TW201927829A - 液晶定向層及其製造方法、光學薄膜及其製造方法、1/4波長板、偏光板以及有機電致發光顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種液晶定向層,其係由包含液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之固化物所形成,且係包含定向狀態固定的前述液晶性化合物之分子的液晶定向層,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射,其中
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜, 前述液晶定向層具有:具有滿足指定之條件之紅外線全反射吸收光譜的表面。
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜, 前述液晶定向層具有:具有滿足指定之條件之紅外線全反射吸收光譜的表面。
Description
本發明係關於液晶定向層及其製造方法、光學薄膜及其製造方法、1/4波長板、偏光板以及有機電致發光顯示面板。
作為光學薄膜之一種,使用液晶性化合物所製造的薄膜已為人所知。此薄膜一般具備由使包含液晶性化合物之液晶組成物定向,並維持其定向狀態直接使其固化的固化物所形成之液晶固化層。作為此種光學薄膜,已提案有專利文獻1所記載者。
『專利文獻』
《專利文獻1》:日本專利第5363022號公報
《專利文獻1》:日本專利第5363022號公報
於光學薄膜所具備之液晶固化層通常包含有液晶性化合物。此液晶性化合物之分子有相對於液晶固化層之層體平面傾斜的情形。在將如此具備包含分子傾斜之液晶性化合物的液晶固化層之光學薄膜設置於影像顯示裝置的情況下,為了獲得良好之視角特性,以適度調整液晶性化合物之分子的傾斜角為符合期望。
具體而言,有機電致發光顯示面板(以下適時稱作「有機EL顯示面板」。),有時會於其顯示面,設置圓偏光板及橢圓偏光板等偏光板,作為用以抑制外界光線之反射的反射抑制薄膜。此偏光板通常將直線偏光件與相位差薄膜組合而包含。就在自傾斜方向觀看顯示面的情況下會抑制反射而獲得優異之視角特性的觀點而言,相位差薄膜以在其厚度方向上調整雙折射為佳。於是,為了實現在厚度方向上具有適切之雙折射的相位差薄膜,本發明人等嘗試開發具備「液晶性化合物之分子的傾斜角經適度調整之液晶固化層」的光學薄膜。
並且,為了在寬廣的波長範圍中發揮期望之光學性功能,前述相位差薄膜以具有逆波長色散性之面內延遲為符合期望。因此,在將具備液晶固化層之薄膜作為相位差薄膜使用的情況下,以使用可顯現逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物(以下適時稱作「逆色散液晶性化合物」。)為符合期望。
然而,在以往的技術中,為了增大液晶固化層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角,需要設置有別於液晶固化層的定向膜。但是,使用定向膜而形成之以往的液晶固化層,於表面狀態容易產生不均勻。因此,要製造使用逆色散液晶性化合物、表面狀態優異且具有優異之視角特性的光學薄膜,實屬困難。
本發明係鑑於前述問題而開發者,其目的在於提供:可獲得具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異之光學薄膜的液晶定向層及其製造方法;具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的光學薄膜及其製造方法;具備前述液晶定向層或光學薄膜的1/4波長板;具備前述液晶定向層或光學薄膜的偏光板;以及具備前述液晶定向層或光學薄膜的有機電致發光顯示面板。
本發明人等為能解決前述問題而專心致志研究。其結果,本發明人等發現,藉由使用由包含含有乙烯性不飽和鍵及芳環之逆色散液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之固化物所形成,且具有透過紅外線全反射吸收光譜量測所求得之尖峰強度比滿足指定要件之表面的液晶定向層,可獲得具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的光學薄膜,進而完成本發明。
亦即,本發明包含下述者。
[1]一種液晶定向層,其係由包含液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之固化物所形成,且係包含定向狀態固定的前述液晶性化合物之分子的液晶定向層,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射;其中
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜;
前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面。
0.450>X(S)/X(A) (i) (在前述式(i)中,
X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,
X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜;
前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面。
0.450>X(S)/X(A) (i) (在前述式(i)中,
X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,
X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
[2]如[1]所記載之液晶定向層,其中前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角為15°以上且60°以下。
[3]如[1]或[2]所記載之液晶定向層,其中前述光聚合起始劑為肟酯系聚合起始劑。
[4]一種光學薄膜,其具備:如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層,以及由包含液晶性化合物之傾斜層組成物的固化物所形成的液晶傾斜層,所述液晶性化合物可顯現與前述定向層組成物所包含之前述液晶性化合物相同或相異的逆波長色散性之雙折射;其中
前述液晶傾斜層直接相接於前述液晶定向層之前述表面。
前述液晶傾斜層直接相接於前述液晶定向層之前述表面。
[5]如[4]所記載之光學薄膜,其中在量測波長590 nm之前述光學薄膜的面內延遲為100 nm以上且180 nm以下。
[6]一種液晶定向層的製造方法,其包含:
形成包含液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射;
使前述定向層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及
使前述定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序;其中
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜;
前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面。
0.450>X(S)/X(A) (i)
(在前述式(i)中,
X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,
X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
形成包含液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射;
使前述定向層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及
使前述定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序;其中
前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜;
前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面。
0.450>X(S)/X(A) (i)
(在前述式(i)中,
X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,
X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
[7]如[6]所記載之液晶定向層的製造方法,其中使前述定向層組成物之層體固化以獲得前述液晶定向層的工序,包含對前述定向層組成物照射170 mJ/cm2
以上之紫外線一事。
[8]一種光學薄膜的製造方法,其包含:
於如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層之前述表面,直接形成包含液晶性化合物的傾斜層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物可顯現與前述定向層組成物所包含之前述液晶性化合物相同或相異的逆波長色散性的雙折射;
使前述傾斜層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及
使前述傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序。
於如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層之前述表面,直接形成包含液晶性化合物的傾斜層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物可顯現與前述定向層組成物所包含之前述液晶性化合物相同或相異的逆波長色散性的雙折射;
使前述傾斜層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及
使前述傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序。
[9]如[8]所記載之光學薄膜的製造方法,其中於前述液晶定向層之前述表面直接形成前述傾斜層組成物之層體的工序,包含不對前述液晶定向層之前述表面施以摩擦處理,而於前述液晶定向層之前述表面直接形成前述傾斜層組成物之層體一事。
[10]一種1/4波長板,其具備如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層,或者如[4]或[5]所記載之光學薄膜。
[11]一種偏光板,其具備如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層,或者如[4]或[5]所記載之光學薄膜。
[12]一種有機電致發光顯示面板,其具備如[1]~[3]之任一項所記載之液晶定向層,或者如[4]或[5]所記載之光學薄膜。
根據本發明,可提供:可獲得具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異之光學薄膜的液晶定向層及其製造方法;具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的光學薄膜及其製造方法;具備前述液晶定向層或光學薄膜的1/4波長板;具備前述液晶定向層或光學薄膜的偏光板;以及具備前述液晶定向層或光學薄膜的有機電致發光顯示面板。
以下揭示示例物及實施型態以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之示例物及實施型態者,在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內得任意變更而實施。
在以下說明中,所謂某層體的「面內方向」,除非另有註記,否則表示平行於層體平面的方向。
在以下說明中,所謂某層體的「厚度方向」,除非另有註記,否則表示垂直於層體平面的方向。因此,除非另有註記,否則某層體的面內方向與厚度方向垂直。
在以下說明中,所謂某面的「正面方向」,除非另有註記,否則表示此面的法線方向,具體上係指前述面之極角0°的方向。
在以下說明中,所謂某面的「傾斜方向」,除非另有註記,否則表示對於此面既不平行亦不垂直的方向,具體上係指前述面之極角為5°以上且85°以下之範圍的方向。
在以下說明中,所謂逆波長色散性的雙折射,除非另有註記,否則係指「在波長450 nm的雙折射Δn(450)及在波長550 nm的雙折射Δn(550)」滿足下述式(N1)的雙折射。可顯現此種逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物,通常量測波長愈長,可顯現愈大的雙折射。
Δn(450)<Δn(550) (N1)
Δn(450)<Δn(550) (N1)
在以下說明中,所謂順波長色散性的雙折射,除非另有註記,否則係指「在波長450 nm的雙折射Δn(450)及在波長550 nm的雙折射Δn(550)」滿足下述式(N2)的雙折射。可顯現此種順波長色散性之雙折射的液晶性化合物,通常量測波長愈長,可顯現愈小的雙折射。
Δn(450)>Δn(550) (N2)
Δn(450)>Δn(550) (N2)
在以下說明中,除非另有註記,否則所謂「(甲基)丙烯酸」,係包含「丙烯酸」、「甲基丙烯酸」及此等之組合的用語。
在以下說明中,某層體的面內延遲Re,除非另有註記,否則係由Re=(nx-ny)×d所表示之值。於此,nx表示與層體的厚度方向垂直之方向(面內方向)且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示層體之前述面內方向且與nx的方向正交之方向的折射率。d表示層體的厚度。延遲的量測波長,除非另有註記,否則為590 nm。面內延遲Re可使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」)來量測。
在以下說明中,所謂固有雙折射值為正的樹脂,意謂延伸方向之折射率變得較與之正交之方向之折射率還大的樹脂。並且,所謂固有雙折射值為負的樹脂,意謂延伸方向之折射率變得較與之正交之方向之折射率還小的樹脂。固有雙折射值得由介電常數分布計算。
在以下說明中,所謂某層體之慢軸的方向,除非另有註記,否則係指面內方向之慢軸的方向。
在以下說明中,所謂元件的方向為「平行」及「垂直」,除非另有註記,否則在不損及本發明之效果的範圍內,亦可包含例如±4°、以±3°為佳、以±1°為較佳之範圍內的誤差。
在以下說明中,除非另有註記,否則所謂某層體所包含之液晶性化合物之分子的「傾斜角」,係表示此液晶性化合物之分子相對於層體平面所夾之角度,有時亦稱為「傾角」。此傾斜角相當於在液晶性化合物之分子的折射率橢圓體上,最大折射率之方向與層體平面所夾之角度之中最大的角度。並且,在以下說明中,除非另有註記,否則所謂「傾斜角」,係表示液晶性化合物之分子相對於包含該液晶性化合物的層體之層體平面的傾斜角。相對於層體平面的傾斜角,有時稱為「相對於(與此層體平面平行之)面內方向的傾斜角」。
在以下說明中,所謂某層體所包含之液晶性化合物之分子的「實質最大傾斜角」,係指在假設此層體之一面之分子的傾斜角為0°,且分子的傾斜角在厚度方向上以一定比率變化的情況下,液晶性化合物之分子的傾斜角的最大值。通常,在包含液晶性化合物之層體中,液晶性化合物之分子的傾斜角,在厚度方向上愈靠近層體之一側愈小,愈遠離前述一側愈大。實質最大傾斜角表示假設此種在厚度方向上之傾斜角之變化的比率(亦即,愈靠近一側愈減少,愈遠離一側愈增加之變化的比率)為一定而計算出之傾斜角的最大值。
在以下說明中,具有取代基之基的碳原子數,除非另有註記,否則不含前述取代基之碳原子數。據此,舉例而言,「亦可具有取代基之碳原子數1~20的烷基」之記載,表示不含取代基之碳原子數的烷基本身的碳原子數為1~20。
[1.液晶定向層]
(1.1.液晶定向層的概要)
圖1係繪示本發明之一實施型態相關之液晶定向層100的剖面示意圖。並且,圖2係繪示本發明之一實施型態相關之光學薄膜200的剖面示意圖。
如圖1及圖2所繪示,本發明之一實施型態相關之液晶定向層100,係用以在該液晶定向層100上形成由包含液晶性化合物之液晶組成物的固化物所形成之液晶傾斜層210的層體。藉由包含在液晶定向層100上形成液晶傾斜層210的製造方法,可獲得光學薄膜200。
液晶定向層100及液晶傾斜層210皆相當於作為由包含液晶性化合物之液晶組成物的固化物所形成之層體的液晶固化層,但在本申請中,為了區別而分別稱為「液晶定向層」100與「液晶傾斜層」210。並且,為了區別使用於液晶定向層100之形成的液晶組成物,以及使用於液晶傾斜層210之形成的液晶組成物,適當將使用於液晶定向層100之形成的液晶組成物稱為「定向層組成物」,將使用於液晶傾斜層210之形成的液晶組成物稱為「傾斜層組成物」。再者,在以下說明中,有時將包含液晶定向層100及液晶傾斜層210的多層結構之液晶固化層的整體稱為「複合液晶層」220。
液晶定向層100係由包含逆色散液晶性化合物(亦即,可顯現逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物)及光聚合起始劑之定向層組成物的固化物所形成。定向層組成物所包含之前述逆色散液晶性化合物於其分子結構含有乙烯性不飽和鍵及芳環。此逆色散液晶性化合物由於能透過乙烯性不飽和鍵來進行聚合反應,故具有聚合性。
由於係由定向層組成物的固化物所形成,故液晶定向層100包含定向狀態固定的逆色散液晶性化合物之分子。用語「定向狀態固定的逆色散液晶性化合物」,包含逆色散液晶性化合物的聚合物。雖然通常會因聚合而失去逆色散液晶性化合物的液晶性,但在本申請中,如此經聚合之逆色散液晶性化合物亦包含於用語「液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物」。液晶定向層100亦可包含定向狀態未固定的逆色散液晶性化合物之分子組合於定向狀態固定的逆色散液晶性化合物之分子,但以液晶定向層100所包含之逆色散液晶性化合物之分子全為定向狀態固定為佳。
