TW201944456A - 基底處理設備和基底處理方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露是關於一種基底處理設備和基底處理方法，且更確切地說是關於一種配置成在基底上沉積均一薄膜的基底處理設備和基底處理方法。根據示範性實施例的基底處理設備包含：反應管，具有形成於其中的內部空間；基底舟，配置成裝載多個載台中的多個基底，且定位於內部空間中以分隔成在其中分別處理多個基底的多個處理空間；製程氣體供應部件，配置成將製程氣體供應到多個處理空間；以及稀釋氣體供應部件，配置成供應用於稀釋多個處理空間內的製程氣體的稀釋氣體。

Description

基底處理設備和基底處理方法
本揭露是關於一種基底處理設備和基底處理方法，且更確切地說是關於一種配置成在基底上沉積均一薄膜的基底處理設備和基底處理方法。
一般來說，基底處理設備包含單晶片型基底處理設備和批量型基底處理設備，所述單晶片型基底處理設備可對一個基底執行基底處理製程，所述批量型基底處理設備可對多個基底同時執行基底處理製程。單晶片型基底處理設備具有簡單的裝備配置，但不那麼多產。因此，已普遍使用能夠大批量生產的批量型基底處理設備。
相關技術的批量型基底處理設備各自包含：基底舟，配置成裝載多個基底；反應管，配置成容納基底舟且在其上執行基底處理製程；氣體供應部件，配置成將製程氣體供應到反應管的內部；以及排氣部件，配置成排出反應管內剩餘的氣體。使用批量型基底處理設備的此類基底處理製程執行如下。首先，將多個基底載入到反應管。接著，氣體供應部件將製程氣體供應到反應管的內部，而排氣部件使反應管排氣。在此，氣體供應部件供應的製程氣體在基底上形成薄膜，同時穿過對應基底之間，且殘餘氣體經由排氣開口排出到排氣部件。
然而，相關技術的批量型基底處理設備將多個基底裝載在多個載台中的基底舟上且在其上執行基底處理製程。因此，差異出現在處理多個基底處的位置之間。此類差異使得在分別沉積於多個基底上的薄膜的厚度之間出現差異。因此，當對批量型中的多個基底執行處理製程時，不能獲得均一薄膜。
[相關技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：KR10-1396602B1
本揭露提供一種可使得分別沉積於基底舟上所裝載的多個基底上的薄膜的厚度均一的基底處理設備和基底處理方法。
根據示範性實施例，基底處理設備包含：反應管，具有形成於其中的內部空間；基底舟，配置成裝載多個載台中的多個基底，且定位於內部空間中以分隔在其中分別處理多個基底的多個處理空間；製程氣體供應部件，配置成將製程氣體供應到多個處理空間；以及稀釋氣體供應部件，配置成供應用於稀釋多個處理空間內的製程氣體的稀釋氣體。
製程氣體供應部件可將製程氣體供應到多個處理空間中的每一個，且稀釋氣體供應部件可將稀釋氣體供應到多個處理空間的一部分。
多個處理空間可在裝載多個基底的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間，且稀釋氣體供應部件可將稀釋氣體供應到上部處理空間或下部處理空間中的至少一個。
稀釋氣體供應部件可包含：上部稀釋氣體供應部件，具有對應於上部處理空間的上部稀釋氣體供應孔；以及下部稀釋氣體供應部件，具有對應於下部處理空間的下部稀釋氣體供應孔。
基底處理設備可進一步包含：排氣管道，與製程氣體供應部件相對設置，且形成為在其中裝載多個基底的方向上垂直地延伸；以及排氣端口，配置成與排氣管道的下端連通。製程氣體供應部件可形成為在裝載多個基底的方向上垂直地延伸，且製程氣體可從製程氣體供應部件的下端流動到其上端，可穿過多個處理空間中的每一個，可從排氣管道的上端流動到其下端，且可經由排氣端口排出。
虛設基底可裝載於基底舟的上端部分和下端部分上，且多個處理空間可提供於基底舟的上端部分與下端部分之間。
稀釋氣體供應部件可在與製程氣體供應在多個基底上的方向交叉的方向上供應稀釋氣體。
基底處理設備可進一步包含控制部件，所述控制部件連接到稀釋氣體供應部件，且配置成控制由稀釋氣體供應部件供應的稀釋氣體的量。控制部件被配置成控制以使得由下部稀釋氣體供應部件供應的稀釋氣體的量大於由上部稀釋氣體供應部件供應的稀釋氣體的量。
基底處理設備可進一步包含加熱器部件，所述加熱器部件在裝載多個基底的方向上提供於反應管外部，且配置成加熱多個處理空間。所述加熱器部件可配置成以比加熱中心處理空間的溫度低的溫度來加熱上部處理空間和下部處理空間。
根據示範性實施例，基底處理方法包含：分別定位多個處理空間中的設置於多個載台中的多個基底；以及通過將製程氣體供應到多個處理空間來在多個基底上形成薄膜。其中薄膜的形成包含供應用於稀釋多個處理空間內的製程氣體的稀釋氣體。
薄膜的形成可進一步包含：將原始氣體供應到多個處理空間；吹掃多個處理空間中剩餘的原始氣體；將反應氣體供應到多個處理空間；以及吹掃多個處理空間中剩餘的反應氣體，且稀釋氣體的供應可至少與原始氣體的供應一起執行。
多個處理空間可在裝載多個基底的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間，且稀釋氣體的供應可包含將稀釋氣體供應到上部處理空間或下部處理空間中的至少一個。
原始氣體的吹掃和反應氣體的吹掃可通過在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來執行。
稀釋氣體和吹掃氣體可各自包含相對於原始氣體和反應氣體在化學上穩定的氣體，且稀釋氣體的供應可包含經由與將吹掃氣體供應到其中的路徑不同的路徑來將稀釋氣體供應到多個處理空間。
反應氣體的供應可包含：將第一反應氣體和第二反應氣體同時供應到多個處理空間；以及僅僅將第二反應氣體供應到多個處理空間。
根據示範性實施例，根據示範性實施例的基底處理設備和基底處理方法可將稀釋氣體與製程氣體一起供應到由基底舟分隔的多個處理空間，進而控制製程氣體的濃度，且可將稀釋氣體供應到多個處理空間的部分以調整製程氣體在每一處理空間中的濃度，進而單獨地控制沉積於所裝載多個基底上的薄膜的厚度。
也就是說，無論停留在形成於縱向類型的反應管內的多個處理空間的上部部分和下部部分中的額外內部空間中的製程氣體是否存在，都可使得沉積於每一處理空間中所裝載的基底上的薄膜的厚度均一，且即使當從製程氣體供應部件的下端流動的製程氣體穿過多個處理空間經由定位於內部空間的下部部分中的排氣端口排出時，也可使得在上部處理空間和下部處理空間中沉積的薄膜的部分的厚度與在中心處理空間中沉積的薄膜的一部分的厚度均一。此外，即使當與待處理的基底的類型不同類型的基底裝載於基底舟的上端部分和下端部分中時，均一薄膜也可分別形成於待處理的基底上，進而提高所形成薄膜和其上形成薄膜的基底的質量。
