TW201837472A - 雙向導電針及使用其之半導體測試座 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種雙向導電針及一種使用其之半導體測試座。該雙向導電針包括:一上接觸部,其是由沿上下方向的軸上捲起的導電薄板形成;一下接觸部,其是由沿上下方向的軸上捲起的導電薄板形成,且配置在隔開該上接觸部的該上接觸部的下側;一連接部,其彼此電連接該上接觸部與該下接觸部,並具有一彎曲形狀,其彎向在該該上接觸部與該下接觸部間的空間;及一針主體,其是利用一具有彈性的絕緣材料製成,且在該上接觸部的上表面是向上暴露、且該下接觸部的下表面是向下暴露的狀態下,形成其容納該上接觸部的至少一區域、該下接觸部的至少一區域、與該連接部。
Description
本發明的例示性具體實施例有關一種雙向導電針及一種使用其之半導體測試座;更具體係,有關一種可彌補彈簧針型半導體測試座的缺陷之雙向導電針及一種使用其之半導體測試座。
本專利申請案主張2016年12月16日申請的第10-2016-0172210號韓國專利申請案的優先權,其整個內容在此是以引用方式併入本文供參考。
半導體裝置會經過測試以決定製造半導體裝置後的半導體裝置的電性能是否劣性。在形成半導體裝置的電接觸端子的半導體測試座(或接觸器或連接器)插入半導體裝置與測試電路板間的狀態下,可執行半導體裝置的此劣性測試。除了半導體裝置的最終劣性測試以外,半導體測試座還可用於在半導體裝置製程中所包括的預燒(Burn-in)測試流程中。
隨著半導體裝置的集成技術的發展及其小型化趨勢,半導體裝置的端子(即是,引線)的尺寸與間隔亦小型化,因此,需要一種能夠在測試座的導電圖案間更佳形成間隔的方法。
不過,現有的彈簧針型半導體測試座在製造用於測試積體半導體裝置的半導體測試座時受到限制。圖1至圖3示出在韓國未經審查的專利公開案第10-2011-0065047號揭露先前技術中的彈簧針型半導體測試座的實例。
請即參考圖1至圖3,現有的半導體測試座(1100)包括:一殼體(1110),其具有在殼體(1110)的位置中形成的通孔(1111),其在上下方向是對應到半導體裝置(1130)的端子(1131);及彈簧針(1120),其安裝在殼體(1110)的通孔(1111)中,以彼此電連接半導體裝置(1130)的端子(1131)與一測試裝置(1140)的墊座(1141)。
彈簧針(1120)構成包括:一空心圓柱筒(1124),其當作一彈簧針主體使用;一接觸尖端(1123),其形成在空心圓柱筒(1124)的下側;一彈簧(1122),其連接在空心圓柱筒(1124)的接觸尖端(1123),以進行收縮與擴展運動;及一接觸針(1121),其連接到連接於接觸尖端(1123)的彈簧(1122)的相對側,以根據接觸該半導體裝置(1130)進行上下運動。
在此案例,彈簧(1122)收縮及擴展以彼此電連接半導體裝置(1130)的端子(1131)與測試裝置(1140)的墊座(1141),同時吸收傳遞到接觸針(1121)與接觸尖端(1123)的機械衝擊,藉此測試半導體裝置(1130)的端子(1131)是否存在電氣劣性。
不過,由於如前述的現有彈簧針型半導體測試座使用實體彈簧來保持上下方向的彈性,因此需要將彈簧與針插入圓柱筒,並將圓柱筒插入殼體的通孔,此可能導致製程的複雜度、增加製造成本。
此外,用於實施沿上下方向具有彈性的電接觸結構之實體配置本身受限於實施精密間距,且在將彈簧針型半導體測試座應用於最新積體半導體裝置已達臨界限制。
