TW201920741A - 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題] 　　使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。 [解決手段] 　　具有：第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對基板供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在第1處理程序後，對複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在溝內形成相變化膜。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
本揭示涉及半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
作為半導體裝置之製造方法的程序之一，進行在基板上形成相變化膜的成膜處理(例如專利文獻1參照)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-63091號公報
[發明所欲解決之問題]
尋求使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。
於是在本揭示提供一種技術，可使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。 [解決問題之技術手段]
依一態樣時，提供一種技術，具有： 　第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對基板供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和第2處理程序，其係在第1處理程序後，對複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在溝內形成相變化膜。 [對照先前技術之功效]
依本揭示相關的技術時，可使形成於基板上的相變化膜的膜質提升。
以下就本揭示的實施方式進行說明。
＜一實施方式＞ 　　以下，結合圖式說明本揭示的一實施方式。
[1]基板處理裝置的構成 　　首先，就一實施方式相關的基板處理裝置進行說明。
就本實施方式相關之基板處理裝置100進行說明。基板處理裝置100係如示於圖1，以單片式基板處理裝置的形式而構成。
如示於圖1，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202被構成為例如水平剖面為圓形且扁平的密閉容器。此外，處理容器202由例如鋁(Al)、不銹鋼(SUS)等的金屬材料或石英構成。於處理容器202內，形成就作為基板的矽晶圓等的基板300進行處理的處理空間(處理室)201與移載空間(移載室)203。處理容器202以上部容器202a與下部容器202b而構成。在上部容器202a與下部容器202b之間設置分隔部204。處理室201至少以上部處理容器202a與後述的載置面211構成。此外，移載室203至少以下部容器202b與後述的基板載台212的下表面而構成。
於下部容器202b之側面，設置鄰接於閘閥1490的基板搬入搬出口1480，基板300經由基板搬入搬出口1480在未圖示的搬送室與移載室203之間移動。於下部容器202b之底部設置複數個升降銷207。再者，下部容器202b係接地。
於處理室201內，設置對基板300進行支撐的基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：載置基板300的載置面211、在表面具有載置面211的基板載台212、作為加熱部的加熱器213。於基板載台212係升降銷207貫通的貫通孔214分別設於與升降銷207對應之位置。此外，加熱器213連接於溫度控制部258，被構成為可進行溫度控制。此外，於基板載台212，可設置對基板300、處理室201施加偏壓的第2電極256。第2電極256連接於偏壓控制部257，被構成為可透過偏壓控制部257調整偏壓。此外，對第2電極256，亦可連接第2高頻電源352與第2整合器351。
基板載台212被透過軸217而支撐。軸217貫穿處理容器202之底部，進一步在處理容器202之外部連接於升降部218。使升降部218動作而使軸217及基板載台212升降，使得可使載置於基板載置面211上的基板300升降。另外，軸217下端部之周圍由伸縮管219包覆，處理室201內係保持成氣密。
基板載台212在基板300的搬送時，移動至晶圓移載位置，在基板300的處理時移動至處理位置(晶圓處理位置)。另外，晶圓移載位置係升降銷207之上端從基板載置面211之上表面突出的位置。
具體而言，在使基板載台212下降至晶圓移載位置時，升降銷207之上端部從基板載置面211之上表面突出，升降銷207下方支撐基板300。此外，使基板載台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207從基板載置面211之上表面而埋藏，基板載置面211從下方支撐基板300。另外，升降銷207係與基板300直接接觸，故例如以石英、礬土等之材質而形成為理想。
[排氣部] 　　在處理室201(上部容器202a)的內壁，設置作為就處理室201的環境氣體進行排氣的第1排氣部的第1排氣口221。於第1排氣口221連接排氣管224，於排氣管224，依序串聯連接將處理室201內控制為既定的壓力的APC(Auto Pressure Controller)等的壓力調整器227與真空泵浦223。主要由第1排氣口221、排氣管224、壓力調整器227構成第一排氣部(排氣線路)。另外，真空泵浦223亦可作成為第一排氣部的構成。此外，在移載室203的內壁側面，設置就移載室203的環境氣體進行排氣的第2排氣口1481。此外，於第2排氣口1481設置排氣管1482。於排氣管1482，設置壓力調整器228，構成為可將移載室203內的壓力排氣為既定的壓力。此外，亦可經由移載室203就處理室201內的環境氣體進行排氣。
[氣體導入口] 　　在設於處理室201的上部的噴灑頭234的上表面(上頂壁)，設置供於對處理室201內供應各種氣體用的氣體導入口241。連接於作為氣體供應部的氣體導入口241的各氣體供應單元的構成方面後述。
[氣體分散單元] 　　作為氣體分散單元的噴灑頭234具有：緩衝室232、作為活性化部的第1電極244。於第1電極244，設置複數個將氣體分散供應至基板300旳孔234a。噴灑頭234設於氣體導入口241與處理室201之間。從氣體導入口241導入的氣體係供應至噴灑頭234的緩衝室232(亦稱為分散部)，經由孔234a供應至處理室201。
