TW201920612A - 用於彩色濾光器應用之量子點架構 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於經有機封端之量子點，其藉由以6-巰基己醇(MCH)及2-[2-(2-甲氧基乙氧基)-乙氧基]-乙酸(MEEAA)之組合功能化各種架構的QD之表面而製得。此類經MCH/MEEAA封端之QD與用於製造發光裝置之含QD膜的溶劑呈現改良相容性，該等發光裝置諸如液晶顯示器。

Description

用於彩色濾光器應用之量子點架構
本發明大體上係關於電子顯示器。更特定言之，其係關於在用於液晶顯示器(LCD)之發光彩色濾光器中使用半導體奈米粒子(「量子點」)。
為了顯示一系列顏色之顯示器技術，需要能夠切換不同顏色之多種像素或子像素之輸出，以使得所得顏色輸出之組合相加以使得觀察者感知複合顏色。舉例而言，洋紅色可由展示藍色及紅色之兩種鄰近像素產生，且色調可藉由調諧藍光及紅光組分的相對強度來變化。
調節或切換像素強度之方法在不同顯示技術中變化，如同產生紅色、綠色及藍色原色子像素之方法一樣。在液晶顯示器(LCD)或白色OLED (WOLED)類顯示器之情況下，顯示器採用經由紅色、綠色及藍色彩色濾光器過濾之白色背光以產生原色光輸出。
一個日益關注之領域為在LCD之發光彩色濾光器中使用量子點(QD)。為較好理解此關注，有必要簡要地論述LCD如何起作用。LCD能夠切換或調節光強度之方式依賴於使用利用交叉偏光器之間的液晶胞的光學膜的複雜堆疊。背光單元產生經由線性偏光器進入液晶胞之非偏振白光。在將電壓施加於液晶胞時，此導致晶體之對準變化及隨後穿過彩色濾光器之線性偏振白光的旋轉，且透射光(其現在具有恰當偏光)經由與第一線性偏光器正交佈置之第二線性偏光器離開顯示器。在未施加電壓時，液晶不以旋轉入射偏振光之方式對準。在透過彩色濾光器之後，透射光仍屬於初始偏光，且因而由第二線性偏光器阻斷且無法離開系統。
LCD操作關鍵依賴於控制光之偏光，且因而系統內之散射應最小化，此係因為任何散射可導致光之去偏光，從而導致對比度下降。此之實例為，在像素關閉時，液晶不旋轉光，因此其由於第二偏光器之排斥反應而將不能夠離開系統。然而，若已存在一些光散射及去偏光，則去偏振光的一部分可具有恰當偏光以離開且由此引起像素滲透及損失對比度。
如上文所簡要地提及，LCD採用經由紅色、綠色及藍色彩色濾光器過濾之白色背光以產生原色RGB像素光源輸出。然而，此產生RGB原色之方法並非最高效方法，此係由於在各情況下濾除掉大量光。舉例而言，為了製備紅色原色，必須濾除掉背光之綠色及藍色部分，對於綠色而言，需要濾除掉紅色及藍色部分等。
顯示器之顏色效能通常就相對於標準之色域尺寸來論述。特定言之，各別標準之重疊之量通常為最相關的資訊。
透射窗之寬度為重要的，因為其決定多少非所需光可滲漏且直接地影響RGB原色之飽和度及顯示器裝置的所得顏色效能。為了減少滲漏之量，製造商增加彩色濾光器之光密度，使其較少透射，此導致在損害總體光透射及顯示器亮度的情況下改良顏色。
相關申請案之交叉參考：
本申請案主張2017年7月5日提交之美國臨時申請案第62/528,823號的權益，該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。
以下實施例之描述在本質上僅為例示性的且決不意欲限制本發明之主題、其應用或用途。
如全篇所使用，範圍用作描述在該範圍內之各值及每一值之簡寫。在範圍內之任何值可選擇作為該範圍之端點。除非另外說明，否則本文中以及本說明書中其他處所表述之所有百分比及數量應理解為係指重量百分比。
出於本說明書及隨附申請專利範圍的目的，除非另外指示，否則說明書及申請專利範圍中所使用之表述量、百分比或比例之所有數字及其他數值應理解為在所有情況下由術語「約」修飾。術語「約」之使用適用於所有數值，無論是否明確指示。此術語一般係指一般熟習此項技術者將考慮作為與所列舉數值的合理偏差量的數目範圍(亦即具有等效功能或結果)。舉例而言，此術語可理解為包括所提供之給定數值± 10%、可替代地± 5%、可替代地± 1%、可替代地± 0.5%及可替代地± 0.1%的偏差，此類偏差並不改變值之最終功能或結果。因此，除非有相反指示，否則本說明書及所附申請專利範圍中所闡述之數值參數為近似值，其可視本發明設法獲得之所需特性而變化。
應注意，除非明確且肯定地限於一個指示物，否則如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用之單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個指示物。如本文中所使用，術語「包括」及其語法變體意欲為非限制性的，以使得清單中之項之列舉不排除可取代或添加至所列項之其他類似項。舉例而言，如本說明書及以下申請專利範圍中所使用之術語「包含(comprise)」(以及其形式、衍生形式或變體，諸如「包含(comprising/comprises)」)、「包括(include)」(以及其形式、衍生形式或變體，諸如「包括(including/includes)」)及「具有(has)」(以及其形式、衍生形式或變體，諸如「具有(having/have)」)為包括性的(亦即，開放式的)且不排除額外元件或步驟。因此，此等術語意欲不僅涵蓋所列舉元件或步驟，而且亦可包括未明確地列舉之其他元件或步驟。此外，如本文中所使用，在與元件結合使用時，使用術語「一(a/an)」可意謂「一個(種)」，但其亦與「一或多個(種)」、「至少一個(種)」及「一個(種)或多於一個(種)」之含義一致。因此，放在「一(a/an)」之前的元件在無更多約束條件之情況下並不排除額外相同元件的存在。QD 作為發光彩色濾光器以轉化藍色背光
