TW201913636A - 具有補充負載結構的顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種顯示器可具有一像素陣列，諸如液晶顯示像素。該顯示器可包括僅部分橫跨顯示器的短像素列以及橫跨顯示器寬度的全寬度像素列。耦接至短像素列的閘極線可延伸至顯示器的非作用區中。補充閘極線負載結構可位於顯示器的非作用區中，以增加耦接至短像素列的閘極線上的負載。補充閘極線負載結構可包括在非作用區中與閘極線重疊的資料線及經摻雜多晶矽。在將顯示和觸控功能組合至薄膜電晶體層中的顯示器中，可在非作用區中使用補充負載結構來增加耦接至共用電壓墊之短列的共用電壓線上的負載。

Description

具有補充負載結構的顯示器
無
本發明一般係關於電子裝置，且更具體地，係關於具有顯示器的電子裝置。
電子裝置，諸如行動電話、電腦、與其他電子裝置通常含有顯示器。顯示器包括用於將影像顯示給使用者的像素陣列。顯示器驅動器電路系統（諸如資料線驅動器電路系統）可供應資料信號至像素陣列。顯示器驅動器電路系統中的閘極線驅動器電路系統可用以依序確立顯示器中的各列像素上的閘極線信號，以將資料載入像素中。
亮度變化也可能產生自具有非矩形形狀的顯示器中的控制問題。若未注意，諸如此等的影響可能不利地影響顯示器性能。
一種顯示器可具有一像素陣列，諸如由顯示器驅動器電路系統控制的液晶顯示像素。顯示器驅動器電路系統可透過資料線供應資料信號給行像素中的像素，並且可透過閘極線供應閘極線信號給列像素中的像素。顯示器驅動器電路系統中的閘極驅動器電路系統可用於供應閘極線信號。
閘極驅動器電路系統可具有閘極驅動器電路，閘極驅動器電路之各者將閘極線信號中的各別一者供應給像素陣列的各別列中的像素。
顯示器中的不同列可具有不同數目的像素，且因此可藉由不同的電容負載量來特徵化。為了確保顯示器的亮度均勻性，顯示器可具有列相依的補充閘極線負載結構。
耦接至短像素列的閘極線可延伸至顯示器的非作用區中。補充閘極線負載結構可位於顯示器的非作用區中，以增加耦接至短像素列的閘極線上的負載。補充閘極線負載結構可包括在非作用區中與閘極線重疊的資料線及經摻雜多晶矽。
經摻雜多晶矽可耦接至一偏壓供應線，諸如接地線或其他信號線。可使用透明導電層（諸如共用電極電壓層的延伸）在顯示器的非作用區中將多晶矽耦接至偏壓供應線。在其他配置中，可使用金屬層將多晶矽耦接至偏壓供應線。可由形成顯示器的作用區中的資料線的相同材料形成金屬層。
在將顯示和觸控功能組合至薄膜電晶體層中的顯示器中，可在非作用區中使用補充負載結構來增加耦接至共用電壓墊之短列的共用電壓線上的負載。補充負載結構可包括分別與非作用區中的共用電壓墊重疊的透明導電電極。透明導電電極可由與顯示器的作用區中的像素電極相同的材料形成。透明導電電極與共用電壓墊形成電容器，其增加耦接至共用電壓墊之短列的共用電壓線上的電容性負載。
[相關申請案之交互參照]
本申請案主張2018年5月15日申請的美國專利申請案第15/980,437號以及2017年9月7日申請的美國臨時專利申請案第62/555,457號的優先權，其等特此以引用方式將其全部併入本文中。
圖1中顯示可具有顯示器的類型的說明性電子裝置。圖1的電子裝置10可係平板電腦、膝上型電腦、桌上型電腦、包括嵌入式電腦的螢幕、不包括嵌入式電腦的螢幕、與顯示器外部的電腦或其他設備一起使用的顯示器、行動電話、媒體播放器、手錶裝置或其他可穿戴設備、或其他合適的電子裝置。
如圖1所示，電子裝置10可具有控制電路系統16。控制電路系統16可包括儲存與處理電路系統，以用於支援裝置10的操作。儲存與處理電路系統可包括儲存器（諸如硬碟儲存器）、非揮發性記憶體（例如快閃記憶體或其他電性可程式化唯讀記憶體，其經組態以形成固態硬碟）、揮發性記憶體（例如靜態或動態隨機存取記憶體）等。控制電路系統16中的處理電路系統可用以控制裝置10的操作。該處理電路系統可基於一或多個微處理器、微控制器、數位信號處理器、基帶處理器、電源管理單元、音訊晶片、特殊應用積體電路等。
裝置10中的輸入-輸出電路系統（諸如輸入-輸出裝置12）可用以允許供應資料至裝置10，並允許資料自裝置10提供至外部裝置。輸入-輸出裝置12可包括按鈕、操縱桿、滾輪、觸控墊、小鍵盤、鍵盤、麥克風、揚聲器、音調產生器、振動器、攝影機、感測器、發光二極體與其他狀態指示器、資料埠等。使用者可藉由經由輸入-輸出裝置12供應命令來控制裝置10的操作，並且可使用輸入-輸出裝置12的輸出資源來接收來自裝置10的狀態資訊與其他輸出。
輸入-輸出裝置12可包括一或多個顯示器（諸如顯示器14）。顯示器14可係觸控螢幕顯示器，其包括用於收集來自使用者的觸控輸入之觸控感測器，或者顯示器14可對觸控不敏感。顯示器14的觸控感測器可基於電容式觸控感測器電極陣列、聲學觸控感測器結構、電阻式觸控組件、基於力的觸控感測器結構、基於光的觸控感測器、或其他合適的觸控感測器配置。
控制電路系統16可用以在裝置10上運行軟體（諸如作業系統碼及應用程式）。在裝置10的操作期間，在控制電路系統16上運行的軟體可使用顯示器14中的像素陣列在顯示器14上顯示影像。
顯示器14可係有機發光二極體顯示器、液晶顯示器、電泳顯示器、電潤溼顯示器、基於離散晶體發光二極體晶粒陣列的顯示器、或基於其他類型的顯示器技術的顯示器。顯示器14是液晶顯示器的組態有時在本文中可敘述作為實例。
顯示器14可具有矩形形狀（即，顯示器14可具有矩形覆蓋區與圍繞矩形覆蓋區的矩形周邊邊緣）或可具有其他合適的形狀。顯示器14可係平面的或可具有彎曲輪廓。