另外，第1電極244以導電性的金屬而構成，被構成為供於將氣體活性化用的活性化部(激發部)的一部分。構成為可對第1電極244供應電磁波(高頻電力、微波)。另外，在以導電性構材構成蓋體231之際，在蓋體231與第1電極244之間設置絕緣塊233，成為將蓋體231與第1電極部244之間絕緣的構成。
[第1活性化部(第1電漿生成部)] 　　對作為第1活性化部的第1電極244，連接整合器251與高頻電源部252，構成為可供應電磁波(高頻電力、微波)。藉此，可使供應至處理室201內的氣體活性化。此外，第1電極244構成為可生成電容耦合型的電漿。具體而言，第1電極244形成為導電性的板狀，構成為被上部容器202a支撐。第1活性化部至少以電極部244、整合器251、高頻電源部252構成。
[第2活性化部(第2電漿生成部)] 　　於作為第2活性化部的第2電極256，經由開關274連接第2整合器351與第2高頻電源部352，構成為可供應電磁波(高頻電力、微波)。另外，從第2高頻電源352，供應與第1高頻電源252係不同的頻率的電磁波。具體而言，輸出比第1高頻電源252輸出的頻率低的頻率。藉此，可使供應至處理室201內的氣體活性化。另外，亦可構成為可在不設置開關274之下，設置整合器351與高頻電源部352而從高頻電源部352對第2電極256供應電力。
[氣體供應系統] 　　對氣體導入口241，連接氣體供應管150。構成為從氣體供應管150供應後述的第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體、第5氣體、第6氣體、第7氣體、第8氣體中的至少任一者。
於圖2示出第1氣體供應部、第2氣體供應部、第3氣體供應部、第4氣體供應部、第5氣體供應部、第6氣體供應部、第7氣體供應部、第8氣體供應部等的氣體供應系統的示意構成圖。
如示於圖2，於氣體供應管150連接第1氣體供應管113a、第2氣體供應管123a、第3氣體供應管133a、第4氣體供應管143a、第5氣體供應管153a、第6氣體供應管163a、第7氣體供應管173a、第8氣體供應管183a。
[第1氣體供應部] 　　於第1氣體供應部設置第1氣體供應管113a、質流控制器(MFC)115、閥116。另外，亦可構成為使連接於第1氣體供應管113a的第1氣體供應源113包含於第1氣體供應部。從第1氣體供應源113，供應還原性的氣體。還原性的氣體係將氧還原的氣體，例如為氫(H)含有氣體。具體而言，供應氫(H2 )氣。含氫氣體優選上只要為不含氧(O)元素的氣體即可，可為包含氫與氮(N)的合成氣體。 　　另外，亦可構成為設置遠程電漿單元(RPU)114而使第1氣體活性化。
[第2氣體供應部] 　　於第2氣體供應部設置第2氣體供應管123a、MFC125、閥126。另外，亦可構成為使連接於第2氣體供應管123a的第2氣體供應源123包含於第2氣體供應部。從第2氣體供應源123，供應包含第14族元素(IVA族)的氣體。具體而言，供應包含鍺(Ge)的氣體。例如，供應異丁基鍺烷(Isobutylgermane：IBGe)氣體，四二甲胺基鍺(Tetrakis(dimethylamino)Germanium：TDMAGe)氣體、二甲基胺基三氯化鍺(Dimethylamino-Germanium-Chloride：DMAGeC)、GeH4 、GeCl2 、GeF2 、GeBr2 等中的至少一者。
[第3氣體供應部] 　　於第3氣體供應部設置第3氣體供應管133a、MFC135、閥136。另外，亦可構成為使連接於第3氣體供應管133a的第3氣體供應源133包含於第3氣體供應部。從第3氣體供應源133，供應包含第15族元素(VA族)的氣體。具體而言，供應包含銻(Sb)的氣體。例如，供應三甲基胺基銻(Tris(DiMethylAmido)Antimony：TDMASb)、三異丙基銻(TIPSb)氣體、三乙基銻(TriEthylAntimony：TESb)氣體、叔丁基二甲基銻(tertButylDiMethylAntimony：TBDMSb)氣體等中的至少任一者。
[第4氣體供應部] 　　於第4氣體供應部設置第4氣體供應管143a、MFC145、閥146。另外，亦可構成為使連接於第4氣體供應管143a的第4氣體供應源143包含於第4氣體供應部。從第4氣體供應部143，供應包含第16族元素(VIA族)的氣體。具體而言，供應包含碲(Te)的氣體。例如，供應二異丙基碲(DiIsoPropylTelluride：DIPTe)、二甲基碲(DiMethylTelluride：DMTe)、二乙基碲(DiEthylTelluride：DETe)、二叔丁基碲(DitertButyltellurium：DtBTe)等中的至少任一者。
[第5氣體供應部] 　　於第5氣體供應部設置第5氣體供應管153a、MFC155、閥156。另外，亦可構成為使連接於第5氣體供應管153a的第5氣體供應源153包含於第5氣體供應部。從第5氣體供應部153，供應作為惰性氣體的氮(N2 )氣、氬(Ar)氣、氦(He)氣、氖(Ne)氣、氙(Xe)氣的內至少任一者。
[第6氣體供應部] 　　於第6氣體供應部設置第6氣體供應管163a、MFC165、閥166。另外，亦可構成為使連接於第6氣體供應管163a的第6氣體供應源163包含於第6氣體供應部。從第6氣體供應部163，供應鈦(Ti)含有氣體。例如，供應TiCl4 氣體。
[第7氣體供應部] 　　於第7氣體供應部設置第7氣體供應管173a、MFC175、閥176。另外，亦可構成為使連接於第7氣體供應管173a的第7氣體供應源173包含於第7氣體供應部。從第7氣體供應部173，供應矽(Si)含有氣體。例如，供應甲矽烷(SiH4 )氣體。
[第8氣體供應部] 　　於第8氣體供應部設置第8氣體供應管183a、MFC185、閥186。另外，亦可構成為使連接於第8氣體供應管183a的第8氣體供應源183包含於第8氣體供應部。從第8氣體供應部183，供應氮(N)含有氣體。例如，供應氨(NH3 )氣。另外，亦可構成為設置RPU184而使第8氣體活性化。
接著就本實施方式相關的基板處理系統2000利用圖15進行說明。本實施方式相關的基板處理係如後述，包括第1處理程序S101、第2處理程序S201、第3處理程序S301。個別的處理可在相同的基板處理裝置100予以進行，惟為了分別使用的氣體所致的污染的防止、各處理溫度不同的情況下的基板溫度的調整時間的縮短，在分別不同的基板處理裝置100予以進行為優選。例如，構成示於圖15的基板處理系統2000。基板處理系統2000係處理基板300者，主要以IO載台2100、大氣搬送室2200、載鎖(L／L)2300、真空搬送室2400、基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)構成。接著就各構成具體進行說明。於圖15的說明，前後左右，係使X1方向為右、X2方向為左、Y1方向為前、Y2方向為後。基板處理裝置100a～100d的構成如同上述的基板處理裝置100的構成故省略說明。
