TW201900938A - 電解銅箔及其製造方法、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種於光澤面側具有表面處理層之電解銅箔。於該電解銅箔中，表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。或者表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。

Description

電解銅箔及其製造方法、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法
本發明係關於一種電解銅箔及其製造方法、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
印刷配線板係經過於使絕緣基板(例如樹脂基板)與銅箔接著而製造覆銅積層板後，藉由蝕刻於銅箔形成導體圖案之步驟而一般地製造。
近年來，隨著電子機器之小型化及高性能化之需求之增大，搭載零件之高密度安裝化或訊號之高頻化等發展，對印刷配線板亦要求導體圖案之微細化(微間距化)或高頻應對等。
因此，為了使用電解銅箔實現導體圖案之微細化，於專利文獻1中提出於將作為光澤劑發揮作用之含硫化合物等添加劑添加於電解液中而製作析出面側之表面平滑之電解銅箔後，於電解銅箔形成電路。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-162172號公報
然而，專利文獻1之方法因電解液中所包含之添加劑之影響，於 製造電解銅箔時因常溫下之再結晶及伴隨於其之收縮而銅箔容易產生皺褶。而且，於產生此種皺褶之情形時，於使其後之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)接著時亦產生皺褶。如此，若電解銅箔產生皺褶，則於在電解銅箔形成電路時難以進行微間距化，故而可謂電路形成性不充分。
另一方面，於電解銅箔之表面平滑之情形時，有於與絕緣基板(樹脂基板)接著時，無法獲得充分之接著性之問題。尤其是多數情況下印刷配線板亦暴露於高溫，故而對電解銅箔要求高溫條件下之對絕緣基板(樹脂基板)之接著性之降低較少(即耐熱性優異)。
作為提昇電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)之接著性之方法，已知對電解銅箔之表面進行粗化處理等，但有粗化處理對微間距化(即電路形成性)造成影響之情形。
因此，於以往之技術中，有難以謀求同時實現耐熱性之提昇及電路形成性之提昇之問題。
本發明之若干實施形態係為了解決如上所述之問題而完成者，其課題在於提供一種電路形成性及耐熱性(尤其是於與絕緣基板接著時抑制接著性之降低之效果)優異之電解銅箔及其製造方法。
又，本發明之若干實施形態之課題在於提供一種使用電路形成性及耐熱性(尤其是於與絕緣基板接著時抑制接著性之降低之效果)優異之電解銅箔的覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
本發明人等為了解決上述問題而進行努力研究，結果發現：於光澤面側具有表面處理層之電解銅箔中，著眼於表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq與電路形成性有關，並且表面處理層之表面之Zn之原子濃度與耐熱性有關，將表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度 Sq、以及表面處理層之表面之Zn之原子濃度控制為特定之範圍，藉此可謀求同時實現耐熱性之提昇及電路形成性之提昇，從而完成本發明之若干實施形態。
即，本發明之實施形態之電解銅箔於光澤面側具有表面處理層，且上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
又，本發明之另一實施形態之電解銅箔於光澤面側具有表面處理層，且上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
又，本發明之實施形態之電解銅箔之製造方法於使用電解滾筒製作電解銅箔後，對上述電解銅箔之光澤面進行表面處理而形成表面處理層，且上述電解滾筒之表面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
又，本發明之另一實施形態之電解銅箔之製造方法於使用電解滾筒製作電解銅箔後，對上述電解銅箔之光澤面進行表面處理而形成表面處理層，且 上述電解滾筒之表面之均方根高度Sq為0.315μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
又，本發明之實施形態之覆銅積層板具有上述電解銅箔。
又，本發明之實施形態之印刷配線板具有上述電解銅箔。
又，本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法使用有上述電解銅箔。
又，本發明之另一實施形態之印刷配線板之製造方法包括如下步驟：積層上述電解銅箔與絕緣基板而製作覆銅積層板後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一方法形成電路。
又，本發明之實施形態之電子機器具有上述印刷配線板。
進而，本發明之實施形態之電子機器之製造方法使用有印刷配線板。
根據本發明之若干實施形態，可提供一種電路形成性及耐熱性優異之電解銅箔及其製造方法。
又，根據本發明之若干實施形態，可提供一種使用電路形成性及耐熱性優異之電解銅箔之覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。
圖1(a)係形成表面處理層之前之實施例2之電解銅箔之光澤面的SEM圖像，(b)係形成表面處理層之前之實施例10之電解銅箔之光澤面的SEM圖像。
本發明之實施形態之電解銅箔於光澤面側具有表面處理層，且表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下及/或表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
此處，於本說明書中，「電解銅箔之光澤面」意指製作電解銅箔時之滾筒側之表面(光澤面：S面)，又，「電解銅箔之析出面」意指製作電解銅箔時之與滾筒相反之一側之表面(無光澤面：M面)。
以下，對本發明之實施形態之電解銅箔之較佳之態樣進行說明。
<於光澤面側具有粗化處理層以外之表面處理層之電解銅箔>
本發明之實施形態之電解銅箔於一態樣中，於光澤面側具有粗化處理層以外之表面處理層，且表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下及/或表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.315μm以下，表面處理層之表面之Zn之原子濃度為3.0at%以上。
於具有如上所述之構成之電解銅箔中，藉由將表面處理層之表面之表面粗糙度Sa設為0.270μm以下及/或將表面處理層之表面之均方根高度Sq設為0.315μm以下，可對使用電解銅箔所形成之電路之間距進行L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、較佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
就提高微間距化之效果之觀點而言，電解銅箔之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa較佳為0.230μm以下，更佳為0.180μm以下，進而較佳為0.150μm以下，最佳為0.133μm以下。再者，電解銅箔之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為 0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
又，就提高微間距化之效果之觀點而言，電解銅箔之表面處理層之表面之均方根高度Sq較佳為0.200μm以下，更佳為0.180μm以下。再者，電解銅箔之表面處理層之表面之均方根高度Sq之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
如上所述，於將電解銅箔之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa控制為0.270μm以下及/或將表面處理層之表面之均方根高度Sq控制為0.315μm以下之情形時，電路形成性提昇，另一方面，有電解銅箔之表面處理層之表面之凹凸減少，故而由該凹凸之錨定效果所帶來之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)之間之接著性降低之虞。尤其顧慮高溫條件下之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)之間之接著性之降低。因此，如下所述，藉由將表面處理層之表面之Zn之原子濃度設為3.0at%以上而提昇耐熱性較為重要。
藉由將表面處理層之表面之Zn之原子濃度控制為3.0at%以上，可提昇耐熱性。
此處，於本說明書中，表面處理層之表面之Zn之原子濃度係藉由歐傑電子能譜分析法(AES)進行測定。歐傑電子能譜分析法(AES)係進行深度方向組成分析(depth profile)者，可測定存在於表面處理層之表面之元素之比率。再者，表面處理層之表面並無特別限定，意指距表面處理層之表面(最外層之表面)較佳為50nm、更佳為10nm以下、進而較佳為5nm以下之深度。
又，Zn之原子濃度係將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時的相對之原子濃度。
就提高上述效果之觀點而言，Zn之原子濃度較佳為4.5at%以上，更佳為6.5at%以上。再者，Zn之原子濃度之上限並無特別限定，一般為20at%以下， 較佳為15at%以下，更佳為12at%以下，進而較佳為10at%以下。
