TW201835231A

TW201835231A - 高介電常數樹脂組成物

Info

Publication number: TW201835231A
Application number: TW106144521A
Authority: TW
Inventors: 藤木弘; 樹; 內田耕己
Original assignee: 日商日信化學工業股份有限公司
Priority date: 2016-12-20
Filing date: 2017-12-19
Publication date: 2018-10-01
Also published as: JP2018100333A; WO2018116907A1

Abstract

本發明提供：高介電常數樹脂組成物，其特徵為含有(A)樹脂與(B)導電性氧化物粒子，相對於上述(A)樹脂100質量份，摻合0.03～13.0質量份的上述(B)導電性氧化物粒子而成；成形品，其特徵為含有該高介電常數樹脂組成物；及，電氣・電子零件，其特徵為含有該高介電常數樹脂組成物。　　本發明之高介電常數樹脂組成物係藉由極少量的填料添加而顯示高介電常數及低介電正切，因此可充分活用構成的樹脂之特性，成形性優異，同時可廣泛採用於薄膜或電容器等之電子零件。

Description

高介電常數樹脂組成物

[0001] 本發明關於高介電常數樹脂組成物，更詳細而言，關於含有樹脂與導電性氧化物之高介電常數樹脂組成物以及使用該組成物的薄膜等之成形品及電氣・電子零件。

[0002] 近年來，於資訊通訊機器中，要求能適應高頻區域的高性能高頻用電子零件。因此，對於電容器或天線等的電子零件所使用之高介電常數樹脂材料，要求按照各自的設計，顯示適當的介電常數，且為低介電正切。　　[0003] 作為高介電常數樹脂材料，自以往以來，已知在樹脂中添加鈦酸鋇等的高介電常數之金屬氧化物填料者，或加有碳黑、金屬等的導電性填料者。　　[0004] 專利文獻1中記載藉由在樹脂中添加經末端基不同的矽烷偶合劑所表面處理的2種類之鈦酸鋇粉末，而以比較少的介電常數粉末之添加，得到高介電常數樹脂組成物。然而，於此文獻中，相對於環氧樹脂100質量份，添加至少55質量份左右的介電常數粉末，而樹脂組成物的成形性不能說是充分。　　[0005] 又，專利文獻2中提案即使為了使介電常數升高而提高鈦酸鋇的添加量，也不損害樹脂組成物的成形性，含有特定的化合物作為添加劑之技術。然而，於此技術中，摻合40質量%以上的鈦酸鋇，因此有損害樹脂本來的特性之虞。　　[0006] 再者，專利文獻3中揭示含有板形狀的導電性填料之介電體樹脂材料。然而，於此技術中，不僅控制填料形狀，而且使其在樹脂中配向，故有製造繁雜，在使用態樣發生限制之問題。　　[0007] 又，對於在樹脂中加有高介電常數填料的高介電常數樹脂材料，添加極少量的高介電常數填料時，已知相對於添加量而言介電常數不怎麼增大。茲認為此係因為若以等效電路表示樹脂中少量的高介電常數填料分散之狀態，則成為對應於低介電常數的樹脂之容量小的電容與對應於高介電常數填料之容量大的電容之串聯電路。因此，於如此的高介電常數樹脂材料中，即使比較小地調整介電常數時，也需要添加大量的高介電常數填料，結果會損害成形性或樹脂本來的特性。　　[0008] 另一方面，茲認為於樹脂中加有導電性填料的高介電常數樹脂材料之情況，藉由電極間距離(介電體之厚度)實質地變小，而介電常數增大。茲認為由於電容係與電極間距離反比例，即使填料的添加量少，也得到某程度的介電常數增大效果。　　[0009] 然而，於以往作為導電性填料使用的碳黑或金屬中，得不到充分的介電常數。若增多導電性填料的添加量，則可期望介電常數的增大，但會損害樹脂的特性或絕緣性。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0010] 　　[專利文獻1] 日本特開2005-15652號公報　　[專利文獻2] 日本特開2003-97074號公報　　[專利文獻3] 日本特開2004-247382號公報

