之至少1種之矽原子，與T3矽原子所構成」係意指聚矽氧樹脂B所含有之矽原子之中，80莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者。聚矽氧樹脂B所含有之矽原子係以90莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者為佳，以95莫耳%以上為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之任一者為較佳。

相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含量之比例係以35莫耳%以上55莫耳%以下為佳，以40莫耳%以上50莫耳%以下為較佳。

聚矽氧樹脂B係以具有下述式(2)所示之有機聚矽氧烷構造為佳。式(2)中，R¹ 及R² 表示與上述者相同意義。p² 、q² 、r² 、a² 及b² 表示任意之正數。

式(2)所示之有機聚矽氧烷構造中，相對於T1矽原子、T2矽原子與T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含有比率(=[a² ×q² ]/[(p² +b² ×q² )+a² ×q² +(r² +q² )])為0.3以上未滿0.6之範圍內，以0.35以上0.55以下之範圍內為佳，以0.4以上0.5以下之範圍內為較佳。

聚矽氧樹脂B之重量平均分子量為1500以上。聚矽氧樹脂B之重量平均分子量藉由在上述範圍，聚矽氧樹脂硬化物之熱衝撃耐性有提升之傾向。聚矽氧樹脂B之重量平均分子量係以1500以上20000以下為佳，以1500以上10000以下為較佳，以1500以上6000以下為更佳。聚矽氧樹脂B之重量平均分子量之下限值係以2000以上為較佳，以3000以上為更佳。

聚矽氧樹脂B之1分子中之T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之數係可藉由控制具有上述式(2)所示之有機聚矽氧烷構造之樹脂之分子量而進行調整。本實施形態中，聚矽氧樹脂B之1分子中之T1矽原子之數與T2矽原子之數與T3矽原子之數之和係以5以上為佳。

藉由對聚矽氧樹脂A配合聚矽氧樹脂B者進行硬化，可不損及聚矽氧樹脂A之高UV耐性，而取得熱衝撃耐性，及，硬化物與基板或半導體發光元件之密著性更受到改善之聚矽氧樹脂硬化物。

聚矽氧樹脂B係可將對應構成聚矽氧樹脂B之上述各構造單位，且具有能生成矽氧烷鍵之官能基之有機矽化合物作為起始原料進行合成。在此，「能生成矽氧烷鍵之官能基」係表示與上述者相同意義。作為對應式(A3)所示之構造單位之有機矽化合物，可舉出例如，有機三鹵代矽烷、有機三烷氧基矽烷等。聚矽氧樹脂B係可藉由將此種起始原料之有機矽化合物在對應各構造單位之存在比率之比率下藉由利用水解縮合法使其反應來進行合成。如此合成之聚矽氧樹脂在工業上已有市售作為聚矽氧寡聚物等。

本實施形態之聚矽氧樹脂之製造方法中，可僅使用1種聚矽氧樹脂B，亦可併用2種以上。

(聚矽氧樹脂C) 聚矽氧樹脂C係為以5℃/分之升溫速度從室溫升溫至200℃，在200℃下空氣中保持5小時後之質量減少率未滿5%之聚矽氧樹脂。在此，以5℃/分之升溫速度從室溫升溫至200℃之升溫步驟通常係在空氣中進行。此種聚矽氧樹脂C係使用作為填料。

聚矽氧樹脂C可謂係未反應之官能基為少而熱安定者。並且，聚矽氧樹脂C即使係受到與可見光相比而能量較大之UV光照射時，仍不易變質。因此，藉由配合聚矽氧樹脂C，而可使聚矽氧樹脂硬化物之UV耐性更加提升。

作為聚矽氧樹脂C，只要係熱安定者即無特別限定，具體而言，可使用如稱為聚矽氧橡膠粉或聚矽氧樹脂粉之微粒子狀之構造之聚矽氧樹脂。

微粒子狀之構造之聚矽氧樹脂之中，亦以由矽氧烷鍵係具有(RSiO_3/2 )所示之三次元網目構造之聚倍半矽氧烷樹脂所構成之聚矽氧樹脂粉為佳。(RSiO_3/2 )中，R係以甲基為佳。

聚矽氧樹脂C為聚矽氧樹脂粉之情況，作為粒子之形狀，可採用如針狀、板狀、球狀等各種形狀。其中，作為聚矽氧樹脂C之粒子之形狀，以在形狀上無各向異性之球狀為佳。

粒子之形狀為球狀之聚矽氧樹脂C由於在聚矽氧樹脂組成物中分散性會變高，故為佳。又，粒子之形狀為球狀之聚矽氧樹脂C由於粒子表面之凹凸為少，聚矽氧樹脂組成物中在與聚矽氧樹脂A之界面，及，與聚矽氧樹脂B之界面不易形成空氣層，聚矽氧樹脂硬化物不易白濁，故為佳。

聚矽氧樹脂C為球狀之聚矽氧樹脂粉時，聚矽氧樹脂粉之平均粒徑係以0.1~50μm為佳，以1~30μm為較佳，以2~20μm為更佳。

聚矽氧樹脂粉之平均粒徑若在上述範圍內(0.1~50μm)，有抑制聚矽氧樹脂硬化物與基板在界面之剝離產生、聚矽氧樹脂硬化物之白濁、聚矽氧樹脂硬化物之透光性降低的傾向。

聚矽氧樹脂粉之平均粒徑係可藉由例如將「雷射繞射・散射法」作為測量原理之粒度分布測量裝置進行測量。該手法係利用在對粒子照射雷射光束(單色光)時，因應該粒子之大小而對各種方向發射出繞折光、散射光，進而測量粒子之粒徑分布之手法，從繞折光及散射光之分布狀態而可求出平均粒徑。諸多之製造商已市售有將「雷射繞射・散射法」作為測量原理之裝置。

本實施形態之聚矽氧樹脂之製造方法中，聚矽氧樹脂C係可僅使用1種，亦可併用2種以上。

[聚矽氧樹脂組成物之製造方法1] 本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法1係使用聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係具有攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足下述式(A)為止之步驟。

(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述攪拌之步驟而得之生成物之重量平均分子量)。

「聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物」係僅以聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B所構成。「藉由攪拌之步驟而得之生成物」為聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B所分別具有之官能基彼此進行縮合反應，其結果所產生之反應生成物。

