TW201836258A - 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種藉由抑制對於動作中的行進方向之振動或偏差,可縮短整定時間之馬達控制裝置及馬達控制方法。   其解決手段為:   黏晶裝置是具備:   馬達,其係驅動被驅動體,將實位置設為編碼訊號輸出;及   馬達控制裝置,其係控制前述馬達,將前述被驅動體控制至目標位置,把晶粒安裝於基板。   前述馬達控制裝置是具備:   理想波形產生部,其係產生加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的理想的指令波形;   指令波形產生部,其係讀出前述理想的指令波形,再產生目標指令位置、和加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形,將被再產生的速度的指令波形輸出;及   DAC,其係將前述被再產生的速度的指令波形變換成類比資料。

Description

黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
[0001] 本案是有關黏晶裝置,例如可適用於具備馬達控制裝置的黏晶裝置。
[0002] 在半導體裝置的製造工程的一部分,有將半導體晶片(以下簡稱晶粒)搭載於配線基板或導線架等(以下簡稱基板)而組合封裝的工程,在組合封裝的工程的一部分,有從半導體晶圓(以下簡稱晶圓)分割晶粒的工程,及將分割後的晶粒搭載於基板上的接合工程。被使用於接合工程的製造裝置有黏晶機等的黏晶裝置。   [0003] 黏晶機是以焊錫、鍍金、樹脂作為接合材料,將晶粒接合(搭載黏著)於基板或已被接合的晶粒上的裝置。在將晶粒例如接合於基板的表面之黏晶機中,利用被稱為夾頭的吸附噴嘴來從晶圓吸附晶粒而拾取,搬送至基板上,賦予推壓力,且加熱接合材,藉此進行接合的動作(作業)會被重複進行。夾頭是被安裝於接合頭的前端。接合頭是以ZY驅動軸等的驅動部(伺服馬達)來驅動,伺服馬達是藉由馬達控制裝置來控制。   在伺服馬達控制中,需要以不會使工件或支撐工件的單元承受機械性衝撃的方式順暢地加減速,移動工件。   [先前技術文獻]   [專利文獻]   [0004] [專利文獻1] 日本特開2012-175768號公報
(發明所欲解決的課題)   [0005] 專利文獻1是產生加加速度、加速度、速度及位置的理想的指令波形,以限制加加速度的指令波形來實現低振動的馬達控制,但在黏晶裝置等的半導體製造裝置是被要求更高精度的馬達控制。   [0006] 本案的課題是在於提供一種可更抑制振動的黏晶裝置。   其他的課題及新穎的特徵可由本說明書的記述及附圖明確得知。   (用以解決課題的手段)   [0007] 本案之中代表性者的概要簡單說明如下。   亦即,黏晶裝置是具備:   馬達,其係驅動被驅動體,將實位置設為編碼訊號輸出;及   馬達控制裝置,其係控制前述馬達,將前述被驅動體控制至目標位置,把晶粒安裝於基板。   前述馬達控制裝置是具備:   理想波形產生部,其係產生加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的理想的指令波形;   指令波形產生部,其係讀出前述理想的指令波形,再產生目標指令位置、和加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形,將被再產生的速度的指令波形輸出;及   DAC,其係將前述被再產生的速度的指令波形變換成類比資料。   [發明的效果]   [0008] 若根據上述黏晶裝置,則可減低振動。
[0010] 本案發明者為了抑制振動,不僅加加速度、加速度、速度及位置的理想的指令波形,還以加加速度的微分值最為指令值,檢討了抑制每單位時間的變化量之控制。但,為了產生上述般的指令波形,需要產生位置・速度・加速度・加加速度及更加上加加速度的微分波形的合計5種類的理想的指令波形,由於成為複雜的計算式,因此需要龐大的算出時間。   [0011] 實施形態的黏晶裝置是產生加加速度的指令波形,從加加速度的指令波形依序產生加速度・速度・位置的各指令波形。將被產生的位置的指令波形藉由移動平均法(規定一定的時間,一邊錯開範圍,一邊取平均)來產生移動平均後的位置的指令波形。從移動平均後的位置的指令波形依序產生速度・加速度・加加速度・加加速度微分值的移動平均後的各指令波形。   [0012] 藉由使用上述取得的移動平均後的指令波形來控制馬達,可實現更低振動的馬達驅動。   [0013] 另外,藉由指令波形的移動平均處理,全體的指令波形長會伸展,動作時間會變長,因此按照循環時間、接合精度等裝置的要求規格來調整移動平均時間為理想。例如,在高精度接合是擴大設定移動平均時間,順暢地使動作而低振動驅動。在高速接合是縮小設定移動平均時間,縮短動作時間,藉此高速驅動。   [0014] 若根據實施形態,則可抑制對於馬達高速動作時的行進方向之振動或偏差,實現整定時間縮短。並且,能以理想的軌跡來使馬達動作,而且,可經常監視現在的位置,因此容易使複數的軸同步而使動作。   [0015] 以下,利用圖面來說明有關實施例及變形例。但,在以下的說明中,有對於同一構成要素附上同一符號且省略重複說明的情形。另外,圖面為了使說明更明確,而相較於實際的形態,有時模式性地表示各部的寬度、厚度、形狀等,但終究只是其一例,並非限定本發明的解釋者。   [實施例]   [0016] 圖1是表示實施例的黏晶機的概略的上面圖。圖2是在圖1中由箭號A方向來看時,說明拾取頭及接合頭的動作的圖。   [0017] 黏晶機10是大致區分具有晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7及監視控制各部的動作的控制部8。Y軸方向為黏晶機10的前後方向,X軸方向為左右方向。晶粒供給部1會被配置於黏晶機10的前側,接合部4會被配置於後側。   [0018] 首先,晶粒供給部1是供給安裝於基板P的晶粒D。晶粒供給部1是具有:保持晶圓11的晶圓保持台12,及從晶圓11頂起晶粒D之以虛線所示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向,使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。   [0019] 拾取部2是具有:拾取晶粒D的拾取頭21,使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23,及使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖2也參照),從晶粒供給部1拾取晶粒D,載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。   [0020] 中間平台部3是具有:暫時性載置晶粒D的中間平台31,及用以識別中間平台31上的晶粒D的平台識別攝影機32。   [0021] 接合部4是從中間平台31拾取晶粒D,接合至被搬送而來的基板P上,或以在已被接合於基板P上的晶粒上層疊的形式接合。   接合部4是具有:   接合頭41,其係具備與拾取頭21同樣將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(圖2也參照);   Y驅動部43,其係使接合頭41移動於Y方向;   Z驅動部(未圖示),其係使接合頭41昇降(移動於Z方向);及   基板識別攝影機44,其係攝取基板P的位置識別標記(未圖示),識別接合位置。   