[發明所欲解決的課] 　　[0011] 本發明係鑒於上述情事而完成者，目的在於提供藉由少量的填料添加而得之高介電常數樹脂組成物以及使用該組成物的薄膜等之成形品及電氣・電子零件。 [解決課題的手段] 　　[0012] 本發明者們為了達成上述目的而專心致力地檢討，結果發現藉由於熱塑樹脂等之樹脂材料中，少量摻合導電性氧化物，尤其平均粒徑為指定範圍以下的導電性氧化物粒子，可不損害樹脂材料所具有的成形性等之特性，使介電常數比以往使用的導電性填料更增大，且介電正切變低，終於完成本發明。　　[0013] 即，本發明提供下述之高介電常數樹脂組成物及使用該組成物之薄膜、成形品、電氣・電子零件。　　[1]一種高介電常數樹脂組成物，其特徵為含有(A)樹脂與(B)導電性氧化物粒子，相對於上述(A)樹脂100質量份，摻合0.03～13.0質量份的上述(B)導電性氧化物粒子而成。　　[2]如[1]記載之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之氧化物係包含由氧化錫、氧化銦、氧化銻、氧化鋅及氧化鎘之群所選出的至少1種之氧化物或複合氧化物。　　[3]如[1]記載之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之氧化物為銻摻雜氧化錫或錫摻雜氧化銦。　　[4]如[1]～[3]中任一項記載之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之平均粒徑為100nm以下。　　[5]如[1]～[4]中任一項記載之高介電常數樹脂組成物，其中上述(A)樹脂係包含由聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、低密度聚乙烯樹脂、中密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、聚乳酸樹脂、6尼龍樹脂、66尼龍樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫樹脂、聚碸樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂及聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂之群所選出的至少1種之熱塑性樹脂。　　[6]一種成形品，其特徵為含有如上述[1]～[5]中任一項記載之高介電常數樹脂組成物。　　[7]如[6]記載之成形品，其體積電阻率為1´10⁹ ～1´10¹⁵ W・cm。　　[8]如[6]或[7]記載之成形品，其中上述成形品為薄膜。　　[9]一種電氣・電子零件，其特徵為含有如上述[1]～[5]中任一項記載之高介電常數樹脂組成物。 [發明效果] 　　[0014] 本發明之高介電常數樹脂組成物係藉由極少量的填料添加而顯示高介電常數及低介電正切，因此可充分活用構成的樹脂之特性，成形性優異，同時可廣泛採用於薄膜或電容器等之電子零件。

