TW201941245A - 多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法 - Google Patents

多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201941245A
TW201941245A TW107145021A TW107145021A TW201941245A TW 201941245 A TW201941245 A TW 201941245A TW 107145021 A TW107145021 A TW 107145021A TW 107145021 A TW107145021 A TW 107145021A TW 201941245 A TW201941245 A TW 201941245A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
detection
electron beam
detection pixels
contrast
irradiation
Prior art date
Application number
TW107145021A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI719371B (zh
Inventor
石井浩一
安藤厚司
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW201941245A publication Critical patent/TW201941245A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI719371B publication Critical patent/TWI719371B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G01B11/254—Projection of a pattern, viewing through a pattern, e.g. moiré
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446—Position sensitive detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446—Position sensitive detectors
    • H01J2237/24465—Sectored detectors, e.g. quadrants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448—Secondary particle detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/282—Determination of microscope properties
    • H01J2237/2826—Calibration

Landscapes

  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本發明有關多射束檢查裝置及多(multi)檢測器的靈敏度修繕方法。
本發明的一個態樣之多射束檢查裝置，具備：多檢測器，具有複數個檢測像素，其接受因多1次電子束照射至試料而產生的多2次電子束當中各自相對應之2次電子束的照射，並且可接受2次電子束的照射之區域形成為比2次電子束的照射點尺寸還廣，而檢測多2次電子束；及檢查部，使用藉由多檢測器檢測出的多2次電子束的資訊，來檢查圖樣；及移動部，使往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置移動；及劣化判定部，判定複數個檢測像素當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化；及設定部，當至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，將往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置的移動目標設定至各自對應之同一檢測像素內。

Description

多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法
本發明有關多射束檢查裝置及多(multi)檢測器的靈敏度修繕方法。例如有關將用來使用多射束而取得檢查用的圖像之多檢測器的靈敏度劣化予以修繕之手法。
近年來隨著大規模積體電路(LSI)的高度積體化及大容量化，對半導體裝置要求之電路線寬愈來愈變狹小。該些半導體元件，是使用形成有電路圖樣之原圖圖樣(亦稱光罩或倍縮光罩，以下總稱為光罩)，藉由稱為所謂步進機之縮小投影曝光裝置將圖樣曝光轉印於晶圓上來做電路形成，藉此製造。
又，對於耗費莫大的製造成本之LSI的製造而言，產率的提升不可或缺。但，以十億位元(gigabyte)級的DRAM (隨機存取記憶體)為首，構成LSI之圖樣，從次微米成為了奈米尺度。近年來，隨著形成於半導體晶圓上之LSI圖樣尺寸的微細化，必須檢測出圖樣缺陷之尺寸亦成為極小。故，檢查被轉印至半導體晶圓上之超微細圖樣的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。除此之外，作為使產率降低的一個重大因素，可以舉出將超微細圖樣以光微影技術曝光、轉印至半導體晶圓上時所使用之光罩的圖樣缺陷。因此，檢查LSI製造中使用的轉印用光罩的缺陷之圖樣檢查裝置必須高精度化。
作為檢查手法，已知有下述方法，即，將拍攝形成於半導體晶圓或微影光罩等基板上之圖樣而得之測定圖像，和設計資料或拍攝基板上的同一圖樣而得之測定圖像予以比較，藉此進行檢查。例如，作為圖樣檢查方法，有將拍攝同一基板上的相異場所之同一圖樣而得之測定圖像資料彼此比較之「die to die(晶粒-晶粒)檢查」、或以圖樣設計而成的設計資料作為基礎而生成設計圖像資料(參照圖像)，而將其和拍攝圖樣而得之測定資料亦即測定圖像比較之「die to database(晶粒-資料庫)檢查」。該檢查裝置中的檢查方法中，檢查對象基板被載置於平台上，平台移動，藉此光束在試料上掃描，進行檢查。藉由光源及照明光學系統，光束會被照射至檢查對象基板。透射檢查對象基板或是反射的光會透過光學系統在感測器上成像。以感測器拍攝出的圖像，會作為測定資料被送往比較電路。比較電路中，做圖像彼此之對位後，將測定資料和參照資料遵照適合的演算法予以比較，當不一致的情形下，判定有圖樣缺陷。
上述圖樣檢查裝置中，是將雷射光照射至檢查對象基板，並拍攝其透射像或反射像，藉此取得光學圖像。相對於此，下述這樣的檢查裝置的開發亦在進展當中，即，在檢查對象基板上以電子束掃描(scan)，檢測伴隨電子束的照射而從檢查對象基板放出之2次電子，來取得圖樣像。使用了電子束之檢查裝置中，又，使用了多射束之裝置的開發亦在進展當中。多射束檢查裝置中，必須一次檢測複數個2次電子束，因此需要複數個檢測器(例如參照日本特開2009-009882號公報)。若將每一射束的檢測器並列複數台則不僅需要寬廣的配置空間，還會導致需要高精度的位置調整，故多像素的多檢測器係為有效。此處，多檢測器中，當在其中一個像素檢測靈敏度劣化了的情形下，必須使用周邊的像素的資訊，來修正測定出的圖像，或是更換多檢測器本體。當像素數和電子束數為同等的情形下，若使用周邊的像素的資訊來修正，則對於檢查所要求的圖樣尺寸精度而言，射束每1道份的資訊的比重大。因此，缺乏來自該靈敏度劣化了的像素之資訊，會有導致使缺陷檢查的精度大幅劣化之問題。此外，若每當一部分的像素劣化，便更換多檢測器全體，則不僅多檢測器花費的成本會增大，還有導致檢查裝置的運轉率變差之問題。故，理想是延長多檢測器的壽命。該問題不限於檢查裝置，在使用多射束來取得圖像之裝置中亦同樣可能發生。
本發明的一個態樣，係提供一種可延長當使用多射束來取得圖像的情形下之多檢測器的壽命之多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法。
本發明的一個態樣之多射束檢查裝置，具備：
平台，載置形成有圖樣之試料；及
多射束鏡柱，對試料照射多1次電子束；及
多檢測器，具有複數個檢測像素，其接受因多1次電子束照射至試料而產生的多2次電子束當中各自相對應之2次電子束的照射，並且可接受2次電子束的照射之區域形成為比2次電子束的照射點尺寸還廣，而檢測多2次電子束；及
檢查處理電路，使用藉由多檢測器檢測出的多2次電子束的資訊，來檢查圖樣；及
移動機構，使往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置移動；及
劣化判定處理電路，判定複數個檢測像素當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化；及
設定處理電路，當至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，將往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置的移動目標設定至各自相對應之同一檢測像素內。
本發明的一個態樣之多檢測器的靈敏度修繕方法，係
藉由具有複數個檢測像素之多檢測器來檢測因多1次電子束照射至評估圖樣而產生的多2次電子束，該複數個檢測像素是接受各自相對應之2次電子束的照射並且可接受2次電子束的照射之區域形成為比2次電子束的照射點尺寸還廣，
判定複數個檢測像素當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化，
當至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，使往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置在各自對應之檢測像素內移動，
當至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，將往複數個檢測像素的多2次電子束的照射位置的移動目標設定至各自對應之同一檢測像素內。
實施形態1.
