TW201941353A - 晶粒挑揀總成及晶粒移動方法 - Google Patents

晶粒挑揀總成及晶粒移動方法 Download PDF

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Abstract

一種晶粒挑揀總成適於配合一轉移裝置及連接至該轉移裝置的一吸嘴，一次移動在一薄膜上的多個晶粒的一個或數個。晶粒挑揀總成包括一第一頂針及多個第二頂針。第一頂針適於耦接至一位移裝置，以移動這些晶粒的一個。這些第二頂針適於耦接至位移裝置，以同時移動這些晶粒的數個。此外，也提供一種晶粒移動方法，其中依照選定矩陣及屬性來區分在薄膜上的多個晶粒為矩陣晶粒群或非矩陣晶粒。屬於同一矩陣晶粒群的這些晶粒可以同時被移動。晶粒挑揀總成及晶粒移動方法均可縮短挑揀晶粒的時間。

Description

晶粒挑揀總成及晶粒移動方法
本發明是有關於一種晶粒挑揀技術，且特別是有關於一種用於晶粒挑揀的晶粒挑揀總成及晶粒移動方法。
為了取起薄膜上的晶粒（例如發光二極體晶粒），通常利用真空吸嘴配合頂針將晶粒取起。頂針的作用在於使薄膜變形以減少晶粒與薄膜之間的黏合面積，使得真空吸嘴容易從薄膜上取走晶粒。在晶粒挑揀的過程中，通常是逐一取起在薄膜上的晶粒。然而，當晶粒的數量很大時，逐一取起晶粒將耗費很多的時間，這相當不利於降低成本。
本發明提供一種晶粒挑揀總成，用以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒。
本發明提供一種晶粒移動方法，用以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒。
本發明的一實施例的晶粒挑揀總成，適於配合一轉移裝置及連接至轉移裝置的一吸嘴，一次移動在一薄膜上的多個晶粒的一個或數個。晶粒挑揀總成包括一第一頂針及多個第二頂針。第一頂針適於耦接至一位移裝置，以移動這些晶粒的一個。這些第二頂針，適於耦接至位移裝置，以同時移動這些晶粒的數個。
在本發明的一實施例中，這些第二頂針以矩陣排列，所述的晶粒挑揀總成更包括一第一針蓋及一第二針蓋。第一針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，第一針蓋具有一第一針孔，第一頂針在第一針孔中移動。第二針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，第二針蓋具有至少一第二針孔，這些第二頂針在至少一第二針孔中移動。
在本發明的一實施例中，第一頂針與這些第二頂針以矩陣排列，這些第二頂針圍繞第一頂針，所述的晶粒挑揀總成更包括一針蓋。針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，針蓋具有至少一針孔，第一頂針及這些第二頂針在至少一針孔中移動。
本發明的一實施例的一種晶粒挑揀總成，適於一次移動在一薄膜上的多個晶粒的一個或數個。晶粒挑揀總成包括一第一頂針、多個第二頂針及一吸嘴。第一頂針適於耦接至一位移裝置，以移動這些晶粒的一個。這些第二頂針適於耦接至位移裝置，以同時移動這些晶粒的數個。吸嘴適於連接至一轉移裝置並耦接至一真空源，以吸取被第一頂針及這些第二頂針所移動的晶粒或這些晶粒，吸嘴具有多個吸孔，這些吸孔分別對準第一頂針及這些第二頂針或分別對準這些第二頂針。
在本發明的一實施例中，這些第二頂針以矩陣排列，所述的晶粒挑揀總成更包括一第一針蓋及一第二針蓋。第一針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，第一針蓋具有一第一針孔，第一頂針在第一針孔中移動。第二針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，第二針蓋具有至少一第二針孔，這些第二頂針在至少一第二針孔中移動。
在本發明的一實施例中，第一頂針與這些第二頂針以矩陣排列，這些第二頂針圍繞第一頂針，所述的晶粒挑揀總成更包括一針蓋。針蓋適於耦接至一真空源，以固定薄膜的一部分，針蓋具有至少一針孔，第一頂針及這些第二頂針在至少一針孔中移動。
本發明的一實施例的一種晶粒移動方法，適於在一薄膜上以矩陣排列的多個晶粒，一晶粒地圖記錄各晶粒的位置及屬性，晶粒移動方法包括下列步驟。依照一選定矩陣及屬性，區分晶粒地圖中的這些晶粒為多個矩陣晶粒群及多個非矩陣晶粒，屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的排列符合選定矩陣，屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的屬性彼此歸屬同一測試結果範圍下的類別。移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒，直到屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒全都被移動為止。同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，直到屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒全都被移動為止。
在本發明的一實施例中，在屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒全被移動之後，同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，直到屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒全都被移動為止。