[實施發明的形態] 　　[0015] 本發明係一種高介電常數樹脂組成物，其含有(A)樹脂與(B)導電性氧化物粒子，相對於(A)樹脂100質量份，摻合0.03～13.0質量份的(B)導電性氧化物粒子而成。　　[0016] 作為(A)樹脂，較佳為熱塑性樹脂，具體地可舉出聚氯乙烯樹脂(PVC)、聚苯乙烯樹脂(PS)、ABS樹脂、AS樹脂、聚丙烯酸樹脂(PMMA)、超低密度聚乙烯樹脂(VLDPE)、低密度聚乙烯樹脂(LDPE)、線狀低密度聚乙烯樹脂(LLDPE)、中密度聚乙烯樹脂(MDPE)、高密度聚乙烯樹脂(HDPE)、超高分子量聚乙烯(U-PE)、聚丙烯樹脂(PP)、聚碳酸酯樹脂(PC)、改質PPE樹脂(m-PPE)、6尼龍樹脂(PA6)、66尼龍樹脂(PA66)、聚縮醛樹脂(POM)、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酯樹脂(PEs)、聚碸樹脂(PSF)、聚芳酯樹脂(PAR)、聚醚醯亞胺樹脂(PEI)、聚醯亞胺樹脂、聚乳酸樹脂(PLA)、聚醚醚酮樹脂(PEEK)、聚苯硫樹脂(PPS)、聚苯醚樹脂(PPO)、聚醯胺醯亞胺樹脂(PAI)、液晶聚合物樹脂(LCP)、聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、聚氯三氟乙烯樹脂(PCTFE)、聚偏二氟乙烯樹脂(PVDF)、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂(PVDF-HFP)、聚胺甲酸酯樹脂、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物、偏二氟乙烯樹脂、乙烯-四氟乙烯共聚物、乙烯-氯氟乙烯共聚物、偏二氯乙烯樹脂、氯化聚烯烴樹脂、改質聚烯烴樹脂、水交聯聚烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、氟樹脂酚樹脂、環氧樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂及各種高分子物質之共聚物、混合物等。　　[0017] 於上述熱塑性樹脂之中，作為(A)樹脂，特別地較佳為聚苯醚樹脂、聚苯硫樹脂、聚碸樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、低密度聚乙烯樹脂、中密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、聚乳酸樹脂、6尼龍樹脂、66尼龍樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂，更佳為聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乳酸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂，特佳為採用聚醚醯亞胺樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂。　　[0018] 接著，(B)導電性氧化物粒子係沒有特別的限定，但較佳為包含由氧化錫、氧化銦、氧化銻、氧化鋅及氧化鎘之群所選出的至少1種之氧化物或複合氧化物。具體而言，可舉出銻摻雜氧化錫(ATO)、錫摻雜氧化銦(ITO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、磷摻雜氧化錫(PTO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)等。其中，較宜採用銻摻雜氧化錫(ATO)或錫摻雜氧化銦(ITO)。　　[0019] (B)導電性氧化物粒子之平均粒徑係沒有特別的限定，但較佳為100nm以下，更佳為10～100nm。若此粒徑過大，則有對於成形性造成不良影響之虞。再者，(B)導電性氧化物之上述粒徑為1次粒徑，意指BET法(比表面積計算法)或藉由TEM、SEM等所直接觀察的測定值。　　[0020] 又，本發明所用的導電性氧化物粒係體積電阻率宜為10⁶ Ω・cm以下，較佳為1.0´10^-4 ～1.0´10⁵ Ω・cm。　　[0021] 於本發明中，藉由相對於(A)樹脂100質量份，以0.03～13.0質量份之範圍摻合(B)導電性氧化物粒子，而得到本發明之高介電常數樹脂組成物，(B)導電性氧化物粒子的更佳摻合量為0.05～10.0質量份之範圍。若(B)導電性氧化物粒子之含量未達0.03質量份，則介電常數不充分地增大。又，若上述(B)成分之含量超過13.0質量份，則容易發生凝集物，有成形性變差或因絕緣性降低而介電正切增大之虞。再者，關於本發明之高介電常數樹脂組成物之使用形態，可為粉體、顆粒等之固體形態，也可為分散液、水溶液等之液體形態。　　[0022] 作為於(A)樹脂中摻合(B)導電性氧化物粒子之方法，並沒有特別的限定，例如可舉出下述之任一方法。　　(i)於(C)有機溶劑中溶解(A)樹脂後，添加(B)導電性氧化物及分散之方法，　　(ii)使(A)樹脂分散於水中，於此水分散體中添加(B)導電性氧化物粒子及分散之方法，　　(iii)熔融混煉(A)樹脂，分散(B)導電性氧化物粒子之方法等。　　[0023] 於(i)之方法的情況，作為所使用的(C)有機溶劑，只要適宜選擇(A)樹脂能溶解者即可，其種類係沒有特別的限定。例如，可舉出醇、醚、酮、芳香族烴、含氮的有機溶劑等，考慮(A)樹脂與(C)有機溶劑之溶解參數(SP值)或極性而選擇。　　