圖2中顯示顯示器14的一部分的俯視圖。如圖2所示，顯示器14可具有由基材結構（諸如基材36）形成的像素22陣列。諸如基材36的基材可由玻璃、金屬、塑膠、陶瓷、或其他基材材料形成。像素22可透過諸如資料線D的信號路徑接收資料信號，且可透過諸如水平控制線G（有時稱為閘極線、掃描線、發射控制線、閘極信號路徑等）的控制信號路徑接收一或多個控制信號。顯示器14中可存在任何合適數目的列與行的像素22（例如，數十個或更多個、數百個或更多個、或數千個或更多個）。在有機發光二極體顯示器中，像素22含有各別的發光二極體與像素電路，該等像素電路控制對發光二極體的電流的施加。在液晶顯示器中，像素22含有控制對像素電極的信號的施加之像素電路，該等像素電極用於將受控量的電場施加至液晶層的像素尺寸部分。像素22中的像素電路可含有具有由閘極線G上的閘極線信號來控制的閘極之電晶體。
顯示器驅動器電路系統20可使用以控制像素22的操作。顯示器驅動器電路系統20可由積體電路、薄膜電晶體電路、或其他合適的電路系統形成。薄膜電晶體電路系統可由多晶矽薄膜電晶體、半導體氧化物薄膜電晶體（諸如銦鎵鋅氧化物電晶體）、或由其他半導體形成的薄膜電晶體形成。像素22可具有濾色器元件或不同顏色的其他着色結構（例如，紅色、綠色、和藍色），以提供顯示彩色影像的能力給顯示器14。
顯示器驅動器電路系統20可包括顯示器驅動器電路，諸如顯示器驅動器電路20A與閘極驅動器電路系統20B。顯示器驅動器電路20A可由一或多個顯示器驅動器積體電路及/或薄膜電晶體電路系統（例如，時序控制器積體電路）形成。閘極驅動器電路系統20B可由閘極驅動器積體電路形成，或者可係薄膜「陣列上閘極(gate-on-array)」電路系統。圖2的顯示器驅動器電路20A可含有用於透過路徑32與系統控制電路系統（諸如圖1的控制電路系統16）通訊的通訊電路系統。路徑32可由可撓性印刷電路上的跡線或其他導電線形成。在操作期間，控制電路系統（例如，圖1的控制電路系統16）可供應關於要顯示在顯示器14上的影像的資訊給電路20A。
為了在顯示器像素22上顯示影像，顯示器驅動器電路系統20A可供應影像資料至資料線D，同時透過路徑38發出控制信號以支援顯示器驅動器電路系統，諸如閘極驅動器電路系統20B。例如，路徑38可包括用於承載電力信號（諸如閘極高電壓信號Vgh（其可用作從閘極驅動器電路系統輸出至各閘極線上的最大閘極線信號值）以及閘極低電壓信號Vgl（其可用作接地））、控制信號（諸如閘極輸出致能信號）、時脈信號等的線。電路系統20A可供應此等信號至顯示器14的一個或兩個邊緣上的閘極驅動器電路系統20B（參見例如，圖2的實例中的顯示器14右側上的路徑38'與閘極驅動器電路系統20B'）。
閘極驅動器電路系統20B（有時稱為水平控制線控制電路系統）可使用從路徑38接收的信號來控制水平控制線（閘極線）G（例如，使用閘極高電壓、閘極低電壓、閘極輸出致能信號、閘極時脈信號等）。顯示器14中的閘極線G可各自承載用於控制各別列的像素22之閘極線信號（例如，當將來自資料線的資料從資料線D載入至彼等像素中的儲存電容器中時，用以導通像素22中的電晶體）。在操作期間，影像資料的訊框可藉由依序確立顯示器中的各閘極線G上的閘極信號來顯示。閘極驅動器電路系統20B中的移位暫存器電路系統（例如，由暫存器與相關聯的輸出緩衝器形成的閘極驅動器電路鏈）可使用於控制閘極線信號。
圖3中顯示顯示器14的像素22的說明性像素電路。如圖3所示，各像素22可包括液晶層LC的像素尺寸部分，可使用對應的像素電極來供應電場至液晶層LC的像素尺寸部分。所施加的場的量值與像素電壓Vp減去共用電極電壓Vcom成比例。在資料載入操作期間，所欲的資料線信號（即，要載入至像素22中的資料電壓Vp）經驅動至資料線D上。當資料線D上的資料線信號有效時，閘極線G上的閘極線信號經確立。當閘極線信號經確立時，電晶體T的閘極被提高，且電晶體T導通。在電晶體T導通時，來自線D的資料被驅動至儲存電容器Cst上並建立像素電壓Vp。儲存電容器Cst維持後續的影像訊框之間的Vp值。
顯示器14的作用區的一部分的截面側視圖顯示於圖4中。在區域30中，顯示器14可具有產生背光照明的背光單元。背光照明行進通過形成像素22陣列的薄膜電晶體電路系統34（有時稱為薄膜電晶體層）。在區域54中，顯示器14可包括濾色器層以及插置在濾色器層與薄膜電路系統34之間的液晶層。層54和薄膜電晶體電路系統34可夾設在上偏振器和下偏振器之間。
薄膜電晶體電路系統34可包括基材層，諸如基材36。基材36可由透明玻璃、塑膠、或其他材料形成。光屏蔽結構202可形成在薄膜電晶體（諸如說明性電晶體56）下方。光屏蔽結構202可由金屬形成（作為實例）。（多個）介電緩衝層66可形成在基材36上。薄膜電晶體電路系統34也可包括介電層，諸如閘極絕緣體層64與層間介電層206與218。介電層（諸如層66、64、206、與218）可由氧化矽、氮化矽、其它無機材料、或其他絕緣體形成。介電平坦化層（諸如層208與214）可由有機層（例如聚合物）或其他絕緣體形成。
導電層（諸如層216與220）可由氧化銦錫或其他透明導電材料形成。層220可被圖案化以形成由薄膜電晶體56驅動的像素電極的電極指。層220可藉由層間介電層218而與層216形成的共用電壓(Vcom)層分離。電晶體56可具有由多晶矽層204形成的通道、由金屬層60形成的閘極和源極端子、以及由金屬層222形成的閘極（其藉由閘極絕緣體64與通道分離）。中間金屬層210可插置在層間介電層206與平坦化層208之間，且可用以形成信號互連。可使用圖4的層形成其他顯示器結構，及/或不同的薄膜層可包括在顯示器14中。圖4的說明性薄膜結構僅是說明性的。
