TW201909344A - 微電子裝置 - Google Patents

微電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201909344A
TW201909344A TW107118434A TW107118434A TW201909344A TW 201909344 A TW201909344 A TW 201909344A TW 107118434 A TW107118434 A TW 107118434A TW 107118434 A TW107118434 A TW 107118434A TW 201909344 A TW201909344 A TW 201909344A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
microelectronic component
microelectronic
substrate
noise suppression
suppression structure
Prior art date
Application number
TW107118434A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI659503B (zh
Inventor
孫瑞伯
吳文洲
Original Assignee
聯發科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 聯發科技股份有限公司 filed Critical 聯發科技股份有限公司
Publication of TW201909344A publication Critical patent/TW201909344A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI659503B publication Critical patent/TWI659503B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • H05K7/20445—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing the coupling element being an additional piece, e.g. thermal standoff
    • H05K7/20454—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing the coupling element being an additional piece, e.g. thermal standoff with a conformable or flexible structure compensating for irregularities, e.g. cushion bags, thermal paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0032—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields having multiple parts, e.g. frames mating with lids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0215—Grounding of printed circuits by connection to external grounding means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09972—Partitioned, e.g. portions of a PCB dedicated to different functions; Boundary lines therefore; Portions of a PCB being processed separately or differently
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371—Shields or metal cases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/1056—Metal over component, i.e. metal plate over component mounted on or embedded in PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

微電子裝置包括基板和安裝在該基板上的第一微電子組件。該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊。屏蔽殼被安裝在該板上。該屏蔽殼包括多個側壁、一個中間壁和蓋子。散熱介質材料（TIM）層位於該蓋子和該第一微電子組件之間。雜訊抑制結構位於該散熱介質材料（TIM）層和該第一微電子組件之間。

Description

微電子裝置
本發明涉及一種有關於電子器件的領域，以及更特別地，涉及一種具有電磁屏蔽體（electromagnetic shielding）和雜訊抑制（noise suppressing）結構的微電子裝置。
靈敏度惡化（desense）是指接收器的靈敏度因外部雜訊源的降低。當其它元件（如記憶體介面）變得活躍時，接收器的靈敏度可能會突然受到影響。
通常，高速信號（例如，像記憶體總線或顯示信道傳送的信號）會通過傳輸線路發送電脈衝。理想的傳輸線路自身能夠將這種高速信號的能量保持在其自身結構中。然而，像連接器或不完善的柔性線路（flex line）那樣的不連續體（discontinuities）會將這些能量的一部分輻射到周圍，從而表現為雜訊源。在智能手機和車載的娛樂系統的使用中，移動記憶資料（memory data）速率已進入數千兆赫茲級的範圍，直接干擾無線通信所使用的頻段。
