TW201940410A - 利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟：提供一第一基底，該第一基底表面形成有二維奈米材料；將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面；用腐蝕液去除所述第一基底，並將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗；提供一目標基底，利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述目標基底與所述二維奈米材料貼合；去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面。

Description

利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法
本發明涉及一種二維奈米材料的轉移方法，尤其涉及一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法。
二維奈米材料如石墨烯、氮化硼、二硫化鉬等由於優異的性質成為化學、材料學、物理學的研究熱點。規模化製備和轉移仍然是二維奈米材料研究的重點。目前，從銅等基底轉移二維奈米材料的最常用的方法是：採用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或熱釋放膠帶等作為轉移媒介，蝕刻銅後，將二維奈米材料和轉移媒介轉移到目標基底上，最後去除轉移媒介。但在實際操作中，PMMA或熱釋放膠帶不易清除乾淨，殘留的有機粘合劑會對二維奈米材料造成很大的污染，進而影響性能表徵和器件製備。
為解決前述問題，有人提出一種無膠轉移法，即不使用轉移媒介，直接將目標基底與生長基底上生長的二維奈米材料接觸並熱壓印，蝕刻去除生長基底，完成二維奈米材料由生長基底至目標基底的轉移。但使用這種方法，轉移後的二維奈米材料褶皺和皺紋較多，二維奈米材料在轉移過程中容易破損。
有鑑於此，確有必要提供一種乾淨、無污染、二維奈米材料不易破損的轉移方法。
一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料；將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底形成有二維奈米材料的表面；用腐蝕液去除所述第一基底，並將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗；提供一目標基底，利用所述目標基底從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述目標基底與所述二維奈米材料貼合；去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面。
與先前技術相比，本發明提供的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，乾淨、不會引入其它雜質，轉移後的二維奈米材料幾乎無破損、完整度高。
以下將結合附圖詳細說明本發明提供的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法。
請一併參閱圖1，本發明提供一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟： S1，提供一第一基底101，該第一基底101表面形成有二維奈米材料102； S2，將一奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面； S3，用腐蝕液去除所述第一基底101，並將所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗； S4，提供一目標基底104，利用所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述目標基底104與所述二維奈米材料102貼合； S5，去除所述奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面。
以下對步驟S1~S5作具體說明。
步驟S1中，提供一第一基底101，該第一基底101表面形成有二維奈米材料102。
所述第一基底101主要作為二維奈米材料生長和穩定存在的載體，其本身具有一定的穩定性，但可以藉由化學方法或物理方法去除。所述第一基底101根據不同的應用可選用半導體材料或金屬材料等，具體地，所述第一基底101可為矽片、銅箔、鎳箔或銅鎳合金等。
可以藉由各種方法如化學氣相沉積法在所述第一基底101表面形成所述二維奈米材料102。所述二維奈米材料102可為石墨烯、氮化硼、二硫化鉬等。所述二維奈米材料的層數不限，可為一層、兩層或多層。
步驟S2中，將一奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面。