此外，配置成將稀釋氣體供應到多個處理空間的上部處理空間的上部稀釋氣體供應部件和配置成將稀釋氣體供應到其下部處理空間的下部稀釋氣體供應部件可單獨地設置，進而獨立地控制供應到上部處理空間和下部處理空間的製程氣體的濃度，且供應製程氣體的方向與供應稀釋氣體的方向可在基底上交叉，進而有效地混合供應到對應基底的製程氣體與稀釋氣體。
此外，在使用ALD製程沉積薄膜期間供應不同類型的反應氣體中，第一反應氣體與第二反應氣體的混合、混合物的供應以及第二反應氣體的獨立供應可循序執行，進而有效地控制含於薄膜中的來自第一反應氣體的元素的含量，且多個處理空間可快速進行減壓，且每一處理空間中剩餘的原始氣體可在吹掃原始氣體或反應氣體中通過在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來有效地和充分地用穩定氣體替換。
下文中，將參考附圖詳細描述本發明的實施例。然而，本發明可用不同形式實施，且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使得本揭露將是透徹且完整的，且這些實施例將把本發明的範圍完整地傳達給所屬領域的技術人員。相同附圖標號在全文中指代相同元件。
圖1是示意性地繪示根據示範性實施例的基底處理設備的視圖，且圖2是繪示根據基底舟中所裝載的多個基底的位置而沉積的薄膜的厚度的圖形。另外，圖3是繪示根據示範性實施例的製程氣體供應部件和稀釋氣體供應部件的形狀的視圖，且圖4是繪示根據示範性實施例的供應稀釋氣體的方向的視圖。圖5是繪示根據示範性實施例的沉積於基底上的薄膜根據所供應稀釋氣體的量的相對厚度的圖形。
參考圖1到圖5，根據示範性實施例的基底處理設備100包含：反應管120，具有形成於其中的內部空間；基底舟130，配置成裝載多個載台中的多個基底10，且定位於內部空間中以分隔成在其中分別處理多個基底10的多個處理空間；製程氣體供應部件141，配置成將製程氣體供應到多個處理空間；以及稀釋氣體供應部件145，配置成供應用於稀釋製程氣體的稀釋氣體。
外部管110可提供於反應管120外部，外部管110具有可容納反應管120的容納空間，在所述反應管中執行處理基底10的製程，且外部管110的下部部分可打開。
反應管120可設置於外部管110的容納空間中同時與外部管110的內表面間隔開，且可具有其中裝載基底舟130的內部空間。反應管120可以圓柱形形狀形成，可具有打開的下部部分以及封閉的上部部分，且在提升基底舟130以便裝載在反應管120的內部空間中時（在所述內部空間中執行處理基底10的製程），可允許待裝載或未裝載的基底舟130從反應管120的容納空間穿過反應管120的下部部分的開口部分。反應管120的下部部分可連接到藉此可支撐的凸緣部件125，且反應管120的結構和形狀並不限於此，且可不同地形成。
同時，反應管120可由陶瓷或其中塗布有陶瓷的石英或金屬的材料形成，製程氣體供應部件141和稀釋氣體供應部件145設置於反應管120的內部空間的一側上，且排氣管道150的排氣開口可提供於與所述一側相對的另一側上。因此，反應管120內剩餘的氣體可經由排氣開口排出到外部。
基底舟130可允許在多個載台中在垂直方向上裝載多個基底10，以便以批量型執行處理基底10的製程，且在處理基底10期間定位於反應管120的內部空間中，以分隔成在其中分別處理多個基底的多個處理空間。也就是說，多個基底10在垂直方向上在多個載台中裝載在基底舟130中，且多個處理空間通過基底舟130中所裝載的多個基底10進行分隔。處理空間是指其中單獨地執行處理基底10的製程的空間，且製程氣體從形成於製程氣體供應部件141中的多個製程氣體供應孔供應到多個處理空間中的每一個。
舉例來說，基底舟130可具有形成於多個載台中的多個杆131中的槽，以使得基底10可插入和裝載在基底舟130中，且還可配置成使得隔板（未繪示）可分別設置於基底10的上部側或下部側上，且基底10可因此分別具有單獨處理空間。在此，隔板（未繪示）可獨立地分隔其中分別處理基底10的多個處理空間，且基底10可通過由形成於隔板（未繪示）上的支撐突出部（未繪示）支撐而裝載，且還可通過由形成於多個杆131上的組件（如槽、支撐尖端（未繪示）以及類似物）插入或支撐而裝載。當基底舟130具有隔板（未繪示）時，用於基底10的多個處理空間可獨立地形成於基底舟130的對應載台（或層）中，以防止處理空間之間的干擾出現。
同時，基底舟130還可在基底10的處理期間旋轉，且陶瓷、石英、合成石英以及類似物可用作包含杆131、隔板（未繪示）以及類似物的基底舟130的材料。然而，基底舟130的結構、形狀以及材料並不限於此，且可改變。
底座160可連接到基底舟130的下端部分以支撐基底舟130，其可與基底舟130一起升高，且可在基底10的處理期間容納於反應管120的內部空間的下端部分中。底座160可包含待設置於多個載台中的彼此間隔開的多個加熱遮蔽板161。多個加熱遮蔽板161可連接到待設置於多個載台中的多個支撐件162，其可彼此間隔開，其可形成為配置成防止熱量在垂直方向上轉移的擋扳，且可由具有低熱傳導的材料（例如，不透光石英）形成。舉例來說，加熱遮蔽板161可具有圓盤形狀，且可固定到在垂直方向上具有一定間隔的多個支撐件162。底座160可經由多個加熱遮蔽板161來阻斷從反應管120的內部空間的容納空間（容納基底舟130）的熱量轉移。
此外，底座160形成為在垂直方向上延伸，且可進一步包含彼此間隔開設置的多個支撐件162、配置成分別固定多個支撐件162的上端和下端的上部板163和下部板164以及配置成包圍多個加熱遮蔽板161的側向表面（或底座160的側向表面）的側向蓋板165。多個支撐件162可形成為在垂直方向上延伸，可在水平方向上彼此間隔開設置，且可支撐多個加熱遮蔽板161。舉例來說，多個支撐件162可形成為四個支撐件，且可具有在垂直方向上形成的多個槽以使得多個加熱遮蔽板161可分別插入到多個槽中以藉此支撐。
上部板163可固定多個支撐件162的上端，且可連接到基底舟130。舉例來說，基底舟130可置放於上部板163上以藉此支撐（或固定到其上）。下部板164可固定多個支撐件162的下端，且可連接（或附接）到軸192。舉例來說，當底座160通過連接到下部板164的軸191的旋轉而旋轉時，基底舟130可旋轉。在此，多個支撐件162、上部板163以及下部板164可形成底座160的框架。