液晶定向層100所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層100之層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。所謂某液晶性化合物之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)「傾斜」,表示此分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)的傾斜角位於5°以上且85°以下的範圍。如此傾斜的液晶性化合物之分子,通常呈相對於層體平面(亦即相對於面內方向)既不平行亦不垂直的狀態。
並且,液晶定向層100具有滿足式(i)的表面100U。以下將此表面100U適當稱作「特定面」。
0.450>X(S)/X(A) (i)
(在前述式(i)中,
X(S)表示液晶定向層100之特定面100U的峰值比X,
X(A)表示未聚合之逆色散液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
在以下說明中,將「紅外線全反射吸收光譜」適時稱作「IR光譜」。
0.450>X(S)/X(A) (i)
(在前述式(i)中,
X(S)表示液晶定向層100之特定面100U的峰值比X,
X(A)表示未聚合之逆色散液晶性化合物的峰值比X,
峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,
I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,
I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。)
在以下說明中,將「紅外線全反射吸收光譜」適時稱作「IR光譜」。
茲說明式(i)的意義。液晶定向層100所包含之定向層組成物的固化物,通常,係藉由此定向層組成物所包含之逆色散液晶性化合物聚合而定向狀態固定來固化者。並且,一般難以使聚合性之液晶性化合物的聚合反應完全進行,故前述固化物可能包含作為殘留之單體而未聚合的逆色散液晶性化合物。在定向層組成物之固化時,逆色散液晶性化合物的乙烯性不飽和鍵會因聚合反應而消失,但芳環的不飽和鍵不會反應故不會消失。因此,未聚合之逆色散液晶性化合物的尖峰強度I(1)與尖峰強度I(2)之比X(A),表示固化前之定向層組成物所包含之逆色散液晶性化合物的乙烯性不飽和鍵之比例。並且,液晶定向層100之特定面100U的尖峰強度I(1)與尖峰強度I(2)之比X(S),表示位於定向層組成物固化而獲得之液晶定向層100之特定面100U的逆色散液晶性化合物之乙烯性不飽和鍵的殘留比例。因此,根據此等之比X(S)/X(A),可將在液晶定向層100之特定面100U中之聚合反應的進行程度定量表示。
因此,式(i)表示在液晶定向層100之特定面100U上聚合反應已進行大半。藉此,液晶定向層100之特定面100U的耐溶解性提升。據此,即使於特定面100U塗布傾斜層組成物,亦會變得不易因傾斜層組成物所包含之成分而液晶定向層100之特定面100U溶解。因此,可抑制因特定面100U溶解所致之在複合液晶層220之表面220U上之不均勻的產生。
如前所述包含分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜之逆色散液晶性化合物的液晶定向層100之特定面100U,具有在於該特定面100U形成傾斜層組成物之層體的時候,使此傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜的作用。因此,根據液晶定向層100,可增大於其特定面100U上所形成之液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角,故可獲得視角特性優異的光學薄膜200。並且,由於液晶定向層100及液晶傾斜層210兩者皆包含逆色散液晶性化合物,故所獲得之光學薄膜200可具有逆波長色散性之面內延遲。再者,前述液晶定向層100,由於即使於特定面100U塗布傾斜層組成物,亦不容易在複合液晶層220之表面220U產生不均勻,故可實現複合液晶層220之良好的表面狀態。因此,根據前述般的液晶定向層100,可獲得具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的光學薄膜200。
作為前述比X(S)/X(A)的調整方法,可舉出例如:適度選擇亦可在定向層組成物之固化時照射之紫外線等活性能量線的照射量、逆色散液晶性化合物的種類、光聚合起始劑的種類、光聚合起始劑的量、紫外線等活性能量線照射時的溫度等條件的方法。
(1.2.逆色散液晶性化合物)
逆色散液晶性化合物係具有液晶性的化合物,通常係在使該逆色散液晶性化合物定向的情況下,可呈現液晶相的化合物。
並且,逆色散液晶性化合物,如同前述,係可顯現逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物。於此,所謂可顯現逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物,係指在形成該液晶性化合物之層體,於此層體中使液晶性化合物定向時,顯現逆波長色散性之雙折射的液晶性化合物。通常在使液晶性化合物均勻定向的情況下,可藉由調查液晶性化合物之層體是否顯示逆波長色散性的雙折射,來確認此液晶性化合物是否顯現逆波長色散性的雙折射。於此,所謂使液晶性化合物均勻定向,係指形成包含該液晶性化合物之層體,使此層體中之液晶性化合物之分子的液晶原(mesogen)骨架之長軸方向,在與前述層體之面平行的某一方向上定向。在液晶性化合物包含定向方向相異的多種液晶原骨架之情況下,此等之中最長之種類的液晶原所定向之方向成為前述定向方向。並且,前述層體的雙折射可由「(層體的面內延遲)÷(層體的厚度)」求得。
逆色散液晶性化合物於其分子結構中含有乙烯性不飽和鍵及芳環。此逆色散液晶性化合物具有聚合性。據此,逆色散液晶性化合物可在呈現液晶相的狀態下聚合,在維持液晶相中之分子的定向狀態下就此變成聚合物。因此,能在液晶定向層中固定逆色散液晶性化合物的定向狀態、提高逆色散液晶性化合物的聚合度以提高液晶定向層的機械性強度。並且,藉由逆色散液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環,能定量化在液晶固化層中使用了峰值比X之聚合反應的進行程度。
逆色散液晶性化合物得為在該逆色散液晶性化合物之分子中,包含主鏈液晶原與鍵結於前述主鏈液晶原之側鏈液晶原的化合物。包含主鏈液晶原及側鏈液晶原的前述逆色散液晶性化合物,在該逆色散液晶性化合物定向的狀態下,側鏈液晶原可定向於與主鏈液晶原相異的方向。因此,在已如此定向之逆色散液晶性化合物之層體中,主鏈液晶原及側鏈液晶原可能定向於相異的方向。在此種情況下,此層體的雙折射會作為對應於主鏈液晶原之折射率與對應於側鏈液晶原之折射率的差而顯現,故就結果而言,可顯現逆波長色散性的雙折射。
逆色散液晶性化合物的分子量以300以上為佳,以500以上為較佳,以800以上為尤佳,且以2000以下為佳,以1700以下為較佳,以1500以下為尤佳。藉由使用具有此種範圍之分子量的逆色散液晶性化合物,可尤其優化定向層組成物的塗布性。
在量測波長590 nm的逆色散液晶性化合物之雙折射Δn,以0.01以上為佳,以0.03以上為較佳,且以0.15以下為佳,以0.10以下為較佳。藉由使用具有此種範圍之雙折射Δn的逆色散液晶性化合物,可輕易獲得逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角大的液晶定向層。再者,通常藉由使用具有此種範圍之雙折射Δn的逆色散液晶性化合物,容易獲得定向缺陷少的液晶定向層。
液晶性化合物的雙折射可藉由例如下述方法來量測。
製作液晶性化合物之層體,使此層體所包含之液晶性化合物均勻定向。之後,量測此層體的面內延遲。然後,可由「(層體的面內延遲)÷(層體的厚度)」求得液晶性化合物的雙折射。此時,為使面內延遲及厚度的量測變得容易,亦可使已均勻定向之液晶性化合物的層體固化。
逆色散液晶性化合物可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
作為逆色散液晶性化合物之例,可列舉由下述式(I)所示者。
『化1』
(I)
(I)
在式(I)中,Ar表示由下述式(II-1)~式(II-7)之任一者所示之基。在式(II-1)~式(II-7)中,*表示與Z1
或Z2
的鍵結位置。
『化2』
在前述式(II-1)~式(II-7)中,E1
及E2
分別獨立,表示選自由-CR11
R12
-、-S-、-NR11
-、-CO-及-O-而成之群組之基。並且,R11
及R12
分別獨立,表示氫原子或碳原子數1~4的烷基。其中,E1
及E2
分別獨立以-S-為佳。
在前述式(II-1)~式(II-7)中,D1
~D3
分別獨立,表示亦可具有取代基的芳烴環基或亦可具有取代基的芳雜環基。D1
~D3
所表示之基的碳原子數(包含取代基的碳原子數。)分別獨立,通常為2~100。
在D1
~D3
中之芳烴環基的碳原子數以6~30為佳。作為在D1
~D3
中之碳原子數6~30的芳烴環基,可列舉例如:苯基、萘基等。其中,作為芳烴環基,以苯基為較佳。
作為在D1
~D3
中之芳烴環基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;甲基、乙基、丙基等碳原子數1~6的烷基;乙烯基、烯丙基等碳原子數2~6的烯基;三氟甲基等碳原子數1~6的鹵化烷基;二甲基胺基等碳原子數1~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳原子數1~6的烷氧基;硝基;-OCF3
;-C(=O)-Rb
;-O-C(=O)-Rb
;-C(=O)-O-Rb
;-SO2
Ra
;等。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
Ra
表示選自由:碳原子數1~6的烷基;以及亦可具有碳原子數1~6的烷基或碳原子數1~6的烷氧基作為取代基之碳原子數6~20的芳烴環基;而成之群組之基。
Rb
表示選自由:亦可具有取代基之碳原子數1~20的烷基;亦可具有取代基之碳原子數2~20的烯基;亦可具有取代基之碳原子數3~12的環烷基;及亦可具有取代基之碳原子數6~12的芳烴環基;而成之群組之基。
在Rb
中之碳原子數1~20的烷基之碳原子數,以1~12為佳,以4~10為較佳。作為在Rb
中之碳原子數1~20的烷基,可列舉例如:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、1-甲基戊基、1-乙基戊基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、正十三基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正十九基及正二十基等。
作為在Rb
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳原子數1~20的烷氧基;甲氧甲氧基、甲氧乙氧基等經碳原子數1~12的烷氧基取代之碳原子數1~12的烷氧基;硝基;苯基、萘基等碳原子數6~20的芳烴環基;三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、噻唑基、苯并噻唑-2-基硫基等碳原子數2~20的芳雜環基;環丙基、環戊基、環己基等碳原子數3~8的環烷基;環戊氧基、環己氧基等碳原子數3~8的環烷氧基;四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧基、二氧基等碳原子數2~12的環狀醚基;苯氧基、萘氧基等碳原子數6~14的芳氧基;三氟甲基、五氟乙基、-CH2
CF3
等1個以上之氫原子經氟原子取代之碳原子數1~12的氟烷基;苯并呋喃基;苯并哌喃基;苯并二氧呃基;及苯并二氧基;等。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在Rb
中之碳原子數2~20的烯基之碳原子數以2~12為佳。作為在Rb
中之碳原子數2~20的烯基,可列舉例如:乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十一烯基、十二烯基、十三烯基、十四烯基、十五烯基、十六烯基、十七烯基、十八烯基、十九烯基及二十烯基等。
作為在Rb
中之碳原子數2~20的烯基得具有之取代基,可列舉例如與在Rb
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rb
中之碳原子數3~12的環烷基,可列舉例如:環丙基、環丁基、環戊基、環己基及環辛基等。其中,作為環烷基,以環戊基及環己基為佳。
作為在Rb
中之碳原子數3~12的環烷基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲基、乙基、丙基等碳原子數1~6的烷基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳原子數1~6的烷氧基;硝基;及苯基、萘基等碳原子數6~20的芳烴環基;等。其中,作為環烷基的取代基,以氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;甲基、乙基、丙基等碳原子數1~6的烷基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳原子數1~6的烷氧基;硝基;及苯基、萘基等碳原子數6~20的芳烴環基為佳。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rb
中之碳原子數6~12的芳烴環基,可列舉例如:苯基、1-萘基、2-萘基等。其中,作為芳烴環基,以苯基為佳。
作為在Rb
中之碳原子數6~12的芳烴環基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳原子數1~20的烷氧基;甲氧甲氧基、甲氧乙氧基等經碳原子數1~12的烷氧基取代之碳原子數1~12的烷氧基;硝基;三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基等碳原子數2~20的芳雜環基;環丙基、環戊基、環己基等碳原子數3~8的環烷基;環戊氧基、環己氧基等碳原子數3~8的環烷氧基;四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧基、二氧基等碳原子數2~12的環狀醚基;苯氧基、萘氧基等碳原子數6~14的芳氧基;三氟甲基、五氟乙基、-CH2
CF3
等1個以上之氫原子經氟原子取代之碳原子數1~12的氟烷基;-OCF3
;苯并呋喃基;苯并哌喃基;苯并二氧呃基;苯并二氧基;等。其中,作為芳烴環基的取代基,以氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳原子數1~20的烷氧基;硝基;呋喃基、噻吩基等碳原子數2~20的芳雜環基;環丙基、環戊基、環己基等碳原子數3~8的環烷基;三氟甲基、五氟乙基、-CH2
CF3
等1個以上之氫原子經氟原子取代之碳原子數1~12的氟烷基;-OCF3
為佳。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在D1
~D3
中之芳雜環基的碳原子數以2~30為佳。作為在D1
~D3
中之碳原子數2~30的芳雜環基,可列舉例如:1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、咪唑基、吲哚啉基、呋呫基、㗁唑基、喹啉基、噻二唑基、噻唑基、噻唑并吡基、噻唑并吡啶基、噻唑并嗒基、噻唑并嘧啶基、噻吩基、三基、三唑基、㖠啶基、吡基、吡唑基、哌喃基、吡啶基、嗒基、嘧啶基、吡咯基、呔基、呋喃基、苯[c]噻吩基、苯[b]噻吩基、苯并異㗁唑基、苯并異噻唑基、苯并咪唑基、苯并㗁二唑基、苯并㗁唑基、苯并噻二唑基、苯并噻唑基、苯并三基、苯并三唑基及苯并吡唑基等。其中,作為芳雜環基,以呋喃基、哌喃基、噻吩基、㗁唑基、呋呫基、噻唑基及噻二唑基等單環的芳雜環基;以及苯并噻唑基、苯并㗁唑基、喹啉基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、苯[c]噻吩基、苯[b]噻吩基、噻唑并吡啶基、噻唑并吡基、苯并異㗁唑基、苯并㗁二唑基及苯并噻二唑基等稠環的芳雜環基為較佳。
作為在D1
~D3
中之芳雜環基得具有之取代基,可列舉例如與在D1
~D3
中之芳烴環基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在前述式(II-1)~式(II-7)中,D4
~D5
分別獨立,表示亦可具有取代基的非環狀基。D4
及D5
亦可結伴形成環。D4
~D5
所表示之基的碳原子數(包含取代基的碳原子數。)分別獨立,通常為1~100。
在D4
~D5
中之非環狀基的碳原子數以1~13為佳。作為在D4
~D5
中的非環狀基,可列舉例如:碳原子數1~6的烷基;氰基;羧基;碳原子數1~6的氟烷基;碳原子數1~6的烷氧基;-C(=O)-CH3
;-C(=O)NHPh;-C(=O)-ORx
。其中,作為非環狀基,以氰基、羧基、-C(=O)-CH3
、-C(=O)NHPh、-C(=O)-OC2
H5
、-C(=O)-OC4
H9
、-C(=O)-OCH(CH3
)2
、-C(=O)-OCH2
CH2
CH(CH3
)-OCH3
、-C(=O)-OCH2
CH2
C(CH3
)2
-OH及-C(=O)-OCH2
CH(CH2
CH3
)-C4
H9
為佳。前述Ph表示苯基。並且,前述Rx
表示碳原子數1~12的有機基。作為Rx
的具體例,可列舉:碳原子數1~12的烷氧基或亦可經羥基取代之碳原子數1~12的烷基。
作為在D4
~D5