在其中顯示器14在顯示器14的各列中具有相同數目的像素22之裝置10的組態中，顯示器14的閘極線上的電容性負載在顯示器14的所有列之間將相對地一致。在顯示器14的其他組態中，諸如圖5的說明性組態，顯示器14的不同列可含有不同數目的像素22。這可產生閘極線（例如，承載諸如閘極高電壓信號Vgh與閘極低電壓信號Vgl之信號的閘極線）上的列相依的電容性負載，其可影響各列像素22中的光的產生亮度。
在圖5的說明性配置中，顯示器14具有矩形形狀，具有四個彎曲隅角與一凹部（即，無像素的凹口區域66）。凹口中斷像素22的列，並且產生短列，短列比跨越顯示器14的基材寬度的正常長度列具有較少的像素。由於顯示器14的彎曲隅角，顯示器14的頂部邊緣與底部邊緣中的各列將具有略微不同的電容性負載量。由於顯示器14的頂部邊緣與底部邊緣處的顯示器14的周邊邊緣的逐漸彎曲形狀，在此等區域中載入閘極線的像素22數目的列對列的變化將是漸進的。因此，歸因於相鄰列之間的列長度（以及因此像素計數）的變化之亮度變化將是最小的，並且對於顯示器14的觀看者而言不是顯著的。
更陡峭的形狀改變，諸如由於凹口66之顯示器14中的變化，將引致閘極線上的像素負載的更顯著變化。圖5的顯示器14中的列，諸如列RM+1… RN（有時稱為全寬度像素列）具有彼此相等的像素計數（或者，在顯示器14的底部邊緣附近的列的情況下，幾乎相等）。列，諸如列R0… RM（有時稱為短像素列），將具有小於列RM+1… RN的像素計數之像素計數。這是因為列R0… RM中的像素將僅延伸至區域66的左邊界與右邊界。
因為顯示器14的區A中的閘極線（即，相鄰於區域66之顯示器14的頂部邊緣中的列R0… RM的閘極線）與顯示器14的區B中的閘極線（即，列RM+1… RN的閘極線）在圖5的實例中經歷不同量的負載，有個風險是區A與B中的像素22將在其儲存電容器Cst上載有不同的電壓，即使其等的資料線上存在相同的Vp值。閘極線負載影響閘極線上的閘極線脈衝的形狀，且因此可影響像素亮度。具有較大量的閘極線負載的閘極線將趨向比具有較小量的閘極線負載的閘極線更暗。顯示器14中的列可具有不同量的閘極線負載，以有助於減小亮度變化。作為一實例，具有較少像素的較短列可具有補充負載（有時稱為虛置負載、虛置像素、或補充閘極線負載結構），以幫助使彼等列的表現類似或相同於顯示器中的較長列。
圖6中顯示繪示各種負載方案的影響之圖，各種負載方案可用於幫助平滑化具有不同長度的像素列（不同數目的像素）之顯示器中的亮度變化。在圖6的實例中，將閘極線負載(LOAD)繪製為依據列數目而變動（例如，針對從圖5的列R0處開始的顯示器14的上部）。實線190對應於具有圖5所示的形狀但沒有任何補充負載結構之顯示器。列R0至列RM（即，圖5的區A中的列）經歷逐漸增加的負載量。從列RM+1至列RN（即，在區B中），負載達到負載值LM。利用未補償的顯示器組態（實線190），各別列RM與列RM+1的閘極線所經歷的負載的量中可有相對尖銳的不連續性（負載差異DLM）。此不連續性可導致列RM中的像素的亮度與列RM+1中的像素的亮度之間的顯著變化。
諸如此類的亮度變化可藉由將補充閘極線負載結構添加到顯示器14的適當列來平滑化。具有由線192繪示的說明性配置的閘極線負載係藉由添加補充負載至列198的閘極線來平滑化。如果需要，可達到進一步平滑化（例如，藉由添加變化的負載量至列R0至RM的閘極線的各者，如線194所繪示）。如果需要，列R0至RM中的閘極線可藉由添加足夠的補充閘極線負載以等化顯示器14中的所有列的閘極線上的負載來補償（參見例如，圖6的說明性負載線196）。通常，可將任何合適量的補充負載添加至顯示器14的適當列。補充負載可係顯著的（例如，用以完全等化所有列的負載，如線196所繪示），可係適度的（例如，用以平滑化負載，如線194所示），或可係相對較小的（例如，用以藉由將負載添加至相對較少數目的列（例如，列198）來幫助平滑化列RM/RM+1處的負載不連續性，如線192所繪示。這些方案中的任何者也可與列相依的閘極信號定形狀方案結合，以幫助平滑化亮度不連續性。
用於添加補充負載至顯示器14的較短像素列之說明性配置係顯示在圖7至圖16中
如圖7的說明性組態所示，顯示器14可具有像素22位於其中的作用區，諸如作用區40（即，邊界線40內的作用區AA）。顯示器14也可具有無像素的凹口區域，諸如作用區40之外的區域66，其無發光像素22。顯示器14可具有一或多個基材層，諸如基材36。基材36可具有邊緣，諸如邊緣48。邊緣48可係直的或彎曲的（如在圖7的實例中）。
像素列R0至RM的閘極線可延伸橫跨作用區40並且橫跨凹口區域66（有時稱為非作用區或顯示器14的非作用凹口區域）。非作用區域66中的閘極線G的間距可小於作用區40內的閘極線G的間距。非作用區域66中的閘極線G的減小間距提供了在顯示器14的頂部處的空間，諸如空間42。空間42可用以容納一或多個電子組件（例如，輸入-輸出組件，諸如相機、揚聲器、環境光感測器、接近感測器、及/或其他輸入-輸出組件）。
選定的閘極線G（例如，像素列R0至RM中的閘極線或其他合適的閘極線）可耦接至補充負載結構（補充閘極線負載結構），諸如凹口區域66中的虛置像素22D。可供應補充負載給任何合適數目的像素列（例如，2至20列、2至100列、50至1000列、多於25列、少於2000列等）。可將任何合適數目的虛置像素22D（例如，1至1000、多於10、少於500等）耦接至顯示器14的各列中的閘極線G，及/或可耦接至顯示器14中的其他合適的水平控制線，以減少列相依的亮度變化。
