TW201945452A - 樹脂組成物、樹脂薄片及層合體 - Google Patents
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Abstract
一種樹脂組成物,其特徵為含有(A)熱硬化性成分,前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂,及(A2)磷系硬化促進劑,且由前述樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
Description
本發明關於樹脂組成物、樹脂薄片及層合體。
作為功率半導體等之密封材料,使用具有高耐熱性之樹脂組成物。
例如,文獻1(日本特開2015-147849號公報)揭示一種樹脂組成物,其係含有:馬來醯亞胺化合物、具有烯丙基及環氧基之至少任一者之化合物、胺化合物、包含苯乙酮衍生物及四苯基乙烷衍生物之中之至少1種之自由基產生劑。
然而,文獻1記載之樹脂組成物無法在低溫且短時間之熱硬化條件下硬化。又,文獻1記載之樹脂組成物也仍有熱硬化後之剝離強度低下的憂慮。
例如,文獻1(日本特開2015-147849號公報)揭示一種樹脂組成物,其係含有:馬來醯亞胺化合物、具有烯丙基及環氧基之至少任一者之化合物、胺化合物、包含苯乙酮衍生物及四苯基乙烷衍生物之中之至少1種之自由基產生劑。
然而,文獻1記載之樹脂組成物無法在低溫且短時間之熱硬化條件下硬化。又,文獻1記載之樹脂組成物也仍有熱硬化後之剝離強度低下的憂慮。
本發明之目的在於提供一種能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度之樹脂組成物、樹脂薄片及層合體。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其特徵為含有(A)熱硬化性成分,前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂,及(A2)磷系硬化促進劑,且由前述樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑係以具有磷原子與芳基鍵結之構造之化合物為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物中,其中前述(A2)磷系硬化促進劑係以鏻鹽為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量係以在前述樹脂組成物之固體成分之總量基準下為1質量%以下為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量係以在前述(A)熱硬化性成分之固體成分之總量基準下為2質量%以下為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中以更含有(A3)烯丙基樹脂為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中以更含有(B)黏合劑成分為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(B)黏合劑成分係以苯氧基樹脂為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,以更含有(C)無機填料為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,以更含有(D)耦合劑為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封半導體元件,或,使用於介入在前述半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封功率半導體元件,或,使用於介入在前述功率半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封使用碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件,或,使用於介入在使用前述碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂薄片,其特徵由含有(A)熱硬化性成分之樹脂組成物所形成,前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑,且熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本發明之一態樣之層合體,其特徵為具有前述之本發明之一態樣之樹脂薄片與剝離材,前述剝離材具有含有醇酸樹脂系剝離劑之剝離劑層。
根據本發明之一態樣,可提供能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度之樹脂組成物、樹脂薄片及層合體。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其特徵為含有(A)熱硬化性成分,前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂,及(A2)磷系硬化促進劑,且由前述樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑係以具有磷原子與芳基鍵結之構造之化合物為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物中,其中前述(A2)磷系硬化促進劑係以鏻鹽為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量係以在前述樹脂組成物之固體成分之總量基準下為1質量%以下為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量係以在前述(A)熱硬化性成分之固體成分之總量基準下為2質量%以下為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中以更含有(A3)烯丙基樹脂為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中以更含有(B)黏合劑成分為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其中前述(B)黏合劑成分係以苯氧基樹脂為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,以更含有(C)無機填料為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,以更含有(D)耦合劑為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封半導體元件,或,使用於介入在前述半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封功率半導體元件,或,使用於介入在前述功率半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂組成物,其係以使用於密封使用碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件,或,使用於介入在使用前述碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件與其他電子零件之間為佳。
本發明之一態樣之樹脂薄片,其特徵由含有(A)熱硬化性成分之樹脂組成物所形成,前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑,且熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本發明之一態樣之層合體,其特徵為具有前述之本發明之一態樣之樹脂薄片與剝離材,前述剝離材具有含有醇酸樹脂系剝離劑之剝離劑層。
根據本發明之一態樣,可提供能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度之樹脂組成物、樹脂薄片及層合體。
[樹脂組成物]
本實施形態之樹脂組成物含有(A)熱硬化性成分。本實施形態之(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂及(A2)磷系硬化促進劑。由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本實施形態之樹脂組成物能達成低溫及短時間之熱硬化條件下之熱硬化,且可提高工程適性。
由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度若未滿2.0N/10mm而將樹脂組成物使用作為密封材料等時,對於金屬表面等被接著物之剝離強度則變得不充足。
由本實施形態之樹脂組成物所形成之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度係藉由調整例如樹脂組成物所使用之成分之種類(尤其係磷系硬化促進劑之種類)及配合量,而可調整成上述範圍。
尚且,由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度係藉由使用後述之測量方法,對於將樹脂組成物形成為薄片狀之薄片狀物,在熱硬化後之薄片狀物與被接著物之間,進行剝離角度90度之撕離試驗而求得者。具體而言,如以下所示製作試驗片並進行撕離試驗。
(i)試驗片之製作方法
・被接著物:銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100:2018規格)
・樹脂組成物之厚度:25μm
・層合裝置:日光材料公司製「V-130」
・壓著條件:層合溫度130℃、到達壓力100Pa、時間60秒鐘
・樹脂組成物之熱硬化條件:熱硬化溫度180℃、熱硬化時間1小時
(ii)撕離試驗之方法
・使用裝置:拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」)
・剝離方法:從硬化後之薄片狀物撕離被接著物。
・剝離速度:50mm/分
・剝離角度:90度
・測量環境:23℃、50%相對濕度環境下
((A)熱硬化性成分)
(A)熱硬化性成分(以下,有單稱為「(A)成分」之情況)具有受到加熱進行三次元網狀化,從具有堅固接著於被接著物之性質。本實施形態之(A)熱硬化性成分係如同前述般含有(A1)馬來醯亞胺樹脂(以下,有單稱為「(A1)成分」之情況)及(A2)磷系硬化促進劑(以下,有單稱為「(A2)成分」之情況)。
(A1)馬來醯亞胺樹脂
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂只要係包含1分子中具有2個以上馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺樹脂,即無特別限定。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從耐熱性之觀點,以包含例如苯環為佳,以包含苯環上連結馬來醯亞胺基之構造為較佳。又,以馬來醯亞胺化合物具備2個以上苯環上連結馬來醯亞胺基之構造物為佳。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂係以1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及1個以上之聯苯骨架之馬來醯亞胺樹脂(以下,有單稱為「聯苯馬來醯亞胺樹脂」之情況)為佳。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從耐熱性及接著性之觀點,以下述一般式(1)所示者為佳。
