JP6606618B2 - 流体ハンドリング構造及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は2016年1月13日に提出された欧州出願第16151117.5号、2016年2月4日に提出された欧州出願第16154229.5号、及び2016年6月9日に提出された欧州出願第16173708.5号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
−放射ビーム(例えば、UV放射、DUV放射、又は任意の他の適切な放射)である投影ビームBを調整するように構成された照明装置(他に照明システムとも呼ばれる)ILと、
−パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続される支持構造(例えば、マスク支持構造/マスクテーブル)MTと、
−支持テーブル、例えば1つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、及び/又は、基板Wを特定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された、基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WT若しくは「基板サポート」と、
−基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上にパターニングデバイスMAによって投影ビームBに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
Claims (11)
- 液浸リソグラフィ装置中の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造は、液浸流体をある領域に閉じ込めるように構成されており、
前記流体ハンドリング構造の表面上に抽出器出口を有するメニスカス制御フィーチャと、
前記抽出器出口の半径方向外側のガスナイフシステムであって、各々が出口を有する通路を備え、前記通路は、前記表面上に複数の対応する第1の出口を有する複数の第1の通路と、前記表面上の前記第1の出口の半径方向外側に複数の対応する第2の出口を有する複数の第2の通路とを備えている、ガスナイフシステムと、
前記メニスカス制御フィーチャと前記ガスナイフシステムとの間に少なくとも1つの追加的なガスアウトレットとを備え、
前記表面は、露光の間、基板の上面に対向し、及びほぼ平行であり、前記第1の出口及び前記第2の出口は前記抽出器出口よりも前記基板から遠い距離に配置されている、流体ハンドリング構造。 - 液浸リソグラフィ装置中の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造は、液浸流体をある領域に閉じ込めるように構成されており、
前記流体ハンドリング構造の表面上に抽出器出口を有するメニスカス制御フィーチャと、
前記抽出器出口の半径方向外側のガスナイフシステムであって、各々が出口を有する通路を備え、前記通路は、前記表面上に複数の対応する第1の出口を有する複数の第1の通路と、前記表面上の前記第1の出口の半径方向外側に複数の対応する第2の出口を有する複数の第2の通路とを備えている、ガスナイフシステムと、
前記表面は、露光の間、基板の上面に対向し、及びほぼ平行であり、前記第1の出口及び前記第2の出口は前記抽出器出口よりも前記基板から遠い距離に配置されており、
前記第1の出口を出ていくガスのよどみ圧は、前記第2の出口を出ていくガスのよどみ圧より高い、流体ハンドリング構造。 - 前記メニスカス制御フィーチャと前記ガスナイフシステムとの間に少なくとも1つの追加的なガスアウトレットをさらに備える、請求項2の流体ハンドリング構造。
- 液浸リソグラフィ装置中の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造は、液浸流体をある領域に閉じ込めるように構成されており、
前記流体ハンドリング構造の表面上に抽出器出口を有するメニスカス制御フィーチャと、
前記抽出器出口の半径方向外側のガスナイフシステムであって、各々が出口を有する通路を備え、前記通路は、前記表面上に複数の対応する第1の出口を有する複数の第1の通路と、前記表面上の前記第1の出口の半径方向外側に複数の対応する第2の出口を有する複数の第2の通路とを備えている、ガスナイフシステムと、
前記メニスカス制御フィーチャと前記ガスナイフシステムとの間に少なくとも1つの追加的なガスアウトレットと、を備える、流体ハンドリング構造。 - 前記追加的なガスアウトレットは、離散した開口として形成されており、前記流体ハンドリング構造のトレーリング側の長さに沿って局所的なドライスポットを作り出すようにガスを提供するように構成されている、請求項3又は4に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記ガスはCO2ガスを含む、請求項5に記載の流体ハンドリング構造。
- 前記追加的なガスアウトレットを出ていくガスのよどみ圧は、前記ガスナイフシステムを出ていくガスのよどみ圧と概ね同じであるかそれより高い、請求項3から6のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記少なくとも1つの追加的なガスアウトレットは、隣り合う第1の出口及び/又は第2の出口の間のピッチのおよそ20から100倍大きなピッチを有する、請求項3から7のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記第1の出口を出ていくガスのよどみ圧は、前記第2の出口を出ていくガスのよどみ圧より高い、請求項3から8のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
- 前記複数の第1の通路のうち少なくとも1つは第1の入口を有しており、前記複数の第2の通路のうち少なくとも1つは第2の入口を有しており、第1の比は前記第1の入口に対する前記対応する第1の出口の比であり、第2の比は前記第2の入口に対する前記対応する第2の出口の比であり、前記第2の比は前記第1の比よりも大きい、請求項1から9のいずれかの流体ハンドリング構造。
- 前記第1の通路は前記第1の入口及び前記第1の出口の断面積の中心を通る第1の長軸を有しており、前記第2の通路は前記第2の入口及び前記第2の出口の断面積の中心を通る第2の長軸を有しており、前記第1の長軸及び/又は前記第2の長軸は前記基板の上面に対して角度をつけられており、前記角度は好適にはおよそ10°から75°の間、又はより好適にはおよそ30°から60°の間である、請求項10の流体ハンドリング構造。
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