虛置像素22D可含有一般像素22的像素電路系統的所有或一些者，其具有防止此等像素發出光的修改。可將作用像素22轉換成虛置像素22D的修改的實例包括：自像素22D省略像素22的液晶材料、省略像素22D的陽極、省略金屬跡線的小部分以建立開路等。圖7的像素22D之各者的覆蓋區（當從上方觀看時的輪廓）可與像素22之各者的覆蓋區相同，或者像素22與虛置像素22D可具有不同的覆蓋區。
如果需要，由區域66中的一或多個電容器形成補充負載結構。此類的配置顯示在圖8中。圖8是說明性補充負載結構的俯視圖，其可使用於圖6的凹口區域66中。在此實例中，補充負載結構22D包括資料線延伸部DE（例如，延伸到凹口區域66中的圖7的資料線D的部分）與導電層50。可在資料線延伸部DE與閘極線G之間的重疊區中形成第一組電容器（例如，資料線延伸部DE可形成各電容器中的第一電極，且閘極線G可形成各電容器中的第二電極）。可在導電層50與閘極線G之間的重疊區中形成第二組電容器（例如，導電層50可形成各電容器中的第一電極，且閘極線G可形成各電容器中的第二電極）。一或多個介電層可將閘極線G從資料線延伸部DE與導電層50分開。
資料線延伸部DE與閘極線G之間以及導電層50與閘極線G之間的介電材料可由顯示器14中的一或多個無機及/或有機介電材料層形成。導電層50可由金屬層、導電半導體層（例如，經摻雜多晶矽等）、或其他導電層形成。例如，導電層50可由導電層形成，諸如第一閘極金屬層、第二閘極金屬層、源極-汲極金屬層、矽層、或顯示器14的薄膜電晶體電路系統中的其他合適的導電層。在一個說明性配置中，有時在本文中描述為實例，導電層50可由經摻雜多晶矽層形成，諸如圖4的經摻雜多晶矽層204。
如果需要，在各虛置像素22D中的資料線延伸部DE與閘極線G之間的重疊量可匹配於發光像素22中的資料線D與閘極線G之間的重疊量。此確保資料線延伸部DE提供與資料線D提供至顯示器14的作用區40中的閘極線G相同或類似的電容性負載至非作用區域66中的閘極線G。相似地，導電層50（例如，經摻雜多晶矽層）與虛置像素22D中的閘極線G之間的重疊量可匹配於多晶矽層204與像素22中的閘極線G之間的重疊量。此確保多晶矽層50提供與像素22中的多晶矽層204提供至顯示器14的作用區40中的閘極線G相同或類似的電容性負載至非作用區域66中的閘極線G。
非作用區域66中的多晶矽層50可由形成作用區40中的多晶矽層204相同的材料層形成，但多晶矽層50可與多晶矽層204電性隔離。因此，為了提供適當的電壓至多晶矽層50，多晶矽層50可耦接至偏壓供應線，諸如接地線（例如，接地線38-2）或其他信號線（例如，閘極低電壓Vgl信號線38-1）。
在一個說明性配置中，通孔（諸如通孔52）可使用以將多晶矽層50耦接至共用電壓(Vcom)層。Vcom層可繼而耦接到接地線38-2，以提供適當偏壓給多晶矽層50。
在圖8的實例中，各補充負載結構22D具有H形狀，並且使用以增加兩相鄰閘極線G上的負載。各H形負載結構22D的上半部（例如，平行於圖8的y軸延伸的兩個垂直部分）在兩個位置處與第一閘極線G相交，且各H形負載結構22D的下半部（也平行於圖8的y軸延伸）在兩個位置處與第二閘極線相交。各H形負載結構的水平部分（例如，平行於圖8的x軸延伸的區段）耦接至通孔52，以偏壓各負載結構22D中的多晶矽50。
圖9顯示沿著線68所截取且在方向70上觀看之圖8的補充負載結構22D的截面。如圖9所示，多晶矽層50可位於基材36上的緩衝層66上。閘極絕緣體64可形成在緩衝層66上方。閘極線G（例如，由圖4的金屬層222形成）可形成於閘極絕緣體64上。層間介電層206與平坦化層208與214可形成在閘極線G上方。導電層，諸如導電層58，可形成在介電層206、208、和214上方。導電層58可由形成像素22中的共用電極層之相同的透明導電材料層形成（例如，層58可由圖4的ITO 216形成）。由於導電層58由與作用區40的共用電極216相同的層形成，因此層58有時稱為共用電壓(Vcom)層。然而，層58不需要電耦接至像素22的Vcom層。相反的，層58可與像素22的Vcom層電性隔離，並且可替代地耦接至接地線（例如，圖8的接地線38-2）。
閘極絕緣體64與介電層206、208、與214可包括用於通孔52的開口。例如，如圖9所示，層64、206、208、與214包括與多晶矽層50對齊的開口，用於允許通孔52將共用電極層58電耦接至多晶矽層50。這允許共用電極層58提供偏壓至多晶矽層50。如果需要，可選的金屬層（諸如金屬層60）可電耦接在多晶矽層50與共用電壓層58之間。
在其中補充負載結構22D耦接到相同行中的相鄰負載結構22D之圖8的實例僅是說明性的（例如，其中多晶矽50的垂直部分平行於x軸橫越多個負載結構22D連續延伸）。如果需要，各負載結構22D中的多晶矽50可與相鄰的負載結構22D中的多晶矽50隔離。此類的配置繪示在圖10中。如圖10所示，多晶矽50在各負載結構22D中具有H形狀，但並未連接到下一列或行的負載結構22D中的相鄰多晶矽50。
圖11繪示其中多晶矽50的水平部分連續延伸橫越相同列中的多個負載結構22D之實例。相同行中的負載結構22D可彼此分離（如圖10的實例中所示）或可耦接在一起（如圖8的實例中所示）。
在虛置多晶矽層50係使用接地迴路（諸如接地迴路38-2）來偏壓的配置中，可能所欲的是從多個金屬層形成接地迴路，以避免在製造期間損壞虛置負載結構22D。如果接地迴路38-2完全由一個金屬層（諸如金屬222）形成，則這可導致多晶矽50在顯示器14中的剩餘層形成時吸收電荷，這繼而可能導致對負載結構22D的損壞。為了避免過度的電荷被多晶矽50吸收，可由不同金屬層的交替區段形成接地迴路38-2。此類型的配置顯示在圖12中。
