TW201843824A - 扇出型感測器封裝以及包含該封裝的光學指紋感測器模組 - Google Patents

扇出型感測器封裝以及包含該封裝的光學指紋感測器模組 Download PDF

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Abstract

本發明提供扇出型感測器封裝以及包括所述封裝的光學指紋感測器模組。扇出型感測器封裝包括：連接構件，具有貫穿孔；影像感測器，配置在連接構件的貫穿孔中並具有主動面及與所述主動面相對的非主動面，主動面上配置有連接墊；包封體，包封連接構件的至少部分、影像感測器的至少部分以及光學透鏡的至少部分；以及重佈線層，配置在連接構件、影像感測器以及光學透鏡上。連接構件包括佈線層，且重佈線層使佈線層與連接墊彼此電性連接。

Description

扇出型感測器封裝以及包含該封裝的光學指紋感測器模組
本揭露是有關於一種扇出型感測器封裝，更具體而言，是有關於一種能夠以光學方式辨識指紋的扇出型感測器封裝以及包括所述封裝的光學指紋感測器模組。 [相關申請案的交叉引用]
本申請案主張於2017年4月7日在韓國智慧財產局中申請的韓國專利申請案第10-2017-0045502號的優先權以及於2017年7月19日在韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案號第10-2017-0091475號的優先權，所述申請案的揭露內容以全文引用的方式併入本文中。
依據在智慧型電話中普遍使用指紋感測器晶片及在智慧型電話中前螢幕大小增加的趨勢，對於其中螢幕下結構（under-display structure）為可行的光學指紋感測器封裝技術的需求已經增加。根據相關技術領域的光學指紋感測器封裝主要具有其中感測器晶片安裝在中介基板上、感測器晶片的連接墊藉由焊線接合而電性連接中介基板且感測器晶片以模製材料進行模製的結構。
然而，在具有此結構的光學指紋感測器封裝中，由於焊線接合的緣故，單獨的光學透鏡等放置在感測器晶片上，光學指紋感測器封裝的結構變得稍微複雜，而且光學指紋感測器封裝的尺寸及厚度增加。另外，難以控制模製厚度，因此需要複雜的模製製程，且整體的光學指紋感測器封裝的大幅翹曲因不對稱結構而產生，使得指紋感測靈敏度降低，亦使得安裝光學指紋感測器封裝時的良率降低。另外，光學指紋感測器封裝的翹曲在使用光學指紋感測器封裝製造模組的製程中堆疊紅外線截止濾波器（infrared cut-off filter）及金屬罩（metal shield）方面產生困難。
本揭露的一個態樣可提供一種能夠解決上述問題的極小型且極薄的扇出型感測器封裝以及包括所述封裝的光學指紋感測器模組。
根據本揭露的一個態樣，可提供一種扇出型感測器封裝，其中能夠以光學方式辨識指紋的影像感測器配置在其中有佈線層形成的連接構件的貫穿孔中，且影像感測器的連接墊及連接構件的佈線層經由重佈線層彼此電性連接。
根據本揭露的一個態樣，扇出型感測器封裝可包括：連接構件，具有貫穿孔；影像感測器，配置在連接構件的貫穿孔中並具有主動面及與所述主動面相對的非主動面，主動面上配置有連接墊；包封體，包封連接構件的至少部分、影像感測器的至少部分以及光學透鏡的至少部分；以及重佈線層，配置在連接構件、影像感測器以及光學透鏡上，其中連接構件包括佈線層，且重佈線層使佈線層與連接墊彼此電性連接。
根據本揭露的另一個態樣，光學指紋感測器模組可包括：上述的扇出型感測器封裝；以及顯示面板，配置在扇出型感測器封裝上，其中顯示面板為有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）面板。
在下文中，將參照所附圖式說明本揭露中的例示性實施例。在所附圖式中，為清晰起見，可誇大或縮小組件的形狀或尺寸等。
在說明中組件與另一組件的「連接」的意義包括經由黏合層的間接連接以及在兩個組件之間的直接連接。另外，「電性連接」意為包括物理連接及物理斷接的概念。應理解，當以「第一」及「第二」來意指元件時，所述元件不以此為限。使用「第一」及「第二」可能僅用於將所述元件與其他元件區分開的目的，且可不限制所述元件的順序或重要性。在一些情況下，在不背離本文中所提出的申請專利範圍的條件下，第一元件可稱作第二元件。相似地，第二元件亦可稱作第一元件。
本文中所使用的用語「例示性實施例」並不意指同一例示性實施例，而是為強調與另一例示性實施例的特定特徵或特性不同的特定特徵或特性而提供。然而，本文中所提供的例示性實施例被視為能夠藉由彼此整體地或部分地組合而實作。舉例而言，即使並未在另一例示性實施例中說明在特定例示性實施例中說明的一個元件，然而除非在另一例示性實施例中提供了相反或矛盾的說明，否則所述元件亦可被理解為與另一例示性實施例相關的說明。
使用本文中所使用的用語僅為了說明例示性實施例而非限制本揭露。在此情況下，除非在上下文中另有解釋，否則單數形式包括多數形式。電子裝置
圖1為說明電子裝置系統的實例的方塊示意圖。
參照圖1，電子裝置1000中可容置母板1010。母板1010可包括物理連接至或電性連接至母板1010的晶片相關組件1020、網路相關組件1030、其他組件1040等。這些組件可連接至以下將說明的其他組件，以形成各種訊號線1090。
晶片相關組件1020可包括：記憶體晶片，例如揮發性記憶體（例如：動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM））、非揮發性記憶體（例如唯讀記憶體（read only memory，ROM））或快閃記憶體等；應用處理器晶片，例如中央處理器（例如：中央處理單元（central processing unit，CPU））、圖形處理器（例如：圖形處理單元（graphic processing unit，GPU））、數位訊號處理器、密碼處理器（cryptographic processor）、微處理器、微控制器等；以及邏輯晶片，例如類比至數位轉換器（analog-to-digital converter，ADC）或應用專用積體電路（application-specific integrated circuit，ASIC）等。然而晶片相關組件1020不以此為限，亦可包含多種其他無線或有線標準或協定。另外，晶片相關組件1020可彼此組合。