前述一般式(1)中,k為1以上之整數,k之平均值係以1以上10以下為佳,以1以上5以下為較佳,以1以上3以下為更佳。m1及m2係各自獨立為1以上6以下之整數,以1以上3以下之整數為佳,以1為較佳。n1及n2係各自獨立為0以上4以下之整數,以0以上2以下之整數為佳,以0為較佳。R1 及R2 係各自獨立為碳數1~6之烷基,以碳數1~3之烷基為佳,以甲基為較佳。複數之R1 可互為相同或相異。複數之R2 可互為相同或相異。
作為本實施形態之前述一般式(1)所示之馬來醯亞胺樹脂,具體地可舉出例如,下述一般式(2)或下述一般式(3)所示之化合物。
前述一般式(2)及(3)中,k係與前述一般式(1)之k相同。前述一般式(2)中,n1、n2、R1 及R2 係與前述一般式(1)之n1、n2、R1 及R2 相同。
作為前述一般式(3)所示之馬來醯亞胺樹脂之製品,可舉出如日本化藥公司製之「MIR-3000-70MT」等。
又,本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂也係以1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及2個以上之伸苯基之馬來醯亞胺樹脂為佳。從提高對溶劑之溶解性,並使薄片形成性提升之觀點,以在伸苯基上具有取代基為佳。作為取代基,可舉出例如,甲基、及乙基等之烷基、及伸烷基等。
又,本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從薄片形成性之觀點,以在馬來醯亞胺基與伸苯基之間具有醚鍵之馬來醯亞胺樹脂為佳。
前述1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及2個以上之伸苯基之馬來醯亞胺樹脂為例如下述一般式(4)所示者。
前述一般式(4)中,R3 ~R6 係各自獨立為氫原子或碳數1~6之烷基,L1 為碳數1~6之伸烷基,L2 及L3 係各自獨立為碳數1~6之伸烷基或碳數6~10之伸芳基,p及q係各自獨立為0或1。
本實施形態之前述一般式(4)所示之馬來醯亞胺樹脂,具體而言,例如下述一般式(5)或下述一般式(6)所示者。
前述一般式(5)及(6)中,L1 為碳數1~6之伸烷基。
前述一般式(5)中,R3 ~R6 係各自獨立為氫原子或碳數1~6之烷基。
作為本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從同時取得高薄片形成性及高耐熱性之硬化物之觀點,具體而言,例如以雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、N,N’-1,3-伸苯基二馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、或2,2-雙[4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基]丙烷為佳,從薄片形成性之觀點,以雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷為較佳。
本實施形態中,(A)成分中之(A1)成分之含量在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以50質量%以上為佳,以55質量%以上為較佳。
(A2)磷系硬化促進劑
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,只要係含有磷原子且促進(A1)馬來醯亞胺樹脂之聚合反應之化合物,即無特別限定。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,可舉出例如,烷基膦化合物、芳基膦化合物、烷基芳基膦化合物、膦氧化物化合物、及鏻鹽等。
作為烷基膦化合物,具體地可舉出如三甲基膦、三乙基膦、三(n-丙基)膦、三(n-丁基)膦、三(n-己基)膦、三(n-辛基)膦、及三環己基膦等。
作為芳基膦化合物,具體地可舉出如三苯基膦、三(p-甲苯基)膦、三(m-甲苯基)膦、三(o-甲苯基)膦、參(2,3-二甲基苯基)膦、參(2,4-二甲基苯基)膦、參(2,5-二甲基苯基)膦、參(2,6-二甲基苯基)膦、參(3,4-二甲基苯基)膦、參(3,5-二甲基苯基)膦、三苄基膦、雙(二苯基)膦基乙烷、及雙(二苯基)膦基丁烷等。
作為烷基芳基膦化合物,具體地可舉出如環己基二苯基膦、二環己基苯基膦、丁基二苯基膦、二丁基苯基膦、n-辛基二苯基膦、及二(n-辛基)苯基膦等。
作為膦氧化物化合物,具體地可舉出如三乙基膦氧化物、三(n-丙基)膦氧化物、三(n-丁基)膦氧化物、三(n-己基)膦氧化物、三(n-辛基)膦氧化物、三苯基膦氧化物、及參(3-羥基丙基)膦氧化物等。
鏻鹽係由PR4 + 所示之陽離子與X- 所示之陰離子所構成之鹽。
作為鏻鹽中之PR4 + 所示之陽離子,可舉出如四乙基鏻離子、三乙基苄基鏻離子、四(n-丁基)鏻離子、三(n-丁基)甲基鏻離子、三(n-丁基)辛基鏻離子、三(n-丁基)十六基鏻離子、四苯基鏻離子、三(n-丁基)烯丙基鏻離子、三(n-丁基)苄基鏻離子、三(n-辛基)乙基鏻離子、肆(羥基甲基)鏻離子、及乙基三苯基鏻離子等。
作為鏻鹽中之X- 所示之陰離子,可舉出如溴化物離子、氯化物離子、碘化物離子、o,o-二乙基二硫代磷酸酯離子、氫六氫酞酸鹽離子、硫酸鹽離子、四苯基硼酸鹽離子、及肆(4-甲基苯基)硼酸鹽離子等。
作為鏻鹽,具體地可舉出如溴化四乙基鏻、氯化三乙基苄基鏻、溴化四(n-丁基)鏻、氯化四(n-丁基)鏻、碘化四(n-丁基)鏻、碘化三(n-丁基)甲基鏻、溴化三(n-丁基)辛基鏻、溴化三(n-丁基)十六基鏻、溴化三(n-丁基)烯丙基鏻、氯化三(n-丁基)苄基鏻、溴化四苯基鏻、四(n-丁基)鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸酯、四(n-丁基)鏻氫六氫酞酸鹽、溴化三(n-辛基)乙基鏻、肆(羥基甲基)鏻硫酸鹽、溴化乙基三苯基鏻、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、及四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽等。
作為其他之(A2)磷系硬化促進劑,可舉出如參(3-羥基丙基)膦、雙二苯基膦基二茂鐵、及硫化三(n-丁基)膦等。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,從提升從被接著物剝離由樹脂組成物所形成脂薄片狀物之硬化物之剝離強度的觀點,以具有磷原子與芳基直接鍵結之構造之化合物為佳。
作為(A2)磷系硬化促進劑中之化合物內之與磷原子直接鍵結之芳基,以取代或未取代之環形成碳數6~30之芳基為佳,其中以苯基、甲苯基及茬基為較佳。
作為具有磷原子與苯基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之三苯基膦、雙二苯基膦基乙烷、雙二苯基膦基丁烷、環己基二苯基膦、三苯基膦氧化物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽等。
作為具有磷原子與甲苯基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之三-p-甲苯基膦等。
作為具有磷原子與茬基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之參(2,3-二甲基苯基)膦等。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,從由樹脂組成物所形成之薄片狀物之硬化物之剝離強度及反應溫度之觀點,以鏻鹽為佳。
作為(A2)磷系硬化促進劑,在使用鏻鹽之情況,即使增加(A2)磷系硬化促進劑之添加量,上述剝離強度仍不易降低。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以1質量%以下為佳,以0.75質量%以下為較佳。樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準下,以0.05質量%以上為佳,以0.1質量%以上為較佳。
(A2)磷系硬化促進劑之含量藉由在上述範圍內,不受限於(A2)磷系硬化促進劑之種類,皆可取得上述之剝離強度。
從相同觀點,(A2)磷系硬化促進劑之含量在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以0.1質量%以上2質量%以下為佳,以0.3質量%以上1.5質量%以下為較佳。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
(A3)烯丙基樹脂
本實施形態之樹脂組成物所含有之(A)熱硬化性成分係以更含有(A3)烯丙基樹脂為佳。(A3)烯丙基樹脂(以下,有單稱為「(A3)成分」之情況)係以在常溫下為液體為佳。(A)熱硬化性成分藉由包含烯丙基樹脂,在樹脂組成物之硬化後,能將網路調整在適當範圍。
本實施形態中,(A1)馬來醯亞胺樹脂對(A3)烯丙基樹脂之質量比(A1/A3)係以1.5以上為佳,以4.5以上為較佳。
質量比(A1/A3)若在上述範圍,樹脂組成物之硬化物在250℃之儲藏彈性模數E’會有上昇之傾向。
又,質量比(A1/A3)若在上述範圍,可使樹脂組成物之耐熱性提升。
又,質量比(A1/A3)若在上述範圍,可實現將樹脂組成物之複合黏度η調整成適宜,確保適用於被接著物時之樹脂組成物之流動性,並且更加提升樹脂組成物之硬化後之耐熱性。並且,質量比(A1/A3)若在上述範圍,也可抑制烯丙基樹脂從樹脂組成物滲出。尚且,質量比(A1/A3)之上限值並無特別限制。例如,質量比(A1/A3)在50以下即可。
本實施形態之(A3)烯丙基樹脂只要係具有烯丙基之樹脂,即無特別限定。本實施形態之(A3)烯丙基樹脂係以例如1分子中包含2個以上之烯丙基之烯丙基樹脂為佳。
本實施形態之烯丙基樹脂係以下述一般式(7)所示者為較佳。
前述一般式(7)中,R7 及R8 係各自獨立為烷基,以碳數1~10之烷基為佳,以碳數1~4之烷基為較佳,以選自甲基及乙基所成群之烷基為更佳。
作為本實施形態中之(A3)烯丙基樹脂,具體地可舉出例如,二烯丙基雙酚A(2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷)等。
本實施形態之(A)熱硬化性成分只要不使本發明之目的受損,亦可含有(A1)成分以外之熱硬化性樹脂、(A2)成分以外之硬化促進劑、及(A3)成分以外之硬化樹脂。
作為(A1)成分以外之熱硬化性樹脂,只要係具有高耐熱性之熱硬化性樹脂即可,可舉出例如,環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂、及三聚氰胺樹脂等。該等熱硬化性樹脂係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為(A2)成分以外之硬化促進劑,可舉出例如,咪唑化合物(例如,2-乙基-4-甲基咪唑等)等。該等硬化促進劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為(A3)成分以外之硬化樹脂,可舉出例如,苯酚樹脂、及(A3)成分以外之具有C=C雙鍵之樹脂等之樹脂類,以及胺、酸酐、及甲醛等。該等硬化樹脂係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