如圖12所示，接地迴路38-2可由不同金屬層的交替區段形成，諸如M1（例如，圖4的層222）與M2（例如，圖4的層60）。在製造期間，可沉積並圖案化M1，以形成離散區段。區段可彼此分離，以不形成完整迴路。金屬層M1可被分成兩個、三個、四個、或四個以上的單獨區段。第二金屬層，諸如金屬層M2，可用以完成迴路。第二金屬層M2與第一金屬層M1可在位置72處彼此耦接，以形成連續的導電迴路。接地迴路38-2的一部分可耦接至共用電壓層58（例如，在非作用區66中形成的Vcom層216的部分），該部分繼而耦接至多晶矽50，以將多晶矽50偏壓在所欲的電壓。其中接地迴路38-2由金屬層M1與M2形成之圖12的實例僅是說明性的。如果需要，可使用其他金屬層（諸如金屬層M3）以形成接地迴路38-2（例如，金屬層M3可用於取代M1、可用於取代M2、或者可用於和M1與M2一起形成接地迴路38-2）。
圖8與圖9的實例，其中共用電壓層58（例如，由與圖4的Vcom層216相同的層形成，但與顯示器14的作用區40中的Vcom層電性隔離之非作用區域66中的導電層）係用以偏壓區域66中的多晶矽50，僅是說明性的。如果需要，顯示器14的其他導電層可用以偏壓多晶矽50。圖13繪示使用信號線38-1的延伸部分（例如，閘極低電壓線）來偏壓多晶矽50之實例。
如圖13所示，閘極低電壓線38-1可具有垂直區段（例如，平行於圖13的y軸延伸的區段），諸如垂直區段38-1'。垂直區段38-1'可延伸橫越多列的虛置負載結構22D。通孔（諸如通孔74）可用以將各負載結構22D中的水平區段電耦接至信號線38-1。如果需要，閘極低電壓線38-1可由圖4的第二金屬層60形成，並且可接收來自顯示器14中的驅動器電路系統（例如，圖2的顯示器驅動器電路系統20A及/或閘極驅動器電路系統20B）的信號。
圖14係沿著線76所截取且在方向78上觀看之圖13的補充負載結構22D的截面側視圖。如圖14所示，多晶矽層50可位於基材36上的緩衝層66上。閘極絕緣體64可形成在緩衝層66上方。閘極線G（例如，由圖4的金屬層222形成）可形成於閘極絕緣體64上。層間介電層206與平坦化層208與214可形成在閘極線G上方。導電層（諸如導電層58）可形成在平坦化層214上方。導電層58可由形成像素22中的共用電極層之相同的透明導電材料層形成（例如，層58可由圖4的共用電極層216形成）。然而，層58不需要電耦接至像素22的Vcom層。相反的，層58可與層58電性隔離，並且可替代地耦接至接地線（例如，圖13的接地線38-2）。金屬層（諸如金屬層60）可位於層間介電層206與平坦化層208之間，並且可用以形成閘極低電壓線38-1。
閘極絕緣體64與介電層206可包括用於通孔74的開口。例如，如圖14所示，層64與206包括與多晶矽層50對齊的開口，用於允許通孔74將閘極低電壓線38-1（即，金屬層60）電耦接至多晶矽層50。這允許閘極低電壓線38-1提供偏壓至多晶矽層50。
在一些配置中，顯示器14可包括整合的觸控感測器。例如，觸控感測器結構可被整合到圖4所示的類型的薄膜電晶體電路系統中。利用此類型的配置，顯示器14中的共用電壓層可被分段，以支援顯示與觸控功能兩者。圖15中顯示可用於實現用於支援顯示與觸控功能的分段Vcom層之說明性佈局。如圖15所示，顯示器14可包括Vcom導體結構80（諸如矩形Vcom墊80X）其等使用導電Vcom跳線82互連，以形成Vcom列（稱為Vcomr）。Vcom跳線82（有時稱為XVcom線）可例如由圖4的金屬層210形成，或者可由顯示器14中的其他導電材料形成。通孔（諸如通孔84）可用以將線82電耦接至Vcomr墊80X。
可將垂直Vcom導體（諸如Vcom行80Y（稱為Vcomc））與墊80X散置。圖15的Vcomr與Vcomc導體可由氧化銦錫（例如，圖4的層216）或其他透明導電材料形成，並且可用於支援顯示器14中的顯示和觸控功能兩者。例如，分時多工方案可用以允許Vcom導電結構用作像素22的接地平面結構（在顯示模式操作期間）與觸控感測器電極（在觸控感測器模式操作期間）。
當顯示器14的像素22被用以在顯示器14上顯示影像時，顯示器驅動器電路系統20A（圖2）可例如將Vcomr 80X與Vcomc 80Y與接地電壓（諸如0伏）或其他合適的電壓（例如，固定的參考電壓）短路。在此組態中，Vcomr 80X與Vcomc 80Y導體可一起工作，以用作顯示器14的像素22的共用接地平面（導電平面）的一部分。因為Vcomr 80X與Vcomc 80Y在以此方式顯示影像時短路在一起，所以不會收集到位置相關的觸控資料。
在循環的時間間隔中，顯示器14的影像顯示功能可暫時暫停，使得可收集觸控資料。在這些時間間隔（有時稱為顯示遮蔽間隔）期間，顯示器可在觸控感測器模式下操作。當在觸控感測器模式下操作時，可獨立操作Vcomr 80X與Vcomc 80Y導體，使得觸控事件的位置可在維度X與Y中偵測。存在多個Vcom列（由Vcomr墊80X形成），其等允許觸控位置相對於維度Y被辨別。也存在多個Vcom行（由Vcomc 80Y形成），其等允許觸控位置在維度X中被判定。
在顯示器14具有非作用凹口區（諸如凹口區域66）的配置中，可存在比顯示器14的其他列具有較少像素的多列閘極線（未圖示）（如相關於圖7所討論的）。為了避免因為不同閘極線負載效應可能發生的亮度變化，可在圖15的顯示器14中使用相關於圖5至圖14所討論的閘極線負載結構之一或多者。