為了克服如前述彈簧針型半導體裝置的限制,已提議一種PCR插座型半導體測試座,其中在利用彈性矽樹脂材料製成的矽樹脂主體的垂直方向形成穿孔圖案,然後將導電粉末填入穿孔圖案形成導電圖案。
不過,PCR型半導體測試座具有結構性限制的問題,在於填充在測試座的導電粉末的脫離而導致壽命縮短。
因此,需要開發能夠實施精密間距,同時能解決包括PCR型半導體測試座的其他半導體測試座問題的另一類型半導體測試座。
本發明已解決在先前技術中存在的前述問題,且本發明要達成之一目的是要提供一種雙向導電針及一種使用其之半導體測試插座,其可彌補彈簧針型或另一類型的半導體測試座的缺陷,並可取代彈簧針型半導體測試座。
本發明之其他目的與優點可透過下述瞭解,並參考本發明的具體實施例變得更明白。此外,本發明所屬之熟諳此技者應明白,文後的申請專利範圍及其組合之方法可實現本發明之目的與優點。
根據本發明的一態樣,一雙向導電針包括:一上接觸部,其是由沿上下方向在軸上捲起的導電薄板形成;一下接觸部,其是由沿上下方向在軸上捲起的導電薄板形成,並配置在隔開該上接觸部的該上接觸部的下側;一連接部,其彼此電連接該上接觸部與該下接觸部,並具有一彎曲形狀,其彎向該上接觸部與該下接觸部間的空間;及一針主體,其是利用一具有彈性的絕緣材料製成,且在該上接觸部的上表面是向上暴露,且該下接觸部的下表面是向下暴露的狀態下,形成其容納該上接觸部的至少一區域、該下接觸部的至少一區域、與該連接部。
上接觸部與下接觸部可形成捲起一圓柱形狀或一彈簧形狀。
上接觸部、下接觸部、與連接部可透過捲起一基底圖案的一上區域與一下區域而形成。基底圖案藉由圖案化具有導電性的薄板而一體形成。
根據本發明的態樣之雙向導電針可更包括:至少一上內支撐部,其從該上接觸部向下延伸,並具有一下端,形成隔開該下接觸部一預定距離;及至少一下內支撐部,其從該下接觸部向上延伸,並具有一上端,形成隔開該上接觸部一預定距離。
上接觸部的內捲部在上方向可突出較大於外捲部,並在徑向可形成具有朝向外側的梯段高度(Step height)。
下接觸部的內捲部在下方向可突出較大於外捲部,並在徑向可形成具有朝向外側的梯段高度。
根據本發明的另一態樣,一雙向導電針包括:一導電材料的上接觸部,其具有一上板部與一成對的上彎折部,其從該上板部的兩側向上彎折;一導電材料的下接觸部,其具有一下板部與一成對的下彎折部,其從該下板部的兩側向下彎折,並隔開該上接觸部的下側;一連接部,其彼此電連接該上板部與該下板部,以與該上板部與該下板部形成一體,且在該上板部與該下板部間具有一彎曲形狀;及一針主體,其是利用具有彈性的絕緣材料製成,且在該上彎折部的上表面是向上暴露且該下彎折部的下表面是向下暴露的狀態下,形成其容納該上接觸部的至少一區域、該下接觸部的至少一區域、與該連接部。
透過圖案化具有導電性的薄板形成基底圖案。藉由彎折及彎曲一體形成的基底圖案以形成該上接觸部、該下接觸部、與該連接部。
在上下方向的該上彎折部的厚度可隨著從該連接部側到該連接部的相對側形成較薄,且該上彎折部的上表面可形成水平;且在上下方向的該下彎折部的厚度可隨著從該連接部側到該連接部的相對側形成較薄,且該下彎折部的下表面可形成水平。
連接為一體的上板部、連接部、與下板部可為「C」形狀彎曲,使得該連接部具有彎曲形狀。
該連接部可具有一彎曲形狀,其在該連接部的上邊緣部在內側方向是彎曲,且該連接部的下邊緣部在內側方向是彎曲的狀態下,在該上接觸部與該下接觸部間的內側方向是彎曲。
