TW201920837A - 流體處置結構及微影裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種包含一流體處置結構之微影浸潤裝置及一種器件製造方法。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有退出口之通道，該等通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。

Description

流體處置結構及微影裝置
本發明係關於一種流體處置結構、一種微影裝置及一種用於使用微影裝置製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路之製造中。 已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於浸潤流體(例如，具有相對較高折射率之液體，例如水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤流體可為蒸餾水，儘管可使用另一流體。將參考浸潤流體描述本發明之一實施例。然而，許多流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體及/或具有高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。不包括氣體之流體尤其為所要的。此情形之用途為實現較小特徵之成像，此係由於曝光輻射在流體中將具有較短波長。(流體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤流體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或懸浮有奈米粒子(例如，具有多達10 nm之最大尺寸的粒子)之液體。懸浮粒子可具有或可不具有與懸浮有該等粒子之液體類似或相同的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。 在浸潤裝置中，浸潤流體由浸潤系統、器件、結構或裝置處置。在一實施例中，浸潤系統可供應浸潤流體且可被稱作流體供應系統。在一實施例中，浸潤系統可至少部分地侷限浸潤流體且可被稱作流體侷限系統。在一實施例中，浸潤系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此被稱作障壁部件，諸如流體侷限結構。在一實施例中，浸潤系統產生或使用氣流(例如)幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以侷限浸潤流體之密封件，因此，浸潤系統可包含可被稱作密封部件的流體處置結構以提供氣流。在一實施例中，浸潤液體被用作浸潤流體。在彼情況下，浸潤系統可為液體處置系統。 然而，浸潤系統之使用可導致缺陷形成於基板之頂部表面上。缺陷可由在基板在流體處置結構下通過之後留下的浸潤流體之小滴引起。詳言之，已知導致缺陷之至少兩個主機制，該等主機制被稱作壓彎(bulldozing)及膜拉伸(film pulling)。基板之表面上的缺陷可導致基板之表面上的誤差，此可降低良率。缺陷可尤其意謂水印，或可意謂可發生於基板之表面上的其他缺陷。 膜拉伸可在基板相對於浸潤系統(諸如，流體處置結構或其類似者)移動時發生。當基板之表面相對於浸潤流體移動時，基板之表面上的任何變化(諸如，基板之邊緣)或不規則性可在浸潤流體經過基板時充當彎液面牽制特徵。此意謂當流體處置結構相對於基板移動時，基板之表面與流體處置結構之間的浸潤流體之彎液面被拉伸。在流體處置結構已移動某一距離之後，彎液面將最終斷裂，且浸潤流體被留在基板之表面上，從而在基板上產生小滴，此可導致水印缺陷。剩餘小滴可因此導致感光性材料之表面上的誤差，此可降低良率。可藉由在流體處置結構之後退側處增加氣刀之氣流來減少膜拉伸。然而，此可在流體處置結構之前進側處具有其他後果。舉例而言，使用氣刀之增加的氣流將在流體處置結構之前進側處增加「壓彎」，如下文所描述。 壓彎亦可在基板相對於流體處置結構移動時發生。當遇到在流體處置結構前方的浸潤流體之小滴時，壓彎發生。當基板移動時，流體處置結構之前進部分與浸潤流體之小滴碰撞，且小滴由流體處置結構向前推動。當向前推動小滴時，缺陷產生於基板之表面上。儘管此可藉由在流體處置結構之前進側處減少氣刀之氣流來有效地減少，但此可具有其他後果。舉例而言，使用氣刀之減少的氣流可意謂經侷限浸潤流體較可能在流體處置結構之後退側處自流體處置結構逸出，因此導致其他缺陷。
所要的是(例如)提供缺陷減少之微影裝置。 在本發明中，提供一種浸潤微影裝置，其包含流體處置結構，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，氣刀系統包含各自具有退出口之通道，通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，且複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。 在本發明中，提供一種器件製造方法，其包含：將經圖案化輻射光束投影至基板上，其中經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區；使用流體處置結構將浸潤流體侷限於區，其中流體處置結構包含氣刀系統；及使用氣刀系統在區之徑向外部產生氣刀，其中氣刀促成侷限步驟，且其中氣刀系統包含各自具有退出口之通道，通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，且複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。 在本發明中，提供一種浸潤微影裝置，其包含流體處置結構，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。 在本發明中，提供一種浸潤微影裝置，其包含流體處置結構，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，其中流體處置結構包含至少一個退出口，至少一個退出口經配置以便形成氣刀，氣刀形成平面圖中之形狀的一側，其中該側包含沿彼側之兩個端部部分，且間隙形成於沿平面圖中之形狀之彼側的兩個端部部分之間，端部部分中之一者包含彎曲部，且其中在使用時，基板在掃描方向上相對於流體處置結構移動，且在垂直於掃描方向之平面中，端部部分中之一者經定位以與另一端部部分重疊，使得在垂直於掃描方向之平面中不存在間隙。 在本發明中，提供一種器件製造方法，其包含：將經圖案化輻射光束投影至基板上，其中經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區；使用浸潤系統之流體處置結構將浸潤流體侷限於區，其中流體處置結構包含氣刀系統；及使用氣刀系統在區之徑向外部產生氣刀，其中氣刀促成侷限步驟，且流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。 在本發明中，提供一種器件製造方法，其包含：將經圖案化輻射光束投影至基板上，其中經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區；使用浸潤系統之流體處置結構將浸潤流體侷限於區，其中流體處置結構包含氣刀系統；及在區之徑向外部產生氣刀，其中流體處置結構包含至少一個退出口，至少一個退出口經配置以便形成氣刀，氣刀形成平面圖中之形狀的一側，其中該側包含沿彼側之兩個端部部分，且間隙形成於沿平面圖中之形狀之彼側的兩個端部部分之間，且端部部分中之一者包含彎曲部，且其中在使用時，基板在掃描方向上相對於流體處置結構移動，且在垂直於掃描方向之平面中，端部部分中之一者經定位以與另一端部部分重疊，使得在垂直於掃描方向之平面中不存在間隙。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該微影裝置包含： - 照明器(另外被稱作照明系統) IL，其經組態以調節投影光束B，投影光束B為輻射光束(例如，UV輻射、DUV輻射或任何其他合適輻射)； - 支撐結構(例如，光罩支撐結構/光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM； - 支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台，及/或基板台(例如，晶圓台) WT或「基板支撐件」，其經建構以固持連接至經組態以根據某些參數而準確地定位基板W之第二定位器件PW的基板(例如，經抗蝕劑塗佈之基板) W；及 - 投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至投影光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 照明器IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT支撐(亦即，承載)圖案化器件MA之重量。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可視需要而被固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指可用於在投影光束B之橫截面中向投影光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至投影光束B之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分C中之所要圖案。大體而言，賦予至投影光束B之圖案將對應於目標部分C中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件MA可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射束(例如，投影光束B)。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之投影光束B中賦予圖案。