對於當今的無線技術來說，靈敏度惡化問題已變得特別麻煩。因此，迫切需要提供一種改進的微電子裝置來解決這些問題。
本發明的目的之一在於提供一種改進的微電子裝置，以解決上述問題。
在一實施例中，本發明提供了一種微電子裝置，其包括基板、第一微電子組件、第二微電子組件、屏蔽殼、散熱介質材料層以及雜訊抑制結構。其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上，該屏蔽殼安裝在該基板上，以及，該屏蔽殼包括蓋子、多個側壁以及一個中間壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件分別位於該屏蔽殼內的兩個分開的隔室中，以及，該中間壁位於該第一微電子組件和該第二微電子組件之間。此外，該散熱介質材料層位於該蓋子和該第一微電子組件之間，以及，該雜訊抑制結構位於該散熱介質材料層和該第一微電子組件之間。
在另一實施例中，本發明提供了一種微電子裝置，其包括基板、第一微電子組件、第二微電子組件、屏蔽殼、散熱介質材料層以及雜訊抑制結構。其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上，該屏蔽殼安裝在該基板上，以及，該屏蔽殼包括蓋子和多個側壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件位於該屏蔽殼內。此外，該散熱介質材料層位於該蓋子和該第一微電子組件之間，以及，該雜訊抑制結構位於該散熱介質材料層和該第一微電子組件之間，其中，該雜訊抑制結構通過該基板上的導電焊墊電連接至該基板中的接地層。
在又一實施例中，本發明提供了一種微電子裝置，其包括基板、第一微電子組件、第二微電子組件、屏蔽殼以及雜訊抑制結構。其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上，該屏蔽殼安裝在該基板上，以及，該屏蔽殼包括蓋子和多個側壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件位於該屏蔽殼內。此外，該雜訊抑制結構被直接設置在該第一微電子組件上。
在上述技術方案中，微電子裝置能夠有效地抑制雜訊及改善靈敏度惡化問題。
所屬技術領域中具有通常知識者在閱讀附圖所示優選實施例的下述詳細描述之後，可以毫無疑義地理解本發明的這些目的及其它目的。
以下描述為本發明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發明的技術特徵，並非用來限制本發明的範疇。在通篇說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的組件。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，製造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區別組件的方式，而係以組件在功能上的差異來作為區別的基準。本發明的範圍應當參考后附的申請專利範圍來確定。在以下描述和申請專利範圍當中所提及的術語“包含”和“包括”為開放式用語，故應解釋成“包含，但不限定於…”的意思。此外，術語“耦接”意指間接或直接的電氣連接。因此，若文中描述一個裝置耦接至另一裝置，則代表該裝置可直接電氣連接於該另一裝置，或者透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該另一裝置。
文中所用術語“基本”或“大致”係指在可接受的範圍內，所屬技術領域中具有通常知識者能夠解決所要解決的技術問題，基本達到所要達到的技術效果。舉例而言，“大致等於”係指在不影響結果正確性時，所屬技術領域中具有通常知識者能夠接受的與“完全等於”有一定誤差的方式。
本發明涉及一種具有雜訊抑制結構的微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構能夠在組件級的基板（board）上消除或改善靈敏度惡化問題，例如，該組件級的基板上安裝有第一微電子組件和第二微電子組件。所提出的方法具有成本低且易於組裝的優點。能夠保持電磁干擾（ElectroMagnetic Interference，EMI）屏蔽罩（cover）或蓋（lid）的一體化結構（structure integration），使得發射輻射（emitted radiation）能夠最小化，以符合各種EMI標準，如聯邦通信委員會（Federal Communications Commission，FCC）規則。在本發明實施例中，無需在EMI屏蔽罩或蓋中形成任何槽（slots）、開孔（apertures）、溝槽（trenches）或開口（openings）。此外，雜訊抑制結構的引入不會降低微電子裝置的散熱效率。在本發明實施例中，雜訊抑制結構連接到微電子裝置的直接接地部分，優選的，該接地部分相較於第一微電子組件內的RF IP模塊更靠近第一微電子組件內的數位/類比IP模塊，從而使得雜訊抑制路徑較短且偏離RF IP模塊進而具有更好的雜訊抑制效果。在本發明實施例中，直接接地部分是指能夠被直接連接到接地電位且用於與外界接觸的接地部分，例如，該直接接地部分包括基板上的接地焊墊，其中，該接地焊墊通過基板中的導線直接連接到基板中的接地層，從而，外界（如第一微電子組件、中間壁、側壁等）通過基板上的接地焊墊能夠直接電連接到接地層，進而通過直接接地部分連接到接地電位的路徑更短。再例如，該直接接地部分包括第一微電子組件所在封裝內的接地部分。在一實施例中，該雜訊抑制結構通過柔性材料連接到中間壁，其中，中間壁接地（例如，中間壁通過基板上的接地焊墊接地，其中，該接地焊墊位於該中間壁的下方）。在另一實施例中，雜訊抑制結構直接連接到基板上的接地焊墊，或者，連接到第一微電子組件所在封裝內的接地部分（例如，第一微電子組件的接地引腳），例如，透過第一微電子組件所在封裝的表面（其中，第一微電子組件所在封裝的至少一表面的至少一部分鍍銅或其它導電材料）、封裝內的通孔等方式連接到封裝內的接地部分，在一些實施例中，該封裝內的接地部分可以通過該封裝的導電端子（例如，接地錫球）連接到基板上的接地焊墊。
