TW201919802A - 熔接裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之熔接裝置1的旋轉馬達Mt係使焊炬30移動。記憶部44中儲存有熔接條件與旋轉馬達Mt之脈波數具對應關係的熔接資訊。控制部42係根據旋轉馬達Mt之脈波數及熔接資訊來切換熔接條件。

Description

熔接裝置

本揭示係有關熔接裝置。本申請案係根據2017年9月29日所提出的日本發明專利申請案第2017-190484號主張優先權的利益，其發明的內容係援用於本申請案。

專利文獻1揭示有於薄片材熔接圓板狀的錨固件(anchor)的技術。錨固件係沿著外周被熔接。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開昭60-83783號公報

薄片材會有藉由圓板狀的錨固件而固定於壁之側面的情形。此情形下，錨固件的平面與鉛直面大致平行。沿著錨固件的外周熔接時，例如與於外周的上側的熔接相比較，外周的下側的熔接較困難。此係由於熔接材料會有在外周的下側因自重而下垂之虞的緣故。因此，沿 著外周之熔接的過程中，熔接員必須進行調整熔接條件的操作，作業變得繁雜。

本揭示之目的在於提供能夠使作業簡單化的熔接裝置。

為解決上述課題，本發明之一態樣的熔接裝置係具備：馬達，係使焊炬移動；記憶部，係儲存熔接條件與馬達之脈波數具對應關係的熔接資訊；以及控制部，係根據馬達之脈波數及熔接資訊來切換熔接條件。

此外，馬達可使焊炬環狀地移動。

此外，控制部可根據馬達的脈波數及熔接資訊來切換屬於熔接條件之熔接速度、電流、電壓、熔接材料進給量、電弧發生用脈波的脈衝時間、擺動幅度、擺動速度、無填料熔接之有無之中至少任一個條件。