側向蓋板165可形成為包圍多個加熱遮蔽板161的側向表面（或底座160的側向表面），且可連接到待固定到其上的上部板163和/或下部板164。側向蓋板165可阻斷氣體（如殘餘氣體）流動到多個加熱遮蔽板161之間的空間，藉此防止由於殘餘氣體所致的底座160的內部污染，並且經由絕熱材料防止由於對流所致的熱量轉移。此外，當側向蓋板165比基底舟130的邊緣（或周邊）突出更多時，側向蓋板165可在製程氣體並未達到基底10且與其反應時，抑制供應到反應管120內部的製程氣體逸出到下部部分（反應管120的側壁與底座160的側向表面之間的空間）。
底座160可在阻擋由於傳導所致的熱量轉移時經由側向蓋板165阻斷由於對流所致的熱量轉移，並且經由多個加熱遮蔽板161阻斷由於輻射所致的熱量傳輸。因此，底座160可阻斷熱量從由基底舟130分隔的多個處理空間轉移（或熱量從所述多個處理空間的泄漏），且多個基底10可穩定地和均一地經過處理。
製程氣體供應部件141可設置於反應管120的內部空間的一側上，且可將製程氣體供應到反應管120內部。在此，製程氣體供應部件141具有將製程氣體供應到由基底舟130分隔的多個處理空間中的每一個，並且經由多個處理空間中的每一個將所供應製程氣體排出到排氣端口170的結構。在此，製程氣體可包含原始氣體（raw gas）、反應氣體以及吹掃氣體。為此目的，氣體供應部件可包含在裝載多個基底10的方向上垂直地延伸的反應氣體供應部件和原始氣體供應部件142。原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件可設置於形成於反應管120的內部空間的一側上的噴嘴容納空間中。因此，反應管120的內部空間的體積可最小化，藉此濃縮用來裝載於基底舟130中的基底10的處理空間上的製程氣體，同時最小化用於處理基底10的製程氣體的量。
此外，製程氣體供應部件141還可包含配置成供應吹掃氣體的單獨吹掃氣體供應部件。然而，根據示範性實施例的基底處理設備100可經由原始氣體供應部件142或反應氣體供應部件143、144來供應吹掃氣體。也就是說，當原始氣體或反應氣體不通過原始氣體供應部件142或反應氣體供應部件143供應時，吹掃氣體可通過原始氣體供應部件142或反應氣體供應部件143、144供應到每一處理空間。製程氣體可經由形成於原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件143、144中的原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H分別供應到每一處理空間。原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、44H可在其中原始氣體供應部件142延伸到面向多個處理空間的方向上形成為多個，且可形成以使得將製程氣體供應到所有多個處理空間。
更詳細地，原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件可形成為各自具有水平部分和垂直部分的“L”形噴嘴。在此，水平部分經由反應管120的側壁提供，且垂直部分形成為在其中基底10裝載在反應管120的內部空間中的基底舟130中的方向上垂直地延伸。此外，原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件沿基底10的外圓周以預定距離彼此間隔開而提供。
原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H形成於原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件143、144遍及從上到下對應於多個處理空間且與對應處理空間（或基底10）相對的側向表面的所有區域的對應垂直部分的側向表面中。舉例來說，當65個基底10裝載在基底舟130中時，處理空間通過基底舟130分隔成65個處理空間，且65個原始氣體供應孔142H和65個反應氣體供應孔143H、144H形成於原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件朝向對應處理空間的對應垂直部分的側向表面中。
在此，原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H可形成為分別朝向多個基底10中的每一個的中心部分噴射原始氣體和反應氣體。此外，原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H中的每一個可具有相同開口面積，且可以相同間隔提供。此類配置可促使原始氣體和反應氣體供應到每一基底10的中心部分，且可使得供應到每一基底10的原始氣體和反應氣體的流速或流動速率均一，藉此容易地控制由稍後待描述的稀釋氣體供應部件145供應的稀釋氣體的流速。
稀釋氣體供應部件145以與製程氣體供應部件141不同地提供，以供應用於稀釋處理空間內的製程氣體的稀釋氣體從而減小製程氣體濃度。
由於額外內部空間提供於由縱向類型的反應管120內的基底舟130分隔的多個處理空間中的上部部分和下部部分中，且製程氣體易於停留在額外內部空間中，因此在相關技術的常規基底處理設備的情況下，相比於中心處理空間中裝載的基底10的一部分，上部處理空間中裝載的基底10的一部分與極大量的製程氣體接觸。
此外，由於相關技術的基底處理設備具有將在多個處理空間中供應和剩餘的製程氣體排出到提供成與反應管120的內部空間的下部部分中的內部空間連通的排氣端口170的結構，因此在製程氣體停留在多個處理空間的上部處理空間中的時間段增大。因此，沉積於上部處理空間中裝載的基底10的部分上的薄膜的厚度增大。此外，如上文所描述的原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件形成為在其中裝載多個基底10的方向上垂直地延伸，且原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H在其中裝載多個基底10的方向上形成於原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件中。在這種情況下，由於原始氣體和反應氣體從原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件的下部端供應，因此從原始氣體供應孔142H和反應氣體供應孔143H、144H供應和噴射的原始氣體和反應氣體的量在多個處理空間的下部處理空間中增大。因此，沉積於下部處理空間中裝載的基底10的一部分上的薄膜的厚度也增大。