圖1為實施形態1中的圖樣檢查裝置的構成示意概念圖。圖1中，檢查形成於基板之圖樣的檢查裝置100，為電子束檢查裝置的一例。此外，檢查裝置100，為多射束檢查裝置的一例。又，檢查裝置100，為電子束圖像取得裝置的一例。又，檢查裝置100，為多射束圖像取得裝置的一例。檢查裝置100，具備圖像取得機構150、及控制系統電路160。電子光學圖像取得機構150，具備電子束鏡柱102(亦稱為電子鏡筒)(多射束鏡柱的一例)、檢查室103、檢測電路106、晶片圖樣記憶體123、平台驅動機構142、及雷射測長系統122。在電子束鏡柱102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、集體遮沒偏向器212、射束分離器214、投影透鏡224，226、偏向器228、及多檢測器222。此外，多檢測器222，配置於檢測平台221上，配置成藉由檢測平台221的移動而可2維地移動。
在檢查室103內，配置有至少可於XY平面上移動之XY平台105。在XY平台105上，配置有作為檢查對象之基板101(試料)。基板101中，包含曝光用光罩基板、及矽晶圓等的半導體基板。當基板101為半導體基板的情形下，在半導體基板形成有複數個晶片圖樣(晶圓晶粒)。當基板101為曝光用光罩基板的情形下，在曝光用光罩基板形成有晶片圖樣。晶片圖樣，由複數個圖形圖樣所構成。形成於該曝光用光罩基板之晶片圖樣被複數次曝光轉印至半導體基板上，藉此，在半導體基板便會形成複數個晶片圖樣(晶圓晶粒)。以下，主要說明基板101為半導體基板之情形。基板101，例如以圖樣形成面朝向上側而被配置於XY平台105。此外，在XY平台105上，配置有將從配置於檢查室103的外部之雷射測長系統122照射的雷射測長用雷射光予以反射之鏡216。此外，在XY平台105上，配置有形成了後述的評估圖樣之評估標記217。評估標記217表面的高度位置配置於和基板101面實質上相同高度位置。多檢測器222，於電子束鏡柱102的外部連接至檢測電路106。檢測電路106，連接至晶片圖樣記憶體123。
控制系電路160中，控制檢查裝置100全體之控制計算機110，係透過匯流排120，連接至位置電路107、比較電路108、參照圖像作成電路112、平台控制電路114、透鏡控制電路124、遮沒控制電路126、偏向控制電路128、評估圖樣測定電路130、劣化像素搜索電路132、照射位置調整電路134、檢測器驅動控制電路136、磁碟裝置等的記憶裝置109、監視器117、記憶體118、及印表機119。此外，偏向控制電路128，連接至DAC(數位類比變換)放大器144、146。DAC放大器144連接至主偏向器208，DAC放大器146連接至副偏向器209。
此外，晶片圖樣記憶體123，連接至比較電路108。此外，XY平台105，在平台控制電路114的控制之下藉由驅動機構142而被驅動。驅動機構142中，例如，構成有於平台座標系中的X方向、Y方向、θ方向驅動之3軸(X-Y-θ)馬達這樣的驅動系統，使得XY平台105可移動。這些未圖示之X馬達、Y馬達、θ馬達，例如能夠使用步進馬達。XY平台105，藉由XYθ各軸的馬達而可於水平方向及旋轉方向移動。又，XY平台105的移動位置，會藉由雷射測長系統122而被測定，被供給至位置電路107。雷射測長系統122，接收來自鏡216的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來將XY平台105的位置予以測長。平台座標系，例如對於和多1次電子束的光軸正交之面，設定X方向、Y方向、θ方向。
此外，檢測平台221，在檢測器驅動控制電路136的控制之下藉由未圖示之驅動機構而被驅動。例如，構成有於2次電子檢測座標系中的X方向、Y方向、θ方向驅動之3軸(X-Y-θ)馬達這樣的驅動系統，使得檢測平台221可移動。2次電子檢測座標系，例如對於和多2次電子束的光軸正交之面，設定X方向、Y方向、θ方向。
在電子槍201，連接有未圖示之高壓電源電路，從高壓電源電路對於電子槍201內的未圖示燈絲(filament)與引出電極間施加加速電壓，並且藉由規定的引出電極(韋乃特(Wehnelt)電極)之電壓施加與規定溫度之陰極加熱，從陰極放出的電子群會受到加速，而成為電子束200被放出。照明透鏡202、縮小透鏡205、對物透鏡207、及投影透鏡224，226，例如是使用電磁透鏡，皆藉由透鏡控制電路124而受到控制。此外，射束分離器214亦藉由透鏡控制電路124而受到控制。集體遮沒偏向器212、及偏向器228，各自由至少2極的電極群所構成，藉由遮沒控制電路126而受到控制。主偏向器208，由至少4極的電極群所構成，透過配置於每一電極之DAC放大器144，藉由偏向控制電路128而受到控制。同樣地，副偏向器209，由至少4極的電極群所構成，透過配置於每一電極之DAC放大器146，藉由偏向控制電路128而受到控制。
此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必要之構成。對檢查裝置100而言，通常具備必要的其他構成亦無妨。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，有二維狀的橫(x方向)m1 列×縱(y方向)n1 段(m1 ，n1 為2以上的整數)的孔(開口部)22於x，y方向以規定之排列間距形成。圖2例子中，揭示形成有23×23的孔(開口部)22之情形。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同外徑的圓形亦可。電子束200的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束20。在此，雖然揭示了於橫縱(x，y方向)均配置了2列以上的孔22之例子，但並不限於此。例如，亦可為在橫縱(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的排列方式，亦不限於如圖2般配置成橫縱為格子狀之情形。例如，縱方向(y方向)第k段的列及第k+1段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第k+1段的列及第k+2段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。
圖像取得機構150，使用電子束所造成的多射束20，從形成有圖形圖樣之基板101取得圖形圖樣的被檢查圖像。以下，說明檢查裝置100中的圖像取得機構150的動作。
從電子槍201(放出源)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對成形孔徑陣列基板203全體做照明。在成形孔徑陣列基板203，如圖2所示，形成有矩形的複數個孔22(開口部)，電子束200對包含所有複數個孔22之區域做照明。照射至複數個孔22的位置之電子束200的各一部分，會分別通過該成形孔徑陣列基板203的複數個孔22，藉此形成例如矩形的複數個電子束(多射束)20a～20d(圖1的實線)(多1次電子束)。
形成的多射束20a～20d，其後，會形成交叉點(C.O.)，通過了配置於多射束20的各射束的交叉點位置之射束分離器214後，藉由縮小透鏡205被縮小，而朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。此處，當藉由配置於成形孔徑陣列基板203與縮小透鏡205之間的集體遮沒偏向器212，而多射束20a～20d全體被集體偏向的情形下，位置會偏離限制孔徑基板206的中心的孔，而藉由限制孔徑基板206被遮蔽。另一方面，未藉由集體遮沒偏向器212被偏向的多射束20a～20d，會如圖1所示通過限制孔徑基板206的中心的孔。藉由該集體遮沒偏向器212的ON/OFF，來進行遮沒控制，射束的ON/OFF受到集體控制。像這樣，限制孔徑基板206，是將藉由集體遮沒偏向器212而被偏向成為射束OFF的狀態之多射束20a～20d予以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束群，形成檢查用的多射束20a～20d。通過了限制孔徑基板206的多射束20a～20d，會藉由對物透鏡207而合焦於試料101面上，成為期望之縮小率的圖樣像(射束徑)，然後藉由主偏向器208及副偏向器209，通過了限制孔徑基板206的多射束20全體朝同方向被整體偏向，照射至各射束於基板101上的各自之照射位置。該情形下，藉由主偏向器208，將多射束20全體予以集體偏向至多射束20所掃描之光罩晶粒的基準位置。實施形態1中，例如一面使XY平台105連續移動一面進行掃描。因此，主偏向器208，係進一步以跟隨XY平台105的移動之方式進行追蹤偏向。然後，藉由副偏向器209，將多射束20全體做集體偏向以便各射束掃描各自相對應之區域內。一次所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率(1/a)而得之間距而並排。像這樣，電子束鏡柱102，一次會將二維狀的m1 ×n1 道的多射束20照射至基板101。由於多射束20被照射至基板101的期望之位置，從基板101會放出和多射束20的各射束相對應之包含反射電子之2次電子的束(多2次電子束300)(圖1的虛線)。
從基板101放出的多2次電子束300，藉由對物透鏡207，朝多2次電子束300的中心側被折射，而朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。通過了限制孔徑基板206的多2次電子束300，藉由縮小透鏡205被折射成和光軸近乎平行，而朝射束分離器214行進。
此處，射束分離器214是在和多射束20行進的方向(光軸)正交之面上，令電場與磁場於正交之方向產生。電場和電子的行進方向無關而對同一方向施力。相對於此，磁場會遵循弗萊明左手定則而施力。因此藉由電子的侵入方向能夠使作用於電子之力的方向變化。對於從上側朝射束分離器214侵入而來的多射束20(1次電子束)，電場所造成的力與磁場所造成的力會相互抵消，多射束20會朝下方直進。相對於此，對於從下側朝射束分離器214侵入而來的多2次電子束300，電場所造成的力與磁場所造成的力皆朝同一方向作用，多2次電子束300會朝斜上方被彎折。