此外，熔接線可區分成複數個區間，可預先設定有表示各區間之交界之脈波數臨限值，控制部可於馬達的脈波數之計數值成為脈波數臨限值以上時，切換熔接條件。

此外，控制部可具備有記憶馬達的脈波數之計數值的記憶區域，且於熔接開始時讀出記憶區域的計數值。

依據本揭示，能夠使熔接的作業簡單化。

1‧‧‧熔接裝置

2‧‧‧側壁

3‧‧‧薄片材

4‧‧‧突座

5‧‧‧螺牙孔

6‧‧‧保冷劑

7‧‧‧貫穿孔

10‧‧‧錨固件

11‧‧‧錨固件本體部

12‧‧‧抓持部

13‧‧‧突起部

14‧‧‧凹陷部

15‧‧‧中心軸

16‧‧‧熔接線

20‧‧‧本體部

21‧‧‧基座部

22‧‧‧臂部

23‧‧‧定位部

24‧‧‧爪部

25‧‧‧中心軸

26‧‧‧線料進給部

27‧‧‧導引口

30‧‧‧焊炬

40‧‧‧控制盤

42‧‧‧控制部

44‧‧‧記憶部

50‧‧‧熔接電源

52‧‧‧電源

54‧‧‧氣體鋼瓶

60‧‧‧遙控器

k‧‧‧狀態變數

Mf‧‧‧線料進給馬達

Mo‧‧‧擺動馬達

Mr‧‧‧伸縮馬達

Mt‧‧‧旋轉馬達

Mv‧‧‧高度調整馬達

th1至th5‧‧‧脈波數臨限值

W1至W4‧‧‧熔接條件

A、R、V、θ‧‧‧方向

S100、S110、S120、S130、S140、S150、S160、S170、S180、S190、S200、S210‧‧‧步驟

第1圖係顯示藉由熔接裝置熔接之錨固件之構成的剖面圖。

第2圖係顯示錨固件之構成的平面圖。

第3圖係表示熔接裝置之構成的方塊圖。

第4圖係顯示本體部及焊炬之構成的立體圖。

第5圖係顯示從第4圖之V方向觀看本體部時之本體部及焊炬之構成的立體圖。

第6圖係顯示本體部及焊炬之構成的示意圖。

第7圖係顯示焊炬之構成的示意圖。

第8圖係說明熔接資訊的說明圖。

第9圖係說明熔接資訊的說明圖。

第10圖係顯示熔接條件之一例的圖。

第11圖係顯示控制部進行的處理之流程的流程圖。

以下，依據所附圖式來詳細說明本發明之一實施形態。該實施形態所示之尺寸、材料、其他具體的數值等僅係為了容易理解而例示者，除了特別指明之外，皆非用以限定本發明。再者，本說明書及圖式中，針對實質上具有相同的功能、構成的要素賦予相同的符號而省略重複說明，並且，與本揭示無直接關係的要素則省略圖示。

第1圖係顯示可由一實施形態之熔接裝置1熔接之錨固件10之構成的剖面圖。第2圖係顯示錨固件之構成的平面圖。錨固件10係例如將薄片材3固定於LNG (liquefied natural gas；液化天然氣)地下儲槽內的側壁2。側壁2係例如以混凝土構成。於側壁2設有突座4。突座4中形成有螺牙孔5。

薄片材3係例如由不鏽鋼板所構成。薄片材3係與側壁2相對向而配置。薄片材3與側壁2之間設置保冷劑6。於薄片材3之與突座4相對向的位置設有貫穿孔7。

錨固件10係例如由不鏽鋼所構成。錨固件10係包含錨固件本體部11、抓持部12及突起部13。錨固件本體部11係形成圓板狀。錨固件本體部11的直徑係大於薄片材3之貫穿孔7的直徑。

抓持部12係設於錨固件本體部11之表面的中心部分。抓持部12係形成圓板狀。抓持部12之背面的中心部分係連接於錨固件本體部11之表面的中心部分。抓持部12的背面與錨固件本體部11之表面之間，形成朝抓持部12之外周側開放的空間。抓持部12之表面的中心部分形成朝背面側凹陷的凹陷部14。凹陷部14係位於錨固件10的中心軸15上。錨固件10的中心軸15係朝大致垂直於鉛直面的方向延伸。

突起部13係設於錨固件本體部11之背面的中心部分。突起部13係於側面形成螺溝。突起部13係從薄片材3之保冷劑6的相反側插入貫穿孔7。突起部13係螺合於突座4的螺牙孔5。隨著突起部13與螺牙孔5螺合，錨固件本體部11之背面就接近薄片材3的表面。

於錨固件本體部11的外周進行端緣材料熔接而將錨固件10與薄片材3熔接。亦即，錨固件本體部11的外周成為熔接線16。

第3圖係表示一實施形態之熔接裝置1之構成的方塊圖。熔接裝置1係包含本體部20、焊炬30、控制盤40、熔接電源50及遙控器60。

焊炬30係連接於本體部20。本體部20係經由控制電纜而連接於控制盤40。本體部20係依照控制盤40的控制而使焊炬30移動。焊炬30係包含使電弧產生的電極。焊炬30係經由氣體、電力線路而連接於控制盤40。遙控器60係經由遙控器電纜而連接於控制盤40。此外，遙控器60也能以無線方式連接於控制盤40。

熔接電源50係連接於控制盤40。且熔接電源50係連接於電源52。電源52例如為商用電源。熔接電源50係根據電源52所供給的電力而產生使電弧發生的電力。熔接電源50的電力係經由控制盤40而供給至焊炬30。熔接電源50係連接於氣體鋼瓶54。氣體鋼瓶54填充有氣體(例如氬氣)。氣體鋼瓶54的氣體經由熔接電源50及控制盤40而供給至焊炬30。

第4圖係顯示本體部20及焊炬30之構成的立體圖。第5圖係顯示從第4圖之V方向觀看本體部20時之本體部20及焊炬30之構成的立體圖。第5圖中省略了錨固件10及薄片材3。第4圖及第5圖中，如圖所示地定義A方向、R方向、θ方向。A方向係表示錨固件10之 中心軸15方向。R方向係表示錨固件10的直徑方向。θ方向係表示錨固件10的外周方向。