如上文所描述，由於分別裝載在多個處理空間中的多個基底具有可隨基底的位置之間的差異變化的製程，因此薄膜以比沉積於中心處理空間中裝載的基底10的部分上的薄膜的厚度相對更大的厚度沉積於多個處理空間的上部處理空間和下部處理空間中裝載的基底10的部分上，如圖2中的點線中所繪示。
另外，由於基底舟130的上端部分和下端部分難以維持均一溫度分布，因此設置具有與待處理的基底10的類型不同的類型的虛設基底（例如，在圖案是否形成於其上的方面不同或在圖案形成於其上的程度方面不同）。設置於虛設基底之間的待處理的基底10具有與虛設基底的特性不同的特性，且因此在所消耗製程氣體的量之間產生差異。舉例來說，當待處理的基底取決於圖案或類似物而具有相較於虛設基底的相對較大表面積時，待處理的基底10消耗相對較多製程氣體。因此，多個處理空間提供於基底舟的上端部分與下端部分之間（在所述多個處理空間中大體上執行處理基底10的製程且裝載待處理的基底10），且相較於中心處理空間，更多製程氣體保留在上部處理空間和下部處理空間中。因此，薄膜以比沉積於設置在中心處理空間中的基底10的部分上的薄膜的厚度更大的厚度來沉積於設置在上部處理空間和下部處理空間中的基底10的部分上，且難以以均一厚度在其上執行處理製程的多個基底10上形成薄膜。
因此，根據示範性實施例的基底處理設備100包含稀釋氣體供應部件145，所述稀釋氣體供應部件配置成獨立於配置成供應製程氣體的製程氣體供應部件141而供應用於稀釋製程氣體的稀釋氣體，藉此均一地控制沉積於分別裝載在多個處理空間中的基底10上的薄膜的厚度。也就是說，根據示範性實施例的基底處理設備100可允許製程氣體供應部件141將製程氣體供應到多個處理空間中的每一個，且允許稀釋氣體供應部件145將稀釋氣體供應到多個處理空間的部分，以減小供應到裝載在處理空間中的基底10的製程氣體的濃度，稀釋氣體供應到所述處理空間以減小形成於基底10上的薄膜的厚度，藉此均一地控制沉積於分別裝載在多個處理空間中的基底10上的薄膜的厚度。
在此，多個處理空間可在將多個基底10裝載在基底舟130中的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間。也就是說，上部處理空間是指在其中裝載多個基底10的方向上多個處理空間從最上部處理空間到其下部側循序配置的預定數目的處理空間，且下部處理空間是指在其中裝載多個基底10的方向上多個處理空間從最下部處理空間到其上部側循序配置的預定數目的處理空間。此外，中心處理空間是指設置於上部處理空間與下部處理空間之間的預定數目的處理空間。
在此，還可考慮增大供應到中心處理空間的製程氣體的濃度的方法，以便均一地控制沉積於裝載在上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間中的基底10上的薄膜的厚度。然而，在這種情況下，出現難以單獨地控制沉積於裝載在上部處理空間中的基底10的部分上的薄膜的厚度和沉積於裝載在下部處理空間中的基底10的部分上的薄膜的厚度的問題。因此，根據示範性實施例的稀釋氣體供應部件145可將稀釋氣體供應到上部處理空間或下部處理空間中的至少一個，藉此單獨地控制在上部處理空間和下部處理空間中沉積的薄膜的部分的厚度。
為了將用於稀釋製程氣體的稀釋氣體單獨地供應到上部處理空間和下部處理空間，稀釋氣體供應部件145可包含具有對應於上部處理空間而形成的上部稀釋氣體供應孔146H的上部稀釋氣體供應部件146和具有對應於下部處理空間而形成的下部稀釋氣體供應孔147H的下部稀釋氣體供應部件147。
上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147可形成為如原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件中的各自具有水平部分和垂直部分的“L”形噴嘴。在此，上部稀釋氣體供應孔146H和下部稀釋氣體供應孔147H形成於上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147的對應垂直部分的側向表面中。上部稀釋氣體供應部件146具有僅在其對應於上部處理空間的區段中形成的上部稀釋氣體供應孔146H，且下部稀釋氣體供應部件147具有僅在其對應於下部處理空間的區段中形成的下部稀釋氣體供應孔147H。在此，當處理空間如上文所描述的分隔成65個處理空間時，上部稀釋氣體供應孔146H和下部稀釋氣體供應孔147H可各自以例如10到15個的量而形成。
上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147的垂直部分可延伸以具有在其中裝載基底10的方向上的相同長度。在此，上部稀釋氣體供應部件146將稀釋氣體供應到分別裝載在多個處理空間中的多個基底10的設置於上部處理空間中的基底10的部分，藉此稀釋供應到上部處理空間的製程氣體，且下部稀釋氣體供應部件147將稀釋氣體供應到分別裝載在多個處理空間中的多個基底10的設置於下部處理空間中的基底10的部分，藉此稀釋供應到下部處理空間的製程氣體。在此，上部稀釋氣體供應孔146H不形成於上部稀釋氣體供應部件146對應於中心處理空間和下部處理空間的區段中，且下部稀釋氣體供應孔147H不形成於下部稀釋氣體供應部件147對應於上部處理空間和中心處理空間的區段中。
在此，上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147可設置於製程氣體供應部件141的兩側上且製程氣體供應部件141位於其間。也就是說，製程氣體供應部件141包含原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件，上部稀釋氣體供應部件146沿反應管120的內部空間中的基底10的外圓周設置於製程氣體供應部件141的一側上，且下部稀釋氣體供應部件147沿反應管120的內部空間中的基底10的外圓周設置於另一側上，所述另一側與製程氣體供應部件141的所述一側相對。如上文所描述，當上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147設置於製程氣體供應部件141的兩側上且製程氣體供應部件141位於其間時，即使當由基底舟130分隔的多個處理空間不分別完全地和獨立地形成時，上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147也可最小化由上部稀釋氣體供應部件146供應的稀釋氣體的流動與由下部稀釋氣體供應部件147供應的稀釋氣體的流動之間的相互影響。圖3繪示作為一實例的結構，其中製程氣體供應部件141包含原始氣體供應部件142、第一反應氣體供應部件143以及第二反應氣體供應部件144，且上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147設置於製程氣體供應部件141的兩側上。然而，原始氣體供應部件142和反應氣體供應部件的數目和布局結構可根據需要不同地改變。