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統PS，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，微影裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，微影裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可包含量測台(圖1中未描繪)，量測台經配置以固持量測設備，諸如用以量測投影系統PS之性質的感測器。在一實施例中，量測台並未經組態以固持基板W。微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(或載物台或支撐件) (例如，兩個或多於兩個基板台WT，或一或多個基板台WT與一或多個感測器或量測台之組合)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有兩個或多於兩個圖案化器件台(或載物台或支撐件)，例如，兩個或多於兩個支撐結構MT，其可以類似於基板台WT、感測器台及量測台之方式並行地使用。 參考圖1，照明器IL自輻射之源SO接收投影光束B。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置可為分開的實體。在此類情況下，不認為源SO形成微影裝置之部分，且投影光束B藉助於包含(例如)合適引導鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD視需要可被稱為輻射系統。 照明器IL可包含經組態以調整投影光束B之角強度分佈的調整器AD。大體而言，可調整至少照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用於調節投影光束B，以在其橫截面中具有所要均勻性及強度分佈。類似於源SO，可認為或可不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許將照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL可拆卸，且可單獨提供照明器(例如，由微影裝置製造商或另一供應商)。 投影光束B入射於固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且由圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，投影光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將投影光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動，(例如)以便定位投影光束B之路徑中的不同目標部分C。類似地，舉例而言，在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，可使用第一定位器件PM及另一位置感測器(圖1中未明確地描繪)以相對於投影光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。 通常，可藉助於均形成第一定位器件PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用均形成第二定位器件PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。長衝程模組經配置而以有限精度跨越長距離移動短衝程模組。短衝程模組經配置而以高精度跨越相對於長衝程模組的短距離移動支撐結構MT及/或基板台WT。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可被固定。 圖案化器件MA及基板W可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準。儘管基板對準標記P1、P2如所說明佔據專用目標部分，但其可位於目標部分C之間的空間中。位於目標部分C之間的空間中之標記被稱為切割道對準標記。類似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形中，光罩對準標記M1、M2可位於該等晶粒之間。 所描繪微影裝置可用於在以下使用模式中之至少一者中曝光基板W： 1. 在步進模式中，在將被賦予至投影光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。基板台WT隨後在X方向及/或Y方向(亦即，步進方向)上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至投影光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板平台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。 3. 在另一模式中，使支撐結構MT保持基本上靜止從而固持可程式化圖案化器件，且在將被賦予至投影光束B之圖案投影至目標部分C上時移動或掃描基板台WT。在此模式中，脈衝式輻射源通常被用作源SO，且視需要在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間在連續輻射脈衝之間更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同的使用模式。 用於在投影系統PS之最終元件與基板W之間提供液體之配置可分類成浸潤系統之三個一般類別。此等類別包括浴型(bath type)配置、局部化浸潤系統(localized immersion system)及全濕潤浸潤系統。本發明係關於局部化浸潤系統之使用。 局部化浸潤系統使用流體供應系統，在流體供應系統中，流體僅提供至基板W之局部化區域。在平面中，由流體填充之區域小於基板W之頂部表面，且填充有流體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼區域下方移動。彎液面控制特徵可存在以將流體密封於局部化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種被提議為此情形做準備之方式。彎液面控制特徵可為彎液面牽制特徵。 圖2示意性地描繪具有流體處置結構12 (其可亦被稱作流體侷限結構)之浸潤系統(其可另外被稱作局部化流體供應系統或流體處置系統)，流體處置結構12沿投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界的至少一部分延伸。除非另外明確陳述，否則在下文中對基板W之表面的提及另外或在替代方案中亦指基板台WT之表面。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間且可為諸如氣體密封件16之非接觸式密封件(歐洲專利申請公開案第EP 1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)。密封件可由彎液面控制特徵提供。 例如如圖2中所描繪，流體處置結構12至少部分地將流體侷限於投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11 (其可另外被稱作區)中。空間11至少部分地藉由定位於投影系統PS之最終元件之下且圍繞投影系統PS之最終元件的流體處置結構12而形成。流體由開口13引入至在投影系統PS之下且在流體處置結構12內之空間11中。流體可由開口13移除。流體由開口13引入至空間11中抑或由開口13自空間11移除可取決於基板W及基板台WT之移動方向。 可由氣體密封件16使流體限於空間11中，在使用期間，氣體密封件16形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。如圖3中所描繪，彎液面320在流體處置結構12下方之浸潤流體之邊緣處。另一彎液面400在流體處置結構12之頂部與投影系統PS之最終元件之間。氣體密封件16中之氣體經由入口15在壓力下提供至流體處置結構12與基板W之間的間隙。經由與出口14相關聯之通道抽取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空度及間隙之幾何形狀經配置以使得存在侷限流體之向內高速氣流。氣體作用於流體處置結構12與基板W之間的流體上之力將流體侷限於空間11中。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統，該美國專利申請公開案特此以全文引用之方式併入。 圖3在平面中示意性地說明包括流體處置結構12之浸潤系統的彎液面控制特徵，流體處置結構12可具有使用氣體拖曳原理之出口且本發明之一實施例可關於該流體處置結構12。說明彎液面控制特徵之特徵，該等特徵可(例如)替換由圖2中之入口15及出口14提供之氣體密封件16所描繪的彎液面控制特徵。圖3之彎液面控制特徵為抽取器之形式，例如，雙相抽取器。彎液面控制特徵包含複數個離散開口50。雖然每一開口50說明為圓形，但情況未必如此。實際上，形狀並非至關重要的，且開口50中之一或多者可為選自以下各者中之一或多者：圓形、橢圓形、直線性(例如，正方形或矩形)、三角形等，且一或多個開口可為細長的。 在開口50之徑向內部可能不存在彎液面控制特徵。彎液面320藉由至開口50中之氣流所誘發的拖曳力牽制於開口50之間。大於約15 m/s (理想地，約20 m/s)之氣體拖曳速度係足夠的。可減少流體自基板W蒸發之量，藉此減少流體之噴濺以及熱膨脹/收縮效應兩者。 流體處置結構之底部之各種幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號或美國專利申請案第US 2010-0313974號中所揭示之結構中之任一者可用於本發明之一實施例中。本發明之一實施例可應用於流體處置結構12，流體處置結構12在平面中具有任何形狀，或具有諸如以任何形狀配置之出口的組件。