在過去已使用QD作為發光彩色濾光器以轉化藍色背光為目標來實施研究。此實施方案之一個缺陷為，為了使此良好地起作用，必須以可接受程度之效率吸收及轉化100%入射藍光，以得到所需要的飽和顏色。在小於100%吸收率之情況下，任何未經吸收藍光將經透射且降低綠色或紅色像素之色彩純度，且不利於顏色效能。
CFQD®量子點材料[Nanoco Technologies Ltd.，46 Grafton Street，Manchester M13 9NT U.K.]在激子吸收與發射之間具有較強重疊。如本文中所使用，「CFQD量子點」意謂具有包含銦及磷之核的各種直徑之量子點。在一些情況下，CFQD量子點可進一步包括至少部分覆蓋核之一或多個殼。在一些情況下，一或多個殼中之至少一者包括鋅。在一些情況下，一或多個殼中之至少一者包括鋅及硫、硒以及氧中之任一者。在一些情況下，一或多個殼中之至少一者包括鋅及硫、硒及氧中之一或多者。在一些情況下，CFQD量子點為寬波長吸收體及波長在紅色區域可見光譜中的光發射體。在一些情況下，CFQD量子點為寬波長吸收體及波長在綠色區域可見光譜中之光發射體。在一些情況下，CFQD量子點為寬波長吸收體及波長在黃色區域可見光譜中之光發射體。在一些情況下，CFQD量子點為寬波長吸收體及波長在橙色區域可見光譜中之光發射體。在一些情況下，CFQD量子點為寬波長吸收體及波長在藍色區域可見光譜中之光發射體。
圖1A及1B分別展示發射綠光及發射紅光之CFQD量子點的吸收及發射光譜。相對應地，自CFQD量子點之發射具有由在發射點附近或在發光的逸出路徑中之另一點重吸收的合理機會。此之重要性為，隨著增加負載量以便吸收用於顏色轉化之所有藍光，重吸收效果變得愈來愈大。
重吸收之結果為降低轉換效率或外部量子效率(EQE)、減小半峰全寬(full-width at half-maximum；FWHM)且紅移發射。FWHM變窄及光致發光(PL)紅移係由於重吸收之發射峰之短波長側上的更多光。圖2A至2D展示EQE、峰值波長及FWHM如何隨著發射綠光之CFQD量子點的藍色LED吸收率%增加而變化(注意：紅色CFQD量子點看到類似效果)。在此情況下，所使用點之稀釋溶液光學規格為：PL = 526.5 nm；FWHM = 44 nm；PLQY = 79%；以及膜厚度為300微米。資料展示EQE中之變化較小，為自40%吸收率至80%，其後其隨著吸收率增加而減小。峰值波長隨著吸收率增加而展示較多或較少線性紅移，同時而FWHM隨著吸收率增加而首先減小隨後保持恆定。
因此，需要一種相對於激子吸收在450 nm下具有改良吸收的QD架構。
具有厚殼、量子點-量子井及點桿QD架構之核/殼QD為此項技術中已知的。然而，尚未描述特定組合物，該等特定組合物有助於其作為用於彩色濾光器應用之顏色改變媒介之用途。
已研究出具有厚度≥ 10個單層之殼之核/殼QD，所謂的「巨型」QD，此係由於發現厚殼有助於使QD之光學特性對環境影響脫敏。已研究Cd類QD (特定言之CdSe/CdS)之厚殼，但尚未報導不含Cd系統的厚殼。
已於先前技術中報導InP/ZnSe/ZnS QD。然而，~1個單層之ZnSe殼厚將不足以顯著改良450 nm區域中之QD的吸收曲線。
量子點-量子井(QD-QW)架構為此項技術中已知的，然而，據申請人所知，先前尚未描述QD-QW結構及厚的第二殼之組合。
點桿型架構(圖3)可最小化自吸收。然而，此項技術中之此奈米粒子架構包含各向異性核。據申請人所知，此架構中之合金化核之使用未在此項技術中揭示。430 - 470 nm 下之 改良吸收及魯棒性
核殼QD之耐久性很大程度上取決於外部殼層之品質及厚度。殼層之作用為將核以電子方式及以物理方式與外部環境分離。厚、能量上及晶體學上相容之殼可達成此，且若足夠厚，則可將核自很可能為在暴露於惡劣環境時損壞之量子點的第一組分之配位子效果屏蔽，該等惡劣環境諸如不相容溶劑、高熱環境、高光環境、高氧環境或高水分環境。
如上文所論述，CFQD量子點在第一激子吸收與發射之間具有較強重疊，此可導致在點以此申請案所需的極高濃度存在時，轉換效率及波長移位之負面效果。若相對於第一激子吸收可顯著增加在430-470 nm、在一些情況下440-460 nm範圍內及一些情況下約450 nm之範圍內之材料的吸收，則此可允許所需要的高度吸收彩色濾光器系統中之較少重吸收。達成此之方式為在由在約450 nm下吸收之直接帶隙半導體組成的量子點上生成厚外部層。在此層中經吸收之光子可產生可落於其可再結合且發射光的核量子井中之激子。為了達成此架構，外部層材料需要相對於核具有恰當帶隙能量、傳導及價帶偏移，且具有相容晶格常數，以便在不產生過多應變之情況下在核上以磊晶形式生成，此係因為晶格應變可最終引起光致發光量子產率(PLQY)及點之穩定性降低。
在一些實施例中，量子點之核包含銦及磷。舉例而言，適合材料包括但不限於InP及其合金化或摻雜衍生物。在一些情況下，可根據本發明之各種態樣使用包含變化量之In、P、Zn及S的合金化量子點核。在其他情況下，可根據本發明之各種態樣使用包含變化量之In、P、Zn及Se的合金化量子點核。在又其他情況下，可根據本發明之各種態樣使用包含變化量之In、P、Zn、S及Se的合金化量子點核。在一些情況下，處In以外或代替In，合金化量子點核可包括變化量之Ga及Al中之一或多者。
在一些情況下，合金化量子點核可摻雜有至多5原子%之一種摻雜劑或摻雜劑之組合。在一些情況下，諸如Li、Na及K之第I族元素可用作摻雜劑。在一些情況下，諸如Mg、Ca及Sr之第II族元素可用作摻雜劑。在一些情況下，第III族元素諸如B、Al或Ga可用作摻雜劑。在一些情況下，過渡金屬可用作摻雜劑。
在一些情況下，根據本發明之各種態樣所使用之QD可包括核材料，該核材料包含：
IIA-VIA (2-16)材料，其由來自週期表之第2族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe；
IIB-VIA (12-16)材料，其由來自週期表之第12族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe；