朝斜上方被彎折了的多2次電子束300，藉由投影透鏡224、226，一面被折射一面被投影至多檢測器222。多檢測器222，檢測被投影的多2次電子束300。多檢測器222，例如具有未圖示之二極體型的二維感測器。然後，在和多射束20的各射束相對應之二極體型的二維感測器位置，多2次電子束300的各2次電子會衝撞二極體型的二維感測器，產生電子，對於後述每個像素生成2次電子圖像資料。此外，為了一面使XY平台105連續移動一面進行掃描，會如上述般進行追蹤偏向。配合該追蹤偏向所伴隨之偏向位置的移動，偏向器228做偏向以使多2次電子束300照射至多檢測器222的受光面中的期望的位置。
圖3為實施形態1中的多檢測器的構成，與照射至多檢測器的2次電子束說明用圖。圖3中，多檢測器222，具有複數個檢測像素223。多檢測器222，使用複數個檢測像素223檢測多2次電子束300。複數個檢測像素223，接受因多射束20照射至基板101而產生的多2次電子束300當中各自相對應的2次電子束11之照射。此外，複數個檢測像素223，如圖3所示，可接受2次電子束11的照射之受光區域，形成為比2次電子束11的照射點尺寸還廣。例如，各檢測像素223的受光區域尺寸為矩形的1～2mm四方，多2次電子束300的各2次電子束11的照射點的直徑合適是構成為200～300μm。
故，各檢測像素223，當接受相對應的2次電子束300之照射的情形下，僅使用其受光區域的一部分。多檢測器222中，由於複數個檢測像素223持續接受多2次電子束300的照射，會導致在各自的檢測像素223之檢測靈敏度劣化。檢測像素223的劣化，是在複數個檢測像素223個別地發生。因此，當在其中一個像素檢測靈敏度劣化了的情形下，必須使用周邊的像素的資訊，來修正測定出的圖像，或是更換多檢測器本體。當檢測像素223的像素數和多2次電子束300的數為同等的情形下，若使用周邊的像素的資訊來修正，則對於檢查所要求的圖樣尺寸精度而言，射束每1道份的資訊的比重大。因此，缺乏來自該靈敏度劣化了的像素之資訊，會導致使缺陷檢查的精度大幅劣化。此外，若每當一部分的像素劣化，便更換多檢測器222全體，則不僅多檢測器222花費的成本會增大，還會導致檢查裝置100的運轉率變差。鑑此，實施形態1中，是如以下說明之方式，延長多檢測器222的壽命。
圖4為實施形態1中的劣化像素搜索電路的內部構成的一例示意方塊圖。圖4中，在劣化像素搜索電路132內，配置磁碟裝置等的記憶裝置54、對比度演算部50、比較部52、像素指定部56、判定部58、偏移處理部60、對比度演算部62、比較部64、及劣化判定部66。對比度演算部50、比較部52、像素指定部56、判定部58、偏移處理部60、對比度演算部62、比較部64、及劣化判定部66這些各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「～部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。在對比度演算部50、比較部52、像素指定部56、判定部58、偏移處理部60、對比度演算部62、比較部64、及劣化判定部66內必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於未圖示之記憶體。
圖5為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分示意流程圖。圖5中，實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的一部分，係實施平台移動工程(S102)、掃描工程(S104)、對比度演算工程(S106)、判定工程(S108)、像素指定工程(S110)、判定工程(S112)、像素偏移工程(S114)、掃描工程(S116)、對比度演算工程(S118)、判定工程(S120)、及劣化判定工程(S122)這一連串工程。圖5例子中，作為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的一部分，揭示在多檢測器222的複數個檢測像素223當中，判定有無檢測靈敏度劣化了的檢測像素(劣化像素)之方法，換言之揭示劣化像素的搜索方法。
作為平台移動工程(S102)，在評估圖樣測定電路130所做的控制之下，平台控制電路114使XY平台105移動，使得XY平台105上的評估標記217落入多射束20的照射區域內。
作為掃描工程(S104)，在評估圖樣測定電路130所做的控制之下，圖像取得機構150使用評估圖樣，以多射束20掃描評估圖樣。然後，將以多射束20掃描評估圖樣而得到的多2次電子束300，使用多檢測器222檢測之。
圖6為實施形態1中的評估圖樣的一例示意圖。圖6中，在評估標記217，以多射束20的基板101上的排列間距，形成多射束20的射束道數以上之複數個矩形的圖形圖樣13。圖6中，虛線的一區塊10表示各1次電子束的掃描範圍，各圖形圖樣13，對於x、y方向以比相對應的1次電子束的掃描範圍還小之尺寸形成。然後，來自各區塊10的2次電子束入射至多檢測器222的相對應的檢測像素223。當多射束20的各1次電子束在相對應的圖形圖樣13上掃描之情形下，圖樣13的形狀會被辨識成從在各檢測像素223以時間序列取得的資訊予以再建構而成之圖像。圖6例子中，複數個圖形圖樣13以多射束20的基板101上的排列間距配置，使得各檢測像素223在1次的掃描動作中不會檢測複數個圖形圖樣13而是檢測1個圖形圖樣13。然後，圖像取得機構150，使用受到偏向控制電路128控制之主偏向器208，將評估圖樣捕捉於多射束20的照射區域內，使用受到偏向控制電路128控制之副偏向器209，一面將多射束20全體一齊偏向，多射束20的各1次電子束一面在相對應的圖形圖樣13上掃描(scan)。
然後，以多檢測器222檢測藉由多射束20之照射而從評估標記217放出之多2次電子束300。檢測出的資料，依測定順序被輸出至檢測電路106。在檢測電路106內，藉由未圖示之A/D變換器，類比的檢測資料被變換成數位資料，存儲於晶片圖樣記憶體123。藉由各檢測像素223檢測出的2次電子的像，成為相對應之圖形圖樣13的測定圖像。依此方式，圖像取得機構150，取得形成於評估標記217上之評估圖樣的測定圖像。
作為對比度演算工程(S106)，對比度演算部50(第1對比度演算部)，當藉由多檢測器222檢測出以多射束20掃描評估圖樣而得到之多2次電子束300的情形下，從檢測結果對複數個檢測像素223的每一檢測像素演算2次電子束像的對比度。具體而言，從藉由各檢測像素223檢測出的相對應之圖形圖樣13的2次電子像，演算圖形圖樣13部分與圖形圖樣13的周圍部分之間的對比度的值。例如，演算檢測強度的差分值。
作為判定工程(S108)，比較部52(第1比較部)，對每一檢測像素223，將演算出的對比度的值和事先取得的基準對比度的值比較，基於比較結果，判定有無已有靈敏度劣化的可能性之劣化檢測像素候補。基準對比度，是於將檢查裝置100中使用的多檢測器222搭載至檢查裝置100的時間點或搭載前，事先檢測上述的評估圖樣的2次電子像，從該檢測結果對複數個檢測像素223的每一檢測像素先演算2次電子束像的基準對比度。當於搭載前取得基準對比度的情形下，可安裝評估用的檢查裝置或圖像取得裝置，藉由實驗來求出。藉由和基準對比度之比較，便能評估目前的檢測像素223的檢測靈敏度。此處，判定有無演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)比閾值Th1還大之成為劣化檢測像素候補的檢測像素223。當不存在演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)比閾值Th1還大之檢測像素223的情形下，進入劣化判定工程(S122)。當只要存在1個演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)比閾值Th1還大之檢測像素223的情形下，進入像素指定工程(S110)。劣化檢測像素候補的資訊會被存儲於記憶裝置54。
作為像素指定工程(S110)，像素指定部56，指定和成為劣化檢測像素候補的檢測像素223鄰接之鄰接檢測像素。當劣化檢測像素候補包含複數個檢測像素223的情形下，針對各自的劣化檢測像素候補，指定於同一方向鄰接之鄰接檢測像素。例如，指定於x方向鄰接之鄰接檢測像素。
作為判定工程(S112)，判定部58，判定被指定的鄰接檢測像素是否為劣化檢測像素候補。當劣化檢測像素候補包含複數個檢測像素223的情形下，對每一劣化檢測像素候補，同樣地判定被指定的鄰接檢測像素是否為劣化檢測像素候補。當所有的劣化檢測像素候補的鄰接檢測像素當中只要有1個為劣化檢測像素候補的情形下，回到像素指定工程(S110)。當所有的劣化檢測像素候補的鄰接檢測像素非為劣化檢測像素候補的情形下，進入像素偏移工程(S114)。
當所有的劣化檢測像素候補的鄰接檢測像素當中只要有1個為劣化檢測像素候補的情形下，回到像素指定工程(S110)，反覆做像素指定工程(S110)及判定工程(S112)，直到判定工程(S112)中判定所有的劣化檢測像素候補的鄰接檢測像素非為劣化檢測像素候補為止。該情形下，像素指定工程(S110)中，會指定於和至今為止指定的鄰接方向相異的方向鄰接之鄰接檢測像素。例如，當以劣化檢測像素候補為中心針對鄰接的8方向全部指定而任一鄰接檢測像素皆為劣化檢測像素候補的情形下，會進行該主旨之錯誤顯示而結束。或是，亦可以劣化檢測像素候補為中心而依序指定8方向的相鄰2個之鄰接檢測像素。即便如此任一鄰接檢測像素仍皆為劣化檢測像素候補的情形下，亦可以相鄰3個、相鄰4個、…之順序擴大指定範圍。在該情形下，於能夠指定之鄰接檢測像素用完了的時間點會進行該主旨之錯誤顯示而結束。或是，對每一劣化檢測像素候補找到正常的鄰接檢測像素而做判定亦合適。前者有著藉由一次的偏移能夠針對所有的劣化檢測像素候補做判定之優點，但組合有所限制因此搜索也可能會花費時間。另一方面，後者是對每一劣化檢測像素候補進行搜搜索及判定，故乍看之下雖認為效率不佳但總體而言也可能縮短搜索時間。
作為像素偏移工程(S114)，偏移處理部60，當劣化檢測像素候補存在的情形下，使多2次電子束300的各2次電子束所照射之檢測像素223偏移。此處，是依下述方式偏移，即，使原本照射至劣化檢測像素候補的2次電子束，照射至判定所有的劣化檢測像素候補的鄰接檢測像素非為劣化檢測像素候補之鄰接檢測像素。