中之非環狀基得具有之取代基,可列舉例如與在D1
~D3
中之芳烴環基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在D4
及D5
結伴形成環的情況下,會因前述D4
及D5
而形成包含環的有機基。作為此有機基,可列舉例如由下述式所示之基。在下述式中,*表示各有機基中,D4
及D5
所鍵結之碳的位置。
『化3』
R*
表示碳原子數1~3的烷基。
R**
表示選自由碳原子數1~3的烷基及亦可具有取代基的苯基而成之群組之基。
R***
表示選自由碳原子數1~3的烷基及亦可具有取代基的苯基而成之群組之基。
R****
表示選自由氫原子、碳原子數1~3的烷基、羥基及-COOR13
而成之群組之基。R13
表示碳原子數1~3的烷基。
作為苯基得具有之取代基,可列舉例如:鹵素原子、烷基、烯基、芳基、雜環基、羥基、羧基、烷氧基、芳氧基、醯氧基、氰基及胺基。其中,作為取代基,以鹵素原子、烷基、氰基及烷氧基為佳。苯基所具有之取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在前述式(II-1)~式(II-7)中,D6
表示選自由-C(Rf
)=N-N(Rg
)Rh
、-C(Rf
)=N-N=C(Rg
)Rh
及-C(Rf
)=N-N=Ri
而成之群組之基。D6
所表示之基的碳原子數(包含取代基的碳原子數。)通常為3~100。
Rf
表示選自由:氫原子;以及甲基、乙基、丙基及異丙基等碳原子數1~6的烷基;而成之群組之基。
Rg
表示選自由:氫原子;以及亦可具有取代基之碳原子數1~30的有機基;而成之群組之基。
作為在Rg
中之亦可具有取代基之碳原子數1~30的有機基,可列舉例如:亦可具有取代基之碳原子數1~20的烷基;碳原子數1~20的烷基所包含之至少一個-CH2
-經-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-或-C(=O)-取代之基(惟排除2個以上-O-或-S-分別鄰接而中介的情況);亦可具有取代基之碳原子數2~20的烯基;亦可具有取代基之碳原子數2~20的炔基;亦可具有取代基之碳原子數3~12的環烷基;亦可具有取代基之碳原子數6~30的芳烴環基;亦可具有取代基之碳原子數2~30的芳雜環基;-SO2
Ra
;-C(=O)-Rb
;-CS-NH-Rb
。Ra
及Rb
的意義係如同上述。
在Rg
中之碳原子數1~20的烷基之良佳碳原子數的範圍及示例物,與在Rb
中之碳原子數1~20的烷基相同。
作為在Rg
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基等碳原子數1~20的烷氧基;甲氧甲氧基、甲氧乙氧基等經碳原子數1~12的烷氧基取代之碳原子數1~12的烷氧基;硝基;苯基、萘基等碳原子數6~20的芳烴環基;三唑基、吡咯基、呋喃基、噻吩基等碳原子數2~20的芳雜環基;環丙基、環戊基、環己基等碳原子數3~8的環烷基;環戊氧基、環己氧基等碳原子數3~8的環烷氧基;四氫呋喃基、四氫哌喃基、二氧基、二氧基等碳原子數2~12的環狀醚基;苯氧基、萘氧基等碳原子數6~14的芳氧基;1個以上之氫原子經氟原子取代之碳原子數1~12的氟烷基;苯并呋喃基;苯并哌喃基;苯并二氧呃基;苯并二氧基;-SO2
Ra
;-SRb
;經-SRb
取代之碳原子數1~12的烷氧基;羥基;等。Ra
及Rb
的意義係如同上述。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在Rg
中之碳原子數2~20的烯基之良佳碳原子數的範圍及示例物,與在Rb
中之碳原子數2~20的烯基相同。
作為在Rg
中之碳原子數2~20的烯基得具有之取代基,可列舉例如與在Rg
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rg
中之碳原子數2~20的炔基,可列舉例如:乙炔基、丙炔基、2-丙炔基(炔丙基)、丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、2-戊炔基、己炔基、5-己炔基、庚炔基、辛炔基、2-辛炔基、壬炔基、癸炔基、7-癸炔基等。
作為在Rg
中之碳原子數2~20的炔基得具有之取代基,可列舉例如與在Rg
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rg
中之碳原子數3~12的環烷基,可列舉例如與在Rb
中之碳原子數3~12的環烷基相同之例。
作為在Rg
中之碳原子數3~12的環烷基得具有之取代基,可列舉例如與在Rg
中之碳原子數1~20的烷基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rg
中之碳原子數6~30的芳烴環基,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數6~30的芳烴環基相同之例。
作為在Rg
中之碳原子數6~30的芳烴環基得具有之取代基,可列舉例如與在D1
~D3
中之芳烴環基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在Rg
中之碳原子數2~30的芳雜環基,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數2~30的芳雜環基相同之例。
作為在Rg
中之碳原子數2~30的芳雜環基得具有之取代基,可列舉例如與在D1
~D3
中之芳烴環基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在上述者中,作為Rg
,以亦可具有取代基之碳原子數1~20的烷基;碳原子數1~20的烷基所包含之至少一個-CH2
-經-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-或-C(=O)-取代之基(惟排除2個以上-O-或-S-分別鄰接而中介的情況);亦可具有取代基之碳原子數3~12的環烷基;亦可具有取代基之碳原子數6~30的芳烴環基;以及,亦可具有取代基之碳原子數2~30的芳雜環基為佳。其中,作為Rg
,以亦可具有取代基之碳原子數1~20的烷基;以及,碳原子數1~20的烷基所包含之至少一個-CH2
-經-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-或-C(=O)-取代之基(惟排除2個以上-O-或-S-分別鄰接而中介的情況)為尤佳。
Rh
表示具有選自由碳原子數6~30的芳烴環及碳原子數2~30的芳雜環而成之群組之1個以上之芳環的有機基。
作為Rh
之佳例,可列舉:(1)具有1個以上之碳原子數6~30的芳烴環之碳原子數6~40的環烴基。以下將此具有芳烴環的環烴基適時稱作「(1)環烴基」。作為(1)環烴基之具體例,可列舉下述基。
『化4』
(1)環烴基亦可具有取代基。作為(1)環烴基得具有之取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;甲基、乙基、丙基等碳原子數1~6的烷基;乙烯基、烯丙基等碳原子數2~6的烯基;三氟甲基等碳原子數1~6的鹵化烷基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳原子數1~6的烷氧基;硝基;苯基、萘基等碳原子數6~20的芳烴環基;-OCF3
;-C(=O)-Rb
;-O-C(=O)-Rb
;-C(=O)-O-Rb
;-SO2
Ra
;等。Ra
及Rb
之意義係如同上述。此等之中,以鹵素原子、氰基、碳原子數1~6的烷基及碳原子數1~6的烷氧基為佳。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為Rh
之另一佳例,可列舉:(2)具有選自由碳原子數6~30的芳烴環及碳原子數2~30的芳雜環而成之群組之1個以上之芳環之碳原子數2~40的雜環基。以下將此具有芳環的雜環基適時稱作「(2)雜環基」。作為(2)雜環基之具體例,可列舉下述基。R分別獨立表示氫原子或碳原子數1~6的烷基。
『化5』
『化6』
『化7』
『化8』
『化9』
『化10』
『化11』
『化12』
(2)雜環基亦可具有取代基。作為(2)雜環基得具有之取代基,可列舉例如與(1)環烴基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為Rh
之又另一佳例,可列舉:(3)經選自由碳原子數6~30的芳烴環基及碳原子數2~30的芳雜環基而成之群組之1個以上之基取代之碳原子數1~12的烷基。以下將此經取代之烷基適時稱作「(3)取代烷基」。
作為在(3)取代烷基中之「碳原子數1~12的烷基」,可列舉例如:甲基、乙基、丙基、異丙基等。
作為在(3)取代烷基中之「碳原子數6~30的芳烴環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數6~30的芳烴環基相同之例。
作為在(3)取代烷基中之「碳原子數2~30的芳雜環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數2~30的芳雜環基相同之例。
(3)取代烷基亦可更具有取代基。作為(3)取代烷基得具有之取代基,可列舉例如與(1)環烴基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為Rh
之又另一佳例,可列舉:(4)經選自由碳原子數6~30的芳烴環基及碳原子數2~30的芳雜環基而成之群組之1個以上之基取代之碳原子數2~12的烯基。以下將此經取代之烯基適時稱作「(4)取代烯基」。
作為在(4)取代烯基中之「碳原子數2~12的烯基」,可列舉例如:乙烯基、烯丙基等。
作為在(4)取代烯基中之「碳原子數6~30的芳烴環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數6~30的芳烴環基相同之例。
作為在(4)取代烯基中之「碳原子數2~30的芳雜環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數2~30的芳雜環基相同之例。
(4)取代烯基亦可更具有取代基。作為(4)取代烯基得具有之取代基,可列舉例如與(1)環烴基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為Rh
之又另一佳例,可列舉:(5)經選自由碳原子數6~30的芳烴環基及碳原子數2~30的芳雜環基而成之群組之1個以上之基取代之碳原子數2~12的炔基。以下將此經取代之炔基適時稱作「(5)取代炔基」。
作為在(5)取代炔基中之「碳原子數2~12的炔基」,可列舉例如:乙炔基、丙炔基等。
作為在(5)取代炔基中之「碳原子數6~30的芳烴環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數6~30的芳烴環基相同之例。
作為在(5)取代炔基中之「碳原子數2~30的芳雜環基」,可列舉例如與在D1
~D3
中之碳原子數2~30的芳雜環基相同之例。
(5)取代炔基亦可更具有取代基。作為(5)取代炔基得具有之取代基,可列舉例如與(1)環烴基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為Rh
之較佳具體例,可列舉下述基。
『化13』
作為Rh
之更佳具體例,可列舉下述基。
『化14』
作為Rh
之尤佳具體例,可列舉下述基。
『化15』
上述Rh
之具體例,亦可更具有取代基。作為此取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子等鹵素原子;氰基;甲基、乙基、丙基等碳原子數1~6的烷基;乙烯基、烯丙基等碳原子數2~6的烯基;三氟甲基等碳原子數1~6的鹵化烷基;二甲基胺基等碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳原子數1~6的烷氧基;硝基;-OCF3
;-C(=O)-Rb
;-O-C(=O)-Rb
;-C(=O)-O-Rb
;-SO2
Ra
;等。Ra
及Rb
的意義係如同上述。此等之中,以鹵素原子、氰基、碳原子數1~6的烷基及碳原子數1~6的烷氧基為佳。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
Ri
表示具有選自由碳原子數6~30的芳烴環及碳原子數2~30的芳雜環而成之群組之1個以上之芳環的有機基。
作為Ri
之佳例,可列舉:具有1個以上之碳原子數6~30的芳烴環之碳原子數6~40的環烴基。
並且,作為Ri
之另一佳例,可列舉:具有選自由碳原子數6~30的芳烴環及碳原子數2~30的芳雜環而成之群組之1個以上之芳環之碳原子數2~40的雜環基。
作為Ri
之尤佳具體例,可列舉下述基。R的意義係如同上述。
『化16』
由式(II-1)~式(II-7)之任一者所示之基,除了D1
~D6
以外亦可更具有取代基。作為此取代基,可列舉例如:鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1~6的烷基、碳原子數1~6的鹵化烷基、碳原子數1~6的N-烷基胺基、碳原子數2~12的N,N-二烷基胺基、碳原子數1~6的烷氧基、碳原子數1~6的烷基亞磺醯基、羧基、碳原子數1~6的硫烷基、碳原子數1~6的N-烷基胺磺醯基、碳原子數2~12的N,N-二烷基胺磺醯基。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在式(I)中之Ar的佳例,可列舉由下述式(III-1)~式(III-10)所示之基。並且,由式(III-1)~式(III-10)所示之基,亦可具有碳原子數1~6的烷基作為取代基。下述式中,*表示鍵結位置。
『化17』
作為式(III-1)及式(III-4)之尤佳具體例,可列舉下述基。下述式中,*表示鍵結位置。
『化18』
『化19』
『化20』
『化21』
『化22』
在式(I)中,Z1
及Z2
分別獨立,表示選自由單鍵、-O-、-O-CH2
-、-CH2
-O-、-O-CH2
-CH2
-、-CH2
-CH2
-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-S-、-S-C(=O)-、-NR21
-C(=O)-、-C(=O)-NR21
-、-CF2
-O-、-O-CF2
-、-CH2
-CH2
-、-CF2
-CF2
-、-O-CH2
-CH2
-O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-、-CH2
-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH2
-、-CH2
-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH2
-、-CH2
-CH2
-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH2
-CH2
-、-CH2
-CH2
-O-C(=O)-、-C(=O)-O-CH2
-CH2
-、-CH=CH-、-N=CH-、-CH=N-、-N=C(CH3
)-、-C(CH3
)=N-、-N=N-及-C≡C-而成之群組之任一者。R21
分別獨立,表示氫原子或碳原子數1~6的烷基。
在式(I)中,A1
、A2
、B1
及B2
分別獨立,表示選自由亦可具有取代基之脂環基以及亦可具有取代基之芳基而成之群組之基。A1
、A2
、B1
及B2
所表示之基的碳原子數(包含取代基的碳原子數。)分別獨立,通常為3~100。其中,A1
、A2
、B1
及B2
分別獨立,以亦可具有取代基之碳原子數5~20的脂環基或亦可具有取代基之碳原子數2~20的芳基為佳。
作為在A1
、A2
、B1
及B2
中之脂環基,可列舉例如:環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環庚烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等碳原子數5~20的環烷二基;十氫萘-1,5-二基、十氫萘-2,6-二基等碳原子數5~20的雙環烷二基;等。其中,以亦可經取代之碳原子數5~20的環烷二基為佳,以環己烷二基為較佳,以環己烷-1,4-二基為尤佳。脂環基可為反式體,亦可為順式體,還可為順式體與反式體的混合物。其中,以反式體為較佳。
作為在A1
、A2
、B1
及B2
中之脂環基得具有之取代基,可列舉例如:鹵素原子、碳原子數1~6的烷基、碳原子數1~5的烷氧基、硝基、氰基等。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
作為在A1
、A2
、B1
及B2
中之芳基,可列舉例如:1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、1,4-伸萘基、1,5-伸萘基、2,6-伸萘基、4,4’-伸聯苯基等碳原子數6~20的芳烴環基;呋喃-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、吡啶-2,5-二基、吡-2,5-二基等碳原子數2~20的芳雜環基;等。其中,以碳原子數6~20的芳烴環基為佳,以伸苯基為更佳,以1,4-伸苯基為尤佳。
作為在A1
、A2
、B1
及B2
中之芳基得具有之取代基,可列舉例如與在A1
、A2
、B1
及B2
中之脂環基得具有之取代基相同之例。取代基的數量可為一個,亦可為多個。並且,多個取代基可彼此相同亦可相異。
在式(I)中,Y1
~Y4
分別獨立,表示選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-NR22
-C(=O)-、-C(=O)-NR22
-、-O-C(=O)-O-、-NR22
-C(=O)-O-、-O-C(=O)-NR22
-及-NR22
-C(=O)-NR23
-而成之群組之任一者。R22
及R23
分別獨立,表示氫原子或碳原子數1~6的烷基。
在式(I)中,G1
及G2
