TW201915191A - 軟磁性合金及磁性零件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供同時具有高飽和磁通密度、低保磁力及高導磁率μ’的軟磁性合金等。本發明的解決手段係一種軟磁性合金,其係以組成式((Fe(1-(α+ β ))
X1α
X2β
)(1-(a+b+c+d+e))
Pa
Cb
Sic
Cud
Me
構成的軟磁性合金,X1係選自由Co及Ni所組成之群之1種以上,X2係選自由Al、Cr、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之群之1種以上,M係選自由Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W及V所組成之群之1種以上,0.050≦a≦0.10、0<b<0.040、0<c≦0.030、0<d≦0.020、0≦e≦0.030、α≧0、β≧0、0≦a+β≦0.50。
Description
本發明係關於軟磁性合金及磁性零件。
近幾年,在電子‧資訊‧通訊機器等要求低消耗電力化及高效率化。再者,朝向低碳化社會,對上述的要求變得更強。因此,在電子‧資訊‧通訊機器等的電源電路,亦要求減低能量損失、提升電源效率等。然後,對使用於電源電路的磁元件的磁芯要求提升飽和磁通密度、降低鐵芯損耗(磁芯損失)及提升磁透率。降低鐵芯損耗,可使電能損耗變小;提升飽和磁通密度與磁透率,則可使磁性元件小型化,故而可謀求高效化及節能化。降低上述鐵芯損耗的方法,可考慮降低構成磁芯的磁體的保磁力。
此外,Fe基軟磁性合金亦用於作為包含於磁性元件的磁芯的軟磁性合金。Fe基軟磁性合金,期望具有良好的軟磁特性(高飽和磁通密度、低保磁力及高導磁率)及耐腐蝕性。
在專利文獻1,記載將B、Si、P、Cu、C及Cr的含有率控制在特定範圍內的Fe基合金組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1︰日本特開2016-211017號公報
[發明所欲解決的課題]
本發明係以提供同時具有高飽和磁通密度、低保磁力及高導磁率μ’的軟磁性合金等的為目的。 [用於解決課題的手段]
為達成上述目的,關於本發明的軟磁性合金,其特徵在於:其係以組成式((Fe(1-(α+ β ))
X1α
X2β
)(1-(a+b+c+d+e))
Pa
Cb
Sic
Cud
Me
構成的軟磁性合金, X1係選自由Co及Ni所組成之群之1種以上, X2係選自由Al、Cr、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之群之1種以上, M係選自由Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W及V所組成之群之1種以上, 0.050≦a≦0.10 0<b<0.040 0<c≦0.030 0<d≦0.020 0≦e≦0.030 α≧0 β≧0 0≦a+β≦0.50。
關於本發明的軟磁性合金,藉由具有上述特徵,容易具有藉由熱處理容易成為Fe基奈米結晶合金的結構。再者,具有上述特徵的Fe基奈米結晶合金,具有飽和磁通密度高、保磁力低、導磁率μ’高等較佳的軟磁特性,並且可成耐腐蝕性高的軟磁性合金。
關於本發明的軟磁性合金,亦可0≦α{1-(a+b+c+d+e)}≦0.40。
關於本發明的軟磁性合金,亦可α=0
關於本發明的軟磁性合金,亦可0≦β{1-(a+b+c+d+e)}≦0.030。
關於本發明的軟磁性合金,亦可β=0。
關於本發明的軟磁性合金,亦可α=β=0。
關於本發明的軟磁性合金,亦可具有係由非晶質及初期微結晶構成、上述初期微結晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構。
關於本發明的軟磁性合金,上述初期微結晶的平均粒徑,亦可為0.3~10nm。
關於本發明的軟磁性合金,亦可具有Fe基奈米結晶所組成的結構。