再者，存在於表面處理層之表面附近之Zn以外之元素並無特別限定，可包含選自由Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni及Cu所組成之群中之至少1種。
<於光澤面側具有至少包含粗化處理層之表面處理層之電解銅箔>
本發明之實施形態之電解銅箔於另一態樣中，於光澤面側具有至少包含粗化處理層之表面處理層，且表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下及/或表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下，表面處理層之表面之Zn之原子濃度為3.0at%以上。
一般而言，於光澤面側具有粗化處理層之電解銅箔中，有微間距化降低之情況，但於具有如上所述之構成之電解銅箔中，藉由將表面處理層之表面之表面粗糙度Sa設為0.470μm以下及/或將表面處理層之表面之均方根高度Sq設為0.550μm以下，可對使用電解銅箔所形成之電路之間距進行L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、較佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
就提高微間距化之效果之觀點而言，電解銅箔之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa較佳為0.385μm以下，更佳為0.380μm以下，更佳為0.355μm以下，進而較佳為0.340μm以下，進而較佳為0.300μm以下，又，進而較佳為0.295μm以下，又，進而較佳為0.230μm以下，最佳為0.200μm以下。再者，電解銅箔之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
又，就提高微間距化之效果之觀點而言，電解銅箔之表面處理層之表面之均方根高度Sq較佳為0.490μm以下，更佳為0.450μm以下，更佳為0.435μm以下，進而較佳為0.400μm以下，進而較佳為0.395μm以下，又，進 而較佳為0.330μm以下，最佳為0.290μm以下。再者，電解銅箔之表面處理層之表面之均方根高度Sq之下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
具有如上所述之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq的本發明之實施形態之電解銅箔可藉由控制於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq而獲得。
即，為了獲得本發明之實施形態之電解銅箔，只要將於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之表面粗糙度Sa控制為較佳為0.270μm以下、更佳為0.230μm以下、更佳為0.180μm以下、進而較佳為0.150μm以下、進而較佳為0.133μm以下、又，進而較佳為0.130μm以下、最佳為0.120μm以下即可。再者，於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之表面粗糙度Sa的下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以上，進而較佳為0.100μm以上。
藉由將於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之表面粗糙度Sa控制為上述範圍，可將設置表面處理層後之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為上述範圍，故而可對使用電解銅箔所形成之電路之間距進行L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、更佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
又，為了獲得本發明之實施形態之電解銅箔，只要將於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之均方根高度Sq控制為較佳為0.315μm以下、更佳為0.292μm以下、更佳為0.230μm以下、進而較佳為0.200μm以下、進而較佳為0.180μm以下、又，進而較佳為0.120μm以下、最佳為0.115μm以下即可。再者，於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之均方根高度Sq的下限並無特別限定，一般為0.001μm以上，較佳為0.010μm以上，更佳為0.050μm以 上，進而較佳為0.100μm以上。
藉由將於光澤面側設置表面處理層之前之光澤面之均方根高度Sq控制為上述範圍，可將設置表面處理層後之表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為上述範圍，故而可對使用電解銅箔所形成之電路之間距進行L/S(線/間隙)=22μm以下/22μm以下、更佳為20μm以下/20μm以下之微間距化。
又，表面處理層之表面之Zn之原子濃度為3.0at%以上之本發明之實施形態之電解銅箔可藉由控制形成表面處理層時之條件(例如形成耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層等時之處理液(鍍敷液)中之Zn濃度、電流密度、處理溫度、處理時間等)而獲得。此時之條件只要根據形成之表面處理層之種類適當設定即可，並無特別限定。再者，藉由提高鍍敷液中之Zn濃度，可增加表面處理層之表面之Zn之原子濃度。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為表面處理後之電解銅箔(生箔)之常溫抗張力為30kg/mm2以上。此處，於本說明書中，「常溫抗張力」係室溫下之抗張力，意指依據IPC-TM-650測得者。若常溫抗張力為30kg/mm2以上，則有於處理時不易產生皺褶之效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，常溫抗張力更佳為35kg/mm2以上。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為表面處理後之電解銅箔(生箔)之常溫伸長率為3%以上。此處，於本說明書中，「常溫伸長率」係室溫下之伸長率，意指依據IPC-TM-650測得者。若常溫伸長率為3%以上，則有不易破斷之效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，常溫伸長率更佳為4%以上。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為表面處理後之電解銅箔(生箔)之高溫抗張力為10kg/mm2以上。於本說明書中，「高溫抗張力」係 180℃下之抗張力，意指依據IPC-TM-650測得者。若高溫抗張力為10kg/mm2以上，則有不易產生與樹脂貼附時之皺褶之效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，高溫抗張力更佳為15kg/mm2以上。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為表面處理後之電解銅箔(生箔)之高溫伸長率為2%以上。於本說明書中，「高溫伸長率」係180℃下之伸長率，意指依據IPC-TM-650測得者。若高溫伸長率為2%以上，則對防止電路產生龜裂有效果。就穩定地獲得該效果之觀點而言，高溫伸長率較佳為3%以上，更佳為6%以上，進而較佳為15%以上。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為耐熱剝離強度為0.90kg/cm以上。此處，於本說明書中，「耐熱剝離強度」意指對以20kgf/cm2之加壓力於180℃下將本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)加熱壓接2小時所獲得的積層體，藉由蝕刻將積層體之電解銅箔形成電路寬度10mm之電路後，於大氣環境下，於190℃下加熱1小時，繼而浮於加熱至270℃之焊料鍍敷槽中20秒後之電路與絕緣基板之間的剝離強度。剝離強度係依據JIS C6471：1995進行之90度剝離強度，藉由測定以90度之角度並以50mm/分鐘之速度剝離絕緣基板(樹脂基板)與電路時之強度而求出。剝離強度之測定係進行2次，採用其平均值。
作為本發明之實施形態之電解銅箔中所使用之表面處理前的電解銅箔(生箔)，只要具有上述特徵，則並無特別限定。此處，於本說明書中，「電解銅箔(生箔)」意指利用電鍍之原理，使用電解滾筒所製作之銅箔及銅合金箔。作為成為銅箔及銅合金箔之原材料之銅及銅合金之例，可列舉：純銅；摻Sn銅；摻Ag銅；添加有Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、Sn、Ag、Co、Fe、As、P等之銅合金等。銅合金箔(生箔)可藉由於製造電解銅箔時使用之電解液中添加合金元素(例如選自由Ti、W、Mo、Cr、Zr、Mg、Ni、 Sn、Ag、Co、Fe、As及P所組成之群中之一種以上之元素)而製造。
電解銅箔(生箔)之厚度並無特別限定，典型地為0.5μm~3000μm，較佳為1.0μm~1000μm，更佳為1.0μm~300μm，更佳為1.0μm~100μm，進而較佳為3.0μm~75μm，進而較佳為4μm~40μm，又，進而較佳為5μm~37μm，又，進而較佳為6μm~28μm，又，進而較佳為7μm~25μm，最佳為8μm~19μm。
<電解銅箔(生箔)之製造方法>
電解銅箔(生箔)係使銅自硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼製滾筒上電解析出而製造。將電解條件之例示於以下。