網路相關組件1030可包括例如以下協定：無線保真（wireless fidelity，Wi-Fi）（電氣及電子工程師學會（Institute of Electrical And Electronics Engineers，IEEE）802.11家族等）、全球互通微波存取（worldwide interoperability for microwave access，WiMAX）（IEEE 802.16家族等）、IEEE 802.20、長期演進（long term evolution，LTE）、僅支援資料的演進（evolution data only，Ev-DO）、高速封包存取+（high speed packet access +，HSPA+）、高速下行封包存取+（high speed downlink packet access +，HSDPA+）、高速上行封包存取+（high speed uplink packet access +，HSUPA+）、增強型資料GSM環境（enhanced data GSM environment，EDGE）、全球行動通訊系統（global system for mobile communications，GSM）、全球定位系統（global positioning system，GPS）、通用封包無線電服務（general packet radio service，GPRS）、分碼多重存取（code division multiple access，CDMA）、分時多重存取（time division multiple access，TDMA）、數位增強型無線電訊（digital enhanced cordless telecommunications，DECT）、藍芽、3G協定、4G協定、5G協定以及繼上述協定之後指定的任何其他無線協定及有線協定。然而，網路相關組件1030不以此為限，而亦可包括多種其他無線標準或協定或者有線標準或協定。另外，網路相關組件1030可與上述的晶片相關組件1020一起彼此組合。
其他組件1040可包括高頻電感器、鐵氧體電感器（ferrite inductor）、功率電感器（power inductor）、鐵氧體珠粒（ferrite beads）、低溫共燒陶瓷（low temperature co-fired ceramic，LTCC）、電磁干擾（electromagnetic interference，EMI）濾波器、多層陶瓷電容器（multilayer ceramic capacitor，MLCC）等。然而，其他組件1040不以此為限，而亦可包括用於各種其他目的的被動組件等。另外，其他組件1040可與上述的晶片相關組件1020或網路相關組件1030一起彼此組合。
視電子裝置1000的類型，電子裝置1000可包括可物理連接至或電性連接至母板1010的其他組件，或是可能不物理連接至或不電性連接至母板1010的其他組件。這些其他組件可包括例如相機模組1050、天線1060、顯示器裝置1070、電池1080、音訊編解碼器（未繪示）、視訊編解碼器（未繪示）、功率放大器（未繪示）、羅盤（未繪示）、加速度計（未繪示）、陀螺儀（未繪示）、揚聲器（未繪示）、大容量儲存單元（例如：硬碟驅動機）（未繪示）、光碟（compact disk，CD）驅動機（未繪示）、數位多功能光碟（digital versatile disk，DVD）驅動機（未繪示）等。然而，這些其他組件不以此為限，而是視電子裝置1000的類型等亦可包括各種用途的其他組件。
電子裝置1000可為智慧型電話、個人數位助理（personal digital assistant，PDA）、數位攝影機、數位照相機（digital still camera）、網路系統、電腦、監視器、平板個人電腦（tablet PC）、筆記型個人電腦、隨身型易網機個人電腦（netbook PC）、電視、視訊遊戲機（video game machine）、智慧型手錶或汽車組件等。然而，電子裝置1000不以此為限，且可為處理資料的任何其他電子裝置。
圖2為說明電子裝置的實例的剖視示意圖。
參照圖2，半導體封裝可於上述的電子裝置1000中使用於各種目的。舉例而言，主板1110可容置於智慧型電話1100的本體1101中，且各種電子組件1120可物理連接至或電性連接至主板1110。另外，可物理連接至或電性連接至主板1110的其他組件或可不物理連接至或不電性連接至主板1110的其他組件可容置於本體1101中，例如相機模組1130。電子組件1120中的一些電子組件可為晶片相關組件，且半導體封裝100可例如為晶片相關組件之中的應用處理器，但不以此為限。所述電子裝置不必僅限於智慧型電話1100，而是可為如上所述其他電子裝置。半導體封裝
一般而言，在半導體晶片中整合有許多精密的電路。然而，半導體晶片自身不能充當已完成的半導體產品，且可能因外部物理性或化學性影響而受損。因此，半導體晶片本身無法單獨使用，但可在電子裝置等中進行封裝並且以封裝狀態使用。
此處，由於半導體晶片與電子裝置的主板之間存在電性連接方面的電路寬度差異，因而需要半導體封裝。詳細而言，半導體晶片的連接墊的尺寸及半導體晶片的連接墊之間的間隔極為精密，但電子裝置中所使用的主板的組件安裝接墊的尺寸及主板的組件安裝接墊之間的間隔顯著地大於半導體晶片的連接墊的尺寸及連接墊之間的間隔。因此，可能難以將半導體晶片直接安裝在主板上，並且需要用於緩衝半導體晶片與主板之間的電路寬度差的封裝技術。
視半導體封裝的結構及目的，由封裝技術製造的半導體封裝可分類為扇入型半導體封裝或扇出型半導體封裝。
將在下文中參照圖式更詳細地說明扇入型半導體封裝及扇出型半導體封裝。扇入型 半導體封裝
圖3A及圖3B為說明扇入型半導體封裝在封裝前及封裝後狀態的剖視示意圖。
圖4為說明扇入型半導體封裝的封裝製程的剖視示意圖。
參照圖式，半導體晶片2220可例如為處於裸露狀態下的積體電路（integrated circuit，IC），且半導體晶片2220包括本體2221，包括矽（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等；連接墊2222，形成在本體2221的一個表面上且包括傳導材料，例如鋁（Al）等；以及鈍化層2223，例如為氧化物膜或氮化物膜等，且形成在本體2221的一個表面上且覆蓋至少部分連接墊2222。在此情況下，由於連接墊2222在尺寸上是顯著小的，因此難以將積體電路安裝在中級印刷電路板（printed circuit board，PCB）上以及電子裝置的主板等上。
因此，可視半導體晶片2220的尺寸在半導體晶片2220上形成連接構件2240，以重新分佈連接墊2222。可藉由以下步驟來形成連接構件2240：利用例如感光成像介電（photoimagable dielectric，PID）樹脂等絕緣材料在半導體晶片2220上形成絕緣層2241；形成敞露連接墊2222的通孔孔洞2243h；並接著形成佈線圖案2242及通孔2243。接著，可形成保護連接構件2240的鈍化層2250、可形成開口2251及可形成凸塊下金屬層2260等。亦即，可藉由一系列製程來製造包括例如半導體晶片2220、連接構件2240、鈍化層2250及凸塊下金屬層2260的扇入型半導體封裝2200。
如上所述，扇入型半導體封裝可具有半導體晶片的例如輸入/輸出（input/output，I/O）端子等所有的連接墊均配置於所述半導體晶片內的封裝形式，且可具有優異的電性特性且可以低成本進行生產。因此，已以扇入型半導體封裝形式製造出安裝在智慧型電話中的許多元件。詳細而言，已開發出安裝在智慧型電話中的許多元件以在具有小型尺寸的同時實施快速訊號傳遞。