在本發明的一實施例中，晶粒移動方法更包括下列步驟。在移動這些晶粒之前，比較屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量以及屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量。當屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量大於屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量時，先移動屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒，再移動屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒。當屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量小於屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量時，先移動屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒，再移動屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒。
在本發明的一實施例中，在同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的步驟中，經由多個頂針分別移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，這些頂針的排列符合選定矩陣。
在本發明的一實施例中，經由這些頂針之一移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒。
基於上述，在本發明中，晶粒挑揀總成可以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒，故可大幅縮短挑揀晶粒的時間。晶粒移動方法可以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒，故可大幅縮短挑揀晶粒的時間。此外，可先移動數量較少的矩陣晶粒群或非矩陣晶粒，以降低薄膜收縮而造成晶粒偏移來影響後續晶粒的移動。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
請參考圖1A、圖1B及圖1C，在本實施例中，晶粒挑揀總成100適於配合一轉移裝置71（例如水平平移裝置、旋轉擺臂）及連接至轉移裝置71的一吸嘴90，一次移動在一薄膜50上的多個晶粒60的一個或數個。薄膜50及其上的晶粒60放置在一中空載台（未繪示）上。晶粒挑揀總成100包括一第一頂針111及多個第二頂針112。第一頂針111適於耦接至一位移裝置70（例如垂直平移裝置），以移動這些晶粒60的一個。這些第二頂針112適於耦接至另一位移裝置70，以同時移動這些晶粒60的數個。這些第二頂針112以矩陣排列，例如2x2的矩陣。在其他實施例中，也可為3x3、5x5、7x7、9x9…NxN的矩陣。這些第二頂針112可圍繞第一頂針111。晶粒挑揀總成100更包括一針蓋120。針蓋120適於耦接至一真空源80，以固定薄膜50的一部分。進一步來說，針蓋120是以多個連通至真空源80的真空孔122（如圖1B所示）來吸附薄膜50。針蓋120具有多個針孔121，第一頂針111及這些第二頂針112在這些針孔121中移動。吸嘴90適於耦接至一真空源80，以吸取被第一頂針111及這些第二頂針112所移動的晶粒60或這些晶粒60。吸嘴90具有多個吸孔91，這些吸孔91分別對準第一頂針111及這些第二頂針112。在其他未繪示的實施例中，作為晶粒轉移工具的吸嘴30也可由其他結構代替，例如薄膜、多孔性陶瓷、靜電吸附裝置（例如E-Chuck）等。
請參考圖2A，在進行單一晶粒60的挑揀時，經由位移裝置70移動第一頂針111使得晶粒60從薄膜50移動至吸嘴90並被吸嘴90真空吸附。在本實施例中，在挑揀之前，通過在X-Y平面上移動薄膜50來移動晶粒60至對準吸嘴90，接著第一頂針111和吸嘴90在Z軸方向上相對靠近，以將晶粒60暫時附著在吸嘴90上。上述通過在X-Y平面上移動薄膜50的方式是通過X軸及Y軸的水平平移裝置移動中空載台間接帶動薄膜50移動。之後，在進行晶粒60的放置時，經由轉移裝置71及吸嘴90來移動晶粒60，並將晶粒60放置在分選盤（未繪示）上。
請參考圖2B，在進行多重晶粒60的挑揀時，經由位移裝置70移動這些第二頂針112使得這些晶粒60從薄膜50移動至吸嘴90並被吸嘴90真空吸附。在本實施例中，在挑揀之前，通過在X-Y平面上移動薄膜50來移動晶粒60至對準吸嘴90，接著這些第二頂針112和吸嘴90在Z軸方向上相對靠近，以將這些晶粒60暫時附著在吸嘴90上。之後，在進行這些晶粒60的放置時，經由轉移裝置71及吸嘴90來移動這些晶粒60，並將這些晶粒60放置在分選盤（未繪示）上。
請參考圖3A、圖3B及圖3C。在另一實施例中，如圖3A所示，在進行單一晶粒60的挑揀時，經由位移裝置70沿著Z軸方向向上移動第一頂針111及針蓋120使得晶粒60從薄膜50移動至吸嘴90並被吸嘴90真空吸附。接著，如圖3B所示，經由位移裝置70沿著Z軸方向向下移動針蓋120，連帶使得被針蓋120真空吸附的薄膜50也向下移動，使得第一頂針111頂住晶粒60。之後，如圖3C所示，經由位移裝置70沿著Z軸方向向下移動第一頂針111。因此，可經由轉移裝置71及吸嘴90來移動晶粒60，並將這些晶粒60放置在分選盤（未繪示）上。
請參考圖4A、圖4B及圖4C。在另一實施例中，如圖4A所示，在進行多重晶粒60的挑揀時，經由位移裝置70沿著Z軸方向向上移動這些第二頂針112及針蓋120使得這些晶粒60從薄膜50移動至吸嘴90並被吸嘴90真空吸附。接著，如圖4B所示，經由位移裝置70沿著Z軸方向向下移動針蓋120，連帶使得被針蓋120真空吸附的薄膜50也向下移動，使得這些第二頂針112分別頂住這些晶粒60。之後，如圖4C所示，經由位移裝置70沿著Z軸方向向下移動這些第二頂針112。因此，可經由轉移裝置71及吸嘴90來移動這些晶粒60，並將這些晶粒60放置在分選盤（未繪示）上。