關於本發明的軟磁性合金,上述Fe基奈米結晶的平均粒徑亦可為5~30nm。
關於本發明的軟磁性合金,亦可為薄帶形狀。
關於本發明的軟磁性合金,亦可為粉末形狀。
此外,關於本發明的磁性零件,係由上述軟磁性合金構成。
以下說明關於本發明的實施形態。
關於本實施形態的軟磁性合金,其係以組成式((Fe(1-(α+ β ))
X1α
X2β
)(1-(a+b+c+d+e))
Pa
Cb
Sic
Cud
Me
構成的軟磁性合金, X1係選自由Co及Ni所組成之群之1種以上, X2係選自由Al、Cr、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之群之1種以上, M係選自由Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W及V所組成之群之1種以上, 0.050≦a≦0.10 0<b<0.040 0<c≦0.030 0<d≦0.020 0≦e≦0.030 α≧0 β≧0 0≦a+β≦0.50。
具有上述組成的軟磁性合金,係由非晶質構成,容易作成不含粒徑較30nm大的結晶所構成的結晶相的軟磁性合金。然後,熱處理此軟磁性合金時,容易析出Fe基奈米結晶。然後,包含Fe基奈米結晶的軟磁性合金,容易具有良好的磁力特性。
換言之,具有上述組成的軟磁性合金,容易作成使Fe基奈米結晶析出的軟磁性合金的起始原料。
所謂Fe基奈米結晶,係指粒徑為奈米等級,Fe的結晶結構為bcc(體心立方晶格結構)的結晶。在本實施形態,使之析出平均粒徑為5~30nm的Fe基奈米結晶為佳。析出如此的Fe基奈米結晶的軟磁性合金,飽和磁通密度容易變高,保磁力容易變低。再者,導磁率μ’容易變高。再者,所謂導磁率μ’係指複導磁率的實數部分。
再者,熱處理前的軟磁性合金,亦可完全僅由非晶質構成,惟以具有非晶質及粒徑在15nm以下的初期微結晶所構成、上述初期微結晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構為佳。藉由具有初期微結晶存在於非晶質中的奈米異質結構,容易在熱處理時使Fe基奈米結晶析出。再者,在本實施形態,上述初期微結晶的平均粒徑,以0.3~10nm為佳。
以下,詳細說明關於本實施形態的軟磁性合金的各成分。
P的含量(a)滿足0.050≦a≦0.10。以0.070≦a≦0.090為佳。藉由使P的含量在上述範圍內,特別是可使保磁力及導磁率μ’良好。a過大時,保磁力會變大,導磁率μ’會下降。a過小時,容易在熱處理前的軟磁性合金產生粒徑較30nm大的結晶所構成的結晶相,產生結晶相時,無法以熱處理使Fe基奈米結晶析出,而保磁力容易變高,導磁率μ’容易變低。
C的含量(b)滿足0<b<0.040。以0.010≦b≦0.035為佳,以0.020≦b≦0.035更佳。藉由使C的含量在上述範圍內,特別是可使保磁力及導磁率μ’良好。b過大時,保磁力會變大,導磁率μ’會下降。b過小時,容易在熱處理前的軟磁性合金產生粒徑較30nm大的結晶所構成的結晶相,產生結晶相時,無法以熱處理使Fe基奈米結晶析出,而保磁力容易變高,導磁率μ’容易變低。
Si的含量(C)滿足0<c≦0.030。以0.010≦c≦0.030為佳。藉由使Si的含量在上述範圍內,可使飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’良好。c過大時,飽和磁通密度會下降。c過小時,容易在熱處理前的軟磁性合金產生粒徑較30nm大的結晶所組成的結晶相,產生結晶相時,無法以熱處理使Fe基奈米結晶析出,保磁力容易變高,導磁率μ’容易變低。再者,以0.015≦c≦0.030為更佳。藉由滿足0.015≦c≦0.030,特別是可提升保磁力及導磁率μ’。
Cu的含量(d)滿足0<d≦0.020。以0.005≦d≦0.020為佳,以0.010≦d≦0.015更佳。藉由使Cu的含量在上述範圍內,特別是可使保磁力及導磁率μ’良好。d過大時,容易在熱處理前的軟磁性合金產生粒徑較30nm大的結晶所構成的結晶相,產生結晶相時,無法以熱處理使Fe基奈米結晶析出,保磁力容易變高,導磁率μ’容易變低。d過小時,耐腐蝕性會下降,保磁力會變大,而導磁率μ’會下降。
