TW201909332A - 基板支撐裝置 - Google Patents

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TW201909332A
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楊岳霖
廖啟宏
蔡飛國
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一基板支撐裝置包含一外殼及複數球狀支撐體。該外殼有一上表面，該上表面包含複數開口。該外殼用於將該複數球狀支撐體定位於該複數開口內，因此該複數球狀支撐體之最上表面被排列於該上表面之上的一平面。該複數球狀支撐體的一球狀支撐體可在該外殼內旋轉。

Description

基板支撐裝置
本揭示內容是關於一種支撐裝置與方法，特別是關於一種基板支撐裝置與基板支撐方法。
在積體電路(Integrated circuit：IC)製造中，單獨之積體電路元件使用各種不同之製造儀器去執行多種作業被製造及測試。製造作業通常包含藉由對固有之製造作業形成之特徵對位而形成新特徵。對於一些製造作業，構成積體電路的基板或晶圓被裝載至晶圓臺上並且藉由對基板之下表面實施抽真空固定於定位。
本街次內容之實施方式是關於一種基板支撐裝置，其包含外殼與複數球狀支撐體。外殼之上表面包含複數開口。外殼用以將複數球狀支撐體定位至複數開口之內，因此複數球狀支撐體之最上 表面被排列於位於上表面之上之平面。以及複數球狀支撐體的一球狀支撐體其可在外殼內旋轉。
為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附符號之說明如下：
100‧‧‧基板支撐裝置
110‧‧‧外殼
110A‧‧‧頂部
110B‧‧‧底部
112‧‧‧上表面
114、214‧‧‧開口
116、216‧‧‧腔體
116B‧‧‧平底面
120‧‧‧球狀支撐體
122‧‧‧最上表面
124‧‧‧球狀支撐體之下表面
130‧‧‧較低支撐體
140‧‧‧卡盤
142‧‧‧凹槽
144‧‧‧孔隙
150‧‧‧基板
152‧‧‧基板之下表面
300A、300B、300C‧‧‧球狀支撐體之排列方式
300S‧‧‧複數輻條
300R‧‧‧複數行
300CL‧‧‧複數列
300CR‧‧‧複數同心環
300CTR‧‧‧球狀支撐體之排列方式中心位置
400A、400B、400C‧‧‧腔體之排列方式
400CTR‧‧‧腔體之排列方式之中心位置
500‧‧‧支撐基板之方法
510、520、530、540‧‧‧支撐基板之方法作業
D1‧‧‧球狀支撐體之直徑
D2‧‧‧開口之寬度
D3‧‧‧外殼之直徑
D4‧‧‧相鄰腔體之距離
P‧‧‧平面
S-S’、A-A’、B-B’、C-C’‧‧‧截平面示意線
為了讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A-1B圖係依據一些實施例之基板支撐裝置圖；第2A-2C圖係依據一些實施例之基板支撐裝置圖；第3A-3C圖係依據一些實施例之球狀支撐體排列方式圖；第4A-4C圖係依據一些實施例之腔體排列方式圖；以及第5圖係依據一些實施例之基板支撐的方法流程圖。
為了使本揭示內容之敘述更加詳盡與完備，可參照附圖及以下所述之各種實施例。但所提供之實施例並非用以限制本揭示內容所涵蓋的範圍；步驟的描述亦非用以限制其執行之順序，任何 由重新組合，所產生具有均等功效的裝置，皆為本揭示內容所涵蓋的範圍。
於實施方式與申請專利範圍中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則「一」與「該」可泛指單一個或複數個。將進一步理解的是，本文中所使用之「包含」、「包括」、「具有」及相似詞彙，指明其所記載的特徵、區域、整數、步驟、操作、元件與/或組件，但不排除其所述或額外的其一個或多個其他特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件，與/或其中之群組。
在各種不同的實施例中，基板支撐裝置包含外殼及複數球狀支撐體。外殼用於定位複數球狀支撐體，因此複數球狀支撐體的最上表面被排列於外殼上的平面，因此至少一球狀支撐體可於外殼內旋轉。可旋轉的球狀支撐體可使基板裝載至基板支撐裝置上去響應因可旋轉的球狀支撐體的小阻抗平坦化之抽真空。相較於不包含至少一可旋轉的球裝支撐體之作法，基板支撐裝置可改善基板平坦度以及因而改善製造作業之對位。
第1A圖及第1B圖為依據一些實施例所繪示之基板支撐裝置100的示意圖。第1A圖描繪定位於卡盤140上的基板支撐裝置100及定位於基板支撐裝置100上的基板150的截面圖。第1B圖描繪基板150、 基板支撐裝置100及卡盤140之俯視圖。第1A圖描繪之截平面由第1B圖之線段S-S’標示。
基板支撐裝置100，也稱為晶圓臺，包含外殼110、位於外殼110內的球狀支撐體120及定位於外殼110之下的較低支撐體130。
