TW201947317A - 印模及用於壓印之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一印模(3)，其包括一軟印模(2)及固定至該軟印模(2)之一載體(1)。

Description

印模及用於壓印之方法
本發明係關於根據協調申請專利範圍之一種印模、一印模之一用途、具有一印模之一裝置及用於壓印之一方法。
在先前技術中，針對一壓印化合物，存在兩種基本類型之固化機制，該壓印化合物可藉由無數壓印方法之一者成形。一方面，壓印化合物可熱固化，另一方面憑藉電磁輻射固化。除此之外，在先前技術中存在熱壓印程序(「熱壓印」)，其中壓印在熱塑性材料中進行。特定言之，熱固化或熱壓印程序憑藉包括非常複雜之大型加熱系統之裝置進行，該加熱系統可提供所需熱量。此等加熱系統位於印模或基板之上及/或之下，待壓印之壓印化合物位於該印模或基板上。
先前技術中之一主要問題係加熱系統之結構設計。大多數加熱系統係大型、龐大、笨重、昂貴，並且在待固化之壓印化合物或待壓印之壓印化合物附近不產生熱量。所產生之熱量必須經由整個印模及/或透過樣本托架及基板輸送至壓印化合物。特定言之，當其上固定有軟印模之載體及軟印模彎曲並且自印模側進行加熱時，加熱系統與該載體之間之一有效加熱接觸會丟失。然後，在加熱系統本身未設計成彎曲之情況下，來自加熱系統之在待固化之壓印化合物方向上之熱流動必須橋接載體之後側與其加熱表面之間之熱阻。
因此，本發明之問題係消除先前技術之缺點。
此問題藉由協調申請專利範圍之標的得以解決。在從屬請求項中陳述本發明之有利發展。說明書、申請專利範圍及/或圖式中陳述之至少兩個特徵之所有組合皆落入本發明之範疇內。在規定值範圍之情況下，任何中間值亦應被視為揭示為限制值。
根據本發明，提供一種印模，其包括一軟印模及固定至軟印模之一載體，其中載體包括至少一個加熱元件。
載體及軟印模較佳地僅藉由黏合力固定在一起，特別係藉由將軟印模壓印在載體上而固定在一起。 然而，亦可想到，形成一軟印模且憑藉位於載體上之固定元件將該軟印模與載體固定。
根據本發明，亦提供一種裝置，其包括根據本發明之一印模以及用於控制該至少一個加熱元件之一控制單元，特別係一電流及/或電壓源。
根據本發明，亦提供用於壓印一壓印化合物之根據本發明之一印模之一用途。
根據本發明，亦提供一種用於用根據本發明之一印模壓印一壓印化合物之方法，其具有以下步驟，特定言之以下序列：
- 用壓印化合物塗佈一基板，
- 相對於該基板對準印模，
- 憑藉該印模壓印該壓印化合物，
- 憑藉該載體之該至少一個加熱元件加熱該壓印化合物，
- 自該壓印化合物去除該印模。
本發明特定言之係基於自具有技術上非常不同之性質之兩個組件設計用於熱壓印之印模之構想。該印模包括可直接加熱之一載體，以及由一軟可變形材料製成之一結構部件(軟印模)。載體設計成可直接加熱，即加熱元件直接設計在載體之固態結構中。因此，載體不僅用作一機械結構元件，而且亦用作一加熱器，特定言之係一薄層加熱器。
根據本發明之印模與先前技術之組件(一對應軟印模亦可與之接觸)之間之特性區分特徵係根據本發明之印模以及因此載體亦係可變形並且具有對應低抗彎曲性。此外，除其低抗彎曲性之外，載體亦包括至少一個加熱元件。
本發明之本質特定言之在於提供一種印模，利用該印模，藉由固態實體程序，特別係藉由產生焦耳熱，直接在印模之載體中產生加熱。特定言之，其係一薄層加熱器。加熱器特定依此方式設計，使得其在幾毫米厚之一載體中具有空間。
壓印化合物固化所需之熱量有利地儘可能接近壓印化合物產生。因此，不會發生較長距離之熱輸送，或者大部分熱損失被最小化。 整個印模更加緊湊，且成本更低。
根據本發明之印模包括一軟印模及固定於軟印模上之一載體，其中載體包括至少一個加熱元件。
一載體，特定言之係一背板(Engl：背-平面)，應理解為用於軟印模之一穩定元件，特別係一結構元件。載體特定言之可係一板或一膜。載體包括至少一個主動及/或被動加熱器。