圖7為實施形態1中的像素偏移的做法說明用圖。圖7例子中，揭示座標(x-1，y)的檢測像素223為劣化檢測像素候補之情形。例如，當判定於x方向相鄰1個之鄰接檢測像素非為劣化檢測像素候補的情形下，將多2次電子束300的各2次電子束所照射之檢測像素223朝於x方向相鄰1個之檢測像素223偏移。具體而言，偏移處理部60，對檢測器驅動控制電路136輸出使檢測平台221移動之控制訊號。然後，檢測器驅動控制電路136，使檢測平台221(移動部、移動機構的一例)移動，藉此機械性地使相對於多2次電子束300而言之複數個檢測像素223的配置位置移動。或是，偏移處理部60，對偏向控制電路128輸出使偏向器228的偏向位置移動之控制訊號。然後，偏向控制電路128，使偏向器228(移動部、移動機構的另一例)的偏向位置移動，藉此電磁光學性地使往複數個檢測像素223之多2次電子束300的照射位置移動。無論哪一種，此處，是以各2次電子束11所照射之檢測像素223會切換至另一檢測像素223之方式來偏移。其結果，如圖7所示，原本照射至座標(x-1，y)的檢測像素223之2次電子束12，其照射位置會被偏移而照射至座標(x，y)的檢測像素223。多2次電子束300一齊被偏移，因此例如原本照射至座標(x-1，y+1)的檢測像素223之2次電子束11，其照射位置會被偏移而照射至座標(x，y+1)的檢測像素223。同樣地，原本照射至座標(x，y+1)的檢測像素223之2次電子束11，其照射位置會被偏移而照射至座標(x+1，y+1)的檢測像素223。同樣地，原本照射至座標(x，y)的檢測像素223之2次電子束11，其照射位置會被偏移而照射至座標(x+1，y)的檢測像素223。同樣地，原本照射至座標(x-1，y-1)的檢測像素223之2次電子束11，其照射位置會被偏移而照射至座標(x，y-1)的檢測像素223。同樣地，原本照射至座標(x，y-1)的檢測像素223之2次電子束11，其照射位置會被偏移而照射至座標(x+1，y-1)的檢測像素223。由於多2次電子束300的一齊偏移，2次電子束11會各自變得無法照射至多檢測器222的複數個檢測像素223當中1列份的檢測像素223，但此處是為了進行劣化像素的搜索而進行，故不會對檢查對象基板101的圖像取得帶來影響。
作為掃描工程(S116)，在評估圖樣測定電路130所做的控制之下，圖像取得機構150使用評估圖樣，以多射束20掃描評估圖樣。然後，將以多射束20掃描評估圖樣而得到的多2次電子束300，使用多檢測器222檢測之。
然後，以多檢測器222檢測藉由多射束20之照射而從評估標記217放出之多2次電子束300。檢測出的資料，依測定順序被輸出至檢測電路106。在檢測電路106內，藉由未圖示之A/D變換器，類比的檢測資料被變換成數位資料，存儲於晶片圖樣記憶體123。藉由各檢測像素223檢測出的2次電子的像，成為相對應之圖形圖樣13的測定圖像。依此方式，圖像取得機構150，取得形成於評估標記217上之評估圖樣的測定圖像。此處，藉由多射束20的照射而放出的多2次電子束300的各2次電子束11所照射之多檢測器222的檢測像素223係至少被偏移1像素份。故，對上述的劣化檢測像素候補，會照射和掃描工程(S104)時所照射的2次電子束11相異之2次電子束11。
作為對比度演算工程(S118)，對比度演算部62(第2對比度演算部)，對於劣化檢測像素候補，在檢測像素223被偏移了的狀態下，當藉由多檢測器222檢測出以多射束20掃描評估圖樣而得到之多2次電子束300的情形下，從劣化檢測像素候補的檢測結果來演算2次電子束像的對比度。具體而言，從藉由成為劣化檢測像素候補的各檢測像素223檢測出的相對應之圖形圖樣13的2次電子像，演算圖形圖樣13部分與圖形圖樣13的周圍部分之間的對比度的值。例如，演算檢測強度的差分值。
作為判定工程(S120)，比較部64(第2比較部)，對於劣化檢測像素候補，將演算出的對比度和事先取得的基準對比度比較。基準對比度如上所述。此處，係判定對於劣化檢測像素候補演算出的對比度C與該劣化檢測像素候補的基準對比度C0之差分值(C-C0)是否比閾值Th1還大。
作為劣化判定工程(S122)，劣化判定部66，判定複數個檢測像素223當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化。此處，劣化判定部66，基於檢測像素223被偏移的狀態下得到之劣化檢測像素候補的比較結果，判定劣化檢測像素候補的靈敏度是否劣化。首先，當判定工程(S120)中對於劣化檢測像素候補演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)比閾值Th1還大的情形下，劣化判定部66，判定該劣化檢測像素候補的檢測像素223的靈敏度劣化。由於是即使切換照射之2次電子束11，對比度C仍與基準對比度C0乖離之情形，故能夠判定該劣化檢測像素候補的檢測像素223的靈敏度劣化。
另一方面，當判定工程(S120)中對於劣化檢測像素候補演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)未比閾值Th1還大的情形下，劣化判定部66，判定該劣化檢測像素候補的檢測像素223的靈敏度並無劣化，取而代之會判定掃描工程(S104)時照射之2次電子束11的射束異常。然後，輸出示意該主旨之警告而結束劣化像素搜索。
此外，當判定工程(S108)中不存在演算出的對比度C與基準對比度C0之差分值(C-C0)比閾值Th1還大之檢測像素223的情形下，劣化判定部66，判定所有的檢測像素223的靈敏度為良好。然後，輸出判定結果而結束劣化像素搜索。
依以上方式，劣化像素搜索電路132，針對複數個檢測像素223搜索劣化像素。然後，經搜索，被判定檢測靈敏度劣化了的劣化像素之資訊，會被輸出至照射位置調整電路134。
圖8為實施形態1中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。圖8中，在實施形態1中的照射位置調整電路134內，配置偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、及移動處理部76。偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、及移動處理部76這些各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「～部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、及移動處理部76內必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於未圖示之記憶體。
圖9為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。圖9中，實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分，係實施偏移候補位置演算工程(S202)、偏移候補位置選擇工程(S204)、偏移位置設定工程(S270)、照射位置移動工程(S272)這一連串工程。圖9例子中，作為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分，揭示將搜索到的劣化像素的靈敏度予以修繕之方法。
作為偏移候補位置演算工程(S202)，偏移候補位置演算部70，演算目前照射多檢測器222的各檢測像素223之相對應2次電子束11，今後可在同一檢測像素內移動之照射可能位置(偏移候補位置)。
圖10為實施形態1中的在檢測像素內移動的照射位置的一例示意圖。多檢測器222的各檢測像素223的受光區域尺寸，形成為比2次電子束11的照射點尺寸還廣。故，各2次電子束11，只不過照射至相對應的檢測像素223的受光區域的一部分。又，檢測像素223的靈敏度劣化的是該2次電子束11的照射點部分。鑑此，實施形態1中，是使2次電子束11的照射點在同一檢測像素內移動。圖10例子中，從各檢測像素223的受光區域的左上角位置朝x方向，以和2次電子束11的照射點尺寸同等或比其還稍大的間距依序使照射位置偏移。然後，一旦到達了右端部，便朝-y方向以同樣的間距挪移，這次朝-x方向以該間距依序使照射位置偏移。藉由反覆做該蛇行之偏移動作，能夠使照射位置從靈敏度的劣化部分往正常部分移動。鑑此，偏移候補位置演算部70，演算檢測像素223的受光區域當中尚未成為照射位置之剩餘的可照射的偏移候補位置的座標。剩餘的可照射的偏移候補位置的座標，例如是沿著圖10所示之蛇行軌道依序演算。
作為偏移候補位置選擇工程(S204)，選擇部72，從演算出的剩餘的可照射的偏移候補位置的座標當中選擇1者。實施形態1中，選擇部72，例如可選擇沿著圖10所示蛇行軌道而鄰接之偏移候補位置的座標。
作為偏移位置設定工程(S270)，設定部74，當至少1個檢測像素223的靈敏度劣化的情形下，將往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置的移動目標(偏移位置)設定至各自相對應之同一檢測像素223內。具體而言，設定被選擇之偏移候補位置的座標。
作為照射位置移動工程(S272)，偏移處理部76，對檢測器驅動控制電路136輸出使檢測平台221移動之控制訊號。然後，檢測器驅動控制電路136，使檢測平台221(移動部的一例)移動，藉此機械性地使相對於多2次電子束300而言之複數個檢測像素223的配置位置移動。藉由檢測平台221之移動，會使往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置在檢測像素223的受光區域內朝偏移位置移動。或是，移動處理部76，對偏向控制電路128輸出使偏向器228的偏向位置移動之控制訊號。然後，偏向控制電路128，使偏向器228(移動部的另一例)的偏向位置移動，藉此電磁光學性地使往複數個檢測像素223之多2次電子束300的照射位置移動至偏移位置。無論哪一種，此處，是以各2次電子束11在所照射之同一檢測像素223內其照射位置會切換至偏移位置之方式來使照射位置移動。其結果，如圖10所示，各檢測像素223中的2次電子束11的照射位置會在同一檢測像素223內移動至相鄰之照射位置(偏移位置)。
藉由以上，各檢測像素223中，能夠在尚未被使用於2次電子束11的檢測之新位置做2次電子束11之檢測。如此一來，便能使劣化像素的靈敏度改善。故，能夠修繕多檢測器222的靈敏度。圖5及圖8所示多檢測器222的靈敏度修繕方法的流程，合適是於實施檢查對象基板101的檢查處理之前每次實施。或是，亦可不對每一基板101，而是定期地實施。然後，使用靈敏度經修繕之多檢測器222，進行檢查對象基板101之檢查處理。