然而，由於所有輸入/輸出端子都需要配置於扇入型半導體封裝中的半導體晶片內，因此扇入型半導體封裝的空間限制大。因此，難以將此結構應用於具有大量輸入/輸出端子的半導體晶片或具有小型尺寸的半導體晶片。另外，由於上述缺點，扇入型半導體封裝無法在電子裝置的主板上直接安裝並使用。此處，即使藉由重佈線製程增大半導體晶片的輸入/輸出端子的尺寸及半導體晶片的輸入/輸出端子之間的間隔，在此情況下，半導體晶片的輸入/輸出端子的尺寸及半導體晶片的輸入/輸出端子之間的間隔可能仍不足以使扇入型半導體封裝直接安裝在電子裝置的主板上。
圖5為說明扇入型半導體封裝安裝在中介基板上且最終安裝在電子裝置的主板上之情形的剖視示意圖。
圖6為說明扇入型半導體封裝嵌入中介基板中且最終安裝在電子裝置的主板上之情形的剖視示意圖。
參照圖式，在扇入型半導體封裝2200中，半導體晶片2220的連接墊2222（亦即，輸入/輸出端子）可經由中介基板2301重新分佈，且扇入型半導體封裝2200可在其安裝在中介基板2301上的狀態下最終安裝在電子裝置的主板2500上。在此情況下，可藉由底部填充樹脂2280等來固定焊球2270等，且半導體晶片2220的外側可被模製材料2290等覆蓋。或者，扇入型半導體封裝2200可嵌入單獨的中介基板2302中，半導體晶片2220的連接墊2222（亦即，輸入/輸出端子）可在扇入型半導體封裝2200嵌入於中介基板2302中的狀態下由中介基板2302重新分佈，且扇入型半導體封裝2200可最終安裝在電子裝置的主板2500上。
如上所述，可能難以直接在電子裝置的主板上安裝及使用扇入型半導體封裝。因此，扇入型半導體封裝會安裝在單獨的中介基板上，並接著藉由封裝製程安裝在電子裝置的主板上；或者扇入型半導體封裝會在扇入型半導體封裝嵌於中介基板中的狀態下在電子裝置的主板上安裝及使用。扇出型 半導體封裝
圖7為說明扇出型半導體封裝的剖視示意圖。
參照圖式，在扇出型半導體封裝2100中，舉例而言，半導體晶片2120的外側由包封體2130保護，且半導體晶片2120的連接墊2122可藉由連接構件2140而朝向半導體晶片2120之外進行重新分佈。在此情況下，在連接構件2140上可進一步形成鈍化層2150，且在鈍化層2150的開口中可進一步形成凸塊下金屬層2160。在凸塊下金屬層2160上可進一步形成焊球2170。半導體晶片2120可為包括本體2121、連接墊2122、鈍化層（圖中未繪示）等的積體電路。連接構件2140可包括絕緣層2141；形成在絕緣層2141上的重佈線層2142；以及將連接墊2122與重佈線層2142彼此電性連接的通孔2143。
如上所述，扇出型半導體封裝可具有其中半導體晶片的輸入/輸出端子經由形成在半導體晶片上的連接構件重新分佈並朝向半導體晶片之外配置的形式。如上所述，在扇入型半導體封裝中，半導體晶片的所有輸入/輸出端子均需要配置於半導體晶片內。因此，當半導體晶片的尺寸減小時，須減小球的尺寸及間距，使得標準化球佈局（standardized ball layout）無法在扇入型半導體封裝中使用。另一方面，如上所述，所述扇出型半導體封裝具有其中半導體晶片的輸入/輸出端子經由形成在半導體晶片上的連接構件而進行重新分佈並朝向半導體晶片之外配置的形式。因此，即使在半導體晶片的尺寸減小的情況下，標準化球佈局亦可照樣用於扇出型半導體封裝中，使得扇出型半導體封裝可安裝在電子裝置的主板上而不需要單獨的中介基板，如下文所述。
圖8為說明扇出型半導體封裝安裝在電子裝置的主板上的情形的剖視示意圖。
參照圖式，扇出型半導體封裝2100可經由焊球2170等安裝在電子裝置的主板2500上。亦即，如上所述，扇出型半導體封裝2100包括連接構件2140，連接構件2140形成在半導體晶片2120上，並能夠將連接墊2122重新分佈至半導體晶片2120外的扇出區域，進而使得可照樣在扇出型半導體封裝2100中使用標準化球佈局。因此，扇出型半導體封裝2100可在不使用單獨的中介基板等的條件下安裝在電子裝置的主板2500上。
如上所述，由於扇出型半導體封裝可安裝在電子裝置的主板上而無需使用單獨的中介基板，因此扇出型半導體封裝可在其厚度小於使用中介基板的扇入型半導體封裝的厚度的情況下實施。因此，可使扇出型半導體封裝小型化且薄化。另外，扇出型半導體封裝具有優異的熱特性及電性特性，進而使得扇出型半導體封裝尤其適合用於行動產品。因此，扇出型半導體封裝可被實作成較使用印刷電路板（PCB）的一般堆疊式封裝類型的形式更小型（compact）的形式，且可解決因出現翹曲（warpage）現象而造成的問題。
同時，扇出型半導體封裝意指一種如上述用於將半導體晶片安裝在電子裝置的主板等上並且保護半導體晶片免受外部影響的封裝技術，且扇出型半導體封裝與例如中介基板等的印刷電路板（PCB）為不同概念，其中印刷電路板具有與扇出型半導體封裝不同的規格及目的等，並且具有扇入型半導體封裝嵌入其中。
以下將參照圖式說明具有光學指紋辨識功能的極小型且極薄的扇出型感測器封裝。
圖9為說明扇出型感測器封裝的實例的剖視示意圖。
圖10為沿著圖9中的扇出型感測器封裝的剖線I-I’所截取的平面示意圖。
參照圖式，根據本揭露中例示性實施例的扇出型感測器封裝100A可包括連接構件110，具有貫穿孔110H；影像感測器120，配置在連接構件110的貫穿孔110H中，且具有主動面以及與所述主動面相對的非主動面，主動面上配置有連接墊120P；光學透鏡125，配置在影像感測器120的主動面上；包封體130，包封連接構件110的至少部分、影像感測器120的至少部分以及光學透鏡125的至少部分；以及重佈線層142，配置在連接構件110、影像感測器120的主動面以及光學透鏡125上。連接構件110可包括佈線層112a及佈線層112b，且重佈線層142可使佈線層112a及佈線層112b與連接墊120P彼此電性連接。
在根據相關技術領域的感測器封裝中，普遍使用球柵陣列（BGA）基板。舉例而言，影像感測器配置在球柵陣列基板上，藉由焊線接合（wire bonding）而電性連接至球柵陣列基板，且以模製材料進行模製。然而，在此結構中，由於配置在球柵陣列基板及影像感測器上的焊線接合、單獨配置在影像感測器上的光學透鏡等的緣故，感測器封裝的結構變得複雜，且感測器封裝的尺寸及厚度增加。另外，難以控制模製厚度，因此需要複雜的模製製程。另外，感測器封裝的大幅翹曲因不對稱結構而產生，使得指紋感測靈敏度降低且安裝感測器封裝在電路板等之上時的良率降低。另外，感測器封裝的翹曲在使用感測器封裝製造模組的製程中堆疊紅外線截止濾波器（infrared cut-off filter）及金屬罩（metal shield）方面產生困難。