此外，上部稀釋氣體供應孔146H和下部稀釋氣體供應孔147H可分別形成於上部稀釋氣體供應部件146和下部稀釋氣體供應部件147中，以使得其中供應稀釋氣體的方向與其中供應由製程氣體供應孔（也就是說，原始氣體供應孔142H或反應氣體供應孔143H、144H）供應的製程氣體的方向在基底10上彼此交叉。也就是說，稀釋氣體供應部件145可在與其中將製程氣體供應在基底10上的方向交叉的方向上供應稀釋氣體以稀釋且提供用於將薄膜沉積在基底10上的製程氣體。此外，基底舟130可旋轉地提供有基底10的作為軸線的中心部分，如上文所描述。如圖3中所繪示，原始氣體和反應氣體可供應到面向在多個處理空間中裝載的基底10的中心部分C，且稀釋氣體可供應到面向基底10的中心部分C。因此，其中供應製程氣體的方向可與其中將稀釋氣體供應在基底10上的方向交叉。在此，圖4A是繪示其中在上部處理空間中所裝載的基底10的部分的中心部分C處由上部稀釋氣體供應部件146供應的稀釋氣體與由原始氣體供應部件142供應的原始氣體交叉的狀態的視圖，且圖4B是繪示其中在下部處理空間中所裝載的基底10的部分的中心部分C處由下部稀釋氣體供應部件147供應的稀釋氣體與由原始氣體供應部件142供應的原始氣體交叉的狀態的視圖。
在此，差異可根據供應到上部處理空間和下部處理空間的稀釋氣體的量而在薄膜的厚度的減小率上出現，如圖5中所繪示。也就是說，圖5是繪示根據稀釋氣體的量的沉積於基底10上的薄膜的相對厚度的視圖，當通過在基底舟130中裝載65個基底10來分別形成用於65個基底10的多個處理空間時（從處理空間的下端界定為#1處理空間到#65處理空間），稀釋氣體通過下部稀釋氣體供應部件147來供應到#1處理空間到#11處理空間，且稀釋氣體通過下部稀釋氣體供應部件147來供應到#52處理空間到#65處理空間。在此，六氯二矽烷（HCDS：Si2 Cl6 ）氣體用作原始氣體，氨氣（NH3 ）用作第一反應氣體，氧氣（O2 ）用作第二反應氣體，且分別以4升/分鐘和5升/分鐘的流速供應原始氣體和反應氣體。此時，薄膜的相對厚度是指：當供應稀釋氣體時，所沉積薄膜的厚度與當不供應稀釋氣體時所沉積薄膜的厚度的比率。儘管輕微差異出現在其處供應稀釋氣體的位置之間，但上部處理空間中所沉積的薄膜的部分具有隨著所供應稀釋氣體的量增大而極大地增大的厚度減小率，而下部處理空間中所沉積的薄膜的部分具有隨著所供應稀釋氣體的量增大而相對減小的厚度減小率，如圖4中所繪示。原因在於因為排氣端口170定位於反應管120的內部空間的下部部分上，也就是說，排氣管道150的下端，以及因為供應到下部處理空間的稀釋氣體比供應到上部處理空間的稀釋氣體更快速地排出到排氣端口170。因此，根據示範性實施例的基底處理設備100進一步包含控制部件（未繪示），所述控制部件連接到稀釋氣體供應部件145以控制由稀釋氣體供應部件145供應的稀釋氣體的量，且控制部件可控制以使得由下部稀釋氣體供應部件147供應的稀釋氣體的量大於由上部稀釋氣體供應部件146供應的稀釋氣體的量。在此，控制部件可包含閥門，所述閥門配置成控制對應氣體的量，藉此可將根據稀釋氣體的供應而具有相對低厚度減小率的在下部處理空間中所沉積的薄膜的部分的厚度控制為與在上部處理空間中所沉積的薄膜的部分具有相同厚度。因此，如圖2中的實線中所繪示，具有均一厚度的薄膜可沉積於多個基底上。
排氣管道150可形成為在垂直方向上於反應管120的與其上提供有製程氣體供應部件141和稀釋氣體供應部件145的反應管120的一側相對的另一側上延伸，可具有與穿過反應管120的側壁形成的排氣開口連通的內部流動路徑，且可在反應管120與外部管110之間的空間中與製程氣體供應部件141和稀釋氣體供應部件145相對設置。排氣管道150可定位於反應管120的另一側上，可提供於反應管120的側壁（例如，外壁）上，且可設置於反應管120與外部管110之間的空間中。此時，排氣管道150可與製程氣體供應部件141和稀釋氣體供應部件145相對（或對稱）定位，其可允許層流形成於基底10上。
排氣管道150可形成為在垂直方向上延伸以在其中形成內部流動路徑，從反應管120內部流動的殘餘氣體經由所述內部流動路徑移動，且內部流動路徑可與穿過反應管120的側壁形成的排氣開口連通。在此，排氣開口可形成為一個開口或多個開口，且排氣開口的形狀可包含至少一個環形形狀、狹縫形狀或長孔形狀。
舉例來說，排氣管道150可形成為具有內部空間（也就是說，內部流動路徑）的四邊形桶形狀，且經由排氣開口從多個處理空間流動的殘餘氣體可沿排氣管道150的內部流動路徑移動到下部側。在此，排氣管道150的下端部分可與排氣端口170連通（或連接）。也就是說，排氣端口170可提供成與反應管120的內部空間的下部部分中的內部空間連通，且排氣管道150可導引殘餘氣體以使得可將殘餘氣體平穩地抽吸（或排出）到排氣端口170，同時防止殘餘氣體擴散到反應管120與外部管110之間的空間。
此外，根據示範性實施例的基底處理設備100可進一步包含加熱器部件180，所述加熱器部件在其中裝載多個基底的方向（也就是說，垂直方向）上提供於反應管120外部以加熱多個處理空間。在此，加熱器部件180可延伸到底座160的容納區域外部。加熱器部件180可形成為在垂直方向上於反應管120外部延伸以加熱反應管120，且可設置為包圍反應管120或外部管110的側向表面和上部部分。在此，加熱器部件180可用以將熱能提供到反應管120或外部管110以加熱反應管120的容納空間和/或外部管110的內部空間。因此，可將反應管120的容納空間的溫度控制到適用於處理基底10的溫度。
加熱器部件180可延伸到底座160的容納區域外部。也就是說，加熱器部件180的至少一部分可提供於底座160的容納區域外部。即使當由加熱器部件180加熱時，接近於非加熱區（或其中不提供加熱器部件180的區域）的加熱區（或其中提供加熱器部件180的區域）也由於熱量轉移而通過熱平衡（或熱量交換）損耗熱量，且加熱區的溫度因此變得低於其它加熱區的溫度。也就是說，對應於加熱器部件180的邊緣部分的加熱區的溫度變得低於對應於加熱器部件180的中心部分的加熱區的溫度。