在使用(A1)成分以外之熱硬化性樹脂、(A2)成分以外之硬化促進劑、或(A3)成分以外之硬化樹脂之情況,該等之含量係在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以10質量%以下為佳,以5質量%以下為較佳。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A)熱硬化性成分之含量係在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以2質量%以上75質量%以下為佳,以5質量%以上70質量%以下為較佳。(A)熱硬化性成分之含量藉由在上述範圍內,樹脂組成物之操作性、薄片形成性、及樹脂薄片之耐熱性提升。
((B)黏合劑成分)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)成分之外,再包含(B)黏合劑成分(以下,有單稱「(B)成分」之情況)為佳。本實施形態之樹脂組成物藉由更包含(B)黏合劑成分,而可賦予造膜性,且能容易將樹脂組成物成形成薄片狀。
本實施形態之(B)黏合劑成分為(A)成分以外之樹脂成分,且具有接合(A)成分或其他成分之功能。(B)黏合劑成分係以熱可塑性樹脂等為佳。(B)成分只要具有接合(A)成分或其他成分之功能,亦可具有官能基。因此(B)黏合劑成分在具有官能基時,即使(B)黏合劑成分可能會因熱而參與樹脂組成物之硬化,在本發明中(B)黏合劑成分係與(A)熱硬化性成分有所區別。
(B)黏合劑成分係從各種樹脂當中選擇,可為脂肪族化合物,亦可為芳香族化合物。(B)黏合劑成分係以選自例如苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚醯胺醯亞胺樹脂所成群之至少任一之樹脂為佳,從耐熱性之觀點,以苯氧基樹脂為較佳。尚且,聚酯樹脂係以全芳香族聚酯樹脂為佳。(B)黏合劑成分係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為苯氧基樹脂,以具有選自由雙酚A骨架(以下,有將雙酚A稱為「BisA」之情況)、雙酚F骨架(以下,有將雙酚F稱為「BisF」之情況)、聯苯基骨架、及萘骨架所成群之1種以上之骨架之苯氧基樹脂為佳,以具有雙酚A骨架及雙酚F骨架之苯氧基樹脂為較佳。
(B)黏合劑成分之重量平均分子量(Mw)在從可容易將樹脂組成物之複合黏度調整所欲範圍之觀點,以100以上100萬以下為佳,以1000以上80萬以下為較佳,以1萬以上10萬以下為更佳。本說明書中之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography;GPC)法所測量之標準聚苯乙烯換算值。
本實施形態中,樹脂組成物中之(B)黏合劑成分之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以0.1質量%以上50質量%以下為佳,以1質量%以上40質量%以下為較佳。藉由樹脂組成物中之(B)黏合劑成分之含量作成上述範圍,變得容易將硬化前之樹脂組成物之複合黏度調整成所欲範圍,且樹脂組成物之薄片形成性、及樹脂薄片之操作性提升。
本實施形態中,(A1)成分之含量在(A)成分及(B)成分之固體成分之合計量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以20質量%以上80質量%以下為佳。(A1)成分之含量若在20質量%以上,則能更加樹脂組成物之耐熱性。另一方面,(A1)成分之含量若在80質量%以下,能容易將樹脂組成物成形成薄片狀。
((C)無機填料)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)成分及(B)成分之外,以再包含(C)無機填料(以下,有單稱為「(C)成分」之情況)為佳。藉由該(C)成分,可使樹脂組成物之熱特性及機械特性之至少任一者提升。
作為(C)無機填料,可舉出如二氧化矽填料、氧化鋁填料、及氮化硼填料等。該等之中亦以二氧化矽填料為佳。
作為二氧化矽填料,可舉出例如,熔融二氧化矽、及球狀二氧化矽等。
(C)無機填料係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。又,(C)無機填料也可受到表面處理。
(C)無機填料之平均粒徑並無特別限制。(C)無機填料之平均粒徑係以從一般粒度分布計所求得之值在0.1nm以上100μm以下為佳,以10nm以上10μm以下為較佳。本說明書中之(C)無機填料之平均粒徑係視為使用粒度分布測量裝置(日機裝公司製,製品名「Nanotrack Wave-UT151」),藉由動態光散射法進行測量之值。
樹脂組成物中之(C)無機填料之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以10質量%以上90質量%以下為佳,以20質量%以上80質量%以下為較佳。
((D)耦合劑)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)~(C)成分之外,以再包含(D)耦合劑為佳。
耦合劑係與具有會與前述(A)熱硬化性成分所具有之官能基,或(B)黏合劑成分所具有之官能基進行反應之基為佳,以具有會與(A)熱硬化性成分所具有之官能基進行反應之基為較佳。
藉由使用(D)耦合劑,由樹脂組成物所形成之薄片狀物之硬化物與被接著物之間之剝離強度提升。
作為(D)耦合劑,從其泛用性、及成本優點等觀點,以矽烷系(矽烷耦合劑)為佳。(D)耦合劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。又,如上述之耦合劑在相對於(A)成分及(B)成分之固體成分(去除稀釋用溶劑之不揮發分)之合計量100質量份而言,通常係在0.1質量份以上20質量份以下之比例下配合,以在0.3質量份以上15質量份以下之比例下配合為佳,以在0.5質量份以上10質量份以下之比例下配合為較佳。
作為本實施形態之樹脂組成物之一例,可舉出如僅含有(A)熱硬化性成分、(B)黏合劑成分、(C)無機填料、及(D)耦合劑之樹脂組成物。
又,作為本實施形態之樹脂組成物之其他一例,如以下所述,可舉出如含有(A)熱硬化性成分、(B)黏合劑成分、(C)無機填料、(D)耦合劑,及前述(A)~(D)成分以外之成分之樹脂組成物。
(其他成分)
本實施形態中,樹脂組成物亦可更含有其他成分。作為其他成分,可舉出例如選自由交聯劑、顏料、染料、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、防氧化劑、難燃劑、及離子捕捉劑所成群之至少任意一種成分。
例如,為了調節硬化前之初期接著性、及凝聚性,樹脂組成物亦可更含有交聯劑。
作為交聯劑,可舉出例如,有機多價異氰酸酯化合物、及有機多價亞胺化合物等。交聯劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為有機多價異氰酸酯化合物,可舉出例如,芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物、脂環族多價異氰酸酯化合物,及該等多價異氰酸酯化合物之三聚物,以及使該等多價異氰酸酯化合物與聚醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
作為有機多價異氰酸酯化合物之更具體之例,可舉出例如,2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸茬基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、及離胺酸異氰酸酯等。有機多價異氰酸酯化合物係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為有機多價亞胺化合物之具體例,可舉出例如,N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。有機多價亞胺化合物係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
如上述之交聯劑在相對於前述之(B)黏合劑成分100質量份而言,通常在0.01質量份以上12質量份以下,較佳在0.1質量份以上10質量份以下之比例下配合。
本實施形態之樹脂組成物係以使用於半導體元件為佳。具體而言,本實施形態之樹脂組成物係以使用於密封半導體元件為佳。又,本實施形態之樹脂組成物係以使用於介入在半導體元件與其他電子零件之間為佳。
半導體元件係以功率半導體元件為佳。
本實施形態之樹脂組成物由於耐熱性優異,故可使用於密封設想有200℃以上之高溫運作之功率半導體元件,或,使用於介入在功率半導體元件與其他電子零件之間。
尚且,本實施形態之樹脂組成物之用途並非係受限於該等用途。
又,本實施形態之樹脂組成物係以使用於密封、使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件為佳。或,本實施形態之樹脂組成物係以使用於介入在使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件與其他電子零件之間為佳。作為其他電子零件,可舉出例如,印刷配線基板、及引線框架等。
矽半導體元件之運作溫度之上限由於為175℃程度,故功率半導體元件係以使用利用能高溫運作之碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件為佳。
本實施形態之樹脂組成物由於耐熱性優異,故能使用於密封設想有200℃以上之高溫運作之使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件,或,能使用於介入在使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件與其他電子零件之間。
(熱硬化前之發熱峰溫度)
本實施形態之樹脂組成物中,硬化前之樹脂組成物在藉由示差掃描熱量分析(DSC)法,在昇溫速度10℃/分下所測量之發熱峰溫度係以170℃以上210℃以下為佳。尚且,該發熱峰溫度係指在硬化前之樹脂組成物之DSC測量資料中顯現強度最大之發熱峰之溫度。該發熱峰溫度藉由在前述範圍,使樹脂組成物硬化之際,可實現低溫及短時間內之熱硬化。因此,由於樹脂組成物到硬化為止之時間為短,故可有效縮短半導體製造工程之節拍時間(tack time)。又,在層合複數半導體晶粒而製造層合電路之情況,為了製程之效率化,層合(暫時放置)複數半導體晶粒後,會有使存在於半導體晶粒間之複數之樹脂組成物全部一次硬化之情況。即使係在該種情況,該發熱峰溫度藉由在前述範圍,在並非打算使半導體晶粒之層合結束之前之階段,可抑制附著於在步驟初期已層合之半導體晶粒上之樹脂組成物硬化。
尚且,使用示差掃描熱量分析法來測量發熱峰溫度之方法係如後述之實施例所述。
(熱硬化條件)
本實施形態之樹脂組成物之熱硬化條件中,加熱溫度係以50℃以上200℃以下為佳,以100℃以上190℃以下為較佳。
本實施形態之樹脂組成物之熱硬化條件中,加熱時間係以30分以上2小時以內為佳,以45分以上1小時30分以內為較佳。
樹脂組成物之熱硬化條件藉由在上述範圍,可實現低溫及短時間內之樹脂組成物之熱硬化。
(熱硬化後之剝離強度)