所述奈米碳管膜結構103為一自支撐結構，由至少兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成，可以理解，所述奈米碳管膜的層數越多，所述奈米碳管膜結構103的透光性越弱而透明度越低，優選地，所述奈米碳管膜結構103由兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成。其中，所述奈米碳管膜包括複數藉由凡得瓦力首尾相連且沿同一方向延伸的奈米碳管，該複數奈米碳管的延伸方向基本平行於所述奈米碳管膜的表面，相鄰兩層奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°＜α≤90°。
所述奈米碳管膜為直接從一奈米碳管陣列中拉取獲得，其具體包括下述步驟。
首先，提供一形成於一生長基底的奈米碳管陣列，該陣列為超順排的奈米碳管陣列。
該奈米碳管陣列採用化學氣相沉積法製備，該奈米碳管陣列為複數彼此平行且垂直於生長基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。該奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等，適於從中拉取奈米碳管膜。
其次，採用一拉伸工具從所述奈米碳管陣列中拉取奈米碳管獲得一奈米碳管膜，其具體包括以下步驟：從所述超順排奈米碳管陣列中選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管，可以採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一個或具有一定寬度的複數奈米碳管；以一定速度拉伸該選定的奈米碳管，從而形成首尾相連的複數奈米碳管片段，進而形成一連續的奈米碳管膜。該拉取方向沿基本垂直于奈米碳管陣列的生長方向。
在前述拉伸過程中，該複數奈米碳管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離生長基底的同時，由於凡得瓦力作用，該選定的複數奈米碳管片段分別與其它奈米碳管片段首尾相連地連續地被拉出，從而形成一連續、均勻且具有一定寬度的自支撐的奈米碳管膜。所謂“自支撐結構”即該奈米碳管膜無需藉由一支撐體支撐，亦能保持一膜的形狀。該奈米碳管膜包括複數基本沿同一方向擇優取向排列且藉由凡得瓦力首尾相連的奈米碳管，該複數奈米碳管基本沿拉伸方向排列並平行於該奈米碳管膜表面。
製備出奈米碳管膜之後，將所述複數奈米碳管膜層迭且交叉鋪設以形成所述奈米碳管膜結構103。具體操作步驟包括：先將一奈米碳管膜沿一個方向覆蓋至一框架上；再將另一奈米碳管膜沿另一方向覆蓋至先前的奈米碳管膜表面，如此反復多次，在該框架上鋪設複數奈米碳管膜，從而形成一奈米碳管膜結構。注意地是，該複數奈米碳管膜可沿各自不同的方向鋪設，亦可僅沿兩個交叉的方向鋪設。
由於該奈米碳管膜具有較大的比表面積，是故該奈米碳管膜具有較大粘性，故多層奈米碳管膜可以相互藉由凡得瓦力緊密結合形成一穩定的奈米碳管膜結構103。
將所述奈米碳管膜結構103覆蓋於所述第一基底101形成有二維奈米材料102的表面，所述奈米碳管膜結構103藉由凡得瓦力與所述第一基底101表面的二維奈米材料102貼合在一起而形成一第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構。進一步地，可以採用有機溶劑處理所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，利用有機溶劑揮發的表面張力增加所述奈米碳管膜結構103和所述二維奈米材料102之間的結合力。
所述使用有機溶劑處理的步驟具體為：將有機溶劑均勻滴加在所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構中奈米碳管膜結構103的表面上並浸潤整個奈米碳管膜結構103，或者，亦可以將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構浸入盛有機溶劑的容器中浸潤。所述有機溶劑為常溫下易揮發的有機溶劑，可以選用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷和氯仿中一種或者幾種的混合。
藉由有機溶劑處理後，所述奈米碳管膜結構103和所述二維奈米材料102藉由凡得瓦力的作用和溶劑表面張力的作用而緊密貼合在一起。
步驟S3中，用腐蝕液去除所述第一基底101，並將所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103形成的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗。