非限制性清單中之此類形狀可包括橢圓形(諸如，圓形)、直線性形狀(諸如，矩形，例如正方形)，或平行四邊形(諸如，菱形)，或具有多於四個拐角的有角形狀(諸如四角星或多於四角之星)，如圖3中所描繪。 已知微影裝置可包含流體處置結構12，流體處置結構12包含氣刀。可使用氣刀幫助將浸潤流體侷限於空間11。因此，氣刀可適用於防止浸潤流體自空間11逸出(此逸出可稍後導致缺陷)。提供強氣刀適用於防止膜拉伸，此係因為強氣刀將減少或防止在流體處置結構12後方拖曳之浸潤流體的量，且可更快地使膜破裂以減少留在流體處置結構12後方之浸潤流體的量。然而，當氣刀強時，此可使得氣刀之前進側上之缺陷更糟，此係因為在氣刀與基板W之表面上的浸潤流體之小滴碰撞時，強氣刀將不允許浸潤流體小滴在氣刀之內部傳遞。此意謂浸潤流體之小滴將由流體處置結構12之前進側向前推動，此可導致壓彎。因為膜拉伸及壓彎兩者均導致增加誤差且可能降低良率之缺陷，所以提供同時解決此等兩個問題之流體處置結構12係有益的。 在本發明中，提供一種浸潤微影裝置，其包含流體處置結構12。流體處置結構12可如上文(例如)關於圖3所描述。流體處置結構12經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統。氣刀系統可經組態以在使用中產生氣刀。氣刀可在空間11 (另外被稱作區)之徑向外部，且可促成侷限浸潤流體。氣刀系統包含各自具有退出口60的通道。在使用時，氣刀可由退出退出口60之氣體形成。退出口60形成平面圖中之形狀的至少一側。退出口60可形成平面圖中之形狀之至少一側、多側或所有側。舉例而言，退出口60可形成四角星之側，如圖3中所展示。該形狀可具有複數個側，例如，可提供任何適當的數目個側，例如3、4、5、6、7、8、9、10或更多個。如上文所描述，退出口60可形成任何形狀之側，且此並非特別限制性的。圖3將掃描方向110描繪為與四角星之兩角成直線，但情況可能並非如此。由氣刀形成之形狀可以任何所選定向與掃描方向110對準。如圖4中所描繪，通道包含具有複數個對應第一退出口60a之複數個第一通道70a及具有複數個對應第二退出口60b之複數個第二通道70b。氣刀在使用時由退出第一退出口60a及第二退出口60b之氣體形成。 在第一實施例中，至少一個第一通道70a及至少一個第二通道70b經組態以使得退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力。停滯壓力為在使用等熵過程使流體停止之情況下將達至的壓力。換言之，停滯壓力為流體之停滯點處的壓力，在停滯點處，流體速度為零且所有動能已藉由絕熱、可逆(亦即，等熵)過程轉換成壓力。不同停滯壓力意謂在使用時，基板W上之氣刀之停滯壓力變化，使得停滯壓力在具有由第一退出口60a供應之氣體的區域中更大且在具有由第二退出口60b供應之氣體的區域中更小。此與以下情形相關：在氣刀中具有「強噴射」，強噴射適用於產生去濕點以使膜破裂以減少膜拉伸，及具有「軟噴射」，從而減少壓彎。 對於先前已知裝置，已知增加氣刀之停滯壓力可減少流體處置結構12之後退側處的膜拉伸，然而，此可對流體處置結構12之前進側處的壓彎具有不良影響。因此，氣刀之停滯壓力的增加可能受限，且需要達至較高停滯壓力與較低停滯壓力之平衡。本發明之原理係關於混合沿流體處置結構12之一側的較高停滯壓力點與較低停滯壓力點，且較高與較低停滯壓力之混合取決於其係在前進側抑或後退側上而具有不同影響。提供「軟噴射」(亦即，低停滯壓力)可減少流體處置結構12之前進側處的壓彎，此係因為在壓彎確實發生時，浸潤流體之一些小滴可歸因於「軟噴射」而在氣刀之徑向內部移動。在具有均勻氣流及速度之已知裝置中，為了減少流體處置結構之前進側處的壓彎效應，有必要在各處減少來自氣刀之氣流。然而，減少氣體之停滯壓力可增加後退側處之膜拉伸。然而，在本發明中，歸因於「強噴射」(亦即，高停滯壓力)之存在，膜拉伸不會受減少的停滯壓力之負面影響。換言之，在本發明中，對於「軟噴射」，停滯壓力較低，其減少壓彎，但與將需要在各處減少整個氣刀之停滯壓力的已知裝置相比，使用「強噴射」改進了膜拉伸。 複數個第一退出口60a及複數個第二退出口60b可交纏且以直線配置。此意謂沿退出口之線(亦即，沿氣刀)可存在一些第一退出口60a及一些第二退出口60b。因此，氣刀由強噴射及軟噴射形成。如稍後描述，此可呈重複及/或均勻圖案(例如，交替第一退出口60a與第二退出口60b)。複數個第一退出口60a及第二退出口60b形成平面圖中之形狀的至少一側，如上文所描述。至少一個第一通道70a可意謂一個或複數個，可能意謂所有，例如各自具有所描述形狀之所有第一通道70a。此同樣適用於至少一個第二通道70b。 替代地，在實施例中，可比較退出第一退出口60a之氣體及退出第二退出口60b之氣體的速度(ν)，亦即，可參考速度而非停滯壓力。速度分別為退出第一氣體退出口60a之氣體在第一氣體退出口60a處及/或退出第二氣體退出口60b之氣體在第二氣體退出口60b處的退出速度。停滯壓力與退出第一退出口60a及第二退出口60b中之任一者之氣體的速度有關。停滯壓力之增加對應於ρν2 之增加，其中ρ為退出第一退出口60a及第二退出口60b之氣體的密度。因此，停滯壓力之變化與速度之變化有關，且速度可被用作退出第一退出口60a及第二退出口60b之氣體的參數，如以下實施例中所描述。將理解，將需要轉換值，但原理仍保持相同。 可存在任何數目個第一通道70a及第二通道70b，且第一退出口60a及第二退出口60b可由多種形狀形成，例如離散圓形孔，或其他形狀之孔，或狹縫等。 氣刀在使用時由退出第一退出口60a及第二退出口60b之氣體形成。換言之，氣刀在使用時由退出第一退出口60a及第二退出口60b中之兩者的氣體形成。以此方式，形成具有停滯壓力分佈的氣刀，且沿氣刀之停滯壓力分佈取決於沿氣刀之任何特定點處的氣體係退出第一退出口60a抑或第二退出口60b而變化。 此意謂氣刀自退出第一退出口60a及第二退出口60b之氣體形成，而此意謂形成氣刀之氣體取決於氣體穿過之通道而處於不同停滯壓力下。由此，氣刀之停滯壓力分佈並不沿氣刀之長度相同。 在第二退出口60b處，氣體在較低停滯壓力(亦即，軟噴射)下退出，此意謂存在於基板W之表面上的浸潤流體之小滴可能夠(例如)在流體處置結構12之前進側處穿過。因此，與氣刀碰撞的浸潤流體之小滴可穿過且可進入至空間11中。此可減少或防止被沿基板W之表面推動從而產生水印的小滴之數目。 在第一退出口60a處，氣體在較高停滯壓力(亦即，強噴射)下退出，此意謂氣體可形成高停滯壓力之離散點。氣刀之較高停滯壓力區域可(例如)在流體處置結構12之後退側處使歸因於膜拉伸而已形成的膜破裂。換言之，較高壓力之此等離散點滲透於下方的浸潤流體之膜中。此意謂，可減少或防止在流體處置結構12之後退側處沿基板W之表面拉伸浸潤流體的程度，此可減少或防止浸潤流體在基板W之表面在流體處置結構12下通過時被留下，且亦可減小基板W之表面上之膜的厚度。因此，取決於浸潤流體相對於流體處置結構12之位置，亦即，側係流體處置結構12之前進側抑或後退側，自第一退出口60a及第二退出口60b (氣體在不同停滯壓力下自其退出)形成氣刀可減少或防止膜拉伸及/或壓彎。 退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力可較佳為大致大於或等於5 mbar，或較佳大致大於或等於10 mbar。退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力可較佳為大致小於或等於500 mbar，或較佳大致小於或等於400 mbar。退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力可較佳大致在5 mbar與500 mbar之間，或更佳大致在10 mbar與400 mbar之間。退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力可較佳為大致大於或等於40 mbar，或較佳大致大於或等於100 mbar。退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力可較佳為大致小於或等於500 mbar，或較佳大致小於或等於400 mbar。退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力可較佳大致在40 mbar與500 mbar之間，或更佳大致在100 mbar與400 mbar之間。 至少一個第一通道70a可具有第一進入口65a，且至少一個第二通道70b可具有第二進入口65b。針對每一退出口可存在對應進入口。因此，第一通道70a可具有對應第一進入口65a及第一退出口60a，且第二通道70b可具有對應第二進入口65b及第二退出口60b。第一通道70a可具有多於一個進入口或退出口。第二通道70b可具有多於一個進入口或退出口。 第一通道70a與第二通道70b之間的間距可判定為自第一進入口65a之橫截面積之中心至第二進入口65b之橫截面積之中心的距離。如下文所描述，若使用第一通道70a及第二通道70b之不同圖案，則間距判定為鄰近進入口之橫截面積之中心之間的距離。間距可較佳大於或等於大致100 μm，或更佳大於或等於大致200 μm。間距可較佳小於或等於大致1000 μm，或較佳小於或等於大致500 μm，或更佳小於或等於大致400 μm。間距可較佳在大致100 μm與1000 μm之間，或較佳在大致100 μm與500 μm之間，或更佳地，間距可在大致200 μm與400 μm之間。 存在可改變不同退出口60a、60b處之停滯壓力的不同方式。舉例而言，第一通道70a及第二通道70b可連接至具有不同流動速率之不同氣體源，例如，至少一個第一通道70a可連接至第一氣體源，且至少一個第二通道70b可連接至第二氣體源。與退出第一退出口60a之氣體相比，可存在在減少之停滯壓力下自第二退出口60b提供氣體的其他方法。舉例而言，第一通道70a及/或第二通道70b可包含可變或固定限制器，該限制器允許在第一通道70a及/或第二通道70b中控制流動之量，且因此控制停滯壓力。 以下第二實施例中描述特定配置。除了本文中所描述的以外，第二實施例可與第一實施例相同。