例如，若(A)樹脂為聚醚醯亞胺樹脂或聚丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂等，則可使用N-甲基吡咯啶酮(NMP)作為(C)有機溶劑。　　[0024] 於上述(i)之情況，可將(B)導電性氧化物粒子直接添加・混合至在(C)有機溶劑中溶解有(A)樹脂的溶液，也可預先成為在(C)有機溶劑中分散有(B)導電性氧化物粒子的分散體，將此混合。　　[0025] (C)有機溶劑之使用量係沒有特別的限定，於工業上使用時，相對於(A)樹脂100質量份，較佳為使用10～5,000質量份的(C)有機溶劑。　　[0026] 藉由螺旋槳式攪拌機或均質機等之眾所周知的混合調製方法，混合溶解(A)樹脂與(C)有機溶劑後，藉由混合(B)導電性氧化物粒子或在(C)有機溶劑中分散有(B)導電性氧化物粒子者，可得到本發明之高介電常數樹脂組成物。　　[0027] 於(ii)之方法的情況，藉由螺旋槳式攪拌機或均質機等之眾所周知的混合調製方法，混合在水中分散有(A)樹脂的乳液等之水分散體與(B)導電性氧化物粒子，可得到本發明之高介電常數樹脂組成物。此時，作為所用的水分散體，較佳為聚丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚乳酸樹脂、聚胺甲酸酯樹脂之水分散體。　　[0028] 於(i)及(ii)之方法中，藉由使如此所得的混合液流入模具中，使其乾燥，可成形為所欲的形狀，特別適合薄膜等的成形品。　　[0029] 為了防止有機溶劑或水沸騰而空氣混合於薄膜中，乾燥較佳為在有機溶劑或水之沸點以下的溫度(例如，30～400℃)，階段地乾燥，較佳為在沸點以下之溫度進行預備乾燥(預乾燥)，然後在接近沸點的溫度進行正式乾燥。還有，於正式乾燥後，亦可在比沸點較高溫進行乾燥。藉由進行此預備乾燥，可成形為均勻品質的薄膜。例如，較佳為使(A)樹脂溶解於N-甲基吡咯啶酮(NMP)中，於混合有(B)導電性氧化物粒子的NMP分散液中，在150℃預備乾燥，然後在接近沸點的200℃進行正式乾燥。乾燥時間係按照形狀或薄膜的厚度而適宜調整，但若考慮工業上的使用，則較佳為以0.1～100小時進行乾燥。　　[0030] 於如此之包含高介電常數樹脂組成物而構成的薄膜中，乾燥前的塗膜之厚度係可按照乾燥後之所欲的厚度而適宜設定，較佳可設定在1μm～10mm，更佳可設定在2μm～1mm之範圍。若塗膜之厚度超過10mm，則溶劑殘留在薄膜中或乾燥變長時間而不宜。又，若塗膜之厚度未達1μm，則破損等之缺陷增加，有成形不良之可能性。　　[0031] 於(iii)之方法的情況，將(A)樹脂熔融，混合(B)導電性氧化物粒子。此熔融混煉步驟係使用單軸擠壓機、雙軸擠壓機、捏合機、班布里混合機等實施。其條件係沒有特別的限定，但較佳為在200～500℃之溫度混煉及成形。經熔融混煉者係可藉由射出成形等而成形為所欲的形狀，可使用於廣泛的用途。　　[0032] 關於所得之薄膜等的成形品，體積電阻率較佳為1´10⁹ W・cm以上，特佳為1´10¹⁰ W・cm以上。若體積電阻率比1´10⁹ W・cm更低，則擔心因絕緣性的變差所造成的不良狀況。若為1´10⁹ W・cm以上，則將本發明之高介電常數樹脂組成物使用作為介電體材料時，可確保充分的絕緣性。又，作為所得之薄膜等的成形品之體積電阻率的上限值，較佳為1´10¹⁵ W・cm以下。　　[0033] 本發明之高介電常數樹脂組成物係可藉由使(B)導電性氧化物粒子之含量在0.03～13.0質量份之範圍中變化，將其介電常數在頻率100kHz時設定於2.5～20之範圍。介電常數係可按照目的用途而選擇適當值。　　[0034] 又，於高介電常數樹脂組成物中，在不影響性能的範圍內，可適宜添加抗氧化劑、著色劑、紫外線吸收劑、光安定化劑、抗靜電劑、可塑劑、難燃劑等之各種添加劑。　　[0035] 本發明之高介電常數樹脂組成物係可在薄膜或射出成形品等之成形品等廣泛的用途中展開，特別地由於高介電常數、具有優異的電氣特性，可適合使用作為電容器等的電氣・電子零件材料。 [實施例] 　　[0036] 以下顯示實施例及比較例，具體地說明本發明，惟本發明不受實施例所限制。再者，於下述之例中，份及%分別表示質量份、質量%。　　[0037] [實施例1] 　　於室溫下使聚丙烯酸樹脂(PMMA)(旭化成化學(股)製Delpet 60N)100份溶解於N-甲基吡咯啶酮(NMP)500份中。於其中混合粒徑50nm的銻摻雜氧化錫(ATO)(Sigma-Aldrich日本公司製)0.3份，得到液狀的樹脂組成物。　　使所得之樹脂組成物流入至鋁製托盤，在150℃進行2小時的預備乾燥後，在200℃進行2小時的正式乾燥。得到厚度0.40mm的薄膜。　　測定所得之薄膜的體積電阻率、介電常數、介電正切，表1中顯示其結果。再者，各測定之詳細係顯示於以下。　　[0038] [體積電阻率之測定] 　　作為高電阻電阻率計，使用(股)三菱化學分析科技製Hiresta-UX MCP-HT800，於作為夾具的環形探針，使用(股)三菱化學分析科技製URS探針，於記錄台使用(股)三菱化學分析科技製UFL，夾住所製作的樹脂薄膜，於施加電壓1,000V、10秒之條件下測定樹脂薄膜的體積電阻率。　　[0039] [介電常數及介電正切之測定] 　　作為LCR計，使用Agilent公司製E-4980A，於夾具使用Agilent公司製16451B介電體測試固定器，藉由平行板法的電極接觸法，測定樹脂薄膜的介電常數及介電正切。將在各頻率(100Hz、1kHz、10kHz、100kHz、1MHz、2MHz)所測定的靜電容量C_p [F]之值代入下述式，算出介電常數(e_r )。又，同時測定・算出介電正切D。