外殼110包含上表面112、於上表面112上的開口114及球狀支撐體120所在位置的腔體116。
每個球狀支撐體120有直徑D1。每個開口114有寬度D2，寬度D2小於直徑D1，使得每個球狀支撐體120會部分凸出每個開口114並且超過上表面112。從而每個球狀支撐體120有最上表面122其位於上表面112之上。
在一些實施例中，每個開口114有圓周長，其寬度D2為圓周長之直徑。在一些實施例中，每個開口114有方形、矩形、其他多邊形、橢圓形或其他封閉圖形之周長，寬度D2為方形、矩形、其他多邊形、橢圓形或其他封閉圖形之寬度。
開口114及腔體116用於使球狀支撐體120有最上表面122排列於平面P，平面P垂直於第1圖描繪之截面。平面P描繪於第1A圖中以虛線表示平面P與描繪之截面之相交之部分。
外殼110包含頂部110A以及底部110B，頂部110A包含上表面112與開口114。頂部110A與底部110B共同定義腔體116。
包含有寬度D2小於直徑D1的開口114之頂部110A用於，在操作中，限制球狀支撐體120向上之移動，從而保持球狀支撐體120於外殼110之內。
於第1A圖描繪之實施例中，頂部110A為包含上表面112及開口114之單一連續之外殼110之零件。在一些實施例中，頂部110A包含多個不連續之元件其包含上表面112及開口114。在一些實施例中，頂部110A包含限制元件(無標示)，例如，環，每個環對應至一個開口114，而且組合構成上表面112。
底部110B用於接觸球狀支撐體120的下表面124，因此，在操作中，限制球狀支撐體120向下之移動，從而支撐球狀支撐體於外殼110之內。底部110B用於支撐球狀支撐體120使最上表面122被排列於平面P。
於第1A圖描繪之實施例中，底部110B包含平底面116B，並且從而用於，在操作中，藉由以平底面116B接觸下表面124來限制球狀支撐體120向下之移動。於第1A圖描繪之實施例中，下表面124為球狀支撐體120之最下表面。
在一些實施例中，底部110B包含除了平底面116B之外還有下表面，其底部110B另一方面用於接觸下表面124去支撐球狀支撐體120使得該最上表面122被排列於平面P。在一些實施例中，底部110B 不包含平底面116B，底部110B包含下表面其接觸下表面124於球狀支撐體120的最下表面之上。
在一些實施例中，底部110B包含下表面其有一個三維半球形或其他下凹之外型。在一些實施例中，底部110B包含底面116B其有一部分六角形或其他多邊形之垂直截面外型。在一些實施例中，底部110B包含底面116B其有用於接觸下表面124之圓形或多邊形的水平截面外型。
在一些實施例中，基板支撐裝置100包含彈簧或其他彈性結構(未顯示)其能夠限制球狀支撐體120向下的移動，以及底面116B用於支撐彈簧或其他結構。
頂部110A與底部110B藉由其結構，在操作中，限制球狀支撐體120向上及向下的移動，如前述，並且藉由包含之側牆116S，在操作中，限制球狀支撐體120水平橫向的移動定義出腔體116。
頂部110A與底部110B從而更加定義腔體116，因此至少一球狀支撐體120可在至少一腔體116內旋轉。基於被包圍之部分或整體之球狀支撐體120之每一直徑D1均小於腔體116之內尺寸，被腔體116包圍的球狀支撐體120可在腔體116內旋轉。
在一些實施例中，腔體116用於使單一球狀支撐體120可以在單一個腔體116內旋轉。在一些 實施例中，腔體116用於使二或以上個球狀支撐體120可以在單一腔體116內旋轉。
在一些實施例中，頂部110A與底部110B用於使複數球狀支撐體的每一球狀支撐體120可以在對應的腔體116內旋轉。在一些實施例中，頂部110A與底部110B用於使複數球狀支撐體的不是每一球狀支撐體120都可以在對應的腔體116內旋轉。
於第1A圖描繪之實施例中，側牆116S為底部110B之垂直元件其由底面116B向上延伸至頂部110A之開口114。在一些實施例中，外殼110不包含側牆116S，並且底面116向上延伸至頂部110A之開口114。在一些實施例中，側牆116S為頂部110A之零件其向下延伸至底部110B之底面116B。
在一些實施例中，頂部110A之開口114與底部110B之底面116B被一空隙分開。在一些實施例中，一些或全部的底面116B為底部110B之一單一連續平坦平面。
外殼110包含一金屬，例如，鋼，或其他擁有足夠強度及鋼性能夠去支撐前述球狀支撐體120之材料。在一些實施例中，頂部110A與底部110B包含同樣材料。在一些實施例中，頂部110A與底部110B包含不同材料。
在一些實施例中，頂部110A與底部110B是分開的零件其藉由黏著劑、焊接或其他合適的材 料機械上互相連結或黏著。在一些實施例中，外殼110有一單塊結構，以及頂部110A與底部110B為外殼110之分開的二區域。