本體部20係包含基座部21及臂部22。基座部21係於熔接時安裝於錨固件10。基座部21的底部設有定位部23及爪部24。定位部23係包含與錨固件10之凹陷部14匹配的突起部。定位部23的突起部係位於基座部21的中心軸25上。定位部23的突起部與錨固件10之凹陷部14匹配時，基座部21之中心軸25係與錨固件10的中心軸15垂疊。因此，A方向係表示基座部21的中心軸25方向。

爪部24係設於定位部23的周圍。爪部24係均等地設於中心軸25之周圍的三處。於爪部24的前端之中心軸25側的面形成有凹陷部。爪部24的凹陷部可容納錨固件10之抓持部12的外周部。亦即，能以三個爪部24夾持抓持部12。依此，將基座部21固定於錨固件10。

本體部20之臂部22係連結於基座部21。臂部22係從基座部21朝遠離中心軸25的方向延伸。臂部22係可繞中心軸25周圍旋轉。

焊炬30係連結於臂部22。焊炬30係設定為位於熔接線16附近。焊炬30的電極係於熔接時發生電弧。焊炬30的電極與錨固件10之間的距離係可自動調整。焊炬30係能夠朝與熔接線16交叉的方向擺動(weaving)。

於臂部22設有線料進給部26。線料進給部26係將作為熔接材料的線料進給至焊炬30。

第6圖係顯示本體部20及焊炬30之構成的示意圖。於本體部20之基座部21設有旋轉馬達Mt。旋轉馬達Mt係使臂部22繞基座部21的中心軸25周圍旋轉。旋轉馬達Mt係例如為脈衝馬達。旋轉馬達Mt係使臂部22繞中心軸25周圍旋轉達到與從控制盤40賦予之脈波數對應的角度。

於臂部22設有伸縮馬達Mr。伸縮馬達Mr係使臂部22的長度伸縮。伸縮馬達Mr係例如為脈衝馬達。伸縮馬達Mr係使臂部22伸縮達到與從控制盤40賦予的脈波數對應的長度。亦即，伸縮馬達Mr係使焊炬30沿錨固件10的直徑方向移動。

於線料進給部26設有線料進給馬達Mf。線料進給馬達Mf係經由導引口27而將線料供給至焊炬30之電極的前端。

第7圖係顯示焊炬30之構成的示意圖。於焊炬30設有高度調整馬達Mv及擺動馬達Mo。高度調整馬達Mv係使焊炬30沿焊炬30的高度方向移動。控制盤40係藉由高度調整馬達Mv的驅動與自動電壓控制(AVC)來調整焊炬30之電極與錨固件10的距離。自動電壓控制係控制電弧之電壓的技術。

擺動馬達Mo係使焊炬30垂直於熔接線16地移動。控制盤40係藉由擺動馬達Mo的驅動而調整熔接痕寬度。

回到第3圖，控制盤40係包含控制部42 及記憶部44。控制部42係以包含CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)、ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)等的半導體積體電路而構成。CPU係進行依照程式的演算。ROM中儲存有程式等。RAM係使用作為工作區。控制部42係以執行程式來控制熔接裝置1的各部。再者，控制部42也能夠因應遙控器60賦予的信號來控制各部。

記憶部44係例如為非揮發性記憶裝置。於記憶部44儲存有熔接資訊。控制部42係依照此熔接資訊來進行錨固件10的熔接。

第8圖及第9圖係說明熔接資訊的說明圖。熔接資訊中，熔接條件與旋轉馬達Mt之脈波數具對應關係。在此說明，將圓形的熔接線16之最上部的角度設為0度(360度)。且將最上部設為熔接的開始位置及結束位置。角度係隨著從本體部20觀看熔接線16時之順時針方向前進而增加。朝角度增加的順時針方向進行熔接。