攪拌後之生成物(聚矽氧樹脂組成物)在常溫常壓(25℃、1氣壓)下為黏度100000cP以下之液狀。尚且，1cP為1mPa・s。

聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B係如上述具有結合於矽原子之烷氧基或羥基。聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物係藉由聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之縮合反應而形成交聯點，進行高分子量化而硬化。於此之際，聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B會伴隨縮合反應而產生醇或水等之脫離生成物而同時硬化。

因此從聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物所生成之脫離生成物會有因縮合反應之溫度條件而氣化，在藉由縮合反應而得之硬化物之中產生氣泡的情況。

又，氣泡之肇因除了上述之脫離生成物之外，認為尚有如以下者。

首先，作為氣泡之肇因，認為係聚矽氧樹脂組成物之製造過程中使用之有機溶劑。聚矽氧樹脂組成物中殘留有有機溶劑時，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物在進行縮合反應而成為硬化物之際，會有因縮合反應之溫度條件而氣化，在硬化物之中產生氣泡的情況。

又，作為氣泡之肇因，也認為係聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B所包含之低分子量之聚矽氧化合物。作為「低分子量之聚矽氧化合物」，可舉出如聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之原料且係殘留於聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之環狀矽氧烷。環狀矽氧烷例如-(CH₃ )₂ Si-O-單位之3聚物至10聚物。

又，作為「低分子量之聚矽氧化合物」，可舉出如包含於聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B中，且具有與上述之環狀矽氧烷同程度之分子量之鏈狀矽氧烷。

其他，聚矽氧樹脂組成物之製造過程中，在混合原料之際所混入之空氣也可能成為氣泡之肇因。

聚矽氧樹脂組成物中產生之氣泡會在聚矽氧樹脂組成物與周邊環境之氣體之界面浮上。氣泡在聚矽氧樹脂組成物之界面破裂時，取得之硬化物之表面會有粗糙的情況。即，聚矽氧樹脂組成物中產生之氣泡則會成為在生成之硬化物之表面產成凹凸之原因。

又，聚矽氧樹脂組成物中產生之氣泡滯留於聚矽氧樹脂組成物中直接結束縮合反應時，取得之硬化物會成為在內部具有氣泡者。

此種硬化物表面之凹凸或硬化物內部氣泡則可能成為使光散射之散射源。因此，使用具有此種表面凹凸或內部氣泡之硬化物來進行LED之密封時，而使從LED所射出之光逕行散射，促使將LED作為光源之光源裝置之性能降低之憂慮。

相對於此，本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法係將聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物在減壓下攪拌直至滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab 為止。

藉由上述攪拌，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物在滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab 為止進行縮合反應而成為高分子量化。因此，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物中變得會放出相當於已進行縮合反應之量的脫離生成物。

又，本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法係在減壓下進行上述攪拌。因此，因縮合反應產生之脫離生成物容易被除去至反應系統外。

因此，若在減壓下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ，可取得聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物已預先高分子量化之聚矽氧樹脂組成物。

取得之聚矽氧樹脂組成物係在製造過程會去除上述高分子量化中產生之脫離生成物。因此，在使取得之聚矽氧樹脂組成物硬化時產生之脫離生成物之量係比在使上述高分子量化前之混合物硬化時產生之脫離生成物之量還少。因此，取得之聚矽氧樹脂組成物會抑制在硬化時之氣泡產生。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法係以在減壓下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足1.035＜Mw_com /Mw_ab 為止為佳，以攪拌直至滿足1.04＜Mw_com /Mw_ab 為止為較佳。

又，本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法係在減壓下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足Mw_com /Mw_ab ＜1.2為止。

如以上所述，藉由攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物而高分子量化。另一方面，Mw_com /Mw_ab 變得越高於1.2以上，上述混合物之高分子量化過度進行時，則取得之生成物高黏度化，而變得操作困難。例如，以本實施形態之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物在過度高黏度化時，流動性降低，而變得難以滴下於LED上(裝填)密封LED。又，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之縮合反應過度進行時，在保存取得之聚矽氧樹脂組成物之期間縮合反應容易更加進行，而有在保存中固化之憂慮。

相對於此，藉由將聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物之縮合反應抑制在Mw_com /Mw_ab ＜1.2，取得之聚矽氧樹脂組成物之流動性受到確保，而變得容易操作。例如，聚矽氧樹脂組成物因具有適當黏度，而可滴下於LED上(裝填)密封LED，且在密封之同時可將密封部之表面作成透鏡狀之凸曲面。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法係以在減壓下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至滿足Mw_com /Mw_ab ＜1.15為止為佳，以攪拌直至滿足Mw_com /Mw_ab ＜1.10為止為較佳，以攪拌直至滿足Mw_com /Mw_ab ＜ 1.09為止為更佳。

因此，若在減壓環境下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2為止，可使聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之混合物產生縮合反應，並除去產生之脫離生成物。

將取得之生成物(聚矽氧樹脂組成物)使用作為密封材料來密封LED之情況，在與使用攪拌前之混合物作為密封材料之情況相比，裝填於LED上後，因形成密封部為止之硬化反應所產生之脫離生成物之總量會減少。並且，聚矽氧樹脂組成物之製造過程中，藉由進行加熱攪拌、減壓，而從聚矽氧樹脂組成物容易去除有關脫離生成物以外所預想之氣泡之肇因。因此，以本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法來製造之聚矽氧樹脂組成物會抑制造成脫離生成物等氣泡之肇因之物質量，而變得能製造高品質聚矽氧樹脂硬化物。

攪拌之步驟中，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物是否滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2係適宜藉由GPC法測量聚合平均分子量進行確認即可。又，在重複實施本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法時，以預備實驗確認聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2，並在已確認之條件下進行攪拌即可。

Mw_com 係以2500以上未滿24000為佳，較佳為2500以上7200以下，更佳為3500以上5500以下。

Mw_ab 係以1500以上15000以下為佳，較佳為1500以上6000以下，更佳為2100以上6000以下，較更佳為3400以上5000以下。

Mw_com 及Mw_ab 若在上述範圍時，由聚矽氧樹脂組成物所形成之聚矽氧樹脂硬化物之熱衝撃耐性有提升之傾向。又，聚矽氧樹脂硬化物有展現更加優異UV耐性之傾向。

