TW201923389A - 光學各向異性層及其製造方法、光學各向異性堆疊體及其製造方法、光學各向異性轉印物、偏光板，以及影像顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種包含聚合物與特定化合物1的光學各向異性層，前述聚合物係在藉由使用前述聚合物之溶液的塗布法形成前述聚合物之膜的情況下，前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(P)、前述膜之前述面內方向且垂直於前述nx(P)之方向之方向的折射率ny(P)，以及前述膜之厚度方向的折射率nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)者。前述光學各向異性層的Rth(A450)、Rth(A550)及Rth(A650)具有特定關係。
Description
本發明係關於光學各向異性層及其製造方法；具備前述光學各向異性層的光學各向異性堆疊體及其製造方法；以及具備前述光學各向異性層的光學各向異性轉印物、偏光板及影像顯示裝置。
在液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等影像顯示裝置上，設置有各式各樣的光學薄膜。以下適時將「有機電致發光」稱為「有機EL」。關於此種光學薄膜相關的技術，如專利文獻1～10所揭示，自以往便為人所研究。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公開第2015-14712號公報 《專利文獻2》：日本專利公開第2015-57646號公報（對應公報：美國專利申請公開第2015/041051號說明書） 《專利文獻3》：日本專利公表第2014-513323號公報 〈專利文獻4〉：日本專利公表第2014-520192號公報（對應公報：美國專利申請公開第2014/116292號說明書） 《專利文獻5》：日本專利公表第2014-520288號公報（對應公報：美國專利申請公開第2014/116293號說明書） 《專利文獻6》：日本專利公開第2010-20269號公報（對應公報：美國專利申請公開第2009/086131號說明書） 《專利文獻7》：日本專利公開第2010-195858號公報 《專利文獻8》：日本專利公開第2010-235878號公報（對應公報：美國專利申請公開第2010/245728號說明書） 《專利文獻9》：日本專利公開第2010-254949號公報（對應公報：美國專利申請公開第2010/245744號說明書） 《專利文獻10》：日本專利公開第2008-268336號公報
在影像顯示裝置的顯示面有設置圓偏光板的情形。於此，用語「圓偏光板」，不僅狹義的圓偏光板，亦包含橢圓偏光板。作為前述圓偏光板，通常使用具備直線偏光件與光學各向異性層的光學薄膜。藉由在影像顯示裝置的顯示面設置圓偏光板，於自正面方向觀看顯示面的時候，可抑制外界光線的反射，使顯示影像的光線變得可穿透偏光太陽鏡，故能提高影像的可視性。
然而，即使將以往之一般圓偏光板設置於影像顯示裝置的顯示面，於自傾斜方向觀看顯示面的時候，仍難以抑制外界光線的反射，並且，難以使顯示影像的光線穿透偏光太陽鏡。
於是，考量到在圓偏光板設置正型C薄膜。所謂正型C薄膜，係折射率nx、ny及nz滿足nz＞nx≧ny的薄膜。藉由將正型C薄膜設置於圓偏光板，於自傾斜方向觀看顯示面的時候，可抑制外界光線的反射，使顯示影像的光線穿透偏光太陽鏡。
再者，作為前述正型C薄膜，以厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的薄膜為佳。於此，所謂厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性，係指在波長450 nm及550 nm之厚度方向的延遲Rth(450)及Rth(550)滿足Rth(450)／Rth(550)＜1.00。藉由將此種厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C薄膜設置於圓偏光板，於自傾斜方向觀看顯示面的時候，可在較廣的波長範圍中，抑制外界光線的反射，使顯示影像的光線穿透偏光太陽鏡。因此，尤可有效提升顯示於顯示面之影像的可視性。
然而，在以往的技術中，製造厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C薄膜並非易事。舉例而言，可考慮如專利文獻1及2所記載之使用液晶化合物的製造方法。然而，在如專利文獻1及2所記載之使用定向膜的方法中，由於要求調整定向膜與液晶化合物的相容性，故其調整煩雜。再者，因增加了將定向膜塗布於基材上的工序，故定向膜的使用有招致成本上升的可能性。
本發明係鑑於前述問題而開發者，其目的在於提供不使用定向膜即能夠製造之可使用作為「厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C板」的光學各向異性層及其製造方法；具備前述光學各向異性層的光學各向異性堆疊體及其製造方法；以及具備前述光學各向異性層的光學各向異性轉印物、偏光板及影像顯示裝置。
本發明係如下述。
［1］一種光學各向異性層，其係包含聚合物與定向狀態亦可固定之化合物1的光學各向異性層，其中 前述聚合物，係在藉由使用前述聚合物之溶液的塗布法形成前述聚合物之膜的情況下，前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(P)、前述膜之前述面內方向且垂直於前述nx(P)之方向之方向的折射率ny(P)，以及前述膜之厚度方向的折射率nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)者， 前述光學各向異性層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(A)、前述光學各向異性層之前述面內方向且垂直於前述nx(A)之方向之方向的折射率ny(A)，以及前述光學各向異性層之厚度方向的折射率nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)， 在波長450 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A450)、在波長550 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A550)，以及在波長650 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A650)滿足下述式（1）及（2）： 0.50＜Rth(A450)／Rth(A550)＜1.00 （1） 1.00≦Rth(A650)／Rth(A550)＜1.25 （2） 前述化合物1係由式（Ia）所表示之化合物、由式（Ib）所表示之化合物或此等之混合物： 『化1』其中， Ga
表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基； Ya
表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR11
－、－O－C(＝O)－NR11
－、－NR11
－C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11
表示碳數1～6之烷基； Fx1
及Fx2
分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基； Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基； RI
～RIV
分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
，Ra
表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基； R0
表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
； p表示0～3的整數； p1表示0～4的整數； p2表示0或1； Y1
～Y8
分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2
－、－CH2
－O－、－O－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR13
－、－CF2
－O－、－O－CF2
－、－CH2
－CH2
－、－CF2
－CF2
－、－O－CH2
－CH2
－O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－、－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－、－CH2
－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－CH2
－、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3
)－、－C(CH3
)＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13
表示氫原子或碳數1～6的烷基； A1
及A2
以及B1
及B2
分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基； G1
及G2
分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14
表示氫原子或碳數1～6的烷基； P1
及P2
分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基； n及m分別獨立表示0或1。
［2］如［1］所記載之光學各向異性層，其中前述化合物1係由下述式（B1）～（B5）之任一者所表示之化合物。 『化2』『化3』
［3］如［1］或［2］所記載之光學各向異性層，其中前述聚合物為選自由聚乙烯咔唑、聚反丁烯二酸酯及纖維素衍生物而成之群組之至少1種的聚合物。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之光學各向異性層，其中在前述光學各向異性層之所有固體成分中之前述化合物1的比率為40重量%～70重量%。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之光學各向異性層，其中在波長590 nm之前述光學各向異性層的面內延遲Re(A590)及在波長590 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)滿足下述式（3）及（4）： Re(A590)≦10 nm （3） －200 nm≦Rth(A590)≦－10 nm （4）。
［6］一種光學各向異性轉印物，其具備基材與如［1］～［5］之任一項所記載之光學各向異性層。
［7］一種光學各向異性堆疊體，其具備如［1］～［5］之任一項所記載之光學各向異性層與相位差層， 前述相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(B)、前述相位差層之前述面內方向且垂直於前述nx(B)之方向之方向的折射率ny(B)，以及前述相位差層之厚度方向的折射率nz(B)滿足nx(B)＞ny(B)≧nz(B)。
［8］如［7］所記載之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為包含含脂環結構聚合物的延伸薄膜層。
［9］如［8］所記載之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為斜向延伸薄膜層。
［10］如［7］～［9］之任一項所記載之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為具有多層結構的延伸薄膜層。
［11］如［7］所記載之光學各向異性堆疊體，其中在波長450 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B450)、在波長550 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B550)，以及在波長650 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B650)滿足下述式（5）及（6）： 0.75＜Re(B450)／Re(B550)＜1.00 （5） 1.01＜Re(B650)／Re(B550)＜1.25 （6）。
［12］如［9］或［11］所記載之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層包含定向狀態亦可固定的化合物2，前述化合物2係由式（IIa）所表示之化合物、由式（IIb）所表示之化合物或此等之混合物： 『化4』其中， Ga
表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基； Ya
表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR11
－、－O－C(＝O)－NR11
－、－NR11
－C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11
表示碳數1～6之烷基； Fx1
及Fx2
分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基； Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基； RI
～RIV
分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
，Ra
表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基； R0
表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
； p表示0～3的整數； p1表示0～4的整數； p2表示0或1； Y1
～Y8
分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2
－、－CH2
－O－、－O－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR13
－、－CF2
－O－、－O－CF2
－、－CH2
－CH2
－、－CF2
－CF2
－、－O－CH2
－CH2
－O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－、－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－、－CH2
－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－CH2
－、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3
)－、－C(CH3
)＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13
表示氫原子或碳數1～6的烷基； A1
及A2
以及B1
及B2
分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基； G1
及G2
分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14
表示氫原子或碳數1～6的烷基； P1
及P2
分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基； n及m分別獨立表示0或1。
［13］如［7］～［12］之任一項所記載之光學各向異性堆疊體，其中在波長590 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B590)、在波長590 nm之前述光學各向異性層的面內延遲Re(A590)，以及在波長590 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)滿足下述式（7）、（8）及（9）： 110 nm≦Re(B590)≦170 nm （7） Re(A590)≦10 nm （8） －110 nm≦Rth(A590)≦－20 nm （9）。
［14］一種偏光板，其具備 直線偏光件，與 如［1］～［5］之任一項所記載之光學各向異性層、如［6］所記載之光學各向異性轉印物，或如［7］～［13］之任一項所記載之光學各向異性堆疊體。
［15］一種影像顯示裝置，其具備如［14］所記載之偏光板。
［16］一種影像顯示裝置，其依序具備： 如［7］～［13］之任一項所記載之光學各向異性堆疊體、 直線偏光件，與 影像顯示元件， 前述影像顯示元件為液晶單元或有機電致發光元件。
［17］一種影像顯示裝置，其依序具備： 直線偏光件、 如［7］～［13］之任一項所記載之光學各向異性堆疊體，與 有機電致發光元件。
［18］一種光學各向異性層的製造方法，其係包含 將包含聚合物、化合物1及溶劑的塗布液塗布於支撐面上，獲得塗布液層的工序，與 使前述塗布液層乾燥的工序 之光學各向異性層的製造方法，其中 前述聚合物，係在藉由使用前述聚合物之溶液的塗布法形成前述聚合物之膜的情形中，前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(P)、前述膜之前述面內方向且垂直於前述nx(P)之方向之方向的折射率ny(P)，以及前述膜之厚度方向的折射率nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)者， 前述光學各向異性層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(A)、前述光學各向異性層之前述面內方向且垂直於前述nx(A)之方向之方向的折射率ny(A)，以及前述光學各向異性層之厚度方向的折射率nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)， 在波長450 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A450)、在波長550 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A550)，以及在波長650 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A650)滿足下述式（1）及（2）： 0.50＜Rth(A450)／Rth(A550)＜1.00 （1） 1.00≦Rth(A650)／Rth(A550)＜1.25 （2） 前述化合物1係由式（Ia）所表示之化合物、由式（Ib）所表示之化合物或此等之混合物： 『化5』其中， Ga