將所述第一基底/二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構放置於腐蝕液中使所述第一基底101與所述腐蝕液發生化學反應，直至所述第一基底101被腐蝕乾淨，而所述奈米碳管膜結構103由於自身的疏水性漂浮在腐蝕液表面不會下沉，所述二維奈米材料102由於與所述奈米碳管膜結構103之間的凡得瓦力而緊緊地附著在所述奈米碳管膜結構103的下表面。所述奈米碳管膜結構103本身具有一定的自支撐作用，可以作為所述二維奈米材料102穩定存在的載體而不破壞或減少破壞所述二維奈米材料102。
所述腐蝕液的作用為腐蝕所述第一基底101，可以根據所述第一基底101的材料來選擇不同的腐蝕液。該腐蝕液可以是酸液、堿液或鹽溶液，例如氯化鐵溶液、過硫酸銨溶液、氫氧化鉀溶液等。可以理解，由於所述第一基底101的大小和厚度以及所使用腐蝕液的濃度和種類的不同，其所需要的腐蝕時間亦不同。
待所述第一基底101被腐蝕乾淨後，所述奈米碳管膜結構103與所述二維奈米材料102形成一二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構。可以進一步清洗所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構，去除所述二維奈米材料表面殘留的雜質，其具體包括以下步驟：利用一載玻片從所述腐蝕液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構；藉由所述載玻片將所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構轉移到一清洗液表面，漂洗掉殘留的雜質，如此反復多次。其中，所述清洗液為酸溶液或超純水。
在步驟S4中，提供一目標基底104，利用所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構，使所述目標基底104與所述二維奈米材料102貼合。
所述目標基底104用於承載所述二維奈米材料102。所述目標基底104的材料不限，可為金屬材料，例如金、鋁、鎳、鉻、銅等，可為半導體材料，例如矽、氮化鎵、砷化鎵等，亦可為絕緣材料，例如二氧化矽、氮化矽等。所述目標基底104的長度、寬度及厚度不限，可根據需要調整。所述目標基底104的表面可為一平面，亦可為一曲面。
所述目標基底104可為一個沒有通孔的基底。所述目標基底104亦可為一具有至少一個通孔的基底，所述通孔可以藉由蝕刻的方法形成，所述通孔的孔徑為0.1微米~100微米，優選地，所述通孔的孔徑為0.5微米~50微米，所述通孔的形狀可為圓形、四邊形、六邊形、八邊形或橢圓形等。當所述目標基底104具有複數通孔時，所述複數通孔的形狀及排列方式不限，所述複數通孔之間的距離可相等或不等，優選地，所述複數通孔均勻分佈在所述目標基底104中。
將所述目標基底104插入所述清洗液中，使所述目標基底104在清洗液中對準所述二維奈米材料102、緩慢地撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，在撈起的過程中所述目標基底104與所述二維奈米材料102貼合，然後乾燥所述目標基底104及該目標基底104表面的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，這樣可以使所述目標基底104與所述二維奈米材料102緊緊地貼合在一起。
本案中，所述目標基底104從清洗液中撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，在撈起的過程中該複合結構轉移至所述目標基底104的表面，可以減少所述二維奈米材料102表面的褶皺和裂紋，且有助於增強所述二維奈米材料102與所述目標基底104之間的結合力。
需要注意地是，由於所述奈米碳管膜結構103具有複數微孔，而具有一定的透光性、透明度較高，在體視顯微鏡下，透過所述奈米碳管膜結構103可以觀察到所述二維奈米材料102的位置，可以預先使所述目標基底104在水下對準所述二維奈米材料102，再向上撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜複合結構，從而使得所述二維奈米材料102覆蓋在所述目標基底104的特定位置，將所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的特定位置，從而實現所述二維奈米材料102的定點轉移，這是利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的優點之一。
步驟S5中，去除所述奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102轉移至所述目標基底104的表面。
所述去除所述奈米碳管膜結構103的方法不限，只需保證將所述奈米碳管膜結構103完全去除即可。
本發明提供了兩種去除所述奈米碳管膜結構103的方法。
第一種方法採用一高分子聚合物膜去除所述奈米碳管膜結構103，即在所述奈米碳管膜結構103遠離所述目標基底104的表面形成一高分子聚合物膜，經加熱或輻照處理後，撕下所述高分子聚合物膜，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜撕下而被去除，其具體包括下述步驟。