尚且，攪拌之步驟中，亦可實施攪拌包含混合物之組成物。於此情況，組成物中之有機溶劑之含有率係以1質量%以下為佳。

若在減壓下攪拌如此有機溶劑經減少之組成物，取得之聚矽氧樹脂組成物就不易包含有機溶劑。因此，聚矽氧樹脂組成物在硬化時，變得不易產生聚矽氧樹脂組成物所包含之有機溶劑所造成之氣泡，且由聚矽氧樹脂組成物所得之聚矽氧樹脂硬化物變得不易產生表面之凹凸或內部氣泡。並且，有機溶劑可能會因加熱而氧化或分解，進而變成硬化物著色之原因。但，藉由將有機溶劑之含有率作成在1質量%以下，可抑制此種著色。

聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，以任意之比例混合原料之聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B。又，原料中，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之質量比係以[聚矽氧樹脂A]：[聚矽氧樹脂B]=10：90~60：40為佳。

在此，[聚矽氧樹脂A]表示聚矽氧樹脂A之質量，[聚矽氧樹脂B]表示聚矽氧樹脂A之質量。又，上述範圍之邊界值係包含在範圍內者。

聚矽氧樹脂組成物中，相對於聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之合計量，聚矽氧樹脂A之含有率係以10質量%以上為佳。聚矽氧樹脂A之含有率若為上述值時，可提高聚矽氧樹脂硬化物之UV耐性。

對本實施形態所製造之聚矽氧樹脂組成物更添加混和螢光體或其他填料狀粉體來使用之際，聚矽氧樹脂組成物以具有適度之流動性為佳。聚矽氧樹脂A在常溫下為固體之情況，聚矽氧樹脂組成物中，相對於聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之合計量，聚矽氧樹脂A之含有率係以60質量%以下為佳。聚矽氧樹脂A之含有率為上述值時，聚矽氧樹脂組成物中，變得容易與各種粉體混合。

由於聚矽氧樹脂組成物之操作為容易，且可對聚矽氧樹脂硬化物賦予高UV耐性，故相對於聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之合計量，聚矽氧樹脂A之含有率係以30質量%以上50質量%以下([聚矽氧樹脂A]：[聚矽氧樹脂B]=30：70~50：50)為較佳。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法在攪拌之步驟中，因應必要亦可攪拌對聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物更添加聚矽氧樹脂C之組成物。

尚且，聚矽氧樹脂C通常係不溶於上述溶劑。在使用GPC法之重量平均分子量之測量中，測量試料在包含聚矽氧樹脂C之情況，聚矽氧樹脂C在GPC測量用之溶液調整時係藉由過濾器來過濾去除。因此，即使在使用聚矽氧樹脂C製造聚矽氧樹脂組成物的情況，仍可攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物直至1.03＜Mw_com / Mw_ab ＜1.2為止。

相對於聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B及聚矽氧樹脂C之合計量，聚矽氧樹脂C之含量之含有率(樹脂分含有率)係以20~60質量%為佳，以30~50質量%為較佳。在使聚矽氧樹脂C之樹脂份含有率位於上述範圍內之聚矽氧樹脂組成物硬化時，有容易取得熱衝撃耐性及UV耐性之平衡良好且優異之硬化物的傾向。

[聚矽氧樹脂組成物之製造方法2] 上述攪拌之步驟中，從最初之攪拌，就可攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物，亦可將聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B分開攪拌。具體而言，上述攪拌之步驟係可作成具有：攪拌聚矽氧樹脂B之第1步驟，對第1步驟取得之經高分子量化之聚矽氧樹脂B添加聚矽氧樹脂A而作成混合物後，攪拌混合物之第2步驟者。

即，本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法2為使用聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係具有：在200hPa以下之減壓環境下將聚矽氧樹脂B加熱至100℃以上並同時攪拌，而取得聚矽氧樹脂B經高分子量化之聚矽氧樹脂B1的第1步驟；及，對聚矽氧樹脂B1添加聚矽氧樹脂A作成混合物後，在200hPa以下之減壓環境下將混合物加熱至100℃以上並同時攪拌之第2步驟。第2步驟係攪拌混合物直至滿足下述式(A)為止。

(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述第2步驟而得之生成物之重量平均分子量)。

「聚矽氧樹脂B1」為第1步驟中聚矽氧樹脂B經縮合且高分子量化之聚合物。「藉由第2步驟而得之生成物」係聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B1所分別具有之官能基彼此進行縮合反應，其結果產生之反應生成物。

(第1步驟) 第1步驟係在200hPa以下之減壓環境下將聚矽氧樹脂B加熱至100℃以上並同時攪拌即可。

第1步驟中之壓力條件係以200hPa以下為佳，以100hPa以下為較佳，以50hPa以下為更佳，以20hPa以下為特佳。

第1步驟之加熱溫度係以100℃以上為佳，以120℃以上為較佳。又，第1步驟中之加熱溫度係以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。上述上限值及下限值係可任意地組合。

藉由將第1步驟之加熱溫度作成上述範圍內，而容易將Mw_com /Mw_ab 管理在未滿1.2，且第1步驟取得之生成物不易高黏度化。因此，第1步驟取得之生成物之操作變得容易。

到達第1步驟中之加熱溫度後之攪拌時間係以15分以上為佳，以30分以上為較佳。又，到達第1步驟之加熱溫度後之攪拌時間係以10小時以下為佳，以8小時以下為較佳。上述上限值及下限值係可任意地組合。

藉由將第1步驟之攪拌時間作成上述範圍內，而容易將Mw_com /Mw_ab 管理在未滿1.2，且第1步驟取得之生成物不易高黏度化。因此，第1步驟取得之生成物之操作變得容易。

關於上述之第1步驟之壓力、加熱溫度、攪拌時間之各條件，若第1步驟取得之聚矽氧樹脂B1所包含之有機溶劑之含有率在1質量%以下，則皆可任意地組合。

本實施形態中，第1步驟取得之聚矽氧樹脂B1中之有機溶劑之含有率係採用藉由氣相層析法(GC法)測量之值。在利用GC法之有機溶劑之含有率測量中，作為使用之溶劑，使用如四氫呋喃、丙酮、甲醇、乙醇、異丙基醇、γ-丁內酯、己烷等可溶於聚矽氧樹脂之溶劑即可。