表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基； Ya
表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR11
－、－O－C(＝O)－NR11
－、－NR11
－C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11
表示碳數1～6之烷基； Fx1
及Fx2
分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基； Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基； RI
～RIV
分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
，Ra
表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基； R0
表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3
、－C(＝O)－O－Ra
或－O－C(＝O)－Ra
； p表示0～3的整數； p1表示0～4的整數； p2表示0或1； Y1
～Y8
分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2
－、－CH2
－O－、－O－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR13
－、－CF2
－O－、－O－CF2
－、－CH2
－CH2
－、－CF2
－CF2
－、－O－CH2
－CH2
－O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－、－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－、－CH2
－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－CH2
－、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3
)－、－C(CH3
)＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13
表示氫原子或碳數1～6的烷基； A1
及A2
以及B1
及B2
分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基； G1
及G2
分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14
表示氫原子或碳數1～6的烷基； P1
及P2
分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基； n及m分別獨立表示0或1。
［19］一種光學各向異性堆疊體的製造方法，其係包含 將如［6］所記載之光學各向異性轉印物之光學各向異性層與相位差層貼合的工序，與 將前述光學各向異性轉印物之基材剝離的工序 之光學各向異性堆疊體的製造方法， 前述相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(B)、前述相位差層之前述面內方向且垂直於前述nx(B)之方向之方向的折射率ny(B)，以及前述相位差層之厚度方向的折射率nz(B)滿足nx(B)＞ny(B)≧nz(B)。
根據本發明，可提供：不使用定向膜即能夠製造之可使用作為「厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C板」的光學各向異性層及其製造方法；具備前述光學各向異性層的光學各向異性堆疊體及其製造方法；以及具備前述光學各向異性層的光學各向異性轉印物、偏光板及影像顯示裝置。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍中，得任意變更而實施。
於以下說明中，所謂某面的正面方向，除非另有註記，否則意謂該面的法線方向，具體上係指前述面的極角0°且方位角0°的方向。
於以下說明中，所謂某面的傾斜方向，除非另有註記，否則意謂對該面既非平行亦非垂直的方向，具體上係指前述面的極角為大於0°且小於90°之範圍的方向。
於以下說明中，除非另有註記，否則某層體的面內延遲Re代表由Re＝（nx－ny）×d所示之值，並且，所謂某層體之厚度方向的延遲Rth代表由Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d所示之值。於此，nx代表層體之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率，ny代表層體之前述面內方向且正交於「nx之方向」之方向的折射率，nz代表層體之厚度方向的折射率，d代表層體的厚度。並且，所謂面內方向表示垂直於厚度方向的方向。
於以下說明中，除非另有註記，否則折射率的量測波長為590 nm。
於以下說明中，所謂「長條狀」者，係指相對於幅寬，通常具有5倍以上之長度者，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係指具有可收捲成輥狀儲存或搬運之程度的長度者。相對於幅寬之長度的比例之上限並不特別受限，但得定為例如100,000倍以下。
於以下說明中，所謂「偏光板」及「波長板」，不僅包含剛性的部件，亦包含例如樹脂製薄膜般具有可撓性的部件。
於以下說明中，除非另有註記，否則「（甲基）丙烯酸」係包含「丙烯酸」、「甲基丙烯酸」及此等之組合的用語。
於以下說明中，所謂元件之方向為「平行」及「垂直」，除非另有註記，否則在未損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。
於以下說明中，所謂具有正的固有雙折射值的樹脂，意謂延伸方向之折射率大於與之正交的方向之折射率的樹脂。並且，所謂具有負的固有雙折射值的樹脂，意謂延伸方向之折射率小於與之正交的方向之折射率的樹脂。固有雙折射值得由介電常數分布（dielectric constant distribution）計算。
［1.光學各向異性層］
本發明之光學各向異性層包含指定聚合物與指定化合物1，並具有指定光學特性。以下適時將光學各向異性層所包含之前述聚合物稱為「正型C聚合物」。
〔1.1.正型C聚合物〕
正型C聚合物係在藉由使用該正型C聚合物之溶液的塗布法形成正型C聚合物之膜的情形中，其膜的折射率nx(P)、ny(P)及nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)的聚合物。於此，nx(P)代表前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率，ny(P)代表前述膜之前述面內方向且垂直於「前述nx(P)之方向」之方向的折射率，nz(P)代表前述膜之厚度方向的折射率。藉由將此種正型C聚合物與化合物1組合使用，可實現不使用定向膜即能夠製造之使用作為「厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C板」的光學各向異性層。
某聚合物是否符合正型C聚合物，可藉由下述方法確認。
首先，將作為試樣的聚合物以聚合物的濃度呈10重量%～20重量%的方式，加入甲基乙基酮（MEK）、1,3-二氧𠷬、N-甲基吡咯啶酮（NMP）等溶劑，使其於室溫溶解，獲得聚合物溶液。
將此聚合物溶液，使用塗布器塗布於由樹脂而成之未延伸薄膜上，形成聚合物溶液之層體。其後，藉由以85℃烘箱使其乾燥約10分鐘而使溶劑蒸發，獲得厚度為10 μm程度的聚合物膜。
然後，評價此聚合物膜的折射率nx(P)、折射率ny(P)及折射率nz(P)是否滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)，在滿足的情況下，作為此試料的聚合物可判定為符合正型C聚合物。
其中，前述折射率nx(P)與折射率ny(P)，以其值為相同或接近為佳。具體而言，折射率nx(P)與折射率ny(P)之差nx(P)－ny(P)以0.00000～0.00100為佳，以0.00000～0.00050為較佳，以0.00000～0.00020為尤佳。藉由折射率差nx(P)－ny(P)落於前述範圍，可輕易獲得本發明之光學各向異性層。
作為正型C聚合物，得使用具有滿足前述式nz(P)＞nx(P)≧ny(P)之折射率的任意聚合物。其中，作為正型C聚合物，以選自由聚乙烯咔唑、聚反丁烯二酸酯及纖維素衍生物而成之群組之至少一種的聚合物為佳。藉由使用此等聚合物作為正型C聚合物，可透過塗布輕易獲得厚度方向之延遲Rth大的光學各向異性層。
作為正型C聚合物之具體例，可列舉：聚(9-乙烯咔唑)；反丁烯二酸二異丙酯與丙烯酸-3-乙基-3-氧呾基甲酯的共聚物；反丁烯二酸二異丙酯與桂皮酸酯的共聚物；等。
並且，正型C聚合物可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
光學各向異性層之所有固體成分中之正型C聚合物的比率以30重量%以上為佳，以35重量%以上為較佳，以40重量%以上為更佳，且以60重量%以下為佳，以55重量%以下為較佳，以50重量%以下為更佳。藉由正型C聚合物的比率為前述範圍之下限值以上，可於光學各向異性層中，使化合物1均勻分散、提高光學各向異性層的機械性強度，並且，藉由為前述範圍之上限值以下，可輕易使光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth的波長色散性接近逆分散性。於此，所謂某層體的固體成分，係指在完成此層體乾燥的時候所殘留之成分。
〔1.2.化合物1〕
化合物1係由式（Ia）所表示之化合物、具有由式（Ib）所表示之結構之化合物或此等之混合物。
『化6』
式（Ia）及（Ib）中，Ga
表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基，以亦可具有取代基之碳數3～30之2價的有機基為佳。
作為Ga
之前述2價之有機基的取代基之例，可列舉：甲基、乙基、丙基等碳數1～5的烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳數1～5的烷氧基；氰基；氟原子、氯原子等鹵素原子。
作為Ga
之佳例，可列舉下述Ga
-1～Ga
-2。 Ga
-1：亦可具有取代基之碳數1～30之2價的脂族烴基。 Ga
-2：亦可具有取代基之碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR12
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR12
－、－NR12
－或－C(＝O)－取代的基。惟Ga
-2排除2個以上－O－鄰接而中介的情況以及2個以上－S－鄰接而中介的情況。R12
表示氫原子或碳數1～6的烷基。 關於Ga
，前述「2價的脂族烴基」以2價的鏈狀脂族烴基為佳，以伸烷基為較佳。
於此，在Ga
之碳數為3以上的情況下，Ga
的兩末端以－CH2
－（Ga
的兩末端未經取代）為佳。並且，在Ga
-2中，－O－及－S－以不取代脂族烴基中之連續的－CH2
－（亦即，不形成－O－O－及－S－S－的結構）為佳（簡言之，以排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況為佳）。並且，在Ga
-2中，－C(＝O)－以不取代脂族烴基中之連續的－CH2
－（亦即，不具有－C(＝O)－C(＝O)－的結構）為佳。
作為Ga
之2價的脂族烴基所具有的取代基，可列舉：甲基、乙基、丙基等碳數1～5的烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～5的烷氧基；氰基；氟原子、氯原子等鹵素原子。
式（Ia）及（Ib）中，Ya
表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR11
－、－O－C(＝O)－NR11
－、－NR11
－C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－。於此，R11
表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基。其中，以－O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－為佳，以－O－、－O－C(＝O)－*為尤佳。於此，*表示與Fx1
或Fx2
鍵結的位置。
式（Ia）及（Ib）中，Fx1
及Fx2
分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基。
於此，Fx1
的有機基之碳數以及Fx2
的有機基之碳數分別以2以上且30以下為佳，以7以上為佳，以8以上為更佳，以10以上為尤佳。
於上所述之Fx1
及Fx2
之具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基之「碳數」，意謂不含取代基的碳原子之具有芳烴環及芳雜環之至少一者之有機基本體的碳數（包含構成有機基所具有之芳烴環及芳雜環之碳原子數的碳數）。
Fx1
整體的碳數（亦即，亦包含Fx1
所具有之取代基的碳原子數之Fx1
的碳數）以4以上為佳，另一方面，以38以下為佳，以20以下為較佳。Fx2
整體的碳數以3以上為佳，另一方面，以38以下為佳，以20以下為較佳。
Fx1
及Fx2
的有機基，以「至少一個氫原子經具有芳烴環及芳雜環之至少一者的含環基取代之碳數1～18的烷基」或者「具有芳烴環及芳雜環之至少一者之碳數2～20的環狀基」為佳。由含環基所取代之碳數1～18的烷基亦可具有除前述含環基以外的取代基，並且，碳數2～20的環狀基也亦可具有取代基。在由含環基所取代之碳數1～18的烷基及碳數2～20的環狀基具有多個取代基的情況下，多個取代基可彼此相同，亦可相異。並且，在Fx1
及Fx2
具有多個芳烴環及／或多個芳雜環的情況下，此等可彼此相同，亦可相異。
於此，作為上述含環基及環狀基的芳烴環之具體例，可列舉：苯環、萘環、蒽環、菲環、芘環及茀環等碳數6～30的芳烴環。
並且，作為上述含環基及環狀基的芳雜環之具體例，可列舉：1H-異吲哚-1,3(2H)-二酮環、1-苯并呋喃環、2-苯并呋喃環、吖啶環、異喹啉環、咪唑環、吲哚環、㗁二唑環、㗁唑環、㗁唑并吡𠯤環、㗁唑并吡啶環、㗁唑并嗒𠯤環、㗁唑并嘧啶環、喹唑啉環、喹㗁啉環、喹啉環、㖕啉環、噻二唑環、噻唑環、噻唑并吡𠯤環、噻唑并吡啶環、噻唑并嗒𠯤環、噻唑并嘧啶環、噻吩環、三𠯤環、三唑環、㖠啶環、吡𠯤環、吡唑環、哌喃酮環、哌喃環、吡啶環、嗒𠯤環、嘧啶環、吡咯環、啡啶環、呔𠯤環、呋喃環、苯[c]噻吩環、苯并異㗁唑環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、苯并㗁二唑環、苯并㗁唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并噻吩環、苯并三𠯤環、苯并三唑環、苯并吡唑環、苯并哌喃酮環等碳數2～30的芳雜環。
於此，作為由含環基所取代之碳數1～18的烷基及碳數2～20的環狀基之取代基之例，可列舉：氟原子、氯原子等鹵素原子；氰基；甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基；乙烯基、烯丙基等碳數2～6的烯基；三氟甲基、五氟乙基等碳數1～6的鹵化烷基；二甲基胺基等碳數2～12的N,N-二烷基胺基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6的烷氧基；硝基；－OCF3
；－C(＝O)－Ra
；－C(＝O)－O－Ra
；－O－C(＝O)－Ra
等。而且，Ra
表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基。
Fx1
及Fx2
亦可具有選自上述取代基的多個取代基。在Fx1
及Fx2
具有多個取代基的情況下，取代基可相同亦可相異。
作為由含環基所取代之碳數1～18的烷基之碳數1～18的烷基之具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基等。
含環基所具有之芳烴環及／或芳雜環可直接鍵結於碳數1～18之烷基的碳原子，亦可中介－S－、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR11
等連結基鍵結於碳數1～18之烷基的碳原子。於此，R11
表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基。
亦即，上述含環基可為亦可經取代之芳烴環基及／或亦可經取代之芳雜環基，亦可為由亦可經取代之具有連結基的芳烴環而成之基及／或由亦可經取代之具有連結基之芳雜環而成之基。
於此，作為係為上述含環基之具體例的芳烴環基之例，可列舉：苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基及茀基等。
並且，作為係為上述含環基之具體例的芳雜環基之例，可列舉：酞醯亞胺基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、吖啶基、異喹啉基、咪唑基、吲哚啉基、呋呫基、㗁唑基、㗁唑并吡𠯤基、㗁唑并吡啶基、㗁唑并嗒𠯤基、㗁唑并嘧啶基、喹唑啉基、喹㗁啉基、喹啉基、㖕啉基、噻二唑基、噻唑基、噻唑并吡𠯤基、噻唑并吡啶基、噻唑并嗒𠯤基、噻唑并嘧啶基、噻吩基、三𠯤基、三唑基、㖠啶基、吡𠯤基、吡唑基、哌喃酮基、哌喃基、吡啶基、嗒𠯤基、嘧啶基、吡咯基、啡啶基、呔𠯤基、呋喃基、苯[c]噻吩基、苯并異㗁唑基、苯并異噻唑基、苯并咪唑基、苯并㗁二唑基、苯并㗁唑基、苯并噻二唑基、苯并噻唑基、苯并噻吩基、苯并三𠯤基、苯并三唑基、苯并吡唑基、苯并哌喃酮基等。
再者，作為係為含環基之具體例的由具有連結基之芳烴環而成的基及／或具有連結基之芳雜環而成的基之例，可列舉：苯硫基、萘硫基、蒽硫基、菲硫基、芘硫基、茀硫基、苯氧基、萘氧基、蒽氧基、菲氧基、芘氧基、茀氧基、苯并異㗁唑硫基、苯并異噻唑硫基、苯并㗁二唑硫基、苯并㗁唑硫基、苯并噻二唑硫基、苯并噻唑硫基、苯并噻吩硫基、苯并異㗁唑氧基、苯并異噻唑氧基、苯并㗁二唑基氧基、苯并㗁唑氧基、苯并噻二唑基氧基、苯并噻唑氧基、苯并噻吩氧基等。
而且，含環基之「芳烴環基」得具有之取代基、含環基之「芳雜環基」得具有之取代基以及含環基之「由具有連結基之芳烴環而成的基」及「由具有連結基之芳雜環而成的基」得具有之取代基，可列舉與上述Fx1
及Fx2
之由含環基所取代之碳數1～18的烷基及碳數2～20的環狀基得具有之取代基相同者。
作為「至少一個氫原子經具有芳烴環及芳雜環之至少一者的含環基取代之碳數1～18的烷基」之較佳具體例，可列舉由下述式（1-1）～（1-10）所表示之結構。惟本發明並非受以下所示之物限定者。下述式中，「*」表示自環的任意位置伸出之與Ya