根據本發明的仍然另一態樣,一半導體測試座包括:一絕緣主體;及複數個雙向導電針,其在水平方向彼此隔開的狀態下配置在該絕緣主體,且每個雙向導電針具有一上部與一下部,其暴露於該絕緣主體的一上表面與一下表面。
根據具有前述結構的本發明,變成可透過圖案化具有導電性的金屬薄板、使用模塑等來捲起薄板、或透過彎曲及彎折製程形成導電線、及形成絕緣材料(例如,矽樹脂)的主體,以實施具有導電性的雙向導電針。
此外,當以彈簧形狀捲起的上接觸部接觸半導體裝置的端子(例如,焊球)時,其從彈簧的內部到外側開始連續接觸彈簧,因此可實現在去除接觸期間的穩定接觸及穩定復原。
此外,由於雙向導電針的製造是透過使用蝕刻或印製方法進行圖案化金屬薄板並透過模製或簡單製程(諸如,彎曲或彎折)以圓柱形狀或彈簧形狀捲起薄板,使得可簡化製造方法,並明顯降低製造成本。
此外,由於透過將複數個雙向導電針插入在該絕緣主體形成的各個孔中以製造半導體測試座,使得可取代現有的彈簧針型半導體測試座。
在下文,將參考附圖詳細描述本發明的示例性具體實施例。
圖4A至圖4C為說明根據本發明的一第一具體實施例的雙向導電針(10)之圖式。根據本發明的第一具體實施例的雙向導電針(10)包括:一上接觸部(11)、一下接觸部(12)、一連接部(13)、與一針主體(14)。
接觸部的上表面是從針主體(14)的上表面向上暴露。經此,如果作為測試目標的半導體裝置向下移動,半導體裝置的焊球可直接接觸上接觸部(11)的上表面。例示根據本發明的第一具體實施例的上接觸部(11)是由沿上下方向在軸上捲起的導電薄板形成,且稍後將描述其細節。
下接觸部(12)的下表面是從針主體(14)的下表面向下暴露。經此,下接觸部在測試半導體裝置期間可直接接觸位於下側的測試電路板的端子。例示根據本發明的第一具體實施例的下接觸部(12)是由沿上下方向在軸上捲起的導電薄板形成,且稍後將描述其細節。
在此,根據本發明的第一具體實施例的上接觸部(11)與下接觸部(12)可形成捲起一圓柱形狀。如另一實例,如圖4B和圖4C所示,上接觸部(11)與下接觸部(12)可形成捲起一彈簧形狀。此外,在如圖4C所示的具體實施例中,例示上接觸部(11)的內捲部在上方向突出較大於其外捲部,並在徑向形成具有朝向外側的梯段高度。針對此,用於形成上接觸部(11)的薄板在上下方向則形成不同寬度。
如果半導體裝置的端子(例如,焊球)從上方向到下方向接觸彈簧形狀的上接觸部(11),如圖4C所示,彈簧的部件①首先接觸焊球沿下方向下降,然後部件②和③連續接觸焊球。因此,彈簧彈性接觸焊球,並具有恢復力以在移除接觸後將彈簧復原到初始狀態。即是,在沿上方向的接觸期間,上接觸部(11)彈性支撐焊球。
同樣地,下接觸部(12)的內捲起部在下方向突出較大於其外捲部,並在徑向形成具有朝向外側的梯段高度。
請即參考圖4A,連接部(13)彼此電連接上接觸部(11)與下接觸部(12)。此外,連接部(13)具有一彎曲形狀,其彎向上接觸部(11)與下接觸部(12)間的空間,即是,在內方向。經由此,在根據本發明的雙向導電針(10)應用於半導體測試座的情況下,當半導體裝置從上方向壓到下方向時,其可彈性支撐半導體裝置。
以下,請即參考圖5A和圖5B、及圖6A至圖6C,現將詳細描述根據本發明的第一具體實施例的雙向導電針(10)的製造方法。
