TW201842514A - 積層配線膜和其製造方法以及鉬合金濺鍍靶材 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可應對用以使高精細的平面顯示元件的顯示品質提高所必需的、電極或配線膜的低反射的要求的積層配線膜和其製造方法，以及用以形成擔當低反射的中間膜的鉬合金膜的鉬合金濺鍍靶材。一種積層配線膜，其具有積層結構，所述積層結構於透明基板上或形成有透明膜的透明基板上形成有膜厚為30 nm～70 nm且包含鉬合金的中間膜，且於該中間膜正上方形成有比電阻為15 μΩ･cm以下的導電膜，所述積層配線膜自所述透明基板側測定的可見光反射率為15%以下；及一種用以形成中間膜的鉬合金濺鍍靶材。

Description

積層配線膜和其製造方法以及鉬合金漸鍍靶材
本發明是有關於一種積層配線膜和其製造方法以及鉬（Mo）合金濺鍍靶材，所述積層配線膜可用於要求低反射率特性的、例如平面顯示元件用的電極膜或配線膜且包括導電膜與中間膜，所述鉬合金濺鍍靶材用以形成所述中間膜。
於透明的玻璃基板等上形成薄膜器件的液晶顯示器（以下稱為「LCD（Liquid Crystal Display）」）、電漿顯示面板（以下稱為「PDP（Plasma Display Panel）」）、電子紙等中所利用的電泳型顯示器等平面顯示裝置（平板顯示器，以下稱為FPD（Flat Panel Display））伴隨大畫面、高精細、高速響應化而對其配線膜要求低電阻值（以下稱為「低電阻」）。而且，近年來開發出了對FPD加入操作性的觸控面板、或者使用透明的樹脂基板或極薄玻璃基板的可撓性的FPD等新的製品。
近年來，一直用作FPD的驅動元件的薄膜電晶體（Thin Film Transistor：以下稱為「TFT」）的配線膜為了達成所述高性能化而必需低電阻值，作為導電膜的材料而使用鋁（Al）或銅（Cu）。 現在，於TFT中使用的是矽（Si）半導體膜，若作為導電膜材料的鋁或銅與矽直接接觸，則存在因TFT製造中的加熱步驟而發生熱擴散，使TFT的特性劣化的情況。因此，使用如下的積層配線膜：於鋁或銅的導電膜與半導體膜的矽之間，設置有耐熱性優異的純鉬或鉬合金等的金屬膜作為阻隔（中間）膜。
一邊查看FPD的畫面一邊賦予直接的操作性的觸控面板基板畫面的大型化亦在發展，於智慧型手機或平板型個人電腦（personal computer，PC）、以及桌上型PC等中亦進行觸控操作的製品正在普及。於該觸控面板的位置檢測電極中，通常使用作為透明導電膜的銦-錫氧化物（Indium Tin Oxide：以下稱為「ITO」）膜。 近年來，於可進行多點檢測的靜電電容式的觸控面板中形成為配置有四角形的ITO膜的俗稱金剛石（diamond）配置，於連接四角形的ITO膜的電極或配線膜中亦使用所述金屬膜。於該金屬膜中使用的是容易獲得與ITO膜的接觸性的鉬合金或鉬合金與鋁的積層配線膜。
作為耐熱性、耐腐蝕性、與基板的密接性優異的低電阻的金屬膜，本發明者於專利文獻1中提出了使鉬中含有3原子%～50原子%的釩（V）或鈮（Nb），進而添加有鎳（Ni）或銅的金屬膜。 另一方面，為了對包含低電阻的銅的導電膜的表面進行保護，例如於專利文獻2或專利文獻3中提出了由作為金屬膜的鎳-銅合金被覆的積層配線膜。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-140319號公報 [專利文獻2]日本專利特開2011-52304號公報 [專利文獻3]日本專利特開2006-310814號公報
[發明所欲解決之課題] 於作為成為近年主流的全高清（full hi-vision）的代替品的具有四倍畫素的大型4K電視（4K-TV）、或以距視點數十公分左右的近距離對顯示畫面進行操作的智慧型手機中，高精細化正在發展。伴隨該高精細化，由入射光引起的金屬膜的反射使顯示品質下降這一新問題開始顯現。因此，對金屬膜提出的具有低反射率的特性（以下稱為「低反射」）的要求正在快速高漲。