的原子鍵。由下述式（1-1）～（1-10）所表示之基亦可具有上述取代基。
『化7』
並且，作為「具有芳烴環及芳雜環之至少一者之碳數2～20的環狀基」，可列舉： 1）具有至少一個碳數6～18之芳烴環之碳數6～20的環烴基，以及 2）具有選自由碳數6～18的芳烴環及碳數2～18的芳雜環而成之群組之至少一個芳環之碳數2～20的雜環基。 此等基亦可具有上述取代基。
於本發明中，所謂「芳環」，意謂遵循Hückel定則之具有廣義芳香性的環狀結構，亦即，具有（4n＋2）個π電子的環狀共軛結構，以及噻吩、呋喃、苯并噻唑等所代表之硫、氧、氮等雜原子的孤電子對參與π電子系統而顯示芳香性的環狀結構。
作為上述1）之環烴基之例，可列舉：碳數6～18的芳烴環基（苯基（碳數6）、萘基（碳數10）、蒽基（碳數14）、菲基（碳數14）、芘基（碳數16）、茀基（碳數13）等）、二氫茚基（碳數9）、1,2,3,4-四氫萘基（碳數10）、1,4-二氫萘基（碳數10）等。
作為1）之環烴基之具體例，可列舉由下述式（2－1）～（2－21）所表示之結構。由下述式（2－1）～（2－21）所表示之基亦可具有上述取代基。
『化8』
作為上述2）之雜環基之例，可列舉：碳數2～18之芳雜環基（酞醯亞胺基、1-苯并呋喃基、2-苯并呋喃基、吖啶基、異喹啉基、咪唑基、吲哚啉基、呋呫基、㗁唑基、㗁唑并吡𠯤基、㗁唑并吡啶基、㗁唑并嗒𠯤基、㗁唑并嘧啶基、喹唑啉基、喹㗁啉基、喹啉基、㖕啉基、噻二唑基、噻唑基、噻唑并吡𠯤基、噻唑并吡啶基、噻唑并嗒𠯤基、噻唑并嘧啶基、噻吩基、三𠯤基、三唑基、㖠啶基、吡𠯤基、吡唑基、哌喃酮基、哌喃基、吡啶基、嗒𠯤基、嘧啶基、吡咯基、啡啶基、呔𠯤基、呋喃基、苯[c]噻吩基、苯并異㗁唑基、苯并異噻唑基、苯并咪唑基、苯并㗁唑基、苯并噻二唑基、苯并噻唑基、苯并噻吩基、苯并三𠯤基、苯并三唑基、苯并吡唑基、苯并哌喃酮基等）、𠮿基、2,3-二氫吲哚基、9,10-二氫吖啶基、1,2,3,4-四氫喹啉基、二氫哌喃基、四氫哌喃基、二氫呋喃基及四氫呋喃基等。
作為2）之雜環基之具體例，可列舉由下述式（3-1）～（3-51）所表示之結構等。由下述式（3-1）～（3-51）所表示之基亦可具有上述取代基。
『化9』
［各式中，X表示－CH2
－、－NRc
－、氧原子、硫原子、－SO－或－SO2
－， Y及Z分別獨立表示－NRc
－、氧原子、硫原子、－SO－或－SO2
－， E表示－NRc
－、氧原子或硫原子。 於此，Rc
表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6之烷基。（其中於各式中，將氧原子、硫原子、－SO－、－SO2
－定為各自不鄰接者。）〕
Fx1
中之環結構所包含之π電子總數以8以上為佳，以10以上為較佳，且以20以下為佳，以18以下為較佳。
並且，Fx2
中之環結構所包含之π電子總數以4以上為佳，以6以上為較佳，且以20以下為佳，以18以下為較佳。
而且，Fx1
以下述式（i-1）～（i-9）之任一者為佳，Fx2
以下述（i-1）～（i-11）之任一者為佳。由下述式（i-1）～（i-11）所表示之基亦可具有上述取代基。
『化10』
〔式中，Y表示與上述相同意義。〕
再者，式（Ia）及（Ib）中，Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基。於此，作為亦可具有取代基之碳數1～6的烷基之碳數1～6的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基及異丙基等，作為取代基，可列舉苯基及萘基等碳數6～12的芳烴環基。其中，作為Q，以氫原子、無取代之碳數1～6的烷基為佳，以氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基為尤佳。
並且，式（Ia）及（Ib）中，RI
～RIV
分別獨立表示氫原子；氟原子、氯原子等鹵素原子；甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基；氰基；硝基；三氟甲基、五氟乙基等碳數1～6的鹵化烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～6的烷氧基；－OCF3
；－C(＝O)－O－Ra
；或－O－C(＝O)－Ra
。並且，Ra
表示與前述相同的意義，其較佳例亦與前述相同。
RI
～RIV
可全部相同，亦可相異，構成環之至少1個C－RI
～C－RIV
亦可經氮原子取代。於此，揭示C－RI
～C－RIV
之中的至少1個經氮原子取代之基的具體例。惟C－RI
～C－RIV
之中的至少1個經氮原子取代之基並非受限於此等者。
『化11』
再者，式（Ia）及（Ib）中，R0
表示氯原子、氟原子等鹵素原子；甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基；氰基；硝基；三氟甲基、五氟乙基等碳數1～6的鹵化烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳數1～6的烷氧基；－OCF3
；－C(＝O)－O－Ra
；或－O－C(＝O)－Ra
。於此，Ra
表示與前述相同的意義，其較佳例亦與前述相同。在Ra
為多個的情況下，多個Ra
可彼此相同亦可相異。
式（Ia）及（Ib）中，p表示0～3的整數，p1表示0～4的整數，p2表示0或1。而且，以p、p1及p2皆為0為佳。
並且，式（Ia）及（Ib）中，Y1
～Y8
分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2
－、－CH2
－O－、－O－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR13
－、－CF2
－O－、－O－CF2
－、－CH2
－CH2
－、－CF2
－CF2
－、－O－CH2
－CH2
－O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－、－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－、－CH2
－CH2
－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2
－CH2
－、－CH2
－CH2
－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2
－CH2
－、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3
)－、－C(CH3
)＝N－、－N＝N－或－C≡C－。於此，R13
表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基。
再者，式（Ia）及（Ib）中，A1
及A2
以及B1
及B2
分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基。而且，A1
及A2
以及B1
及B2
分別獨立，以亦可具有取代基之碳數5～20的脂環基或亦可具有取代基之碳數2～20的芳基為佳。
於此，作為A1
及A2
以及B1
及B2
之脂環基的具體例，可列舉：環戊-1,3-二基、環己-1,4-二基、環庚-1,4-二基、環辛-1,5-二基等碳數5～20的環烷二基；十氫萘-1,5-二基、十氫萘-2,6-二基等碳數5～20的雙環烷二基等。其中，作為脂環基，以環己-1,4-二基為佳。脂環基可為反式物，亦可為順式物，或者還可為順式物與反式物的混合物，但以反式物為佳。
並且，作為A1
及A2
以及B1
及B2
之芳基的具體例，可列舉：1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基、1,4-伸萘基、1,5-伸萘基、2,6-伸萘基、4,4’-伸聯苯基等碳數6～20的芳烴環基；呋喃-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、吡啶-2,5-二基、吡𠯤-2,5-二基等碳數2～20的芳雜環基；等。其中，以1,4-伸苯基、2,6-伸萘基為佳，以1,4-伸苯基為尤佳。
作為n及m為1時之「A1及A2」以及「B1及B2」的組合，以A1及A2為脂環基、B1及B2為芳基的組合為佳，以A1及A2為環己烷-1,4-二基、B1及B2為1,4-伸苯基的組合為較佳，以A1及A2為反(環己烷-1,4-二)基、B1及B2為1,4-伸苯基的組合為尤佳。
作為A1
及A2
以及B1
及B2
之脂環基及芳基的取代基，可列舉例如：氟原子、氯原子等鹵素原子；甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1～5的烷氧基；硝基；氰基；等。前述脂環基及芳基，亦可具有選自上述取代基之至少1個的取代基。在前述脂環基及芳基具有多個取代基的情況下，各取代基可相同亦可相異。
並且，式（Ia）及（Ib）中，G1
及G2
分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟定為排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況者。於此，R14
表示氫原子或甲基、乙基、丙基等碳數1～6的烷基。
在G1
及G2
分別獨立且碳數為3以上的情況下，G1
及G2
之兩末端以－CH2
－（G1
及G2
之兩末端未經取代）為佳。
並且，在「碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－取代之基」中，－O－及－S－以不取代脂族烴基中之連續的－CH2
－（亦即不形成－O－O－及－S－S－的結構）為佳（簡言之，以排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況為佳），－C(＝O)－以不取代脂族烴基中之連續的－CH2
－（亦即，不形成－C(＝O)－C(＝O)－的結構）為佳。R14
與前述相同。
G1
及G2
分別獨立，以（i）「碳數1～18之2價的脂族烴基，以及碳數3～18之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2
－經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14
－C(＝O)－、－C(＝O)－NR14
－、－NR14
－或－C(＝O)－（較佳為－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－或－C(＝O)－）取代之基的任一有機基」為佳，以（ii）「亦可具有取代基之碳數1～18的伸烷基」為較佳。R14
與前述相同。
G1
及G2
之前述有機基所包含之氫原子亦可經甲基、乙基、丙基等碳數1～5的烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳數1～5的烷氧基；氰基；或氟原子、氯原子等鹵素原子取代。
並且，作為G1
及G2
之碳數1～18的伸烷基之取代基，可列舉：甲基、乙基、丙基等碳數1～5的烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳數1～5的烷氧基；氰基；或氟原子、氯原子等鹵素原子。
再者，式（Ia）及（Ib）中，P1
及P2
分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基。
於此，作為P1
及P2
之碳數2～10的烯基得具有之取代基，可列舉：氟原子、氯原子等鹵素原子，或甲基、乙基等烷基。此等取代基之中，亦以氯原子或甲基為佳。
並且，作為亦可具有取代基之碳數2～10的烯基之碳數2～10的烯基，可列舉：乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基等。其中，以乙烯基為佳。
而且，式（Ia）及（Ib）中，n及m分別獨立為0或1，以1為較佳。
在n及m之二者為1的情況下，前述式（Ia）及（Ib）中之B1
及B2
分別獨立，以亦可具有取代基的脂環基為佳，以亦可具有取代基之碳數5～20的脂環基為較佳。
上述聚合性液晶化合物可組合已知的合成反應來合成。亦即，可參照各式各樣的文獻（例如：國際專利公開第2014/10325號、國際專利公開第2012/147904號、日本專利公開第2010-31223號公報、日本專利公開第2008-273925號公報、日本專利公開第2009-179563號公報）等所記載之方法來合成。
並且，以固體成分換算計，聚合性液晶材料中所佔之聚合性液晶化合物的比例，通常為70質量%以上且未達100質量%，可定為例如80質量%以上且99質量%以下。
在光學各向異性層中，化合物1，其定向狀態亦可固定。舉例而言，化合物1亦可透過聚合，固定該化合物1的定向狀態。通常透過聚合，化合物1得維持此化合物1的定向狀態直接變成聚合物，故透過前述聚合，化合物1的定向狀態固定。因此，用語「定向狀態固定的化合物1」，包含化合物1的聚合物。因此，在化合物1為具有液晶性的液晶化合物的情況下，此液晶化合物在光學各向異性層中，可呈現液晶相，亦可因定向狀態受固定化而未呈液晶相。
藉由使用化合物1，可實現不使用定向膜即能夠製造之使用作為「厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C板」的光學各向異性層。
化合物1以光聚合性的逆波長色散液晶化合物為佳。以下說明逆波長色散液晶化合物。
逆波長色散液晶化合物在均相定向的時候，顯現逆波長色散性的面內延遲。於此，所謂使液晶化合物均相定向，係指形成包含該液晶化合物之層體，並使此層體中之液晶化合物的分子之液晶原骨架的長軸方向定向成平行於對前述層體之面的某一方向。在液晶化合物包含定向方向相異之多種液晶原骨架的情形中，此等之中最長之種類的液晶原所定向之方向成為前述定向方向。液晶化合物是否均相定向及其定向方向，得藉由「使用如AxoScan（Axometrics公司製）所代表之相位差計之慢軸方向的量測，與在慢軸方向上之每個入射角之延遲分布的量測」確認。關於液晶原骨架，得參照Pure Appl.Chem.2001，73卷（5號），888頁及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele，Angew.Chem.2004年，116卷，6340～6368頁。
並且，所謂面內延遲Re顯現逆波長色散性，係指在波長450 nm及550 nm之面內延遲Re(450)及Re(550)滿足Re(450)／Re(550)＜1.00。
因此，在形成包含逆波長色散液晶化合物之液晶層，並使此層體中之液晶化合物的分子之液晶原骨架的長軸方向定向成平行於前述液晶層之面的某一方向之情形中，此液晶層在波長450 nm及550 nm之面內延遲Re(L450)及Re(L550)通常滿足Re(L450)／Re(L550)＜1.00。
再者，在波長450 nm、550 nm及650 nm之前述液晶層的面內延遲Re(L450)、Re(L550)及Re(L650)，就使本發明之期望的效果更為良好展現之觀點而言，以滿足Re(L450)＜Re(L550)≦Re(L650)為較佳。
如同式（Ia）及（Ib）所示，逆波長色散液晶化合物，得在該逆波長色散液晶化合物的分子中，包含主鏈液晶原骨架與鍵結於前述主鏈液晶原骨架之側鏈液晶原骨架。包含主鏈液晶原骨架及側鏈液晶原骨架的前述逆波長色散液晶化合物，於該逆波長色散液晶化合物為已定向之狀態下，側鏈液晶原骨架得定向成與主鏈液晶原骨架相異的方向。此種情形中，雙折射係作為「對應於主鏈液晶原骨架之折射率」與「對應於側鏈液晶原骨架之折射率」的差異來展現，故作為結果，逆波長色散液晶化合物在均相定向的時候，可顯現逆波長色散性的面內延遲。
如同式（Ia）及（Ib）所示，逆波長色散液晶化合物通常具有與一般順波長色散液晶化合物之立體形狀相異的特異立體形狀。於此，所謂「順波長色散液晶化合物」，係指在均相定向的時候，得顯現順波長色散性的面內延遲的液晶化合物。並且，所謂順波長色散性的面內延遲，表示量測波長愈大則面內延遲愈小的面內延遲。推測逆波長色散液晶化合物具有此種特異立體形狀，乃可獲得本發明之效果的一因素。
化合物1的CN點，以25℃以上為佳，以45℃以上為較佳，以60℃以上為尤佳，且以120℃以下為佳，以110℃以下為較佳，以100℃以下為尤佳。於此，所謂「CN點」，係指結晶─向列相轉移溫度。藉由使用在前述範圍具有CN點的化合物1，能輕易製造光學各向異性層。
化合物1的分子量，在其為單體的情況下，以300以上為佳，以700以上為較佳，以1000以上為尤佳，且以2000以下為佳，以1800以下為較佳，以1600以下為尤佳。藉由化合物1具有如同前述之分子量，尤可優化用以形成光學各向異性層之塗布液的塗布性。
作為化合物1，可使用單獨1種化合物，亦可以任意比率組合2種以上之化合物使用。具體而言，可使用單獨1種由式（Ia）所表示之化合物或由式（Ib）所表示之化合物，亦可組合2種以上由式（Ia）所表示之化合物使用，也可組合2種以上由式（Ib）所表示之化合物使用，還可組合1種以上由式（Ia）所表示之化合物及1種以上由式（Ib）所表示之化合物使用。
在光學各向異性層之所有固體成分中之化合物1的比率，以40重量%以上為佳，以45重量%以上為較佳，以50重量%以上為更佳，且以70重量%以下為佳，以65重量%以下為較佳，以60重量%以下為更佳。藉由化合物1的比率為前述範圍之下限值以上，可輕易使光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth之波長色散性接近逆分散性，並且，藉由為前述範圍之上限值以下，於光學各向異性層中，可使液晶原化合物的聚合物均勻分散，可提高光學各向異性層的機械性強度。
〔1.3.任意成分〕
光學各向異性層得更包含任意成分組合於正型C聚合物及化合物1。
〔1.4.光學各向異性層的特性〕
光學各向異性層，其折射率nx(A)、ny(A)及nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)。於此，nx(A)表示光學各向異性層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率，ny(A)表示光學各向異性層之前述面內方向且垂直於「前述nx(A)之方向」之方向的折射率，nz(A)表示光學各向異性層之厚度方向的折射率。具有此種折射率nx(A)、ny(A)及nz(A)的光學各向異性層，得作為正型C薄膜使用。因此，在將此光學各向異性層納入圓偏光板而適用於影像顯示裝置的時候，可於影像顯示裝置之顯示面的傾斜方向上抑制外部光線的反射，顯示影像之光線可穿透偏光太陽鏡。再者，在影像顯示裝置為液晶顯示裝置的情況下，通常可擴展視角。因此，在自傾斜方向觀看影像顯示裝置的顯示面的時候，可提高影像的可視性。