另一方面，在根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A中，具有佈線層112a及佈線層112b的連接構件110可替代球柵陣列基板被導入，具有感測器區域120S的影像感測器120及具有光學指紋辨識功能的光學透鏡125可配置在連接構件110的貫穿孔110H中並且接著以包封體130進行包封，且影像感測器120的連接墊120P可使用重佈線層142、通孔143a及通孔143b而電性連接至連接構件110的佈線層112a及佈線層112b。因此，相較於根據相關技術領域的光學指紋感測器封裝的結構而言，根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A的尺寸及厚度可顯著地降低，且到觸控面板（touch panel）的感測距離可從而顯著地降低，進而使感測靈敏度獲得改善。此外，在根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A中，可經由連接構件110及包封體130控制扇出型感測器封裝100A的翹曲，且翹曲所造成的缺陷可從而顯著地減少。舉例而言，使用連接構件110的厚度及材料，可將所需的剛性提供給扇出型感測器封裝100A，且包封體130可用於保護影像感測器120，並可在包封體130與其中形成有重佈線層142的絕緣構件141之間實施大致對稱的結構，進而控制扇出型感測器封裝100A的翹曲。
以下將更詳細說明根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A中所包括的個別的組件。
連接構件110可視特定材料維持扇出型感測器封裝100A的剛性，並可用以確保包封體130的厚度均勻性。影像感測器120的連接墊120P可藉由連接構件110經由電性連接結構180等而電性連接至電子裝置的主板。連接構件110可包括多個佈線層112a及多個佈線層112b，以有效地重新分佈影像感測器120的連接墊120，且連接構件110可提供寬佈線設計區域（wide wiring design region）以顯著地抑制重佈線層在其他區域中形成。影像感測器120可配置在貫穿孔110H中，以與連接構件110分隔預定距離。影像感測器120的側表面可被連接構件110環繞，但不以此為限。
連接構件110可包括絕緣層111；第一佈線層112a，配置在絕緣層111的上表面上；第二佈線層112b，配置在絕緣層111的下表面上；以及通孔113，貫穿絕緣層111並使第一佈線層112a與第二佈線層112b彼此電性連接。必要時，構成連接構件110的絕緣層的數量可進一步增加。在此情況下，連接構件110可具有數量較大的佈線層及通孔。舉例而言，佈線層亦可配置在多個絕緣層之間。
舉例而言，包括無機填料及絕緣樹脂的材料可作為絕緣層111的材料。舉例而言，可使用熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺樹脂；或包括加強材料（例如：無機填料，例如二氧化矽、氧化鋁等）的樹脂，更具體而言，味之素構成膜（ABF）、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪（Bismaleimide Triazine，BT）、感光成像介電（photoimagable dielectric，PID）樹脂、BT等。或者，絕緣材料亦可為核心材料（例如：玻璃纖維、玻璃布或玻璃織物）及/或無機填料浸入熱固性樹脂或熱塑性樹脂中的材料，例如預浸體（prepreg）等。或者，可使用玻璃板、陶瓷板、金屬板等。
佈線層112a及佈線層112b可為傳導材料，例如銅（Cu）、鋁（Al）、銀（Ag）、錫（Sn）、金（Au）、鎳（Ni）、鉛（Pb）、鈦（Ti）或其合金。佈線層112a及佈線層112b可視其對應的層的設計而執行各種功能。舉例而言，佈線層112a及佈線層112b可包括接地（GND）圖案、電源（PWR）圖案及訊號（S）圖案等。此處，訊號圖案（S）可包括除了接地圖案（GND）及電源圖案（PWR）等以外的各種訊號，例如資料訊號等。另外，佈線層112a及佈線層112b可包括用於通孔的接墊圖案、用於電性連接結構的接墊圖案等。佈線層112a的厚度及佈線層112b的厚度可大於重佈線層142的厚度。考量薄度及精密間距等，重佈線層142可藉由精密的半導體製程等形成。因此，重佈線層142的厚度可相對小於佈線層112a的厚度及佈線層112b的厚度。
通孔113可貫穿絕緣層111並可使第一佈線層112與第二佈線層112b彼此電性連接。通孔113中的每一者的材料可為傳導材料。傳導材料可完全填充通孔113中的每一者，或傳導材料可沿著通孔孔洞中每一者的壁面形成。通孔113中的每一者可為完全貫穿絕緣層111的貫通孔，並可具有圓柱形或沙漏形，但不以此為限。當絕緣層111的數量為多數時，通孔113的層數亦可為多數。
影像感測器120可為互補式金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）影像感測器（CIS），但不以此為限。影像感測器120可以主動晶圓為基礎形成。在此情況下，本體的基礎材料（basic material）可為矽（Si）、鍺（Ge）或砷化鎵（GaAs）等。在本體上可形成各種電路。連接墊120P可使影像感測器120電性連接至其他組件。連接墊120P中每一者的材料可為傳導材料，例如鋁（Al）等。影像感測器120的主動面意指其上配置有連接墊120P的表面。必要時，覆蓋連接墊120P的至少部分的鈍化層120PS可形成在本體上。鈍化層120PS可為氧化物膜、氮化物膜等或為氧化物層與氮化物層的雙層。另外，必要時，感光聚醯亞胺層（未繪示）可配置在鈍化層120PS上。絕緣層（未繪示）等亦可進一步配置在其它所需的位置中。光學透鏡125可配置在影像感測器120的主動面上。光學透鏡125可為經過設計的透鏡，以使得光學特性（例如：折射係數（refractive index）、磁導率（magnetic permeability）等）在需要的範圍內。光學透鏡125的材料不受特別限制，但可例如為玻璃。然而，光學透鏡125的材料不以此為限。光學透鏡125可在晶圓上形成在影像感測器120的主動面上，並可與影像感測器120整合。
必要時，被動組件128可配置在連接構件110的貫穿孔110H中。被動組件128可在貫穿孔110H中與影像感測器120並列配置。被動組件128可經由至少部分貫穿絕緣構件141的第三通孔143c電性連接至重佈線層142。影像感測器120與被動組件128可經由重佈線層142而彼此電性連接。被動組件128可為已知的被動組件，例如電容器、電感器或焊珠（bead）等。