作為一例，第1步驟係藉由將聚矽氧樹脂B在140℃、10hPa下加熱攪拌1小時來實施。

藉由實施第1步驟，一部分聚矽氧樹脂B進行縮合反應，而成為聚矽氧樹脂B1。又，從聚矽氧樹脂B1去除因縮合反應而生成之脫離生成物。

(第2步驟) 第2步驟係對第1步驟取得之聚矽氧樹脂B1添加聚矽氧樹脂A而作成混合物。其後，在200hPa以下之減壓環境下將取得之混合物加熱至100℃以上並同時攪拌即可。

第2步驟之壓力條件係以200hPa以下為佳，以100hPa以下為較佳，以50hPa以下為更佳，以20hPa以下為特佳。

第2步驟之加熱溫度條件係以100℃以上為佳，以120℃以上為較佳。又，第2步驟之加熱溫度係以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。上述上限值及下限值係可任意地組合。

藉由將第2步驟之攪拌時間作成上述範圍內，而容易將Mw_com /Mw_ab 管理在未滿1.2，且第2步驟取得之生成物不易高黏度化。因此，第2步驟取得之生成物之操作變得容易。

到達第2步驟之加熱溫度後之攪拌時間係以15分以上為佳，以30分以上為較佳。又，到達第2步驟之加熱溫度到達後之攪拌時間係以10小時以下為佳，以8小時以下為較佳。上述上限值及下限值係可任意地組合。

關於上述之第2步驟之壓力、加熱溫度、攪拌時間之各條件，只要取得之聚矽氧樹脂組成物滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2之條件，皆可任意地組合。

作為一例，第2步驟係藉由在140℃、10hPa下加熱攪拌聚矽氧樹脂B 1小時來實施。

第1步驟之各條件與第2步驟之各條件係可個別為相同，亦可為相異。

藉由實施第2步驟，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B1會互相溶解，且聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B1之混合物進行縮合反應。並且，從聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B1之混合物去除脫離生成物。

藉由此種製造方法，亦可作成在減壓下攪拌聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B1之混合物直至滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2為止。

尚且，在除了使用聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B，也使用聚矽氧樹脂C製造聚矽氧樹脂組成物之情況，可在第1步驟中混合聚矽氧樹脂B與聚矽氧樹脂C，在200hPa以下之減壓環境下加熱至100℃以上並同時攪拌而取得包含聚矽氧樹脂B1之聚矽氧樹脂D。以下，將「包含聚矽氧樹脂B1之聚矽氧樹脂D」單稱為「聚矽氧樹脂D」。

第1步驟中，混合聚矽氧樹脂B與聚矽氧樹脂C而試圖調製聚矽氧樹脂D之際，因粉狀之聚矽氧樹脂C會捲入空氣，而有聚矽氧樹脂D包含氣泡的情況。

因此，第1步驟中在混合聚矽氧樹脂B與聚矽氧樹脂C時，上述之第1步驟之壓力、加熱溫度、攪拌時間之各條件係在加上上述之有機溶劑之含有率，且在氣泡變得不會出現在聚矽氧樹脂D表面之條件下可任意地組合。

以此種方法之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物在製造過程中可能混入之空氣之殘留量少，且可抑制表面凹凸或成為氣泡之肇因之脫離生成物產生量。因此，變得能容易製造高品質硬化物。

(其他添加物) 本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，亦可對聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物更添加矽烷耦合劑、反應促進用觸媒，及其他添加劑。

(矽烷耦合劑) 矽烷耦合劑具有提高使聚矽氧樹脂組成物硬化而得之硬化物與半導體發光元件或基板之密著性的效果。作為矽烷耦合劑，以具有選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、胺基、脲基、巰基、硫醚基及異氰酸酯基所成群之至少1個以上之基之矽烷耦合劑為佳，以具有環氧基或巰基之矽烷耦合劑為較佳。

作為矽烷耦合劑，具體地可舉出如2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等。

以本實施形態之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物在包含矽烷耦合劑時，矽烷耦合劑所包含之矽原子也係會被檢測當作²⁹ Si-NMR之訊號。因此，本說明書中，在計算聚矽氧樹脂組成物之訊號面積(歸屬作為T1矽原子之訊號面積、歸屬作為T2矽原子之訊號面積及歸屬作為T3矽原子之訊號面積)時，視為也包括矽烷耦合劑之訊號者。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所使用之矽烷耦合劑脂含量在相對於聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之合計含量100質量份，或，聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B及聚矽氧樹脂C之合計含量100質量份(樹脂分)而言，以0.0001~1.0質量份為佳，較佳為0.001~0.1質量份。矽烷耦合劑之含量若高於上述範圍，因矽烷耦合劑本身會吸收光，故會有使聚矽氧樹脂組成物硬化而得之硬化物之透明性降低的情況。

(反應促進用觸媒) 聚矽氧樹脂組成物一般會有添加酸性化合物、鹼性化合物、金屬系化合物等之反應促進用觸媒的情況。本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，在攪拌之步驟中，亦可對聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物添加反應促進用觸媒。

藉由添加反應促進用觸媒，在攪拌之步驟中，聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物滿足1.03＜Mw_com /Mw_ab ＜1.2為止之時間變短。亦或，在與未使用反應促進用觸媒之情況相比，藉由添加反應促進用觸媒，可降低加熱攪拌之步驟之加熱溫度。

在使用反應促進用觸媒時，作為反應促進用觸媒，只要係可促進聚矽氧樹脂組成物之縮合反應者，皆可使用各種觸媒。

聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之官能基為烷氧基或羥基時，為了促進水解縮合反應，作為反應促進用觸媒，可使用無機酸或有機酸。作為無機酸，可例示如鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸。作為有機酸，可例示如蟻酸、乙酸、草酸、檸檬酸、丙酸、丁酸、乳酸、琥珀酸。

又，作為反應促進用觸媒，也能使用如鹼性之化合物。作為鹼性之化合物，可例示如氫氧化銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨。

又，反應促進用觸媒之含量在相對於聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之合計含量，或，聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B及聚矽氧樹脂C之合計含量(樹脂分)而言，以0.5質量%以下為佳，以0.05質量%以下為較佳。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，使用金屬系觸媒作為反應促進用觸媒時，金屬系觸媒之含量係以0.05質量%以下為佳，以0.01質量%以下為較佳，以0.001質量%以下為更佳。