其中，光學各向異性層的折射率nx(A)與折射率ny(A)，以其值為相同或接近為佳。具體而言，折射率nx(A)與折射率ny(A)之差nx(A)－ny(A)以0.00000～0.00100為佳，以0.00000～0.00050為較佳，以0.00000～0.00020為尤佳。藉由折射率差nx(A)－ny(A)落於前述範圍，可簡化在將光學各向異性層設置於影像顯示裝置之情形中的光學設計，且可不用調整與其他相位差薄膜貼合時的貼合方向。
在波長450 nm之光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A450)、在波長550 nm之光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A550)及在波長650 nm之光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A650)通常滿足下述式（1）及（2）。 0.50＜Rth(A450)／Rth(A550)＜1.00 （1） 1.00≦Rth(A650)／Rth(A550)＜1.25 （2）
若要詳細說明前述式（1），Rth(A450)／Rth(A550)通常大於0.50，以大於0.60為佳，以大於0.70為較佳，並且，通常未達1.00，以未達0.95為佳，以未達0.90為較佳。
再者，若要詳細說明前述式（2），Rth(A650)／Rth(A550)通常為1.00以上，以1.01以上為佳，且通常未達1.25，以未達1.10為佳。
具有滿足前述式（1）及式（2）之厚度方向的延遲Rth(A450)、Rth(A550)及Rth(A650)之光學各向異性層，其厚度方向的延遲Rth顯現逆波長色散性。如此厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的光學各向異性層，在納入圓偏光板而適用於影像顯示裝置的時候，在影像顯示裝置之顯示面的傾斜方向上，可於較廣的波長範圍發揮「抑制外部光線的反射，使顯示影像之光線穿透偏光太陽鏡」的功能。再者，在影像顯示裝置為液晶顯示裝置之情況下，通常可有效擴展視角。因此，尤可有效提升顯示於顯示面之影像的可視性。
組合正型C聚合物及化合物1而包含的光學各向異性層可發揮上述光學特性的構造，根據本發明人的研究，推測係如下所述。惟本發明之技術範圍，並非受下述所說明之構造限制者。
一般而言，包含液晶化合物之液晶層的雙折射，取決於其在液晶層中之液晶化合物之分子的定向狀態。因此，在欲獲得係為在厚度方向上具有大折射率之薄膜的正型C薄膜之情形中，多使液晶化合物的分子沿液晶層的厚度方向定向。在欲如此沿厚度方向使液晶化合物之分子定向的情形中，自以往來垂直定向劑便為人所使用。
在使用垂直定向劑形成液晶層的情形中，通常準備包含液晶化合物及垂直定向劑的塗布液，並將此塗布液塗布及乾燥，獲得液晶層。然而，逆波長色散液晶化合物之分子具有特異的立體形狀，故即使以使用垂直定向劑之以往的方法來形成液晶層，仍會在液晶化合物之分子的傾斜角產生不均，而難以獲得良好的液晶層。具體而言，在利用以往的製造方法所製造的液晶層中，雖然集合相同傾斜角的液晶化合物而形成多個液晶域，但由於液晶域間的傾斜角相異，故會在液晶層整體發生光線的反射、折射或色散，產生液晶層的白濁。於此，所謂傾斜角，係指相對於某基準面，液晶化合物之分子的定向軸所夾之角度。
相對於此，本發明之光學各向異性層所包含的正型C聚合物一般包含具有相對於主鏈交叉之萘環及聯苯基等剛性結構的側鏈。而且，在包含正型C聚合物的光學各向異性層中，正型C聚合物的主鏈平行橫躺於光學各向異性層之面內方向上，其側鏈則立於光學各向異性層之厚度方向上。因此，若組合正型C聚合物與化合物1，藉由透過正型C聚合物的側鏈矯正化合物1之分子的方向，化合物1之分子會以分子之長軸方向與光學各向異性層之厚度方向呈平行的方式定向。因此，由於在光學各向異性層之厚度方向上展現大的折射率，故本發明之光學各向異性層顯現可發揮作為正型C薄膜之功能的折射率。
再者，化合物1係得顯現逆波長色散性的面內延遲者。因此，包含分子沿厚度方向定向之化合物1的光學各向異性層之厚度方向的延遲，可顯現逆波長色散性。
可認為藉由此種構造，本發明之光學各向異性層可發揮上述光學特性。
在波長590 nm之光學各向異性層的面內延遲Re(A590)以滿足下述式（3）為佳。 Re(A590)≦10 nm （3） 若要詳細說明前述式（3），Re(A590)以0 nm～10 nm為佳，以0 nm～5 nm為較佳，以0 nm～2 nm為尤佳。藉由Re(A590)落於前述範圍，可簡化在將光學各向異性層設置於影像顯示裝置之情況下的光學設計，且可不用調整與其他相位差薄膜貼合時的貼合方向。
在波長590 nm之光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)以滿足下述式（4）為佳。 －200 nm≦Rth(A590)≦－10 nm （4） 若要詳細說明前述式（4），Rth(A590)以－200 nm以上為佳，以－130 nm以上為較佳，以－100 nm以上為尤佳，且以－10 nm以下為佳，以－30 nm以下為較佳，以－50 nm以下為尤佳。具有此種Rth(A590)的光學各向異性層在納入圓偏光板而適用於影像顯示裝置的時候，可於影像顯示裝置之顯示面的傾斜方向上抑制外部光線的反射，減小反射光的色調變化，顯示影像之光線可穿透偏光太陽鏡。再者，在影像顯示裝置為液晶顯示裝置的情況下，通常可擴展視角。因此，在自傾斜方向觀看影像顯示裝置的顯示面的時候，可提高影像的可視性。
光學各向異性層的全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以90%以上為尤佳。全光線穿透率得使用紫外線—可見光分光計以波長400 nm～700 nm之範圍量測。
光學各向異性層的霧度以5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為尤佳，理想上為0%。於此，霧度得遵循JIS K7361-1997，使用日本電色工業公司製「濁度計NDH-300A」，量測5處並採用自其所求得之平均值。
光學各向異性層以不顯現液晶性為佳。藉由光學各向異性層不顯現液晶性，可優化在光學各向異性層中正型C聚合物及化合物1的分散。並且，不具液晶性的光學各向異性層在使用塗布液製造光學各向異性層時，可抑制因乾燥風等空氣擾動的影響所致之化合物1之定向不均的發生。
光學各向異性層的厚度，得以可獲得期望之延遲的方式適度調整。光學各向異性層的具體厚度以1.0 μm以上為佳，以3.0 μm以上為較佳，且以50 μm以下為佳，以40 μm以下為較佳，以30 μm以下為尤佳。
〔1.5.光學各向異性層的製造方法〕
光學各向異性層得藉由包含以下工序的製造方法製造：準備包含正型C聚合物、化合物1及溶劑的塗布液的工序；將此塗布液塗布於支撐面上，獲得塗布液層的工序；以及使塗布液層乾燥的工序。
在準備塗布液的工序中，通常混合正型C聚合物、化合物1及溶劑，獲得塗布液。在塗布液的所有固體成分中之正型C聚合物及化合物1的比率，得調整成與在光學各向異性層的所有固體成分中之正型C聚合物與化合物1的比率相同的範圍。
作為溶劑，通常使用有機溶劑。作為此種有機溶劑之例，可列舉：環戊烷、環己烷等烴溶劑；環戊酮、環己酮、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、N-甲基吡咯啶酮等酮溶劑；乙酸丁酯、乙酸戊酯等乙酸酯溶劑；氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等鹵化烴溶劑；1,4-二氧𠮿、環戊基甲基醚、四氫呋喃、四氫哌喃、1,3-二氧𠷬、1,2-二甲氧基乙烷等醚溶劑；甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯（mesitylene）等芳烴溶劑；及此等之混合物。溶劑的沸點，就操作性優異之觀點而言，以60℃～250℃為佳，以60℃～150℃為較佳。並且，溶劑可使用單獨一種，亦可以任意比例組合二種以上使用。
溶劑的量以可使塗布液之固體成分濃度定於期望之範圍的方式調整為佳。塗布液的固體成分濃度，以6重量%以上為佳，以8重量%以上為較佳，以10重量%以上為尤佳，且以20重量%以下為佳，以18重量%以下為較佳，以15重量%以下為尤佳。藉由塗布液的固體成分濃度落於前述範圍，可輕易形成具有期望之光學特性的光學各向異性層。
用以形成光學各向異性層的塗布液亦可包含任意成分組合於正型C聚合物、化合物1及溶劑。並且，任意成分可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
塗布液，舉例而言，得包含塑化劑作為任意成分。作為塑化劑，可列舉：磷酸三苯酯、三乙酸甘油酯等。並且，塑化劑可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
塑化劑的量，相對於正型C聚合物100重量份，以2重量份以上為佳，以5重量份以上為較佳，以8重量份以上為尤佳，且以15重量份以下為佳，以12重量份以下為較佳，以10重量份以下為尤佳。藉由將塑化劑的量調整成前述範圍，可抑制光學各向異性層的脆化，提高機械性強度。
塗布液，舉例而言，得包含聚合起始劑作為任意成分。聚合起始劑的種類得視塗布液中之聚合性化合物所具有的聚合性基之種類適當選擇。於此，所謂聚合性化合物，係具有聚合性之化合物的總稱。其中，以光聚合起始劑為佳。作為光聚合起始劑，可列舉：自由基聚合起始劑、陰離子聚合起始劑、陽離子聚合起始劑等。作為市售之光聚合起始劑的具體例，可列舉：BASF公司製之商品名：Irgacure907、商品名：Irgacure184、商品名：Irgacure369、商品名：Irgacure651、商品名：Irgacure819、商品名：Irgacure907、商品名：Irgacure379、商品名：Irgacure379EG及商品名：Irgacure OXE02；ADEKA公司製之商品名：ADEKA OPTOMER N1919等。並且，聚合起始劑可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
聚合起始劑的量，相對於聚合性化合物100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.5重量份以上為較佳，且以30重量份以下為佳，以10重量份以下為較佳。
塗布液得包含「金屬、金屬錯合物、染料、顏料、螢光材料、磷光材料、均染劑、觸變劑、膠化劑、多醣類、界面活性劑、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、抗氧化劑、離子交換樹脂、氧化鈦等金屬氧化物」等任意添加劑作為任意成分。此種任意添加劑的比例，相對於正型C聚合物100重量份，以各自為0.1重量份～20重量份為佳。
塗布液以不顯現液晶性為佳。藉由使用不顯現液晶性的塗布液，可優化在光學各向異性層中正型C聚合物及化合物1的分散。並且，藉由使用不具有液晶性的塗布液，可抑制因乾燥風等空氣擾動的影響所致之化合物1之定向不均的發生。
在準備好如前述般的塗布液之後，進行將此塗布液塗布於支撐面上，獲得塗布液層的工序。作為支撐面，得使用可支撐塗布液層的任意面。作為此支撐面，就優化光學各向異性層的面狀態之觀點而言，通常使用無凹部及凸部的平坦面。作為前述支撐面，以使用長條狀之基材的表面為佳。在使用長條狀之基材的時候，能於連續運送之基材上連續塗布塗布液。因此，藉由使用長條狀之基材，可連續製造光學各向異性層，故能提升生產性。
在將塗布液塗布於基材上的時候，較佳為對基材施加適度的張力（通常為100 N／m～500 N／m），並減少基材的運送顫動，且在維持平面性的狀態下塗布。所謂平面性，係垂直於基材的幅寬方向及運送方向之上下方向的偏差量，理想上為0 mm，但通常為1 mm以下。
作為基材，通常使用基材薄膜。作為基材薄膜，得適當選用得作為光學上之堆疊體之基材使用的薄膜。其中，就能將具備基材薄膜及光學各向異性層之多層薄膜作為光學薄膜利用，且無需自基材薄膜剝離光學各向異性層的觀點而言，作為基材薄膜，以透明的薄膜為佳。具體而言，基材薄膜的全光線穿透率，以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。
基材薄膜的材料並不特別受限，得使用各種樹脂。作為樹脂之例，可舉出：包含各種聚合物的樹脂。作為該聚合物，可列舉：含脂環結構聚合物、纖維素酯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、UV穿透壓克力、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、環氧聚合物、聚苯乙烯，及此等之組合。此等之中，就透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性的觀點而言，以含脂環結構聚合物及纖維素酯為佳，以含脂環結構聚合物為較佳。
含脂環結構聚合物係重複單元中具有脂環結構的聚合物，通常係非晶質的聚合物。作為含脂環結構聚合物，得使用於主鏈含有脂環結構的聚合物及於側鏈含有脂環結構的聚合物之任一者。
作為脂環結構，可列舉例如：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等觀點而言，以環烷結構為佳。
構成1個脂環結構之重複單元的碳數並無特別限制，但以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為尤佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。
在含脂環結構聚合物中具有脂環結構之重複單元的比例，得視使用目的而適度選擇，但以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由如前所述增加具有脂環結構之重複單元，可提高基材薄膜的耐熱性。
含脂環結構聚合物，可列舉例如：（1）降𦯉烯聚合物、（2）單環之環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯基脂環烴聚合物及此等之氫化物等。此等之中，就透明性及成形性之觀點而言，以降𦯉烯聚合物為佳。
作為降𦯉烯聚合物，可列舉例如：降𦯉烯單體之開環聚合物、降𦯉烯單體與能開環共聚合之其他單體所形成的開環共聚物，及此等之氫化物；降𦯉烯單體的加成聚合物、降𦯉烯單體與能共聚合之其他單體所形成的加成共聚物等。此等之中，就透明性之觀點而言，以降𦯉烯單體之開環聚合物的氫化物為尤佳。
上述含脂環結構聚合物，得選自日本專利公開第2002-321302號公報所揭露之公知的聚合物。
含脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度，以80℃以上為佳，以100℃～250℃的範圍為較佳。玻璃轉移溫度位於此種範圍的含脂環結構聚合物，在高溫下使用不易產生變形及應力，而耐久性優異。
含脂環結構聚合物的重量平均分子量（Mw），以10,000～100,000為佳，以25,000～80,000為較佳，以25,000～50,000更為較佳。在重量平均分子量位於此種範圍時，基材薄膜的機械性強度及成形加工性取得高度平衡而合適。前述重量平均分子量得藉由使用環己烷作為溶劑的凝膠滲透層析法（以下簡稱為「GPC」。），以聚戊二烯換算之值量測。並且，在樹脂不溶於環己烷的情況下，前述重量平均分子量得藉由使用甲苯作為溶劑的GPC，以聚苯乙烯換算之值量測。
含脂環結構聚合物之分子量分布（重量平均分子量（Mw）／數量平均分子量（Mn）），以1以上為佳，以1.2以上為較佳，且以10以下為佳，以4以下為較佳，以3.5以下為尤佳。
在使用包含含脂環結構聚合物之樹脂作為基材薄膜之材質的情況下，基材薄膜的厚度，就使「生產性提升、薄型化及輕量化」變為容易的觀點而言，以1 μm～1000 μm為佳，以5 μm～300 μm為較佳，以30 μm～100 μm為尤佳。
包含含脂環結構聚合物之樹脂，可僅由含脂環結構聚合物而成，但只要未顯著損及本發明之效果，亦可包含任意摻合劑。包含含脂環結構聚合物之樹脂中之含脂環結構聚合物之比例，以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳。
作為包含含脂環結構聚合物之樹脂的合適具體例，得列舉：日本瑞翁公司製之「ZEONOR 1420」、「ZEONOR 1420R」。
作為纖維素酯，以纖維素的低級脂肪酸酯（例：乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素及乙酸丙酸纖維素）為代表。低級脂肪酸意謂每1分子之碳原子數為6以下的脂肪酸。乙酸纖維素中，包含三乙酸纖維素（TAC）及二乙酸纖維素（DAC）。
乙酸纖維素的乙醯化度，以50%～70%為佳，尤以55%～65%為佳。重量平均分子量，以70000～120000為佳，尤以80000～100000為佳。並且，上述乙酸纖維素非僅被乙酸酯化，亦可一部分被丙酸、丁酸等脂肪酸酯化。並且，構成基材薄膜的樹脂，亦可組合乙酸纖維素與乙酸纖維素以外的纖維素酯（丙酸纖維素及丁酸纖維素等）而包含。在此情況下，以此等纖維素酯皆滿足上述乙醯化度為佳。
在使用三乙酸纖維素的薄膜作為基材薄膜的情況下，作為此種薄膜，就環境保護的觀點而言，以使用三乙酸纖維素摻雜物製作出的三乙酸纖維素薄膜為尤佳，所述三乙酸纖維素摻雜物係藉由將三乙酸纖維素透過低溫溶解法或者高溫溶解法，溶解於實質上不含二氯甲烷的溶劑中而製備。三乙酸纖維素的薄膜得藉由共流延法製作。共流延法得藉由下述來進行：製備包含三乙酸纖維素的原料片及溶劑以及視需求之任意添加劑的溶液（摻雜物），並將該摻雜物自摻雜物進料器（模具）流延至支撐體之上，在將流延物乾燥至某種程度而賦予剛性之時間點，自支撐體剝離作為薄膜，再將該薄膜進一步乾燥以去除溶劑。作為將原料片溶解的溶劑之例，可列舉：鹵化烴溶劑（二氯甲烷等）、醇溶劑（甲醇、乙醇、丁醇等）、酯溶劑（甲酸甲酯、乙酸甲酯等)、醚溶劑（二氧𠮿、二氧𠷬、二乙醚等）等。作為摻雜物所包含之添加劑之例，可列舉：延遲上升劑、塑化劑、紫外線吸收劑、抗劣化劑、滑劑、剝離促進劑等。作為流延摻雜物的支撐體之例，可列舉：水平式循環金屬皮帶及轉桶。在流延時，雖可單層流延單一摻雜物，但亦可共流延多層。在共流延多層的情況下，舉例而言，得為了形成低濃度的纖維素酯摻雜物之層體，以及相接於其表面及背面而設置之高濃度的纖維素酯摻雜物之層體，依序流延多個摻雜物。作為將薄膜乾燥以去除溶劑的方法之例，可舉出：運送薄膜，使其通過已將內部設定為適於乾燥之條件的乾燥部之方法。
作為三乙酸纖維素之薄膜的佳例，可列舉：富士軟片公司製「TAC-TD80U」及發明協會公開技報公技編號第2001-1745號所公開者。三乙酸纖維素之薄膜的厚度並不特別受限，但以20 μm～150 μm為佳，以40 μm～130 μm為較佳，以70 μm～120 μm為更佳。
作為塗布液的塗布方法之例，可列舉：簾塗法、擠製塗法、輥塗法、旋塗法、浸塗法、棒塗法、噴塗法、斜板式塗法、印刷塗法、凹版塗法、模具塗法、間隙塗法（gap coating）及浸漬法。所塗布之塗布液的厚度，得視所要求之光學各向異性層之期望的厚度適度設定。
在將塗布液塗布於支撐面上獲得塗布液層之後，進行使塗布液層乾燥的工序。透過乾燥，可自塗布液層去除溶劑，獲得光學各向異性層。作為乾燥方法，得採用加熱乾燥、減壓乾燥、加熱減壓乾燥、自然乾燥等任意乾燥方法。
