TW201817896A - 軟磁性合金及磁性部件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供兼顧高的飽和磁通密度及低的矯頑力，且同時具有優異的軟磁特性和高的耐腐蝕性的軟磁性合金等。此軟磁性合金由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成。X1為選自Co及Ni組成之族群的1種以上。X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素組成之族群的1種以上。M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V組成之族群的1種以上。0.030≦a≦0.14、0.028≦b≦0.20、0<c≦0.014、0<d≦0.040、0≦e≦0.030、0≦f≦0.040、α≧0、β≧0、0≦α+β≦0.50。

Description

軟磁性合金及磁性部件
本發明關於一種軟磁性合金及磁性部件。
近年來，在電子、資訊、通訊設備等中尋求低功耗化及高效率化。進而，面向低碳化社會，上述的要求進一步增強。因此，在電子、資訊、通訊設備等的電源電路中也尋求能量損失的降低、電源效率的提高。而且，對用於電源電路的磁元件的磁芯尋求飽和磁通密度的提高及磁芯損耗(磁芯損失)的降低。如果降低磁芯損耗，則電能的損耗變小，可以實現高效率化及節能化。
專利文獻1中記載有Fe-B-M(M=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W)系的軟磁性非晶質合金。本軟磁性非晶質合金與市售的非晶態Fe相比，具有高的飽和磁通密度等，從而具有良好的軟磁特性。
專利文獻1：日本專利第3342767號
此外，作為降低上述磁芯的磁芯損耗的方法，考慮降低構成磁芯的磁性體的矯頑力。
但是，專利文獻1的合金組合物因為不含能夠改善耐腐蝕性的元素，所以在大氣中的製造極其困難。進而，專 利文獻1的合金組合物即使想要在氮氣氛或氬氣氛中通過水霧化法或氣體霧化法進行製造，也存在會因氣氛中的少量的氧而氧化的問題。
本發明的目的在於提供一種兼顧高的飽和磁通密度及低的矯頑力，且同時具有優異的軟磁特性和高的耐腐蝕性的軟磁性合金等。
為了實現上述目的，本發明所涉及的軟磁性合金，其特徵在於，是由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成的軟磁性合金，X1為選自Co及Ni組成之族群的1種以上，X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素組成之族群的1種以上，M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V組成之族群的1種以上，0.030≦a≦0.14
0.028≦b≦0.20
0<c≦0.014
0<d≦0.040
0≦e≦0.030
0≦f≦0.040
α≧0
β≧0
0≦α+β≦0.50。
本發明的軟磁性合金具有上述的特徵，由此通過 實施熱處理，容易具有容易成為鐵基奈米結晶合金的結構。進一步，具有上述特徵的鐵基奈米結晶合金的耐腐蝕性高。進一步，具有上述特徵的鐵基奈米結晶合金成為具有飽和磁通密度高且矯頑力低這樣的優良的軟磁特性的軟磁性合金。
本發明的軟磁性合金中，也可以是0.73≦1-(a+b+c+d+e)≦0.90。
本發明的軟磁性合金中，也可以是0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
本發明的軟磁性合金中，也可以是α=0。
本發明的軟磁性合金中，也可以是0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
本發明的軟磁性合金中，也可以是β=0。
本發明的軟磁性合金中，也可以是α=β=0。
本發明的軟磁性合金由非晶質及初期微晶構成，並且也可以具有上述初期微晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構。
上述初期微晶的平均粒徑也可以為0.3~10nm。
本發明的軟磁性合金也可以具有由鐵基奈米結晶構成的結構。
上述鐵基奈米結晶的平均粒徑也可以為5~30nm。