熔接資訊中，熔接線16區分成四個區間。第一區間係位於鉛直上方向的區間(上區間)。第二區間係相對於第一區間位於右側的區間(右區間)。第三區間係位於鉛直下方向的區間(下區間)。第四區間係相對於第一區間位於左側的區間(左區間)。具體而言，第一區間係角度0度至45度及315度至360度的範圍。第二區間係角度45度至135度的範圍。第三區間係角度135度至225度的範圍。第四區間係角度225度至315度的範圍。

將角度為0度時的旋轉馬達Mt的脈波數設為0。在角度0度至45度的範圍，設定旋轉馬達Mt的脈波數臨限值th1。脈波數臨限值th1係相當於角度為45度時之旋轉馬達Mt的脈波數。在角度45度至135度的範圍，設定旋轉馬達Mt的脈波數臨限值th2。脈波數臨限值th2係相當於角度為135度時之旋轉馬達Mt的脈波數。在角度135度至225度的範圍，設定旋轉馬達Mt的脈波數臨限值th3。脈波數臨限值th3係相當於角度為225度時之旋轉馬達Mt的脈波數。在角度225度至315度的範圍，設定旋轉馬達Mt的脈波數臨限值th4。脈波數臨限值th4係相當於角度為315度時之旋轉馬達Mt的脈波數。如此一來，脈波數臨限值th1、th2、th3、th4係表示各區間的交界。

此外，在角度315度至360度的範圍，設定旋轉馬達Mt的脈波數臨限值th5。脈波數臨限值th5係相當於角度為360度時之旋轉馬達Mt的脈波數。脈波數臨限值th5係表示熔接結束位置。

熔接條件W1與第一區間具對應關係。熔接條件W2與第二區間具對應關係。熔接條件W3與第三區間具對應關係。熔接條件W4與第四區間具對應關係。亦即，熔接條件W1與0至脈波數臨限值th1為止的脈波數具對應關係。熔接條件W2與脈波數臨限值th1至脈波數臨限值th2為止的脈波數具對應關係。熔接條件W3與脈波數臨限值th2至脈波數臨限值th3為止的脈波數具對應 關係。熔接條件W4與脈波數臨限值th3至脈波數臨限值th4為止的脈波數具對應關係。且熔接條件W1與脈波數臨限值th4至脈波數臨限值th5為止的脈波數具對應關係。

第10圖係顯示熔接條件W1至W4之一例的圖。第10圖的例子中，設定了電流、電壓、熔接速度及熔接材料(線料)進給量作為熔接條件。第一區間的熔接條件W1中，此等條件設定為標準的值。第二區間的熔接條件W2與熔接條件W1相比較，電流的值減少，而熔接速度及熔接材料進給量增加。第三區間的熔接條件W3與熔接條件W1相比較，電流的值增加，而熔接材料進給量減少。第四區間的熔接條件W4與熔接條件W1相比較，電流的值增加，而熔接速度及熔接材料進給量減少。

依此，將熔接線16區分成四個區間，對各區間設定有熔接條件W1至W4，因此，隨著熔接的進展而切換熔接條件W1至W4。

此外，如第8圖所示，熔接資訊中設定有狀態變數k。狀態變數k與熔接條件具對應關係。狀態變數k係表示熔接條件為處於何種狀態的變數。狀態變數k係配合熔接條件的切換而改變。

此外，控制部42係包含記憶旋轉馬達Mt的脈波數之計數值的記憶區域。此記憶區域係例如由暫存器構成。此記憶區域也記憶狀態變數k的值。

接著，說明熔接裝置1的動作。第11圖係顯示控制部42進行的處理之流程的流程圖。首先，於熔接 開始前，將本體部20安裝於錨固件10。控制部42係使伸縮馬達Mr驅動而使焊炬30之R方向的位置配合於錨固件10的半徑。然後，將焊炬30設定於熔接線16的最上部。

進行按下熔接開始按鈕之操作等表示熔接開始的操作時，控制部42係讀出熔接資訊(步驟S100)。接著，控制部42係從暫存器讀出旋轉馬達Mt的脈波數之計數值及狀態變數k的值(步驟S110)。在此說明，焊炬30位於屬於熔接開始位置的最上部時，暫存器記憶有屬於初始值的計數值「0」與狀態變數「1」。因此，可讀出計數值「0」與狀態變數「1」。