包封體130可保護影像感測器120。包封體130的包封形式不受特別限制，而是可為包封體130環繞影像感測器120的至少部分的形式。舉例而言，包封體130可覆蓋連接構件110的至少部分及影像感測器120的非主動面的至少部分，並可填充貫穿孔110H的壁面及影像感測器120的側表面之間的至少部分空間。另外，包封體130亦可覆蓋光學透鏡125的側表面。亦即，包封體130可覆蓋影像感測器120的非主動面及側表面，並可覆蓋影像感測器120的主動面的至少部分。包封體130的特定材料不受特別限制。舉例而言，絕緣材料可作為包封體130的特定材料。在此情況下，所述絕緣材料可為熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺樹脂；具有浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的加強材料（例如：無機填料）的樹脂，例如味之素構成膜（ABF）、FR-4、BT或感光成像介電（PID）樹脂等。另外，亦可使用已知的模製材料，例如環氧模製化合物（EMC）等。或者，絕緣材料亦可為核心材料（例如：玻璃纖維、玻璃布或玻璃織物）及/或無機填料浸入熱固性樹脂或熱塑性樹脂中的樹脂。同時，包封體130的材料及厚度可調整，以使得包封體130（亦即，影像感測器120垂直正下方的包封體130的部分）相對於連接構件110而與絕緣構件141（亦即，光學透鏡125與紅外線截止濾波器150之間的絕緣構件141的部分）實質地對稱，如此可更有效控制扇出型感測器封裝的翹曲。此處，「包封體130相對於連接構件110而與絕緣構件141實質地對稱」意指包封體130相對於連接構件110而與絕緣構件141確實對稱。「包封體130相對於連接構件110而與絕緣構件141實質地對稱」也意指若存在可由本領域技術人員辨識的例如製程/測量誤差或變化所造成的厚度差異，包封體130可視為相對於連接構件110而與絕緣構件141實質地對稱。
絕緣構件141可作為用於形成重佈線層142的一種增層膜（build-up layer）。另外，絕緣構件141可保護重佈線層142。絕緣構件141的材料可為絕緣材料。在此情況下，絕緣材料可為感光絕緣材料，例如感光成像介電（PID）樹脂。絕緣材料為感光絕緣材料可有利於形成精密的圖案。當絕緣構件141包括多層時，絕緣構件141的多層的材料可彼此相同，必要時亦可彼此不同。當絕緣構件141包括多層時，絕緣構件141的多層可視製程而彼此整合，使得多層之間的邊界亦可不明顯。絕緣構件141可覆蓋光學透鏡125。在此情況下，符合所述光學透鏡的光學特性（例如：折射係數、磁導率等）的感光成像介電（PID）樹脂可作為絕緣構件141的材料。在此情況下，當藉由精密地控制絕緣構件141的表面粗糙度及平整度以維持光學特性時，可以絕緣構件141覆蓋且保護光學透鏡125。舉例而言，藉由顯著地將絕緣構件141的表面粗糙度降低至100奈米或更小且精密地控制絕緣構件141的平整度為10微米或更小，可改善光學特性。
通孔143a、通孔143b以及通孔143c可使在不同的層上所形成的連接墊120P、重佈線層142、佈線層112a、被動組件128等彼此電性連接，進而在扇出型感測器封裝100A中形成電性通路。通孔143a、通孔143b以及通孔143c中的每一者的材料可為傳導材料，例如銅（Cu）、鋁（Al）、銀（Ag）、錫（Sn）、金（Au）、鎳（Ni）、鉛（Pb）、鈦（Ti）或其合金。通孔143a、通孔143b以及通孔143c中的每一者可以傳導材料完全填充，或者傳導材料亦可沿通孔中的每一者的壁面形成。另外，通孔143a、通孔143b以及通孔143c中的每一者可具有相關技術領域中已知的所有形狀，例如錐形、圓柱形等。同時，光學透鏡125可配置在影像感測器120的主動面與絕緣構件141之間，且影像感測器120與絕緣構件141之間可從而具有台階。因此，使重佈線層142與連接墊120P彼此電性連接的第一通孔143a可貫穿包封體130的至少部分及絕緣構件141的至少部分。另一方面，使重佈線層142與第一佈線層112a彼此電性連接的第二通孔143b可僅貫穿絕緣構件141的至少部分。亦即，第一通孔143a的高度可大於第二通孔143b的高度。
紅外線截止濾波器150可配置在絕緣構件141上。紅外線截止濾波器150可配置在對應於影像感測器120的感測器區域120S及光學透鏡125的區域中。可配置紅外線截止濾波器150，以進一步改善光學特性。紅外線截止濾波器150可為用於過濾特定波長帶（例如：紅外線頻帶）的已知的濾波器。紅外線截止濾波器150可藉由層疊光學膜或塗佈光學液體塗料（optical liquid coating material）而形成。
暴露第二佈線層112b的至少部分的開口可形成在包封體130的下部分中，且電性連接結構180可配置在開口中。電性連接結構180可額外地用以外部物理連接或電性連接扇出型感測器封裝100A。舉例而言，扇出型感測器封裝100A可經由電性連接結構180安裝在電子裝置的主板上。連接至被暴露的第二佈線層112b的凸塊下金屬層（未繪示）可形成於在包封體130的下部分中所形成的開口中，且電性連接結構180可連接至凸塊下金屬層（未繪示）。
電性連接結構180中的每一者可由傳導材料形成，例如焊料等。然而，此僅為舉例說明，且電性連接結構180中的每一者的材料不以此為限。電性連接結構180中的每一者可為接腳（land）、球、引腳或凸塊等。電性連接結構180可形成為多層結構或單層結構。當電性連接結構180形成為多層結構時，電性連接結構180可包括銅柱及焊料。當電性連接結構180形成為單層結構時，電性連接結構180可包括錫-銀焊料或銅。然而，此僅為舉例說明，電性連接結構180不以此為限。電性連接結構180的數量、間隔或配置形式等不受特別限制，且可由此項技術領域中具有通常知識者視設計細節而充分修改。舉例而言，根據影像感測器120的連接墊120P的數量，電性連接結構180可設置為數十至數千的數量，且亦可設置為數十至數千或更多的數量或者數十至數千或更少的數量。電性連接結構180中的至少一者可配置在扇出區域中。所述扇出區域為除了影像感測器120所配置的區域之外的區域。亦即，根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A可為扇出型封裝。相較於扇入型封裝而言，扇出型封裝可具有優異的可靠性，扇出型封裝可實施多個輸入/輸出（I/O）端子，且扇出型封裝可有利於三維內連線（3D interconnection）。另外，相較於球柵陣列（ball grid array，BGA）封裝或接腳柵陣列（land grid array，LGA）封裝等而言，扇出型封裝可安裝在電子裝置上而不需要單獨的板。因此，扇出型封裝可製造為具有小的厚度並可具有價格競爭力。
同時，保護沒有配置紅外線截止濾波器150的區域的金屬罩191可配置在根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A的絕緣構件141上。另外，顯示面板192可配置在金屬罩191上。在此情況下，根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100A可模組化（modularized）。金屬罩191及顯示面板192可使用已知的黏合劑等附加至彼此。顯示面板192可為有機發光二極體（OLED）面板。從有機發光二極體面板192所發出的光可經由紅外線截止濾波器150、光學透鏡125等抵達影像感測器120。在此情況下，當使用者的指紋在有機發光二極體面板192上被辨識時，影像感測器120可辨識從有機發光二極體面板192經由紅外線截止濾波器150及光學透鏡125傳遞至影像感測器120的特定光的影像。亦即，可提供一種光學指紋感測器模組。