分別獨立,表示選自由碳原子數1~20的脂族烴基;以及,碳原子數3~20的脂族烴基所包含之1個以上之亞甲基(-CH2
-)經-O-或-C(=O)-取代之基;而成之群組之有機基。G1
及G2
之前述有機基所包含之氫原子,亦可被碳原子數1~5的烷基、碳原子數1~5的烷氧基或鹵素原子取代。惟G1
及G2
之兩末端的亞甲基(-CH2
-)不被-O-或-C(=O)-取代。
作為在G1
及G2
中之碳原子數1~20的脂族烴基之具體例,可列舉碳原子數1~20的伸烷基。
作為在G1
及G2
中之碳原子數3~20的脂族烴基之具體例,可列舉碳原子數3~20的伸烷基。
在式(I)中,P1
及P2
分別獨立,表示聚合性基。作為在P1
及P2
中之聚合性基,可列舉例如:丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等由CH2
=CR31
-C(=O)-O-所表示之基;乙烯基;乙烯醚基;對二苯乙烯基;丙烯醯基;甲基丙烯醯基;等。R31
表示氫原子、甲基或氯原子。其中,以由CH2
=CR31
-C(=O)-O-所表示之基為佳,以CH2
=CH-C(=O)-O-(丙烯醯氧基)、CH2
=C(CH3
)-C(=O)-O-(甲基丙烯醯氧基)為較佳,以丙烯醯氧基為尤佳。
在式(I)中,p及q分別獨立,表示0或1。
由式(I)所示之逆色散液晶性化合物,得藉由例如國際專利公開第2012/147904號所記載之肼化合物與羰化合物的反應來製造。
(1.3.光聚合起始劑)
光聚合起始劑得因應於逆色散液晶性化合物的種類來選擇。舉例而言,若逆色散液晶性化合物為自由基聚合性,即得使用自由基聚合起始劑。並且,若逆色散液晶性化合物為陰離子聚合性,即得使用陰離子聚合起始劑。再者,若逆色散液晶性化合物為陽離子聚合性,即得使用陽離子聚合起始劑。
作為光聚合起始劑,以自由基聚合起始劑為佳,以肟酯系聚合起始劑為較佳。所謂肟酯系聚合起始劑,係含有肟酯基的聚合起始劑。藉由使用肟酯系聚合起始劑,可有效提高液晶定向層的耐溶解性,故容易優化複合液晶層的表面狀態。
作為肟酯系聚合起始劑,可列舉例如:1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)苯基]-2-(O-苯甲醯肟)、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯肟)、日本專利公開第2001-233842號公報所記載之肟酯系聚合起始劑等。並且,若要以商品名舉出肟酯系聚合起始劑之例,可列舉:BASF公司製的IrgacureOXE01、IrgacureOXE02、IrgacureOXE04;ADEKA公司製的ADEKA OPTOMER N-1919T;等。
光聚合起始劑可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
聚合起始劑的量,相對於逆色散液晶性化合物100重量份,以0.1重量份以上為佳,以0.5重量份以上為較佳,且以30重量份以下為佳,以10重量份以下為較佳。藉由聚合起始劑的量落於前述範圍,可使聚合有效率進行。
(1.4.定向層組成物)
定向層組成物包含上述逆色散液晶性化合物及光聚合起始劑,亦可視需求更包含任意成分。任意成分可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
定向層組成物亦可包含界面活性劑作為任意成分。尤其,就穩定獲得期望之液晶定向層之觀點而言,作為界面活性劑,以於分子中包含氟原子的界面活性劑為佳。在以下說明中,將於分子中包含氟原子的界面活性劑適時稱作「氟系界面活性劑」。
氟系界面活性劑以非離子系界面活性劑為佳。在氟系界面活性劑為不含離子性基的非離子系界面活性劑之情況下,可尤其優化液晶定向層的表面狀態及定向性。
氟系界面活性劑可不具聚合性,亦可具有聚合性。具有聚合性的氟系界面活性劑由於可藉由使定向層組成物之層體固化的工序來聚合,故通常在液晶定向層中為聚合物之分子的一部分所包含。
作為氟系界面活性劑,可列舉例如:AGC Seimi Chemical Co., Ltd.製的Surflon系列(S420等)、NEOS公司製的FTERGENT系列(251、FTX-212M、FTX-215M、FTX-209等)、DIC公司製的MEGAFAC系列(F-444等)等。並且,氟系界面活性劑可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
界面活性劑的量,相對於逆色散液晶性化合物100重量份,以0.03重量份以上為佳,以0.05重量份以上為較佳,且以0.50重量份以下為佳,以0.30重量份以下為較佳。藉由界面活性劑的量位於前述範圍,可有效增大在液晶定向層中之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
定向層組成物亦可包含溶劑作為任意成分。作為溶劑,以可溶解逆色散液晶性化合物者為佳。作為此種溶劑,通常使用有機溶劑。作為有機溶劑之例,可列舉:環戊酮、環己酮、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮等酮溶劑;乙酸丁酯、乙酸戊酯等乙酸酯溶劑;氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等鹵化烴溶劑;1,4-二氧、環戊基甲基醚、四氫呋喃、四氫哌喃、1,3-二氧、1,2-二甲氧基乙烷等醚溶劑;及甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯等芳烴系溶劑。並且,溶劑可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
溶劑的沸點,就操作性優異之觀點而言,以60℃~250℃為佳,以60℃~150℃為較佳。
溶劑的量,相對於逆色散液晶性化合物100重量份,以200重量份以上為佳,以250重量份以上為較佳,以300重量份以上為尤佳,且以650重量份以下為佳,以550重量份以下為較佳,以450重量份以下為尤佳。藉由將溶劑的量定於前述範圍的下限值以上可抑制異物產生,且藉由定於前述範圍的上限值以下可降低乾燥負荷。
並且,為了更加增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角,定向層組成物亦可包含傾斜作用成分作為任意成分,所述傾斜作用成分可發揮增大逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之作用。多數逆色散液晶性化合物,即便使其單獨定向亦僅能獲得小的傾斜角,但藉由使用傾斜作用成分,可促進逆色散液晶性化合物之分子的傾斜,輕易獲得逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角大的液晶定向層。惟促進逆色散液晶性化合物之分子的傾斜,亦能夠藉由在製造液晶定向層的過程中調整操作或條件,故並非不使用傾斜作用成分就不行。
作為傾斜作用成分,可列舉例如:具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物。於此,所謂「順色散液晶性化合物」,係指可顯現順波長色散性之雙折射的液晶性化合物。並且,所謂「具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物」,係指在對樹脂薄膜的摩擦處理面,塗布單獨包含順色散液晶性化合物作為液晶性化合物的組成物並施以定向處理,獲得試驗層的情況下,在此試驗層中之順色散液晶性化合物之分子,相對於層體平面所夾之實質最大傾斜角可成為30°以上的順色散液晶性化合物。如此具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物,藉由與具有4.8以上且6.7以下之log P的氟系界面活性劑組合而使用,可發揮增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之作用。
於此所謂「log P」,係指1-辛醇/水分配係數。氟系界面活性劑的log P可藉由下述量測方法來量測。
製備包含氟系界面活性劑1重量%的試樣溶液,並藉由大致上準據JIS 7260-117:2006〈分配係數(1-辛醇/水)的量測──高效液體層析法〉的方法,進行HPLC/ELSD分析(高效液體層析法/蒸發光散射檢測分析),量測滯留時間(r. t.)。另一方面,對在JIS 7260-117:2006有所記載之log P之值係為已知的標誌化合物,比照前述氟系界面活性劑進行HPLC/ELSD分析,量測滯留時間(r. t.)。依照標誌化合物的量測結果,作出揭示滯留時間與log P之關係的標準曲線。之後,將對氟系界面活性劑所量測的滯留時間,透過代入前述標準曲線,求得氟系界面活性劑的log P。
作為具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物,可列舉例如下述化合物。並且,關於包含具有傾斜定向性之順色散液晶性化合物的定向層組成物,可參照日本專利公開第2018-162379號公報及日本專利申請第2017-060154號之說明書的記載。
『化23』
具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物的量,相對於逆色散液晶性化合物與具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物的合計100重量份,以1重量份以上為佳,以5重量份以上為較佳,以10重量份以上為更佳,且以25重量份以下為佳,以20重量份以下為較佳。藉由使用此種量之具有傾斜定向性的順色散液晶性化合物,可輕易獲得逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角大,且定向缺陷少的液晶定向層。
作為傾斜作用成分,可列舉例如:分子量Mw與π電子數Np之比Mw/Np為17以上且70以下的(甲基)丙烯酸酯化合物。此(甲基)丙烯酸酯化合物的分子量Mw與π電子數Np之比Mw/Np,詳細而言,通常為17以上,以23以上為佳,且通常為70以下,以50以下為佳。此(甲基)丙烯酸酯化合物,藉由與氟系界面活性劑組合而使用,可發揮增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之作用。
每1分子之化合物的π電子數,係依照此化合物所包含之不飽和鍵的種類及數量而求得。若要列舉不飽和鍵分別所包含之π電子數之例,脂族性或芳香性的碳─碳雙鍵(C=C)所包含之π電子數為2個、碳─碳三鍵(C≡C)所包含之π電子數為4個、碳─氮雙鍵(C=N)所包含之π電子數為2個、碳─氮三鍵(C≡N)所包含之π電子數為4個、氮─氮雙鍵(N=N)所包含之π電子數為2個。
作為前述(甲基)丙烯酸酯化合物,可列舉例如下述者。並且,關於包含前述(甲基)丙烯酸酯化合物的定向層組成物,可參照國際專利公開第2018/173778號及日本專利申請第2017-060122號之說明書的記載。
『化24』
『化25』
前述(甲基)丙烯酸酯化合物的量,相對於逆色散液晶性化合物及(甲基)丙烯酸酯化合物的合計100重量份,以1重量份以上為佳,以5重量份以上為較佳,且以30重量份以下為佳,以20重量份以下為較佳。藉由(甲基)丙烯酸酯化合物的量落於前述範圍,可發揮增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之作用。
並且,在使用前述(甲基)丙烯酸酯化合物的情況下,氟系界面活性劑的量以落於指定之範圍為佳。具體而言,氟系界面活性劑的量,相對於逆色散液晶性化合物及(甲基)丙烯酸酯化合物的合計100重量份,以0.11重量份以上為佳,以0.12重量份以上為較佳,且以0.29重量份以下為佳,以0.25重量份以下為較佳,以0.20重量份以下為尤佳。藉由氟系界面活性劑的量位於前述範圍,可輕易獲得逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角大,且定向缺陷少的液晶定向層。
作為傾斜作用成分,可列舉例如:具有磁場響應性的液晶性化合物。於此,所謂「具有磁場響應性的液晶性化合物」,係在液晶化溫度下經施加磁場的情形中,定向狀態可依此磁場而變化的液晶性化合物。包含具有磁場響應性之液晶性化合物的定向層組成物,可藉由在其定向處理時適度施加磁場,發揮增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之作用。
作為具有磁場響應性的液晶性化合物,可列舉例如下述者。並且,關於包含具有磁場響應性之液晶性化合物的定向層組成物,可參照日本專利公開第2018-163218號公報及日本專利申請第2017-059327號之說明書的記載。
『化26』
具有磁場響應性的液晶性化合物的量,相對於具有磁場響應性的液晶性化合物與逆色散液晶性化合物的合計100重量份,以0.1重量份以上為佳,以1重量份以上為較佳,以3重量份以上為尤佳,且以40重量份以下為佳,以30重量份以下為較佳,以20重量份以下為尤佳。藉由具有磁場響應性的液晶性化合物的量落於前述範圍,可輕易獲得逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角大,且定向缺陷少的液晶定向層。
作為定向層組成物得包含之其他任意成分,可列舉例如:金屬;金屬錯合物;氧化鈦等金屬氧化物;染料、顏料等著色劑;螢光材料、磷光材料等發光材料;均染劑;觸變劑;膠化劑;多醣類;紫外線吸收劑;紅外線吸收劑;抗氧化劑;離子交換樹脂;等。此等成分的量,相對於逆色散液晶性化合物的合計100重量份,各自得定為0.1重量份~20重量份。
(1.5.液晶定向層的特性)
液晶定向層係固化上述定向層組成物的固化物之層體。前述定向層組成物的固化,通常藉由聚合該定向層組成物所包含之聚合性的化合物來達成。因此,液晶定向層通常包含定向層組成物所包含之成分之一部分或全部的聚合物。由於含有乙烯性不飽和鍵的逆色散液晶性化合物具有聚合性,在定向層組成物的固化時此逆色散液晶性化合物會聚合,故液晶定向層得為包含維持聚合前的定向狀態直接聚合之逆色散液晶性化合物之聚合物的層體。如前所述,此經聚合之逆色散液晶性化合物亦包含於用語「液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物」。
在定向層組成物的固化物中,會失去固化前的流動性,故通常逆色散液晶性化合物的定向狀態係以固化前的定向狀態直接固定。而且,此液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。
在液晶定向層中,於逆色散液晶性化合物之分子之中,可為一部分相對於液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜,亦可為全部相對於液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。通常,在液晶定向層中,逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角,於厚度方向上愈靠近特定面則愈大,愈遠離特定面則愈小。因此,在液晶定向層之特定面的鄰近部分中,逆色散液晶性化合物之分子可能會相對於層體平面(亦即相對於面內方向)垂直。並且,在液晶定向層之與特定面為相反側之面的鄰近部分中,逆色散液晶性化合物之分子可能會相對於層體平面(亦即相對於面內方向)平行。然而,即使在如此液晶定向層的表面鄰近部分中,逆色散液晶性化合物之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)平行或垂直的情況下,通常,在排除液晶定向層的表面鄰近部分的部分中,逆色散液晶性化合物之分子仍會相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。
液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜一事,可藉由利用具有充分解析度的偏光顯微鏡觀察液晶定向層的剖面來確認。為使逆色散液晶性化合物之分子的傾斜易於觀看,此觀察亦可視需求在觀察樣本與偏光顯微鏡的物鏡之間插入波長板作為試板來實施。
或者,液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜一事,可如下所述操作來確認。在相對於液晶定向層之面內的快軸方向垂直的量測方向上,量測在入射角θ的液晶定向層的延遲R(θ)。然後,將在入射角θ的液晶定向層之延遲R(θ)除以在入射角0°的液晶定向層之延遲R(0°),求得延遲比R(θ)/R(0°)。在描繪將如此求得之延遲比R(θ)/R(0°)定為縱軸、將入射角θ定為橫軸之圖表的情況下,只要所獲得之圖表對θ=0°為不對稱,即可確認到液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜一事。
以下舉例以更具體說明。圖3係將某例相關之液晶定向層的延遲比R(θ)/R(0°)對入射角θ作圖的圖表。若液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之所有分子的傾斜角為0°或90°,則延遲比R(θ)/R(0°),如在圖3中以虛線所示之例,會對θ=0°之直線(在圖3中通過θ=0°的縱軸)呈線對稱。相對於此,若液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜,則延遲比R(θ)/R(0°),如在圖3中以實線所繪示之例,通常會對θ=0°之直線呈不對稱。因此,在延遲比R(θ)/R(0°)為對θ=0°不對稱的情況下,可判定液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。