外殼110有直徑D3之盤狀之總體的形狀，其直徑D3基於基板之直徑，例如，其基板支撐裝置100用於支撐之基板150。在一些實施例中，外殼110有直徑D3其基於卡盤中之凹槽，例如，下述的卡盤140的凹槽142。開口114、腔體116及球狀支撐體120被分散至整個外殼110，因此基板支撐裝置100從而用於，在操作上，提供支撐分散在整個已給基板的範圍上。
在一些實施例中，基板支撐裝置100用於提供支撐給基板其有200公分(cm)之直徑。在一些實施例中，基板支撐裝置100用於提供支撐給基板其有300公分之直徑。在一些實施例中，基板支撐裝置100用於提供支撐給基板其有450公分之直徑。
在各種不同的實施例中，基板支撐裝置100用於藉由一或以上個開口114、腔體116或球狀支撐體120分散於一或以上個排列方式提供支撐。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含開口114及球狀支撐體120分散成一排列方式包含一或二種第3A-3C圖所描繪之球狀支撐體排列方式300A、300B或300C之排列且於後討論。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含腔體116分散成一排列方式其包含一或以 上個第4A-4C圖所描繪之腔體排列方式400A、400B或400C之排列且於後討論。
於第1A圖所描繪之實施例中，單一球狀支撐體120對應至第1A圖所繪之截平面上之單一腔體116。在一些實施例中，例如，下述第2A圖所描繪之實施例，在截平面垂直於第1A圖所繪之截平面，單一球狀支撐體120對應至單一腔體116。在一些實施例中，例如，下述第2B圖與第2C圖所描繪之實施例，在一截平面垂直於第1A圖所繪之截平面，或以上個球狀支撐體120對應至單一腔體116。
在一些實施例中，單一腔體116對應至多個球狀支撐體120於第一截平面之第一方向，以及對應至多個球面支撐體120於垂直於第一截平面之第二截平面之第二方向。在一些實施例中，單一腔體116對應至多個球狀支撐體120於第一截平面之第一方向，以及對應至多個球面支撐體120於不垂直於第一截平面之第二截平面之第二方向。
相鄰的腔體116於第1A圖描繪之截面上被分開至距離D4。在一些實施例中，成對的每一對相鄰腔體116被分開相同之距離D4。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被分開至距離D4其不同對有不同數值。
在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被分開至距離D4其有一或以上個範圍從1毫米(mm)至 5毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被分開至距離D4其有一或以上個範圍從2毫米至3毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被分開至距離D4其有一或以上個範圍小於1毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被分開至距離D4其有一或以上個範圍大於5毫米之數值。
相鄰的腔體116被分開至其他距離(未顯示)於第1A圖所描繪之截面以外之一或以上個方向。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116於另一方向被分開至距離其一或以上個範圍從1毫米(mm)至5毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116被於另一方向分開距離其一或以上個範圍從2毫米至3毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116於另一方向被分開至距離其一或以上個小於1毫米之數值。在一些實施例中，成對的相鄰腔體116於另一方向被分開至距離其一或以上個大於5毫米之數值。
球狀支撐體120包含材料其有足夠強度、硬度及低靜及動摩擦係數當支撐於腔體116內其使較上表面122對位於平面P時能夠被旋轉。在一些實施例中，球狀支撐體120包含一或以上個半導體、金屬或其他合適材料。在一些實施例中，球狀支撐體包含碳化矽。
在一些實施例中，球狀支撐體120的直徑D1為範圍從0.10毫米至0.75毫米的數值。在一些實施例中，球狀支撐體120的直徑D1為範圍從0.25毫米至0.50毫米的數值。在一些實施例中，球狀支撐體120的直徑D1為小於0.10毫米的數值。在一些實施例中，球狀支撐體120的直徑D1為大於0.75毫米的數值。
於第1A圖所描繪之實施例中，基板支撐裝置100包含開口114、腔體116及球狀支撐體120三樣。在各種不同的實施例中，基板支撐裝置100包含一或以上個開口114、腔體116或球狀支撐體120共少於三樣。在各種不同的實施例中，基板支撐裝置100包含一或以上個開口114、腔體116或球狀支撐體120共多於三樣。