[大氣搬送室、IO載台] 　　在基板處理系統2000的眼前側，設置IO載台(裝載埠)2100。在IO載台2100上搭載複數個傳送盒2001。傳送盒2001用作為搬送基板300的載體，被構成為在傳送盒2001內分別以水平姿勢儲存複數個未處理的基板300、處理完畢的基板300。此處，未處理的基板300係以示於圖5～圖7的基板狀態(B)表示的基板。
傳送盒2001係透過搬送傳送盒的搬送機器人(未圖示)搬送至IO載台2100。
IO載台2100鄰接於大氣搬送室2200。大氣搬送室2200在與IO載台2100不同之面，連結後述的載鎖(load lock)室2300。
在大氣搬送室2200內設置移載基板300的作為第1搬送機器人的大氣搬送機器人2220。
[載鎖(L／L)室] 　　載鎖(load lock)室2300鄰接於大氣搬送室2200。L／L室2300內的壓力係依大氣搬送室2200的壓力與真空搬送室2400的壓力而變動，故構成為可耐負壓的構造。
[真空搬送室] 　　基板處理系統2000具備作為搬送室的真空搬送室(傳輸模塊：TM)2400，該搬送室成為在負壓下搬送基板300的搬送空間。構成TM2400的框體2410係形成為俯視下五角形，於五角形的各邊，連結L／L室2300及處理基板300的基板處理裝置100。在TM2400的大致中央部，設置在負壓下移載(搬送)基板300的作為第2搬送機器人的真空搬送機器人2700。另外，此處，真空搬送室2400雖示出五角形之例，惟可為四角形、六角形等的多角形。
設置於TM2400內的真空搬送機器人2700具有可獨立而動作的兩個臂件2800與2900。真空搬送機器人2700由上述的控制器260控制。
閘閥(GV)1490如示於圖15，按基板處理裝置設置。具體而言，在基板處理裝置100a與TM2400之間設置閘閥1490a，在與基板處理裝置100b之間設置GV1490b。在與基板處理裝置100c之間設置GV1490c，在與基板處理裝置100d之間設置GV1490d。
透過各GV1490進行解放、關閉，從而可經由設於各基板處理裝置100的基板搬入搬出口1480使基板300出入。
在後述就下例進行說明：在第1處理裝置100a執行第1處理程序S101，在第2基板處理裝置100b執行第2處理程序S201，在第3基板處理裝置100c執行第3處理程序S301。另外，於第1基板處理裝置100a的氣體供應管150，連接上述的第1氣體供應部、第5氣體供應部。於第2基板處理裝置100b的氣體供應管150，連接上述的第2氣體供應部、第3氣體供應部、第4氣體供應部、第5氣體供應部。於第3基板處理裝置100c的氣體供應管150，連接第5氣體供應部、第6氣體供應部、第8氣體供應部，亦可連接第7氣體供應部。
另外，示於圖15的第4基板處理裝置100d可構成為予以進行各處理之中最耗時間的第2處理程序S201，亦可不設置。此外，此處雖示出設置4個基板處理裝置100的構成，惟非限定於此者。
[控制部] 　　如示於圖1般基板處理裝置100具有就基板處理裝置100之各部分之動作進行控制的控制器260。
將控制器260的概略示於圖3。作為控制部(控制手段)之控制器260被構成為具備CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory) 260b、記憶裝置260c、I／O埠260d的電腦。RAM260b、記憶裝置260c、I／O埠260d係構成為可經由內部匯流排260e，與CPU260a進行資料交換。構成為對控制器260可連接例如以觸控面板等的形式而構成的輸出入裝置261、外部記憶裝置262、接收部285等。
記憶裝置260c以例如快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等而構成。於記憶裝置260c內可讀取地儲存：就基板處理裝置的動作進行控制的控制程式、記載後述的基板處理的順序、條件等的處理配方、在至設定用於對於基板300的處理的處理配方為止的過程產生的演算資料、處理資料等。另外，處理配方係被組合成使控制器260執行後述的基板處理程序中的各程序而可獲得既定的結果者，作用為程式。以下，亦將此處理配方、控制程式等僅統稱為程式。另外，於本說明書中使用程式如此之詞語的情況下包括：僅包含處理配方單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含該雙方的情況。此外，RAM260b被構成為暫時保存由CPU260a讀出的程式、演算資料、處理資料等的資料的記憶體區域(工作區)。
I／O埠260d連接於閘閥1490、升降部218、溫度控制部258、壓力調整器227、真空泵浦223、第1整合器251(第2整合器351)、第1高頻電源252(第2高頻電源352)、MFC115、125、135、145、155、165、175、185、閥116、126、136、146、156、166、176、186、(RPU114、184)偏壓控制部257等。此外，亦可連接於開關274。
作為演算部的CPU260a被構成為，讀出來自記憶裝置260c的控制程式而執行，同時依來自輸出入裝置261的操作指令的輸入等而從記憶裝置260c讀出處理配方。此外，被構成為，就從接收部285輸入的設定值、和記憶於記憶裝置260c的處理配方、控制資料進行比較、演算而可算出演算資料。此外，被構成為，可從演算資料執行對應的處理資料(處理配方)的決定處理等。然後，CPU260a被構成為，以按照讀出的處理配方的內容的方式，控制閘閥1490的開閉動作、升降部218的升降動作、經由溫度控制部258往加熱器213的電力供應動作、壓力調整器227的壓力調整動作、真空泵浦223的導通關斷控制、以MFC115、125、135、145、155、165、175、185的氣體流量控制動作、RPU114、184的氣體的活性化動作、以閥116、126、136、146、156、166、176、186的氣體的導通關斷控制、整合器251的電力的整合動作、高頻電源部252的電力控制、偏壓控制部257的控制動作、高頻電源252(352)的電力控制動作、開關274的ON／OFF動作等。進行各構成的控制之際，CPU260a內的收發部發送/接收按照處理配方的內容下的控制資訊從而進行控制。
另外，控制器260不限於構成為專用的電腦的情況，亦可構成為通用的電腦。例如，可準備儲存上述的程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、撓性碟、硬碟等的磁碟、CD、DVD等的光碟、MO等的磁光碟、USB記憶體、記憶卡等的半導體記憶體)262，透過利用該外部記憶裝置262將程式安裝於通用的電腦等，從而構成本實施方式相關之控制器260。另外，供於對於電腦供應程式用的手段不限於經由外部記憶裝置262而供應的情況。例如，亦可作成利用接收部285、網路263(網際網路、專用線路)等的通訊手段，在不經由外部記憶裝置262之下供應程式。另外，記憶裝置260c、外部記憶裝置262等被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將此等僅統稱為記錄媒體。另外，本說明書中，使用記錄媒體如此的詞語的情況下，包含僅包含記憶裝置260c單體的情況、僅包含外部記憶裝置262單體的情況、或該等雙方的情況。