請參考第1圖至第3圖。第1圖是根據本發明一實施例的一種具有電磁屏蔽體（如以下實施例中描述的屏蔽殼或EMI屏蔽殼）的微電子裝置的示意性頂部透視圖。第2圖是沿著第1圖中的線I-I'截取的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的示意性橫截面圖。第3圖是根據本發明一實施例的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的透視圖。
如第1圖至第3圖所示，微電子裝置1包括基板（substrate）10，如印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）、印刷線路板（Printed Wiring Board，PWB）或主機板（Mother Board），但並不限於此。根據該說明性實施例，基板10包括接地導體（ground conductor），如接地層（ground plane），但並不限於此。基板10可以包括絕緣芯（insulating core）101以及在通孔（via）與通孔之間進行互連或金屬化孔（plated through hole）與金屬化孔之間進行互連的至少一層（如多層）跡線（或導體、導線）102。應該理解的是，基板中的跡線（或導體、導線）的層數僅用於說明的目的，而不是對本發明的限制。
舉例來說，基板10可以由雙馬來醯亞胺三嗪（Bismaleimide Triazine，BT）樹脂、FR-4（由編織玻璃纖維布和具有阻燃性的環氧樹脂粘合劑組成的複合材料）、陶瓷（ceramic）、玻璃（glass）、塑料（plastic）、膠帶（tape），或可以承載跡線102和導電焊墊（pad）（或焊墊（land））103（用於接收導電端子）的其它支撐材料組成。跡線102的最頂層（topmost layer）覆蓋有阻焊層（solder mask）（或阻焊膜（solder resist））104。阻焊層104中形成有阻焊層開口104a，以分別至少部分地暴露出導電焊墊103、103a，以通過導電焊墊進行進一步連接。
根據該說明性實施例，微電子裝置1還包括第一微電子組件（microelectronic component）20，第一微電子組件20安裝在基板10上。根據該說明性實施例，第一微電子組件20可以是具有至少一個半導體集成電路晶粒（未明確示出）的半導體晶粒封裝（semiconductor die package），該至少一個半導體集成電路晶粒被封裝在工程模塑料中，但本發明並不限於此。
根據該說明性實施例，例如，第一微電子組件20可以是射頻（RF）系統級芯片（System-on-Chip，SoC）或RF系統級封裝（System-in-Package，SiP），例如，包括RF收發器的系統級芯片或封裝，但不限於此。根據本發明的實施例，第一微電子組件20可以包括中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）、圖形處理單元（Ggraphical Processing Unit、GPU）和/或現場可編程門陣列（Field-Programmable Gate Array，FPGA），但並不限於此。
根據該說明性實施例，第一微電子組件20包括位於單個封裝內的數位/類比IP模塊201和RF IP模塊202，如數位/類比電路模塊和RF電路模塊。在第一微電子組件20中，數位/類比IP模塊201會因時鐘、電晶體或其它開關邏輯組件產生的瞬態電流或電壓而產生雜訊或電磁干擾。根據該說明性實施例，數位/類比IP模塊201可以具有各種各樣的功能，以及，數位/類比IP模塊201是干擾源（aggressor）和耦合雜訊（coupled noise）的來源（source）。數位/類比IP模塊201會干擾RF IP模塊202並導致靈敏度惡化問題。本發明能夠解決這個問題。例如，在本發明實施例中，數位/類比IP模塊201與第二微電子組件30之間的通信會對RF IP模塊202的無線通信造成干擾，本發明的設計可以減少該干擾。
根據該說明性實施例，RF IP模塊202具有至少一個射頻（RF）路徑，該RF路徑是雜訊耦合的受害者（victim），以及，通過一些被動PCB元件，包括但不限於電感器、電容器、平衡-不平衡變換器（balun）、雙工器（diplexer）、薄膜體聲波諧振器（film bulk acoustic resonator，FBAR）等，RF IP模塊202可以包括封裝以及位於RF IP模塊202的晶粒焊盤/凸塊（bump）和天線之間的PCB級佈線。
根據該說明性實施例，如第2圖所示，第一微電子組件20通過多個導電端子211（例如，凸塊或焊球）安裝在基板10上，該多個導電端子211被佈置在第一微電子組件20的底面（bottom surface）上。舉例來說，導電端子211可以是球柵陣列（ball grid array，BGA），但並不限於此。
根據該說明性實施例，微電子裝置1還包括第二微電子組件30，第二微電子組件30安裝在基板10上。根據該說明性實施例，第一微電子組件20和第二微電子組件30以並排方式（in a side-by-side manner）安裝在基板10上。根據該說明性實施例，第二微電子組件30可以是具有至少一個半導體集成電路晶粒（未明確示出）的半導體晶粒封裝，該至少一個半導體集成電路晶粒被封裝在工程模塑料中，但本發明並不限於此。
根據該說明性實施例，舉例來說，第二微電子組件30可以是以太網電路或記憶體封裝，諸如DDR3 DRAM或DDR4 DRAM，但並不限於此。第二微電子組件30可以通過基板10中的跡線（例如，高速總線）102b電連接到第一微電子組件20。