一軟印模應理解為意謂壓印元件，其包括壓印化合物借助於其壓印之結構。軟印模固定至載體，特定言之係可逆地，即可拆卸地固定至載體。
用於製造軟印模之軟印模材料特定言之可係可UV固化材料或可熱固化材料。更一般而言，固化可藉由電磁輻射、藉由熱、藉由電流、藉由磁場及/或其他方法實行。軟印模例如被模制為一主印模之一負片。
軟壓印材料之彈性係數小於1000 GPa，較佳地小於500 GPa，更佳地小於200 GPa，最佳地小於100 GPa，極佳地小於20 GPa。
一印模被理解為意謂一載體及一軟印模之組合。
特定言之，與先前技術相比，軟印模之軟結構連同載體之可彎曲性及其低抗彎曲性及至少一個加熱元件實現更可靠的去除。
壓印化合物(在下文中亦指稱壓印材料)應理解為意謂一聚合物，其被印模特定言之軟印模壓印並因此經結構化。
壓印材料特定言之可係一熱固化材料，可熱模製材料，特定言之係熱塑性材料及/或一混合材料，其可藉由熱處理及用電磁輻射照射之一組合來成形。
針對此一混合材料之一較佳實施例係在用UV光照射之前具有熱塑性質然後藉由用UV光照射來固化之一材料。較佳地藉由同時加熱來加速固化程序。
一基板應理解為意謂其上沈積有一壓印化合物之一物件，該壓印化合物將藉由根據本發明之印模壓印。
其他較佳實施例：
較佳地提供，使得
- 載體可拆卸地固定於軟印模上，及/或
- 印模包括一溫控載體托架，及/或
- 該至少一個加熱元件經構成為一特定言之係曲折之條形導體，特定言之係作為一金屬及/或n摻雜區，及/或
- 至少一個加熱元件經構成為一線圈，特定言之係一扁平線圈，及/或
- 軟印模包括導電奈米顆粒，及/或
- 至少一個加熱元件經構成為載體中及/或載體上之一導電層，該載體較佳地至少部分、較佳地完全由特定言之係金屬之一導電材料製成，及/或
- 在該載體中可產生0.01 A/m2 與1 MA/m2 之間之一電流密度，較佳地在0.1 A/m2 與1 MA/m2 之間，更佳地在1 A/m2 與1 MA/m2 之間，仍更佳地在10 A/m2 與1 MA/m2 之間，最佳地在100 A/m2 與1 MA/m2 之間，極佳地在1000 A/m2 與1 MA/m2 之間，及/或
- 載體經構成為一板，其中板之厚度達到在0.01 mm與20 mm之間，較佳地0.05 mm與15 mm之間，更佳地在0.1 mm與10 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與5 mm之間，最佳地在0.75 mm與2.5 mm之間，極佳地在1 mm與2 mm之間，及/或
- 載體經構成為一膜，特定言之係包括一有機半導體之一膜，其中膜之厚度達到0.01 mm與5 mm之間，較佳地在0.05 mm與2.5 mm之間，更佳地在0.1 mm與2 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與1.5 mm之間，最佳地在0.75 mm與1.25 mm之間，極佳地在1 mm與1.25 mm之間。
根據本發明之印模至少包括一載體及一軟印模。
裝置較佳地亦包括一基板托架，其固定其上沈積有壓印化合物之基板。
裝置較佳地亦包括一載體托架，其可係溫度控制的，特定言之係經冷卻的。載體托架係裝置之一重要部分，其用途尤其在於固持根據本發明之印模及/或使根據本發明之印模變形及/或在藉由載體之至少一個加熱元件之加熱程序之後再次快速且有效地冷卻根據本發明之印模。載體托架經特定設計，使得導熱率最大，或者熱阻最小。在本發明之後續進程中，指定設計特徵，借助於該等設計特徵可憑藉載體托架達成印模之有效溫度控制，特定言之係冷卻。
根據本發明之印模特定言之結合載體托架，有利地實現比先前技術之解決方案更快速之加熱及冷卻斜坡，此係因為緊湊結構及與之相關聯之減少熱質量以及用於熱傳導之較短路徑。因此達成一更高產量並因此顯著降低生產成本。
有利地，可行加熱速率係＞40℃/min，亦較佳地係＞100℃/min，更佳地係＞20℃/s，仍更佳地＞50℃/s，最佳地係＞100℃/s。