在觸控感測器電極被併入到顯示器14的薄膜電晶體電路系統中的配置中，如圖15的實例中，凹口區域66也可中斷觸控感測器電極列（即，Vcomr墊80X列）。這產生短列的Vcomr墊80X，其等具有比跨越顯示器14的基材寬度的正常長度列較少的Vcomr墊80X。如果未注意，短列的Vcomr墊80X中的XVcom線82（例如，凹口66的任一側上的Vcomr墊80X列）可能經歷與全寬度的Vcomr墊80X列（例如，凹口66下方的Vcomr墊80X列）中的XVcom線82不同量的負載，其繼而可能導致在像素資料取樣時不同的Vcomr耦接電壓和恢復時間。此類型的像素資料取樣誤差可能導致短列中的像素與全寬度列中的像素不同的亮度值，其可能導致可見的雲紋。
為了減少顯示器14的XVcom線82中的負載失配，短列的Vcomr墊80X可具有補充負載（有時稱為虛置負載、虛置像素、或補充閘極線負載結構），以幫助使彼等列的表現類似或相同於顯示器中的較長Vcomr列。
圖16是說明性虛置負載結構的俯視圖，其可用於圖15的凹口區域66中。如圖16所示，顯示器14可包括用於增加凹口區域66中的閘極線G上的負載之虛置像素22D（例如，具有圖5至圖14中描述的類型的補充負載結構）。虛置像素22D可包括資料線延伸部DE與導電層50。資料線延伸部DE提供與資料線D提供至顯示器14的作用區40中的閘極線G相同或類似的電容性負載至非作用區域66中的閘極線G。類似地，導電層50（例如多晶矽層）提供與像素22中的多晶矽層204提供至顯示器14的作用區40中的閘極線G相同或類似的電容性負載至非作用區域66中的閘極線G。
非作用區域66中的多晶矽層50可由形成作用區40中的多晶矽層204相同的材料層形成，但多晶矽層50可與多晶矽層204電性隔離。因此，為了提供適當的電壓至多晶矽層50，多晶矽層可耦接至偏壓供應線，諸如閘極低電壓(Vgl)信號線38-1。閘極低電壓線38-1可具有垂直區段（例如，平行於圖16的y軸延伸的區段），諸如垂直區段38-1'。垂直區段38-1'可延伸橫越多列的虛置負載結構22D。通孔（諸如通孔92）可用以將各負載結構22D中的水平區段電耦接至信號線38-1。如果需要，閘極低電壓線38-1可由圖4的第二金屬層60形成，並且如果需要，可接收來自顯示器14中的驅動器電路系統（例如，圖2的顯示器驅動器電路系統20A及/或閘極驅動器電路系統20B）的信號。
額外的虛置負載結構（有時稱為Vcom列負載結構）可用以增加短列的Vcomr墊80X中的XVcom線82上的負載。Vcom列負載結構可包括例如導電電極90。各導電電極90可與Vcomr墊80X的各別一者重疊。在各別的Vcomr墊80X上方使用電極90產生電容器，該電容器增加凹口66附近的XVcom線82上的電容性負載，以匹配或更接近匹配於凹口66下方的XVcom線82上的電容性負載。各電容器包括由導電層90形成的第一電極與由Vcomr墊80X形成的第二電極。一或多個介電層可將墊80X與導電層90分離。墊80X與導電層90之間的介電材料可由顯示器14中的無機及/或有機介電材料層之一或多者形成。導電層90可由金屬層、導電半導體層（例如，經摻雜多晶矽等）、或其他導電層形成。例如，導電層90可由導電層形成，諸如第一閘極金屬層、第二閘極金屬層、源極-汲極金屬層、矽層、或顯示器14的薄膜電晶體電路系統中的其他合適的導電層。
在一個說明性配置中，其有時在本文中描述為實例，導電電極90可由形成作用區40中的像素電極的相同透明導電材料層形成（例如，導電電極90可由圖4的像素電極層220形成）。由於電極90由與作用區40的像素電極層220相同的層形成，因此層90有時稱為像素ITO層。然而，電極90不需要電耦接至像素22的像素電極。相反地，電極90可與像素22的像素ITO電性隔離。因此，為了提供適當的電壓至導電層90，電極90可耦接至偏壓供應線，諸如閘極低電壓(Vgl)信號線38-1或接地線38-2。通孔可用以將各別的電極90耦接至適當的偏壓供應線（例如，線38-1或線38-2）。
由Vcomr墊80X與導電電極90形成的電容器可增加短列的Vcomr墊80X中的XVcom線82上的電容性負載，以匹配或更接近匹配於全寬度列的Vcomr墊80X中的XVcom線82上的電容性負載。如圖16所示，Vcom列負載結構90可與閘極線負載結構（例如，多晶矽50和資料線延伸部DE）結合使用，以減少短像素列（例如，圖7的列R0至RM）與全寬度像素列（例如，列RM+1與之下）之間的亮度差異。
如果需要，電極90也可形成在延伸至非作用凹口區66中之行Vcomc電極80Y的部分上方。由於XVcom線82也與非作用區66中的Vcomc電極80Y的部分重疊（參見圖15），可使用由電極90與Vcomc電極80Y形成的電容器來進一步增加短Vcomr列中的XVcom線82上的電容性負載。
根據一實施例，提供一種顯示器，其具有光從其中發射的一作用區與不發射光的一非作用區，該顯示器包括：一像素陣列；顯示器驅動器電路系統；資料線，該等資料線耦接至該顯示器驅動器電路系統；閘極線，該等閘極線耦接至該顯示器驅動器電路系統，該等閘極線包括第一閘極線與第二閘極線，且該第一閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素；一補充閘極線負載結構，其在該顯示器的該非作用區中，該補充閘極線負載結構增加該第一閘極線上的負載；及一偏壓供應線，其將該等補充閘極線負載結構偏壓。
根據另一實施例，該補充負載結構包括經摻雜多晶矽。
根據另一實施例，該顯示器包括與該經摻雜多晶矽重疊的一透明導電層。
根據另一實施例，該顯示器包括一通孔，該通孔將該透明導電層電耦接至該經摻雜多晶矽。
根據另一實施例，該透明導電層耦接至該偏壓供應線。
根據另一實施例，該偏壓供應線包括多個金屬層。
根據另一實施例，該經摻雜多晶矽具有一H形狀，其中兩個垂直區段由一水平區段連接。
根據另一實施例，該通孔耦接至該水平區段。