[2]基板處理程序 　　使用上述的基板處理裝置，作為半導體裝置之製造方法的程序之一，就在作為基板的基板300上形成作為相變化膜的GeSbTe(鍺銻碲)膜的基板處理序列之例，利用圖4～圖14進行說明。另外，在本揭示的相變化膜指電氣特性因電壓、電流等而變化的膜，例如為電阻值、結晶構造產生變化的膜。
於以下之說明，各機器的動作程序係透過處理配方(程式)而設定。控制器260依程式控制構成基板處理裝置的各部分的動作。圖4係就半導體裝置的製程的一部分進行繪示的流程圖。圖5～圖7係就按製造程序的基板的狀態進行繪示的圖。圖8～圖14，係就示於圖4的各程序的細節進行說明的流程圖。
如示於圖4，在本揭示，具有第1處理程序S101與第2處理程序S201。優選上構成為，在第1處理程序S101與第2處理程序S201之間，進行以虛線表示的第3處理程序S301。更優選上構成為，在第2處理程序S201之後進行化學機械研磨程序S501。以下就各處理程序進行說明。
首先，就進行第1處理程序S101的基板300進行說明。在基板300上，如示於基板狀態(A)，形成作為第1金屬含有膜的導電膜301與絕緣膜302。於此，導電膜301係金屬含有膜，例如鎢(W)膜、鎢氮化(WN)膜、或SeAsGe膜、SeAsGeSi膜。此外，絕緣膜302係例如含有矽(Si)元素與氧(O)元素的膜，為矽氧化(SiO)膜。此外，絕緣膜302能以電容率低的low-k膜構成。對於如此之基板300，進行圖案化程序(未圖示)，形成被形成複數個示於基板狀態(B)的溝303的基板300。溝303的底面303b成為導電膜301曝露的狀態。在本揭示，對如此的基板300，形成相變化膜304，使得可形成相變化膜304與鄰接於相變化膜304的絕緣膜302互相支撐的構造。藉此，可抑制在相變化膜304的形成後進行的化學機械研磨(CMP)程序中的相變化膜304的圖案崩塌。另外，如歷來的半導體裝置的製程，在不具有絕緣膜302、溝303的導電膜301上，直接形成相變化膜304，於相變化膜304作成溝後，於該溝形成絕緣膜302的歷來的情況下，恐產生絕緣膜302的絕緣特性降低如此的課題。原因在於，在相變化膜304、相變化膜304形成後形成的其他膜的形成後，基板300可耐的溫度(容許溫度)降低，變得難以實現可形成良質的特性的相變化膜304的成膜溫度。
另一方面，如本揭示，在絕緣膜302的圖案化程序之間、在圖案化程序後的搬送程序，成為氧吸附在曝露於溝303的底面303b的導電膜301上的狀態。此係因存在於搬送程序中的環境的氧(O2 )氣、在圖案化程序使用的水分(H2 O、OH)吸附而發生。在吸附此氧之下，以後述的下個第2處理程序S201，在溝303內形成相變化膜304的情況下，產生恐使相變化膜304、導電膜301的特性降低的課題。具體而言，恐使導電膜301、相變化膜304與導電膜301的界面的電阻值上升。此外，在第2處理程序S201，採用基板狀態(B)的情況下，可在底面303b上與絕緣膜302之上表面302a使成膜速率不同，在溝303內優先使相變化膜304形成。亦即，可選擇性選擇性使相變化膜304堆積於溝303的底面303b上。然而，氧吸附於底面303b的情況下，此功效小，往底面303b上的成膜速率恐降低。藉此，產生第2處理程序S201的處理時間的增加、在第2處理程序S201之後進行的化學機械研磨(CMP)程序的處理的調整變困難如此的課題。第2處理程序S201的處理時間的增加例如指埋住溝303所耗的時間。
接著，就在基板處理裝置100a進行包含第1處理程序S101的基板處理程序的方法進行說明。此處，利用圖5～圖7的基板狀態(B)與圖8進行說明。
[基板搬入程序S102] 　　首先，使基板狀態(B)的基板300搬入至基板處理裝置100a的處理室201。具體而言，透過升降部218使基板支撐部210下降，設成升降銷207從貫通孔214予以突出於基板支撐部210的上表面側的狀態。此外，將處理室201內、移載室203調壓為既定的壓力後，將閘閥1490開放，使基板300從閘閥205載置於升降銷1490上。使基板300載置於升降銷207上後，關閉閘閥1490，透過升降部218使基板支撐部210上升至既定的位置，使得基板300被從升降銷207往基板支撐部210載置。
[減壓升溫程序S103] 　　接著，以處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。此情況下，基於壓力感測器(未圖示)計測的壓力值，就作為壓力調整器227的APC閥的閥的開度進行回授控制。此外，基於溫度感測器(不圖示)檢測出的溫度値，以基板300成為既定的溫度的方式就往加熱器213的通電量進行回授控制。具體而言，透過加熱器213預先加熱基板支撐部210，基板300或基板支撐部210的溫度變動消失後放置一定時間。此期間，存在殘留於處理室201內的水分或來自構材的脫氣等的情況下，可透過利用真空排氣、N2 氣體的供應下的淨化從而除去。藉此成膜程序前的準備結束。另外，在將處理室201內排氣成既定的壓力時，亦可一次真空排氣到可到達的真空度。
此時的加熱器213之溫度係以成為100～700℃、優選上200～400℃的範圍內的一定的溫度的方式進行設定。
[第1處理程序S101] 　　接著，作為第1處理，就除去吸附於底面303b之氧的還原程序之例進行說明。
[第1氣體供應程序S104] 　　對基板300，從第1氣體供應部供應作為第1氣體的H2 氣體至處理室201內。具體而言，就從第1氣體供應源113供應的H2 氣體以MFC115進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的H2 氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。H2 氣體供應至基板300，使得吸附於底面303b的氧被除去(還原)。