在一些實施例中，基板支撐裝置100包含一或以上個開口114、腔體116或球狀支撐體120其數量範圍從1000到30000。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含一或以上個開口114、腔體116或球狀支撐體120其數量範圍從4000到12000。
於第1A圖所描繪之實施例中，基板支撐裝置100包含同樣數量之開口114、腔體116及球狀支撐體120。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含一球狀支撐體120之數量少於開口114或腔體116之數量或少於兩者數量之和。在一些實施例中，基板 支撐裝置100包含球狀支撐體120之數量多於開口114或腔體116之數量或多於兩者數量之和。
在一些實施例中，基板支撐裝置100包含開口114之數量少於腔體116之數量。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含開口114之數量多於腔體116之數量。
較低支撐體130用於把外殼110定位至卡盤140或其他結構(未顯示)之上。在一些實施例中，較低支撐體130與外殼110為分離之零件其機械上互相連結。在一些實施例中，較低支撐體130為外殼110之一或以上個零件。在一些實施例中，基板支撐裝置100不包含較低支撐體130，以及外殼110直接被定位至卡盤140或其他結構(未顯示)之上。
在一些實施例中，較低支撐體130包含一或以上個封閉結構，從而定義在外殼110及卡盤140之間一或以上個體積因此，在操作中，抽真空從卡盤140連通至基板支撐裝置100。在一些實施例中，較低支撐體130包含二或以上個結構其作為複數同心環，從而定義在外殼110及卡盤140之間二或以上個體積因此，在操作中，抽真空從卡盤140連通至基板支撐裝置100。在一些實施例中，較低支撐體130包含複數結構其相交截出或以其他方式從而定義出在外殼110及卡盤140之間一或以上個體積因此，在操作中，抽真空從卡盤140連通至基板支撐裝置100。
卡盤140為機械或電磁組合體其能夠對基板支撐裝置，例如，基板支撐裝置100支撐或實施抽真空。卡盤140包含凹槽142及孔徑144。凹槽142用於容納基板支撐裝置，以及孔徑144用於對基板支撐裝置實施抽真空。
在一些實施例中，凹槽142包含一或以上個封閉結構(未顯示)，從而定義在外殼110及卡盤140之間一或以上個體積因此，在操作中，一抽真空從卡盤140連通至基板支撐裝置100。在一些實施例中，凹槽142包含二或以上個結構其作為複數同心環(未顯示)，從而定義在外殼110及卡盤140之間二或以上個體積因此，在操作中，抽真空從使卡盤140連通至基板支撐裝置100。在一些實施例中，凹槽142包含複數結構(未顯示)其相交截出或以其他方式從而定義出在外殼110及卡盤140之間一或以上個體積因此，在操作中，抽真空從卡盤140連通至基板支撐裝置100。
於第1A圖所描繪之實施例中，孔隙144完全延伸穿過卡盤140。在一些實施例中，卡盤140之下的分開之組合體(未顯示)用於透過孔隙144實施抽真空。
在一些實施例中，孔隙144不完全延伸穿過卡盤140以及不到達卡盤140之底部。在一些實施例中，卡盤140包含一或以上個組合體(未顯示)用於 透過孔隙144實施抽真空。在一些實施例中，卡盤140為IC製造系統之零件其用於對一或以上個基板，例如，基板150，執行一或以上個IC製造作業。在一些實施例中，卡盤140用於當一或以上個IC製造作業被執行時控制一或以上個基板的位置。在一些實施例中，卡盤140為IC製造系統之零件其用於執行一或以上個光學顯影作業。在一些實施例中，卡盤140為IC製造系統之零件其用於執行一或以上個層疊作業。在一些實施例中，卡盤140為IC製造系統之零件其用於執行一或以上個光學檢測作業。
基板150，亦可說一晶圓，包含一或以上個矽、砷化鎵、鍺化矽、碳化矽或其他半導體材料或化合物半導體材料其適合作為積體電路之基底。在各種不同的實施例中，基板150包含一或以上個積體電路，其例子包含但不限於記憶體、邏輯、處理器與/或通訊電路。
基板支撐裝置100用於實施抽真空使卡盤，例如，卡盤140，與基板的下表面，例如，基板150之下表面152，互相連結。在一些實施例中，基板支撐裝置100包含複數孔徑(未顯示)延伸穿過外殼110，透過這個，在操作中，真空連通至基板。
在一些實施例中，孔徑被分散至整個基板支撐裝置100因此，在操作中，均勻分布連通之抽真空至整個基板之下表面，例如，基板150之下表片 152。在一些實施例中，孔徑被分散至整個基板支撐裝置100其在腔體116之間及與腔體116分開。在一些實施例中，一或以上個孔徑與一或以上個腔體116連通因此，在操作中，抽真空透過一或以上個腔體116去連通基板。