根據該說明性實施例，微電子裝置1還包括安裝在基板10上的EMI屏蔽殼（shielding case）40（亦可稱為屏蔽殼）。根據該說明性實施例，EMI屏蔽殼40包括多個側壁（sidewall）401（例如，四個側壁）、一個中間壁（intermediate wall）402以及蓋子（lid）403，其中，中間壁402將該屏蔽殼40分割成兩個隔室40a和40b。然而，在一些實施例中，中間壁402可以被省略，在這種情形中，第一微電子組件20和第二微電子組件30位於屏蔽殼40內。如第1圖所示，在EMI屏蔽殼40內，第一微電子組件20和第二微電子組件30被分別設置在兩個分開的隔室（compartment）40a和40b中。中間壁402位於（is interposed between）第一微電子組件20和第二微電子組件30之間。
根據該說明性實施例，中間壁402具有預定高度，該預定高度高於第二微電子組件30的厚度，以提供足夠的屏蔽。根據該說明性實施例，多個側壁401和中間壁402具有基本相同的高度。
根據該說明性實施例，第一微電子組件20的數位/類比IP模塊201比RF IP模塊202更靠近中間壁402。RF IP模塊202與中間壁402之間的距離大於數位/類比IP模塊201與中間壁402之間的距離。可以理解地，在沒有中間壁402的變型實施例中，第一微電子組件20的數位/類比IP模塊201比RF IP模塊202更靠近第二微電子組件30，換句話說，RF IP模塊202與第二微電子組件30之間的距離大於數位/類比IP模塊201與第二微電子組件30之間的距離。
根據該說明性實施例，EMI屏蔽殼40可以全部由均質材料（homogeneous material）形成，這意味著EMI屏蔽殼40的所有部分（壁和蓋子）由相同材料形成。在一實施例中，EMI屏蔽殼40是金屬屏蔽殼。例如，EMI屏蔽殼40可以由銅和鎳製程，例如，由具有鎳（Ni）薄層的銅（Cu）製成，但是，也可以使用其它金屬或金屬合金，例如鋁或鋁合金，具體地，本發明實施例不做任何限制。在另一實施例中，EMI屏蔽殼40上可以被塗上EMI吸收材料層（absorbing material layer）。
根據該說明性實施例，蓋子403完全覆蓋第一微電子組件20所處的隔室。根據該說明性實施例，沒有槽、開孔、溝槽或開口形成在蓋子403中，以保持一體化結構。蓋子403的一體化結構能夠有助於最小化發射輻射。
根據該說明性實施例，EMI屏蔽殼40接地，優選地，通過基板上的導電焊墊電連接到接地層120而直接接地，如，利用焊料（soldering）通過焊接方式將EMI屏蔽殼40電連接到導電焊墊，進而，經由較短路徑電連接到接地層120，以具有更好的雜訊抑制效果。值得注意的是，一些導電焊墊（例如，第1圖中示出的接地焊墊103a）被直接設置在中間壁402的下方，以便利用焊料或類似物將中間壁402電連接到接地層120。
根據該說明性實施例，微電子裝置1還包括散熱介質材料（thermal interface material，TIM）層50，位於蓋子403和第一微電子組件20之間。TIM層50具有高熱導率（thermal conductivity）且與蓋子403直接接觸。舉例來說，TIM層50可以由矽樹脂（silicones）製成，矽樹脂為包括但不限於矽、碳、氫、氧或其它元素的聚合物。TIM層50可以包括導電材料，諸如與矽樹脂混合的氧化鋁（Al2 O3 ）或氧化鋅（ZnO2 ）。根據該說明性實施例，TIM層50的厚度可以在約10μm與約300μm之間的範圍內，但並不限於此。第一微電子組件20產生的熱量可以通過TIM層50消散到蓋子403，然後至外部環境。
根據該說明性實施例，微電子裝置1還包括雜訊抑制結構60，該雜訊抑制結構60位於TIM層50和第一微電子組件20之間。根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60與第一微電子組件20直接接觸。根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60覆蓋第一微電子組件20的整個頂面或上表面（top surface），以及，在這種情形中，TIM層50不直接接觸第一微電子組件20。根據另一實施例，雜訊抑制結構60部分地覆蓋第一微電子組件20的頂面或上表面，例如，覆蓋有雜訊的（noisy）數位/類比IP模塊201的區域，以及，在這種情形中，TIM層50直接接觸第一微電子組件20（第2圖中未示出）。
根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60可以由柔性或可折疊材料組成，能夠抑制有雜訊的數位/類比IP模塊201產生的雜訊並阻斷穿過TIM層50和蓋子403的雜訊耦合。根據該說明性實施例，例如，雜訊抑制結構60可以包括具有導電粘合劑（electrically conductive adhesive）的導電織物（conductive fabric）、銅箔（copper foil）、金屬薄膜（metal film）或鍍銅聚酯布（copper-plated polyester cloth），但並不限於此。根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60被粘附到或位於第一微電子組件20的頂面或上表面，以至少覆蓋雜訊源（如第一微電子組件20中的數位/類比IP模塊201）的區域。
根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60包括連接部分601，連接部分601的末端（distal end）延伸並粘附到中間壁402，使得雜訊抑制結構60通過連接部分601和中間壁402（例如，中間壁402的下方電連接至耦接於接地層120的導電焊墊）電耦接到基板10的接地層120（即形成較短的雜訊抑制路徑，以具有更好的雜訊抑制效果）。舉例來說，連接部分601的末端可以粘附到中間壁402的頂面或上表面，但並不限於此。根據各種變型實施例，雜訊抑制結構60可以電耦接到芯片上和/或芯片外的接地。