(電解條件)
電解液組成：50~150g/L之Cu、60~150g/L之H2SO4
電流密度：30~120A/dm2
電解液溫度：50~60℃
添加物：20~80ppm之氯離子、0.01~10.0ppm之膠
再者，關於本說明書中所記載之電解、蝕刻、表面處理或鍍敷等所使用之處理液(蝕刻液、電解液等)之剩餘部分，只要未特別明確記載，則為水。
關於所使用之電解滾筒，為了將所形成之電解銅箔(生箔)之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq控制為特定之範圍，將滾筒表面之表面粗糙度Sa設為0.270μm以下及/或將均方根高度Sq設為0.315μm以下。滾筒表面之表面粗糙度Sa較佳為0.150μm以下，滾筒表面之均方根高度Sq較佳為0.200μm以下。
表面具有特定之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解滾筒可以如下方式製造。首先，藉由粒度號數為300(P300)~500(P500)號之研磨帶研磨鈦或不鏽鋼製滾筒之表面。此時，將研磨帶於滾筒之寬度方向上僅捲繞特定寬度，一面使研磨帶以特定速度向滾筒之寬度方向移動一面使滾筒旋轉，藉此進行研 磨。研磨時之滾筒表面之旋轉速度係設為130m/分鐘~190m/分鐘。又，研磨時間係設為以研磨帶之1次行程通過滾筒表面之(寬度方向之位置之)1點之時間與行程次數的乘積。再者，上述以1次行程通過滾筒表面之1點之時間係設為研磨帶之寬度除以研磨帶之於滾筒之寬度方向上之移動速度所獲得的值。又，所謂研磨帶之1次行程，意指藉由研磨帶將滾筒之圓周方向之表面自滾筒之軸(寬度)方向(電解銅箔之寬度方向)之一端部直至另一端部研磨1次。即，研磨時間係由以下之式表示。
研磨時間(分鐘)=每1行程之研磨帶之寬度(cm/次)/研磨帶之移動速度(cm/分鐘)×行程次數(次)
於以往之電解銅箔(生箔)之製造中，研磨時間設為1.6分鐘~3分鐘，但於本發明之實施形態中設為3.5分鐘~10分鐘，又，於本發明之實施形態中，於在研磨時用水潤濕滾筒表面之情形時，設為6分鐘~10分鐘。作為上述研磨時間之算出之例，例如於藉由10cm寬度之研磨帶，將移動速度設為20cm/分鐘時，滾筒表面之1點之1行程之研磨時間成為0.5分鐘。可藉由用其乘以總行程次數而算出(例如0.5分鐘×10行程=5分鐘)。藉由增大研磨帶之粒度號數，及/或提高滾筒表面之旋轉速度，及/或延長研磨時間，及/或於研磨時用水潤濕滾筒表面，可減小滾筒表面之表面粗糙度Sa及滾筒表面之均方根高度Sq。反之，藉由減小研磨帶之粒度號數，及/或降低滾筒表面之旋轉速度，及/或縮短研磨時間，及/或於研磨時使滾筒表面乾燥，可增大滾筒表面之表面粗糙度Sa及滾筒表面之均方根高度Sq。再者，藉由延長研磨時間，可減小表面粗糙度Sa，並且以大於Sa變小之程度之程度減小均方根高度Sq。反之，藉由縮短研磨時間，可增大表面粗糙度Sa，並且以大於表面粗糙度Sa變大之程度之程度增大均方根高度Sq。再者，上述研磨帶之粒度號數意指研磨帶所使用之研磨材料之粒度。而且，該研磨材料之粒度係依據FEPA(Federation of European Producers of Abrasives，歐洲磨料生產商聯合會)-standard 43-1：2006,43-2：2006。
又，藉由於研磨時利用水潤濕滾筒表面，可減小均方根高度Sq，並且以大於均方根高度Sq變小之程度之程度減小表面粗糙度Sa。反之，藉由於研磨時使滾筒表面乾燥，可增大均方根高度Sq，並且以大於均方根高度Sq變大之程度之程度增大表面粗糙度Sa。
藉由使用以上述方式製作之於表面具有特定之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解滾筒，可製造具有特定之光澤面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq之電解銅箔(生箔)。
再者，電解滾筒之表面之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq可以如下方式進行測定。
‧將樹脂膜(聚氯乙烯)浸漬於溶劑(丙酮)中使之膨潤。
‧使膨潤之樹脂膜與電解滾筒之表面接觸，使丙酮自樹脂膜揮發後剝離樹脂膜，採取電解滾筒表面之複製品。
‧藉由雷射顯微鏡測定複製品，測定表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值。
然後，將所獲得之複製品之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值設為電解滾筒表面之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。
<表面處理>
作為表面處理，並無特別限定，可列舉：粗化處理、耐熱處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等。於本說明書中，將藉由粗化處理所形成之層稱為「粗化處理層」，將藉由耐熱處理所形成之層稱為「耐熱層」，將藉由防銹處理所形成之層稱為「防銹層」，將藉由鉻酸鹽處理所形成之層稱為「鉻酸鹽處理層」，將藉由矽烷偶合處理所形成之層稱為「矽烷偶合處理層」。
本發明之實施形態之電解銅箔較佳為表面處理層包含選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
粗化處理係為了提昇與絕緣基板(樹脂基板)之接著性而進行。作為粗化處理，並無特別限定，可藉由使粗化粒子電沈積於電解銅箔之表面而進行。例如，只要使銅或銅合金之粗化粒子電沈積於電解銅箔之表面即可。粗化粒子可為微細者，又，其形狀可為針狀、棒狀或粒子狀中之任一種。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質、或包含任一種以上之合金所構成之層等。又，亦可使銅或銅合金之粗化粒子電沈積後，進行藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等使二次粒子或三次粒子進一步電沈積之粗化處理。
於進行粗化處理作為表面處理之情形時，於粗化處理層之表面形成耐熱層或防銹層，進而，於其表面形成鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
於不進行粗化處理作為表面處理之情形時，於電解銅箔之表面形成耐熱層或防銹層，進而，於其表面形成鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層均可為單層，亦可以多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
粗化處理層可使用由包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中之物質之至少一種以上之硫酸、硫酸銅所構成的電解浴而形成。粗化處理層為了防止落粉及提昇剝離強度，較佳為於由硫酸、硫酸銅所構成之電解浴中進行覆蓋鍍敷。
粗化處理之具體之條件如下所述。
(鍍敷液組成1)
CuSO4‧5H2O：39.3~120g/L
H2SO4：10~150g/L
Na2WO4‧2H2O：0~90mg/L
W：0~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：0~50mg
As：0~2000mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
(電流條件1)
電流密度：25~110A/dm2
粗化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
(鍍敷液組成2)
CuSO4‧5H2O：78~314g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
(電流條件2)
電流密度：5~50A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
於形成銅-鈷-鎳合金鍍敷層作為粗化處理層之情形時，較佳為如藉由電鍍而為含量為15mg/dm2~40mg/dm2之銅、含量為100μg/dm2~3000μg/dm2之鈷、及含量為100μg/dm2~1500μg/dm2之鎳之3元系合金層。若Co含量未達100μg/dm2，則有耐熱性及蝕刻性降低之情況。另一方面，若Co含量超過3000μg/dm2，則有於必須考慮磁性之影響之情形時不佳，產生蝕刻斑點，並且耐酸性及耐化學品性降低之情況。又，若Ni含量未達100μg/dm2，則有耐熱性降低之情況。另一方面，若Ni含量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留物變多之情 況。較佳之Co含量為1000μg/dm2~2500μg/dm2，較佳之Ni含量為500μg/dm2~1200μg/dm2。
此處，於本說明書中，「蝕刻斑點」意指於藉由氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留。又，「蝕刻殘留物」意指於藉由氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之鍍浴及鍍敷條件之一例係如下所述：
鍍浴組成：10~20g/L之Cu、1~10g/L之Co、1~10g/L之Ni
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之鍍浴及鍍敷條件之另一例係如下所述：
鍍浴組成：10~20g/L之Cu、1~10g/L之Co、1~10g/L之Ni
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度：30~45A/dm2
鍍敷時間：0.1~2.0秒
再者，於上述形成粗化處理層之粗化處理中，藉由縮短鍍敷時間，可減小表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq。另一方面，於上述形成粗化處理層之表面處理中，藉由延長鍍敷時間，可增大表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq。