由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物在熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。又,熱硬化後之剝離強度係以3.0N/10mm以上50N/10mm以下為佳,以3.0N/10mm以上40N/10mm以下為較佳。
樹脂組成物之熱硬化後之剝離強度藉由在上述範圍,而能對被接著物維持高接著性。
[樹脂薄片]
本實施形態之樹脂薄片係由含有(A)熱硬化性成分之樹脂組成物所形成,且(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑。(A)熱硬化性成分、(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑係如上述者相同。又,樹脂組成物中亦可配合選自由上述之(C)無機填料、(D)耦合劑,及其他成分所成群之至少任一種成分。本實施形態之樹脂薄片,能達成低溫及短時間之熱硬化條件下之熱硬化,且能提高工程適性。
本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
在本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度未滿2.0N/10mm並將樹脂組成物使用作為密封材料之情況,對金屬表面等之被接著物之剝離強度變得不充足。
本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度係可藉由調整例如樹脂組成物所使用之成分之種類(特別係磷系硬化促進劑之種類)及配合量,而調整成上述範圍。
尚且,本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度係使用後述脂測量方法,藉由在熱硬化後之樹脂薄片與被接著物之間實施剝離角度90度之撕離試驗所求出者。具體而言,如以下所示般製作試驗片並進行撕離試驗。
(i)試驗片之製作方法
・被接著物:銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100:2018規格)
・層合裝置:日光材料公司製「V-130」
・壓著條件:層合溫度130℃,到達壓力100Pa,時間60秒鐘
・樹脂組成物之熱硬化條件:熱硬化溫度180℃,熱硬化時間1小時
(ii)撕離試驗之方法
・使用裝置:拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」)
・剝離方法:從硬化後之薄片狀物撕離被接著物。
・剝離速度:50mm/分
・剝離角度:90度
・測量環境:23℃、50%相對濕度環境下
尚且,試驗片之厚度係並未從樹脂薄片被提供之狀態之厚度變更而測量者。
藉由將樹脂組成物薄片化而得之本實施形態之樹脂薄片對被接著物之適用為簡便者,尤其係對大面積之被接著物之適用為簡便者。
在將樹脂組成物加工成薄片狀之際,由於能預先形成為對密封步驟後之形狀為適合之形狀,故單僅將樹脂薄片適用於被接著物,就會機能作為保有厚度或成分比之均一性之密封材料。又,樹脂組成物為薄片狀,由於不具有流動性,故操作性優異。
將樹脂組成物予以薄片化之方法可採用過往公知之薄片化之方法,並無特別限定。本實施形態之樹脂薄片可為帶狀之薄片,亦可為在被捲成輥狀之狀態下提供。被捲成輥狀之本實施形態之樹脂薄片係可從輥捲出後切斷成所欲之尺寸等來使用。
本實施形態之樹脂薄片之厚度係以例如10μm以上為佳,以20μm以上為較佳。又,本實施形態之樹脂薄片之厚度係以500μm以下為佳,以400μm以下為較佳,以300μm以下為更佳。
本實施形態之樹脂薄片係與其他實施形態之樹脂組成物同樣地以使用於密封半導體元件,或,使用於介入在半導體元件與其他電子零件之間為佳。又,本實施形態之樹脂薄片係以對複數之半導體元件整體地適用為佳。例如,樹脂組成物若為薄片狀,可使用成對設有複數間隙之框之每個間隙配置半導體元件而成之構造物適用樹脂薄片,而將框與半導體元件整體地密封之所謂面板級封裝(Panel Level Package)。
尚且,本實施形態之樹脂薄片之用途並非係受到該等用途所限定者。
[層合體]
圖1展示本實施形態之層合體1之剖面示意圖。
本實施形態之層合體1具有:第一剝離材2、第二剝離材4,及設置於第一剝離材2及第二剝離材4之間之樹脂薄片3。樹脂薄片3為本實施形態之樹脂薄片。
第一剝離材2、及第二剝離材4為具有剝離性,且以第一剝離材2對樹脂薄片3之剝離力與第二剝離材4對樹脂薄片3之剝離力具有差異為佳。第一剝離材2及第二剝離材4之材質並無特別限定。第二剝離材4之剝離力P2對第一剝離材2之剝離力P1之比(P2/P1)係以0.02≦P2/P1<1或1<P2/P1≦50為佳。
第一剝離材2、及第二剝離材4例如除了可為剝離材本身具有剝離性之構件之外,亦可為已施加剝離處理之構件,或層合有剝離劑層之構件等。在第一剝離材2、及第二剝離材4並未施加剝離處理之情況,作為第一剝離材2、及第二剝離材4之材質,可舉出例如,烯烴系樹脂、及氟樹脂等。
第一剝離材2、及第二剝離材4係可作成具備剝離基材,及於剝離基材之上塗布剝離劑所形成之剝離劑層之剝離材。具備剝離基材與剝離劑層之剝離材為容易操作者。又,第一剝離材2、及第二剝離材4係可僅在剝離基材之單面具有剝離劑層,亦可在剝離基材之兩面具備剝離劑層。
作為剝離基材,可舉出例如,紙基材、對該紙基材層合聚乙烯等之熱可塑性樹脂而成之層合紙、及塑膠膜等。作為紙基材,可舉出例如,玻璃紙、塗覆紙、及鑄塗紙等。作為塑膠膜,可舉出例如,聚酯膜(例如,聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等),以及聚烯烴膜(例如,聚丙烯、及聚乙烯等)等。該等之中亦以聚酯膜為佳。
作為剝離劑,可舉出例如,以聚矽氧樹脂構成之聚矽氧系剝離劑;以聚乙烯胺甲酸酯、及烷基脲衍生物等之含有長鏈烷基之化合物構成之含長鏈烷基之化合物系剝離劑;以醇酸樹脂(例如,非轉化性醇酸樹脂、及轉化性醇酸樹脂等)構成之醇酸樹脂系剝離劑;以烯烴樹脂(例如,聚乙烯(例如,高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、及直鏈狀低密度聚乙烯等)、具有等規構造或間規構造之丙烯均聚物、及丙烯-α-烯烴共聚物等之結晶性聚丙烯樹脂等)構成之烯烴樹脂系剝離劑;以天然橡膠、及合成橡膠(例如,丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、甲基甲基丙烯酸酯-丁二烯橡膠、及丙烯腈-丁二烯橡膠等)等之橡膠構成之橡膠系剝離劑;以及,以(甲基)丙烯酸酯系共聚物等之丙烯酸樹脂構成之丙烯酸樹脂系剝離劑等之各種剝離劑。該等剝離劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。該等剝離劑之中,以醇酸樹脂系剝離劑為佳。尤其,作為樹脂薄片3所包含之樹脂組成物之(B)黏合劑成分,在使用苯氧基樹脂之情況,採用一般性聚矽氧系剝離劑時,由於會有剝離材非蓄意性地在樹脂薄片3之使用前剝離之憂慮,故以使用醇酸樹脂系剝離劑為佳。
第一剝離材2、及第二剝離材4之厚度並無特別限定。第一剝離材2、及第二剝離材4之厚度通常為1μm以上500μm以下,以3μm以上100μm以下為佳。
剝離劑層之厚度並無特別限定。塗布包含剝離劑之溶液形成剝離劑層時,剝離劑層之厚度係以0.01μm以上3μm以下為佳,以0.03μm以上1μm以下為較佳。
層合體1之製造方法並無特別限定。例如,層合體1係經由如以下之步驟來製造。首先,在第一剝離材2之上塗布樹脂組成物而形成塗膜。其次,乾燥該塗膜而形成樹脂薄片3。其次,藉由在常溫下貼合樹脂薄片3與第二剝離材4而取得層合體1。
[實施形態之效果]
根據本實施形態之樹脂組成物、樹脂薄片及層合體,能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度。
如以上所述,本實施形態之樹脂組成物係適宜使用於功率半導體元件。換言之,本實施形態之半導體裝置中,半導體元件係以功率半導體元件為佳。功率半導體元件也係設想會在200℃以上之高溫下運作。故對具有功率半導體元件之半導體裝置所使用之材料要求耐熱性。本實施形態之樹脂組成物、及樹脂薄片由於耐熱性優異,故在半導體裝置中適宜使用於被覆功率半導體元件,或,使用於介入在功率半導體元件與其他零件之間。
如上述般,本實施形態之樹脂組成物係可適宜適用於使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件。換言之,本實施形態之半導體裝置中,半導體元件係以使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件為佳。使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件由於具有與矽半導體元件相異之特性,故較佳係使用於功率半導體元件、基地局用高輸出裝置、感測器、偵測器、及肖特基能障二極體等之用途。該等用途也係著眼在使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件之耐熱性,本實施形態之樹脂組成物、及樹脂薄片由於耐熱性優異,故適宜與使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件組合使用。
[實施形態之變形]
本發明並不受限於前述實施形態,只要能達成本發明之目的之範圍內之變形或改良等皆包括在本發明中。
前述實施形態已說明關於具有第一剝離材、第二剝離材,及設置於第一剝離材及第二剝離材之間之樹脂薄片的層合體,但本發明並非係受到此種態樣之層合體所限定者。作為其他態樣,例如,可為具有樹脂薄片,及僅設置於該樹脂薄片之一側之面上之剝離材的層合體。
又,前述半導體裝置之實施形態已說明關於半導體密封用途,但除此之外,本發明之樹脂組成物、及樹脂薄片也係能使用作為電路基板用絕緣材料(例如,硬質印刷配線板材料、可撓性配線基板用材料、及增層基板用層間絕緣材料等)、增層用接著膜,以及接著劑等。本發明之樹脂組成物、及樹脂薄片之用途並非係受該等用途所限定者。
[實施例]
以下,例舉實施例更加詳細說明本發明,但本發明並非係受到實施例任何限定者。
[樹脂組成物之調製]
以表1所示之配合比例(質量%(固體成分換算之比例))調製出實施例1~6及比較例1~7之樹脂組成物。
調製樹脂組成物所使用之材料係如以下所示。
(熱硬化性成分)
・馬來醯亞胺樹脂:具有聯苯基之馬來醯亞胺樹脂(前述一般式(3)所示之馬來醯亞胺樹脂,日本化藥公司製「MIR-3000-70MT」)
・硬化促進劑-1:四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽(北興化學工業公司製「TPP-MK」、「TPP-MK」為註冊商標)
・硬化促進劑-2:三苯基膦(北興化學工業公司製「Hokuko TPP」、「Hokuko TPP」為註冊商標)
・硬化促進劑-3:四丁基鏻氫六氫酞酸鹽(北興化學工業公司製「TBP-3S」)
・硬化促進劑-4:2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製「2E4MZ」)
・烯丙基樹脂:二烯丙基雙酚A(大和化成工業公司製「DABPA」)
(黏合劑成分)
・黏合劑樹脂:BisA/BisF混合型苯氧基樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX-1356-2」、重量平均分子量65,000)
(無機填料)
・二氧化矽填料:熔融二氧化矽(環氧矽烷修飾,平均粒徑0.5μm,最大粒徑2.0μm)
(耦合劑)
・耦合劑:3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷
<熱硬化前之樹脂組成物之評價>
[包含樹脂薄片之層合體之製作]
在第一剝離材(設有由醇酸樹脂系剝離劑所形成之剝離層之聚對酞酸乙二酯膜,厚度38μm)上,使用模塗布機塗布樹脂清漆(在甲基乙基酮中溶解樹脂組成物所調製之塗布用溶液,固體成分濃度在各實施例、比較例中係在51質量%以上62質量%以下之範圍變化),以乾燥爐在100℃下乾燥2分鐘。乾燥後之樹脂組成物之厚度為25μm。從乾燥爐取出第一剝離材及樹脂組成物後,馬上在常溫下貼合乾燥後之樹脂組成物,與第二剝離材(設有由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離層之聚對酞酸乙二酯膜,厚度38μm),而製作出依第一剝離材、由樹脂組成物所構成之樹脂薄片、及第二剝離材之順序層合而成之層合體。
[使用示差掃描熱量分析(DSC)法測量發熱峰溫度]
層合2枚取得之樹脂薄片,而製作出50μm厚度之樹脂薄片層合物。並且,層合2枚該樹脂薄片層合物而製作出100μm之樹脂薄片層合物,藉由重複此操作順序,而製作出200μm厚度之測量用試料。對取得之測量用試料使用示差掃描熱量計(TA儀器公司製「DSC(Q2000)」)實施以昇溫速度10℃/分,由50℃至400℃至溫度範圍內之測量,從藉此取得之DSC曲線求出發熱峰溫度。將取得之結果展示於表1。
<熱硬化後之樹脂組成物之評價>
[包含樹脂薄片之層合體之製作]
與上述之熱硬化前之樹脂組成物之評價項目中所說明之層合體之製作方法相同之方法製作出層合體。
[剝離強度之測量]
根據下述貼合條件,藉由將取得之層合體之樹脂薄片之一側之面減壓壓著在對預先將6吋Si晶圓切成4等分之晶圓片(厚度800μm)上而使其貼合。
<貼合條件>
層合裝置:日光材料公司製「V-130」;
壓著條件:層合溫度130℃,到達壓力100Pa,時間60秒鐘
其次,在與上述<貼合條件>相同條件下,藉由將銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100規格)減壓壓著在樹脂薄片之另一側之面上而使其貼合。尚且,層合體之樹脂薄片之第一剝離材及第二剝離材係分別在貼合至Si晶圓及銅板之前就已剝離。其後,在表1之熱硬化條件下使樹脂組成物硬化而作成試料。對該試料使用拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」),在剝離速度50mm/分、剝離角度90度之條件下,將銅箔從硬化後之樹脂薄片撕離,並測量銅箔與硬化後之樹脂薄片之剝離強度(單位:N/10mm)。測量係在25℃、相對濕度50%之環境下進行。將取得之結果展示於表1。尚且,比較例1由於在180℃、1小時之熱硬化條件下並未接著,故在200℃、4小時之熱硬化條件下實施硬化。又,比較例2、4、6及7之樹脂硬化物與銅箔之剝離強度則係低至無法測量之程度。
實施例1~6之樹脂組成物在與比較例1~7之樹脂組成物相比較,可確認到能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度。
本實施形態之樹脂組成物含有(A)熱硬化性成分。本實施形態之(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂及(A2)磷系硬化促進劑。由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
本實施形態之樹脂組成物能達成低溫及短時間之熱硬化條件下之熱硬化,且可提高工程適性。
由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度若未滿2.0N/10mm而將樹脂組成物使用作為密封材料等時,對於金屬表面等被接著物之剝離強度則變得不充足。
由本實施形態之樹脂組成物所形成之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度係藉由調整例如樹脂組成物所使用之成分之種類(尤其係磷系硬化促進劑之種類)及配合量,而可調整成上述範圍。
尚且,由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度係藉由使用後述之測量方法,對於將樹脂組成物形成為薄片狀之薄片狀物,在熱硬化後之薄片狀物與被接著物之間,進行剝離角度90度之撕離試驗而求得者。具體而言,如以下所示製作試驗片並進行撕離試驗。
(i)試驗片之製作方法
・被接著物:銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100:2018規格)
・樹脂組成物之厚度:25μm
・層合裝置:日光材料公司製「V-130」
・壓著條件:層合溫度130℃、到達壓力100Pa、時間60秒鐘
・樹脂組成物之熱硬化條件:熱硬化溫度180℃、熱硬化時間1小時
(ii)撕離試驗之方法
・使用裝置:拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」)
・剝離方法:從硬化後之薄片狀物撕離被接著物。
・剝離速度:50mm/分
・剝離角度:90度
・測量環境:23℃、50%相對濕度環境下
((A)熱硬化性成分)
(A)熱硬化性成分(以下,有單稱為「(A)成分」之情況)具有受到加熱進行三次元網狀化,從具有堅固接著於被接著物之性質。本實施形態之(A)熱硬化性成分係如同前述般含有(A1)馬來醯亞胺樹脂(以下,有單稱為「(A1)成分」之情況)及(A2)磷系硬化促進劑(以下,有單稱為「(A2)成分」之情況)。
(A1)馬來醯亞胺樹脂
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂只要係包含1分子中具有2個以上馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺樹脂,即無特別限定。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從耐熱性之觀點,以包含例如苯環為佳,以包含苯環上連結馬來醯亞胺基之構造為較佳。又,以馬來醯亞胺化合物具備2個以上苯環上連結馬來醯亞胺基之構造物為佳。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂係以1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及1個以上之聯苯骨架之馬來醯亞胺樹脂(以下,有單稱為「聯苯馬來醯亞胺樹脂」之情況)為佳。
本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從耐熱性及接著性之觀點,以下述一般式(1)所示者為佳。
前述一般式(1)中,k為1以上之整數,k之平均值係以1以上10以下為佳,以1以上5以下為較佳,以1以上3以下為更佳。m1及m2係各自獨立為1以上6以下之整數,以1以上3以下之整數為佳,以1為較佳。n1及n2係各自獨立為0以上4以下之整數,以0以上2以下之整數為佳,以0為較佳。R1 及R2 係各自獨立為碳數1~6之烷基,以碳數1~3之烷基為佳,以甲基為較佳。複數之R1 可互為相同或相異。複數之R2 可互為相同或相異。
作為本實施形態之前述一般式(1)所示之馬來醯亞胺樹脂,具體地可舉出例如,下述一般式(2)或下述一般式(3)所示之化合物。
前述一般式(2)及(3)中,k係與前述一般式(1)之k相同。前述一般式(2)中,n1、n2、R1 及R2 係與前述一般式(1)之n1、n2、R1 及R2 相同。
作為前述一般式(3)所示之馬來醯亞胺樹脂之製品,可舉出如日本化藥公司製之「MIR-3000-70MT」等。
又,本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂也係以1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及2個以上之伸苯基之馬來醯亞胺樹脂為佳。從提高對溶劑之溶解性,並使薄片形成性提升之觀點,以在伸苯基上具有取代基為佳。作為取代基,可舉出例如,甲基、及乙基等之烷基、及伸烷基等。
又,本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從薄片形成性之觀點,以在馬來醯亞胺基與伸苯基之間具有醚鍵之馬來醯亞胺樹脂為佳。
前述1分子中包含2個以上之馬來醯亞胺基及2個以上之伸苯基之馬來醯亞胺樹脂為例如下述一般式(4)所示者。
前述一般式(4)中,R3 ~R6 係各自獨立為氫原子或碳數1~6之烷基,L1 為碳數1~6之伸烷基,L2 及L3 係各自獨立為碳數1~6之伸烷基或碳數6~10之伸芳基,p及q係各自獨立為0或1。
本實施形態之前述一般式(4)所示之馬來醯亞胺樹脂,具體而言,例如下述一般式(5)或下述一般式(6)所示者。
前述一般式(5)及(6)中,L1 為碳數1~6之伸烷基。
前述一般式(5)中,R3 ~R6 係各自獨立為氫原子或碳數1~6之烷基。
作為本實施形態之(A1)馬來醯亞胺樹脂在從同時取得高薄片形成性及高耐熱性之硬化物之觀點,具體而言,例如以雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、N,N’-1,3-伸苯基二馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、或2,2-雙[4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基]丙烷為佳,從薄片形成性之觀點,以雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷為較佳。
本實施形態中,(A)成分中之(A1)成分之含量在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以50質量%以上為佳,以55質量%以上為較佳。
(A2)磷系硬化促進劑
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,只要係含有磷原子且促進(A1)馬來醯亞胺樹脂之聚合反應之化合物,即無特別限定。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,可舉出例如,烷基膦化合物、芳基膦化合物、烷基芳基膦化合物、膦氧化物化合物、及鏻鹽等。
作為烷基膦化合物,具體地可舉出如三甲基膦、三乙基膦、三(n-丙基)膦、三(n-丁基)膦、三(n-己基)膦、三(n-辛基)膦、及三環己基膦等。
作為芳基膦化合物,具體地可舉出如三苯基膦、三(p-甲苯基)膦、三(m-甲苯基)膦、三(o-甲苯基)膦、參(2,3-二甲基苯基)膦、參(2,4-二甲基苯基)膦、參(2,5-二甲基苯基)膦、參(2,6-二甲基苯基)膦、參(3,4-二甲基苯基)膦、參(3,5-二甲基苯基)膦、三苄基膦、雙(二苯基)膦基乙烷、及雙(二苯基)膦基丁烷等。
作為烷基芳基膦化合物,具體地可舉出如環己基二苯基膦、二環己基苯基膦、丁基二苯基膦、二丁基苯基膦、n-辛基二苯基膦、及二(n-辛基)苯基膦等。
作為膦氧化物化合物,具體地可舉出如三乙基膦氧化物、三(n-丙基)膦氧化物、三(n-丁基)膦氧化物、三(n-己基)膦氧化物、三(n-辛基)膦氧化物、三苯基膦氧化物、及參(3-羥基丙基)膦氧化物等。
鏻鹽係由PR4 + 所示之陽離子與X- 所示之陰離子所構成之鹽。
作為鏻鹽中之PR4 + 所示之陽離子,可舉出如四乙基鏻離子、三乙基苄基鏻離子、四(n-丁基)鏻離子、三(n-丁基)甲基鏻離子、三(n-丁基)辛基鏻離子、三(n-丁基)十六基鏻離子、四苯基鏻離子、三(n-丁基)烯丙基鏻離子、三(n-丁基)苄基鏻離子、三(n-辛基)乙基鏻離子、肆(羥基甲基)鏻離子、及乙基三苯基鏻離子等。