另外，用於平面顯示元件的導電膜的鋁膜為在可見光區域中具有90%以上的高反射率的金屬。另外，同樣地用於平面顯示元件的導電膜的銅膜在可見光區域具有70%的反射率，在600 nm以上的長波長區域具有與銀（Ag）膜相同的95%以上的高反射率。 另一方面，作為為了保護該些導電膜而積層的中間膜的鉬膜或鉬合金膜具有60%左右的反射率。該些中間膜的反射率即便經過平面顯示元件的製造製程亦幾乎不會變化，因此，尤其於高精細的顯示裝置中，中間膜的反射成為使顯示品質下降的因素。因此，於如上所述的高精細化的顯示裝置中，要求反射率為15%以下的更低反射的積層配線膜。
如上所述，迄今為止已開發出了使用各種材質的配線膜或積層配線膜，但該些專利文獻中是著眼於作為導電膜或中間膜的阻隔性或保護性能進行了研究，關於用以應對今後的高精細的顯示裝置所必需的低反射這一新特性，未進行任何研究。
本發明的目的在於提供一種可應對用以使高精細的平面顯示元件的顯示品質提高所必需的、電極或配線膜的低反射的要求的積層配線膜和其製造方法，以及用以形成擔當低反射的中間膜的鉬合金膜的鉬合金濺鍍靶材。 [解決課題之手段]
本發明者有鑒於所述課題，為了於平面顯示元件或觸控面板的製造步驟中獲得低反射這一新特性而對各種合金膜及積層膜進行了研究。其結果發現，藉由將包含鉬合金的中間膜與導電膜積層於透明基板的正上方或形成有透明膜的透明基板的正上方，可獲得低反射的積層配線膜，從而達成了本發明。
即，本發明為一種積層配線膜的發明，所述積層配線膜具有積層結構，所述積層結構於透明基板的正上方或形成有透明膜的透明基板的正上方形成有膜厚為30 nm～70 nm且包含鉬合金的中間膜，且於所述中間膜的正上方形成有比電阻為15 μΩ･cm以下的導電膜，所述積層配線膜自所述透明基板側測定的可見光反射率為15%以下。 所述導電膜較佳為包含鋁、銅、銀的任一種，或者包含在鋁、銅、銀的任一種中含有合計為5原子%以下的選自過渡金屬及半金屬中的元素的鋁合金、銅合金、銀合金的任一種，且膜厚為50 nm～500 nm。 所述中間膜較佳為含有合計為5原子%～50原子%的選自鈦（Ti）、釩、鈮、鉭（Ta）、鎳、鈷（Co）及鐵（Fe）中的一種以上的元素作為金屬成分，且剩餘部分包含鉬及不可避免的雜質。 另外，所述中間膜較佳為含有合計為5原子%～20原子%的選自鈦及鈮中的一種以上的元素。 另外，所述中間膜較佳為含有1原子%～30原子%的鎳。
本發明為一種鉬合金濺鍍靶材的發明，其為用以形成所述中間膜的鉬合金濺鍍靶材，含有合計為5原子%～50原子%的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素，且剩餘部分包含鉬及不可避免的雜質。 所述鉬合金濺鍍靶材較佳為含有合計為5原子%～20原子%的選自鈦及鈮中的一種以上的元素。 所述鉬合金濺鍍靶材較佳為含有1原子%～30原子%的鎳。 另外，所述中間膜可於含有10體積%～90體積%的選自氧及氮中的至少一者的環境下，使用上述中所記載的鉬合金濺鍍靶材的任一種並藉由濺鍍法來形成。 [發明的效果]
本發明的積層配線膜可達成現有的積層配線膜所無法獲得的低反射率，因此例如可使FPD等的顯示品質提高。因此，對於作為更高精細的FPD而受到矚目的例如4K-TV或智慧型手機、或者平板型PC等下一代資訊終端或使用透明樹脂基板的可撓性的FPD而言，本發明成為非常有用的技術。其原因在於：於該些製品中，尤其是積層配線膜的低反射化非常重要。