本發明的軟磁性合金也可以為薄帶形狀。
本發明的軟磁性合金也可以為粉末形狀。
另外，本發明的磁性部件由上述的軟磁性合金構成。
以下，對本發明的實施方式進行說明。
本實施方式的軟磁性合金具有Fe、M、B、P、Cr、Cu及C的含量分別在特定的範圍內的組成。具體而言，是由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成的軟磁性合金，並且具有以下的組成：X1為選自Co及Ni組成之族群的1種以上，X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素組成之族群的1種以上，M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V組成之族群的1種以上，0.030≦a≦0.14
0.028≦b≦0.20
0<c≦0.014
0<d≦0.040
0≦e≦0.030
0≦f≦0.040
α≧0
β≧0
0≦α+β≦0.50。
具有上述組成的軟磁性合金由非晶質構成，容易成為不含由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相的軟磁性合金。 而且，在對這個軟磁性合金進行熱處理的情況下，容易析出鐵基奈米結晶。而且，含有鐵基奈米結晶的軟磁性合金容易具有良好的磁特性。進而，容易成為耐腐蝕性也優異的軟磁性合金。
換而言之，具有上述的組成的軟磁性合金容易成為析出了鐵基奈米結晶的軟磁性合金的起始原料。
鐵基奈米結晶，是指粒徑為奈米級且Fe的晶體結構為bcc(體心立方晶格結構)的結晶。在本實施方式中，優選使平均粒徑為5~30nm的鐵基奈米結晶析出。析出了這樣的鐵基奈米結晶的軟磁性合金的飽和磁通密度容易提高，且矯頑力容易降低。
此外，熱處理前的軟磁性合金也可以完全僅由非晶質構成，但優選由非晶質及粒徑為15nm以下的初期微晶構成，且具有上述初期微晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構。通過具有初期微晶存在於非晶質中的奈米異質結構，從而在熱處理時容易析出鐵基奈米結晶。此外，在本實施方式中，上述初期微晶優選平均粒徑為0.3~10nm。
以下，對本實施方式的軟磁性合金的各成分進行詳細地說明。
M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V組成之族群的1種以上。另外，作為M的種類，優選為選自Nb、Hf及Zr組成之族群的1種以上。通過M的種類為選自Nb、Hf及Zr組成之族群的1種以上，從而矯頑力容易降低。
M的含量(a)滿足0.030≦a≦0.14。M的含量(a)優選為0.070≦a≦0.10。在a較小的情況下，在熱處理前的軟 磁性合金中容易產生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相，通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出，矯頑力容易變高。在a較大的情況下，飽和磁通密度容易降低。
B的含量(b)滿足0.028≦b≦0.20。另外，優選滿足0.040≦b≦0.14。在b較小的情況下，耐腐蝕性容易降低。在b過小的情況下，在熱處理前的軟磁性合金中容易產生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相，通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出，矯頑力容易變高。在b較大的情況下，飽和磁通密度容易降低。
P的含量(c)滿足0<c≦0.014。另外，優選滿足0.001≦c≦0.014，進一步優選滿足0.005≦c≦0.014。在c較小的情況下，耐腐蝕性容易降低。在c較大的情況下，矯頑力容易提高。
Cr的含量(d)滿足0<d≦0.040。另外，優選滿足0.001≦d≦0.040，進一步優選滿足0.005≦d≦0.020。在d較小的情況下，耐腐蝕性容易降低。在d較大的情況下，耐腐蝕性容易降低，飽和磁通密度容易降低，矯頑力容易上升。
本實施方式的軟磁性合金與僅含有P的情況(c=0)或僅含有Cr的情況(d=0)相比，通過同時含有P和Cr，能夠顯著地提高耐腐蝕性。
