KR20070084757A - 화학기상증착 공정 - Google Patents

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KR20070084757A KR1020060016933A KR20060016933A KR20070084757A KR 20070084757 A KR20070084757 A KR 20070084757A KR 1020060016933 A KR1020060016933 A KR 1020060016933A KR 20060016933 A KR20060016933 A KR 20060016933A KR 20070084757 A KR20070084757 A KR 20070084757A
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Abstract

프로세스튜브 내부에 박막 증착 영역을 형성하고 상기 박막 증착 영역 내부에 다수의 웨이퍼를 이송하여 상기 웨이퍼들 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 공정이 제공된다. 상기 화학기상증착 공정은 상기 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중하부 영역 및, 하부 영역으로 구분하고; 온도센서와 히터를 이용하여 상기 상부 영역, 상기 중상부 영역, 상기 중하부 영역 및, 상기 하부 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하는 것을 포함한다. 이때, 상기 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역으로 설정한다.

Description

화학기상증착 공정{Chemical vapor deposition process}
도 1은 본 발명에 따른 화학기상증착 공정을 수행하는 화학기상증착 설비의 일실시예를 도시한 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시한 화학기상증착 설비의 내부에 2 랏의 웨이퍼를 로딩한 상태를 도시한 도면이고, 도 3은 도 1에 도시한 화학기상증착 설비의 내부에 6 랏의 웨이퍼를 로딩한 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착 공정을 수행하는 화학기상증착 설비의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
80 : 더미 웨이퍼
90 : 웨이퍼
100 : 화학기상증착 설비
110 : 프로세스튜브
120 : 보트
130 : 히터
150 : 플랜지
160 : 웨이퍼 이송유닛
본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 공정에 관한 것으로, 특히 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 상에 소정 두께의 막을 증착하는 화학기상증착 공정에 관한 것이다.
일반적으로, 화학기상증착 공정은 반도체소자를 형성하기 위해 가장 널리 사용되고 있는 공정 중 하나로, 특정 반응기체들을 프로세스튜브 내부로 계속 공급하면서 온도나 압력 등 적절한 공정 조건을 유지시켜 주면 고체상의 파우더(Powder)가 생성되어 가공하고자 하는 물체 위에 증착되는 현상을 이용하여 반도체 공정에 필요한 물질의 박막을 웨이퍼 상에 증착시키는 공정이며, 화학 반응이 발생되는 조건에 따라 크게 상압 화학기상증착 공정과 저압 화학기상증착 공정 및 플라즈마 화학기상증착 공정으로 나누어진다.
한편, 이와 같은 화학기상증착 공정을 진행하는 설비로는 6 랏(Lot; 1 lot은 25매의 웨이퍼를 지칭함)의 웨이퍼 즉, 약 150여매의 웨이퍼를 동시에 처리하는 종형로 설비가 많이 이용되고 있다.
하지만, 대부분의 반도체소자를 제조하는 공정은 2 랏 단위로 공정을 진행하는데 반하여 화학기상증착 공정을 진행하는 종형로 설비는 6 랏 단위로 공정을 진행하기 때문에, 종형로 설비에 의한 화학기상증착 공정의 직전에는 항상 6 랏을 채우기 위한 불필요한 대기시간이 발생되는 문제가 있다.
따라서, 근래에는 2 랏 단위로 화학기상증착 공정을 진행하는 종형로 설비가 개발 및 적용되고 있다. 그러나, 이와 같은 2 랏 단위로 공정을 진행하는 종형로 설비는 일정량의 웨이퍼가 꾸준히 공급되는 이상적인 상황에서는 전혀 문제가 없으나, 각종 변수로 인하여 공급되는 웨이퍼의 량이 편중될 경우에는 생산 넥킹(Necking) 현상이 발생되는 문제가 있다.
이에 따라, 최근에는 종래와 같이 2 랏이나 6 랏 등 웨이퍼 처리량이 고정된 설비가 아니라 필요에 따라 그 웨이퍼 처리량을 1 ∼ 6 랏으로 자유롭게 변경할 수 있는 설비가 새롭게 개발 및 적용되고 있다. 그러나, 웨이퍼 처리량을 1 ∼ 6 랏으로 자유롭게 변경할 수 있는 설비의 경우에는 웨이퍼가 직접 처리되는 종형로 내부의 온도 제어를 종형로의 중부 영역 또는 종형로의 중상부 영역을 기준으로 제어하고 있기 때문에, 스텝별 웨이퍼 표면적이 상이한 공정을 진행할 때 발생하는 로딩 이펙트(Loading effect)에 취약한 구조를 가지게 되어 웨이퍼의 전체 처리량 확장에 한계를 가지게 되는 문제가 있다. 즉, 종래의 경우에는 종형로 내부의 온도 제어를 종형로의 중부 영역 또는 종형로의 중상부 영역을 기준으로 제어하고 있기 때문에 적은 수의 랏을 처리하기 위하여 종형로의 하부에만 웨이퍼들이 적재되는 경우에는 종형로 하부에 있는 웨이퍼들의 정확한 온도 제어가 어려운 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로써, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 다양한 수의 랏들에 대응하여 웨이퍼를 원활하게 처리할 수 있는 화학기상증착 공정을 제공하는데 있다.