t_m ：膜厚[m] 　　A：主電極的表面積[m² ] 　　d：主電極的直徑[m] 　　e₀ ：真空的介電常數=8.854´10^-12 [F/m]。　　[0040] [實施例2] 　　除了將實施例1的聚丙烯酸樹脂(PMMA)換成聚苯乙烯樹脂(PS)(PS日本(股)製GPPS SGP10)以外，與實施例1同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表1中顯示其結果。　　[0041] [實施例3] 　　除了將實施例1的聚丙烯酸樹脂(PMMA)換成聚碳酸酯樹脂(PC)(出光興產(股)製Tarflon IR2200)以外，與實施例1同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表1中顯示其結果。　　[0042] [實施例4] 　　除了將實施例1的聚丙烯酸樹脂(PMMA)換成聚偏二氟乙烯樹脂(PVDF)(ARKEMA(股)製Kynar 741)以外，與實施例1同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表1中顯示其結果。　　[0043] [實施例5] 　　除了將實施例1的聚丙烯酸樹脂(PMMA)換成聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂(PVDF-HFP)(ARKEMA(股)製Kynar 2801-00)以外，與實施例1同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表1中顯示其結果。　　[0044] [實施例6] 　　於聚乳酸樹脂(PLA)乳液(MIYOSHI油脂(股)製Landy PL-3000)250份(固體成分換算100份)中分散粒徑50nm的銻摻雜氧化錫(ATO)(Sigma-Aldrich日本(股)公司製)0.3份，得到液狀的樹脂組成物。與實施例1同樣地製作薄膜，進行評價。表1中顯示其結果。　　[0045] [實施例7] 　　除了將實施例1的聚丙烯酸樹脂(PMMA)換成聚醚醯亞胺樹脂(PEI)(Ultemresin 1000：SABIC. I. P.製)以外，與實施例1同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表2中顯示其結果。　　[0046] [實施例8～14] 　　除了使銻摻雜氧化錫(ATO)之添加量及/或粒徑成為如表2所示以外，與實施例7同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表2中顯示其結果。　　[0047] [實施例15～17] 　　除了使用錫摻雜氧化銦(ITO)作為(B)導電性氧化物粒子，使將添加量及/或粒徑成為如表2所示以外，與實施例7同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表2中顯示其結果。　　[0048] [比較例1～7] 　　如表1及表2所示，不添加銻摻雜氧化錫(ATO)，以與各實施例同樣之方法製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表1及表2中顯示其結果。　　[0049] [比較例8及比較例9] 　　除了使銻摻雜氧化錫(ATO)之添加量成為如表2所示以外，與實施例7同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表2中顯示其結果。　　[0050] [比較例10及比較例11] 　　除了將銻摻雜氧化錫(ATO)換成鈦酸鋇(BaTiO₃ ) (Sigma-Aldrich日本公司製)，將其添加量調整成如表3所示以外，與實施例7同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表3中顯示其結果。　　[0051] [比較例12及比較例13] 　　除了將銻摻雜氧化錫(ATO)換成碳奈米粉(100nm)(Sigma-Aldrich日本公司製)，將其添加量調整成如表3所示以外，與實施例7同樣地製作樹脂組成物與薄膜，進行評價。表3中顯示其結果。　　[0052] 還有，下述表1～3中之(B-1)及(B-2)成分的材料詳細係如下述。 (B-1) 　　・銻摻雜氧化錫(粒徑50nm)：Sigma-Aldrich日本公司製　　・銻摻雜氧化錫(粒徑20nm)：三菱材料電子化成(股)公司製T-1 (B-2) 　　・錫摻雜氧化銦(粒徑50nm)：Sigma-Aldrich日本公司製　　・錫摻雜氧化銦(粒徑20nm)：三菱材料電子化成(股)公司製E-ITO 　　[0053][0054][0055][0056] 如表1～3所示，本實施例之高介電常數樹脂組成物及其樹脂薄膜皆為相對於(A)樹脂100質量份，摻合有0.03～13.0質量份的(B)導電性氧化物粒子者，可知顯示比含有碳奈米粉或鈦酸鋇粒子的各比較例更高的介電常數。　　[0057] 即，如前述，茲認為於樹脂中添加有導電性填料的高介電常數樹脂材料中，藉由電極間距離(介電體的厚度)實質地變小，而介電常數增大。此效果本身由於不依賴於導電性填料的種類，故認為即使改變導電性填料的種類，也介電常數不大地變化。然而，於本發明(本實施例)中，如上述表1～3所示，藉由使用導電性氧化物粒子，而與碳奈米粉比較下，可發揮非常高的介電常數之增大效果及低介電正切。再者，即使與在樹脂中添加有鈦酸鋇等高介電常數的金屬氧化物填料者比較下，當於本實施例中設定特定的介電常數時，也成為較少的添加量，成形性亦良好。