冷卻速率特定言之係＞20℃/min，較佳地係＞40℃/min，更佳地係＞100℃/min，仍更佳地係＞40℃/s。
可併入載體中之根據本發明之加熱器之所有實施例亦可併入基板托架中及/或載體托架中。當壓印化合物之一對稱加熱(即上側及下側之加熱)發生時，此係特別有意義及有利的。隨後，為更加清楚起見，結合載體描述加熱器之所有實施例。然而，所有特徵同樣適用於結合基板托架及/或載體托架之加熱器。
載體特定言之可由以下材料中之至少一者生產。
● 金屬，特定言之
○ Ca、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Ta、Zn、Sn
● 半導體，特定言之
○ Ge、Si、α-Sn、富勒烯、B、Se、Te
● 化合物半導體，特定言之
○ GaAs、GaN、InP、InxGal-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1-x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、AlxGal-xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS2、SiC、SiGe
● 聚合物，特定言之
○ 丙烯酸酯-苯乙烯-丙烯腈、丙烯腈/甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈/丁二烯/丙烯酸酯、丙烯腈/氯化聚乙烯/苯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、丙烯酸聚合物、烷基樹脂、丁二烯橡膠、丁基橡膠、酪蛋白塑膠、合成橡膠、醋酸纖維素、纖維素醚及衍生物、纖維素水合物、硝酸纖維素、甲殼質、殼聚糖、氯丁橡膠、環烯烴共聚物、均勻之聚氯乙烯、環氧樹脂、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯聚乙酸乙烯酯、乙烯丙烯共聚物、乙烯丙烯二烯橡膠、乙烯乙烯基醋酸酯、可發性聚苯乙烯、氟化橡膠、脲醛樹脂、尿素樹脂、異戊二烯橡膠、木質素、三聚氰胺甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、甲基丙烯酸酯/丁二烯/苯乙烯、天然橡膠、全氟烷氧基烷烴、酚醛樹脂、聚縮醛、聚丙烯腈、聚醯胺、聚丁二酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚己內酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯、聚三氯乙烯-乙烯、聚酯、聚酯醯胺、聚醚醇、聚醚-嵌段-醯胺、聚醚醯亞胺、聚醚酮、聚醚碸、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚羥基鏈烷酸酯、聚羥基丁酸酯、聚醯亞胺、聚異丁烯、聚丙交酯(聚乳酸)、聚甲基丙烯醯甲基醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊烯、聚甲醛或聚縮醛、聚苯醚、聚苯硫醚、聚鄰苯二甲醯胺、聚丙烯、聚丙烯共聚物、聚吡咯、聚苯乙烯、聚碸、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸丙二醇酯、聚氨酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚氯乙烯(硬質PVC)、聚氯乙烯(軟質PVC)、聚偏二氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、苯乙烯-丙烯腈共聚物、丁苯橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯、合成橡膠、熱塑性聚氨酯、不飽及聚酯、乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯/乙烯/甲基丙烯酸酯、氯乙烯/乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、增塑聚氯乙烯