이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제 1관점에 따르면, 프로세스튜브 내부에 박막 증착 영역을 형성하고 상기 박막 증착 영역 내부에 다수의 웨이퍼를 이송하여 상기 웨이퍼들 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 공정이 제공된다. 상기 화학기상증착 공정은 상기 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중하부 영역 및, 하부 영역으로 구분하고; 온도센서와 히터를 이용하여 상기 상부 영역, 상기 중상부 영역, 상기 중하부 영역 및, 상기 하부 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하는 것을 포함하되, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역으로 설정하는 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 박막 증착 영역은 다수의 웨이퍼가 상하로 적재되는 보트가 그 내부에 수용되는 크기로 형성될 수 있고, 상기 웨이퍼는 상기 보트의 하부로부터 적재된 다음 상기 보트의 이동에 의해 상기 박막 증착 영역으로 이송되되, 상기 보트에 적재되는 상기 웨이퍼의 적재량은 상기 보트에 상기 웨이퍼가 적재될 수 있는 총 적재량의 일부 또는 전체일 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 보트의 일부에만 상기 웨이퍼가 적재될 경우, 상기 웨이퍼가 적재되지 않은 상기 보트 내 웨이퍼 적재부에는 더미 웨이퍼를 로딩하지 않을 수 있다.
한편, 상기와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제 2관점에 따르면, 프로세스튜브 내부에 박막 증착 영역을 형성하고 상기 박막 증착 영역 내부에 다수의 웨이퍼를 이송하여 상기 웨이퍼들 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 공정이 제공된다. 상기 화학기상증착 공정은 상기 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중부영역, 중하부 영역 및, 하부 영역으로 구분하고; 온도센서와 히터를 이용하여 상기 상부 영역, 상기 중상부 영역, 상기 중부 영역, 상기 중하부 영역 및, 상기 하부 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하는 것을 포함하되, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역으로 설정하는 것을 특징으로 한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 박막 증착 영역은 다수의 웨이퍼가 상하로 적재되는 보트가 그 내부에 수용되는 크기로 형성될 수 있고, 상기 웨이퍼는 상기 보트의 하부로부터 적재된 다음 상기 보트의 이동에 의해 상기 박막 증착 영역으로 이송되되, 상기 보트에 적재되는 상기 웨이퍼의 적재량은 상기 보트에 상기 웨이퍼가 적재될 수 있는 총 적재량의 일부 또는 전체일 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 보트의 일부에만 상기 웨이퍼가 적재될 경우, 상기 웨이퍼가 적재되지 않은 상기 보트 내 웨이퍼 적재부에는 더미 웨이퍼를 로딩하지 않을 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참 조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 화학기상증착 공정을 수행하는 화학기상증착 설비의 일실시예를 도시한 개략도이고, 도 2는 도 1에 도시한 화학기상증착 설비의 내부에 2 랏의 웨이퍼를 로딩한 상태를 도시한 도면이며, 도 3은 도 1에 도시한 화학기상증착 설비의 내부에 6 랏의 웨이퍼를 로딩한 상태를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착 설비(100)는 종형로 설비로, 화학기상증착 공정이 진행되도록 그 내부에 박막 증착 영역(A)을 형성하는 프로세스튜브(110)와, 상기 화학기상증착 공정이 진행되도록 상기 프로세스튜브(110)를 가열하는 히터(130)와, 상기 프로세스튜브(110)의 내부로 웨이퍼(90)를 로딩하거나 상기 프로세스튜브(110)로부터 웨이퍼(90)를 언로딩하는 웨이퍼 이송유닛(160) 및, 상기 화학기상증착 설비(100)를 전반적으로 제어하는 제어기(190)를 포함한다.
구체적으로, 상기 프로세스튜브(110)는 외측튜브(111)와, 상기 외측튜브(111)의 내부에 설치되는 내측튜브(112) 및, 상기 외측튜브(111)와 상기 내측튜브(112)의 하부에 배치되어 상기 외측튜브(111)와 상기 내측튜브(112)를 지지하는 플랜지(150)로 구성되고, 싱기 박막 증착 영역(A)은 상기 내측튜브(112)의 내부에 형성된다.