將本發明的積層配線膜的應用例示於圖1。本發明的積層配線膜例如於透明基板1的正上方形成中間膜2，於該中間膜2的正上方形成導電膜3。 而且，本發明的重要特徵之一在於：於例如玻璃基板之類的透明基板的正上方、或者例如形成有透明樹脂膜等透明膜的透明基板的正上方所形成的中間膜中採用鉬合金，並將該中間膜的膜厚設為30 nm～70 nm。另外，本發明的另一重要特徵在於：於所述中間膜的正上方形成比電阻為15 μΩ･cm以下的導電膜，從而形成積層結構。進而，本發明的又一重要特徵在於：自透明基板側測定的可見光反射率為15%以下。以下，對本發明的各特徵進行詳細說明。 再者，於以下的說明中，所謂「反射率」是指可見光區域即波長360 nm～波長740 nm的範圍的平均反射率。
於本發明的積層配線膜中，若中間膜的膜厚未滿30 nm，則因上層的導電膜而光發生反射，於可見光區域的作為長波長側的600 nm以上中的反射率未充分降低而成為發紅的色調，難以獲得低反射特性。另外，若中間膜的膜厚超過70 nm，則短波長側的500 nm以下中的反射率未充分降低而成為發藍的色調，難以獲得低反射特性。為了使自透明基板側測定的可見光區域中的反射率為15%以下，將中間膜的膜厚設為30 nm～70 nm。進而，為了呈現更理想的可見光區域中的反射率的變化少的藍黑色調且形成10%以下的低反射膜，較佳為將中間膜的膜厚設為40 nm～60 nm的範圍。
本發明的積層配線膜中的形成於中間膜的正上方的導電膜的比電阻理想的是盡可能低，將該比電阻的值設為15 μΩ･cm以下。 本發明藉由以最適宜的膜厚構成對所述中間膜與導電膜進行積層，可形成具有更低反射的特性的積層配線膜。作為導電膜，較佳為包含可獲得低電阻的例如鋁、銅、銀的任一種，或者於鋁、銅、銀的任一種中含有合計為5原子%以下的選自過渡金屬及半金屬中的元素的鋁合金、銅合金、銀合金的任一種。此可考慮所要求的電阻值或製造步驟中的加熱步驟的溫度或環境、與其他氧化膜或保護膜的密接性、阻隔性等而適宜地選擇。
若鋁在透明基板上作為透明膜而形成有ITO膜且未形成中間膜的情況下與作為透明導電膜的ITO膜積層並經過加熱步驟，則會於界面中生成鋁的氧化物，從而存在電接觸性降低的情況。因此，較佳為於鋁的導電膜與ITO膜之間形成包含與ITO膜的接觸性優異的鉬合金的中間膜。 另外，銅的電阻值較鋁低而較佳。 另外，銀為價格高昂的材料，但另一方面，銀在具有與銅為相同程度的低電阻的同時，在作為銅的缺點的耐氧化性、耐濕性方面優異，亦具有與ITO膜的接觸性，因此，作為簡便的導電膜而較佳。
鉬容易被可應用於FPD中的所述鋁合金等的導電膜中所使用的蝕刻劑等蝕刻，但另一方面，耐濕性與耐氧化性低。 鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵為藉由含有於鉬中以製成鉬合金而具有改善耐濕性或耐氧化性的效果的元素。該效果藉由使鉬中含有合計為5原子%以上的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素而變得明確，且隨著含量的增加而變得顯著。因此，中間膜較佳為於鉬中含有合計為5原子%以上的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素。 另一方面，若過度增加該些元素的合計含量，則存在蝕刻性降低的情況。因此，若考慮到所述蝕刻劑等的蝕刻性，則中間膜較佳為於鉬中含有合計為50原子%以下的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素。
另外，中間膜較佳為含有合計為5原子%～20原子%的選自鈦及鈮中的一種以上的元素。鈦及鈮容易與氮鍵結，因此為可容易地使中間膜成為半透射著色膜的元素，能夠以少的含量實現低反射特性及耐濕性的改善以及蝕刻性的確保。該改善效果藉由選自鈦及鈮中的一種以上的元素的合計為5原子%以上而變得明確。 另一方面，若選自鈦及鈮中的一種以上的元素的合計超過20原子%，則存在蝕刻性降低的情況。因此，中間膜較佳為以合計為5原子%～20原子%的範圍含有選自鈦及鈮中的一種以上的元素。另外，基於與上述相同的理由，所述元素的合計更佳為10原子%～20原子%的範圍。