然而，根據示範性實施例，加熱器部件180延伸到底座160的容納區域外部，以使得對應於加熱器部件180的邊緣部分的加熱區定位於底座160的容納區域中。因此，僅對應於加熱器部件180的中心部分的加熱區可定位於其中大體上執行處理基底10的製程的處理空間中。因此，多個處理空間可較為有效地進行加熱。
在此，加熱器部件180可以比加熱中心處理空間的溫度低的溫度來加熱上部處理空間和下部處理空間。也就是說，如上文所描述，出現其中沉積於上部處理空間和下部處理空間中所裝載的基底10的部分上的薄膜具有比沉積於中心處理空間中所裝載的基底10的部分上的薄膜更大的厚度的問題。因此，根據示範性實施例的基底處理設備100可經由加熱器部件180單獨地控制多個處理空間的加熱程度，以及經由稀釋氣體供應部件145控制供應稀釋氣體的程度，以便減小沉積於上部處理空間和下部處理空間中所裝載的基底10的部分上的薄膜的厚度，藉此均一地形成沉積於對應處理空間中所裝載的基底10上的薄膜的厚度。
此外，根據示範性實施例的基底處理設備100可進一步包含：腔室190，具有彼此連通的上部腔室190a和下部腔室190b；軸191，連接到底座160的下部板164；提升部件192，連接到軸191的下端以垂直地移動軸191；旋轉部件193，連接到軸191的下端以旋轉軸191；支撐板194，連接到軸191的上端以與基底舟130一起提升；密封構件194a，提供於反應管120或外部管110與支撐板194之間；軸承構件194b，提供於支撐板194與軸191之間；以及插孔195，基底10經由所述插孔裝載到腔室190中。
腔室190可形成為四邊形桶形狀或圓柱形形狀，可具有設置於其內的外部管110和反應管120，且可具有彼此連通的上部腔室190a和下部腔室190b。
軸191可連接到底座160的下部板164，且可用以支撐底座160和/或基底舟130。此外，提升部件可連接到軸191的下端以垂直地移動軸191，藉此可提升基底舟130。在此，旋轉部分193可連接到軸191的下端以旋轉基底舟130，且可旋轉軸191以利用軸191作為中心軸線旋轉基底舟130。
支撐板194可連接到軸191的上端以與基底舟130一起提升，且當基底舟130容納於反應管120的容納空間中時，可用以從外部密封反應管120和/或外部管110的內部空間。此外，密封構件194a可提供於支撐板194和/或反應管120之間和/或支撐板194與外部管110之間，且可密封反應管120和/或外部管110的內部空間。
軸承構件194b可提供於支撐板194與軸191之間，且可在其中通過軸承構件194b來支撐軸191的狀態下旋轉。
插孔195可提供於腔室190的一側（例如，下部腔室190b的一側）中，且基底10可經由插孔195從轉移腔室200裝載到腔室190中。入口210可形成於轉移腔室200對應於腔室190的插孔195的一側中，且閘門閥250可提供於入口210與插孔195之間。因此，轉移腔室200的內部和腔室190的內部可通過閘門閥250分隔，且入口210和插孔195可通過閘門閥250打開和關閉。
下文中，將描述根據示範性實施例的用於處理基底的方法。在對根據示範性實施例的用於處理基底的方法的描述中，將省略與以上描述的基底處理設備100的內容重疊的內容描述。
圖6是繪示根據示範性實施例的基底處理方法的氣體供應順序的圖式。
參考圖6，根據示範性實施例的基底處理方法包含：分別將多個基底10定位在設置於多個載台中的多個處理空間中；以及通過將製程氣體供應到多個處理空間來在多個基底10上形成薄膜。薄膜的形成包含供應用於稀釋多個處理空間內的製程氣體的稀釋氣體。
首先，設置於多個載台中的多個處理空間中的多個基底10的對應定位包含將多個基底10裝載在基底舟130中以及在反應管120的內部空間中定位其中裝載多個基底10的基底舟130。因此，基底舟130定位於反應管120的內部空間中且多個處理空間被分隔。在此，處理空間是指其中如上文所描述的單獨地執行處理基底10的製程的空間。
薄膜的形成包含將製程氣體供應到多個處理空間中的每一個以及在多個基底10上形成薄膜。薄膜的形成不限於此，但通過原子層沉積（atomic layer deposition；ALD）製程進行。在這種情況下，薄膜的形成可包含：將原始氣體供應到多個處理空間；吹掃多個處理空間中剩餘的原始氣體；將反應氣體供應到多個處理空間；以及吹掃多個處理空間中剩餘的反應氣體。
在此，例如六氯矽烷（HCDS：Si2 Cl6 ）氣體的氯矽烷類氣體用作原始氣體，且氨氣（NH3 ）和氧氣（O2 ）用作第一反應氣體和第二反應氣體。
供應原始氣體到多個處理空間包含經由原始氣體供應部件142將原始氣體供應到多個處理空間中的每一個。此時，化學上穩定的氣體（如氮氣（N2 ））可根據需要在原始氣體供應期間由設置於原始氣體供應部件142兩側上的第一反應氣體供應部件143和第二反應氣體供應部件144供應。在此，化學上穩定的氣體是指在單原子或分子狀態下具有極低反應性的氣體，且可包含惰性氣體。
根據示範性實施例的基底處理方法包含形成薄膜，其包含供應稀釋氣體。在此，稀釋氣體的供應包含經由與製程氣體的路徑不同的路徑來供應稀釋氣體，且製程氣體的供應和稀釋氣體的供應一起執行。在此，當薄膜的形成包含原始氣體的供應時，原始氣體的吹掃、反應氣體的供應以及反應氣體的吹掃、稀釋氣體的供應可至少與原始氣體的供應一起執行。原因在於因為沉積於處理空間中所裝載的基底10上的薄膜的厚度主要通過原始氣體的供應來確定，且稀釋氣體的供應可至少與原始氣體的供應一起執行。然而，稀釋氣體的供應可與除了原始氣體的供應之外的原始氣體的吹掃、反應氣體的供應或反應氣體的吹掃中的至少一個一起執行。在這種情況下，所沉積薄膜的厚度可通過減小供應到上部處理空間或下部處理空間中的至少一個的反應氣體的濃度或提高吹掃效率來較為有效地控制。在此，原始氣體或不與原始氣體和反應氣體反應的化學上穩定的氣體可用作稀釋氣體，且化學上穩定的氣體可包含氮氣（N2 ）。如上文所描述，當氮氣（N2 ）用作稀釋氣體時，可防止稀釋氣體與原始氣體和反應氣體反應，且另外，包含於待沉積的摻雜有氮（N）的二氧化矽（SiO2 ）薄膜中的元素在沉積二氧化矽（SiO2 ）薄膜中用作稀釋氣體。因此，即使當痕量的稀釋氣體與原始氣體或反應氣體反應或吸附到基底10上時，也可防止除形成薄膜的元素以外的雜質包含於薄膜中。
在此，多個處理空間可在其中基底舟130中裝載多個基底10的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間。在這種情況下，稀釋氣體的供應可包含將稀釋氣體供應到上部處理空間或下部處理空間中的至少一個，藉此單獨地控制如上文所描述的上部處理空間和下部處理空間中所沉積的薄膜的部分的厚度。