液晶定向層由於包含相對於該液晶定向層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜之逆色散液晶性化合物的分子,故通常具有5°以上且85°以下的實質最大傾斜角。在液晶定向層中,此實質最大傾斜角表示:在假設液晶定向層之與特定面為相反側之面之分子的傾斜角為0°,且分子的傾斜角在厚度方向上以一定比率變化的情況下,逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角的最大值。此實質最大傾斜角係代表液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角之大小的指標。通常,實質最大傾斜角愈大的液晶定向層,此液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子之整體所看到的傾斜角有愈大的傾向。
在使用液晶定向層製造的光學薄膜中,通常,液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角愈大,愈可增大液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,其結果,可增大複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。而且,如此實質最大傾斜角大的複合液晶層,由於該複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角整體為大,故在將具備此複合液晶層的光學薄膜設置於作為反射抑制薄膜的偏光板之情形中,可適度進行在厚度方向上之雙折射的調整。因此,根據此光學薄膜,可在顯示面之傾斜方向上有效抑制反射,故能改善視角特性。
液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之範圍,以將包含液晶定向層及液晶傾斜層之複合液晶層之整體所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,適度調整成落於可實現優異之視角特性的範圍為佳。通常,液晶定向層的實質最大傾斜角愈大,愈可增大包含液晶定向層及液晶傾斜層之複合液晶層之整體的實質最大傾斜角。液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之具體的範圍,以15°以上為佳,以20°以上為較佳,以30°以上為尤佳,且以60°以下為佳。藉由液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角位於前述範圍,尤其易於製造具有優異之視角特性的光學薄膜。
液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,可藉由後述實施例所記載之量測方法量測。根據後述實施例所記載之量測方法,即使在此液晶定向層包含逆色散液晶性化合物以外之液晶性化合物的情況下,亦能量測逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
在液晶定向層的面內方向上,逆色散液晶性化合物之分子的定向方向通常均勻。因此,液晶定向層通常具有自厚度方向看液晶定向層之與逆色散液晶性化合物之分子的定向方向平行的面內慢軸。而且,由於如此在面內方向上逆色散液晶性化合物沿一定之定向方向定向,故液晶定向層通常具有指定之大小的面內延遲。
液晶定向層係由包含逆色散液晶性化合物之定向層組成物的固化物所形成,故通常具有逆波長色散性之面內延遲。於此,所謂逆波長色散性之面內延遲,係指在波長450 nm的面內延遲Re(450)及在波長550 nm的面內延遲Re(550)滿足下述式(N3)的面內延遲。其中,液晶定向層的面內延遲以滿足下述式(N4)為佳。藉由將如此具有逆波長色散性之面內延遲的液晶定向層與液晶傾斜層組合,可獲得具有逆波長色散性之面內延遲的光學薄膜。
Re(450)/Re(550)<1.00 (N3)
Re(450)/Re(550)<0.90 (N4)
Re(450)/Re(550)<1.00 (N3)
Re(450)/Re(550)<0.90 (N4)
液晶定向層之具體的面內延遲之範圍,得因應使用此液晶定向層所製造之光學薄膜的用途而任意設定。尤其,為了要組合光學薄膜與直線偏光件以獲得作為有機EL顯示面板用之反射抑制薄膜的偏光板,液晶定向層的面內延遲以設定成能獲得可發揮作為1/4波長板之功能的光學薄膜為符合期望。
液晶定向層具有滿足式(i)的特定面。較佳為:X(S)/X(A)通常未達0.450,以0.370以下為佳,以0.320以下為較佳。藉由X(S)/X(A)如前所述之小,可提升液晶定向層之特定面的耐溶解性。據此,在於特定面塗布傾斜層組成物時,會因傾斜層組成物所包含之成分而特定面變得難以溶解,故可抑制在複合液晶層之表面上之不均勻的產生。因此,可獲得表面狀態優異的複合液晶層。X(S)/X(A)的下限理想上為0,但通常為0.100以上。
前述峰值比X(S)及X(A)可以後述實施例所記載之量測方法來量測尖峰強度I(1)及I(2),並自此等尖峰強度I(1)及I(2)計算而求得。
液晶定向層通常表面狀態良好。據此,液晶定向層通常其厚度的不均勻勻小,因而可減小面內延遲的不均勻。
液晶定向層通常定向缺陷的發生受到抑制。
液晶定向層的厚度,以2.5 μm以下為佳,以未達2.0 μm為較佳,以1.8 μm以下為更佳,以1.5 μm以下為尤佳。在某指定的厚度範圍中,液晶定向層愈薄,愈可增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。據此,在某指定的厚度範圍中,液晶定向層愈薄,愈可有效增大在液晶定向層之特定面所形成之液晶傾斜層的實質最大傾斜角。因此,可有效增大複合液晶層的實質最大傾斜角,故可大幅改善視角特性。其中,在液晶定向層的厚度未達2.0 μm的情況下,此效果顯著。液晶定向層之厚度T的下限並無特別限制,但以0.1 μm以上為佳,以0.2 μm以上為較佳,以0.3 μm以上為尤佳。
(1.6.液晶定向層的製造方法)
液晶定向層的製造方法,只要可獲得期望之液晶定向層,即為任意。在一實施型態中,液晶定向層可藉由包含下述工序的製造方法來製造:
(i)形成定向層組成物之層體的工序;
(ii)使定向層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序;以及
(iii)使定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序。
(i)形成定向層組成物之層體的工序;
(ii)使定向層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序;以及
(iii)使定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序。
在工序(i)中,通常於適切的支撐面形成定向層組成物之層體。作為支撐面,得使用可支撐定向層組成物之層體的任意面。作為此支撐面,就優化定向層組成物的表面狀態之觀點而言,以使用無凹部及凸部的平坦面為佳。並且,就提高液晶定向層之生產性的觀點而言,作為前述支撐面,以使用長條之基材的表面為佳。於此,所謂「長條」,係指相對於輻寬具有5倍以上之長度的形狀,以具有10倍或其以上之長度為佳,具體上係指具有可收捲成輥狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜之形狀。
作為基材,通常使用樹脂薄膜或玻璃板。尤其,在高溫下進行定向處理的時候,以選擇可耐受此溫度之基材為佳。作為樹脂,通常使用熱塑性樹脂。其中,就定向限制力之高、機械性強度之高及成本之低的觀點而言,作為樹脂,以具有正的固有雙折射值之樹脂為佳。再者,就透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性優異而言,以使用降烯系樹脂等包含含脂環結構聚合物的樹脂為佳。若要以商品名舉出基材所包含之樹脂的合適之例,可列舉日本瑞翁公司製「ZEONOR」作為降烯系樹脂。
於作為支撐面之基材的表面,為了促進在定向層組成物之層體中之逆色散液晶性化合物的定向,以施予用以賦予定向限制力的處理為佳。所謂定向限制力,係指可使定向層組成物所包含之逆色散液晶性化合物等液晶性化合物定向之「面的性質」。作為用以對支撐面賦予定向限制力的處理,可列舉例如:光定向處理、摩擦處理、離子束定向處理、延伸處理等。
在形成定向層組成物之層體的工序(i)中,定向層組成物通常係以流體狀來準備。因此,通常於支撐面塗布定向層組成物,以形成定向層組成物之層體。作為塗布定向層組成物的方法之例,可列舉例如:簾塗法、擠製塗法、輥塗法、旋塗法、浸塗法、棒塗法、噴塗法、斜板式塗法、印刷塗法、凹版塗法、模具塗法、間隙塗法及浸漬法。
於形成定向層組成物之層體的工序(i)之後,進行使定向層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)。在進行定向時,通常將定向層組成物之層體於指定之溫度條件下指定維持多少時間就維持多久。藉此,在定向層組成物之層體中,逆色散液晶性化合物等液晶性化合物定向。
通常,在面內方向上,逆色散液晶性化合物會沿相應於支撐面之定向限制力的方向定向。並且,若定向層組成物包含傾斜作用成分,則在厚度方向上,逆色散液晶性化合物會以至少一部分相對於層體平面(亦即相對於面內方向)大幅傾斜之方式定向,故可增大定向層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
再來,工序(ii)以可獲得逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角大的液晶定向層之方式,調整操作或條件再進行為佳。
舉例而言,工序(ii)以定向層組成物之層體的溫度條件滿足指定要件之方式來進行為佳。具體而言,以在工序(ii)中之定向層組成物之層體的溫度條件,成為與試驗組成物之殘留成分黏度通常呈800 cP以下的溫度條件相同之方式來進行為佳。前述所謂試驗組成物,係具有已自定向層組成物排除光聚合起始劑等聚合起始劑之組成的組成物。並且,所謂試驗組成物的殘留成分黏度,係在與工序(ii)之定向層組成物的層體為相同溫度條件下,試驗組成物之殘留成分的黏度。並且,所謂試驗組成物的殘留成分,係於試驗組成物所包含之成分之中,在與工序(ii)之定向層組成物的層體為相同溫度條件下未氣化而殘留的成分。藉由以滿足此種要件之方式來進行工序(ii),能增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
茲更詳細說明之。在將使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii),以滿足前述要件之方式來進行的情況下,該工序(ii)係將定向層組成物的層體,調整成與試驗組成物的殘留成分黏度落於指定範圍的溫度條件為相同溫度條件再進行。前述殘留成分黏度之具體的範圍通常為800 cP(厘泊)以下,以600 cP以下為佳,以400 cP以下為較佳,以200 cP以下為更佳。以與如此試驗組成物的殘留成分黏度變低之溫度條件為相同溫度條件,來使定向層組成物的層體中之液晶性化合物定向,藉此可增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。前述殘留成分黏度的下限,就獲得期望之厚度的液晶定向層之觀點而言,以5 cP以上為佳,以10 cP以上為較佳。
在與工序(ii)之定向層組成物的層體為相同溫度條件下,試驗組成物的殘留成分黏度可藉由下述方法來量測。
準備已自定向層組成物排除聚合起始劑的試驗組成物。將此試驗組成物以旋轉蒸發儀減壓濃縮以去除溶劑,獲得殘留成分。預先對此殘留成分,在使量測溫度變化的同時量測黏度,以獲得量測溫度與在此量測溫度下之黏度的資訊。以下將此資訊適當稱作「溫度─黏度資訊」。由此「溫度─黏度資訊」,將在工序(ii)中之定向層組成物的層體之溫度下的黏度理解為殘留成分黏度。
作為在與工序(ii)之定向層組成物的層體為相同溫度條件下,使試驗組成物的殘留成分黏度落於上述範圍的方法,可列舉例如下述(A)及(B)的方法。
(A)適度調整在使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)中之定向層組成物之層體的溫度。在此方法中,通常會如此調整:藉由使定向層組成物之層體的溫度足夠高溫,來降低在與此溫度相同之溫度條件下之試驗組成物的殘留成分黏度,使之變成上述範圍。
(B)適度調整定向層組成物的組成。在此方法中,通常會如此調整:藉由將適切之種類及量的添加劑組合至逆色散液晶性化合物,作為定向層組成物所包含之成分,來降低包含該添加劑之試驗組成物的殘留成分黏度,使之變成上述範圍。
(A)適度調整在使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)中之定向層組成物之層體的溫度。在此方法中,通常會如此調整:藉由使定向層組成物之層體的溫度足夠高溫,來降低在與此溫度相同之溫度條件下之試驗組成物的殘留成分黏度,使之變成上述範圍。
(B)適度調整定向層組成物的組成。在此方法中,通常會如此調整:藉由將適切之種類及量的添加劑組合至逆色散液晶性化合物,作為定向層組成物所包含之成分,來降低包含該添加劑之試驗組成物的殘留成分黏度,使之變成上述範圍。
關於在工序(ii)中之定向層組成物之層體之溫度條件的調整,可參照國際專利公開第2018/173773號及日本專利申請第2017-060159號之說明書的記載。
並且,舉例而言,在使用包含具有磁場響應性之液晶性化合物的定向層組成物之情況下,以在對定向層組成物之層體施加磁場的狀態下進行工序(ii)為佳。藉此,能增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
施加於定向層組成物之層體的磁場之方向,通常係不與定向層組成物之層體的厚度方向垂直的方向,以與定向層組成物之層體的厚度方向平行的方向為佳。藉由施加此種方向的磁場,可有效增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
施加於定向層組成物之層體之磁場的磁通量密度,以0.2特斯拉以上為佳,以0.5特斯拉以上為較佳,以0.8特斯拉以上為尤佳。藉由施加此種大小的磁場,可有效增大液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。磁場的磁通量密度之上限並無限制,得定為例如20.0特斯拉以下。關於施加磁場,可參照日本專利公開第2018-163218號公報及日本專利申請第2017-059327號之說明書的記載。
定向處理時的具體溫度,係於逆色散液晶性化合物之液晶化溫度以上的範圍適度設定,其中,以未達基材所包含之樹脂之玻璃轉移溫度的溫度為佳。藉此,可抑制因定向處理所致之基材之應變的發生。
使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)通常在烘箱內進行。此時,烘箱的設定溫度與放置於此烘箱內的定向層組成物之層體的溫度,可能有相異的情形。在此情形中,以預先量測並記錄:在多個烘箱設定溫度下,放置於此設定溫度之烘箱內的定向層組成物之層體的溫度為佳。以下將此經記錄之烘箱的設定溫度,以及放置於此設定溫度之烘箱內的定向層組成物之層體的溫度的資訊,適當稱作「設定溫度─層體溫度資訊」。若使用此「設定溫度─層體溫度資訊」,可自烘箱設定溫度輕易得知放置於烘箱內的定向層組成物之層體的溫度。
在使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)中,將定向層組成物之層體的溫度維持在前述溫度的時間,可於可獲得期望之液晶定向層的範圍任意設定,得為例如:30秒鐘~5分鐘。
在使逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)之後,進行使定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序(iii)。在此工序(iii)中,通常會使逆色散液晶性化合物等液晶性化合物的一部分或全部聚合,以使定向層組成物之層體固化。聚合時,液晶性化合物通常維持其分子之定向直接聚合。因此,藉由前述聚合,聚合前之定向層組成物所包含之液晶性化合物的定向狀態受到固定。
聚合以藉由包含對定向層組成物照射活性能量線的方法來進行為佳。根據活性能量線的照射,可不需加熱而在室溫下使聚合反應進行。於此,所照射之活性能量線得包含:可見光、紫外線及紅外線等光線,以及電子束等任意能量線。其中,就操作簡便而言,以照射紫外線等光線的方法為佳。
聚合條件以適度調整成可獲得具有滿足式(i)之特定面的液晶定向層為佳。具體的條件雖因定向層組成物的組成而不同,但舉例而言,紫外線的照射量以170 mJ/cm2
以上為佳。藉由如此將大照射量的紫外線照射至定向層組成物,可使逆色散液晶性化合物的聚合反應有效進行。並且,尤其自生產性的觀點而言,紫外線的照射量以200 mJ/cm2
以上為較佳,以600 mJ/cm2
以上為尤佳。上限雖無特別的限制,但以5000 mJ/cm2
以下為佳,以4500 mJ/cm2
以下為較佳,以4000 mJ/cm2
以下為尤佳。
紫外線照射時的溫度以定為基材的玻璃轉移溫度以下為佳,且以150℃以下為佳,以100℃以下為較佳,以80℃以下為尤佳。紫外線照射時的溫度之下限得定為15℃以上。
藉由上述製造方法,可製造液晶定向層。在此製造方法中,通常可獲得形成於基材之支撐面上的液晶定向層。
上述液晶定向層的製造方法亦可更包含任意工序組合於上述工序(i)~工序(iii)。
舉例而言,液晶定向層的製造方法亦可包含自支撐面剝離液晶定向層的工序。
根據前述般的製造方法,使用長條的基材,可獲得長條的液晶定向層。此種長條的液晶定向層能連續製造,且生產性優異。通常包含長條的液晶定向層的薄膜會被收捲,在輥的狀態下儲存及搬運。
[2.光學薄膜]
(2.1.光學薄膜的概要)
如圖2所繪示,本發明之一實施型態相關之光學薄膜200具備:液晶定向層100,以及直接相接於此液晶定向層100之特定面100U的液晶傾斜層210。因此,光學薄膜200具備包含液晶定向層100及液晶傾斜層210的複合液晶層220。所謂於某層體之面「直接」相接另一層體,係指在此等2層體之間無其他層體。