上述光學各向異性層的製造方法，可藉由所謂「將組合正型C聚合物及化合物1而包含的塗布液塗布並乾燥」之簡單操作，製造光學各向異性層。因此，不需要如專利文獻1所記載之定向膜。因此不需要所謂「逆波長色散液晶與定向膜的相容性之調整、定向膜之形成」的操作，故可輕易製造光學各向異性層。
再者，組合正型C聚合物及化合物1而包含的塗布液，可抑制因乾燥時空氣擾動之影響所致之化合物1之定向不均的發生。因此，可在面內方向較廣的範圍中輕易獲得定向狀態均勻的光學各向異性層，故輕易獲得面狀態優異的光學各向異性層。因此，能抑制因光學各向異性層之定向不均所致的白濁。
光學各向異性層的製造方法除了上述工序之外，還得更包含任意工序。舉例而言，光學各向異性層的製造方法，亦可進行在乾燥後所獲得之光學各向異性層中，固定化合物1的定向狀態之工序。此工序中，通常藉由使化合物1聚合來固定化合物1的定向狀態。
化合物1的聚合，得適當選擇適合於聚合性化合物及聚合起始劑等塗布液所包含的成分之性質的方法。舉例而言，以照射光線的方法為佳。於此，所照射之光線得包含可見光線、紫外線及紅外線等光線。其中，就操作簡便而言，以照射紫外線的方法為佳。紫外線照射強度以0.1 mW／cm2
～1000 mW／cm2
的範圍為佳，以0.5 mW／cm2
～600 mW／cm2
的範圍為較佳。紫外線照射時間以1秒～300秒的範圍為佳，以5秒～100秒的範圍為較佳。紫外線累積光量（mJ／cm2
）可由紫外線照射強度（mW／cm2）×照射時間（秒）求得。作為紫外線照射光源，可使用高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、低壓水銀燈。化合物1的聚合由於在氮氣環境下等惰性氣體（inert gas）環境下進行，有降低殘留單體比例的傾向，故為佳。
並且，光學各向異性層的製造方法，舉例而言，亦可包含將光學各向異性層自基材剝離的工序。
［2.光學各向異性轉印物］
本發明之光學各向異性轉印物具備基材與上述光學各向異性層。於此，所謂光學各向異性轉印物，係為包含多個層體的部件，且係轉印此種多個層體之中的一部分之層體，以供予製造包含此種一部分之層體的製品者。在本發明之光學各向異性轉印物中，光學各向異性層供予前述製品的製造。
作為基材，得使用與在光學各向異性層的製造方法中已說明之基材相同者。其中，作為基材，以能剝離者為佳。具備此種基材的光學各向異性轉印物，得藉由進行使用基材之前述光學各向異性層的製造方法製造。
光學各向異性轉印物得使用於光學薄膜的製造。舉例而言，可在貼合光學各向異性轉印物的光學各向異性層與樹脂薄膜之後，藉由剝離基材，製造具備光學各向異性層及樹脂薄膜的光學薄膜。
［3.光學各向異性堆疊體］
本發明之光學各向異性堆疊體具備上述光學各向異性層與相位差層。
〔3.1.光學各向異性堆疊體中的光學各向異性層〕
作為光學各向異性堆疊體的光學各向異性層，使用上述之物。惟在光學各向異性堆疊體中，以在波長590 nm之光學各向異性層的面內延遲Re(A590)及在波長590 nm之光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)滿足下述式（8）及（9）為佳。 Re(A590)≦10 nm （8） －110 nm≦Rth(A590)≦－20 nm （9）
若要詳細說明前述式（8），Re(A590)以0 nm～10 nm為佳，以0 nm～5 nm為較佳，以0 nm～2 nm為尤佳。藉由Re(A590)落於前述範圍，可簡化在將光學各向異性層堆疊體設置於影像顯示裝置之情況下的光學設計。
並且，若要詳細說明前述式（9），Rth(A590)以－110 nm以上為佳，以－100 nm以上為較佳，且以－20 nm以下為佳，以－40 nm以下為較佳，以－50 nm以下為尤佳。具備具有此種Rth(A590)之光學各向異性層的光學各向異性堆疊體，在納入圓偏光板而適用於影像顯示裝置的時候，可有效發揮「於影像顯示裝置之顯示面的傾斜方向上抑制外部光線的反射，使顯示影像之光線穿透偏光太陽鏡」的功能。因此，在自傾斜方向觀看影像顯示裝置的顯示面的時候，可有效提高影像的可視性。
〔3.2.光學各向異性堆疊體中的相位差層〕
（3.2.1.相位差層的光學特性）
相位差層係其折射率nx(B)、ny(B)及nz(B)滿足nx(B)＞ny(B)≧nz(B)的層體。於此，nx(B)表示相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率、ny(B)表示相位差層之面內方向且垂直於「前述nx(B)之方向」之方向的折射率、nz(B)表示相位差層之厚度方向的折射率。具備此種相位差層的光學各向異性堆疊體可藉由與直線偏光件組合來製造圓偏光板。此圓偏光板藉由設置於影像顯示裝置的顯示面，於自正面方向觀看顯示面的時候，可抑制外界光線的反射，顯示影像的光線可穿透偏光太陽鏡，故能提高影像的可視性。
其中，相位差層的折射率ny(B)與折射率nz(B)以值相同或接近為佳。具體而言，折射率ny(B)與折射率nz(B)之差的絕對值｜ny(B)－nz(B)｜，以0.00000～0.00100為佳，以0.00000～0.00050為較佳，以0.00000～0.00020為尤佳。藉由折射率差的絕對值｜ny(B)－nz(B)｜落於前述範圍，可簡化在將光學各向異性堆疊體設置於影像顯示裝置之情況下的光學設計。
在波長590 nm之相位差層的面內延遲Re(B590)，以滿足下述式（7）為佳。 110 nm≦Re(B590)≦170 nm （7）
若要詳細說明前述式（7），Re(B590)以110 nm以上為佳，以120 nm以上為較佳，以130 nm以上為尤佳，且以170 nm以下為佳，以160 nm以下為較佳，以150 nm以下為尤佳。具備具有此種Re(B590)之相位差層的光學各向異性堆疊體可與直線偏光件組合以獲得圓偏光板。藉由將此圓偏光板設置於影像顯示裝置的顯示面，於自正面方向觀看顯示面的時候，可抑制外界光線的反射，顯示影像的光線可穿透偏光太陽鏡，故能提高影像的可視性。
在波長450 nm之相位差層的面內延遲Re(B450)、在波長550 nm之相位差層的面內延遲Re(B550)及在波長650 nm之相位差層的面內延遲Re(B650)，以滿足下述式（5）及（6）為佳。 0.75＜Re(B450)／Re(B550)＜1.00 （5） 1.01＜Re(B650)／Re(B550)＜1.25 （6）
若要詳細說明前述式（5），Re(B450)／Re(B550)以大於0.75為佳，以大於0.78為較佳，以大於0.80為尤佳，並且以未達1.00為佳，以未達0.95為較佳，以未達0.90為尤佳。
若要詳細說明前述式（6），Re(B650)／Re(B550)以大於1.01為佳，以大於1.02為較佳，以大於1.04為尤佳，並且，以未達1.25為佳，以未達1.22為較佳，以未達1.19為尤佳。
具有滿足前述式（5）及式（6）之面內延遲Re(B450)、Re(B550)及Re(B650)的相位差層，其面內延遲Re顯現逆波長色散性。具備如此面內延遲Re顯現逆波長色散性之相位差層的光學各向異性堆疊體，在納入圓偏光板而適用於影像顯示裝置的時候，在影像顯示裝置之顯示面的正面方向上，可於較廣的波長範圍發揮「抑制外部光線的反射，使顯示影像之光線穿透偏光太陽鏡」的功能。因此，尤可有效提升顯示面所顯示之影像的可視性。
相位差層之面內的慢軸方向係為任意，得視光學各向異性堆疊體的用途任意設定。其中，在光學各向異性堆疊體為長條狀之薄膜的情況下，相位差層的慢軸與薄膜幅寬方向所夾之角度，以超過0°且未達90°為佳。並且於某樣態中，相位差層之面內的慢軸與薄膜幅寬方向所夾之角度，得定為以15°±5°、22.5°±5°、45°±5°或75°±5°為佳，以15°±4°、22.5°±4°、45°±4°或75°±4°為較佳，以15°±3°、22.5°±3°、45°±3°或75°±3°更為較佳等特定範圍。藉由具有此種角度關係，將「以輥對輥將光學各向異性堆疊體貼合於長條狀的直線偏光件，有效率製造圓偏光板」化為可能。
相位差層的全光線穿透率，以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以90%以上為尤佳。並且，相位差層的霧度，以5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為尤佳，理想上為0%。
（3.2.2.作為相位差層的延伸薄膜層）
作為如前所述之相位差層，得使用延伸薄膜層。在使用延伸薄膜層作為相位差層的情況下，該延伸薄膜層得包含係為在光學各向異性層的製造方法中已說明之基材薄膜之材料的樹脂。包含此種樹脂的薄膜層，得藉由施以延伸處理，展現延遲等光學特性。其中，前述延伸薄膜層以包含含脂環結構聚合物為佳。
延伸薄膜層的延伸方向係任意。因此，延伸方向可為長邊方向，可為幅寬方向，亦可為斜向方向。再者，此等延伸方向之中，亦可沿二個以上方向施以延伸。於此，所謂斜向方向，係指薄膜的面內方向，且與長邊方向及幅寬方向皆非平行的方向。
其中，延伸薄膜層以斜向延伸薄膜層為佳。亦即，延伸薄膜層，以「長條狀的薄膜，且沿與薄膜的長邊方向及幅寬方向皆非平行之方向延伸的薄膜」為佳。在係為斜向延伸薄膜層之情形中，薄膜幅寬方向與延伸方向所夾之角度，具體上得定為超過0°且未達90°。藉由使用此種斜向延伸薄膜層作為相位差層，將「以輥對輥將光學各向異性堆疊體貼合於長條狀的直線偏光件，有效率製造圓偏光板」化為可能。
延伸方向與薄膜幅寬方向所夾之角度，得定為以15°±5°、22.5°±5°、45°±5°或75°±5°為佳，以15°±4°、22.5°±4°、45°±4°或75°±4°為較佳，以15°±3°、22.5°±3°、45°±3°或75°±3°更為較佳等特定範圍。藉由具有此種角度關係，可將光學各向異性堆疊體做成能有效率製造圓偏光板的材料。
再者，前述延伸薄膜層，以具有包含多個層體之多層結構為佳。具有多層結構的延伸薄膜層，可藉由延伸薄膜層所包含之各層之功能的組合，發揮多樣的特性。舉例而言，延伸薄膜層以依序具備：由包含聚合物之樹脂而成的第一外側層、由包含聚合物及紫外線吸收劑之樹脂而成的中間層，以及由包含聚合物之樹脂而成的第二外側層為佳。此時，各層所包含之聚合物亦可相異，但以相同為佳。此種具有第一外側層、中間層及第二外側層的延伸薄膜層可抑制紫外線的穿透。並且，由於第一外側層及第二外側層設置於中間層之兩側，故可抑制紫外線吸收劑的滲出。
在中間層所包含之樹脂中之紫外線吸收劑的量，以3重量%以上為佳，以4重量%以上為較佳，以5重量%以上為尤佳，且以20重量%以下為佳，以18重量%以下為較佳，以16重量%以下為尤佳。藉由紫外線吸收劑的量為前述範圍之下限值以上，尤可提高防止紫外線穿透之延伸薄膜層的能力，且藉由為前述範圍之上限值以下，可提高延伸薄膜層對於可見光的透明性。
中間層的厚度，以由「中間層的厚度」／「延伸薄膜層整體的厚度」所表示之比落於特定範圍之方式設定為佳。前述特定範圍以1／5以上為佳，以1／4以上為較佳，以1／3以上為尤佳，且以80／82以下為佳，以79／82以下為較佳，以78／82以下為尤佳。藉由前述比為前述範圍之下限值以上，尤可提高防止紫外線穿透之延伸薄膜層的能力，且藉由為前述範圍之上限值以下，可薄化延伸薄膜層的厚度。
作為相位差層之延伸薄膜層的厚度，以10 μm以上為佳，以13 μm以上為較佳，以15 μm以上為尤佳，且以60 μm以下為佳，以58 μm以下為較佳，以55 μm以下為尤佳。藉由延伸薄膜層的厚度為前述範圍之下限值以上可展現期望的延遲，並且，藉由為前述範圍之上限值以下可達成薄膜化。
延伸薄膜層，得藉由例如：包含準備延伸前薄膜層的工序與延伸已準備之延伸前薄膜層的工序之方法製造。
延伸前薄膜層，舉例而言，得藉由透過適當之成形方法將成為延伸薄膜層之材料的樹脂成形來製造。作為成形方法，可列舉例如：鑄造成形法、擠製成形法、充氣成形法等。其中，未使用溶劑之熔融擠製法可有效降低殘留揮發成分量，就地球環境及工作環境之觀點以及製造效率優異之觀點而言為佳。作為熔融擠製法，可列舉使用模具之充氣法等，其中就生產性或厚度精度優異之觀點，以使用T字模之方法為佳。
在製造具有多層結構之延伸薄膜層的情況下，通常準備具有多層結構者作為延伸前薄膜層。如此具有多層結構的延伸前薄膜層，舉例而言，得藉由共擠製法及共流延法等成形方法，透過將對應於多層結構所包含之各層的樹脂成形來製造。此等之成形方法之中，共擠製法製造效率優異，且不易使揮發性成分殘留於薄膜中，故以其為佳。作為共擠製法，可列舉例如：共擠製T字模法、共擠製充氣法、共擠製層壓法等。其中，以共擠製T字模法為佳。於共擠製T字模法中，有供料頭（feed block）方式及多歧管方式，就可減少厚度參差之觀點，尤以多歧管方式為佳。
藉由如前所述使樹脂成形，可獲得長條狀的延伸前薄膜。藉由延伸此延伸前薄膜，可獲得延伸薄膜層。延伸通常在沿長邊方向運送延伸前薄膜的同時連續進行。此時，延伸方向可為薄膜的長邊方向，亦可為幅寬方向，但以斜向方向為佳。並且，延伸可為不在延伸方向以外施加拘束力之自由單軸延伸，亦可為在延伸方向以外還施加拘束力的延伸。此等延伸，得使用輥延伸機、拉幅式延伸機等任意延伸機進行。
延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.15倍以上為較佳，以1.2倍以上為尤佳，且以3.0倍以下為佳，以2.8倍以下為較佳，以2.6倍以下為尤佳。藉由將延伸倍率定於前述範圍之下限值以上，可加大延伸方向的折射率。並且，藉由定於上限值以下，可輕易控制延伸薄膜層的慢軸方向。
延伸溫度以Tg－5℃以上為佳，以Tg－2℃以上為較佳，以Tg℃以上為尤佳，且以Tg＋40℃以下為佳，以Tg＋35℃以下為較佳，以Tg＋30℃以下為尤佳。於此，「Tg」表示在延伸前薄膜層所包含之聚合物的玻璃轉移溫度之中最高的溫度。藉由將延伸溫度定於前述範圍，可使延伸前薄膜層所包含之分子確實定向，故可輕易獲得可發揮作為具有期望之光學特性的相位差層之功能的延伸薄膜層。
（3.2.3.作為相位差層的液晶層）
作為如前所述之相位差層，得使用包含定向狀態亦可固定之液晶化合物（以下適時稱為「相位差層用液晶化合物」。）的液晶層。此時，作為相位差層用液晶化合物，以使用已均相定向之前述逆波長色散液晶化合物為佳。藉此，即使在相位差層中，亦可獲得與在光學各向異性層之項目中已說明者相同的優點。其中，作為相位差層的液晶層，以包含定向狀態亦可固定之由式（IIa）所表示之化合物、由式（IIb）所表示之化合物或此等之混合物為尤佳。
『化12』
於前述式（IIa）及式（IIb）中，Ga
、Ya
、Fx1
、Fx2
、Q、RI
～RIV
、p、p1、p2、Y1
～Y8
、A1
、A2
、B1
、B2
、G1
、G2
、P1
、P2
、n及m表示與在式（Ia）及式（Ib）中之意義相同的意義。因此，由式（IIa）所表示之化合物及由式（IIb）所表示之化合物，表示與由式（Ia）所表示之化合物及由式（Ib）所表示之化合物相同的化合物。
作為相位差層之液晶層的厚度並未特別受限，得以可使延遲等特性達到期望之範圍的方式適度調整。液晶層的具體厚度以0.5 μm以上為佳，以1.0 μm以上為較佳，且以10 μm以下為佳，以7 μm以下為較佳，以5 μm以下為尤佳。
作為相位差層的液晶層，得藉由例如下述方法來製造，所述方法包含：準備包含相位差層用液晶化合物之液晶組成物的工序；將液晶組成物塗布於支撐體上，獲得液晶組成物之層體的工序；以及使液晶組成物之層體所包含之相位差層用液晶化合物定向的工序。
在準備液晶組成物的工序中，通常混合相位差層用液晶化合物與視需求而使用之任意成分，獲得液晶組成物。
液晶組成物得包含聚合性單體作為任意成分。所謂「聚合性單體」，尤指在具有聚合能且得作為單體運作的化合物之中，上述相位差層用液晶化合物以外的化合物。作為聚合性單體，得使用例如：每1分子具有1個以上之聚合性基者。在聚合性單體為每1分子具有2個以上之聚合性基的交聯性單體之情況下，可達成交聯性聚合。作為此種聚合性基之例，可列舉與化合物1中之基P1
－Y7
－及P2
－Y8
－相同之基，更具體而言，可列舉例如：丙烯醯基、甲基丙烯醯基及環氧基。並且，聚合性單體可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
於液晶組成物中，聚合性單體的比例，相對於相位差層用液晶化合物100重量份，以1重量份～100重量份為佳，以5重量份～50重量份為較佳。
液晶組成物得包含光聚合起始劑作為任意成分。作為聚合起始劑，可列舉例如與用以製造光學各向異性層之塗布液得包含的聚合起始劑同樣者。並且，聚合起始劑可使用單獨1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
在液晶組成物中，聚合起始劑的比例，相對於聚合性化合物100重量份，以0.1重量份～30重量份為佳，以0.5重量份～10重量份為較佳。
液晶組成物得包含界面活性劑作為任意成分。作為界面活性劑，以非離子系界面活性劑為佳。作為非離子系界面活性劑，得使用市售品。舉例而言，得使用係為分子量為數千程度之寡聚物的非離子系界面活性劑。作為此等之界面活性劑的具體例，可使用：OMNOVA公司PolyFox的「PF-151N」、「PF-636」、「PF-6320」、「PF-656」、「PF-6520」、「PF-3320」、「PF-651」、「PF-652」；NEOS公司FTERGENT的「FTX-209F」、「FTX-208G」、「FTX-204D」、「601AD」；清美化學公司Surflon的「KH-40」、「S-420」等。並且，界面活性劑可使用單獨1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
於液晶組成物中，界面活性劑的比例，相對於聚合性化合物100重量份，以0.01重量份～10重量份為佳，以0.1重量份～2重量份為較佳。
液晶組成物得包含溶劑作為任意成分。作為溶劑，可舉例如：與用以製造光學各向異性層之塗布液所得包含的溶劑相同者。並且，溶劑可使用單獨1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
於液晶組成物中，溶劑的比例，相對於聚合性化合物100重量份，以100重量份～1000重量份為佳。
液晶組成物得更包含「金屬、金屬錯合物、染料、顏料、螢光材料、磷光材料、均染劑、觸變劑、膠化劑、多醣類、紫外線吸收劑、紅外線吸收劑、抗氧化劑、離子交換樹脂、氧化鈦等金屬氧化物」等添加劑作為任意成分。此種添加劑的比例，相對於聚合性化合物100重量份，以各自為0.1重量份～20重量份為佳。
在準備好如前所述之液晶組成物之後，進行將此液晶組成物塗布於支撐體上以獲得液晶組成物之層體的工序。作為支撐體，以使用長條狀的支撐體為佳。在使用長條狀之支撐體的時候，能於連續運送之支撐體上連續塗布液晶組成物。因此，藉由使用長條狀之支撐體，可連續製造作為相位差層的液晶層，故能提升生產性。
在將液晶組成物塗布於支撐體上的時候，較佳為對支撐體施加適度的張力（通常為100 N／m～500 N／m），並減少支撐體的運送顫動，且在維持平面性的狀態塗布。所謂平面性，係垂直於支撐體的幅寬方向及運送方向之上下方向的偏差量，理想上為0 mm，通常為1 mm以下。