另外，中間膜較佳為含有1原子%～30原子%的鎳。鎳為能夠大幅提高鉬合金的耐乾式蝕刻性，並且有助於耐氧化性的提高的元素，此外，可對使用銅的導電膜時的蝕刻劑改善蝕刻性。但另一方面，若中間膜的鎳的含量過多，則難以獲得低反射特性，並且於使用鋁的導電膜並加熱至250℃以上的情況下，鎳容易熱擴散到鋁中。 另外，鎳所帶來的耐乾式蝕刻性的改善效果自鎳的含量為1原子%起出現，耐氧化性的改善效果自鎳的含量為5原子%起變得明確。 另一方面，若鎳的含量超過30原子%，則存在難以獲得低反射特性的情況。因此，中間膜較佳為以1原子%～30原子%的範圍含有鎳。另外，基於與上述相同的理由，更佳的鎳的下限為5原子%，更佳的鎳的上限為20原子%。
另外，中間膜可含有的鉭為可於壓縮側改變中間膜的膜應力的元素，且為尤其在當膜基板等中形成有中間膜時膜表面成為凹狀、即成為拉伸應力的情況下可緩和該應力的元素。該效果自鉭的含量為3原子%起出現。另外，鉭容易與氮鍵結，因此為可容易地使中間膜成為半透射著色膜的元素，但鉭為重量且價格高昂的元素，因此較佳設為盡可能少的含量。 另外，中間膜可含有的鐵為廉價的元素，但為若擴散至作為半導體膜的矽中則使特性劣化的元素。於使中間膜含有鐵的情況下，於觸控面板等用途中變得較佳。
導電膜的膜厚較佳為50 nm～500 nm。導電膜的導電性或透光性根據所選擇的材質而不同，但若膜厚未滿50 nm，則導電膜的連續性變低，存在因電子散射的影響而電阻值容易增加，並且透射光增加的情況，難以獲得低反射。因此，為了獲得穩定的低反射特性，更佳為將導電膜的膜厚設為透射光將減少的50 nm以上。 另一方面，若導電膜的膜厚超過500 nm，則於形成時花費時間，並且於應用於透明的膜基板等中的情況下，容易因膜應力而產生翹曲。 另外，為了緩和由導電膜的膜表面中的電子散射的影響引起的電阻值的增加而獲得穩定的低電阻，導電膜的膜厚更佳為設為100 nm以上。
作為形成所述中間膜的方法，最適宜的是使用鉬合金濺鍍靶材的濺鍍法。濺鍍法為物理蒸鍍法的一種，且為與其他真空蒸鍍或離子鍍敷相比可穩定地形成大面積的方法，並且為組成變動少、可獲得優異的薄膜的有效的方法。
另外，於本發明的積層配線膜的製造方法中，當為了形成中間膜而使用鉬合金濺鍍靶材進行濺鍍時，較佳為於含有氮的環境中進行濺鍍。藉此，當將中間膜與導電膜積層時，可形成容易吸收光的半透射著色膜。 而且，該含有氮的環境可藉由使用反應性濺鍍法來形成，所述反應性濺鍍法使用除通常濺鍍氣體中使用的作為惰性氣體的氬以外亦包含特定量的氮的濺鍍氣體。
於使用反應性濺鍍法的情況下，當將構成濺鍍氣體的氬與氮的含有比率設為合計為100體積%時，濺鍍氣體的氮的含有比率較佳為設為10體積%～90體積%的範圍。藉由設為該範圍，容易獲得自透明基板側測定的可見光反射率為15%以下的積層配線膜。較佳的氮的含有比率的下限為20體積%，進而佳的下限為40體積%。另外，較佳的氮的含有比率的上限為80體積%，進而佳的上限為60體積%。 另外，藉由將構成濺鍍氣體的氮的一部分置換為氧，亦可使中間膜的密接性提高，但於含有氧的情況下，若氧的含量超過氮的含量，則存在中間膜發生透射而難以獲得低反射的情況。因此，濺鍍氣體中的氧的含量較佳為少於氮的含量。
另外，於所述中間膜的反應性濺鍍法中，投入電力理想的是將濺鍍時施加的電力的值除以濺鍍靶的濺鍍面的面積值而得的值作為電力密度，並將該電力密度作為指標。而且，其電力密度較佳為設為2 W/cm2 ～6 W/cm2 的範圍。若電力密度未滿2 W/cm2 ，則成膜速度變得緩慢，並且放電容易變得不穩定，難以進行穩定的中間膜的形成。 另一方面，若電力密度超過6 W/cm2 ，則難以獲得低反射的中間膜。認為其原因在於：於反應性濺鍍中，認為濺鍍靶的粒子在與反應氣體反應後被濺鍍，但若電力密度變高，則反應後的濺鍍靶的粒子因氬而再次分解濺鍍，難以納入至膜中。