(其他添加劑) 作為其他添加劑，可舉出如，與聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B及聚矽氧樹脂C皆為相異之聚矽氧樹脂、聚矽氧寡聚物、聚矽氧化合物等。作為其他添加劑之具體例，可舉出如工業上市售之一般性改質用聚矽氧化合物。本實施形態之聚矽氧樹脂組成物藉由包含該改質用聚矽氧化合物，而可對聚矽氧樹脂硬化物賦予柔軟性。作為改質用聚矽氧化合物，可舉出例如，具有將R₂ SiO_2/2 (在此，R表示烷基)作為主鏈之二烷基矽氧烷構造之聚合物、寡聚物等。

以本實施形態之製造方法製造之聚矽氧樹脂組成物在包含聚矽氧化合物之情況，聚矽氧化合物所包含之矽原子亦會被檢測作為²⁹ Si-NMR之訊號。因此，本說明書中，在計算聚矽氧樹脂組成物之訊號面積(歸屬作為T1矽原子之訊號面積、歸屬作為T2矽原子之訊號面積及歸屬作為T3矽原子之訊號面積)時，視為也包括矽烷耦合劑之訊號者。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中，聚矽氧化合物之使用量在相對於聚矽氧樹脂A及聚矽氧樹脂B之合計含量100質量份，或，聚矽氧樹脂A、聚矽氧樹脂B及聚矽氧樹脂C之合計含量100質量份(樹脂分)而言，以0.1~20質量份為佳，較佳為0.5~10質量份。聚矽氧化合物之含量若高於上述範圍，則有使聚矽氧樹脂組成物硬化而得之硬化物之透明性受損的情況。

作為添加劑之其他例，可舉出例如，在聚矽氧樹脂組成物之混合時抑制氣泡產生用之消泡劑等。

(聚矽氧樹脂組成物) 藉由如以上之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，即可製造以下之聚矽氧樹脂組成物。

本實施形態之聚矽氧樹脂組成物係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物，基於藉由GPC測量而得之分子量分布曲線，以下述方法求出之評價值為未滿25，該分子量分布曲線係將標準聚苯乙烯換算之分子量設為橫軸，將示差折射率檢測器之檢測強度設為縱軸者。

聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體、T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下、重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體、T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%、重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂。 (T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位。T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位)。

(評價值之算出方法) 前述分子量分布曲線中，對於在分子量從245至400之範圍所發現之強度未滿0之峰值之中絕對值為最大之峰值，以峰頂強度成為-1之方式來規格化前述分子量分布曲線之縱軸之值；求出區域中之規格化檢測強度值之和作為前述評價值，該區域係受到經規格化之前述分子量分布曲線，與，經規格化之前述分子量分布曲線中連接分子量為140之點與245之點之2點間之1次式所示之直線(基準線)所包圍者； (受到基準線與經規格化之分子量分布曲線所包圍之區域中規格化檢測強度值係意指從各分子量之基準線減去前述規格化檢測強度值而得之值，該各分子量之基準線係以該當於GPC測量之數據取得時間間隔0.3秒之分子量間隔排列者)。

以上述方法求出之評價值係成為評價聚矽氧樹脂組成物所包含之低分子量成分之含量用之指標之值。評價值越小，則可評價成聚矽氧樹脂組成物所包含之低分子量成分越少。

本發明中在求出上述評價值之際，使用在下述條件下GPC測量聚矽氧樹脂組成物而得之分子量分布曲線。分子量分布曲線係使用檢量線求得者，該檢量線係展示藉由GPC測量而得之層析圖，與，標準聚苯乙烯之分子量對使用標準聚苯乙烯預先求得之GPC析出時間的關係。

＜GPC測量條件＞裝置：東曹公司製HLC-8220 管柱： TSK gel Multipore HXL-M×3+Guardcolumn- MP(XL) 流量： 1.0mL/分檢測條件： RI(極性+) 濃度： 100mg+5mL(THF) 注入量： 100μL 管柱溫度： 40℃ 溶析液： THF(四氫呋喃) 分子量標準：標準聚苯乙烯數據取得時間間隔： 0.3秒

在對於聚矽氧樹脂組成物求出之分子量分布曲線中，認為在分子量140至400之範圍中會檢測出聚矽氧樹脂A、B所包含之低分子量成分。此種低分子量成分認為係聚矽氧樹脂A、B所包含之低分子聚矽氧。在聚矽氧樹脂組成物之技術領域中，此種源自原料之低分子量成分之含量雖為微量，但在本實施形態中，微量包含之低分子量成分係可能成為上述氣泡之肇因。因此，發明者等著眼於上述低分子量成分之量。

根據發明者等之檢討，得知藉由上述本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物中，低分子量成分之中分子量140至245之範圍之成分已降低。此認為係本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法中藉由進行加熱攪拌或減壓，分子量140至245之範圍之低分子量成分揮發而被除去所致。由於容易揮發，故認為分子量140至245之範圍之低分子量成分容易變成上述之氣泡之肇因。

有鑑於此，根據發明者等之檢討，得知在藉由上述本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物中，即使在聚矽氧樹脂組成物之製造方法中進行加熱攪拌或減壓，分子量成分之中分子量245至400之範圍之成分仍不會減少。

因此，本實施形態中，為了評價藉由聚矽氧樹脂組成物之製造方法而減少之分子量140至245之範圍之低分子量成分之量，從而規定以上述方法所求出之評價值。根據發明者等之檢討，得知由評價值未滿25之聚矽氧樹脂組成物所取得之硬化物不易混入氣泡，而可取得高品質硬化物。

上述之評價值係以20以下為佳，較佳為15以下，更佳為10以下。下限值並無特別限定，以0.5以上為佳，較佳為1.0以上，更佳為1.5以上，特佳為2.0以上。評價值之下限值若在上述範圍內，聚矽氧樹脂組成物由於適度地包含低分子量成分，故使聚矽氧樹脂組成物硬化而得之硬化物之柔軟性提升，且可提高熱衝撃耐性。