在一些實施例中，孔徑延伸至上表面112。在一些實施例中，孔徑延伸至外殼110之部分並未至上表面112。
在一些實施例中，上表面112包含一或以上個封閉結構(未顯示)，從而定義在上表面112與基板之下表面，例如，基板150之下表面152，之間一或以上個體積，因此，在操作中，抽真空從基板支撐裝置100連通至基板。在一些實施例中，上表面112包含二或以上個結構其作為複數同心環(未顯示)，從而定義在上表面112與基板之下表面，例如，基板150之下表面152，之間二或以上個。
體積因此，在操作中，抽真空從基板支撐裝置100連通至基板。在一些實施例中，上表面112包含複數結構(未顯示)其相交截出或以其他方式從而定義在上表面112與基板之下表面，例如，基板150之下表面152，之間一或以上個體積因此，在操作中，抽真空從基板支撐裝置100連通至基板。在一些實施例中，一或以上個定義的體積包含一或以上 個開口114。在一些實施例中，一或以上個定義的體積沒有開口114。
藉由包含前述之元件，基板支撐裝置100用於，在操作中，與已定位之球狀支撐體120支撐基板之下表面頂著抽真空，因此該上表面122被排列在平面P去沿著平面P的基板之下表面支撐。
因為至少一球狀支撐體120可在至少一腔體116旋轉，基板被裝載至基板支撐裝置100上，在操作中，響應藉由至少一可旋轉的球狀支撐體120的小阻抗平坦化之抽真空。相較於不包含至少一個可旋轉的球裝支撐體120作法，在IC製造作業中藉由基板支撐裝置100提供之降低阻抗使基板平坦化可使基板改善平坦度。該平坦度之改善換言之是減少整個基板之高度變化以高度感測作業為例，包含特徵層疊，相較於不包含至少一可在基板支撐裝置旋轉之球狀支撐體之作法是被改善的。
第2A-2C圖為，依據一些實施例，基板支撐裝置100之俯視圖。第2A-2C圖的每一圖描繪基於基板支撐裝置100及第1A圖之前述之部分上表面112，至少前述的球狀支撐體120、直徑D1及寬度D2。第2A-2C圖的每一圖也描繪方向X及方向Y其垂直於方向X。
第2A圖，除上表面112、球狀支撐體120、直徑D1、寬度D2與方向X及Y之外，描繪基於基板支 撐裝置100及第1A圖的前述的開口114與腔體116。直徑D1與寬度D2對應至被第2A圖上之A-A’線標示出之第1A圖描繪之截平面。
於第2A圖描繪之實施例中，基板支撐裝置100用於使腔體116對應至單一開口114與單一球狀支撐體120。相應地，腔體116本質上在X與Y方向上有相同的大小。
第2B圖，除上表面112、球狀支撐體120、直徑D1、寬度D2與方向X及Y之外，描繪開口214及腔體216。直徑D1與寬度D2對應至被第2B圖上之B-B’線標示出之第1A圖描繪之截平面。
於第2B圖描繪之實施例中，基板支撐裝置100用於使腔體216對應至單一開口214與單一球狀支撐體120。相應地，每一腔體216與開口214在X方向比在Y方向長。
在一些實施例中，基板支撐裝置100用於使腔體216對應至單一開口214與多於二個球狀支撐體120。
第2C圖，除上表面112、球狀支撐體120、直徑D1、寬度D2與方向X及Y之外，描繪基於基板支撐裝置100及第1A圖的前述之二開口114與腔體216。直徑D1與寬度D2對應至被第2C圖上之C-C’線標示出之第1A圖描繪之截面。
於第2C圖描繪之實施例中，基板支撐裝置100用於使腔體216對應至二開口114與二球狀支撐體120。相應地，腔體216在X方向比在Y方向長，以及每一開口114本質上在X與Y方向上有相同的尺寸。
在一些實施例中，基板支撐裝置100用於使腔體216對應至多於二開口114與多於二球狀支撐體120。
於第2A-2C圖描繪之每一實施例包含至少一球狀支撐體120被定位且可於腔體116或腔體216之內旋轉之結構，以及從而基於基板支撐裝置100提供前述之優點。
第3A-3C圖為，依據一些實施例，所分別描繪之球狀支撐體排列方式300A、300B及300C。第3A圖描繪球狀支撐體排列方式300A之俯視圖，第3B圖描繪球狀支撐體排列方式300B之俯視圖，以及第3C圖描繪球狀支撐體排列方式300C之俯視圖。基於基板支撐裝置100與第1A圖，每一球狀支撐體排列方式300A、300B及300C可用以當作前述之一些或全部之球狀支撐體120之球狀支撐體排列方式。
在每一球狀支撐體排列方式300A、300B及300C中，球狀支撐體120與開口114之位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍從1毫米至5毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或 以上個距離其有一或以上個範圍從2毫米至3毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍小於1毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍大於5毫米之數值。