另外，認為本發明的積層配線膜中的包含鉬合金的中間膜較佳為根據所述製造方法而成為於鉬合金中含有氮者。但因難以準確地確定中間膜中的氮的含量，故無法明確地規定具體的氮的含量。 然而，根據發明者的推測，認為中間膜中所含的氮的含量較佳為2原子%～60原子%。進而佳的下限為3原子%，進而佳的上限為30原子%。藉由設為該較佳的範圍，容易獲得自透明基板側測定的可見光反射率為15%以下的積層配線膜。 另外，當將中間膜與導電膜積層時，較佳為形成容易吸收光的半透射著色膜。
用以形成構成本發明的積層配線膜的中間膜的鉬合金濺鍍靶材為了形成所述中間膜而較佳設為如下的鉬合金：含有合計為5原子%～50原子%的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素作為金屬成分，且剩餘部分包含鉬及不可避免的雜質。 另外，作為鉬合金濺鍍靶材中含有的元素，鈦、釩、鈮、鉭為週期律表中鉬的周邊元素，且為容易與鉬合金化的元素。其中，若考慮到工業上的元素單價與獲取性等，則較佳為以5原子%～20原子%的範圍含有選自鈦及鈮中的一種以上的元素。另外，基於與上述相同的理由，所述元素的合計更佳為10原子%～20原子%的範圍。 另外，作為鉬合金濺鍍靶材中含有的元素，鎳、鈷、鐵單獨為磁性元素。而且，為了使濺鍍靶材的利用效率提高，較佳為將鉬與該些元素合金化，並使居里點（Curie point）降低而於常溫下成為非磁性，且使該些存在於鉬合金濺鍍靶材中。其中，較佳為以1原子%～30原子%的範圍含有飽和磁通密度低、容易非磁性化的鎳。而且，基於與上述相同的理由，鎳更佳為5原子%～20原子%的範圍。
作為用以形成構成本發明的積層配線膜的中間膜的鉬合金濺鍍靶材的製造方法，例如可應用粉末燒結法。鉬為高熔點的金屬，因此，可製造鉬粉末、與例如藉由氣體霧化（gas atomize）法而含有添加元素的合金粉末來作為原料粉末，或者將對多種合金粉末或純金屬粉末以成為本發明的最終組成的方式進行混合而成的混合粉末作為原料粉末。 作為原料粉末的燒結方法，可使用熱均壓、熱壓、放電電漿燒結、擠出壓製燒結等加壓燒結。 於用以形成構成本發明的積層配線膜的中間膜的鉬合金濺鍍靶材中，較佳為不可避免的雜質的含量少。而且，本發明的鉬合金濺鍍靶材亦可於無損本發明的作用的範圍內包含作為氣體成分的氧、氮或碳，作為過渡金屬的銅，作為半金屬的鋁、矽等不可避免的雜質。 此處，各主要構成元素以相對於主要構成元素整體的原子%表示，主要構成元素以外的不可避免的雜質以於鉬合金濺鍍靶材整體中的質量ppm表示。例如，碳為200質量ppm以下，銅為200質量ppm以下，鋁、矽分別為100質量ppm以下等，且去除了氣體成分的純度較佳為99.9質量%以上。 [實施例1]
首先，為了形成中間膜而製作濺鍍靶材。將平均粒徑為6 μm的鉬粉末、平均粒徑為85 μm的鈮粉末、平均粒徑為150 μm的鈦粉末、以及平均粒徑為100 μm的鎳粉末以成為表1所示的組成的方式混合，並填充於軟鋼製的罐中，然後一邊加熱一邊進行真空排氣，於將罐內脫氣後將罐密封。 接著，將經密封的罐放入熱均壓裝置中，以1000℃、100 MPa、5小時的條件進行燒結後，藉由機械加工而製作直徑100 mm、厚度5 mm的濺鍍靶材。 另外，為了形成作為比較例的鎳-銅-鉬合金的中間膜，按照以原子比計成為鎳-25%銅-8%鉬的方式對鎳原料、銅原料及鉬原料進行秤量，利用真空熔解爐並藉由熔解鑄造法來製作鑄錠。藉由對該鑄錠進行機械加工而製作直徑100 mm、厚度5 mm的鎳合金濺鍍靶材。
另外，為了形成作為積層於中間膜的正上方的導電膜的鋁膜及銀膜，準備直徑100 mm、厚度5 mm的鋁及銀的濺鍍靶材。鋁濺鍍靶材使用住友化學股份有限公司所製造者，銀濺鍍靶材使用古谷金屬（Furuya Metal）股份有限公司所製造者。另外，用以形成作為導電膜的銅膜的銅濺鍍靶材是自日立金屬股份有限公司製造的無氧銅（Oxygen Free Copper，OFC）的原材料切出而製作。另外，用以形成ITO的濺鍍靶材使用JX金屬股份有限公司所製造者。