請參考圖5A及圖5B，在另一實施例中，晶粒挑揀總成100適於一次移動在一薄膜50上的多個晶粒60的一個或數個。晶粒挑揀總成100包括一第一頂針111及多個第二頂針112。第一頂針111適於耦接至一位移裝置70，以移動這些晶粒60的一個。這些第二頂針112適於耦接至位移裝置70，以同時移動這些晶粒60的數個。這些第二頂針112以矩陣排列。晶粒挑揀總成100更包括一第一針蓋120a及一第二針蓋120b。第一針蓋120a及第二針蓋120b適於耦接至一真空源80，以固定薄膜50的一部分。第一針蓋120a具有一第一針孔121a，第二針蓋120b具有多個第二針孔121b，第一頂針111及這些第二頂針112在第一針孔121a及這些第二針孔121b中移動。多個第二頂針112可在單一第二針孔121b中移動。晶粒挑揀總成100更包括一吸嘴90。吸嘴90適於耦接至一真空源80，以吸取被第一頂針111及這些第二頂針112所移動的晶粒60或這些晶粒60。吸嘴90具有多個吸孔91，這些吸孔91分別對準第一頂針111及這些第二頂針112。
請參考圖6，這些第二頂針112可一體成形於一針座P的頂端，而在另一未繪示的實施例中，這些第二頂針112也可以植針的方式製作在針座P上。多個第二頂針112排成多排。此外，第二針蓋120b的多個第二針孔121b可依照這些第二頂針112的排列來延伸。吸嘴90的這些吸孔91位於吸嘴90的底端。
在如圖5B所示的實施例中，這些第二頂針112以3x3的矩陣來排列，且各第二針孔121b對應三個第二頂針112。在如圖7A所示的實施例中，這些第二頂針112也可以2x2的矩陣來排列，且各第二針孔121b對應兩個第二頂針112。在如圖7B所示的實施例中，這些第二針孔121b也可以2x2的矩陣來排列，且各第二針孔121b對應單一第二頂針112。
在如圖8A所示的實施例中，第一頂針111及這些第二頂針112對應單一針蓋120，意即針蓋120容納第一頂針111及這些第二頂針112，並提供一第一針孔121a及多個第二針孔121b讓第一頂針111及這些第二頂針112移動穿過。在如圖8B所示的實施例中，各第二針孔121b同時讓這些第二頂針112的數個移動穿過。在如圖8C所示的實施例中，第二針孔121b同時讓這些第二頂針112移動穿過。綜合前述各針蓋120的實施例，針蓋120具有至少一針孔，第一頂針111及這些第二頂針112在至少一針孔中移動。
請參考圖9A及圖9B，相較於圖5A的實施例，在本實施例中，第一頂針111與這些第二頂針112以NxN的矩陣（例如3x3的矩陣）來排列。在本實施例中，第一頂針111位於矩陣的正中央，這些第二頂針112圍繞第一頂針111。在另一未繪示的實施例中，第一頂針111也可位於矩陣的其他位置，例如矩陣的角落或矩陣的邊緣。
在如圖9B所示的實施例中，這些針孔121分別對應第一頂針111及這些第二頂針112。在如圖10A所示的實施例中，各針孔121對應第一頂針111及這些第二頂針112所排成矩陣之相鄰的數個。在如圖10B所示的實施例中，單一針孔121對應第一頂針111及這些第二頂針112。
上述這些實施例是有關於本發明的晶粒挑揀總成。下文將說明有關於本發明的晶粒移動方法的實施例。
請參考圖1A及圖11，本發明的一實施例的晶粒移動方法適於在一薄膜上以矩陣排列的多個晶粒，且在資料庫中儲存一晶粒地圖，其記錄各晶粒的位置及屬性。在揀選晶粒程序之前，以LED晶粒為例，要先針對晶圓的晶粒進行點測，以測試各晶粒的相對座標、晶粒檢查的結果、光電參數、等級區分等，並對晶圓的機械座標進行前置掃描（Pre-scan）後，套圖（Mapping）形成上述的晶粒地圖。揀選晶粒即是針對不同分類的晶粒進行揀選。在本實施例中，晶粒移動方法包括下列步驟。
首先，依照一選定矩陣（例如2x2的矩陣）及屬性（例如光電特性等），區分晶粒地圖中的這些晶粒為多個矩陣晶粒群（如圖11之標號202）及多個非矩陣晶粒（如圖11之標號201）。這裡的區分步驟包含將區分結果記錄在晶粒地圖中。因此，屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的排列符合選定矩陣，屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的屬性彼此歸屬同一測試結果範圍下的類別。接著，依照所區分出的這些矩陣晶粒群及這些非矩陣晶粒來移動這些晶粒。
在本實施例中，移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒，直到屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒全都被移動為止。接著，同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，直到屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒全都被移動為止。在另一實施例中，同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，直到屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒全都被移動為止。接著，移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒，直到屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒全都被移動為止。在又一實施例中，也可依照外部設定去決定移動這些非矩陣晶粒及這些矩陣晶粒群的先後順序。