首先,製備一金屬薄板並將其圖案化形成如圖5A所示的一基底圖案(10a)。在此,金屬薄板可利用具有導電性的材料製成;或者,透過稍後描述的電鍍製程形成導電性。因此,金屬薄板的導電性可能不是必要的。金屬薄板可利用銅或銅合金形成,例如鈹銅(BeCu)。此外,根據本發明,例示一蝕刻方法或一印製方法作為金屬薄板的圖案化方法。圖5A例示一金屬薄板經圖案化形成三個基底圖案(10a),但是基底圖案的數量沒有侷限於此。
在此,一基底圖案(10a)包括:一上接觸圖案(11a)、一下接觸圖案(12a)、與一連接圖案(13a)。上接觸圖案(11a)形成上接觸部(11);下接觸圖案(12a)形成下接觸部(12),且連接圖案(13a)形成連接部(13)。
為了以下工作的容易性,各個上接觸圖案(11a)透過一上連接圖案(123)連接一上支撐圖案(121),且各個下接觸圖案(12a)透過一下連接圖案(124)連接一下支撐圖案(122),使得複數個基底圖案(10a)可一起移動,如圖5A所示;或者,可同時進行工作。
如前述,如果完成製造基底圖案(10a),可進行電鍍製程以改善基底圖案(10a)的導電性。在本發明中,例示連續進行鍍鎳與鍍金。
如果完成電鍍製程,如圖5B所示,透過沿上下方向在軸上捲起上接觸圖案(11a)與下接觸圖案(12a)以形成圓形或彈簧針型上接觸部(11)與下接觸部(12)。然後,如圖5C所示,透過沿A方向推動連接圖案(13a)以形成連接部(13),使得連接圖案(13a)具有一彎曲形狀。
如果如前述形成上接觸部(11)、下接觸部(12)、與連接部(13),則如圖6A所示,形成利用一具有彈性的絕緣材料製成的絕緣支撐體(14a),使得各個上接觸部(11)的上表面與各個下接觸部(12)的下表面暴露在上方向與下方向。在此,例示絕緣支撐體(14a)是利用一矽樹脂材料製成。
圖6A例示形成絕緣支撐體(14a),以使其容納連接部(13)足以涵蓋上接觸部(11)的下部與下接觸部(12)的上部。
如一實例,在如圖5C所示的基底圖案(10a)安裝在模具後,注入液態矽樹脂,然後固化形成絕緣支撐體(14a)。經此,上接觸部(11)的上表面與下接觸部(12)的下表面暴露於絕緣支撐體(14a)的外部,且上接觸部(11)的其餘部分、下接觸部(12) 的其餘部分、與連接部(13)位於絕緣支撐體(14a)內。
如前述,如果完成形成絕緣支撐體(14a),則採用雷射切割方法等沿著圖6A所示的截斷線(C1)切割上連接圖案(123)與下連接圖案(124),並採用雷射切割方法等沿著圖6B和圖6C 所示的截斷線(C2)切割絕緣支撐體(14a),使得形成如圖4A所示的一雙向導電針(10)。此外,在切割後,容納上接觸部(11)、下接觸部(12)、與連接部(13)的絕緣支撐體(14a)形成一雙向導電針(10)的針主體(14)。
在此,如果雙向導電針(10)插入在上下方向的絕緣主體上貫穿形成的各個孔,則變成可製造根據本發明的半導體測試座,從而取代彈簧針型半導體測試座。在此,絕緣主體可透過在矽樹脂主體上貫穿孔來形成;或者,可提供另一類型的支撐主體結構。
圖7A和圖7B為說明根據本發明的一第二具體實施例的雙向導電針(20)的圖式。如圖7A和圖7B所示的具體實施例是如前述的第一具體實施例的修改實例,且其組態符合如前述的第一具體實施例的組態。
根據本發明的第二具體實施例的雙向導電針(20)可包括:一上接觸部(11)、一下接觸部(12)、一連接部(13)、一針主體(14)、一上內支撐部(15)、與一下內支撐部(16)。