藉由如此的構成,接合頭41是根據平台識別攝影機32的攝像資料來修正拾取位置・姿勢,從中間平台31拾取晶粒D,根據基板識別攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合於基板P。   [0022] 搬送部5是具備:載置一片或複數片的基板P(在圖1是4片)的基板搬送托盤51,及基板搬送托盤51移動的托盤軌道52,具有並行而設的同一構造的第1、第2搬送部。基板搬送托盤51是以沿著托盤軌道52而設之未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在基板搬送托盤51之未圖示的螺帽,藉此移動。   藉由如此的構成,基板搬送托盤51是在基板供給部6載置基板P,沿著托盤軌道52來移動至接合位置,接合後,移動至基板搬出部7,將基板P交給基板搬出部7。第1、第2搬送部是互相獨立驅動,在被載置於一方的基板搬送托盤51的基板P接合晶粒D中,另一方的基板搬送托盤51是將基板P搬出,返回至基板供給部6,進行載置新的基板P等的準備。   [0023] 利用圖3來說明有關控制系。圖3是表示圖1的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。控制系80是具備控制部8,驅動部86,訊號部87及光學系88。控制部8是大致區分具有主要以CPU(Central Processor Unit)所構成的控制・運算裝置81,記憶裝置82,輸出入裝置83,匯流線84及電源部85。記憶裝置82是具有:以記憶處理程式等的RAM所構成的主記憶裝置82a,及以記憶控制所必要的控制資料或畫像資料等的HDD所構成的輔助記憶裝置82b。輸出入裝置83是具有:顯示裝置狀態或資訊等的監視器83a,輸入操作員的指示之觸控面板83b,操作監視器的滑鼠83c,及取入來自光學系88的畫像資料之畫像取入裝置83d。又,輸出入裝置83是具有:控制晶粒供給部1的XY平台(未圖示)或接合頭平台的Y驅動部43、Z軸驅動部等的驅動部86之馬達控制裝置83e,及從各種的感測器訊號或照明裝置等的開關等的訊號部87取入訊號或控制的I/O訊號控制裝置83f。在光學系88是含有晶圓識別攝影機24,平台識別攝影機32及基板識別攝影機44。控制・運算裝置81是經由匯流線84來取入必要的資料且運算,將資訊傳送至拾取頭21等的控制或監視器83a等。   [0024] 圖4是用以說明圖3的馬達控制裝置的基本的原理的方塊構成圖。馬達控制裝置83e是具備動作控制器210及伺服放大器220,控制伺服馬達130。動作控制器210是具備:進行理想的指令波形的產生處理之理想波形產生部211,指令波形產生部212及DAC(Digital to Analog Converter)213。伺服放大器220是具備速度迴路控制部221。理想波形產生部211是具備:第一波形產生部214,進行移動平均處理的移動平均處理部215及第二波形產生部216。   [0025] 如圖4所示般,馬達控制裝置83e是動作控制器210與伺服放大器220會成為閉環控制。因此,使用現在的指令位置與從伺服馬達130取得的實位置及實速度,以伺服放大器220的速度迴路控制部221來進行速度控制。但,速度迴路控制部221是一邊動作控制器210會取得來自伺服馬達130的實速度及實位置而限制加加速度微分值及加加速度,一邊再產生指令波形,藉此進行其速度控制。另外,理想波形產生部211及指令波形產生部212是例如以CPU(Central Processing Unit)及儲存CPU所實行的程式的記憶體來構成。   [0026] 例如,在圖4中,目標位置、目標速度、目標加速度、目標加加速度及移動平均時間是被給予動作控制器210。然後,在指令波形產生部212是實位置及實速度會作為編碼器訊號經由伺服放大器220或從伺服馬達130直接逐次輸入。   [0027] 動作控制器210的理想波形產生部211的第一波形產生部214是由從控制・運算裝置81輸入的加加速度、加速度、速度及位置的目標值來分別產生(a)指令加加速度波形(加加速度的第一指令波形),(b)指令加速度波形(加速度的第一指令波形),(c)指令速度波形(速度的第一指令波形),(d)指令位置波形(位置的第一指令波形),且將(d)指令位置波形輸出至移動平均處理部215。   [0028] 移動平均處理部215是將從第一波形產生部214輸出的指令位置波形予以移動平均處理,且將(d')移動平均後的指令位置波形(理想的位置的指令波形)輸出至第二波形產生部216。   [0029] 第二波形產生部216是由(d')理想的位置的指令波形來依序產生(c')移動平均後的指令速度波形(理想的指令速度波形),(b')移動平均後的指令加速度波形(理想的加速度的指令波形),(a')移動平均後的指令加加速度波形(理想的加加速度的指令波形),(e')移動平均後的指令加加速度微分值波形(理想的加加速度微分值的指令波形)而輸出至指令波形產生部212。所謂「理想的」是使用在意味一邊限制加加速度微分值,一邊抑制被控制對象的振動,以預定的處理時間來順暢地控制被控制對象。   [0030] 指令波形產生部212是根據從第二波形產生部216輸出的輸出訊號波形(從理想的位置的指令波形取得的現在的指令位置)及從伺服馬達130輸入的編碼器訊號(實位置),一邊限制加加速度微分值,一邊逐次再產生今後的指令速度波形,逐次輸出至DAC213。例如,指令波形產生部212是進行(1)指令波形輸出入處理,(2)編碼器訊號計數處理及(3)指令波形再生處理。   [0031] DAC213是將被輸入的數位的指令值變換成類比訊號的速度指令值,輸出至伺服放大器220的速度迴路控制部221。另外,編碼器訊號是在編碼器訊號計數器(後述的圖13等)以位置偏差量作為脈衝積蓄。   [0032] 伺服放大器220的速度迴路控制部221是按照從動作控制器210輸入的速度指令值及從伺服馬達130輸入的編碼器訊號來控制伺服馬達130的旋轉速度。   [0033] 伺服馬達130是以對應於從伺服放大器220的速度迴路控制部221輸入的旋轉速度的控制之旋轉速度來旋轉,將實位置及實速度設為編碼器訊號,輸出至伺服放大器220的速度迴路控制部221及動作控制器210的指令波形產生部212。   [0034] 另外,在圖4的實施例中,由伺服馬達130的計數值(旋轉次數及旋轉角度)算出接合頭等的被驅動體的實位置,根據被算出的實位置來算出實速度。但,亦可具備直接檢測出被驅動體的位置的位置檢測裝置,以該位置檢測裝置所檢測出的位置作為實位置。   [0035] 以下,詳細說明有關理想波形產生部、指令波形產生部。如上述般,理想波形產生部211是由加加速度、加速度、速度及位置的振幅值之目標加加速度(Jobj)、目標加速度(Aobj)、目標速度(Vobj)及目標位置(Pobj)來產生理想的指令波形。指令波形產生部212是進行指令輸出處理及指令波形再產生處理。此時,對指令波形(例如,加加速度微分值的指令波形)加算加進了偏差量的加加速度微分值加算波形,進行指令波形再產生處理。   [0036] 首先,利用圖5來說明有關理想波形產生部。圖5是用以說明在圖4的理想波形產生部的第一波形產生部所產生的指令波形的圖。圖5(a)是指令加加速度波形,圖5(b)是由指令加加速度波形產生的指令加速度波形,圖5(c)是由指令加速度波形產生的指令速度波形,圖5(d)是由指令加速度波形產生的指令位置。所謂指令位置是被驅動體的移動去處的位置。另外,橫軸是時間。   [0037] 第一波形產生部214是由目標加加速度(Jobj)產生指令加加速度波形(JDR)。