在本實施例中，可採用數量較少的先移動的方式。具體而言，在移動這些晶粒之前，先比較屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量以及屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量。當屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量大於屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量時，先移動屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒，再移動屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒；當屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量小於屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量時，先移動屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒，再移動屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒。
簡單來說，當屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒的數量較少時，可先移動屬於這些非矩陣晶粒的這些晶粒，以避免薄膜收縮而造成晶粒偏移。此外，當屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒的數量較少時，可先移動屬於這些矩陣晶粒群的這些晶粒，以避免薄膜收縮而造成晶粒偏移來影響後續晶粒的移動。
在本實施例中，在同時移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒的步驟中，經由多個頂針分別移動屬於這些矩陣晶粒群之一的這些晶粒，這些頂針的排列符合選定矩陣。前述的這些頂針可由上述實施例之晶片移動總成來提供。此外，可經由這些頂針之一來移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒，如圖9A及圖9B所示的實施例。另外，也可經由另一不屬於選定矩陣的頂針來移動屬於這些非矩陣晶粒之一的晶粒，如圖1A及圖1B所示的實施例或如圖5A及圖5B所示的實施例。
綜上所述，在本發明中，晶粒挑揀總成可以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒，故可大幅縮短挑揀晶粒的時間。晶粒移動方法可以一次移動在薄膜上的一個或多個晶粒，故可大幅縮短挑揀晶粒的時間。此外，可先移動數量較少的矩陣晶粒群或非矩陣晶粒，以降低薄膜收縮而造成晶粒偏移來影響後續晶粒的移動。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
50‧‧‧薄膜
60‧‧‧晶粒
70‧‧‧位移裝置
71‧‧‧轉移裝置
80‧‧‧真空源
90‧‧‧吸嘴
91‧‧‧吸孔
100‧‧‧晶粒挑揀總成
111‧‧‧第一頂針
112‧‧‧第二頂針
120‧‧‧針蓋
120a‧‧‧第一針蓋
120b‧‧‧第二針蓋
121‧‧‧針孔
121a‧‧‧第一針孔
121b‧‧‧第二針孔
122‧‧‧真空孔
201‧‧‧非矩陣晶粒
202‧‧‧矩陣晶粒組
P‧‧‧針座
圖1A是依照本發明的一實施例的一種晶粒挑揀總成於挑揀單一晶粒時的示意圖。 圖1B是圖1A沿I-I線的俯視圖。 圖1C是圖1A沿II-II線的仰視圖。 圖2A是圖1A的晶粒挑揀總成於一次挑揀單一晶粒時的示意圖。 圖2B是圖1A的晶粒挑揀總成於一次挑揀多重晶粒時的示意圖。 圖3A、圖3B及圖3C是圖1A的晶粒挑揀總成於一次挑揀單一晶粒時的示意圖。 圖4A、圖4B及圖4C是圖1A的晶粒挑揀總成於一次挑揀多重晶粒時的示意圖。 圖5A是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的示意圖。 圖5B是圖5A的晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的俯視圖。 圖6是圖5A的晶粒挑揀總成的頂針、針蓋及吸嘴的實體結構示意圖。 圖7A是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖7B是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖8A是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖8B是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖8C是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖9A是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的示意圖。 圖9B是圖9A的晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖10A是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖10B是依照本發明的另一實施例的一種晶粒挑揀總成的頂針及針蓋的示意圖。 圖11是依照本發明的另一實施例的一種晶粒移動方法所應用的晶粒地圖以圖形呈現的局部。

Claims (11)