Cu的含量(e)滿足0≦e≦0.030。也可以為e=0。即，也可以不含Cu。通過含有Cu，矯頑力容易降低。優選滿足0.001≦e≦0.030。在e較大的情況下，飽和磁通密度容易降低。在e過大的情況下，在熱處理前的軟磁性合金中容易產 生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相，通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出，從而矯頑力容易提高。另一方面，在不含Cu的情況下(e=0)，與含有Cu的情況相比，具有飽和磁通密度高的優點。
關於Fe的含量(1-(a+b+c+d+e))，沒有特別限制，但優選滿足0.73≦1-(a+b+c+d+e)≦0.90。在0.73≦1-(a+b+c+d+e)的情況下，容易提高飽和磁通密度。另外，在1-(a+b+c+d+e)≦0.90的情況下，在熱處理前的軟磁性合金中容易產生由粒徑為15nm以下的初期微晶構成且具有上述初期微晶存在於非晶質中的納米異質結構的非晶質相。
C的含量(f)滿足0≦f≦0.040。也可以為f=0。即，也可以不含C。通過含有C，矯頑力容易降低。優選為0.001≦f≦0.040，更優選為0.005≦f≦0.04。在f過大的情況下，在熱處理前的軟磁性合金中容易產生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相，通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出，矯頑力容易變高。另一方面，在不含C的情況下(f=0)，與含有C的情況相比，具有容易產生粒徑為15nm以下的初期微晶的優點。
另外，本實施方式的軟磁性合金中，也可以由X1和/或X2取代一部分Fe。
X1為選自Co及Ni組成之族群的1種以上。X1的含量(α)也可以為α=0。即，也可以不含X1。另外，將組成整體的原子數設為100at%，X1的原子數優選為40at%以下。即，優選滿足0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素組成之族群的1種以上。X2的含量(β)也可以為β=0。即，也可以不含X2。另外，將組成整體的原子數設為100at%，X2的原子數優選為3.0at%以下。即，優選滿足0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
作為將Fe取代為X1和/或X2的取代量的範圍，以原子數基礎計為Fe的一半以下。即，設為0≦α+β≦0.50。在α+β>0.50的情況下，通過熱處理難以形成鐵基奈米結晶合金。
此外，本實施方式的軟磁性合金中，作為不可避免的雜質，也可以含有上述以外的元素。例如，相對於軟磁性合金100重量%，也可以含有1重量%以下的不可避免的雜質。
以下，對本實施方式的軟磁性合金的製造方法進行說明。
本實施方式的軟磁性合金的製造方法沒有特別限定。例如有通過單輥法製造本實施方式的軟磁性合金的薄帶的方法。另外，薄帶也可以是連續薄帶。
在單輥法中，首先，準備最終得到的軟磁性合金中所含的各金屬元素的純金屬，以與最終得到的軟磁性合金成為相同組成的方式進行秤量。然後，將各金屬元素的純金屬熔解並混合，製作母合金。此外，上述純金屬的熔解方法沒有特別限制，例如有在腔室內抽真空後通過高頻加熱使其熔解的方法。此外，母合金和由最終得到的鐵基奈米結晶構成的軟磁性合金通常為相同組成。
接著，將所製作的母合金加熱使其熔融，得到熔 融金屬(熔液)。熔融金屬的溫度沒有特別限制，例如可以設為1200~1500℃。
在單輥法中，主要可以通過調整輥33的轉速來調整所得到的薄帶的厚度，但例如通過調整噴嘴和輥的間隔、熔融金屬的溫度等也可以調整所得到的薄帶的厚度。薄帶的厚度沒有特別限制，例如可以設為5~30μm。
在後述的熱處理前的時刻，薄帶為不含粒徑大於15nm的結晶的非晶質。通過對作為非晶質的薄帶實施後述的熱處理，能夠得到鐵基奈米結晶合金。
此外，確認熱處理前的軟磁性合金的薄帶中是否含有粒徑大於15nm的結晶的方法沒有特別限制。例如，關於粒徑大於15nm的結晶的有無，可以通過通常的X射線繞射測定來進行確認。
另外，熱處理前的薄帶中也可以完全不含粒徑低於15nm的初期微晶，但優選含有初期微晶。即，熱處理前的薄帶優選為由非晶質及存在於上述非晶質中的上述初期微晶構成的奈米異質結構。此外，初期微晶的粒徑沒有特別限制，但優選平均粒徑在0.3~10nm的範圍內。