液晶傾斜層210係由包含逆色散液晶性化合物之傾斜層組成物的固化物所形成。由於係由傾斜層組成物的固化物所形成,故液晶傾斜層210包含逆色散液晶性化合物之分子。液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子,通常定向狀態固定。與液晶定向層100相同,經聚合之逆色散液晶性化合物,包含於用語「液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物」。
液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該液晶傾斜層210之層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。於此,液晶定向層100之特定面100U,具有使形成於該特定面100U之液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子定向的定向限制力。此定向限制力,會在面內方向上,使液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子,沿與液晶定向層100所包含之逆色散液晶性化合物之分子的定向方向為相同的方向定向。並且,前述定向限制力,會在厚度方向上,使液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子,以使該分子的傾斜角變大之方式來定向。據此,液晶定向層100可發揮作為增大液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角之定向膜的功能。因此,透過液晶定向層100的作用,可增大液晶傾斜層210所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角。據此,可增大包含液晶定向層100及液晶傾斜層210之複合液晶層220之整體的逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角。而且,藉由如此可增大複合液晶層220之整體的逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角,可在將具備此複合液晶層220的光學薄膜200設置於反射抑制薄膜的時候,適度進行在厚度方向上之雙折射的調整。因此,根據此光學薄膜200,可在顯示面的傾斜方向上有效抑制反射,故能改善視角特性。
並且,由於液晶傾斜層210包含逆色散液晶性化合物,故該液晶傾斜層210具有逆波長色散性之面內延遲。因此,液晶定向層100及液晶傾斜層210兩者皆具有逆波長色散性之面內延遲,故包含此等層體100及210的光學薄膜200可具有逆波長色散性之面內延遲。
再者,在形成液晶傾斜層210時,因傾斜層組成物所致之液晶定向層100之特定面100U的溶解受到抑制。因此,可抑制在複合液晶層220之表面220U上之不均勻的產生,故可優化複合液晶層220之表面220U的表面狀態。
因此,將液晶定向層100及液晶傾斜層210組合而包含的光學薄膜200,具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異。
亦考慮到:在假設將不因傾斜層組成物而溶解之任意層體設置於液晶定向層100之特定面100U上,並於此任意層體上設置液晶傾斜層210的情形中,能改善表面狀態。然而,在此情形中,由於液晶傾斜層210未直接相接於特定面100U,而無法將特定面100U的定向限制力及於液晶傾斜層210。有鑑於此情事,前述光學薄膜200的結構中,在滿足不損及液晶定向層100之特定面100U的定向限制力時之限制條件的同時可改善表面狀態的這點上,尤有優異之意義。
並且,在光學薄膜200中,通常可抑制液晶傾斜層210及複合液晶層220之定向缺陷的發生。
(2.2.液晶傾斜層)
液晶傾斜層係由包含逆色散液晶性化合物之傾斜層組成物的固化物所形成的層體。作為傾斜層組成物所包含之逆色散液晶性化合物,可使用可顯現逆波長色散性之雙折射的任意液晶性化合物。因此,傾斜層組成物所包含之逆色散液晶性化合物可為不含乙烯性不飽和鍵的逆色散液晶性化合物,亦可為不含芳環的逆色散液晶性化合物,但以含有乙烯性不飽和鍵及芳環的逆色散液晶性化合物為佳。作為此種逆色散液晶性化合物,可自已說明作為定向層組成物所包含之逆色散液晶性化合物的範圍,選擇任意逆色散液晶性化合物來使用。藉此,在傾斜層組成物及液晶傾斜層中,亦可獲得與在定向層組成物及液晶定向層中可獲得之優點相同的優點。傾斜層組成物所包含之逆色散液晶性化合物,可與定向層組成物所包含之逆色散液晶性化合物相同,亦可相異。再者,作為傾斜層組成物所包含之逆色散液晶性化合物,可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。
再者,傾斜層組成物亦可視需求包含任意成分組合於逆色散液晶性化合物。任意成分可單獨使用1種,亦可以任意比率組合2種以上使用。作為任意成分,舉例而言,可在定向層組成物中之前述成分之量的範圍,使用定向層組成物得包含之逆色散液晶性化合物以外的成分。藉此,在傾斜層組成物及液晶傾斜層中,亦可獲得與在定向層組成物及液晶定向層中可獲得之優點相同的優點。
傾斜層組成物可與定向層組成物相異,亦可與定向層組成物相同。並且,若就可有效活用本發明之效果的觀點而言,以使用與定向層組成物相同的液晶組成物作為傾斜層組成物為佳。若在不做特別之對策的情形中,於由某液晶組成物的固化物所形成之液晶固化層上,更塗布此液晶組成物,通常液晶固化層的表面會溶解,而無法獲得良好的表面狀態。相對於此,藉由液晶定向層具有滿足前述式(i)的特定面,即使於此特定面上塗布與定向層組成物相同的組成物作為傾斜層組成物,特定面仍不容易溶解。因此,在定向層組成物與傾斜層組成物為相同的組成物之情形中,可尤其有效活用所謂可改善表面狀態的效果。
傾斜層組成物的固化係與定向層組成物的固化相同,通常係藉由聚合該傾斜層組成物所包含之聚合性的化合物來達成。因此,液晶傾斜層通常包含傾斜層組成物所包含之成分之一部分或全部的聚合物。舉例而言,在逆色散液晶性化合物具有聚合性的情況下,由於此逆色散液晶性化合物會聚合,故液晶傾斜層得為包含維持聚合前的定向狀態直接聚合之逆色散液晶性化合物之聚合物的層體。
在傾斜層組成物的固化物中,會失去固化前的流動性,故通常逆色散液晶性化合物的定向狀態係以固化前的定向狀態直接固定。而且,此液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子,透過液晶定向層的作用,相對於該液晶傾斜層的層體平面(亦即相對於面內方向)大幅傾斜。因此,可增大液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。在液晶傾斜層中,此實質最大傾斜角表示:於假設在液晶定向層側之面之分子的傾斜角為0°,且分子的傾斜角在厚度方向上以一定比率變化的情況下,逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角的最大值。此實質最大傾斜角係代表液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角之大小的指標。通常,實質最大傾斜角愈大的液晶傾斜層,此液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子之整體所看到的傾斜角有愈大的傾向。透過液晶定向層的作用,通常可使液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,較液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角還大。
液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,以45°以上為佳,以50°以上為較佳,以57°以上為尤佳,且以85°以下為佳。藉由液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角位於前述範圍,可獲得尤其優異之視角特性。
液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,可藉由後述實施例所記載之量測方法量測。
並且,液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,與液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角之差,以5°以上為佳,以8°以上為較佳,以10°以上為尤佳,且以70°以下為佳,以65°以下為較佳,以55°以下為尤佳。藉由實質最大傾斜角之差位於前述範圍,可獲得尤其優異之視角特性。
通常在液晶傾斜層的面內方向上之逆色散液晶性化合物之分子的定向方向,與在液晶定向層的面內方向上之逆色散液晶性化合物之分子的定向方向相同。
並且,在液晶傾斜層中,通常可抑制定向缺陷的發生。
再者,液晶傾斜層通常表面狀態良好。
液晶傾斜層的厚度,並無特別的限制,以0.3 μm以上為佳,以0.5 μm以上為較佳,並且,以10.0 μm以下為佳,以7.5 μm以下為較佳,以5.0 μm以下為更佳,以3.0 μm以下為尤佳。
(2.3.複合液晶層)
光學薄膜具備:由作為包含逆色散液晶性化合物之液晶組成物的定向層組成物之固化物所形成的液晶定向層,以及由作為包含逆色散液晶性化合物之液晶組成物的傾斜層組成物之固化物所形成的液晶傾斜層。因此,光學薄膜具備包含液晶定向層及液晶傾斜層的複合液晶層,作為由包含逆色散液晶性化合物之液晶組成物的固化物所形成之多層結構的液晶固化層。
由包含液晶定向層及液晶傾斜層一事可知,複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於該複合液晶層的層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜,可藉由與在液晶定向層之項目中已說明之方法相同的方法來確認。而且,在包含液晶定向層及液晶傾斜層的複合液晶層中,能將該複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角整體增大。因此,可增大複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
在複合液晶層中,實質最大傾斜角表示:於假設在液晶定向層側之面之分子的傾斜角為0°,且分子的傾斜角在厚度方向上以一定比率變化的情況下,逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角的最大值。此實質最大傾斜角係代表複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角之大小的指標。通常,實質最大傾斜角愈大的複合液晶層,此複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子之整體所看到的傾斜角有愈大的傾向。因此,藉由可增大複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,可增大在厚度方向上之複合液晶層的雙折射。而且,藉由可在厚度方向上增大複合液晶層的雙折射,可適度調整光學薄膜之厚度方向的雙折射。因此,在將光學薄膜設置於作為反射抑制薄膜的偏光板之情形中,可獲得所謂可在顯示面之傾斜方向上有效抑制反射的優異之視角特性。
複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,通常較液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角還大。在達成優異之視角特性的觀點上,複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,以40°以上為佳,以46°以上為較佳,以56°以上為尤佳,且以85°以下為佳,以83°以下為較佳,以80°以下為更佳。若複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角位於前述範圍,則可適度調整光學薄膜之厚度方向的雙折射。因此,藉由將此光學薄膜與直線偏光件組合,可實現可在設置於有機EL顯示面板的時候達成高視角特性的偏光板。
複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,可藉由後述實施例所記載之量測方法量測。根據後述實施例所記載之量測方法,即使在此複合液晶層包含逆色散液晶性化合物以外的液晶性化合物之情況下,亦能量測逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
複合液晶層包含含逆色散液晶性化合物的液晶定向層及液晶傾斜層,故可具有逆波長色散性之面內延遲。因此,複合液晶層的面內延遲,通常滿足前述式(N3),以滿足前述式(N4)為佳。
在液晶定向層中,如上所述,因形成液晶傾斜層所致之特定面的溶解受到抑制。藉此,可抑制在複合液晶層之表面上之不均勻的產生。因此,可優化複合液晶層的表面狀態。並且,由於可如此抑制不均勻的產生,故複合液晶層可抑制厚度的參差,因此,可抑制面內延遲的參差。
在面內方向上,複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物之分子,整體沿與液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的定向方向為相同之面內方向定向。因此,複合液晶層之面內慢軸通常與液晶定向層之面內慢軸平行。
複合液晶層通常定向缺陷的發生受到抑制。
複合液晶層的厚度,以0.5 μm以上為佳,以1.0 μm以上為較佳,且以12.5 μm以下為佳,以未達9.5 μm為較佳,以6.8 μm以下為更佳,以4.5 μm以下為尤佳。藉由複合液晶層的厚度位於前述範圍,可將面內延遲等特性輕易調整成期望之範圍。並且,此種厚度的複合液晶層,由於較使用於有機EL顯示面板的反射抑制薄膜之以往的相位差薄膜還薄,故可對有機EL顯示面板的薄型化有所貢獻。
順帶一提,複合液晶層可為僅包含1層液晶定向層及1層液晶傾斜層之2層結構的液晶固化層,但亦可為包含3層以上之層體的液晶固化層。舉例而言,在使用與定向層組成物相同,包含含有乙烯性不飽和鍵及芳環之逆色散液晶性化合物與光聚合起始劑的液晶組成物,作為傾斜層組成物的情況下,有時可獲得具有滿足式(i)之特定面的層體作為液晶傾斜層。此液晶傾斜層可發揮作為液晶定向層的功能。因此,可藉由在此液晶傾斜層上,進一步形成另一液晶傾斜層,獲得包含3層以上之層體的複合液晶層。
在複合液晶層中,液晶定向層與液晶傾斜層通常藉由下述方法來區別。
以環氧樹脂包埋複合液晶層,獲得試片。使用薄片切片機,將此試片沿複合液晶層的厚度方向平行切片,獲得觀察樣本。此時,切片係以複合液晶層之面內慢軸方向與剖面成為平行的方式進行。之後,使用偏光顯微鏡來觀察因切片而現出的剖面。此觀察係於觀察樣本與偏光顯微鏡之物鏡之間插入波長板作為試板,並以可看見呈現相應於觀察樣本之延遲之顏色的像之方式來進行。此時,可將顏色相異之部分作為液晶定向層與液晶傾斜層的分界來區別。
(2.4.任意層體)
光學薄膜可為僅包含液晶定向層及液晶傾斜層的薄膜,亦可為包含任意層體組合於液晶定向層及液晶傾斜層的薄膜。作為任意層體,可列舉:使用於液晶定向層之製造的基材;相位差薄膜;用以與其他部件接合的接合劑層;優化薄膜之光滑性的基墊層;耐衝擊性聚甲基丙烯酸樹脂層等硬塗層;抗反射層;防汙層;等。
(2.5.光學薄膜的特性)
光學薄膜由於具備包含液晶定向層及液晶傾斜層的複合液晶層,故可適度調整該光學薄膜之厚度方向的雙折射。因此,在將光學薄膜設置於作為反射抑制薄膜的偏光板之情形中,可獲得可在顯示面的傾斜方向上有效抑制反射的優異之視角特性。
就實現優異之視角特性的觀點而言,光學薄膜的平均延遲比R(±50°)/R(0°),以0.90以上為佳,以0.92以上為較佳,以0.93以上為尤佳,並且,以1.15以下為佳,以1.12以下為較佳,以1.10以下為尤佳。於此,所謂R(±50°),表示在相對於光學薄膜的面內之快軸方向垂直的量測方向上,所量測之在入射角θ為−50°及+50°的光學薄膜之延遲R(−50°)及R(+50°)的平均值。並且,R(0°)表示在入射角0°的光學薄膜之延遲。
一般於影像顯示裝置之顯示面以入射角「+ϕ」入射的外界光線,會以出射角「−ϕ」反射。因此,在設置於顯示面之反射抑制薄膜包含光學薄膜的情況下,於顯示面的傾斜方向上,外界光線會以包含在入射角「+ϕ」之去程與在出射角「−ϕ」之回程的路程,通過光學薄膜。就有效抑制通過此路程之光線的反射之觀點而言,光學薄膜的延遲比R(±50°)/R(0°)以接近1.00為佳。藉由光學薄膜的延遲比R(±50°)/R(0°)位於接近1.00的前述範圍,可利用包含此光學薄膜的偏光板,有效抑制在傾斜方向上之外界光線的反射。具體而言,當外界光線在入射時及反射時2次通過光學薄膜之期間,適當轉換其偏光狀態,而使實現利用偏光板之直線偏光件的有效遮蔽化為可能。因此,此種光學薄膜,在與直線偏光件組合而獲得偏光板的情況下,可在寬廣的入射角範圍,發揮利用此偏光板的反射抑制能力,故可獲得尤其優異之視角特性。
光學薄膜由於具備包含液晶定向層及液晶傾斜層的複合液晶層,故可具有逆波長色散性之面內延遲。因此,光學薄膜的面內延遲,通常滿足前述式(N3),以滿足前述式(N4)為佳。如此具有逆波長色散性之面內延遲的光學薄膜,可在寬廣的波長範圍中發揮其光學上的功能。因此,在將此光學薄膜使用於作為反射抑制薄膜的偏光板之情況下,能在寬廣的波長範圍中抑制反射。
光學薄膜的具體之面內延遲的範圍,可因應光學薄膜之用途任意設定。尤其,為了要與直線偏光件組合而獲得作為有機EL顯示面板用之反射抑制薄膜的偏光板,光學薄膜以具有可發揮作為1/4波長板之功能的面內延遲為符合期望。於此,所謂可發揮作為1/4波長板之功能的面內延遲,具體而言,在量測波長590 nm,以100 nm以上為佳,以110 nm以上為較佳,以120 nm以上為尤佳,且以180 nm以下為佳,以170 nm以下為較佳,以160 nm以下為尤佳。
在光學薄膜所具備之複合液晶層中,如前所述,可獲得良好的表面狀態。據此,此光學薄膜通常可抑制其面內延遲的參差。因此,在使用此光學薄膜所製造的反射抑制薄膜中,通常可在其全面上均勻抑制反射。