作為鏻鹽中之X- 所示之陰離子,可舉出如溴化物離子、氯化物離子、碘化物離子、o,o-二乙基二硫代磷酸酯離子、氫六氫酞酸鹽離子、硫酸鹽離子、四苯基硼酸鹽離子、及肆(4-甲基苯基)硼酸鹽離子等。
作為鏻鹽,具體地可舉出如溴化四乙基鏻、氯化三乙基苄基鏻、溴化四(n-丁基)鏻、氯化四(n-丁基)鏻、碘化四(n-丁基)鏻、碘化三(n-丁基)甲基鏻、溴化三(n-丁基)辛基鏻、溴化三(n-丁基)十六基鏻、溴化三(n-丁基)烯丙基鏻、氯化三(n-丁基)苄基鏻、溴化四苯基鏻、四(n-丁基)鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸酯、四(n-丁基)鏻氫六氫酞酸鹽、溴化三(n-辛基)乙基鏻、肆(羥基甲基)鏻硫酸鹽、溴化乙基三苯基鏻、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、及四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽等。
作為其他之(A2)磷系硬化促進劑,可舉出如參(3-羥基丙基)膦、雙二苯基膦基二茂鐵、及硫化三(n-丁基)膦等。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,從提升從被接著物剝離由樹脂組成物所形成脂薄片狀物之硬化物之剝離強度的觀點,以具有磷原子與芳基直接鍵結之構造之化合物為佳。
作為(A2)磷系硬化促進劑中之化合物內之與磷原子直接鍵結之芳基,以取代或未取代之環形成碳數6~30之芳基為佳,其中以苯基、甲苯基及茬基為較佳。
作為具有磷原子與苯基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之三苯基膦、雙二苯基膦基乙烷、雙二苯基膦基丁烷、環己基二苯基膦、三苯基膦氧化物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽等。
作為具有磷原子與甲苯基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之三-p-甲苯基膦等。
作為具有磷原子與茬基直接鍵結之構造之化合物,具體地可舉出如前述之參(2,3-二甲基苯基)膦等。
作為本實施形態之(A2)磷系硬化促進劑,從由樹脂組成物所形成之薄片狀物之硬化物之剝離強度及反應溫度之觀點,以鏻鹽為佳。
作為(A2)磷系硬化促進劑,在使用鏻鹽之情況,即使增加(A2)磷系硬化促進劑之添加量,上述剝離強度仍不易降低。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以1質量%以下為佳,以0.75質量%以下為較佳。樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準下,以0.05質量%以上為佳,以0.1質量%以上為較佳。
(A2)磷系硬化促進劑之含量藉由在上述範圍內,不受限於(A2)磷系硬化促進劑之種類,皆可取得上述之剝離強度。
從相同觀點,(A2)磷系硬化促進劑之含量在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以0.1質量%以上2質量%以下為佳,以0.3質量%以上1.5質量%以下為較佳。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A2)磷系硬化促進劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
(A3)烯丙基樹脂
本實施形態之樹脂組成物所含有之(A)熱硬化性成分係以更含有(A3)烯丙基樹脂為佳。(A3)烯丙基樹脂(以下,有單稱為「(A3)成分」之情況)係以在常溫下為液體為佳。(A)熱硬化性成分藉由包含烯丙基樹脂,在樹脂組成物之硬化後,能將網路調整在適當範圍。
本實施形態中,(A1)馬來醯亞胺樹脂對(A3)烯丙基樹脂之質量比(A1/A3)係以1.5以上為佳,以4.5以上為較佳。
質量比(A1/A3)若在上述範圍,樹脂組成物之硬化物在250℃之儲藏彈性模數E’會有上昇之傾向。
又,質量比(A1/A3)若在上述範圍,可使樹脂組成物之耐熱性提升。
又,質量比(A1/A3)若在上述範圍,可實現將樹脂組成物之複合黏度η調整成適宜,確保適用於被接著物時之樹脂組成物之流動性,並且更加提升樹脂組成物之硬化後之耐熱性。並且,質量比(A1/A3)若在上述範圍,也可抑制烯丙基樹脂從樹脂組成物滲出。尚且,質量比(A1/A3)之上限值並無特別限制。例如,質量比(A1/A3)在50以下即可。
本實施形態之(A3)烯丙基樹脂只要係具有烯丙基之樹脂,即無特別限定。本實施形態之(A3)烯丙基樹脂係以例如1分子中包含2個以上之烯丙基之烯丙基樹脂為佳。
本實施形態之烯丙基樹脂係以下述一般式(7)所示者為較佳。
前述一般式(7)中,R7 及R8 係各自獨立為烷基,以碳數1~10之烷基為佳,以碳數1~4之烷基為較佳,以選自甲基及乙基所成群之烷基為更佳。
作為本實施形態中之(A3)烯丙基樹脂,具體地可舉出例如,二烯丙基雙酚A(2,2-雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)丙烷)等。
本實施形態之(A)熱硬化性成分只要不使本發明之目的受損,亦可含有(A1)成分以外之熱硬化性樹脂、(A2)成分以外之硬化促進劑、及(A3)成分以外之硬化樹脂。
作為(A1)成分以外之熱硬化性樹脂,只要係具有高耐熱性之熱硬化性樹脂即可,可舉出例如,環氧樹脂、苯並噁嗪樹脂、氰酸酯樹脂、及三聚氰胺樹脂等。該等熱硬化性樹脂係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為(A2)成分以外之硬化促進劑,可舉出例如,咪唑化合物(例如,2-乙基-4-甲基咪唑等)等。該等硬化促進劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為(A3)成分以外之硬化樹脂,可舉出例如,苯酚樹脂、及(A3)成分以外之具有C=C雙鍵之樹脂等之樹脂類,以及胺、酸酐、及甲醛等。該等硬化樹脂係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
在使用(A1)成分以外之熱硬化性樹脂、(A2)成分以外之硬化促進劑、或(A3)成分以外之硬化樹脂之情況,該等之含量係在(A)成分之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之(A)成分之不揮發分設為100質量%時)下,以10質量%以下為佳,以5質量%以下為較佳。
本實施形態中,樹脂組成物中之(A)熱硬化性成分之含量係在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以2質量%以上75質量%以下為佳,以5質量%以上70質量%以下為較佳。(A)熱硬化性成分之含量藉由在上述範圍內,樹脂組成物之操作性、薄片形成性、及樹脂薄片之耐熱性提升。
((B)黏合劑成分)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)成分之外,再包含(B)黏合劑成分(以下,有單稱「(B)成分」之情況)為佳。本實施形態之樹脂組成物藉由更包含(B)黏合劑成分,而可賦予造膜性,且能容易將樹脂組成物成形成薄片狀。
本實施形態之(B)黏合劑成分為(A)成分以外之樹脂成分,且具有接合(A)成分或其他成分之功能。(B)黏合劑成分係以熱可塑性樹脂等為佳。(B)成分只要具有接合(A)成分或其他成分之功能,亦可具有官能基。因此(B)黏合劑成分在具有官能基時,即使(B)黏合劑成分可能會因熱而參與樹脂組成物之硬化,在本發明中(B)黏合劑成分係與(A)熱硬化性成分有所區別。
(B)黏合劑成分係從各種樹脂當中選擇,可為脂肪族化合物,亦可為芳香族化合物。(B)黏合劑成分係以選自例如苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚醯胺醯亞胺樹脂所成群之至少任一之樹脂為佳,從耐熱性之觀點,以苯氧基樹脂為較佳。尚且,聚酯樹脂係以全芳香族聚酯樹脂為佳。(B)黏合劑成分係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為苯氧基樹脂,以具有選自由雙酚A骨架(以下,有將雙酚A稱為「BisA」之情況)、雙酚F骨架(以下,有將雙酚F稱為「BisF」之情況)、聯苯基骨架、及萘骨架所成群之1種以上之骨架之苯氧基樹脂為佳,以具有雙酚A骨架及雙酚F骨架之苯氧基樹脂為較佳。
(B)黏合劑成分之重量平均分子量(Mw)在從可容易將樹脂組成物之複合黏度調整所欲範圍之觀點,以100以上100萬以下為佳,以1000以上80萬以下為較佳,以1萬以上10萬以下為更佳。本說明書中之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography;GPC)法所測量之標準聚苯乙烯換算值。
本實施形態中,樹脂組成物中之(B)黏合劑成分之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以0.1質量%以上50質量%以下為佳,以1質量%以上40質量%以下為較佳。藉由樹脂組成物中之(B)黏合劑成分之含量作成上述範圍,變得容易將硬化前之樹脂組成物之複合黏度調整成所欲範圍,且樹脂組成物之薄片形成性、及樹脂薄片之操作性提升。
本實施形態中,(A1)成分之含量在(A)成分及(B)成分之固體成分之合計量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以20質量%以上80質量%以下為佳。(A1)成分之含量若在20質量%以上,則能更加樹脂組成物之耐熱性。另一方面,(A1)成分之含量若在80質量%以下,能容易將樹脂組成物成形成薄片狀。
((C)無機填料)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)成分及(B)成分之外,以再包含(C)無機填料(以下,有單稱為「(C)成分」之情況)為佳。藉由該(C)成分,可使樹脂組成物之熱特性及機械特性之至少任一者提升。
作為(C)無機填料,可舉出如二氧化矽填料、氧化鋁填料、及氮化硼填料等。該等之中亦以二氧化矽填料為佳。
作為二氧化矽填料,可舉出例如,熔融二氧化矽、及球狀二氧化矽等。
(C)無機填料係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。又,(C)無機填料也可受到表面處理。
(C)無機填料之平均粒徑並無特別限制。(C)無機填料之平均粒徑係以從一般粒度分布計所求得之值在0.1nm以上100μm以下為佳,以10nm以上10μm以下為較佳。本說明書中之(C)無機填料之平均粒徑係視為使用粒度分布測量裝置(日機裝公司製,製品名「Nanotrack Wave-UT151」),藉由動態光散射法進行測量之值。
樹脂組成物中之(C)無機填料之含量在樹脂組成物之固體成分之總量基準(即,將去除稀釋用溶劑之全部不揮發分設為100質量%時)下,以10質量%以上90質量%以下為佳,以20質量%以上80質量%以下為較佳。
((D)耦合劑)
本實施形態中,樹脂組成物除了包含(A)~(C)成分之外,以再包含(D)耦合劑為佳。
耦合劑係與具有會與前述(A)熱硬化性成分所具有之官能基,或(B)黏合劑成分所具有之官能基進行反應之基為佳,以具有會與(A)熱硬化性成分所具有之官能基進行反應之基為較佳。
藉由使用(D)耦合劑,由樹脂組成物所形成之薄片狀物之硬化物與被接著物之間之剝離強度提升。