II-V材料，其由來自週期表之第12族之第一元素及來自週期表的第15族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：Zn3 P2 、Zn3 As2 、Cd3 P2 、Cd3 As2 、Cd3 N2 、Zn3 N2 ；
III-V材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第15族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：BP、AlP、AlAs、AlSb；GaN、GaP、GaAs、GaSb；InN、InP、InAs、InSb、AlN、BN；
III-IV材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第14族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：B4 C、A14 C3 、Ga4 C；
III-VI材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料。奈米粒子材料包括但不限於：Al2 S3 、Al2 Se3 、Al2 Te3 、Ga2 S3 、Ga2 Se3 、In2 S3 、In2 Se3 、Ga2 Te3 、In2 Te3 、InTe；
IV-VI材料，其由來自週期表之第14族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：GeTe、PbS、PbSe、PbTe、Sb2 Te3 、SnS、SnSe、SnTe；及
奈米粒子材料，其由來自週期表之過渡金屬中之任一族的第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：NiS、CrS、CuInS2 、AgInS2 。
出於說明書及申請專利範圍之目的，藉由術語摻雜奈米粒子，係指上文之奈米粒子及包括一或多種主族或稀土元素的摻雜劑，此元素最常為過渡金屬或稀土元素，諸如但不限於具有錳之硫化鋅，諸如摻雜有Mn2 + 之ZnS奈米粒子。
出於說明書及申請專利範圍之目的，術語「三元材料」係指上文之QD但為三組分材料。三種組分通常為來自如所提及族之元素的組合物，實例為(Znx Cdx - 1 S)m Ln 奈米晶體(其中L為封端劑)。
出於說明書及申請專利範圍之目的，術語「四元材料」係指上文之奈米粒子但為四組分材料。四種組分通常為來自如所提及族之元素的組合物，實例為(Znx Cdx - 1 Sy Sey - 1 )m Ln 奈米晶體(其中L為封端劑)。
生成於核粒子上之任一殼或後續數目之殼上所使用之材料在大多數情況下將屬於與核材料類似之晶格型材料，亦即與核材料具有緊密晶格匹配，以使得其可以磊晶方式生成於核上，但不需受限於此相容性材料。生成於存在之核上的任一殼或後續數目之殼上所使用之材料在大部分情況下將具有比核材料更寬帶隙，但不需受限於此相容性材料。在一些個例中，生成於核上之任一殼或後續數目之殼之材料可包括材料，該材料包含：
IIA-VIA (2-16)材料，其由來自週期表之第2族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe；
IIB-VIA (12-16)材料，其由來自週期表之第12族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnTe、ZnO、CdS、CdSe、CdTe、CdO、HgS、HgSe、HgTe、HgO；
II-V材料，其由來自週期表之第12族之第一元素及來自週期表的第15族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：Zn3 P2 、Zn3 As2 、Cd3 P2 、Cd3 As2 、Cd3 N2 、Zn3 N2 ；
III-V材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第15族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：BP、AlP、AlAs、AlSb；GaN、GaP、GaAs、GaSb；InN、InP、InAs、InSb、AlN、BN；
III-IV材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第14族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：B4 C、A14 C3 、Ga4 C；
III-VI材料，其由來自週期表之第13族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料。奈米粒子材料包括但不限於：Al2 S3 、Al2 Se3 、Al2 Te3 、Ga2 S3 、Ga2 Se3 、In2 S3 、In2 Se3 、Ga2 Te3 、In2 Te3 、InTe；
IV-VI材料，其由來自週期表之第14族之第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：GeTe、PbS、PbSe、PbTe、Sb2 Te3 、SnS、SnSe、SnTe；及
奈米粒子材料，其由來自週期表之過渡金屬中之任一族的第一元素及來自週期表的第16族之第二元素組成，且亦包括三元及四元材料以及摻雜材料。奈米粒子材料包括但不限於：NiS、CrS、CuInS2 、AgInS2 。