又，於上述形成粗化處理層之粗化處理中，藉由提高電流密度且使鍍敷時 間非常短，可進一步減小表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq。另一方面，於上述形成粗化處理層之處理中，藉由提高電流密度且延長鍍敷時間，可進一步增大表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及/或均方根高度Sq。
本發明之實施形態之電解銅箔可於析出面側具有表面處理層。作為形成於析出面側之表面處理層，並無特別限定，較佳為選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。一般而言，於粗化處理層之表面形成耐熱層或防銹層，於其上形成鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層。
本發明之實施形態之電解銅箔亦可於光澤面側及析出面側之一側或兩側具有樹脂層。該樹脂層一般形成於表面處理層上。作為樹脂層，並無特別限定，較佳為絕緣樹脂層。
作為耐熱層及/或防銹層，並無特別限定，可使用公知者。耐熱層及/或防銹層例如可為包含選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素的層，亦可為由選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素所構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層可含有包含選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵及鉭所組成之群中之1種以上之元素的氧化物、氮化物或矽化物。又，耐熱層及/或防銹層亦可為銅-鋅合金層、鋅-鎳合金層、鎳-鈷合金層、銅-鎳合金層、鉻-鋅合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為包含鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。於鎳-鋅合金層之情形時，較佳為除不可避免之雜質以外，含有50質量%~99質量%之鎳、50質量%~1質量%之鋅。鎳-鋅合金層之鋅與鎳之合計含量較佳為5mg/m2~1000mg/m2，更佳為10mg/m2~500mg/m2，進而較佳為20 mg/m2~100mg/m2。又，包含鎳-鋅合金之層或鎳-鋅合金層之鎳含量與鋅含量之比(=鎳含量/鋅含量)較佳為1.5~10。又，包含鎳-鋅合金之層或鎳-鋅合金層之鎳含量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。
例如，耐熱層及/或防銹層亦可為依序積層含量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、及含量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層而成者。鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層較佳為鎳或鎳合金與錫之合計含量為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳含量]/[錫含量]=0.25~10，更佳為0.33~3。
鉻酸鹽處理層係經包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之溶液處理之層。鉻酸鹽處理層可包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷、鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層；或經包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層等。
作為矽烷偶合處理中所使用之矽烷偶合劑，並無特別限定，可使用公知者。作為矽烷偶合劑之例，可列舉：胺基系矽烷偶合劑、環氧系矽烷偶合劑、甲基丙烯醯氧基系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑等。具體而言，作為矽烷偶合劑，可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氣基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。再者，矽烷偶合劑可單獨使用或者混合2種以上而使用。又，於上述各種矽烷偶合劑中，較佳為使 用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑。
作為胺基系矽烷偶合劑之具體例，可列舉：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等。
矽烷偶合處理層較為適當的是藉由矽原子換算，於較佳為0.05mg/m2~200mg/m2、更佳為0.15mg/m2~20mg/m2、進而較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內設置。於為該範圍之情形時，可進一步提昇絕緣基板(樹脂基板)與電解銅箔之密接性。
樹脂層可為接著劑之層，亦可為接著用半硬化狀態(B-階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B-階段狀態)包括即便藉由手指接觸其表面亦無黏著感，可重疊該絕緣樹脂層而保管，進而，若受到加熱處理則發生硬化反應之狀態。
又，樹脂層亦可為包含熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂之層。熱硬化性樹脂及 熱塑性樹脂之種類並無特別限定，例如可列舉：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹脂、胺酯樹脂等。該等可單獨使用或者混合2種以上而使用。
樹脂層可由包含公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用包含無機化合物及/或有機化合物之介電體、包含金屬氧化物之介電體等任一介電體)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等之組成物形成。又，樹脂層例如亦可使用國際公開第2008/004399號、國際公開第2008/053878號、國際公開第2009/084533號、日本特開平11-5828號公報、日本特開平11-140281號公報、日本專利第3184485號公報、國際公開第97/02728號、日本專利第3676375號公報、日本特開2000-43188號公報、日本專利第3612594號公報、日本特開2002-179772號公報、日本特開2002-359444號公報、日本特開2003-304068號公報、日本專利第3992225號公報、日本特開2003-249739號公報、日本專利第4136509號公報、日本特開2004-82687號公報、日本專利第4025177號公報、日本特開2004-349654號公報、日本專利第4286060號公報、日本特開2005-262506號公報、日本專利第4570070號公報、日本特開2005-53218號公報、日本專利第3949676號公報、日本專利第4178415號公報、國際公開第2004/005588號、日本特開2006-257153號公報、日本特開2007-326923號公報、日本特開2008-111169號公報、日本專利第5024930號公報、國際公開第2006/028207號、日本專利第4828427號公報、日本特開2009-67029號公報、國際公開第2006/134868號、日本專利第5046927號公報、日本特開2009-173017號公報、國際公開第2007/105635號、日本專利第5180815號公報、國際公開第2008/114858號、國際公開第2009/008471號、日本特開2011-14727號公報、國際公開第2009/001850號、國際公開第2009/145179號、國際公開第2011/068157號、日本特開2013-19056號公報中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合 物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
例如將樹脂溶解於甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，藉由輥式塗佈機法等公知之方法將其塗佈於電解銅箔或表面處理層上，繼而，視需要進行加熱乾燥而去除溶劑，藉此設為B-階段狀態。於乾燥中，例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100℃~250℃、較佳為130℃~200℃即可。
具有樹脂層之電解銅箔係以於將該樹脂層重疊於絕緣基板(樹脂基板)後，將整體進行熱壓接而使樹脂層熱硬化後，形成特定之配線圖案之態樣使用。