● 金屬玻璃
● 非金屬玻璃，特定言之
○ 有機非金屬玻璃
○ 無機非金屬玻璃
▪ 非氧化玻璃，特定言之
● 鹵化玻璃
● 硫屬化物玻璃
▪ 氧化玻璃，特定言之
● 磷酸鹽玻璃
● 矽酸鹽玻璃，特定言之
○ 鋁矽酸鹽玻璃
○ 矽酸鉛玻璃
○ 鹼金屬矽酸鹽玻璃，特定言之
▪ 鹼土金屬矽酸鹽玻璃
○ 硼矽酸鹽玻璃
○ 石英玻璃
▪ 硼酸鹽玻璃，特定言之
○ 鹼性硼酸鹽玻璃
● 指稱為玻璃但並非係玻璃之材料，
○ 藍寶石水晶
在根據本發明之一較佳實施例中，載體包括半導體及/或化合物半導體材料，並且較佳地包括至少一個導電區。
特定言之，除至少一個加熱元件之外，其他功能單元亦可存在於載體中，特別係感測器，較佳地係溫度感測器、記憶體及/或微晶片。特定言之，可藉由使用加熱元件、感測器及/或微晶片在載體中產生用於一控制迴路之一完整控制裝置。
在根據本發明之此較佳實施例中，電流可流過之至少一個導電區可藉由複數個程序步驟直接在載體中產生。在一第一程序步驟中，為此目的，將特定言之一光敏漆沈積在載體上。在一第二程序步驟中，漆經結構化，特別係藉由印壓及/或光微影程序。在一第三個程序步驟中，使漆顯影。在一進一步程序步驟中，由此產生之漆在一摻雜程序期間用作一摻雜遮罩，其中半導體材料摻雜在摻雜元件可接達之區。在一進一步之程序步驟中，去除漆。憑藉藉由實例描述之此程序，可創建具有至少一個導電區之一半導體載體。
在根據本發明之一特殊較佳實施例中，載體包括一介電質並且包括至少一個導電特定言之係金屬區。
特定言之，載體包括一介電質，其中藉由複數個不同程式引入至少一個導電特定言之金屬區。在一第一程式步驟中，在介電質載體上沈積一特定言之光敏漆。在一第二程式步驟中，漆經結構化，特別係藉由印壓及/或光微影程序。在一第三程序步驟中，使漆显影。在一進一步之程序步驟中，由此產生之漆在蝕刻程序期間用作一蝕刻遮罩，其中半導體材料在蝕刻物質可接达之區被蝕刻。在一進一步之程序步驟中，去除漆。在一進一步程序步驟中，一電材料沈積在載體上並且特別地填充邊緣區。在一進一步程序步驟中，使載體之塗層側變薄，直至整個金屬自上側去除並且僅介電質載體中之蝕刻區保持填充為止。憑藉藉由實例描述之此程序，可創建具有導電區之一介電載體。
至少一個導電區尤其用於產生結構，借助於該結構產生熱量。 特定言之，產生焦耳熱，即電力耗散熱。
在另一較佳實施例中，載體包括至少一個線圈，特別係一扁平線圈。為此目的，可在載體中產生扁平線圈。在高頻交流電流流過其之情況下，扁平線圈可在鄰近導電區中產生熱量，特定言之藉由感應產生熱量。
在另一較佳實施例中，軟印模包括導電奈米顆粒。特定言之，導電奈米顆粒存在於軟印模中，使得在載體中產生之高頻磁交變場加熱軟印模中之奈米顆粒。
載體較佳地包括導電區，其構成為線圈，特定言之扁平線圈。一交流電流較佳地流過線圈，使得其產生隨時間改變之一磁場。線圈較佳地彼此直接連接並且較佳地均勻地分佈在載體上方，使得存在數目儘可能多之磁場源。可有利地藉由大量線圈產生儘可能均勻之一磁場。
在另一較佳實施例中，載體至少部分地、較佳完全地由一導電材料，特定言之金屬製成。藉由在金屬載體中產生之高電流密度產生加熱。載體之斷面積越小，電流密度越大。載體之長度及寬度由軟印模之大小決定及指定。載體之厚度通常可自由選擇，只要保持載體所需之機械穩定性即可。因此載體之厚度較佳地係最小。
電流密度量，特別係針對3-西格瑪信心度98%，達到0.01 A/m2 與1 MA/m2 之間，較佳地在0.1 A/m2 與1 MA/m2 之間，更佳地在1 A/m2 與1 MA/m2 之間，仍更佳地在10 A/m2 與1 MA/m2 之間，最較佳地在100 A/m2 與1 MA/m2 之間，極佳地在1000 A/m2 與1 MA/m2 之間。
在另一較佳實施例中，載體係一板。