基於ZnSe之帶隙及晶格常數，其為滿足上文所論述良好帶殼材料之標準的適合材料。其為在25℃下具有大致2.8 eV之帶隙的直接帶隙半導體。此對應於在大致440 nm下之吸收開始，且由此ZnSe之相對較厚外部殼層可增加所需要的波長區域中之點的吸收曲線。在一些情況下，「厚」殼可定義為包含多於一個材料單層且小於或等於二十二個材料單層(1 ＜單層的數目≤ 22)的殼。在一些情況下，較佳的為，使用包含三個或更多個材料單層及22個或更少個材料單層的厚殼。在一些情況下，高度較佳的為，使用包含三個或更多個材料單層及15個或更少個材料單層的厚殼。InP及ZnSe之晶格常數分別為5.87 Å及5.67 Å。在以磊晶方式生成時，晶格應變為大致3.4%，其可抑制具有厚度大大增加的層。若晶格應變過高，則可生成由InP-ZnSe合金或甚至In0 . 6 Ga0 . 4 P合金層組成之晶格緩衝層。為了以電子方式及以物理方式將核與ZnSe層分離，可生成ZnS及ZnO之其他寬帶隙殼層。
作為在簡單核/殼量子點(含或不含晶格緩衝層)上使用厚ZnSe殼之替代方案，可使用量子點-量子井結構。在量子點-量子井結構中，諸如CFQD材料層或InP材料層之發光QD材料層可圍繞ZnSe核生成且隨後外塗佈有厚ZnSe層(1 ＜單層的數目≤ 22，較佳地3 ≤單層之數目≤ 22，或更佳地3 ≤單層的數目≤ 15)。儘管材料類型之間的晶格失配仍可能為問題，但由於ZnSe-核 -QD殼 與QD殼 -ZnSe殼 之間的相干應變而可忽略。
點桿架構亦可提供增加之吸收率及所需要的魯棒性。此處，諸如CFQD量子點或InP QD核之發光QD核內埋於在QD核的x、y或z平面中之一者中為細長的厚ZnSe殼(1 ＜單層之數目≤ 15)以形成桿。細長平面中增加之材料與球形點相比可引起增加之吸收率。圖4為示出球形核-殼-殼(CFQD/ZnSe/ZnS)量子點架構之截面視圖、核-殼-殼-殼(ZnSe/CFQD/ZnSe/ZnS)量子點-量子井架構之截面視圖及核-殼-殼(CFQD/ZnSe/ZnS)量子點桿架構的截面視圖之示意圖及各架構中之不同層的能級對準之示意性表示。
圖4 (未按比例)展示根據本發明之各種奈米粒子中之不同層的帶隙之相對對準。在核-殼-殼量子點中，CFQD量子點核由較寬帶隙材料(ZnSe)包圍，該較寬帶隙材料由甚至更寬帶隙材料(ZnS)包圍。點桿結構的不同層之相對帶隙能量相同。在量子點-量子井奈米粒子中，ZnSe核由較窄帶隙CFQD量子點殼包圍，該較窄帶隙CFQD量子點殼由較寬帶隙ZnSe殼(具有與核相同之帶能)、及又較寬帶隙殼包圍。
對於核-殼-殼及點桿架構，帶隙之相對位置為稱為「1型半導體異質結構」之典型，其中核帶隙完全位於殼的帶隙內。相反，將認為量子點-量子井架構為「反向1型半導體異質結構」。
圖4中所繪示之顯著特徵為： · 材料之帶隙的相對量值(relative magnitude)； · 材料之帶隙相對於彼此之相對能量(位置)。光致抗蝕劑中之相容性
量子點(不論核QD、核殼QD還是核多殼QD)與樹脂、聚合物或溶劑之相容性大部分藉由存在於量子的表面上之配位子類型及該配位子與特定樹脂、聚合物或溶劑之間的化學相互作用來決定。在當前銦類量子點之情況下，配位子交換可為困難的，此係因為殼可相對較薄且配位子以電子方式對核之影響為主要的。此意謂與當前材料之配位子交換可在量子點合成期間完成以便保留最佳效能。在併入較厚ZnSe殼之情況下，如本文中所描述，核可較好地與配位子效果分隔，且較傳統配位子交換策略可變為可用的。
丙二醇單乙基醚乙酸酯(propyleneglycol monoethyl etheracetate；PGMEA)由於其良好潤濕性、可塗佈性、低毒性及低沸點而為彩色濾光器應用之期望溶劑。當前可獲得的無鎘量子點通常以硫醇酯和/或羧酸酯配位子封端。已經發現6-巰基己醇(MCH)及2-[2-(2-甲氧基乙氧基)-乙氧基]-乙酸(MEEAA)提供尤其適合配位子組合以賦予於PGMEA中之溶解性。
雖然已發現MCH及MEEAA為尤其適合的，但是除MCH及/或MEEAA之外或作為其之替代方案，可使用其他配位子。舉例而言，在一些情況下，可使用巰基烷基醇或巰基烷氧基醇，諸如8-巰基-1-辛醇、9-巰基-1-壬醇、11-巰基-1-十一醇、2-{2-[2-(2-巰基乙氧基)乙氧基]乙氧基}乙醇、三乙二醇單-11-巰基十一烷基醚或(11-巰基十一烷基)四(乙二醇)。在一些情況下，可使用硫醇化聚乙二醇(PEG)，諸如O - (2-巰基乙基)-O ′-甲基-己(乙二醇)、H3 CO-(CH2 CH2 O)x -CH2 CH2 SH (X = 3-12)或H3 C-(OCH2 CH2 )x -SH (X = 3-24)。在一些情況下，可使用羥化PEG，諸如H3 C-(OCH2 CH2 )x -OH (X = 3-48)或二十八烷基乙二醇(octacosaethylene glycol)。在一些情況下，可使用胺官能化PEG，諸如H3 C-(OCH2 CH2 )x -OH (X = 2-48)。在一些情況下，可使用羧化PEG，諸如[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙酸、H3 CO-(CH2 CH2 O)x -CH2 COOH (X = 8-10)或H3 CO-(CH2 CH2 O)x -CH2 CH2 SH (X = 3-48)。
QD可根據以下通用程序用MCH及MEEAA表面官能化：
首先，QD核溶解於溶劑中以形成QD溶液。QD溶液可具有約1毫克(mg) QD/毫升(ml)溶劑(1 mg/mL)至約500 mg/ml、可替代地約5 mg/ml至約250 mg/ml、可替代地約10 mg/ml至約100 mg/ml及可替代地約25 mg/ml至約75 mg/ml的QD濃度。為了在QD核上形成殼，將一或多種殼金屬前驅體添加至含QD溶液，隨後添加MCH。添加至含QD溶液之殼金屬前驅體及MCH之量可基於待形成於QD核上的殼之所需厚度而變化。在一些情況下，可添加過量的一或多種殼金屬前驅體及MCH中之一或多者。根據本發明之各種態樣，可將約0.5 ml與約5 ml之間的MCH按照QD溶液內之QD克數添加至QD溶液。在一些情況下，可將約1 ml與約4 ml之間的MCH、可替代地約1.5 ml與約3 ml之間及可替代地約1.75 ml與約2.75 ml之間的MCH按照QD溶液內之QD克數添加至QD溶液。在一些情況下，可一次性添加所有MCH。在一些情況下，可在範圍介於約10分鐘至約6小時、可替代地約15分鐘至約5小時、可替代地約30分鐘至約4小時及可替代地約1至約3小時之一段時間內遞增地或連續地添加MCH。