在第二實施例中，第一通道70a之形狀及第二通道70b之形狀可經組態以使得退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力。此可視情況為第一實施例中已描述之改變不同退出口60a及60b處之停滯壓力之方式的補充，或可作為替代方案。儘管可使用各種不同大小之通道，但可選擇第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及第二退出口60b中之每一者的橫截面積以便相對於退出第二通道70b之氣體的停滯壓力控制退出第一通道70a之氣體的停滯壓力。因此，此等橫截面積之大小中之一些可彼此相同，或可皆彼此不同。 在第二實施例中，第一比率為第一退出口對第一進入口之比率，且第二比率為第二退出口對第二進入口之比率。可藉由相對於第二比率控制第一比率來控制不同退出口處之停滯壓力。在此實施例中，第二比率大於第一比率。此意謂第二退出口60b與第二進入口65b之間的區域之比例差大於第一退出口60a與第一進入口65a之間的區域之比例差。如將自以下描述明確，此可包括其中第二退出口60b及第二進入口65b之橫截面積實質上恆定或其中第一退出口60a與第一進入口65a之間的橫截面積實質上恆定之變化。 第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及第二退出口60b之橫截面積可為情理之中的任何大小，只要大小係相對於彼此選擇以產生上文所描述之停滯壓力變化便可。舉例而言，第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及/或第二退出口60b中之至少一者之直徑可大於或等於大致50 μm，或更佳大於或等於大致70 μm。第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及/或第二退出口60b中之至少一者之直徑可小於或等於大致300 μm，或更佳小於或等於大致200 μm。第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及/或第二退出口60b中之至少一者之直徑可在大致50 μm與300 μm之間，或更佳在大致70 μm與200 μm之間。 在一實施例中，第一退出口65a之橫截面積大致等於或小於第一進入口60a之橫截面積，且第二退出口65b之橫截面積大致等於或大於第二進入口60b之橫截面積。當第二比率大於第一比率時，此意謂第一通道70a之橫截面積可自第一進入口60a至第一退出口65a減小，且第二通道70b可具有第二進入口60b及第二退出口65b之實質上相同的橫截面積，或第二通道70b之橫截面積可自第二進入口60b至第二退出口65b增大，或第一進入口60a及第一退出口60b之橫截面積實質上相同且第二通道70b之橫截面積可自第二進入口60b至第二退出口65b增大。 在第二實施例中，第一通道70a中之每一者具有第一進入口65a，且第二通道70b中之每一者具有第二進入口65b，且第一退出口60a具有大致與第一進入口65a相同的橫截面積，且第二退出口60b具有大於第二進入口65b之橫截面積。圖3中所描繪之退出口60可具有變化的退出口大小，如所描述使得經由第一退出口60a形成氣刀之氣體的停滯壓力不同於經由第二退出口60b形成氣刀之氣體的停滯壓力。如將自圖4所見，通過第二通道70b之氣流在其接近第二退出口60b時擴大，此可因此在氣流退出第二退出口60b以形成氣刀時減少氣體之停滯壓力。圖4描繪流體處置結構12沿氣刀之一部分之長度的橫截面。 第一進入口65a及第二進入口65b與共同歧管流體連通及/或連接至共同氣體源。舉例而言，氣體源75可將氣體提供至第一進入口65a及第二進入口65b。 圖4中描繪第二實施例。圖4描繪兩個第一通道70a及兩個第二通道70b。通道中之每一者之數目可大得多。 在此實施例中，可以許多不同方式形成通道之形狀及變化以便控制氣體退出第一退出口60a及第二退出口60b之相對停滯壓力。通道之形狀可影響退出氣體退出口60之氣體，且可選擇通道之內部形狀以達成所要停滯壓力或退出第一退出口60a之氣體與退出第二退出口60b之氣體之間的停滯壓力之比率。 舉例而言，可針對第二通道70b之全長增大第二通道70b之橫截面積。針對第二通道70b之全長，第二通道70b之橫截面積可保持相同或增大。換言之，第二通道70b之橫截面積可自第二進入口65b至第二退出口60b單調增大。第二通道70b之橫截面積可隨著自第二進入口65b之距離線性增大或與彼距離之較高次冪成比例增加。舉例而言，第二通道70b之直徑可線性增加，如圖4及圖5中所描繪。第二通道70b可形成自第二進入口65b至第二退出口60b之平截頭體形狀。 控制橫截面積之增大以避免穿過第二通道70b之氣體與第二通道70b之壁71b (其可另外被稱作側)分離可為有用的。穿過第一通道70a及第二通道70b之氣流可為層流的。控制橫截面積之變化可防止層流氣流與第二通道70b之壁71b分離。氣流之分離可導致擾流及氣刀之效率的損耗。 可藉由將第二通道70b之壁71b維持在較佳角範圍內來減少或避免分離。圖5中描繪圖4之第二通道70b的特寫。如所展示，第二通道70b可具有第二長軸SMA。第二長軸SMA可穿過第二進入口65b之橫截面積之中心及第二退出口60b之橫截面積之中心。可相對於通過第二通道70b之第二長軸SMA判定第二通道70b之壁71b的角度θ。第二通道70b之側對第二長軸SMA的角度θ可較佳在大致0.5°與7°之間。可選擇角度以控制退出第二氣體退出口60b之氣體的停滯壓力分佈。可使用已知製造技術(例如，藉由使用剝蝕技術或放電加工(EDM))來產生具有此大小之角度的通道。 替代地，並非橫截面積沿第二通道70b之長度增大(儘管處於恆定或變化的速率)，第二通道70b可由通道之具有恆定橫截面積的部分形成，如圖6中所描繪。舉例而言，第二通道70b可包含具有沿第一部分72b之長度之實質上均勻橫截面積的第一部分72b及具有沿第二部分73b之長度之實質上均勻橫截面積的第二部分73b。第二部分73b可具有大於第一部分73a之橫截面積。如圖6中所展示，此產生第一部分72b與第二部分73b之間的階梯形狀。 第二通道70b可實際上分成若干小部分，每一部分具有恆定橫截面積。儘管圖6僅描繪有兩個部分，但可使用任何數目個部分，只要該等部分之形狀致使退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力低於退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力便可。舉例而言，如上文所描述，此可意謂部分之橫截面積自第二進入口65b至第二退出口60b增大。恆定橫截面之部分之間的過渡可比圖6中所描繪更具漸次性。 以下第三實施例中描述特定配置。除了本文中所描述的以外，第三實施例可與第一實施例相同。在第三實施例中，第一通道70a之形狀及第二通道70b之形狀可經組態以使得退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力。此可視情況為第一實施例中已描述之改變不同退出口60a及60b處之停滯壓力之方式的補充，或可作為替代方案。第一通道70a中之每一者具有第一進入口65a，且第二通道70b中之每一者具有第二進入口65b，且第一進入口65a具有大於第一退出口60a之橫截面積，且第二退出口60b具有大致與第二進入口65b相同的橫截面積。基本上，此可導致退出第一氣體退出口60a之氣體與退出第二氣體退出口60b之氣體之間的停滯壓力差相同，如上文在第二實施例中所描述。然而，在此情況下，通過第一通道70a之氣流在其接近第一退出口60a時受侷限(例如，約束)，此可因此在氣流退出第一退出口60a以形成氣刀時增加氣體之停滯壓力。 第一進入口65a及第二進入口65b與共同歧管流體連通及/或連接至共同氣體源。舉例而言，氣體源75可將氣體提供至第一進入口65a及第二進入口65b。 圖7中描繪第三實施例。圖7描繪流體處置結構12沿氣刀之一部分之長度的橫截面。圖7描繪兩個第一通道70a及兩個第二通道70b。通道70中之每一者之數目可大得多。 在此實施例中，可以許多不同方式形成通道之形狀及變化以便控制氣體退出第一退出口60a及第二退出口60b之相對停滯壓力。通道之形狀可影響退出氣體退出口60之氣體，且可選擇通道之內部形狀以達成所要停滯壓力或退出第一退出口60a之氣體與退出第二退出口60b之氣體之間的停滯壓力之比率。 舉例而言，可針對第一通道70a之全長減小第一通道70a之橫截面積。第一通道70a之橫截面積可沿第一通道70a之全長保持相同或減小。換言之，第一通道70a之橫截面積可自第一進入口65a至第一退出口60a單調減小。第一通道70a之橫截面積可隨著自第一進入口65a的距離線性減小或與彼距離之較高次冪成比例減小。舉例而言，第一通道70a之直徑可線性減小，如圖7中所描繪。第一通道70a可形成自第一進入口65a至第一退出口60a之平截頭體形狀。 控制橫截面積之減小以避免穿過第一通道70a之氣體與第一通道70a之壁 (其可另外被稱作側)分離可為有用的。穿過第一通道70a及第二通道70b的氣體可為層流的。控制橫截面積之變化可防止層流氣流與第一通道70a之壁74a分離。氣流之分離可導致擾流及氣刀之效率的損耗。 可藉由將第一通道70a之壁74a維持在較佳角範圍內來減少或避免分離。圖8中描繪圖7之第一通道70a中之一者的特寫。如所展示，第一通道70a可具有第一長軸FMA，如圖8中所描繪。第一長軸FMA可穿過第一進入口65a之橫截面積之中心及第一退出口60a之橫截面積之中心。可相對於通過第一通道70a之第一長軸FMA判定第一通道70a之壁74a的角度θ。此可以類似於如圖5中針對第二實施例所描繪之方式加以判定。第一通道70a之側對第一長軸FMA的角度θ可較佳大於或等於大致0.5°。角度θ可較佳小於或等於大致30°，或更佳小於或等於大致10°。角度θ可較佳在大致0.5°與30°之間，或更佳地，角度θ可在大致0.5°與10°之間。可選擇角度以控制退出第一氣體退出口60a之氣體的停滯壓力分佈。可使用已知製造技術(例如，藉由使用剝蝕技術或放電加工(EDM))來產生具有此大小之角度的通道。 替代地，並非橫截面積沿第一通道70a之長度減小(儘管處於恆定或變化的速率)，第一通道70a可由通道之具有恆定橫截面積的部分形成，如圖9中所描繪。