根據另一實施例，屏蔽殼40可以由蓋子和多個側壁組成。根據另一實施例，第1圖至第3圖中的中間壁402可以被省略，在該另一實施例中，雜訊抑制結構60的連接部分601電連接到屏蔽殼40的多個側壁的直接接地部分（directly grounded part），其中，該直接接地部分（例如，與導電焊墊連接的地方，其中，該導電焊墊電連接到基板的接地層）被佈置得更靠近有雜訊的數位/類比IP模塊201以及被佈置得離易受干擾的RF IP模塊202更遠，換句話說，數位/類比IP模塊201相較於RF IP模塊202離該直接接地部分更近。屏蔽殼40的多個側壁的上述直接接地部分是屏蔽殼40的多個側壁的一部分，該一部分直接連接到導電焊墊（如第1圖1中示出的103）並通過導電焊墊（亦可稱作接地焊墊）電連接到基板10的接地層120，使得較短的雜訊抑制路徑被建立。
根據另一實施例，雜訊抑制結構60的連接部分601直接電連接到基板10上的任意導電焊墊（或導電跡線），並通過導電焊墊（例如，利用焊料進行焊接）電連接到基板10的接地層120，使得較短的雜訊抑制路徑被建立，而不與屏蔽殼40的任何部分接觸，從而，雜訊抑制效果更佳。同時，雜訊抑制結構60電連接到基板10的直接接地部分，基板10的該直接接地部分也被佈置得更靠近有雜訊的數位/類比IP模塊201以及被佈置得離易受干擾的RF IP模塊202更遠。根據本發明的優選實施例，雜訊抑制結構60直接電連接至（如通過連接部分601）基板上的導電焊墊，其中，該導電焊墊電連接到基板的接地層，以及，該導電焊墊離數位/類比IP模塊201相對更近些，而離RF IP模塊202相對較遠些，以更好地避免RF IP模塊202受雜訊干擾。
請參考第4圖。第4圖是根據本發明另一實施例的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的示意性截面圖，其中，與第1圖至第3圖類似，相同的標號表示相同的區域、層或組件。
如第4圖所示，第4圖中的微電子裝置2與第1圖至第3圖中的微電子裝置1之間的不同之處在於：第4圖中的微電子裝置2不包括TIM層50。雜訊抑制結構60直接接觸第一微電子組件20。第一微電子組件20和蓋子403之間為空氣間隙（air gap）70，而不是散熱介質材料層50。
類似地，雜訊抑制結構60可以由柔性或可折疊材料構成，該材料能夠抑制有雜訊的數位/類比IP模塊201產生的雜訊並阻斷雜訊耦合。根據該說明性實施例，例如，雜訊抑制結構60可以包括具有導電粘合劑的導電織物、銅箔、金屬薄膜和鍍銅聚酯布中的至少一種，但並不限於此。根據該說明性實施例，雜訊抑制結構60被粘附到第一微電子組件20的頂面或上表面。
雜訊抑制結構60包括連接部分601，連接部分601的末端延伸並粘附到中間壁402，使得雜訊抑制結構60通過連接部分601和中間壁402電耦接到基板10的接地層120（形成較短的雜訊抑制路徑）。根據本發明實施例，雜訊抑制結構60可以電耦接到芯片上和/或芯片外的接地。
根據又一實施例，屏蔽殼40可以由蓋子和多個側壁組成，換言之，第4圖中的中間壁402被省略。根據該另一實施例，雜訊抑制結構60的連接部分601電連接到屏蔽殼40的多個側壁的直接接地部分，該直接接地部分被佈置為更靠近有雜訊的數位/類比IP模塊201以及被佈置為離易受干擾的RF IP模塊202更遠。屏蔽殼40的多個側壁的上述直接接地部分是屏蔽殼40的多個側壁的一部分，該一部分直接連接到導電焊墊（例如，導電焊墊103），並通過導電焊墊103電連接到基板10的接地層120，使得較短的雜訊抑制路徑被建立。
根據另一實施例，雜訊抑制結構60的連接部分601直接連接到基板10上的任意導電焊墊（或導電跡線），並且通過導電焊墊電連接到基板10的接地層120，使得較短的雜訊抑制路徑被建立，而雜訊抑制結構60不與屏蔽殼40的任何部分進行任何接觸。從而，雜訊抑制結構60電連接到基板10的直接接地部分，基板10的該直接接地部分也被佈置得更靠近有雜散的數位/類比IP模塊201以及被佈置得離易受干擾的RF IP模塊202更遠。
雖然已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明，但應當理解的係，在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內，可以對本發明進行各種改變、替換和變更，例如，可以通過結合不同實施例的若干部分來得出新的實施例。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。所屬技術領域中具有通常知識者皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1‧‧‧微電子裝置
10‧‧‧基板
40‧‧‧屏蔽殼
401‧‧‧屏蔽殼40的側壁
402‧‧‧屏蔽殼40的中間壁
403‧‧‧屏蔽殼40的蓋子
30‧‧‧第二微電子組件
40a、40b‧‧‧兩個分開的隔室
102、102b‧‧‧跡線
103、103a‧‧‧導電焊墊
20‧‧‧第一微電子組件
201‧‧‧數位/類比IP模塊
202‧‧‧RF IP模塊
60‧‧‧雜訊抑制結構
601‧‧‧雜訊抑制結構60的連接部分
104‧‧‧阻焊層
104a‧‧‧阻焊層開口
50‧‧‧散熱介質材料層
101‧‧‧絕緣芯
211‧‧‧導電端子
70‧‧‧空氣間隙
通過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明，該實施例參照附圖給出。 第1圖是根據本發明一實施例的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的示意性頂部透視圖。 第2圖是沿著第1圖中的線I-I'截取的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的示意性橫截面圖。 第3圖是根據本發明一實施例的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的透視圖。 第4圖是根據本發明另一實施例的具有電磁屏蔽體的微電子裝置的示意性截面圖。 在下面的詳細描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體細節，以便所屬技術領域中具有通常知識者能夠更透徹地理解本發明實施例。然而，顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實施一個或複數個實施例，不同的實施例可根據需求相結合，而並不應當僅限於附圖所列舉的實施例。