在添加MCH之後，溶液加熱至第一溫度，持續第一時間段。第一溫度可在180至250℃範圍內，且第一時間段在10分鐘至4小時之間，例如，第一溫度230℃持續第一時間段大致1小時。MCH官能化外塗佈QD例如藉由添加非溶劑、隨後離心來分離。
在分離之後，MCH官能化外塗佈QD (MCH-QD)隨後再分散於第二溶劑中且於真空下脫氣以形成含MCH-QD溶液。含MCH-QD溶液可具有約1毫克(mg) MCH-QD/毫升(ml)溶劑(1 mg/mL)至約500 mg/ml、可替代地約5 mg/ml至約250 mg/ml、可替代地約10 mg/ml至約100 mg/ml、可替代地約15 mg/ml至約50 mg/ml及可替代地約20 mg/ml至約40 mg/ml的QD濃度。添加MEEAA且將溶液加熱至第二溫度，持續第二時間段。根據本發明之各種態樣，可將約0.5 ml與約5 ml之間的MEEAA按照含MCH-QD溶液內之MCH-QD克數添加至含MCH-QD溶液。在一些情況下，可將約1 ml與約4 ml之間的MEEAA、可替代地約1.5 ml與約3 ml之間及可替代地約1.5 ml與約2.5 ml之間的MEEAA按照含MCH-QD溶液內之MCH-QD克數添加至QD溶液。在一些情況下，可添加過量MEEAA。在一些情況下，可一次性添加所有MEEAA。在一些情況下，可在範圍介於約10秒至約10分鐘、可替代地約15秒至約5分鐘、可替代地約30秒至約3分鐘及可替代地約30秒至約2分鐘之時間段內遞增地添加MEEAA。第二溫度可在80至140℃範圍內，且第二時間段在約1小時與約24小時之間、可替代地在約2小時與約20小時之間及可替代地在約4小時與約16小時之間。
隨後分離所得MCH及MEEAA官能化外塗佈QD (MCH/MEEAA-QD)。在一些情況下，所得MCH/MEEAA-QD藉由添加非溶劑、隨後離心而分離。已發現所得MCH/MEEAA-QD在廣泛範圍溶劑中可溶，該等溶劑諸如甲苯、丙酮、異丙醇及PGMEA。有趣的是，發現根據本發明之各種態樣形成之MCH/MEEAA-QD不溶於諸如己烷之極端非極性溶劑以及諸如甲醇的極端極性溶劑中。
製備QD核可以此項技術中已知之任何方式來實現。如根據本發明之各種態樣之上文所論述，CFQD量子點可用作核。在一些情況下，可使用諸如Mushtaq等人標題為「Preparation of nanoparticle materials」的美國專利第7,588,828號中所描述之製備QD核的方法，該專利以全文引用之方式併入本文中。
金屬前驅體之選擇可取決於需要沈積於QD核上之半導體外塗佈。舉例而言，若將提供ZnS外塗佈，則一或多種金屬前驅體可包含至少一種鋅前驅體。適合金屬前驅體包括但不限於：羧酸鹽(例如，乙酸鹽、硬脂酸鹽、肉豆蔻酸鹽等)；乙醯基丙酮酸鹽；鹵化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物及碘化物)；硝酸鹽；以及金屬烷基前驅體(例如，在鋅前驅體之情況下，二甲基鋅或二乙基鋅)。
第一及第二溶劑可相同或不同。在一些情況下，第一及第二溶劑中之一或兩者為配位溶劑。根據本發明之各種態樣使用之配位溶劑包括但不限於：飽和或不飽和C1 -C24 烷基或芳基醇、飽和或不飽和C2 -C24 烷基或芳基胺、飽和或不飽和C2 -C24 烷基或芳基硫醇、飽和或不飽和C2 -C24 烷基或芳基硒醇、飽和或不飽和C1 -C24 烷基或芳基羧酸、膦(諸如三辛基膦)或膦氧化物(諸如三辛基氧化膦)。在一些情況下，第一及第二溶劑中之一或兩者為非配位溶劑。適合非配位溶劑之實例包括但不限於：具有12或更多個碳原子之直鏈或分支鏈烷烴(諸如十二烷、十五烷、十八烷、二十烷、三十烷)、直鏈或分支鏈烯烴(例如，1-十八烯、1-二十烯、1-十七烯)；或熱傳遞流體(例如，Therminol® 66[SOLUTIA INC., 575 MARYVILLE CENTRE DRIVE, ST. LOUIS, MISSOURI 63141]，包含經修飾聯三苯之熱傳遞流體)。大體而言，較佳的為，若使用，則非配位溶劑在大氣條件下具有約200℃或更高之沸點。在一較佳實施例中，第一及第二溶劑為非配位溶劑。
在一替代實施例中，為了達成PGMEA中之溶解性，固有QD配位子可用羧酸官能化及硫醇官能化聚乙二醇(PEG)配位子交換，諸如MCH及MEEAA。在一些實施例中，配位子交換策略，諸如加熱所需配位子之溶液中之原形成態QD以與已安置於QD表面上的配位子交換。具有含 QD 彩色濾光器之液晶顯示器
圖5中示意性地繪示具有先前技術之含QD背光單元的液晶顯示器(LCD) 500。LCD 500包括藍光源501，諸如藍光發光二極體，其以光學方式與光導場所(LGP) 510耦合。藍光自LGP 510透至含量子點膜(QDF) 520。QDF 520具有兩種不同類型之QD，一種類型能夠自LGP 510吸收藍光並發射紅光，且另一類型能夠自LGP 510吸收藍光並發射綠光。QDF 520在LGP 510正上方且將來自光源501之一些藍光轉化成綠光及紅光，該等綠光及紅光在與來自光源501的未經轉化之藍光混合時產生白光。白光隨後自QDF 520行進且依次通過漫射膜530、增亮膜(BEF) 540、雙增亮膜(DBEF) 550、第一反射偏光器560及液晶層(LCL) 570。在行經LCL 570之後，白光經由彩色濾光器陣列(CFA) 580之紅色濾光器582、綠色濾光器584及藍色濾光器586選擇性地過濾成紅色、綠色及藍色。因而，CFA 580選擇性地過濾白光以形成個別RGB像素。紅光、綠光及藍光隨後行經第二偏光器590以供使用者可目視紅光592、綠光594及藍光596。如可看出，此類系統之一個問題為，濾除掉大量的光，導致系統低效率。