圖11為實施形態1中的檢查方法的主要工程示意流程圖。圖11中，實施形態1中的檢查方法，係實施2次電子圖像取得工程(S302)、參照圖像作成工程(S304)、對位工程(S306)、及比較工程(S308)這一連串工程。
作為2次電子圖像取得工程(S302)，圖像取得機構150，使用多射束20取得形成有圖形圖樣之被檢查基板101的2次電子圖像。
圖12為實施形態1中的形成於半導體基板之複數個晶片區域的一例示意圖。圖12中，當基板101為半導體基板(晶圓)的情形下，在半導體基板(晶圓)的檢查區域330，有複數個晶片(晶圓晶粒)332形成為2維的陣列狀。對於各晶片332，藉由未圖示之曝光裝置(步進機)，形成於曝光用光罩基板之1晶片份的光罩圖樣例如會被縮小成1/4而被轉印。各晶片332內，例如被分割成2維狀的橫(x方向)m2 列×縱(y方向)n2 段(m2 ，n2 為2以上的整數)個的複數個光罩晶粒33。實施形態1中，該光罩晶粒33成為單位檢查區域。
圖13為實施形態1中的多射束的照射區域與測定用像素的一例示意圖。圖13中，各光罩晶粒33，例如以多射束20的每1道射束的射束尺寸被分割成網目狀的複數個網目區域。該各網目區域，成為測定用像素36(單位照射區域)。圖13例子中，揭示8×8列的多射束之情形。1次的多射束20的照射所可照射之照射區域34，是由(基板101面上的多射束20的x方向的射束間間距乘上x方向的射束數而得之x方向尺寸)×(基板101面上的多射束20的y方向的射束間間距乘上y方向的射束數而得之y方向尺寸)來定義。圖12例子中，揭示照射區域34和光罩晶粒33為相同尺寸之情形。但，並不限於此。照射區域34亦可比光罩晶粒33還小。或較大亦無妨。又，揭示在照射區域34內，一次的多射束20的照射所可照射之複數個測定用像素28(1擊發時的射束的照射位置)。換言之，相鄰測定用像素28間的間距會成為多射束的各射束間的間距。圖13例子中，藉由被相鄰4個測定用像素28所包圍，且包括4個測定用像素28當中的1個測定用像素28之正方形的區域，來構成1個子照射區域29。圖13例子中，揭示各子照射區域29由4×4像素36所構成之情形。
實施形態1中的掃描動作中，是對每一光罩晶粒33掃描(scan)。圖13例子中，揭示掃描某1個光罩晶粒33之情形的一例。當多射束20全部被使用的情形下，在1個照射區域34內，會成為於x，y方向有(2維狀地)m1 ×n1 個的子照射區域29排列。使XY平台105移動至多射束20可照射至第1個的光罩晶粒33之位置。然後，藉由主偏向器208，以跟隨XY平台105的移動之方式，一面進行追蹤偏向，一面在受到追蹤偏向的狀態下，藉由副偏向器209，以該光罩晶粒33作為照射區域34而在該光罩晶粒33內做掃描(掃描動作)。構成多射束20的各射束，會負責彼此相異之其中一個子照射區域29。然後，於各擊發時，各射束，會照射相當於負責子照射區域29內的同一位置之1個測定用像素28。圖12例子中，藉由副偏向器209，各射束，於第1擊發會被偏向以便照射負責子照射區域29內的從最下段右邊起算第1個的測定用像素36。然後，進行第1擊發之照射。接著，藉由副偏向器209將多射束20全體集體朝y方向使射束偏向位置偏移恰好1個測定用像素36份，於第2擊發照射負責子照射區域29內的從下方數來第2段的右邊起算第1個的測定用像素36。同樣地，於第3擊發會照射負責子照射區域29內的從下方數來第3段的右邊起算第1個的測定用像素36。於第4擊發會照射負責子照射區域29內的從下方數來第4段的右邊起算第1個的測定用像素36。接下來，藉由副偏向器209將多射束20全體集體使射束偏向位置偏移至從最下段右邊數來第2個測定用像素36的位置，同樣地，朝向y方向依序逐漸照射測定用像素36。反覆該動作，以1個射束依序逐漸照射1個子照射區域29內的所有測定用像素36。1次的擊發中，藉由因通過成形孔徑陣列基板203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣檢測對應於和各孔22同數量的複數個射束擊發之多2次電子束300。
像以上這樣，多射束20全體而言，會將光罩晶粒33訂為照射區域34而掃描(scan)，但各射束會掃描各自相對應之1個子照射區域29。然後，若1個光罩晶粒33的掃描(scan)結束，則移動而使得鄰接的下一光罩晶粒33成為照射區域34，進行該鄰接的下一光罩晶粒33之掃描(scan)。反覆該動作，逐漸進行各晶片332的掃描。每次藉由多射束20之擊發，會從被照射的測定用像素36放出2次電子，在多檢測器222受到檢測。實施形態1中，多檢測器222的各檢測像素223，會對每一測定用像素36(或每一子照射區域29)檢測從各測定用像素36朝上方放出的2次電子束11。
像以上這樣藉由使用多射束20做掃描，相較於以單射束掃描的情形能夠高速地達成掃描動作(測定)。另，亦可藉由步進及重複(step-and-repeat)動作來進行各光罩晶粒33之掃描，亦可一面使XY平台105連續移動一面進行各光罩晶粒33之掃描。當照射區域34比光罩晶粒33還小的情形下，只要在該光罩晶粒33中一面使照射區域34移動一面進行掃描動作即可。
當基板101為曝光用光罩基板的情形下，會將形成於曝光用光罩基板之1晶片份的晶片區域例如以上述的光罩晶粒33的尺寸予以長條狀地分割成複數個條紋區域。然後，對每一條紋區域，藉由和上述動作同樣的掃描來掃描各光罩晶粒33即可。曝光用光罩基板中的光罩晶粒33的尺寸，為轉印前的尺寸，故為半導體基板的光罩晶粒33的4倍尺寸。因此，當照射區域34比曝光用光罩基板中的光罩晶粒33還小的情形下，1晶片份的掃描動作會增加(例如4倍)。但，在曝光用光罩基板是形成1晶片份的圖樣，故比起形成有比4晶片還多的晶片之半導體基板，掃描次數只需較少。
像以上這樣，圖像取得機構150，使用多射束20掃描形成有圖形圖樣之被檢查基板101上，而檢測因受到多射束20照射而從被檢查基板101放出的多2次電子束300。藉由多檢測器222檢測出的來自各測定用像素36之2次電子的檢測資料(2次電子圖像；測定圖像；被檢查圖像)，會依測定順序被輸出至檢測電路106。在檢測電路106內，藉由未圖示之A/D變換器，類比的檢測資料被變換成數位資料，存儲於晶片圖樣記憶體123。依此方式，圖像取得機構150，取得形成於基板101上之圖樣的測定圖像。然後，例如在蓄積了1個晶片332份的檢測資料之階段，會作為或晶片圖樣資料，和來自位置電路107的示意各位置之資訊一起被轉送至比較電路108。
作為參照圖像作成工程(S304)，參照圖像作成電路112，基於作為在基板101形成圖樣的基礎之設計資料、或是定義著形成於基板101之圖樣的曝光影像資料之設計圖樣資料，來對每一光罩晶粒作成參照圖像。具體而言係如以下般動作。首先，從記憶裝置109通過控制計算機110讀出設計圖樣資料，將讀出的設計圖樣資料中定義之各圖形圖樣變換成2元值或多元值的影像資料。
此處，設計圖樣資料中定義之圖形，例如是以長方形或三角形作為基本圖形之物，例如，存儲有藉由圖形的基準位置之座標(x、y)、邊的長度、區別長方形或三角形等圖形種類之作為識別符的圖形代碼這些資訊來定義各圖樣圖形的形狀、大小、位置等而成之圖形資料。
該作為圖形資料的設計圖樣資料一旦被輸入至參照圖像作成電路112，就會擴展到每個圖形的資料，而解譯示意該圖形資料的圖形形狀之圖形代碼、圖形尺寸等。然後，將2元值或多元值之設計圖樣圖像資料予以擴展、輸出，作為配置於以規定的量子化尺寸的格子為單位之棋盤格內的圖樣。換言之，將設計資料讀入，對於將檢查區域予以假想分割成以規定尺寸為單位之棋盤格而成的每個棋盤格，演算設計圖樣中的圖形所占之占有率，而輸出n位元的占有率資料。例如，合適是將1個棋盤格設定作為1像素。然後，若訂定令1像素具有1/28 (=1/256)的解析力，則將1/256的小區域恰好分配至配置於像素內之圖形的區域份，來演算像素內的占有率。然後，輸出至參照電路112作為8位元的占有率資料。該棋盤格(檢查像素)，可契合於測定資料的像素。
接下來，參照圖像作成電路112，對圖形的影像資料亦即設計圖樣的設計圖像資料施加適當的濾波處理。作為測定圖像之光學圖像資料，係處於由於光學系統而濾波起作用之狀態，換言之處於連續變化的類比狀態，因此藉由對圖像強度(濃淡值)為數位值之設計側的影像資料亦即設計圖像資料也施加濾波處理，便能契合測定資料。作成的參照圖像之圖像資料被輸出至比較電路108，被存儲於比較電路108內的未圖示之記憶體。
然後，比較電路108(檢查部、檢查處理電路)，使用藉由多檢測器222檢測出的多2次電子束300的資訊，檢查形成於基板101之圖樣。具體而言係如以下般動作。
作為對位工程(S306)，比較電路108，進行作為被檢查圖像的光罩晶粒圖像和作為參照圖像的光罩晶粒圖像之對位。例如，使用最小平方法進行對位。此處，作為被檢查圖像，例如使用光罩晶粒圖像。
作為比較工程(S308)，比較電路108，將從基板101測定出的測定圖像和相對應之參照圖像比較。具體而言，將被對位的被檢查圖像與參照圖像，依每一像素比較。使用規定的判定閾值而遵照規定的判定條件依每個像素比較兩者，例如判定有無形狀缺陷這些缺陷。例如，若每個像素的階度值差比判定閾值Th還大則判定為缺陷候補。然後，比較結果被輸出。比較結果，可被輸出至記憶裝置109、監視器117、或記憶體118，或藉由印表機119被輸出。
除了上述的晶粒-資料庫檢查以外，亦可進行晶粒-晶粒檢查。當進行晶粒-晶粒檢查的情形下，是將拍攝同一基板101上的相異場所的同一圖樣而得之測定圖像資料彼此比較。因此，圖像取得機構150，使用多射束20(電子束)，從同一圖形圖樣彼此(第1與第2圖形圖樣)形成於相異位置之基板101，取得一方的圖形圖樣(第1圖形圖樣)與另一方的圖形圖樣(第2圖形圖樣)各自之2次電子圖像亦即測定圖像。該情形下，取得的一方的圖形圖樣的測定圖像成為參照圖像，另一方的圖形圖樣的測定圖像成為被檢查圖像。取得的一方的圖形圖樣(第1圖形圖樣)與另一方的圖形圖樣(第2圖形圖樣)的圖像，可位於同一晶片圖樣資料內，亦可被分成相異的晶片圖樣資料。檢查的做法，可和晶粒－資料庫檢查同樣。
像以上這樣，按照實施形態1，能夠延長當使用多射束20取得圖像的情形下之多檢測器222的壽命。因此，能夠使檢查裝置100的運轉率提升。

實施形態2.