Claims (17)

  1. 一種微電子裝置，包括： 一基板； 一第一微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊； 一第二微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上； 一屏蔽殼，安裝在該基板上，其中，該屏蔽殼包括蓋子、多個側壁以及一個中間壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件分別位於該屏蔽殼內的兩個分開的隔室中，以及，該中間壁位於該第一微電子組件和該第二微電子組件之間； 一散熱介質材料層，位於該蓋子和該第一微電子組件之間；以及 一雜訊抑制結構，位於該散熱介質材料層和該第一微電子組件之間。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該第一微電子組件是RF系統級芯片或RF系統級封裝。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該第一微電子組件的該數位/類比IP模塊比該RF IP模塊更靠近該中間壁。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該中間壁直接通過焊料和位於該中間壁下方的導電焊墊電連接到該基板的接地層。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該散熱介質材料層直接接觸該蓋子和該雜訊抑制結構。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構與該第一微電子組件直接接觸。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構覆蓋該第一微電子組件的整個上表面，以及，該散熱介質材料層與該第一微電子組件不直接接觸。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構部分地覆蓋該第一微電子組件的上表面，以及，該散熱介質材料層與該第一微電子組件直接接觸。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構連接到該微電子裝置的直接接地部分，以及，該直接接地部分相較於該RF IP模塊更靠近有雜訊的該數位/類比IP模塊。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構由柔性材料構成，該柔性材料能夠抑制該數位/類比IP模塊產生的雜訊並阻斷穿過該散熱介質材料層和該蓋子的雜訊耦合。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述之微電子裝置，其中，該柔性材料連接至該中間壁，以及，該中間壁接地。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構包括具有導電粘合劑的導電織物、銅箔、金屬薄膜和鍍銅聚酯布中的至少一種。
  13. 根據申請專利範圍第4項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構包括連接部分，該連接部分的末端被粘附到該中間壁，使得該雜訊抑制結構通過該連接部分和該中間壁電耦接到該基板的該接地層。
  14. 根據申請專利範圍第1項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構直接連接到該基板上的接地焊墊，或者，該雜訊抑制結構電連接到該第一微電子組件的接地。
  15. 一種微電子裝置，包括： 一基板； 一第一微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊； 一第二微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上； 一屏蔽殼，安裝在該基板上，其中，該屏蔽殼包括蓋子和多個側壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件位於該屏蔽殼內； 一散熱介質材料層，位於該蓋子和該第一微電子組件之間；以及 一雜訊抑制結構，介於該散熱介質材料層和該第一微電子組件之間，其中，該雜訊抑制結構通過導電焊墊電連接至該基板的接地層。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述之微電子裝置，其中，該雜訊抑制結構電連接到該屏蔽殼的該多個側壁的直接接地部分，以及，該直接接地部分相較於該RF IP模塊更靠近有雜訊的該數位/類比IP模塊。
  17. 一種微電子裝置，包括： 一基板； 一第一微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件包括數位/類比IP模塊和RF IP模塊； 一第二微電子組件，安裝在該基板上，其中，該第一微電子組件和該第二微電子組件以並排方式安裝在該基板上； 一屏蔽殼，安裝在該基板上，其中，該屏蔽殼包括蓋子和多個側壁，該第一微電子組件和該第二微電子組件位於該屏蔽殼內；以及 一雜訊抑制結構，被直接設置在該第一微電子組件上。
TW107118434A 2017-06-01 2018-05-30 微電子裝置 TWI659503B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762513496P 2017-06-01 2017-06-01