步驟（1），在所述奈米碳管膜結構103遠離所述目標基底104的表面形成一高分子聚合物膜105。
所述高分子聚合物膜選用加熱至一定溫度時交聯程度變高的材料，可為聚甲基矽氧烷（PDMS）、聚丙烯酸丁酯（PBA）等熱固性材料。所述高分子聚合物膜完全覆蓋所述奈米碳管膜結構103的表面，所述高分子聚合物膜的面積大於或等於所述奈米碳管膜結構103的面積。
步驟（2），在一定溫度下加熱一段時間，使所述高分子聚合物膜內部的交聯程度變高。
加熱溫度與加熱時間與所述高分子聚合物膜的材料有關，當高分子聚合物膜為PDMS膜時，在150攝氏度下加熱20分鐘~40分鐘即可。在一定溫度下加熱一段時間後，所述高分子聚合物膜內部的交聯程度變高，此時，所述高分子聚合物膜易被撕下，且所述高分子聚合物膜僅與所述奈米碳管膜結構103粘合在一起，所述高分子聚合物膜與所述奈米碳管膜結構103之間的結合力大於所述二維奈米材料102與所述奈米碳管膜結構103之間的結合力，則撕下所述高分子聚合物膜時，所述奈米碳管膜結構103亦被撕下。
步驟（3），撕下所述高分子聚合物膜105，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜105撕下而被去除。
可以用鑷子等工具夾取所述高分子聚合膜的一側將所述高分子聚合物膜撕下，所述奈米碳管膜結構103隨所述高分子聚合物膜105撕下而被撕下，而所述二維奈米材料102完整地留在所述目標基底104的表面，所述二維奈米材料102表面無破損、無殘留。
第二種方法具體包括下述步驟。
（A）所述奈米碳管膜結構103由n層奈米碳管膜交叉層迭設置而成時，其中，n≥2，沿奈米碳管的延伸方向，用鑷子等工具依次撕下所述奈米碳管膜結構103表面的第1層~第n-1層奈米碳管膜。
（B）提供至少一條狀結構，將所述條狀結構放置在第n層奈米碳管膜的表面，所述條狀結構設置於所述二維奈米材料102所在區域的一側，且所述條狀結構的延伸方向垂直於所述第n層奈米碳管膜中奈米碳管的延伸方向。
優選地，提供至少兩個條狀結構，且所述至少兩個條狀結構設置於所述二維奈米材料102所在區域的兩側。
（C）沿所述奈米碳管的延伸方向撕下所述條狀結構，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被去除。
其中，所述條狀結構具有一定的粘性而能夠與所述第n層奈米碳管粘合在一起，所述條狀結構可為高分子聚合物膜或透明膠帶等，由於所述第n層奈米碳管膜為一連續性膜，故在撕下所述條狀結構的過程中，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被撕下，而所述二維奈米材料完整地保留在所述目標基底104的表面。
以上兩種方法，均可以完全去除所述二維奈米材料102表面的奈米碳管膜結構103，所述二維奈米材料102表面無殘留、無破損。
本發明第一實施例提供一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述第一基底為一銅箔；所述二維奈米材料為直接生長於所述銅箔表面的單層石墨烯；所述奈米碳管膜結構包括兩層交叉且層迭設置的奈米碳管膜，所述奈米碳管膜包括複數奈米碳管，該複數奈米碳管沿同一方向擇優取向排列；所述目標基底為一多孔氮化矽基底，所述多孔氮化矽基底的孔徑為2微米。
圖2為生長於銅箔表面的單層石墨烯的光學顯微鏡照片；圖3為將奈米碳管膜結構覆蓋於所述銅箔生長有石墨烯的表面的光學顯微鏡照片；從圖2及圖3可以看出，所述奈米碳管膜結構具有一定的透明性，透過所述奈米碳管膜結構可以清楚地看到所述石墨烯的位置。
圖4為轉移後的石墨烯轉的透射電鏡照片；從圖4可以看出，轉移後的石墨烯表面非常乾淨、無破損。
本發明第二實施例提供一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述第一基底為一矽片；所述二維奈米材料為直接生長於矽片表面的單層硫化鉬；所述奈米碳管膜結構包括兩層交叉且層迭設置的奈米碳管膜，所述奈米碳管膜包括複數奈米碳管，該複數奈米碳管沿同一方向擇優取向排列；所述目標基底為一沒有通孔的矽基底，且該矽基底表面鋪設有金電極。
圖5為生長於矽片表面的硫化鉬的光學顯微鏡照片；圖6為轉移至目標基底表面的硫化鉬的掃描電鏡照片。從圖5及圖6可以看出，生長於矽片上的三角形的硫化鉬單晶完整地轉移至目標基底的表面，且硫化鉬單晶之間的相對位置沒有發生變化。
本發明提供的一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法具有以下優點：其一，與以往用PMMA等聚合物轉移二維奈米材料的方法相比，用奈米碳管膜轉移二維奈米材料更加乾淨，二維奈米材料表面沒有殘膠，且用碳管膜轉移二維奈米材料為純碳轉移，不會引入其它的雜質；其二，與沒有轉移媒介的轉移方法相比，用奈米碳管膜轉移的二維奈米材料褶皺和裂紋更少，破損率低，幾乎無破損，完整度高；其三，奈米碳管膜具有一定的透光性而透明度較高，透過奈米碳管膜可以看到二維奈米材料的位置，在體視顯微鏡下可以精准地將二維奈米材料轉移到目標基底的特定位置；其四，奈米碳管膜具有一定的柔韌性，利用奈米碳管膜可以將二維奈米材料轉移至一曲面基底上。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