多個處理空間中剩餘的原始氣體的吹掃包含經由原始氣體供應部件142停止原始氣體的供應，以及通過原始氣體供應部件142、第一反應氣體供應部件143以及第二反應氣體供應部件144來供應吹掃氣體，以吹掃多個處理空間中剩餘的原始氣體。也就是說，吹掃氣體通過原始氣體供應部件142、第一反應氣體供應部件143以及第二反應氣體供應部件144供應，且具有與通過上部稀釋氣體供應部件146或下部稀釋氣體供應部件147中的至少一個供應的稀釋氣體的供應路徑不同的供應路徑。因此，稀釋氣體經由與吹掃氣體的供應路徑不同的供應路徑來供應到上部處理空間或下部處理空間，藉此無論是否供應原始氣體、反應氣體或吹掃氣體都可獨立地稀釋製程氣體。
在此，原始氣體的吹掃可通過在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來執行。也就是說，原始氣體的吹掃通過在對反應管120的內部空間進行排氣時交替地重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來執行，以便在反應管120的內部空間中產生真空，所述吹掃氣體例如化學上穩定的氣體，如氮氣（N2 ）。如上文所描述，多個處理空間可通過經由在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來執行原始氣體的吹掃而快速地減壓，且多個處理空間中剩餘的原始氣體可充分地用化學上穩定的氣體替換。
反應氣體到多個處理空間的供應包含通過反應氣體供應部件來停止吹掃氣體的供應以及經由反應氣體供應部件來將反應氣體供應到多個處理空間中的每一個。在此，反應氣體供應部件可包含第一反應氣體供應部件143和第二反應氣體供應部件144。在這種情況下，反應氣體到多個處理空間的供應可包含：供應第一反應氣體；吹掃剩餘的第一反應氣體；以及供應第二反應氣體。然而，反應氣體在根據示範性實施例的基底處理方法中的供應可包含：將彼此相互作用的第一反應氣體和第二反應氣體同時供應到多個處理空間；以及僅僅將第二反應氣體供應到多個處理空間。如上文所描述，當氨氣（NH3 ）用作第一反應氣體時，包含於氨氣（NH3 ）中的氮（N）具有高反應性。因此，當僅僅供應第一反應氣體時，含於薄膜中的氮（N）的含量變得不必要地高。因此，可同時供應包含氨氣（NH3 ）第一反應氣體和包含氧氣（O2 ）的第二反應氣體以控制含於薄膜中的氮（N）的含量。此外，如上文所描述，由於氮（N）具有高反應性，因此即使當同時供應包含氨氣（NH3 ）的第一反應氣體和包含氧氣（O2 ）的第二反應氣體時，高濃度的氮（N）也含於薄膜中。因此，在同時供應第一反應氣體和第二反應氣體後，可僅僅供應第二反應氣體以增大含於薄膜中的氧（O）的含量且改進薄膜的厚度分布，藉此在基底上沉積具有均一厚度的薄膜。在此，同時供應第一反應氣體和第二反應氣體以及僅僅供應第二反應氣體可包含在其間吹掃同時供應的第一反應氣體和第二反應氣體。在這種情況下，第一反應氣體和第二反應氣體的吹掃可如上文所描述的通過在對多個處理空間進行排氣時重複吹掃氣體到多個處理空間的供應和切斷多次來執行。
多個處理空間中剩餘的反應氣體的吹掃包含經由反應氣體供應部件來停止反應氣體的供應，通過原始氣體供應部件142、第一反應氣體供應部件143以及第二反應氣體供應部件144來供應吹掃氣體，並且吹掃多個處理空間中剩餘的反應氣體。在此，反應氣體的吹掃可如上文所描述的通過在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來執行。將原始氣體的供應、原始氣體的吹掃、反應氣體的供應以及反應氣體的吹掃提供成一個循環。摻雜有氮（N）的二氧化矽（SiO2 ）薄膜可通過重複循環多次來沉積於分別裝載在多個處理空間中的基底10上。
如上文所描述，根據示範性實施例的基底處理設備100和基底處理方法可將稀釋氣體與製程氣體一起供應到由基底舟130分隔的多個處理空間，進而控制製程氣體的濃度，且可將稀釋氣體供應到多個處理空間的部分以調整製程氣體在每一處理空間中的濃度，進而單獨地控制沉積於所裝載多個基底10上的薄膜的厚度。
也就是說，無論停留在形成於縱向類型的反應管120內的多個處理空間的上部部分和下部部分中的額外內部空間中的製程氣體是否存在，都可使得沉積於每一處理空間中所裝載的基底10上的薄膜的厚度均一，且即使當從製程氣體供應部件141的下端流動的製程氣體穿過多個處理空間經由定位於內部空間的下部部分中的排氣端口170排出時，也可使得在上部處理空間和下部處理空間中沉積的薄膜的部分的厚度與在中心處理空間中沉積的薄膜的一部分的厚度均一。此外，即使當與待處理的基底10的類型不同類型的基底裝載於基底舟130的上端部分和下端部分中時，均一薄膜也可分別形成於待處理的基底10上，進而提高所形成薄膜和其上形成薄膜的基底10的質量。
此外，配置成將稀釋氣體供應到多個處理空間的上部處理空間的上部稀釋氣體供應部件146和配置成將稀釋氣體供應到其下部處理空間的下部稀釋氣體供應部件147可單獨地設置，進而獨立地控制供應到上部處理空間和下部處理空間的製程氣體的濃度，且供應製程氣體的方向與供應稀釋氣體的方向可在基底10上交叉，進而有效地混合供應到對應基底10的製程氣體與稀釋氣體。
此外，在使用ALD製程沉積薄膜期間供應不同類型的反應氣體中，第一反應氣體與第二反應氣體的混合、混合物的供應以及第二反應氣體的獨立供應可循序執行，進而有效地控制含於薄膜中的來自第一反應氣體的元素的含量，且多個處理空間可快速進行減壓，且每一處理空間中剩餘的原始氣體可在吹掃原始氣體或反應氣體中通過在對多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到多個處理空間來有效地和充分地用穩定氣體替換。
在上文中，儘管已使用特定術語說明和描述了本發明的示範性實施例，但此類術語僅出於闡明本發明的目的。將顯而易見的是可在不脫離所附申請專利範圍的精神和範圍的情況下對本發明的實施例和術語作出各種改變和修改。修改過的實施例不應獨立於本發明的精神和範圍來進行理解，而應屬本發明的保護範圍內。
10‧‧‧基底
100‧‧‧基底處理設備
110‧‧‧外部管
120‧‧‧反應管
125‧‧‧凸緣部件
130‧‧‧基底舟
131‧‧‧杆
141‧‧‧處理氣體供應部件
142‧‧‧原始氣體供應部件
142H‧‧‧原始氣體供應孔
143、144‧‧‧反應氣體供應部件
143H、144H‧‧‧反應氣體供應孔
145‧‧‧稀釋氣體供應部件
146‧‧‧上部稀釋氣體供應部件
146H‧‧‧上部稀釋氣體供應孔
147‧‧‧下部稀釋氣體供應部件
147H‧‧‧下部稀釋氣體供應孔
150‧‧‧排氣管道