[電漿生成程序S105] 　　如以圖8的虛線所示，可予以進行電漿生成程序S105。在電漿生成程序S105，利用第1高頻電源252，第2高頻電源352、RPU114中的至少任一者，使供應至處理室201的H2 氣體活性化從而進行。利用第1高頻電源252的情況下，透過從第1高頻電源252對第1電極244供應高頻電力，使得供應至處理室201內的H2 氣體成為電漿狀態。利用第2高頻電源352的情況下，透過從第2高頻電源352對第2電極256供應高頻電力，使得供應至處理室201內的H2 氣體成為電漿狀態。另外，組合第1高頻電源252與第2高頻電源352而使用的情況下，使從第2高頻電源352供應的高頻電力的頻率比從第1高頻電源252供應的高頻電力的頻率低為優選，將低的頻率的電力，供應至基板支撐部210側，使得可使引入至基板300的活性的氫的量增加。亦即，即使隨著今後的微細化技術的發展，溝303的縱橫比變大，仍可除去吸附於底面303b之氧。此外，利用RPU114的情況下，RPU114使第1氣體供應管113a內的H2 氣體活性化。此情況下，在噴灑頭234，活性的氫的一部分鈍化，故比起在處理室201直接予以活性化的情況，變得可進行軟性的處理。
另外，高頻電力的供應係在第1氣體的供應後開始，惟亦可構成為，從第1氣體的供應開始前供應高頻電力，因第1氣體的供應使得生成電漿。
[第1淨化程序S106] 　　溝303的底面303b的氧被除去後，將第1氣體供應管113a的氣閥116關閉，停止H2 氣體的供應。停止第1氣體，使得將存在於處理室201中的第1氣體、存在於緩衝室232之中的第1氣體從排氣部排氣從而進行第1淨化程序S106。
此外，在第1淨化程序S106，除僅將氣體排氣(抽真空)而排出氣體以外，亦可構成為從第5氣體供應部供應惰性氣體，進行透過將殘留氣體擠出所為的排出處理。此情況下，將閥156打開，以MFC155進行惰性氣體的流量調整。此外，亦可組合抽真空與惰性氣體的供應而進行。此外，亦可構成為交互進行抽真空與惰性氣體的供應。
既定之時間經過後，將閥156關閉，停止惰性氣體的供應。另外，亦可在將閥156打開下繼續惰性氣體的供應。
從第5氣體供應部供應的作為惰性氣體的N2 氣體的供應流量分別設成例如100～20000sccm的範圍內的流量。
淨化程序S106的結束後，如示於圖8，可予以進行搬送壓力調整程序S107與基板搬出程序S108，亦可接著予以進行示於圖9的第2處理程序S201、示於圖14的第3處理程序S301。
[搬送壓力調整程序S107] 　　淨化程序S106後，在搬送壓力調整程序S107，以處理室201內、移載室203成為既定的壓力(真空度)的方式，經由第1排氣口221進行排氣。另外，亦可構成為，在此搬送壓力調整程序S107之間、前、後，以基板300的溫度被冷卻至既定的溫度的方式利用升降銷207進行保持。
[基板搬出程序S108] 　　在搬送壓力調整程序S107基板處理裝置100a的處理室201內成為既定壓力後，將閘閥1490打開，從移載室203將基板300搬出至真空搬送室2400。
接著，說明有關以基板處理裝置100b進行包含在基板狀態(B)的基板300的溝303內形成相變化膜304 (Phase Change Memory：PCM)的第2處理程序S201的基板處理程序的方法。此處，就第2處理程序S201，利用圖9進行說明。
[基板搬入程序S202] 　　首先，使實施第1處理程序S101的基板300搬入至基板處理裝置100b的處理室201。具體的程序方面，如同上述的基板搬入程序S102故省略說明。
[減壓升溫程序S203] 　　接著，如同減壓升溫程序S103，以真空度201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。
[第2處理程序S201] 　　接著，作為第2處理，就在基板300的溝303內形成相變化膜304的程序之例進行說明。
[第2氣體供應程序S204] 　　首先，對基板300從第2氣體供應部供應作為第2氣體的TDMAGe氣體至處理室201內。具體而言，以MFC125就從第2氣體供應源123供應的TDMAGe氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TDMAGe氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TDMAGe氣體供應至基板300，使得在溝303內堆積包含Ge之層。
[第2淨化程序S205] 　　接著，進行第2淨化程序S205。將第2氣體供應管123a的氣閥126關閉，停止TDMAGe氣體的供應。停止第2氣體使得將存在於處理室201中的第2氣體、存在於緩衝室232之中的第2氣體從排氣部排氣從而進行第2淨化程序S205。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第3氣體供應程序S206] 　　接著，從第3氣體供應部供應作為第3氣體的TDMASb氣體至處理室201內。具體而言，以MFC135就從第3氣體供應源133供應的TDMASb氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TDMASb氣體係如同上述的第2氣體供應程序S204，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TDMASb氣體供應至基板300，使得在溝303內的包含Ge的層之上，堆積包含Sb之層。
[第3淨化程序S207] 　　接著，進行第3淨化程序S207。將閥136關閉，停止TDMASb氣體的供應。停止第3氣體，將存在於處理室201中的第3氣體、存在於緩衝室232之中的第3氣體從排氣部排氣從而進行第3淨化程序S207。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第4氣體供應程序S208] 　　接著，從第4氣體供應部供應作為第4氣體的DtBTe氣體至處理室201內。具體而言，以MFC145就從第4氣體供應源144供應的DtBTe氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的DtBTe氣體係如同上述的第2氣體供應程序S204，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。DtBTe氣體供應至基板300，使得在溝303內的包含Sb之層之上，堆積包含Te之層。藉此，在溝303內堆積包含Ge、Sb、及Te之層。
[第4淨化程序S209] 　　接著，進行第4淨化程序S209。將閥146關閉，停止DtBTe氣體的供應。停止第4氣體的供應，將存在於處理室201內的第4氣體、存在於緩衝室232之中的第4氣體從排氣部排氣從而進行第4淨化程序S209。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[判定程序S210] 　　第4淨化程序S209的結束後，控制器260判定是否執行上述的第2處理程序S201(S204～S209)既定的次數n。亦即，判定是否形成填滿基板300的溝303的期望的厚度的作為相變化膜304的GeSbTe含有膜。以上述的步驟S204～S209為1循環，進行此循環至少一次以上，使得可在基板300的溝303內形成既定膜厚的相變化膜304。另外，上述的循環係反復複數次為優選。藉此，形成既定膜厚的相變化膜304。另外，在此處的循環，雖記載有關最先供應第2氣體的情況，惟不限於此，亦可構成為從第3氣體開始供應。透過以此方式構成，使得可使與導電膜301的密接性提升。因此，在相變化膜304形成後進行的CMP程序，可予以抑制相變化膜304受損。