作為支撐體，通常使用支撐體薄膜。作為支撐體薄膜，得適當選用得作為光學上之堆疊體的支撐體使用的薄膜。其中，就能將具備支撐體薄膜、相位差層及光學各向異性層之光學各向異性堆疊體作為光學薄膜利用，且無需剝離支撐體薄膜的觀點而言，作為支撐體薄膜，以透明的薄膜為佳。具體而言，支撐體薄膜的全光線穿透率，以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。
支撐體薄膜的材料並未特別受限，得使用各種樹脂。作為樹脂之例，可舉出：包含「已說明作為得使用於光學各向異性層之形成的基材之材料的聚合物」的樹脂。此等之中，就透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性之觀點而言，作為樹脂所包含之聚合物，以含脂環結構聚合物及纖維素酯為佳，以含脂環結構聚合物為較佳。
作為支撐體，得使用具有定向限制力（anchoring force）者。所謂支撐體的定向限制力，係指得使塗布於支撐體之液晶組成物中的相位差層用液晶化合物定向之支撐體的性質。
定向限制力，得藉由對由支撐體的材料而成之薄膜等部件，施以賦予定向限制力的處理來賦予。作為此種處理之例，可列舉：延伸處理及摩擦處理。
於較佳樣態中，支撐體係延伸薄膜。藉由做成此種延伸薄膜，得做成具有對應延伸方向之定向限制力的支撐體。
延伸薄膜的延伸方向為任意。因此，延伸方向可為長邊方向，可為幅寬方向，亦可為斜向方向。再者，此等延伸方向之中，亦可沿2個以上之方向施以延伸。延伸倍率得在於支撐體之表面產生定向限制力的範圍適當設定。在支撐體之材料為具有正的固有雙折射值之樹脂的情況下，分子沿延伸方向定向而在延伸方向上展現慢軸。延伸得使用拉幅式延伸機等已知的延伸機。
於更佳樣態中，支撐體係斜向延伸薄膜。在支撐體為斜向延伸薄膜的情況下，延伸方向與延伸薄膜的幅寬方向所夾之角度，具體上得定為超過0°且未達90°。藉由將此種斜向延伸薄膜作為支撐體使用，可將光學各向異性堆疊體做成能有效率製造圓偏光板的材料。
並且，於某樣態中，得將延伸方向與延伸薄膜的幅寬方向所夾之角度定為以15°±5°、22.5°±5°、45°±5°或75°±5°為佳，以15°±4°、22.5°±4°、45°±4°或75°±4°為較佳，以15°±3°、22.5°±3°、45°±3°或75°±3°更為較佳等特定範圍。藉由具有此種角度關係，可將光學各向異性堆疊體做成能有效率製造圓偏光板的材料。
作為液晶組成物的塗布方法之例，可列舉：簾塗法、擠製塗法、輥塗法、旋塗法、浸塗法、棒塗法、噴塗法、斜板式塗法、印刷塗法、凹版塗法、模具塗法、間隙塗法及浸漬法。所塗布之液晶組成物之層體的厚度，得視所要求之作為相位差層的液晶層之期望的厚度適度設定。
在於支撐體上塗布液晶組成物而獲得液晶組成物之層體之後，進行使液晶組成物之層體所包含之相位差層用液晶化合物定向的工序。藉此，液晶組成物之層體所包含之相位差層用液晶化合物，會定向於對應支撐體之定向限制力的定向方向。舉例而言，在使用延伸薄膜作為支撐體的時候，液晶組成物之層體所包含之相位差層用液晶化合物定向成與延伸薄膜的延伸方向平行。
相位差層用液晶化合物的定向，可能有藉由塗布而直接達成的情形，亦可能有藉由視需求而於塗布之後施以加溫等定向處理而達成的情形。定向處理的條件，得視所使用之液晶組成物的性質適當設定，得定為例如：在50℃～160℃之溫度條件下處理30秒鐘～5分鐘的條件。
藉由如上所述於液晶組成物之層體中使相位差層用液晶化合物定向，於液晶組成物之層體中展現期望的光學特性，故可獲得可發揮作為相位差層之功能的液晶層。
作為上述相位差層之液晶層的製造方法，得更包含任意工序。液晶層的製造方法，亦可進行例如：使液晶組成物之層體或液晶層乾燥的工序。此種乾燥得以自然乾燥、加熱乾燥、減壓乾燥、減壓加熱乾燥等乾燥方法達成。
並且，作為相位差層之液晶層的製造方法，舉例而言，亦可在使液晶組成物所包含之相位差層用液晶化合物定向之後，進行固定相位差層用液晶化合物之定向狀態的工序。此工序中，通常透過使相位差層用液晶化合物聚合，來固定相位差層用液晶化合物之定向狀態。並且，藉由使相位差層用液晶化合物聚合，可提高液晶層的剛性，提升機械性強度。
相位差層用液晶化合物的聚合，得適當選擇適合於液晶組成物之成分之性質的方法。舉例而言，以照射光線的方法為佳。其中，就操作簡便而言，以照射紫外線的方法為佳。紫外線照射強度、紫外線照射時間、紫外線累積光量及紫外線照射光源等照射條件，得調整成與在光學各向異性層的製造方法中之照射條件相同的範圍。
聚合時，相位差層用液晶化合物，通常在維持其分子之定向的狀態下聚合。因此，藉由前述聚合，可獲得包含已定向之相位差層用液晶化合物之聚合物的液晶層，所述已定向之相位差層用液晶化合物，沿與聚合前之液晶組成物所包含之相位差層用液晶化合物的定向方向平行的方向定向。因此，在例如使用延伸薄膜作為支撐體的情況下，可獲得具有與延伸薄膜之延伸方向平行的定向方向之液晶層。於此所謂平行，係指延伸薄膜之延伸方向與相位差層用液晶化合物之聚合物的定向方向之錯開通常為±3°，以±1°為佳，理想上為0°。
在以上述製造方法所製造之作為相位差層的液晶層中，自相位差層用液晶化合物而獲得之聚合物的分子，以具有對支撐體薄膜水平定向之定向規則性為佳。舉例而言，在使用具有定向限制力者作為支撐體薄膜之情況，可在液晶層中使相位差層用液晶化合物之聚合物的分子水平定向。於此，所謂相位差層用液晶化合物之聚合物的分子對支撐體薄膜「水平定向」，係指定向於「源自聚合物所包含之相位差層用液晶化合物的結構單元之液晶原骨架的長軸方向之平均方向，與薄膜面平行或接近平行」（例如：與薄膜面所夾之角度為5°以內）的某一方向。如同使用由式（II）所表示之化合物作為相位差層用液晶化合物的情況，在液晶層中存在定向方向相異之多種液晶原骨架的時候，通常在此等之中最長之種類的液晶原骨架之長軸方向所定向的方向成為該定向方向。
再者，作為相位差層之液晶層的製造方法，亦可包含在獲得液晶層之後剝離支撐體的工序。
〔3.3.光學各向異性堆疊體中的任意層體〕
光學各向異性堆疊體，得更具備任意層體組合於光學各向異性層及相位差層。作為任意層體，可列舉例如：接合層、硬塗層等。
〔3.4.光學各向異性堆疊體的製造方法〕
光學各向異性堆疊體，得例如藉由下述製造方法1或2而製造。
．製造方法1：
一種製造方法，其包含： 製造相位差層的工序，與 使用前述相位差層作為基材，並藉由進行上述光學各向異性層的製造方法，在相位差層上形成光學各向異性層，而獲得光學各向異性堆疊體的工序。
如製造方法1，在於相位差層上塗布塗布液的時候，可藉由塗布液層之乾燥，在相位差層上形成光學各向異性層，獲得光學各向異性堆疊體。
．製造方法2：
一種製造方法，其包含： 製造相位差層的工序、 製造光學各向異性轉印物的工序、 貼合光學各向異性轉印物之光學各向異性層與相位差層，以獲得光學各向異性堆疊體的工序，與 剝離光學各向異性轉印物之基材的工序。
如製造方法2，在貼合光學各向異性層與相位差層，以製造光學各向異性堆疊體的時候，得於貼合使用合適的接合劑。作為此接合劑，得使用例如：與在後述偏光板中所使用者相同的接合劑。
並且，前述光學各向異性堆疊體的製造方法，除了上述工序以外，亦可包含任意工序。舉例而言，前述製造方法亦可包含設置硬塗層等任意層體的工序。
〔4.偏光板〕
本發明之偏光板，具備「直線偏光件」與「上述光學各向異性層、光學各向異性轉印物或光學各向異性堆疊體」。此種偏光板，藉由設置於影像顯示裝置，可提高在自傾斜方向觀看影像顯示裝置時之影像的可視性。
作為直線偏光件，得使用「已為人使用於液晶顯示裝置及其他光學裝置等裝置」之已知的直線偏光件。作為直線偏光件之例，可列舉：藉由在使碘或二色性染料吸附於聚乙烯醇薄膜後，於硼酸浴中單軸延伸而獲得的薄膜；藉由使碘或二色性染料吸附於聚乙烯醇薄膜並延伸，再進一步將分子鏈中之一部分聚乙烯醇單元改質為聚伸乙烯基單元而獲得的薄膜。並且，作為直線偏光件之其他例，可列舉：柵格偏光件、多層偏光件、膽固醇液晶偏光件等具有將偏光分離為反射光與穿透光之功能的偏光件。此等之中，作為直線偏光件，以含有聚乙烯醇的偏光件為佳。
若使自然光入射至直線偏光件，則僅有一束偏光穿透。此直線偏光件之偏光度並未特別受限，但以98%以上為佳，以99%以上為較佳。
並且，直線偏光件的厚度，以5 μm～80 μm為佳。
偏光板亦可更具備用以貼合「直線偏光件」與「光學各向異性層、光學各向異性轉印物或光學各向異性堆疊體」之接合層。作為接合層，得使用使固化性接合劑固化而成的層體。作為固化性接合劑，亦可使用熱固性接合劑，但以使用光固性接合劑為佳。作為光固性接合劑，得使用包含聚合物或反應性單體者。並且，接合劑得視需求包含溶劑、光聚合起始劑、其他添加劑等。
光固性接合劑，係一照射可見光、紫外線及紅外線等光線即得固化之接合劑。其中，就操作簡便而言，較佳為得以紫外線固化之接合劑。
接合層的厚度，以0.5 μm以上為佳，以1 μm以上為較佳，且以30 μm以下為佳，以20 μm以下為較佳，以10 μm以下為更佳。藉由將接合層的厚度定為前述範圍內，得不損及光學各向異性層的光學之性質而達成良好的接合。
並且，在偏光板具備光學各向異性堆疊體之情況下，此偏光板得發揮作為圓偏光板的功能。此種圓偏光板，亦可依序具備直線偏光件、光學各向異性層及相位差層。並且，此種圓偏光板，亦可依序具備直線偏光件、相位差層及光學各向異性層。
在如前所述之圓偏光板中，相對於直線偏光件之偏光吸收軸，相位差層之慢軸所夾之角度以45°或者接近其之角度為佳。前述角度，具體而言，以45°±5°為佳，以45°±4°為較佳，以45°±3°為尤佳。
上述偏光板，得更包含任意層體。作為任意層體，可舉出例如：偏光件保護薄膜層。作為偏光件保護薄膜層，得使用任意透明薄膜層。其中，以透明性、機械性強度、熱穩定性、水分遮蔽性等優異之樹脂的薄膜層為佳。作為此種樹脂，可列舉：三乙酸纖維素等乙酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、鏈狀烯烴樹脂、環烯烴樹脂、（甲基）丙烯酸樹脂等。再者，作為偏光板得包含之任意層體，可列舉例如：耐衝擊性聚甲基丙烯酸樹脂層等硬塗層、優化薄膜之光滑性的基墊層、抑制反射層、防汙層等。此等任意層體，可僅設置1層，亦可設置2層以上。
偏光板得藉由將「直線偏光件」與「光學各向異性層、光學各向異性轉印物或光學各向異性堆疊體」，並視需求使用接合劑，貼合而製造。
〔5.影像顯示裝置〕
本發明之影像顯示裝置具備影像顯示元件與上述本發明之偏光板。在影像顯示裝置中，偏光板通常設置於影像顯示元件之觀看側。此時，偏光板之方向，得視此偏光板之用途任意設定。因此，影像顯示裝置亦可依序具備：光學各向異性層、光學各向異性轉印物或光學各向異性堆疊體；偏光件；與影像顯示元件。並且，影像顯示裝置亦可依序具備：偏光件；光學各向異性層、光學各向異性轉印物或光學各向異性堆疊體；與影像顯示元件。
作為影像顯示裝置，因應影像顯示元件之種類有各式各樣者，但作為代表例，可列舉：具備液晶單元作為影像顯示元件的液晶顯示裝置，以及具備有機EL元件作為影像顯示元件的有機EL顯示裝置。
以下揭示圖式，說明影像顯示裝置之較佳實施型態。
圖1係本發明之第一實施型態相關之作為影像顯示裝置之有機EL顯示裝置100的剖面示意圖。
如圖1所繪示，有機EL顯示裝置100依序具備：作為影像顯示元件的有機EL元件110；具備相位差層121及光學各向異性層122的光學各向異性堆疊體120；以及直線偏光件130。於圖1中，雖繪示自有機EL元件110側依序設置相位差層121及光學各向異性層122之例，但反之亦可自有機EL元件110側依序設置光學各向異性層122及相位差層121。
在有機EL顯示裝置100中，相位差層121以相對於直線偏光件130之偏光吸收軸，相位差層121之慢軸所夾之角度呈45°或接近其之角度的方式設置。前述45°或接近其之角度，舉例而言，以45°±5°為佳，以45°±4°為較佳，以45°±3°為尤佳。藉此，透過相位差層121與直線偏光件130的組合，圓偏光板的功能展現，可抑制因外界光線的反射所致之顯示面100U的眩光。
具體而言，自裝置外部入射之光線，藉由僅其一部分之直線偏光通過直線偏光件130，接下來再通過包含相位差層121的光學各向異性堆疊體120，而變成圓偏光。圓偏光藉由顯示裝置內之反射光線的構成元件（有機EL元件110中的反射電極（圖未繪示）等）反射，再通過光學各向異性堆疊體120，藉此成為具有與入射之直線偏光的振動方向正交之振動方向的直線偏光，而變得不通過直線偏光件130。於此，所謂直線偏光的振動方向，意謂直線偏光之電場的振動方向。藉此，達成抑制反射的功能（在有機EL顯示裝置中之抑制反射的原理，參照日本專利公開第H9-127885號公報）。
再者，有機EL顯示裝置100由於光學各向異性堆疊體120具備得發揮作為正型C薄膜之功能的光學各向異性層122，故前述抑制反射的功能不僅在顯示面100U的正面方向上，亦可在傾斜方向上發揮。再者，光學各向異性層122由於其厚度方向的延遲Rth顯現逆波長色散性，故能抑制較廣的波長範圍之光線的反射。再者，相較於使用了厚度方向的延遲顯現順波長色散性之正型C薄膜的有機EL顯示裝置，可抑制自顯示面100U的傾斜方向觀看的時候之反射光的色調變化。因此，有機EL顯示裝置100能在顯示面100U的正面方向及傾斜方向之兩方向上，有效抑制外界光線的反射，提高影像的可視性。
圖2係本發明之第二實施型態相關之作為影像顯示裝置之有機EL顯示裝置200的剖面示意圖。
如圖2所繪示，有機EL顯示裝置200依序具備：作為影像顯示元件的有機EL元件210；λ／4波長板220；直線偏光件230；以及具備相位差層241及光學各向異性層242的光學各向異性堆疊體240。於圖2中，雖繪示自有機EL元件210側依序設置相位差層241及光學各向異性層242之例，但反之亦可自有機EL元件210側依序設置光學各向異性層242及相位差層241。
作為λ／4波長板220，得使用可將穿透直線偏光件230之直線偏光轉換成圓偏光的部件。作為此種λ／4波長板220，舉例而言，得使用具有與「相位差層241得具有之面內延遲Re的範圍」相同的範圍之面內延遲Re的薄膜。並且，λ／4波長板220以相對於直線偏光件230之偏光吸收軸，λ／4波長板220之慢軸所夾之角度呈45°或接近其之角度的方式設置。前述45°或接近其之角度，舉例而言，以45°±5°為佳，以45°±4°為較佳，以45°±3°為尤佳。藉此，透過λ／4波長板220與直線偏光件230的組合，圓偏光板的功能展現，可抑制因外界光線的反射所致之顯示面200U的眩光。
並且，在有機EL顯示裝置200中，相位差層241，以相對於直線偏光件230之偏光吸收軸，相位差層241之慢軸所夾之角度呈45°或接近其之角度的方式設置。前述45°或接近其之角度，舉例而言，以45°±5°為佳，以45°±4°為較佳，以45°±3°為尤佳。
在此種有機EL顯示裝置200中，藉由自有機EL元件210發出，並通過λ／4波長板220、直線偏光件230及光學各向異性堆疊體240的光線來顯示影像。因此，顯示影像的光線雖在通過直線偏光件230之時間點上係直線偏光，但藉由通過包含相位差層241的光學各向異性堆疊體240，而轉換成圓偏光。因此，在前述有機EL顯示裝置200中，由於係藉由圓偏光來顯示影像，故在透過偏光太陽鏡觀看顯示面200U的時候，能觀看到影像。
再者，有機EL顯示裝置200由於光學各向異性堆疊體240具備得發揮作為正型C薄膜之功能的光學各向異性層242，故顯示影像的光線不僅在顯示面200U的正面方向上，亦可在傾斜方向上穿透偏光太陽鏡。再者，光學各向異性層242由於其厚度方向的延遲Rth顯現逆波長色散性，故較廣的波長範圍之光線可穿透偏光太陽鏡。因此，有機EL顯示裝置200能在顯示面200U的正面方向及傾斜方向之兩方向上，提高通過偏光太陽鏡之影像的可視性。
前述有機EL元件110及210依序具備透明電極層、發光層及電極層，得藉由自透明電極層及電極層施加電壓使發光層產生光。作為構成有機發光層的材料之例，可列舉：聚對苯乙炔系、聚茀系及聚乙烯基咔唑系的材料。並且，發光層亦可具有多個發光色相異之層體的堆疊體，或者於某染料之層體摻雜相異染料的混合層。再者，有機EL元件110及210亦可具備電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、等電位面形成層、電荷產生層等功能層。
圖3係本發明之第三實施型態相關之作為影像顯示裝置之液晶顯示裝置300的剖面示意圖。
如圖3所繪示，液晶顯示裝置300依序具備：光源310；光源側直線偏光件320；作為影像顯示元件的液晶單元330；觀看側直線偏光件340；以及具備相位差層351及光學各向異性層352的光學各向異性堆疊體350。於圖3中，雖繪示自液晶單元330側依序設置相位差層351及光學各向異性層352之例，但反之亦可自液晶單元330側依序設置光學各向異性層352及相位差層351。
在液晶顯示裝置300中，相位差層351，以相對於觀看側直線偏光件340之偏光吸收軸，相位差層351之慢軸所夾之角度呈45°或接近其之角度的方式設置。45°或接近其之角度，舉例而言，以45°±5°為佳，以45°±4°為較佳，以45°±3°為尤佳。
在此種液晶顯示裝置300中，藉由自光源310發出，並通過光源側直線偏光件320、液晶單元330、觀看側直線偏光件340及光學各向異性堆疊體350的光線來顯示影像。因此，顯示影像的光線雖在通過觀看側直線偏光件340的時間點上係直線偏光，但藉由通過包含相位差層351的光學各向異性堆疊體350，而轉換成圓偏光。因此，在前述液晶顯示裝置300中，由於係藉由圓偏光來顯示影像，故在透過偏光太陽鏡觀看顯示面300U的時候，能觀看到影像。
再者，液晶顯示裝置300由於光學各向異性堆疊體350具備得發揮作為正型C薄膜之功能的光學各向異性層352，故顯示影像的光線不僅在顯示面300U的正面方向上，亦可在傾斜方向上穿透偏光太陽鏡。再者，光學各向異性層352由於其厚度方向的延遲Rth顯現逆波長色散性，故較廣的波長範圍之光線可穿透偏光太陽鏡。因此，液晶顯示裝置300能在顯示面300U的正面方向及傾斜方向之兩方向上，提高通過偏光太陽鏡之影像的可視性。
液晶單元330得使用例如：平面切換（IPS）模式、垂直排列（VA）模式、多區域垂直排列（MVA）模式、連續焰火狀排列（CPA）模式、混合排列向列（HAN）模式、扭轉向列（TN）模式、超扭轉向列（STN）模式、光學補償雙折射（OCB）模式等任意模式的液晶單元。其中，IPS模式的液晶單元330可藉由光學各向異性層352有效增廣視角，再者，就有效改善自傾斜方向觀看顯示面300U時的對比及色調變化而言為佳。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非限定於以下所揭示之實施例者，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍內得任意變更並實施。於以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則為重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則於常溫常壓大氣中進行。
〔評價方法〕
〔延遲及折射率的量測方法及此等之逆波長色散性的評價方法〕
於某薄膜（基材薄膜、支撐體薄膜、由支撐體薄膜及相位差層而成之多層薄膜等）上所形成之試樣層（光學各向異性層、相位差層等）的延遲及逆波長色散特性係由下述方法量測。