上內支撐部(15)是從上接觸部(11)向下延伸,並具有一下端,其形成與下接觸部(12)隔開一預定距離。同樣地,下內支撐部(16)是從下接觸部(12)向上延伸,並具有一上端,其形成與上接觸部(11)隔開一預定距離。
經此,在上接觸部(11)與下接觸部(12)由針主體(14)穩定支撐的狀態下,上內支撐部(15)與下內支撐部(16)的端部是從相對側隔開,因此在半導體裝置測試製程中在上下方向不會產生結合力。
上內支撐部(15)與下內支撐部(16)的形成可透過在形成基底圖案(10a)製程中形成上內圖案(15a)與下內圖案(16a)而在前述製程中進行。
以下,請即參考圖8A和圖8B及圖9A至圖9C,將詳細描述根據本發明的一第三具體實施例的雙向導電針(300)。
根據本發明的第三具體實施例的雙向導電針(300)包括:一上接觸部(11)、一下接觸部(12)、一連接部(330)、與一針主體(340),如圖9C所示。
上接觸部(11)包括一上板部(312)與一成對的上彎折部(311)。該成對的上彎折部(311)形成從上板部(312)的兩側向上彎折,且上板部(312)與該成對的下彎折部(311)是透過彎折在主體的一導電材料薄板形成,稍後將描述其細節。
下接觸部(12)包括一下板部(322)與一成對的下彎折部(321)。該成對的下彎折部(321)形成從下板部(322)的兩側向下彎折,且下板部(322)與該成對的下彎折部(321)是透過彎折在主體的一導電材料薄板形成,稍後將描述其細節。
連接部(330)彼此電連接上板部(312)與下板部(322),以與上板部(312)與下板部(322)形成一體,並在上板部(312)與下板部(322)間具有一彎曲形狀,如圖9B所示。
在上彎折部(311)的上表面是向上暴露,且下彎折部(321)的下表面是向下暴露的狀態下,針主體(340)形成其容納上接觸部(11)的至少一區域、下接觸部(12)的至少一區域、與連接部(330)。在本發明中,如圖9C所示,例示該成對的上彎折部(311)與上板部(312)的下部件被容納在針主體(340),且同樣地,該成對的下彎折部(321)與下板部(322)的下部件被容納在針主體(340)。在此,在同前述具體實施例的方式中,針主體(340)是利用一具有絕緣性的材料製成,例如,矽樹脂材料。
在本發明中,如圖9C所示,例示彼此連接為一體的上板部(312)、連接部(330)、與下板部(322)是「C」形狀彎曲,且在上板部(312)與下板部(322)的板表面分別朝上與朝下的狀態下,連接部(330)具有彎曲形狀。
請即參考圖8A和圖8B及圖9A至圖9C,將描述製造根據本發明的第三具體實施例的雙向導電針(300)的製程。
首先,製備及圖案化金屬薄板以形成如圖8A所示的一基底圖案(300a)。在此,金屬薄板可利用一具有導電性的材料製成;或者,導電性可透過稍後描述的電鍍製程形成。因此,可不需要金屬薄板的導電性。金屬薄板可利用銅或銅合金形成,例如鈹銅(BeCu)。此外,根據本發明,例示一蝕刻方法或一印製方法作為金屬薄板的圖案化方法。圖8A例示一金屬薄板經過圖案化形成兩基底圖案(300a),但是基底圖案的數量沒有侷限於此。在此,圖8A和圖8B的右側圖示意描述從左側圖的側面所示的形狀。
一基底圖案(300a)包括:上接觸圖案(311a、312a)、下接觸圖案(321a、322a)、與一連接圖案(330a)。基底圖案(300a)可實質為「I」形狀。更具體地,上接觸圖案(311a、312a)包括:一上板表面圖案(312a);及一成對的上彎折圖案(311a),其延伸到其兩尺寸。