在判定程序S210，未實施第2處理程序S201既定次數時(No判定時)，重復第2處理程序S201的循環，實施既定次數時(Yes判定時)，結束第2處理程序S201，執行搬送壓力調整程序S211與基板搬出程序S212。
另外，在圖9，雖示出依序供應第2氣體、第3氣體、第4氣體的流程，惟非限定於此者。例如，如示於圖6、圖10，能以層積包含Sb與Te的膜304a、304b、和包含Ge與Te的膜304c的積層膜構成相變化膜304。形成包含Sb與Te的膜304a、304b的程序S201a的流程示於圖10，形成包含Ge與Te的膜304c的程序S201c的流程示於圖11。
如示於圖10，包含Sb與Te的膜304a、304b的形成方面，具有第3氣體供應程序S206a、第3淨化程序S207a、第4氣體供應程序S208a、第4淨化程序S209a及判定程序S210a。各程序的內容係如同圖9的程序故省略。包含Sb與Te的膜304a、304b係例如組成不同的膜，構成為，304a為Sb2 Te，304b為Sb2 Te3 。如此之組成控制係透過在各氣體供應程序的氣體供應流量、氣體供應時間進行控制。具體而言，增加Sb的比率的情況下，就第3氣體的供應流量與供應時間中的一方或雙方，以成為比第4氣體的供應流量與供應時間中的一方或雙方多的方式控制各部分。膜304a的膜厚304aH係形成為比膜304b的膜厚304bH大。例如，形成為，膜厚304aH成為10nm，膜厚304bH成為4nm。如此般形成，使得可使相變化膜304的特性提升，同時使往溝303內的成膜的選擇性提升。此外，可使相變化膜304與其下方的導電膜301的密接性提升。因此，在相變化膜304形成後進行的CMP程序，可予以抑制相變化膜304受損。藉此等，使得可使半導體裝置的特性提升。
接著，包含Ge與Te的膜304c的形成程序S201c如示於圖11，具有第2氣體供應程序S204c、第2淨化程序S205c、第4氣體供應程序S208c、第4淨化程序S209c及判定程序S210c。各程序的內容係如同圖9的程序故省略。如此般交替供應第2氣體與第4氣體，從而形成GeTe膜使得形成示於圖6的基板狀態(C1)的相變化膜304。另外，此處形成的膜304c的膜厚304cH形成為比膜厚304bH的膜厚小。
另外，在上述，雖記載有關層積Ge層、Sb層、Te層、SbTe層、GeTe層的個別的層，從而形成作為相變化膜304的GeSbTe膜的處理程序，惟非限定於此者，亦可將處理程序構成為，最先形成GeSbTe的化合物層後形成相變化膜304。就實現此的第4處理程序S401，利用圖12、圖13進行說明。圖12係第4處理程序S401的處理流程圖，圖13係第4處理程序S401的氣體供應序列圖。
如示於圖12，在第4處理程序S401的前後，如同示於圖9的第2處理程序，具有基板搬入程序S402、減壓升溫程序S403、判定程序S410、搬送壓力調整程序S411、基板搬出程序S412等。個別的程序的內容係如同上述的第2處理程序故省略說明。
接著，就第4處理程序S401的細節進行說明。
[第4處理程序S401] 　　在第4處理程序S401，具有第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406及第4氣體供應程序S408。此等氣體供應程序如示於圖13構成為，僅既定時間同時供應。可構成為，在此等氣體供應程序之後，予以進行淨化程序S405。
接著，就圖13進行說明。在圖13的(a)的情況下，構成為，同時供應並同時停止第2氣體供應、第3氣體供應及第4氣體供應的各者。此外，在圖13的(b)的情況下，亦可構成為，同時供應個別的氣體，供應既定時間後，停止第2氣體與第3氣體的供應，供應第4氣體既定時間。透過以此方式構成，使得可一次性使GeSbTe的化合物膜形成。另外，GeSbTe膜的組成比的調整係如示於圖13(a)，以個別的氣體供應流量進行調整。各氣體的供應流量的比率係例如作成第2氣體(Ge)：第3氣體(Sb)：第4氣體(Te)=1～3：1～3：4～6，使得可予以形成良好的特性的相變化膜304。優選上，使各氣體的供應流量比率為Ge：Sb：Te=2：2：5。良好的特性的相變化膜304的組成比係如同氣體供應流量，Ge：Sb：Te=1～3：1～3：4～6，優選上Ge：Sb：Te=2：2：5。另外，在圖13(a)，雖示出以氣體供應流量進行調整之例，惟不限於此，亦可如示於圖13(b)般構成為以氣體供應時間進行調整。例如，使各氣體的流量略相同，以氣體供應時間成為上述的比率的方式進行調整。
另外，將第2氣體、第3氣體、第4氣體分別以一次性的供應，從而形成相變化膜304，使得可使成膜速率提升，可使半導體裝置的製造處理量提升。
此外，溝303成為深溝的情況下，優選上，如示於圖12、圖13，予以進行間歇性進行第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406、第4氣體供應程序S408的循環處理。亦即，交替予以進行第2氣體供應程序S404、第3氣體供應程序S406、第4氣體供應程序S408的氣體供應程序及淨化程序S405。如此構成處理程序，使得可一面抑制往成為深溝的溝303內的成膜速率的降低，一面在溝303內予以均勻地形成相變化膜304。
接著，就在第1處理程序S101與第2處理程序S201之間進行的第3處理程序S301，利用圖7與圖14進行說明。此處，說明有關以基板處理裝置100c進行包含第3處理程序S301的基板處理程序的方法。在第3處理程序S301，在導電膜301上形成作為第2金屬含有膜的鈦含有膜。例如，鈦氮化(TiN)膜、鈦矽氮化(TiSiN)膜。另外，第2金屬含有膜係於半導體裝置，作用為加熱相變化膜304的加熱膜。加熱相變化膜304，使得可提高相變化膜304的特性變化速度。亦即，可使半導體裝置的特性提升。
[基板搬入程序S302] 　　首先，使進行第1處理程序S101後的基板300搬入至基板處理裝置100c的處理室201。具體的程序方面，如同上述的基板搬入程序S102故省略說明。
[減壓升溫程序S303] 　　接著，如同減壓升溫程序S103，以處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管224將處理室201內排氣。
此時的加熱器213之溫度設定為，成為100～600℃、優選上100～500℃、更優選上200～400℃的範圍內的一定的溫度。
[第3處理程序S301] 　　接著，第3處理方面，說明有關在底面303b形成鈦(Ti)含有膜的處理。