若使用上述附樹脂層之電解銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時之預浸體材料之使用片數。而且，使樹脂層之厚度為如可確保層間絕緣之厚度，或者即便完全不使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。又，亦可於基材之表面底漆塗佈絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸體材料之情形時，有如下優點：節約預浸體材料之材料成本，又，積層步驟亦變得簡略，故而經濟上變得有利，而且，以預浸體材料之厚度製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為0.1μm~80μm。若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有接著力降低，於不介置預浸體材料而將附樹脂層之附載體銅箔積層於具備內層材料之基材時，難以確保內層材料與電路之間之層間絕緣之情形。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗佈步驟形成目標厚度之樹脂層，花費多餘之材料費及步驟數，故而經濟上變得不利。進而，所形成之樹脂層有其可撓性較差，故而於處理時容易產生龜裂等， 又，於與內層材料進行熱壓接時發生過度之樹脂流動而難以進行順利之積層之情形。
又，作為附樹脂層之電解銅箔之另一製品形態，亦可以於光澤面或表面處理層之上形成有半硬化狀態之樹脂層之形式銷售。
進而，藉由於印刷配線板搭載電子零件類，完成印刷電路板。於本說明書中，「印刷配線板」包含搭載有電子零件類之印刷配線板、印刷電路板、印刷基板、可撓性印刷配線板及剛性印刷配線板。
又，可使用印刷配線板製作電子機器，亦可使用搭載有電子零件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用搭載有電子零件類之印刷基板製作電子機器。以下，示出若干個使用本發明之實施形態之電解銅箔之印刷配線板之製造步驟的例子。
本發明之實施形態之印刷配線板之製造方法包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板而形成覆銅積層板後，藉由半加成法、改良型半加成法、部分加成法或減成法中之任一方法形成電路。此處，絕緣基板亦可採用安裝有內層電路者。
於本說明書中，「半加成法」意指於絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之無電解鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案之方法。
因此，使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板(樹脂基板)之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將電解銅箔完全去除之步驟；於藉由利用蝕刻而去除電解銅箔所露出之樹脂設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣(desmear)處理之步驟； 對樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於無電解鍍敷層之上設置抗鍍敷劑之步驟；對抗鍍敷劑進行曝光後，去除形成電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於經去除抗鍍敷劑之形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及藉由快速蝕刻等而去除位於形成電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於另一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔及絕緣基板(樹脂基板)設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將電解銅箔完全去除之步驟；對藉由利用蝕刻等而去除電解銅箔所露出之樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於無電解鍍敷層之上設置抗鍍敷劑之步驟；對抗鍍敷劑進行曝光後，去除形成電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於經去除抗鍍敷劑之形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及藉由快速蝕刻等而去除位於形成電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於另一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟； 於電解銅箔及絕緣基板(樹脂基板)設置通孔及/或盲孔之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將電解銅箔完全去除之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對藉由利用蝕刻等而去除電解銅箔所露出之樹脂、以及包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於無電解鍍敷層之上設置抗鍍敷劑之步驟；對抗鍍敷劑進行曝光後，去除形成電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於經去除抗鍍敷劑之形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及藉由快速蝕刻等而去除位於形成電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層之步驟。
使用半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於另一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將電解銅箔完全去除之步驟；對藉由利用蝕刻而去除電解銅箔所露出之樹脂之表面設置無電解鍍敷層之步驟；於無電解鍍敷層之上設置抗鍍敷劑之步驟；對抗鍍敷劑進行曝光後，去除形成電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於經去除抗鍍敷劑之形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及藉由快速蝕刻等而去除位於形成電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及電解銅箔之步驟。
於本說明書中，「改良型半加成法」意指如下方法：於絕緣基 板上積層電解銅箔，藉由抗鍍敷劑保護非電路形成部，藉由電鍍而進行電路形成部之厚銅鍍敷後，去除抗鍍敷劑，藉由(快速)蝕刻而去除電路形成部以外之電解銅箔，藉此於絕緣基板上形成電路。
因此，使用改良型半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於電解銅箔設置抗鍍敷劑之步驟；於設置抗鍍敷劑後，藉由電鍍而形成電路之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及利用快速蝕刻而去除藉由去除抗鍍敷劑所露出之電解銅箔之步驟。
使用改良型半加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於另一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔之上設置抗鍍敷劑之步驟；對抗鍍敷劑進行曝光後，去除形成電路之區域之抗鍍敷劑之步驟；於經去除抗鍍敷劑之形成電路之區域設置電鍍層之步驟；去除抗鍍敷劑之步驟；及藉由快速蝕刻等而去除位於形成電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及電解銅箔之步驟。
於本說明書中，「部分加成法」意指如下方法：於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或導通孔用孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕 刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或抗鍍敷劑後，於導體電路上或通孔、導通孔等藉由無電解鍍敷處理而進行厚鍍敷，藉此製造印刷配線板。
因此，使用部分加成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域賦予觸媒核之步驟；於電解銅箔設置抗蝕劑之步驟；對抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除電解銅箔及上述觸媒核而形成電路之步驟；去除抗蝕劑之步驟；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除電解銅箔及觸媒核所露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑或抗鍍敷劑之步驟；及於未設置阻焊劑或抗鍍敷劑之區域設置無電解鍍敷層之步驟。
於本說明書中，「減成法」意指藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之無用部分而形成導體圖案之方法。
因此，使用減成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟； 於無電解鍍敷層之表面設置電鍍層之步驟；於電鍍層及/或電解銅箔之表面設置抗蝕劑之步驟；對抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除電解銅箔、無電解鍍敷層及上述電鍍層而形成電路之步驟；及去除抗蝕劑之步驟。
使用減成法之本發明之實施形態之印刷配線板的製造方法係於另一態樣中，包括如下步驟：積層本發明之實施形態之電解銅箔與絕緣基板之步驟；於電解銅箔及絕緣基板設置通孔及/或盲孔之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含通孔及/或盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於無電解鍍敷層之表面形成遮罩之步驟；於未形成遮罩之無電解鍍敷層之表面設置電鍍層之步驟；於電鍍層及/或電解銅箔之表面設置抗蝕劑之步驟；對抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除電解銅箔及無電解鍍敷層而形成電路之步驟；及去除抗蝕劑之步驟。