同樣地,下接觸圖案(321a、322a)包括:一下板表面圖案(322a);及一成對的圖案(321a),其延伸到其兩尺寸。此外,上板表面圖案(312a)與下板表面圖案(322a)透過連接圖案(330a)相互連接形成一基底圖案(300a)。
為了以下工作的容易性,各個上接觸圖案(311a、312a)透過一上連接圖案(123)連接一上支撐圖案(121),且各個下接觸圖案(321a、322a)透過一下連接圖案(124)連接一下支撐圖案(122),使得複數個基底圖案(300a)可一起移動,如圖8A所示;或者,可同時進行工作。
如前述,如果完成製造基底圖案(300a),則可進行電鍍製程以改善基底圖案(300a)的導電性。在本發明中,例示連續進行鍍鎳與鍍金。
如果完成電鍍製程,如圖8B所示,對應的上彎折圖案(311a)與對應的下彎折圖案(321a)沿著圖8A所示一彎折線條(B1)彎折。在本發明中,例示該等彎折圖案是約90°彎折。
然後,基底圖案(300a)是「C」形狀彎曲,使得上板表面圖案(312a)與下板表面圖案(322a)的板表面是上下方向朝向,且如圖9A所示,形成上接觸部(11),其是由上板表面與一成對的上彎折部(311)構成;下接觸部(12),其是由下板表面與一成對的下彎折部(321)構成;及連接部(330),其是一彎曲形狀。
即是,如圖8A所示,一成對的上彎折圖案(311a)的兩端部是指向上方向,且一成對的下彎折圖案(321a)的兩端部是指向下方向,使得其變成接觸在半導體裝置的焊球與測試電路板的端子間的接觸區域。
然後,如圖9B所示,形成利用一具有彈性的絕緣材料製成的絕緣支撐體(340a),使得各個上接觸部(11)的上表面(即是,上彎折部(311)的上表面)、與各個下接觸部(12)的下表面(即是,下彎折部(321)的下表面)是暴露在上方向與下方向。在此,例示絕緣支撐體(340a)是利用一矽樹脂材料製成。
圖9B例示絕緣支撐體(340a)形成以容納上彎折部(311)的下部、上板部(312)、下彎折部(321)的下部、下板部(322)、與連接部(330)。
如前述,如果完成形成絕緣支撐體(340a),則以雷射切割方法等沿著圖9B所示的截斷線(C3)切割上連接圖案(123)與下連接圖案(124),且以雷射切割方法等沿著圖9B所示的截斷線(C4)切割絕緣支撐體(340a),使得可形成如圖9C所示的一雙向導電針(300)。此外,在切割後,其中容納上接觸部(11)、下接觸部(12)、與連接部(330)的絕緣支撐體(340a)形成一雙向導電針(300)的針主體(340)。
此外,如果雙向導電針(300)插入在上下方向的絕緣主體上貫穿形成的各個孔中,則變成可製造根據本發明的半導體測試座,其可取代彈簧針型半導體測試座。在此,絕緣主體可透過在矽樹脂主體上貫穿孔形成;或者,可提供另一類型支撐主體結構。
圖10A和圖10B和圖11為例示根據本發明的一第三具體實施例的另一雙向導電針的圖式。
首先,請即參考圖10A,其例示基底圖案(300a)的上彎折圖案(311a)的端部為傾斜形成。此外,基底圖案(300a)可製造為可被彎曲以使上彎折圖案(311a)的兩端部(即是,上彎折部(311)的上表面)變為水平(在本發明中,術語「水平」不是指實際水平,而是包括可被認為是水平的程度)。