勝於使用QD膜，QD可直接地併入至LCD之彩色濾光器陣列的彩色濾光器中，由此提供更高效系統且補救諸如LCD 500之LCD顯示器的缺陷。達成此之一種方法繪示於圖6中。圖6為具有直接在彩色濾光器陣列之彩色濾光器中之QD的液晶顯示器(LCD) 600之示意圖。不同於LCD 500，LCD 600可藉由允許所需量之藍光自LCD 600發射且將實質上100%之剩餘藍光轉化成紅光或綠光而達成色彩純度。LCD 600包括藍光源601，諸如藍光發光二極體，其以光學方式與光導場所(LGP) 610耦合。藍光離開LGP 610且依次行經漫射膜620、增亮膜(BEF) 630、雙增亮膜(DBEF) 640、第一反射偏光器650及液晶層(LCL) 660及第二反射偏光器670。
在離開第二偏光器670時，一部分藍光由彩色濾光器陣列(CFA) 680之紅色轉化濾光器682吸收，另一部分藍光由CFA 680之綠色轉化濾光器684吸收，且另一部分藍光行經CFA 680之不含顏色轉化濾光器的區域686。紅色轉化濾光器682包含一群分散於適合基質材料中之第一類型量子點。第一類型量子點可為能夠吸收藍光且發射紅光692之任何量子點。綠色轉化濾光器684包含一群分散於適合基質材料中之第二類型量子點。第二類型量子點可為能夠吸收藍光且發射綠光694之任何量子點。區域686由不改變藍光之適合基質材料製成。
紅色轉化濾光器682、綠色轉化濾光器684及區域686之基質材料可為任何適合的光可固化聚合物或樹脂。根據本發明之各種態樣，可選擇光可固化聚合物或樹脂，該光可固化聚合物或樹脂允許穿過其之紅色、綠色及藍色(RGB)光的至少約70%透射。在其他情況下，選擇光可固化聚合物或樹脂，該光可固化聚合物或樹脂允許穿過其之RGB光之至少約80%透射、穿過其的RGB光之至少約90%透射、穿過其之RGB光的至少約95%透射及穿過其之RGB光之至少約99%透射。
根據本發明之各種態樣，顏色轉化濾光器682、684及區域686可具有範圍介於約5 µm至約100 µm、可替代地約5 µm至約75 µm、可替代地約5 µm至約50 µm、可替代地約10 µm至約40 µm及可替代地約15 µm至約30 µm之厚度。亦根據本發明之各種態樣，顏色轉化濾光器682、684可由約5至約80 wt%量子點、可替代地約5至約70 wt%量子點、可替代地約10至約70 wt%量子點、可替代地約10至約60 wt%量子點及可替代地約10至約50 wt%量子點製成。大體而言，隨著濾光器682、684之厚度增加，分散其中的量子點之量可減少。舉例而言，根據本發明之各種態樣，具有約15 µm的厚度之濾光器682、684可由約40至約60 wt%及可替代地約50 wt%量子點製成。亦舉例而言，根據本發明之各種態樣，具有約30 µm的厚度之濾光器682、684可由約20至約30 wt%及可替代地約25 wt%量子點製成。在一些情況下，顏色轉化濾光器682、684及區域686中之一或多者可進一步包括適量光散射劑，諸如硫酸鋇、二氧化鈦、二氧化矽或其他類似材料之粒子。實例
為了測定MCH及MEEAA封端量子點供用於PGMEA之適合性，以根據上文所描述的方法之方法產生以MCH及MEEAA封端之發射綠光量子點(實例1)。對於比較，四種其他發射綠光或發射紅光之量子點亦經合成且以聚乙二醇或PEG (Mw = 350，實例2-5)封端，亦已知該聚乙二醇與PGMEA具有良好相容性。各類型之封端QD之量子產率(QY)報導於表1中。如可看出，以MCH及MEEAA封端之發射綠光之量子點在PGMEA中時保持87%的高QY。在另一方面，塗佈有PEG之量子點呈現範圍僅介於32%-63%之QY，指示經PEG封端的QD在置放於PGMEA中時遭受實質性淬滅。 表1本發明之陳述
本發明之陳述包括：
陳述1：一種量子點，其包含：核；實質上包圍核之層；以及6-巰基己醇(MCH)及2-[2-(2-甲氧基乙氧基)-乙氧基]-乙酸(MEEAA)封端配位子。
陳述2：如陳述1之量子點，其中層基本上由吸收波長在約430 nm與約470 nm之間的光之直接帶隙半導體組成。
陳述3：如陳述1或2之量子點，其中層基本上由吸收波長為約450 nm的光之直接帶隙半導體組成。
陳述4：如陳述1至3中任一項之量子點，其中核包含銦及磷。
陳述5：如陳述1至4中任一項之量子點，其中核包含InP之合金化或摻雜衍生物。
陳述6：如陳述1至5中任一項之量子點，其中核包含InPZnS。
陳述7：如陳述1至5中任一項之量子點，其中核包含InPZnSe。
陳述8：如陳述1至5中任一項之量子點，其中核包含InPZnSeS。
陳述9：如陳述1至8中任一項之量子點，其中層包含金屬硫屬化物。
陳述10：如陳述9之量子點，其中金屬硫屬化物為ZnS、ZnSe、ZnSeS及ZnO中之任一者。
陳述11：如陳述1至10中任一項之量子點，其中實質上包圍核之層包含大於一個單層且小於或等於二十二個單層。
陳述12：如陳述1至11中任一項之量子點，其中實質上包圍核之層包含三個或更多個單層且小於或等於二十二個單層。
陳述13：如陳述1至12中任一項之量子點，其中實質上包圍核之層包含三個或更多個單層且小於或等於二十二個單層。
陳述14：如陳述1至13中任一項之量子點，其中實質上包圍核之層包含三個或更多個單層且小於或等於十五個單層。
陳述15：一種組合物，其包含分散於丙二醇單乙基醚乙酸酯(PGMEA)中之複數個如陳述1至14中任一項之量子點。