再者，亦可不進行設置通孔及/或盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例詳細地說明本發明之實施形態，但本發明並不受該等限定。
1.電解銅箔之製作
(實施例1~33、比較例1)
準備鈦製旋轉滾筒(電解滾筒)。其次，於表1中記載之條件下研磨電解滾筒之表面，製成具有特定之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之電解滾筒。具體而言，藉由表1中記載之粒度號數之研磨帶研磨電解滾筒之表面。此時，將研磨帶於滾筒之寬度方向上僅捲繞特定寬度，一面使研磨帶向滾筒之寬度方向移動一面使滾筒旋轉，藉此進行研磨。將研磨時之滾筒表面之旋轉速度示於表1。又，研磨時間係根據研磨帶之寬度及研磨帶之移動速度，設為以1次行程通過滾筒表面之1點之時間與行程次數之乘積。此處，所謂研磨帶之1次行程，意指藉由研磨帶將旋轉滾筒之圓周方向之表面自軸向(電解銅箔之寬度方向)之一端部直至另一端部研磨1次。即，研磨時間係由以下之式表示。
研磨時間(分鐘)=每1行程之研磨帶之寬度(cm/次)/研磨帶之移動速度(cm/分鐘)×行程次數(次)
其次，於電解槽中配置上述電解滾筒，且於電解滾筒之周圍間隔特定之極間距離而配置電極。其次，於電解槽中於下述條件下進行電解，一面使電解滾筒旋轉一面使銅於電解滾筒之表面析出直至厚度成為18μm。
<電解條件>
電解液組成：100g/L之Cu、100g/L之H2SO4
電流密度：90A/dm2
電解液溫度：60℃
添加物：60質量ppm之氯離子、膠(於實施例1、2、5、6、10~12、15、16、19、20及24~26以及比較例1中設為0.02ppm，於實施例3、4、7~9、13、14、17、18、21~23、27~33中將膠濃度設為4.5ppm)
其次，將析出至旋轉之電解滾筒之表面之銅剝離，連續地製造厚度18μm之電解銅箔。
(實施例1)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之電解滾筒側之表面(光澤面)，按照下述(1)~(4)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
使用具有下述組成之鍍敷液1(pH值1以下)，於下述鍍敷條件1下使粗化粒子電沈積於電解銅箔(生箔)之光澤面後，使用下述鍍敷液2(pH值0.3以下)，於下述鍍敷條件2下使粗化粒子進一步電沈積，藉此形成粗化處理層(Cu-As-W)。
<鍍敷液1組成>
CuSO4‧5H2O：120g/L
H2SO4：120g/L
Na2WO4‧2H2O：20mg/L
十二烷基硫酸鈉：30mg
As：1mg/L
<鍍敷條件1>
溫度：40℃
電流密度：70A/dm2
鍍敷時間：2秒
<鍍敷液2組成>
CuSO4‧5H2O：240g/L
H2SO4：120g/L
<鍍敷條件2>
溫度：55℃
電流密度：20A/dm2
鍍敷時間：7秒
(2)耐熱處理(障壁處理)
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值2)，於下述鍍敷條件下進行鎳鋅合金鍍敷，藉此形成耐熱層(Ni-Zn)。
<鍍敷液組成>
Ni：13g/L
Zn：12g/L
<鍍敷條件>
溫度：40℃
電流密度：0.2A/dm2
鍍敷時間：2.89秒
(3)鉻酸鹽處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值4.8)，於下述鍍敷條件下進行鉻酸鋅處理，藉此形成鉻酸鋅處理層。
<鍍敷液組成>
CrO3：2.5g/L
Zn：2.0g/L
Na2SO4：10g/L
<鍍敷條件>
溫度：54℃
電流密度：1.0A/dm2
(4)矽烷偶合處理
將四乙氧基矽烷含量為0.4vol%、pH值為7.5之矽烷偶合處理液進行噴霧，藉此形成矽烷偶合處理層A。
(實施例2)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為2.96秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(實施例3)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為2.75秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(實施例4)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為2.82秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(實施例5)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(5)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值1~4)，於下述鍍敷條件下使粗化粒子電沈積於電解銅箔(生箔)之光澤面，藉此形成粗化處理層(Cu-Co-Ni(1))。
<鍍敷液組成>
Cu：16g/L
Co：10g/L
Ni：10g/L
<鍍敷條件>
溫度：30℃
電流密度：30A/dm2
鍍敷時間：2秒
(2)耐熱處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值1.0~3.5)，於下述鍍敷條件下進行Co-Ni合金鍍敷，藉此形成耐熱層(Co-Ni)。
<鍍敷液組成>
Co：10g/L
Ni：20g/L
<鍍敷條件>
溫度：35℃
電流密度10A/dm2
鍍敷時間：1秒
(3)防銹處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值3~4)，於下述鍍敷條件下進行Zn-Ni合金鍍敷，藉此形成防銹層(Zn-Ni)。
<鍍敷液組成>
Ni：15g/L
Zn：50g/L
<鍍敷條件>
溫度：50℃
電流密度：0.3A/dm2
鍍敷時間：2.43秒
(4)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(5)矽烷偶合處理
將N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷含量為0.4vol%、pH值為7.5之 矽烷偶合處理液進行噴霧，藉此形成矽烷偶合處理層B。
(實施例6)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為2.61秒，除此以外，以與實施例5相同之方式進行表面處理。
(實施例7)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為2.32秒，除此以外，以與實施例5相同之方式進行表面處理。
(實施例8)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，進行與實施例5相同之表面處理。
(實施例9)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(3)之順序進行表面處理。
(1)耐熱處理(障壁處理)
將鍍敷時間變更為2.82秒，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行鎳鋅合金鍍敷，藉此形成耐熱層(Ni-Zn)。
(2)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(3)矽烷偶合處理
於與實施例1相同之條件下形成矽烷偶合處理層A。
(實施例10)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，進行與實施例2相同之表面處理。
(實施例11)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(5)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值1~4)，於下述鍍敷條件下使粗化粒子電沈積於電解銅箔(生箔)之光澤面，藉此形成粗化處理層(Cu-Co-Ni(2))。
<鍍敷液組成>
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
<鍍敷條件>
溫度：30~50℃
電流密度：35~45A/dm2
鍍敷時間：0.1~1.5秒
(2)耐熱處理
於與實施例5相同之條件下形成耐熱層(Co-Ni)。
(3)防銹處理
於與實施例5相同之條件下形成防銹層(Zn-Ni)。
(4)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(5)矽烷偶合處理
於與實施例5相同之條件下形成矽烷偶合處理層B。
(實施例12)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中 之鍍敷時間變更為2.55秒，除此以外，以與實施例11相同之方式進行表面處理。
(實施例13)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，進行與實施例11相同之表面處理。
(實施例14)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(5)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
於與實施例5相同之條件下形成粗化處理層(Cu-Co-Ni(1))。
(2)耐熱處理
於與實施例5相同之條件下形成耐熱層(Co-Ni)。
(3)防銹處理
將鍍敷時間設為2.49秒，除此以外，於與實施例5相同之條件下形成防銹層(Zn-Ni)。