同樣地,基底圖案(300a)的下彎折圖案(321a)的端部為傾斜形成,且基底圖案(300a)可製造為可彎曲以使得下彎折圖案(321a)的兩端部(即是,下彎折部(321)的下表面)變為水平。
在此案例,在上下方向的上彎折部(311)的厚度隨著從連接部(330)的側部到連接部(330)的相對側變成較薄(t1 < t2)。同樣地,在上下方向的下彎折部(321)的厚度隨著從連接部(330)的側部到連接部(330)的相對側會變成較薄。
透過前述組態,可以較小彎曲狀態製造基底圖案(300a),因此可減小其在水平方向的寬度。
在如圖10B所示的具體實施例中,連接部(330)是在不同方向彎曲。更具體地,在連接部(330)的上邊緣部在向內方向是彎曲(參見圖10B的B2)、且連接部(330)的下邊緣部在向內方向是彎曲的狀態下,連接部(330)設置成在上接觸部(11)與下接觸部(12)間的向內方向具有一彎曲形狀。
請即參考圖11,在其兩側的上板表面圖案(312a)與上彎折圖案(311a)間形成一切割部(H1),且在其兩側的下板表面圖案(322a)與下彎折圖案(321a)間形成一切割部(H2)。因此,如圖11的左側圖所示,上彎折部(311)的一部分形成從上板部(312)隔開(S1),且下彎折部(321)的一部分形成從下板部(322)隔開(S2),以實現其更具彈性支撐。
例示性具體實施例只是清楚描述本發明包括的部分技術精神,且顯然的是,熟諳此技者可容易推測出修改與具體例示性具體實施例,且都在本發明所包括技術精神的範疇內。
10‧‧‧雙向導電針
10a‧‧‧基底圖案
11‧‧‧上接觸部
11a‧‧‧上接觸圖案
12‧‧‧下接觸部
12a‧‧‧下接觸圖案
13‧‧‧連接部
13a‧‧‧連接圖案
14‧‧‧針主體
14a‧‧‧絕緣支撐體
15‧‧‧上內支撐部
15a‧‧‧上內圖案
16‧‧‧下內支撐部
16a‧‧‧下內圖案
20‧‧‧雙向導電針
121‧‧‧上支撐圖案
122‧‧‧下支撐圖案
123‧‧‧上連接圖案
124‧‧‧下連接圖案
300‧‧‧雙向導電針
300a‧‧‧基底圖案
311‧‧‧上彎折部
311a‧‧‧上彎折圖案
312‧‧‧上板部
312a‧‧‧上板表面圖案
321‧‧‧下彎折部
321a‧‧‧下彎折圖案
322‧‧‧下板部
322a‧‧‧下板表面圖案
330‧‧‧連接部
330a‧‧‧連接圖案
340‧‧‧針主體
340a‧‧‧絕緣支撐體
1000‧‧‧半導體測試座
1110‧‧‧殼體
1111‧‧‧通孔
1120‧‧‧彈簧針
1121‧‧‧接觸針
1122‧‧‧彈簧
1123‧‧‧接觸尖端
1124‧‧‧空心圓柱筒
1130‧‧‧半導體裝置
1131‧‧‧端子
1140‧‧‧測試裝置
1141‧‧‧墊座
A‧‧‧方向
B1‧‧‧彎折線條
B2‧‧‧彎曲
C1‧‧‧截斷線
C2‧‧‧截斷線
C3‧‧‧截斷線
C4‧‧‧截斷線
H1‧‧‧切割部
H2‧‧‧切割部
S1‧‧‧間隔
S2‧‧‧間隔
①‧‧‧部件
②‧‧‧部件
③‧‧‧部件
本發明的前述及其他目的、特徵與其他優點可從下面連同附圖的詳細描述而變得更明白,其中:
圖1至圖3為說明先前技術的彈簧針型半導體測試座之圖式;
圖4A至圖4C為說明根據本發明的一第一具體實施例的雙向導電針之圖式;
圖5A和圖5B及圖6A至圖6C為示例性說明用於製造圖4A至圖4C所示雙向導電針的方法之圖式;
圖7A和圖7B為說明根據本發明的一第二具體實施例的雙向導電針之圖式;
圖8A和圖8B及圖9A至圖9C為說明根據本發明的一第三具體實施例的雙向導電針之圖式;及