除了在本實施例中第一通道70a之大小自第一進入口65a至第一退出口60a減小之外，此類似於圖6針對第二實施例所描繪之變化。舉例而言，第一通道70a可包含具有沿第一部分之長度之實質上均勻橫截面積的第一部分及具有沿第二部分之長度之實質上均勻橫截面積的第二部分。第二部分可具有小於第一部分之橫截面積。如圖9中所展示，此產生第一部分與第二部分之間的階梯形狀。 第一通道70a可分成若干小部分，每一部分具有恆定橫截面積。儘管圖9僅描繪有兩個部分，但可使用任何數目個部分，只要該等部分之形狀致使退出第二退出口60b之氣體的停滯壓力低於退出第一退出口60a之氣體的停滯壓力便可。舉例而言，如上文所描述，此可意謂部分之橫截面積自第一進入口65a至第一退出口60a減小。恆定橫截面之部分之間的過渡可比圖9中所描繪更具漸次性。 在第四實施例中，第二通道70b可如關於第二實施例所描述而變化，且第一通道70a可如關於第三實施例所描述而變化。 提供強及軟噴射(亦即，使用如關於第一至第四實施例中之任一者所描述的第一退出口60a及第二退出口60b)可允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且可約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至徑向外部的位置。換言之，至少一個第一通道70a之形狀及至少一個第二通道70b之形狀可經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置，且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置。因此，由第一退出口60a及第二退出口60b形成之氣刀可具有與關於下文所描述之另一實施例中所提供之至少一個退出口200所描述相同的優點。特定言之，在流體處置結構12之前進側處，因為流體可穿過軟噴射，可允許浸潤流體自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置，且在流體處置結構12之後退側處，強噴射可約束浸潤流體自徑向內部之位置移動至徑向外部之位置。與使用處於較低停滯壓力下而不混合較高與較低停滯壓力之已知裝置中之氣刀的情況相比，強噴射可減少膜拉伸，如上文所描述。 在以上實施例中之任一者中，第一通道70a及第二通道70b之形狀並非特別限制性的，且此等通道可為任何形狀。舉例而言，第一進入口65a、第一退出口60a、第二進入口65b及/或第二退出口60b中之至少一者之橫截面可為大致圓形。提供貫穿第一通道70a及/或第二通道70b之圓形形狀可幫助減少或防止氣流分別與第一通道70a及/或第二通道70b之側分離。 在以上實施例中之任一者中，第一通道70a及第二通道70b可為交替的。換言之，在兩個第二通道70b之間可存在第一通道70a，且反之亦然。替代地，可按重複模式提供第一通道70a及第二通道70b。舉例而言，可提供後接續兩個第二通道70b，或三個第二通道70b，或四個第二通道70b等等之單一第一通道70a，且反之亦然。可存在後接續任何數目個第二通道70b之任何數目個第一通道70a。第一通道70a及第二通道70b之數目可相同，例如，可存在後接續一個第二通道70b之一個第一通道70a，或後接續兩個第二通道70b之兩個第一通道70a，或後接續三個第二通道70b之三個第一通道70a等等。每一類型之通道之數目可不相同，例如，可存在後接續三個第二通道70b之兩個第一通道70a等等。第一通道70a及第二通道70b之圖案可以所要方式配置以提供沿氣刀之長度的所要停滯壓力變化。 如上文所描述，在流體處置結構12相對於基板W移動之後，可留下浸潤流體。儘管如上文所描述變化氣刀之停滯壓力分佈可幫助減少留下之浸潤流體，但藉由考慮施加於浸潤流體之表面上的剪應力，有可能進一步減少此浸潤流體。 在以上實施例中之任一者中，第一退出口60a及第二退出口60b位於流體處置結構12之表面80上。在使用時，表面80可面向且實質上平行於基板W之頂部表面90。如上文所描述且如圖7中所描繪，第一通道70a可具有穿過第一進入口65a及第一退出口60a之橫截面積之中心的第一長軸FMA，且第二通道70b可具有穿過第二進入口65b及第二退出口60b之橫截面積之中心的第二長軸SMA。在使用時，第一長軸FMA及/或第二長軸SMA可與基板W之頂部表面90成一角度。此係關於圖10中之第一長軸FMA而描繪。換言之，第一通道70a及/或第二通道70b可為傾斜的。角度α可較佳大於或等於大致10°，或更佳大於或等於大致30°。角度α可較佳小於或等於大致75°，或更佳小於或等於大致60°。角度α可較佳在大致10°與75°之間，或更佳在大致30°與60°之間。 藉由提供傾斜的第一通道70a及/或第二通道70b，浸潤流體之表面上的剪應力可增大，且在第一退出口60a及/或第二退出口60b下方可存在入流。此入流可具有向內剪應力(可能為大的向內剪應力)，該向內剪應力可在使用時幫助浸潤流體之小滴在流體處置結構12中徑向向內傳遞，同時將浸潤流體維持在氣刀之徑向內部，亦即，將浸潤流體侷限於空間11內部。 在以上實施例中之任一者中，流體處置結構12可進一步包含在氣刀之徑向內部的流體抽取器。流體抽取器可具有至少一個抽取器退出口85。流體抽取器可相同於關於圖3所描述之抽取器，且抽取器退出口85可對應於開口50。抽取器退出口85可與第一退出口60a及第二退出口60b一樣在流體處置結構12之表面80上。在相同表面上意謂抽取器退出口85及第一退出口60a及/或第二退出口60b皆在流體處置結構12之同一側上，例如，在使用時面向基板W之頂部表面90的流體處置結構12之側。表面80可具有高度變化，如下文所描述。表面80可連接抽取器退出口85及第一退出口60a及/或第二退出口60b (例如)作為其之間的流體處置結構12之實體部分。在使用時，流體處置結構12之表面80可面向且實質上平行於基板W之頂部表面90。在表面80中可存在階梯，使得在使用時第一退出口60a及第二退出口60b與基板W的距離大於抽取器退出口85與基板W的距離，亦即，抬升氣刀。圖11中描繪一實例，圖11展示抽取器退出口85及第一通道70a中之一者的橫截面。沿氣刀之長度之不同點處獲取的不同橫截面可描繪第二通道70b而非第一通道70a。 階梯可為豎直階梯，如圖11中所描繪，或其可成角度，亦即，處於不同高度之表面80之部分之間的差可成角度，亦即傾斜。替代地，階梯可為彎曲的。改變第一退出口60a及第二退出口60b之高度可更改所得氣刀對基板W之表面的影響且可幫助減少缺陷。以此方式抬升氣刀可減少擾動力。抽取器退出口85與第一退出口60a (及第二退出口60b)之間的高度差可較佳大於或等於大致50 μm，或更佳大於或等於大致100 μm。抽取器退出口85與第一退出口60a (及第二退出口60b)之間的高度差可較佳小於或等於大致1000 μm，或更佳小於或等於大致600 μm。抽取器退出口85與第一退出口60a (及第二退出口60b)之間的高度差可較佳在大致50 μm與1000 μm之間，或更佳在大致100 μm與600 μm之間。 在以上實施例中之任一者中，可視情況提供氣體供應器開口86以在氣刀之徑向外部供應氣體。氣體供應器開口86描繪於圖11中，但可不存在於圖11中，或可關於先前圖式中之任一者之描述而存在。氣體供應器開口86可經組態以將氣體供應至鄰近於氣刀之區域。氣體供應器開口86與基板W之表面90的距離可相同於氣刀與表面90之距離，如圖11中所描繪。以此方式，氣體供應器開口86及氣刀之退出口(亦即，60a及60b)與基板W的距離可相同於抽取器退出口85與基板W的距離，或氣體供應器開口86及氣刀之退出口(亦即，60a及60b)與基板W的距離可不同於抽取器退出口85與基板W的距離。可供應氣體供應器開口86使得距基板之距離大於氣刀距基板之距離。此並未描繪。此意謂可在氣刀之退出口(亦即，60a及60b)與氣體供應器開口86之間提供如上文所描述之類似階梯。階梯可為豎直的、成角度的或彎曲的。 可根據以上實施例中之任一者提供器件製造方法。用於製造器件之方法可使用包含以上實施例中之任一者的微影裝置。舉例而言，器件製造方法可包含將經圖案化輻射光束投影至基板W上且使經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區(亦即，空間11)的步驟。器件製造方法可包含使用流體處置結構12將浸潤流體侷限於區之另一步驟。流體處置結構12包含氣刀系統，該氣刀系統在區之徑向外部產生氣刀。器件製造方法亦可包含使用氣刀系統之步驟，其中氣刀促成侷限步驟。氣刀系統包含各自具有退出口之一系列通道。氣刀可由退出退出口之氣體形成。通道包含具有複數個對應第一退出口60a之複數個第一通道70a及具有複數個對應第二退出口60b之複數個第二通道70b。至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。複數個第一通道及複數個第二通道可形成平面圖中之形狀之至少一側、多側或所有側。 如上文所描述，提供藉由減少或防止壓彎及/或膜拉伸來減少或防止缺陷之方式係有益的。第五實施例包括浸潤微影裝置，該浸潤微影裝置包含流體處置結構12。流體處置結構12經組態以侷限浸潤流體流動至空間11 (其可另外被稱作區)。流體處置結構12在使用中包含氣刀。氣刀可形成於空間11之徑向外部，且可經組態以促成侷限浸潤流體。流體處置結構包含至少一個退出口，且氣刀由退出至少一個退出口之氣體形成，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，其中至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。 形成平面圖中之側(形成氣刀)之至少一個退出口之幾何形狀可因此經組態以允許小滴在一個方向上移動且約束小滴在另一方向上之移動。平面圖中之幾何形狀(亦即，由平面圖中之至少一個退出口形成之側的形狀)可經組態以使得在浸潤流體之小滴自徑向外部之位置接近氣刀時，幾何形狀可允許浸潤流體之小滴移動至氣刀之徑向內部的位置。舉例而言，此可在側為流體處置結構12之前進側時發生。另外，幾何形狀可經組態以使得在浸潤流體之小滴自徑向內部之位置接近氣刀時，幾何形狀可約束浸潤流體之小滴移動至氣刀之徑向外部的位置。