作為(D)耦合劑,從其泛用性、及成本優點等觀點,以矽烷系(矽烷耦合劑)為佳。(D)耦合劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。又,如上述之耦合劑在相對於(A)成分及(B)成分之固體成分(去除稀釋用溶劑之不揮發分)之合計量100質量份而言,通常係在0.1質量份以上20質量份以下之比例下配合,以在0.3質量份以上15質量份以下之比例下配合為佳,以在0.5質量份以上10質量份以下之比例下配合為較佳。
作為本實施形態之樹脂組成物之一例,可舉出如僅含有(A)熱硬化性成分、(B)黏合劑成分、(C)無機填料、及(D)耦合劑之樹脂組成物。
又,作為本實施形態之樹脂組成物之其他一例,如以下所述,可舉出如含有(A)熱硬化性成分、(B)黏合劑成分、(C)無機填料、(D)耦合劑,及前述(A)~(D)成分以外之成分之樹脂組成物。
(其他成分)
本實施形態中,樹脂組成物亦可更含有其他成分。作為其他成分,可舉出例如選自由交聯劑、顏料、染料、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、防氧化劑、難燃劑、及離子捕捉劑所成群之至少任意一種成分。
例如,為了調節硬化前之初期接著性、及凝聚性,樹脂組成物亦可更含有交聯劑。
作為交聯劑,可舉出例如,有機多價異氰酸酯化合物、及有機多價亞胺化合物等。交聯劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為有機多價異氰酸酯化合物,可舉出例如,芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物、脂環族多價異氰酸酯化合物,及該等多價異氰酸酯化合物之三聚物,以及使該等多價異氰酸酯化合物與聚醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。
作為有機多價異氰酸酯化合物之更具體之例,可舉出例如,2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸茬基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、及離胺酸異氰酸酯等。有機多價異氰酸酯化合物係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
作為有機多價亞胺化合物之具體例,可舉出例如,N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。有機多價亞胺化合物係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。
如上述之交聯劑在相對於前述之(B)黏合劑成分100質量份而言,通常在0.01質量份以上12質量份以下,較佳在0.1質量份以上10質量份以下之比例下配合。
本實施形態之樹脂組成物係以使用於半導體元件為佳。具體而言,本實施形態之樹脂組成物係以使用於密封半導體元件為佳。又,本實施形態之樹脂組成物係以使用於介入在半導體元件與其他電子零件之間為佳。
半導體元件係以功率半導體元件為佳。
本實施形態之樹脂組成物由於耐熱性優異,故可使用於密封設想有200℃以上之高溫運作之功率半導體元件,或,使用於介入在功率半導體元件與其他電子零件之間。
尚且,本實施形態之樹脂組成物之用途並非係受限於該等用途。
又,本實施形態之樹脂組成物係以使用於密封、使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件為佳。或,本實施形態之樹脂組成物係以使用於介入在使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件與其他電子零件之間為佳。作為其他電子零件,可舉出例如,印刷配線基板、及引線框架等。
矽半導體元件之運作溫度之上限由於為175℃程度,故功率半導體元件係以使用利用能高溫運作之碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件為佳。
本實施形態之樹脂組成物由於耐熱性優異,故能使用於密封設想有200℃以上之高溫運作之使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件,或,能使用於介入在使用碳化矽及氮化鎵之任意1種以上之半導體元件與其他電子零件之間。
(熱硬化前之發熱峰溫度)
本實施形態之樹脂組成物中,硬化前之樹脂組成物在藉由示差掃描熱量分析(DSC)法,在昇溫速度10℃/分下所測量之發熱峰溫度係以170℃以上210℃以下為佳。尚且,該發熱峰溫度係指在硬化前之樹脂組成物之DSC測量資料中顯現強度最大之發熱峰之溫度。該發熱峰溫度藉由在前述範圍,使樹脂組成物硬化之際,可實現低溫及短時間內之熱硬化。因此,由於樹脂組成物到硬化為止之時間為短,故可有效縮短半導體製造工程之節拍時間(tack time)。又,在層合複數半導體晶粒而製造層合電路之情況,為了製程之效率化,層合(暫時放置)複數半導體晶粒後,會有使存在於半導體晶粒間之複數之樹脂組成物全部一次硬化之情況。即使係在該種情況,該發熱峰溫度藉由在前述範圍,在並非打算使半導體晶粒之層合結束之前之階段,可抑制附著於在步驟初期已層合之半導體晶粒上之樹脂組成物硬化。
尚且,使用示差掃描熱量分析法來測量發熱峰溫度之方法係如後述之實施例所述。
(熱硬化條件)
本實施形態之樹脂組成物之熱硬化條件中,加熱溫度係以50℃以上200℃以下為佳,以100℃以上190℃以下為較佳。
本實施形態之樹脂組成物之熱硬化條件中,加熱時間係以30分以上2小時以內為佳,以45分以上1小時30分以內為較佳。
樹脂組成物之熱硬化條件藉由在上述範圍,可實現低溫及短時間內之樹脂組成物之熱硬化。
(熱硬化後之剝離強度)
由本實施形態之樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物在熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。又,熱硬化後之剝離強度係以3.0N/10mm以上50N/10mm以下為佳,以3.0N/10mm以上40N/10mm以下為較佳。
樹脂組成物之熱硬化後之剝離強度藉由在上述範圍,而能對被接著物維持高接著性。
[樹脂薄片]
本實施形態之樹脂薄片係由含有(A)熱硬化性成分之樹脂組成物所形成,且(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑。(A)熱硬化性成分、(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑係如上述者相同。又,樹脂組成物中亦可配合選自由上述之(C)無機填料、(D)耦合劑,及其他成分所成群之至少任一種成分。本實施形態之樹脂薄片,能達成低溫及短時間之熱硬化條件下之熱硬化,且能提高工程適性。
本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
在本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度未滿2.0N/10mm並將樹脂組成物使用作為密封材料之情況,對金屬表面等之被接著物之剝離強度變得不充足。
本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度係可藉由調整例如樹脂組成物所使用之成分之種類(特別係磷系硬化促進劑之種類)及配合量,而調整成上述範圍。
尚且,本實施形態之樹脂薄片之熱硬化後之剝離強度係使用後述脂測量方法,藉由在熱硬化後之樹脂薄片與被接著物之間實施剝離角度90度之撕離試驗所求出者。具體而言,如以下所示般製作試驗片並進行撕離試驗。
(i)試驗片之製作方法
・被接著物:銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100:2018規格)
・層合裝置:日光材料公司製「V-130」
・壓著條件:層合溫度130℃,到達壓力100Pa,時間60秒鐘
・樹脂組成物之熱硬化條件:熱硬化溫度180℃,熱硬化時間1小時
(ii)撕離試驗之方法
・使用裝置:拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」)
・剝離方法:從硬化後之薄片狀物撕離被接著物。
・剝離速度:50mm/分
・剝離角度:90度
・測量環境:23℃、50%相對濕度環境下
尚且,試驗片之厚度係並未從樹脂薄片被提供之狀態之厚度變更而測量者。
藉由將樹脂組成物薄片化而得之本實施形態之樹脂薄片對被接著物之適用為簡便者,尤其係對大面積之被接著物之適用為簡便者。
在將樹脂組成物加工成薄片狀之際,由於能預先形成為對密封步驟後之形狀為適合之形狀,故單僅將樹脂薄片適用於被接著物,就會機能作為保有厚度或成分比之均一性之密封材料。又,樹脂組成物為薄片狀,由於不具有流動性,故操作性優異。
將樹脂組成物予以薄片化之方法可採用過往公知之薄片化之方法,並無特別限定。本實施形態之樹脂薄片可為帶狀之薄片,亦可為在被捲成輥狀之狀態下提供。被捲成輥狀之本實施形態之樹脂薄片係可從輥捲出後切斷成所欲之尺寸等來使用。
本實施形態之樹脂薄片之厚度係以例如10μm以上為佳,以20μm以上為較佳。又,本實施形態之樹脂薄片之厚度係以500μm以下為佳,以400μm以下為較佳,以300μm以下為更佳。
本實施形態之樹脂薄片係與其他實施形態之樹脂組成物同樣地以使用於密封半導體元件,或,使用於介入在半導體元件與其他電子零件之間為佳。又,本實施形態之樹脂薄片係以對複數之半導體元件整體地適用為佳。例如,樹脂組成物若為薄片狀,可使用成對設有複數間隙之框之每個間隙配置半導體元件而成之構造物適用樹脂薄片,而將框與半導體元件整體地密封之所謂面板級封裝(Panel Level Package)。
尚且,本實施形態之樹脂薄片之用途並非係受到該等用途所限定者。
[層合體]
圖1展示本實施形態之層合體1之剖面示意圖。
本實施形態之層合體1具有:第一剝離材2、第二剝離材4,及設置於第一剝離材2及第二剝離材4之間之樹脂薄片3。樹脂薄片3為本實施形態之樹脂薄片。
第一剝離材2、及第二剝離材4為具有剝離性,且以第一剝離材2對樹脂薄片3之剝離力與第二剝離材4對樹脂薄片3之剝離力具有差異為佳。第一剝離材2及第二剝離材4之材質並無特別限定。第二剝離材4之剝離力P2對第一剝離材2之剝離力P1之比(P2/P1)係以0.02≦P2/P1<1或1<P2/P1≦50為佳。
第一剝離材2、及第二剝離材4例如除了可為剝離材本身具有剝離性之構件之外,亦可為已施加剝離處理之構件,或層合有剝離劑層之構件等。在第一剝離材2、及第二剝離材4並未施加剝離處理之情況,作為第一剝離材2、及第二剝離材4之材質,可舉出例如,烯烴系樹脂、及氟樹脂等。
第一剝離材2、及第二剝離材4係可作成具備剝離基材,及於剝離基材之上塗布剝離劑所形成之剝離劑層之剝離材。具備剝離基材與剝離劑層之剝離材為容易操作者。又,第一剝離材2、及第二剝離材4係可僅在剝離基材之單面具有剝離劑層,亦可在剝離基材之兩面具備剝離劑層。
作為剝離基材,可舉出例如,紙基材、對該紙基材層合聚乙烯等之熱可塑性樹脂而成之層合紙、及塑膠膜等。作為紙基材,可舉出例如,玻璃紙、塗覆紙、及鑄塗紙等。作為塑膠膜,可舉出例如,聚酯膜(例如,聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等),以及聚烯烴膜(例如,聚丙烯、及聚乙烯等)等。該等之中亦以聚酯膜為佳。