球狀支撐體排列方式300A為一柵狀陣列其由球狀支撐體120與開口114被排列在複數行300R與複數列300CL而組成。複數列300CL之列為垂直於複數行300R之行。於第3A圖描繪之實施例中，複數行300R之行之間距本質上相等於複數列300CL之列之間距。在一些實施例中，複數行300R之行之間距與複數列300CL之列之間距不同。
於第3A圖描繪之實施例中，複數行300R包含4個行，其各包含4個球狀支撐體120與開口114的位置。在各種不同的實施例中，複數行300R包含少於或多於4個行。在一些實施例中，複數行300R包含多於200個行。
在各種不同的實施例中，複數行300R之一或以上個行包含少於或多於4個位置。在一些實施例中，複數行300R之一或以上個行包含多於200個位置。
於第3A圖描繪之實施例中，複數列300CL包含4個列，其各包含4個球狀支撐體120與開口114的位置。在各種不同的實施例中，複數列300CL包含 少於或多於4個列。在一些實施例中，複數列300CL包含多於200個列。
在各種不同的實施例中，複數列300CL之一或以上個列包含少於或多於4個位置。在一些實施例中，複數列300CL之一或以上個列包含多於200個位置。
球狀支撐體排列方式300B為一同心環陣列其由球狀支撐體120與開口114被排列在複數同心環300CR圍繞中心位置300CTR而組成。在一些實施例中，複數同心環300CR之相鄰同心環之間距本質上是相等的。在一些實施例中，複數同心環300CR之相鄰同心環之間距是變化的。
複數同心環300CR之每一同心環包含球狀支撐體120及開口114之位置之數量其隨著離中心位置300CTR增加而增加。於第3B圖所描繪之實施例中，複數同心環300CR之二個同心環包含不是8就是16個位置。在各種不同的實施例中，複數同心環300CR包含一或多於二個同心環。在一些實施例中，複數同心環300CR包含多於100個同心環。
在各種不同的實施例中，複數同心環300CR之同心環包含位置之數量範圍從3到1000個。在一些實施例中，複數同心環300CR之一或以上個同心環包含多於1000個位置。
球狀支撐體排列方式300C為一輻射陣列其由球狀支撐體120與開口114被排列在複數輻條300S圍繞中心位置300CTR而組成。於第3C圖描繪之實施例中，複數輻條300S之輻條為圍繞中心位置300CTR對稱排列。在一些實施例中，球狀支撐體排列方式300C包含一種排列為複數輻條300S之一或以上個輻條圍繞中心位置300CTR不對稱排列。
於第3C圖描繪之實施例中，複數輻條300S包含8個輻條，其各包含3個球狀支撐體120與開口114的位置。在各種不同的實施例中，複數輻條300S包含少於或多於8個輻條。
在各種不同的實施例中，複數輻條300S之一或以上個輻條包含少於或多於3個位置。在一些實施例中，複數輻條300S之一或以上個輻條包含多於100個位置。
於第3A-3C圖描繪之每一實施例包含藉由球狀支撐體120被定位且可於腔體116或腔體216之內旋轉之結構，以及從而基於基板支撐裝置100提供前述之優點。
第4A-4C圖為，依據一些實施例，所分別描繪之腔體排列方式400A、400B及400C。第4A圖描繪腔體排列方式400A之俯視圖，第4B圖描繪腔體排列方式400B之俯視圖，以及第4C圖描繪腔體排列方式400C之俯視圖。基於基板支撐裝置100與第2B圖 與第2C圖，每一腔體排列方式400A、400B及400C可用以當作前述之一些或全部之腔體216之腔體排列方式。
在每一腔體排列方式400A、400B及400C中，腔體116之位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍從1毫米至5毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍從2毫米至3毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍小於1毫米之數值。在一些實施例中，位置被分開至一或以上個距離其有一或以上個範圍大於5毫米之數值。
每一腔體排列方式400A、400B及400C可用以當作排列對應至一或以上個基板支撐體120與一或以上個開口114。在一些實施例中，一或以上個腔體排列方式400A、400B及400C可用以當作一排列對應至一或以上個基板支撐體120與一或以上個開口114其依據第3A-3C圖中前述的一或以上個基板支撐排列方式300A，300B或300C。
腔體排列方式400A為複數腔體216邊碰邊排列。於第4A圖描繪之實施例中，每一腔體216已有垂直向之長度與水平向之寬度。在一些實施例中，一或以上個腔體216有垂直向之寬度與水平向之長度。
於第4A圖所描繪之實施例中，相鄰之腔體216之間距本質上為相等的。在一些實施例中，相鄰之腔體216之間距為變化的。
於第4A圖描繪之實施例中，腔體216在形狀及尺寸其本質上為相同的。在一些實施例中，一或以上個腔體216在形狀及尺寸上一或二者與其他相應之一或以上個腔體216不同。