舉例而言，此可在側為流體處置結構12之後退側時發生。因此，同一側可控制浸潤流體之小滴的移動以取決於側係流體處置結構12之前進側抑或後退側而允許及約束移動。換言之，平面圖中之幾何形狀可經組態以在側為流體處置結構12之前進側時如所描述允許浸潤流體之小滴之移動，但在側為流體處置結構12之後退側時如所描述約束浸潤流體之小滴之移動。 允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置意謂若流體處置結構12接近基板W之表面上的浸潤流體之小滴，小滴可通過氣刀傳遞至流體處置結構12中，而非與小滴碰撞且沿基板W之表面向前推動小滴(此可致使缺陷)，因此減少或防止歸因於壓彎而出現缺陷。限制或防止浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置意謂在流體處置結構12相對於基板W移動之後，較少浸潤流體留在基板W之表面上，使得可減少或防止歸因於膜拉伸而出現之缺陷。 如上文所描述，對於先前已知裝置，已知增大氣刀之停滯壓力可減少膜拉伸，然而，此可對壓彎具有不良影響。因此，氣刀之停滯壓力的增加可能受限，且需要達至較高停滯壓力與較低停滯壓力之平衡。本實施例可將流體處置結構12之前進側處之壓彎(藉由允許小滴徑向向內移動)減少至仍可在流體處置結構12之後退側處使用高於可以其他方式藉由先前已知裝置實施之停滯壓力的程度。因此，可提供較高停滯壓力，且此可減少流體處置結構12之後退側處之膜拉伸，同時與使用已知裝置相比，最小化或維持流體處置結構12之前進側處之壓彎效應。此等優點可藉由在前進側上提供一個間隙210 (亦即，可提供多個間隙，但並不需要)來達成，此係因為前進側上之單一間隙可減少壓彎，且壓彎之減少可允許氣刀之總停滯壓力增加，使得後退側上之膜拉伸可歸因於增加的停滯壓力而減少。然而，具有多個間隙210之幾何形狀可改良所提供之優點。舉例而言，存在在平面圖中之形狀之每一側上具有至少一個間隙210的優點，使得可達成此等優點而無論流體處置結構12之移動方向(亦即，當流體處置在任何方向上移動時，在前進側上將存在間隙210)。 具有第五實施例中所描述之幾何形狀的氣刀可具有與第一至第四實施例中之軟及強噴射相同的優點。更詳言之，在第一至第四實施例中，小滴可歸因於前進側上之軟噴射而傳遞至氣刀之徑向內部，且在流體處置結構12之前進側上提供間隙210將允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置，從而提供與減少壓彎相關之相同優點。另外，在第一至第四實施例中，可藉由後退側上之強噴射防止小滴向氣刀之徑向外部移動，且當如上文所描述提供約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之間隙210時，氣刀可處於較高停滯壓力下，且因此提供與減少的膜拉伸相關的相同優點。另外，使用如本文中所描述的幾何形狀提供間隙210之優點在於，儘管間隙210在處於前進側上時允許小滴進入，但間隙210在處於後退側上時仍可防止或約束小滴向外移動。因此，當間隙210提供於後退側上時，可減少或防止膜拉伸。 已知流體處置結構通常具有退出口，其中退出退出口之氣體形成氣刀。一般而言，已知氣刀由成直線或形成連續形狀之退出口形成。在第五實施例中，至少一個退出口之幾何形狀(亦即，平面圖中之形狀之側的幾何形狀)以提供允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置之佈局的方式組態，且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置。換言之，平面圖中之側之組態提供此功能。 更具體言之，流體處置結構12包含至少一個退出口200，且氣刀可由退出至少一個退出口200之氣體形成。至少一個退出口200經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀，或更具體言之，形成平面圖中之形狀之側。舉例而言，形狀可類似於圖3中所描繪之形狀，且至少一個退出口200可對應於圖3中所描繪之退出口60。應注意，第五實施例中所提及之退出口200可或可不具有如關於第一、第二、第三及/或第四實施例所描述而塑形之通道。無論以何種方式，氣刀可歸因於至少一個退出口200之幾何形狀而形成多種形狀。 在第五實施例中，可沿平面圖中之形狀之側中之至少一者形成間隙210。(圖3中未描繪此間隙。)圖12a中展示間隙210。圖12a為形狀之側中之一者之至少一部分的特寫。舉例而言，圖12a可描繪圖3中之四角星形狀之右下側之至少一部分的特寫，但該部分經更改以包括間隙210。間隙210經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置。舉例而言，間隙210可提供開口，在開口中，在流體處置結構12之前進側處與流體處置結構12碰撞的基板W之表面上的小滴可在流體處置結構12下傳遞且可進入空間11。此小滴之可能移動由圖12a中之箭頭A2指示。當流體處置結構12達至在氣刀之徑向外部的浸潤流體之小滴時，小滴可歸因於相對移動而沿氣刀之邊緣移動，且當小滴達至間隙210時，小滴可向氣刀之內部移動。 可存在沿平面圖中之形狀之側中之至少一者形成的多個間隙210。在多於一側上可存在至少一個間隙210。若間隙210形成於其他側上，則間隙210處之至少一個退出口200之形狀可經鏡像或旋轉以在氣刀之不同部分處提供相同效應。在一實例中，由氣刀形成之形狀為四角星形狀，如圖3中所描繪，且存在形成於每一側上之多個間隙210。每一側上之間隙210之數目可相同。可存在任何實際數目個間隙210，例如，在每一側上可存在1個、2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個或更多個間隙210。 當基板W與流體處置結構12之間的相對移動在使得側為流體處置結構12之前進側的方向上時，沿氣刀之邊緣推動在該側前方的浸潤流體之小滴，此可產生缺陷(亦即，壓彎)。間隙210允許浸潤流體之小滴自氣刀之外部的位置傳遞至氣刀之內部的位置以減少壓彎。浸潤流體之小滴達至氣刀之點與允許小滴向內移動之間隙210之間的距離被稱作平均小滴距離。在穿過間隙210之前，小滴沿氣刀之邊緣的移動仍可導致壓彎。沿同一側提供多個間隙210可為有益的。平均小滴距離可經最佳化，亦即，足夠大以捕捉浸潤流體之小滴，以便減少壓彎。 間隙210可在大致200 μm與1000 μm之間。此等為例示性值，且間隙210之大小可選自任何合理的值以最佳化允許浸潤流體進入氣刀之徑向內部的可能性。 包含間隙210之側之至少一部分可包含沿彼側之兩個端部部分220、230，且間隙210可形成於至少一個退出口200之兩個端部部分220、230之間。兩個端部部分220、230可形成形狀之至少一部分。在兩個端部部分中，第一端部220可包含彎曲部。彎曲部可為彎曲部分，如圖12a中所描繪。第一端部部分220可經組態以約束留下的浸潤流體之小滴在流體處置結構12之後退側處自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置。此小滴之可能移動由圖12a中之箭頭A1指示。此小滴移動可在基板W相對於流體處置結構12在與掃描方向相反之方向上移動時發生，其中掃描方向由圖12a中之箭頭110描繪。第一端部部分220可僅稍微彎曲，如圖12a中所描繪。第一端部部分220可更加彎曲且可形成U形或鉤形。第一端部部分220可為筆直的，但端部可與開口之彼部分之其餘部分成一角度。換言之，第一端部部分220可包含兩個筆直部分之間的彎曲部。 若存在多個間隙210，則可存在多個端部部分220、230，且特別是各自包含彎曲部之多個端部部分220。 第一端部部分220經定位以使得在浸潤流體之小滴自流體處置結構12向外傳遞的情況下，小滴將遇到氣刀之部分且將被收集於第一端部部分220中。第一端部部分220可收集浸潤流體之小滴及/或將其重導向。流體處置結構12可視情況包含用以移除已由第一端部部分220聚攏之小滴的小滴抽取器240。小滴抽取器240可類似於上文關於圖3所描述之抽取器。舉例而言，小滴抽取器240可為雙相抽取器。儘管小滴抽取器240描繪於圖12a中，但此為視情況選用的，且可提供於其他圖式(例如，圖12b)中。可存在多個第一端部部分220。當存在間隙210時，可存在相同數目個第一端部部分220。 兩個端部部分中的另一者可視情況為筆直端部部分230。此可有利於(例如)在基板W相對於流體處置結構12在掃描方向110上行進時在圖12a中之移動A2之後允許小滴進入氣刀之內部。此允許小滴在流體處置結構12之前進側處進入氣刀之內部。 在第五實施例中，在使用時，基板W可相對於流體處置結構12在掃描方向110上移動。至少一個退出口200之形狀之一部分可與至少一個退出口200之其它部分重疊。舉例而言，在垂直於掃描方向110之平面中，端部部分230或220中之一者可經定位以與另一端部部分220或230重疊。此可意謂在垂直於掃描方向110之平面中不存在間隙。換言之，在掃描方向110上(亦即，若沿掃描方向檢視)，在端部部分220與230中之每一者之尖端之間不存在間隙。換言之，在掃描方向110上(亦即，若在圖12a中之掃描方向110上檢視)，端部部分220與230相互重疊。 具有重疊(亦即，沿掃描方向110無間隙)意謂若小滴在氣刀之內部，且流體處置結構12沿掃描方向110移動，則無論小滴位於何處，其都將遇到氣刀。只要基板W相對於流體處置結構12平行於掃描方向110移動，小滴就很可能相對於流體處置結構12平行於掃描方向110移動且將因此達至(例如)如由端部部分230或220形成之氣刀之一部分。此幫助約束或甚至防止浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置。 圖12a將至少一個退出口200描繪為狹縫。舉例而言，由至少一個退出口200形成之形狀可為具有間隙210的連續形狀，如圖12a中所描繪。至少一個退出口200可形成為流體處置結構12中之隙縫(亦即，連續凹槽)，氣體經由該隙縫退出。替代地，氣刀之至少部分可由退出複數個退出口之氣體形成。若至少一個退出口200由隙縫形成，則平面圖中之形狀可由一個連續隙縫形成，其中間隙210僅形成於一側上。