板之厚度，特別係對於一3-西格瑪信心度98%，在0.01 mm與20 mm之間，較佳地在0.05 mm與15 mm之間，更佳地在0.1 mm與10 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與5 mm之間，最佳地在0.5 mm與2.5 mm之間，極佳地在0.5 mm與2 mm之間。
在另一較佳實施例中，載體係一膜，特別包括一有機半導體之一膜。
薄膜之厚度，特別係針對一3-西格瑪信心位度98%，在0.01 mm與5 mm之間，較佳地在0.05 mm與2.5 mm之間，更佳地在0.1 mm與2 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與1.5 mm之間，最佳地在0.5 mm與1.25 mm之間，極佳地在0.5 mm與1.25 mm之間。
在另一較佳實施例中，印模係一裝置之部分，該裝置經設計使得由載體產生之熱流之方向可依一標靶方式引導。在壓印化合物固化期間，裝置較佳僅在待固化之壓印化合物之方向上傳送載體之熱量。在壓印化合物固化發生之後，藉由使熱流偏轉至與壓印化合物相對之側來輔助印模，特定言之載體及/或壓印化合物之冷卻。此偏轉係由熱阻R之一改變引起。熱阻R係溫差ΔT(德塔T)及熱流dQ/dt之商，即
因此，熱阻R不係一純材料參數，而係取決於環境參數，特定言之外部溫度TA 。因此，藉由一適合冷卻系統可非常容易地影響熱阻R。
熱阻亦可藉由純材料及幾何參數來定義。
此處，l及A分別係熱量流過之(均勻)體(特定言之載體托架)之厚度及斷面，λ係其導熱率。憑藉一相對小厚度之載體托架，因此可依一設計相關方式非常容易地降低熱阻。
該裝置特定言之在印模之後側具有用於印模之溫度控制，特別係冷卻之裝置。在一特定較佳之實施例中，載體與一可冷卻載體托架接觸。載體托架特定言之包括冷卻元件，特定言之冷卻肋條。亦可想到珀耳帖元件或凹槽，特別係軟管或管道，藉由其泵送一冷卻流體。重要的是，藉由設計措施儘可能有效地去除由載體托架吸收之一定量的熱量。較佳地用冷卻流體進行去除。
在該裝置中，印模，特別係軟印模及載體，及/或基板托架及/或基板對於電磁輻射亦可係透明，以便組合使用熱固化及電磁固化。
然後，電磁輻射之一波長較佳在10 nm與2000 nm之間之範圍中，較佳地在50 nm與1500 nm之間，更佳地在100 nm與1000 nm之間，最較地佳在150 nm與500 nm之間，極佳地在200 nm與370 nm之間。
根據本發明較佳之本發明之一進一步態樣在於，可自載體去除軟印模，以便為載體提供一新、新鮮、磨損較少且損壞較少之新軟印模。在複數個壓印程序之後，軟印模可能會嚴重磨損，以至於絕對需要更換。特定言之，在新提供一軟印模之前清潔載體。因此可重複使用生產成本相對昂貴之載體。
軟印模之去除可例如藉由以下方法之一者及/或藉由此等方法之一組合來進行：以熱方式，例如藉由高於玻璃轉變溫度之一溫度增加；以機械方式，實體地及/或化學-實體地，例如，藉由用電漿特定言之用O2 電漿化學地灰化，例如藉由用諸如水虎魚(Piranha)或溶劑混合物之一溶劑進行之化學清潔。特定言之，藉由化學溶解或熱處理及機械作用之組合可進行完全去除。
在另一較佳實施例中，所有可能及可想到之半導體組件可直接在載體中生產。可想到的是，除根據本發明之加熱元件之外，用於量測之微晶片、溫度感測器、彎曲感測器等可直接併入載體中，以便為載體提供複數個不同主動及被動組件。因此載體自一純結構元件改變為一功能元件。
方法
本發明亦係關於一種用根據本發明之印模壓印一壓印化合物之方法，以及用於壓印一壓印化合物之根據本發明之印模之用途。
在根據本發明之一第一程序步驟中，使一基板塗佈有一壓印化合物。基板位於一基板托架上，並且較佳地由基板托架固定，使得基板之一變位係不再可行的。