(4)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(5)矽烷偶合處理
於與實施例5相同之條件下形成矽烷偶合處理層B。
(實施例15)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為3.79秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(實施例16)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中 之鍍敷時間變更為4.89秒，除此以外，以與實施例15相同之方式進行表面處理。
(實施例17)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為6.40秒，除此以外，以與實施例15相同之方式進行表面處理。
(實施例18)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為6.88秒，除此以外，以與實施例15相同之方式進行表面處理。
(實施例19)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為6.66秒，除此以外，以與實施例5相同之方式進行表面處理。
(實施例20)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為6.95秒，除此以外，以與實施例19相同之方式進行表面處理。
(實施例21)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為8.17秒，除此以外，以與實施例19相同之方式進行表面處理。
(實施例22)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為9.27秒，除此以外，以與實施例19相同之方式進行表面處 理。
(實施例23)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(1)耐熱處理中之鍍敷時間變更為11.70秒，除此以外，以與實施例9相同之方式進行表面處理。
(實施例24)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為15.15秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(實施例25)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為15.64秒，除此以外，以與實施例11相同之方式進行表面處理。
(實施例26)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為15.16秒，除此以外，以與實施例11相同之方式進行表面處理。
(實施例27)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為4.63秒，除此以外，以與實施例11相同之方式進行表面處理。
(實施例28)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(3)防銹處理中之鍍敷時間變更為2.43秒，除此以外，以與實施例5相同之方式進行表面處理。
(實施例29)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(5)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值1~4)，於下述鍍敷條件下使粗化粒子電沈積於電解銅箔(生箔)之光澤面，藉此形成粗化處理層(Cu-Co-Ni-Mo)。
<鍍敷液組成>
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
Mo：1~5g/L
<鍍敷條件>
溫度：30~50℃
電流密度：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
(2)耐熱處理
於與實施例5相同之條件下形成耐熱層(Co-Ni)。
(3)防銹處理
於與實施例5相同之條件下形成防銹層(Zn-Ni)。
(4)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(5)矽烷偶合處理
於與實施例5相同之條件下形成矽烷偶合處理層B。
(實施例30)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(4)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
於與實施例1相同之條件下形成粗化處理層(Cu-As-W)。
(2)耐熱處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值2)，於下述鍍敷條件下進行鈷鋅合金鍍敷，藉此形成耐熱層(Co-Zn)。
<鍍敷液組成>
Co：13g/L
Zn：12g/L
<鍍敷條件>
溫度：40℃
電流密度：0.2A/dm2
鍍敷時間：5.16秒
(3)鉻酸鹽處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值4.8)，於下述鍍敷條件下進行鉻酸鹽處理，藉此形成鉻酸鹽處理層。
<鍍敷液組成>
CrO3：2.5g/L
Na2SO4：10g/L
<鍍敷條件>
溫度：54℃
電流密度：1.0A/dm2
(4)矽烷偶合處理
於與實施例1相同之條件下形成矽烷偶合處理層A。
(實施例31)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為8.33秒，除此以外，以與實施例30相同之方式進行表面處理。
(實施例32)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，按照下述(1)~(3)之順序進行表面處理。
(1)粗化處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值1~4)，於下述鍍敷條件下使粗化粒子電沈積於電解銅箔(生箔)之光澤面，藉此形成粗化處理層(Cu-Co-Ni-Zn)。
<鍍敷液組成>
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
Zn：2~12g/L
<鍍敷條件>
溫度：30~50℃
電流密度：30~45A/dm2
粗化庫侖量：0.3~67.5As/dm2
鍍敷時間：0.1~1.5秒
(2)鉻酸鹽處理
於與實施例1相同之條件下形成鉻酸鋅處理層。
(3)矽烷偶合處理
於與實施例5相同之條件下形成矽烷偶合處理層B。
(實施例33)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，如下所述般變更(2)耐熱處理中之條件，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
(2)耐熱處理
使用具有下述組成之鍍敷液(pH值10~13)，於下述鍍敷條件下進行Cu-Zn合金鍍敷，藉此形成耐熱層(Cu-Zn)。
<鍍敷液組成>
NaOH：80~140g/L
NaCN：100~150g/L
CuCN：20~30g/L
Zn(CN)2：15~20g/L
As2O3：0.01~1g/L
<鍍敷條件>
溫度：40~90℃
電流密度：5A/dm2
鍍敷時間：14.06秒
(比較例1)
對於以上述方式製作之電解銅箔(生箔)之光澤面，將(2)耐熱處理中之鍍敷時間變更為0.015秒，除此以外，以與實施例1相同之方式進行表面處理。
2.電解銅箔之評價
<光澤面及表面處理層之表面之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq>
對表面處理前後之電解銅箔之光澤面，依據ISO-25178-2：2012，使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4100(LEXT OLS 4100)測定表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。此時，於雷射顯微鏡中，使用物鏡50倍進行3處200μm×1000μm面積(具體而言為200000μm2)之測定，算出表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。
將3處所獲得之表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之算術平均值分別設為表面粗糙度Sa及均方根高度Sq之值。再者，於雷射顯微鏡測定中，於測定結果之測定面並非為平面之情形時(於成為曲面之情形時)，進行平面修正後，算出表面粗糙度Sa及均方根高度Sq。又，藉由雷射顯微鏡測定表面粗糙度Sa時之環境溫度係設為23~25℃。
<表面處理層之表面之Zn之原子濃度>
對表面處理前後之電解銅箔之光澤面，使用日本電子股份有限公司製造之歐傑電子能譜分析裝置(型號：JAMP-9500F)，測定Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度，求出將該等元素之合計設為100at%之情形時之Zn之原子濃度。測定部位係於3處進行，將其結果之算術平均值作為Zn之原子濃度。
<常態剝離強度、耐熱剝離強度>
將表面處理後之電解銅箔與玻璃環氧基板(FR-4)以20kgf/cm2之加壓力於180℃下加熱壓接2小時而獲得積層體後，藉由蝕刻將積層體之電解銅箔形成電路寬度10mm之電路。其後，依據JIS C6471：1995，測定以90度之角度並以50mm/分鐘之速度剝離玻璃環氧基板與電路時之強度(剝離強度)，藉此求出常態剝離強度。常態剝離強度之測定及下述耐熱剝離強度之測定係進行2次，將其平均值分別作為常態剝離強度之值及耐熱剝離強度之值。