160‧‧‧底座
161‧‧‧加熱遮蔽板
162‧‧‧支撐件
163‧‧‧上部板
164‧‧‧下部板
165‧‧‧側向蓋板
170‧‧‧排氣端口
180‧‧‧加熱器部件
190‧‧‧腔室
190a‧‧‧上部腔室
190b‧‧‧下部腔室
191‧‧‧軸
192‧‧‧提升部件
193‧‧‧旋轉部件
194‧‧‧支撐板
194a‧‧‧密封構件
194b‧‧‧軸承構件
195‧‧‧插孔
200‧‧‧轉移腔室
210‧‧‧入口
250‧‧‧閘門閥
C‧‧‧中心部分
通過結合所附圖式進行的以下描述可更詳細地理解示範性實施例，在所附圖式中：
圖1是示意性地繪示根據示範性實施例的基底處理設備的視圖。
圖2是繪示根據基底舟中所裝載的多個基底的位置而沉積的薄膜的厚度的圖形。
圖3是繪示根據示範性實施例的製程氣體供應部件和稀釋氣體供應部件的形狀的視圖。
圖4是繪示根據示範性實施例的供應稀釋氣體的方向的視圖；
圖5是繪示根據示範性實施例的沉積於基底上的薄膜根據所供應稀釋氣體的量的相對厚度的圖形。
圖6是繪示根據示範性實施例的基底處理方法的氣體供應順序的圖式。

Claims (15)

  1. 一種基底處理設備，包括： 反應管，具有形成於其中的內部空間； 基底舟，配置成裝載多個載台中的多個基底，且定位於所述內部空間中以分隔成在其中分別處理所述多個基底的多個處理空間； 製程氣體供應部件，配置成將製程氣體供應到所述多個處理空間；以及 稀釋氣體供應部件，配置成供應用於稀釋所述多個處理空間內的所述製程氣體的稀釋氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基底處理設備，其中所述製程氣體供應部件將所述製程氣體供應到所述多個處理空間中的每一個，且所述稀釋氣體供應部件將所述稀釋氣體供應到所述多個處理空間的一部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的基底處理設備，其中所述多個處理空間在裝載所述多個基底的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間，且所述稀釋氣體供應部件將所述稀釋氣體供應到所述上部處理空間或所述下部處理空間中的至少一個。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基底處理設備，其中所述稀釋氣體供應部件包括： 上部稀釋氣體供應部件，具有對應於所述上部處理空間的上部稀釋氣體供應孔；以及 下部稀釋氣體供應部件，具有對應於所述下部處理空間的下部稀釋氣體供應孔。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基底處理設備，更包括： 排氣管道，與所述製程氣體供應部件相對設置，且形成為在裝載所述多個基底的方向上垂直地延伸；以及 排氣端口，配置成與所述排氣管道的下端連通， 所述製程氣體供應部件形成為在裝載所述多個基底的方向上垂直地延伸，且 所述製程氣體從所述製程氣體供應部件的下端流動到其上端，穿過所述多個處理空間中的每一個，從所述排氣管道的上端流動到其下端，且經由所述排氣端口排出。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的基底處理設備，其中虛設基底裝載在所述基底舟的上端部分和下端部分上，且所述多個處理空間提供於所述基底舟的所述上端部分與所述下端部分之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的基底處理設備，其中所述稀釋氣體供應部件在與所述製程氣體供應在所述多個基底上的方向交叉的方向上供應所述稀釋氣體。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的基底處理設備，更包括： 控制部件，連接到所述稀釋氣體供應部件，且配置成控制由所述稀釋氣體供應部件供應的所述稀釋氣體的量， 所述控制部件被配置成控制以使得由所述下部稀釋氣體供應部件供應的所述稀釋氣體的量大於由所述上部稀釋氣體供應部件供應的所述稀釋氣體的量。
  9. 如申請專利範圍第3項所述的基底處理設備，更包括： 加熱器部件，在裝載所述多個基底的所述方向上提供於所述反應管外部，且配置成加熱所述多個處理空間， 所述加熱器部件被配置成以比加熱所述中心處理空間的溫度低的溫度來加熱所述上部處理空間和所述下部處理空間。
  10. 一種基底處理方法，包括： 分別定位多個處理空間中的設置於多個載台中的多個基底；以及 通過將製程氣體供應到所述多個處理空間來在所述多個基底上形成薄膜， 其中所述薄膜的形成包括供應用於稀釋所述多個處理空間內的所述製程氣體的稀釋氣體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的基底處理方法，其中所述薄膜的形成更包括： 將原始氣體供應到所述多個處理空間； 吹掃所述多個處理空間中剩餘的所述原始氣體； 將反應氣體供應到所述多個處理空間；以及 吹掃所述多個處理空間中剩餘的所述反應氣體，且 所述稀釋氣體的供應至少與所述原始氣體的供應一起執行。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的基底處理方法，其中所述多個處理空間在裝載所述多個基底的方向上劃分為上部處理空間、中心處理空間以及下部處理空間，且所述稀釋氣體的供應包括將所述稀釋氣體供應到所述上部處理空間或所述下部處理空間中的至少一個。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的基底處理方法，其中所述原始氣體的吹掃和所述反應氣體的吹掃通過在對所述多個處理空間進行排氣時多次的重複供應和切斷吹掃氣體到所述多個處理空間來執行。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的基底處理方法，其中所述稀釋氣體和所述吹掃氣體各自包括相對於所述原始氣體和所述反應氣體在化學上穩定的氣體，且所述稀釋氣體的供應包括經由與將所述吹掃氣體供應到其中的路徑不同的路徑來將所述稀釋氣體供應到所述多個處理空間。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的基底處理方法，其中所述反應氣體的供應包括： 將第一反應氣體和第二反應氣體同時供應到所述多個處理空間；以及 僅僅將所述第二反應氣體供應到所述多個處理空間。
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