同時，儘管圖式中未繪示，必要時，金屬層（未繪示）可進一步配置在貫穿孔110H的壁面上。金屬層（未繪示）可用於有效地發散從影像感測器120所產生的熱。另外，金屬層亦可用於阻擋電磁波。另外，必要時，具有與影像感測器120相同或不同功能的單獨的半導體晶片（未繪示）（例如：升壓積體電路（boost integrated circuit）、控制積體電路（control IC）等）可與影像感測器120一起配置在貫穿孔110H中。另外，必要時，貫穿孔110H的數量可為多數，且上述的半導體晶片或被動組件可分別配置在貫穿孔110H中。或者，上述的半導體晶片或被動組件可配置在連接構件110中。
圖11A至圖11D為說明製造圖9中的扇出型感測器封裝的製程的實例的示意圖。
參照圖11A，可優先製造連接構件110。連接構件110可藉由以下方法製造：製備材料（例如：包銅層板（copper clad laminate，CCL）等）作為絕緣層111的材料，在所述材料中形成通孔孔洞，以及藉由已知的電鍍方法形成佈線層112a、佈線層112b以及通孔113。接著，貫穿孔110H可形成在連接構件110中。可使用雷射鑽孔及/或機械鑽孔形成貫穿孔110H，但不以此為限。同時，必要時，連接構件110的貫穿孔110H可在形成通孔孔洞的時候形成。接著，膠帶200可附加至連接構件110的下部分。膠帶200的材料不受特別限制。亦即，所有可附加或可拆離的材料皆可作為膠帶200的材料。
接著，參照圖11B，光學透鏡125所附加到的影像感測器120可配置在連接構件110的貫穿孔110H中。在此情況下，影像感測器120可以面朝下（face-down）的方式配置，使得光學透鏡125附加至膠帶200。接著，可以包封體130包封連接構件110的至少部分、影像感測器120的至少部分以及光學透鏡125的至少部分。同時，藉由層疊用於形成在b階段（b-stage）中的包封體130的膜並接著將膜硬化的方法或是施加用於形成包封體130的液相材料並接著將所述材料硬化的方法，可進行包封。
接著，參照圖11C，可反轉目前為止製成的面板。接著，覆蓋光學透鏡125的第一絕緣層141a可形成在影像感測器120的主動面上。可藉由已知的層疊方法或塗佈方法形成第一絕緣層141a。接著，可形成貫穿第一絕緣層141a的至少部分及包封體130的至少部分的第一通孔孔洞143av以及僅貫穿第一絕緣層141a的至少部分的第二通孔孔洞143bv及第三通孔孔洞143cv。視第一絕緣層141a的材料及包封體130的材料，通孔孔洞143av、通孔孔洞143bv以及通孔孔洞143cv可藉由已知的光微影法或使用機械鑽孔及/或雷射鑽孔形成。必要時，亦可使用已知的光微影法及機械鑽孔及/或雷射鑽孔的組合。
接著，參照圖11D，可形成通孔143a、通孔143b、通孔143c以及重佈線層142。通孔143a、通孔143b、通孔143c以及重佈線層142可藉由已知的電鍍製程形成。接著，第二絕緣層141b可形成在第一絕緣層141a上。第二絕緣層141b亦可藉由已知的層疊方法或塗佈方法形成。因此，可形成絕緣構件141。接著，暴露連接構件110的第二佈線層112b的至少部分的開口可形成在包封體130的下部分中，且電性連接結構180可形成在開口中。接著，必要時，可配置紅外線截止濾波器150、金屬罩191、顯示面板192等。
圖12為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100B中，開口140H可形成在絕緣構件141中以暴露光學透鏡125。在此情況下，不具有光學特性的感光絕緣材料可作為絕緣構件141的材料。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。
圖13為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100C中，第一通孔143a1及第一通143a2可包括多個層。亦即，第一通孔143a1及第一通孔143a2可包括貫穿絕緣構件141的至少部分的第四通孔143a1及貫穿包封體130的至少部分的第五通孔143a2。第四通孔143a1及第五通孔143a2可經由配置在包封體130上的通孔接墊彼此連接。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。同時，根據另一實施例的扇出型感測器封裝100B的特徵亦可與根據另一實施例的扇出型感測器封裝100C的特徵組合。
圖14為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
圖15為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100D及扇出型感測器封裝100E中，紅外線截止濾波器150可以各種形式配置。舉例而言，如圖14中所示，紅外線截止濾波器150可形成在絕緣構件141的整個表面上。或者，如圖15中所示，紅外線截止濾波器150可僅形成在絕緣構件141的對應於光學透鏡125的部分上，且當開口140H形成在在絕緣構件141中時，紅外線截止濾波器150可形成在開口140H中以接觸光學透鏡125。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。同時，根據另一實施例的扇出型感測器封裝100D的特徵及扇出型感測器封裝100E的特徵亦可與根據另一實施例的扇出型感測器封裝100C的特徵組合。
圖16為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100F中，重佈線層142可直接接觸連接構件110的第一佈線層112a而無需通孔。亦即，重佈線層142可形成在包封體130上並可延伸至第一佈線層112a。在此情況下，可省略絕緣構件141，且重佈線層142可從而被包封體130上所配置的紅外線截止濾波器150覆蓋。重佈線層142可經由僅貫穿包封體130的至少部分的第一通孔143a而電性連接至連接墊120P。同時，在同樣的情況下，紅外線截止濾波器150與光學透鏡125可彼此接觸。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。