먼저, 상기 외측튜브(111)에 대해 설명하면, 상기 외측튜브(111)는 상부가 밀폐되고 하부는 개방된 중공의 통체형상 예를 들면, 돔(Dome) 형상으로 형성된다. 그리고, 상기 내측튜브(112)는 상기 외측튜브(111)의 내부에 개재되는 크기로 형성 되되, 상부와 하부가 모두 개방된 중공의 원통 형상으로 형성된다. 또한, 상기 플랜지(150)는 상기 외측튜브(111)와 상기 내측튜브(112)의 하부에서 상기 외측튜브(111)와 상기 내측튜브(112)를 지지하며, 그 내부에 웨이퍼 이송공간이 마련된다. 따라서, 상기 웨이퍼 이송유닛(160)은 상기 플랜지(150)에 마련된 웨이퍼 이송공간과 개방된 상기 내측튜브(112)의 하부를 통하여 상기 내측튜브(112)의 내부로 웨이퍼(90)를 이송하게 된다.
한편, 상기 내측튜브(112)의 내부에 마련된 박막 증착 영역(A)은 다수의 웨이퍼들(90) 예를 들면, 6 랏의 웨이퍼들(90)이 상하방향으로 적층된 상태에서 그 내부로 로딩될 수 있는 크기로 형성된다. 그리고, 상기 박막 증착 영역(A)은 다수의 영역으로 나뉘어져서, 각 영역마다 별도의 공정조건을 형성하게 된다. 예를 들면, 상기 박막 증착 영역(A)은 그 상부로부터 동일한 크기로, 상부 영역(U), 중상부 영역(CU), 중부 영역(C), 중하부 영역(CL) 및, 하부 영역(L)으로 구분될 수 있다.
또, 상기 플랜지(150)의 일측과 타측에는 각각 가스 유입구(154)와 가스 배출구(156)가 형성된다. 상기 가스 유입구(154)는 상기 내측튜브(112)의 내부 하측으로 연결되어 있다. 따라서, 가스공급유닛(170)은 화학기상증착 공정에 필요한 반응가스들을 상기 가스 유입구(154)를 통하여 상기 내측튜브(112)의 내부 하측으로 공급하게 된다. 그리고, 상기 가스 배출구(156)는 상기 플랜지(150)에 형성되되 상기 내측튜브(112)와 상기 외측튜브(111)의 사이로 연결되어 있다. 따라서, 가스배기유닛(180)이 상기 가스 배출구(156)를 통해 상기 프로세스튜브(110) 내부의 가스 를 외부로 펌핑하면, 상기 프로스세튜브(110)의 내부 가스는 상기 프로세스튜브(110)의 상측에 마련된 틈 즉, 상기 내측튜브(112)와 상기 외측튜브(111)의 이격공간인 틈을 통해 상기 내측튜브(112)와 상기 외측튜브(111)의 사이로 유입된 다음 상기 가스 배출구(156)를 통해 외부로 배기된다.
상기 히터(130)는 상기 프로세스튜브(110) 내부의 온도가 화학기상증착 공정에 적합한 온도에 이를 수 있도록 상기 프로세스튜브(110)를 가열하는 역할을 하며, 상기 외측튜브(111)의 외부에 설치된다. 구체적으로, 상기 히터(130)는 상기 제어기(190)의 제어에 따라 전술한 박막 증착 영역(A)의 구분 영역들 즉, 상부 영역(U), 중상부 영역(CU), 중부 영역(C), 중하부 영역(CL) 및, 하부 영역(L)을 각각 독립적으로 가열할 수 있다. 여기서, 상기 히터(130)는 발열코일일 수 있다.
또한, 상기 히터(130)에는 다수의 온도센서들(141,142,143,144,145)이 설치될 수 있다. 구체적으로, 상기 온도센서들(141,142,143,144,145)은 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 상부 영역(U)의 온도를 감지하도록 설치된 제1온도센서(141)와, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 중상부 영역(CU)의 온도를 감지하도록 설치된 제2온도센서(142)와, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 중부 영역(C)의 온도를 감지하도록 설치된 제3온도센서(143)와, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 중하부 영역(CL)의 온도를 감지하도록 설치된 제4온도센서(144) 및, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 하부 영역(L)의 온도를 감지하도록 설치된 제5온도센서(145)로 구성될 수 있다. 따라서, 상기 제어기(190)는 상기 히터(130)와 상기 온도센서들(141,142,143,144,145)을 이용하여 상기 구분된 각 영역들의 온도를 독립적으로 제 어할 수 있게 된다. 한편, 상기 영역들의 온도를 독립적으로 제어함에 있어서, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역(CL)으로 설정된다. 따라서, 상기 제어기는 상기 중하부 영역(CL)의 온도를 감지하는 상기 제4온도센서(144)의 값을 기준으로 하여 상기 다른 영역들의 온도를 제어하게 된다.