M係選自由Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W及V所組成之群之1種以上。
M的含量(e)滿足0≦e≦0.030。即,亦可不含M。e越大保磁力越容易下降,而容易增加導磁率μ’,但飽和磁通密度容易下降。
關於Fe的含量(1-(a+b+c+d+e))並無特別限制,以0.850≦(1-(a+b+c+d+e))≦0.900為佳。藉由使(1-(a+b+c+d+e))在上述範圍內,可使熱處理之前的軟磁性合金更難產生粒徑較30nm大的結晶所構成的結晶相。
此外,在關於本實施形態的軟磁性合金,亦可將Fe的一部分以X1及/或X2取代。
X1係選自由Co及Ni所組成之群之1種以上。X1的含量(α),可為α=0。即,亦可不含X1。此外,以組成全體的原子數為100at%,X1的原子數以40at%以下為佳。即,滿足0≦α{1-(a+b+c+d+e)}≦0.40為佳。
X2係選自由Al、Cr、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之群之1種以上。X2的含量(β),可為β=0。即,亦可不含X2。此外,以組成全體的原子數為100at%,X2的原子數以3.0at%以下為佳。即,滿足0≦β{1-(a+b+c+d+e)}≦0.030為佳。
將Fe以X1及/或X2取代的取代量的範圍,以原子數為基準,為Fe的一半以下。即,以0≦a+β≦0.50。a+β>0.50時,難以藉由熱處理作成Fe基奈米結晶合金。
再者,關於本實施形態的軟磁性合金,亦可含有上述以外的元素(例如B、Cr等)作為不可避免雜質。例如,亦可對軟磁性合金100重量%,含有0.1重量%以下。特別是B由於較高價,故降低其含量為佳。
以下,說明關於本實施形態的軟磁性合金的製造方法。
關於本實施形態的軟磁性合金的製造方法,並無特別限定。例如有藉由單輥輪法製造關於本實施形態的軟磁性合金的薄帶的方法。此外,薄帶可為連續薄帶。
在單輥輪法,首先,準備包含於最終所得軟磁性合金的各金屬元素的純金屬,秤量與最終所得軟磁性合金相同的組成。然後,將各金屬元素的純金屬熔化,混合製作母合金。再者,熔化上述純金屬的方法並無特別限制,例如在腔體內抽真空之後,以高頻加熱熔解的方法。再者,母合金與最終所得由Fe基奈米結晶所組成的軟磁性合金,通常會成為相同的組成。
接著,將製作的母合金加熱熔融,得到熔融金屬(浴湯)。熔融金屬的溫度,並無特別限制,可例如為1200~1500℃。
在單輥輪法,主要可藉由調整輥輪33的轉速而調整所得薄帶的厚度,惟亦可例如調整噴嘴與輥輪的間隔、熔融金屬的溫度等而調整所得薄帶的厚度。薄帶的厚度,並無特別限制,可例如為5~30μm。
在後述的熱處理前,薄帶係不含粒徑較30nm大的結晶的非晶質。藉由對非晶質的薄帶施以後述的熱處理,可得Fe基奈米結晶合金。
再者,確認熱處理前的軟磁性合金的薄帶是否包含粒徑較30nm大的結晶的方法,並無特別限制。例如關於有無粒徑較30nm大的結晶,可藉由通常的X射線繞射測定而確認。
此外,熱處理前的薄帶,可完全不含粒徑未滿15nm的初期微結晶,惟含有初期微結晶為佳。即,熱處理前的薄帶,由非晶質及存在於此非晶質中的此初期微結晶所組成的奈米異質結構為佳。再者,初期微結晶的粒徑,並無特別限制,平均粒徑以0.3~10nm的範圍內為佳。
此外,關於有無上述初期微結晶及平均粒徑的觀察方法,並無特別限制,例如對藉由離子打薄而薄片化的試料,使用穿透式電子顯微鏡,得到選區繞射、奈米束繞射、明場影像或高解析影響而可以作確認。使用選區繞射或奈米束繞射時,相對於非晶質在繞射圖案形成環狀的繞射,在不是非晶質時會形成起因於結晶結構的繞射點。此外,使用明場影像或高解析影像時,可以目視在倍率1.00×105
~3.00×105