陳述16：一種量子點，其包含：核，其包含銦且具有第一帶隙；第一層，其實質上包圍核且包含具有大於第一帶隙的第二帶隙之第一金屬硫屬化物；以及第一層上之第二層，其包含具有大於第二帶隙的第三帶隙之第二金屬硫屬化物，其中第一層包含多於一個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於二十二個第一金屬硫屬化物單層。
陳述17：一種量子點，其包含：核，其包含銦且具有第一帶隙；第一層，其i實質上包圍核且包含具有大於第一帶隙的第二帶隙之第一金屬硫屬化物；以及第一層上之第二層，其包含具有大於第二帶隙的第三帶隙之第二金屬硫屬化物，其中第一層包含三個或更多個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於二十二個第一金屬硫屬化物單層。
陳述18：一種量子點，其包含：核，其包含銦且具有第一帶隙；第一層，其實質上包圍核且包含具有大於第一帶隙的第二帶隙之第一金屬硫屬化物；以及第一層上之第二層，其包含具有大於第二帶隙的第三帶隙之第二金屬硫屬化物，其中第一層包含三個或更多個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於十五個第一金屬硫屬化物單層。
陳述19：如陳述16至18中任一項之量子點，其中量子點具有點桿架構。
陳述20：如陳述19之量子點，其中核自桿之中心縱向移位。
陳述21：如陳述16至20中任一項之量子點，其中核包含銦及磷。
陳述22：如陳述16至21中任一項之量子點，其中核包含InP之合金化或摻雜衍生物。
陳述23：如陳述16至22中任一項之量子點，其中核包含InPZnS。
陳述24：如陳述16至22中任一項之量子點，其中核包含InPZnSe。
陳述25：如陳述16至22中任一項之量子點，其中核包含InPZnSeS。
陳述26：如陳述16至25中任一項之量子點，其中層包含金屬硫屬化物。
陳述27：如陳述26之量子點，其中金屬硫屬化物為ZnS、ZnSe、ZnSeS及ZnO中之任一者。
陳述28：一種組合物，其包含分散於丙二醇單乙基醚乙酸酯(PGMEA)中之複數個如陳述16至27中任一項之量子點。
陳述29：一種量子點-量子井半導體奈米粒子，其包含：核，其包含具有第一帶隙之第一金屬硫屬化物；第一層，其實質上包圍核且包含銦並具有小於第一帶隙的第二帶隙；第二層，其實質上包圍第一層且包含第二金屬硫屬化物並具有實質上等於第一帶隙之第三帶隙；第三層，其實質上包圍第二層且包含具有大於第一帶隙及第二帶隙的第三帶隙之第三金屬硫屬化物，其中第二層包含多於一個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於二十二個第一金屬硫屬化物單層。
陳述30：一種量子點-量子井半導體奈米粒子，其包含：核，其包含具有第一帶隙之第一金屬硫屬化物；第一層，其實質上包圍核且包含銦並具有小於第一帶隙之第二帶隙；第二層，其實質上包圍第一層且包含第二金屬硫屬化物並具有實質上等於第一帶隙的第三帶隙；第三層，其實質上包圍第二層且包含具有大於第一帶隙及第二帶隙之第三帶隙之第三金屬硫屬化物，其中第二層包含三個或更多個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於二十二個第一金屬硫屬化物單層。
陳述31：一種量子點-量子井半導體奈米粒子，其包含：核，其包含具有第一帶隙之第一金屬硫屬化物；第一層，其實質上包圍核且包含銦並具有小於第一帶隙的第二帶隙；第二層，其實質上包圍第一層且包含第二金屬硫屬化物並具有實質上等於第一帶隙之第三帶隙；第三層，其實質上包圍第二層且包含具有大於第一帶隙及第二帶隙的第三帶隙之第三金屬硫屬化物，其中第二層包含三個或更多個第一金屬硫屬化物單層且小於或等於十五個第一金屬硫屬化物單層。
陳述32：如陳述29至31中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一金屬硫屬化物及第二金屬硫屬化物為不同金屬硫屬化物。
陳述33：如陳述29至31中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一金屬硫屬化物及第三金屬硫屬化物為相同金屬硫屬化物。
陳述34：如陳述29至33中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一、第二及第三金屬硫屬化物中之每一者，金屬硫屬化物為ZnS、ZnSe、ZnSeS及ZnO中之任一者。
陳述35：如陳述29至34中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一層包含銦及磷。
陳述36：如陳述29至35中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一層包含InP之合金化或摻雜衍生物。
陳述37：如陳述29至36中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一層包含InPZnS。
陳述38：如陳述29至36中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一層包含InPZnSe。
陳述39：如陳述29至36中任一項之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中第一層包含InPZnSeS。
陳述40：一種組合物，其包含分散於丙二醇單乙基醚乙酸酯(PGMEA)中之複數個如陳述29至39中任一項之量子點。
陳述41：一種液晶顯示器(LCD)，其包含：可見光譜之藍色部分中之光源；以及彩色濾光器陣列，其與藍光源光通信且含有複數個如陳述1至14、16至27及29至39中任一項之量子點。
陳述42：一種液晶顯示器(LCD)，其包含：可見光譜之藍色部分中之光源；以及彩色濾光器陣列，其與藍光源光通信且含有複數個如陳述1至14、16至27及29至39中任一項之量子點，其中彩色濾光器由如陳述15、28及40中任一項之組合物形成。