101‧‧‧第一基底
102‧‧‧二維奈米材料
103‧‧‧奈米碳管膜結構
104‧‧‧目標基底
圖1為本發明提供的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的工藝流程圖。
圖2為生長於銅箔表面的單層石墨烯的光學顯微鏡照片。
圖3為將奈米碳管膜結構覆蓋於銅箔生長有石墨烯的表面的光學顯微鏡照片。
圖4為轉移後的石墨烯的透射電鏡照片。
圖5為生長於矽片表面的硫化鉬的光學顯微鏡照片。
圖6為轉移至目標基底表面的硫化鉬的掃描電鏡照片。
無

Claims (10)

  1. 一種利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其具體包括以下步驟： 提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二維奈米材料； 將一奈米碳管膜結構覆蓋於所述第一基底生長有二維奈米材料的表面； 用腐蝕液去除所述第一基底，並將所述二維奈米材料與所述奈米碳管膜結構形成的一二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構置於一清洗液清洗； 提供一目標基底，利用所述目標基底撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述目標基底與所述二維奈米材料貼合； 去除所述奈米碳管膜結構，所述二維奈米材料轉移至所述目標基底的表面。
  2. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述二維奈米材料為石墨烯、硫化鉬及氮化硼中的一種。
  3. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米碳管膜結構為一自支撐結構，由至少兩層奈米碳管膜交叉層迭設置而成。
  4. 如請求項第3項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述奈米碳管膜包括包括複數首尾相連且沿同一方向延伸的奈米碳管，所述複數奈米碳管的延伸方向基本平行於所述奈米碳管膜的表面，相鄰兩層奈米碳管膜中的奈米碳管的延伸方向形成一夾角α，0°＜α≤90°。
  5. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述清洗液為酸溶液或超純水。
  6. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，利用所述目標基底撈起所述二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構後，進一步乾燥所述目標基底及所述目標基底表面的二維奈米材料/奈米碳管膜結構複合結構，使所述目標基底與所述二維奈米材料緊密結合。
  7. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述去除所述奈米碳管膜結構的方法具體包括以下步驟： 在所述奈米碳管膜結構遠離所述目標基底的表面形成一高分子聚合物膜； 採用加熱或輻照處理所述高分子聚合物膜； 撕下所述高分子聚合物膜，所述奈米碳管膜結構隨所述高分子聚合物膜撕下而被去除。
  8. 如請求項第7項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，經加熱或輻照處理後，所述高分子聚合物膜內部的交聯程度變高，所述奈米碳管膜結構與所述高分子聚合物膜之間的結合力大於所述奈米碳管膜結構與所述二維奈米材料之間的結合力。
  9. 如請求項第1項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述去除所述奈米碳管膜結構的方法具體包括以下步驟： 所述奈米碳管膜結構由n層奈米碳管膜交叉層迭設置而成時，其中，n≥2，沿奈米碳管的延伸方向，用鑷子依次撕下所述奈米碳管膜結構表面的第1層~第n-1層奈米碳管膜； 提供至少一條狀結構，將所述條狀結構放置在第n層奈米碳管膜的表面，所述條狀結構設置於所述二維奈米材料所在區域的一側，且所述條狀結構的延伸方向垂直於所述第n層奈米碳管膜中奈米碳管的延伸方向； 沿所述奈米碳管的延伸方向撕下所述條狀結構，所述第n層奈米碳管膜隨所述條狀結構撕下而被去除。
  10. 如請求項第9項所述的利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法，其中，所述條狀結構為高分子聚合物膜或透明膠帶。
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