作為剝離劑,可舉出例如,以聚矽氧樹脂構成之聚矽氧系剝離劑;以聚乙烯胺甲酸酯、及烷基脲衍生物等之含有長鏈烷基之化合物構成之含長鏈烷基之化合物系剝離劑;以醇酸樹脂(例如,非轉化性醇酸樹脂、及轉化性醇酸樹脂等)構成之醇酸樹脂系剝離劑;以烯烴樹脂(例如,聚乙烯(例如,高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、及直鏈狀低密度聚乙烯等)、具有等規構造或間規構造之丙烯均聚物、及丙烯-α-烯烴共聚物等之結晶性聚丙烯樹脂等)構成之烯烴樹脂系剝離劑;以天然橡膠、及合成橡膠(例如,丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、甲基甲基丙烯酸酯-丁二烯橡膠、及丙烯腈-丁二烯橡膠等)等之橡膠構成之橡膠系剝離劑;以及,以(甲基)丙烯酸酯系共聚物等之丙烯酸樹脂構成之丙烯酸樹脂系剝離劑等之各種剝離劑。該等剝離劑係可單獨使用1種,或可將2種以上組合使用。該等剝離劑之中,以醇酸樹脂系剝離劑為佳。尤其,作為樹脂薄片3所包含之樹脂組成物之(B)黏合劑成分,在使用苯氧基樹脂之情況,採用一般性聚矽氧系剝離劑時,由於會有剝離材非蓄意性地在樹脂薄片3之使用前剝離之憂慮,故以使用醇酸樹脂系剝離劑為佳。
第一剝離材2、及第二剝離材4之厚度並無特別限定。第一剝離材2、及第二剝離材4之厚度通常為1μm以上500μm以下,以3μm以上100μm以下為佳。
剝離劑層之厚度並無特別限定。塗布包含剝離劑之溶液形成剝離劑層時,剝離劑層之厚度係以0.01μm以上3μm以下為佳,以0.03μm以上1μm以下為較佳。
層合體1之製造方法並無特別限定。例如,層合體1係經由如以下之步驟來製造。首先,在第一剝離材2之上塗布樹脂組成物而形成塗膜。其次,乾燥該塗膜而形成樹脂薄片3。其次,藉由在常溫下貼合樹脂薄片3與第二剝離材4而取得層合體1。
[實施形態之效果]
根據本實施形態之樹脂組成物、樹脂薄片及層合體,能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度。
如以上所述,本實施形態之樹脂組成物係適宜使用於功率半導體元件。換言之,本實施形態之半導體裝置中,半導體元件係以功率半導體元件為佳。功率半導體元件也係設想會在200℃以上之高溫下運作。故對具有功率半導體元件之半導體裝置所使用之材料要求耐熱性。本實施形態之樹脂組成物、及樹脂薄片由於耐熱性優異,故在半導體裝置中適宜使用於被覆功率半導體元件,或,使用於介入在功率半導體元件與其他零件之間。
如上述般,本實施形態之樹脂組成物係可適宜適用於使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件。換言之,本實施形態之半導體裝置中,半導體元件係以使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件為佳。使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件由於具有與矽半導體元件相異之特性,故較佳係使用於功率半導體元件、基地局用高輸出裝置、感測器、偵測器、及肖特基能障二極體等之用途。該等用途也係著眼在使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件之耐熱性,本實施形態之樹脂組成物、及樹脂薄片由於耐熱性優異,故適宜與使用碳化矽及氮化鎵之任一種以上之半導體元件組合使用。
[實施形態之變形]
本發明並不受限於前述實施形態,只要能達成本發明之目的之範圍內之變形或改良等皆包括在本發明中。
前述實施形態已說明關於具有第一剝離材、第二剝離材,及設置於第一剝離材及第二剝離材之間之樹脂薄片的層合體,但本發明並非係受到此種態樣之層合體所限定者。作為其他態樣,例如,可為具有樹脂薄片,及僅設置於該樹脂薄片之一側之面上之剝離材的層合體。
又,前述半導體裝置之實施形態已說明關於半導體密封用途,但除此之外,本發明之樹脂組成物、及樹脂薄片也係能使用作為電路基板用絕緣材料(例如,硬質印刷配線板材料、可撓性配線基板用材料、及增層基板用層間絕緣材料等)、增層用接著膜,以及接著劑等。本發明之樹脂組成物、及樹脂薄片之用途並非係受該等用途所限定者。
[實施例]
以下,例舉實施例更加詳細說明本發明,但本發明並非係受到實施例任何限定者。
[樹脂組成物之調製]
以表1所示之配合比例(質量%(固體成分換算之比例))調製出實施例1~6及比較例1~7之樹脂組成物。
調製樹脂組成物所使用之材料係如以下所示。
(熱硬化性成分)
・馬來醯亞胺樹脂:具有聯苯基之馬來醯亞胺樹脂(前述一般式(3)所示之馬來醯亞胺樹脂,日本化藥公司製「MIR-3000-70MT」)
・硬化促進劑-1:四苯基鏻肆(4-甲基苯基)硼酸鹽(北興化學工業公司製「TPP-MK」、「TPP-MK」為註冊商標)
・硬化促進劑-2:三苯基膦(北興化學工業公司製「Hokuko TPP」、「Hokuko TPP」為註冊商標)
・硬化促進劑-3:四丁基鏻氫六氫酞酸鹽(北興化學工業公司製「TBP-3S」)
・硬化促進劑-4:2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成工業公司製「2E4MZ」)
・烯丙基樹脂:二烯丙基雙酚A(大和化成工業公司製「DABPA」)
(黏合劑成分)
・黏合劑樹脂:BisA/BisF混合型苯氧基樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX-1356-2」、重量平均分子量65,000)
(無機填料)
・二氧化矽填料:熔融二氧化矽(環氧矽烷修飾,平均粒徑0.5μm,最大粒徑2.0μm)
(耦合劑)
・耦合劑:3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷
<熱硬化前之樹脂組成物之評價>
[包含樹脂薄片之層合體之製作]
在第一剝離材(設有由醇酸樹脂系剝離劑所形成之剝離層之聚對酞酸乙二酯膜,厚度38μm)上,使用模塗布機塗布樹脂清漆(在甲基乙基酮中溶解樹脂組成物所調製之塗布用溶液,固體成分濃度在各實施例、比較例中係在51質量%以上62質量%以下之範圍變化),以乾燥爐在100℃下乾燥2分鐘。乾燥後之樹脂組成物之厚度為25μm。從乾燥爐取出第一剝離材及樹脂組成物後,馬上在常溫下貼合乾燥後之樹脂組成物,與第二剝離材(設有由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離層之聚對酞酸乙二酯膜,厚度38μm),而製作出依第一剝離材、由樹脂組成物所構成之樹脂薄片、及第二剝離材之順序層合而成之層合體。
[使用示差掃描熱量分析(DSC)法測量發熱峰溫度]
層合2枚取得之樹脂薄片,而製作出50μm厚度之樹脂薄片層合物。並且,層合2枚該樹脂薄片層合物而製作出100μm之樹脂薄片層合物,藉由重複此操作順序,而製作出200μm厚度之測量用試料。對取得之測量用試料使用示差掃描熱量計(TA儀器公司製「DSC(Q2000)」)實施以昇溫速度10℃/分,由50℃至400℃至溫度範圍內之測量,從藉此取得之DSC曲線求出發熱峰溫度。將取得之結果展示於表1。
<熱硬化後之樹脂組成物之評價>
[包含樹脂薄片之層合體之製作]
與上述之熱硬化前之樹脂組成物之評價項目中所說明之層合體之製作方法相同之方法製作出層合體。
[剝離強度之測量]
根據下述貼合條件,藉由將取得之層合體之樹脂薄片之一側之面減壓壓著在對預先將6吋Si晶圓切成4等分之晶圓片(厚度800μm)上而使其貼合。
<貼合條件>
層合裝置:日光材料公司製「V-130」;
壓著條件:層合溫度130℃,到達壓力100Pa,時間60秒鐘
其次,在與上述<貼合條件>相同條件下,藉由將銅箔(大小50mm×10mm,厚度150μm,JIS H 3100規格)減壓壓著在樹脂薄片之另一側之面上而使其貼合。尚且,層合體之樹脂薄片之第一剝離材及第二剝離材係分別在貼合至Si晶圓及銅板之前就已剝離。其後,在表1之熱硬化條件下使樹脂組成物硬化而作成試料。對該試料使用拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS」),在剝離速度50mm/分、剝離角度90度之條件下,將銅箔從硬化後之樹脂薄片撕離,並測量銅箔與硬化後之樹脂薄片之剝離強度(單位:N/10mm)。測量係在25℃、相對濕度50%之環境下進行。將取得之結果展示於表1。尚且,比較例1由於在180℃、1小時之熱硬化條件下並未接著,故在200℃、4小時之熱硬化條件下實施硬化。又,比較例2、4、6及7之樹脂硬化物與銅箔之剝離強度則係低至無法測量之程度。
實施例1~6之樹脂組成物在與比較例1~7之樹脂組成物相比較,可確認到能兼具低溫且短時間之熱硬化條件及熱硬化後之剝離強度。
1‧‧‧層合體
2‧‧‧第一剝離材
3‧‧‧樹脂薄片
4‧‧‧第二剝離材
圖1為一實施形態之層合體之剖面示意圖。
Claims (15)
- 一種樹脂組成物,含有(A)熱硬化性成分,其特徵為, 前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂、及(A2)磷系硬化促進劑,且 由前述樹脂組成物所形成之厚度25μm之薄片狀物之熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
- 如請求項1之樹脂組成物,其中 前述(A2)磷系硬化促進劑為具有磷原子與芳基鍵結之構造之化合物。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑為鏻鹽。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量在前述樹脂組成物之固體成分之總量基準下為1質量%以下。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中前述(A2)磷系硬化促進劑之含量在前述(A)熱硬化性成分之固體成分之總量基準下為2質量%以下。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中更含有(A3)烯丙基樹脂。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中更含有(B)黏合劑成分。
- 如請求項7之樹脂組成物,其中前述(B)黏合劑成分為苯氧基樹脂。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中更含有(C)無機填料。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其中更含有(D)耦合劑。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其係使用於密封半導體元件,或,使用於介入在前述半導體元件與其他電子零件之間。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其係使用於密封功率半導體元件,或,使用於介入在前述功率半導體元件與其他電子零件之間。
- 如請求項1或請求項2之樹脂組成物,其係使用於密封使用碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件,或,使用於介入在使用前述碳化矽及氮化鎵之任意一種以上之半導體元件與其他電子零件之間。
- 一種樹脂薄片,由含有(A)熱硬化性成分之樹脂組成物所形成,其特徵為, 前述(A)熱硬化性成分含有(A1)馬來醯亞胺樹脂,及(A2)磷系硬化促進劑,且 熱硬化後之剝離強度為2.0N/10mm以上。
- 一種層合體,其特徵為具有如請求項14之樹脂薄片,與剝離材, 前述剝離材具有含有醇酸樹脂系剝離劑之剝離劑層。
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