倍作觀察,可觀察到有無初期微結晶及平均粒徑。
輥輪的溫度、轉速及腔體內部的氣氛並無特別限制。輥輪的溫度,為了非晶質化以4~30℃為佳。輥輪的轉速越快,初期微結晶的平均粒徑有變小的趨勢,為得平均粒徑為0.3~10nm的初期微結晶,以30~40m/sec為佳。考慮成本,則腔體內部的氣氛以大氣為佳。
此外,用於製造Fe基奈米結晶合金的熱處理條件,並無特別限制。根據軟磁性合金的組成,較佳的熱處理條件不同。通常,較佳的熱處理溫度,大致在380~500℃,較佳的熱處理時間大致在5~120分鐘。但是,有些組成,亦有較佳的熱處理溫度及熱處理時間存在於偏離上述範圍的情形。此外,熱處理時的氣氛並無特別限制。可在如大氣中等的活性氣氛下進行,亦可在如Ar氣體中等的惰性氣氛下進行。
此外,算出所得Fe基奈米結晶合金的平均粒徑的方法,並無特別限制。例如,可使用穿透式電子顯微鏡觀察算出。此外,確認結晶結構為bcc(體芯立方晶格結構)的方法,亦無特別限制。可使用例如,X射線繞射測定來作確認。
此外,得到關於本實施形態的軟磁性合金的方法,在上述單輥輪法以外,亦有例如藉由水噴霧法或氣體噴霧法得到關於本實施形態的軟磁性合金的粉狀體的方法。以下說明關於氣體噴霧法。
在氣體噴霧法,與上述單輥輪法同樣地得到1200~1500℃的熔融合金。之後,將上述熔融合金在腔體內噴射,製作粉體。
此時,藉由使氣體噴射溫度為4~30℃,使腔體內的蒸汽壓為1hPa以下,變得容易得到上述較佳的奈米異質結構。
以氣體噴霧法製作粉狀體之後,藉由以400~600℃進行熱處理0.5~10分鐘,可一邊防止各粉體相互燒結而使粉體粗大化、一邊促進元素的擴散,可在短時間到達熱力學的平衡狀態,可去除應變、應力等,而變得容易得到平均粒徑為10~50nm的Fe基軟磁性合金。
以上,雖然說明了關於本發明的一實施形態,惟本發明並非限定於上述實施形態。
關於本實施形態的軟磁性合金的形狀,並無特別限制。如上所述,可例示薄帶形狀及粉末形狀,在此之外,亦可考慮團塊形狀等。
關於本實施形態的軟磁性合金(Fe基奈米結晶合金)的用途,並無特別限制。可舉例如,磁性零件,其中特別可舉磁芯。電感器用,特別是可良好地使用於功率電感器用的磁芯。關於本實施形態的軟磁性合金,在磁芯之外亦可良好地使用於薄膜電感器、磁頭。
以下,說明由關於本實施形態的軟磁性合金得到磁性零件,特別是關於得到磁芯及電感器的方法,惟由關於本實施形態的軟磁性合金得到磁芯及電感器的方法,並非限定於下述方法。此外,磁芯的用途,在電感器之外,可列舉變壓器及馬達等。
由薄帶形狀的軟磁性合金得到磁芯的方法,可舉例如,將薄帶形狀的軟磁性合金捲繞的方法、層積的方法等。在層積薄帶形狀的軟磁性合金時經由絕緣體層積的情況,可得進一步提升特性的磁芯。
由粉末形狀的軟磁性合金得到磁芯的方法,可舉例如,與適當膠合劑混合之後,使用金屬模具成形的方法。此外,與膠合劑混合之前,藉由對粉末表面施以氧化處理或絕緣覆膜等,提升電阻率,而成為更適合高頻區域的磁芯。
成形方法並無特別限制,可例示使用金屬模具的成形、鑄模成形等。膠合劑的種類並無特別限制,可例示矽酮樹脂。軟磁性合金粉末與膠合劑的混合比例,亦無特別限制。例如對軟磁性合金粉末100質量%,混合1~10質量%的膠合劑。
例如,對軟磁性合金粉末100質量%,混合1~5質量%的膠合劑,藉由使用金屬模具壓縮成形,可得佔積率(粉末填充率)70%以上、施加1.6×104
A/m的磁場時的磁通密度為0.45T以上、且電阻率為1Ω‧cm以上的磁芯。上述特性,與一般的鐵氧體磁芯為同等以上的特性。
此外,例如對軟磁性合金粉末100質量%,混合1~3質量%的膠合劑,藉由在膠合劑的軟化點以上的溫度條件下,以金屬模具壓縮成形,可得佔積率80%以上、施加1.6×104
A/m的磁場時的磁束密度為0.9T以上、且電阻率為0.1Ω‧cm以上的壓粉磁芯。上述的特性,係較一般的壓粉磁芯更優良的特性。
再者,藉由對形成上述的磁芯的成形體,在成形後施以熱處理作為去應變熱處理,可進一步降低鐵芯損耗,提高可用性。再者,磁芯的鐵芯損耗,可藉由降低構成磁芯的磁體保磁力而下降。