在根據本發明之一第二程序步驟中，特定言之使用光學輔助使印模相對於基板對準。較佳地，借助於對準標記進行對準，該對準標記一方面位於載體上，更佳地位於軟印模上，且另一方面位於基板上。因此能夠非常精確地定位軟印模。若載體及軟印模及/或基板及基板托架特定言之對於用於對準之電磁輻射透明，則兩個物體之對準較佳地藉由一所謂面對面對準來進行。
在根據本發明之一第三程序步驟中，壓印化合物之壓印憑藉印模進行，特定言之憑藉軟印模進行。壓印可依此一方式進行，使得軟印模藉由基板及載體彼此相對接近而與壓印化合物接觸，並且儘可能均勻地執行壓印。亦可想到的是，使用一變形元件，以便依一凸起方式，特定言之同心地使印模彎曲，並且因此首先將其中央部分壓入壓印化合物中。
在變形期間，載體可保持連接至載體托架，特別係在周邊處，或者可完全自載體托架卸離。特定言之，此處參考公開案WO2015161868。亦可想到的是，在沒有印模變形之情況下，印模及壓印化合物相對於彼此移動得更近。
在根據本發明之一第四程序步驟中，藉由根據本發明之實施例進行壓印化合物之加熱。根據本發明，在載體之加熱元件中產生熱量，即儘可能接近壓印化合物。
在根據本發明之一第五程序步驟中，藉由壓印化合物進行印模特別係軟印模之變形。
圖1a展示根據本發明之一印模3之一第一實施例之一俯視圖，其包括一載體1及一軟印模2(在俯視圖中不可見)。根據本發明，載體1包括加熱元件4。加熱元件4在圖1a中表示為單一曲折條形導體。一電流流過條狀導體。高電流密度產生足夠焦耳熱，以便因此實行根據本發明之加熱程序。若載體1係介電質，則加熱元件4較佳地由一金屬製成。若載體1係一半導體材料，則加熱元件4可例如係摻雜區，特定言之n摻雜區。
圖1b展示根據本發明之一印模3之第一實施例之一側視圖，其包括一載體1及一軟印模2。印模3之部分未按比例表示以便改良表示。 特定言之，軟印模結構2s相對於軟印模2之總尺寸小多倍。
圖2a展示根據本發明之一印模3之一第二實施例之一俯視圖，印模3包括一載體1及一軟印模2。根據本發明，載體1包括依一線圈形式之加熱元件4’。一電流流過條狀導體。高電流密度產生足夠焦耳熱，以便因此實行根據本發明之加熱程序。然而，根據本發明，較佳的是，一高頻交流電流流過線圈狀加熱元件4’，以便產生磁通量之一顯著時間改變。
圖2b展示根據本發明之一印模3之第二實施例之一側視圖，印模3包括一載體1及一軟印模2。藉由針對線圈狀加熱元件4’之一者之實例表示磁場線5。為清楚起見，省略用於兩個其他加熱元件4’之磁場線5之表示。
一時間上改變之磁場在磁場線5穿過其之一介電質中感應一電壓，且因此在介電質中產生一電流。此電流繼而產生焦耳熱。尤其係藉由所謂趨膚效應，確保由此感應之電流僅存在於介電質之表面處並相應地強烈地加熱介電質。
亦可想到加熱特定言之存在於軟印模2中之金屬顆粒6。有利地使加熱更接近軟印模2，並因此更接近壓印化合物。加熱元件4’直接併入載體1中並且與載體一起變形並適應於載體。
圖3a展示根據本發明之一印模3之一第三實施例之一俯視圖，印模3包括一載體1及一軟印模2。在此特定實施例中，整個載體1係導電的並且一電流流過整個區域。(特別係單一)加熱元件4”可同樣係一金屬或一摻雜半導體。
圖3b展示根據本發明之一印模3之第三實施例之一側視圖，印模3包括一載體1及一軟印模2。加熱元件4”僅在一特別小厚度t上方延伸。由於小厚度t，確保電流密度及因此焦耳熱量儘可能高。
圖4展示一裝置之一側視圖，該裝置包括：印模3，其具有載體1及軟印模2；一載體托架10，其具有固定元件11，固定元件11將載體1固定於載體托架10上；一變形元件13，其用於印模3之變形；冷卻元件12，其用於冷卻載體托架10及因此印模3；以及一基板托架9，其容納在其上沈積壓印化合物8之基板7。取決於在每一情況下使用之根據本發明之實施例，電流源15可係一直流電流源或一交流電流源。憑藉電流電路14向載體1中之加熱元件4供應電流。
藉由憑藉載體托架10對印模3進行主動及/或被動冷卻之可選可能性，擴展將加熱元件4併入載體1中之發明構想。特別係藉由憑藉冷卻元件12 (較佳地係一流體圍繞其流動之肋條)之主動冷卻之使用，載體1可同樣非常快速地冷卻。
1‧‧‧載體
2‧‧‧軟印模