由目標加速度(Aobj)及指令加加速度波形(JDR)的積分產生指令加速度波形(ADR)。由目標速度(Vobj)及指令加速度波形(ADR)的積分產生指令速度波形(VDR)。由目標位置(Pobj)及指令速度波形(VDR)的積分產生指令位置波形(PDR)。   [0038] 在圖5(a)中,n是輸出1脈衝的指令波形的指令輸出週期的次數,為8的倍數。如圖5所示般,驅動被移動體的馬達是被加加速度控制成為:從移動開始在最初的期間(T1)慢慢地被加速,在中央部的期間(T2)為定速度,在接近最終移動位置的期間(T3)慢慢地減速而停止。   [0039] 在本實施例中設為8的倍數,但當目標位置為正方向時,亦可設為加加速度指令值變化成正值、負值、負值、正值的波形,或當目標位置為正方向時,亦可設為加加速度指令值變化成正值、負值、正值的波形。這是因為當目標移動距離短時,變無加加速度指令值為0的區間。如此,若在加加速度波形不設加加速度成為0的部分,則n是亦可設為4的倍數。   [0040] 其次,在移動平均處理部的說明之前,以求取移動平均後的指令速度波形的程序為例,利用圖6~9來說明有關移動平均法。圖6~9是用以求取指令速度波形的移動平均的程序的圖。   [0041] 將指令波形的指定時間內的m個的指令的平均設為指令值,錯開n個來將其次的m個的指令的平均設為指令值,更錯開n個來將其次的m個的指令的平均設為指令值。予以在指令波形全體進行,結合被平均化的指令值而產生最終的指令波形。在圖6~9是m=8,n=1的例子。如圖6所示般,將移動平均前的指令速度波形的8個的指令速度VR1平均,算出移動平均後的速度指令值VA1。其次,如圖7所示般,錯開1個來將移動平均前的指令速度波形的8個的指令速度VR2平均,算出移動平均後的速度指令值VA2。其次,如圖8所示般,錯開1個來將移動平均前的指令速度波形的8個的指令速度VR3平均,算出移動平均後的速度指令值VA3。予以在指令速度波形VR的全體進行,結合被平均化的速度指令值而產生最終的指令速度波形VA。   [0042] 利用圖10來說明有關移動平均時間與指令波形形狀的關係。圖10是表示使移動平均時間變化時的各指令波形的形狀的圖。   [0043] 藉由指令波形的移動平均處理,全體的指令波形長會伸展,動作時間會變長,因此指定時間(移動平均時間)越長(m變大),動作時間越長。   [0044] 一旦移動平均時間變大,則各指令波形變遲鈍。另一方面,當移動平均時間為0秒時,加加速度微分值成移無限大,因此圖示不可能,無法求取加加速度微分波形。移動平均時間是例如可按照被黏晶機要求的接合精度或循環時間來設定。   [0045] 移動平均處理部215是如上述般藉由移動平均法(規定一定的時間,一邊錯開範圍,一邊取平均)來移動平均處理在第一波形產生部214所產生的指令位置波形(位置的指令波形),而產生移動平均後的指令位置波形(理想的位置的指令波形)。   [0046] 其次,利用圖11來說明有關第二波形產生部。圖11是用以說明在第二波形產生部產生的指令波形的圖。第二波形產生部216是藉由微分在移動平均處理部215產生的移動平均後的指令位置波形(理想的位置的指令波形(PD))來產生移動平均後的指令速度波形(理想的速度的指令波形(VD)。藉由微分指令速度波形(VD)來產生移動平均後的指令加速度波形(理想的加速度的指令波形(AD))。藉由微分指令加速度波形(AD)來產生移動平均後的指令加加速度波形(理想的加加速度的指令波形(JD))。藉由微分指令加加速度波形(JD)來產生移動平均後的加加速度微分值波形(理想的加加速度微分值的指令波形(ΔJD))。   [0047] 在圖11(e')中,n是輸出1脈衝的指令波形的指令輸出週期的次數,16的倍數。如圖11所示般,驅動被移動體的馬達是被加加速度微分值控制成為:從移動開始在最初的期間(T1)慢慢地被加速,在中央部的期間(T2)以定速度在接近最終移動位置的期間(T3)慢慢地減速而停止。   [0048] 在本實施例是設為16的倍數,但當目標位置為正方向時,亦可設為加加速度微分值的指令值變化成正值、負值、負值、正值、負值、正值、正值、負值的波形,或當目標位置為正方向時,亦可設為加加速度微分值的指令值變化成正值、負值、正值、負值、正值、負值的波形。這是因為目標移動距離短時,變無加加速度微分值的指令值為0的區間。如此,若在加加速度微分值波形不設加加速度微分值成為0的部分,則n是亦可設為8的倍數。   [0049] 其次,利用圖12~17來說明有關指令波形產生部。圖12是表示圖4的指令波形產生部的構成及往指令波形產生部的輸出入訊號的方塊圖。圖13是圖12的指令波形輸出入部及指令波形再產生處理部的控制方塊圖。圖14是用以說明加加速度微分值加算波形的圖。圖15是表示偏差量為1脈衝、2脈衝、4脈衝、8脈衝及16脈衝時各個被加算於補償用的加加速度微分值波形、加加速度波形、加速度波形及速度波形的圖。圖16是用以說明加加速度上限下限確認處理動作的圖。圖17是表示補償用的加加速度微分值波形算出後被再產生的指令波形的一例圖。橫軸是時間,縱軸是分別表示脈衝高度。   [0050] 如圖12所示般,指令波形產生部212是具備指令波形輸出入部410,指令波形再產生處理部420及編碼器訊號計數器430。   [0051] 其次,在圖13中,動作控制器210的第二波形產生部216是將指令加加速度微分值波形(ΔJD)、指令加加速度波形(JD)、指令加速度波形(AD)、指令速度波形(VD)及指令位置波形(PD)的脈衝輸出至指令波形產生部212的指令波形輸出入部410。   [0052] 另外,指令波形輸出入部410是保存在前回的指令輸出時序再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n )、指令加加速度波形(JD'1 ~JD'n )、在前回的指令輸出時序所被再產生的指令波形之中來自指令輸出週期1回部分前的指令加速度波形(AD'0 ~AD'n )、指令速度波形(VD'0 ~VD'n )及指令位置波形(PD'0 ~PD'n )。指令波形輸出入部410是將目標指令位置(PD'0 )及分別在前回的時序再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n )、指令加加速度波形(JD'1 ~JD'n )、來自指令輸出週期1回部分前的指令加速度波形(AD'0 ~AD'n-1 )、來自指令輸出週期1回部分前的指令速度波形(VD'0 ~VD'n-1 )及來自指令輸出週期1回部分前的指令位置波形(PD'0 ~PD'n-1 )輸出至指令波形產生部212的指令波形再產生處理部420的減算器421及加算器423~427。   [0053] 此時,指令波形產生部212的編碼器訊號計數器430是如圖12所示般,從伺服馬達130的編碼器計數值取得現在的實位置(PA0 ),輸出至減算器421。   [0054] 減算器421是從現在的目標指令位置(PD'0 )減去現在的實位置(PA0 )而算出偏差量(Perr),輸出至加加速度微分值加算波形產生部422。   [0055] 如圖14所示般,加加速度微分值加算波形產生部422是取樣間隔(TS)內,亦即以持有指令輸出週期(TC)的n回的指令來產生偏差量(Perr)將來會變成"0"之類的加加速度微分值波形(ΔC1 ~ΔCn )。在圖14中,K是脈衝寬,ΔJC是脈衝高度,n(自然數)是取樣間隔(TS)的指令次數,x(自然數)是n個的指令次數的指令位置(脈衝號碼(1≦x≦n))。   [0056] 例如,加加速度微分值波形(ΔC1 ~ΔCn )是在其次般的程序(1)~(3)產生。