圖10A和圖10B及圖11為示例性說明根據本發明的一第三具體實施例的另一雙向導電針之圖式。
Claims (12)
- 一種雙向導電針,包括: 一上接觸部,其是由沿上下方向的軸上捲起的導電性薄板形成; 一下接觸部,其是由沿上下方向的軸上捲起的導電性薄板形成,且配置在隔開該上接觸部的該上接觸部的下側; 一連接部,其彼此電連接該上接觸部與該下接觸部,並具有一彎曲形狀,其彎向在該上接觸部與該下接觸部間的空間;及 一針主體,其是利用一具有彈性的絕緣材料製成,且在該上接觸部的上表面是向上暴露、且該下接觸部的下表面是向下暴露的狀態下,形成其容納該上接觸部的至少一區域、該下接觸部的至少一區域、與該連接部。
- 如請求項1所述之雙向導電針,其中該上接觸部與該下接觸部形成捲起一圓柱形狀或一彈簧形狀。
- 如請求項1所述之雙向導電針,其中該上接觸部、該下接觸部與該連接部是由捲起一基底圖案的一上區域與一下區域而形成,該基底圖案透過圖案化導電性薄板而一體形成。
- 如請求項1所述之雙向導電針,更包括: 至少一上內支撐部,其從該上接觸部向下延伸並具有一下端,其形成與該下接觸部隔開一預定距離;及 至少一下內支撐部,其從該下接觸部向上延伸並具有一上端,其形成與該上接觸部隔開一預定距離。
- 如請求項2所述之雙向導電針,其中該上接觸部的內捲部在上方向突出較大於其外捲部,並在徑向形成具有朝向外側的梯段高度。
- 如請求項2所述之雙向導電針,其中該下接觸部的內捲部在下方向突出較大於其外捲部,並在徑向形成具有朝向外側的梯段高度。
- 一種雙向導電針,包括: 一導電材料的上接觸部,其具有一上板部;及一成對的上彎折部,其從該上板部的兩側向上彎折; 一導電材料的下接觸部,其具有一下板部;及一成對的下彎折部,其從該下板部的兩側向下彎折,並隔開該上接觸部的下側; 一連接部,其彼此電連接該上板部與該下板部,以與該上板部與該下板部形成一體,且在該上板部與該下板部間具有一彎曲形狀;及 一針主體,其是利用一具有彈性的絕緣材料製成,且在該上彎折部的上表面是向上暴露、且該下彎折部的下表面是向下暴露的狀態下,形成其容納該上接觸部的至少一區域、該下接觸部的至少一區域、與該連接部。
- 如請求項7所述之雙向導電針,其中該上接觸部、該下接觸部、與該連接部可藉由彎曲及彎折一基底圖案而形成,該基底圖案透過圖案化具有導電性的薄板而一體形成。
- 如請求項7所述之雙向導電針,其中在上下方向的該上彎折部的厚度是隨著從該連接部側到該連接部的相對側形成較薄,且該上彎折部的外表面形成水平;及 在上下方向的該下彎折部的厚度是隨著從該連接部側到該連接部的相對側形成較薄,且該下彎折部的下表面形成水平。
- 如請求項7所述之雙向導電針,其中連接為一體的該上板部、該連接部、與該下板部是「C」形狀彎曲,使得該連接部具有該彎曲形狀。
- 如請求項7所述之雙向導電針,其中該連接部具有一彎曲形狀,在該連接部的上邊緣部在內側方向是彎曲、且該連接部的下邊緣部在內側方向是彎曲的狀態下,其在該上接觸部與該下接觸部間的內側方向是彎曲。
- 一種半導體測試座,包括: 一絕緣主體;及 複數個如請求項1至11中任一項所述之雙向導電針,其在水平方向是彼此隔開的狀態下是配置在該絕緣主體,且每個雙向導電針具有一上部與一下部,其暴露於該絕緣主體的一上表面與一下表面。
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