其次，控制部42係進行與所讀出之計數值及狀態變數k對應的熔接條件的設定(步驟S120)。計數值「0」及狀態變數「1」時，熔接條件的設定成為初始設定。初始設定中，控制部42係依據狀態變數k為1而將熔接條件設定為熔接條件W1。

接著，控制部42係使旋轉馬達Mt驅動(步驟S130)。具體而言，控制部42係逐步對旋轉馬達Mt供給脈衝。藉此，焊炬30係沿著熔接線16而朝外周方向(θ方向)移動。此外，旋轉馬達Mt的速度係可依供給至旋轉馬達Mt之脈波的脈波間隔等而調整。例如，旋轉馬達Mt係以與熔接條件W1之熔接速度對應的脈波間隔對旋轉馬達Mt供給脈波。

再者，控制部42係配合旋轉馬達Mt的驅動而使線料進給馬達Mf驅動，朝焊炬30之電極的前端供 給線料。此外，控制部42係開始對焊炬30供給電力及氣體。藉此，於焊炬30之電極與錨固件10之間產生電弧。亦即，以熔接條件W1開始錨固件10的熔接。

旋轉馬達Mt的驅動開始時，控制部42係計數旋轉馬達Mt的脈波數(步驟S140)。控制部42係在每次將脈衝供給至旋轉馬達Mt時，計數所供給的脈波數。控制部42係將旋轉馬達Mt之脈波數的計數值及現在的狀態變數k的值記憶到暫存器(步驟S150)。

其次，控制部42係判斷旋轉馬達Mt的脈波數的計數值是否為脈波數臨限值th5以上(步驟S160)。亦即，控制部42係判斷焊炬30是否已到達熔接結束位置。

計數值小於脈波數臨限值th5時(S160中的否)，控制部42係判斷計數值是否為脈波數臨限值thk以上(步驟S170)。在此說明，脈波數臨限值thk係表示狀態變數k時的脈波數臨限值。例如，狀態變數k為1時，脈波數臨限值thk為脈波數臨限值th1。

計數值小於脈波數臨限值thk時(S170中的否)，控制部42回到步驟S130的處理。例如焊炬30朝θ方向旋轉達45度為止前，計數值不會成為脈波數臨限值th1以上。至計數值成為脈波數臨限值th1以上為止，維持熔接條件W1。因此，在第一區間維持熔接條件W1。

計數值成為脈波數臨限值thk以上時(S170中的是)，控制部42將狀態變數k予以遞增(步驟S180)。例如將狀態變數k從1變更為2。

接著，控制部42係根據熔接資訊來變更熔接條件(步驟S190)。具體而言，控制部42係使遞增後的狀態變數k與熔接資訊之狀態變數k對照。且控制部42係變更成為與經對照後的狀態變數k對應的熔接條件。例如，狀態變數k變更成2時，從熔接條件W1切換至熔接條件W2(參照第8圖)。亦即，由於狀態變數k依據計數值而改變，因此，熔接條件係根據旋轉馬達Mt的脈波數來切換。

接著，控制部42係將與遞增後的狀態變數k對應的脈波數臨限值thk設成步驟S170中的比較對象(步驟S200)。藉此，將步驟S170中的脈波數臨限值thk更新成與遞增後的狀態變數k對應的脈波數臨限值thk。例如，狀態變數k變更為2時，設定為脈波數臨限值th2。並且，控制部42係回到步驟S130的處理而繼續進行旋轉馬達Mt的驅動。步驟S190中，熔接速度有變更時，控制部42係以變更後的熔接速度使旋轉馬達Mt驅動。例如，控制部42係將與熔接條件W2之熔接速度對應的脈衝間隔的脈衝供給至旋轉馬達Mt。

步驟S170中，比較計數值與經更新後的脈波數臨限值thk。計數值小於脈波數臨限值th2時(S170中的否)，於第二區間維持熔接條件W2。計數值成為脈波數臨限值th2以上時(S170中的是)，控制部42係將狀態變數k遞增成3，將熔接條件變更成熔接條件W3。如此一來，脈波數臨限值thk被更新為脈波數臨限值th3。