腔體排列方式400B為同心環陣列其由複數腔體216圍繞中心位置400CTR而組成。在一些實施例中，相鄰腔體216之間距本質上是相等的。在一些實施例中，相鄰腔體216之間距是變化的。
於第4B圖描繪之實施例中，腔體排列方式400B包含二個腔體216排列於同心環上。在各種不同的實施例中，腔體排列方式400B包含一或多於二個腔體216排列於同心環上。在一些實施例中，腔體排列方式400B包含多於100個腔體216排列於同心環上。
腔體排列方式400C一幅條排列其由複數腔體216圍繞中心位置400CTR而組成。於第4A圖描繪之實施例中，腔體216為圍繞中心位置400CTR對稱排列。在一些實施例中，腔體排列方式400C包含排列其由一或以上個腔體216圍繞中心位置400CTR不對稱排列而組成。
於第4C圖描繪之實施例中，腔體216在形狀及尺寸其本質上為相同的。在一些實施例中，一或以上個腔體216在形狀及尺寸上一或二者與其他相應之一或以上個腔體216不同。
於第4C圖描繪之實施例中，腔體排列方式400C包含8個腔體216其排列於同心環上。在各種不同的實施例中，腔體排列方式400C包含少於或多於8個腔體216排列如幅條。在一些實施例中，腔體排列方式400C包含多於100個腔體216排列如幅條。
第4A-4C圖描繪之每一實施例包含藉由球狀支撐體120被定位且可於腔體216內旋轉之結構，以及從而基於基板支撐裝置100提供前述之優點。
第5圖為，根據一或以上個實施例，支撐基板之方法500之流程圖。方法500也是支撐晶圓之方法之依據。方法500可用以和基板支撐裝置，例如，依據第1A-4C圖之前述之基板支撐裝置100被執行。
該第5圖描繪之方法500之作業之順序僅為示意；該方法500之作業可被執行於不同於第5圖描繪之順序。在一些實施例中，第5圖描繪之外之作業在第5圖描繪之作業之前、之間且/或之後被操作。
在作業510中，晶圓被裝載至晶圓臺上。在一些實施例中，裝載晶圓至晶圓臺上包含裝載晶圓至基於第1A-2C圖之前述之基板支撐裝置100。
在一些實施例中，裝載晶圓至晶圓臺上包含裝載基板150，其基於前述之第1A圖及第1B圖，至晶圓臺上。
在作業520中，抽真空被實施至該晶圓之下表面。在一些實施例中，實施抽真空至晶圓之下表面包含用卡盤實施抽真空。在一些實施例中，實施抽真空至晶圓之下表面包含用基於前述之第1A圖與第2B圖之卡盤140實施抽真空。
在一些實施例中，實施抽真空至晶圓之下表面包含實施抽真空至基於前述之第1A圖與第2B圖之基板150之下表面152。
在一些實施例中，實施抽真空至晶圓之下表面包含用基於前述之第1A-2C圖之基板支撐裝置100連通抽真空至晶圓之下表面。
在作業530中，晶圓之下表面被複數球狀支撐體支撐頂著抽真空。在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含用基於前述之基板支撐裝置100與第1A-4C圖之球狀支撐體120。在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含支撐基於前述之第1A圖與第1B圖之基板150之下表面152。
在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含旋轉該複數球狀支撐體之一球狀支撐體於外殼內。外殼用於定位複數球狀支撐體使其最上表面排被列於平面。在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含旋轉球狀支撐體120於基於前述之基板支撐裝置100與第1A-4C圖之外殼110。
在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含將該晶圓之下表面沿著一被複數球狀支撐體之最上表面定義之平面對準。在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含將晶圓之下表面沿著被基於前述之基板支撐裝置100與第1A-4C圖之複數球狀支撐體120之最上表面122定義之平面P對準。在一些實施例中，支撐晶圓之下表面頂著抽真空包含對準基於前述之第1A圖與第1B圖之基板150之下表面152。
在一些實施例中，在作業540中，製造作業被執行於晶圓上於晶圓臺上。在一些實施例中，執行製造作業包含執行製造作業於基於前述之第1A圖與第1B圖之基板150上。在一些實施例中，執行製造作業包含用卡盤用基於前述之基板支撐裝置100與第1A-4C圖之卡盤控制基板之一位置。
在一些實施例中，執行製造作業包含執行該造作業於晶圓上於基於前述第1A-4C圖之基板支撐裝置100上。
在一些實施例中，執行製造作業包含執行製造作業包含在將晶圓裝載至晶圓臺上之前對晶圓上之一特徵對位。在一些實施例中，執行製造作業包含執行一或以上個光學顯影操作。在一些實施例中，執行製造作業包含執行一或以上個層疊操作。在一些實施例中，執行製造作業包含執行一或以上個光學檢測操作。