[第6氣體供應程序S304] 　　對基板300，從第6氣體供應部供應作為第6氣體的TiCl4 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC165就從第6氣體供應源163供應的TiCl4 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的TiCl4 氣體通過緩衝室232，從噴灑頭234的氣體供應孔234a，供應至減壓狀態下的處理室201內。此外，繼續利用排氣部所為的處理室201內的環境的排氣，將處理室201內的壓力控制為成為既定的壓力範圍。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。TiCl4 氣體供應至基板300，使得在溝303的底面303b形成Ti含有層。
[第6淨化程序S305] 　　接著，進行第6淨化程序S405。將第6氣體供應管163a的氣閥166關閉，停止TiCl4 氣體之供應。停止第6氣體，將存在於處理室201中的第6氣體、存在於緩衝室232之中的第6氣體從排氣部排氣從而進行第6淨化程序S305。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第7氣體供應程序S306] 　　接著，從第7氣體供應部供應作為第7氣體的SiH4 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC175就從第7氣體供應源174供應的SiH4 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的SiH4 氣體係如同上述的第6氣體供應程序S304，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。SiH4 氣體供應至基板300，使得在溝303內的Ti含有層之上，堆積包含Si之層。
[第7淨化程序S307] 　　接著，進行第7淨化程序S307。將閥176關閉，停止SiH4 氣體的供應。停止第7氣體，將存在於處理室201中的第7氣體、存在於緩衝室232之中的第7氣體從排氣部排氣從而進行第7淨化程序S307。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[第8氣體供應程序S308] 　　接著，從第8氣體供應部供應作為第8氣體的NH3 氣體至處理室201內。具體而言，以MFC185就從第8氣體供應源183供應的NH3 氣體進行流量調整後，供應至基板處理裝置100。流量調整後的NH3 氣體係如同上述的第6氣體供應程序S304，供應排氣至處理室201。此時的壓力係例如10Pa以上且1000Pa以下。NH3 氣體供應至基板300，使得一面除去在溝303內的Ti含有層與Si含有層中所含的氯(Cl)一面供應氮(N)，形成TiSiN膜。
[第8淨化程序S309] 　　接著，進行第8淨化程序S309。將閥186關閉，停止NH3 氣體之供應。停止第8氣體的供應，將存在於處理室201內的第8氣體、存在於緩衝室232之中的第8氣體從排氣部排氣從而進行第8淨化程序S309。另外，亦可如同上述的第1淨化程序S106予以進行其他淨化程序。
[判定程序S310] 　　第8淨化程序S309的結束後，控制器260判定是否執行上述的第3處理程序S301(S304～S309)既定的次數n。亦即，判定是否在基板300的溝303內形成所期望的厚度的TiSiN膜。以上述的步驟S304～S309為1循環，進行此循環至少一次以上，使得可在基板300的溝303內形成既定膜厚的TiSiN膜305。另外，上述的循環係反復複數次為優選。藉此，形成既定膜厚的TiSiN膜305。
在判定程序S310，未實施第3處理程序S301既定次數時(No判定時)，重復第3處理程序S301的循環，實施既定次數時(Yes判定時)，結束第3處理程序S301，執行搬送壓力調整程序S311與基板搬出程序S312。
[搬送壓力調整程序S311] 　　在搬送壓力調整程序S311，透過與上述的搬送壓力調整程序S107同樣的順序進行壓力調整。
[基板搬出程序S312] 　　在搬送壓力調整程序S312，透過與上述的基板搬出程序S109同樣的順序搬出基板。
[研磨程序S501] 　　接著，就在第2處理程序S201後進行的研磨程序S501利用圖4、圖5、圖16進行說明。進行第2處理程序S201後的基板300的狀態係如示於基板狀態(C1a)的虛線部分的放大圖、圖5的(E)，有時成為在絕緣膜302之上表面302a形成薄的多餘的相變化膜304d的狀態。如此之情況下，在研磨程序S501，除去相變化膜304d。研磨程序S501係以示於圖16的研磨裝置400進行。於圖16中，401係研磨盤，402係研磨基板300的研磨布。研磨盤401係連接於未圖示的旋轉機構，研磨基板300之際，旋轉於箭頭406方向。此相變化膜304d的膜厚係進行上述的第1處理程序S101的情況下，可比起不進行第1處理程序S101的情況減小。藉此，可使在研磨程序S501的研磨時間縮短。此外，變得可予以抑制在研磨程序S501使未形成相變化膜304d的部分的相變化膜304損傷。
403係研磨頭，在研磨頭403之上表面，連接軸404。軸404連接於未圖示的旋轉機構兼上下驅動機構。研磨基板300的期間，旋轉於箭頭407方向。
405係供應漿料(研磨劑)的供應管。研磨基板300的期間，從供應管405朝研磨布402供應漿料。另外，此處，供應鹼性的研磨劑。使用鹼性的研磨劑，使得可在不使相變化膜304與絕緣膜302損傷(氧化)之下，除去多餘的相變化膜304b。使用酸性的研磨劑的情況下，相變化膜304的表面恐氧化，產生相變化膜304的電氣特性的不良化、恐使相變化膜304與形成於其上的膜的接觸特性變化之課題。另一方面，如本揭示，使用鹼性的研磨劑，使得可在不使相變化膜304的表面氧化之下進行研磨。
以上，雖具體說明本揭示的一實施方式，惟本揭示非限定於上述的實施方式者，在不脫離其要旨之範圍下可進行各種變更。
此外，在上述，雖記載有關交替供應複數個氣體而成膜的方法，惟亦可應用於其他方法。例如，如複數個氣體的供應時點重疊的方法。具體而言，使用採用CVD(Chemical Vapor Deposition)法、循環CVD法、Sb-Te靶材、Ge-Te靶材下的濺鍍法，使得可使各膜的成膜速率提升，可使半導體裝置的製造處理量短縮化。
此外，在上述，雖示出在一個處理室處理一個基板的裝置構成，惟不限於此，亦可為將複數個基板排列於水平方向或垂直方向的裝置。
100‧‧‧基板處理裝置
300‧‧‧基板
201‧‧‧處理室