計數值小於脈波數臨限值th3時(S170中的否)，於第三區間維持熔接條件W3。計數值成為脈波數臨限值th3以上時(S170中的是)，控制部42係將狀態變數k遞增成4，將熔接條件變更成熔接條件W4。如此一來，脈波數臨限值thk被更新為脈波數臨限值th4。

計數值小於脈波數臨限值th4時(S170中的否)，於第四區間維持熔接條件W4。計數值成為脈波數臨限值th4以上時(S170中的是)，控制部42係將狀態變數k遞增成5，將熔接條件變更成熔接條件W1。如此一來，脈波數臨限值thk被更新為脈波數臨限值th5。

計數值小於脈波數臨限值th5時(S170中的否)，於第一區間維持熔接條件W1。計數值成為脈波數臨限值th5以上時(S160中的是)，控制部42係將暫存器所記憶的計數值及狀態變數k的值重設(步驟S210)。在此，計數值的重設係將0代入計數值。再者，狀態變數k的重設係將1代入狀態變數k。然後，控制部42係停止旋轉馬達Mt的驅動並結束熔接。藉此，在最上部的位置結束熔接。此外，脈波數臨限值thk為脈波數臨限值th5時，步驟S170中的比較對象與步驟S160中的比較對象相同。然而，計數值大於脈波數臨限值th5時，步驟S160係較步驟S170優先處理。因此，當計數值大於脈波數臨限值th5時就結束熔接。

接著，針對熔接中斷後再開始的情形進行說明。當進行表示熔接開始(亦即，再開始)的操作時，控 制部42係讀出熔接資訊(S100)。接著，控制部42係從暫存器讀出計數值及狀態變數k的值(S110)。在此，熔接中斷時，於暫存器記憶有中斷瞬間之前之計數值及狀態變數k的值。因此，控制部42係讀出中斷瞬間之前之計數值及狀態變數k的值。例如，在90度的位置中斷及再開始時，讀出相當於90度之計數值及相當於第二區間的狀態變數「2」。

接著，控制部42係進行與所讀出之中斷瞬間之前之計數值及狀態變數k對應之熔接條件的設定(S120)。在90度的位置中斷及再開始時，由於狀態變數為2，故控制部42係設定為熔接條件W2。此外，將脈波數臨限值thk設為脈波數臨限值th2。

控制部42係開始旋轉馬達Mt的驅動(S130)。然後，控制部42係從所讀出的計數值起接續計數旋轉馬達Mt的脈波數(S140)。之後，進行與上述同樣的處理。

如以上說明，本實施形態之熔接裝置1係根據旋轉馬達Mt的脈波數及熔接資訊來切換熔接條件。因此，熔接員於熔接的過程中不須調整熔接條件。依此，依據熔接裝置1，能夠使熔接的作業簡單化。

再者，熔接裝置1係將旋轉馬達Mt之脈波數的計數值及狀態變數k的值記憶於暫存器且同時地進行熔接。因此，熔接裝置1能夠從熔接中斷的位置起，以與該位置對應的熔接條件再開始熔接。依此，依據熔接裝置1，於熔接再開始時不須進行熔接條件之再設定等作業。

再者，熔接裝置1係於旋轉馬達Mt之脈波數的計數值為表示熔接結束位置之脈波數臨限值以上時停止旋轉馬達Mt的驅動。因此，依據熔接裝置1，能夠在正確的位置自動地結束熔接。

以上已參照所附圖式說明了一實施形態，惟本揭示當然不限於上述實施形態。若為本領域中具有通常知識者當可於發明申請專利範圍所記載的範疇中，思及各種變更例或修正例，該等變更例或修正例亦理解為屬於本揭示的技術範圍。