另外,在以下中,將位置偏差目標補償量設為P(以Perr作為P原封不動使用),將指令輸出週期設為TC,將偏差量補償目標時間設為TN,將偏差量補償目標指令輸出週期設為n回,將加加速度微分值波形的寬度設為K,將加加速度微分值加算波形的大小設為ΔJC進行說明。   [0057]   {程序(1)}   首先,如以下般,算出加加速度微分值波形的寬度(K)。   因為由TN>(TC×n)來固定加加速度微分值加算波形的形狀,所以n是設為16的倍數。   亦即,TN>(TC×16×K),加加速度微分值波形的寬度(K)是 K<(TN/(TC×16))。   [0058]   {程序(2)}   其次,由以下的式子來算出加加速度微分值加算波形的大小(ΔJC)。{程序(3)}   其次,產生加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )。   用以補償偏差量的加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )是形成如下記般。另外,在此,x是意思1~n的第x個的波形。   x/K≦1時,ΔCx =ΔJC   x/K≦2時,ΔCx =0   x/K≦3時,ΔCx =-ΔJC   x/K≦4時,ΔCx =0   x/K≦5時,ΔCx =-ΔJC   x/K≦6時,ΔCx =0   x/K≦7時,ΔCx =ΔJC   x/K≦8時,ΔCx =0   x/K≦9時,ΔCx =-ΔJC   x/K≦10時,ΔCx =0   x/K≦11時,ΔCx =ΔJC   x/K≦12時,ΔCx =0   x/K≦13時,ΔCx =-ΔJC   x/K≦14時,ΔCx =0   x/K≦15時,ΔCx =-ΔJC   x/K≦16時,ΔCx =0   例如,K=1時,加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )是形成如以下般。   ΔC1 ~ΔCn ={ΔJC,0,-ΔJC,0,-ΔJC,0,ΔJC,0,-ΔJC,0,ΔJC,0,ΔJC,0,-ΔJC,0}   亦即,ΔC1 =ΔJC、ΔC2 =0、ΔC3 =-ΔJC、ΔC4 =0、ΔC5 =-ΔJC、ΔC6 =0、ΔC7 =ΔJC、ΔC8 =0、ΔC9 =-ΔJC、ΔC10 =0、ΔC11 =ΔJC、ΔC12 =0、ΔC13 =ΔJC、ΔC14 =0、ΔC15 =-ΔJC、ΔC16 =0。   [0059] 如圖15所示般,偏差量(P)越大,則用以補償偏差量(P)的加加速度微分值波形的高度(ΔJC)越大。   [0060] 其次,在圖13中,加加速度微分值加算波形產生部422是將加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )輸出至加算器423。加算器423是加算加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )與在前回的指令輸出時序產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n ),而再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加加速度微分值波形(JD''1 ~JD''n ),輸出至加加速度微分值限制部428及加算器424。   [0061] 例如,加算器423的輸出是成為ΔJD"1 =ΔJD'1 +ΔC1 ,ΔJD"2 =ΔJD'2 +ΔC2 ,ΔJD"3 =ΔJD'3 + ΔC3 ,~,ΔJD"n =ΔJD'n +ΔCn 。   [0062] 加算器424是加算被再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )與在前回的指令輸出時序產生的指令加加速度波形(JD'1 ~JD'n ),而再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n ),輸出至加加速度微分值限制部428及加算器425。   [0063] 例如,加算器424的輸出是成為JD"1 =JD'1 + ΔJD'1 ,JD"2 =JD'2 +ΔJD'2 ,JD"3 =JD'3 +ΔJD'3 ,~,JD"n = JD'n +ΔJD'n 。   [0064] 加算器425是加算被再產生的指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )與在前回的指令輸出時序產生之來自指令輸出週期1回部分前的指令加速度波形(AD'0 ~AD'n-1 ),而再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加速度波形(AD"1 ~AD"n ),輸出至加算器426及加加速度微分值限制部428。   [0065] 例如,加算器425的輸出是成為AD"1 =AD'0 +JD"1 ,AD"2 =AD'1 +JD"2 ,AD"3 =AD'2 +JD"3 ,~,AD"n =AD'(n-1) +JD"n 。   [0066] 加算器426是加算被再產生的指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )與在前回的指令輸出時序產生之來自指令輸出週期1回部分前的指令速度波形(VD'0 ~VD'n-1 ),再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加速度波形(VD"1 ~VD"n ),輸出至加算器427及加加速度微分值限制部428。   [0067] 例如,加算器426的輸出是成為VD"1 =VD'0 +AD"1 ,VD"2 =VD'1 +AD"2 ,VD"3 =VD'2 +AD"3 ,~,VD"n =VD'(n-1) +AD"n 。   [0068] 加算器427是加算被再產生的指令速度波形(VD"1 ~VD"n )與在前回的指令輸出時序產生之來自指令輸出週期1回部分前的指令位置波形(PD'0 ~PD'n-1 ),再產生指令輸出週期n回部分的所有指令位置波形(PD"1 ~PD"n ),輸出至加加速度微分值限制部428。   [0069] 例如,加算器427的輸出是成為PD"1 =PD'0 + VD"1 ,PD"2 =PD'1 +VD"2 ,PD"3=PD'2 +VD"3 ,~,PD"n = PD'(n-1) +VD"n 。   [0070] 而且,指令波形再產生處理部420是確認在加算器423~427所取得的各指令波形是否為範圍內。   加加速度微分值限制部428是利用圖16來確認有關被再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )是否不超過上限(或下限)。在圖16中,加加速度微分值上限(ΔJmax)及加加速度微分值下限(-ΔJmax)是被預定。   [0071] 在圖16中,加算器423是將虛線圓701內的加加速度微分值加算波形加算於在前回的指令輸出時序產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n )。亦即,加算波形脈衝(ΔC1 、ΔC2 、ΔC3 、ΔC4 、ΔC5 、ΔC6 、ΔC7 及ΔC8 )會被加算於以粗線所示的加加速度微分值波形(指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n ))。在前回修正的時序有修正,若再被加以修正,則有可能脈衝波形會低於加加速度微分值下限值(-ΔJmax)。   [0072] 此情況,加加速度微分值限制部428是檢測在現在時刻的脈衝波形(ΔC1 、ΔC2 、ΔC3 、ΔC4 、ΔC5 、ΔC6 、ΔC7 及ΔC8 )是(OK)否(NG)為處於上限(ΔJmax)與下限(-ΔJmax)之間,判定OK或NG,分歧輸出。例如,檢測在現在時刻是否波形(ΔC2 )為未滿上限(ΔJmax)(ΔJD"1 ~ΔJD"n < ΔJmax)。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則檢測在現在時刻的波形(ΔC2 )是否超過下限(ΔJmax)(-ΔJmax<ΔJD"1 ~ΔJD"n )。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則將指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )、指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )、指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )、指令速度波形(VD"1 ~VD"n )、及指令位置波形(PD"1 ~PD"n )輸出至加加速度限制部429。   [0073] 其次,在圖13中,加加速度限制部429是與加加速度微分值限制部428同樣,檢測在現在時刻的加加速度波形是否未滿上限(Jmax)(JD"1 ~JD"n <Jmax)。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則檢測在現在時刻的波形是否為超過下限Jmax(-Jmax<JD"1 ~JD"n )。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則將指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )、指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )、指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )、指令速度波形(VD"1 ~VD"n )及指令位置波形(PD"1 ~PD"n )輸出至加速度限制部42A。   [0074] 其次,在圖13中,加速度限制部42A是與加加速度微分值限制部428同樣,檢測在現在時刻的加速度波形是否為未滿上限(Amax) (AD"1 ~AD"n <Amax)。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則檢測在現在時刻的波形是否超過下限(Amax) (-Amax<AD"1 ~AD"n )。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則將指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )、指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )、指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )、指令速度波形(VD"1 ~VD"n )及指令位置波形(PD"1 ~PD"n )輸出至速度限制部42B。   [0075] 更在圖13中,速度限制部42B是與加加速度微分值限制部428同樣,檢測在現在時刻的速度波形是否未滿上限(Vmax) (VD"1 ~VD"n <Vmax)。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則檢測在現在時刻的波形是否超過下限(Vmax) (-Vmax<VD"1 ~VD"n )。然後,若為否(NG),則將NG資訊輸出至指令波形復原部42C。又,若為OK,則將指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )、指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )、指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )、指令速度波形(VD"1 ~VD"n )及指令位置波形(PD"1 ~PD"n )輸出至指令波形輸出入部410。   [0076] 指令波形復原部42C是在NG資訊從加加速度微分值限制部428、加加速度限制部429、加速度限制部42A或速度限制部42B的任一個輸入時,復原前回的指令輸出時的指令波形,將全偏差量的修正留待至次回指令輸出時(上限與下限的確認處理)。亦即將復原後的前回的指令輸出時的指令波形輸出至指令波形輸出入部410。   [0077] 此後,在圖13中,以再產生的指令波形的ΔJD"1 ~ΔJD"n 、JD"1 ~JD"n 、AD"1 ~AD"n 、VD"1 ~VD"n 、及PD"1 ~PD"n 作為新的指令波形保存。   [0078] 指令波形的速度指令值(VD"1 ~VD"n )是如圖12所示般,從指令波形輸出入部410依序輸出至DAC213,DAC213是將依序類比變換後的速度指令值輸出至伺服放大器220。   [0079] 在圖12中,DAC213是將被輸入的速度指令值(VD"1 )變換成類比值而輸出至伺服放大器220。伺服放大器220是按照被輸入的類比資料來旋轉驅動伺服馬達130,且將伺服馬達130的旋轉位置(及旋轉速度)設為編碼器訊號,輸出至指令波形產生部212。   [0080] 從伺服馬達130輸出的編碼器訊號是被輸入至指令波形產生部212的編碼器訊號計數器430。   [0081] 編碼器訊號計數器430是將以預定的週期所計數的計數值(PA0 )輸出至指令波形再產生處理部420。   [0082] 在指令波形再產生處理部420中,減算器421會在其減算輸入端子輸入編碼器訊號計數器430所輸出的計數值(PA0 )。   [0083] 伺服放大器220是按照被輸入的速度指令值(VD"1 )來控制伺服馬達130。   [0084] 將全部的指令波形所被再產生的樣子顯示於圖17。細的實線是分別補償前的波形,從現在時刻起在指令加加速度微分值中加算補償用的加加速度微分值波形的期間之間,以粗的實線所示的波形來控制伺服馬達130。   [0085] 此結果,伺服馬達130會旋轉,藉由其旋轉,馬達以高速旋轉動作時,可抑制對於被驅動體的行進方向之振動或偏差,實現整定時間縮短。並且,能以理想的軌跡來使馬達動作,而且,可經常地監視現在的位置,因此可容易使複數的軸同步而使動作。   [0086] 另外,在圖17中,實位置波形可見比現在時刻更之前起偏差。這表示對於指令的波形,到現在時刻為止的偏差(位置偏差)。實際,以非常短的指令輸出週期的間隔來持續修正,因此無圖17程度顯著產生偏差的情形。在圖17中,為了強調表現位置被修正的樣子,而使現在時刻的實位置形成稍微偏離指令波形的位置。   [0087] 其次,利用圖18、19來說明有關馬達控制方法。圖18、19是用以說明馬達控制方法的動作的一例的程序的流程圖。   依據圖18、19來說明在指令輸出週期時序作成指令加加速度微分值波形(JD")、指令加加速度波形(JD")、指令加速度波形(AD")、指令速度波形(VD")、及指令位置波形(PD")的程序。   在步驟S601中,從編碼器計數值取得現在的實位置(PA0 )。   