[圖1]一實施方式相關之基板處理裝置的示意構成圖。 　　[圖2]一實施方式相關的氣體供應系統的示意構成圖。 　　[圖3]一實施方式相關的基板處理裝置的控制器的示意構成圖。 　　[圖4]就一實施方式相關之基板處理程序作繪示的流程圖。 　　[圖5]就一實施方式相關的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖6]就一實施方式相關的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖7]就一實施方式相關的進行第3處理程序的情況下的基板狀態進行繪示的圖。 　　[圖8]一實施方式相關的第1處理程序的流程圖。 　　[圖9]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖10]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖11]一實施方式相關的第2處理程序的流程圖。 　　[圖12]一實施方式相關的第4處理程序的流程圖。 　　[圖13]一實施方式相關的第4處理程序的氣體供應序列例。 　　[圖14]一實施方式相關的第3處理程序的流程圖。 　　[圖15]一實施方式相關之基板處理系統的示意構成圖。 　　[圖16]就一實施方式相關的研磨裝置進行說明的說明圖。

Claims (16)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，具有： 　　第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對前述基板供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和 　　第2處理程序，其係在前述第1處理程序後，對前述複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在前述溝內形成相變化膜。
  2. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，具有在前述第1金屬含有膜之上形成第2金屬含有膜的第3處理程序。
  3. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序，具有使前述第1氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  4. 如申請專利範圍第2項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第1處理程序，具有使前述第1氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  5. 如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序後，具有對前述基板供應鹼性的研磨劑而進行研磨的研磨程序。
  6. 如申請專利範圍第2項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序後，具有對前述基板供應鹼性的研磨劑而進行研磨的研磨程序。
  7. 如申請專利範圍第3項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序後，具有對前述基板供應鹼性的研磨劑而進行研磨的研磨程序。
  8. 如申請專利範圍第4項的半導體裝置之製造方法，其中，在前述第2處理程序後，具有對前述基板供應鹼性的研磨劑而進行研磨的研磨程序。
  9. 一種基板處理裝置，具有： 　　處理室，其處理基板，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者； 　　基板載台，其載置前述基板； 　　加熱部，其加熱前述基板； 　　第1氣體供應部，其對前述基板供應還原性的第1氣體； 　　第2氣體供應部，其對前述基板供應第2氣體； 　　第3氣體供應部，其對前述基板供應第3氣體； 　　第4氣體供應部，其對前述基板供應第4氣體；和 　　控制部，其將前述加熱部、前述第1氣體供應部、前述第2氣體供應部、前述第3氣體供應部及前述第4氣體供應部控制為予以進行第1處理程序及第2處理程序，該第1處理程序係一面加熱前述基板，一面對前述基板供應前述第1氣體者，該第2處理程序係在前述第1處理程序後，對前述複數個溝內供應前述第2氣體、前述第3氣體及前述第4氣體，在前述溝內形成相變化膜者。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其具有： 　　第5氣體供應部，其對前述基板供應第5氣體；和 　　第6氣體供應部，其對前述基板供應第6氣體； 　　前述控制部構成為將前述第5氣體供應部與前述第6氣體供應部控制為，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，予以進行在前述第1金屬含有膜之上形成第2金屬含有膜的程序。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其具有： 　　第1高頻電源，其對前述處理室供應第1頻率的高頻；和 　　第2高頻電源，其對前述處理室供應第2頻率的高頻； 　　前述控制部構成為將前述第1高頻電源與前述第2高頻電源控制為，在前述第1處理程序，將前述還原性氣體以前述第1頻率的高頻與前述第2頻率的高頻予以活性化。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其具有： 　　第1高頻電源，其對前述處理室供應第1頻率的高頻；和 　　第2高頻電源，其對前述處理室供應第2頻率的高頻； 　　前述控制部構成為將前述第1高頻電源與前述第2高頻電源控制為，在前述第1處理程序，將前述還原性氣體以前述第1頻率的高頻與前述第2頻率的高頻予以活性化。
  13. 一種記錄媒體，其係記錄透過電腦使基板處理裝置執行以下程序的程式者： 　　第1處理程序，其係一面加熱基板，一面對前述基板予以供應還原性的第1氣體，該基板係具有複數個第1金屬含有膜在底部曝露的溝的被形成絕緣膜者；和 　　第2處理程序，其係在前述第1處理程序後，對前述複數個溝內供應第2氣體、第3氣體及第4氣體，在前述溝內予以形成相變化膜。
  14. 如申請專利範圍第13項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序與前述第2處理程序之間，具有在前述第1金屬含有膜之上予以形成第2金屬含有膜的第3處理程序。
  15. 如申請專利範圍第13項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序，具有使前述第1氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
  16. 如申請專利範圍第14項的記錄媒體，其中，在前述第1處理程序，具有使前述第1氣體以二個頻率的電力活性化的電漿生成程序。
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