因此，當流體處置結構12經定向以使得間隙210在前進側上時，幾何形狀經組態以允許浸潤流體之小滴在氣刀之徑向內部移動，而當流體處置結構12經定向以使得間隙210在後退側上時，幾何形狀經組態以約束浸潤流體之小滴在氣刀之徑向外部移動。間隙210可形成於隙縫之第一端部與隙縫之第二端部之間。舉例而言，由至少一個退出口200形成為實質上連續隙縫之形狀可為菱形，但沿形狀之一側，間隙210可形成於隙縫之兩個端部之間，諸如圖12a中所描繪之彼等者。 舉例而言，至少一個退出口200可為許多離散開口，如圖12b中所描繪。氣體以與上文所描述相同的方式退出開口以形成氣刀。儘管開口描繪為圓形，但其可為任何形狀，且此並非特別限制性的。若氣刀由複數個開口形成，則間隙210可寬於兩個鄰近開口之邊緣之間的距離。間隙210可比兩個鄰近開口之邊緣之間的距離大1倍。間隙可高達兩個鄰近開口之邊緣之間的距離之大致5倍。 在第五實施例中，替代或並且提供上文所描述之幾何形狀，至少一個退出口200可包含複數個離散開口，且(例如)取決於側係流體處置結構12之前進側抑或後退側，可選擇並改變開口中之每一者之間的距離及開口中之每一者之大小，以便允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置，且開口中之每一者之間的距離及開口中之每一者之大小經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置。舉例而言，至少一個退出口200可由如上文(例如)在段落[0053]中所描述之第一退出口60a及第二退出口60b替換。 在第五實施例中，如上文所描述，在流體處置結構12相對於基板W移動之後，浸潤流體可在流體處置結構12之後退側處留下。儘管如上文所描述變化氣刀之停滯壓力可幫助減少留下之浸潤流體，但藉由考慮施加於浸潤流體之表面上的剪應力，有可能進一步減少此浸潤流體。 在第五實施例中，至少一個退出口200位於流體處置結構12之表面上，該表面可類似於圖8及圖9中所描繪之表面80。在使用時，表面80可面向且實質上平行於基板W之頂部表面90，如圖13中所描繪。至少一個退出口200可具有穿過至少一個退出口200之橫截面積之中心的長軸。在使用時，至少一個退出口200之長軸可與基板W之頂部表面90成一角度。除了第一通道70a由至少一個退出口200替換之外，此在橫截面方面可似乎相同於圖10。換言之，至少一個退出口200可為傾斜的。角度α可較佳大於或等於大致10°，或更佳大於或等於大致30°。角度α可較佳小於或等於大致75°，或更佳小於或等於大致60°。角度α可較佳在大致10°與75°之間，或更佳在大致30°與60°之間。 藉由提供傾斜的至少一個退出口200，浸潤流體之表面上的剪應力可增大，且在至少一個退出口200下方可存在入流。此入流可具有向內剪應力(可能為大的向內剪應力)，該向內剪應力可在使用時在前進側上時幫助浸潤流體之小滴在流體處置結構12中徑向向內傳遞，且在後退側上時將浸潤流體維持在氣刀之徑向內部，亦即，將浸潤流體侷限於空間11內部且侷限浸潤流體之小滴向氣刀之徑向外部移動。 在第五實施例中，流體處置結構12可進一步包含在氣刀之徑向內部的流體抽取器。流體抽取器可具有至少一個抽取器退出口85。流體抽取器可相同於關於圖3所描述之抽取器，且抽取器退出口85可對應於開口50。抽取器退出口85可與至少一個退出口200一樣在流體處置結構12之表面80上。圖14中描繪一實例，圖14展示抽取器退出口85及至少一個退出口200之橫截面。如可見，除了第一通道70a (及第二通道70b)由至少一個退出口200替換之外，此在橫截面方面可似乎相同於圖11，如上文所描述。在相同表面80上意謂抽取器退出口85及至少一個退出口200皆在流體處置結構12之同一側上，例如，在使用時面向基板W之頂部表面90的流體處置結構12之側。表面80可具有高度上的變化，如下文所描述。表面80可提供抽取器退出口85與第一退出口60a及/或第二退出口60b之間的連接。換言之，抽取器退出口85、第一退出口60a及/或第二退出口60b可提供於同一表面80上，表面80為流體處置結構12之一個組件上的連續表面。在使用時，流體處置結構12之表面80可面向且實質上平行於基板W之頂部表面90。在表面80中可存在階梯，使得在使用時至少一個退出口200與基板W的距離大於抽取器退出口85與基板W的距離，亦即，抬升氣刀。 階梯可為豎直階梯，如圖14中所描繪，或其可成角度，亦即，處於不同高度之表面80之部分之間的差可成角度，亦即傾斜。替代地，階梯可為彎曲的。改變至少一個退出口200之高度可更改所得氣刀對基板W之表面的影響且可幫助減少缺陷。以此方式抬升氣刀可減少擾動力。抽取器退出口85與至少一個退出口200之間的高度差可較佳大於或等於大致50 μm，或更佳大於或等於大致100 μm。抽取器退出口85與至少一個退出口200之間的高度差可較佳小於或等於大致1000 μm，或更佳小於或等於大致600 μm。抽取器退出口85與至少一個退出口200之間的高度差可較佳在大致50 μm與1000 μm之間，或更佳在大致100 μm與600 μm之間。 在第五實施例中，可視情況提供氣體供應器開口86以在氣刀之徑向外部供應氣體。可在氣刀之外部提供氣體供應器開口86。氣體供應器開口86可或可不具備第五實施例之任何變化。氣體供應器開口86可經組態以將氣體供應至鄰近於氣刀之區域。氣體供應器開口86與基板W之表面90的距離可相同於氣刀與表面90之距離，如圖14中所描繪。如可見，除了第一通道70a (及第二通道70b)由至少一個退出口200替換之外，圖14實質上與圖11相同，如上文所描述。以此方式，氣體供應器開口86及至少一個退出口200與基板W的距離可相同於抽取器退出口85與基板W的距離，或氣體供應器開口86及至少一個退出口200與基板W的距離可不同於抽取器退出口85與基板W的距離。可 供應氣體供應器開口86，使得其距基板W之距離大於氣刀距基板之距離。此並未描繪。此意謂可在至少一個退出口200與氣體供應器開口86之間提供如上文所描述之類似階梯。階梯可為豎直的、成角度的或彎曲的。 可根據第五實施例提供器件製造方法。用於製造器件之方法可使用包含與第五實施例相關之任何變化的微影裝置。舉例而言，器件製造方法可包含：將經圖案化輻射光束投影至基板上，其中經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區；使用浸潤系統之流體處置結構將浸潤流體侷限於區，其中流體處置結構包含氣刀系統；及使用氣刀系統在區之徑向外部產生氣刀，其中氣刀促成侷限步驟，且流體處置結構包含至少一個退出口，且氣刀由退出至少一個退出口之氣體形成，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，其中至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。 另一器件製造方法可包含：將經圖案化輻射光束投影至基板上，其中經圖案化輻射光束穿過浸潤流體之區；使用浸潤系統之流體處置結構將浸潤流體侷限於區，其中流體處置結構包含氣刀系統；及在區之徑向外部產生氣刀，其中流體處置結構包含至少一個退出口，至少一個退出口經配置以便形成氣刀，氣刀形成平面圖中之形狀的一側，其中該側包含沿彼側之兩個端部部分，且間隙形成於沿平面圖中之形狀之彼側的兩個端部部分之間，且端部部分中之一者包含彎曲端部部分，且其中在使用時，基板在掃描方向上相對於流體處置結構移動，且形狀與自身重疊，使得間隙在垂直於掃描方向之平面中不可見。 應注意，第五實施例之任何變化可與上文所描述之任何變化，且尤其是第一、第二、第三及/或第四實施例中之任一者組合使用。舉例而言，第一退出口60a及第二退出口60b可用於提供至少一個退出口200。 在以上實施例中之任一者中，可提供至少一個額外氣體出口300，如圖15中所描繪。除了多個額外氣體出口300以外，圖15與圖3相同。可藉由上文所描述之實施例中之任一者(例如，藉由本文中將描述之第一至第四實施例中之任一者)提供至少一個額外氣體出口300。至少一個額外氣體出口300可位於彎液面控制特徵(如由圖15中之離散開口50所描繪)與氣刀之間。關於第一至第四實施例，氣體出口300可在彎液面控制特徵與退出口60之間。在此內容背景中，詞語「在之間」意謂彎液面控制特徵之徑向外部，及退出口60之徑向內部。 如先前所描述，基板W可相對於流體處置結構12移動，浸潤流體可在流體處置結構12後方(例如，在流體處置結構12之後退側處)拖曳。當浸潤流體之彎液面在基板W之表面上方斷裂時，流體膜留在基板W上。膜跨越流體處置結構12之尾側/後退側之全長收縮。收縮膜將以三角形圖案破裂成基板W上之小滴。尾側取決於基板W之相對移動而可為流體處置結構12之任一側。若基板W與流體處置結構12之間的相對移動之方向改變，則尾側可改變。此等浸潤流體小滴可導致水印缺陷，如上文所描述。然而，已發現沿流體處置結構12之尾側之長度提供乾燥點可幫助減少由浸潤流體膜之收縮導致的水印缺陷。 如所提及，至少一個額外氣體出口300可用於在彎液面控制特徵與氣刀之間提供氣體。額外氣體出口300可為用於提供氣體之離散開口。舉例而言，由至少一個額外氣體出口300提供之氣體可為CO2 氣體。可提供氣體以沿流體處置結構12之尾側之長度產生局部乾燥點。退出額外氣體出口300之氣體的停滯壓力可大致相同於或大於在使用中退出形成氣刀之退出口60之氣體的停滯壓力。 藉由產生或促進乾燥點，膜可沿流體處置結構12之尾側之長度破裂成較小的分開的膜。較小的分開的膜可自沿流體處置結構12之尾側之長度的若干位置收縮而非跨越流體處置結構12側尾側之全長收縮。若干較小部分中之收縮可導致小滴在基板W之表面上形成較小收縮三角形圖案。此可因此減少浸潤流體之總量及/或留在基板W之表面上的小滴之數目。換言之，較小三角形圖案中之浸潤流體之總量少於在由沿流體處置結構12之尾側之全長收縮之膜形成小滴之較大三角形圖案的情況下浸潤流體之量。因此，可提供至少一個額外氣體出口300以促進彎液面控制特徵與氣刀之間的乾燥點以減少留在基板W上之浸潤流體。 有可能僅使用一個額外出口300產生此效應。舉例而言，沿流體處置結構12之尾側置放一個額外氣體出口300可意謂浸潤流體在兩個分開的膜部分而非一個膜部分中收縮。額外氣體出口300可較佳經定位以將流體處置結構12之尾側之長度分成相等部分。