圖17為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100G中，影像感測器120及光學透鏡125可具有實質地相同的尺寸。在此情況下，溝渠125v可形成在光學透鏡125中，使得第一通孔143a不會貫穿包封體130但可貫穿光學透鏡125，並且可接著連接至影像感測器120的連接墊120P。亦即，重佈線層142可經由貫穿絕緣構件141的至少部分及光學透鏡125的至少部分的第一通孔143a而電性連接至連接墊120P。同時，當影像感測器120及光學透鏡125具有實質地相同的尺寸時，在光學透鏡125形成在晶圓上的影像感測器120上之後，可能不需要單獨的額外切割製程，或者核心部分或e-桿結構（e-bar structure）可被移除或顯著地減小。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。同時，根據另一實施例的扇出型感測器封裝100B、扇出型感測器封裝100D、扇出型感測器封裝100E以及扇出型感測器封裝100F的特徵亦可與根據另一實施例的扇出型感測器封裝100G的特徵組合。
圖18為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，在根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100H中，影像感測器120可包括配置在影像感測器120的非主動面上的電極接墊123以及貫穿影像感測器120的本體並使連接墊120P與電極接墊123彼此電性連接的通孔124。因此，重佈線層142沒有配置在影像感測器120的主動面上，但可配置在影像感測器120的非主動面上。詳細而言，重佈線層142可配置在鄰接影像感測器120的非主動面的包封體130上。分別而言，重佈線層142可經由各自貫穿至少部分包封體130的第一通孔143a及第二通孔143b而電性連接至電極接墊123及連接構件110的第二佈線層112b。具有暴露至少部分重佈線層142的開口135h的鈍化層135可配置在包封體130上。電性連接結構180可形成在鈍化層135的開口135h中，必要時凸塊下金屬層（未繪示）可形成在開口135h中，且電性連接結構180可連接至凸塊下金屬層（未繪示）。紅外線截止濾波器150可配置在光學透鏡125上，並可覆蓋光學透鏡125及連接構件110的第一佈線層112a。鈍化層135可為包括無機填料及絕緣樹脂的味之素構成膜等，但不以此為限。同時，影像感測器120及光學透鏡125具有實質地相同的尺寸，且當影像感測器120及光學透鏡125具有實質地相同的尺寸時，在光學透鏡125在晶圓上的影像感測器120形成之後，可能不需要單獨的額外切割製程，或者核心部分或e-桿結構可被移除或顯著地減小。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。
圖19為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。
參照圖式，根據本揭露中另一實施例的扇出型感測器封裝100I可進一步包括背面重佈線層132，配置在包封體130上；背面通孔133，貫穿包封體130的至少部分並使連接構件110的第二佈線層112b與背面重佈線層132彼此電性連接；以及鈍化層135，配置在包封體130上並具有暴露背面重佈線層132的至少部分的開口135h。電性連接結構180可形成在鈍化層135的開口135h中，必要時凸塊下金屬層（未繪示）可形成在開口135h中，且電性連接結構180可連接至凸塊下金屬層（未繪示）。藉由形成背面重佈線層132，包封體130上的扇入區域亦可作為路由區域（routing region）。因此，可形成數量較大的電性連接結構180。其他架構的說明以及關於製造扇出型感測器封裝的說明因與上述重複而省略。
如前所述，根據本揭露中的例示性實施例，可提供一種結構簡單、可解決翹曲問題且感應靈敏度優異的極小型且極薄的扇出型感測器封裝以及包括所述封裝的光學指紋感測器模組。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾。
100‧‧‧半導體封裝
100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I‧‧‧扇出型感測器封裝
110‧‧‧連接構件
110H‧‧‧貫穿孔
111‧‧‧絕緣層
112a‧‧‧佈線層
112b‧‧‧佈線層
113‧‧‧通孔
120‧‧‧影像感測器
120P‧‧‧連接墊
120PS‧‧‧鈍化層
120S‧‧‧感測器區域
123‧‧‧電極接墊
124‧‧‧通孔
125‧‧‧光學透鏡
125v‧‧‧溝渠
128‧‧‧被動組件
130‧‧‧包封體
132‧‧‧背面重佈線層
133‧‧‧背面通孔
135‧‧‧鈍化層
135h‧‧‧開口
140H‧‧‧開口
141‧‧‧絕緣構件
141a‧‧‧第一絕緣層
142‧‧‧重佈線層
143a‧‧‧第一通孔
143b‧‧‧第二通孔
143c‧‧‧第三通孔
143a1‧‧‧第四通孔
143a2‧‧‧第五通孔
143av‧‧‧第一通孔孔洞
143bv‧‧‧第二通孔孔洞
143cv‧‧‧第三通孔孔洞
150‧‧‧紅外線截止濾波器
180‧‧‧電性連接結構
191‧‧‧金屬罩
192‧‧‧顯示面板
200‧‧‧膠帶
1000‧‧‧電子裝置
1010‧‧‧母板
1020‧‧‧晶片相關組件
1030‧‧‧網路相關組件
1040‧‧‧其他組件
1050‧‧‧相機模組
1060‧‧‧天線
1070‧‧‧顯示裝置
1080‧‧‧電池
1090‧‧‧訊號線
1100‧‧‧智慧型電話
1101‧‧‧本體
1110‧‧‧母板
1120‧‧‧電子組件
1130‧‧‧相機模組
2100‧‧‧扇出型半導體封裝
2120‧‧‧半導體晶片
2121‧‧‧本體
2122‧‧‧連接墊
2130‧‧‧包封體
2140‧‧‧連接構件
2141‧‧‧絕緣層
2142‧‧‧佈線圖案
2143‧‧‧通孔
2150‧‧‧鈍化層
2160‧‧‧凸塊下金屬層
2170‧‧‧焊球
2200‧‧‧扇入型半導體封裝
2220‧‧‧半導體晶片
2221‧‧‧本體
2222‧‧‧連接墊
2223‧‧‧鈍化層
2240‧‧‧連接構件
2241‧‧‧絕緣層
2242‧‧‧佈線圖案
2243‧‧‧通孔
2243h‧‧‧通孔孔洞
2250‧‧‧鈍化層
2251‧‧‧開口
2260‧‧‧凸塊下金屬層
2270‧‧‧焊球
2280‧‧‧底部填充樹脂
2290‧‧‧模製材料
2301‧‧‧中介基板
2302‧‧‧中介基板
2500‧‧‧主板
I-I’‧‧‧剖線