耐熱剝離強度係藉由將形成有電路之積層體於大氣環境下，於190℃下加熱1小時，繼而浮於加熱至270℃之焊料鍍敷槽中20秒後，進行剝離強度之測定而求出。
又，基於下述式評價由熱所引起之剝離強度之劣化率。
由熱所引起之剝離強度之劣化率=(常態剝離強度-耐熱剝離強度)/常態剝離強度×100
<常溫抗張力、高溫抗張力>
對表面處理後之電解銅箔，依據IPC-TM-650測定常溫抗張力及高溫抗張力。
<常溫伸長率、高溫伸長率>
對表面處理後之電解銅箔，依據IPC-TM-650測定常溫伸長率及高溫伸長率。再者，如上所述，「高溫抗張力」意指180℃下之抗張力。又，「高溫伸長率」意指180℃下之伸長率。
<電路形成性>
分別自光澤面側藉由熱壓接將表面處理後之電解銅箔貼合於雙順丁烯二醯亞胺三樹脂預浸體。其後，自與和預浸體貼合之側相反之一側蝕刻貼合於預浸體之電解銅箔直至厚度成為9μm。然後，於進行蝕刻後之電解銅箔之表面設置抗蝕劑，進行曝光及顯影而形成抗蝕圖案。其後，藉由氯化鐵進行蝕刻，以L/S=25μm/25μm、L/S=22μm/22μm、L/S=20μm/20μm及L/S=15μm/15μm分別形成20根長度1mm之配線。繼而，測定自電路上表面觀察之電路下端寬度之最大值與最小值之差(μm)，將測定5處之平均值作為結果。若最大值與最小值之差為2μm以下，則判斷為具有良好之電路線性並設為◎。又，將最大值與最小值之差超過2μm且為4μm以下時設為○。又，將最大值與最小值之差超過4μm時設為×。
將試驗條件及試驗結果示於表2~5。又，圖1(a)係形成表面處理層之前之實施例2之電解銅箔之光澤面的SEM圖像。圖1(b)係形成表面處理層之前之實施例10之電解銅箔之光澤面的SEM圖像。
<評價結果>
表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下及/或表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上的實施例1~33之電解銅箔之電路形成性及耐熱性良好。尤其是於光澤面側具有粗化處理層以外之表面處理層之實施例9及23之電解銅箔係表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下，且表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.315μm以下，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
又，於光澤面側具有至少包含粗化處理層之表面處理層之其他實施例之電解銅箔係表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，或者均方根高度Sq為0.550μm以下，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
相對於此，表面處理層之表面之均方根高度Sq及表面粗糙度Sa超過上述範圍，藉由歐傑電子能譜分析法測定表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度未達3.0at%的比較例1之電解銅箔之電路形成性及耐熱性不充分。
根據以上之結果可知，根據本發明之實施形態，可提供一種電路形成性及耐熱性優異之電解銅箔及其製造方法。又，根據本發明之實施形態，可提供一種使用電路形成性及耐熱性優異之電解銅箔之覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法。

Claims (37)

  1. 一種電解銅箔，其於光澤面側具有表面處理層，且上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
  2. 如請求項1所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.380μm以下。
  3. 如請求項1或2所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.355μm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.300μm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.200μm以下。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.490μm以下。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.450μm以下。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.400μm以下。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.330μm以下。
  10. 一種電解銅箔，其於光澤面側具有表面處理層，且上述表面處理層之表面之表面粗糙度Sa為0.470μm以下，藉由歐傑電子能 譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
  11. 如請求項10所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層之表面之均方根高度Sq為0.550μm以下。
  12. 如請求項1至11中任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述表面處理層之前之上述光澤面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下。
  13. 如請求項1至12中任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述表面處理層之前之上述光澤面之表面粗糙度Sa為0.130μm以下。
  14. 如請求項1至13中任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述表面處理層之前之上述光澤面之均方根高度Sq為0.315μm以下。
  15. 如請求項1至14中任一項所述之電解銅箔，其中，於上述光澤面側設置上述表面處理層之前之上述光澤面之均方根高度Sq為0.120μm以下。
  16. 如請求項1至15中任一項所述之電解銅箔，其常溫抗張力為30kg/mm 2以上。
  17. 如請求項1至16中任一項所述之電解銅箔，其常溫伸長率為3%以上。
  18. 如請求項1至17中任一項所述之電解銅箔，其高溫抗張力為10kg/mm 2以上。
  19. 如請求項1至18中任一項所述之電解銅箔，其高溫伸長率為2%以上。
  20. 如請求項1至19中任一項所述之電解銅箔，其耐熱剝離強度為0.90kg/cm以上。
  21. 如請求項1至20中任一項所述之電解銅箔，其中，上述光澤面 側之上述表面處理層包含選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  22. 如請求項1至21中任一項所述之電解銅箔，其於析出面側進而具有表面處理層。
  23. 如請求項22所述之電解銅箔，其中，上述析出面側之上述表面處理層包含選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  24. 如請求項1至23中任一項所述之電解銅箔，其中，上述表面處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質、或包含任一種以上之合金所構成之層。
  25. 如請求項1至24中任一項所述之電解銅箔，其於上述光澤面側及上述析出面側之一側或兩側具有樹脂層。
  26. 如請求項25所述之電解銅箔，其中，上述樹脂層係設置於上述表面處理層上。
  27. 一種電解銅箔之製造方法，其於使用電解滾筒製作電解銅箔後，對上述電解銅箔之光澤面進行表面處理而形成表面處理層，且上述電解滾筒之表面之表面粗糙度Sa為0.270μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
  28. 一種電解銅箔之製造方法，其於使用電解滾筒製作電解銅箔後，對上述電解銅箔之光澤面進行表面處理而形成表面處理層，且上述電解滾筒之表面之均方根高度Sq為0.315μm以下，藉由歐傑電子能譜分析法測定上述表面處理層之表面之原子濃度，於將Si、S、Cl、C、N、O、 Cr、Co、Ni、Cu及Zn之原子濃度之合計設為100at%之情形時，Zn之原子濃度為3.0at%以上。
  29. 如請求項27所述之電解銅箔之製造方法，其中，上述電解滾筒之均方根高度Sq為0.315μm以下。
  30. 如請求項27至29中任一項所述之電解銅箔之製造方法，其中，上述電解滾筒之上述表面之表面粗糙度Sa為0.150μm以下。
  31. 如請求項27至30中任一項所述之電解銅箔之製造方法，其中，上述電解滾筒之表面之均方根高度Sq為0.200μm以下。
  32. 一種覆銅積層板，其具有請求項1至26中任一項所述之電解銅箔。
  33. 一種印刷配線板，其具有請求項1至26中任一項所述之電解銅箔。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其使用有請求項1至26中任一項所述之電解銅箔。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：積層請求項1至26中任一項所述之電解銅箔與絕緣基板而製作覆銅積層板後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一方法形成電路。
  36. 一種電子機器，其具有請求項33所述之印刷配線板。
  37. 一種電子機器之製造方法，其使用有請求項33所述之印刷配線板。
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