此外,藉由對上述磁芯施以捲線,可得電感零件。施以捲線的方法及電感零件的製造方法,並無特別限制。可舉例如,對以上述方法所製造的磁芯,捲繞至少1圈的捲線方法。
再者,使用軟磁性合金粒子時,有藉由使捲線線圈內建在磁體的狀態加壓成形一體化,而製造電感零件的方法。此時,容易得到可對應高頻且大電流的電感零件。
再者,使用軟磁性合金粒子時,將對軟磁性合金粒子添加膠合劑及溶劑而糊料化的軟磁性合金糊料,及對線圈用的導體金屬添加膠合劑及溶劑而糊料化的導體糊料,交互印刷層積之後,藉由加熱鍛燒,可得電感零件。或者,使用軟磁性合金糊料製作軟磁性合金板片,在軟磁性合金板片的表面上印刷導體糊料,藉由將其層積鍛燒,可得線圈內建磁體的電感零件。
在此,使用軟磁性合金粒子製造電感零件時,使用最大粒徑以篩徑計為45μm以下,中芯粒徑(D50)在30μm以下的軟磁性合金粉末,在得到優良的Q特性上較佳。為使最大粒徑以篩徑計為45μm以下,可使用網目為45μm的篩網,僅使用透過篩網的軟磁性合金粉末。
使用最大粒徑越大的軟磁性合金粉末,越有使高頻區域的Q值下降的傾向,特別是使用最大粒徑,以篩徑計超過45μm的軟磁性合金粉末時,有使高頻區域的Q值大幅下降的情形。不過,在不重視高頻區域的Q值時,可以使用離散較大的軟磁性合金粉末。離散較大的軟磁性合金粉末,由於可以以相對較廉價而製造,使用離散較大的軟磁性合金粉末時,可降低成本。 [實施例]
以下,基於實施例,具體說明本發明。
為了成為下表所示各實施例及比較例的合金組成,秤量原料金屬,以高頻加熱熔化,製作母合金。
之後,將製作的母合金加熱使之熔融,作成1300℃的熔融狀態的金屬之後,在大氣中,藉由使用轉速為40m/sec的20℃輥輪的單輥輪法,將上述金屬向輥輪噴射,製作薄帶。薄帶的厚度為20~25μm,薄帶的寬度約15mm,薄帶的長度約10m。
對所得的薄帶進行X射線繞射測定,確認有無粒徑較30nm大的結晶。然後,不存在粒徑較30nm大的結晶時係由非晶質相構成,存在粒徑較30nm大的結晶時,係由結晶相構成。另外,以在非晶質相含有粒徑為15nm以下的初期微結晶為佳。
之後,對各實施例及比較例的薄帶,以下表所示溫度進行10分鐘的熱處理。再者,關於在下表沒有記載熱處理溫度的試料,熱處理溫度為450℃。對熱處理後的各薄帶,測定飽和磁通密度、保磁力及導磁率。飽和磁通密度(Bs)係使用振動試料型磁力計(VSM),以磁場1000kA/m測定。保磁力(Hc)係使用直流BH追蹤器,以磁場5kA/m測定。導磁率(μ’)係使用阻抗分析儀,以頻率1kHz測定。在本實施例,飽和磁通密度以1.80T以上為良好,保磁力以20.0A/m以下為良好,並以15.0A/m以下為更佳。導磁率μ’以10000以上為良好,並以15000以上為更佳。
再者,只要在以下所示實施例沒有特別記載,使用X射線折繞射測定及穿透式電子顯微鏡的觀察中確認,全部具有平均粒徑在5~30nm,結晶結構為bcc的Fe基奈米結晶。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
表1記載將P的含量以外的條件相同,僅改變P的含量的實施例及比較例。
P的含量(a)在0.050≦a≦0.10的範圍內的實施例1~5,飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’良好。相對於此,a=0.110的比較例1,保磁力會變大,而導磁率μ’降低。a=0.040的比較例2,熱處理前的薄帶係由結晶相構成,熱處理後的保磁力顯著地變大,而導磁率μ’顯著地變小。
表2記載改變C的含量(b)的實施例及比較例。
滿足0<b<0.040的實施例6~8,飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’良好。相對於此,b=0.040的比較例3,保磁力會變大,而導磁率μ’降低。b=0.000的比較例4,熱處理前的薄帶係由結晶相構成,熱處理後的保磁力顯著地變大,而導磁率μ’顯著地變小。