將上述中所準備的各濺鍍靶材焊接於銅製的背板（backing plate），並安裝於愛發科（ULVAC）股份有限公司製造的濺鍍裝置（型號：CS-200）。然後，於25 mm×50 mm的玻璃基板（製品編號：伊戈爾（Eagle）XG）的正上方，使用表1所示的濺鍍氣體形成各膜厚構成的中間膜及導電膜，從而製作各試樣。此處，於將投入電力設為200 W時，電力密度成為2.6 W/cm2 。另外，導電膜是使用氬作為濺鍍氣體並於投入電力500 W的條件下形成於中間膜的正上方。另外，試樣No.8是於所述玻璃基板的正上方形成有厚度為100 nm的ITO膜。 關於所獲得的各試樣，將測定反射率及比電阻而得的結果示於表1中。另外，關於反射率的測定，使用柯尼卡美能達（Konica Minolta）股份有限公司製造的分光測色計（型號編號：CM2500d），自玻璃基板面側與導電膜面側進行測定。另外，關於比電阻的測定，使用三菱油化股份有限公司製造的薄膜電阻率計（型號編號：MCP-T400），自導電膜面側進行測定。
[表1]
如表1所示，可確認到作為本發明例的積層配線膜具有自透明的玻璃基板側測定的反射率為15%以下的低反射率。 [實施例2]
接著，使用由表1的試樣No.5製作的、包含以原子比計為鉬-15%鎳-15%鈦的鉬合金濺鍍靶材，將投入電力設為200 W，將作為濺鍍氣體的氬與氮的含有比率變更為表2所示的條件，於各玻璃基板的正上方形成膜厚50 nm的中間膜。然後，於該中間膜的正上方，使用氬作為濺鍍氣體並於投入電力500 W的條件下形成作為導電膜的鋁膜。 藉由與實施例1相同的方法測定反射率及比電阻。將其結果示於表2。
[表2]
如表2所示，可確認到於由包含氬與氮的濺鍍氣體形成的包含鉬合金的中間膜的正上方形成有導電膜的、作為本發明例的積層配線膜具有自透明的玻璃基板側測定的反射率為15%以下的低反射率。 另外，將試樣No.5、試樣No.13～試樣No.16所記載的組成的中間膜分別形成為200 nm，使用作為光電子分光裝置（化學分析光電子能譜（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，ESCA））的克雷托斯分析儀器（KRATOS ANALYTICAL）公司製造的（型號：AXIS-HS），對中間膜中的氮濃度進行了測定，結果為含有6原子%～28原子%的氮，確認到Mo2 N的分析圖表。 [實施例3]
接著，使用由表1的No.5製作的、包含以原子比計為鉬-15%鎳-15%鈦的鉬合金濺鍍靶材，並使用氬與氮的含有比率為50體積%的濺鍍氣體，將投入電力設為200 W，於各玻璃基板的正上方以表3所示的膜厚形成中間膜。然後，於該中間膜的正上方，使用氬作為濺鍍氣體並於投入電力500 W的條件下形成作為導電膜的鋁膜。藉由與實施例1相同的方法測定反射率及比電阻。將其結果示於表3。
[表3]
如表3的試樣No.18所示，確認到若中間膜的膜厚成為20 nm，則無法獲得15%以下的低反射率。另一方面，作為本發明例的積層配線膜的中間膜的膜厚為30 nm～70 nm的範圍，可確認到15%以下的低反射。此處可知，反射率最低的中間膜的膜厚為50 nm附近。 [實施例4]