前述呈現體現本發明之原理之系統的特定實施例。熟習此項技術者將能夠設計替代方案及變化形式，即使其未明確地揭示於本文中，仍體現彼等原理且由此在本發明之範疇內。儘管已展示且描述本發明之特定實施例，但其並不意欲限制此專利涵蓋之內容。熟習此項技術者將理解，可在不背離如由隨附申請專利範圍字面上及等效地涵蓋之本發明的範疇之情況下進行各種變化及修改。
500‧‧‧液晶顯示器(LCD)
501‧‧‧光源
510‧‧‧光導場所(LGP)
520‧‧‧含量子點膜(QDF)
530‧‧‧漫射膜
540‧‧‧增亮膜(BEF)
550‧‧‧雙增亮膜(DBEF)
560‧‧‧第一反射偏光器
570‧‧‧液晶層(LCL)
580‧‧‧彩色濾光器陣列(CFA)
582‧‧‧紅色濾光器
584‧‧‧綠色濾光器
586‧‧‧藍色濾光器
590‧‧‧第二偏光器
592‧‧‧紅光
594‧‧‧綠光
596‧‧‧藍光
600‧‧‧液晶顯示器(LCD)
601‧‧‧藍光源
610‧‧‧光導場所(LGP)
620‧‧‧漫射膜
630‧‧‧增亮膜(BEF)
640‧‧‧雙增亮膜(DBEF)
650‧‧‧第一反射偏光器
660‧‧‧液晶層(LCL)
670‧‧‧第二反射偏光器
680‧‧‧彩色濾光器陣列(CFA)
682‧‧‧紅色轉化濾光器
684‧‧‧綠色轉化濾光器
686‧‧‧區域
692‧‧‧紅光
694‧‧‧綠光
圖1A及1B展示發射綠光(圖1A)及發射紅光(圖1B)之CFQD量子點的UV/可見光吸收及發射光譜。
圖2A為發射綠光之CFQD量子點的EQE相對於藍色LED吸收率%之曲線。
圖2B為發射綠光之CFQD量子點的峰值發射波長相對於藍色LED吸收率%之曲線。
圖2C為發射綠光之CFQD量子點的FWHM相對於藍色LED吸收率%之曲線。
圖2D為膜中之發射綠光之CFQD量子點在450 nm下的吸收率相對於濃度之曲線。
圖3為先前技術之點桿型架構的橫截面示意性描繪。
圖4為三種不同奈米粒子架構及其對應能級對準之示意性表示。
圖5為具有先前技術之含QD背光單元的液晶顯示器(LCD)之示意圖。
圖6為直接地在彩色濾光器中具有QD的液晶顯示器(LCD)之示意圖。

Claims (24)

  1. 一種量子點，其包含： 核； 層，其實質上包圍該核；及 6-巰基己醇(MCH)及2-[2-(2-甲氧基乙氧基)-乙氧基]-乙酸(MEEAA)封端配位子。
  2. 如請求項1之量子點，其中該層基本上由吸收波長為約430 nm與約470 nm之間的光之直接帶隙半導體組成。
  3. 如請求項1之量子點，其中該核包含銦及磷。
  4. 如請求項1之量子點，其中該核包含InP之合金化或摻雜衍生物。
  5. 如請求項4之量子點，其中該核包含InPZnS。
  6. 如請求項4之量子點，其中該核包含InPZnSeS。
  7. 如請求項1之量子點，其中該層包含金屬硫屬化物。
  8. 如請求項7之量子點，其中該金屬硫屬化物為ZnS、ZnSe、ZnSeS及ZnO中之任一者。
  9. 如請求項1之量子點，其中實質上包圍該核之該層包含三個或更多個單層且小於或等於十五個單層。
  10. 一種組合物，其包含分散於丙二醇單乙基醚乙酸酯(PGMEA)之複數個如請求項1之量子點。
  11. 一種量子點，其包含： 核，其包含銦且具有第一帶隙； 第一層，其實質上包圍該核且包含具有大於該第一帶隙之第二帶隙的第一金屬硫屬化物；及 該第一層上之第二層，其包含具有大於第二帶隙之第三帶隙的第二金屬硫屬化物， 其中該第一層包含三個或更多個該第一金屬硫屬化物單層且小於或等於十五個該第一金屬硫屬化物單層。
  12. 如請求項11之量子點，其中該量子點具有點桿(dot-in-rod)架構。
  13. 如請求項12之量子點，其中該核自該桿之中心縱向移位。
  14. 如請求項11之量子點，其中該核另外包含磷。
  15. 如請求項11之量子點，其中該核包含InP之合金化或摻雜衍生物。
  16. 如請求項15之量子點，其中該核包含InPZnS。
  17. 如請求項15之量子點，其中該核包含InPZnSeS。
  18. 如請求項11之量子點，其中該第一及該第二金屬硫屬化物中之每一者為ZnS、ZnSe、ZnSeS及ZnO中之任一者。
  19. 一種量子點-量子井半導體奈米粒子，其包含： 核，其包含具有第一帶隙之第一金屬硫屬化物； 第一層，其實質上包圍該核且包含銦並具有小於該第一帶隙之第二帶隙； 第二層，其實質上包圍該第一層且包含第二金屬硫屬化物並具有實質上等於該第一帶隙之第三帶隙； 第三層，其實質上包圍該第二層且包含具有大於該第一帶隙及該第二帶隙的第三帶隙之第三金屬硫屬化物， 其中該第二層包含三個或更多個該第一金屬硫屬化物單層且小於或等於十五個該第一金屬硫屬化物單層。
  20. 如請求項19之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中該第一金屬硫屬化物及該第二金屬硫屬化物為不同金屬硫屬化物。
  21. 如請求項19之量子點-量子井半導體奈米粒子，其中該第一金屬硫屬化物及該第三金屬硫屬化物為相同金屬硫屬化物。
  22. 一種液晶顯示器(LCD)，其包含： 可見光譜之藍色部分中之光源； 彩色濾光器陣列，其與該藍光源光通信且含有複數個如請求項1之量子點。
  23. 一種液晶顯示器(LCD)，其包含： 可見光譜之藍色部分中之光源； 彩色濾光器陣列，其與該藍光源光通信且含有複數個如請求項11之量子點。
  24. 一種液晶顯示器(LCD)，其包含： 可見光譜之藍色部分中之光源； 彩色濾光器陣列，其與該藍光源光通信且含有複數個如請求項19之量子點-量子井半導體奈米粒子。
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