상기 웨이퍼 이송유닛(160)은 돔 형상인 상기 외측튜브(111)와 상기 외측튜브(111)의 내부에 배치된 상기 내측튜브(112)의 내부로 웨이퍼(90)를 로딩하거나 상기 튜브들(111,112)로부터 웨이퍼(90)를 언로딩하도록 소정거리 상승 및 하강가능하게 설치된다. 그리고, 상기 웨이퍼 이송유닛(160)의 상부에는 다수의 웨이퍼(90)가 적재되도록 보트(120)가 설치되고, 상기 보트(120)의 하부에는 상기 보트(120)의 하측에 적재된 웨이퍼(90)의 온도를 보상하도록 보온통(117)이 설치된다. 한편, 상기 보트(120)의 최하단과 최상단에는 더미 웨이퍼(80)가 적재될 수 있으며, 그들 사이에는 다수의 랏 예를 들면, 6 랏의 웨이퍼들이 적재될 수 있도록 다수의 웨이퍼 적재부가 마련된다. 참조부호 L1, L2, L3, L4, L5, L6는 각각 하나의 랏 즉, 25매의 웨이퍼가 적재되는 공간을 나타낸다.
이하, 이상과 같은 구성을 갖는 화학기상증착 설비(100)를 이용하여 화학기상증착 공정을 진행하는 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 선행공정을 수행한 웨이퍼(90)가 외부로부터 로딩되면, 유저는 상기 로딩된 웨이퍼(90)를 보트(120)에 적재하게 된다. 이때, 유저는 상기 로딩된 웨이퍼(90)를 상기 보트(120)의 하부로부터 적재하게 되고, 상기 웨이퍼(90)가 적재되 지 않은 웨이퍼 적재부에는 더미 웨이퍼(80)를 로딩하지 않게 된다. 여기서, 상기 보트(120)에 적재할 수 있는 웨이퍼의 총 적재량은 6 랏 이다. 그러나, 유저는 공정의 진행에 따라 상기 보트(120) 내부에 1 랏 ∼ 6 랏의 웨이퍼(90)를 적재한 후 공정을 진행할 수 있다.
이후, 웨이퍼(90)의 적재가 완료되면, 웨이퍼 이송유닛(160)은 제어기(190)의 제어에 따라 소정거리 상승되어 보트(120)에 적재된 웨이퍼들(90)을 프로세스튜브(110)의 내부로 이송한 후, 상기 프로세스튜브(110)를 밀폐한다.
계속하여, 상기 프로세스튜브(110)가 밀폐되면, 제어기(190)는 히터(130)와 온도센서들(141,142,143,144,145)를 이용하여 박막 증착 영역(A)의 각 영역들 중 온도 제어의 기준점인 중하부 영역(CL)을 화학기상증착 공정을 진행하는데 필요한 기준온도로 가열하게 되고, 그 나머지 영역들은 상기 중하부 영역(CL)으로부터의 이격된 거리 등을 감안하여 상기 기준온도로부터 소정크기만큼 편차가 적용된 온도로 가열하게 된다. 이와 동시에 가스공급유닛(170)은 상기 프로세스튜브(110)의 내부로 반응가스를 공급하게 된다. 따라서, 상기 보트(120)에 적재된 각 웨이퍼들(90)에는 전체적으로 균일한 두께의 박막이 증착된다.
한편, 도 4에는 본 발명에 따른 화학기상증착 설비(200)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 이때, 도 4에 도시된 다른 실시예는 도 1에 도시된 일실시예와 많은 부분이 유사하다. 따라서, 이하에서는 전술한 일실시예와 다른 점만을 주로 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착 공정을 수행하는 화학기상증착 설비의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.