下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明，本揭露的上述及其他態樣、特徵及優點將能更明顯易懂，在所附圖式中： 圖1為說明電子裝置系統的實例的方塊示意圖。 圖2為說明電子裝置的實例的剖視示意圖。 圖3A及圖3B為說明扇入型半導體封裝在封裝前及封裝後狀態的剖視示意圖。 圖4為說明扇入型半導體封裝的封裝製程的剖視示意圖。 圖5為說明扇入型半導體封裝安裝在中介基板上且最終安裝在電子裝置的主板上之情形的剖視示意圖。 圖6為說明扇入型半導體封裝嵌入中介基板中且最終安裝在電子裝置的主板上之情形的剖視示意圖。 圖7為說明扇出型半導體封裝的剖視示意圖。 圖8為說明扇出型半導體封裝安裝在電子裝置的主板上的情形的剖視示意圖。 圖9為說明扇出型感測器封裝的實例的剖視示意圖。 圖10為沿著圖9中的扇出型感測器封裝的剖線I-I’所截取的平面示意圖。 圖11A至圖11D為說明製造圖9中的扇出型感測器封裝的製程的實例的示意圖。 圖12為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖13為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖14為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖15為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖16為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖17為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖18為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。 圖19為說明扇出型感測器封裝的另一實例的剖視示意圖。

Claims (19)

  1. 一種扇出型感測器封裝，包括： 連接構件，具有貫穿孔； 影像感測器，配置在所述貫穿孔中並具有主動面及與所述主動面相對的非主動面，所述主動面上配置有連接墊及感測器區域； 光學透鏡，配置在所述影像感測器的所述主動面上； 包封體，包封所述連接構件的至少部分、所述影像感測器的至少部分以及所述光學透鏡的至少部分；以及 重佈線層，配置在所述連接構件、所述影像感測器以及所述光學透鏡上， 其中所述連接構件包括第一佈線層，且 所述重佈線層使所述第一佈線層與所述連接墊彼此電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述影像感測器為互補式金屬氧化物半導體影像感測器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括配置在所述連接構件、所述主動面以及所述光學透鏡上的絕緣構件， 其中所述重佈線層配置在所述絕緣構件中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的扇出型感測器封裝，其中所述包封體相對於所述連接構件而與所述絕緣構件實質地對稱。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括配置在所述絕緣構件上的紅外線截止濾波器。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的扇出型感測器封裝，其中所述絕緣構件具有暴露所述光學透鏡的開口。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括配置在所述開口中的紅外線截止濾波器。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的扇出型感測器封裝，其中所述重佈線層經由貫穿所述絕緣構件的至少部分及所述包封體的至少部分的第一通孔而電性連接至所述連接墊，並經由貫穿所述絕緣構件的至少部分的第二通孔而電性連接至所述第一佈線層，且 所述第一通孔的高度大於所述第二通孔的高度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的扇出型感測器封裝，其中所述第一通孔包括貫穿所述絕緣構件的至少部分的第三通孔以及貫穿所述包封體的至少部分的第四通孔，且 藉由配置在所述包封體上並具有尺寸大於所述第三通孔及所述第四通孔的尺寸的通孔接墊，所述第三通孔與所述第四通孔彼此連接。
  10. 如申請專利範圍第3項所述的扇出型感測器封裝，其中所述重佈線層經由貫穿所述絕緣構件的至少部分及所述光學透鏡的至少部分的第一通孔而電性連接至所述連接墊，並經由貫穿所述絕緣構件的至少部分的第二通孔而電性連接至所述第一佈線層，且 所述第一通孔的高度大於所述第二通孔的高度。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述重佈線層直接接觸所述第一佈線層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括配置在所述連接構件、所述主動面以及所述光學透鏡上的紅外線截止濾波器， 其中所述重佈線層由所述紅外線截止濾波器所覆蓋。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述影像感測器包括配置在所述非主動面上的電極接墊以及貫穿所述影像感測器的本體並使所述連接墊與所述電極接墊彼此連接的通孔，且 所述重佈線層配置在所述包封體上，經由貫穿所述包封體的至少部分的第一通孔而電性連接至所述第一佈線層，且經由貫穿所述包封體的至少部分的第二通孔而電性連接至所述電極接墊。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述連接構件包括絕緣層；所述第一佈線層，配置在所述絕緣層的一個表面上；第二佈線層，配置在所述絕緣層的另一個表面上；以及通孔，貫穿所述絕緣層並使所述第一佈線層與所述第二佈線層彼此電性連接，且 所述第一佈線層以及所述第二佈線層電性連接至所述連接墊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括： 背面重佈線層，配置在所述包封體上； 背面通孔，貫穿所述包封體的至少部分並使所述第二佈線層與所述背面重佈線層彼此電性連接；以及 鈍化層，配置在所述包封體上並具有暴露所述背面重佈線層的至少部分的開口。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括在所述鈍化層的所述開口中形成並電性連接至被暴露的所述背面重佈線層的電性連接結構。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，進一步包括配置在所述貫穿孔中並電性連接至所述重佈線層的被動組件。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述包封體覆蓋所述影像感測器的所述非主動面及側表面，並覆蓋所述影像感測器的所述主動面的至少部分。
  19. 一種光學指紋感測器模組，包括： 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝；以及 顯示面板，配置在所述扇出型感測器封裝上， 其中所述顯示面板為有機發光二極體（OLED）面板。
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