2s‧‧‧軟印模結構
3‧‧‧印模
4、4’、4”‧‧‧加熱元件
5‧‧‧磁場線
6‧‧‧顆粒，特別係奈米顆粒
7‧‧‧基板
8‧‧‧壓印化合物
9‧‧‧基板托架
10‧‧‧載體托架
11‧‧‧固定元件
12‧‧‧冷卻元件
13‧‧‧彎曲元件
14‧‧‧電流電路
15‧‧‧電流源
t‧‧‧厚度
本發明之其他優點、特徵及細節自以下對實施例之較佳實施之描述並借助於圖式得出。在圖中：
圖1a依一側視圖展示根據本發明之一第一實施例，
圖1b依一平面圖展示根據本發明之第一實施例，
圖2a依一側視圖展示根據本發明之一第二實施例，
圖2b依一平面圖展示根據本發明之第二實施例，
圖3a依一側視圖展示根據本發明之一第三實施例，
圖3b依一平面圖展示根據本發明之第三實施例，
圖4展示根據本發明之一裝置。
相同組件或具有相同功能之組件在圖式中用相同元件符號表示。

Claims (13)

  1. 一種印模(3)，其包括一軟印模(2)及固定於該軟印模(2)上之一載體(1)，其特徵在於該載體(1)包括至少一個加熱元件(4、4’、4”)。
  2. 如請求項1之印模(3)，其中該載體(1)可拆卸地固定至該軟印模(2)。
  3. 如請求項1或2之印模(3)，其中該印模(3)包括一溫控載體托架(10)。
  4. 如請求項1或2之印模(3)，其中該至少一個加熱元件(4)經構成為一特定言之曲折之條形導體，特定言之作為一金屬及/或n摻雜區。
  5. 如請求項1或2之印模(3)，其中該至少一個加熱元件(4’)經構成為一線圈，特定言之一扁平線圈。
  6. 如請求項1或2之印模(3)，其中該軟印模(2)包括導電奈米顆粒(6)。
  7. 如請求項1或2之印模(3)，其中該至少一個加熱元件(4”)經構成為該載體(1)中及/或上之一導電層，該載體(1)較佳地至少部分、較佳地完全由特定言之金屬之一導電材料製成。
  8. 如請求項1或2之印模(3)，其中，在該載體(1)中可產生0.01 A/m2 與1 MA/m2 之間之一電流密度，較佳地在0.1 A/m2 與1 MA/m2 之間，更佳地在1 A/m2 與1 MA/m2 之間，仍更佳地在10 A/m2 與1 MA/m2 之間，最佳地在100 A/m2 與1 MA/m2 之間，極佳地在1000 A/m2 與1 MA/m2 之間。
  9. 如請求項1或2之印模(3)，其中該載體(1)經構成為一板，其中該板之厚度達到在0.01 mm與20 mm之間，較佳地0.05 mm與15 mm之間，更佳地在0.1 mm與10 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與5 mm之間，最佳地在0.75 mm與2.5 mm之間，極佳地在1 mm與2 mm之間。
  10. 如請求項1或2之印模(3)，其中該載體(1)經構成為一膜，特定言之包括一有機半導體之一膜，其中該膜之厚度達到0.01 mm與5 mm之間，較佳地在0.05 mm與2.5 mm之間，更佳地在0.1 mm與2 mm之間，仍更佳地在0.5 mm與1.5 mm之間，最佳地在0.75 mm與1.25 mm之間，極佳地在1 mm與1.25 mm之間。
  11. 一種裝置，其包括如請求項1或2之一印模(3)，以及用於控制該至少一個加熱元件(4、4’、4”)之一控制單元(15)，特定言之一電流及/或電壓源。
  12. 如前述請求項中任一項之印模(3)用於壓印一壓印化合物之用途。
  13. 一種用於用如前述請求項中任一項之一印模(3)壓印一壓印化合物(8)之方法，具有以下步驟，特定言之以下序列： 用該壓印化合物(8)塗佈一基板(7)， 相對於該基板(7)對準該印模(3)， 憑藉該印模(3)壓印該壓印化合物(8)， 憑藉該載體(1)之該至少一個加熱元件(4、4’、4”)加熱該壓印化合物(8)， 自該壓印化合物(8)去除該印模(3)。
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