另外，對於上述的初期微晶的有無及平均粒徑的觀察方法，沒有特別限制，例如可以通過對利用離子銑而薄片化後的試樣使用穿透式電子顯微鏡得到受限視場繞射圖像、奈米束繞射圖像、明視場圖像或高解析度圖像來進行確認。在使用受限視場繞射圖像或奈米束繞射圖像的情況下，在繞射圖案中，在非晶質的情況下形成環狀的繞射，與之相對，在不是非晶質的情況下 形成起因於晶體結構的繞射斑點。另外，在使用明視場圖像或高解析度圖像的情況下，通過以倍率1.00×105~3.00×105倍目視進行觀察，能夠觀察初期微晶的有無及平均粒徑。
輥的溫度、轉速及腔室內部的氣氛沒有特別限制。為了非晶質化，優選輥的溫度設為4~30℃。有輥的轉速越快，則初期微晶的平均粒徑越小的傾向，為了得到平均粒徑為0.3~10nm的初期微晶，優選輥的轉速設為25~30m/sec.。從成本方面考慮，腔室內部的氣氛優選為大氣中。
另外，用於製造鐵基奈米結晶合金的熱處理條件沒有特別限制。根據軟磁性合金的組成，優選的熱處理條件不同。通常，優選的熱處理溫度大致為400~600℃，優選的熱處理時間大致為0.5~10小時。但是，也有有些組成是在上述的範圍之外存在優選的熱處理溫度及熱處理時間的情況。另外，熱處理時的氣氛沒有特別限制。可以在如大氣中的活性氣氛下進行，也可以在如Ar氣中的惰性氣氛下進行。
另外，得到的鐵基奈米結晶合金中的平均粒徑的計算方法沒有特別限制。例如，可以通過使用穿透式電子顯微鏡進行觀察而算出。另外，確認晶體結構是bcc(體心立方晶格結構)的方法也沒有特別限制。例如可以使用X射線繞射測定進行確認。
另外，作為獲得本實施方式的軟磁性合金的方法，除了上述的單輥法以外，還有通過例如水霧化法或氣體霧化法得到本實施方式的軟磁性合金的粉體的方法。以下，對氣體霧化法進行說明。
在氣體霧化法中，與上述的單輥法同樣地，得到1200~1500℃的熔融合金。之後，在腔室內噴射上述熔融合金，製作粉體。
此時，將氣體噴射溫度設為4~30℃，將腔室內的蒸氣壓設為1hPa以下，由此容易得到上述優選的奈米異質結構。
以氣體霧化法製作了粉體之後，通過在400~600℃下進行0.5~10分鐘的熱處理，能夠防止各粉體彼此燒結而粉體粗大化，並且能夠促進元素的擴散，短時間內達到熱力學的平衡狀態，且能夠除去應變及應力，容易獲得平均粒徑為10~50nm的鐵基軟磁性合金。
以上，對本發明的一個實施方式進行了說明，但本發明不限於上述的實施方式。
本實施方式的軟磁性合金的形狀沒有特別限制。如上述，例示了薄帶形狀或粉末形狀，但除此之外還考慮塊狀等。
本實施方式的軟磁性合金(鐵基奈米結晶合金)的用途沒有特別限制。例如，可以舉出磁性部件，其中還可以特別地舉出磁芯。可以適當地用作電感器用、特別是功率電感器用的磁芯。本實施方式的軟磁性合金除了用於磁芯之外，還可以適當用於薄膜電感器、磁頭。
以下，對由本實施方式的軟磁性合金獲得磁性部件、特別是磁芯及電感器的方法進行說明，但由本實施方式的軟磁性合金獲得磁芯及電感器的方法不限於下述的方法。另外，作為磁芯的用途，除了電感器之外，還可以舉出變壓器及 電動機等。
作為由薄帶形狀的軟磁性合金獲得磁芯的方法，例如可以舉出將薄帶形狀的軟磁性合金捲繞的方法、層疊的方法等。在層疊薄帶形狀的軟磁性合金時隔著絕緣體進行層疊的情況下，能夠獲得進一步提高了特性的磁芯。
作為由粉末形狀的軟磁性合金獲得磁芯的方法，例如可以舉出在適當與黏合劑混合後，使用模具進行成型的方法。另外，在與黏合劑進行混合之前，通過對粉末表面實施氧化處理、絕緣被膜等，從而使電阻率提高，成為更適於高頻帶的磁芯。
成型方法沒有特別限制，可以例示使用模具的成型、模製成型等。黏合劑的種類沒有特別限制，例示了聚矽氧樹脂。軟磁性合金粉末和黏合劑的混合比率也沒有特別限制。例如，相對於軟磁性合金粉末100質量%，混合1~10質量%的黏合劑。
例如，相對於軟磁性合金粉末100質量%，混合1~5質量%的黏合劑，使用模具進行壓縮成型，由此能夠獲得空間因數(粉末充填率)為70%以上、且施加了1.6×104A/m的磁場時的磁通密度為0.45T以上、且電阻率為1Ω‧cm以上的磁芯。上述特性是與通常的鐵氧體磁芯同等以上的特性。