將成為評價對象之試樣層貼合至附有黏合劑的載玻片（黏合劑係日東電工公司製「CS9621T」）。之後，剝離薄膜，獲得具備載玻片及試樣層的樣本。將此樣本設置於相位差計（Axometrics公司製）的工作台，量測試樣層的面內延遲Re之波長色散。於此，所謂面內延遲Re之波長色散，係表示每波長之面內延遲Re的圖表，例如：在將橫軸定為波長、將縱軸定為面內延遲Re之座標中，做成圖表揭示。自如此所獲得之試樣層的面內延遲Re之波長色散，求出試樣層在波長450 nm、550 nm、590 nm及650 nm之試樣層的面內延遲Re(450)、Re(550)、Re(590)及Re(650)。
並且，以試樣層之慢軸作為旋轉軸，將工作台傾斜40°，量測在相對於試樣層的厚度方向夾成40°之角度的傾斜方向上之試樣層的延遲Re40之波長色散。於此，所謂延遲Re40之波長色散，係表示每波長之面內延遲Re40的圖表，例如：在將橫軸定為波長、將縱軸定為面內延遲Re40之座標中，做成圖表揭示。
再者，使用稜鏡耦合儀（Metricon公司製），在波長407 nm、532 nm及633 nm，量測試料層之「面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx」、「前述面內方向且垂直於前述nx之方向之方向的折射率ny」及「厚度方向的折射率nz」，並藉由柯西擬合（Cauchy fitting），獲得折射率nx、ny及nz之波長色散。於此，所謂折射率之波長色散，係表示每波長之折射率的圖表，例如：於將橫軸定為波長、將縱軸定為折射率之座標中，做成圖表揭示。
之後，以延遲Re40及折射率之波長色散的資料為基礎，計算出試樣層之厚度方向的延遲Rth之波長色散。於此，所謂厚度方向的延遲Rth之波長色散，係表示每波長之面內延遲Rth的圖表，例如：在將橫軸定為波長、將縱軸定為厚度方向的延遲Rth之座標中，做成圖表揭示。然後，自如此求出之試樣層之厚度方向的延遲Rth之波長色散，求出試樣層在波長450 nm、550 nm、590 nm及650 nm之厚度方向的延遲Rth(450)、Rth(550)、Rth(590)及Rth(650)。
［厚度的量測方法］
於某薄膜（基材薄膜、支撐體薄膜、由支撐體薄膜及相位差層而成之多層薄膜等）上所形成之試樣層（光學各向異性層、相位差層等）的厚度，係使用膜厚量測裝置（FILMETRICS公司製之「FILMETRICS」）量測。
〔面狀態的評價方法〕
準備附有光學黏合劑（日東電工公司製CS9621T）的平板玻璃。於此平板玻璃，轉印光學各向異性轉印物（實施例1～2、4～5及7～8，以及比較例1～4）或光學各向異性堆疊體（實施例3）的光學各向異性層，獲得霧度量測用堆疊體。使用此霧度量測用堆疊體，藉由霧度計（東洋精機製作所製「Haze-gard II」）量測光學各向異性層的霧度。量測的結果，若霧度未達0.5%則將面狀態判定為「良好」，若霧度為0.5%以上且未達1.0%則將面狀態判定為「稍微白濁」，若霧度為1.0%以上則將面狀態判定為「白濁」。
並且，在實施例6中，於螢光燈下目視觀察光學各向異性層的面狀態，並將未觀察到薄膜之收縮皺褶及白濁的情況判斷為「良好」，將觀察到薄膜之收縮皺褶及白濁的情況判斷為「不良」。
［實施例1］
使由下述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為99℃）55重量份及作為正型C聚合物的聚(9-乙烯基咔唑)45重量份，以固體成分濃度呈12%的方式，溶解於1,3-二氧𠷬（DOL），製作塗布液。
『化13』
準備由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之未延伸薄膜（日本瑞翁公司製，樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）163℃，厚度100 μm）作為基材薄膜。於前述基材薄膜的面上，使用塗布刮刀塗布塗布液，形成塗布液層。塗布液層的厚度，以所獲得之光學各向異性層的厚度呈10 μm程度的方式調整。
之後，以85℃烘箱使塗布液層乾燥10分鐘，使塗布液層中之溶劑蒸發。藉此，於基材薄膜上形成光學各向異性層，獲得具備基材薄膜及光學各向異性層的光學各向異性轉印物。使用如此所獲得之光學各向異性轉印物，藉由上述方法，進行光學各向異性層的評價。
［實施例2］
將正型C聚合物的種類變更為反丁烯二酸二異丙酯與桂皮酸酯的共聚物。此共聚物係具有由下述式（P1）所表示之重複單元及由下述式（P2）所表示之重複單元的聚反丁烯二酸酯（重量平均分子量為72,000）。並且，於下述式（P1）及式（P2）中，R表示異丙基，重複單元之數量m及n的比率為m：n＝85：15。
『化14』
『化15』
除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造以及光學各向異性層的評價。
［實施例3］
以下述方法製造具備支撐體薄膜及相位差層的多層薄膜。
混合由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為99℃）100重量份、光聚合起始劑（BASF公司製「Irgacure379EG」）3重量份及界面活性劑（DIC公司製「MEGAFAC F-562」）0.3重量份，再來，以固體成分呈22重量%之方式加入環戊酮及1,3-二氧𠷬的混合溶劑（重量比環戊酮：1,3-二氧𠷬＝4：6）作為溶劑，並加溫至50℃以使其溶解。將所獲得之混合物以孔徑0.45 μm的薄膜濾器過濾，獲得液狀的液晶組成物。
準備由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之長條狀的斜向延伸薄膜（日本瑞翁公司製「ZeonorFilm」，樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）126℃，厚度47 μm，在波長550 nm的面內延遲141 nm，延伸方向係相對於幅寬方向45°的方向）作為支撐體薄膜。
於前述支撐體薄膜上，以模塗機塗布前述液狀的液晶組成物，形成液晶組成物之層體。液晶組成物之層體的厚度以所獲得之相位差層的厚度呈2.5 μm程度的方式調整。
之後，以110℃烘箱使液晶組成物之層體乾燥4分鐘左右，使液晶組成物之層體中的溶劑蒸發，同時使液晶組成物之層體所包含的液晶化合物，沿支撐體薄膜的延伸方向均相定向。
之後，對液晶組成物之層體，使用紫外線照射裝置照射紫外線。此紫外線之照射，係於氮氣環境下，在將支撐體薄膜以膠帶固定於經加熱至60℃的SUS板之狀態下進行。藉由紫外線之照射使液晶組成物之層體固化，於支撐體薄膜上形成相位差層。藉此，獲得具備支撐體薄膜及相位差層的多層薄膜。
以上述方法量測所獲得之多層薄膜之相位差層的延遲之結果，在波長450 nm、550 nm、590 nm及650 nm的面內延遲Re(B450)、Re(B550)、Re(B590)及Re(B650)如同下述表1。並且，以上述方法量測前述相位差層的折射率之結果，相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(B)、相位差層之面內方向且垂直於「前述nx(B)之方向」之方向的折射率ny(B)及相位差層之厚度方向的折射率nz(B)如同下述表1。
『表1』 ［表1.相位差層的光學各向異性］
使用具備支撐體薄膜及相位差層的多層薄膜，代替在實施例1中所使用的未延伸薄膜作為基材薄膜。除了以上事項以外，比照實施例1進行依序具備支撐體薄膜、相位差層及光學各向異性層之光學各向異性堆疊體的製造。使用如此所獲得之光學各向異性堆疊體，藉由上述方法，進行光學各向異性層的評價。
［實施例4］
使用由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之長條狀的斜向延伸薄膜（日本瑞翁公司製「ZeonorFilm」，樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）126℃，厚度47 μm，在波長550 nm的面內延遲141 nm，延伸方向係相對於幅寬方向45°的方向），代替在實施例1中所使用的未延伸薄膜作為基材薄膜。除了以上事項以外，比照實施例1進行依序具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
［實施例5］
使用由下述式（B2）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為105℃）50重量份，代替由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物55重量份。再來，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為50重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
『化16』
［實施例6］
準備斜向延伸薄膜（日本瑞翁公司製「ZeonorFilm」，樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）126℃，厚度47 μm，在波長550 nm的面內延遲141 nm，折射率nx(B)＞ny(B)≧nz(B)，延伸方向係相對於幅寬方向45°的方向）作為係為相位差層的延伸薄膜層。
將在實施例1所製作之光學各向異性轉印物的光學各向異性層側之面與前述斜向延伸薄膜之一面，中介黏合層（日東電工公司製「CS9621T」）貼合，而獲得依序具備基材薄膜、光學各向異性層、黏合層及斜向延伸薄膜的堆疊體。此時，於貼合中使用貼合機。
接下來，藉由自前述堆疊體剝離基材薄膜，獲得依序具備光學各向異性層、黏合層及斜向延伸薄膜的光學各向異性堆疊體。將如此所獲得之光學各向異性堆疊體的面狀態，藉由上述方法予以評價之後，結果為良好。
［實施例7］
將由式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物之量，自55重量份變更為60重量份。並且，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為40重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
［實施例8］
將由式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物之量，自55重量份變更為65重量份。並且，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為35重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
［實施例9］
使用由下述式（B3）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為110℃）60重量份，代替由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物55重量份。再來，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為40重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
『化17』
［實施例10］
使用由下述式（B4）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為123℃）60重量份，代替由前述式（B3）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物55重量份。再來，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為40重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
『化18』
［實施例11］
使用由下述式（B5）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為111℃）60重量份，代替由前述式（B5）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物55重量份。再來，將作為正型C聚合物之聚(9-乙烯基咔唑)的量自45重量份變更為40重量份。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
『化19』
『比較例1』
在製作塗布液時，不使用由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物。
並且，除了樹脂的玻璃轉移溫度以外，使用與在實施例1中所使用之未延伸薄膜同樣的薄膜（由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之未延伸薄膜（日本瑞翁公司製，樹脂的玻璃轉移溫度（Tg）126℃，厚度100 μm））作為基材薄膜。
除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
［比較例2］
混合由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為99℃）100重量份及光聚合起始劑（BASF公司製「Irgacure379EG」）3重量份，再來，以固體成分呈22重量%之方式加入環戊酮及1,3-二氧𠷬的混合溶劑（重量比環戊酮：1,3-二氧𠷬＝4：6）作為溶劑，並加溫至50℃以使其溶解。將所獲得之混合物以孔徑0.45 μm的薄膜濾器過濾，獲得塗布液。
對與在實施例1中所使用者同樣的未延伸薄膜之表面施以電暈處理。於已施以電暈處理的未延伸薄膜之表面上，以棒塗機塗布垂直定向膜用的矽烷耦合系材料（JNC公司製「DMOAP」），並在100℃下燒製1小時。藉此，獲得具備延伸薄膜及垂直定向膜的垂直定向基材薄膜。
於所獲得之垂直定向基材薄膜，使用棒塗機塗布塗布液，並在110℃下乾燥4分鐘。之後，對已乾燥之塗布液層，使用紫外線照射裝置照射紫外線。此紫外線的照射，係於氮氣環境下，在將垂直定向基材薄膜以膠帶固定於SUS板的狀態下進行。藉由紫外線的照射，使塗布液層固化。藉此，於垂直定向基材薄膜上形成光學各向異性層，獲得具備垂直定向基材薄膜及光學各向異性層的光學各向異性轉印物。使用如此所獲得之光學各向異性轉印物，藉由上述方法，進行光學各向異性層的評價。
［比較例3］
混合由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物（CN點為99℃）50重量份、相對於支撐體薄膜顯現較強之垂直定向性之作為液晶性單體化合物的6-(4-cyanobiphenyl-4-yloxy)hexyl methacrylate（甲基丙烯酸-6-(4-氰基聯苯基-4-氧基)己酯，DKSH公司製「ST03474」）50重量份，及光聚合起始劑（BASF公司製「Irgacure379EG」）3重量份，再來，以固體成分呈22重量%之方式加入環戊酮及1,3-二氧𠷬的混合溶劑（重量比環戊酮：1,3-二氧𠷬＝4：6）作為溶劑，並加溫至50℃以使其溶解。將所獲得之混合物以孔徑0.45 μm的薄膜濾器過濾，獲得塗布液。
於與在實施例1中所使用者同樣的基材薄膜上，以旋塗機塗布塗布液，形成塗布液層。塗布液層的厚度以所獲得之光學各向異性層的厚度呈2.5 μm程度的方式調整。
之後，以110℃烘箱使塗布液層乾燥約4分鐘左右，使塗布液層中的溶劑蒸發，同時使塗布液層所包含之液晶化合物，相對於基材薄膜之面垂直定向。
之後，對塗布液層，使用紫外線照射裝置照射紫外線。此紫外線的照射，係於氮氣環境下，在將基材薄膜以膠帶固定於SUS板的狀態下進行。藉由紫外線的照射，使塗布液層固化。藉此，於基材薄膜上形成光學各向異性層，獲得具備基材薄膜及光學各向異性層的光學各向異性轉印物。使用如此所獲得之光學各向異性轉印物，藉由上述方法，進行光學各向異性層的評價。
［比較例4］
使用由式（C1）所表示之光聚合性的順波長色散液晶化合物（CN點為66℃），代替由前述式（B1）所表示之光聚合性的逆波長色散液晶化合物。除了以上事項以外，比照實施例1進行具備基材薄膜及光學各向異性層之光學各向異性轉印物的製造，以及光學各向異性層的評價。
『化20』
［結果］
上述實施例及比較例的結果揭示於下述表2～表4。於表2～表4中，簡稱之意義如同下述。 未延伸薄膜：由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之未延伸薄膜。 斜向延伸薄膜：由包含含脂環結構聚合物之樹脂而成之斜向延伸薄膜。 正型A薄膜：具備支撐體薄膜及相位差層的多層薄膜。 PVC：聚(9-乙烯基咔唑)。 PFDE：反丁烯二酸二異丙酯與桂皮酸酯的共聚物。 化合物B1：由前述式（B1）所表示之逆波長色散液晶化合物。 化合物B2：由前述式（B2）所表示之逆波長色散液晶化合物。 化合物C1：由前述式（C1）所表示之化合物。 化合物比率：在塗布液的全固體成分中之化合物1的比率。 摻雜塗布：藉由塗布包含正型C聚合物及化合物1之塗布液的成膜。 聚合物塗布：藉由塗布包含正型C聚合物而不含化合物1之塗布液的成膜。 於定向膜上的塗布：藉由於定向膜上，塗布包含化合物1而不含正型C聚合物之塗布液的成膜。 垂直定向劑塗布：藉由塗布包含化合物1及顯現較強之垂直定向性的液晶性單體化合物而不含正型C聚合物之塗布液的成膜。 正型C：折射率nx(A)、ny(A)及nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)。 波長色散性：厚度方向之延遲Rth的波長色散性。
『表2』 ［表2.實施例的結果］
『表3』 ［表3.實施例的結果］
『表4』 ［表4.比較例的結果］
在比較例2及3中之面狀評價中，於光學各向異性層中液晶化合物的分子相對於基材薄膜之面垂直定向，但液晶化合物之分子的傾斜角不均，光學各向異性層白濁。
自比較例3可知，逆波長色散液晶化合物即使使用相對於支撐體薄膜顯現較強之垂直定向性的液晶性單體化合物，仍難以獲得定向均勻的液晶層。此與順波長色散液晶化合物一般只要與相對於支撐體薄膜顯現較強之垂直定向性的液晶性單體化合物組合，即可形成定向均勻的液晶層一事有所對比。
並且，自比較例2可知，逆波長色散液晶化合物即使使用定向膜，若未進行其定向膜與逆波長色散液晶化合物之相容性的調整，則仍難以獲得定向均勻的液晶層。因此，即使欲透過包含平行於厚度方向定向之逆波長色散液晶化合物的液晶層，來獲得正型C薄膜，在以往的製造方法中仍難以將其實現。
相對於此，在實施例1～5、7及8中，藉由組合逆波長色散液晶化合物與正型C聚合物，可獲得定向均勻的液晶層作為光學各向異性層，並且，此光學各向異性層可發揮作為正型C薄膜的功能。
因此，自上述實施例確認到透過本發明，可實現不使用定向膜即能夠製造之使用作為「厚度方向之延遲Rth顯現逆波長色散性的正型C板」的光學各向異性層。
100‧‧‧有機EL顯示裝置
110‧‧‧有機EL元件
120‧‧‧光學各向異性堆疊體
121‧‧‧相位差層
122‧‧‧光學各向異性層
130‧‧‧直線偏光件
200‧‧‧有機EL顯示裝置
210‧‧‧有機EL元件
220‧‧‧λ／4波長板
230‧‧‧直線偏光件
240‧‧‧光學各向異性堆疊體
241‧‧‧相位差層
242‧‧‧光學各向異性層