在步驟S602中,從實位置(PA0 )及現在的指令位置(PD'0 )算出偏差量(Perr)。   在步驟S603中,在指令輸出週期n回,產生偏差量(Perr)將來會變成"0"之類的加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )。   [0088] 在步驟S604中,將加加速度微分值加算波形(ΔC1 ~ΔCn )加算於指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n ),再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )。   在步驟S605中,將再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )加算於指令加加速度波形(JD'1 ~JD'n ),再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )。   在步驟S606中,從來自指令輸出週期1回部分前的指令加速度波形(AD'0 ~AD'n-1 )及再產生的指令加加速度波形(JD"1~JD"n )來再產生指令輸出週期n回部分的所有指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )。   在步驟S607中,以和指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )的再產生(步驟S606)同樣的方法來再產生指令速度波形(VD"1 ~VD"n )。   在步驟S608中,以和指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )的再產生(步驟S606)或指令速度波形(VD"1 ~VD"n )的再產生(步驟S607)同樣的方法來再產生指令位置波形(PD"1 ~PD"n )。   [0089] 在步驟S609中,確認再產生的加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )是否未滿上限(ΔJmax)。超過上限(ΔJmax)時是將處理移行至步驟S614,未滿上限時是將處理移行至步驟S610。   在步驟S610中,確認再產生的加加速度波形(JD"1 ~JD"n )是否未滿上限(Jmax)。超過上限(Jmax)時是將處理移行至步驟S614,未滿上限時是將處理移行至步驟S611。   在步驟S611中,確認再產生的加速度波形(AD"1 ~AD"n )是否未滿上限(Amax)。超過上限(Amax)時是將處理移行至步驟S614,未滿上限時是將處理移行至步驟S612。   在步驟S612中,確認再產生的速度波形(VD"1 ~VD"n )是否未滿上限(Vmax)。超過上限(Vmax)時是將處理移行至步驟S614,未滿上限時是將處理移行至步驟S613。   [0090] 在步驟S613中,以再產生的指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )、指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )、指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )、指令速度波形(VD"1 ~VD"n )及指令位置波形(PD"1 ~PD"n )作為新的指令波形保存。   在步驟S615中,使次回的速度指令值(VD"1 ~VD"n )從DAC312輸出,終了圖17,18的處理,移行至其次的指令輸出週期時序的動作。   [0091] 在步驟S614中,將再產生指令波形以前回的指令波形來復原,將處理移行至步驟S615。亦即,使用前回的指令加加速度微分值波形(ΔJD'1 ~ΔJD'n )作為指令加加速度微分值波形(ΔJD"1 ~ΔJD"n )。使用前回的指令加加速度波形(JD'1 ~JD'n )作為指令加加速度波形(JD"1 ~JD"n )。又,使用前回的指令加速度波形(AD'1 ~AD'n )作為指令加速度波形(AD"1 ~AD"n )。又,亦使用前回的指令速度波形(VD'1 ~VD'n )作為指令速度波形(VD"1 ~VD"n )。又,使用前回的指令位置波形(PD'1 ~PD'n )作為指令位置波形(PD"1 ~PD"n )。   [0092] 其次,利用圖20來說明有關使用實施例的黏晶機之半導體裝置的製造方法。圖20是表示半導體裝置的製造方法的流程圖。   步驟S11:將保持貼附有從晶圓11分割的晶粒D的切割膠帶16之晶圓環14儲存於晶圓盒(未圖示),搬入至黏晶機10。控制部8是從充填有晶圓環14的晶圓盒供給晶圓環14至晶粒供給部1。並且,準備基板P,搬入至黏晶機10。控制部8是在基板供給部6將基板P載置於基板搬送托盤51。   [0093] 步驟S12:   控制部8是從晶圓拾取分割後的晶粒。   步驟S13:控制部8是將拾取後的晶粒搭載於基板P上或層疊於已接合的晶粒上。控制部8是將從晶圓11拾取後的晶粒D載置於中間平台31,以接合頭41從中間平台31再度拾取晶粒D,接合於被搬送來的基板P。   [0094] 步驟S14:控制部8是在基板搬出部7從基板搬送托盤51取出接合有晶粒D的基板P。從黏晶機10搬出基板P。   [0095]   <變形例>   以下,有關代表性的變形例是舉幾個例子。在以下的變形例的說明中,對於具有與在上述的實施例說明者同樣的構成及機能的部分是可使用與上述的實施例同樣的符號。然後,有關如此的部分的說明是可在技術上不矛盾的範圍內適當援用上述的實施例的說明。並且,上述的實施例的一部分及複數的變形例的全部或一部分可在技術上不矛盾的範圍內適當地複合適用。   [0096]   (變形例1)   圖21是表示變形例1的指令波形輸出入部及指令波形再產生處理部的構成的方塊圖。   在上述實施例中,指令波形復原部42C會將前回的指令波形復原,但亦可如圖21所示般,在變形例1中,指令波形再產生處理部420輸出NG資訊,指令波形輸出入部410按照NG資訊,以保存的前回的指令波形作為現在的指令波形復原。   [0097]   (變形例2)   在實施例中說明有關旋轉的馬達(伺服馬達),但在旋轉的馬達以外的線性馬達也可適用。具體而言,在圖4中,將伺服馬達130置換成線性馬達(以下稱為變形例2的馬達控制裝置)。伺服放大器220的速度迴路控制部221是按照從動作控制器210輸入的速度指令值及從線性馬達輸入的編碼器訊號來控制線性馬達的移動速度。   [0098] 線性馬達是以對應於從伺服放大器220的速度迴路控制部221輸入的移動速度的控制之移動速度來移動,將實位置及實速度設為編碼器訊號來輸出至伺服放大器220的速度迴路控制部221及動作控制器210的指令波形產生部212。   [0099] 另外,在變形例2的馬達控制裝置中,從線性馬達的計數值算出被驅動體的實位置,根據被算出的實位置來算出實速度。但,亦可具備直接檢測出被驅動體的位置的位置檢測裝置,以該位置檢測裝置所檢測出的位置作為實位置。   [0100] 例如,在變形例2的馬達控制裝置中,DAC213是將被輸入的速度指令值(VD"1 )變換成類比值而輸出至伺服放大器220。伺服放大器220是按照被輸入的類比資料來驅動線性馬達,且以線性馬達的移動位置(及移動速度)作為編碼器訊號,輸出至指令波形產生部212。   [0101] 從線性馬達輸出的編碼器訊號是被輸入至指令波形產生部212的編碼器訊號計數器430。   [0102] 編碼器訊號計數器430是將以預定的週期所計數的計數值PA0 輸出至指令波形再產生處理部420。   [0103] 在指令波形再產生處理部420中,減算器421會將編碼器訊號計數器430所輸出的計數值(PA0 )輸入至其減算輸入端子。全部的指令波形被再產生的樣子是與圖17同樣。   [0104] 此結果,線性馬達移動,藉由其移動,線性馬達以高速移動動作時,可抑制對於被驅動體的行進方向之振動或偏差,實現整定時間縮短。並且,可以理想的軌跡來使線性馬達動作,而且,可經常地監視現在的位置,因此容易使複數的軸同步而使動作。   進一步,在具有編碼器計數機能的馬達等馬達全體也可適用。   [0105] 以上,根據實施形態、實施例及變形例來具體說明本發明者所研發的發明,但本發明是不限於上述實施形態、實施例及變形例,當然可實施各種變更。   例如,在實施例中,指令波形輸出入部是輸出速度指令值來控制馬達。但,亦可取代速度指令值,輸出加速度指令值來控制馬達。其結果,不僅位置的控制,荷重控制也成為可能。   又,實施例是分別具備1個拾取頭及接合頭,但分別為2個以上。又,實施例是具備中間平台,但亦可無中間平台。此情況,拾取頭及接合頭是亦可兼用。   又,實施例是以晶粒的表面為上進行接合,但亦可拾取晶粒後使晶粒的表背反轉,以晶粒的背面為上進行接合。此情況,中間平台是亦可不設。此裝置是稱為覆晶焊接器(Flip Chip Bonder)。
[0106]
130‧‧‧伺服馬達
83e‧‧‧馬達控制裝置
210‧‧‧動作控制器
211‧‧‧理想波形產生部
212‧‧‧指令波形產生部
213‧‧‧DAC
220‧‧‧伺服放大器
221‧‧‧速度迴路控制部
410‧‧‧指令波形輸出入部
420‧‧‧指令波形再產生處理部
421‧‧‧減算器
422‧‧‧加加速度微分值加算波形產生部
423~427‧‧‧加算器
428‧‧‧加加速度微分值限制部
429‧‧‧加加速度限制部
42A‧‧‧加速度限制部
42B‧‧‧速度限制部
42C‧‧‧指令波形復原部
430‧‧‧編碼器訊號計數器
[0009]   圖1是表示實施例的黏晶機的構成的概略上面圖。   圖2是說明圖1的黏晶機的概略構成及其動作的圖。   圖3是表示圖1的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。   圖4是用以說明圖3的馬達控制裝置的基本的原理的方塊構成圖。   圖5是用以說明在圖4的理想波形產生部的第一波形產生部所產生的指令波形的圖。   圖6是用以說明移動平均處理的圖。   圖7是用以說明移動平均處理的圖。   圖8是用以說明移動平均處理的圖。   圖9是用以說明移動平均處理的圖。   圖10是表示使移動平均時間變化時的各指令波形的形狀的圖。   圖11是用以說明在圖4的理想波形產生部的第二波形產生部所產生的理想的指令波形的圖。   圖12是表示圖4的指令控制部的構成及往指令波形產生部的輸出入訊號的方塊圖。   圖13是表示圖12的指令波形輸出入部及指令波形再產生處理部的構成的方塊圖。   圖14是用以說明在圖13的加加速度微分值加算波形產生部所產生的加加速度微分值加算波形的圖。   圖15是表示偏差量為1脈衝、2脈衝、4脈衝、8脈衝及16脈衝時各個被加算於補償用的加加速度微分值波形、加加速度波形、加速度波形及速度波形的圖。   圖16是用以說明實施例的馬達控制裝置的加加速度微分值上限下限確認處理動作的圖。   圖17是表示實施例的馬達控制裝置的補償用的加加速度微分值波形算出後被再產生的指令波形的圖。   圖18是用以說明實施例的馬達控制方法的動作的程序的流程圖。   圖19是用以說明實施例的馬達控制方法的動作的程序的流程圖。   圖20是用以說明使用實施例的黏晶裝置的半導體裝置的製造方法的流程圖。   圖21是表示變形例1的指令波形輸出入部及指令波形再產生處理部的構成的方塊圖。

Claims (11)

  1. 一種黏晶裝置,其特徵係具備:   馬達,其係驅動被驅動體,將實位置設為編碼器訊號輸出;   馬達控制裝置,其係控制前述馬達,將前述被驅動體控制至目標位置,把晶粒安裝於基板,   前述馬達控制裝置係具備:   理想波形產生部,其係產生加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的理想的指令波形;   指令波形產生部,其係讀出前述理想的指令波形,再產生目標指令位置、和加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形,將被再產生的速度的指令波形輸出;   DAC,其係將前述被再產生的速度的指令波形變換成類比資料,   前述理想波形產生部係具備:   第一波形產生部,其係由加加速度、加速度、速度及位置的目標值來依序積分加加速度、加速度、速度及位置的第一指令波形而產生;   移動平均處理部,其係藉由規定一定的時間,一邊錯開範圍,一邊取平均的移動平均法,由在前述第一波形產生部被產生的位置的第一指令波形來產生位置的理想的指令波形;及   第二指令波形產生部,其係由前述位置的理想的指令波形來依序微分而產生速度、加速度、加加速度及加加速度微分值的理想的指令波形,   前述指令波形產生部係具備:   指令波形再產生處理部,其係根據依據前述編碼器訊號之實位置及前述目標指令位置來產生加加速度微分值的加算波形,將前述被產生的加加速度微分值的加算波形加算於在前回的指令輸出時序所被再產生的加加速度微分值的指令波形,而再產生加加速度微分值的指令波形,更再產生加加速度、加速度、速度及位置的指令波形;及   指令波形輸出入部,其係保存前述被產生的位置、速度、加速度、加加速度及加加速度微分值的理想的指令波形、和前述被再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置,其中,前述指令波形產生部為:   將前述被再產生的加加速度微分值的指令波形加算於在前回的指令輸出時序被再產生的加加速度的指令波形,而再產生加加速度的指令波形,   將前述被再產生的加加速度的指令波形加算於在前回的指令輸出時序所被再產生的加速度的指令波形,而再產生加速度的指令波形,   將前述被再產生的加速度的指令波形加算於在前回的指令輸出時序所被再產生的加速度的指令波形,而再產生加速度的指令波形,   將前述被再產生的速度的指令波形加算於在前回的指令輸出時序所被再產生的速度的指令波形,而再產生速度的指令波形,   將前述被再產生的速度的指令波形加算於在前回的指令輸出時序所被再產生的位置的指令波形,而再產生位置的指令波形。
  3. 如申請專利範圍第2項之黏晶裝置,其中,前述指令波形再產生處理部,係具有:由依據前述編碼器訊號之實位置與前述目標指令位置的差之偏差量來產生加加速度微分值的加算波形之加加速度微分值加算波形產生部。
  4. 如申請專利範圍第3項之黏晶裝置,其中,前述指令波形再產生處理部,係更具有加加速度微分值限制部,   前述加加速度微分值限制部,係前述被再產生的加加速度微分值的指令波形為超過預定的加加速度微分值上限值或未滿加加速度微分值下限值時,將NG資訊輸出至前述指令波形輸出入部,   前述指令波形輸出入部,係被輸入前述NG資訊時,   將在前述前回的指令輸出時序所被再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形復原,   以被復原的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形作為再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形,將被再產生的速度的指令波形輸出至前述DAC。