實施形態1中，說明了將多檢測器222的檢測像素223的受光區域內的2次電子束11的照射位置以事先設定好的順序逐漸偏移之情形，但多檢測器222的修繕方法並不限於此。實施形態2中，說明謀求被偏移的位置的最佳化之構成。實施形態2中的檢查裝置100的構成和圖1相同。此外，實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分和圖5相同。此外，實施形態2中的檢查方法的主要工程和圖11相同。以下除特別說明的點以外之內容，均和實施形態1相同。
首先，如同實施形態1般，實施圖5所示判定有無檢測靈敏度劣化了的檢測像素(劣化像素)之方法的各工程，換言之實施劣化像素的搜索方法的各工程。如此一來，可知哪一檢測像素223為劣化像素。
圖14為實施形態2中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。圖14中，在實施形態2中的照射位置調整電路134內，在圖8所示之內部構成，更配置對比度演算部80、平均值演算部82、變異(variation)演算部84、平均值比較部86、變異比較部88、判定部90、及變更部92。偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、移動處理部76、對比度演算部80、平均值演算部82、變異演算部84、平均值比較部86、變異比較部88、判定部90、及變更部92這些各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「～部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、移動處理部76、對比度演算部80、平均值演算部82、變異演算部84、平均值比較部86、變異比較部88、判定部90、及變更部92內必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於未圖示之記憶體。
圖15為實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。圖15中，實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分，係實施偏移候補位置演算工程(S212)、偏移候補位置選擇工程(S214)、照射位置移動工程(S216)、掃描工程(S218)、對比度演算工程(S220)、平均值演算工程(S222)、判定工程(S224)、變異演算工程(S226)、判定工程(S228)、判定工程(S230)、偏移候補位置變更工程(S232)、偏移位置設定工程(S270)、及照射位置移動工程(S272)這一連串工程。圖15例子中，接續圖5所示之多檢測器222的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分，揭示實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分。
作為偏移候補位置演算工程(S212)，偏移候補位置演算部70，演算目前照射多檢測器222的各檢測像素223之相對應2次電子束11，今後可在同一檢測像素內移動之照射可能位置(偏移候補位置)。然後，對演算出的各偏移候補位置(座標)，會賦予索引編號i=1～N(N為自然數)。如圖10例子中說明般，係演算設想使其以和2次電子束11的照射點尺寸同等或比其稍大的間距偏移的情形下之2次電子束11的照射可能位置(偏移候補位置)。偏移位置的索引編號i，例如沿著圖10所示之蛇行軌道依序被賦予。換言之索引編號i，例如以座標順序被賦予。
作為偏移候補位置選擇工程(S214)，選擇部72，從至少1個偏移候補位置當中選擇1個偏移候補位置。此處，選擇索引編號i=1。
作為照射位置移動工程(S216)，檢測平台221(移動部)，使多2次電子束200的照射位置在各自相對應之檢測像素223內移動。移動處理部76，對檢測器驅動控制電路136輸出使檢測平台221移動之控制訊號。然後，檢測器驅動控制電路136，使檢測平台221(移動部的一例)移動，藉此機械性地使相對於多2次電子束300而言之複數個檢測像素223的配置位置移動。藉由檢測平台221之移動，會使往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置在檢測像素223的受光區域內暫且移動至索引編號i的偏移候補位置。如後述般，為了偏移位置的最佳化會反覆做必要的工程，故檢測平台221(移動部)會使多2次電子束200的照射位置在各自相對應之檢測像素223內至少移動1次。或是，移動處理部76，對偏向控制電路128輸出使偏向器228的偏向位置移動之控制訊號。然後，偏向控制電路128，使偏向器228(移動部的另一例)的偏向位置移動，藉此電磁光學性地使往複數個檢測像素223之多2次電子束300的照射位置暫且移動至索引編號i的偏移候補位置亦可。在該情形下，偏向器228(移動部的另一例)會使多2次電子束200的照射位置在各自相對應之檢測像素223內至少移動1次。無論哪一種，此處，是以各2次電子束11在所照射之同一檢測像素223內其照射位置會切換之方式來使照射位置移動。
作為掃描工程(S218)，在評估圖樣測定電路130所做的控制之下，圖像取得機構150使用評估圖樣，以多射束20掃描評估圖樣。然後，將以多射束20掃描評估圖樣而得到的多2次電子束300，使用多檢測器222檢測之。
然後，以多檢測器222檢測藉由多射束20之照射而從評估標記217放出之多2次電子束300。檢測出的資料，依測定順序被輸出至檢測電路106。在檢測電路106內，藉由未圖示之A/D變換器，類比的檢測資料被變換成數位資料，存儲於晶片圖樣記憶體123。藉由各檢測像素223檢測出的2次電子的像，成為相對應之圖形圖樣13的測定圖像。依此方式，圖像取得機構150，取得形成於評估標記217上之評估圖樣的測定圖像。此處，藉由多射束20的照射而放出的多2次電子束300的各2次電子束11在多檢測器222的檢測像素223內照射之照射位置，係被暫且移動至索引編號i的位置。
作為對比度演算工程(S220)，對比度演算部80，在使多2次電子束300的照射位置至少移動1次後的各狀態下，使用評估圖樣，當藉由多檢測器222檢測出以多射束20掃描評估圖樣而得到之多2次電子束300的情形下，從檢測結果對複數個檢測像素223的每一檢測像素演算2次電子束像的對比度。具體而言，從藉由各檢測像素223檢測出的相對應之圖形圖樣13的2次電子像，演算圖形圖樣13部分與圖形圖樣13的周圍部分之間的對比度的值。例如，演算檢測強度的差分值。
作為平均值演算工程(S222)，平均值演算部82，當在索引編號i的偏移候補位置檢測出各2次電子束11的情形下，演算複數個檢測像素223的全檢測像素中的對比度的平均值Cave。
作為判定工程(S224)，平均值比較部86，將演算出的對比度的平均值Cave和平均值閾值Thave比較。具體而言，平均值比較部86，當在索引編號i的偏移候補位置檢測出各2次電子束11的情形下，判定全檢測像素223中的對比度的平均值Cave是否比平均值閾值Thave還大。當全檢測像素223中的對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大的情形下，進入變異演算工程(S226)。當全檢測像素223中的對比度的平均值Cave未比平均值閾值Thave還大的情形下，進入判定工程(S230)。
作為變異演算工程(S226)，變異演算部84，演算複數個檢測像素223的全檢測像素中的對比度的變異Csig。作為對比度的變異Csig，例如演算全檢測像素223的對比度值的標準差。
作為判定工程(S228)，變異比較部88，將演算出的對比度的變異Csig和變異閾值Thsig比較。具體而言，變異比較部88，當在索引編號i的偏移候補位置檢測出各2次電子束11的情形下，判定全檢測像素223中的對比度的變異Csig是否比變異閾值Thsig還小。當全檢測像素223中的對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小的情形下，進入偏移候補位置變更工程(S232)。當全檢測像素223中的對比度的變異Csig未比變異閾值Thsig還小的情形下，進入判定工程(S230)。
作為判定工程(S230)，判定部90，判定目前設定的索引編號i是否為最終編號的N。當索引編號i非為最終編號的N的情形下，進入偏移候補位置變更工程(S232)。當索引編號i為最終編號的N的情形下，輸出督促多檢測器222的更換之警報而結束。
作為偏移候補位置變更工程(S232)，變更部92，將目前設定的索引編號i的偏移候補位置，從演算出的複數個偏移候補位置當中變更成另一個偏移候補位置。此處，係變更成對索引編號i加計1而成之索引編號的偏移候補位置。另，當實施偏移候補位置變更工程(S232)的情形下，索引編號i尚不應為最終編號的N，故偏移候補位置演算工程(S212)中當然會演算複數個偏移候補位置。
然後，回到照射位置移動工程(S216)，反覆從照射位置移動工程(S216)至偏移候補位置變更工程(S232)為止之各工程，直到判定工程(S228)中判定全檢測像素223中的對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小為止，或是直到判定工程(S230)中判定索引編號i為最終編號的N為止。藉由以上，便能找出對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移候補位置。
作為偏移位置設定工程(S270)，設定部74，當至少1個檢測像素223的靈敏度劣化的情形下，將往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置的移動目標設定至各自相對應之同一檢測像素223內。具體而言，設定部74，基於對比度的平均值Cave的比較結果及對比度的變異Csig的比較結果，將多2次電子束300的照射位置的移動目標設定至各自相對應之檢測像素內。進一步地說，設定部74，將偏移位置的座標，設定至對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移候補位置的座標。
作為照射位置移動工程(S272)，偏移處理部76，對檢測器驅動控制電路136輸出使檢測平台221移動之控制訊號。然後，檢測器驅動控制電路136，使檢測平台221(移動部的一例)移動，藉此機械性地使相對於多2次電子束300而言之複數個檢測像素223的配置位置移動。藉由檢測平台221之移動，會使往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置在檢測像素223的受光區域內朝偏移位置移動。或是，移動處理部76，對偏向控制電路128輸出使偏向器228的偏向位置移動之控制訊號。然後，偏向控制電路128，使偏向器228(移動部的另一例)的偏向位置移動，藉此電磁光學性地使往複數個檢測像素223之多2次電子束300的照射位置移動至偏移位置。無論哪一種，此處，是以各2次電子束11在所照射之同一檢測像素223內其照射位置會切換之方式來使照射位置移動。其結果，如S270中指定的照射位置，例如如圖10例子所示，各檢測像素223中的2次電子束11的照射位置會在同一檢測像素223內移動至相鄰之照射位置。
藉由以上，各檢測像素223中，能夠在檢測像素223的受光區域當中尚未被使用於2次電子束11之檢測，對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移位置做2次電子束11之檢測。如此一來，便能使劣化像素的靈敏度改善。故，能夠修繕多檢測器222的靈敏度。圖5及圖8所示多檢測器222的靈敏度修繕方法的流程，如同實施形態1般，合適是於實施檢查對象基板101的檢查處理之前每次實施。或是，亦可不對每一基板101，而是定期地實施。然後，使用靈敏度經修繕之多檢測器222，進行檢查對象基板101之檢查處理。實施形態2中的檢查方法的主要工程和圖11相同。
像以上這樣，按照實施形態2，能夠使檢測像素223的受光區域內的偏移位置比實施形態1更符合。故，能夠比實施形態1更高精度地延長當使用多射束20取得圖像的情形下之多檢測器222的壽命。因此，能夠使檢查裝置100的運轉率提升。

實施形態3.