表3記載改變Si的含量(c)的實施例及比較例。
滿足0.00<c≦0.030的實施例9~11,飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’良好。相對於此,c=0.034的比較例5,飽和磁通密度會降低。c=0.000的比較例6,熱處理前的薄帶係由結晶相構成,熱處理後的保磁力顯著地變大,而導磁率μ’顯著地變小。。
表4記載改變Cu的含量(d)的實施例及比較例。
滿足0<d≦0.020的實施例12~14,飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’良好。相對於此,d=0.022的比較例7,熱處理前的薄帶係由結晶相構成,熱處理後的保磁力顯著地變大,而導磁率μ’顯著地變小。d=0.000的比較例9,保磁力變大,而導磁率μ’降低。
表5記載改變M的種類及M的含量(e)的實施例及比較例。
任一實施例,飽和磁通密度、保磁力及導磁率μ’均良好。相對於此,在e過大的比較例9,飽和磁通密度會下降。
表6係將關於實施例3的Fe的一部分以X1及/或X2取代的實施例。
表6顯示Fe的一部分以X1及/或X2取代,亦顯示良好的特性。
表7係藉由改變關於實施例3的輥輪轉速及/或熱處理溫度,改變初期微結晶的平均粒徑及Fe基奈米結晶合金的平均粒徑的實施例。
根據表7,顯示即使藉由改變輥輪的轉速及/或熱處理溫度而改變初期微結晶的平均粒徑及Fe基奈米結晶合金的平均粒徑,亦顯示良好的特性。
無。
無。
Claims (13)
- 一種軟磁性合金,其特徵在於:其係以組成式((Fe(1-(α+ β )) X1α X2β )(1-(a+b+c+d+e)) Pa Cb Sic Cud Me 構成的軟磁性合金, X1係選自由Co及Ni所組成之群之1種以上, X2係選自由Al、Cr、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之群之1種以上, M係選自由Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo、W及V所組成之群之1種以上, 0.050≦a≦0.10 0<b<0.040 0<c≦0.030 0<d≦0.020 0≦e≦0.030 α≧0 β≧0 0≦a+β≦0.50。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟磁性合金,其中0≦α{1-(a+b+c+d+e)}≦0.40。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中α=0。
- 如申請專利範圍第1至3項之任何一項所述的軟磁性合金,其中0≦β{1-(a+b+c+d+e)}≦0.030。
- 如申請專利範圍第1至4項之任何一項所述的軟磁性合金,其中β=0。
- 如申請專利範圍第1至5項之任何一項所述的軟磁性合金,其中α=β=0。
- 如申請專利範圍第1至6項之任何一項所述的軟磁性合金,其具有由非晶質及初期微結晶構成、上述初期微結晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構。
- 如申請專利範圍第7項所述的軟磁性合金,其中上述初期微結晶的平均粒徑為0.3~10nm。
- 如申請專利範圍第1至6項之任何一項所述的軟磁性合金,其具有Fe基奈米結晶所組成的結構。
- 如申請專利範圍第9項所述的軟磁性合金,其中上述Fe基奈米結晶的平均粒徑為5~30nm。
- 如申請專利範圍第1至10項之任何一項所述的軟磁性合金,其係薄帶形狀。
- 如申請專利範圍第1至10項之任何一項所述的軟磁性合金,其係粉末形狀。
- 一種磁性零件,其係由申請專利範圍第1至12項之任何一項所述的軟磁性合金構成。
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