根據另一實施例，該兩個垂直區段與該第一閘極線重疊。
根據另一實施例，該等像素包括一共用電壓層，且該透明導電層由與該共用電壓層相同的材料形成。
根據另一實施例，該等像素包括具有多晶矽通道的電晶體，且該經摻雜多晶矽由與該多晶矽通道相同的材料形成。
根據另一實施例，該等閘極線包括一第三閘極線，該第三閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素，該補充閘極線負載結構增加該第三閘極線上的負載。
根據另一實施例，該等資料線中的一些與該顯示器的該非作用區中的該第一閘極線重疊。
根據另一實施例，該顯示器包括一金屬層，該金屬層將該補充閘極線負載結構電耦接至該偏壓供應線。
根據另一實施例，該金屬層由與該等資料線相同的材料形成。
根據一實施例，提供一種顯示器，該顯示器具有一作用區與一非作用區，該顯示器包括：一像素陣列，其在該作用區中，該像素陣列包括第一列與第二列，且該第一列比該第二列具有較少的像素；閘極線，該等閘極線耦接至該像素陣列，該等閘極線包括耦接至該第一列像素的一第一閘極線以及耦接至該第二列像素的一第二閘極線，且該第一閘極線具有在該非作用區中的一區段；虛置像素，該等虛置像素在該非作用區中，該非作用區不發射光，該等虛置像素包括與該非作用區中的該第一閘極線的該區段重疊的經摻雜多晶矽；及一金屬層，其將該等虛置像素電耦接至一偏壓供應線。
根據另一實施例，該顯示器包括耦接至該像素陣列的資料線，該金屬層由與該等資料線相同的材料形成。
根據另一實施例，該等虛置像素包括該等資料線的延伸部分。
根據一實施例，提供一種顯示器，該顯示器具有一作用區與一非作用區，該顯示器包括：一像素陣列，其在該作用區中；一共用電壓層，該共用電壓層包括列電極與行電極，該共用電壓層經組態以在一第一模式中作用為該像素陣列的接地平面並且在一第二模式中用以收集觸控資料；信號線列，該等信號線列分別耦接至該等列電極，該等信號線列包括第一信號線與第二信號線，且該第一信號線比該第二信號線耦接至較少的列電極；及一導電層，其在該非作用區中且與該第一信號線重疊以增加該第一信號線上的負載。
根據另一實施例，該導電層包含氧化銦錫。
根據另一實施例，該顯示器包括：閘極線，該等閘極線耦接至該像素陣列，該等閘極線包括第一閘極線與第二閘極線，該第一閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素，且該第一閘極線與該非作用區中的該導電層重疊；及閘極線負載結構，該等閘極線負載結構在該顯示器的該非作用區中，該等閘極線負載結構增加該第一閘極線上的負載。
根據另一實施例，該等閘極線負載結構包括與該非作用區中的該第一閘極線重疊的資料線與經摻雜多晶矽。
前面僅是說明性的，且所屬技術領域中具有通常知識者可做出各種修改，而不脫離所述實施例的範圍與精神。前述的實施例可個別或以任何組合來實施。
10‧‧‧電子裝置/裝置
12‧‧‧輸入-輸出裝置
14‧‧‧顯示器
16‧‧‧控制電路系統
20‧‧‧顯示器驅動器電路系統
20A‧‧‧顯示器驅動器電路/電路/顯示器驅動器電路系統/電路系統
20B, 20B'‧‧‧閘極驅動器電路系統
22‧‧‧像素
22D‧‧‧虛置像素/負載結構/像素
30‧‧‧區域
32‧‧‧路徑
34‧‧‧薄膜電晶體電路系統/薄膜電路系統
36‧‧‧基材
38, 38'‧‧‧路徑
38-1‧‧‧信號線/閘極低電壓線/線
38-1’‧‧‧垂直區段
38-2‧‧‧接地線/接地迴路/線
40‧‧‧作用區/邊界線
42‧‧‧空間
48‧‧‧邊緣
50‧‧‧導電層/多晶矽/多晶矽層
52‧‧‧通孔
54‧‧‧區域/層
56‧‧‧電晶體
58‧‧‧導電層/共用電壓層/共用電極層/層
60‧‧‧金屬層/層
64‧‧‧閘極絕緣體層/閘極絕緣體/層
66‧‧‧介電緩衝層/凹口/區域/非作用區/非作用區域/層/緩衝層
68‧‧‧線
70‧‧‧方向
72‧‧‧位置
74‧‧‧通孔
76‧‧‧線
78‧‧‧方向
80‧‧‧Vcom導體結構
80X‧‧‧Vcom墊/墊/Vcomr墊/Vcomr
80Y‧‧‧Vcom行/Vcomc/Vcomc電極
82‧‧‧Vcom跳線/XVcom線/線
84‧‧‧通孔
90‧‧‧電極/導電層/層/負載結構
92‧‧‧通孔
190‧‧‧實線
192‧‧‧線
194‧‧‧線
196‧‧‧負載線/線
198‧‧‧列
202‧‧‧光屏蔽結構
204‧‧‧多晶矽層
206, 218‧‧‧介電層/層
208, 214‧‧‧平坦化層/層/介電層
210‧‧‧金屬層
216‧‧‧導電層/層/ITO/共用電極/共用電極層
220‧‧‧像素電極層/層
222‧‧‧金屬層/金屬/層
A, B‧‧‧區
AA‧‧‧作用區
Cst‧‧‧電容器
D‧‧‧資料線
DE‧‧‧資料線延伸部
DLM‧‧‧負載差異
G‧‧‧閘極線/水平控制線
LC‧‧‧液晶層
M1, M2, M3‧‧‧金屬層
R0, R1, R2, R3, RM, RM+1, RM+2, RN‧‧‧列
T‧‧‧電晶體
VGL‧‧‧閘極低電壓/閘極低電壓信號
Vp‧‧‧像素電壓/資料電壓
Vcom‧‧‧共用電壓