300‧‧‧液晶顯示裝置
310‧‧‧光源
320‧‧‧光源側直線偏光件
330‧‧‧液晶單元
340‧‧‧觀看側直線偏光件
350‧‧‧光學各向異性堆疊體
351‧‧‧相位差層
352‧‧‧光學各向異性層
〈圖1〉圖1係本發明之第一實施型態相關之作為影像顯示裝置之有機EL顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖2〉圖2係本發明之第二實施型態相關之作為影像顯示裝置之有機EL顯示裝置的剖面示意圖。
〈圖3〉圖3係本發明之第三實施型態相關之作為影像顯示裝置之液晶顯示裝置的剖面示意圖。
Claims (19)
- 一種光學各向異性層，其係包含聚合物與定向狀態亦可固定之化合物1的光學各向異性層，其中前述聚合物，係在藉由使用前述聚合物之溶液的塗布法形成前述聚合物之膜的情況下，前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(P)、前述膜之前述面內方向且垂直於前述nx(P)之方向之方向的折射率ny(P)，以及前述膜之厚度方向的折射率nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)者，前述光學各向異性層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(A)、前述光學各向異性層之前述面內方向且垂直於前述nx(A)之方向之方向的折射率ny(A)，以及前述光學各向異性層之厚度方向的折射率nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)，在波長450 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A450)、在波長550 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A550)，以及在波長650 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A650)滿足下述式（1）及（2）：0.50＜Rth(A450)／Rth(A550)＜1.00 （1）1.00≦Rth(A650)／Rth(A550)＜1.25 （2）前述化合物1係由式（Ia）所表示之化合物、由式（Ib）所表示之化合物或此等之混合物：『化1』其中，Ga 表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基；Ya 表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR11 －、－O－C(＝O)－NR11 －、－NR11 －C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11 表示碳數1～6之烷基；Fx1 及Fx2 分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基；Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基；RI ～RIV 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ，Ra 表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基；R0 表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ；p表示0～3的整數；p1表示0～4的整數；p2表示0或1；Y1 ～Y8 分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2 －、－CH2 －O－、－O－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR13 －、－CF2 －O－、－O－CF2 －、－CH2 －CH2 －、－CF2 －CF2 －、－O－CH2 －CH2 －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －、－CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －、－CH2 －CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －CH2 －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3 )－、－C(CH3 )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13 表示氫原子或碳數1～6的烷基；A1 及A2 以及B1 及B2 分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基；G1 及G2 分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2 －經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR14 －、－NR14 －或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14 表示氫原子或碳數1～6的烷基；P1 及P2 分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基；n及m分別獨立表示0或1。
- 如請求項1所述之光學各向異性層，其中前述化合物1係由下述式（B1）～（B5）之任一者所表示之化合物：『化2』『化3』。
- 如請求項1或2所述之光學各向異性層，其中前述聚合物為選自由聚乙烯咔唑、聚反丁烯二酸酯及纖維素衍生物而成之群組之至少1種的聚合物。
- 如請求項1或2所述之光學各向異性層，其中在前述光學各向異性層之所有固體成分中之前述化合物1的比率為40重量%～70重量%。
- 如請求項1或2所述之光學各向異性層，其中在波長590 nm之前述光學各向異性層的面內延遲Re(A590)及在波長590 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)滿足下述式（3）及（4）：Re(A590)≦10 nm （3）－200 nm≦Rth(A590)≦－10 nm （4）。
- 一種光學各向異性轉印物，其具備基材與如請求項1至5之任一項所述之光學各向異性層。
- 一種光學各向異性堆疊體，其具備如請求項1至5之任一項所述之光學各向異性層與相位差層，前述相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(B)、前述相位差層之前述面內方向且垂直於前述nx(B)之方向之方向的折射率ny(B)，以及前述相位差層之厚度方向的折射率nz(B)滿足nx(B)＞ny(B)≧nz(B)。
- 如請求項7所述之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為包含含脂環結構聚合物的延伸薄膜層。
- 如請求項8所述之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為斜向延伸薄膜層。
- 如請求項7至9之任一項所述之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層為具有多層結構的延伸薄膜層。
- 如請求項7所述之光學各向異性堆疊體，其中在波長450 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B450)、在波長550 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B550)，以及在波長650 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B650)滿足下述式（5）及（6）：0.75＜Re(B450)／Re(B550)＜1.00 （5）1.01＜Re(B650)／Re(B550)＜1.25 （6）。
- 如請求項9或11所述之光學各向異性堆疊體，其中前述相位差層包含定向狀態亦可固定的化合物2，前述化合物2係由式（IIa）所表示之化合物、由式（IIb）所表示之化合物或此等之混合物：『化4』其中，Ga 表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基；Ya 表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR11 －、－O－C(＝O)－NR11 －、－NR11 －C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11 表示碳數1～6之烷基；Fx1 及Fx2 分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基；Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基；RI ～RIV 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ，Ra 表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基；R0 表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ；p表示0～3的整數；p1表示0～4的整數；p2表示0或1；Y1 ～Y8 分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2 －、－CH2 －O－、－O－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR13 －、－CF2 －O－、－O－CF2 －、－CH2 －CH2 －、－CF2 －CF2 －、－O－CH2 －CH2 －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －、－CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －、－CH2 －CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －CH2 －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3 )－、－C(CH3 )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13 表示氫原子或碳數1～6的烷基；A1 及A2 以及B1 及B2 分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基；G1 及G2 分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2 －經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR14 －、－NR14 －或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14 表示氫原子或碳數1～6的烷基；P1 及P2 分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基；n及m分別獨立表示0或1。
- 如請求項7至9及11之任一項所述之光學各向異性堆疊體，其中在波長590 nm之前述相位差層的面內延遲Re(B590)、在波長590 nm之前述光學各向異性層的面內延遲Re(A590)，以及在波長590 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A590)滿足下述式（7）、（8）及（9）：110 nm≦Re(B590)≦170 nm （7）Re(A590)≦10 nm （8）－110 nm≦Rth(A590)≦－20 nm （9）。
- 一種偏光板，其具備直線偏光件，與如請求項1至5之任一項所述之光學各向異性層、如請求項6所述之光學各向異性轉印物，或如請求項7至13之任一項所述之光學各向異性堆疊體。
- 一種影像顯示裝置，其具備如請求項14所述之偏光板。
- 一種影像顯示裝置，其依序具備：如請求項7至13之任一項所述之光學各向異性堆疊體、直線偏光件，與影像顯示元件，前述影像顯示元件為液晶單元或有機電致發光元件。
- 一種影像顯示裝置，其依序具備：直線偏光件、如請求項7至13之任一項所述之光學各向異性堆疊體，與有機電致發光元件。
- 一種光學各向異性層的製造方法，其係包含將包含聚合物、化合物1及溶劑的塗布液塗布於支撐面上，獲得塗布液層的工序，與使前述塗布液層乾燥的工序之光學各向異性層的製造方法，其中前述聚合物，係在藉由使用前述聚合物之溶液的塗布法形成前述聚合物之膜的情形中，前述膜之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(P)、前述膜之前述面內方向且垂直於前述nx(P)之方向之方向的折射率ny(P)，以及前述膜之厚度方向的折射率nz(P)滿足nz(P)＞nx(P)≧ny(P)者，前述光學各向異性層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(A)、前述光學各向異性層之前述面內方向且垂直於前述nx(A)之方向之方向的折射率ny(A)，以及前述光學各向異性層之厚度方向的折射率nz(A)滿足nz(A)＞nx(A)≧ny(A)，在波長450 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A450)、在波長550 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A550)，以及在波長650 nm之前述光學各向異性層之厚度方向的延遲Rth(A650)滿足下述式（1）及（2）：0.50＜Rth(A450)／Rth(A550)＜1.00 （1）1.00≦Rth(A650)／Rth(A550)＜1.25 （2）前述化合物1係由式（Ia）所表示之化合物、由式（Ib）所表示之化合物或此等之混合物：『化5』其中，Ga 表示亦可具有取代基之碳數1～30之2價的有機基；Ya 表示化學上的單鍵、－O－、－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR11 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR11 －、－O－C(＝O)－NR11 －、－NR11 －C(＝O)－O－、－S－、－N＝N－或－C≡C－，R11 表示碳數1～6之烷基；Fx1 及Fx2 分別獨立表示具有芳烴環及芳雜環之至少一者的有機基；Q表示氫原子或亦可具有取代基之碳數1～6的烷基；RI ～RIV 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、氰基、硝基、碳數1～6之鹵化烷基、碳數1～6之烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ，Ra 表示亦可具有取代基之碳數1～20的烷基、亦可具有取代基之碳數2～20的烯基、亦可具有取代基之碳數3～12的環烷基或亦可具有取代基之碳數6～12的芳烴環基；R0 表示鹵素原子、碳數1～6的烷基、氰基、硝基、碳數1～6的鹵化烷基、碳數1～6的烷氧基、－OCF3 、－C(＝O)－O－Ra 或－O－C(＝O)－Ra ；p表示0～3的整數；p1表示0～4的整數；p2表示0或1；Y1 ～Y8 分別獨立表示化學上的單鍵、－O－、－O－CH2 －、－CH2 －O－、－O－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－、－O－C(＝O)－O－、－C(＝O)－S－、－S－C(＝O)－、－NR13 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR13 －、－CF2 －O－、－O－CF2 －、－CH2 －CH2 －、－CF2 －CF2 －、－O－CH2 －CH2 －O－、－CH＝CH－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH＝CH－、－CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －、－CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －、－CH2 －CH2 －C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－CH2 －CH2 －、－CH2 －CH2 －O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－CH2 －CH2 －、－CH＝CH－、－N＝CH－、－CH＝N－、－N＝C(CH3 )－、－C(CH3 )＝N－、－N＝N－或－C≡C－，R13 表示氫原子或碳數1～6的烷基；A1 及A2 以及B1 及B2 分別獨立表示亦可具有取代基的脂環基或亦可具有取代基的芳基；G1 及G2 分別獨立表示碳數1～30之2價的脂族烴基，以及碳數3～30之2價的脂族烴基所包含之至少一個－CH2 －經－O－、－S－、－O－C(＝O)－、－C(＝O)－O－、－O－C(＝O)－O－、－NR14 －C(＝O)－、－C(＝O)－NR14 －、－NR14 －或－C(＝O)－取代之基的任一有機基，惟排除2個以上－O－或－S－分別鄰接而中介的情況，R14 表示氫原子或碳數1～6的烷基；P1 及P2 分別獨立表示亦可具有取代基之碳數2～10的烯基；n及m分別獨立表示0或1。
- 一種光學各向異性堆疊體的製造方法，其係包含將如請求項6所述之光學各向異性轉印物之光學各向異性層與相位差層貼合的工序，與將前述光學各向異性轉印物之基材剝離的工序之光學各向異性堆疊體的製造方法，前述相位差層之面內方向且賦予最大折射率之方向的折射率nx(B)、前述相位差層之前述面內方向且垂直於前述nx(B)之方向之方向的折射率ny(B)，以及前述相位差層之厚度方向的折射率nz(B)滿足nx(B)＞ny(B)≧nz(B)。
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| JPWO2019069855A1 (ja) | 2020-11-26 |
| WO2019069855A1 (ja) | 2019-04-11 |
| JP7156294B2 (ja) | 2022-10-19 |
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