  1. 一種晶粒挑揀總成，適於配合一轉移裝置及連接至該轉移裝置的一吸嘴，一次移動在一薄膜上的多個晶粒的一個或數個，該晶粒挑揀總成包括： 一第一頂針，適於耦接至一位移裝置，以移動該些晶粒的一個；以及 多個第二頂針，適於耦接至該位移裝置，以同時移動該些晶粒的數個。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒挑揀總成，其中該些第二頂針以矩陣排列，所述的晶粒挑揀總成，更包括： 一第一針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該第一針蓋具有一第一針孔，該第一頂針在該第一針孔中移動；以及 一第二針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該第二針蓋具有至少一第二針孔，該些第二頂針在該至少一第二針孔中移動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒挑揀總成，其中該第一頂針與該些第二頂針以矩陣排列，該些第二頂針圍繞該第一頂針，所述的晶粒挑揀總成，更包括：一針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該針蓋具有至少一針孔，該第一頂針及該些第二頂針在該至少一針孔中移動。
  4. 一種晶粒挑揀總成，適於一次移動在一薄膜上的多個晶粒的一個或數個，該晶粒挑揀總成包括： 一第一頂針，適於耦接至一位移裝置，以移動該些晶粒的一個； 多個第二頂針，適於耦接至該位移裝置，以同時移動該些晶粒的數個；以及 一吸嘴，適於連接至一轉移裝置並耦接至一真空源，以吸取被該第一頂針及該些第二頂針所移動的該晶粒或該些晶粒，該吸嘴具有多個吸孔，該些吸孔分別對準該第一頂針及該些第二頂針或分別對準該些第二頂針。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的晶粒挑揀總成，其中該些第二頂針以矩陣排列，所述的晶粒挑揀總成，更包括： 一第一針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該第一針蓋具有一第一針孔，該第一頂針在該第一針孔中移動；以及 一第二針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該第二針蓋具有至少一第二針孔，該些第二頂針在該至少一第二針孔中移動。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的晶粒挑揀總成，其中該第一頂針與該些第二頂針以矩陣排列，該些第二頂針圍繞該第一頂針，所述的晶粒挑揀總成，更包括：一針蓋，適於耦接至一真空源，以固定該薄膜的一部分，該針蓋具有至少一針孔，該第一頂針及該些第二頂針在該至少一針孔中移動。
  7. 一種晶粒移動方法，適於在一薄膜上以矩陣排列的多個晶粒，一晶粒地圖記錄各該晶粒的位置及屬性，該晶粒移動方法包括： 依照一選定矩陣及屬性，區分該晶粒地圖中的該些晶粒為多個矩陣晶粒群及多個非矩陣晶粒，屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒的排列符合該選定矩陣，屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒的屬性彼此歸屬同一測試結果範圍下的類別； 移動屬於該些非矩陣晶粒之一的該晶粒，直到屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒全都被移動為止；以及 同時移動屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒，直到屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒全都被移動為止。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的晶粒移動方法，其中在屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒全被移動之後，同時移動屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒，直到屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒全都被移動為止。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的晶粒移動方法，更包括： 在移動該些晶粒之前，比較屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒的數量以及屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒的數量； 當屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒的數量大於屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒的數量時，先移動屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒，再移動屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒；以及 當屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒的數量小於屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒的數量時，先移動屬於該些矩陣晶粒群的該些晶粒，再移動屬於該些非矩陣晶粒的該些晶粒。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項所述的晶粒移動方法，其中在同時移動屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒的步驟中，經由多個頂針分別移動屬於該些矩陣晶粒群之一的該些晶粒，該些頂針的排列符合該選定矩陣。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的晶粒移動方法，其中經由該些頂針之一移動屬於該些非矩陣晶粒之一的該晶粒。
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