US62/513,496 2017-06-01
US15/973,541 2018-05-08
US15/973,541 US10490511B2 (en) 2017-06-01 2018-05-08 Microelectronic assembly with electromagnetic shielding

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201909344A true TW201909344A (zh) 2019-03-01
TWI659503B TWI659503B (zh) 2019-05-11

Family

ID=62528244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107118434A TWI659503B (zh) 2017-06-01 2018-05-30 微電子裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10490511B2 (zh)
EP (1) EP3410474B1 (zh)
CN (1) CN108987378B (zh)
TW (1) TWI659503B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL250253B (en) 2017-01-24 2021-10-31 Arbe Robotics Ltd A method for separating targets and echoes from noise, in radar signals
IL255982A (en) 2017-11-29 2018-01-31 Arbe Robotics Ltd Detection, mitigation and prevention of mutual interference between fixed water radars in vehicles
IL259190A (en) 2018-05-07 2018-06-28 Arbe Robotics Ltd System and method for frequency hopping MIMO FMCW imaging radar
IL260696A (en) 2018-07-19 2019-01-31 Arbe Robotics Ltd Method and device for structured self-testing of radio frequencies in a radar system
IL260694A (en) 2018-07-19 2019-01-31 Arbe Robotics Ltd Method and device for two-stage signal processing in a radar system
IL260695A (en) 2018-07-19 2019-01-31 Arbe Robotics Ltd Method and device for eliminating waiting times in a radar system
IL261636A (en) 2018-09-05 2018-10-31 Arbe Robotics Ltd Deflected MIMO antenna array for vehicle imaging radars
US10681832B1 (en) * 2019-06-06 2020-06-09 Hewlett Packard Enterprise Development Lp High-density universally-configurable system board architecture with dual-use modular mid-board optics (MBOs)
KR20210007217A (ko) * 2019-07-10 2021-01-20 삼성전자주식회사 인터포저를 포함하는 전자 장치
IL271269A (en) 2019-12-09 2021-06-30 Arbe Robotics Ltd Radom for a planar antenna for car radar
CN115299192A (zh) 2020-03-27 2022-11-04 索尼互动娱乐股份有限公司 电子设备
US11277902B2 (en) * 2020-05-25 2022-03-15 Arbe Robotics Ltd. Single layer radio frequency integrated circuit package and related low loss grounded coplanar transmission line

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6380559B1 (en) * 1999-06-03 2002-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
US7052939B2 (en) * 2002-11-26 2006-05-30 Freescale Semiconductor, Inc. Structure to reduce signal cross-talk through semiconductor substrate for system on chip applications
DE10332009B4 (de) 2003-07-14 2008-01-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit elektromagnetischer Abschirmvorrichtung