  5. 如申請專利範圍第3項之黏晶裝置,其中,前述指令波形再產生處理部,係更具備:   加加速度微分值限制部,其係前述被再產生的加加速度微分值的指令波形為超過預定的加加速度微分值上限值或未滿加加速度微分值下限值時,輸出NG資訊;及   指令波形復原部,其係被輸入前述NG資訊時,將在前述前回的指令輸出時序所被再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形復原,輸出至前述指令波形輸出入部,   前述指令波形輸出入部,係以被復原的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形作為再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形,將被再產生的速度的指令波形輸出至前述DAC。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中的任一項所記載之黏晶裝置,其中,前述指令波形產生部,係以被再產生的加加速度微分值、加加速度、加速度、速度及位置的指令波形作為在前回的指令輸出時序所被再產生的指令波形保存。
  7. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置,其中,前述馬達為伺服馬達。
  8. 如申請專利範圍第1項之黏晶裝置,其中,前述被驅動體為接合頭及拾取頭之其中的至少一個。
  9. 一種半導體裝置的製造方法,其特徵係具備:   (a)準備如申請專利範圍第1~5項中的任一項的黏晶裝置之工程;   (b)將保持貼附有晶粒的切割膠帶的晶圓環夾具搬入之工程;   (c)準備搬入基板之工程;   (d)拾取晶粒之工程;及   (e)將前述拾取後的晶粒接合於前述基板或已被接合的晶粒上之工程。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法,其中,   前述(d)工程係以身為前述被驅動體的接合頭來拾取前述切割膠帶上的晶粒,   前述(e)工程係以前述接合頭來將前述拾取後的晶粒接合於前述基板或已被接合的晶粒上。
  11. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法,其中,前述(d)工程係具有:   (d1)以前述身為被驅動體的拾取頭來拾取前述切割膠帶上的晶粒之工程;及   (d2)將以前述拾取頭拾取後的晶粒載置於中間平台之工程,   前述(e)工程係具備:   (e1)以前述身為被驅動體的接合頭來拾取被載置於前述中間平台的晶粒之工程;及   (e2)將以前述接合頭拾取後的晶粒載置於前述基板之工程。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7408434B2 (ja) * 2020-02-25 2024-01-05 ファスフォードテクノロジ株式会社 モータ制御装置、ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
CN113241319B (zh) * 2021-05-31 2021-11-30 广东工业大学 一种快速定位方法及系统
JP2023146304A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 Ntn株式会社 産業機器の制御装置
CN117038565B (zh) * 2023-10-08 2024-01-26 恩纳基智能科技无锡有限公司 芯片拾取控制方法以及芯片拾取装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086628A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Fanuc Ltd 加々々速度に制限を持つ移動指令の計画・作成方法
JP3699606B2 (ja) 1999-02-26 2005-09-28 パイオニア株式会社 回転サーボ制御装置及び回転サーボ制御方法
GB2373066B (en) * 2000-11-01 2004-11-10 Mitsubishi Electric Corp Servo controller method and its apparatus
JP2005301508A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Fanuc Ltd 制御装置
JP2007086904A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Brother Ind Ltd 加速度軌跡生成装置
JP2008186405A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Brother Ind Ltd 制御方法及び制御装置
JP2011113475A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Brother Industries Ltd 数値制御装置及び当該装置を備えた工作機械
DE102010015316A1 (de) * 2010-04-17 2011-10-20 Audi Ag Verfahren zur Regelung der Position und/oder der Geschwindigkeit
JP5320420B2 (ja) * 2011-02-18 2013-10-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ モータ制御装置およびモータ制御方法
CN102214589B (zh) * 2011-05-31 2013-04-24 华亚平 垂直芯片电子封装方法
JP5997560B2 (ja) * 2012-09-25 2016-09-28 株式会社ダイヘン 開始時点特定装置、制御装置、及び開始時点特定方法
JP5701465B2 (ja) * 2012-12-21 2015-04-15 株式会社新川 フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法
JP5912143B2 (ja) * 2014-03-04 2016-04-27 株式会社新川 ボンディング装置
JP6247965B2 (ja) * 2014-03-12 2017-12-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造方法及びダイボンダ
JP6391378B2 (ja) * 2014-09-10 2018-09-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP6584234B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-02 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法
CN205648219U (zh) * 2016-05-26 2016-10-12 东莞市正向智能科技有限公司 一种具有可调节送料轨道的四模组led群贴机

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