藉由本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物為包含聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B。又，取得之聚矽氧樹脂組成物中，樹脂組成物所含有之矽原子實質上係由選自由T1矽原子及T2矽原子所成群之至少1種矽原子與T3矽原子所構成，相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之合計含量，T3矽原子之含量之比例為50莫耳%以上99莫耳%以下，結合於前述矽原子之側包括碳數1~3之烷基，與碳數1或2之烷氧基，烷氧基之莫耳比係相對於烷基100為5以上。

聚矽氧樹脂組成物之T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子係與在上述聚矽氧樹脂A中所說明者相同。

取得之聚矽氧樹脂組成物中，結合在前述矽原子之側鏈所包含之羥基之莫耳比，相對於前述烷基100而言，以10以上為佳。

以本實施形態之製造方法製造之聚矽氧樹脂組成物係有用於製造展現高熱衝撃耐性之硬化物。此種硬化物由於高UV穿透性且高UV耐性(耐光性)高，故可適宜利用作為UV-LED用密封材料。

本說明書中，聚矽氧樹脂硬化物之高熱衝撃耐性係意指即使在對聚矽氧樹脂硬化物施加例如在-30℃下靜置30分鐘後，在85℃下靜置30分鐘之溫度循環重複100次後之熱衝撃的情況，聚矽氧樹脂硬化物仍不易產生龜裂。

本說明書中，聚矽氧樹脂硬化物之高UV耐性係意指即使在對聚矽氧樹脂硬化物照射UV光的情況，聚矽氧樹脂硬化物上之變色、龜裂產生等之劣化為少。在此，UV光係意指波長250~400nm程度之光。

並且，藉由本實施形態之聚矽氧樹脂組成物之製造方法所製造之聚矽氧樹脂組成物在硬化時產生之脫離生成物之量係比使聚矽氧樹脂A與聚矽氧樹脂B之混合物硬化時產生之脫離生成物之量還少。因此，取得之硬化物上不易產生表面凹凸，且硬化物之內部不易混入氣泡。

因此，根據如以上構成之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，而能容易製造高品質硬化物。

以上，參照附件圖式一併說明了關於本發明之適宜實施之形態例，但毋庸置疑本發明並非係受該例所限定者。上述之例中所示之各構成構件之諸形狀或組合等僅為一例，在不超過本發明主旨範圍，皆能根據設計要求等而施加各種變更。 [實施例]

以下根據實施施說明本發明，但本發明並非係受該等實施例所限定者。

＜GPC測量＞本實施例中，聚矽氧樹脂及聚矽氧樹脂組成物之分子量測量係使用GPC法。在調製GPC測量用之溶液時，使用拋棄式過濾器單元(研華東洋股份有限公司製DISMIC-25HP，孔徑0.45μm)去除溶液中之不溶物。對於取得之調製溶液，在下述條件下測量標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量。測量條件係如以下所示。

＜GPC測量條件＞裝置：東曹公司製 HLC-8220 管柱： TSKgel Multipore HXL-M×3+Guardcolumn-MP(XL) 流量： 1.0mL/分檢測條件： RI(極性+) 濃度： 100mg+5mL(THF) 注入量： 100μL 管柱溫度： 40℃ 溶析液： THF(四氫呋喃) 分子量標準：標準聚苯乙烯數據取得時間間隔： 0.3秒

＜低分子量成分之含量之評價值之計算＞藉由解析在上述GPC測量條件下取得之分子量分布曲線來出關於以下實施例、比較例中取得之聚矽氧樹脂組成物中所含之低分子量成分之含量之評價值。分子量分布曲線之橫軸表示標準聚苯乙烯換算之分子量，縱軸表示示差折射率檢測器之檢測強度。

首先，取得之分子量分布曲線中，將分子量在245至400之範圍所發現之未滿強度0之峰值當中絕對值為最大之峰值，以峰頂強度成為-1之方式規格化分子量分布曲線之縱軸之值。

其次，求出由經規格化之分子量分布曲線，與，經規格化之分子量分布曲線中連接分子量為140之點與245之點之2點之1次式所示之直線(基準線)所包圍之區域中之規格化檢測強度值之和。在此，由基準線與經規格化之分子量分布曲線所包圍之區域中之規格化檢測強度值係意指從各分子量之基準線減去前述規格化檢測強度值而得之值，該各分子量之基準線係以該當於GPC測量之數據取得時間間隔0.3秒之分子量間隔排列者。將取得之規格化檢測強度值之和作為評價值。

＜聚矽氧樹脂及聚矽氧樹脂組成物之矽原子之種類辨識及取代基之存在比率之測量＞本實施例中，原料之聚矽氧樹脂中之矽原子之種類辨識，及測量聚矽氧樹脂中之取代基之存在比率用之手段係使用溶液¹ H-NMR法或溶液²⁹ Si-NMR法。

＜溶液¹ H-NMR測量條件＞裝置名　　　　：JEOL RESONANCE公司製ECA-500 觀測核　　　　：1H 觀測頻率　　　：500.16MHz 測量溫度　　　：室溫測量溶劑　　　：DMSO-d₆ 脈衝寬幅　　　：6.60μsec(45°) 脈衝重複時間　：7.0sec 累積次數　　　：16次試料濃度(試料/測量溶劑)：300mg/0.6ml

＜溶液²⁹ Si-NMR測量條件＞裝置名　　　　：Agilent公司製400-MR 觀測核　　　　：²⁹ Si 觀測頻率　　　：79.42MHz 測量溫度　　　：室溫測量溶劑　　　：CDCl₃ 脈衝寬幅　　　：8.40μsec(45°) 脈衝重複時間　：15.0sec 累積次數　　　：4000次試料濃度(試料/測量溶劑)：300mg/0.6ml

＜GC測量條件＞本說明書中，聚矽氧樹脂組成物之有機溶劑之含有率係使用藉由氣相層析(GC)法所測量之值。測量條件係如以下所示。

＜GC測量條件＞裝置　　　：Agilent公司製6890型管柱　　　：CP-PorabondQ(0.25mmϕ×30m、0.25μm) 載氣　：氦分流比　　：40：1 管柱溫度　：50℃下保持5分，以10℃/分升溫，300℃下保持10分注入口溫度：200℃ 檢測器　　：FID 檢測器溫度：250℃ IS試藥　　：甲基異丁基酮稀釋溶劑　：γ-丁內酯