WO2008114517A1 (ja) * 2007-03-19 2008-09-25 Nec Corporation 半導体デバイス及びそれにおける信号処理方法
TWI540698B (zh) * 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
CN102364683A (zh) 2011-10-21 2012-02-29 华为终端有限公司 封装结构、方法、及电子设备
US10091918B2 (en) * 2012-12-11 2018-10-02 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for conformal shielding
KR101974514B1 (ko) 2013-12-27 2019-05-02 인텔 코포레이션 데이터를 처리하기 위한 두 개의 프로세서를 갖는 전자 장치
US9530762B2 (en) * 2014-01-10 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor package, semiconductor device and method of forming the same
US9633158B1 (en) 2014-11-11 2017-04-25 Altera Corporation Selectable reconfiguration for dynamically reconfigurable IP cores
KR102301639B1 (ko) * 2015-01-23 2021-09-14 삼성전자주식회사 SoC(System-on Chip), 그의 전력 관리 방법 및 전자 장치
US9929139B2 (en) * 2015-03-09 2018-03-27 Apple Inc. Modular electrostatic discharge (ESD) protection
US10553548B2 (en) * 2017-06-28 2020-02-04 Intel Corporation Methods of forming multi-chip package structures
KR102400748B1 (ko) * 2017-09-12 2022-05-24 삼성전자 주식회사 인터포저를 포함하는 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20180350751A1 (en) 2018-12-06
EP3410474A1 (en) 2018-12-05
US10490511B2 (en) 2019-11-26
CN108987378B (zh) 2020-11-06
TWI659503B (zh) 2019-05-11
CN108987378A (zh) 2018-12-11
EP3410474B1 (en) 2022-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI659503B (zh) 微電子裝置
KR101657622B1 (ko) 전자기 간섭 인클로저를 갖는 무선 주파수 멀티-칩 집적 회로 패키지 및 패키지를 제조하기 위한 방법
US8890628B2 (en) Ultra slim RF package for ultrabooks and smart phones
JP6617497B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
US20140124907A1 (en) Semiconductor packages
US20200075501A1 (en) Electromagnetic interference shielding for semiconductor packages using bond wires
US20070176281A1 (en) Semiconductor package
US20140124906A1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN108701680B (zh) 带有使用金属层和通孔的电磁干扰屏蔽的半导体封装
TW201731063A (zh) 封裝結構及其製法
KR101926797B1 (ko) 인쇄회로기판
JP2005268793A (ja) 電磁障害減衰システム及び方法
JP2004128288A (ja) 半導体装置および電子装置
TWI484616B (zh) 具電磁干擾屏蔽之封裝模組
US20150115443A1 (en) Semiconductor package
US20160081234A1 (en) Package structure
JP2001035957A (ja) 電子部品収納用パッケージならびに半導体装置およびパッケージ製造方法
KR101053296B1 (ko) 전자파 차폐 기능을 갖는 전자 장치
JP2940478B2 (ja) シールド付き表面実装部品
US20240136304A1 (en) Electronic Device and Chip Packaging Method
WO2022227063A1 (zh) Lga焊盘结构及制作方法、芯片模块、印刷电路板及装置
US20240234334A9 (en) Electronic Device and Chip Packaging Method
US7838777B2 (en) Signal transmission structure, package structure and bonding method thereof
KR20090039407A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20220005765A1 (en) Substrate structure