另外，例如，相對於軟磁性合金粉末100質量%，混合1~3質量%的黏合劑，利用黏合劑的軟化點以上的溫度條件下的模具進行壓縮成型，由此能夠獲得空間因數為80%以上、且施加了1.6×104A/m的磁場時的磁通密度為0.9T以上、 且電阻率為0.1Ω‧cm以上的壓粉磁芯。上述的特性是比通常的壓粉磁芯更優異的特性。
進而，相對於成為上述磁芯的成型體，作為應變消除熱處理在成型後進行熱處理，由此磁芯損耗進一步降低，有用性提高。此外，磁芯的磁芯損耗通過降低構成磁芯的磁性體的矯頑力而降低。
另外，通過對上述磁芯實施繞線，可以獲得電感部件。繞線的實施方法及電感部件的製造方法沒有特別限制。例如，可以舉出在通過上述的方法製造的磁芯上捲繞至少1匝以上的繞線的方法。
進而，在使用軟磁性合金顆粒的情況下，有通過在將繞線線圈內置於磁性體的狀態下進行加壓成型使其一體化來製造電感部件的方法。此情況下，容易獲得對應於高頻且大電流的電感部件。
進而，在使用軟磁性合金顆粒的情況下，通過將在軟磁性合金顆粒中添加黏合劑及溶劑而膏體化的軟磁性合金膏體、及在線圈用的導體金屬中添加黏合劑及溶劑而膏體化的導體膏體交替印刷層疊後，進行加熱燒成，從而能夠獲得電感部件。或者，通過使用軟磁性合金膏體製作軟磁性合金片材，在軟磁性合金片材的表面印刷導體膏體，將它們層疊並燒成，由此能夠獲得磁性體中內置有線圈的電感部件。
在此，在使用軟磁性合金顆粒製造電感部件的情況下，從獲得優異的Q特性方面出發，優選使用最大粒徑以篩徑計為45μm以下、中心粒徑(D50)為30μm以下的軟磁性合 金粉末。為了將最大粒徑以篩徑計而設為45μm以下，也可以僅使用利用網眼45μm的篩並過篩的軟磁性合金粉末。
存在使用最大粒徑越大的軟磁性合金粉末，則高頻區域的Q值越低的傾向，特別是在使用最大粒徑以篩徑計超過45μm的軟磁性合金粉末的情況下，有時高頻區域的Q值會大幅降低。但是，在不重視高頻區域下的Q值的情況下，可以使用離散大的軟磁性合金粉末。因為離散大的軟磁性合金粉末能夠比較廉價地製造，所以在使用離散大的軟磁性合金粉末的情況下，能夠降低成本。
【實施例】
以下，基於實施例來具體說明本發明。
以成為下表所示的各實施例及比較例的合金組成的方式秤量原料金屬，通過高頻加熱進行熔解，製作母合金。
之後，將所製作的母合金加熱使其熔融，製成1300℃的熔融狀態的金屬之後，在大氣中通過以轉速30m/sec.使用了20℃的輥的單輥法使上述金屬對輥進行噴射，製作薄帶。薄帶的厚度為20~25μm、薄帶的寬度約為15mm、薄帶的長度約為10m。
對獲得的各薄帶進行X射線繞射測定，確認有無粒徑大於15nm的結晶。而且，在不存在粒徑大於15nm的結晶的情況下，設為由非晶質相構成；在存在粒徑大於15nm的結晶的情況下，設為由結晶相構成。
之後，對於各實施例及比較例的薄帶以下表所示的條件進行熱處理。對熱處理後的各薄帶測定飽和磁通密度及矯頑力。飽和磁通密度(Bs)使用振動試樣型磁力計(VSM) 在磁場1000kA/m下進行測定。矯頑力(Hc)使用直流BH示蹤器在磁場5kA/m下進行測定。在本實施例中，將飽和磁通密度為1.20T以上設為良好，將1.40T以上設為更良好。將矯頑力為10.0A/m以下設為良好，將5.5A/m以下設為更良好，將4.0A/m以下設為最良好。
進而，對各實施例及比較例的薄帶進行恒溫恒濕測試，評價耐腐蝕性。在溫度80℃、濕度85% RH的條件下觀察多長時間不產生腐蝕。在本實施例中，將40小時以上設為良好，將80小時以上設為更良好。
此外，在以下所示的實施例中只要沒有特別記載，則通過X射線繞射測定、及使用了穿透式電子顯微鏡的觀察確定了全部平均粒徑均為5~30nm且具有晶體結構為bcc的鐵基奈米結晶。
表1中記載有使P的含量(c)、Cr的含量(d)、M的含量(a)及M的種類變化的實施例及比較例。
各成分的含量在規定的範圍內的實施例的恒溫恒濕測試的結果良好。進而，飽和磁通密度及矯頑力良好。
與之相對，c=0和/或d=0的比較例的恒溫恒濕測試的結果不佳。另外，a過小的比較例中，熱處理前的薄帶由結晶相構成，熱處理後的矯頑力顯著提高。
表2中對於c=d=0的比較例、c=d=0.001的實 施例、及c=d=0.005的實施例分別使Fe的含量(1-(a+b+c+d+e)、B的含量(b)、M的含量(a)和/或M的種類變化。
各成分的含量在規定的範圍內的實施例的恒溫恒濕測試的結果良好。進而，飽和磁通密度及矯頑力良好。