(聚矽氧樹脂) 作為聚矽氧樹脂A，使用上述具有一般式(1)所示之有機聚矽氧烷構造之聚矽氧樹脂1(上述一般式(1)中，R¹ =甲基，R² =甲氧基或羥基)。聚矽氧樹脂1之各構造單位之存在比率係如表1所示。

測量聚矽氧樹脂1之重量平均分子量時，其為Mw=3100。

作為聚矽氧樹脂B，使用具有上述一般式(2)所示之有機聚矽氧烷構造之聚矽氧樹脂2(上述一般式(2)中，R¹ =甲基、R² =甲氧基)。聚矽氧樹脂2之各構造單位之存在比率係如表2所示。

測量聚矽氧樹脂2之重量平均分子量時，其為Mw=5600。

作為聚矽氧樹脂C，使用信越化學工業公司製之聚矽氧樹脂3(商品名「KMP-701」，式：RSiO_3/2 中之R為甲基，具有甲氧基及羥基作為能生成矽氧烷鍵之官能基)。使聚矽氧樹脂3以5℃/分之升溫速度從室溫升溫至200℃，在200℃下在空氣中保持5小時後之質量減少率為0.6%。聚矽氧樹脂3為平均粒徑3.5μm(型錄值)，粒徑分布1~6μm(型錄值)之聚矽氧樹脂粉。

(實施例1) 將15g之聚矽氧樹脂2，與25g之聚矽氧樹脂3添加於旋轉蒸發器用之玻璃容器，在10hPa之減壓環境下，以140℃加熱攪拌1小時，而取得白色透明黏性之聚矽氧樹脂4。本操作係該當於上述實施形態之「第1步驟」。

取得之黏性之聚矽氧樹脂4中之有機溶劑之含有率為檢測下限以下。

對取得之聚矽氧樹脂4添加10g之聚矽氧樹脂1，並且在10hPa之減壓環境下，以140℃加熱攪拌1小時，而取得實施例1之聚矽氧樹脂組成物1。聚矽氧樹脂組成物1為白色透明。本操作係該當於上述實施形態之「第2步驟」。

藉由上述之GPC測量，測量使15g之聚矽氧樹脂2，與10g之聚矽氧樹脂1溶解於THF之混合物之重量平均分子量(Mw_ab )時，Mw=3900(n=2之平均值)。又，測量聚矽氧樹脂組成物1之重量平均分子量(Mw_com )時，Mw=4200(n=2之平均值)。即，Mw_com /Mw_ab =1.08。並且，從重量平均分子量(Mw_com )測量時之分子量分布曲線，算出聚矽氧樹脂組成物1之低分子量成分含量之評價值為4.3。

(實施例2) 除了改用聚矽氧樹脂2　15g，聚矽氧樹脂3　20g以外，其係與實施例1同樣地進行第1步驟，而取得黏性之聚矽氧樹脂5。

第1步驟取得之黏性之聚矽氧樹脂5中之有機溶劑之含有率為檢測下限以下。

除了改用聚矽氧樹脂5、及聚矽氧樹脂1　15g以外，其他係與實施例1同樣地進行第2步驟，而取得實施例2之聚矽氧樹脂組成物2。

測量使15g之聚矽氧樹脂2，與15g之聚矽氧樹脂1溶解於THF之混合物之重量平均分子量(Mw_ab )時，Mw=3700(n=2之平均值)。又，測量聚矽氧樹脂組成物2之重量平均分子量(Mw_com )時，Mw=3900(n=2之平均值)。即，Mw_com /Mw_ab =1.05。並且，從重量平均分子量(Mw_com )測量時之分子量分布曲線，算出聚矽氧樹脂組成物2之低分子量成分含量之評價值為2.3。

(實施例3) 除了改用聚矽氧樹脂2　17.5g，聚矽氧樹脂3　25g以外，其他係與實施例1同樣地進行第1步驟，而取得黏性之聚矽氧樹脂6。

第1步驟取得之黏性之聚矽氧樹脂6中之有機溶劑之含有率為檢測下限以下。

除了改用聚矽氧樹脂6，及聚矽氧樹脂1　7.5g以外，其他係與實施例1同樣地進行第2步驟，而取得實施例3之聚矽氧樹脂組成物3。

測量使17.5g之聚矽氧樹脂2與7.5g之聚矽氧樹脂1溶解於THF之混合物之重量平均分子量(Mw_ab )時，Mw=4200(n=2之平均值)。又，測量聚矽氧樹脂組成物3之重量平均分子量(Mw_com )時，Mw=4500(n=2之平均值)。即，Mw_com /Mw_ab =1.07。並且，從重量平均分子量(Mw_com )測量時之分子量分布曲線，算出聚矽氧樹脂組成物3之低分子量成分含量之評價值為9.5。

(實施例4) 將15g之聚矽氧樹脂2與10g之聚矽氧樹脂1添加於旋轉蒸發器用之玻璃容器，在10hPa之減壓環境下，以140℃加熱攪拌1小時，而取得無色透明之實施例4之聚矽氧樹脂組成物4。

聚矽氧樹脂組成物4中之有機溶劑之含有率為檢測下限以下。

測量使15g之聚矽氧樹脂2與10g之聚矽氧樹脂1溶解於THF之混合物之重量平均分子量(Mw_ab )時，其為Mw=4000(n=2之平均值)。又，測量聚矽氧樹脂組成物4之重量平均分子量(Mw_com )時，Mw=4200(n=2之平均值)。即，Mw_com /Mw_ab =1.05。並且，從重量平均分子量(Mw_com )測量時之分子量分布曲線，算出聚矽氧樹脂組成物4之低分子量成分含量之評價值為8.1。

(比較例1) 將15g之聚矽氧樹脂1與5g之聚矽氧樹脂2放入茄形燒瓶，藉由在100℃下加熱攪拌3.5小時使其溶解，而取得無色透明之比較例1之聚矽氧樹脂組成物5。

聚矽氧樹脂組成物5中之有機溶劑之含有率為0.2質量%。

測量使5g之聚矽氧樹脂2與15g之聚矽氧樹脂1溶解於THF之混合物之重量平均分子量(Mw_ab )時，Mw=3300(n=2之平均值)。又，測量聚矽氧樹脂組成物5之重量平均分子量(Mw_com )時，Mw=3400(n=2之平均值)。即，Mw_com /Mw_ab =1.03。並且，重量平均分子量(Mw_com )測量時之分子量分布曲線，算出聚矽氧樹脂組成物5之低分子量成分含量之評價值為28。