舉例而言，可在沿流體處置結構12之尾側的大致中心位置中提供額外氣體出口300。替代地，可提供多於一個額外氣體出口300。舉例而言，可提供流體處置結構12之多個側或每一側上之一個額外氣體出口300。1個、2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個、10個等或多達50個或甚至更多個額外氣體出口300可提供於至少一個、多個或所有側上。流體處置結構12之不同側上可存在不同數目個額外氣體出口300，或至少兩個側可具有彼此相同的數目個額外氣體出口300。額外氣體出口300之數目並非特別限制性的，且可使用任何適當的數目。具有較大數目個額外氣體出口300意謂留在基板W上之浸潤流體的量可進一步減少，且其餘浸潤流體留在基板W上之區域可朝向基板W之外部邊緣定位。 間距可判定為自一個額外氣體出口300之中心至鄰近額外氣體出口300之中心的距離。此很可能沿流體處置結構12之單側判定。該間距可大於鄰近退出口60之間的間距大致20倍與100倍之間。間距可大於或等於大致1 mm。最大間距可由流體處置結構12之一側之長度界定，在該側中僅提供一個額外氣體出口300。換言之，若僅沿一側提供一個額外氣體出口300，則最大間距不大於一側之長度。作為一實例，若在一側之中間提供額外氣體出口300，則間距將為該側之長度的一半。另外，膜拉伸時間之長度將隨著沿尾側提供數個額外氣體出口300而減小。膜拉伸時間可為氣刀向外向基板W上丟失水滴之時間。當流體開始在氣刀與彎液面控制特徵之間收縮時，此膜拉伸時間停止。可取決於基板W之表面上的浸潤流體小滴之經估計或經量測形成而選擇間距。 儘管未描繪，但可藉由第五實施例提供至少一個額外氣體出口300。除了額外氣體出口300可提供於抽取器退出口85(其可對應於彎液面控制特徵)與至少一個退出口200 (用以替換上文所描述之退出口60)之間之外，此可實質上與上文所描述相同。在此內容背景中，詞語「在之間」意謂彎液面控制特徵之徑向外部，及至少一個退出口200之徑向內部。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在積體電路製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板W且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板W。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可多於一次地處理基板W，例如，以便產生多層積體電路，使得本文中所使用之術語基板W亦可指已含有多個經處理層之基板W。 在實施例之任一者中，用於氣刀及/或由氣體供應器開口供應之氣體可為任何適合氣體。最佳地，氣體包含CO2 ，或為純CO2 。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中任一者或組合。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。 本發明之一或多個實施例可用於器件製造方法中。 應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。其可包含一或多個結構之組合，一或多個流體開口(包括一或多個液體開口)、一或多個氣體開口或用於雙相流動之一或多個開口。開口可各自為至浸潤空間中之入口(或自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或至流體處置結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵之一或多個元件。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧流體處置結構
13‧‧‧開口
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧氣體密封件
50‧‧‧開口
60‧‧‧退出口
60a‧‧‧第一退出口
60b‧‧‧第二退出口
65a‧‧‧第一進入口
65b‧‧‧第二進入口
70a‧‧‧第一通道
70b‧‧‧第二通道
71b‧‧‧壁
72b‧‧‧第一部分
73b‧‧‧第二部分
74a‧‧‧壁
75‧‧‧氣體源
80‧‧‧表面
85‧‧‧抽取器退出口
86‧‧‧氣體供應器開口
90‧‧‧頂部表面
110‧‧‧掃描方向
200‧‧‧退出口
210‧‧‧間隙
220‧‧‧端部部分
230‧‧‧端部部分
240‧‧‧小滴抽取器
300‧‧‧氣體出口
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧彎液面
A1‧‧‧箭頭
A2‧‧‧箭頭
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧投影光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
FMA‧‧‧第一長軸
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件
SMA‧‧‧第二長軸
SO‧‧‧源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
α‧‧‧角度
θ‧‧‧角度
現將參考隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2描繪供用於微影投影裝置中之浸潤系統； 圖3描繪平面圖中之流體處置結構之一實施例，該流體處置結構包括形成氣刀之氣體的退出口； 圖4描繪實施例中之一者之流體處置結構沿氣刀之一部分之長度的橫截面； 圖5描繪圖4之一部分的特寫； 圖6描繪圖5中所描繪之通道之形狀的變化； 圖7描繪實施例中之一者之流體處置結構沿氣刀之一部分之長度的橫截面； 圖8描繪圖7之一部分的特寫； 圖9描繪圖8中所描繪之通道之形狀的變化； 圖10描繪圖4至圖9中所描繪之通道中之一者之變化的特寫； 圖11描繪流體處置結構之橫截面； 圖12a及圖12b展示根據實施例中之一者之平面圖中的流體處置結構之一部分； 圖13描繪圖12a及圖12b中所描繪之通道中之一者之變化的特寫； 圖14描繪流體處置結構之橫截面； 圖15描繪圖3中所描繪之流體處置結構的變化。

Claims (11)

  1. 一種浸潤微影裝置，其包含一流體處置結構，該流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於一區且包含： 一彎液面(meniscus)控制特徵，其在該流體處置結構之一表面上具有一抽取器退出口(extractor exit)；及 該抽取器退出口之徑向外部之一氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有一退出口之通道，該等通道包含在該表面上具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有在該表面上之該等第一退出口之徑向外部之複數個對應第二退出口之複數個第二通道， 其中在曝光期間該表面面向且實質上平行於一基板之一頂部表面，且該第一退出口及該第二退出口經配置以與該基板之一距離大於該抽取器退出口與該基板之一距離。
  2. 如請求項1之浸潤微影裝置，其進一步包含在該彎液面控制特徵與該氣刀系統之間之至少一個額外氣體出口。
  3. 一種浸潤微影裝置，其包含一流體處置結構，該流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於一區且包含： 一彎液面控制特徵，其在該流體處置結構之一表面上具有一抽取器退出口；及 該抽取器退出口之徑向外部之一氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有一退出口之通道，該等通道包含在該表面上具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有在該表面上之該等第一退出口之徑向外部之複數個對應第二退出口之複數個第二通道；及 至少一個額外氣體出口，其在該彎液面控制特徵與該氣刀系統之間。
  4. 如請求項2或3之浸潤微影裝置，其中該額外氣體出口係形成為一離散(discrete)開口且經組態以提供氣體以沿該流體處置結構之一尾側(trailing side)之長度產生局部乾燥點。
  5. 如請求項4之浸潤微影裝置，其中該氣體包含CO2 氣體。
  6. 如請求項2或3之浸潤微影裝置，其中退出該額外氣體出口之氣體之停滯(stagnation)壓力大致相同於或大於退出該氣刀系統之氣體之停滯壓力。
  7. 如請求項2或3之浸潤微影裝置，其中該至少一個額外氣體出口具有大於鄰近之第一退出口及/或與第二退出口之間的間距大致20倍至100倍之一間距。
  8. 如請求項2或3之浸潤微影裝置，其中退出該第一退出口之氣體之停滯壓力大於退出該第二退出口之氣體之停滯壓力。
  9. 2或3之浸潤微影裝置，其中該複數個第一通道之至少一者具有一第一進入口，且該複數個第二通道之至少一者具有一第二進入口，且一第一比率為該對應第一退出口對該第一進入口之比率，且一第二比率為該對應第二退出口對該第二進入口之比率，且該第二比率大於該第一比率。
  10. 如請求項9之浸潤微影裝置，其中該第一通道具有穿過該第一進入口及該第一退出口之一橫截面積之中心的一第一長軸(major axis)，且該第二通道具有穿過該第二進入口及該第二退出口之一橫截面積之中心的一第二長軸，其中該第一長軸及/或該第二長軸與該基板之該頂部表面成一角度，且該角度在大致(approximately)10°與75°之間。
  11. 如請求項9之浸潤微影裝置，其中該第一通道具有穿過該第一進入口及該第一退出口之一橫截面積之中心的一第一長軸，且該第二通道具有穿過該第二進入口及該第二退出口之一橫截面積之中心的一第二長軸，其中該第一長軸及/或該第二長軸與該基板之該頂部表面成一角度，且該角度在大致30°與60°之間。
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