方法500之作業可用於用複數球狀支撐體去支撐晶圓於晶圓台上。藉由用複數球狀支撐體，晶圓響應從複數球狀支撐體之小阻抗平坦化之抽真空。相較於不用複數球裝支撐體作去支撐晶圓之作法，在IC製造作業中藉由方法500提供之降低阻抗使基板平坦化可使基板改善平坦度。該平坦度之改善換言之是減少整個基板之高度變化以高度感測作業為例，包含特徵層疊，相較於晶圓台上不包含複數球狀支撐體之作法是被改善的。
在一些實施例中，基板支撐裝置包含外殼其有上表面，上表面包含複數開口，以及複數球狀支撐體。外殼用於定位複數球狀支撐體於複數開口之內因此複數球狀支撐體之最上表面被排列於上表面之上之平面，以及複數球狀支撐體之球狀支撐體可在該外殼內旋轉。
在一些實施例中，外殼包含複數腔體，其中複數開口的每一開口對應於該複數腔體中之一 腔體，以及複數球狀支撐體中之一球狀支撐體在複數腔體中之一腔體內為可旋轉的。
在一些實施例中，複數腔體中的每一腔體用以容納複數球狀支撐體的單一個球狀支撐體。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數腔體的每一腔體用以容納複數球狀支撐體中多於一個的球狀支撐體。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數球狀支撐體的每一球狀支撐體有一直徑，以及複數開口的每一開口有一寬度，寬度小於直徑。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數球狀支撐體的每一球狀支撐體有範圍從0.25毫米(mm)至0.50毫米之直徑。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數球狀支撐體的每一球狀支撐體包含碳化矽(SiC)。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數開口中的數個開口被分開至範圍從2.0毫米(mm)至5.0毫米的一或以上距離。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中複數開口包含至少4000個開口。
在一些實施例中，上述之基板支撐裝置，其中外殼包含一底部以及一頂部。底部用於排 列複數球狀支撐體的最上表面於上表面之上之平面。頂部用於當複數球裝支撐體的球狀支撐體旋轉時維持複數球狀支撐體的球狀支撐體在外殼之內。
在一些實施例中，晶圓臺包含複數球狀支撐體與複數腔體。複數腔體之每一腔體用於裝下複數球狀支撐體之球狀支撐體，晶圓臺用於定位使複數球狀支撐體之最上表面被排列於一平面，以及複數球狀支撐體之每一球狀支撐體可在對應之複數腔體之腔體內旋轉。
在一些實施例中，上述之晶圓臺，其用於被定位於一卡盤的一凹槽內。
在一些實施例中，上述之晶圓臺，其中複數球狀支撐體被排列為行與列的陣列。
在一些實施例中，上述之晶圓臺，其中複數球狀支撐體被排列為同心環的陣列。
在一些實施例中，上述之晶圓臺，更包含上表面，上表面包含複數開口其對應於複數球狀支撐體。
在一些實施例中，支撐晶圓之方法包含裝載晶圓至晶圓台上，對晶圓之下表面實施抽真空，以及用複數球裝支撐體支撐晶圓之下表面頂著抽真空。
在一些實施例中，支撐晶圓之方法，其中支撐下表面包含旋轉複數球狀支撐體的球狀支撐 體於外殼內，以及外殼用於定位複數球狀支撐體使其最上表面被排列於平面。
在一些實施例中，支撐晶圓之方法，其中支撐該晶圓的下表面包含將晶圓的下表面沿被複數球狀支撐體的最上表面所定義的平面對位。
在一些實施例中，支撐晶圓之方法，其中晶圓臺被卡盤支撐，以及晶圓的下表面實施之抽真空包含使用用卡盤實施抽真空。
在一些實施例中，支撐晶圓之方法更包含在晶圓臺上對晶圓執行製造操作，其中製造操作包含在將晶圓裝載至晶圓臺之上之前對晶圓上的特徵物對準。
雖然本發明實施例已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明實施例，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明實施例之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明實施例之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (1)

  1. 一種基板支撐裝置，包含：一外殼其擁有一上表面，該上表面包含複數開口；以及複數球狀支撐體，其中該外殼用以將該些球狀支撐體定位至該些開口之內，使得該些球狀支撐體之最上表面被排列於位於該上表面之上之一平面，以及該些球狀支撐體的一球狀支撐體在該外殼內係為可旋轉的。
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