實施形態2中，說明了例如依座標順序被賦予之索引順序來逐漸確認各索引編號的偏移候補位置(照射可能位置)是否符合檢測像素223的受光區域內的偏移位置。但，搜索符合之偏移位置的手法並不限於此。實施形態3中，說明謀求偏移位置的最佳化之構成的另一態樣。實施形態3中的檢查裝置100的構成和圖1相同。此外，實施形態3中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分和圖5相同。此外，實施形態3中的檢查方法的主要工程和圖11相同。以下除特別說明的點以外之內容，均和實施形態1或2相同。
首先，如同實施形態1般，實施圖5所示判定有無檢測靈敏度劣化了的檢測像素(劣化像素)之方法的各工程，換言之實施劣化像素的搜索方法的各工程。如此一來，可知哪一檢測像素223為劣化像素。
圖16為實施形態3中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。圖16中，在實施形態3中的照射位置調整電路134內，更追加配置了排序處理部96、選擇部97、判定部98、及變更部99，除這點以外和圖14同樣。偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、移動處理部76、對比度演算部80、平均值演算部82、變異演算部84、平均值比較部86、變異比較部88、判定部90、變更部92、排序處理部96、選擇部97、判定部98、及變更部99這些各「～部」，係包含處理電路，在該處理電路，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「～部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於偏移候補位置演算部70、選擇部72、設定部74、移動處理部76、對比度演算部80、平均值演算部82、變異演算部84、平均值比較部86、變異比較部88、判定部90、變更部92、排序處理部96、選擇部97、判定部98、及變更部99內必要的輸入資料或演算出的結果會隨時被記憶於未圖示之記憶體。
圖17為實施形態3中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。圖17中，實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分，係實施偏移候補位置演算工程(S212)、偏移候補位置選擇工程(S214)、照射位置移動工程(S216)、掃描工程(S218)、對比度演算工程(S220)、平均值演算工程(S222)、變異演算工程(S226)、判定工程(S230)、偏移候補位置變更工程(S232)、變異排序處理工程(S250)、偏移候補位置選擇工程(S252)、判定工程(S254)、判定工程(S256)、判定工程(S258)、變更工程(S260)、偏移位置設定工程(S270)、及照射位置移動工程(S272)這一連串工程。圖17例子中，接續圖5所示之多檢測器222的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分，揭示實施形態3中的多檢測器的靈敏度修繕方法的剩餘部分。
偏移候補位置演算工程(S212)、偏移候補位置選擇工程(S214)、照射位置移動工程(S216)、掃描工程(S218)、對比度演算工程(S220)、平均值演算工程(S222)、及變異演算工程(S226)之各工程的內容，和實施形態2同樣。
作為判定工程(S230)，判定部90，判定目前設定的索引編號i是否為最終編號的N。當索引編號i非為最終編號的N的情形下，進入偏移候補位置變更工程(S232)。當索引編號i為最終編號的N的情形下，進入變異排序處理工程(S250)。
作為偏移候補位置變更工程(S232)，變更部92，將目前設定的索引編號i的偏移候補位置，從演算出的複數個偏移候補位置當中變更成另一個偏移候補位置。此處，係變更成對索引編號i加計1而成之索引編號的偏移位置。另，當實施偏移候補位置變更工程(S232)的情形下，索引編號i尚不應為最終編號的N，故偏移候補位置演算工程(S212)中當然會演算複數個偏移候補位置。
依以上方式，針對演算出的所有的偏移候補位置，取得全檢測像素223中的對比度的平均值Cave、及全檢測像素223中的對比度的變異Csig。
作為變異排序處理工程(S250)，排序處理部96，針對演算出的所有的偏移候補位置，進行依對比度的變異Csig較小之順序重排之排序處理。然後，針對演算出的所有的偏移候補位置，依對比度的變異Csig較小之順序重新賦予索引編號i’=1～N。偏移候補位置的數量不變，故索引編號i’取1～N之值。
作為偏移候補位置選擇工程(S252)，選擇部97，從依對比度的變異Csig較小之順序並排的複數個偏移候補位置當中，沿著並排順序選擇1個偏移候補位置。此處，選擇索引編號i’=1。
作為判定工程(S254)，平均值比較部86，將演算出的對比度的平均值Cave和平均值閾值Thave比較。具體而言，平均值比較部86，當在索引編號i的偏移候補位置檢測出各2次電子束11的情形下，判定全檢測像素223中的對比度的平均值Cave是否比平均值閾值Thave還大。當全檢測像素223中的對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大的情形下，進入判定工程(S256)。當全檢測像素223中的對比度的平均值Cave未比平均值閾值Thave還大的情形下，進入判定工程(S258)。
作為判定工程(S256)，變異比較部88，將演算出的對比度的變異Csig和變異閾值Thsig比較。具體而言，變異比較部88，當在索引編號i的偏移候補位置檢測出各2次電子束11的情形下，判定全檢測像素223中的對比度的變異Csig是否比變異閾值Thsig還小。當全檢測像素223中的對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小的情形下，進入偏移位置設定工程(S270)。當全檢測像素223中的對比度的變異Csig未比變異閾值Thsig還小的情形下，進入判定工程(S258)。
作為判定工程(S258)，判定部98，判定目前設定的索引編號i’是否為最終編號的N。當索引編號i’非為最終編號的N的情形下，進入變更工程(S260)。當索引編號i’為最終編號的N的情形下，輸出督促多檢測器222的更換之警報而結束。
作為變更工程(S260)，變更部99，將目前設定的索引編號i’的偏移候補位置，從依對比度的變異Csig較小之順序並排之複數個偏移候補位置當中，沿著並排順序變更成另1個偏移候補位置。此處，係變更成對索引編號i’加計1而成之索引編號的偏移候補位置。
然後，回到判定工程(S254)，反覆從判定工程(S254)至變更工程(S260)為止之各工程，直到判定工程(S254)中判定全檢測像素223中的平均值Cave比平均值閾值Thave還大為止，或是直到判定工程(S258)中判定索引編號i’為最終編號的N為止。藉由以上，便能依對比度的變異Csig較小之順序搜索對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移候補位置。
作為偏移位置設定工程(S270)，設定部74，當至少1個檢測像素223的靈敏度劣化的情形下，將往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置的移動目標設定至各自相對應之同一檢測像素223內。具體而言，設定部74，基於對比度的平均值Cave的比較結果及對比度的變異Csig的比較結果，將多2次電子束300的照射位置的移動目標設定至各自相對應之檢測像素內。進一步地說，設定部74，係對比度的變異Csig較小之照射位置會優先被選擇，而將偏移位置的座標最終設定於對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移候補位置的座標。
作為照射位置移動工程(S272)，偏移處理部76，對檢測器驅動控制電路136輸出使檢測平台221移動之控制訊號。然後，檢測器驅動控制電路136，使檢測平台221(移動部的一例)移動，藉此機械性地使相對於多2次電子束300而言之複數個檢測像素223的配置位置移動。藉由檢測平台221之移動，會使往複數個檢測像素223的多2次電子束300的照射位置在檢測像素223的受光區域內朝偏移位置移動。或是，移動處理部76，對偏向控制電路128輸出使偏向器228的偏向位置移動之控制訊號。然後，偏向控制電路128，使偏向器228(移動部的另一例)的偏向位置移動，藉此電磁光學性地使往複數個檢測像素223之多2次電子束300的照射位置移動至偏移位置。無論哪一種，此處，是以各2次電子束11在所照射之同一檢測像素223內其照射位置會切換之方式來使照射位置移動。其結果，如S270中指定的位置，例如如圖10例子所示，各檢測像素223中的2次電子束11的照射位置會在同一檢測像素223內移動至相鄰之照射位置。
藉由以上，各檢測像素223中，能夠在檢測像素223的受光區域當中尚未被使用於2次電子束11之檢測，對比度的平均值Cave比平均值閾值Thave還大，且對比度的變異Csig比變異閾值Thsig還小之偏移位置做2次電子束11之檢測。如此一來，便能使劣化像素的靈敏度改善。故，能夠修繕多檢測器222的靈敏度。圖5及圖8所示多檢測器222的靈敏度修繕方法的流程，如同實施形態1般，合適是於實施檢查對象基板101的檢查處理之前每次實施。或是，亦可不對每一基板101，而是定期地實施。然後，使用靈敏度經修繕之多檢測器222，進行檢查對象基板101之檢查處理。實施形態2中的檢查方法的主要工程和圖11相同。
像以上這樣，按照實施形態3，能夠依對比度的變異Csig較小之順序搜索偏移候補位置。故，能夠使檢測像素223的受光區域內的偏移位置比實施形態2更最佳化。故，能夠比實施形態2更高精度地延長當使用多射束20取得圖像的情形下之多檢測器222的壽命。因此，能夠使檢查裝置100的運轉率提升。
以上說明中，一連串的「～電路」包含處理電路，該處理電路中，包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或是半導體裝置等。此外，各「～電路」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或是，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。令處理器等執行之程式，可記錄於磁碟裝置、磁帶裝置、FD、或是ROM(唯讀記憶體)等的記錄媒體。例如，位置電路107、比較電路108、參照圖像作成電路112、評估圖樣測定電路130、劣化像素搜索電路132、及照射位置調整電路134等，亦可以上述的至少1個處理電路來構成。
以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。
此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。
其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有圖樣檢查裝置及圖樣檢查方法，均包含於本發明之範圍。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
10‧‧‧區塊
11‧‧‧2次電子束
13‧‧‧圖形圖樣
20(20a～20d)‧‧‧多射束
22‧‧‧孔(開口部)
28‧‧‧測定用像素
29‧‧‧子照射區域
33‧‧‧光罩晶粒
34‧‧‧照射區域
36‧‧‧測定用像素
50‧‧‧對比度演算部
52‧‧‧比較部
54‧‧‧記憶裝置
56‧‧‧像素指定部
58‧‧‧判定部
60‧‧‧偏移處理部
62‧‧‧對比度演算部
64‧‧‧比較部
66‧‧‧劣化判定部
70‧‧‧偏移候補位置演算部
72‧‧‧選擇部
74‧‧‧設定部
76‧‧‧移動處理部
80‧‧‧對比度演算部
82‧‧‧平均值演算部
84‧‧‧變異演算部
86‧‧‧平均值比較部
88‧‧‧變異比較部
90‧‧‧判定部
92‧‧‧變更部
96‧‧‧排序處理部
97‧‧‧選擇部
98‧‧‧判定部
99‧‧‧變更部
100‧‧‧檢查裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧電子束鏡柱
103‧‧‧檢查室
105‧‧‧XY平台
106‧‧‧檢測電路
107‧‧‧位置電路
108‧‧‧比較電路
109‧‧‧記憶裝置
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧參照圖像作成電路
114‧‧‧平台控制電路
117‧‧‧監視器
118‧‧‧記憶體
119‧‧‧印表機
120‧‧‧匯流排
122‧‧‧雷射測長系統
123‧‧‧晶片圖樣記憶體
124‧‧‧透鏡控制電路
126‧‧‧遮沒控制電路
128‧‧‧偏向控制電路
130‧‧‧評估圖樣測定電路
132‧‧‧劣化像素搜索電路
134‧‧‧照射位置調整電路
136‧‧‧檢測器驅動控制電路
142‧‧‧平台驅動機構
144、146‧‧‧DAC(數位類比變換)放大器
150‧‧‧圖像取得機構
160‧‧‧控制系統電路
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形孔徑陣列基板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑基板
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
212‧‧‧集體遮沒偏向器
214‧‧‧射束分離器
216‧‧‧鏡
217‧‧‧評估圖樣
221‧‧‧檢測平台
222‧‧‧多檢測器
223‧‧‧檢測像素
224、226‧‧‧投影透鏡
228‧‧‧偏向器
300‧‧‧多2次電子束
圖1為實施形態1中的圖樣檢查裝置的構成示意概念圖。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。
圖3為實施形態1中的多檢測器的構成，與照射至多檢測器的2次電子束說明用圖。
圖4為實施形態1中的劣化像素搜索電路的內部構成的一例示意方塊圖。
圖5為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的一部分示意流程圖。
圖6為實施形態1中的評估圖樣的一例示意圖。
圖7為實施形態1中的像素偏移的做法說明用圖。
圖8為實施形態1中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。
圖9為實施形態1中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。
圖10為實施形態1中的在檢測像素內移動的照射位置的一例示意圖。
圖11為實施形態1中的檢查方法的主要工程示意流程圖。
圖12為實施形態1中的形成於半導體基板之複數個晶片區域的一例示意圖。
圖13為實施形態1中的多射束的照射區域與測定用像素的一例示意圖。
圖14為實施形態2中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。
圖15為實施形態2中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。
圖16為實施形態3中的照射位置調整電路的內部構成的一例示意方塊圖。
圖17為實施形態3中的多檢測器的靈敏度修繕方法的主要工程的剩餘部分示意流程圖。

Claims (10)