먼저, 본 발명의 다른 실시예인 화학기상증착 설비(200)가 일실시예인 화학기상증착 설비(100)와 다른 점은 박막 증착 영역들(A)의 구분 범위와 이들에 대응되도록 설치된 온도센서들이다.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 내측튜브(112)의 내부에 마련된 박막 증착 영역(A)이 그 상부로부터 동일한 크기로, 상부 영역(U), 중상부 영역(CU), 중하부 영역(CL) 및, 하부 영역(L)으로 구분된다. 그리고, 이 영역들에 대응되도록 설치된 온도센서들(241,242,243,244)은 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 상부 영역(U)의 온도를 감지하도록 설치된 제1온도센서(241)와, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 중상부 영역(CU)의 온도를 감지하도록 설치된 제2온도센서(242)와, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 중하부 영역(CL)의 온도를 감지하도록 설치된 제3온도센서(243) 및, 상기 박막 증착 영역(A) 중 상기 하부 영역(L)의 온도를 감지하도록 설치된 제4온도센서(244)로 구성된다. 따라서, 상기 제어기(190)는 상기 영역들을 독립적으로 가열하도록 설치된 히터(130)와 상기 온도센서들(241,242,243,244)을 이용하여 상기 구분된 각 영역들의 온도를 독립적으로 제어할 수 있게 된다. 여기서, 상기 영역들의 온도를 독립적으로 제어함에 있어서, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역(CL)으로 설정된다. 따라서, 상기 제어기(190)는 상기 중하부 영역(CL)의 온도를 감지하는 상기 제3온도센서(243)의 값을 기준으로 하여 상기 다른 영역들의 온도를 제어하게 된다.
이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명 화학기상증착 공정에 따르면, 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중하부 영역 및, 하부 영역 등으로 구분하고, 이 구분된 각 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하되, 그 온도 제어의 기준점은 중하부 영역으로 설정하고 있기 때문에, 상기 박막 증착 영역에 적은 수의 랏을 처리하기 위하여 상기 박막 증착 영역을 형성하고 있는 프로세스튜브의 하부에만 웨이퍼들이 적재되는 경우에도 프로세스튜브의 하부에 있는 웨이퍼들의 정확한 온도 제어가 가능한 효과가 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 다양한 수의 랏들에 대응하여 웨이퍼를 원활하게 처리할 수 있는 효과 즉, 웨이퍼 상에 증착되는 박막들의 두께를 전체적으로 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 프로세스튜브 내부에 박막 증착 영역을 형성하고 상기 박막 증착 영역 내부에 다수의 웨이퍼를 이송하여 상기 웨이퍼들 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 공정에 있어서,
    상기 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중하부 영역 및, 하부 영역으로 구분하고;
    온도센서와 히터를 이용하여 상기 상부 영역, 상기 중상부 영역, 상기 중하부 영역 및, 상기 하부 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하되, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 박막 증착 영역은 다수의 웨이퍼가 상하로 적재되는 보트가 그 내부에 수용되는 크기로 형성되고,
    상기 웨이퍼는 상기 보트의 하부로부터 적재된 다음 상기 보트의 이동에 의해 상기 박막 증착 영역으로 이송되되, 상기 보트에 적재되는 상기 웨이퍼의 적재량은 상기 보트에 상기 웨이퍼가 적재될 수 있는 총 적재량의 일부 또는 전체인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 보트의 일부에만 상기 웨이퍼가 적재될 경우, 상기 웨이퍼가 적재되지 않은 상기 보트 내 웨이퍼 적재부에는 더미 웨이퍼를 로딩하지 않는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
  4. 프로세스튜브 내부에 박막 증착 영역을 형성하고 상기 박막 증착 영역 내부에 다수의 웨이퍼를 이송하여 상기 웨이퍼들 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 공정에 있어서,
    상기 박막 증착 영역을 상부 영역, 중상부 영역, 중부영역, 중하부 영역 및, 하부 영역으로 구분하고;
    온도센서와 히터를 이용하여 상기 상부 영역, 상기 중상부 영역, 상기 중부 영역, 상기 중하부 영역 및, 상기 하부 영역의 온도를 각각 독립적으로 제어하되, 그 온도 제어의 기준점은 상기 중하부 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 박막 증착 영역은 다수의 웨이퍼가 상하로 적재되는 보트가 그 내부에 수용되는 크기로 형성되고,
    상기 웨이퍼는 상기 보트의 하부로부터 적재된 다음 상기 보트의 이동에 의해 상기 박막 증착 영역으로 이송되되, 상기 보트에 적재되는 상기 웨이퍼의 적재량은 상기 보트에 상기 웨이퍼가 적재될 수 있는 총 적재량의 일부 또는 전체인 것 을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 보트의 일부에만 상기 웨이퍼가 적재될 경우, 상기 웨이퍼가 적재되지 않은 상기 보트 내 웨이퍼 적재부에는 더미 웨이퍼를 로딩하지 않는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 공정.
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US10689749B2 (en) 2012-10-22 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Linear evaporation source and vacuum deposition apparatus including the same

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