與之相對，c=0及d=0的比較例的恒溫恒濕測試的結果不佳。
另外，a過小的比較例中，熱處理前的薄帶由結晶相構成，熱處理後的矯頑力顯著增大。另外，a過大的比較例中，飽和磁通密度降低。
表3記載了有關實施例2使C的含量(f)變化的實施例。
各成分的含量在規定的範圍內的實施例的恒溫恒濕測試的結果良好。進而，飽和磁通密度及矯頑力良好。特別是，f≧0.001的實施例的矯頑力為5.5A/m以下，f≧0.005的實施例的矯頑力為4.0A/m以下。
與之相對，f過大的比較例中，熱處理前的薄帶由結晶相構成，熱處理後的矯頑力顯著增大。
表4是將Fe的含量(1-(a+b+c+d+e))固定在0.73及0.90並使其它組成變化的實施例。表5是將M的含量(b)固定在0.030並使其它組成變化的實施例。表6是將M的含量(b)固定在0.14並使其它組成變化的實施例。
各成分的含量在規定的範圍內的實施例的恒溫恒濕測試的結果良好。進而，飽和磁通密度及矯頑力良好。
表7是對於實施例2由X1和/或X2取代了一部分Fe的實施例。
即使由X1和/或X2取代一部分Fe，也顯示良好的特性。
表8是對於實施例2使輥的轉速和/或熱處理溫度變化，由此使初期微晶的平均粒徑及鐵基奈米結晶合金的平均粒徑變化的實施例。
在初期微晶的平均粒徑為0.3~10nm，鐵基奈米結晶合金的平均粒徑為5~30nm的情況下，與脫離了上述範圍的情況相比，飽和磁通密度和矯頑力均良好。
表9是除使M的種類變化這一點以外以與實施例2相同的條件實施的實施例。
即使使M的種類變化，也顯示良好的特性。

Claims (14)

  1. 一種軟磁性合金，其特徵在於，該軟磁性合金由組成式((Fe (1-(α+β))X1 αX2 β) (1-(a+b+c+d+e))M aB bP cCr dCu e) 1-fC f構成，X1為選自Co及Ni組成之族群的1種以上，X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素組成之族群的1種以上，M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V組成之族群的1種以上，0.030≦a≦0.14 0.028≦b≦0.20 0<c≦0.014 0<d≦0.040 0≦e≦0.030 0≦f≦0.040 α≧0 β≧0 0≦α+β≦0.50。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的軟磁性合金，其中，0.73≦1-(a+b+c+d+e)≦0.90。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，α=0。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，β=0。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，α=β=0。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，該軟磁性合金由非晶質及初期微晶構成，並且具有該初期微晶存在於該非晶質中的奈米異質結構。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的軟磁性合金，其中，該初期微晶的平均粒徑為0.3~10nm。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，該軟磁性合金具有由鐵基奈米結晶構成的結構。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的軟磁性合金，其中，該鐵基奈米結晶的平均粒徑為5~30nm。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，該軟磁性合金為薄帶形狀。
  13. 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金，其中，該軟磁性合金為粉末形狀。
  14. 一種磁性部件，其中，該磁性部件由申請專利範圍第1~13項中任一項所述的軟磁性合金構成。
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