［圖1］係根據一實施例之具有一顯示器之一說明性電子裝置的示意圖。 ［圖2］係根據一實施例之電子裝置中的說明性顯示器的俯視圖。 ［圖3］係根據一實施例之顯示器中的說明性像素電路的電路圖。 ［圖4］係根據一實施例之說明性顯示器的截面側視圖，其顯示說明性薄膜層的位置。 ［圖5］係根據一實施例之說明性顯示器的圖，其具有沿著其上邊緣的無像素凹口並且可具有短像素列與全寬度像素列。 ［圖6］係根據一實施例之圖，其顯示閘極線負載如何可調整為依據顯示器中的列位置而變動，來幫助最小化顯示器亮度變化。 ［圖7］係根據一實施例之說明性顯示器的一部分的俯視圖，其顯示諸如虛置像素結構的補充閘極線負載結構可如何添加到顯示器中的列，以使亮度變化平均。 ［圖8］係根據一實施例之說明性顯示器的一部分的俯視圖，其可如何使用顯示資料線延伸部與多晶矽負載結構來增加閘極線負載。 ［圖9］係根據一實施例之圖8的顯示器的截面側視圖，其顯示可如何使用共用電壓電極層來偏壓多晶矽負載結構。 ［圖10］係根據一實施例之說明性顯示器的一部分的俯視圖，其顯示相鄰的閘極線對可如何具有分開的多晶矽負載結構。 ［圖11］係根據一實施例之說明性顯示器的一部分的俯視圖，其顯示一對閘極線可如何具有耦接的多晶矽負載結構。 ［圖12］係根據一實施例之說明性顯示器的俯視圖，其顯示接地迴路可如何由不同金屬層的區段形成。 ［圖13］係根據一實施例之說明性顯示器的俯視圖，其顯示可如何使用電壓閘極低線來偏壓多晶矽負載結構。 ［圖14］係根據一實施例之圖13的顯示器的截面側視圖，其顯示電壓閘極低線可如何電耦接至多晶矽負載結構。 ［圖15］係根據一實施例之說明性顯示器的俯視圖，其顯示可如何使用補充負載結構來增加耦接至共用電極墊的短列的信號線上的負載。 ［圖16］係根據一實施例之圖15的顯示器的俯視圖，其顯示可如何使用多晶矽負載結構來增加短像素列中的閘極線上的負載以及可如何使用透明電極負載結構來增加共用電極墊之短列上的負載。

Claims (20)

  1. 一種顯示器，其具有光從其中發射之一作用區與不發射光之一非作用區，該顯示器包含： 一像素陣列； 顯示器驅動器電路系統； 資料線，其等耦接至該顯示器驅動器電路系統； 閘極線，其等耦接至該顯示器驅動器電路系統，其中該等閘極線包括第一閘極線與第二閘極線，且其中該第一閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素； 一補充閘極線負載結構，其在該顯示器的該非作用區中，其中該補充閘極線負載結構增加該第一閘極線上的負載；及 一偏壓供應線，其將該補充閘極線負載結構偏壓。
  2. 如請求項1之顯示器，其中該補充閘極線負載結構包含經摻雜多晶矽。
  3. 如請求項2之顯示器，其進一步包含與該經摻雜多晶矽重疊的一透明導電層。
  4. 如請求項3之顯示器，其進一步包含一通孔，該通孔將該透明導電層電耦接至該經摻雜多晶矽。
  5. 如請求項4之顯示器，其中該透明導電層耦接至該偏壓供應線。
  6. 如請求項5之顯示器，其中該偏壓供應線包含多個金屬層。
  7. 如請求項5之顯示器，其中該經摻雜多晶矽具有一H形狀，其中兩個垂直區段由一水平區段連接。
  8. 如請求項7之顯示器，其中該通孔耦接至該水平區段。
  9. 如請求項8之顯示器，其中該兩個垂直區段與該第一閘極線重疊。
  10. 如請求項3之顯示器，其中該等像素包含一共用電壓層，且其中該透明導電層由與該共用電壓層相同的材料形成。
  11. 如請求項10之顯示器，其中該等像素包含具有多晶矽通道的電晶體，且其中該經摻雜多晶矽由與該等多晶矽通道相同的材料形成。
  12. 如請求項1之顯示器，其中該等閘極線包括一第三閘極線，該第三閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素，其中該補充閘極線負載結構增加該第三閘極線上的負載。
  13. 如請求項1之顯示器，其中該等資料線中的一些與該顯示器的該非作用區中的該第一閘極線重疊。
  14. 如請求項1之顯示器，其進一步包含一金屬層，該金屬層將該補充閘極線負載結構電耦接至該偏壓供應線。
  15. 如請求項14之顯示器，進一步其中該金屬層由與該等資料線相同的材料形成。
  16. 一種顯示器，其具有一作用區與一非作用區，該顯示器包含： 一像素陣列，其在該作用區中，其中該像素陣列包括第一列與第二列，且其中該第一列比該第二列具有較少的像素； 閘極線，其等耦接至該像素陣列，其中該等閘極線包括耦接至該第一列像素的一第一閘極線以及耦接至該第二列像素的一第二閘極線，且其中該第一閘極線具有在該非作用區中的一區段； 虛置像素，其等在不發射光的該非作用區中，其中該等虛置像素包含與該非作用區中的該第一閘極線的該區段重疊的經摻雜多晶矽；及 一金屬層，其將該等虛置像素電耦接至一偏壓供應線。
  17. 如請求項16之顯示器，其進一步包含耦接至該像素陣列的資料線，其中該金屬層由與該等資料線相同的材料形成。
  18. 如請求項17之顯示器，其中該等虛置像素包含該等資料線的延伸部分。
  19. 一種顯示器，其具有一作用區與一非作用區，該顯示器包含： 一像素陣列，其在該作用區中； 一共用電壓層，其包含列電極與行電極，其中該共用電壓層經組態以在一第一模式中作用為該像素陣列的一接地平面並且在一第二模式中用以收集觸控資料； 信號線列，其等分別耦接至該等列電極，其中該等信號線列包括第一信號線與第二信號線，且其中該第一信號線比該第二信號線耦接至較少的列電極；及 一導電層，其在該非作用區中，該導電層與該第一信號線重疊以增加該第一信號線上的負載。
  20. 如請求項19之顯示器，其中該導電層包含氧化銦錫，該顯示器進一步包含： 閘極線，其等耦接至該像素陣列，其中該等閘極線包括第一閘極線與第二閘極線，其中該第一閘極線比該第二閘極線耦接至較少的像素，且其中該第一閘極線與該非作用區中的該導電層重疊；及 閘極線負載結構，其等在該顯示器的該非作用區中，該等閘極線負載結構增加該第一閘極線上的負載，其中該等閘極線負載結構包括與該非作用區中的該第一閘極線重疊的資料線與經摻雜多晶矽。
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