在光學薄膜所具備之複合液晶層中,通常定向缺陷的發生受到抑制。據此,若使用此光學薄膜,可抑制「面內延遲與周圍相異」之光學上之缺點的產生。因此,在使用此光學薄膜所製造的反射抑制薄膜中,可抑制無法如同意圖抑制反射之處的產生。
光學薄膜以透明性優異為佳。具體而言,光學薄膜的全光線穿透率,以75%以上為佳,以80%以上為較佳,以84%以上為尤佳。並且,光學薄膜的霧度,以5%以下為佳,以3%以下為較佳,以1%以下為尤佳。全光線穿透率可使用紫外線─可見光分光計,在波長400 nm~700 nm之範圍量測。並且,霧度可使用霧度計來量測。
光學薄膜的厚度,以0.5 μm以上為佳,以1.0 μm以上為較佳,且以300 μm以下為佳,以200 μm以下為較佳。
(2.6.光學薄膜的製造方法)
光學薄膜的製造方法,只要可獲得期望之光學薄膜,即為任意。在一實施型態中,光學薄膜可藉由包含下述工序的製造方法來製造:
(iv)於液晶定向層之特定面,直接形成傾斜層組成物之層體的工序;
(v)使傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序;以及
(vi)使傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序。
(iv)於液晶定向層之特定面,直接形成傾斜層組成物之層體的工序;
(v)使傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序;以及
(vi)使傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序。
在工序(iv)中,於液晶定向層之特定面,直接形成傾斜層組成物之層體。於此,所謂於某層體之面上形成另一層體的態樣係為「直接」,係指在此等2層體之間無其他層體。
在於液晶定向層之特定面形成傾斜層組成物之層體之前,對前述特定面,亦可施以摩擦處理等用以賦予定向限制力的處理。然而,液晶定向層之特定面即使不施以特別的處理,仍具有適度使形成於該特定面上之傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的定向限制力。因此,在減少工序數量以有效率進行光學薄膜之製造的觀點上,工序(iv)以包含不對液晶定向層之特定面施以摩擦處理,而於液晶定向層之特定面直接形成傾斜層組成物之層體一事為佳。
在形成傾斜層組成物之層體的工序(iv)中,傾斜層組成物通常係以流體狀來準備。因此,通常於液晶定向層之特定面塗布傾斜層組成物,形成傾斜層組成物之層體。作為塗布傾斜層組成物的方法,可列舉例如與說明作為塗布定向層組成物之方法的方法同樣之例。由於液晶定向層係由包含逆色散液晶性化合物的固化物所形成,故液晶定向層通常對於包含逆色散液晶性化合物的傾斜層組成物具有高的親和性。因此,通常對於液晶定向層之特定面之傾斜層組成物的塗布性良好。再者,如上所述,即使於液晶定向層之特定面塗布傾斜層組成物,因傾斜層組成物所致之特定面的溶解仍受到抑制。因此,於液晶定向層之特定面塗布傾斜層組成物,藉此形成表面狀態良好的傾斜層組成物之層體。
在形成傾斜層組成物之層體的工序(iv)之後,進行使傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序(v)。藉此,在傾斜層組成物之層體中,逆色散液晶性化合物等液晶性化合物定向。
通常在面內方向上,傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物,藉由液晶定向層之特定面的定向限制力,沿與液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的定向方向相同的方向定向。另一方面,在厚度方向上,傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物,以至少一部分相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜之方式定向。此時,傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物之分子,藉由液晶定向層的作用,相對於層體平面(亦即相對於面內方向)大幅傾斜。因此,可增大傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
並且,如前所述,液晶定向層具有對於傾斜層組成物高的親和性。因此,傾斜層組成物對液晶定向層親和,分子之定向不容易混亂。據此,在傾斜層組成物中可使定向狀態在面內方向上均勻。因此,在工序(v)中,通常定向缺陷的發生受到抑制。
在使傾斜層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序(v)中之具體的操作,可與使定向層組成物之層體所包含之逆色散液晶性化合物定向的工序(ii)相同。藉此,在傾斜層組成物及液晶傾斜層中,亦可獲得與在定向層組成物及液晶定向層中可獲得之優點相同的優點。尤其,在工序(v)中,與工序(ii)相同,以在工序(v)中之傾斜層組成物之層體的溫度條件,成為與對應於該傾斜層組成物之試驗組成物之殘留成分黏度通常呈800 cP以下的溫度條件為相同之方式來進行為佳。
在使逆色散液晶性化合物定向的工序(v)之後,進行使傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序(vi)。在此工序(vi)中,通常使逆色散液晶性化合物等液晶性化合物的一部分或全部聚合,以使傾斜層組成物之層體固化。聚合時,液晶性化合物通常維持其分子之定向直接聚合。因此,藉由前述聚合,聚合前之傾斜層組成物所包含之液晶性化合物的定向狀態固定。
作為聚合方法,得選擇適合於傾斜層組成物所包含之成分之性質的方法。作為聚合方法,可列舉例如:照射活性能量線的方法及熱聚合法。其中,由於不需加熱而可使聚合反應在室溫下進行,故以照射活性能量線的方法為佳。
就操作簡便而言,作為聚合方法,以照射紫外線等光線的方法為佳。紫外線照射時的溫度以定為基材的玻璃轉移溫度以下為佳,且以150℃以下為佳,以100℃以下為較佳,以80℃以下為尤佳。紫外線照射時的溫度之下限得定為15℃以上。紫外線的照射強度,以0.1 mW/cm2
以上為佳,以0.5 mW/cm2
以上為較佳,且以10000 mW/cm2
以下為佳,以5000 mW/cm2
以下為較佳,以1000 mW/cm2
以下為更佳,以600 mW/cm2
以下為尤佳。紫外線的照射量,以0.1 mJ/cm2
以上為佳,以0.5 mJ/cm2
以上為較佳,且以10000 mJ/cm2
以下為佳,以5000 mJ/cm2
以下為較佳。
藉由前述方法,可獲得具備包含液晶定向層及液晶傾斜層之複合液晶層的光學薄膜。
光學薄膜的製造方法亦可更包含任意工序組合於上述工序。
光學薄膜的製造方法,亦可包含例如:於液晶傾斜層上,進一步形成另一液晶傾斜層的工序。
並且,光學薄膜的製造方法,亦可包含例如:於液晶傾斜層上形成任意層體的工序。
再者,亦可包含:於液晶定向層之與液晶傾斜層相反之側,形成任意層體的工序。
並且,在使用形成於基材之支撐面上的層體作為液晶定向層的情況下,根據前述製造方法,於基材上形成複合液晶層。亦可將包含此基材及複合液晶層的薄膜作為光學薄膜使用。並且,光學薄膜的製造方法亦可包含剝離基材的工序。在此情況下,可將複合液晶層本身作為光學薄膜使用。
再者,光學薄膜的製造方法,亦可包含例如:將形成於基材上的複合液晶層轉印至任意薄膜層的工序。因此,光學薄膜的製造方法,亦可包含例如:在將形成於基材上的複合液晶層與任意薄膜層貼合之後,視需求剝離基材,獲得包含複合液晶層及任意薄膜層之光學薄膜的工序。此時,於貼合亦可使用適切的黏合劑或接合劑。
根據前述般的製造方法,使用長條的液晶定向層,可獲得長條的光學薄膜。此種長條的光學薄膜能連續製造,且生產性優異。並且,由於可藉由輥對輥進行與其他薄膜的貼合,故在此點上生產性優異。通常長條的光學薄膜會被收捲,在輥的狀態下儲存及搬運。
[3. 1/4波長板]
本發明之一實施型態相關之1/4波長板,具備上述液晶定向層或光學薄膜。並且,1/4波長板亦可更具備任意層體組合於液晶定向層或光學薄膜。
此1/4波長板具有上述範圍之面內延遲作為可發揮作為1/4波長板之功能的面內延遲。藉由將1/4波長板與直線偏光件組合,可獲得能作為反射抑制薄膜使用的圓偏光板。如此所獲得之圓偏光板,可作為具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的反射抑制薄膜來使用。
[4.偏光板]
本發明之一實施型態相關之偏光板,具備上述液晶定向層或光學薄膜。通常,偏光板具備直線偏光件組合於液晶定向層或光學薄膜。此偏光板以可發揮作為圓偏光板或橢圓偏光板的功能為佳。此種偏光板,藉由設置於有機EL顯示面板,可在有機EL顯示面板之顯示面的正面方向上抑制外界光線的反射。此時,由於液晶定向層及光學薄膜具有逆波長色散性之面內延遲,故能在寬廣的波長範圍中抑制外界光線的反射。並且,上述液晶定向層及光學薄膜,由逆色散液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角為大可知,由於整體逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角大,故不僅在其面內方向,亦可在厚度方向上適度調整雙折射。據此,偏光板不僅在有機EL顯示面板之顯示面的正面方向,亦可在傾斜方向上抑制外界光線的反射。因此,藉由使用此偏光板,可實現視角寬廣的有機EL顯示面板。再者,液晶定向層及光學薄膜通常定向缺陷的發生受到抑制,故可抑制無法如同意圖抑制反射之處的產生。
作為直線偏光件,可列舉例如:藉由在使碘或二色性染料吸附於聚乙烯醇薄膜之後,於硼酸浴中單軸延伸而獲得的薄膜;藉由使碘或二色性染料吸附於聚乙烯醇薄膜並延伸,再進一步將分子鏈中之一部分聚乙烯醇單元改質為聚伸乙烯單元而獲得的薄膜。並且,作為直線偏光件之其他例,可列舉:柵格偏光件、多層偏光件等具有將偏光分離為反射光與穿透光之功能的偏光件。此等之中,作為直線偏光件,以含有聚乙烯醇的偏光件為佳。
若使自然光入射至直線偏光件,則僅有單一方向的偏光穿透。此直線偏光件之偏光度並不特別受限,但以98%以上為佳,以99%以上為較佳。
並且,直線偏光件的厚度,以5 μm~80 μm為佳。
在欲使偏光板作為圓偏光板發揮功能的情況下,相對於直線偏光件之偏光吸收軸,液晶定向層或光學薄膜之慢軸所夾之角度以45°或者接近其之角度為佳。前述角度,具體而言,以45°±5°為佳,以45°±4°為較佳,以45°±3°為尤佳。
偏光板除了直線偏光件、液晶定向層及光學薄膜以外,亦可更包含任意層體。作為任意層體,可列舉例如:用以將直線偏光件與液晶定向層或光學薄膜貼合的接合層;用以保護直線偏光件的偏光件保護薄膜層;等。
[5.有機EL顯示面板]
本發明之一實施型態相關之有機EL顯示面板,具備上述液晶定向層或光學薄膜。通常,有機EL顯示面板具備包含液晶定向層或光學薄膜的前述偏光板。此種有機EL顯示面板通常包含有機EL元件作為顯示元件,並於此有機EL元件的觀看側設置有偏光板。並且,偏光板係以於有機EL元件與直線偏光件之間設置有液晶定向層或光學薄膜的方式配置。而且,在此種結構中,前述偏光板可發揮作為反射抑制薄膜的功能。
以下舉出偏光板作為圓偏光板發揮功能之情形為例,來說明抑制反射的機制。自裝置外部入射之光線,僅其一部分之直線偏光通過直線偏光件,繼而通過液晶定向層或光學薄膜,藉以變成圓偏光。圓偏光係藉由有機EL顯示面板內之將光線反射的構成元件(有機EL元件的反射電極等)反射,再次通過液晶定向層或光學薄膜,藉此成為具有與入射之直線偏光的振動方向正交之振動方向的直線偏光,而變得不通過直線偏光件。於此,所謂直線偏光的振動方向,意謂直線偏光之電場的振動方向。藉此,達成抑制反射的功能。此種抑制反射的原理,可參照日本專利公開第H9-127885號公報。
有機EL元件通常依序具備透明電極層、發光層及電極層,得藉由自透明電極層及電極層施加電壓使發光層產生光。作為構成有機發光層的材料之例,可列舉:聚對伸苯伸乙烯系、聚茀系及聚乙烯咔唑系的材料。並且,發光層亦可具有多個發光色相異之層體的堆疊體,或者於某色素之層體摻雜相異色素的混合層。再者,有機EL元件亦可具備電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、等電位面形成層、電荷產生層等功能層。
並且,在有機EL顯示面板中,液晶定向層或光學薄膜亦可因反射抑制薄膜以外的用途而設置。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者,在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍內得任意變更並實施。
在以下說明中,表示量的「%」及「份」,除非另有註記,否則為重量基準。並且,以下所說明之操作,除非另有註記,否則在常溫常壓大氣中進行。
並且,於以下所說明之在實施例及比較例中製造之中間薄膜及光學薄膜所包含的支撐基材具有光學各向同性,故不會對延遲的量測結果造成影響。於是,以下所說明之在實施例及比較例中之延遲的量測,係將包含支撐基材的中間薄膜或光學薄膜作為試樣來實施。
[評價方法]
(1.厚度的量測方法)
層體的厚度係使用膜厚計(FILMETRICS公司製「F20-EXR」)來量測。
(2.液晶性化合物之IR光譜的量測方法)
準備未聚合之液晶性化合物作為試樣。使用傅立葉轉換紅外線分光光度計(日本分光公司製「FTIR4100」)量測此液晶性化合物的IR光譜。此量測係使用附屬於前述傅立葉轉換紅外線分光光度計的治具(日本分光公司製「ATR-PRO450-S」),在入射角45°下進行。
自量測到之IR光譜,求得源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動之1408 cm− 1
的尖峰強度I(1)及源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動之1505 cm− 1
的尖峰強度I(2)。
(3.液晶定向層之表面之IR光譜的量測方法)
準備具備支撐基材及液晶定向層的中間薄膜作為試樣。使用傅立葉轉換紅外線分光光度計(日本分光公司製「FTIR4100」)量測此中間薄膜之液晶定向層之表面(亦即,與支撐基材相反之側的液晶定向層之表面)的IR光譜。此量測係使用附屬於前述傅立葉轉換紅外線分光光度計的治具(日本分光公司製「ATR-PRO450-S」),在入射角45°下進行。
自量測到之IR光譜,求得源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動之1408 cm− 1
的尖峰強度I(1)及源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動之1505 cm− 1
的尖峰強度I(2)。
(4.實質最大傾斜角的量測方法)
圖4係用以說明自傾斜方向量測液晶定向層300之延遲時之量測方向的立體圖。在圖4中,箭號A1表示液晶定向層300之面內的慢軸方向,箭號A2表示液晶定向層300之面內的快軸方向,箭號A3表示液晶定向層300的厚度方向。
使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」),如圖4所繪示,在入射角θ為−50°~50°的範圍,量測液晶定向層300的延遲。此時,量測方向A4設定成相對於液晶定向層300之面內的快軸方向A2垂直。並且,量測波長為590 nm。
自所量測到的延遲,藉由附屬於前述相位差計的分析軟體(Axometrics公司製的分析軟體「Multi-Layer Analysis」;分析條件為分析波長590 nm、層體分割數20層),分析液晶定向層300所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
並且,光學薄膜所具有之複合液晶層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,除了量測複合液晶層的延遲代替液晶定向層的延遲以外,藉由與前述液晶定向層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角的量測方法為相同的方法來量測。
再者,光學薄膜所具有之液晶傾斜層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角係藉由下述方法來量測。
藉由上述方法,量測液晶定向層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角,以及包含液晶定向層及液晶傾斜層的複合液晶層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。然後,使用量測到的此等實質最大傾斜角,與液晶定向層及液晶傾斜層的厚度,計算液晶傾斜層所包含之液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
(5.複合液晶層之表面狀態的評價方法)
將2片偏光板以彼此的偏光穿透軸自厚度方向觀看呈垂直之正交尼寇稜鏡的方式重疊。於此等偏光板之間設置光學薄膜。以背光源照射,同時以目視觀察光學薄膜所包含之複合液晶層。自觀察結果,以下述基準評價複合液晶層的表面狀態。
「A」:複合液晶層的表面狀態為全面幾乎均勻。此係表示液晶定向層即使塗布傾斜層組成物仍不會溶解,故可獲得表面狀態優異的複合液晶層。
「C」:複合液晶層的表面狀態有不均勻。此係表示液晶定向層因塗布傾斜層組成物而溶解,故會獲得表面狀態惡劣的複合液晶層。
「A」:複合液晶層的表面狀態為全面幾乎均勻。此係表示液晶定向層即使塗布傾斜層組成物仍不會溶解,故可獲得表面狀態優異的複合液晶層。
「C」:複合液晶層的表面狀態有不均勻。此係表示液晶定向層因塗布傾斜層組成物而溶解,故會獲得表面狀態惡劣的複合液晶層。
(6.定向缺陷的評價方法)
準備包含複合液晶層的光學薄膜作為試樣。使用偏光顯微鏡,在正交尼寇稜鏡下,穿透觀察前述複合液晶層。在此觀察時,物鏡設定成20倍。自觀察的結果,藉由下述基準來評價定向缺陷。此外,比較例1~9,如下述表2所揭示,由於複合液晶層的表面狀態不良,故無法進行適切之定向缺陷的評價。