Claims

一種高介電常數樹脂組成物，其特徵為含有(A)樹脂與(B)導電性氧化物粒子，相對於上述(A)樹脂100質量份，摻合0.03～13.0質量份的上述(B)導電性氧化物粒子而成。
如請求項1之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之氧化物係包含由氧化錫、氧化銦、氧化銻、氧化鋅及氧化鎘之群所選出的至少1種之氧化物或複合氧化物。
如請求項1之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之氧化物為銻摻雜氧化錫或錫摻雜氧化銦。
如請求項1～3中任一項之高介電常數樹脂組成物，其中上述(B)導電性氧化物粒子之平均粒徑為100nm以下。
如請求項1～3中任一項之高介電常數樹脂組成物，其中上述(A)樹脂係包含由聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、低密度聚乙烯樹脂、中密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、聚乳酸樹脂、6尼龍樹脂、66尼龍樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫樹脂、聚碸樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚偏二氟乙烯樹脂及聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂之群所選出的至少1種之熱塑性樹脂。
一種成形品，其特徵為含有如請求項1～5中任一項之高介電常數樹脂組成物。
如請求項6之成形品，其體積電阻率為1´10⁹ ～1´ 10¹⁵ W・cm。
如請求項6或7之成形品，其中上述成形品為薄膜。
一種電氣・電子零件，其特徵為含有如請求項1～5中任一項之高介電常數樹脂組成物。