(評價) 在縱3.5mm×橫3.5mm之LTCC基板(低溫同時燒成陶瓷(Low-temperature Co-fired Ceramics)橫尾公司製)上分別適量裝填(滴下)實施例1~4、比較例1之聚矽氧樹脂組成物。

裝填(potting)時，聚矽氧樹脂組成物1、2、3、6由於經添加之聚矽氧樹脂3之搖變性，故在裝填時可容易地形成透鏡狀之凸曲面。另一方面，聚矽氧樹脂組成物4與5則難以裝填飽滿。

其後，使已裝填之聚矽氧樹脂組成物在140℃下保溫10小時之硬化條件下硬化而取得聚矽氧樹脂硬化物。

使用數位顯微鏡(股份有限公司基恩士製VHX-2000)詳細地觀察取得之聚矽氧樹脂硬化物。評價關於聚矽氧樹脂硬化物之表面凹凸狀態，及聚矽氧樹脂硬化物中有無氣泡。

將聚矽氧樹脂硬化物之表面為平滑，且聚矽氧樹脂硬化物中完全不包含直徑10μm以上之氣泡的情況評為「合格」。將聚矽氧樹脂硬化物之表面產生凹凸，或聚矽氧樹脂硬化物中包含氣泡的情況評為「不合格」。

評價之結果，使實施例1~4之聚矽氧樹脂組成物1~4硬化之聚矽氧樹脂硬化物在表面上並未發現凹凸，且在聚矽氧樹脂硬化物之內部並未發現氣泡。

相對於此，使比較例1之聚矽氧樹脂組成物5硬化之硬化物在表面上產生凹凸，且硬化物之內部殘留有氣泡。

圖1為使實施例1之聚矽氧樹脂組成物1硬化之硬化物之外觀照片，圖2為使比較例1之聚矽氧樹脂組成物5硬化之硬化物之外觀照片。亦如圖所明示，得知在與圖2之硬化物相比，圖1之硬化物被中央虛線包圍之部分(圖中，以符號α表示)並無變形，且無表面凹凸。

根據以上，得知本發明為極有用者。

[圖1]使實施例1之聚矽氧樹脂組成物1硬化之硬化物之外觀照片。 [圖2]使比較例1之聚矽氧樹脂組成物5硬化之硬化物之外觀照片。

Claims

一種聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中具有攪拌下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B之混合物直到滿足下述式(A)為止之步驟；
(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述攪拌之步驟而得之生成物之重量平均分子量) 聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂，聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂； T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位， T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位。
一種聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中具有：在200hPa以下之減壓環境下將前述聚矽氧樹脂B加熱至100℃以上並同時攪拌，而取得前述聚矽氧樹脂B經高分子量化之聚矽氧樹脂B1的第1步驟；對前述聚矽氧樹脂B1加入前述聚矽氧樹脂A作成混合物後，在200hPa以下之減壓環境下將前述混合物加熱至100℃以上並同時攪拌的第2步驟；且前述第2步驟係攪拌前述混合物直至滿足下述式(A)為止；
(Mw_ab 為前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之混合物之重量平均分子量，Mw_com 為藉由前述第2步驟而得之生成物之重量平均分子量) 聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂，聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂； T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位， T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位。
如請求項2之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中前述第1步驟係在200hPa以下之減壓環境下將前述聚矽氧樹脂B與下述聚矽氧樹脂C加熱至100℃以上並同時攪拌而取得包含前述聚矽氧樹脂B1之聚矽氧樹脂D；聚矽氧樹脂C：以5℃/分之升溫速度從室溫升溫至200℃，在200℃下空氣中保持5小時後之質量減少率未滿5%之聚矽氧樹脂。
如請求項1至3中任一項之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其係在前述原料中，前述聚矽氧樹脂A與前述聚矽氧樹脂B之質量比為[聚矽氧樹脂A]：[聚矽氧樹脂B]=10：90~60：40；在此，[聚矽氧樹脂A]表示前述聚矽氧樹脂A之質量，[聚矽氧樹脂B]表示前述聚矽氧樹脂B之質量。
如請求項1至4中任一項之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中前述攪拌之步驟係攪拌包含前述混合物之組成物，且前述組成物中之有機溶劑之含有率為1質量%以下。
如請求項1至5中任一項之聚矽氧樹脂組成物之製造方法，其中前述攪拌之步驟係攪拌包含前述混合物與反應促進用觸媒之組成物。
一種聚矽氧樹脂組成物，其係使用下述聚矽氧樹脂A與下述聚矽氧樹脂B作為原料之聚矽氧樹脂組成物，其中基於藉由GPC測量而得之分子量分布曲線，以下述方法求出之評價值為未滿25，該分子量分布曲線係將標準聚苯乙烯換算之分子量設為橫軸，將示差折射率檢測器之檢測強度設為縱軸者；聚矽氧樹脂A：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為60莫耳%以上90莫耳%以下，重量平均分子量為1500以上8000以下之聚矽氧樹脂，聚矽氧樹脂B：含有之構造單位實質上僅為T體，T體之中T3體之比例為30莫耳%以上未滿60莫耳%，重量平均分子量為1500以上之聚矽氧樹脂； T體係意指與3個氧原子結合之矽原子之構造單位， T3體係意指T體之中T體所具有之3個氧原子全部係與其他矽原子結合之構造單位； (方法) 前述分子量分布曲線中，對於在分子量從245至400之範圍所發現之強度未滿0之峰值之中絕對值為最大之峰值，以峰頂強度成為-1之方式來規格化前述分子量分布曲線之縱軸之值；求出區域中之規格化檢測強度值之和作為前述評價值，該區域係受到經規格化之前述分子量分布曲線，與，經規格化之前述分子量分布曲線中連接分子量為140之點與245之點之2點間之1次式所示之直線(基準線)所包圍者；受到基準線與經規格化之分子量分布曲線所包圍之區域中規格化檢測強度值係意指從各分子量之基準線減去前述規格化檢測強度值而得之值，該各分子量之基準線係以該當於GPC測量之數據取得時間間隔0.3秒之分子量間隔排列者。