「A」:全面幾乎均勻,未看到定向缺陷。
「C」:看到定向缺陷。
「A」:全面幾乎均勻,未看到定向缺陷。
「C」:看到定向缺陷。
(7.逆波長色散性的評價方法)
使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」),在量測波長450 nm及550 nm,量測光學薄膜的面內延遲(亦即,複合液晶層在入射角0°的延遲)。由所量測到之在量測波長450 nm及550 nm的面內延遲Re(450)及Re(550)之值,藉由以下基準來評價光學薄膜的逆波長色散性。
「A」:Re(450)/Re(550)<0.9
「B」:0.9≦Re(450)/Re(550)≦1.0
「C」:Re(450)/Re(550)>1.0
「A」:Re(450)/Re(550)<0.9
「B」:0.9≦Re(450)/Re(550)≦1.0
「C」:Re(450)/Re(550)>1.0
(8.視角特性的評價方法)
使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」),在入射角θ為−50°~50°的範圍,量測光學薄膜的延遲。此時,量測方向設定成相對於光學薄膜之面內的快軸方向垂直。並且,量測波長為590 nm。
計算在入射角θ為−50°之延遲R(−50°)及在入射角θ為+50°之延遲R(+50°)的平均值R(±50°)。然後,將此平均值R(±50°)除以入射角θ為0°的面內延遲R(0°),求得平均延遲比R(±50°)/R(0°)。此平均延遲比R(±50°)/R(0°)愈接近1.00,表示愈可在有機EL顯示面板中實現更優異之視角特性。於是,依照前述平均延遲比R(±50°)/R(0°)之值,以下述基準來評價視角特性。
「A」:0.93≦R(±50°)/R(0°)≦1.10
「B」:0.90≦R(±50°)/R(0°)<0.93
「C」:R(±50°)/R(0°)<0.90
「A」:0.93≦R(±50°)/R(0°)≦1.10
「B」:0.90≦R(±50°)/R(0°)<0.93
「C」:R(±50°)/R(0°)<0.90
(9.至少一部分的液晶性化合物之分子傾斜的確認方法)
使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」),在入射角θ為−50°~50°的範圍,量測液晶固化層(液晶定向層;或者,由液晶定向層及液晶傾斜層而成之複合液晶層)的延遲。此時,量測方向設定成相對於液晶固化層之面內的快軸方向垂直。並且,量測波長為590 nm。
將所量測到之在入射角θ之液晶固化層的延遲R(θ),除以在入射角0°之液晶固化層的延遲R(0°),求得延遲比R(θ)/R(0°)。描繪出將所求得之延遲比R(θ)/R(0°)定為縱軸、入射角θ定為橫軸的圖表。在所獲得之圖表對θ=0°為不對稱的情況下,判定為此液晶固化層所包含之液晶性化合物的至少一部分之分子相對於液晶固化層之層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜定向。並且,在所獲得之圖表對θ=0°為對稱的情況下,判定為此液晶固化層所包含之液晶性化合物之所有分子相對於液晶固化層之層體平面(亦即相對於面內方向)平行或垂直定向。
[實施例1]
(液晶組成物的製備)
混合由下述式所示之具有聚合性的逆色散液晶性化合物1(I(1)=0.0147180、I(2)=0.0416006、X(A)=0.354)100重量份、氟系界面活性劑(AGC Seimi Chemical Co., Ltd.製「S420」)0.15重量份、肟酯系的光聚合起始劑(BASF公司製「IrgacureOXE04」)4.3重量份,以及作為溶劑的「環戊酮148.5重量份及1,3-二氧222.8重量份」,來製造液晶組成物。
『化27』
逆色散液晶性化合物1
逆色散液晶性化合物1
(支撐基材的準備)
準備在單面貼合有保護薄膜之由熱塑性的降烯樹脂而成之樹脂薄膜(日本瑞翁公司製「ZeonorFilm ZF16」;厚度100 μm)作為支撐基材。此支撐基材係無延遲之光學各向同性的薄膜。自此支撐基材剝離保護薄膜,再對保護剝離之面施以電暈處理。隨後,對支撐基材的電暈處理面施以摩擦處理。
(液晶定向層的形成)
於支撐基材的摩擦處理面,使用線棒,塗布前述液晶組成物作為定向層組成物,形成液晶組成物之層體。
隨後,將此液晶組成物之層體,在設定成145℃的烘箱內加熱4分鐘,使層體內的液晶性化合物定向。前述加熱條件,係對應於所使用之液晶組成物的試驗組成物之殘留成分黏度呈170 cP的溫度條件。
之後,對液晶組成物之層體在氮氣環境下照射2384 mJ/cm2
的紫外線,使液晶組成物之層體固化,獲得厚度1.2 μm的液晶定向層。藉此,獲得包含支撐基材及液晶定向層的中間薄膜。
使用此中間薄膜,藉由前述方法,量測液晶定向層之與支撐基材相反之側之表面上的尖峰強度I(1)及I(2),以及在液晶定向層中的實質最大傾斜角。
(液晶傾斜層的形成)
於液晶定向層之表面,不施以摩擦處理,而使用線棒塗布「使用於形成液晶定向層之剩下的液晶組成物」作為傾斜層組成物,形成液晶組成物之層體。
隨後,將此液晶組成物之層體,與前述液晶定向層之形成工序相同,在設定成145℃的烘箱內加熱4分鐘,使層體內的液晶性化合物定向。
之後,對液晶組成物之層體在氮氣環境下照射500 mJ/cm2
的紫外線,使液晶組成物之層體固化,獲得厚度2.4 μm的液晶傾斜層。
藉此,獲得具備「支撐基材」與「形成於此支撐基材上之包含液晶定向層及液晶傾斜層之複合液晶層」的光學薄膜。複合液晶層的厚度為3.6 μm。
使用所獲得之光學薄膜,以上述方法,評價複合液晶層的表面狀態、定向缺陷及實質最大傾斜角,以及光學薄膜的逆波長色散性及視角特性。
[實施例2及4~8,以及比較例1~8]
將光聚合起始劑的種類及在形成液晶定向層的工序中對液晶組成物之層體的紫外線之照射量,變更成如下述表1所揭示。除了以上事項以外,進行與實施例1相同的操作,進行包含液晶定向層之中間薄膜以及包含複合液晶層之光學薄膜的製造及評價。
[實施例3]
混合由下述式所示之具有聚合性的逆色散液晶性化合物2(I(1)=0.0062720、I(2)=0.0173342、X(A)=0.362)100重量份、氟系界面活性劑(AGC Seimi Chemical Co., Ltd.製「S420」)0.15重量份、光聚合起始劑(BASF公司製「IrgacureOXE04」)4.3重量份,以及作為溶劑的「環戊酮148.5重量份及1,3-二氧222.8重量份」,來製造液晶組成物。
『化28』
逆色散液晶性化合物2
逆色散液晶性化合物2
使用包含前述逆色散液晶性化合物2的液晶組成物作為定向層組成物。並且,將在形成液晶定向層的工序中對液晶組成物之層體的紫外線之照射量,變更成如下述表1所揭示。除了以上事項以外,藉由與在實施例1中之液晶定向層的形成工序相同的操作,進行包含液晶定向層之中間薄膜的製造及評價。
此外,在本實施例3中,將液晶組成物之層體在烘箱內加熱時的加熱條件,係對應於所使用之液晶組成物的試驗組成物之殘留成分黏度呈255 cP的溫度條件。
於如此所獲得之中間薄膜之液晶定向層的表面,藉由與實施例1之液晶傾斜層的形成工序相同的操作,使用包含逆色散液晶性化合物1的液晶組成物來形成液晶傾斜層,獲得光學薄膜。以上述方法評價所獲得之光學薄膜。
[比較例9]
混合由下述式所示之具有聚合性的順色散液晶性化合物3(I(1)=0.0197968、I(2)=0.0241261、X(A)=0.821)100重量份、氟系界面活性劑(AGC Seimi Chemical Co., Ltd.製「S420」)0.15重量份、光聚合起始劑(BASF公司製「IrgacureOXE04」)4.3重量份,以及作為溶劑的「環戊酮148.5重量份及1,3-二氧222.8重量份」,來製造液晶組成物。
『化29』
順色散液晶性化合物3
順色散液晶性化合物3
使用包含前述順色散液晶性化合物3的液晶組成物作為定向層組成物。並且,將在形成液晶定向層的工序中對液晶組成物之層體的紫外線之照射量,變更成如下述表1所揭示。除了以上事項以外,藉由與在實施例1中之液晶定向層的形成工序相同的操作,進行包含液晶定向層之中間薄膜的製造及評價。
於如此所獲得之中間薄膜之液晶定向層的表面,藉由與實施例1之液晶傾斜層的形成工序相同的操作,使用包含逆色散液晶性化合物1的液晶組成物來形成液晶傾斜層,獲得光學薄膜。以上述方法評價所獲得之光學薄膜。
[比較例10]
將氟系界面活性劑(AGC Seimi Chemical Co., Ltd.製「S420」)的量自0.15重量份變更成0.40重量份,將液晶組成物之層體在烘箱內加熱的溫度變更成110℃。藉此,在將液晶組成物之層體在烘箱內加熱的溫度下,對應於此液晶組成物之試驗組成物的殘留成分黏度變成大於800 cP。因此,液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的定向方向,變成對層體平面平行(亦即對面內方向)。
並且,將在形成液晶定向層的工序中對液晶組成物之層體的紫外線之照射量,變更成如下述表1所揭示。
除了以上事項以外,進行與實施例1相同的操作,進行包含液晶定向層之中間薄膜以及包含複合液晶層之光學薄膜的製造及評價。
在此比較例10中,中間薄膜所包含之液晶定向層及光學薄膜所包含之複合液晶層中,皆無法確認有逆色散液晶性化合物之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜之一事。
[結果]
在實施例1~8及比較例1~9中,確認到:包含於中間薄膜之液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,及包含於光學薄膜之複合液晶層所包含之逆色散液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。
並且,光學薄膜之在波長590 nm的面內延遲在任一實施例中皆為143 nm。
上述實施例及比較例的結果揭示於下述表1及表2。在下述表中,簡稱的意義係如同下述。
逆色散1:逆色散液晶性化合物1。
逆色散2:逆色散液晶性化合物2。
順色散3:順色散液晶性化合物3。
OXE04:BASF公司製的肟酯系光聚合起始劑「IrgacureOXE04」。
N1919T:ADEKA公司製的肟酯系光聚合起始劑「ADEKA OPTOMER N-1919T」。
Irg379EG:BASF公司製的胺烷基苯酮系界面活性劑「Irgacure379EG」。
UV照射量:在形成液晶定向層的工序中之對液晶組成物之層體的紫外線之照射量。
Θ:液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
I(1):液晶定向層之表面的透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度。
I(2):液晶定向層之表面的透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。
逆色散1:逆色散液晶性化合物1。
逆色散2:逆色散液晶性化合物2。
順色散3:順色散液晶性化合物3。
OXE04:BASF公司製的肟酯系光聚合起始劑「IrgacureOXE04」。
N1919T:ADEKA公司製的肟酯系光聚合起始劑「ADEKA OPTOMER N-1919T」。
Irg379EG:BASF公司製的胺烷基苯酮系界面活性劑「Irgacure379EG」。
UV照射量:在形成液晶定向層的工序中之對液晶組成物之層體的紫外線之照射量。
Θ:液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角。
I(1):液晶定向層之表面的透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度。
I(2):液晶定向層之表面的透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度。
『表1』
[表1.實施例及比較例的結果]
[表1.實施例及比較例的結果]
[表2]
[表2.實施例及比較例的結果]
[表2.實施例及比較例的結果]
[討論]
由表1及表2可知,在比較例1~8中,中間薄膜所具有之液晶定向層之表面的X(S)/X(A)為0.450以上。在此種比較例1~8中,因塗布傾斜層組成物而液晶定向層溶解,無法獲得良好之表面狀態的複合液晶層。
並且,在比較例9中,無法藉由使用順色散液晶性化合物作為定向層組成物所包含之液晶性化合物,來獲得逆波長色散性之延遲。並且,在此比較例9中,相較於液晶定向層的實質最大傾斜角,液晶傾斜層的實質最大傾斜角小。因此可知:如比較例9使用順色散液晶性化合物而形成的液晶定向層,無法發揮增大形成於此液晶定向層上之液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子的傾斜角之作用。
再者,在比較例10中,液晶定向層所包含之逆色散液晶性化合物之分子未相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜,故無法使液晶傾斜層所包含之逆色散液晶性化合物之分子相對於層體平面(亦即相對於面內方向)傾斜。因此,無法實現良好的視角特性。
相對於此,在實施例1~8中,於逆波長色散性、表面狀態及視角特性中全都獲得優異的結果。由此結果,確認到:藉由本發明,可獲得具有逆波長色散性之面內延遲、表面狀態優異且視角特性優異的光學薄膜。
再者,自實施例1~8的結果,確認到:在本發明之光學薄膜的複合液晶層中,通常可抑制定向缺陷的發生。
100‧‧‧液晶定向層
100U‧‧‧液晶定向層之特定面
200‧‧‧光學薄膜
210‧‧‧液晶傾斜層
220‧‧‧複合液晶層
220U‧‧‧複合液晶層之表面
300‧‧‧液晶定向層
〈圖1〉圖1係繪示本發明之一實施型態相關之液晶定向層的剖面示意圖。
〈圖2〉圖2係繪示本發明之一實施型態相關之光學薄膜的剖面示意圖。
〈圖3〉圖3係將某例相關之液晶定向層的延遲比R(θ)/R(0°)對入射角θ作圖的圖表。
〈圖4〉圖4係用以說明自傾斜方向量測液晶定向層之延遲時之量測方向的立體圖。
Claims (12)
- 一種液晶定向層,其係由包含液晶性化合物與光聚合起始劑之定向層組成物的固化物所形成,且係包含定向狀態固定的前述液晶性化合物之分子的液晶定向層,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射;其中前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜;前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面:0.450>X(S)/X(A) (i)(在前述式(i)中,X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度)。
- 如請求項1所述之液晶定向層,其中前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物之分子的實質最大傾斜角為15°以上且60°以下。
- 如請求項1或2所述之液晶定向層,其中前述光聚合起始劑為肟酯系聚合起始劑。
- 一種光學薄膜,其具備:如請求項1至3之任一項所述之液晶定向層,以及由包含液晶性化合物之傾斜層組成物的固化物所形成的液晶傾斜層,所述液晶性化合物可顯現與前述定向層組成物所包含之前述液晶性化合物相同或相異的逆波長色散性之雙折射;其中前述液晶傾斜層直接相接於前述液晶定向層之前述表面。
- 如請求項4所述之光學薄膜,其中在量測波長590 nm之前述光學薄膜的面內延遲為100 nm以上且180 nm以下。
- 一種液晶定向層的製造方法,其包含:形成包含液晶性化合物與光聚合起始劑的定向層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物含有乙烯性不飽和鍵及芳環並可顯現逆波長色散性之雙折射; 使前述定向層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及 使前述定向層組成物之層體固化以獲得液晶定向層的工序;其中 前述液晶定向層所包含之前述液晶性化合物的至少一部分之分子,相對於前述液晶定向層的層體平面傾斜; 前述液晶定向層具有滿足式(i)的表面:0.450>X(S)/X(A) (i)(在前述式(i)中,X(S)表示前述液晶定向層之前述表面的峰值比X,X(A)表示未聚合之前述液晶性化合物的峰值比X,峰值比X表示由X=I(1)/I(2)所示之比,I(1)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自乙烯性不飽和鍵之面內彎曲振動的尖峰強度,I(2)表示透過紅外線全反射吸收光譜量測之源自芳環之不飽和鍵之伸縮振動的尖峰強度)。
- 如請求項6所述之液晶定向層的製造方法,其中使前述定向層組成物之層體固化以獲得前述液晶定向層的工序,包含對前述定向層組成物照射170 mJ/cm2 以上之紫外線一事。
- 一種光學薄膜的製造方法,其包含:於如請求項1至3之任一項所述之液晶定向層之前述表面,直接形成包含液晶性化合物的傾斜層組成物之層體的工序,所述液晶性化合物可顯現與前述定向層組成物所包含之前述液晶性化合物相同或相異的逆波長色散性之雙折射;使前述傾斜層組成物之層體所包含之前述液晶性化合物定向的工序;以及使前述傾斜層組成物之層體固化以獲得液晶傾斜層的工序。
- 如請求項8所述之光學薄膜的製造方法,其中於前述液晶定向層之前述表面直接形成前述傾斜層組成物之層體的工序,包含不對前述液晶定向層之前述表面施以摩擦處理,而於前述液晶定向層之前述表面直接形成前述傾斜層組成物之層體一事。
- 一種1/4波長板,其具備如請求項1至3之任一項所述之液晶定向層,或者如請求項4或5所述之光學薄膜。
- 一種偏光板,其具備如請求項1至3之任一項所述之液晶定向層,或者如請求項4或5所述之光學薄膜。
- 一種有機電致發光顯示面板,其具備如請求項1至3之任一項所述之液晶定向層,或者如請求項4或5所述之光學薄膜。
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