例如，上述的實施形態中，熔接條件的切換也可設為可藉由遙控器60進一步調整。

再者，上述的實施形態中，熔接線16為圓形。然而，熔接線16不限於圓形。熔接線16也可為熔接開始位置與熔接結束位置重疊的環狀。例如，熔接線16也可為多角形的環狀。再者，熔接線16也可不限於環狀而為熔接開始位置與熔接結束位置不重疊的曲線。例如，熔接線16也可為渦捲狀及圓弧狀。若為此等形狀，可依據旋轉馬達Mt之脈波數與焊炬30之距中心軸25周圍的位置之間之對應關係而達成。

再者，熔接線16也可為直線或彎曲的直線。此情形下，也可將旋轉馬達Mt取代成為使焊炬30直線地移動的馬達。即使是此情形下，若可根據使焊炬30移動的馬達的脈波數及熔接資訊來切換熔接條件即可。

再者，上述實施形態中，熔接線16係對於 鉛直面大致平行地配置。然而，熔接線16的形態不限對於鉛直面大致平行地配置。例如，熔接裝置1也可沿著與水平面平行地配置之熔接線16進行熔接，也可沿著與相對於水平面傾斜之傾斜面平行地配置之熔接線16進行熔接。

再者，上述實施形態中，例示了電流、電壓、熔接速度及熔接材料進給量作為熔接條件。惟，熔接條件不限於此等熔接條件。例如，此外，也可設定電弧產生用脈衝之脈衝時間(脈衝間隔)、擺動幅度、擺動速度、無填料熔接之有無(選擇是否使用熔接材料進行熔接或是不使用熔接材料進行熔接)，作為熔接條件。亦即，控制部42可根據旋轉馬達Mt的脈波數及熔接資訊來切換熔接速度、電流、電壓、熔接材料進給量、電弧發生用脈波的脈衝時間、擺動幅度、擺動速度、無填料熔接之有無之中至少任一個條件。

再者，上述實施形態之熔接線16係區分為四個區間。然而，熔接線16不限於區分成四個區間的態樣，若可是區分成複數個區間即可。例如，熔接線16也可區分成二個區間，也可區分成八個區間。此外，熔接線16不限於區分成等間隔的態樣，也可將各區間區分成不均等。

再者，上述實施形態係從最上部的位置開始熔接。然而，熔接開始位置不限於最上部。例如，也可從相對於最上部旋轉90度的位置開始熔接。此情形下，將熔接資訊之熔接條件偏移90度設定即可。

再者，上述實施形態中，控制部42係將旋 轉馬達Mt之脈波數的計數值及狀態變數k的值記憶於暫存器。然而，控制部42也可省略計數值及狀態變數k的值的記憶。此情形下，控制部42也可於熔接開始時省略計數值及狀態變數k的值的讀出。

此外，上述實施形態係將熔接裝置1使用於錨固件10與薄片材3的熔接。然而，熔接裝置1的熔接對象不限於錨固件10及薄片材3。熔接裝置1能夠應用於其他的熔接對象。

[產業上利用性]

本揭示係可利用於熔接裝置。

Claims (5)

1. 一種熔接裝置，係具備：馬達，係使焊炬移動；記憶部，係儲存熔接條件與前述馬達之脈波數具對應關係的熔接資訊；以及控制部，係根據前述馬達之脈波數及前述熔接資訊來切換前述熔接條件。
2. 如申請專利範圍第1項所述之熔接裝置，其中，前述馬達係使焊炬環狀地移動。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之熔接裝置，其中，前述控制部係根據前述馬達的脈波數及前述熔接資訊來切換屬於前述熔接條件之熔接速度、電流、電壓、熔接材料進給量、電弧發生用脈波的脈衝時間、擺動幅度、擺動速度、無填料熔接之有無之中至少任一個條件。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之熔接裝置，其中，熔接線係區分成複數個區間，預先設定有表示各區間之交界之脈波數臨限值，前述控制部係於前述馬達的脈波數之計數值成為前述脈波數臨限值以上時，切換前述熔接條件。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之熔接裝置，其中，前述控制部係具備有記憶前述馬達的脈波數之計 數值的記憶區域，且於熔接開始時讀出前述記憶區域的計數值。