  1. 一種多射束檢查裝置，具備： 平台，載置形成有圖樣之試料；及 多射束鏡柱，對前述試料照射多1次電子束；及 多檢測器，具有複數個檢測像素，其接受因前述多1次電子束照射至前述試料而產生的多2次電子束當中各自相對應之2次電子束的照射，並且可接受前述2次電子束的照射之區域形成為比前述2次電子束的照射點尺寸還廣，而檢測前述多2次電子束；及 檢查處理電路，使用藉由前述多檢測器檢測出的前述多2次電子束的資訊，來檢查前述圖樣；及 移動機構，使往前述複數個檢測像素的前述多2次電子束的照射位置移動；及 劣化判定處理電路，判定前述複數個檢測像素當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化；及 設定處理電路，當前述至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，將往前述複數個檢測像素的前述多2次電子束的照射位置的移動目標設定至各自相對應之同一檢測像素內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中，更具備： 第1對比度演算處理電路，使用評估圖樣，當藉由前述多檢測器檢測出以前述多1次電子束掃描前述評估圖樣而得到之多2次電子束的情形下，從檢測結果對前述複數個檢測像素的每一檢測像素演算2次電子束像的對比度；及 第1比較處理電路，對前述每一檢測像素，將演算出的對比度和事先取得的基準對比度比較，基於比較結果，判定有無已有前述靈敏度劣化的可能性之劣化檢測像素候補；及 偏移處理電路，當前述劣化檢測像素候補存在的情形下，使前述多2次電子束的各2次電子束所照射之檢測像素偏移；及 第2對比度演算處理電路，對於前述劣化檢測像素候補，在前述檢測像素被偏移了的狀態下，當藉由前述多檢測器檢測出以前述多1次電子束掃描前述評估圖樣而得到之多2次電子束的情形下，從前述劣化檢測像素候補的檢測結果演算2次電子束像的對比度；及 第2比較處理電路，對於前述劣化檢測像素候補，將演算出的對比度和事先取得的前述基準對比度比較； 前述劣化判定處理電路，基於在前述檢測像素被偏移了的狀態下得到之前述劣化檢測像素候補的比較結果，判定前述劣化檢測像素候補的靈敏度是否劣化。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中， 前述移動機構，使前述多2次電子束的照射位置在各自相對應之檢測像素內至少移動1次， 更具備：對比度演算處理電路，在使前述多2次電子束的照射位置移動了前述至少1次的各狀態下，使用評估圖樣，當藉由前述多檢測器檢測出以前述多1次電子束掃描前述評估圖樣而得到之多2次電子束的情形下，從檢測結果對前述複數個檢測像素的每一檢測像素演算2次電子束像的對比度；及 平均值演算處理電路，演算前述複數個檢測像素的全檢測像素中的前述對比度的平均值；及 平均值比較處理電路，將演算出的對比度的平均值和平均值閾值比較；及 變異(variation)演算處理電路，演算前述複數個檢測像素的全檢測像素中的前述對比度的變異；及 變異比較處理電路，將演算出的對比度的變異和變異閾值比較； 前述設定處理電路，基於前述平均值的比較結果及前述變異的比較結果，將前述多2次電子束的照射位置的移動目標設定於各自相對應之檢測像素內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中，前述移動機構，機械性地使相對於前述多2次電子束而言之前述複數個檢測像素的配置位置移動。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中，前述移動機構，電磁光學性地使往前述複數個檢測像素之前述多2次電子束的照射位置移動。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中，前述移動機構，具有載置前述多檢測器之可移動的檢測平台。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多射束檢查裝置，其中，藉由前述檢測平台之移動，在前述多2次電子束的各2次電子束所照射之同一檢測像素內，各2次電子束的照射位置會切換。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之多射束檢查裝置，其中，前述移動機構，具有將前述多2次電子束朝前述多檢測器偏向之偏向器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之多射束檢查裝置，其中，藉由前述偏向器使前述多2次電子束的偏向位置移動，藉此在前述多2次電子束的各2次電子束所照射之同一檢測像素內，各2次電子束的照射位置會切換。
  10. 一種多檢測器的靈敏度修繕方法，係 藉由具有複數個檢測像素之多檢測器來檢測因多1次電子束照射至評估圖樣而產生的多2次電子束，該複數個檢測像素是接受各自相對應之2次電子束的照射並且可接受前述2次電子束的照射之區域形成為比前述2次電子束的照射點尺寸還廣， 判定前述複數個檢測像素當中至少1個檢測像素的靈敏度是否劣化， 當前述至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，使往前述複數個檢測像素的前述多2次電子束的照射位置在各自對應之檢測像素內移動， 當前述至少1個檢測像素的靈敏度劣化了的情形下，將往前述複數個檢測像素的前述多2次電子束的照射位置的移動目標設定至各自相對應之同一檢測像素內。
TW107145021A 2018-01-11 2018-12-13 多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法 TWI719371B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-002957 2018-01-11
JP2018002957A JP7074479B2 (ja) 2018-01-11 2018-01-11 マルチビーム検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201941245A true TW201941245A (zh) 2019-10-16
TWI719371B TWI719371B (zh) 2021-02-21

Family

ID=67160006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107145021A TWI719371B (zh) 2018-01-11 2018-12-13 多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10840057B2 (zh)
JP (1) JP7074479B2 (zh)
KR (1) KR102195522B1 (zh)
TW (1) TWI719371B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775323B (zh) * 2020-04-06 2022-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束檢查裝置以及多電子束檢查方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10997712B2 (en) * 2018-01-18 2021-05-04 Canon Virginia, Inc. Devices, systems, and methods for anchor-point-enabled multi-scale subfield alignment
JP7241570B2 (ja) * 2019-03-06 2023-03-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム検査方法
US20220319805A1 (en) * 2019-08-28 2022-10-06 Asml Netherlands B.V. Self-referencing health monitoring system for multi-beam sem tools
JP7292197B2 (ja) * 2019-12-16 2023-06-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム画像取得装置
JP7333277B2 (ja) * 2020-01-06 2023-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置の故障診断方法及びパターン検査装置
US11748872B2 (en) * 2020-08-31 2023-09-05 KLA Corp. Setting up inspection of a specimen

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1820346B (zh) * 2003-05-09 2011-01-19 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
ATE448561T1 (de) * 2003-09-02 2009-11-15 Nanomegas Sprl Verfahren zur messung der beugungsmuster mit hilfe eines transmissionselektronenmikrosops zur ermittlung der kristallstruktur und vorrichtung hierfür
US7425703B2 (en) * 2004-02-20 2008-09-16 Ebara Corporation Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method
JP2006253537A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Seiko Epson Corp 液晶マスク、露光装置及び電気光学装置
JP5403852B2 (ja) 2005-08-12 2014-01-29 株式会社荏原製作所 検出装置及び検査装置
JP5497980B2 (ja) 2007-06-29 2014-05-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置、及び試料検査方法
TWI473140B (zh) 2008-04-11 2015-02-11 Ebara Corp 試料觀察方法與裝置，及使用該方法與裝置之檢查方法與裝置
WO2010137257A1 (ja) 2009-05-27 2010-12-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置及び試料観察方法
JP5572428B2 (ja) 2010-03-15 2014-08-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置および検査方法
US8481962B2 (en) 2010-08-10 2013-07-09 Fei Company Distributed potential charged particle detector
US8362425B2 (en) 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
US8755044B2 (en) * 2011-08-15 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Large particle detection for multi-spot surface scanning inspection systems
KR101748515B1 (ko) * 2013-05-09 2017-06-16 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 중첩 계측 장치, 중첩 계측 방법 및 중첩 계측 시스템
KR20200007103A (ko) * 2015-11-30 2020-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전된 입자 빔의 장치
JP6642092B2 (ja) 2016-02-22 2020-02-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置及び検査方法
JP2017198588A (ja) 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置
JP6808986B2 (ja) * 2016-06-09 2021-01-06 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775323B (zh) * 2020-04-06 2022-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束檢查裝置以及多電子束檢查方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190214221A1 (en) 2019-07-11
TWI719371B (zh) 2021-02-21
JP7074479B2 (ja) 2022-05-24
JP2019125416A (ja) 2019-07-25
KR102195522B1 (ko) 2020-12-28
US10840057B2 (en) 2020-11-17
KR20190085862A (ko) 2019-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101855928B1 (ko) 패턴 검사 방법 및 패턴 검사 장치
TWI719371B (zh) 多射束檢查裝置及多檢測器的靈敏度修繕方法
TWI654428B (zh) 電子束檢查裝置及電子束檢查方法
JP6684179B2 (ja) 荷電粒子ビーム検査装置及び荷電粒子ビーム検査方法
US10886102B2 (en) Multiple electron beam irradiation apparatus, multiple electron beam irradiation method, and multiple electron beam inspection apparatus
TWI744671B (zh) 電子光學系統及多射束圖像取得裝置
US10373798B2 (en) Multi charged particle beam inspection apparatus, and multi charged particle beam inspection method
US20200104980A1 (en) Multi-electron beam image acquisition apparatus, and multi-electron beam image acquisition method
JP6649130B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
KR20190085863A (ko) 검사 방법 및 검사 장치
TWI727258B (zh) 電子束檢查裝置及電子束檢查方法
JP2020119682A (ja) マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置、及びマルチ電子ビーム照射方法
KR20220114007A (ko) 멀티 전자 빔 검사 장치 및 멀티 전자 빔 검사 방법
US10984525B2 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
JP6966319B2 (ja) マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法
US10410824B2 (en) Electron beam inspection apparatus and electron beam inspection method
KR102585609B1 (ko) 전자 빔 검사 장치 및 전자 빔 검사 방법
TW202141176A (zh) 圖案檢查裝置及圖案檢查方法
TW202420367A (zh) 多射束圖像取得裝置及多射束圖像取得方法
TW202139241A (zh) 多電子束檢查裝置以及多電子束檢查方法
KR20220133976A (ko) 멀티 전자 빔 검사 장치 및 그 조정 방법