接著，以成為表4所示的中間膜的組成的方式，藉由與實施例1相同的製法製作試樣No.25～試樣No.32的濺鍍靶材。另外，作為導電膜的鋁合金、銅合金、銀合金的濺鍍靶材以如下方式製作：藉由真空熔解法製作以原子比計成為鋁-0.6鈮、銅-3鈦、銀-0.3釤（Sm）的各合金的鑄錠，並對該鑄錠以成為直徑100 mm、厚度5 mm的方式進行機械加工而製作濺鍍靶材。 使用該些濺鍍靶材，以成為表4所示的濺鍍氣體的體積比率的方式進行調整，將投入電力設為200 W，於各基板的正上方形成膜厚50 nm的中間膜。然後，於該中間膜的正上方，使用氬作為濺鍍氣體而形成表4所示的各導電膜。此處，基板是使用與實施例1～實施例3相同的玻璃基板，除此以外，試樣No.28使用厚度0.5 mm的聚碳酸酯基板（透明聚碳酸酯：PC（Polycarbonate）），試樣No.29使用厚度100 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜基板（透明聚對苯二甲酸乙二酯：PET（polyethylene terephthalate））。 關於上述中所獲得的各試樣，藉由與實施例1相同的方法測定反射率及比電阻。將其結果示於表4。
[表4]
如表4所示，確認到僅藉由氬作為濺鍍氣體來形成了中間膜的作為比較例的試樣No.25、添加元素量多且僅藉由氧作為濺鍍氣體來形成了中間膜的試樣No.32未獲得低反射率。 相對於此，可確認到作為本發明例的試樣No.26～試樣No.31為具有低反射與低電阻的積層配線膜。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧中間膜
3‧‧‧導電膜
圖1為表示本發明的積層配線膜的應用例的剖面示意圖。

Claims (9)

  1. 一種積層配線膜，其特徵在於：具有積層結構，所述積層結構於透明基板的正上方或形成有透明膜的透明基板的正上方形成有膜厚為30 nm～70 nm且包含鉬合金的中間膜，且於所述中間膜的正上方形成有比電阻為15 μΩ･cm以下的導電膜，所述積層配線膜自所述透明基板側測定的可見光反射率為15%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的積層配線膜，其中所述導電膜包含鋁、銅、銀的任一種，或者包含在鋁、銅、銀的任一種中含有合計為5原子%以下的選自過渡金屬及半金屬中的元素的鋁合金、銅合金、銀合金的任一種，且膜厚為50 nm～500 nm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的積層配線膜，其中所述中間膜含有合計為5原子%～50原子%的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素作為金屬成分，且剩餘部分包含鉬及不可避免的雜質。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的積層配線膜，其中所述中間膜含有合計為5原子%～20原子%的選自鈦及鈮中的一種以上的元素。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的積層配線膜，其中所述中間膜含有1原子%～30原子%的鎳。
  6. 一種鉬合金濺鍍靶材，其為用以形成如申請專利範圍第1項所述的中間膜的濺鍍靶材，含有合計為5原子%～50原子%的選自鈦、釩、鈮、鉭、鎳、鈷及鐵中的一種以上的元素，且剩餘部分包含鉬及不可避免的雜質。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的鉬合金濺鍍靶材，其含有合計為5原子%～20原子%的選自鈦及鈮中的一種以上的元素。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的鉬合金濺鍍靶材，其含有1原子%～30原子%的鎳。
  9. 一種積層配線膜的製造方法，其為如申請專利範圍第1項所述的積層配線膜的製造方法，所述積層配線膜的製造方法的特徵在於：所述中間膜是於含有10體積%～90體積%的選自氧及氮中的至少一者的環境下，使用如申請專利範圍第6項至第8項中任一項所述的鉬合金濺鍍靶材並藉由濺鍍法來形成。
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